KR19980073488A - 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템 - Google Patents

반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템 Download PDF

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Abstract

공정에 이용되는 전반적인 가스에 포함된 불순물에 대하여 다양한 평가장치와 결합되어 상기 가스의 주성분과 다양한 불순물들을 구분하여 공급하는 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 복수의 불순물 성분을 분리하는 칼럼(Column)들과 퍼지용 가스와 샘플 가스를 모드별로 절환하는 폐쇄순환배관들로 이루어짐으로써 상기 폐쇄순환배관들에 설치되는 복수 개의 밸브들의 개폐 조절로 퍼지모드와 평가모드를 구분하고 평가장치를 구분하여 샘플가스를 공급하도록 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 반도체 제조공정에 이용되는 다양한 가스에 대한 평가가 하나의 설비를 이용하여 가능하게 되므로, 평가시스템의 구성이 간단해져서, 평가작업이 효율화되고 간단화되는 효과가 있다. 또한 결과적으로 반도체 공정의 수율이 극대화되는 효과가 있다.

Description

반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템
본 발명은 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정에 이용되는 전반적인 가스에 포함된 불순물에 대하여 다양한 평가장치와 결합되어 상기 가스의 주성분과 다양한 불순물들을 구분하여 공급하는 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템에 관한 것이다.
통상적으로, 반도체장치의 제조공정에는 산화, 확산, 증착, 이온주입 등과 같은 다양한 공정에 많은 종류의 가스가 소정 목적으로 이용되고 있으며, 이들 가스들은 공정에 이용되기 위해서는 소정의 순도가 보장되어야 한다.
만약 반도체장치의 제조공정에 이용되는 가스의 순도가 보장되지 않으면, 이를 이용하여 제조되는 반도체장치의 수율이 저하되는 결과가 발생된다.
이러한 이유로 반도체장치 제조공정에 이용되는 가스는 포함된 불순물을 평가하게 되어 있으며, 이들 가스에 포함된 불순물에 대한 평가는 가스 크로마토그래피 디스차지 이오닉 디텍터(Gas Chromatography Discharge Ionic Detector : 이하 'GC-DID'라 함), 가스 크로마토그래피 써멀 컨덕티비티 디텍터(Gas Chromatography Thermal Conductivity Detector : 이하 'GC-TCD'라 함), 가스 크로마토그래피 플라머블 이오닉 디텍터(Gas Chromatography Flammable Ionic Detector : 이하 'GC-FID'라 함), 상압이온질량분석기(Atmosphere Pressure Ionization Mass Spectrometer : 이하 'API-MS'라 함) 및 전자이온질량분석기(Electronic Ionization Mass Spectrometer : 이하 'EI-MS'라 함)와 같은 장치를 이용하여 행해지고 있다.
크로마토그래피라 함은 각종의 고체 또는 액체를 고정상으로 하고 기체 또는 액체를 이동상으로 하여 이동상이 고정상을 통과하도록 하면서 상기 이동상에 샘플을 투입하여 샘플의 상기 이동상과 고정상 사이에서의 흡착성 또는 분배계수의 차를 이용하여 샘플을 성분 별로 분리하는 분석법을 통칭하는 것이다.
전술한 장치들 중 GC-DID는 질소, 산소, 일산화탄소 또는 이산화탄소와 같은 가스에 포함된 극미량의 불순물을 검출하기 위하여 이용되고, GC-FID는 주로 메탄(CH4)을 검출하기 위하여 이용되며, GC-TCD는 질소, 산소, 일산화탄소, 이산화탄소 또는 메탄과 같은 가스에 포함된 비교적 높은 농도의 불순물을 검출하기 위하여 이용된다.
그러나, 전술한 바와 같은 장치들을 이용하여 가스에 포함된 불순물을 평가하기 위해서 가스의 주 성분과 불순물을 분리하여 상기의 장치들에 공급하는 컷오프시스템(Cut-Off System)이 필요하였으며, 전술한 컷오프시스템의 개발없이는 효과적인 가스의 평가가 이루어지기 힘들었고, 그에 따라 정확한 평가가 이루어지지 않은 가스가 반도체장치 제조공정에 이용됨으로써 전체적인 반도체장치 수율이 저하되는 문제점이 있었다.
특히, 컷오프시스템은 특정 평가장치나 특정 가스에 한하여 이용되는 것보다 여러 평가장치에 활용될 수 있고 가스전반에 걸쳐서 평가가 가능하도록 설계됨이 요망되고 있다.
본 발명의 목적은, 가스에 포함된 불순물에 대한 성분 평가를 용이하게 수행할 수 있고, 여러 평가장치에 대하여 활용할 수 있으며, 전반적인 가스의 평가에 이용할 수 있는 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템을 제공하는 데 있다.
도1은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템의 실시예를 나타내는 블록도이다.
도2는 본 발명에 따른 실시예의 밸브 구동을 위한 구성을 나타내는 블록도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : GC-DID 12 : GC-TCD
14, 18, 20, 46, 48 : 칼럼 16, 22 : 폐쇄순환배관
24∼34, 38∼44, 50∼68 : 밸브 36 : 샘플링부
70 : 컨트롤러
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템은, 퍼지용 가스와 샘플 가스를 공급하는 가스공급원과 상기 가스에 포함된 가스에 대한 평가를 수행하는 최소한 하나 이상의 평가 장치 사이에 구성되는 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템에 있어서, 상기 샘플 가스의 주성분과 복수의 불순물 성분을 분리하는 제 1 내지 제 3 칼럼, 상기 가스공급원으로부터 공급되는 상기 퍼지용 가스와 샘플 가스를 제 1 폐쇄순환배관에 복수 개 설치되는 밸브의 개폐조절로 퍼지모드와 평가모드로 구분하며, 퍼지모드시에 상기 제 1 칼럼으로 상기 퍼지용 가스를 배출하는 동안 소정 부분에서 상기 샘플가스를 모으고, 평가모드시에 상기 소정 부분에 모인 샘플가스를 상기 퍼지용 가스로 밀어서 상기 제 1 칼럼으로 배출하는 제 1 가스 공급 수단 및 상기 제 2 칼럼을 통하여 상기 퍼지용 가스를 공급받고, 제 2 폐쇄순환배관에 복수 개 설치되는 밸브의 개폐조절로 상기 제 1 칼럼을 통하여 성분별로 분리되어 공급되는 가스를 성분별로 구분하여 상기 제 3 칼럼을 통하여 상기 평가장치로 공급하는 제 2 가스 공급 수단을 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 1 가스 공급 수단은, 상기 샘플 가스를 소정량 모으는 제 1 샘플링부를 구비하여 상기 퍼지모드시에 샘플가스를 모으고, 평가모드시에 상기 샘플가스를 상기 제 1 폐쇄순환배관의 상기 밸브들의 개폐에 따라 결정되는 소정 경로를 통하여 상기 제 1 칼럼으로 배출하도록 구성됨이 바람직하다.
그리고, 상기 제 1 가스 공급 수단은, 퍼지 가스가 유입되는 제 1 밸브, 제 1 칼럼로 가스를 배출하도록 연결되는 제 2 밸브, 상기 샘플 가스를 소정량 모으는 제 2 샘플링부가 사이에 연결되는 제 3 및 제 4 밸브, 상기 샘플 가스가 유입되는 제 5 밸브 및 내부의 샘플 가스가 배출되는 제 6 밸브를 구비하며, 제 1, 제 3, 제 5, 제 6, 제 4 및 제 2 밸브가 상기 순서대로 상기 제 1 폐쇄순환배관에 설치될 수 있다.
그리고, 상기 제 1 폐쇄순환배관은 상기 퍼지모드이면 상기 제 1 밸브와 상기 제 2 밸브 사이의 경로를 통하여 퍼지 가스가 상기 제 1 칼럼으로 배출되고 제 5 밸브와 제 3 밸브, 샘플링부 및 제 4 밸브와 제 6 밸브를 통하여 샘플이 배출되도록 구성될 수 있고, 한편, 상기 제 1 폐쇄순환배관은 상기 평가모드이면 상기 밸브들의 개폐에 따라 상기 제 1 밸브로부터 유입되는 퍼지 가스를 제 3 밸브, 샘플링부, 제 4 밸브 및 제 2 밸브 순으로 형성되는 경로를 통하여 배출하도록 구성될 수 있다.
그리고, 상기 제 2 가스 공급 수단은, 상기 제 1 칼럼으로부터 가스를 공급받도록 연결된 제 7 밸브, 상기 제 2 칼럼으로부터 퍼지가스를 공급받도록 연결된 제 8 밸브 및 상기 제 3 칼럼으로 상기 제 1 및 제 2 칼럼으로부터 유입되는 가스를 택일하여 공급하도록 연결된 제 9 밸브가 제 2 폐쇄순환배관에 설치됨이 바람직하다.
그리고, 상기 제 2 가스 공급 수단의 상기 제 2 폐쇄순환배관에 제 10 밸브가 더 설치되어서 부가적인 평가장치로의 샘플 또는 퍼지용 가스의 택일적인 공급을 수행하도록 구성될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예는 퍼지 가스로 헬륨(He) 가스를 공급하도록 구성되어 있고, 평가장치로는 GC-DID(10)와 GC-TCD(12)가 설치되어 있다. 그리고 헬륨 가스와 샘플 가스를 순환절환하여 칼럼(14)으로 공급하기 위하여 폐쇄순환배관(16)이 구성되고, 칼럼(18)을 통하여 공급되는 헬륨 가스와 칼럼(14)에서 유입되는 가스를 순환절환하여 칼럼(20)으로 배출하도록 폐쇄순환배관(22)이 구성되어 있다.
전술한 폐쇄순환배관(16)에는 밸브(24∼34)들이 폐쇄경로를 따라 직렬로 설치되어 있고, 밸브들(28, 30) 사이에는 샘플 가스를 일정량 모으기 위한 샘플링부(36)가 연결되어 있다. 또한, 폐쇄순환배관(22)에도 밸브(38∼44)들이 폐쇄경로를 따라 직렬로 설치되어 있다.
각 폐쇄순환배관(16, 22)의 구체적 구조에 대하여 설명한다.
폐쇄순환배관(16)의 밸브(24)는 퍼지를 위한 헬륨 가스가 공급되도록 구성되어 있으며, 밸브(26)는 칼럼(14)으로 순환배기되는 가스를 공급하도록 구성되어 있고, 밸브(28)와 밸브(30) 사이에는 별도로 전술한 바와 같이 소정량의 샘플 가스를 모으기 위한 샘플링부(36)가 연결되어 있으며, 밸브(32)는 외부로부터 공급되는 샘플 가스가 유입되도록 구성되어 있고, 밸브(34)는 샘플링부(36)와 밸브(30)를 거친 내부의 샘플 가스를 외부로 배출하도록 구성되어 있다.
그리고, 폐쇄순환배관(22)의 밸브(38)는 칼럼(14)으로부터 가스가 유입되도록 구성되어 있고, 밸브(40)는 GC-DID(10)로 공급될 가스를 성분별로 분리하는 칼럼(20)으로 배출하도록 구성되어 있으며, 밸브(42)는 GC-TCD(12)로 공급될 가스를 성분별로 분리하는 칼럼(46)으로 배출하도록 구성되어 있고, 밸브(44)는 칼럼(18)을 통하여 퍼지 가스인 헬륨가스가 유입되도록 연결되어 있다.
그리고, 전술한 구성에서 부가적인 퍼지를 위해서 헬륨가스가 칼럼(48)을 통하여 직접 GC-TCD(12)로 공급되도록 구성되어 있다.
그리고, 폐쇄순환배관(16, 22)의 각 밸브들(24∼34, 38∼44)은 질소(N2) 가스의 공급상태에 따라서 개폐가 절환되는 유압밸브들로써 도2와 같이 각 밸브들(50∼68)을 통하여 질소가스가 공급되도록 구성되어 있으며, 각 밸브들(50∼68)은 컨트롤러(70)에 프로그래밍된 상태 및 공정조작자의 조작에 따라 인가되는 제어신호에 의하여 작동되도록 구성된다.
전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 실시예는 퍼지모드와 평가모드로 구분되어 동작되며, 실시예의 동작에 대하여 도1과 같이 샘플가스가 GC-DID(10) 또는 GC-TCD(12)로 공급되어 평가되는 경우에 대하여 설명한다.
퍼지모드시에 폐쇄순환배관(16)에는 밸브들(24, 26) 사이의 구간, 밸브들(32, 28) 사이의 구간 및 밸브들(34, 30) 사이의 구간들로 가스가 흐르는 경로가 형성되고, 평가모드시에 폐쇄순환배관(16)에는 밸브들(24, 28) 사이의 구간, 밸브들(32, 34) 사이의 구간 및 밸브들(30, 26) 사이의 구간들로 가스가 흐르는 경로가 형성된다.
그리고, 폐쇄순환배관(22)의 밸브들(38∼44)은 샘플가스에 포함된 불순물들이 칼럼(14)를 통과하면서 분리되어 공급될 때 성분별로 구분된 가스를 칼럼(20)을 통하여 GC-DID(10)로 배출하거나 또는 칼럼(46)을 통하여 GC-TCD(12)로 배출하기 위하여 동작되도록 구성되어 있다.
먼저, 퍼지모드이면, 헬륨가스가 폐쇄순환배관(16)의 밸브들(24, 26) 간의 경로를 통하여 칼럼(14)으로 공급되고, 칼럼(14)을 통과한 헬륨 가스가 폐쇄순환배관(22)의 밸브들(38, 40)을 포함하는 경로를 거쳐서 칼럼(20)으로 유입되고, 헬륨가스는 칼럼(20)으로부터 GC-DID(10)로 공급된다.
이때 전술한 경로를 따라 흐르는 헬륨가스에 의하여 배관내부나 칼럼(14, 20)에 잔류된 가스가 제거된다.
이때 샘플가스는 밸브(32)와 밸브(28) 간의 경로를 거쳐서 샘플링부(36)로 공급되고, 샘플링부(36)에서 소정량이 모아진 후 샘플 가스는 밸브(30)와 밸브(34) 간의 경로를 거쳐서 배출된다.
그리고, 평가모드이면, 폐쇄순환배관(16)의 각 밸브들(24∼34)은 개폐상태가 변환된다. 이러한 개폐상태의 변환으로 샘플링부(36)에 모아진 소정량의 샘플은 칼럼(14)으로 공급된다.
구체적으로 폐쇄순환배관(16)의 밸브(24)와 밸브(28) 간의 경로를 통하여 헬륨 가스가 샘플링부(36)로 공급되므로, 샘플링부(36)에 모인 샘플은 밀려서 폐쇄순환배관(16)의 밸브(30)와 밸브(26) 간의 경로를 통하여 칼럼(14)으로 유입되며, 칼럼(14)에 유입된 샘플 가스는 주성분과 불순물이 분자량에 따른 차만큼 이동속도가 다르므로 분리된다.
모노실란(Mono-silane, SiH4)가스를 샘플로 이용하는 경우, 내부에 포함된 불순물 성분인 수소(H2), 산소(O2), 질소(N2), 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2)는 자체의 분자량에 따라 전술한 순으로 분리된다.
그러면 칼럼(14)에서는 수소, 산소, 질소, 일산화탄소, 이산화탄소와 같은 불순물이 폐쇄순환배관(22)의 밸브(38)로 순차적으로 유입되며, 불순물들 중 수소가 가장 먼저 유입되고, 그 후 소정 시간의 간격을 가지면서 산소와 질소와 일산화탄소 및 이산화탄소와 같은 불순물들이 소정 간격을 가지면서 순차적으로 유입된다.
그에 따라서 폐쇄순환배관(22)은 소정 시간 수소를 밸브(38)과 밸브(40) 사이의 경로를 통하여 칼럼(20)으로 보내고, 일정 시간 경과 후 각 밸브들(38∼44)의 절환상태가 가변되면서 칼럼(18)의 퍼지용 헬륨가스가 밸브(44)와 밸브(40) 사이의 경로를 통하여 칼럼(20)으로 공급된다. 이때 퍼지용 헬륨가스에 의하여 배관 또는 칼럼(20)의 수소를 포함하는 불순물이 제거된다.
그리고, 다시 폐쇄순환배관(22)의 각 밸브들(38∼44)의 절환상태가 가변되면서 수소에 이어서 산소가 전술한 방법으로 GC-DID(10)로 보낸진다. 그리고 퍼지가 이루어진 후 다시 질소가 GC-DID(10)로 보내진다.
즉, 폐쇄순환배관(16)이 평가모드로 절환된 상태에서 폐쇄순환배관(22)에서는 샘플가스로부터 분리되는 각 성분들의 통과시간에 맞춰서 각 밸브들(38∼44)의 개폐상태가 가변됨으로써, GC-DID(10)로는 샘플가스의 특정 불순물 성분에 대한 공급과 퍼지가 번갈아가면서 이루어진다.
그리고, 샘플 가스를 GC-TCD(12)가 평가할 때도 폐쇄순환배관(16)의 동작은 동일하고, 폐쇄순환배관(22)에서 각 밸브들(38∼44)의 개폐상태가 가변됨에 따라서 분리된 성분들과 퍼지용 헬륨가스가 칼럼(46)을 통하여 GC-TCD(12)로 공급된다. 또한, 실시예는 퍼지용 헬륨가스를 이용하여 GC-TCD(12)가 부가적으로 퍼지를 필요로 하는 경우에는 칼럼(48)을 통하여 헬륨가스가 공급되도록 조절할 수 있다.
본 발명에 따른 실시예는 평가장치로써 GC-DID와 GC-TCD를 구성하였으나, 이에 국한되지 않고, 폐쇄순환배관(22)에 밸브를 추가적으로 설치함으로써 추가 구성되는 밸브에 다른 평가장치가 설치될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 실시예는 반도체장치를 제조하는 공정에 이용되는 다양한 가스에 대한 불순물 분석을 수행할 수 있으며, 평가방법도 평가장치의 선택적인 설치에 따라서 다양하게 이루어질 수 있다.
그러므로, 한 대의 본 발명에 따른 실시예와 같은 컷오프 시스템을 이용하여 반도체 공정용 가스 전반에 걸친 평가가 가능하며, 그로 인하여 정확히 평가된 가스가 공정에 이용될 수 있으므로, 반도체 제조공정의 전체적인 수율이 향상될 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 반도체 제조공정에 이용되는 다양한 가스에 대한 평가가 하나의 설비를 이용하여 가능하게 되므로, 평가시스템의 구성이 간단해져서, 평가작업이 효율화되고 간단화되는 효과가 있다. 또한 결과적으로 반도체 공정의 수율이 극대화되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (7)

  1. 퍼지용 가스와 샘플 가스를 공급하는 가스공급원과 상기 가스에 포함된 가스에 대한 평가를 수행하는 최소한 하나 이상의 평가 장치 사이에 구성되는 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템에 있어서, 상기 샘플 가스의 주성분과 복수의 불순물 성분을 분리하는 제 1 내지 제 3 칼럼(Column);
    상기 가스공급원으로부터 공급되는 상기 퍼지용 가스와 샘플 가스를 제 1 폐쇄순환배관에 복수 개 설치되는 밸브의 개폐조절로 퍼지모드와 평가모드로 구분하며, 퍼지모드시에 상기 제 1 칼럼으로 상기 퍼지용 가스를 배출하는 동안 소정 부분에서 상기 샘플가스를 모으고, 평가모드시에 상기 소정 부분에 모인 샘플가스를 상기 퍼지용 가스로 밀어서 상기 제 1 칼럼으로 배출하는 제 1 가스 공급 수단; 및
    상기 제 2 칼럼을 통하여 상기 퍼지용 가스를 공급받고, 제 2 폐쇄순환배관에 복수 개 설치되는 밸브의 개폐조절로 상기 제 1 칼럼을 통하여 성분별로 분리되어 공급되는 가스를 성분별로 구분하여 상기 제 3 칼럼을 통하여 상기 평가장치로 공급하는 제 2 가스 공급 수단; 을 구비함을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 가스 공급 수단은,
    상기 샘플 가스를 소정량 모으는 제 1 샘플링부를 구비하여 상기 퍼지모드시에 샘플가스를 모으고, 평가모드시에 상기 샘플가스를 상기 제 1 폐쇄순환배관의 상기 밸브들의 개폐에 따라 결정되는 소정 경로를 통하여 상기 제 1 칼럼으로 배출하도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 가스 공급 수단은, 퍼지 가스가 유입되는 제 1 밸브;
    제 1 칼럼로 가스를 배출하도록 연결되는 제 2 밸브;
    상기 샘플 가스를 소정량 모으는 제 2 샘플링부가 사이에 연결되는 제 3 및 제 4 밸브;
    상기 샘플 가스가 유입되는 제 5 밸브; 및
    내부의 샘플 가스가 배출되는 제 6 밸브를 구비하며;
    제 1, 제 3, 제 5, 제 6, 제 4 및 제 2 밸브가 상기 순서대로 상기 제 1 폐쇄순환배관에 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 폐쇄순환배관은;
    상기 퍼지모드이면 상기 제 1 밸브와 상기 제 2 밸브 사이의 경로를 통하여 퍼지 가스가 상기 제 1 칼럼으로 배출되고 제 5 밸브와 제 3 밸브, 샘플링부 및 제 4 밸브와 제 6 밸브를 통하여 샘플이 배출되도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 폐쇄순환배관은;
    상기 평가모드이면 상기 밸브들의 개폐에 따라 상기 제 1 밸브로부터 유입되는 퍼지 가스를 제 3 밸브, 샘플링부, 제 4 밸브 및 제 2 밸브 순으로 형성되는 경로를 통하여 배출하도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 가스 공급 수단은,
    상기 제 1 칼럼으로부터 가스를 공급받도록 연결된 제 7 밸브, 상기 제 2 칼럼으로부터 퍼지가스를 공급받도록 연결된 제 8 밸브 및 상기 제 3 칼럼으로 상기 제 1 및 제 2 칼럼으로부터 유입되는 가스를 택일하여 공급하도록 연결된 제 9 밸브가 제 2 폐쇄순환배관에 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 가스 공급 수단의 상기 제 2 폐쇄순환배관에 제 10 밸브가 더 설치되어서 부가적인 평가장치로의 샘플 또는 퍼지용 가스의 택일적인 공급을 수행하도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 가스 내의 불순물 평가를 위한 컷오프 시스템.
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KR20140093511A (ko) * 2013-01-18 2014-07-28 삼성전자주식회사 샘플 가스 공급 장치 및 방법

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