KR19990019415U

KR19990019415U - 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치

Info

Publication number: KR19990019415U
Application number: KR2019970032755U
Authority: KR
Inventors: 이갑조
Original assignee: 구본준; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1997-11-19
Filing date: 1997-11-19
Publication date: 1999-06-15
Also published as: KR200211250Y1

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는 공정챔버의 상부에 형성 설치된 분사구에 의하여 분사된 공정가스가 웨이퍼 스테이지에 장착 고정된 상기 반도체 웨이퍼에 균일하게 공급되지 못하여 그 반도체 웨이퍼에 도포된 포토레지스트가 균일하게 제거되지 않는 문제점이 발생하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는 포토레지스트를 제거하고자하는 상기 반도체 웨이퍼를 장착 고정하는 웨이퍼 스테이지를 회전구동하고, 상기 공정가스를 공급하는 공정가스공급기를 다수의 분사구가 형성 설치된 분사봉과 그 분사봉을 상기 웨이퍼 스테이지의 회전축과 수직으로 회전할 수 있도록 하므로써, 상기 반도체 웨이퍼에 상기 공정가스가 균일하게 분사됨과 아울러 그 반도체 웨이퍼에 도포된 상기 포토레지스트가 균일하게 제거되는 효과를 기대할 수 있다.

Description

반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치

본 고안은 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 관한 것으로, 특히 포토레지스트를 저거하기 위한 반도체 웨이퍼가 장착 고정된 웨이퍼 스테이지를 회전구동하고, 상기 반도체 웨이퍼에 도포되어 있는 포토레지스트를 제거하기 위한 공정가스를 분사하는 분사구가 설치된 공정가스공급기를 회전시키므로써, 상기 반도체 웨이퍼 상에 도포되어 있는 상기 포토레지스트를 균일하게 제거할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 패키지를 제조하는 중간제품의 하나인 반도체 웨이퍼는 식각과 증착 공정과 같은 여러 공정을 거치게 되는데, 이러한 공정중 하나가 상기 반도체 웨이퍼에 패턴을 형성하기 위하여 포토레지스트를 도포하고 노광하여 식각을 하게 된다.

이와 같이 식각공정을 끝낸 상기 반도체 웨이퍼는 상기 포토레지스트 제거장치를 이용하여 그 반도체 웨이퍼에 도포되어 있는 상기 포토레지스트를 제거한다.

상기 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는 상기 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트를 제거하기 위한 밀폐된 공정챔버(1)가 형성 설치되어 있고, 그 공정챔버(1)의 저부에는 상기 반도체 웨이퍼를 장착 고정하는 웨이퍼 스테이지(2)가 설치되어 있으며, 그 웨이퍼 스테이지(2)의 하부에는 상기 반도체 웨이퍼의 온도를 조절할 수 있는 히터코일(3)이 설치되어 있고, 그 히터코일(3)의 하부에는 단열재(4)가 설치되어 있다.

그리고, 상기 공정챔버(1)의 상부에는 공정가스를 분사하는 분사구(5)가 형성 설치됨과 아울러 고주파전원을 공급하는 고주파공급기(6)가 설치되어 있고, 또 상기 공정챔버(1)의 하부의 일 측에는 상기 반도체 웨이퍼 상에 도포되어 제거된 상기 포토레지스트를 펌핑하여 배출시킬 수 있는 펌핑라인(7)이 형성되어 있다.

도면상의 미설명 부호 8은 상기 공정가스를 제어하는 메스플로우컨트롤러(MASS FLOW CONTROLLER)이다.

상기와 같이 구성된 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는 먼저, 상기 공정챔버(1)의 하부에 설치된 웨이퍼 스테이지(2)에 포토레지스트를 제거할 상기 반도체 웨이퍼가 장착 고정됨과 아울러 상기 공정챔버(1)의 상부에 형성 설치된 분사구(5)를 통하여 공정가스가 분사되고, 상기 고주파공급기(6)에 의하여 고주파가 상기 공정챔버(1)내로 공급되면 그 공정챔버(1)내에는 강력한 플라즈마가 형성되며, 그 플라즈마에 의하여 상기 반도체 웨이퍼에 도포된 상기 포토레지스트는 제거되고, 또 상기 히터코일(3)에 의하여 상기 반도체 웨이퍼가 가열되게 되어 상기 포토레지스트의 제거하는데 효과를 증대한다.

이와 같은 상태에서, 상기 펌핑라인(7)에 연결된 펌프(미도시)의 펌핑에 의하여 상기 반도체 웨이퍼 상에서 제거된 상기 포토레지스트는 상기 공정챔버(1)의 외부로 배출되게 되는 것이다.

그러나, 상기와 같이 구성된 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는 상기 공정챔버의 상부에 형성 설치된 상기 분사구에 의하여 분사된 상기 공정가스가 상기 웨이퍼 스테이지에 장착 고정된 상기 반도체 웨이퍼에 균일하게 공급되지 못하여 그 반도체 웨이퍼에 도포된 상기 포토레지스트가 균일하게 제거되지 않는 문제점이 발생하였다.

따라서, 본 고안의 목적은 상기의 문제점을 해결하여 웨이퍼 스테이지에 장착 고정된 반도체 웨이퍼에 공정가스를 균일하게 분사함과 아울러 그 반도체 웨이퍼에 도포된 포토레지스트를 균일하게 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치의 구조를 보인 개략도.

도 2는 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치의 구조를 보인 개략도.

도 3은 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치의 가스분사라인의 구조를 보인 개략도.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명 **

11 : 공정챔버 12 : 웨이퍼 스테이지

12a : 회전축 15 : 공정가스공급기

15a : 공급라인 15b : 분사구

15c : 분사봉 16 : 고주파공급기

보 고안의 목적은 펌핑라인이 연결 설치된 소정의 공간을 갖는 공정챔버와, 그 공정챔버의 하부에 설치되어 반도체 웨이퍼가 장착 고정됨과 아울러 그 반도체 웨이퍼를 회전시킬 수 있도록 구동장치에 의하여 회전 구동되는 웨이퍼 스테이지와, 그 웨이퍼 스테이지에 장착 고정된 상기 반도체 웨이퍼에 열을 가할 수 있는 히터코일과, 상기 공정챔버의 상부에 설치되어 공정가스를 분사함과 아울러 상기 웨이퍼 스테이지에 장착 고정하다 상기 반도체 웨이퍼에 상기 공정가스를 균일하게 분사할 수 있도록 구동장치에 의하여 회전 구동하는 공정가스공급기와, 상기 공정챔버내에 고주파를 공급하여 플라즈마를 형성하는 고주파공급기를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 의하여 달성된다.

다음은, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치의 일실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.

도 2는 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치의 구조를 보인 개략도이고, 도 3은 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치의 가스분사라인의 구조를 보인 개략도이다.

본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는, 상기 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이 상기 포토레지스트를 제거하기 위한 밀폐된 소정의 공간을 갖는 공정챔버(11)가 형성 설치되어 있고, 그 공정챔버(11)의 저부에는 상기 반도체 웨이퍼를 장착 고정하는 웨이퍼 스테이지(12)가 설치되어 있으며, 그 웨이퍼 스테이지(12)의 중심부에는 구동장치인 전동기(미도시)의 회전축(12a)이 삽입 설치되어 있고, 그 회전축(12a)이 삽입 설치된 상기 웨이퍼 스테이지(12)의 하부에는 상기 반도체 웨이퍼의 온도를 조절할 수 있는 히터코일(13)이 설치되어 있으며, 또 그 히터코일(13)의 하부에는 단열재(14)가 설치되어 있다.

그리고, 상기 공정챔버(11)의 상부에는 공정가스를 분사하는 공정가스공급기(15)가 설치되어 있고, 그 공정가스공급기(15)는 공정가스가 충전된 탱크(미도시)와 연결된 공급라인(15a)이 설치되어 있고, 그 공급라인(15a)의 단부에는 다수의 분사구(15b)가 형성 설치된 원통형의 분사봉(15c)이 설치되어 있으며, 그 분사봉(15c)은 상기 웨이퍼 스테이지의 회전축(12a)과 수직으로 회전 구동시키는 구동장치인 전동기(미도시)에 의하여 상기 웨이퍼 스테이지와 반대 방향으로 회전 구동할 수 있도록 구성되어 있다.

그리고, 상기 공정챔버(11)의 상부에는 상기 공급라인(15)과 일체로 형성된 고주파공급라인을 통하여 상기 공정챔버(11)내에 고주파전원을 공급하는 고주파공급기(16)가 설치되어 있고, 또 상기 공정챔버(11)의 하부의 일 측에는 상기 반도체 웨이퍼 상에 도포되어 제거된 상기 포토레지스트를 펌핑하여 배출시킬 수 있는 펌핑라인(17)이 형성되어 있다.

그리고 또, 상기 공정가스공급라인(15a)에는 상기 공정가스를 제어할 수 있는 엠에프시(18)가 설치되어 있다.

상기와 같이, 구성된 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는 먼저, 상기 웨이퍼 스테이지(12)에 상기 포토레지스트를 제거할 반도체 웨이퍼가 장착 고정됨과 아울러 회전축(12a)이 그 웨이퍼 스테이지(12)에 삽입설치된 상기 전동기가 회전 구동하게 되어 상기 반도체 웨이퍼는 회전하게 되고, 상기 공정챔버(11)의 상부에 설치된 공정가스공급기의 분사봉(15c)이 상기 전동기의 회전구동에 의하여 회전하면서 그 분사봉(15c)에 형성 설치된 분사구(15b)를 통하여 상기 공정가스가 상기 반도체 웨이퍼면에 균일하게 분사된다.

이와 동시에 고주파전원을 공급하는 상기 고주파공급기(16)에 의하여 상기 공정챔버(11)내에는 플라즈마가 생성되고, 그 플라즈마에 의하여 상기 반도체 웨이퍼에 도포된 상기 포토레지스트는 이탈되며, 상기와 같이 이탈된 포토레지스트는 상기 펌핑라인(17)을 통하여 상기 공정챔버(11)의 외부로 배출되게 되는 것이다.

상기와 같이 포토레지스트를 제거하고자하는 반도체 웨이퍼를 장착 고정하는 웨이퍼 스테이지를 회전구동하고, 공정가스를 공급하는 공정가스공급기를 다수의 분사구가 형성 설치된 분사봉과 그 분사봉을 상기 웨이퍼 스테이지의 회전축과 수직으로 회전할 수 있도록 하므로써, 상기 반도체 웨이퍼에 상기 공정가스가 균일하게 분사됨과 아울러 그 반도체 웨이퍼에 도포된 상기 포토레지스트가 균일하게 제거되는 효과를 기대할 수 있다.

Claims

펌핑라인이 연결 설치된 소정의 공간을 갖는 공정챔버와, 그 공정챔버의 하부에 설치되어 반도체 웨이퍼가 장착 고정됨과 아울러 그 반도체 웨이퍼를 회전시킬 수 있도록 구동장치에 의하여 회전 구동되는 웨이퍼 스테이지와, 그 웨이퍼 스테이지에 장착 고정된 상기 반도체 웨이퍼에 열을 가할 수 있는 히터코일과, 상기 공정챔버의 상부에 설치되어 공정가스를 분사함과 아울러 상기 웨이퍼 스테이지에 장착 고정된 상기 반도체 웨이퍼에 상기 공정가스를 균일하게 분사할 수 있도록 구동장치에 의하여 회전 구동하는 공정가스공급기와, 상기 공정챔버내에 고주파를 공급하여 플라즈마를 형성하는 고주파공급기를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치.
제 1항에 있어서, 상기 공정가스공급기는 상기 공정가스를 공급하는 공급라인과, 그 공급라인의 단부에 설치되어 회전 구동할 수 있음과 아울러 상기 공정가스를 분사하는 다수의 분사구가 형성 설치된 원통형의 분사봉과, 그 분사봉을 상기 웨이퍼 스테이지의 회전축과 수직으로 회전 구동하는 구동장치를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치.
제 2항에 있어서, 상기 분사봉은 상기 웨이퍼 스테이지와 반대 방향으로 회전 구동하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치.