KR19990023403A - Method and Apparatus for Inspection of Micro Repeat Pattern - Google Patents

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KR19990023403A
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아리토시 스기모토
마사미 이코타
유코 이노우에
데츠야 와타나베
와카나 신케
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가야시마 고조
히다치 덴시 엔지니어링 가부시키 가이샤
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Abstract

초소형 반복패턴내의 이물검사방법 및 장치에 관한 것으로서, 치명결함을 효율좋게 얻을 수 있고 그의 사이즈 및 형상을 검사할 수 있는 이물검사방법 및 장치를 제공하기 위해, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사방법으로서, 검사광 조사장치로 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 검사광을 조사하는 공정, 적어도 산란광 검출기로 피검사물의 표면에서 산란되는 검사광의 산란광을 검출하는 공정, 산란광의 검출에 따라 피검사물의 표면상의 이물의 좌표위치를 판정하는 공정, 산란광 검출공정에서 좌표위치에 대응하는 좌표위치에서 조사수단에 의한 명시야 조명 하에 좌표위치가 판정된 이물의 화상을 촬상하는 공정 및 촬상된 화상에 따라서 추출된 이물의 화상에 따라, 이물의 사이즈, 형상, 색 및 속성 중의 적어도 하나를 이물로 결정하는 공정을 포함하는 구성으로 하였다.The present invention relates to a method and an apparatus for inspecting a foreign object in an ultra-small repeating pattern. In order to provide a method and an apparatus for inspecting the size and shape of a foreign object, A step of detecting scattered light of inspection light scattered on a surface of at least an object to be inspected by a scattered light detector; a step of detecting a scattered light of a scattered light A step of capturing an image of a foreign object whose coordinate position is determined under bright field illumination by the irradiating means at a coordinate position corresponding to the coordinate position in the scattered light detection step in accordance with the detection; According to the image of the foreign object extracted according to the captured image, the size, shape, color, and attribute of the foreign object It was also a configuration including a step of determining one to foreign matter.

이것에 의해, 이물의 사이즈, 형상, 색 및 속성을 특정할 수 있으므로 이물의 검사 및 리뷰를 정확하고 신속하게 실행할 수 있고, 치명결함을 판정할 수 있으므로 이물검사방법의 이용효율을 향상시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.This makes it possible to specify the size, shape, color, and property of the foreign object so that inspection and review of the foreign object can be performed accurately and quickly, fatal flaw can be determined, and the utilization efficiency of the foreign object inspection method can be improved Effect is obtained.

Description

초소형 반복패턴의 검사방법 및 장치Method and Apparatus for Inspection of Micro Repeat Pattern

본 발명은 초소형 반복패턴내의 이물검사방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히, 반도체웨이퍼에 형성된 초소형 반복패턴과 같은 피검사물 표면의 미소한 이물을 검사하는 방법 및 장치에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a method and an apparatus for inspecting minute foreign matters on the surface of an object to be inspected such as a micro-repeated pattern formed on a semiconductor wafer.

최근, 반도체집적회로(이하, IC라 한다)의 고집적화 및 회로패턴의 미세화가 진전되고 있고, 그것에 형성되는 회로패턴이 폭 1㎛이하로 되고 있다. 고생산성을 갖는 IC를 제조하기 위해서, 웨이퍼의 표면에 부착된 이물을 검출하고, 그의 사이즈, 형상, 특징 및 속성을 검사해서 각종 반도체를 제조하기 위한 장치 및 공정의 청정도를 정량적으로 파악해서 제조공정을 정확하게 관리할 필요가 있다. 그러므로, 종래부터 공장의 IC제조공정의 작업으로서 웨이퍼에 부착된 이물의 검사방법 및 장치에 의해 웨이퍼상의 이물을 검사하여 정확하게 제조공정을 관리한다.2. Description of the Related Art In recent years, the integration of a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as " IC ") and the miniaturization of circuit patterns have progressed, and circuit patterns formed thereon have become 1 m or less in width. In order to manufacture an IC having high productivity, a foreign matter attached to the surface of a wafer is detected, and its size, shape, characteristics and properties are inspected to quantitatively grasp the cleanliness of apparatuses and processes for producing various semiconductors, It is necessary to accurately manage it. Therefore, conventionally, foreign matter on the wafer is inspected by a method and apparatus for inspecting foreign objects attached to the wafer as an operation of a factory IC manufacturing process, and the manufacturing process is accurately managed.

종래의 웨이퍼상의 이물검사장치는 크게 2종류로 나눌수 있다. 첫번째는 조명의 명시야 하의 화상과 미리 기억된 참조패턴 사이의 비교를 실행하는 화상비교방식의 패턴화된 웨이퍼 검사장치이다(이하, 외관검사장치라 한다). 두번째는 경사방향(斜方)에서의 조명의 암시야 하에 산란광을 검출하고 결함 또는 이물의 유무를 인식해서 산란광의 검출시 얻어진 좌표에 의해 좌표위치와 개수를 판정하는 형태(이하, 검사장치라 한다)의 패턴화된 웨이퍼 검사장치이다.Conventionally, a foreign substance inspection apparatus on a wafer can roughly be divided into two types. The first is a patterned wafer inspection apparatus of an image comparison system (hereinafter, referred to as an inspection inspection station) that performs comparison between an image under bright field of illumination and a reference pattern stored in advance. The second type is to detect the scattered light under the obscuration of the illumination in the oblique direction and recognize the presence or absence of defects or foreign objects to determine the coordinate position and the number based on the coordinates obtained upon detection of the scattered light (hereinafter, Of the patterned wafer inspection apparatus.

또, 웨이퍼상의 이물검사장치의 1예가 닛케이(주) BP사 발행의 Nikkei Micro-devices, March, 1997 pp.97∼116 에 기재되어 있다.An example of a foreign substance inspection apparatus on a wafer is described in Nikkei Micro-devices, March, 1997, pp. 97-116, published by Nikkei Corporation.

상기 외관검사장치는 검사정밀도가 높다는 이점이 있지만, 스루풋이 낮고 고가라는 단점이 있다. 그리고, 외관검사장치에 의해 화상 또는 외관데이타를 얻을 수 있으므로, 리뷰(review)(즉, 시각적으로 화상에 의해 확인 또는 검사)를 실행할 수 있다. 그러나, 외관검사장치에 있어서 검사 웨이퍼수에 비해 미소한 결함 등 리뷰될 불필요한 정보가 너무 많이 마련되어 있으므로, 치명 결함을 얻기 위한 가능성이 매우 낮고 리뷰 효율이 저하한다는 문제점이 있는 것이 본 발명의 발명자들에 의해 명확하게 되었다.The above-mentioned appearance inspecting apparatus has an advantage of high inspection accuracy, but has a disadvantage of low throughput and high cost. Since the image or appearance data can be obtained by the visual inspection apparatus, it is possible to perform review (that is, visual confirmation or inspection by an image). However, in the visual inspection apparatus, there are too many unnecessary information to be reviewed, such as a minute defect, compared to the number of wafers to be inspected. Therefore, there is a problem that the possibility of obtaining a fatal defect is very low and the review efficiency is lowered. .

반면, 상기 검사장치는 외관검사장치보다 검사정밀도가 낮다는 문제점을 갖고 있지만, 외관검사장치에 비해 스루풋이 높고 비용이 저렴하다는 이점을 갖고 있다. 또, 검사장치에서 얻을 수 있는 데이타가 웨이퍼의 표면에서의 결함의 좌표위치와 산란광의 강도를 포함하고 있으므로, 결함의 사이즈(즉 입자의 직경)와 형상(대략 S(small), M(medium), L(large)로 분류하는 범위내)에 관한 정보를 얻을 수 없다. 따라서, 이것에 관한 정보를 더욱 상세하게 얻기 위해서는 상기 외관검사장치 또는 검사 또는 분석에 긴 시간이 걸리고 비용이 높은 SEM(Scanning Electron Microscope)등의 다른 종류의 검사장치와 같은 분석계의 검사장치를 사용할 필요가 있다.On the other hand, the inspection apparatus has a problem that the inspection accuracy is lower than that of the appearance inspection apparatus, but it has an advantage that the throughput is higher and the cost is lower than that of the appearance inspection apparatus. Since the data obtained by the inspection apparatus includes the coordinate position of the defect on the surface of the wafer and the intensity of scattered light, the size of the defect (i.e., the diameter of the particle) and the shape (approximately S (small) , And L (large)). Therefore, in order to obtain more detailed information on this, it is necessary to use an inspection apparatus of an analytical system such as the above-mentioned visual inspection apparatus or other kinds of inspection apparatuses such as an SEM (Scanning Electron Microscope) .

본 발명의 목적은 치명결함을 효율좋게 얻을 수 있고 그의 사이즈 및 형상을 검사할 수 있는 이물검사방법 및 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a foreign matter inspection method and apparatus capable of efficiently acquiring a fatal defect and checking its size and shape.

도 1은 본 발명의 1실시예에 따른 이물검사장치를 도시한 사시도,1 is a perspective view showing a foreign substance inspection apparatus according to an embodiment of the present invention,

도 2는 본 발명의 1실시예에 따른 이물검사장치를 사용해서 처리되는 이물검사방법을 도시한 도면,FIG. 2 is a view illustrating a foreign object inspection method that is performed using a foreign object inspection apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 3은 이물화상의 추출작용을 도시한 도면으로서, 도 3의 (a)는 이물이 부착된 상태에서의 화상을 도시한 도면, 도 3의 (b)는 이물이 부착되지 않은 상태에서의 화상을 도시한 도면, 도 3의 (c)는 추출된 이물화상을 도시한 도면, 도 3의 (d)는 화상이 추출된 상태를 도시한 도면,Fig. 3 (a) is a view showing an image in a state in which a foreign object is attached, Fig. 3 (b) is an image in a state in which no foreign object is attached Fig. 3 (c) is a view showing extracted foreign objects, Fig. 3 (d) is a view showing a state in which an image is extracted,

도 4는 분류작용을 도시한 설명도로서, 도 4의 (a)는 이물의 수직 및 수평사이즈를 특정하는 작용을 도시한 도면, 도 4의 (b)는 이물의 다른 사이즈를 특정하는 작용을 도시한 도면, 도 4의 (c)는 원형의 이물을 특정하는 작용을 도시한 도면, 도 4의 (d)는 가늘고 긴 이물을 특정하는 작용을 도시한 도면,Fig. 4 is an explanatory view showing the sorting action. Fig. 4 (a) is a view showing an action of specifying the vertical and horizontal sizes of a foreign object, and Fig. 4 (b) Fig. 4 (c) is a view showing an action of specifying a circular foreign object, Fig. 4 (d) is a view showing an action of specifying an elongated object,

도 5는 각종분석자료를 도시한 설명도로서, 도 5의 (a)는 이물의 사이즈별로 도시한 도면, 도 5의 (b)는 이물의 사이즈별로 도시한 막대그래프, 도 5의 (c)는 이물의 형상별로 도시한 도면, 도 5의 (d)는 이물의 형상별로 도시한 막대그래프, 도 5의 (e)는 검사결과 시계열추이그래프,5 (a) and 5 (b) illustrate various analysis data. FIG. 5 (a) is a view showing the size of a foreign object, Fig. 5 (d) is a bar graph shown by the shape of a foreign object, Fig. 5 (e) is a time series graph of inspection results,

도 6은 상기 본 발명에 따른 이물검사장치의 제1 변형예를 도시한 사시도,FIG. 6 is a perspective view showing a first modified example of the apparatus for inspecting a foreign body according to the present invention,

도 7은 상기 제1 변형예에 따른 이물검사장치를 사용해서 처리되는 이물검사방법을 도시한 도면,FIG. 7 is a view illustrating a foreign object inspection method that is performed using the foreign object inspection apparatus according to the first modification. FIG.

도 8은 상기 제1 변형예에 따른 이물검사장치의 작용을 도시한 도면으로서, 도 8의 (a)는 그룹핑작용을 도시한 도면, 도 8의 (b)는 집단화작용을 도시한 도면,FIG. 8 is a view showing the operation of the foreign body inspection apparatus according to the first modification, wherein FIG. 8 (a) is a view showing the grouping operation, FIG. 8 (b)

도 9는 상기 본 발명에 따른 이물검사장치의 제2 변형예를 도시한 사시도,FIG. 9 is a perspective view showing a second modified example of the foreign substance inspection apparatus according to the present invention,

도 10은 상기 본 발명에 따른 이물검사장치의 제3 변형예를 도시한 사시도,FIG. 10 is a perspective view showing a third modification of the foreign substance inspection apparatus according to the present invention,

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사장치를 사용해서 처리되는 이물검사방법을 도시한 도면,11 is a view showing a foreign matter inspection method to be processed using a foreign matter inspection apparatus according to another embodiment of the present invention,

도 12는 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사방법에 있어서 화상이 3분할된 경우의 단일 이물의 인식를 설명하는 도면,12 is a view for explaining recognition of a single foreign object when an image is divided into three in the foreign substance inspection method according to another embodiment of the present invention,

도 13은 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사방법에 있어서 화상이 2분할된 경우의 단일 이물의 인식을 설명하는 도면,13 is a view for explaining recognition of a single foreign object when an image is divided into two in the foreign substance inspection method according to another embodiment of the present invention,

도 14는 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사방법에 있어서 치명결함 및 불량칩이 표시된 웨이퍼를 도시한 도면,FIG. 14 is a view showing a wafer in which fatal defects and defective chips are displayed in a foreign substance inspection method according to another embodiment of the present invention, FIG.

도 15는 상기 본 발명의 다른 실시예의 제1 변형예에 있어서 단일 이물의 인식를 설명하는 도면으로서, 도 15의 (a)∼(c)는 그의 화상을 각각 도시한 도면, 도 15의 (d)는 채도색상 분포도,Fig. 15 is a view for explaining recognition of a single foreign object in the first modification of the another embodiment of the present invention. Figs. 15 (a) to 15 (c) A saturation color distribution chart,

도 16은 상기 본 발명의 다른 실시예의 제1 변형예에 있어서 화상이 2분할된 경우의 단일 이물의 인식을 설명하는 도면,16 is a view for explaining recognition of a single foreign object when an image is divided into two in the first modification of the other embodiment of the present invention,

도 17은 상기 본 발명의 다른 실시예의 제2 변형예에 있어서 단일 이물의 인식을 설명하는 도면,17 is a view for explaining the recognition of a single foreign object in the second modification of the other embodiment of the present invention,

도 18은 상기 본 발명의 다른 실시예의 제3 변형예에 있어서 단일 이물의 인식을 설명하는 도면.FIG. 18 is a view for explaining recognition of a single foreign object in the third modification of the another embodiment of the present invention. FIG.

본 발명에 의한 상기 목적을 달성하기 위해서, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사방법으로서, 검사광 조사장치로 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 검사광을 조사하는 공정, 산란광 검출기로 상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 검사광의 산란광을 검출하는 공정, 상기 공정에서 상기 산란광의 검출에 따라 상기 피검사물의 표면상의 이물의 좌표위치를 판정하는 공정, 상기 산란광 검출공정에서 좌표위치에 대응하는 좌표위치에서 조사수단에 의한 명시야 조명 하에 상기 공정에서 좌표위치가 판정된 상기 이물의 화상을 촬상하는 공정 및 상기 공정에서 촬상된 상기 화상에 따라서 추출된 상기 이물의 화상에 따라, 상기 이물의 사이즈, 형상, 색 및 속성 중의 적어도 하나를 이물로 결정하는 공정을 포함한다.In order to attain the above object, according to the present invention, there is provided a method for inspecting a microscopic repeated pattern formed on a surface of an inspected object, comprising the steps of: irradiating inspection light onto a surface of an inspected object on which an ultra- A step of detecting the scattered light of the inspection light scattered on the surface of the inspection object with the scattered light detector, a step of determining the coordinate position of the foreign object on the surface of the inspection object in accordance with the detection of the scattered light in the step, A step of picking up an image of the foreign object whose coordinate position has been determined in the step under illumination of bright field by the irradiating means at a coordinate position corresponding to the coordinate position and a step of picking up an image of the foreign object extracted according to the image picked up in the step , A step of determining at least one of the size, shape, color, and properties of the foreign object as foreign matters The.

또, 본 발명에 의한 상기 목적을 달성하기 위해서, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사장치로서, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 검사광을 조사하는 광조사장치, 상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 검사광의 산란광을 검출하는 산란광 검출기, 상기 산란광의 검출에 따라 상기 피검사물의 표면상의 상기 이물의 좌표위치를 판정하는 수단, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 명시야 조명을 인가하는 조사수단, 상기 좌표위치 판정수단에 의해 판정된 좌표위치에 대응하는 좌표위치에서 상기 조사수단에 의한 명시야 조명 하에 상기 좌표위치에 의해 판정된 상기 이물의 화상을 촬상하는 수단 및 상기 촬상수단에 의해 얻어진 화상의 상기 촬상에 따라서 추출된 이물의 화상에 따라, 상기 이물의 사이즈, 형상, 색 및 속성 중의 적어도 하나를 이물로 결정하는 수단을 포함한다.In order to attain the above object, according to the present invention, there is provided an apparatus for inspecting a micropattern of repeated patterns formed on a surface of an object to be inspected, comprising: a light irradiation device for irradiating inspection light onto a surface of the object, A scattered light detector for detecting scattered light of the inspection light scattered on the surface of the object to be inspected, means for determining a coordinate position of the foreign object on the surface of the inspected object in accordance with the detection of the scattered light, An image pick-up means for picking up an image of the foreign object judged by the coordinate position under bright field illumination by the irradiating means at a coordinate position corresponding to the coordinate position judged by the coordinate position judging means In accordance with the image of the foreign object extracted in accordance with the imaging of the image obtained by the imaging means, It means for determining at least one of a size, shape, color and properties of the particle as foreign matter.

또, 본 발명에 의하면, 상기 이물검사장치는 상기 판정수단에 의해 판정된 상기 좌표위치와는 다르고 상기 좌표위치에 대응하는 상기 피검사물의 표면상의 다른 좌표위치에서 명시야 조명하에 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하는 것에 의해 참조화상을 얻는 수단 및 상기 피검사물 화상과 상기 참조화상 사이에서 연산처리된 화상을 얻는 수단을 더 포함하고, 상기 결정수단은 상기 연산처리된 화상을 얻는 수단에 의해 얻어진 연산처리화상에 따라, 미리 지정된 상기 피검사물상에서 판정된 좌표위치에서 결함의 존재유무를 결정한다.Further, according to the present invention, the foreign body inspection apparatus is characterized in that the foreign substance inspection apparatus is provided with an image of the micropattern under bright field illumination at a different coordinate position on the surface of the inspected object, which is different from the coordinate position determined by the determination means, And means for obtaining an image subjected to arithmetic processing between the inspection object image and the reference image, wherein the determination means determines whether or not the arithmetic processing obtained by the means for obtaining the arithmetic processed image The presence or absence of a defect is determined at a coordinate position determined on the predetermined object to be inspected according to the image.

또, 본 발명에 의한 상기 목적을 달성하기 위해서, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사장치로서, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 검사광을 조사하는 광조사장치, 상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 광의 산란광을 검출하는 산란광 검출기, 상기 산란광 검출기에 의한 상기 산란광의 검출에 따라 얻어진 상기 피검사물의 표면상에 부착된 이물에 관련된 제1 정보를 얻는 수단, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 명시야 조명을 인가하는 조사수단, 상기 조사수단에 의한 명시야 조명 하에 상기 이물의 화상을 촬상하는 수단, 상기 명시야 조명 하에서의 상기 촬상수단에 의한 상기 화상의 촬상에 따라서 얻어진 상기 이물의 화상에 따라, 상기 이물에 관련된 제2 정보를 얻는 수단 및 상기 제1 정보 및 상기 제2 정보를 표시화면상에 표시하는 수단을 포함한다.In order to attain the above object, according to the present invention, there is provided an apparatus for inspecting a micropattern of repeated patterns formed on a surface of an object to be inspected, comprising: a light irradiation device for irradiating inspection light onto a surface of the object, A scattered light detector for detecting scattered light of the light scattered on the surface of the object to be inspected, means for obtaining first information related to a foreign object attached on the surface of the inspected object obtained by the scattered light detector by the scattered light detector, An illuminating means for illuminating the surface of the inspected object having the repeated pattern formed thereon, a means for capturing an image of the foreign object under bright field illumination by the illuminating means, a means for capturing an image of the foreign object under the bright- Means for obtaining second information related to the foreign object in accordance with the image of the foreign object obtained in accordance with the imaging, And means for displaying the first information and the second information on the display screen.

또, 본 발명에 의한 상기 목적을 달성하기 위해서, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사방법으로서, 미리 지정된 상기 피검사물의 표면상의 좌표위치에서 명시야 조명하에 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하여 피검사물 화상을 얻는 공정, 상기 좌표위치에 대응하고 상기 좌표위치와는 다른 상기 피검사물의 표면상의 다른 좌표위치에서 명시야 조명하에 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하여 참조화상을 얻는 공정, 상기 피검사물 화상과 상기 참조화상 사이에서 연산처리된 화상을 얻는 공정 및 상기 연산처리된 화상의 조건에 따라서 미리 정해진 상기 피검사물상의 좌표위치에서 이물의 존재유무를 결정하는 공정을 포함한다.In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a method for inspecting a micro-pattern repeated pattern formed on a surface of an inspected object, comprising the steps of: Capturing an image of an ultra-small pattern under bright field illumination at a different coordinate position corresponding to the coordinate position and different from the coordinate position on the surface of the inspected object to obtain a reference image; A step of obtaining an image subjected to arithmetic processing between the inspected object image and the reference image and a step of determining the presence or absence of a foreign object at a predetermined coordinate position on the inspected object according to the condition of the computed image.

본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 특징은 첨부도면과 함께 고려될 실시예에 대한 다음의 상세한 설명에서 명확하게 될 것이다.These and other objects and features of the present invention will become apparent from the following detailed description of the embodiments to be considered in conjunction with the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 따른 실시예를 도면을 사용해서 상세하게 설명하고, 다음의 설명에 있어서 이물이라는 것은 피검사물의 표면상의 패턴형상의 결함, 패턴부족의 결함, 오염, 잔류물, 긁은 흔적 등을 포함해서 말하는 것이다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, a foreign object refers to defects in the shape of a pattern on the surface of an object to be inspected, defects in pattern defects, contamination, residues, scratches, It is included.

도 1은 본 발명의 1실시예에 따른 이물검사장치를 도시한 사시도, 도 2는 그 방법을 도시한 도면, 도 3은 그 작용을 설명하는 설명도이다.FIG. 1 is a perspective view showing a foreign substance inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing the method, and FIG. 3 is an explanatory view for explaining the operation thereof.

본 실시예에 있어서, 본 발명에 따른 이물검사장치(10)은 경사방향에서의 조명에 의한 암시야 하에 피검사물인 웨이퍼에서 산란광을 검출하고, 산란광이 검출된 경우 그 시점의 좌표에서 이물의 유무, 좌표위치 및 개수를 인식하는 방식으로 구성되어 있다. 피검사물 즉 웨이퍼(1)은 제1 주면(2)상의 칩부(4)마다 예를 들면 DRAM과 같은 IC를 제조하는 과정에 있고, 칩부(4)는 웨이퍼(1)의 일부를 잘라 형성된 배향판(3)에 대해 수직 및 수평방향으로 규칙적으로 배열되어 있다. 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)에 이물(5)가 부착될 때 결함이 발생한다. 그러므로, 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)에 부착된 이물(5)는 이물검사장치(10)에 의해 검출되고, 이물의 위치, 개수, 사이즈, 형상, 색, 속성이 검사되어 각종 반도체제조장치 및 공정에 있어서의 청정도를 파악하고 제조공정을 정확하게 관리한다.In the present embodiment, the particle inspection apparatus 10 according to the present invention detects scattered light in a wafer as an object under the darkness due to illumination in an oblique direction, and when scattered light is detected, , A coordinate position, and a number of points. The inspection object, that is, the wafer 1 is in the process of manufacturing an IC such as a DRAM for each chip portion 4 on the first main surface 2, and the chip portion 4 is formed by cutting a part of the wafer 1, Are regularly arranged in the vertical and horizontal directions with respect to the frame 3. A defect occurs when the foreign matter 5 is attached to the first main surface 2 of the wafer 1. [ Therefore, the foreign object 5 attached to the first main surface 2 of the wafer 1 is detected by the foreign object inspection apparatus 10, and the position, number, size, shape, color, Understand the degree of cleanliness in manufacturing equipment and processes and accurately manage the manufacturing process.

이물검사장치(10)은 피검사물로서의 웨이퍼(1)을 주사시키기 위한 X-Y표(12), θ방향으로 웨이퍼(1)을 회전시키는 θ표(13), 초점맞춤기구(도시하지 않음) 및 이들을 제어하는 컨트롤러(14)로 이루어지는 스테이지장치(11)를 구비하고 있다. 또, 웨이퍼(1)의 전면을 검사하기 위해서, 스테이지장치(11)에 의해 웨이퍼(1)의 X-Y의 주사가 실행된다. 이 주사동안 컨트롤러(14)에서 피검사물로서의 웨이퍼(1)에 대한 좌표위치정보가 후술하는 이물판정장치로 입력되게 된다.The foreign object inspection apparatus 10 includes an XY table 12 for scanning the wafer 1 as an object to be inspected, a? Table 13 for rotating the wafer 1 in the? Direction, a focusing mechanism (not shown) And a controller (14) for controlling the stage (11). In order to inspect the entire surface of the wafer 1, X-Y scanning of the wafer 1 is performed by the stage device 11. [ During this scanning, the coordinate positional information on the wafer 1 as the inspected object in the controller 14 is input to the foreign substance judging device to be described later.

스테이지장치(11)의 경사방향 위쪽으로 검사광 조사장치(20)이 마련되어 있다. 검사광 조사장치(20)은 웨이퍼(1)에 레이저광(21)을 조사하는 레이저조사장치(22)와 레이저광(21)을 집광하는 집광렌즈(23)으로 이루어지고, 스테이지장치(11)상에 유지된 피검사물로서의 웨이퍼(1)에 집광된 레이저광(21)을 조사하는 것에 의해 웨이퍼(1)을 경사방향에서 조명하도록 되어 있다.The inspection light irradiating device 20 is provided above the stage device 11 in the oblique direction. The inspection light irradiation device 20 comprises a laser irradiation device 22 for irradiating the wafer 1 with a laser beam 21 and a condenser lens 23 for condensing the laser beam 21, The wafer 1 is irradiated with the condensed laser beam 21 to illuminate the wafer 1 in the oblique direction.

상기 스테이지장치(11)의 바로 위에 산란광 검출장치(30)을 마련하고 있다. 이 산란광 검출장치(30)은 레이저광(21)이 경사방향으로 조사되는 것에 따라서 웨이퍼(1)의 표면으로 산란된 산란광(31)을 집광하기 위한 대물렌즈(32), 수광면상에 화상을 형성하기 위해 산란광(31)을 발생시키는 릴레이렌즈(33) 및 수광면상에 형성된 화상에 따라서 산란광을 검출하는 산란광 검출기(34)를 구비하고 있다. 즉, 산란광 검출장치(30)은 암시야 조명 하에 산란광(31)을 검출하도록 구성되어 있다. 본 실시예에 있어서, 산란광 검출기(34)는 CCD(Charge Coupled Device) 등의 광전변환형의 고체상태 화상센서가 스테이지의 이동방향과 직교하는 Y방향을 따라서 라인으로 배열된 라인센서로 구성되어 있다.The scattered light detection device 30 is provided immediately above the stage device 11. [ The scattered light detection device 30 includes an objective lens 32 for condensing the scattered light 31 scattered on the surface of the wafer 1 in accordance with the irradiation of the laser light 21 in the oblique direction, And a scattered light detector 34 for detecting scattered light in accordance with an image formed on the light receiving surface. That is, the scattered light detection device 30 is configured to detect the scattered light 31 under the dark background illumination. In this embodiment, the scattered light detector 34 is constituted by a line sensor in which a photoelectric conversion type solid-state image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) is arranged in a line along the Y direction orthogonal to the moving direction of the stage .

산란광 검출기(34)는 이물판정장치(35)에 접속되어 있다. 이 이물판정장치(35)는 산란광 검출기(34)로 부터의 산란광을 검출하는 시점에 따라 웨이퍼(1)의 이물의 유무를 판정하고, 스테이지장치(11)의 컨트롤러(14)로 부터의 좌표위치데이타를 결정하는 데이타를 조합하는 것에 의해 이물의 좌표위치를 특정하도록 구성되어 있다. 또, 산란광 검출기(34)는 이물판정장치(35)로 산란광의 강도를 송신하도록 되어 있다. 본 실시예에 있어서, 낙사조명장치(vertical spot illumination device)(40)은 스테이지장치(11)의 바로 위에 마련되어 있다. 낙사조명장치(40)은 웨이퍼(1)에 명시야 조명광을 조사하는 백색광(41), 백색광(41)을 수직방향으로 반사하는 하프미러(43) 및 스폿형상으로 백색광(41)을 형성하는 렌즈(44)를 구비하고 있고, 백색광(41)을 스테이지장치(11)에 유지된 피검사물로서의 웨이퍼(1)에 수직으로 조사해서 조명하도록 되어 있다.The scattered light detector 34 is connected to the foreign substance judging device 35. The foreign substance judging device 35 judges the presence or absence of a foreign object on the wafer 1 according to the timing of detecting the scattered light from the scattered light detector 34, And the coordinate positions of the foreign object are specified by combining the data for determining the data. The scattered light detector 34 is configured to transmit the intensity of the scattered light to the foreign substance judging device 35. In the present embodiment, a vertical spot illumination device 40 is provided directly above the stage device 11. [ The night illumination device 40 includes a white light 41 for irradiating the bright light to the wafer 1, a half mirror 43 for vertically reflecting the white light 41, and a half mirror 43 for forming the white light 41 in a spot shape. And the white light 41 is irradiated perpendicularly to the wafer 1 as the inspected object held by the stage device 11 and illuminated.

낙사조명장치(40)의 반대위치에 촬상장치(45)가 마련되어 있다. 즉, 촬상장치(45)는 CCD(Charge Coupled Device)등의 광전변환형의 고체상태 화상센서가 하프미러(43)의 투과측에서의 낙사조명장치(40)의 광축상의 스테이지의 이동방향과 직교하는 Y방향을 따라서 라인으로 배열된 라인센서로 구성되어 있다. 즉, 촬상장치(45)는 명시야 조명 하에 난반사광의 화상을 촬영하도록 되어 있다.An image pickup device 45 is provided at a position opposite to the drop lighting device 40. That is, the image pickup device 45 is configured such that a photoelectric conversion type solid-state image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) or the like is mounted on the transmission side of the half mirror 43 in a direction perpendicular to the moving direction of the stage on the optical axis of the drop- And a line sensor arranged in a line along the direction. That is, the imaging device 45 is adapted to capture an image of reflected light under bright field illumination.

촬상장치(45)의 화상처리부(46)에는 비교부(47)이 접속되어 있고, 비교부(47)의 출력단에는 검증부(48)이 접속되어 있다 비교부(47)의 다른 입력단과 검증부(48)의 다른 입력단에는 이물판정장치(35)가 접속되어 있고, 이물판정장치(35)는 이물검사장치(10)을 제어하는 호스트컴퓨터(36), 비교부(47) 및 검증부(48)로 판정결과를 송신하도록 되어 있다.The comparison section 47 is connected to the image processing section 46 of the image pickup device 45 and the verification section 48 is connected to the output terminal of the comparison section 47. The other input terminal of the comparison section 47, The foreign object judging device 35 is connected to the other input end of the foreign object judging device 48. The foreign object judging device 35 includes a host computer 36 for controlling the foreign object inspecting device 10, ) To transmit the determination result.

다음에, 본 발명의 실시예로서 상기 이물검사장치에 의해 이물을 검사하는 방법에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다.Next, a method of inspecting a foreign object by the above-mentioned foreign object inspection apparatus as an embodiment of the present invention will be described with reference to Fig.

웨이퍼(1)상에 검사광 조사장치(20)에 의해 검사광으로서의 레이저광(21)이 낮은 경사각으로 조사되면, 레이저광(21)의 조사에 의해 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)에 부착되어 형성된 이물(5) 및 회로패턴(도시하지 않음)에서 암시야 조명 하에 산란광(31)이 발생한다. 이 산란광은 대물렌즈(32)에 의해 집광되고 릴레이렌즈(33)을 거쳐 산란광 검출기(34)상에 결상된다.The laser light 21 as the inspection light is irradiated onto the wafer 1 at a low inclination angle by the inspection light irradiation device 20 so that the laser light 21 is irradiated onto the first main surface 2 of the wafer 1, The scattered light 31 is generated under the dark background illumination in the foreign matter 5 and the circuit pattern The scattered light is condensed by the objective lens 32 and is image-formed on the scattered-light detector 34 via the relay lens 33.

이 때, 확산광은 규칙성이 있기 때문에, 웨이퍼(1)에 있어서의 패턴면의 푸리에변환면에 마련된 공간필터 또는 검광자로 이루어지는 차광소자(도시하지 않음)에 의해 회로패턴으로 부터의 산란광(31)은 차광되게 된다. 한편, 이물(5)로 부터의 산란광(31)은 불규칙성이기 때문에, 공간필터 또는 검광자를 거쳐 통과하는 산란광 검출기(34)상에 결상되게 된다. 그러므로, 이물만을 검출할 수 있다.At this time, scattered light from the circuit pattern 31 (not shown) is blocked by the light shielding element (not shown) made of a spatial filter or an analyzer provided on the Fourier transform surface of the pattern surface of the wafer 1 Is shielded from light. On the other hand, since the scattered light 31 from the foreign object 5 is irregular, it is imaged on the scattered light detector 34 passing through the spatial filter or the analyzer. Therefore, only foreign objects can be detected.

또, 암시야 조명 하에 이물(5)로 부터의 산란광(31)에 의한 산란광 검출기(34)에 의해 검출된 검출신호는 이물판정장치(35)로 입력된다. 이물판정장치(35)는 이 검출신호에 따라 이물(5)의 유무를 판정하고, 이 판정데이타와 스테이지장치(11)의 컨트롤러(14)로 부터의 좌표위치의 데이타를 조합하는 것에 의해 이물(5)의 좌표위치를 특정한다. 이렇게 해서 특정된 좌표위치는 예를 들면 이물판정장치(35)에서 이물검사장치(10)을 총괄적으로 실행하는 호스트컴퓨터(36)과 촬상장치(45)에 전기적으로 접속된 비교부(47) 및 검증부(48)로 출력된다.The detection signal detected by the scattered light detector 34 by the scattered light 31 from the foreign object 5 under the dark background illumination is input to the foreign substance judging device 35. [ The foreign substance judging device 35 judges the presence or absence of the foreign object 5 in accordance with the detection signal and combines the judgment data with the data of the coordinate position from the controller 14 of the stage device 11, 5). The coordinate positions thus specified are detected by, for example, a host computer 36 which comprehensively executes the foreign object inspection apparatus 10 in the foreign object judging device 35 and a comparator 47 electrically connected to the image capturing device 45, And is output to the verification unit 48.

이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치가 촬상장치(45)의 촬상위치 즉 낙사조명장치(40)으로 부터의 스폿내로 오면, 비교부(47)은 촬상장치(45)로 부터의 화상신호를 명시야 조명 하에 수신한다. 이물판정장치(35)의 작용에 따라서 그의 좌표위치에 이물(5)가 부착되어 있기 때문에, 그 화상에는 이물(5)가 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 나타나게 된다. 즉, 피검사물의 화상이 얻어진다.When the coordinate position of the foreign object 5 transmitted from the foreign object judging device 35 comes to the imaging position of the imaging device 45, that is, the spot from the back lighting device 40, Lt; RTI ID = 0.0 > brightfield < / RTI > illumination. Since the foreign object 5 is attached to the coordinate position according to the action of the foreign object judging device 35, the foreign object 5 appears on the image as shown in Fig. 3 (a). That is, an image of the inspected object is obtained.

그 후, 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치로 부터의 1칩부(4)의 거리만큼 어긋난 좌표위치 즉 이물(5)가 부착된 좌표위치와 인접하는 다른 칩부(4)에 있어서의 이물(5)의 좌표에 대응하는 좌표가 촬상장치(45)의 촬상위치로 되었을 때, 비교부(47)은 촬상장치(45)로 부터의 화상신호를 명시야 조명 하에 수신한다. 이물판정장치(35)의 작용에 따라서 그의 좌표위치에 이물(5)가 부착되지 않기 때문에, 그 화상에는 이물(5)가 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이 나타나게 된다.Thereafter, the coordinate position shifted by the distance of the one-chip portion 4 from the coordinate position of the foreign object 5 transmitted from the foreign substance judging device 35, that is, the coordinate position where the foreign substance 5 is attached, When the coordinates corresponding to the coordinates of the foreign object 5 in the image pickup device 45 become the image pickup position of the image pickup device 45, the comparator 47 receives the image signal from the image pickup device 45 under bright illumination . The foreign object 5 does not adhere to the coordinate position thereof in accordance with the action of the foreign object judging device 35, so that the foreign object 5 appears on the image as shown in FIG. 3 (b).

계속해서, 도 3의 (a)∼도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 비교부(47)은 이물(5)가 부착되어야 할 칩부(4)의 좌표위치 즉 피검사물의 좌표위치에서 얻어진 화상(도 3의 (a))을 이물(5)가 부착되지 않는 칩부의 좌표위치 즉 비교될 좌표위치에서의 참조화상(도 3의 (b))과 비교한다. 즉, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 비교부(47)은 서로 인접하는 한쌍의 칩부(4), (4)에 있어서의 동일 부분의 한쌍의 화상을 받아들여 비교하는 상태로 된다. 도 3의 (a)의 이물(5)가 부착되는 화상과 도 3의 (b)의 참조화상에서 도 3의 (c)에 도시한 차화상을 형성한다. 도 3의 (a)에서의 화상과 도 3의 (b)에서의 화상 사이의 차는 이물(5)일뿐이므로, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이 이물화상(6)만이 추출된다.3 (a) to 3 (d), the comparison unit 47 compares the coordinate position of the chip 4 to which the foreign object 5 is to be attached, that is, the coordinate position of the inspected object The obtained image (FIG. 3A) is compared with the coordinate position of the chip portion to which the foreign matter 5 is not attached, that is, the reference image at the coordinate position to be compared (FIG. 3B). 3 (d), the comparator 47 receives a pair of images of the same portion in the pair of adjacent chip portions 4, 4 and compares them . The difference image shown in Fig. 3 (c) is formed from the image to which the foreign object 5 of Fig. 3 (a) is attached and the reference image of Fig. 3 (b). Since the difference between the image shown in Fig. 3A and the image shown in Fig. 3B is the foreign matter 5, only the foreign matter image 6 is extracted as shown in Fig. 3C.

또, 비교부(47)은 추출된 이물화상(6)을 검증부(48)로 송신한다. 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에 대해 이물화상(6)이 비교부(47)에서 송신되어 온 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물의 존재의 판정이 적정하다고 검증한다.The comparison unit 47 transmits the extracted foreign object image 6 to the verification unit 48. [ When the foreign object image 6 is transmitted from the comparator 47 to the coordinate position of the foreign object 5 transmitted from the foreign object judging device 35, It is verified that the judgment of the existence of the foreign object is appropriate.

이에 반해, 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에 대해 이물화상(6)이 비교부(47)에서 송신되지 않은 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물의 존재의 판정이 에러라고 검증한다. 또, 에러를 검증한 경우 검증부(48)은 그 결과를 호스트컴퓨터(36)으로 송신한다. 또, (100)은 이물과 관련된 다양한 정보를 표시하는 모니터표시부로서, 상기 호스트컴퓨터(36)에 의해 처리된다.On the other hand, when the foreign object image 6 is not transmitted from the comparison unit 47 to the coordinate position of the foreign object 5 transmitted from the foreign object determining apparatus 35, It is verified that the determination of the presence of the foreign object made by the user is an error. When the error is verified, the verification unit 48 transmits the result to the host computer 36. [ In addition, reference numeral 100 denotes a monitor display unit that displays various information related to a foreign object and is processed by the host computer 36. [

또, 추출된 이물화상(6)은 분류부(49)로 송신된다. 분류부(49)는 미리 설정된 알고리듬에 따라서 이물(5)의 사이즈, 형상, 색 및 속성인 유기물 또는 무기물을 분류한다. 예를 들면, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이 이물화상(6)의 화소수의 계수에 의해 이물화상(6)의 사이즈를 수직 및 수평방향으로 특정할 수 있다. 또, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 이물화상(6)의 수직길이a와 수평길이b 사이의 곱(a×b)에 의해 이물(5)의 면적 즉 사이즈를 특정할 수 있다. 이물화상(6)의 수직길이a와 수평길이b 사이의 몫(a/b)에 의해 이물(5)의 형상이 특정된다. 예를 들면, a/b=1인 경우 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이 이물(5)는 원형으로 특정된다. 또, a/b>1 또는 a/b<1인 경우 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이 이물(5)는 가늘고 긴형상으로 특정된다.The extracted foreign object image 6 is transmitted to the classification unit 49. [ The classifying unit 49 classifies the size, shape, color, and properties of the foreign matter 5, organic or inorganic, according to a predetermined algorithm. For example, as shown in Fig. 4 (a), the size of the foreign object image 6 can be specified in the vertical and horizontal directions by the coefficient of the number of pixels of the foreign object image 6. 4 (b), the area or size of the foreign object 5 can be specified by the product (a × b) between the vertical length a and the horizontal length b of the foreign object image 6 . The shape of the foreign object 5 is specified by the quotient a / b between the vertical length a and the horizontal length b of the foreign object image 6. For example, when a / b = 1, the foreign object 5 is specified as a circle as shown in Fig. 4 (c). When a / b > 1 or a / b < 1, the foreign matter 5 is specified in a slender shape as shown in Fig. 4 (d).

낙사조명광으로서 백색광(41)이 사용되고 있으므로, 색상 및 명도(즉, 화상을 형성하는 등급)에 따라서 이물화상(6)의 색을 특정할 수 있다. 이 결과, 예를 들면 추출된 이물 전체가 짙은 블루계통과 거의 유사한 색상 및 등급을 갖으면, 이물은 형상이 편평하고 두께가 균일한 절연층으로 추정할 수 있다.Since the white light 41 is used as the background illumination light, the color of the foreign object image 6 can be specified in accordance with the hue and brightness (that is, the grade that forms the image). As a result, for example, if the extracted foreign matter has a color and grade substantially similar to those of the dark blue system, the foreign matter can be assumed to be an insulating layer having a flat shape and a uniform thickness.

또, 산란광 검출기에 의해 검출된 이물의 산란광신호 및 이물화상(6)에 의해 특정된 이물의 사이즈와 속성을 사용해서 표면의 오목볼록의 존재를 인식할 수 있다. 즉, 검사광 조사장치(20)에 의해 낮은 경사각으로 웨이퍼(1)에 검사광으로서의 레이저광(21)이 조사되는 경우, 암시야 조명하에 이물(5)에서 산란광(31)이 발생한다. 산란단면적과 표면의 오목볼록에 관련해서 확산광의 강도가 변화되므로, 검출시에 기록된 확산광의 강도와 이물화상에서 계산된 레이저조사방향과 수직인 방향의 이물의 길이를 사용해서 분석하는 것에 의해 표면의 오목볼록의 상태를 인식할 수 있다. 이 결과, 예를 들면 오목볼록이 적은 경우 이물은 실리카(유리) 또는 실리콘칩 및 금속칩 등의 무기물로서 특정된다. 오목볼록이 많으면 인간 또는 수지에 의해 발생한 먼지와 같은 유기물로서 특정된다.It is also possible to recognize the presence of the concave / convex surface on the surface by using the scattered light signal of the foreign object detected by the scattered light detector and the size and the attribute of the foreign object specified by the foreign object image 6. That is, when the inspection light irradiating device 20 irradiates the wafer 1 with the laser light 21 as inspection light at a low inclination angle, the scattered light 31 is generated in the foreign object 5 under dark background illumination. The intensity of the diffused light is changed in relation to the scattering cross-sectional area and the convex convexity of the surface. Therefore, by analyzing the intensity of the diffused light recorded at the time of detection and the length of the foreign object in the direction perpendicular to the laser irradiation direction calculated in the foreign image, It is possible to recognize the concave / convex state of the concave / convex portion. As a result, for example, when the convex convexity is small, the foreign matter is specified as an inorganic substance such as silica (glass), a silicon chip, or a metal chip. If there are many convex convexities, it is specified as organic matter such as dust generated by human or resin.

상기와 같이 해서 분류된 분류결과는 분류부(49)에서 호스트컴퓨터(36)으로 송신된다. 호스트컴퓨터(36)은 분류부(49)로 부터의 분류데이타와 이물판정장치(35)로 부터의 이물(5)의 좌표위치 및 개수의 데이타를 사용해서 도 5의 (a)∼도 5의 (d)에 도시한 각종 데이타를 작성하고 모니터 또는 프린터 등의 출력장치를 통해서 적시에 출력한다. 그러므로, 작업자는 IC의 제조공정을 정확하고 신속하게 관리할 수 있다.The sorting result classified as described above is transmitted from the classifying unit 49 to the host computer 36. The host computer 36 uses the classification data from the classifying section 49 and the data of the coordinate position and the number of the foreign object 5 from the foreign substance judging device 35, (d), and outputs it in a timely manner via an output device such as a monitor or a printer. Therefore, the operator can accurately and quickly manage the manufacturing process of the IC.

도 5의 (a)는 이물의 사이즈 데이타와 좌표위치 데이타에 의해 작성된 이물의 사이즈별로 도시한 도면이다. 도 5의 (b)는 이물의 사이즈별로 도시한 막대그래프로서, 횡축에는 구간분리된 변수로서 이물사이즈가 취해지고, 종축에는 각 이물사이즈에 속하는 측정값의 회수로서 검출개수가 취해지고 있다.FIG. 5A is a diagram showing the size data of foreign objects and the sizes of foreign objects created by the coordinate position data. Fig. 5 (b) is a histogram shown by the size of the foreign object. In Fig. 5, the axis of abscissa is taken as a segmented variable, and the axis of ordinates is taken as the number of detected values belonging to each foreign particle size.

도 5의 (c)는 이물의 형상데이타 및 좌표위치데이타에 의해 작성된 이물의 형상별로 도시한 도면이다. 도 5의 (d)는 이물의 형상별로 도시한 막대그래프로서, 횡축에는 구간분리된 변수로서 이물형상이 취해지고, 종축에는 각 이물형상에 속하는 측정값의 회수로서 검출개수가 취해지고 있다.Fig. 5C is a diagram showing the shape of the foreign object created by the shape data of the foreign object and the coordinate position data. Fig. 5 (d) is a histogram shown by the shape of the foreign object, wherein the abscissa represents a foreign object as a segmented variable, and the abscissa represents the number of detected values belonging to each foreign object.

도 5의 (e)는 검사일, 이물사이즈 데이타, 이물형상 데이타(예를 들면 가늘고 긴 형상), 속성데이타 등의 유기물 데이타에 의해 작성된 검사결과시계열추이 그래프이다. 그러나, 시계열 대신에 로트번호나 웨이퍼번호 등을 사용해도 좋다.FIG. 5E is a time series transition graph of inspection results produced by inspection data, foreign object size data, foreign object data (for example, elongated shape), and attribute data. However, a lot number or a wafer number may be used instead of the time series.

상기 1실시예에 따라서 다음의 효과를 얻을 수 있다.According to the first embodiment, the following effects can be obtained.

〔1〕 이물검사장치에 의해 이물의 좌표위치 이외에 이물의 사이즈, 형상, 색, 속성을 특정하는 것에 의해, 작업자는 IC의 제조공정을 정확하고 신속하게 관리할 수 있어 IC의 제조양품률을 향상시킨다.[1] By specifying the size, shape, color, and properties of the foreign object in addition to the coordinate position of the foreign object by the foreign object inspection device, the operator can precisely and quickly manage the manufacturing process of the IC, .

〔2〕 산란광 검출기의 검출에 따른 검출부의 판정이 명시야 조명하에 동작하는 촬상장치에 접속된 검증부에 의해 검증되므로, 검사장치에 의한 검사 정밀도를 향상시킬 수 있어 상기 〔1〕과 함께 품질 및 신뢰성을 향상시킨다.[2] Since the determination of the detection unit in accordance with the detection of the scattered light detector is verified by the verification unit connected to the image pickup apparatus operating under bright field illumination, the inspection accuracy by the inspection apparatus can be improved, Thereby improving reliability.

〔3〕 검사시간이 긴 이물의 외부검사장치 또는 매우 고가인 이물분석장치를 사용하지 않고 이물의 좌표위치 이외의 이물의 사이즈, 형상, 색 및 속성을 특정할 수 있으므로, 단위면적당(즉, 웨이퍼의 1개 당)의 검사 및 리뷰를 위한 시간을 매우 단축할 수 있다. 그 결과, 로트의 전체수의 검사 및 작업자에 의한 IC제조공정의 관리를 정확하고 신속하게 실현할 수 있다.[3] Since the size, shape, color, and property of the foreign object other than the coordinate position of the foreign object can be specified without using an external inspection device for foreign objects or a very expensive foreign object analysis device having a long inspection time, The time for inspection and review can be greatly shortened. As a result, the inspection of the total number of lots and the management of the IC manufacturing process by the operator can be accurately and quickly realized.

도 6은 상기 본 발명에 따른 이물검사장치의 제1 변형예를 도시한 사시도이다. 도 7은 상기 제1 변형예에 따른 이물검사장치를 사용해서 처리된 이물검사방법을 도시한 도면이고, 도 8의 (a) 및 도 8의 (b)는 그 작용을 도시한 도면이다.6 is a perspective view showing a first modification of the apparatus for inspecting a foreign object according to the present invention. FIG. 7 is a view showing a foreign matter inspection method performed using the foreign object inspection apparatus according to the first modification example, and FIGS. 8 (a) and 8 (b) are views showing the operation thereof.

본 제1 변형예에 따른 검사장치(10A)가 상기 이물검사장치(10)과 다른 점은 광학계에 있어서 검사광 조사장치(20)과 함께 낙사조명장치(40)이 공통으로 사용되고 있고, 촬상장치(45A)가 산란광 검출기와 함께 공통으로 사용되고 있다는 점이다.The inspection apparatus 10A according to the first modified example is different from the above-described foreign matter inspection apparatus 10 in that an impact illumination apparatus 40 is commonly used together with an inspection light irradiation apparatus 20 in an optical system, (45A) are commonly used together with the scattered light detector.

제1 변형예에 따른 이물검사장치(10A)를 사용하는 검사방법에 있어서는 도 7에 도시한 바와 같이 우선 산란광 검출기겸용 촬상장치(45A)와 이물판정장치(35)에 의해 이물(5)의 좌표위치가 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)의 전체에 걸쳐 특정된다. 이 좌표위치는 호스트컴퓨터(36)의 메모리(도시하지 않음)내에 기억된다.In the inspection method using the foreign object inspection apparatus 10A according to the first modified example, as shown in Fig. 7, the coordinates (coordinates) of the foreign object 5 are first detected by the image pickup device 45A serving as both the scattered light detector and the foreign object determination device 35 The position is specified over the entire first main surface 2 of the wafer 1. This coordinate position is stored in a memory (not shown) of the host computer 36.

예를 들면, 호스트컴퓨터(36)은 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)의 전체에 있어서의 이물(5)의 군을 그룹핑(거리가 가까운 이물을 일괄정리한다)하고, 각 군의 대표를 촬상대상으로서 샘플링한다. 이것에 의해 촬상대상의 수를 감소시킬 수 있으므로 검사시간을 더욱 단축시킬 수 있다.For example, as shown in FIG. 8 (a), the host computer 36 divides the group of foreign objects 5 on the entire first main surface 2 of the wafer 1 into groups And the representative of each group is sampled as an image pickup object. As a result, the number of objects to be imaged can be reduced, and the inspection time can be further shortened.

또, 호스트컴퓨터(36)은 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)의 전체에 있어서의 이물(5)의 군을 집단화(산란광의 강도에 의해 이물의 사이즈를 분류)하고, 각 클래스의 대표를 촬상대상으로서 샘플링한다. 이것에 의해, 촬상대상의 수를 감소시킬 수 있으므로, 검사시간을 더욱 단축시킬 수 있다. 또, 호스트컴퓨터(36)은 최단거리로 촬상할 수 있도록 촬상의 순번을 지정하는 것에 의해 검사시간을 더욱 단축시킴과 동시에 검사효율을 향상시킨다.8 (b), the host computer 36 collectively groups the foreign objects 5 on the entire first main surface 2 of the wafer 1 (collectively, by the intensity of the scattered light, And the representative of each class is sampled as an image pickup object. This makes it possible to reduce the number of objects to be imaged, thereby further shortening the inspection time. Further, the host computer 36 designates the order of image pickup so that the image can be picked up at the shortest distance, thereby further shortening the inspection time and improving the inspection efficiency.

이상과 같이 해서 지정된 촬상대상의 좌표위치는 호스트컴퓨터(36)에서 검증부(48)로 송신된다. 지정된 이물(5)의 좌표위치가 산란광 검출기겸용 촬상장치(45A)의 촬상위치 즉 낙사조명장치(40)으로 부터의 스폿내로 오면, 산란광 검출기겸용 촬상장치(45A)로 부터의 명시야 조명하의 화상신호를 비교부(47)이 수신한다.The coordinate position of the imaging object designated as described above is transmitted from the host computer 36 to the verification unit 48. [ When the coordinate position of the designated foreign object 5 comes into the spot of the scattered light detector combination image pickup device 45A or the spot from the fallowed illumination device 40, The comparator 47 receives the signal.

그 후, 비교부(47)은 인접한 칩부(4)의 동일좌표위치의 화상신호를 수신한다. 다음에, 비교부(47)은 이물(5)가 부착되어 있어야 할 좌표위치의 화상과 후에 수신된 이물(5)가 부착되어 있지 않은 칩부(4)의 화상을 비교해서 이물화상(6)을 추출한다.Thereafter, the comparator 47 receives the image signal of the same coordinate position of the adjacent chip 4. Next, the comparison unit 47 compares the image of the coordinate position at which the foreign object 5 should be attached and the image of the chip unit 4, which is not attached with the foreign object 5 received later, .

또, 비교부(47)은 추출된 이물화상(6)을 검증부(48)로 송신한다. 호스트컴퓨터(36)에 의해 지정된 이물(5)의 좌표위치에 대해서 비교부(47)에서 이물화상(6)이 송신되어 온 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물의 존재의 판정이 적정하다고 검증한다. 반면, 호스트컴퓨터(36)에 의해 지정된 이물(5)의 좌표위치에 대해서 비교부(47)에서 이물화상(6)이 송신되지 않은 경우, 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물의 존재의 판정이 에러라고 검증한다. 또, 에러판정이라고 인정하면 검증부(48)은 호스트컴퓨터(36)으로 송신된다.The comparison unit 47 transmits the extracted foreign object image 6 to the verification unit 48. [ When the foreign object image 6 is transmitted from the comparison unit 47 to the coordinate position of the foreign object 5 designated by the host computer 36, the verification unit 48 determines that the foreign object Is appropriate. On the other hand, when the foreign object image 6 is not transmitted from the comparator 47 to the coordinate position of the foreign object 5 designated by the host computer 36, the presence or absence of the foreign object made by the foreign object judging device 35 This error is verified. If it is determined to be an error determination, the verification unit 48 is transmitted to the host computer 36. [

또, 추출된 이물화상(6)은 분류부(49)로 송신된다. 분류부(49)는 미리 설정된 알고리듬에 따라서 이물(5)의 사이즈, 형상, 색 및 속성인 유기물 또는 무기 물을 분류한다. 분류된 이물(5)의 분류결과는 분류부(49)에서 호스트컴퓨터(36)으로 송신된다. 호스트컴퓨터(36)은 분류부(49)로 부터의 분류데이타 및 이물판정장치(35)로 부터의 이물(5)의 좌표위치와 개수의 데이타 및 산란광 강도를 사용해서 각종 데이타를 적당하게 형성하여 모니터 또는 프린터 등의 출력장치에 의해 적시에 출력한다.The extracted foreign object image 6 is transmitted to the classification unit 49. [ The classifying unit 49 classifies the size, shape, color, and properties of the foreign matter 5, organic or inorganic, according to a predetermined algorithm. The classification result of the classified foreign object 5 is transmitted from the classification unit 49 to the host computer 36. [ The host computer 36 suitably forms various data by using the classification data from the classifying section 49 and the data of the coordinate position and the number of the foreign object 5 from the foreign substance judging device 35 and the intensity of the scattered light Timely output by an output device such as a monitor or printer.

도 9는 본 발명에 따른 이물판정장치의 제2 변형예를 도시한 사시도이다.9 is a perspective view showing a second modification of the foreign object judging device according to the present invention.

본 제2 변형예에 따른 검사장치(10B)가 상기 이물검사장치(10)과 다른 점은 낙사조명장치(40) 및 촬상장치(45) 등으로 이루어지고 명시야 조명하에 촬상하기 위한 촬상스테이지(50)이 마련되어 있는 점이다.The inspection apparatus 10B according to the second modification differs from the above-mentioned foreign matter inspection apparatus 10 in that it includes an image pickup stage 40 for image pickup under bright illumination, which is composed of a drop lighting apparatus 40, an image pickup apparatus 45, 50) are provided.

검사장치(10B)에 의한 이물검사방법은 상기 제1 변형예에서 실행된 검사방법을 따르고 있으므로, 상세한 설명은 생략한다. 그러나, 명시야 조명하의 촬상스테이지(50)은 제2 변형예에 따른 이물검사장치(10B)내에 마련되어 있으므로, 이물검출, 좌표위치의 특정 및 이물화상의 추출을 병행처리하여 전체로서의 검사시간을 단축한다.Since the foreign object inspection method by the inspection apparatus 10B follows the inspection method executed in the first modification, detailed description thereof will be omitted. However, since the imaging stage 50 under the bright field illumination is provided in the foreign body inspection apparatus 10B according to the second modification, it is possible to shorten the inspection time as a whole by performing simultaneous processing of foreign object detection, specification of coordinate position and extraction of a foreign object image do.

도 10은 상기 본 발명에 따른 이물검사장치의 제3 변형예를 도시한 사시도이다.FIG. 10 is a perspective view showing a third modification of the foreign substance inspection apparatus according to the present invention.

본 제3 변형예에 따른 검사장치(10C)가 상기 이물검사장치(10)과 다른 점은 촬상장치(45)가 라인센서에서 면적센서(45B)로 변경되어 있는 점이다.The inspection apparatus 10C according to the third modified example is different from the foreign matter inspection apparatus 10 in that the image pickup apparatus 45 is changed from the line sensor to the area sensor 45B.

이물검사장치(10C)에 의한 이물검사방법은 상기 제1 변형예에서 실행된 검사방법을 따르고 있고 도 7에 도시한 도면에 따라 검사를 실행하고 있으므로, 상세한 설명은 생략한다.The foreign object inspection method by the foreign object inspection apparatus 10C follows the inspection method executed in the first modification, and the inspection is executed according to the drawing shown in Fig. 7, and thus the detailed description thereof will be omitted.

제3 실시예에 따른 검사장치(10C)가 면적센서의 촬상장치를 마련하고 있으므로, 스테이지의 정지상태에서 이물화상을 촬상할 수 있어 고분해능의 화상이 용이하게 얻어지고 이물검사결과의 신뢰성 및 품질이 향상된다.Since the inspection apparatus 10C according to the third embodiment is provided with the image pickup device of the area sensor, it is possible to pick up the foreign object image in the stopped state of the stage, to easily obtain the high resolution image, .

이상, 본 발명의 발명자들에 의해 이루어진 발명을 실시예 및 그의 변형예에 따라 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 여러가지 변경가능한 것은 물론이다.While the present invention has been described in detail with reference to the embodiment thereof and modifications thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the above-described embodiment and modifications, Of course it is possible.

예를 들면, 명시야 조명하의 이물위치의 특정은 차광소자에 의해 실행되는 구조에만 한정되는 것은 아니고, 반복패턴에 있어서의 동일위치에서 검출된 데이터를 비교하는 구조에 의해서도 실행할 수 있다. 이 경우, 비교될 데이타는 인접 하는 칩의 검출데이타, 미리 기억된 설계패턴 및 표준패턴으로도 할 수 있다.For example, the specification of the position of the foreign object under the bright field illumination is not limited to the structure executed by the light shielding element, but can also be performed by a structure for comparing the data detected at the same position in the repeated pattern. In this case, the data to be compared can be detected data of adjacent chips, pre-stored design patterns, and standard patterns.

촬상장치로서는 라인센서뿐만 아니라 면적센서 또는 촬상관 등을 사용할 수 있다.As the imaging device, not only a line sensor but also an area sensor or an image pickup tube can be used.

이상의 설명에서는 본 발명자들에 의해 이루어진 발명 특히 본 발명의 배경기술로서 웨이퍼의 이물 또는 결함검사기술 분야에 적용된 경우에 대해서 주로 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고 포토마스크 또는 액정패널 등을 포함하는 판형상물에 있어서의 이물 또는 결함검사기술 전반에 적용할 수 있다.In the above description, the invention made by the inventors of the present invention is mainly described as a background of the present invention, but the present invention is not limited to this, and a plate including a photomask, a liquid crystal panel, The present invention can be applied to all foreign objects or defects inspection technology in the shape.

이하, 본 실시예 및 변형예에 의해 얻어진 효과를 간단하게 설명한다.Hereinafter, effects obtained by the present embodiment and modifications will be briefly described.

이물검사장치에 의해 결함 또는 이물의 좌표위치 이외에 이물의 사이즈, 형상, 색, 속성을 특정하는 것에 의해, 작업자가 IC의 제조공정을 정확하고 신속하게 관리할 수 있어 IC의 제조양품률을 향상시킨다.By specifying the size, shape, color, and properties of the foreign object in addition to the coordinates of the defect or foreign object by the foreign material inspection apparatus, the operator can accurately and quickly manage the manufacturing process of the IC, thereby improving the IC production yield .

산란광 검출기의 검출에 따른 이물검출위치의 판정이 명시야 조명하에 동작하는 촬상장치에 접속된 검증부에 의해 검증되므로, 검사장치에 의한 검사의 정밀도를 향상시킬 수 있어 상기 효과와 함께 품질 및 신뢰성을 향상시킨다.Since the determination of the foreign object detection position in accordance with the detection of the scattered light detector is verified by the verification unit connected to the image pickup apparatus operating under the bright field illumination, the accuracy of the inspection by the inspection apparatus can be improved and the quality and reliability .

검사시간이 긴 이물의 외부검사장치 또는 매우 고가인 이물분석장치를 사용하지 않고 이물의 좌표위치 이외의 이물의 사이즈, 형상, 색 및 속성을 특정할 수 있으므로, 단위면적당(즉, 웨이퍼의 1개 당)의 검사 및 리뷰를 위한 시간을 매우 단축할 수 있다. 그 결과, 로트의 전체수의 검사 및 작업자에 의한 IC제조공정의 관리를 정확하고 신속하게 실현할 수 있다.The size, shape, color, and properties of the foreign object other than the coordinate position of the foreign object can be specified without using an external inspection device for foreign matter or a very expensive foreign substance analysis device having a long inspection time, Can greatly shorten the time for inspection and review. As a result, the inspection of the total number of lots and the management of the IC manufacturing process by the operator can be accurately and quickly realized.

다음에, 본 발명에 따른 다른 실시예를 도면을 사용해서 상세하게 설명한다. 이 다른 실시예에 있어서, 검사장치(10)은 도 1에 도시한 것과 구조에 있어서 동일하므로 설명은 생략한다.Next, another embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In this alternative embodiment, the inspection apparatus 10 is the same in structure as that shown in Fig. 1, and a description thereof will be omitted.

또, 상기 구조의 검사장치(10)으로 실행되는 본 발명의 다른 실시예에 따른 검사방법을 도 11를 사용해서 설명한다.An inspection method according to another embodiment of the present invention, which is executed by the inspection apparatus 10 having the above structure, will be described with reference to FIG.

우선, 상기 도 2에 도시한 바와 같은 동일방식으로 검사광으로서 낮은 경사각으로 웨이퍼(1)의 검사광조사장치(20)에서 레이저빔(21)을 조사하는 경우, 레이저빔(21)의 조사에 의해 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)에 부착되어 형성된 이물(5) 및 회로패턴(도시하지 않음)에서 암시야 조명하에 산란광(31)이 발생한다. 이 산란광은 대물렌즈(32)에 의해 집광되고, 릴레이렌즈(33)을 거쳐 산란광 검출기(34)상에 결상된다.First, when the laser beam 21 is irradiated by the inspection light irradiating device 20 of the wafer 1 at a low inclination angle as inspection light in the same manner as shown in Fig. 2, the laser beam 21 is irradiated The scattered light 31 is generated under the dark background illumination in the foreign matter 5 and the circuit pattern (not shown) formed by adhering to the first main surface 2 of the wafer 1. [ The scattered light is condensed by the objective lens 32, and is image-formed on the scattered-light detector 34 via the relay lens 33.

이 때, 확산광은 규칙성이 있기 때문에, 웨이퍼(1)에 있어서의 패턴면의 푸리에변환면에 마련된 공간필터 또는 검광자로 이루어지는 차광소자(도시하지 않음)에 의해 회로패턴으로 부터의 산란광(31)은 차광되게 된다. 한편, 이물(5)로 부터의 산란광(31)은 불규칙성이기 때문에, 공간필터 또는 검광자를 거쳐 통과하는 산란광검출기(34)상에 결상되게 된다. 그러므로, 이물만을 검출할 수 있다.At this time, scattered light from the circuit pattern 31 (not shown) is blocked by the light shielding element (not shown) made of a spatial filter or an analyzer provided on the Fourier transform surface of the pattern surface of the wafer 1 Is shielded from light. On the other hand, since the scattered light 31 from the foreign object 5 is irregular, it is imaged on the scattered light detector 34 passing through the spatial filter or the analyzer. Therefore, only foreign objects can be detected.

또, 암시야 조명 하에 이물(5)로 부터의 산란광(31)에 의한 산란광 검출기(34)에 의해 검출된 검출신호는 이물판정장치(35)로 입력된다. 이물판정장치(35)는 이 검출신호에 따라 이물(5)의 유무를 판정하고, 이 판정데이타와 스테이지장치(11)의 컨트롤러(14)로 부터의 좌표위치의 데이타를 조합하는 것에 의해 이물(5)의 좌표위치를 특정한다. 이렇게 해서 특정된 좌표위치는 예를 들면 이물판정장치(35)에서 이물검사장치(10)을 총괄적으로 실행하는 호스트컴퓨터(36)과 촬상장치(45)에 전기적으로 접속된 비교부(47) 및 검증부(48)로 출력된다.The detection signal detected by the scattered light detector 34 by the scattered light 31 from the foreign object 5 under the dark background illumination is input to the foreign substance judging device 35. [ The foreign substance judging device 35 judges the presence or absence of the foreign object 5 in accordance with the detection signal and combines the judgment data with the data of the coordinate position from the controller 14 of the stage device 11, 5). The coordinate positions thus specified are detected by, for example, a host computer 36 which comprehensively executes the foreign object inspection apparatus 10 in the foreign object judging device 35 and a comparator 47 electrically connected to the image capturing device 45, And is output to the verification unit 48.

이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치가 촬상장치(45)의 촬상위치 즉 낙사조명장치(40)으로 부터의 스폿내로 오면, 비교부(47)은 촬상장치(45)로 부터의 화상신호를 명시야 조명 하에 수신한다. 이물판정장치(35)의 작용에 따라서 그의 좌표위치에 이물(5)가 부착되어 있기 때문에, 그 화상에는 이물(5)가 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 나타나게 된다. 즉, 피검사물의 화상이 얻어진다.When the coordinate position of the foreign object 5 transmitted from the foreign object judging device 35 comes to the imaging position of the imaging device 45, that is, the spot from the back lighting device 40, Lt; RTI ID = 0.0 > brightfield < / RTI > illumination. Since the foreign object 5 is attached to the coordinate position according to the action of the foreign object judging device 35, the foreign object 5 appears on the image as shown in Fig. 3 (a). That is, an image of the inspected object is obtained.

그 후, 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치로 부터의 1칩부(4)의 거리만큼 어긋난 좌표위치 즉 이물(5)가 부착된 좌표위치와 인접하는 다른 칩부(4)에 있어서의 이물(5)의 좌표에 대응하는 좌표위치가 촬상장치(45)의 촬상위치로 되었을 때, 비교부(47)은 촬상장치(45)로 부터의 화상신호를 명시야 조명 하에 수신한다. 이물판정장치(35)의 작용에 따라서 그의 좌표위치에 이물(5)가 부착되지 않기 때문에, 그 화상에는 이물(5)는 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이 나타나게 된다. 즉, 피검사물의 참조화상이 얻어진다.Thereafter, the coordinate position shifted by the distance of the one-chip portion 4 from the coordinate position of the foreign object 5 transmitted from the foreign substance judging device 35, that is, the coordinate position where the foreign substance 5 is attached, When the coordinate position corresponding to the coordinates of the foreign object 5 in the image pickup device 45 reaches the image pickup position of the image pickup device 45, the comparator 47 receives the image signal from the image pickup device 45 under bright illumination do. The foreign object 5 does not adhere to its coordinate position in accordance with the action of the foreign object judging device 35 and the foreign object 5 appears on the image as shown in Fig. 3 (b). That is, a reference image of the inspected object is obtained.

계속해서, 도 3의 (a)∼도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 비교부(47)은 이물(5)가 부착되어야 할 칩부(4)의 좌표위치 즉 피검사물의 좌표위치에서 얻어진 화상(도 3의 (a))에서 이물(5)가 부착되지 않은 칩부의 좌표위치 즉 비교될 좌표위치에서의 참조화상(도 3의 (b))을 감산한다. 즉, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 비교부(47)은 서로 인접하는 한쌍의 칩부(4), (4)에 있어서의 동일 부분의 한쌍의 화상을 받아들여 연산처리 즉 감산하는 상태로 된다. 이 감산에 의해, 도 3의 (a)의 이물(5)가 부착되는 화상과 도 3의 (b)의 참조화상에서 도 3의 (c)에 도시한 차화상을 형성한다. 도 3의 (a)에서의 화상과 도 3의 (b)에서의 화상 사이의 차는 이물(5)일뿐이므로, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이 이물화상(6)만이 추출된다.3 (a) to 3 (d), the comparison unit 47 compares the coordinate position of the chip 4 to which the foreign object 5 is to be attached, that is, the coordinate position of the inspected object In the obtained image (FIG. 3A), the coordinate position of the chip portion to which the foreign matter 5 is not attached, that is, the reference image (FIG. 3B) at the coordinate position to be compared is subtracted. 3 (d), the comparator 47 receives a pair of images of the same portion in a pair of adjacent chip portions 4, 4, and performs arithmetic processing or subtraction State. By this subtraction, the difference image shown in Fig. 3 (c) is formed from the image to which the foreign object 5 of Fig. 3 (a) is attached and the reference image of Fig. 3 (b). Since the difference between the image shown in Fig. 3A and the image shown in Fig. 3B is the foreign matter 5, only the foreign matter image 6 is extracted as shown in Fig. 3C.

또, 비교부(47)은 추출된 이물화상(6)을 검증부(48)로 송신한다. 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에 대해 이물화상(6)이 비교부(47)에서 송신되어 온 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물의 존재의 판정이 적정하다고 검증한다. 이에 반해, 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에 대해 이물화상(6)이 비교부(47)에서 송신되지 않은 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물의 존재의 판정이 에러라고 검증한다. 또, 에러를 검증한 경우 검증부(48)은 그 결과를 호스트컴퓨터(36)으로 송신한다.The comparison unit 47 transmits the extracted foreign object image 6 to the verification unit 48. [ When the foreign object image 6 is transmitted from the comparator 47 to the coordinate position of the foreign object 5 transmitted from the foreign object judging device 35, It is verified that the judgment of the existence of the foreign object is appropriate. On the other hand, when the foreign object image 6 is not transmitted from the comparison unit 47 to the coordinate position of the foreign object 5 transmitted from the foreign object determining apparatus 35, It is verified that the determination of the presence of the foreign object made by the user is an error. When the error is verified, the verification unit 48 transmits the result to the host computer 36. [

또, 추출된 이물화상(6)은 분류부(49)로 송신된다. 분류부(49)는 미리 설정된 알고리듬에 따라서 이물(5)의 사이즈, 형상, 색 및 속성인 유기물 또는 무기물을 분류한다. 예를 들면, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이 이물화상(6)의 화소수의 계수에 의해 이물화상(6)의 사이즈를 수직 및 수평방향으로 특정할 수 있다. 또, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 이물화상(6)의 수직길이a와 수평길이b 사이의 곱(a×b)에 의해 이물(5)의 면적 즉 사이즈를 특정할 수 있다. 이물화상(6)의 수직길이a와 수평길이b 사이의 몫(a/b)에 의해 이물(5)의 형상이 특정된다. 예를 들면, a/b=1인 경우 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이 이물(5)는 원형으로 특정된다. 또, a/b>1 또는 a/b<1인 경우 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이 이물(5)는 가늘고 긴형상으로 특정된다.The extracted foreign object image 6 is transmitted to the classification unit 49. [ The classifying unit 49 classifies the size, shape, color, and properties of the foreign matter 5, organic or inorganic, according to a predetermined algorithm. For example, as shown in Fig. 4 (a), the size of the foreign object image 6 can be specified in the vertical and horizontal directions by the coefficient of the number of pixels of the foreign object image 6. 4 (b), the area or size of the foreign object 5 can be specified by the product (a × b) between the vertical length a and the horizontal length b of the foreign object image 6 . The shape of the foreign object 5 is specified by the quotient a / b between the vertical length a and the horizontal length b of the foreign object image 6. For example, when a / b = 1, the foreign object 5 is specified as a circle as shown in Fig. 4 (c). When a / b > 1 or a / b < 1, the foreign matter 5 is specified in a slender shape as shown in Fig. 4 (d).

낙사조명광으로서 백색광(41)이 사용되고 있으므로, 이물화상(6)의 색상 및 명도(즉, 화상을 형성하는 등급)에 따라서 색을 특정할 수 있다. 이 결과, 예를 들면 추출된 이물 전체가 짙은 블루계통과 거의 유사한 색상 및 등급을 갖으면, 이물은 형상이 편평하고 두께가 거의 균일한 절연층으로 추정할 수 있다.Since the white light 41 is used as the background illumination light, the color can be specified in accordance with the hue and brightness of the foreign object image 6 (that is, the image forming grade). As a result, for example, if the whole of the extracted foreign matter has a color and grade substantially similar to those of the dark blue system, the foreign matter can be assumed to be an insulating layer having a flat shape and an almost uniform thickness.

또, 산란광 검출기에 의해 검출된 이물의 산란광신호 및 이물화상(6)에 의해 특정된 이물의 사이즈와 속성을 사용해서 표면의 오목볼록의 존재를 인식할 수 있다. 즉, 검사광 조사장치(20)에 의해 낮은 경사각으로 웨이퍼(1)에 검사광으로서의 레이저광(21)이 조사되는 경우, 암시야 조명하에 이물(5)에서 산란광(31)이 발생한다. 산란단면적과 표면의 오목볼록에 관련해서 확산광의 강도가 변화되므로, 검출시에 기록된 확산광의 강도와 이물화상에서 계산된 레이저조사방향과 수직인 방향의 이물의 길이를 사용해서 분석하는 것에 의해 표면의 오목볼록의 상태를 인식할 수 있다. 이 결과, 예를 들면 오목볼록이 적은 경우 이물은 실리카(유리) 또는 실리콘칩 및 금속칩 등의 무기물로서 특정된다. 오목볼록이 많으면 인간 또는 수지에 의해 발생한 먼지와 같은 유기물로서 특정된다.It is also possible to recognize the presence of the concave / convex surface on the surface by using the scattered light signal of the foreign object detected by the scattered light detector and the size and the attribute of the foreign object specified by the foreign object image 6. That is, when the inspection light irradiating device 20 irradiates the wafer 1 with the laser light 21 as inspection light at a low inclination angle, the scattered light 31 is generated in the foreign object 5 under dark background illumination. The intensity of the diffused light is changed in relation to the scattering cross-sectional area and the convex convexity of the surface. Therefore, by analyzing the intensity of the diffused light recorded at the time of detection and the length of the foreign object in the direction perpendicular to the laser irradiation direction calculated in the foreign image, It is possible to recognize the concave / convex state of the concave / convex portion. As a result, for example, when the convex convexity is small, the foreign matter is specified as an inorganic substance such as silica (glass), a silicon chip, or a metal chip. If there are many convex convexities, it is specified as organic matter such as dust generated by human or resin.

상기와 같이 해서 분류된 분류결과는 분류부(49)에서 호스트컴퓨터(36)으로 송신된다. 호스트컴퓨터(36)은 분류부(49)로 부터의 분류데이타와 이물판정장치(35)로 부터의 이물(5)의 좌표위치 및 개수의 데이타를 사용해서 도 5의 (a)∼도 5의 (d)에 도시한 각종 데이타를 작성하고 모니터 또는 프린터 등의 출력장치를 통해서 적시에 출력한다. 그러므로, 작업자는 IC의 제조공정을 정확하고 신속하게 관리할 수 있다.The sorting result classified as described above is transmitted from the classifying unit 49 to the host computer 36. The host computer 36 uses the classification data from the classifying section 49 and the data of the coordinate position and the number of the foreign object 5 from the foreign substance judging device 35, (d), and outputs it in a timely manner via an output device such as a monitor or a printer. Therefore, the operator can accurately and quickly manage the manufacturing process of the IC.

그러나, 이물이 인접하는 배선패턴상에 걸치도록 부착되어 있는 경우, 좌표위치의 피검사물의 화상에서 좌표위치의 피검사물의 참조화상을 감산하면, 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이 검사장치에 있어서 이물화상이 분할되어 버리는 현상이 발생한다는 것이 본 발명의 발명자들에 의해 발견되었다. 이 현상이 발생하는 이유를 다음과 같이 고려할 수 있다.However, when the foreign object is stuck on the adjacent wiring pattern, if the reference image of the inspected object at the coordinate position is subtracted from the image of the object at the coordinate position, as shown in Fig. 12C, It has been discovered by the inventors of the present invention. The reason why this phenomenon occurs can be considered as follows.

도 12의 (a)는 좌표위치에서의 피검사물의 화상을 도시한 도면으로서, 배경화상(7)상에 서로 평행하게 마련된 한쌍의 배선패턴화상(8), (8)이 나타나고, 양배선패턴화상(8), (8)에 이물화상(6)이 걸쳐서 나타나는 상태로 되어 있다. 도 12의 (b)는 좌표위치에서의 피검사물의 참조화상을 도시한 도면으로서, 배경화상(7)상에 양배선패턴화상(8), (8)만이 나타난다.12A shows an image of an object to be inspected at a coordinate position. A pair of wiring pattern images 8 and 8 are provided on the background image 7 in parallel with each other. The foreign matter image 6 appears on the images 8 and 8 over the whole image. FIG. 12B is a diagram showing a reference image of an object to be inspected at a coordinate position, and only two wiring pattern images 8 and 8 appear on the background image 7. FIG.

비교부(47)에 있어서 감산이 이루어질 때, 배경화상(7)의 2진화상신호의 값이 백색이라고 가정하면, 이물화상(6)의 값은 흑색에 상당하고, 배선패턴화상(8)은 회색에 상당한다. 따라서, 도 12의 (a)에서 도 12의 (b)를 감산하면 차화상(9)는 이물화상(6)내에 배선패턴이 옅은 회색으로 남는 상태로 된다. 그러나, 이 차화상이 2진신호로 처리되면, 2진화된 차화상(90)은 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이 양배선패턴의 화상(8), (8)에 의해 3개로 분할되는 상태로 된다.Assuming that the value of the binary image signal of the background image 7 is white when the comparison unit 47 performs subtraction, the value of the foreign image 6 corresponds to black, and the wiring pattern image 8 corresponds to It corresponds to gray. 12 (b) is subtracted from FIG. 12 (a), the difference image 9 remains in a light gray state in the foreign image 6 in the wiring pattern. However, when this difference image is processed as a binary signal, the binarized difference image 90 is divided into three by the images 8 and 8 of both wiring patterns as shown in Fig. 12 (c) .

이와 같이 이물화상(6)이 분할된 상태인 채로 인식되면, 분류부(49)는 연속한 작은 이물로 분류해 버릴 가능성이 있다. 즉, 이물(5)가 단선이나 단락 등의 치명결함의 원인으로 되어 치명결함의 원인으로 되지 않는 미소한 결함 또는 이물로 판정될 가능성이 있다. 예를 들면, 배선패턴형성공정후의 이물검사공정에 있어서 배선패턴사이에 걸쳐 있는 금속의 이물을 배선패턴사이에 존재하는 미소이물이라고 오판정하면, 단락의 이물을 빠뜨리게 되어 치명결함의 대책이 지연된다. 이 때문에, 양품률이 저하해 버린다. 따라서, 차화상(90)이 미소하다고 인식되는 경우라도 배선패턴에 의해 분할된 이물화상인 것인지 또는 배선패턴사이에 존재하는 이물인 것인지를 판정할 필요가 있다.If the foreign object image 6 is recognized as being in the divided state, the classification unit 49 may be classified as a continuous small foreign object. In other words, there is a possibility that the foreign object 5 may be determined as a minute defect or foreign matter which causes a fatal defect such as disconnection or short-circuit and does not cause a fatal defect. For example, in the foreign matter inspection step after the wiring pattern formation step, foreign matter of metal spanning wiring patterns is misjudged as microbes existing between the wiring patterns, so that short-circuit foreign matter is omitted, and measures against fatal defects are delayed . As a result, the yield rate is lowered. Therefore, even when the difference image 90 is recognized as being small, it is necessary to judge whether it is a foreign object image divided by the wiring pattern or a foreign object existing between the wiring patterns.

본 실시예에 있어서는 분할된 차화상인지 아닌지가 분할부(49)에 있어서 다음의 알고리듬에 의해 판정된다. 우선, 도 12의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이 차화상(90)이 인접하는 배선패턴에 의해 3개 이상 즉 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)으로 분할되어 있는 경우를 예로 해서 설명한다.In the present embodiment, whether or not the divided difference image is judged by the following algorithm in the dividing section 49 is determined. 12 (c), the difference image 90 is divided into three or more, that is, the left split image 91, the center split image 92 and the right split image 93 by the adjacent wiring pattern, As shown in Fig.

도 12의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이 좌측분할상(91)과 중앙분할상(92) 사이의 거리d 및 중앙분할상(92)와 우측분할상(93) 사이의 거리d에서 배선패턴화상(8)의 폭L이 감산된다. 이 감산에 의한 차의 값이 미리 설정한 값ε 이하인 값으로 되는 경우에는 단일 이물의 차화상(90)이라고 인식된다. 그리고, 도 12의 (d)에 도시되어 있는 바와 같이, 배선패턴화상(8)의 차화상(90)과 직교하는 방향의 폭X는 좌측분할상(91)의 좌측끝과 우측분할상(93)의 우측끝 사이의 거리에 의해 측정된다. 이와 같이 단일 이물의 차화상(90)으로 판정된 이물은 치명결함을 발생하는 것으로 판정된다.The distance d between the left split image 91 and the center split image 92 and the distance d between the center split image 92 and the right split image 93 as shown in FIG. 12 (c) The width L of the image 8 is subtracted. When the value of the difference due to the subtraction becomes a value equal to or smaller than a preset value?, It is recognized that the difference image 90 is a single foreign object. 12 (d), the width X of the wiring pattern image 8 in the direction orthogonal to the difference image 90 is the left end of the left divided image 91 and the right divided image 93 ) ≪ / RTI > As described above, it is determined that a foreign matter determined as a single difference image 90 is a fatal defect.

감산에 의한 차의 값이 미리 설정한 값ε보다 큰 값인 경우, 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)은 개개의 미소한 결함으로 인식되고, 각 폭X가 각각의 결함의 사이즈로서 측정된다. 그리고, 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)의 사이즈가 배선패턴화상(8), (8)사이의 거리S보다 크면, 치명결함을 발생할 가능성이 있는 것 즉 결함후보로 판정되고, 그것보다 작으면 치명결함을 발생할 가능성이 없는 것으로 판정된다.The left divided image 91, the central divided image 92 and the right divided image 93 are recognized as individual minute defects when the value of the difference due to the subtraction is larger than a predetermined value? Is measured as the size of each defect. If the size of the left split image 91, the center split image 92 and the right split image 93 is larger than the distance S between the wiring pattern images 8 and 8, That is, it is judged as a defect candidate, and if it is smaller than that, it is judged that there is no possibility of occurrence of a fatal defect.

도 13의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이, 좌측분할상(94)와 우측분할상(95)의 2개로 분할되어 있는 경우에는 좌측분할상(94)와 우측분할상(95) 사이의 거리d의 감산에 의해 패턴폭L이 얻어진다. 감산에 의한 차의 값이 미리 설정한 값ε보다 작은 경우에는 단일 이물의 차화상으로 판정된다. 즉, 도 13의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이, 배선패턴화상(8)의 차화상(90)과 직교하는 방향의 폭X는 좌측분할상(94)의 좌측끝과 우측분할상(95)의 우측끝 사이의 간격에 의해 측정된다. 그리고, 이 이물은 치명결함을 발생할 가능성이 있는 것 즉 결함후보로 판정된다.As shown in Fig. 13C, the distance between the left split image 94 and the right split image 95 when divided into the left split image 94 and the right split image 95, The pattern width L is obtained by subtraction of d. When the value of the difference due to the subtraction is smaller than the preset value?, It is determined that the image is a single difference image. 13 (c), the width X of the wiring pattern image 8 in the direction orthogonal to the difference image 90 is the left end of the left divided image 94 and the right divided image 95 ) ≪ / RTI > Then, this foreign matter is judged to have a possibility of causing a fatal defect, that is, a defect candidate.

감산에 의한 차의 값이 미리 설정한 값ε보다 큰 경우에는 좌측분할상(94)와 우측분할상(95)는 개개의 미소한 결함 또는 이물로 인식되고, 각각의 폭X가 각각의 결함 사이즈로서 측정된다. 그리고, 좌측분할상(94) 및 우측분할상(95)의 사이즈가 배선패턴화상(8), (8) 사이의 거리S보다 크면 치명결함을 발생할 가능성이 있는 것 즉 결함후보로 판정되고, 그것보다 작으면 치명결함을 발생할 가능성이 없는 것으로 판정된다.When the value of the difference due to the subtraction is larger than a predetermined value?, The left split image 94 and the right split image 95 are recognized as individual minute defects or foreign objects, . If the sizes of the left split image 94 and the right split image 95 are larger than the distance S between the wiring pattern images 8 and 8, it is determined that there is a possibility of causing a fatal defect, that is, It is determined that there is no possibility of causing a fatal defect.

이상과 같이 해서 검출되어 판정된 모든 이물의 각 정보와 치명결함 또는 결함후보의 판정결과는 다음의 표 1에 도시되어 있는 바와 같이 정리해서 표시된다.The information of all the foreign objects detected and determined as described above and the judgment result of the fatal defect or the defect candidate are summarized and displayed as shown in Table 1 below.

또, 이물에 관한 정보중에서 칩의 좌표와 칩의 좌표위치는 확산광에 의한 검출에서 얻을 수 있는 것이고, 결함사이즈 및 치명결함 또는 비치명결함 등의 더 상세한 정보는 명시야 조명하의 이물의 화상에 따라서 얻을 수 있는 것이다. 이물에 관한 각종 정보는 조합되어 상기 모니터표시부(100)의 화면에 표시된다.Further, the coordinates of the chip and the coordinate position of the chip among the information on the foreign object can be obtained by detection by diffused light, and more detailed information such as defect size, fatal defect, So you can get it. Various kinds of information related to the foreign object are displayed on the screen of the monitor display unit 100 in combination.

결함번호Defect number 칩 좌표Chip coordinates 칩내 좌표위치Coordinate position in chip 결함사이즈Defect Size 치명결함/비치명결함Fatal flaw / beach flaw XcXc YcYc XX YY XX YY UU VV 영역domain 1One 00 66 19981998 812812 1.511.51 1.551.55 1.291.29 0.460.46 1.81.8 22 22 33 92349234 13641364 1.151.15 8.918.91 3.723.72 0.650.65 7.27.2 33 22 88 85198519 705705 1.651.65 2.612.61 1.151.15 0.950.95 3.33.3 결함후보Defective candidate 44 22 1010 78917891 29102910 0.490.49 2.32.3 1.941.94 0.140.14 0.80.8 55 44 44 359359 10071007 1.471.47 2.222.22 1.11.1 0.760.76 2.52.5 치명결함Fatal defect 66 44 1010 65196519 20172017 1.21.2 5.225.22 1.781.78 0.830.83 4.44.4 결함후보Defective candidate ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 2222 1212 66 214214 49134913 1.761.76 0.890.89 1.581.58 0.250.25 1.21.2 2323 1313 88 17051705 32793279 0.840.84 2.22.2 1.531.53 0.290.29 1.31.3 치명결함Fatal defect

또, 웨이퍼 검사정보, 이물 수, 공정별 웨이퍼의 양품률 등의 검사결과는 표 2에 나타낸 바와 같이 정리해서 표시된다.The inspection results such as wafer inspection information, the number of foreign objects, the yield of the wafers per process, and the like are summarized as shown in Table 2.

검사웨이퍼정보Inspection Wafer Information 제품명product name 256MDRAM256M DRAM 로트IDLot ID 123456123456 웨이퍼IDWafer ID ABCABC 칩 수Number of chips 157157 칩 면적(㎠)Chip area (㎠) 1.561.56 검사공정Inspection process 제1층 배선의 완성후 검사Inspection after completion of the 1st layer wiring 검사시간Inspection time 1998.02.24 10:181998.02.24 10:18 이물/결함수Foreign matter / defect number 웨이퍼의 총결함수Total function of wafer 2323 총결함수의 비율Ratio of total function 치명결함수Number of fatal defects 55 22%22% 결함후보수Defect Candidates 88 35%35% 칩양품률Chip yield 결함검출칩수Defect detection chip number 1010 총칩수의 비율Ratio of total chips 치명결함칩수Critical Defect Chips 44 2.5%2.5% 결함후보칩수Defect Candidate Chip Number 66 3.8%3.8% 칩의 양품률Chip goodness ratio 93%93% 칩 불량품률Chip reject rate 3%3% 결함밀도Defect density 결함 밀도(개/㎠)Defect density (number / cm2) 최대maximum 0.050.05 최소at least 0.020.02 결함웨이퍼 밀도(개/㎠)Defective wafer density (number / cm2) 최대maximum 0.050.05 최소at least 0.020.02

여기에서, 칩양품률yi라는 것은 치명결함 및 결함후보가 없는 전체칩에 대한 칩수의 비율이고, 칩불량품률fi라는 것은 치명결함이 있는 칩의 전체수에 대한 칩 수의 비율이다. 또, 결함 밀도라는 것은 단위면적당 이물 및 결함의 개수이다. 결함 밀도는 이하의 정의에 따라 2종류 즉 추정범위의 최대값과 최소값으로 표시하였다. 즉, 결함 밀도Di는Here, the chip yield rate yi is a ratio of the number of chips to the total chip without a fatal defect and a defect candidate, and the chip defect rate fi is a ratio of the number of chips to the total number of fatal defective chips. The defect density is the number of foreign matters and defects per unit area. The defect density is expressed by the maximum and minimum values of two kinds, that is, the estimated range according to the following definition. That is, the defect density Di is

Di(max.) = -(1/A)×Ln(yi)Di (max.) = - (1 / A) Ln (yi)

Di(min.) = -(1/A)×Ln(1-fi)이다Di (min.) = - (1 / A) x Ln (1-fi)

A는 칩면적, Ln은 자연대수이다.A is the chip area, and Ln is the natural logarithm.

결함웨이퍼밀도Wi는Defective wafer density Wi

Wi(max.)=(치명결함수 + 결함후보수)/(A×제품칩의 수)Wi (max.) = (Number of critical defects + number of defects) / (number of product chips)

Wi(min.)=(치명결함수)/(A×제품칩수)이다.Wi (min.) = (Number of critical defects) / (A x number of chips).

또, 도 14에 도시한 바와 같이 웨이퍼표시중에는 치명결함 및 불량칩이 표시된다.In addition, as shown in Fig. 14, a fatal defect and a defective chip are displayed during wafer display.

1로트의 검사가 종료되면, 이하의 표 3 및 표 4에 나타낸 바와 같이 로트의 각각에 대해 예를 들면 장치의 표시장치(도시하지 않음)의 화면상에 검사결과정보가 표시된다. 또, 이들 검사결과정보는 검사정보의 분석시스템 등의 외부시스템으로 전송된다.When the inspection of one lot is completed, inspection result information is displayed on the screen of the display device (not shown) of the apparatus, for example, for each lot as shown in Tables 3 and 4 below. The inspection result information is transmitted to an external system such as an inspection information analysis system.

제품명product name 256MDRAM256M DRAM 로트IDLot ID 123456123456 웨이퍼IDWafer ID ABCABC 칩수Chip number 157157 칩면적 (㎠)Chip area (㎠) 1.561.56 검사공정Inspection process 제1층 배선의 완성후 검사Inspection after completion of the 1st layer wiring 검사일시Test date and time 1998.02.24 10:181998.02.24 10:18

웨이퍼IDWafer ID 검출결함에 관한 정보Information on detection defects 칩수에 관한 정보Information on the number of chips 칩의 양품률Chip goodness ratio 결함밀도(개/㎠)Defect density (number / cm2) DiDi WiWi AA-1AA-1 AA-2AA-2 AA-3AA-3 BB-1BB-1 BB-2BB-2 BB-3BB-3 CC-1CC-1 CC-2CC-2 최대maximum 최소at least 최대maximum 최소at least ABAABA 1818 44 55 99 44 55 0.940.94 0.030.03 0.040.04 0.020.02 0.080.08 0.020.02 ABBABB 2626 88 1515 2222 88 1414 0.860.86 0.050.05 0.100.10 0.030.03 0.070.07 0.030.03 ABCABC 2323 55 88 1010 44 66 0.940.94 0.030.03 0.040.04 0.020.02 0.050.05 0.020.02 ABDUSA 1717 33 88 1111 33 88 0.930.93 0.020.02 0.050.05 0.010.01 0.070.07 0.010.01 ABEABE 2222 66 1313 1515 66 99 0.900.90 0.040.04 0.060.06 0.020.02 0.100.10 0.020.02 ABFABF 2424 66 1818 2424 66 1818 0.850.85 0.040.04 0.110.11 0.020.02 0.020.02 0.020.02 ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...

상기 표에 있어서, 기호들은 다음과 같다.In the above table, symbols are as follows.

AA-1 : 웨이퍼의 총결함수AA-1: Prime function of wafer

AA-2 : 치명결함수AA-2: Number of fatal defects

AA-3 : 결함후보수AA-3: Number of defect candidates

BB-1 : 검출결함을 갖는 칩수BB-1: Chip with detection defect

BB-2 : 치명결함을 갖는 칩수BB-2: Chips with fatal defects

BB-3 : 결함후보를 갖는 칩수BB-3: Number of Chips with Defect Candidates

CC-1 : 칩양품률CC-1: Chip yield

CC-2 : 칩불량품률CC-2: Chip defect rate

산란광검출식의 검사장치는 웨이퍼의 최표면의 이물만을 검출하기 때문에, 패턴상에 이물이 존재하면 제품의 결함이 발생한다. 양품률 및 불량품률을 관리하는 것에 의해, 제품의 최종검사에서의 양품률을 예측할 수 있다. 또, 불량품칩의 분포에 의해, 이물이 랜덤이물인지 아닌지를 판정할 수 있다. 이물이 랜덤이물인 경우, 이물이 프와송분포를 이루고 있다고 가정하면,Since the inspection apparatus of the scattered light detection type only detects the foreign object on the outermost surface of the wafer, if foreign matter exists on the pattern, defects of the product occur. By controlling the yield rate and the defect rate, it is possible to predict the yield rate in the final inspection of the product. It is also possible to determine whether or not the foreign object is random by the distribution of the defective chips. If the foreign object is a random object, assuming that the foreign object has a Pawson distribution,

yi=exp(-A×Di) (여기에서, A는 칩면적이다)yi = exp (-A x Di) (where A is the chip area)

로 한다. 또, 각 공정의 결함 밀도Di(여기에서, 첨자i는 수에 있어서의 공정을 나타낸다)를 계산할 수 있다. 따라서, 각 공정으로 배분된 결함 밀도를 관리하기 위한 값과의 괴리도(乖離度)에 의한 공정의 이물 또는 결함에 대한 대책을 실행할 수 있다. 이러한 공정에 있어서의 이물 또는 결함을 관리하는 방법은 이물 또는 결함의 수와 검사면적에서 결함밀도가 산출되는 종래의 방법과는 달리 최종검사의 양품률모델 즉. It is also possible to calculate the defect density Di of each step (here, the suffix i represents the number of steps). Therefore, countermeasures against foreign matters or defects of the process by the degree of discrepancy with the value for managing the defect density distributed to each process can be implemented. Unlike the conventional method in which the defect density is calculated in the number of foreign objects or defects and the inspection area, the method of managing foreign matter or defects in such a process,

y=exp(-A×D) (y는 양품률, A는 칩면적, D는 결함밀도이다.)y = exp (-A x D) where y is the yield rate, A is the chip area, and D is the defect density.

과 유사한 방법으로 결함밀도Di를 산출한다. 그러므로, 최종공정에 있어서의 양품률의 향상에 직접효과가 있는 공정을 추출할 수 있다.The defect density Di is calculated. Therefore, it is possible to extract a process that has a direct effect on the improvement of the yield rate in the final process.

즉, 상기 다른 실시예에 따라 다음의 효과를 얻을 수 있다.That is, according to the other embodiment, the following effects can be obtained.

〔1〕 검사시간이 긴 장치나 여러대의 검사장치를 사용하지 않고 이물의 사이즈를 출력할 수 있으므로, 웨이퍼 1개당의 검사에 걸리는 시간을 대폭으로 단축할 수 있고 그 결과 조기 양품률향상에 공헌할 수 있다.[1] Since the size of the foreign object can be outputted without using an apparatus having a long inspection time or a plurality of inspection apparatuses, it is possible to remarkably shorten the time required for inspection per wafer and consequently contribute to improvement in early yield rate .

〔2〕 프로브검사에 있어서의 양품률의 모델의 결함밀도저감에 직접 관련되는 검사데이타를 제공하는 것에 의해, 양품률향상의 포인트와 시책의 시비를 단기간에 판단할 수 있다.[2] By providing the inspection data directly related to the defect density reduction of the model of the yield rate in the probe inspection, it is possible to determine the point of improvement of the yield rate and the application of the measure in a short period of time.

〔3〕 산란광 검출기의 검출에 따라 검출부의 판정을 명시야 조명하에 동작하는 촬상장치에 연결되는 검증부에 의해 검증되므로, 이물검사장치에 있어서의 검사정밀도를 향상시킬 수 있어 상기 〔1〕과 함께 이물검사장치의 품질 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.[3] Since the detection of the detection unit is verified by the verification unit connected to the image pickup apparatus operating under bright field illumination in accordance with the detection of the scattered light detector, the inspection accuracy in the foreign material inspection apparatus can be improved, It is possible to improve the quality and reliability of the foreign object inspection apparatus.

〔4〕 분할부분이 단일 이물인지 아닌지를 판정해서 입자직경측정을 하는 것에 의해, 이물의 사이즈를 보다 한층더 정확하게 측정할 수 있다.[4] It is possible to measure the particle size more accurately by determining whether or not the divided portion is a single foreign matter and measuring the particle diameter.

〔5〕 하지패턴과 이물의 사이즈, 속성에서 이물의 치명성(즉, 치명결함 또는 비치명결함)을 판정할 수 있으므로, 이물검사방법의 효율을 한층더 향상시킬 수 있다.[5] It is possible to determine the fate of the foreign object (that is, the fatal defect or the defective flaw) in the size and attribute of the foreign object pattern and the foreign object, and thus the efficiency of the foreign object inspection method can be further improved.

〔6〕 검사될 칩의 양품률 및 결함밀도를 산출할 수 있으므로, 이물검사방법의 이용효율을 한층더 향상시킬 수 있다.[6] Since the yield rate and defect density of chips to be inspected can be calculated, the utilization efficiency of the foreign matter inspection method can be further improved.

도 15는 검사방법을 제1 변형예에 있어서의 단일 이물의 인식작용을 설명하기 위한 설명도이다.Fig. 15 is an explanatory view for explaining the recognition operation of a single foreign object in the first modification of the inspection method. Fig.

본 변형예가 상기 실시예와 다른 점은 이물화상이 배선패턴화상에 의해 분할된 경우의 단일 이물의 인식방법에 있다. 즉, 도 15의 (a), (b), (c)에 도시되어 있는 바와 같이 차화상(90)이 3분할된 경우에는 감산처리를 통해 분할된 화상의 색판정이 실행된다.The present modified example is different from the above-described embodiment in a single foreign object recognition method in the case where a foreign object image is divided by a wiring pattern image. That is, when the difference image 90 is divided into three as shown in Figs. 15A, 15B and 15C, the color determination of the divided image is performed by the subtraction processing.

촬상장치(45)에 의한 화상이 컬러화상이고, NTSC(National Television System Committee)신호로 출력되어 있는 경우에는 도 15의 (d)에 도시되어 있는 채도색상분포도를 사용해서 색판정을 실행한다. 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)이 미리 정해진 Δγ, Δθ의 영역에 있어서 동일색으로 판정된 경우에는 단일 이물의 차화상(90)으로 인식되고, 분할화상을 일괄정리한 이물사이즈의 측정이 실행되고 또한 치명결함으로 판정된다. 동일색이 아니라고 판정된 경우에는 서로 분리된 이물로 인식되고 각각에 대해서 사이즈의 측정이 실행된다. 이물의 사이즈가 패턴 사이의 거리보다 크면 치명결함으로 판정되고, 작으면 비치명결함으로 판정된다.When the image by the image pickup device 45 is a color image and is output as an NTSC (National Television System Committee) signal, the color determination is executed using the saturation color distribution chart shown in Fig. 15 (d). If the left divided image 91, the central divided image 92 and the right divided image 93 are determined to be the same color in the predetermined ranges of DELTA gamma and delta & theta, they are recognized as a single difference image 90, The measurement of the foreign object size in which the images are gathered together is executed and it is judged as a fatal defect. If it is determined that they are not the same color, they are recognized as foreign matters separated from each other and a size measurement is performed for each of them. If the size of the foreign object is larger than the distance between the patterns, it is determined to be a fatal defect.

촬상장치(45)에 의한 화상이 컬러화상이고 RGB신호에 의해 출력되고 있는 경우에는 색은When the image by the image pickup device 45 is a color image and is output by an RGB signal,

Δα+Δβ+ΔγΔα + Δβ + Δγ

로서 나타낼 수 있고, 미리 설정된 값η에 대해서, And a predetermined value < RTI ID = 0.0 >

|Δα|+|Δβ|+|Δγ|≤η| ?? | + | ?? | + | ?? | |?

으로 되는 경우에는 동일색으로 판정된다. 상기와 같이 해서 분할상이 동일색으로 판정되면, 단일 이물로 인식되고 분할상을 일괄정리해서 이물직경의 측정이 실행되고 치명결함으로 판정된다. 동일색이 아니라고 판정된 경우에는 서로 분리된 이물로 인식되고 각각에 대해서 사이즈의 측정이 실행된다. 이물의 사이즈가 패턴사이의 거리보다 크면 치명결함, 작으면 비치명결함으로 한다.The same color is determined. If the divided images are determined to be the same color as described above, they are recognized as a single foreign object, the divided images are collectively arranged, the foreign particle diameter is measured, and a fatal defect is determined. If it is determined that they are not the same color, they are recognized as foreign matters separated from each other and a size measurement is performed for each of them. If the size of the foreign object is larger than the distance between the patterns, a fatal defect is determined.

도 16에 도시되어 있는 바와 같이, 분할수가 2개인 경우에도 분할된 화상의 색판정이 3개 이상으로 분할되어 있는 경우와 마찬가지로 동일 처리가 실행된다. 동일색으로 판정된 경우에는 단일 이물로 인식되고 분할상을 일괄정리해서 이물직경의 측정이 실행되고 이 이물이 결함후보로 판정된다. 또한, 검사결과는 상기 다른 실시예와 마찬가지로 처리된다.As shown in Fig. 16, even when the number of divisions is two, the same processing is performed as in the case where the color judgment of the divided image is divided into three or more. If it is judged to be the same color, it is recognized as a single foreign object, the divided images are collectively arranged, the foreign object diameter is measured, and this foreign object is judged as a defect candidate. In addition, the inspection result is processed in the same manner as in the other embodiments.

도 17은 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사방법의 제2 변형예의 단일 이물의 인식작용을 설명하기 위한 설명도이다.FIG. 17 is an explanatory diagram for explaining the recognition operation of a single foreign object according to a second modification of the foreign object inspection method according to another embodiment of the present invention.

본 변형예가 상기 다른 실시예와 다른 점은 이물화상이 배선패턴화상에 의해 분할된 경우의 단일 이물의 인식방법에 있다. 즉, 도 17의 (a), (b), (c)에 도시되어 있는 바와 같이 분할된 화상의 팽창처리에 의해 판정이 실행된다.This modified example differs from the above-described other embodiments in a single foreign object recognition method in a case where a foreign object image is divided by a wiring pattern image. That is, as shown in Figs. 17A, 17B, and 17C, the determination is performed by the expansion process of the divided image.

도 17에 도시되어 있는 바와 같이, 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)으로 분할된 경우에는 분할된 화상의 각 요소를 처리해서 미리 입력된 수치ζ에 의해 도 17의 (d)에 도시되어 있는 바와 같이 팽창되도록 한다. 본 변형예에 있어서 수치ζ는 패턴 사이의 공간 폭과 동일한 수치로 설정되어 있다. 팽창처리결과, 팽창처리후의 화상의 수가 원래의 화상의 수보다 작은 경우에는 분할요소가 1개로 일괄정리되어 단일 이물로 인식된다. 이물사이즈의 측정은 원래의 좌측분할상(91)의 좌측끝과 우측분할상(93)의 우측끝 사이의 거리의 측정에 의해 실행되고, 단일 이물은 치명결함으로 판정된다. 팽창처리후의 화상의 수가 원래의 화상의 수와 동일한 경우, 이 이물군은 서로 분리된 이물로 인식되고 결함후보로 판정된다. 그러나, 검사결과는 상기 다른 실시예와 마찬가지로 처리된다.17, when the image is divided into the left divided image 91, the central divided image 92 and the right divided image 93, each element of the divided image is processed, And is caused to expand as shown in Fig. 17 (d). In this modification, the numerical value zeta is set to the same numerical value as the space width between the patterns. As a result of the expansion processing, when the number of images after the expansion processing is smaller than the number of original images, the division elements are collectively grouped into one and recognized as a single foreign body. The measurement of the foreign object size is carried out by measuring the distance between the left end of the original left divided image 91 and the right end of the right divided image 93, and a single foreign object is judged as a fatal defect. If the number of images after the expansion processing is equal to the number of original images, this foreign matter group is recognized as foreign matter separated from each other and determined as a defect candidate. However, the inspection result is processed in the same manner as in the other embodiments.

도 18의 (a)∼도 18의 (b)는 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사방법의 제3 변형예의 단일 이물의 인식작용을 설명하기 위한 설명도이다.FIGS. 18A to 18B are explanatory diagrams for explaining a single foreign object recognizing operation according to the third modification of the foreign object inspection method according to another embodiment of the present invention. FIG.

본 변형예가 상기 다른 실시예와 다른 점은 이물화상이 배선패턴화상에 의해 분할된 경우의 단일 이물의 인식방법에 있다. 즉, 도 18의 (a), (b), (c)에 도시되어 있는 바와 같이 합화상에 의해 판정이 실행된다.This modified example differs from the above-described other embodiments in a single foreign object recognition method in a case where a foreign object image is divided by a wiring pattern image. That is, as shown in (a), (b), and (c) in FIG. 18, the determination is performed by the sum image.

도 18의 (a)는 피검사물의 좌표위치의 화상을 도시한 도면으로서, 배경화상(7)상에 서로 평행하게 마련된 1쌍의 배선패턴화상(8), (8)이 나타나고 있고, 양배선패턴화상(8), (8)상에 이물화상(6)이 걸쳐서 나타나는 상태로 되어 있다. 도 18의 (b)는 참조대상의 좌표위치의 참조대상의 화상을 도시한 도면으로서, 배경화상(7)상에 양배선패턴화상(8), (8)만이 나타나고 있다. 피검사물의 화상과 배선패턴화상(8), (8)이 가산되어 합화상(9')가 도 18의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이 형성된다. 이 합화상(9')에 대해서 임계값처리가 실행되고, 도 18의 (d)에 도시되어 있는 이물화상(6)에 의해 분할된 배선패턴화상(8'), (8')가 형성된다. 이와 같이 분할된 화상이 인식된 경우에는 이물이 치명결함으로 판정된다. 인식되지 않은 경우에는 비치명결함으로 판정된다. 또한, 검사결과는 상기 실시예와 마찬가지로 처리된다.18A shows an image of coordinate positions of an object to be inspected. A pair of wiring pattern images 8 and 8 are provided on the background image 7 in parallel with each other. So that the foreign object image 6 appears on the pattern images 8 and 8. 18B is a diagram showing an image of a reference object at a coordinate position of a reference object, and only the two wiring pattern images 8 and 8 are shown on the background image 7. FIG. The image of the inspected object and the wiring pattern images 8 and 8 are added to form a sum image 9 'as shown in FIG. 18 (c). The threshold value processing is executed for the sum image 9 'to form the wiring pattern images 8' and 8 'divided by the foreign image 6 shown in FIG. 18 (d) . If the divided image is recognized in this way, the foreign object is judged to be a fatal defect. If it is not recognized, it is judged to be defective. The inspection results are processed in the same manner as in the above embodiment.

이상 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시예에 따라 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경이 가능한 것은 물론이다.Although the invention made by the present inventors has been described concretely with reference to the embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and that various changes can be made without departing from the gist of the present invention.

예를 들면, 명시야 조명하에 이물위치의 특정은 차광소자에 의해 실행하도록 구성하는 것에 한정되지 않고, 반복패턴에 있어서의 동일위치의 검출데이타를 비교하는 것에 의해 실행하도록 구성해도 좋다. 이 경우, 비교할 데이타는 인접하는 칩의 검출데이타, 미리 기억된 설계패턴 또는 표준패턴으로도 할 수 있다.For example, the specification of the position of the foreign object under the bright field illumination is not limited to being performed by the light-shielding element, and may be performed by comparing detection data at the same position in the repeated pattern. In this case, the data to be compared may be detection data of the adjacent chip, a previously stored design pattern, or a standard pattern.

촬상장치로서는 라인센서뿐만 아니라 면적센서나 촬상관 등을 사용할 수 있다.As the image pickup device, not only a line sensor but also an area sensor, an image pickup tube and the like can be used.

이상의 설명에서는 본 발명자들에 의해 이루어진 발명 특히 본 발명의 배경기술로서 웨이퍼의 이물 또는 결함검사기술 분야에 적용된 경우에 대해서 주로 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고 포토마스크 또는 액정패널 등을 포함하는 판형상물에 있어서의 이물 또는 결함검사기술 전반에 적용할 수 있다.In the above description, the invention made by the inventors of the present invention is mainly described as a background of the present invention, but the present invention is not limited to this, and a plate including a photomask, a liquid crystal panel, The present invention can be applied to all foreign objects or defects inspection technology in the shape.

본원에 있어서 개시되는 발명 중 대표적인 것에 의해 얻어지는 효과를 간단하게 설명하면 다음과 같다.Effects obtained by representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

검사시간이 긴 장치나 여러대의 검사장치를 사용하지 않고 이물의 사이즈를 출력할 수 있으므로, 1피검사물당 검사에 걸리는 시간을 대폭으로 단축할 수 있다. 분할부분이 단일 이물인지 아닌지를 판정해서 사이즈를 측정하는 것에 의해, 이물의 사이즈를 한층더 정확하게 측정할 수 있다. 패턴과 이물의 사이즈나 속성에서 이물의 치명성(즉, 치명결함 또는 비치명결함)을 판정하는 것에 의해, 이물검사방법의 효율을 한층더 향상시킬 수 있다.It is possible to output the size of the foreign object without using an apparatus having a long inspection time or a plurality of inspection apparatuses, so that it is possible to greatly shorten the time required for one inspection object per inspection. It is possible to more accurately measure the size of the foreign object by determining whether or not the divided portion is a single foreign object and measuring the size. The efficiency of the foreign matter inspection method can be further improved by determining the fate of the foreign object (that is, the fatal flaw or the defective flaw name) in the size and the attribute of the pattern and the foreign object.

검사될 칩의 양품률 및 결함밀도를 산출하는 것에 의해, 이물검사방법의 이용효율을 한층더 향상시킬 수 있다.The utilization efficiency of the foreign matter inspection method can be further improved by calculating the yield rate and defect density of chips to be inspected.

Claims (20)

피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사방법으로서,A method for inspecting a foreign substance in a micro-repeated pattern formed on a surface of an object to be inspected, 검사광 조사장치로 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 검사광을 조사하는 공정,A step of irradiating the inspection light onto the surface of the inspection object on which the ultra-small repeating pattern is formed by the inspection light irradiation device, 적어도 산란광 검출기로 상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 검사광의 산란광을 검출하는 공정,A step of detecting at least scattered light of the inspection light scattered on the surface of the inspected object with at least a scattered light detector, 상기 공정에서 상기 산란광의 검출에 따라 상기 피검사물의 표면상의 이물의 좌표위치를 판정하는 공정,A step of determining a coordinate position of a foreign object on the surface of the inspected object in accordance with the detection of the scattered light in the step, 상기 산란광 검출공정에서 좌표위치에 대응하는 좌표위치에서 조사수단에 의한 명시야 조명 하에 상기 공정에서 좌표위치가 판정된 상기 이물의 화상을 촬상하는 공정 및Capturing an image of the foreign object whose coordinate position has been determined in the process under bright field illumination by the irradiation means at the coordinate position corresponding to the coordinate position in the scattered light detection step; 상기 공정에서 촬상된 상기 화상에 따라서 추출된 상기 이물의 화상에 따라, 상기 이물의 사이즈, 형상, 색 및 속성 중의 적어도 하나를 이물로 결정하는 공정을 포함하는 이물검사방법.And determining at least one of the size, shape, color, and attribute of the foreign object as foreign matter according to the image of the foreign object extracted according to the image captured in the process. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 산란광의 검출에 의해 판정된 상기 이물의 좌표위치에 대응하는 위치에서 조사수단에 의한 명시야 조명 하에 상기 피검사물의 상기 초소형 반복패턴의 다른 위치의 화상을 촬상하는 공정을 더 포함하고,Further comprising the step of capturing an image at another position of the micro repeat pattern of the inspected object under bright field illumination by the irradiation means at a position corresponding to the coordinate position of the foreign object determined by the detection of the scattered light, 상기 촬상된 2개의 화상을 비교하여 상기 결정공정에서의 이물의 화상을 추출하는 이물검사방법.And comparing the two captured images to extract an image of a foreign object in the determining step. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 촬상공정에서 촬상된 화상에서 나타나는 상기 이물로 된 결정에 따라, 상기 산란광의 검출시에 상기 이물의 좌표위치의 상기 판정공정에서 이루어진 판정에 대해서 정당성을 검증하는 공정을 더 포함하는 이물검사방법.Further comprising the step of verifying the legitimacy of the determination made in the determining step of the coordinate position of the foreign object upon detection of the scattered light in accordance with the foreign matter determined in the image captured in the imaging step. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 형상은 상기 촬상공정에서 얻어진 상기 이물의 화상의 사이즈를 사용하여 상기 결정 공정에서 판정되는 이물검사방법.Wherein the shape is determined in the determining step using the size of the image of the foreign object obtained in the imaging step. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 색은 상기 촬상공정에서 얻어진 상기 이물의 화상의 색성분과 계조를 사용해서 상기 결정공정에서 판정되는 이물검사방법.Wherein the color is determined in the determining step using color components and gradations of the image of the foreign object obtained in the imaging step. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 속성은 상기 산란광에 의해 검출된 상기 검출 이물로부터의 산란광을 사용하여 상기 결정 공정에서 판정되는 이물검사방법.Wherein the attribute is determined in the determining step using scattered light from the detected foreign object detected by the scattered light. 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사장치로서,An apparatus for inspecting a foreign substance of a micropattern repeated pattern formed on a surface of an object to be inspected, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 검사광을 조사하는 광조사장치,A light irradiating device for irradiating inspection light onto the surface of the inspected object on which the micro- 상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 검사광의 산란광을 검출하는 산란광 검출기,A scattered light detector for detecting scattered light of the inspection light scattered on the surface of the inspected object, 상기 산란광의 검출에 따라 상기 피검사물의 표면상의 상기 이물의 좌표위치를 판정하는 수단,Means for determining a coordinate position of the foreign object on the surface of the inspected object in accordance with the detection of the scattered light, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 명시야 조명을 인가하는 조사수단,Irradiating means for applying bright field illumination onto the surface of the inspected object on which the micropatterned pattern is formed, 상기 좌표위치 판정수단에 의해 판정된 좌표위치에 대응하는 좌표위치에서 상기 조사수단에 의한 명시야 조명 하에 상기 좌표위치에 의해 판정된 상기 이물의 화상을 촬상하는 수단 및Means for capturing an image of the foreign object determined by the coordinate position under bright field illumination by the illuminating means at a coordinate position corresponding to the coordinate position determined by the coordinate position determining means; 상기 촬상수단에 의해 얻어진 화상의 상기 촬상에 따라서 추출된 이물의 화상에 따라, 상기 이물의 사이즈, 형상, 색 및 속성 중의 적어도 하나를 이물로 결정하는 수단을 포함하는 이물검사장치.And means for determining at least one of a size, a shape, a color, and an attribute of the foreign object as a foreign object in accordance with the image of the foreign object extracted according to the imaging of the image obtained by the imaging means. 제7항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 촬상수단 및 상기 산란광 검출수단이 공통으로 사용되도록 구성되어 있는 이물검사장치.Wherein the image pickup means and the scattered light detection means are configured to be commonly used. 제7항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 조사수단에 의한 명시야 조명 하에 상기 촬상수단이 상기 화상을 촬상하는 스테이지는 상기 광조사장치로부터의 검사광 하에 상기 산란광 검출기가 상기 산란광을 검출하는 스테이지와는 별도로 마련되어 있는 이물검사장치.Wherein the stage for picking up the image by the imaging means under the bright field illumination by the irradiation means is provided separately from the stage for detecting the scattered light under the inspection light from the light irradiation device. 제7항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 판정수단에 의해 판정된 상기 좌표위치와는 다르고 상기 좌표위치에 대응하는 상기 피검사물의 표면상의 다른 좌표위치에서 명시야 조명하에 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하는 것에 의해 참조화상을 얻는 수단 및Means for obtaining a reference image by imaging an image of the micropattern under bright field illumination at a different coordinate position on the surface of the inspected object that is different from the coordinate position determined by the determination means and corresponding to the coordinate position; 상기 피검사물 화상과 상기 참조화상 사이에서 연산처리된 화상을 얻는 수단을 더 포함하고,Further comprising means for obtaining an image subjected to arithmetic processing between the object image and the reference image, 상기 결정수단은 상기 연산처리된 화상을 얻는 수단에 의해 얻어진 연산처리화상에 따라, 미리 지정된 상기 피검사물상에서 판정된 좌표위치에서 결함의 존재유무를 결정하는 이물검사장치.Wherein the determining means determines whether or not a defect exists in a coordinate position determined on the predetermined object to be inspected according to the arithmetic processing image obtained by the means for obtaining the arithmetic processed image. 제10항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 연산처리된 화상을 얻는 수단은 상기 피검사물 화상과 상기 참조화상 사이에서 처리된 다른 화상을 얻는 이물검사장치.And the means for obtaining the computed image obtains another image processed between the inspection object image and the reference image. 제10항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 연산처리된 화상을 얻는 수단은 상기 피검사물 화상과 상기 참조화상 사이에서 처리된 부가 화상을 얻는 이물검사장치.And the means for obtaining the computed image obtains an additional image processed between the inspection object image and the reference image. 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물의 검사장치로서,An apparatus for inspecting a foreign matter of a micropattern repeated pattern formed on a surface of an object to be inspected, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 검사광을 조사하는 광조사장치,A light irradiating device for irradiating inspection light onto the surface of the inspected object on which the micro- 상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 광의 산란광을 검출하는 산란광 검출기,A scattered light detector for detecting scattered light of the light scattered on the surface of the inspected object, 상기 산란광 검출기에 의한 상기 산란광의 검출에 따라 얻어진 상기 피검사물의 표면상에 부착된 이물에 관련된 제1 정보를 얻는 수단,Means for obtaining first information related to a foreign substance attached on the surface of the inspected object obtained by the detection of the scattered light by the scattered light detector, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 명시야 조명을 인가하는 조사수단,Irradiating means for applying bright field illumination onto the surface of the inspected object on which the micropatterned pattern is formed, 상기 조사수단에 의한 명시야 조명 하에 상기 이물의 화상을 촬상하는 수단,Means for capturing an image of the foreign object under bright field illumination by the irradiating means, 상기 명시야 조명 하에서의 상기 촬상수단에 의한 상기 화상의 촬상에 따라서 얻어진 상기 이물의 화상에 따라, 상기 이물에 관련된 제2 정보를 얻는 수단 및Means for obtaining second information related to the foreign object in accordance with the image of the foreign object obtained in accordance with the image capturing by the image capturing means under the bright field illumination; 상기 이물에 관련되 상기 제1 정보 및 상기 제2 정보를 표시화면상에 표시하는 수단을 포함하는 이물검사장치.And means for displaying the first information and the second information related to the foreign object on the display screen. 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사방법으로서,A method for inspecting a foreign substance in a micro-repeated pattern formed on a surface of an object to be inspected, 미리 지정된 상기 피검사물의 표면상의 좌표위치에서 명시야 조명하에 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하여 피검사물 화상을 얻는 공정,A step of capturing an image of the micropattern under bright field illumination at a coordinate position on the surface of the object to be inspected in advance to obtain an inspected object image, 상기 좌표위치에 대응하고 상기 좌표위치와는 다른 상기 피검사물의 표면상의 다른 좌표위치에서 명시야 조명하에 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하여 참조화상을 얻는 공정,Capturing an image of the micropattern under bright field illumination at a different coordinate position corresponding to the coordinate position and different from the coordinate position on the surface of the inspected object to obtain a reference image; 상기 피검사물 화상과 상기 참조화상 사이에서 연산처리된 화상을 얻는 공정 및A step of obtaining an image subjected to arithmetic processing between the inspection object image and the reference image and 상기 연산처리된 화상의 조건에 따라서 미리 정해진 상기 피검사물상의 좌표위치에서 이물의 존재유무를 결정하는 공정을 포함하는 이물검사방법.And determining whether or not the foreign object exists at a predetermined coordinate position on the object to be inspected according to the condition of the image subjected to the arithmetic processing. 제14항에 있어서,15. The method of claim 14, 상기 연산처리된 화상은 상기 피검사물 화상과 상기 참조화상의 차 화상인 이물검사방법.Wherein the computed image is a difference image between the inspection object image and the reference image. 제14항에 있어서,15. The method of claim 14, 상기 연산처리된 화상은 상기 피검사물 화상과 상기 참조화상의 합 화상인 이물검사방법.Wherein the computed image is a sum image of the inspection object image and the reference image. 제14항에 있어서,15. The method of claim 14, 미리 정해진 상기 피검사물의 표면상의 좌표위치는 상기 이물의 존재위치로서, 광원에서 검사광을 상기 피검사물상에 조사하는 경우 암시야 하에 상기 초소형 반복패턴의 표면에서 산란광을 검출하는 것에 의해 규정되는 이물검사방법.The predetermined coordinate position on the surface of the inspected object is a position of the foreign object as a position of the foreign object to be detected by detecting the scattered light on the surface of the micro- method of inspection. 제14항에 있어서,15. The method of claim 14, 상기 피검사물의 표면상에는 적어도 2이상의 동일한 패턴이 반복적으로 형성되고, 상기 참조화상의 위치는 상기 적어도 2이상의 패턴의 각각의 좌표상의 상기 피검사물의 위치와 동일한 이물검사방법.Wherein at least two identical patterns are repeatedly formed on the surface of the object to be inspected and the position of the reference image is the same as the position of the object on the respective coordinates of the at least two patterns. 제15항에 있어서,16. The method of claim 15, 상기 결정공정은 얻어진 상기 차화상이 적어도 2이상의 화상으로 분리되면 결함이라고 결정하는 이물검사방법.Wherein said determining step determines that said difference image is defective when said difference image is separated into at least two or more images. 제16항에 있어서,17. The method of claim 16, 상기 결정공정은 상기 합화상과 소정 값을 비교하고 상기 비교 결과로서 적어도 2이상의 화상이 얻어지면 결함이라고 결정하는 이물검사방법.Wherein the determining step compares the sum image with a predetermined value and determines that the defect is a defect when at least two or more images are obtained as a result of the comparison.
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