KR19980058393A - 애벌런치 포토 다이오드 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 윈도우층의 중앙 부분에 소정의 요홈을 형성하여 2회의 확산을 통하여 pn접합면을 완만하게 형성함과 더불어 가드링 구조를 형성하여 역바이어스 상태하에서 중앙 부분의 전계가 가장 자리보다 커지게하여 에지 브레이크 다운 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 중앙부분에서 효과적으로 증폭을 일어날 수 있도록 하는 애벌런치 포토 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 것으로, 본 발명에 따른 애벌런치 포토 다이오드는 상부에 흡수층, 그래딩층, 전하층이 순차적으로 적층된 제1 도전형 화합물 반도체 기판; 상기 전하층 상부에 적층됨과 더불어 중앙 부분에 소정의 요홈을 구비한 윈도우층; 요홈을 둘러싸도록 윈도우층 내에 완만하게 형성된 제1 도전형 확산층; 및, 확산층과 이격됨과 더불어 확산층 양 쪽의 윈도우층 내에 형성된 제1 도전형 제1 및 제2 플로트 가드링을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 애벌런치 포토 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 애벌런치 포토 다이오드(Avalanche Photodiode ; 이하, APD)는 광검출기의 한종류로서 정보를 담은 광신호를 수광하여 전기적 신호를 변환시키는 소자로서, 광통신 시스템의 수신기에 필수적으로 사용됨과 더불어 특히, APD는 고속 응답에 사용된다.
반면, APD 구조의 가장 큰 문제점은 pn접합의 가장 자리의 곡률이 중앙 부분의 곡률보다 작기 때문에 역바이어스를 가함에 따라 가장 자리의 전계가 중앙 부분의 전계보다 커져서 가장 자리에서 먼저 브레이크 다운이 일어나는 에지 브레이크 다운(Edge Breakdowm)이다.
따라서, 종래에는 상기한 에지 브레이크 다운 현상을 억제하기 위하여 부분적인 전하층(Partial Charge Cheet)을 갖는 구조와 플로팅 가드링(Floating Guaring) 구조 및 가드링 구조가 제시되었다.
즉, 도 1 내지 도 3은 상기한 에지 브레이크 다운 현상을 억제하기 위한 종래의 APD 구조를 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 1 은 부분적인 전하층을 갖는 APD 구조를 나타낸 단면도로서, 상부에 i-InGaAs 흡수층(2), InGaAsP 그래딩층(3)이 순차적으로 적층된 n+-InP 기판(1)상에 형성되고 에지 브레이크 다운현상을 억제하기 위한 부분적인 전하층(4)과, 전하층(4) 상에 형성된 u-InP 윈도우층(5)과, 윈도우층(5) 중앙의 내부에 형성된 p+-InP 확산층(6)과, 확산층(6)을 노출시키면서 윈도우층(5) 상에 형성된 보호막(7)과, 확산층(6) 상의 양 단 소정 부분과 콘택하는 p형 오믹 금속층(7)과 기판(1) 하단과 콘택하는 n형 오믹 금속층(8)으로 구성된다.
또한, 도 2는 플로트 가드링 구조를 갖는 APD의 단면도로서, 상부에 i-InGaAs 흡수층(12), InGaAsP 그래딩층(13) 및 전하층(14)이 순차적으로 적층된 n+-InP 기판(1) 상에 형성된 u-InP 윈도우층(5)과, 윈도우층(5) 중앙의 내부에 형성된 p+-InP 확산층(16)과, 확산층(16) 양 측에 확산층(16)과 절연되어 이격됨과 더불어 서로가 각각 절연되어 이격된 p+-InP 제1 내지 제4 플로트 가드링(17a∼17d)과, 플로트 가드링(17a∼17d)이 형성된 윈도우층(15) 상에 확산층(6)을 노출시키도록 형성된 보호막(18)과, 확산층(16) 상의 양 단 소정 부분과 콘택하는 p형 오믹 금속층(19)과 기판(11) 하단과 콘택하는 n형 오믹 금속층(20)으로 구성된다.
한편, 도 3은 가드링 구조를 갖는 APD의 단면도로서, 상부에 i-InGaAs 흡수층(22), InGaAsP 그래딩층(23) 및 전하층(24)이 순차적으로 적층된 n+-InP 기판(21)상에 4형성된 u-InP 윈도우층(25)과, 윈도우층(25) 중앙의 내부에 형성된 p+-InP 확산층(26)과, 확산층(26) 양 측에 확산층(16)과 소정 부분 겹쳐져서 접합하는 p+-InP 제1 및 제2 가드링(27a,27b)과, 가드링(17a,17b)이 형성된 윈도우층(25) 상에 확산층(26)을 노출시키도록 형성된 보호막(28)과, 확산층(26) 상의 양 단 소정 부분과 콘택하는 p형 오믹 금속층(29)과 기판(21) 하단과 콘택하는 n형 오믹 금속층(30)으로 구성된다
그러나, 상기한 종래의 에지 브레이크 다운 현상을 억제하기 위한 APD 구조에 있어서는 다음과 같은 문제가 있었다.
즉, 부분적인 전하층을 갖는 APD는 부분적인 전하층(4)을 형성하기 위하여 전하층(4)을 식각한 후 윈도우층(5)을 재성장하기 때문에 식각 깊이의 정확한 제어가 필요할 뿐만 아니라, 재성자에 의한 계면의 결함으로 인하여 소자의 특성이 저하되는 문제가 발생한다.
또한, 플로트 가드링 구조는 플로트 가드링의 형성을 위하여 2회 내지 그 이상의 확산 공정을 진행함에 따라 확산의 제어가 어려울 뿐만 아니라 소자의 특성 향상을 기대하기가 어렵다.
그리고, 가드링 구조는 일반적으로 2회의 확산 공정을 진행하는데, 1회 확산은 아연(Zn) 또는 카드뮴(Cd)을 사용하여, 2회 확산은 베릴륨(Be) 등을 이용하여 이온 주입 공정으로 정확하게 도핑제어를 해야 하기 때문에 공정상의 난점이 발생할 뿐만 아니라 공정 비용이 증가되는 단점이 있다.
이에, 본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 창출된 것으로서, 윈도우층의 중앙 부분에 소정의 요홈을 형성하여 2회의 확산을 통하여 pn접합면을 완만하게 형성함과 더불어 가드링 구조를 형성하여 역바이어스 상태하에서 중앙 부분의 전계가 가장 자리보다 커지게하여 에지 브레이크 다운 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 중앙부분에서 효과적으로 증폭을 일어날 수 있도록 하는 애버런치 포토 다이오드 및 그의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 부분적인 전하층을 갖는 애벌런치 포토 다이오드를 나타낸 단면도.
도 2는 종래의 플로트 가드링 구조를 갖는 애벌런치 포토 다이오드를 나타낸 단면도.
도 3은 종래의 가드링 구조를 갖는 애벌런치 포토 다이오드를 나타낸 단면도.
도 4A 내지 도 4F는 본 발명의 실시예에 따른 애벌런치 포토 다이오드의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
41 : n+-InP 기판, 42 : i-InGaAs 흡수층, 43 : InGaAsP 그래딩층, 44 : 전하층, 45 : u-InP 윈도우층, 46 : 요홈, 47 : 제1유전체막, 48 : p+-InP 제1 확산층, 49 : 제2 유전체막, 50 : p+-InP 제2 확산층, 51a,51b : 제1 및 제2 플로트 가드링, 52 : 보호막, 53 : p형 오믹금속층, 54 : n형 오믹 금속층, 56 : 등전위면
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 애벌런치 포토 다이오드는 상부에 흡수층, 그래딩층, 전하층이 순차적으로 적층된 제1 도전형 화합물 반도체 기판; 상기 전하층 상부에 적층됨과 더불어 중앙 부분에 소정의 요홈을 구비한 윈도우층; 상기 요홈을 둘러싸도록 상기 윈도우층 내에 완만하에 형성된 제1 도전형 확산층; 및, 상기 확산층과 이격됨과 더불어 상기 확산층 양 쪽의 상기 윈도우층 내에 형성된 제1 도전형 제1 및 제2 플로트 가드링을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 소정의 역바이어스가 가해지는 경우 상기 플로트 가드링은 공핍화되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 애벌런치 포토 다이오드의 제조방법은 상부에 흡수층, 그래딩층, 전하층이 순차적으로 적층된 제1 도전형 화합물 반도체 기판 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 상기 윈도우층의 중앙 부분에 소정 깊이의 요홈을 형성하는 단계; 상기 요홈을 둘러싸도록 상기 윈도우층 내의 소정 부분에 제1 도전형 불순물을 1차 확산하여 제1 도전형 제1 확산층을 형성하는 단계; 및, 상기 제1 확산층 양 측의 상기 윈도우층 내의 소정 부분 및 상기 제1 확산층에 상기 제1 도전형 불순물을 2차 확산하여 상기 제1 확산층이 소정 부분 확장된 제2 확산층을 형성함과 더불어 상기 제2 확산층과 이격된 제1 도전형 제1 및 제2 플로트 가드링을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성으로 된 본 발명에 의하면, 중앙 부분을 식각한 후 1차 확산을 하여 가장 자리의 pn접합 선단 부분을 완만하게 함으로써 에지브레이크 다운을 억제함과 더불어 가드링 구조를 통하여 가장 자리의 전계를 감소시켜 중앙 부분에 상대적으로 높은 전계를 갖도록하여 높은 이득을 얻을 수 있다.
[실시예]
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 4A 내지 도 4F는 본 발명의 실시예에 따른 APD의 제조방법을 설명하기 위한 순차적인 공정 단면도이다. 먼저, 도 4A에 도시된 바와 같이, n+-InP 기판(41) 상에 연속 에피택셜 성장 공정으로 i-InGaAs 흡수층(42), InGaAsP 그래딩층(43), 전하층(44; chacge cheet layer) 및 u-InP 윈도우층(45)을 순차적으로 형성한다. 이어서, 윈도우층(45)의 중앙 부분을 소정 깊이로 식각하여 요홈(46)을 형성한다.
도 4B에 도시된 바와 같이, 도4A의 구조 상에 제1 유전체막(47)을 형성하고, 포토리소그라피 및 식각 공정으로 제1 유전체막(47)을 패터닝하여 요홈(46) 및 요홈(46) 양측의 윈도우층(45)을 소정 부분 노출시킨다.
도 4C에 도시된 바와 같이, 패터닝된 제1 유전체막(47)을 확산 마스크로하여 아연 또는 카드뮴 확산 공정으로 1차 확산 공정을 진행하여 노출된 윈도우층(45) 내에 요홈(46)을 둘러싸도록 p+-InP 제1 확산층(48)을 형성하고, 제1 유전체막(47)을 제거한다. 즉, 윈도우층(45) 상에 형성된 요홈(46)에 의해 제1 확산층(48)이 완만하게 형성된다.
도 4D에 도시된 바와 같이, 도 4C의 구조 상에 제2 유전체막(49)을 형성하고, 포토리소그라피 및 식각 공정으로 제2 유전체막(49)을 패터닝하여 요홈(46) 및 제1 확산층(48)과 제1 확산층(48) 양 측 및 상기 양 측과 이격된 부분의 윈도우층(45)을 소정 부분 노출시킨다.
도 4E에 도시된 바와 같이, 패터닝된 제2 유전체막(49)을 확산 마스크로하여 아연 또는 카드뮴 확산 공정으로 2차 확산 공정을 진행한다. 이에 따라, 제1 확산층(48)이 확산효과 및 어닐링 효과에 의해 요홈(46) 하부로 소정 부분 더 확산시켜 p+-InP 제2 확산층(50)을 형성한다. 또한, 제2 확산층(50) 양 측에 p+-InP가 확산됨과 더불어 제2 확산층(50)과 이격되어 브레이크 다운 현상을 억제하는 플로트 가드링(51)을 형성한 다음, 제2 유전체막(49)을 제거한다. 이때, 제2 확산층(50)과 플로트 가드링(51)은 전기적으로 이격된 상태이며, 소정의 역바이어스 전압에서 플로트 가드링(51)에 공핍화된다.
도 4F에 도시된 바와 같이, 제2 확산층(50)이 노츨되도록 윈도우층(45) 상에 보호막(52)을 형성하고, 제2 확산층(50)의 소정 부분과 콘택하는 p형 오믹 금속층(53)을 형성함과 더불어 기판(41) 하단과 콘택하는 n형 오믹 금속층(54)을 형성한다.
한편, 도 4F에 도시된 전압 인가에 따른 등전위면(55)을 살펴보면, 가장 자리 부분에서 등전위면 사이의 간격이 중간 부분보다 넓게 되어 상대적으로 낮은 전계를 가지게 되어 에지 브레이크 다운을 억제하고 중앙 부위에는 상대적으로 높은 전계 때문에 큰 증폭을 일으켜 APD의 특성을 형상시킨다.
상기 실시예에 의하면, 중앙 부분을 식각한 후 1차 확산을 하여 가장 자리의 pn 접합 선단 부분을 완만하게 하여 에지브레이크 다운을 억제함과 더불어 가드링 구조를 통하여 가장 자리의 전계를 감소시켜 중앙 부분에서 상대적으로 높은 전계를 갖도록 하여 높은 이득을 얻을 수 있다.
또한, 1회의 식각 공정 및 2회의 확산 공정을 이용하여 소자를 제작함에 따라 원가 절감과 효과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요소를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.
Claims (9)
- 상부에 흡수층, 그래딩층, 전하층이 순차적으로 적층된 제1 도전형 화합물 반도체 기판;상기 전하층 상부에 적층됨과 더불어 중앙 부분에 소정의 요홈을 구비한 윈도우층;상기 요홈을 둘러싸도록 상기 윈도우층 내에 완만하게 형성된 제1 도전형 확산층; 및,상기 확산층과 이격됨과 더불어 상기 확산층 양 쪽의 상기 윈도우층 내에 형성된 제1 도전형 제1 및 제2 플로트 가드링을 포함하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 확산층을 노출시키면서 상기 플로트 가드링이 형성된 상기 윈도우층 상에 형성된 보호막;상기 확산층의 소정 부분과 콘택하는 제1 도전형 금속층; 및,상기 기판 하단과 콘택하는 제2 도전형 금속층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드.
- 제 1항에 있어서, 소정의 역바이어스가 가해지는 경우 상기 플로트 가드링을 공핍화되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이고, 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토 다이오드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 도전형은 p형이고, 제2 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토 다이오드.
- 상부에 흡수층, 그래딩층, 전하층이 순차적으로 적층된 제1 도전형 화합물 반도체 기판 상에 윈도우층을 형성하는 단계;상기 윈도우층의 중앙 부분에 소정 깊이의 요홈을 형성하는 단계;상기 요홈을 둘러싸도록 상기 윈도우층 내의 소정 부분에 제1 도전형 불순물을 1차 확산하여 제1 도전형 제1 확산층을 형성하는 단계; 및,상기 제1 확산층 양 측의 상기 윈도우층 내의 소정 부분 및 상기 제1 확산층에 상기 제1 도전형 불순물을 2차 확산하여 상기 제1 확산층이 소정 부분 확장된 제2 확산층을 형성함과 더불어 상기 제2 확산층과 이격된 제1 도전형 제1 및 제2 플로트 가드링을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제2 확산층이 노출되도록 상기 윈도우층 상에 보호막을 형성하는 단계;상기 제2 확산층의 소정 부분과 콘택하는 제1 도전형 금속층을 형성하는 단계; 및,상기 기판 하단과 콘택하는 제1 도전형 금속층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토 다이오드의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이고, 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토 다이오드의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제1 도전형은 p형이고, 제2 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토 다이오드의 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
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| KR100928204B1 (ko) * | 2007-12-11 | 2009-11-25 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 에피층을 이용한 ｃｍｏｓ 기반의 평판형 애벌란시포토다이오드 및 그 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| US6555890B2 (en) * | 2000-05-23 | 2003-04-29 | Sensors Unlimited, Inc. | Method for combined fabrication of indium gallium arsenide/indium phosphide avalanche photodiodes and p-i-n photodiodes |
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Family Cites Families (5)
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352816B1 (ko) * | 2000-03-10 | 2002-09-16 | 광주과학기술원 | 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조 |
| KR100399050B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2003-09-26 | 한국전자통신연구원 | 초고속 통신용 애발란치 광 검출 소자 및 그 제조 방법 |
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