KR19990005194A - 데이터 라인 리페어 구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 데이터 라인 리페어 구조에 관한 것으로, TFT 소자를 형성할 때 초기 TFT 기판에 데이터 라인을 리페어할 수 있는 보조 데이터 라인을 형성하고 상부면에 종래의 TFT 소자를 형성하여 단선된 데이터 라인을 보조 데이터 라인에 연결하여 리페어함으로써 저항성분 및 캐패시터값의 증가로 인해 리페어 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 또한 전체 데이터 라인을 전부 리페어할 수 있다.

Description

데이터 라인 리페어 구조
본 발명은 데이터 라인의 리페어 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 TFT 기판에 보조 데이터 라인과 주데이터 라인을 형성하여 저항성분 및 캐패시터값이 증가되는 것을 방지한 데이터 라인 리페어 구조에 관한 것이다.
액정표시장치는 TFT 기판, 박막트랜지트터기판과 마주보는 칼라필터 기판, 그리고, 양 기판 사이에 주입되는 액정물질을 포함하는 장치로서, 내부에 삽입되는 액정의 전기 광학적 성질을 이용한 표시장치이다.
일반적으로 TFT 기판에는 다수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 서로 교차하여 형성되어 있고 교차영역의 각각에는 스위칭소자인 박막트랜지스터와 화소전극이 형성되어 있다.
액정표시장치의 대형화 고정세화의 경향에 따라 TFT 기판의 게이트 라인과 데이터 라인의 수는 상당히 증가하였으며 이에 따라 각각의 배선의 저저항화 및 단선방지를 위한 여러 가지 방법 등이 등장하였다.
특히, 화상신호를 전달하는 데이터 라인의 불량, 즉, 단선된 데이터 라인을 리페어하기 위한 방법으로는 미국 특허 공고 4,688,896호에 제안된 바와 같이 TFT 기판의 가장자리를 따라 형성된 리페어 링과 단선된 데이터 라인의 양단이 교차하는 부분에 레이저 광을 조사하여 데이터 라인과 리페어 링을 용접함으로써 소스측 구동드라이브 IC에서 출력된 신호를 우회시켜 데이터 라인에 전달한다.
그러나, 액정표시장치의 대형화 및 고정세화가 진행됨에 따라 리페어 링을 이용하는 방법은 리페어 링에 걸리는 RC(Resistance-Condenser) 딜레이(delay), 즉, 10.4 인치 VGA, 10.4인치 SVGA, 12.1인치 SVGA, 12.1인치 XGA의 RC 딜레이값을 비교해보면 1:1.13:1.47:1.8의 비율로 증가하여 그 실효성이 떨어지고 있다. 즉, 리페어 링의 자체저항과 화상신호가 흐르는 리페어 링이 복수개의 데이터 라인과 절연막을 사이에 두고 교차함에 따라 형성되는 결합용량의 증가로 인해 신호의 왜곡이 발생되는 원인이 되었다.
또한, 리페어 링을 이용할 경우 리페어 링이 개루프를 형성하고 있기 때문에 하나의 리페어 링을 이용하여 하나의 데이터 선밖에 수리할 수 없다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로써, TFT 기판에 2개의 데이터 라인, 즉 보조 데이터 라인과 주데이터 라인을 형성하여 주데이터 라인이 단선될 경우 보조 데이터 라인을 이용하여 리페어함으로써 저항성분 및 캐패시터값의 증가로 인한 신호선의 왜곡을 방지하고 모든 주데이터 라인을 전부 리페어할 수 있는 데이터 라인 리페어 구조를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 의한 TFT 기판의 구조를 도시한 평면도이고,
도 2a는 도 1을 A-A'선으로 절단한 단면도이며,
도 2b는 도 1을 B-B'선으로 절단한 단면도이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 TFT 기판 상부면 세로 방향에 형성된 보조 데이터 라인과, 상기 보조 데이터 라인 상부에 형성된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 상부면에 형성되어 상기 보조 데이터 라인과 직교하는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극에서 연장된 게이트 라인과, 상기 게이트 상부면에 형성된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막 상부에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 상부에 형성되고 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 라인에 수직으로 직교하는 소스/드레인 전극 및 소스 전극에서 연장되며 단선되었을 때 상기 보조데이터 라인과 연결되는 주데이터 라인을 포함한다.
이하 본 발명에 의한 데이터 라인 리페어 구조를 첨부된 도면 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 의한 TFT 기판의 구조를 도시한 평면도이고, 도 2a는 도 1을 A-A'선으로 절단한 단면도이며, 도 2b는 도 1을 B-B'선으로 절단한 단면도이다.
도시된 바와 같이 TFT 기판(1)의 가로방향으로 다수의 게이트 라인(10)이 형성되어 있고, TFT 기판(1)의 세로방향에는 게이트 라인(10)과 수직으로 교차하는 다수의 주데이터 라인(20)이 되어 있다. 또한, 각각의 게이트 라인(10)과 주데이터 라인(20)의 일단에는 신호가 입력되는 입력패드(11)(21)가 형성되어 있고, 게이트 라인(10)과 데이터 라인(20)이 교차하는 영역에는 화소(30)가 형성되어 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하여 본 발명을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1a에 도시된 바와 같이 TFT 기판(1) 상부면에 보조 데이터 라인(51)이 형성되어 있고, 보조 데이터 라인(51) 상부면에 제 1 절연막(52)이 형성되어 있다.
또한, 제 1 절연막(52) 상부면에 게이트 전극(53) 및 게이트 전극(53)에서 연장된 게이트 라인(10)이 보조 데이터 라인(51)과 직교되어 있으며, 게이트 전극(53) 상부면에는 제 2 절연막(54)과 반도체층(55)이 형성되어 있다.
또한, 반도체층(55) 상부에는 게이트 전극(53) 및 게이트 라인(10)과 수직으로 교차되어 소스/드레인 전극(56)(57) 및 소스 전극(56)에서 연장된 주데이터 라인(20)이 형성되어 있으며, 소스/드레인 전극(56)(57) 상부에는 보호막(58)과 투명전극(미도시)이 형성되어 있다. 여기서, 보조 데이터 라인(51)은 주데이터 라인(20)의 금속과 동일한 재질로 형성되거나 또는 주데이터 라인(20)과 다른 재질로 형성한다.
이와 같이 TFT 소자(50)가 형성되면 화면유효면적(40) 외부에 형성된 주데이터 라인(20) 하부면에는 도 2b에 도시된 바와 같이 제 1 절연막(52)과 보조 데이터 라인(51)이 형성된다.
이와 같이 구성된 TFT 기판의 데이터 라인 리페어 방법을 설명하면 다음과 같다.
게이트 라인(10) 및 주데이터 라인(20)에 전기적 신호를 인가하여 LCD 패널의 화소상태를 테스트 한 결과 단선된 주데이터 라인(20)이 존재하면 작업자는 단선된 주데이터 라인(20)의 양단에 레이저 광을 조사한다. 이때, 레이저 광에 의해서 주데이터 라인(20)과 제 1 절연막(52)이 파괴되면서 주데이터 라인(20)의 금속이 파괴된 제 1 절연층(20)으로 스며들어 보조 데이터 라인(51)과 연결된다.
이와 같이 주데이터 라인(20)이 주데이터 라인(20)의 하부에 형성된 보조 데이터 라인(51)을 매개로 리페어되면 소스측에서 출력된 화상신호가 보조 데이터 라인(51)을 통해 단선된 주데이터 라인(20)에 전달된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 TFT 소자를 형성할 때 초기 TFT 기판에 데이터 라인을 리페어할 수 있는 보조 데이터 라인을 형성하고 상부면에 종래의 TFT 소자를 형성하여 단선된 데이터 라인을 보조 데이터 라인에 연결하여 리페어함으로써 저항성분 및 캐패시터값의 증가로 인해 리페어 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 또한 전체 데이터 라인을 전부 리페어할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. TFT 기판 상부면 세로 방향에 형성된 보조 데이터 라인과;
    상기 보조 데이터 라인 상부에 형성된 제 1 절연막과;
    상기 제 1 절연막 상부면에 형성되어 상기 보조 데이터 라인과 직교하는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극에서 연장된 게이트 라인과;
    상기 게이트 상부면에 형성된 제 2 절연막과;
    상기 제 2 절연막 상부에 형성된 반도체층과;
    상기 반도체층 상부에 형성되고 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 라인에 수직으로 직교하는 소스/드레인 전극 및 소스 전극에서 연장되며 단선되었을 때 상기 보조데이터 라인과 연결되는 주데이터 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 라인 리페어구조.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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