KR19990003860A - Power supply voltage generator - Google Patents
Power supply voltage generator Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990003860A KR19990003860A KR1019970027823A KR19970027823A KR19990003860A KR 19990003860 A KR19990003860 A KR 19990003860A KR 1019970027823 A KR1019970027823 A KR 1019970027823A KR 19970027823 A KR19970027823 A KR 19970027823A KR 19990003860 A KR19990003860 A KR 19990003860A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power supply
- voltage
- supply voltage
- output terminal
- voltage divider
- Prior art date
Links
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
본 발명은 온도 변화에 따라 변화되는 전류를 제어하여 광범위한 전압이 이용되는 장치에 안정된 전원전압을 인가할 수 있는 전원전압 발생 장치에 관한 것으로서, 외부로부터 인가된 전원전압의 레벨을 1/2로 분배하여 출력하는 제 1 전압 분배기와, 상기 전원전압을 분배하여 소정의 전압만을 출력하는 제 2 전압 분배기와, 제 1 전압 분배기에 의해1/2로 분배되어 출력된 전압과 제 2 전압 분배기에 의해 분배되어 출력된 소정의 전압을 입력하여 상기 전원전압과 동일한 전압을 발생시키는 전원전압 발생부를 포함한다.The present invention relates to a power supply voltage generator capable of applying a stable power supply voltage to a device using a wide range of voltage by controlling a current that changes according to temperature changes, and distributes the level of the power supply voltage applied from the outside to 1/2. And a first voltage divider for outputting the power, a second voltage divider for distributing the power supply voltage, and outputting only a predetermined voltage, and a voltage divided and outputted by the first voltage divider in half and the second voltage divider. And a predetermined voltage outputted to generate the same voltage as the power supply voltage.
Description
본 발명은 전원전압 발생 장치에 관한 것으로서, 특히 온도 변화에 따라 변화되는 전류를 제어하여 광범위한 전압이 이용되는 장치에 안정된 전원전압을 인가할 수 있는 전원전압 발생 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply voltage generator, and more particularly, to a power supply voltage generator capable of applying a stable power supply voltage to a device using a wide range of voltages by controlling a current which changes according to temperature change.
종래의 전원전압 발생 장치에서는 주로 PMOS 트랜지스터로 구성된 전압 분배기가 이용되였으며, 전압 분배기의 PMOS 트랜지스터의 문턱전압을 이용하여 필요한 전위를 만들어, 이것을 인버터의 스위칭 포인트나 감지 증폭기 등을 이용하여 특정 전압을 검출력하였다.In the conventional power supply voltage generator, a voltage divider mainly composed of a PMOS transistor is used, and a necessary voltage is generated by using a threshold voltage of the PMOS transistor of the voltage divider, and a specific voltage is generated by using a switching point or a sense amplifier of the inverter. Detectability.
그러나, 상기와 같은 종래의 전원전압 발생 장치는, PMOS 트랜지스터로 구성되어 그 동작점을 조절하기가 어려웠으며, 감지점이 고온에서 보다 저온에서 낮으므로 인하여 큰 전류량의 온도에서 고전압 레벨을 유지하므로써, 잡음에 약한 문제점이 존재하였다.However, the conventional power supply voltage generator as described above is composed of PMOS transistors, making it difficult to control its operating point, and because the detection point is lower at low temperature than at high temperature, noise is maintained by maintaining a high voltage level at a temperature of a large amount of current. There was a weak problem.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 온도에 따라 변화되는 전류량에 차이가 심해짐을 고려하여 전원전압 레벨을 소정의 전압만큼 차이를 두어 온도에 따른 속도내지 전류 차이를 보정할 수 있는 전원전압 발생 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems, taking into account that the difference in the amount of current changes according to the temperature is deepened, the power supply voltage level can be corrected by a predetermined voltage to correct the speed to the current difference according to temperature It is an object of the present invention to provide a power supply voltage generator.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전원전압 발생 장치의 블록도.1 is a block diagram of a power supply voltage generator according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전원전압 발생 장치의 회로도.2 is a circuit diagram of a power supply voltage generator according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 전원전압 발생 장치의 특성도.3 is a characteristic diagram of the power supply voltage generator of FIG. 2;
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전원전압 발생 장치의 회로도.4 is a circuit diagram of a power supply voltage generator according to another embodiment of the present invention.
도 5는 도 4의 전원전압 발생 장치의 특성도.5 is a characteristic diagram of the power supply voltage generator of FIG. 4.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10, 20 : 제 1 및 제 2 전압 분배기 30 : 전원전압 발생부10, 20: first and second voltage divider 30: power supply voltage generator
31 : 감지 증폭기 32 : 버퍼링부31: sense amplifier 32: buffering unit
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전원전압 발생 장치는 외부로부터 인가된 전원전압의 레벨을 1/2로 분배하여 출력하는 제 1 전압 분배기; 상기 전원전압을 분배하여 소정의 전압만을 출력하는 제 2 전압 분배기; 및 제 1 전압 분배기에 의해1/2로 분배되어 출력된 전압과 제 2 전압 분배기에 의해 분배되어 출력된 소정의 전압을 입력하여 상기 전원전압과 동일한 전압을 발생시키는 전원전압 발생부를 포함한다.The power supply voltage generator of the present invention for achieving the above object comprises a first voltage divider for dividing the level of the power supply voltage applied from the outside by 1/2; A second voltage divider for dividing the power supply voltage and outputting only a predetermined voltage; And a power supply voltage generator configured to generate a voltage equal to the power supply voltage by inputting a voltage divided by 1/2 of the first voltage divider and output and a predetermined voltage distributed and output by the second voltage divider.
이하, 도 1내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.
도 1을 참조하면, 본 발명의 전원전압 발생 장치는 외부로부터 인가된 전원전압의 레벨을 1/2로 분배하여 출력하는 제 1 전압 분배기(10)와, 상기 전원전압을 분배하여 소정의 전압만을 출력하는 제 2 전압 분배기(20)와, 제 1 전압 분배기(10)에 의해1/2로 분배되어 출력된 전압과 제 2 전압 분배기(20)에 의해 분배되어 출력된 소정의 전압을 입력하여 상기 전원전압과 동일한 전압을 발생시키는 전압 발생부(30)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the power supply voltage generator of the present invention divides the level of the power supply voltage applied from the outside into half and outputs a first voltage divider 10, and distributes the power supply voltage to only a predetermined voltage. Inputs the second voltage divider 20 to be output, the voltage divided by 1/2 by the first voltage divider 10 and the predetermined voltage divided by the second voltage divider 20, and outputs the input voltage. And a voltage generator 30 for generating the same voltage as the power supply voltage.
상기와 같은 구조를 갖는 본 발명의 전원전압 발생 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the power supply voltage generator of the present invention having the structure as described above is as follows.
외부로부터 전원전압이 인가되면, 제 1 전압 분배기(10)는 인가된 전원전압을 1/2로 분배하여 전원전압 발생부(30)로 출력하고, 또한 제 2 전압 분배기(20)도 인가된 전원전압을 분배하여 소정의 전압을 전원전압 발생부(30)로 출력한다. 이어서, 전원전압 발생부(30)는 제 1 및 제 2 전압 분배기(10, 20)로부터 입력된 전압을 구비한 감지 증폭기(31)를 이용해 감지증폭한 후 버퍼링부(32)를 통해 전원전압과 동일한 전압을 출력단(OUT)으로 출력한다.When a power supply voltage is applied from the outside, the first voltage divider 10 divides the applied power supply voltage by 1/2 and outputs the power supply voltage to the power supply voltage generator 30, and also the power supply to which the second voltage divider 20 is applied. The voltage is divided and outputs a predetermined voltage to the power supply voltage generator 30. Subsequently, the power supply voltage generator 30 senses and amplifies the signal using the sense amplifier 31 having the voltages input from the first and second voltage dividers 10 and 20, and then supplies the power supply voltage through the buffering unit 32. Output the same voltage to the output terminal (OUT).
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 것으로, 외부로부터 3V의 전원전압이 인가될 경우의 전원전압 발생 장치를 설명한다.2 is a view illustrating a power supply voltage generator when a power supply voltage of 3V is applied from the outside according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 제 1 전압 분배기(10)는 전원전압과 출력단 사이에 직렬 연결된 다수의 다이오드용 NMOS 트랜지스터(NM11∼NM16)와, 출력단과 접지사이에 직렬 연결된 다수의 다이오드용 PMOS 트랜지스터(PM11∼PM16)를 구비한다.Referring to FIG. 2, the first voltage divider 10 includes a plurality of diode NMOS transistors NM11 to NM16 connected in series between a power supply voltage and an output terminal, and a plurality of diode PMOS transistors PM11 connected in series between an output terminal and ground. PM16) is provided.
제 2 전압 분배기(20)는 게이트에 제어신호(CS)가 인가되며, 소오스에 전원전압이 인가되는 PMOS 트랜지스터(PM21)와, PMOS 트랜지스터(PM21)와 출력단 사이에 연결된 다이오드용 PMOS 트랜지스터(PM22)와, 출력단과 접지 사이에 연결된 저항(R21)를 구비한다.In the second voltage divider 20, a control signal CS is applied to a gate, and a PMOS transistor PM21 to which a power voltage is applied to a source, and a diode PMOS transistor PM22 connected between the PMOS transistor PM21 and an output terminal. And a resistor R21 connected between the output terminal and ground.
전원전압 발생부(30)는 일입력단으로 제 1 전압 분배기(10)로부터 입력된 전압과 타입력단으로 제 2 전압 분배기(20)로부터 입력된 전압을 감지증폭하는 감지 증폭기(31)와, 감지 증폭기(31)로부터 출력된 전압을 버퍼링하여 출력단(OUT)으로 전원전압을 출력하는 버퍼링부(32)를 포함한다.The power supply voltage generator 30 includes a sense amplifier 31 for sensing and amplifying a voltage input from the first voltage divider 10 to one input terminal and a voltage input from the second voltage divider 20 to a type power stage, and a sense amplifier. And a buffering unit 32 for buffering the voltage output from the 31 to output the power supply voltage to the output terminal OUT.
감지 증폭기(31)는 제 1 전압 분배기(10)에 의해 1/2로 분배되어 출력된 전압과 제 2 전압 분배기(20)에 의해 분배되어 출력된 소정의 전압이 각각 게이트에 인가되는 차동 증폭용 NMOS 트랜지스터(NM31, NM32)들과, 소오스에 전원전압이 인가되고, 드레인이 차동 증폭용 NMOS 트랜지스터(NM31, NM32)의 드레인에 각각 공통 접속된 전류미러용 PMOS 트랜지스터(PM31, PM32)들과, 게이트에는 반전 제어신호(/CS)가 인가되며, 차동 증폭용 NMOS 트랜지스터(NM31, NM32)들의 소오스에 연결되어 전류 소오스로서 작용하는 NMOS 트랜지스터(NM33)를 구비한다.The sense amplifier 31 is used for differential amplification in which a voltage divided by 1/2 by the first voltage divider 10 and a predetermined voltage divided by the second voltage divider 20 are applied to the gate, respectively. NMOS transistors NM31 and NM32 and current mirror PMOS transistors PM31 and PM32 having a power supply voltage applied to the source and whose drains are commonly connected to the drains of the differential amplification NMOS transistors NM31 and NM32 respectively; An inversion control signal / CS is applied to the gate and includes an NMOS transistor NM33 that is connected to a source of the differential amplification NMOS transistors NM31 and NM32 and serves as a current source.
버퍼링부(32)는 직렬 연결된 짝수의 인버터(IV1, IV2)로 이루어진다.The buffering unit 32 is formed of an even number of inverters IV1 and IV2 connected in series.
상기와 같은 구조를 갖는 본 발명의 전원전압 발생 장치는 저온에서 고온으로 가면서 스위칭 전압이 높아져 온도의 상승에 따른 전류의 증가에 대한 보정 역할을 할 수 있다.The power supply voltage generator of the present invention having the structure as described above may increase the switching voltage while going from a low temperature to a high temperature to serve as a correction for an increase in current due to an increase in temperature.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 것으로, 외부로부터 5V의 전원전압이 인가될 경우의 전원전압 발생 장치를 설명한다.4 illustrates a power supply voltage generator when a power supply voltage of 5V is applied from the outside according to another embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 제 1 전압 분배기(10)는 전원전압과 출력단 사이에 연결된 NMOS 트랜지스터(NM111)와, NMOS 트랜지스터(NM111)의 게이트와 전원전압 사이에 직렬 연결된 다수의 다이오드용 NMOS 트랜지스터(NM112∼NM117)와, NMOS 트랜지스터(NM111)의 게이트와 접지 사이에 직렬 연결된 다수의 다이오드용 PMOS 트랜지스터(PM111∼NM116)와, 출력단과 접지 사이에 순차적으로 직렬 연결된 다수의 NMOS 트랜지스터(NM118∼NM121) 및 저항(R110)을 구비한다.Referring to FIG. 4, the first voltage divider 10 includes an NMOS transistor NM111 connected between a power supply voltage and an output terminal, and a plurality of diode NMOS transistors NM112 connected in series between a gate and a power supply voltage of the NMOS transistor NM111. To NM117, a plurality of diode PMOS transistors PM111 to NM116 connected in series between the gate and ground of the NMOS transistor NM111, a plurality of NMOS transistors NM118 to NM121 sequentially connected between an output terminal and ground, and A resistor R110 is provided.
제 2 전압 분배기(20)는 전원전압과 출력단 사이에 직렬 연결된 다이오드용 PMOS 트랜지스터(PM211, PM212)들과, 출력단과 접지 사이에 연결된 저항(R210)을 구비한다.The second voltage divider 20 includes diode PMOS transistors PM211 and PM212 connected in series between a power supply voltage and an output terminal, and a resistor R210 connected between the output terminal and ground.
전원전압 발생부(30)는 도 2와 동일하게 구성된다.The power supply voltage generator 30 is configured similarly to FIG. 2.
상기와 같은 구조를 갖는 본 발명의 전원전압 발생 장치는 3V일 경우보다 온도 변화에 대한 전류량의 차이를 크게 보정할 수 있다.The power supply voltage generator of the present invention having the structure as described above can greatly correct the difference in the amount of current with respect to the temperature change than in the case of 3V.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope of the present invention without departing from the technical idea. It will be evident to those who have knowledge of.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 전원전압 발생 장치는, 온도에 따라 변화되는 전류량에 차이가 심해짐을 고려하여 전원전압 레벨을 소정의 전압만큼 차이를 두어 온도에 따른 속도내지 전류 차이를 보정하므로써, 안정된 전원전압을 출력할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the power supply voltage generator of the present invention stabilizes the power supply voltage level by varying the power supply voltage level by a predetermined voltage in consideration of the difference in the amount of current that varies with temperature, thereby correcting the speed or current difference according to the temperature. It provides the effect of outputting the power supply voltage.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970027823A KR19990003860A (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Power supply voltage generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970027823A KR19990003860A (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Power supply voltage generator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990003860A true KR19990003860A (en) | 1999-01-15 |
Family
ID=65987689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970027823A KR19990003860A (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Power supply voltage generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990003860A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100975973B1 (en) * | 2003-07-16 | 2010-08-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Method for fabricating voltage divider obtainablr voltage changed in response to temperature |
-
1997
- 1997-06-26 KR KR1019970027823A patent/KR19990003860A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100975973B1 (en) * | 2003-07-16 | 2010-08-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Method for fabricating voltage divider obtainablr voltage changed in response to temperature |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100205530B1 (en) | Sense amplifier | |
| KR100190763B1 (en) | Differential amplifier | |
| US5990708A (en) | Differential input buffer using local reference voltage and method of construction | |
| KR100500928B1 (en) | Circuit for detecting switching point and semiconductor device using the same | |
| JP5025171B2 (en) | Differential amplifier | |
| US6586986B2 (en) | Circuit for generating internal power voltage in a semiconductor device | |
| KR19990003860A (en) | Power supply voltage generator | |
| KR100223501B1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| KR100295064B1 (en) | Data input buffer for semiconductor memory device | |
| KR0183874B1 (en) | Vint generation circuit of semiconductor memory device | |
| KR100860976B1 (en) | Power-up signal generator | |
| KR100359851B1 (en) | Burn-in sensing circuit | |
| KR100783368B1 (en) | Start-up module and a bias power supply device | |
| KR100390904B1 (en) | Internal supply voltage generation circuit | |
| KR100631936B1 (en) | Internal voltage generation circuit | |
| KR950007507Y1 (en) | Voltage decrement circuit | |
| KR100575862B1 (en) | Back biase voltage level detector | |
| KR100500947B1 (en) | Apparatus for sensing voltage | |
| EP0661803B1 (en) | Phase differential circuit having high synchronicity | |
| KR100714013B1 (en) | Input buffer having variable input levels | |
| KR100327427B1 (en) | Power Up Circuit of Memory Device | |
| KR100529385B1 (en) | Circuit for generation of internal voltage | |
| KR100256817B1 (en) | Dynamic buffer circuit of semiconductor memory device | |
| JPH07249978A (en) | Output circuit device | |
| KR100569553B1 (en) | Data input buffer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |