KR19980039934A - 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법 - Google Patents
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Abstract
이온 빔의 정렬정도를 개선시킨 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법에 관한 것이다.
본 발명은, 투과전자현미경의 시료를 소정의 각도로 밀링하기 위하여 이온 빔을 이용하는 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법에 있어서, 상기 투과전자현미경의 시료와 동일한 크기를 가지는 형광판을 이용하여 상기 형광판의 형광정도로 상기 이온 빔의 포커스를 정렬시킨 후 상기 시료를 밀링하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 정확하게 이온 빔의 포커스를 정렬시켜 시료를 제작함으로써 투과전자현미경을 이용한 분석 및 검증의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope ; TEM)의 시료제작시 형광판을 이용하여 이온 빔(Ion Beam)의 정렬정도를 개선시킨 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법에 관한 것이다.
최근의 반도체장치는 고밀도화, 고집적화되어감에 따라 그에 따른 제조공정 또한 복잡화, 미세화되어가고 있다.
따라서 복잡화, 미세화되어가는 제조공정의 개발을 위해서 분석 및 검증에 많은 투자와 노력을 기울이고 있다.
이러한 분석 및 검증에는 주로 시료를 제작하여 이용하는 것이 일반적이고, 분석 및 검증을 위한 설비 중 투과전자현미경은 그 직경이 3mm 내외의 시료를 제작하여 사용하고 있다.
그리고 투과전자현미경의 시료는 그 중심부에 약 20μm 내지 30μm 정도의 홀(Hole)을 소정의 각도로 가공형성하여 이용하는 것으로, 주로 이온 빔을 이용한 밀링(Milling)작업으로 그 가공이 이루어진다.
종래에는 밀링을 수행하기 위하여 이온 빔의 포커스(Focus)를 정렬시킬 때 먼저, 홀더(Holder)에 시료를 로딩(Loading)시킨 후 이온 빔을 정렬하였거나, 또는 시료가 놓이지 않은 홀더를 이용하여 정렬을 수행한 후 시료를 로딩시켰다.
여기서 정렬을 위한 이온 빔은 육안으로 확인하기 어려웠기 때문에 0.1mm의 오차정도로 시료의 중심부에 정렬시키기 어려웠다.
그래서 이러한 정렬은 작업자의 숙련도에 의존하여 공정을 수행하였고, 그리 인해 많은 정렬 미스(Miss)가 발생하였다.
따라서 종래의 투과전자현미경의 시료제작에서 그 정렬의 어려움으로 인해 공정수행시 시료를 이용한 분석 및 검증의 신뢰도를 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 정확한 이온 빔 포커스의 정렬을 통한 시료의 제작으로 투과전자현미경을 이용한 분석 및 검증의 신뢰도를 향상시키기 위한 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법을 제공하는 데 있다.
도1은 본 발명에 따른 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법의 실시예를 나타내는 모식도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 홀더 12 : 이온 빔
14 : 이온 건 16 : 형광판
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법은, 투과전자현미경의 시료를 소정의 각도로 밀링하기 위하여 이온 빔을 이용하는 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법에 있어서, 상기 투과전자현미경의 시료와 동일한 크기를 가지는 형광판을 이용하여 상기 형광판의 형광정도로 상기 이온 빔의 포커스를 정렬시킨 후 상기 시료를 밀링하여 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1은 본 발명에 따른 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법의 실시예를 나타내는 모식도이다.
먼저, 시료가 놓이는 홀더(10) 및 이온 빔(12)을 주사하여 시료를 소정의 각도로 가공하는 이온 건(14)이 구비된다.
그리고 본 발명은 이온 건(14)에서 주사되는 이온 빔(12)의 포커스를 정렬시키기 위하여 시료와 동일한 크기를 가지는 형광판(16)을 이용한다.
여기서 형광판(16)은 시료의 크기정도에 따라 달라질 수 있으나, 실시예는 직경 3mm, 두께 250μm의 크기로 형성하여 이용한다.
이렇게 형성되는 형광판(16)을 이용한 이온 빔(12) 포커스의 정렬은 먼저, 홀더(10)에 형광판(16)을 올려 놓고 이온 건(14)에서 주사되는 이온 빔(12)의 포커스를 정렬시킨다.
여기서 형광판(16)이 이온 빔(12)을 받으면 그 모양대로 형광판(16)이 밝아지기 때문에 이온 빔(12) 포커스의 프로파일(Profile)과 정확한 정렬이 이루어진다.
그리고 이온 빔(12)의 포커스를 정확하게 정렬시킨 후 시료를 로딩시켜 밀링작업을 수행하면 된다.
본 발명은 형광판(16)이 이온 빔(12)에 의해 반사되는 정도를 이용하여 이온 빔(12)의 포커스를 정렬시킨 것으로, 초보자도 그 정렬작업을 정확하게 수행할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 정확하게 이온 빔의 포커스를 정렬시켜 시료를 제작함으로써 투과전자현미경을 이용한 분석 및 검증의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (1)
- 투과전자현미경(TEM)의 시료를 소정의 각도로 밀링(Milling)하기 위하여 이온 빔(Ion Beam)을 이용하는 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법에 있어서,상기 투과전자현미경의 시료와 동일한 크기를 가지는 형광판을 이용하여 상기 형광판의 형광정도로 상기 이온 빔의 포커스(Focus)를 정렬시킨 후 상기 시료를 밀링하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960059052A KR19980039934A (ko) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960059052A KR19980039934A (ko) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980039934A true KR19980039934A (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=66483576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960059052A KR19980039934A (ko) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 반도체 투과전자현미경의 시료제작방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980039934A (ko) |
-
1996
- 1996-11-28 KR KR1019960059052A patent/KR19980039934A/ko not_active Application Discontinuation
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