KR19980072906A - Method for manufacturing CRT having antistatic and antireflective coating - Google Patents
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Abstract
브라운관용 판넬의 외면에 대전 및 반사 방지막을 형성시킴으로서 대전방지성을 갖게 하고, 외부광의 반사율을 저하시켜 화면의 콘트라스트 특성을 향상시킴과 함께 외부접촉에 의한 지문묻어남을 억제하는데 적합한 브라운관에 관한 것으로, 브라운관용 판넬에 대전 방지막 및 반사 방지막을 코팅함에 있어서, 판넬의 외면에 물리 증착법(PVD : Sputter)으로 대전 방지막을 코팅하고, 그 상면에 이산화규소(SiO2) 성분의 졸(Sol) 용액을 이용하여 스핀(Spin)법으로 반사 방지막을 코팅하고, 소성하여서됨을 특징으로 하는 대전 및 반사 방지막을 갖는 브라운관의 제조 방법에 관한 기술이다.The present invention relates to a cathode ray tube suitable for forming antistatic properties by forming an antistatic and anti-reflection film on the outer surface of the cathode ray tube panel, reducing antireflection of external light, improving contrast characteristics of the screen, and suppressing fingerprints from external contact. In coating the antistatic film and the antireflection film on the panel for CRT, the antistatic film is coated on the outer surface of the panel by physical vapor deposition (PVD: Sputter), and a silicon dioxide (SiO 2 ) component sol solution is used on the upper surface of the panel. The present invention relates to a method for producing a cathode ray tube having an antistatic and antireflection film, characterized in that the antireflection film is coated by a spin method and fired.
Description
본 발명은 브라운관의 판넬표면에 대전 및 반사 방지막 형성에 관한 것으로, 특히 대전 방지층을 물리증착법으로 구성하고 반사 방지층을 스핀방식으로 졸 용액을 이용하여 코팅함으로써 대전 방지성을 갖고, 외부광의 반사율을 저하시켜 화면의 콘트라스트(Contrast)특성을 향상시키고, 화면의 외부 접촉에 의한 지문 묻어남을 방지하는데 적합한 브라운관의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the formation of an antistatic and antireflection film on the panel surface of a CRT. In particular, the antistatic layer is constituted by physical vapor deposition and the antireflection layer is coated with a sol solution in a spin method to have antistatic properties and to lower the reflectance of external light. The present invention relates to a method for manufacturing a CRT tube suitable for improving contrast characteristics of a screen and preventing fingerprints from being caused by external contact of the screen.
도 1은 기존의 브라운관 판넬의 표면에 대전 및반사 방지막을 형성한 구조를 나타낸 개략도로써, 브라운관은 판넬부(1)와 펀넬부(2)로 구성되며, 판넬부(1)에는 전원의 ON/OFF시 브라운관에 인가되는 고압에 의해 전면에 생기는 전기적 챠지(Charge)현상을 제거할 수 있는 대전기능을 갖는 대전 방지막(3)과 외부에서 들어오는 빛 즉, 실내형광등, 외부의 빛등 여러 가지 종류의 빛이 전면에서 반사되어 보는 사람의 시야를 방해하는데, 이와 같은 빛의 양을 감소시키는 반사 방지막(4)으로 구성된다.1 is a schematic view showing a structure in which an antistatic and antireflection film is formed on a surface of a conventional CRT panel, and the CRT consists of a panel portion 1 and a funnel portion 2, and the panel portion 1 has ON / OFF power supply. When it is OFF, the antistatic film 3 having the charging function to remove the electric charge phenomenon generated on the front side by the high pressure applied to the CRT and various kinds of light such as indoor fluorescent lamp, external light, etc. It is reflected from the front surface and obstructs the viewer's view, and is composed of an anti-reflection film 4 that reduces the amount of light.
상기한 대전 및 반사 방지막을 형성함에 있어서는 브라운관의 전면을 세정하고, 세록스(CeO2)를 이용하여 연마하고, 연마 표면을 순수와 알콜을 이용하여 세척후 건조시킨다.In forming the above-mentioned antistatic and antireflection film, the entire surface of the CRT is washed, ground using Cerox (CeO 2 ), and the polished surface is washed with pure water and alcohol and dried.
건조된 브라운관을 예열로에 안착하여 코팅할 브라운관 표면을 약 40∼50℃로 가열한 후 스핀(Spin) 또는 스프레이(Spray) 코팅 방식을 이용하여 Sb 성분이 약 3∼5% 분산된 SnO2성분의 졸(Sol) 용액을 도포함으로써 대전 방지막(3)이 형성되고, 그 상부에 상기 대전 방지막과 굴절율이 다른 실리카 성분을 상기 방법으로 코팅처리하여 PC 사용자가 장시간 PC를 사용하여도 피로감이 덜하고 인체에 아무이상이 없도록 하는 반사 방지막(4)을 형성한다.SnO 2 component with Sb component dispersed about 3 to 5% by spin or spray coating method after heating the surface of the CRT to be coated by placing the dried CRT on a preheater. An antistatic film 3 is formed by applying a sol solution, and a silica component having a different refractive index from the antistatic film is coated on the upper part of the method by the method described above to reduce fatigue even when a PC user uses the PC for a long time. The anti-reflection film 4 is formed so that there is no abnormality in the human body.
이때 반사방지막 상부에 Spray 방법으로 요철을 형성(Anti-Glare층)하게 되는데, 이는 반사 방지막(AR) 코팅시 문제시되는 얼룩을 잘 보이지 않게 하여 확산 반사율을 줄여줌과 동시에 손지문의 문제점을 줄이기 위한 것이다.At this time, irregularities are formed on the anti-reflection film by spray method (Anti-Glare layer). This is to reduce the diffuse reflectance and to reduce the problem of fingerprints by preventing the stains that are problematic when the anti-reflection film (AR) is coated. .
그러나 상기와 같이 Spin 또는 Spray 방법으로 대전 방지막을 형성시는 약품세척 공정이 불리하고 판넬면에 스크라치(Scratch) 불량의 증가 및 흡착시 자국이 발생하는등 이물질 관리에 어려움이 있다.However, when the antistatic film is formed by the spin or spray method as described above, the chemical cleaning process is disadvantageous, and there is a difficulty in managing the foreign substances such as an increase in scratch defects on the panel surface and a mark on the adsorption.
또한, 상기와 같은 ARAS 코팅 또는 AGRAS 코팅은 대전층인 AS(Anti-Static) 코팅층의 표면저항이 107∼8(Ω/□)수준으로서 MPRII 규격에는 도달하나 현재 가장 관심이 고조되고 있는 TCO 규격에는 미치지 못하고 있다.In addition, the ARAS coating or AGRAS coating as described above, the surface resistance of the AS (Anti-Static) coating layer of the charge layer is 10 7 ~ 8 (Ω / □) level reaches the MPRII standard, but the TCO standard that is currently attracting the most attention Is not falling short.
즉, 모니터 세트에서 전계, 자계 규격에 도달하기 위해서는 표면 저항 수준은 103(Ω/□) 이하의 수준에 도달해야 하나 졸(Sol) 코팅용액으로서는 아직까지 미미한 실정이다.In other words, in order to reach the electric field and magnetic field specifications in the monitor set, the surface resistance level must reach a level of 10 3 (Ω / □) or less, but it is still insignificant as a sol (sol) coating solution.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 대전 방지층을 물리증착방법(PVD : Sputte)으로 구성하고, 반사 방지층을 졸(Sol) 용액을 이용하여 Spin 또는 Spray 방식으로 코팅처리함으로써 대전 방지성을 향상시킴과 함께 기존방식에 따른 약품 세척공정의 불리함을 개선하고 판넬면에 스크라치 불량 및 자국의 발생을 억제하는데 적합한 대전 및 반사 방지막의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, by forming an antistatic layer in the physical vapor deposition method (PVD: Sputte), by coating the anti-reflection layer using a sol (Sol) solution by spin or spray method The purpose of the present invention is to provide an antistatic and antireflective coating film suitable for improving the antistatic properties and reducing the disadvantages of the chemical cleaning process according to the existing method and suppressing the occurrence of scratch defects and marks on the panel surface.
도 1은 기존의 브라운관 판넬표면에 대전 및 반사방지막을 형성한 구성의 개략도1 is a schematic diagram of a configuration in which an antistatic and antireflection film is formed on a conventional CRT panel surface
도 2는 본 발명에 따른 대전 및 반사방지막을 구성한 단면도2 is a cross-sectional view of the charging and anti-reflection film according to the present invention
도 3a ∼ 3e는 본 발명에 따른 제조 공정도3a to 3e is a manufacturing process diagram according to the present invention
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 판넬 2 : 대전 방지막1 Panel 2 Antistatic Film
6 : 반사 방지막6: antireflection film
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 그 실시예를 나타낸 도 2와 같이 브라운관용 판넬(1)의 외면에 대전 방지막 및 반사 방지막을 코팅함에 있어서, 판넬(1)의 외면에 대전 방지막(5)을 물리증착방법(PVD : Sputter)으로 코팅하고 반사 방지막(6)을 졸(Sol)용액을 이용하여 스핀(Spin) 방식으로 코팅한 후 소성하여서된 제조 방법으로 이루어진다.The present invention for achieving the above object in the coating of the antistatic film and the antireflection film on the outer surface of the CRT panel 1 as shown in Figure 2, the antistatic film 5 on the outer surface of the panel 1 Coated with a physical vapor deposition method (PVD: Sputter) and the anti-reflection film (6) is made by spin coating (Spin) method using a sol (Sol) solution and then fired.
상기 대전 방지막(5)을 형성함에 있어서는 인듐틴옥사이드(ITO), 니오븀산화물(Nb2O3), 구리(Cu), 아연산화물(ZnO) 중에서 1종 또는 그 화합물을 이용하여 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 코팅한다.In forming the antistatic film 5, a sputtering method using one or a compound of indium tin oxide (ITO), niobium oxide (Nb 2 O 3 ), copper (Cu), and zinc oxide (ZnO) is used. To coat.
코팅의 두께는 10∼100㎚로 함이 바람직하다.The thickness of the coating is preferably 10 to 100 nm.
이때 막 표면 저항은 300∼400(Ω/□) 범위인 대전 방지막이 됨으로써 TCO 규격에 만족할 수 있다.At this time, the film surface resistance can satisfy the TCO standard by becoming an antistatic film in the range of 300 to 400 (µs / □).
반사 방지막(6) 형성시는 저굴절율을 가진 이산화규소(SiO2), 이산화티탄(TiO2) 중에서 1종 또는 그 화합물이 주성분인 졸(Sol)을 이용하여 스핀(Spin) 방법으로 코팅한다.When the antireflection film 6 is formed, one of the silicon dioxide (SiO 2 ) and titanium dioxide (TiO 2 ) having a low refractive index or a compound thereof is coated using a spin method using a sol (Sol) as a main component.
이때의 막 두께는 10∼100㎚로 함이 바람직하다.It is preferable that the film thickness at this time shall be 10-100 nm.
도 3은 본 발명의 실시예인 제조 공정도를 나타낸 것으로 이에 따라 설명한다.Figure 3 shows a manufacturing process diagram which is an embodiment of the present invention will be described accordingly.
먼저 도 3a와 같이 판넬과 펀넬이 조립 완성된 브라운관을 고정대(7)에 올려 놓고 브라운관 전면을 세록스(CeO2) 등의 연마제를 이용하여 연마기(8)로 연마처리한 후 용액주입 노즐(9)을 통해 세정하고, 건조 및 이물질 제거를 위해 에어블로우(Airblow)처리한다.First, as shown in FIG. 3a, the panel and the funnel are assembled to the holder (7), and the front of the tube is polished with a polishing machine (8) using an abrasive such as Cerox (CeO 2 ), followed by a solution injection nozzle (9). ), And blow blow to dry and remove foreign substances.
다음에 도 3b와 같이 약 10-5torr의 진공챔버(Chamber)(10)안에 상기 처리된 브라운관을 고정대(7)에 올려놓고 인듐틴옥사이드(ITO) 등의 금속타켓(Target)(11)을 설치하여 물리증착법(PVD : Sputter)법으로 대전 방지막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3B, the treated CRT is placed on the holder 7 in a vacuum chamber of about 10 −5 torr, and a metal target 11 such as indium tin oxide (ITO) is placed. The antistatic film is formed by physical vapor deposition (PVD: Sputter).
그리고 도 3c와 같이 상기 대전 방지막이 형성된 브라운관을 회전대(12)에 올려놓고 실리카를 함유한 휘발성용액을 용액분사용 노즐(13)을 통해 분사시켜 반사 방지막을 형성시킨 후 건조한다.Then, as shown in FIG. 3c, the CRT formed with the antistatic film is placed on the swivel table 12, and the volatile solution containing silica is sprayed through the solution injection nozzle 13 to form an antireflection film and then dried.
건조 처리중에 있는 브라운관 전면을 도 3d와 같이 히터 또는 자외선 램프(14) 등에 의해 약 90℃의 온도로 가열하면, 휘발성 용액중의 이산화규소는 남고 휘발성 물질은 날아가게 된다.When the whole surface of the CRT in the drying process is heated to a temperature of about 90 DEG C by a heater or an ultraviolet lamp 14 or the like as shown in Fig. 3D, the silicon dioxide in the volatile solution remains and the volatile material is blown off.
이와 같이 처리함으로써 실리카 막의 표면을 다수의 미세한 요철을 형성하게 되어 난반사면이 된다.By treating in this way, the surface of a silica film forms many fine unevenness | corrugations, and becomes a diffuse reflection surface.
상기 처리된 브라운관을 소정 공정으로 운반한다.The treated CRT is transported in a predetermined process.
소정공정에서 브라운관 전면을 약 200℃의 온도로 가열처리하여 도 3e와 같이 실리카막의 표면이 미세한 요철을 갖는 반사 방지막(6) 및 대전 방지막(5)이 형성된다.In the predetermined process, the entire surface of the CRT is heated to a temperature of about 200 ° C. to form an antireflection film 6 and an antistatic film 5 having fine irregularities on the surface of the silica film as shown in FIG. 3E.
이상에서와 같이 종래의 Spin 또는 Spray 방법으로 대전 방지막 형성시 문제점을 본 발명에서는 인듐 틴옥사이드(ITO) 등의 금속 물질을 타겟으로하여 물리증착법(PVD)으로 함으로써 대전물질을 브라운관 전면에 쉽게 부착함과 함께 제조 공정상의 이물질 관리등이 용이하다.As described above, in the present invention, the problem of forming the antistatic film by the spin or spray method is that the target material is attached to the front of the CRT by physical vapor deposition (PVD) targeting a metal material such as indium tin oxide (ITO). In addition, it is easy to manage foreign substances in the manufacturing process.
그리고 표면저항이 300∼400(Ω/□) 범위인 대전 방지막을 형성함으로써 TCO 규격에 만족할 수 있다.The TCO standard can be satisfied by forming an antistatic film having a surface resistance in the range of 300 to 400 (Ω / □).
이상에서와 같이 본 발명은 대전 방지막 물질을 인듐틴옥사이드(ITO) 등으로 하고 이를 물리증착법으로 코팅하고, 반사 방지막을 투명전도성을 갖는 산화규소로 하여 Spin 코팅함으로써 대전 물질의 부착 및 이물질 관리가 용이하고 또한 표면저항이 300∼400(Ω/□) 범위인 대전 방지막에 따라 TCO 규격에 만족할 수 있는 등 대전 기능향상 및 누설전계 차단용 음극선관에 널리 활용할 수 있다.As described above, in the present invention, the antistatic film material is made of indium tin oxide (ITO) or the like and coated by physical vapor deposition, and the antireflective film is made of silicon oxide having transparent conductivity to spin coating to facilitate the attachment of the charged material and the foreign material management. In addition, it is possible to meet the TCO standard according to the antistatic film having a surface resistance in the range of 300 to 400 (Ω / □), and can be widely used for the improvement of the charging function and the cathode ray tube for blocking the leakage electric field.
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