KR19980058401A - 레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 E-빔 증발기를 사용하여 레이저 다이오드 칩바의 거울면에 보호막을 코팅한다. 이때, E-빔 증발기에 장입된 레이저 다이오드 칩바를 고진공하에서 약 100 내지 250℃ 정도의 온도로 가열함과 동시에 코팅 물질을 전자선으로 용융시키고, 용융된 코팅 물질을 증발시켜 그 증기로 상기 레이저 다이오드 칩바의 거울면에 핀홀이 없는 코팅막을 형성한다.

Description

레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법.

본 발명은 레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 전자빔 증발기를 이용하여 레이저 다이오드 칩바의 거울면에 핀홀이 없는 코팅막을 형성하는 레이저 다이오드 거울면 코팅 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 레이저 다이오드는 전류를 인가하여 레이저 광을 얻는 소자로써, 광통신 시스템에서의 광신호 발생원, 계측장비의 광원, 정보기기 및 포인터 등의 광원으로 사용된다. 이러한 레이저 다이오드는 특정 결정 방향으로 절단한 칩바 상태로 제조되며, 레이저 다이오드 칩바의 거울면에 보호막을 코팅하여 그 특성 및 신뢰성을 향상시킨다.

레이저 다이오드 칩바의 거울면에 보호막을 코팅하기 위하여 종래에는 소퍼터링, PECVD 또는 E-빔 증발기 등의 장비가 이용되고 있으며, 이 중에서 E-빔 증발기를 이용한 거울면 코팅 방법은 코팅된 막의 두께 균일도가 우수하기 때문에 주로 사용되고 있다.

이러한, E-빔 증발기는, 원래 금속 증착용 장비로서 장비내에 웨이퍼가 장입된 후, 웨이퍼를 고진공하에서 상온으로 유지시키면서, 코팅하고자 하는 금속을 전자선으로 용융시켜 증발시키고, 그 증기를 웨이퍼 상에 쌓이게 하는 방법으로 금속막을 형성시키는 장비이다.

그러므로, 상기와 같은 E-빔 증발기를 이용한 종래 기술에 따른 레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법은, 레이저 다이오드 칩바를 장비 내에 장입한 후, 상기 레이저 다이오드 칩바를 고진공하에서 상온으로 유지시키면서, 동시에 A1₂O₃등의 코팅물질을 전자선으로 녹여 증발시키고, 증발된 증기가 거울면에 쌓이도록 함으로써 코팅막을 형성한다.

그러나, 상기와 같은 종래 기술은, 레이저 다이오드 칩바의 온도가 상온으로 유지된 상태에서 그대로 증기가 와서 달라붙기 때문에, 코팅막에 많은 핀홀이 존재하게 되고, 이에 따라, 레이저 다이오드의 동작시 외부의 공기나 습기 등이 핀홀을 통해 코팅막을 뚫고 반도체 패시트(FACET)에 도달하여 상기 반도체 패시트와 반응하여 산화됨으로써, 레이저 다이오드의 특성이 저하되는 문제점이 있으며, 또한, 다수개의 핀홀을 갖는 코팅막은 부착력이 나쁘기 때문에, 하나의 레이저 다이오드로 분리시킬 때, 상기 코팅막이 떨어지는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, E-빔 증발기에 장입된 레이저 다이오드 칩바를 고진공하에서 약 100 내지 250℃ 정도의 온도로 가열함으로써, 상승된 거울면의 표면 온도에 의해 핀홀이 없는 코팅막을 형성시킬 수 있는 레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기와 같은 목적은, E-빔, 증발기를 사용하여 레이저 다이오드 칩바의 거울면에 소정의 보호막을 코팅하는 레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법으로서,

상기 E-빔 증발기에 장입된 레이저 다이오드 칩바를 고진공하에서 소정 온도로 가열함과 동시에 거울면에 코팅하고자 하는 금속을 용융시켜 증발시키고, 그 증기로 상기 거울면에 코팅막을 형성하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 거울면 코팅방법에 의하여 달성된다.

본 발명에 따르면, 상승된 레이저 다이오드 칩바의 표면 온도로 인해 핀홀이 없는 보호막을 형성할 수 있으며, 또한, 부착력도 향상시킬 수 있다.

[실시예]

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.

먼저, 통상의 레이저 다이오드 제조 공정이 완료된 웨이퍼를 적당한 길이가 되도록 특정한 결정 방향으로 절단하여 레이저 다이오드 칩바를 만든다. 여기서, 상기 레이저 다이오드 칩바는 여러개의 레이저 다이오드가 옆으로 나란히 붙어있는 형상이다. 그런 다음, E-빔 증발기를 사용하여 레이저 다이오드 칩바의 양쪽 거울면에 A1₂O₃, A1₂O₃/a-Si 등의 물질을 코팅한다.

자세하게, 레이저 다이오도의 거울면에 보호막을 코팅하기 위하여, E-빔 증발기에 레이저 다이오드를 칩바 상태로 장입한 후, 상기 레이저 다이오드 칩바를 고진공하에서 약 100 내지 250℃ 정도의 온도로 가열함과 동시에 A1₂O₃, a-Si 또는 YSZ(Yttria Stablized Zirconia)등의 조합으로 이루어진 코팅 물질을 전자선으로 용융시키고, 용융된 코팅 물질을 증발시켜 그 증기가 레이저 다이오드 칩바의 거울면에 쌓이게 함으로써 보호막을 형성한다.

이때, 상기 레이저 다이오드 칩바 거울면에 쌓여지는 증기가 상기 거울면에 닿을 때, 거울면의 상승된 표면 온도로 인하여 약간의 위치 이동을 하게 됨으로써, 핀홀이 없는 양질의 코팅막이 형성된다. 또한, 핀홀이 없기 때문에 반도체와의 부착력도 향상된다. 따라서, 핀홀이 없는 양질의 코팅막은, 결국 외부의 습기나 산소등이 코팅막을 뚫고 패시트에 도달되지 못하도록 함으로써, 패시트 산화를 근본적으로 방지하여 레이저 다이오드의 고신뢰성 및 고출력화가 확보된다.

이상에서와 같이, 본 발명의 레이저 다이오드 거울면 코팅 방법은 E-빔 증발기에 장입된 레이저 다이오드 칩바를 고진공하에서 소정 온도로 가열하여 상기 레이저 다이오드 칩바의 거울면에 핀홀이 없는 양질의 코팅막을 형성함으로써, 외부의 습기 또는 산소 등이 코팅막을 뚫고 패시트에 도달되는 것을 방지하여 레이저 다이오드의 고신뢰성 및 고출력을 확보할 수 있다.

한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.

Claims (3)

1. E-빔 증발기를 사용하여 레이저 다이오드 칩바의 거울면에 소정의 보호막을 코팅하는 레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법으로서,

   상기 E-빔 증발기에 장입된 레이저 다이오드 칩바를 고진공하에서 소정 온도로 가열함과 동시에 거울면에 코팅하고자 하는 금속을 용융시켜 증발시키고, 그 증기로 상기 거울면에 코팅막을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 다이오드 칩바는 약 100 내지 250℃ 정도의 온도로 가열 되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 코팅막은 A1₂O₃, a-Si 또는 YSZ의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 거울면 코팅방법.