KR19980055730A - 콘택 마스크 - Google Patents

Abstract

본 발명은 콘택 마스크에 관한 것으로, 가장자리 부분에 형성된 콘택 패턴의 외측부에 더미 패턴(Dummy Pattern)을 형성하므로써 웨이퍼 상에 콘택 홀 형성시 근접 효과의 발생을 방지하여 콘택 마스크에 형성된 콘택 패턴과 동일한 크기의 콘택 홀을 형성할 수 있는 효과가 있다.

Description

콘택 마스크

본 발명은 콘택 마스크에 관한 것으로 특히, 소정의 공정을 거친 실리콘 기판상에 콘택 홀 형성시 근접 효과로 인한 콘택 홀의 크기불량 발생을 방지할 수 있는 콘택 마스크에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정에서 접합부와 도전층 또는 도전층간에는 절연층이 형성되며 접합부와 도전층 또는 도전층간의 접속은 절연층에 형성되는 콘택 홀(Contact Hole)을 통해 이루어진다. 이러한 콘택 홀은 사진 및 식각 공정에 의해 형성되는데, 사진 공정은 절연층이 형성된 웨이퍼상에 감광막을 형성하고 콘택 마스크를 이용하여 감광막을 노광(Exposure)시킨 후 현상(Develop)시켜 감광막 패턴을 형성하는 공정이고 식각 공정은 상기 사진 공정에 의해 얻어진 감광막 패턴을 마스크(Mask)로 이용하여 상기 절연층의 노출된 부분을 제거시키는 공정이다. 그러면 상기 사진 공정에 이용되는 종래의 콘택 마스크를 도 1 및 도 2를 통해 설명하면 다음과 같다.

종래의 콘택 마스크는 도 1에 도시된 바와 같이 빛이 투과될 수 있는 기판(1)과, 상기 기판(1)에 일정한 간격으로 형성된 다수의 콘택 패턴(2)으로 이루어지며 상기 콘택 패턴(2)은 각 콘택 홀이 형성될 위치와 일치되는 위치에 형성된다. 또한 상기 콘택 패턴(2)은 가로변 및 세로변의 길이가 동일하게 형성되며 사용되는 감광막의 종류에 따라 상기 기판(1) 또는 콘택 패턴(2)중 어느 하나에는 빛의 투과가 방지되도록 크롬(Crome)이 코팅된다.

상기와 같이 형성된 콘택 마스크에서 중앙부에 형성된 콘택 패턴(2)의 외측부에는 다른 콘택 패턴(2)이 존재한다. 그러나 최외곽부 특히, 모서리부(A 부분)에 형성된 콘택 패턴(2)의 외측부에는 인접하는 다른 콘택 패턴이 존재하지 않게 된다. 그러므로 상기 콘택 마스크를 이용한 사진 공정시 최외곽부와 중앙부의 콘택 패턴(2)의 밀도가 각기 다르기 때문에 콘택 홀의 크기가 서로 다르게 형성된다. 이는 도 2에 도시된 바와 같이 조사되는 빛 에너지의 차이로 인한 근접 효과의 발생에 따른 현상으로, 빛 에너지의 차이로 인해 감광막의 감광 정도가 달라져 콘택 홀의 수가 많은 지역과 적은 지역간에 콘택 홀 크기의 차가 유발되는 것이다. 그러므로 콘택 홀의 미형성이 유발되어 소자의 신뢰성이 저하되거나 수율 저하가 초래된다.

따라서 본 발명은 최외곽부에 형성된 콘택 패턴의 외측부에 더미 패턴을 형성하므로써 근접 효과의 발생을 방지하여 상기한 단점을 해소할 수 있는 콘택 마스크를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 콘택 마스크는 빛이 투과될 수 있는 기판과, 기판 상에 일정 간격으로 형성된 다수의 콘택 패턴과, 상기 기판의 최외곽부에 형성된 상기 콘택 패턴의 외측부에 형성된 더미 패턴으로 이루어지며 상기 기판과 상기 콘택 패턴 및 더미 패턴중 하나에는 사용되는 감광막의 종류에 따라 빛의 투과가 방지되도록 크롬이 코팅되고, 상기 더미 패턴은 직사각 또는 정사각형 형태로 형성되며, 상기 더미 패턴의 폭은 상기 콘택 패턴의 일변의 길이보다 2 내지 4배 크게 형성된다.

도 1은 종래 콘택 마스크의 일부분을 도시한 평면도.

도 2는 도 1의 A 부분에 조사되는 빛 에너지의 분포도.

도 3은 본 발명에 따른 콘택 마스크의 일부분을 도시한 평면도.

도 4는 도 3의 B 부분에 조사되는 빛 에너지의 분포도.

도 5는 본 발명에 다른 실시예에 따른 콘택 마스크의 일부분을 도시한 평면도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

1,11 및 21 : 기판2,12 및 22 : 콘택 패턴

13 및 23 : 더미 패턴

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명에 따른 콘택 마스크의 일부분을 도시한 평면도로서, 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

빛이 투과될 수 있는 기판(11)에 일정한 간격으로 다수의 콘택 패턴(12)이 형성되고 최외곽부에 형성된 상기 콘택 패턴(12)의 외측부를 따라 더미 패턴(13)이 길게 형성된다. 이때 상기 콘택 패턴(12)은 각 콘택 홀이 형성될 위치와 일치되는 위치에 형성되며 가로변 및 세로변의 길이(H)가 동일한 사각 형태로 형성된다. 그리고 상기 더미 패턴(13)은 상기 콘택 패턴(12)의 가로변 또는 세로변의 길이(H)보다 두배이상(2 내지 4배) 큰폭(2H)을 갖는 직사각 형태로 형성된다. 또한 사용되는 감광막의 종류에 따라 상기 기판(1)과 상기 콘택 패턴 및 더미 패턴(12 및 13)중 하나에는 빛의 투과가 방지되도록 크롬이 코팅된다.

상기와 같이 형성된 콘택 마스크를 이용하여 콘택 홀을 형성하는 경우 상기 더미 패턴(13)에 의해 중앙부와 최외곽부에 형성된 콘택 패턴(12)의 밀도가 균일해지는 효과를 얻을 수 있기 때문에 근접 효과로 인한 불량이 발생되지 않는다. 즉, 상기 더미 패턴(13)에 의해 중앙부와 최외곽부에서의 빛 에너지가 도 4에 도시된 바와 같이 균일해지고, 이에 따라 감광막의 감광 정도가 균일해져 균일한 크기의 콘택 홀을 형성할 수 있다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 콘택 마스크의 일부분을 도시한 평면도로서 빛이 투과될 수 있는 기판(21)에 일정한 간격으로 동일한 다수의 콘택 패턴(22)이 형성되고 최외곽부에 형성된 상기 콘택 패턴(22)의 외측부에 가로 및 세로변의 길이가 같은 다수의 더미 패턴(23)이 형성된다. 더미 패턴(23)은 콘택 패턴(22)의 가로변 및 세로변의 길이 보다 2배 혹은 그 이상의 길이를 갖는 크기로 형성된다. 이 콘택 패턴(22)은 웨이퍼 상에서 콘택 홀이 형성될 위치와 일치되는 위치에 형성된다.

상기와 같이 형성된 콘택 마스크를 이용하여 콘택 홀을 형성하는 경우 상기 더미 패턴(23)에 의해 중앙부와 최외곽부에 형성된 콘택 패턴(22)의 밀도가 균일해지는 효과를 얻을 수 있기 때문에 근접 효과로 인한 불량이 발생되지 않는다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 최외곽부에 형성된 콘택 패턴의 외측부에 더미 패턴을 형성하므로써 중앙부와 가장자리부에서 감광막의 감광 정도가 균일해진다. 그러므로 웨이퍼 상에 균일한 크기의 콘택 홀을 형성할 수 있으며, 따라서 소자의 신뢰성 및 수율이 향상될 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

1. 콘택 마스크에 있어서,

   빛이 투과될 수 있는 기판과,

   상기 기판에 일정 간격으로 형성된 다수의 콘택 패턴과,

   상기 기판의 최외곽부에 형성된 상기 콘택 패턴의 외측부에 형성된 더미 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 콘택 마스크.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 기판과 상기 콘택 패턴 및 더미 패턴중 하나에는 사용되는 감광막의 종류에 따라 빛의 투과가 방지되도록 크롬이 코팅된 것을 특징으로 하는 콘택 마스크.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 더미 패턴은 직사각 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 콘택 마스크.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 더미 패턴은 정사각 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 콘택 마스크.
5. 제 1 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서,

   상기 더미 패턴의 폭은 상기 콘택 패턴의 일변의 길이보다 2 내지 4배 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 콘택 마스크.