KR19990000215A

KR19990000215A - Post mask inspection pattern

Info

Publication number: KR19990000215A
Application number: KR1019970022960A
Authority: KR
Inventors: 송경섭
Original assignee: 문정환; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1997-06-03
Filing date: 1997-06-03
Publication date: 1999-01-15

Abstract

본 발명은 포토 마스크(Photo Mask)의 이상 발생시 이상 발생지점을 정확하게 구분 할 수 있도록 한 포토 마스크의 검사패턴에 관한 것으로서, 반도체 제조공정에 사용되는 3개의 칩을 하나의 숏트로 구성하여 칩과 칩을 상대비교하여 패턴의 차이 유·무를 검출하는 포토 마스크의 검사패턴에 있어서, 단위 칩을 독립된 개별소자로 분리하여 패키지할 수 있도록 절단영역인 스크라이브레인과, 상기 스크라이브라인의 정중앙을 쉽게 식별할 수 있도록 칩과 칩의 스크라이브레인 정중앙의 X,Y축선상에 일정한 모양을 갖고 일정한 크기를 갖는 패턴으로 구성됨을 특징으로 한다.The present invention relates to an inspection pattern of a photo mask to accurately distinguish an abnormal occurrence point when an abnormality occurs in a photo mask. The present invention relates to a chip and a chip comprising three chips used in a semiconductor manufacturing process as one shot. In the inspection pattern of the photo mask which detects the difference of the patterns by comparing the relative comparisons, the scribe lane which is the cutting area and the center of the scribe brain can be easily identified so that the unit chips can be separated and packaged as independent individual elements. It is characterized by consisting of a pattern having a certain shape on the X, Y axis of the center of the scribe lane of the chip and the chip having a certain size.

Description

Inspection Pattern of Photo Mask

본 발명은 반도체 제조공정에 사용하는 포토 마스크(Photo Mask)의 검사방법에 관한 것으로 특히, 이상 발생시 이상 발생지점을 정확하게 구분 할 수 있도록 한 포토 마스크의 검사패턴에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for inspecting a photo mask used in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to an inspection pattern of a photo mask in which an abnormal occurrence point can be accurately distinguished when an abnormality occurs.

일반적으로 제품을 설계 마스크를 제작시 단위 칩(Chip)을 독립된 개별 소자로 분리하여 패키지(PKG) 할 수 있도록 절단영역(Sawing Area)인 스크라이브레인(Scribe Lane)의 폭이 정의되어 있다.In general, the width of a scribe lane, which is a cutting area, is defined so that a unit chip can be separated into individual individual devices and a package (PKG) when manufacturing a design mask of a product.

상기 제작된 마스크를 검사할 경우 검사 장치의 특성상 마스크에 형성된 칩을 좌·우 혹은 상·하를 상대비교함으로서 검출영역내 패턴(Pattern)의 차이가 있을 경우 불량으로 나타나게 되어 있다.When the manufactured mask is inspected, the chip formed on the mask is compared with the left, right, or upper and lower sides due to the characteristics of the inspection apparatus, and when the pattern is different in the detection area, the defect appears.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 포토 마스크의 검사패턴에 의한 포토 마스크 검사 방법에 대해서 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a photo mask inspection method using a conventional inspection pattern of a photo mask will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 종래의 메인 칩 영역을 확인할 수 있는 패턴 라인이 있는 공정용 마스크를 나타낸 구성도이고, 도 1b는 종래의 메인 칩 영역을 확인 할 수 없는 공정용 마스크를 나타낸 구성도이다.FIG. 1A is a block diagram illustrating a process mask having a pattern line capable of identifying a conventional main chip region, and FIG. 1B is a block diagram illustrating a process mask in which a conventional main chip region cannot be identified.

먼저, 도 1a에 도시한 바와같이 세 개의 칩(11)으로 이루어진 하나의 숏트(12)와, 상기 단위 칩(Chip)(11)을 독립된 개별 소자로 분리하여 패키지 할 수 있도록 X,Y축 절단영역인 스크라이브레인(13)과, 상기 칩(11)의 최종소자로 동작하는 메인 칩(Main Chip) 영역인 패턴 라인(14)으로 구성된다.First, as shown in FIG. 1A, one short 12 consisting of three chips 11 and the unit chip 11 are cut into X and Y axes so that the individual chips can be separated and packaged. It is composed of a scribe lane 13 which is an area and a pattern line 14 which is a main chip area which operates as a final element of the chip 11.

여기서 상기 스크라이브레인(13)은 X 및 Y축으로 각각 A라는 폭을 갖는다.Here, the scribe lane 13 has a width of A in the X and Y axes, respectively.

상기와 같이 구성된 포토 마스크의 검사방법은 상기 두 개의 칩(11)의 패턴을 검사장치에서 비교검사할 경우 상기 스크라이브레인(12)내에 형성된 패턴의 모양이 각 위치별로 다르기 때문에 통상 검사시 상기 스크라이브레인(12)영역은 제외하고, 상기 메인 칩 영역인 패턴 라인(14)내를 검사한다.In the inspection method of the photomask configured as described above, when the patterns of the two chips 11 are compared and inspected by the inspection apparatus, the shape of the pattern formed in the scribe lane 12 is different for each position. Except for the region (12), the inside of the pattern line 14, which is the main chip region, is inspected.

상기와 같이 포토 마스크의 검사장치에서 포토 마스크의 검사를 시작할 때 두 개의 칩(11)의 동일한 위치의 좌표 B,C를 설정하여 좌우를 자동적으로 검사하면서 자동적으로 검사해야 할 X 축 범위를 사전에 고려하여 패턴을 비교한다.As described above, when the inspection of the photomask is started in the inspection device of the photomask, the coordinates B and C of the same positions of the two chips 11 are set to inspect the left and right automatically, and the X axis range to be automatically inspected in advance. Consider the patterns.

그러나 도 1b에서와 같이 메인 칩 영역인 패턴 라인(14)이 없는 경우의 마스크 검사에 있어서 패턴 라인(14)과 가장 인접한 지점에 B, C 좌표를 설정할 패턴이 없는 경우 스크라이브레인(13)내측에 있는 임의의 패턴 D, E를 설정하여 검사를 한다.However, in the mask inspection when there is no pattern line 14 as the main chip region as shown in FIG. 1B, when there is no pattern to set the B and C coordinates at the point closest to the pattern line 14, the inside of the scribe lane 13 is not included. Set the pattern D and E in the test.

만약, F 위치에서 이상이 발견되면 흡착성으로 이물형태가 웨이퍼에 패턴으로 형성은 되나 스크라이브레인(13)측에 있을 경우 소자 특성상 문제는 되지 않고, 메인 칩측에 있을 경우 소자의 특성상 문제가 발생한다.If an abnormality is found at the F position, foreign matter forms on the wafer as a pattern due to adsorption, but it is not a problem in the characteristic of the device when it is on the scribe lane 13 side, but a problem occurs in the characteristic of the device when it is on the main chip side.

그리고 존재 위치에 따라서 않는 결함일 경우 사용가능 여부 판정이 불가능하여 시간적, 비용적 손실(Loss)이 발생한다.In the case of a defect that does not depend on the location, it is impossible to determine whether it can be used, resulting in time and cost loss.

그러나 이와같은 종래의 포토 마스크의 검사패턴에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.However, such a conventional photomask inspection pattern has the following problems.

즉, 마스크상에 형성된 칩 패턴에서 칩 영역을 구분할 수 있는 라인이 없을 경우 마스크 검사시 도 1b 의 F 위치에 이상이 발생한 경우 이상부위가 스크라이브레인 내측인지 메인 칩 영역인지 구분이 불가능하여 마스크의 제작시 비용 및 판정이 어렵기 때문에 생산성에 많은 악영향을 미친다.That is, if there is no line that can distinguish the chip region in the chip pattern formed on the mask, if an abnormality occurs in the F position of FIG. 1B during the mask inspection, it is impossible to distinguish whether the abnormal region is inside the scribe lane or the main chip region. Difficulty affects productivity due to difficult time costs and judgments.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 마스크 검사시 이상이 발생할 경우 이상부위를 정확하게 구분하여 대처할 수 있도록 하는데 적당한 포토 마스크의 검사패턴을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide an inspection pattern of a photo mask suitable to solve the above problems and to correctly classify and cope with abnormalities when an abnormality occurs during mask inspection.

도 1a는 종래의 메인 칩 영역을 확인할 수 있는 패턴 라인이 있는 공정용 마스크를 나타낸 구성도1A is a block diagram showing a process mask having a pattern line capable of identifying a conventional main chip region.

도 1b는 종래의 메인 칩 영역을 확인 할 수 없는 공정용 마스크를 나타낸 구성도Figure 1b is a block diagram showing a process mask that can not identify the conventional main chip region

도 2a는 본 발명의 메인 칩 영역을 확인할 수 있는 패턴 라인이 있는 공정용 마스크를 나타낸 구성도Figure 2a is a block diagram showing a process mask having a pattern line to identify the main chip region of the present invention

도 2b는 본 발명의 메인 칩 영역을 확인 할 수 없는 공정용 마스크를 나타낸 구성도Figure 2b is a block diagram showing a process mask that can not identify the main chip region of the present invention

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

21 : 칩 22 : 숏트21: chip 22: short

23 : 스크라이브레인 24 : 패턴 라인23: scribe lane 24: pattern line

25 : 패턴25: pattern

A : 스크라이브레인의 폭A: width of scribe lane

B,C,D,E : 검사장치에서 검사시 출발위치B, C, D, E: Starting position when inspecting by inspection device

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 포토 마스크의 검사패턴은 반도체 제조공정에 사용되는 3개의 칩을 하나의 숏트로 구성하여 칩과 칩을 상대비교하여 패턴의 차이 유·무를 검출하는 포토 마스크의 검사패턴에 있어서, 단위 칩을 독립된 개별소자로 분리하여 패키지할 수 있도록 절단영역인 스크라이브레인과, 상기 스크라이브라인의 정중앙을 쉽게 식별할 수 있도록 칩과 칩의 스크라이브레인 정중앙의 X,Y축선상에 일정한 모양을 갖고 일정한 크기를 갖는 패턴으로 구성됨을 특징으로 한다.The inspection pattern of the photomask according to the present invention for achieving the above object consists of three chips used in the semiconductor manufacturing process as a single shot to compare the chip and the chip relative to detect the presence or absence of the pattern difference In the inspection pattern of the mask, the scribe lane which is a cutting area so that the unit chip can be separated and packaged into independent individual elements, and the X and Y axes of the center of the chip and the scribe lane of the chip so that the center of the scribe brain can be easily identified. It is characterized by consisting of a pattern having a certain shape and a certain size on the line.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 포토 마스크의 검사패턴에 의한 포토 마스크의 검사 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an inspection method of a photomask by an inspection pattern of a photomask according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a는 본 발명의 메인 칩 영역을 확인할 수 있는 패턴 라인이 있는 공정용 마스크를 나타낸 구성도이고, 도 2b는 본 발명의 메인 칩 영역을 확인 할 수 없는 공정용 마스크를 나타낸 구성도이다.FIG. 2A is a block diagram showing a process mask having a pattern line for identifying the main chip region of the present invention, and FIG. 2B is a block diagram showing a process mask for not identifying the main chip region of the present invention.

먼저, 도 2a에 도시한 바와같이 세 개의 칩(21)으로 이루어진 하나의 숏트(22)와, 상기 단위 칩(Chip)(21)을 독립된 개별 소자로 분리하여 패키지 할 수 있도록 X,Y축 절단영역인 스크라이브레인(23)과, 상기 칩(21)의 최종소자로 동작하는 메인 칩(Main Chip) 영역인 패턴 라인(24)과, 상기 스크라이브레인(23) 폭의 정중앙부에 위치하는 패턴(25)으로 구성된다.First, as shown in FIG. 2A, one short 22 made up of three chips 21 and the unit chip 21 are cut into X and Y axes so that the individual chips can be separated and packaged. The scribelane 23 which is an area, the pattern line 24 which is a main chip area | region which acts as a last element of the said chip 21, and the pattern located in the center part of the width of the scribelane 23 ( 25).

여기서 상기 스크라이브레인(23)은 X 및 Y축으로 각각 A라는 폭을 갖을 때 상기 패턴은 A/2 라는 지점에 위치하게 되고, 그 형태는 ·,×,＋ 등의 형태로 0.5㎛이상의 크기로 구성된다.Here, when the scribe lane 23 has a width of A in the X and Y axes, respectively, the pattern is located at a point of A / 2, and the shape thereof has a size of 0.5 μm or more in the form of. It is composed.

상기와 같이 구성된 포토 마스크의 검사방법은 상기 두 개의 칩(21)의 패턴을 검사장치에서 비교검사할 경우 상기 스크라이브레인(23) 폭의 정중앙부에 형성된 패턴(25)을 정확하게 검사한다.The inspection method of the photomask configured as described above accurately inspects the pattern 25 formed in the center portion of the width of the scribe lane 23 when comparing the patterns of the two chips 21 in the inspection apparatus.

그리고 도 2b에서와 같이 메인 칩 영역인 패턴 라인(24)이 없는 경우에 특히, F라는 좌표에서 이상이 발생할 경우에 상기 스크라이브레인(23) 폭의 정중앙부에 패턴(25)이 위치하게 됨으로써 스크라이브레인(24)의 내측인지 메인 칩 영역인 패턴 라인(24)의 내측인지를 검사장치의 좌표로서 확인이 가능하기 때문에 마스크 검사를 정확하게 한다.In addition, as shown in FIG. 2B, when the pattern line 24, which is the main chip region, is absent, in particular, when an abnormality occurs at the coordinate F, the pattern 25 is positioned at the center of the width of the scribe lane 23. Whether the inside of the lane 24 or the inside of the pattern line 24, which is the main chip region, can be confirmed as the coordinates of the inspection apparatus, so that the mask inspection is accurately performed.

상기와 같은 포토 마스크의 검사방법은 검사결과 검사장치에서의 F 위치 X,Y 좌표를 기록하고, 상기 스크라이브레인(23) 폭의 정중앙부에 위치한 패턴(25)의 위치로 이동하여 검사장치에서의 패턴(25)의 위치인 X,Y 좌표를 기록한다.The inspection method of the photo mask as described above records the F position X, Y coordinates in the inspection result inspection apparatus, and moves to the position of the pattern 25 located at the center of the width of the scribe lane 23 in the inspection apparatus. The X and Y coordinates, which are the positions of the patterns 25, are recorded.

일반적으로 스크라이브레인(23)의 폭은 제품 설계시 정의되어져 있다.In general, the width of the scribe lanes 23 is defined during product design.

상기 F 결함의 위치분석은 상기 패턴(25) 위치의 X축 현 좌표에서 F 위치의 X축 현좌표를 마이너스(-)한 값이 스크라이브레인(23)의 절반폭보다 작을 경우 스크라이브레인(23)의 내측에 위치한 것으로 판단한다.The position analysis of the F defect is performed when the negative value (-) of the X-axis current coordinate of the F position in the X-axis current coordinate of the position of the pattern 25 is less than half the width of the scribe lane 23. It is determined to be located inside of.

그리고 상기 패턴(25) 위치의 X축 현 좌표에서 F 위치의 X축 현 좌표를 마이너스(-)한 값이 상기 스크라이브레인(23)의 절반폭보다 클 경우 메인 칩내 결함이라고 판단한다.In addition, when the value of the minus (-) of the X-axis chord coordinate of the F position in the X-axis chord coordinate of the pattern 25 position is larger than half the width of the scribe lane 23, it is determined that the defect in the main chip.

한편, Y축의 경우는 Y축 좌표값을 이용하여 상기와 같은 동일한 방법으로 산출하여 이상이 발생한 지점을 정확하게 판단하게 된다.On the other hand, in the case of the Y-axis is calculated by the same method as described above using the Y-axis coordinate value to determine the point where the abnormality occurred.

이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 의한 포토 마스크의 검사패턴에 있어서 포토 마스크 검사시 이상이 발생한 부위를 정확하게 구분할 수 있기 때문에 불필요한 비용 및 시간 등의 손실을 줄일 수 있는 효과가 있다.As described above, in the inspection pattern of the photomask according to the present invention, since a portion where an abnormality occurs during the photomask inspection can be accurately distinguished, there is an effect of reducing unnecessary cost and time.

Claims

In the inspection pattern of the photo mask which consists of three chips used in the semiconductor manufacturing process in one shot and detects the difference between the patterns by comparing the chips with the chips,

A scribelane which is a cutting area to separate and package a unit chip into independent individual elements,

And a pattern having a predetermined shape and a predetermined size on the X and Y axes of the chip and the center of the scribe lane of the chip so that the center of the scribe brain can be easily identified.

The method of claim 1,

And the pattern has a size of 0.5 µm or more in the form of.