KR19990008724A - 플라즈마 처리장치 및 이의 잔류물 제거 플레이트 제조방법 - Google Patents

플라즈마 처리장치 및 이의 잔류물 제거 플레이트 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 본 발명에서는 정전기 발생이 양호한 잔류물 제거 플레이트를 구비하고, 이를 통해, 상술한 잔류물을 강한 인력으로 강제 포획 함으로써, 한번 포획된 잔류물이 진공챔버내부로 떨어져 나가는 것을 방지하고, 그 결과 웨이퍼에 발생될 수 있는 불량을 미연에 방지할 수 있다.

Description

플라즈마 처리장치 및 이의 잔류물 제거 플레이트 제조방법
본 발명은 플라즈마 드라이 에칭 등에 적용되는 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 소정의 정전기 발생을 통해 에칭공정 중에 발생되는 잔류물을 전량 제거할 수 있도록 하는 플라즈마 처리장치 및 이의 잔류물 제거 플레이트 제조방법에 관한 것이다.
근래에, 반도체 집적회로의 미세화 및 고밀도화에 대한 요구가 증대하고 있는 바, 이러한 요구의 증대와 더불어, 플라즈마 에칭 기법은 그것이 고 정밀도의 미세한 패턴을 형성할 수 있기 때문에 더욱 더 중요해지고 있다.
통상의 플라즈마 에칭법은 한쌍의 전극간에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 이를 통해 웨이퍼에 소정의 패턴을 형성시키는 방법이다.
이때, 플라즈마에 존재하는 할로겐계 반응가스의 자유기 및 이온은 전계에 이끌려 웨이퍼에 수직으로 입사함으로써, 웨이퍼를 적절히 에칭한다.
도 1은 이러한 기능을 수행하는 종래의 플라즈마 처리장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도시된 바와 같이, 진공챔버(1) 내에는 미세가공되는 시료, 예컨대, 반도체 기판(2)이 당해 기판을 소정의 온도로 가열시켜주는 히터(3) 위에 놓여진다. 이 히터(3)는 고주파 전원(7)에 접속되어 고주파 전력을 공급하며 지지대 역할을 하는 정전척(ESC:Electricity Static Chuck:4)에 지지된다.
이때, 기판(2)의 측면에는 반응성 가스인 에칭재료가스, 예컨대 염소가스를 진공챔버(1)내에 균일하게 공급하기 위한 가스노즐(5a)이 관통·형성된 가스분배 플레이트(5)가 배치된다.
한편, 기판(2)의 대향된 위치에는 다수개의 지지대(6a)에 지지된 잔류물 제거 플레이트(6)가 배치되는 바, 이러한 잔류물 제거 플레이트(6)는 플라즈마에 의해 에칭된 기판(2)의 잔류물, 예컨대, Ti/TiN 등의 물질을 소정의 자기장을 통해 포획하는 기능을 수행한다.
그러나, 이러한 구성을 갖는 종래의 플라즈마 처리장치에는 몇가지 중대한 문제점이 있다.
첫째, 상술한 바와 같이, 플라즈마를 통해 에칭된 기판의 잔류물은 자기장을 형성하는 잔류물 제거 플레이트를 통해 포획되는 바, 이때, 잔류물 제거 플레이트의 표면이 불량하다든가, 또는 상술한 잔류물이 잔류물 제거 플레이트의 표면과의 접촉력이 취약한 물질인 경우, 포획되어 있던 잔류물이 진공챔버의 내부로 떨어져 소정의 파티클을 발생시키는 문제점이 있다.
둘째, 이러한 파티클 발생결과, 웨이퍼에 예측하지 못한 불량이 야기됨으로써, 전체적인 제품의 품질이 급격히 저감되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 소정의 정전기 발생이 가능한 잔류물 제거 플레이트를 구비하고, 이를 통해, 상술한 잔류물을 강한 인력으로 강제 포획 함으로써, 한번 포획된 잔류물이 진공챔버내부로 떨어져 나가는 것을 방지하고, 그 결과 웨이퍼에 발생될 수 있는 불량을 미연에 방지할 수 있도록 하는 플라즈마 처리장치 및 이의 잔류물 제거 플레이트 제조방법을 제공함에 있다.
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 잔류물 제거 플레이트를 개략적으로 도시한 평면도.
도 4는 도 3의 단면도.
도 5는 본 발명의 제 2 전도라인들의 전압특성을 개략적으로 도시한 그래프도.
도 6 (a) 내지 (d)는 본 발명의 잔류물 제거 플레이트 제조 방법을 순차적으로 도시한 공정순서도.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 진공챔버와, 상기 진공챔버내에 소정의 전기적인 파우어를 전달하는 고주파 전원부와, 상기 고주파 전원부에 연결되어 샘플 및 히터를 지지하는 정전척과, 상기 진공챔버내에 배치되어 소정의 반응가스를 상기 진공챔버내부로 분배하는 분배판과, 상기 샘플에 대향하여 상기 반응가스를 통해 에칭된 상기 샘플의 잔류물을 포획하여 제거하는 잔류물 제거 플레이트를 포함하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 잔류물 제거 플레이트는 소정의 정전기 발생을 통해 상기 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 잔류물 제거 플레이트는 소정의 절연특성을 갖는 제 1 절연판과; 상기 제 1 절연판상에 형성된 제 2 절연판과; 상기 제 2 절연판 표면상에 형성된 다수개의 제 2 전도라인들과; 상기 제 2 절연판 내부에 형성되어 외부로 인출되며 상기 제 2 전도라인들에 대응하여 전기적으로 연결된 다수개의 제 1 전도라인들을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 2 전도라인들은 서로 다른 직경을 갖는 동심원들로 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 2 전도라인들은 상기 제 2 절연판의 외측으로부터 쌍을 이루어 동일 위상의 전압을 공급받는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 쌍을 이루는 제 2 전도라인들에 인접된 다른 쌍의 제 2 전도라인들은 상기 쌍을 이루는 제 2 전도라인들에 공급되는 상기 전압과 소정의 위상각 차를 갖는 전압을 공급받는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 위상각 차는 하기식에 의해 산출되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 전압은 동일 크기이면서 서로 다른 극성을 갖는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 전압은 800V - 1200V인 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 전압은 1000V인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 플라즈마 처리장치의 잔류물 제거 플레이트 제조 방법에 있어서, 소정의 홀더상에 절연특성을 갖는 제 1 절연판을 적층한 후 상기 제 1 절연판상에 제 1 전도라인 및 상기 제 2 절연판을 적층하여 패터닝하고 상기 제 1 전도라인과 접촉되도록 소정의 콘택부를 형성하는 제 1 단계와; 상기 제 2 절연판상에 상기 콘택부와 연결되도록 제 2 전도라인을 적층한 후 패터닝하는 제 2 단계를 포함하며, 상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계는 수회 반복되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 2 전도라인은 피막 코팅법에 의해 적층되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 2 전도라인은 구리(Copper)로 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 절연판 및 상기 제 2 절연판은 스퍼터링법에 의해 적층되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 절연판 및 상기 제 2 절연판은 SiC 또는 SiO2로 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 전도라인은 Al 합금 또는 금으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 본 발명에서는 에칭공정 후에 발생되는 잔류물을 전량 제거할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치 및 이의 잔류물 제거 플레이트 제조방법을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 형상을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 잔류물 제거 플레이트의 형상을 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 4는 도 3의 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 처리장치는 전류 공급부(101)로부터 공급되는 전류를 통해 소정의 정전기를 발생시켜 상술한 잔류물을 제거하는 잔류물 제거 플레이트(100)를 포함한다.
여기서, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 잔류물 제거 플레이트(100)는 절연특성을 갖는 제 1 절연판(100a)과, 제 1 절연판(100a)상에 형성된 제 2 절연판(100d)과, 제 2 절연판(100d) 표면상에 형성된 다수개의 제 2 전도라인(100b)들과, 제 2 절연판(100d) 내부에 형성되어 외부로 인출되며 제 2 전도라인(100b)들에 대응하여 전기적으로 연결된 다수개의 제 1 전도라인(100c)들을 포함한다.
이때, 잔류물 제거 플레이트(100)는 전류 전달기능이 양호한 정전척(4)에 견고히 지지되는 바, 이러한 정전척(4)은 제 1 절연판(100a)을 통해 상술한 제 1 전도라인(100c)들과 분리된다. 여기서 제 1 전도라인(100c)들은 정전척(4)을 통해 상술한 전류 공급부(101)와 연결되어 소정 전압의 전류를 공급받는다.
한편, 상술한 각 제 1 전도라인(100c)들 사이에는 제 2 절연판(100d)이 개재되는데, 이러한 제 2 절연판(100d)은 각 제 1 전도라인(100c)들이 서로 접촉되어 통전되는 것을 방지한다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면, 제 2 전도라인(100b)들은 제 2 절연판(100d)의 외측으로부터 쌍을 이루어 동일 위상의 전압을 공급받는다.
예컨대, 상술한 도 3에서 한 쌍의 제 2 전도라인, 즉, 1차 제 2 전도라인(a) 및 2차 제 2 전도라인(b)과 이와 인접한 다른 한쌍의 제 2 전도라인, 즉, 3차 제 2 전도라인(c) 및 4차 제 2 전도라인(d)은 각 쌍별로 동일 위상의 전압을 공급받는다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면, 쌍을 이루는 제 2 전도라인(100b)들에 인접된 다른 쌍의 제 2 전도라인(100b)들은 일정한 위상각 차를 갖는 전압을 공급받는다.
상술한 예에서, 한 쌍을 이루는 3차 제 2 전도라인(c) 및 4차 제 2 전도라인(d)은 한 쌍을 이루는 1차 제 2 전도라인(a) 및 2차 제 2 전도라인(b)과 일정한 위상각 차를 갖는 전압을 공급받는다.
도 5는 이러한 제 2 전도라인들의 전압특성을 개략적으로 도시한 그래프도이다.
도시된 바와 같이, 1차 제 2 전도라인(a) 및 2차 제 2 전도라인(b)과 3차 제 2 전도라인(c) 및 4차 제 2 전도라인(d)은 서로 동일한 위상의 전압을 공급받는다.
또한, 도시된 바와 같이, 3차 제 2 전도라인(c) 및 4차 제 2 전도라인(d)은 1차 제 2 전도라인(a) 및 2차 제 2 전도라인(b)과 일정한 위상각 차(θ)를 갖는다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면, 위상각 차(θ)는 후술하는 수식에 의해 결정된다.
이러한 수학식1에 의해서, 예컨대, 제 2 절연판(100d)에 배치된 전체 제 2 전도라인(100b)들의 수가 60개인 경우, 상술한 3차 제 2 전도라인(c) 및 4차 제 2 전도라인(d)과 1차 제 2 전도라인(a) 및 2차 제 2 전도라인(b)의 위상각 차(θ)는 6。를 유지한다.
또한, 본 발명의 특징에 따르면, 상술한 전압은 동일 크기이면서 그 극성이 반대로 형성된다.
이에 따라, 상술한 예의 1차 제 2 전도라인(a) 및 2차 제 2 전도라인(b)은 동일 크기이면서 +,-의 반대극성을 갖는 전압을 공급받는다. 또한 상술한 3차 제 2 전도라인(c) 및 4차 제 2 전도라인(d)은 동일 크기이면서 +,-의 반대극성을 갖는 전압을 공급받는다.
이하, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 작용 및 그 효과를 설명한다.
우선, 본 발명의 작용에 선행되는 플라즈마 에칭과정을 설명한다. 먼저, 반응가스 공급구(미도시)로부터 공급된 에칭재료가스는 가스분배 플레이트(5)에 형성된 가스노즐5a)을 통해 진공챔버(1)내부로 균일하게 분사된다.
이때, 상술한 고주파 전원부(7)를 통해 고주파 전압이 인가되면, 분사된 에칭재료가스는 활성화되어 중성분자, 이온 등을 포함하는 플라즈마를 생성한다.
이러한 활성화된 중성분자, 이온 등은 히터(3)에 지지된 기판(2)을 에칭함으로써, 기판(2)의 표면에 얻고자 하는 소정의 패턴을 적절히 형성하며, 그 결과, 에칭된 기판(2)에서는 상술한 잔류물이 다량 생성된다.
이때, 본 발명의 잔류물 제거 플레이트(100)는 그 동작을 개시한다.
먼저, 상술한 전류 공급부(101)는 각 제 1 전도라인(100c)들쪽으로 소정의 전류를 공급한다. 이어서, 각 제 1 전도라인(100c)들은 콘택부(100e)에 의해 접촉된 제 2 전도라인(100b)들쪽으로 이러한 전류를 전달한다. 이에 따라, 제 2 절연판(100d)의 표면에 배치된 각 제 2 전도라인(100b)들에는 소정의 전류가 플로우된다.
이때, 상술한 바와 같이, 제 2 전도라인(100b)들은 제 2 절연판(100d)의 외측으로부터 쌍을 이루어 동일 위상의 전압을 공급받고, 또한 공급받는 전압은 그 극성이 반대로 형성되는 바, 이에 따라, 쌍을 이루는 제 2 전도라인(100b)들 사이에는 동일 위상의 정전기가 발생된다.
상술한 예에서, 1차 제 2 전도라인(a), 2차 제 2 전도라인(b) 사이 및 3차 제 2 전도라인(c), 4차 제 2 전도라인(d) 사이에는 동일 위상의 효과적인 정전기가 발생된다.
이와 같이 발생된 정전기는 기판(2)이 에칭되면서 발생하는 잔류물을 강하게 흡착하고, 이에 따라, 기판(2)에 악영향을 미치던 잔류물은 전량 제거된다.
이때, 상술한 바와 같이, 각 쌍의 제 2 전도라인(100b)들은 소정의 위상각 차를 갖는 전압을 공급받는 바, 이에 따라, 각 쌍의 제 2 전도라인(100b)들은 이와 인접된 다른 쌍의 제 2 전도라인(100b)들로부터 생성되는 정전기를 방해하지 않게됨으로써, 전체적인 정전기 발생 효과를 극대화시킨다.
상술한 예에서, 3차 제 2 전도라인(c) 및 4차 제 2 전도라인(d)은 소정의 전압 위상각 차(θ)에 의해 1차 제 2 전도라인(a) 및 2차 제 2 전도라인(b)으로부터 생성되는 정전기를 방해하지 않는다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면, 상술한 전압은 800V - 1200V, 좀더 바람직하게는 1000V이다. 이에 따라, 잔류물 제거 플레이트(100)는 상술한 에칭 작용에는 영향을 미치지 않으면서도, 강한 정전기를 형성시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 특징에 따르면, 상술한 제 2 전도라인(100b)들은 서로 다른 직경을 갖는 동심원들로 형성된다. 이에 따라, 각 제 2 전도라인(100b)들을 통해 발생되는 정전기는 제 2 절연판(100d)의 전 영역에 걸쳐 고르게 분포하게 됨으로써, 제 2 절연판(100d)의 표면에 흡착되는 잔류물들은 어느 한면에 치중되지 않고 제 2 절연판(100d)의 전영역에 걸쳐 고르게 흡착된다.
요컨대, 본 발명에서는 종래와 달리, 강한 정전기 발생기능을 갖는 잔류물 제거 플레이트를 구비하고, 이를 통해 에칭된 기판에서 발생되는 잔류물을 전량 흡착·제거함으로써, 파티클 등의 악영향을 미치던 에칭 잔류물들을 진공챔버내에서 효과적으로 제거할 수 있다.
이러한 본 발명의 잔류물 제거 플레이트는 일정 기간이 경과하면, 새로운 잔류물 제거 플레이트로 교환되어 상술한 잔류물 제거기능을 지속적으로 수행할 수 있다.
한편, 도 6 (a) 내지 (d)는 본 발명의 플라즈마 처리장치의 잔류물 제거 플레이트 제조방법을 순차적으로 도시한 공정순서도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명은 홀더(미도시)상에 절연특성을 갖는 제 1 절연판(100a)을 적층한 후 이러한 제 1 절연판(100a)상에 제 1 전도라인(100c) 및 제 2 절연판(100d)을 적층하여 패터닝하고 제 1 전도라인(100c)과 접촉되도록 콘택부(100e)를 형성하는 제 1 단계와, 상술한 제 2 절연판(100d)상에 콘택부(100e)와 연결되도록 제 2 전도라인(100b)을 적층한 후 패터닝하는 제 2 단계를 포함한다. 이때 상술한 제 1 단계 및 제 2 단계는 다수번 반복된다.
이하, 이러한 본 발명의 각 단계를 상세히 설명한다.
도 6 (a)를 참조하여 본 발명의 제 1 단계를 설명하면, 먼저, 소정의 홀더(미도시)상에 절연특성을 갖는 제 1 절연판(100a)을 스퍼터링 증착법에 의해 증착한다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면, 제 1 절연판(100a)은 그 절연기능이 양호한 SiC 또는 SiO2로 형성된다.
이어서, 제 1 절연판(100a)의 일부에는 제 2 절연판(100d)이 형성되고, 나머지 일부에는 제 1 전도라인(100c) 및 제 2 절연판(100d)이 순차적으로 형성된다.
이때, 바람직하게, 제 2 절연판(100d)은 제 1 절연판(100a)과 동일한 재질, 즉, SiC 또는 SiO2로 형성되며, 그 형성방법도 제 1 절연판(100a)과 동일하게 스퍼터링 증착법에 의한다.
또한, 제 1 전도라인(100c)은 제 1 절연판(100a)상에 상술한 스퍼터링 증착법에 의해 증착되는데, 이때, 그 재질은 전류 전달기능이 탁월한 Al 합금 또는 금으로 형성되는 것이 바람직하다.
이어서, 도 6 (b)에 도시된 바와 같이, 제 1 전도라인(100c) 및 제 2 절연판(100d)은 통상의 포토리쏘그래피 공정에 의해 패터닝되고, 이러한 패터닝 영역에는 도전성의 콘택부(100e)가 형성된다.
이때, 콘택부(100e)는 상술한 제 1 전도라인(100c)과 후술하는 제 2 전도라인(100b)을 서로 접촉시켜, 통전로가 확보되도록 하는 역할을 수행한다.
계속해서, 본 발명의 제 2 단계가 진행된다.
먼저, 제 2 절연판(100d)상에는 상술한 제 1 전도라인(100c)과 접촉되도록 제 2 전도라인(100b)이 형성된다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면, 제 2 전도라인(100b)은 그 적층두께 조절이 용이한 피막 코팅법에 의해 형성된다. 또한 제 2 전도라인(100b)의 재질은 전류 전달기능이 양호하면서도 어느 정도의 내 부식성을 갖는 구리로 형성된다.
통상, 플라즈마 처리장치에 사용되는 이온재료가스는 부식성이 강한 가스로 알려진 바, 이러한 이온재료가스에 직접 노출되는 제 2 전도라인(100b)은 상술한 바와 같이 내 부식성이 양호한 카파로 형성됨으로써, 상술한 부식조건에서도 장시간 견딜 수 있다.
이어서, 제 2 전도라인(100b)을 통상의 포토리쏘그래피 공정을 통해 패터닝하여, 제 2 절연판(100d)상에 원형을 이루는 제 2 전도라인(100b)을 형성함으로써, 본 발명의 제 2 단계를 완수한다.
이 후, 본 발명은 상술한 제 1 단계 및 제 2 단계를 수회 반복함으로써, 도 6 (c) 및 도 6 (d)에 도시된 바와 같은 본 발명의 잔류물 제거 플레이트를 완성한다.
이와 같이, 본 발명에서는 강력한 정전기 발생을 통해 기판 에칭공정 중 발생되는 잔류물을 적절히 제거시킴으로써, 기판에 발생될 수 있는 불량을 미연에 방지할 수 있다.
이러한 본 발명은 단지 플라즈마 처리장치에 국한되지 않으며, 잔류물을 발생시키는 다양한 반도체 제조 장비에서 두루 유용한 효과를 나타낸다.
그리고, 본 발명의 특정한 실시예가 설명 및 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.
이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치 및 이의 잔류물 제거 플레이트 제조방법에서는 정전기 발생이 양호한 잔류물 제거 플레이트를 구비하고, 이를 통해, 상술한 잔류물을 강한 인력으로 강제 포획함으로써, 한번 포획된 잔류물이 진공챔버내부로 떨어져 나가는 것을 방지하고, 그 결과 웨이퍼에 발생될 수 있는 불량을 미연에 방지할 수 있다.

Claims (15)

  1. 진공챔버와, 상기 진공챔버내에 소정의 전기적인 파우어를 전달하는 고주파 전원부와, 상기 고주파 전원부에 연결되어 샘플 및 히터를 지지하는 정전척과, 상기 진공챔버내에 배치되어 소정의 반응가스를 상기 진공챔버내부로 분배하는 분배판과, 상기 샘플에 대향하여 상기 반응가스를 통해 에칭된 상기 샘플의 잔류물을 포획하여 제거하는 잔류물 제거 플레이트를 포함하는 플라즈마 처리장치에 있어서,
    상기 잔류물 제거 플레이트는 소정의 정전기 발생을 통해 상기 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 잔류물 제거 플레이트는 소정의 절연특성을 갖는 제 1 절연판과;
    상기 제 1 절연판상에 형성된 제 2 절연판과;
    상기 제 2 절연판 표면상에 형성된 다수개의 제 2 전도라인들과;
    상기 제 2 절연판 내부에 형성되어 외부로 인출되며 상기 제 2 전도라인들에 대응하여 전기적으로 연결된 다수개의 제 1 전도라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전도라인들은 서로 다른 직경을 갖는 동심원들로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전도라인들은 상기 제 2 절연판의 외측으로부터 쌍을 이루어 동일 위상의 전압을 공급받는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 제 2 전도라인들에 인접된 다른 쌍의 제 2 전도라인들은 상기 쌍을 이루는 제 2 전도라인들에 공급되는 상기 전압과 소정의 위상각 차를 갖는 전압을 공급받는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 위상각 차는 하기식에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 전압은 동일 크기이면서 서로 다른 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 전압은 800V - 1200V인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 전압은 1000V인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 플라즈마 처리장치의 잔류물 제거 플레이트 제조 방법에 있어서,
    소정의 홀더상에 절연특성을 갖는 제 1 절연판을 적층한 후 상기 제 1 절연판상에 제 1 전도라인 및 상기 제 2 절연판을 적층하여 패터닝하고 상기 제 1 전도라인과 접촉되도록 소정의 콘택부를 형성하는 제 1 단계와;
    상기 제 2 절연판상에 상기 콘택부와 연결되도록 제 2 전도라인을 적층한 후 패터닝하는 제 2 단계를 포함하며,
    상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계를 수회 반복하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 잔류물 제거 플레이트 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 전도라인은 피막 코팅법에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 잔류물 제거 플레이트 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 전도라인은 구리로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 잔류물 제거 플레이트 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 절연판 및 상기 제 2 절연판은 스퍼터링법에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 잔류물 제거 플레이트 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 절연판 및 상기 제 2 절연판은 SiC 또는 SiO2로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 잔류물 제거 플레이트 제조방법.
  15. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전도라인은 Al 합금 또는 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 잔류물 제거 플레이트 제조방법.
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