KR19980068049A - 파티클을 억제한 실리콘 복합막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성할 때, 파티클(particle)의 발생을 억제할 수 있는 파티클 발생을 억제한 실리콘 복합막 형성방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명은, 실리콘 기체 소스와, 무선주파수 전원(RF power)를 구비하여 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버에서 실리콘 복합막을 형성하는 방법에 있어서, 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 장비의 챔버에서 실리콘 기체 소스를 주입하여 실리콘 복합막을 증착하는 제1 단계와, 상기 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버로 실리콘 기체 소스를 차단하는 제2 단계 및 상기 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버로 무선주파수 전원을 차단하여 실리콘 기체 소스가 기상반응(vapor reaction)을 일으켜서 파티클이 발생하는 것을 방지하는 제3 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 파티클 발생을 억제한 실리콘 복합막 형성방법을 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성할 때, 파티클(particle)의 발생을 억제할 수 있는 파티클 발생을 억제한 실리콘 복합막 형성방법에 관한 것이다.
플라즈마 화학기상증착은 웨이퍼을 플라즈마 챔버로 로딩(loading)한 후, 증착하고자 하는 소스를 갖는 기체를 챔버에 흘리고, 여기에 무선주파수 전원을(RF power) 인가하여 플라즈마를 여기시킴으로 화학반응을 일으켜서 원하는 박막을 웨이퍼 상에 형성하는 공정이다.
도 1은 종래기술에 따라서 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 1을 참조하면, 먼저 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버로 웨이퍼를 로딩하고, 실리콘 기체 소스를 챔버내로 주입하고, 무선주파수 전원을 인가하여 플라즈마를 여기시켜서 실리콘 복합막을 형성한다. 이어서, 상기 실리콘 복합막의 증착이 완료되면 무선주파수 전원(RF power)과 실리콘 기체 소스를 동시에 차단한다. 이때, 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버 내에 플라즈마장(plasma field)에서는 실리콘 기체 소스의 과잉으로 기상 반응을 일으키게 된다. 그 결과, 미세한 실리콘 파티클이 발생하여 실리콘 복합막 상에 적층됨으로 오염의 원인이 된다.
도 2는 종래기술에 의한 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성할 때, 챔버 내부를 도시한 단면도이다. 참조부호 1은 양극(anode)을, 3은 음극(cathode), 5는 양극과 음극에 의하여 형성되는 플라즈마장(plasma field)을 각각 나타낸다. 상기 양극(1)은 무선주파수 전원(7)에 연결되어 있고, 음극(3)은 접지되어 있다. 여기서, 무선주파수 전원(7)과 실리콘 기체 소스를 동시에 차단하면 플라즈마가 국부적으로 남아있는 영역(9)과 실리콘 기체 소스가 과잉으로 응집된 영역(11)이 각각 나타나게 된다. 이러한 실리콘 기체 소스가 과잉으로 응집된 영역(11)에서는, 특히 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막을 형성할 때, 실리콘 기체 소스가 웨이퍼에 닿기 전에 기체상태에서 기상반응(vapor reaction)을 일으켜서 실리콘 파티클을 형성하는 문제점이 발생하게 된다. 이러한 기상반응에 의한 파티클은 실리콘 기체 소스의 과잉이나, 무선주파수 전원이 부족할 때에 발생할 뿐만아니라, 실리콘 복합막의 증착이 끝난 후, 무선주파수나 실리콘 기체 소스를 차단하는 과정에서 플라즈마 챔버내에서도 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플라즈마 화학기상증착법을 통한 실리콘 복합막 형성에 있어서 실리콘 기체 소스 및 무선주파수 전원의 차단 방법을 조절함으로써 플라즈마 챔버내의 파티클의 발생을 방지할 수 있는 파티클 발생을 억제한 실리콘 복합막 형성방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래기술에 따라서 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 2는 종래기술에 의한 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성할 때, 챔버 내부를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따라서 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 4는 본 발명에 의한 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성할 때, 챔버 내부를 도시한 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명
100: 양극(anode)102: 음극(cathode),
104: 플라즈마장(plasma field)106: 무선주파수 전원(RF power),
108: 접지110: 다른 기체 소스가 남아있는 영역.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 실리콘 기체 소스와, 무선주파수 전원(RF power)를 구비하여 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버에서 실리콘 복합막을 형성하는 방법에 있어서, 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 장비의 챔버에서 실리콘 기체 소스를 주입하여 실리콘 복합막을 증착하는 제1 단계와, 상기 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버로 실리콘 기체 소스를 차단하는 제2 단계 및 상기 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버로 무선주파수 전원을 차단하여 실리콘 기체 소스가 기상반응을 일으켜서 파티클이 발생하는 것을 방지하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 파티클 발생을 억제한 실리콘 복합막 형성방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 화학기상증착법을 통한 실리콘 복합막 형성에 있어서 실리콘 기체 소스 및 무선주파수 전원의 차단 방법을 개선함으로써 반응 챔버내의 실리콘 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따라서 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 3을 참조하면, 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버로 웨이퍼를 로딩하고, 실리콘 기체 소스를 챔버내로 주입하고, 무선주파수 전원을 인가하여 플라즈마를 여기시켜서 실리콘 복합막을 형성한다. 이어서, 상기 실리콘 복합막의 증착이 완료되면 먼저 실리콘 기체 소스가 챔버내로 유입되는 것을 차단한다. 다음에 챔버내에 실리콘 기체 소스의 반응이 끝나서 기상반응(vapor reaction)을 일으키지 않는 조건이 충족되면 무선주파수 전원 및 다른 반응 기체 소스를 차단시킨다. 본 발명에서는 기상반응을 일으켜서 파티클을 발생시키는 실리콘 기체 소스를 먼저 차단하여 챔버내부를 안정시킴으로써 종래기술에서 문제가 되었던 파티클의 발생을 억제하면서 실리콘 복합막의 형성이 가능하다.
도 4는 본 발명에 의한 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 복합막을 형성할 때, 챔버 내부를 도시한 단면도이다. 여기서, 참조부호 100은 양극(anode)을, 102은 음극(cathode), 104는 양극과 음극에 의하여 형성되는 플라즈마장(plasma field)을 각각 나타낸다. 상기 양극(100)에는 무선주파수 전원(106)이 연결되어 있고, 음극(102)은 접지(108)되어 있다. 여기서 본 발명의 가장 큰 특징을 이루는 실리콘 기체 소스가 플라즈마 챔버로 주입되는 것을 먼저 차단을 시키면, 플라즈마장(104) 내에는 실리콘 기체 소스를 제외한 다른 반응 기체 소스만이 남아있게 된다. 예컨데 실리콘 질화막인 경우에는 질소나 암모니아만이 남아있고, 실리콘 산화막인 경우에는 산소나 산화질소(N2O)만이 남아서 기상반응을 일으키지 않음으로써 실리콘 파티클이 발생하는 문제점이 해결된다. 이때, 다른 반응 기체 소스 및 무선주파수 전원을 차단시킴으로써 파티클 발생을 억제한 실리콘 복합막의 형성을 실현할 수 있다. 여기서, 참조 부호 110은 무선주파수 전원(106)이 차단되면서 실리콘 기체 소스를 제외한 다른 기체 소스가 남아 있는 영역을 가리킨다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
따라서, 상술한 본 발명에 따르면, 플라즈마 화학기상증착법에 의하여 실리콘 복합막을 형성할 때, 실리콘 기체 소스의 기상반응을 억제하고, 웨이퍼 표면에 침적되는 실리콘 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
Claims (1)
- 실리콘 기체 소스와, 무선주파수 전원(RF power)를 구비하여 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버에서 실리콘 복합막을 형성하는 방법에 있어서,플라즈마 화학기상증착(PECVD) 장비의 챔버에서 실리콘 기체 소스를 주입하여 실리콘 복합막을 증착하는 제1 단계;상기 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버로 실리콘 기체 소스를 차단하는 제2 단계; 및상기 플라즈마 화학기상증착 장비의 챔버로 무선주파수 전원을 차단하여 실리콘 기체 소스가 기상반응을 일으켜서 파티클이 발생하는 것을 방지하는 제3 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 파티클 발생을 억제한 실리콘 복합막 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970004481A KR19980068049A (ko) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 파티클을 억제한 실리콘 복합막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970004481A KR19980068049A (ko) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 파티클을 억제한 실리콘 복합막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980068049A true KR19980068049A (ko) | 1998-10-15 |
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ID=65983942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019970004481A KR19980068049A (ko) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 파티클을 억제한 실리콘 복합막 형성방법 |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR19980068049A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111403492A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-10 | 成都珠峰永明科技有限公司 | 太阳能电池用钝化层的制备方法以及太阳能电池的制备方法 |
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1997
- 1997-02-14 KR KR1019970004481A patent/KR19980068049A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| CN111403492A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-10 | 成都珠峰永明科技有限公司 | 太阳能电池用钝化层的制备方法以及太阳能电池的制备方法 |
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