KR19990009334U - 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 챔버의 내부로 가스가 급격히 공급되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치에 관한 것으로, 가스공급라인(15)을 챔버(11)의 하측으로 연결하고, 그 가스공급라인(15)에 연결되도록 챔버(11)의 내측하면에 디퓨져(16)를 설치하여, 챔버(11)의 내측으로 공급되는 가스가 하측에서 균일하게 공급되도록 한 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치에 관한 것이다.

Description

반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치

본 고안은 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치에 관한 것으로, 특히 챔버의 내측에 냉각가스가 급격히 유입되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 웨이퍼 제조공정 중 메탈공정에서는 멀티 챔버인 피브디 증착장비를 이용하여 공정을 진행하며, 증착작업을 마친 웨이퍼는 냉각장치로 이동하여 웨이퍼를 냉각시키게 되는데, 이와 같은 일반적인 종래 냉각장치가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치의 구조를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 공정 챔버(1)의 내측에는 웨이퍼(2)를 얹어 놓기 위한 패대스탈(3)이 설치되어 있고, 상기 챔버(1)의 측면에는 냉각가스를 공급하기 위한 가스공급라인(4)이 설치되어 있으며, 그 가스공급라인(4) 상에는 온/오프 밸브(5) 및 유량조절기(6)가 설치되어 있다.

그리고, 상기 챔버(1)의 일측면 상단부에는 챔버(1)의 내측 압력을 측정하기 위한 압력측정기(7)가 설치되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.

증착장치에서 증착작업을 실시하여 가열된 웨이퍼(2)를 챔버(1)의 내측에 설치되어 있는 패대스탈(3)의 상면에 위치시킨다. 이와 같은 상태에서 가스공급라인(4)을 통하여 챔버(1)의 내측으로 냉각된 아르곤 가스를 유입시켜서 챔버(1)의 내측에 위치하고 있는 웨이퍼(2)를 냉각한다. 이와 같이 냉각작업을 진행시에 챔버(1)의 내측으로 냉각가스를 유입시켜서 발생되는 압력의 변화는 챔버(1)의 측면 상단부에 설치되어 있는 압력측정기(7)로 측정하여 확인한다.

그러나, 상기와 같은 종래 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치는 챔버(1)의 내측으로 냉각가스의 공급시 초기에 많은 양이 급격이 챔버(1)의 내측으로 공급되어 압력측정기(7)의 오동작이 발생되는 문제점이 있었다. 그리고, 경우에 따라서는 패대스탈(3)의 상면에 얹어 있는 웨이퍼(2)를 떨어뜨려서 파손시키는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 냉각가스가 챔버의 내부로 급격이 유입되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치의 구조를 보인 종단면도.

도 2는 본 고안 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치의 구조를 보인 종단면도.

도 3은 본 고안 디퓨져의 구조를 보인 평면도.

도 4는 도 3의 A-A'를 절취하여 보인 단면도.

* * 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * *

11 : 챔버 15 : 가스공급라인

21a: 가스유입홈 21 : 몸체

22 : 분사망

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 가스공급라인을 통하여 챔버의 내측으로 냉각가스를 공급할 수 있도록 되어 있는 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치에 있어서, 상기 가스공급라인이 챔버의 하면 일측에 연결되며, 그 가스공급라인에 연결되도록 챔버의 내측 하면에 디퓨져를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 고안 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치의 구조를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치는 원통형의 공정 챔버(11)와, 그 챔버(11)의 내측에 설치되며 웨이퍼(12)를 얹어 놓기 위한 패대스탈(13)과, 상기 챔버(11)의 일측면 상단부에 설치되며 챔버(11)의 내측압력을 측정하기 위한 압력측정기(14)와, 상기 챔버(11)의 하방으로 연결되어 냉각가스를 공급하기 위한 가스공급라인(15)과, 상기 챔버(11)의 내측 하면에 설치되며 상기 가스공급라인(15)에 연결되어 있는 디퓨져(16)와, 상기 가스공급라인(15) 상에 설치되는 온/오프밸브(17) 및 유량조절기(18)로 구성되어 있다.

도 3은 본 고안 디퓨져의 구조를 보인 평면도이고, 도 4는 도 3의 A-A'를 절단하여 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 상기 디퓨져(16)는 상기 가스공급라인(15)에 연결되며 상면에 일정깊이의 가스유입홈(21a)이 길이방향으로 형성되어 있는 원형의 몸체(21)와, 상기 몸체(21)의 상면에 설치되는 분사망(22)으로 구성되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

증착시 가열된 웨이퍼(12)를 챔버(11)의 내측에 설치되어 있는 패대스탈(13)의 상면에 위치시키고, 가스공급라인(15)을 통하여 챔버(11)의 내측으로 냉각된 아르곤 가스를 유입시켜서 챔버(11)의 내측에 위치하고 있는 웨이퍼(12)를 냉각하게 되는데, 본 고안에서는 가스공급라인(15)이 챔버(11)의 하면에 연결되어 있고, 상기 가스공급라인(15)에 디퓨져(16)가 연결설치되어 있어서, 냉각가스가 디퓨져(16)를 통하여 챔버(11)의 내측 하부에서 균일하게 분사된다.

즉, 상기 가스공급라인(15)으로 공급되는 냉각가스는 디퓨져(16)의 가스유입홈(21a)으로 유입되고, 그 유입된 가스가 가스유입홈(21a)의 상면에 설치된 분사망(22)에 의하여 챔버(11)에 균일하게 분사되게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치는 가스공급라인을 챔버의 하측으로 연결하고, 그 가스공급라인에 연결되도록 챔버의 내측하면에 디퓨져를 설치하여, 챔버의 내측으로 공급되는 가스가 하측에서 균일하게 공급되도록 함으로서, 급격한 가스공급에 의한 압력측정기의 오동작을 방지하고, 공급되는 가스에 의하여 웨이퍼가 떨어져서 파손되는 것을 방지하게 되어 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 가스공급라인을 통하여 챔버의 내측으로 냉각가스를 공급할 수 있도록 되어 있는 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치에 있어서, 상기 가스공급라인이 챔버의 하면 일측에 연결되며, 그 가스공급라인에 연결되도록 챔버의 내측 하면에 디퓨져를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 디퓨져는 상기 가스공급라인에 연결되며 상면에 일정깊이의 가스유입홈이 길이방향으로 형성되어 있는 원형의 몸체와, 상기 몸체의 상면에 설치되는 분사망으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 피브이디장비의 웨이퍼 냉각장치.