KR19980042486A - 웨이퍼형 물품용 지지체 - Google Patents

웨이퍼형 물품용 지지체 Download PDF

Info

Publication number
KR19980042486A
KR19980042486A KR1019970060329A KR19970060329A KR19980042486A KR 19980042486 A KR19980042486 A KR 19980042486A KR 1019970060329 A KR1019970060329 A KR 1019970060329A KR 19970060329 A KR19970060329 A KR 19970060329A KR 19980042486 A KR19980042486 A KR 19980042486A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
wafer
article
bearing
facing
Prior art date
Application number
KR1019970060329A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100499833B1 (ko
Inventor
빌리발트피르커
Original Assignee
프란쯔 숨 니취
세즈세미콘덕터-에큅먼트쥬비회르퓌어디할브라이테르페르티궁아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프란쯔 숨 니취, 세즈세미콘덕터-에큅먼트쥬비회르퓌어디할브라이테르페르티궁아게 filed Critical 프란쯔 숨 니취
Publication of KR19980042486A publication Critical patent/KR19980042486A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100499833B1 publication Critical patent/KR100499833B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Packaging For Recording Disks (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

본 발명은 압축 가스를 방출하는 링 형상 다이(8)를 갖춘 웨이퍼형 물품(2)을 향하여 면하는 표면에는, 링 형상 다이(8)의 방사상 외측에 위치된 원주형 축받이(10)가 구비된 웨이퍼형 물품(2)용 지지체(1)에 관한 것이다. 물품(2)의 상부측에 가해진 처리 유체(15)는 축받이(10)가 갖추어진 지지체(1)를 보호하고, 축받이(10)의 방사상 외측에 위치된 상기 물품의 밑면으로 물품(2)의 주변을 둘러싸는 엣지(16) 근처로 튜브형 다이(8)로부터 발생되는 가스에 의해 방사상 외향으로 제거될 때까지 흐른다. 이는 처리 유체(15)가 물품(2)의 주변을 둘러싸는 엣지(16) 뿐만 아니라, 지지체(1)를 향하여 면하는 웨이퍼형 물품(2)의 밑면(17)의 링 형상 영역 및 그의 영향이 미칠 수 있는 곳에까지 도달할 수 있는 장점을 제공한다.

Description

웨이퍼형 물품용 지지체
본 발명은 웨이퍼형 물품용 지지체에 관한 것으로, 특히 실리콘 웨이퍼의 에칭 공정 중에 사용되는, 보유될 물품(2) 쪽으로 향하는 표면(3,5)을 구비하고 압축 가스로 채워진 링 형상 노즐(8)이 지지체(1)의 축과 동심원상으로 제공된 웨이퍼형 물품(2)용 지지체에 관한 것이다.
그러한 지지체(척(chuck))들은 다양한 실시예로 공지되었다. 대체로, 두 가지 실시예, 즉 지지될 물품이 면하는 표면상에, 측면을 향해 면하는 웨이퍼형 물품을 지지하는 페그(peg)를 갖는 지지체(US 4 903 717 A 및 US 5 513 668 A 참조) 및 압력이 가해짐으로써 지지체에서 웨이퍼형 물품을 보호하는 지지체(US 5 421 595 A 참조)가 있다.
공지된 지지체들은 지지체로부터 떨어져 면하는 표면상에서 웨이퍼형 물품을 처리하는 것이 가능하고, 그로 인해서 지지체를 향해 면하는 표면은 처리물(예를 들어서 에칭 유체)이 튜브형 다이에서 나오는 가스(주로 질소)에 의해 지지체의 아래쪽에 이르지 못하고 웨이퍼형 물품 및 상기 물품을 향하여 면하는 지지체의 표면 사이를 방사상 바깥쪽으로 흐르기 때문에 처리되지 않는다.
그러나, 요구시에는 또한, 지지체를 면하는 측면 상에, 웨이퍼형 물품, 특히 실리콘 웨이퍼의 엣지 영역이 처리된다. 이는 현재 일반적으로 사용되는 지지체 설계로는 쉽게 달성될 수 없다.
본 발명의 목적은 지지체로부터 떨어져 면하는 웨이퍼형 물품의 측면을 처리물로 처리하는 것이 가능한 것뿐만 아니라, 지지체를 면하는 웨이퍼형 물품의 측면의 링 형상 엣지 영역 및 외부 엣지가 처리 가능한 지지체를 제공하는 것이다.
본 발명에 따라, 본 목적은 도입부에 언급된 유형의 지지체를 갖는 외측 방향으로 경사진 원형 축받이(10)가 링 형상 다이(8)에 대해 동심원상으로 배열되어 있고, 웨이퍼형 물품(2)을 향하여 면하는 지지체(1)의 표면(5)이 링 형상 다이(8)의 방사상 외측으로 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 물품용 지지체로 달성된다.
본 발명을 따른 지지체의 바람직한 장점에 관한 실시예는 종속항에 기술되었다. 티어 어웨이 엣지로써 작용하는 질소 가스를 발생하는 튜브형 다이가 외측에 배치된 웨이퍼형 물품을 면하는 면에 제공된, 축받이, 특히 둥근형인 축받이 때문에, 처리물(처리 유체, 에칭 유체, 플로슁 유체)은 물품의 밑면(즉, 지지체를 면하는 쪽) 웨이퍼형 물품의 외부 엣지 근처로 이동되고 밑면 상에 숄더 외측에 위치된 링 형상 영역에서 웨이퍼형 물품이 에칭 또는 플러쉬(flush) 처리된다. 물품 및 베이스 사이에서 흘러나오고 튜브형 다이로부터 생성되는 가스의 흐름은 웨이퍼형 물품의 중심을 향하는 것이 바람직하다기 보다는 이동으로부터 처리물을 방지한다는 장점이 있다.
본 발명에 따른 지지체의 부가적 상세한 설명, 특징 및 장점은, 간단한 실시예에서 나타낸 발명에 따른 지지체의 도면을 참조로 이하에서 설명한다.
도 1은 실리콘 웨이퍼가 부착된 지지체를 도시한 것이다 ;
도 2는 축받이(step) 영역에 대한 확대 상세도이다 ;
도 3은 축받이 영역의 흐름 상태를 도시한 것이다.
도 1에 나타낸 지지체는 근본적으로 US 4 903 717 A 및 US 5 513 668 A로부터 공지되었다. 공지된 지지체(1)의 경우에, 웨이퍼형 물품(2)을 면하는 그의 표면은 내부 부품(4)의 원형 표면(3) 및 외부(링 형상) 부품(6)의 링 표면(5)으로 형성된다. 외부 부품(6)에는 물품(2)(예를 들어서, 실리콘 웨이퍼)가 측면으로 지지되는 몇몇의 방사상으로 조절 가능한 페그(7)(핀)이 있다.
지지체(1)의 내부 부품(4) 및 외부 부품(6) 사이에는 부품(4,6) 사이에 고리 모양으로 설계된 링 형상 다이(8)가 있다. 링 형상 다이(8)는 주로 질소인, 압축 가스가 채워져, 웨이퍼형 물품(2)이 베르누이 원리에 따라 지지체(1)에서 보호되고, 표면(3,5)위는 일정하고 균일한 호버(hover) 상태가 된다.
웨이퍼형 물품(2)을 향하여 면하는 표면으로, 지지체(1)의 외부 부품(6)의 표면(5)에, 축받이(10)가 바깥쪽 다이(8)에만 위치된다. 상기 축받이(10)는 표면(5)의 방사상 외부 부품(5)이 내측상에 방사상인 표면(5)의 부품에 대해 아래를 향해 오목해지는 것에서 생긴 것이다.
도 2는 둥근 축받이(10)의 엣지(11)를 나타내고, 축받이(10)의 외향 포인팅 표면(13)과 외부 부품(6)의 표면(5)의 부품 사이에 트랜지션(12)은 웨이퍼형 물품(2)을 향하여 면하고, 상기 부품은 축받이(10)의 방사상 외측에 놓인 형태이거나 작은 굴곡을 갖도록 설계된다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 도 2에 단면으로 나타낸 축받이(10)의 굴곡의 반경은 방사상 외부를 향하게 이동됨에 따라 점차로 감소한다. 따라서, A와 B 사이의 영역에서 굴곡 반경은, 예를 들어 3 mm로, B와 C 사이 영역에서는 예를 들어 0.8 mm일 수 있고, C와 D 사이 영역에서는 예를 들어 0.2 mm이다.
도 3에 개략적으로 나타낸 축받이(10)는 처리물(15)의 흐름 상태를 나타낸다. 예를 들어 에칭 유체인 처리물(15)은, 공지된 지지체의 경우에서처럼, 웨이퍼형 물품(2)의 상부측(지지체(1)로부터 떨어져 면하는)에 가해져, 튜브형 다이(8)에서 생성되고 웨이퍼형 물품(2)과 지지체(1) 사이에서 흘러나오는 가스에 의해 웨이퍼형 물품(2)의 주변을 둘러싸는 엣지(16)로부터 대량으로 또는 완전히 제거되어, 상기 처리물은 상기 물품의 밑면에 도달할 수 없게 된다. 약간의 처리물이 축받이(10) 영역에 근사적으로 도달할 때까지 그의 밑면(17)상에 웨이퍼형 물품(2)의 주변을 둘러싸는 엣지(16) 주변에 흐른다. 따라서, 지지체(1)를 향하여 면하는 웨이퍼형 물품(2)의 밑면(17) 링 형상 영역이 처리물(15)에 의해서 축축하게 처리된다. 따라서 튜브형 다이(8)에서 흘러나오는 가스의 흐름은 물품(2)의 밑면 보다 안쪽으로의 처리물(15) 이동을 방지하고 이는 튜브형 다이(8)로부터의 가스의 흐름이 축받이(10)로부터 안쪽으로 방사상 위치된 영역 쪽으로 스며드는 것을 차단하는 역할을 하기 때문이다.
도 3에 나타낸 것처럼, 본 발명에 의해서 제공된 축받이(10)는 또한 웨이퍼형 물품(2)이 페그에 의해서 측면적으로 보호될 수 있는 것이 아니라, 예를 들어서 지지체의 링 형상의 돌출부에 대해 보호되는 지지체에 사용될 수 있다. 그러한 지지체는, 예를 들어 US 5 492 566 A로부터 공지되었다.
본 발명을 따른 지지체(1)에 대해, 지지체(베르누이 원리/페그(핀)/가해진 압력 상태)에서 웨이퍼형 물품(2)이 어떻게 보호되느냐는 별로 중요하지 않다. 왜냐면, 처리물(15)이 지지체(1)를 향해 면하는 웨이퍼형 물품(2)의 표면(17) 상 주변을 둘러싸는 엣지(16) 및 링 형상 영역을 젖시는 본 발명을 따른 효과는, 축받이(10)와 링 형상 다이(8)에서 나오는 가스만이 중요하기 때문이다.
본 발명의 실시예는 다음으로 요약할 수 있다 :
웨이퍼형 물품(2)용 지지체(1)의 경우, 웨이퍼형 물품(2)을 향하여 면하는 그의 표면에는 압축 가스를 방출하는 링 형상 다이(8)를 갖고, 원형 축받이(10)가 링 형상 다이(8)로부터 외측 상에 방사상으로 위치된다. 물품(2)의 상부 측에 가해진 처리 유체(15)는, 축받이(10)를 갖는 지지체를 보호하고 상기 물품의 밑면(17) 상에 물품(2)의 주변을 둘러싸는 엣지(16) 근처로 흐르고 처리물이 튜브형 다이(8)에서 발생하는 가스에 의해 외부를 향해 방사상으로 제거될 때까지 축받이(10)의 방사상 외측에 위치된 물품(2)의 밑면(17) 영역이 젖어 든다. 이는 처리 유체(15)가 물품(2)의 주변을 둘러싸는 엣지(16)에 만이 아니라, 링 형상 영역에서 지지체(1)를 향하여 면하는 웨이퍼형 물품(2)의 밑면(17)의 링 형상 영역 및 그의 영향이 미칠 수 있는 곳에까지 도달할 수 있는 장점을 제공한다.

Claims (5)

  1. 보유될 물품(2) 쪽으로 향하는 표면(3,5)을 구비하고 압축 가스로 채워진 링 형상 노즐(8)이 지지체(1)의 축과 동심원상으로 제공된 웨이퍼형 물품(2)용 지지체로서, 외측 방향으로 경사진 원형 축받이(10)가 링 형상 다이(8)에 대해 동심원상으로 배열되어 있고, 웨이퍼형 물품(2)을 향하여 면하는 지지체(1)의 표면(5)이 링 형상 다이(8)의 방사상 외측으로 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 물품용 지지체.
  2. 제 1 항에 있어서, 웨이퍼형 물품(2) 쪽으로 면하고 축받이(10)의 외측에 배치된 지지체(1)의 표면(5) 부분이 축받이(10)의 내측에 위치된 지지체 표면(5) 부분보다 웨이퍼형 물품(2)으로부터 더 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 물품용 지지체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 웨이퍼형 물품을 향하여 면하는 표면(5)과 방사상 외측으로 향하는 축받이(10)의 프론트(13) 사이의 트랜지션(11)이 둥글게 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 물품용 지지체.
  4. 제 3 항에 있어서, 트랜지션(11)이 점차적으로 축받이(10)의 방사상 외측으로 향하는 프론트(13)에 대해 반경이 작아지도록 설계된 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 물품용 지지체.
  5. 제 1항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 방사상 외측으로 향하는 축받이(10)의 표면(13)과, 웨이퍼형 물품(2)을 향하여 면하고 축받이(10)의 외측에 위치하는 지지체(1)의 표면(5) 부분 사이의 트랜지션(12)이 예리한 엣지부를 갖도록 설계되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 물품용 지지체.
KR1019970060329A 1996-11-20 1997-11-17 웨이퍼형 물체용 지지체 KR100499833B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT2024/96 1996-11-20
AT0202496A AT407312B (de) 1996-11-20 1996-11-20 Rotierbarer träger für kreisrunde, scheibenförmige gegenstände, insbesondere halbleiterwafer oder -substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980042486A true KR19980042486A (ko) 1998-08-17
KR100499833B1 KR100499833B1 (ko) 2005-09-08

Family

ID=3526166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970060329A KR100499833B1 (ko) 1996-11-20 1997-11-17 웨이퍼형 물체용 지지체

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5896877A (ko)
EP (1) EP0844646B1 (ko)
JP (1) JP3995322B2 (ko)
KR (1) KR100499833B1 (ko)
AT (2) AT407312B (ko)
DE (1) DE59711912D1 (ko)
TW (1) TW451387B (ko)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US20050020001A1 (en) * 1998-03-13 2005-01-27 Brian Aegerter Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
DE19854743A1 (de) * 1998-11-27 2000-06-08 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe
DE19901291C2 (de) * 1999-01-15 2002-04-18 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes
EP1052682B1 (de) * 1999-04-28 2002-01-09 SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
US6203661B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-20 Trusi Technologies, Llc Brim and gas escape for non-contact wafer holder
US6398823B1 (en) 1999-12-07 2002-06-04 Tru-Si Technologies, Inc. Dynamic break for non-contact wafer holder
TW507312B (en) * 2000-02-04 2002-10-21 Philips Electron Optics Bv Particle-optical apparatus, and object carrier therefor
SG118063A1 (en) * 2000-02-11 2006-01-27 Sez Ag A device for an etch treatment of a disk-like object
ATE417356T1 (de) * 2000-10-31 2008-12-15 Sez Ag Vorrichtung zur flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen gegenständen
US6669808B2 (en) 2001-03-22 2003-12-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP1451907A4 (en) * 2001-06-13 2007-05-09 Orbotech Ltd MULTI-RAY MICRO-PROCESSING SYSTEM AND METHOD
DE10134988C2 (de) * 2001-07-18 2003-08-07 Infineon Technologies Ag Aufnahmeteller für einen Wafer und Wafer-Hebevorrichtung
US6689418B2 (en) 2001-08-03 2004-02-10 Applied Materials Inc. Apparatus for wafer rinse and clean and edge etching
US6708701B2 (en) 2001-10-16 2004-03-23 Applied Materials Inc. Capillary ring
US6786996B2 (en) 2001-10-16 2004-09-07 Applied Materials Inc. Apparatus and method for edge bead removal
JP4018958B2 (ja) 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
AT411335B (de) * 2002-03-06 2003-12-29 Sez Ag Verfahren zum nassbehandeln von scheibenförmigen gegenständen
US6908567B2 (en) * 2002-07-30 2005-06-21 Applied Materials Israel, Ltd. Contaminant removal by laser-accelerated fluid
DE10247051A1 (de) * 2002-10-09 2004-04-22 Polymer Latex Gmbh & Co Kg Latex und Verfahren zu seiner Herstellung
US20040206304A1 (en) * 2003-04-15 2004-10-21 Menear John Edgar Pressurized chuck for controlling backside wafer contamination
US7001827B2 (en) * 2003-04-15 2006-02-21 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer front side protection
US7100954B2 (en) * 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
JP4312001B2 (ja) * 2003-07-28 2009-08-12 リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 基板支持装置および基板取り外し方法
DE20318462U1 (de) * 2003-11-26 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Anordnung elektronischer Halbleiterbauelemente auf einem Trägersystem zur Behandlung der Halbleiterbauelemente mit einem flüssigen Medium
US20060046499A1 (en) * 2004-08-20 2006-03-02 Dolechek Kert L Apparatus for use in thinning a semiconductor workpiece
US7288489B2 (en) * 2004-08-20 2007-10-30 Semitool, Inc. Process for thinning a semiconductor workpiece
US7354649B2 (en) 2004-08-20 2008-04-08 Semitool, Inc. Semiconductor workpiece
US20060040111A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Dolechek Kert L Process chamber and system for thinning a semiconductor workpiece
US7193295B2 (en) * 2004-08-20 2007-03-20 Semitool, Inc. Process and apparatus for thinning a semiconductor workpiece
JP5013400B2 (ja) * 2006-09-29 2012-08-29 国立大学法人東北大学 塗布膜コーティング装置
JP4954795B2 (ja) * 2007-05-31 2012-06-20 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の保持装置及び基板の処理方法
DE102008037364A1 (de) 2008-08-12 2010-03-04 Suss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zur Behandlung der Oberfläche eines Substrats durch Auftragen und Abschleudern einer Behandlungsflüssigkeit
DE102008062343B4 (de) * 2008-12-15 2013-05-29 Festo Ag & Co. Kg Nach dem Bernoulli-Prinzip arbeitender Sauggreifer
JP5513432B2 (ja) * 2011-03-31 2014-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置及び基板周縁処理方法
JP5341939B2 (ja) * 2011-03-31 2013-11-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
JP6158737B2 (ja) * 2014-03-31 2017-07-05 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TWI797121B (zh) 2017-04-25 2023-04-01 美商維克儀器公司 半導體晶圓製程腔體
JP2023141513A (ja) * 2022-03-24 2023-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4603466A (en) * 1984-02-17 1986-08-05 Gca Corporation Wafer chuck
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5447570A (en) * 1990-04-23 1995-09-05 Genus, Inc. Purge gas in wafer coating area selection
JP2981795B2 (ja) * 1991-10-24 1999-11-22 東京エレクトロン株式会社 静電チャック
EP0611273B1 (de) * 1993-02-08 1998-09-16 SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG Träger für scheibenförmige Gegenstände
ATE174155T1 (de) * 1993-02-08 1998-12-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige gegenstände
AT639U1 (de) * 1993-02-08 1996-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger nach dem bernoulli-prinzip für scheibenförmige gegenstände, insbesondere siliziumscheiben

Also Published As

Publication number Publication date
EP0844646A2 (de) 1998-05-27
EP0844646A3 (de) 1998-08-05
DE59711912D1 (de) 2004-10-21
EP0844646B1 (de) 2004-09-15
ATA202496A (de) 2000-06-15
US5896877A (en) 1999-04-27
AT407312B (de) 2001-02-26
ATE276585T1 (de) 2004-10-15
KR100499833B1 (ko) 2005-09-08
JPH10237678A (ja) 1998-09-08
JP3995322B2 (ja) 2007-10-24
TW451387B (en) 2001-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980042486A (ko) 웨이퍼형 물품용 지지체
KR100675260B1 (ko) 웨이퍼형 물품의 액체 처리 장치 및 방법
JP6255052B2 (ja) ウエハ形状物品の液体処理のための装置およびプロセス
US5725718A (en) Clamp ring for domed heated pedestal in wafer processing chamber
DE3889672D1 (de) Vorrichtung zum Behandeln scheibenförmiger Gegenstände.
US5725663A (en) Apparatus for control of contamination in spin systems
KR19980080628A (ko) 디스크형 물품의 일면 처리 방법 및 장치
KR19990028903A (ko) 웨이퍼 형상의 물품, 특히 실리콘 웨이퍼용 지지체
KR20030097471A (ko) 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 스테이션
US4600463A (en) Treatment basin for semiconductor material
KR102326637B1 (ko) 그 가장자리 영역에서 지지되는 기판의 변형을 방지하는 방법 및 장치
CA2347295A1 (en) Holding device for semiconductor wafers
KR20230117238A (ko) 기판 지지 장치
JP2017005195A (ja) 基板処理装置
TWI857202B (zh) 基板支撐裝置
KR0132640Y1 (ko) 진공 웨이퍼 척

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130620

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140612

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150609

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160616

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170615

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term