KR19980040768A - 투과전자현미경(tem) 분석시료 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
집속 이온 빔(Focused Ion Beam: 이하 'FIB'라 함) 분석을 종료한 시료를 재가공하여 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope: 이하 'TEM'이라 함) 분석을 수행하기 위한 시료로 제작하는 투과전자현미경 분석시료 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 이온 집속 빔 분석을 수행한 분석시료를 투과전자 현미경으로 분석가능한 분석시료로 가공하는 투과전자현미경 분석시료 제조 방법에 있어서, 상기 이온 집속 빔 분석을 수행한 분석시료의 분석부분을 금으로 코팅하는 제 1 공정, 상기 금으로 코팅된 상기 분석부분을 왁스로 채우는 제 2 공정, 상기 왁스가 채워진 분석시료를 분석부분이 드러나도록 절단하는 제 3 공정 및 상기 왁스를 제어하고 이온 집속 빔 연마 작업으로 투과전자 현미경 분석시료로 가공하는 제 4 공정을 구비하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 FIB 분석시료를 TEM 분석시료로 바로 가공하하여 이용될 수 있으므로 정확한 부분에 대한 분석이 가능하고 분석시료 제작 및 분석에 소요되는 시간이 절감되는 효과가 있다.
Description
본 발명은 투과전자현미경 분석시료 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 집속 이온 빔(Focused Ion Beam: 이하 'FIB'라 함) 분석을 종료한 시료를 재가공하여 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope: 이하 'TEM'이라 함) 분석을 수행하기 위한 시료로 제작하는 투과전자현미경 분석시료 제조 방법에 관한 것이다.
통상, 반도체 및 LCD(Liquid Crystal Display) 관련 제품에서 불량이 발생되면, 불량이 발생된 부분에 대한 프로파일(Profile)을 분석하게 되고, 프로파일 분석을 위해서 많이 이용되는 것이 FIB 분석 방법이다.
종래의 FIB 분석은 분석부분을 절단하여 시료로 제작하여 분석을 진행하였다. 그러나, FIB 분석으로 불량분에 대한 이미지가 명료하게 얻어지지 않는 경우가 종종 발생되었고, 이 경우 TEM 분석시료를 제작하여 해당 불량부분을 분석하였다.
종래에는 FIB 분석시료를 TEM 분석시료로 바로 가공하는 것이 불가능하였다. 그러므로 다시 분석부분을 절단하여 TEM 분석시료를 제조하여야 했기 때문에 분석작업이 상당히 어려웠으며, 분석부분에 대한 정확한 측정이 어려웠고 시간적인 손실이 많이 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, FIB 분석을 수행한 시료를 TEM 분석을 수행할 수 있는 분석시료로 재가공할 수 있는 투과전자현미경 분석시료 제조 방법을 제공하는 데 있다.
도1A 내지 도1E는 본 발명에 따른 투과전자현미경 분석시료 제조 방법의 실시예를 나타내는 공정도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : FIB 분석 완료된 시료 12 : FIB 분석부분
14 : 왁스 16 : TEM 분석시료
18 : 그리드
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 투과전자현미경 분석시료 제조 방법은, 이온 집속 빔 분석을 수행한 분석시료를 투과전자 현미경으로 분석가능한 분석시료로 가공하는 투과전자현미경 분석시료 제조 방법에 있어서, 상기 이온 집속 빔 분석을 수행한 분석시료의 분석부분을 금으로 코팅하는 제 1 공정, 상기 금으로 코팅된 상기 분석부분을 왁스로 채우는 제 2 공정, 상기 왁스가 채워진 분석시료를 분석부분이 드러나도록 절단하는 제 3 공정 및 상기 왁스를 제어하고 이온 집속 빔 연마 작업으로 투과전자 현미경 분석시료로 가공하는 제 4 공정을 구비하여 이루어진다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 실시예는 FIB 분석시료를 TEM 분석시료로 재가공하는 것이다.
먼저, 도1A와 같이 FIB 분석시료(10)를 소정 크기(10㎜×10㎜)로 절단하고 분석부분(12)을 금으로 코팅한다.
금으로 코팅된 분석시료(10)의 분석부분(12)은 도1B와 같이 왁스(14)로 채우고, 분석부분이 측면으로 드러나도록 도1C와 같이 소정 크기(3㎜×2㎜)로 분석시료(10)가 절단된다.
그리고, 도1D와 같이 분석부분의 왁스(14)가 아세톤으로 제거되고, 도1E와 같이 집속 이온 빔 연마가 수행되어 TEM 분석시료(16)가 제작되며, 분석시료(16)에는 도1E와 같이 그리드(18)가 부착된다.
따라서, FIB로 분석된 시료가 TEM 분석이 가능한 시료로 제조되고, 기존에 FIB 분석 포인트가 TEM 분석 방법으로 분석될 수 있다. 그러므로 정확한 부분에 대한 분석이 수행될 수 있다.
그리고, 시료를 중간단계에서 가공할 수 있으므로 처음부터 시료를 제작함에 비하여 시료제조 및 분석에 소요되는 시간이 절감될 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 FIB 분석시료를 TEM 분석시료로 바로 가공하하여 이용될 수 있으므로 정확한 부분에 대한 분석이 가능하고 분석시료 제작 및 분석에 소요되는 시간이 절감되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (1)
- 이온 집속 빔 분석을 수행한 분석시료를 투과전자 현미경으로 분석가능한 분석시료로 가공하는 투과전자현미경 분석시료 제조 방법에 있어서,상기 이온 집속 빔 분석을 수행한 분석시료의 분석부분을 금으로 코팅하는 제 1 공정;상기 금으로 코팅된 상기 분석부분을 왁스로 채우는 제 2 공정;상기 왁스가 채워진 분석시료를 분석부분이 드러나도록 절단하는 제 3 공정; 및상기 왁스를 제어하고 이온 집속 빔 연마 작업으로 투과전자 현미경 분석시료로 가공하는 제 4 공정;을 구비함을 특징으로 하는 투과전자 현미경 분석시료 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960060005A KR19980040768A (ko) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 투과전자현미경(tem) 분석시료 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960060005A KR19980040768A (ko) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 투과전자현미경(tem) 분석시료 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980040768A true KR19980040768A (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=66474971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960060005A KR19980040768A (ko) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 투과전자현미경(tem) 분석시료 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980040768A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595136B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 집속 이온 빔을 이용한 투과 전자 현미경 시편 제조 방법 |
-
1996
- 1996-11-29 KR KR1019960060005A patent/KR19980040768A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595136B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 집속 이온 빔을 이용한 투과 전자 현미경 시편 제조 방법 |
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