KR19980032868A - 전기아아크로, 레이들로 또는 턴디쉬 태핑방법 및 관련태핑장치 - Google Patents

전기아아크로, 레이들로 또는 턴디쉬 태핑방법 및 관련태핑장치 Download PDF

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파블리세빅밀로라드
티쉬켄코피터
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비안치에지오
다니엘리앤드씨.오피시네메카니케쏘시에떼퍼아찌오니
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Abstract

본 발명은 단부에서 수직인 방출구(15)와 조합된 태핑채널(14)을 하부에 포함하는 용기(13)로부터 용융된 금속을 태핑하는 방법에 관한 것으로서, 방출구(15)는 하부에서 활주하는 차단장치(19)와 조합되며, 태핑채널(14)은 벽과 조합되며 나선(18)을 갖는 전자기장치(17)와 벽냉각시스템을 포함하며, 액체금속의 마지막 태핑단계동안 활주하는 차단장치(19)가 활성화되어서 방출구(15)를 폐쇄하고 태핑채널(14)에 있는 금속을 고형화되게 함으로써 태핑채널(14)과 방출구(15)를 정렬하는 적어도 하나의 층을 형성하며 태핑단계의 개시동안 활주하는 차단장치(19)가 활성화되어서 방출구(15)를 떠나고 방출구(15)를 막고 있는 금속이 전자기 장치(17)에 의해 전류흐름특성을 변화시켜서 용융된다.
상기 방법을 달성시키며 용융 및 태핑단계의 함수로서 전류를 전자기장치에 공급하는 수단(3)을 포함하는 태핑장치가 발표되는데, 활주하는 차단장치(19)는 높은 내열성 및 내식성을 갖는 제 1 부위(23a)와 높은 열전도성을 가지고 제 1 부위(23a)에 인접위치한 제 2 부위(23b)를 포함한다.

Description

전기아아크로, 레이들로 또는 턴디쉬 태핑방법 및 관련 태핑장치
본 발명은 태핑방법 및 전기아아크로, 레이들로 또는 턴디쉬용 태핑장치에 관계한다.
본 발명은 용융 용기, 특히 전기 아아크로, 레이들로 또는 턴디쉬에 포함된 강철이나 강철합금과 같은 액체 금속을 저부 또는 측부로부터 조절된 방출시키는 분야에 적용된다.
전기아아크로, 레이들로 또는 턴디쉬의 저부상에는 적절한 차단장치 덕택에 용융 싸이클이 완료될 때 액체금속이 태핑될 수 있게 지령에 따라 개방될 수 있는 주조채널이 존재한다.
이들 장치는, 태핑채널을 폐쇄하는 기능을 하는 플러그를 보통 포함하며; 태핑채널의 단부에는 액체를 플러그요소의 표면과 분리시키는 일정량의 모래가 있다.
태핑이 수행될 때 플러그 요소가 개방되어서 모래가 태핑채널로부터 완전히 나왔다면 액체강이 로에서 아래로 흐르기 시작한다.
이러한 종류의 적용은 태핑채널이 화로 바닥에 대해 편심위치에 위치되는 로에 특히 사용된다.
이러한 위치 때문에 로의 기능에 문제가 종종 발생되어서 비용을 증가시키며 태핑영역 주변 작업자의 위험이 증대된다.
첫 번째 결점은 액체금속이 종종 태핑채널 내부의 모래를 침투하여서 거기에 응고되거나 채널벽에 부착한다는 것이다.
이것은 태핑채널을 자유롭게 하기 위해서 수작업이 개입될 필요가 있게 한다.
특히, 태핑채널벽상에 생긴 고형 플러그를 용융하기 위해서 산소기류를 사용할 필요가 있을 수 있으며 이 절차는 작업자의 안전에 문제를 야기할 수 있다.
게다가, 이러한 산소기류는 기류의 영향을 받는 모든 부품의 큰 조기마모를 일으켜서 태핑단계동안 문제를 야기할 수 있으며 마모가 된 이러한 성분의 대체 또는 보수에 추가비용이 들게 한다.
이러한 종류의 장치는 태핑이 로의 측부에서 수행될 때도 사용된다.
이 경우에 당해 분야에 공지된 일부 분야에서 태핑채널을 폐쇄하기 위해 화로의 수직벽상의 면에 위치된 기계적 병진장치로 구성된 액체금속흐름 차단장치가 사용된다.
태핑채널의 축은 수평위치로 위치된다.
이 기계장치는 냉각되지 않으며 액체금속 통과구멍을 가지는 플레이트로 구성된다.
장치의 병진운동은 액체금속의 차단을 통해서만 일어나고 이후에 로는 액체금속과 태핑장치간의 접촉을 방지하기에 충분한 각도만큼 반대방향으로 회전된다.
비록 모래의 부재가 상기 결점 발생을 방지할지라도 이러한 태핑시스템은 높은 에너지 소모, 로가 회전될 수 있도록 제조 싸이클 시간의 증가 및 성분의 높은 마모와 같은 상당한 결점을 가진다.
GB-A-440.859 는 이미 완성된 주조몰드 내부에서 점차로 감소되는 속도로 액체금속을 주조하는 로를 발표한다.
상기 문헌에서 태핑구멍은 액체금속조의 준비단계동안 금속플러그에 의해 폐쇄된다. 이후에 금속이 태핑될 수 있도록 유도코일을 수단으로 플러그가 용융된다.
상기 문헌에서 사전제조된 플러그 사용이 제시되지만 기계화된 폐쇄시스템 사용을 제시하지 않는다.
FR-A-1.527.380 및 JP-A-63-063566 은 고형스킨을 주조노즐이 통과하는 로의 내벽과 접촉유지시킴으로써 주조노즐을 보존하는 것을 발표한다.
유도가열장치가 스킨의 두께를 조절하고 통과하는 용융금속을 고온으로 유지시키기 위해 포함된다.
결과의 장치는 태핑 단계동안만 유용하다.
EP-A-0.234.572 는 활주밸브가 조합된 FR-A-1.527.380 과 동일하다. EP-A-0.234.572 에 따르면 활주밸브와 연결되는 금속부분의 고형화는 바람직하지 않으므로 태핑단계동안만 유용하다.
공지 문헌은 태핑구멍 폐쇄 방법과 태핑단계 끝무렵과 태핑단계 개시동안 폐쇄를 자동제어하는 방법을 제시하지 않는다.
본 발명의 목적은 자동화된 차단 시스템을 달성하여 로를 이동 또는 회전시킬 필요없이 고신뢰성 기계장치를 수단으로 액체금속을 차단할 수 있는 전기아아크로, 레이들로 또는 턴디쉬에 있는 액체 금속 태핑방법 및 관련장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 수직축을 가지며 중앙위치에서 또는 편심위치에서 또는 벽상의 면에서 용융금속용기 바닥에 위치된 태핑채널을 갖는 전기아아크로, 레이들로 및 턴디쉬에 적용된다.
도 1 은 용융단계에 있는 본 발명에 따른 태핑장치를 보여준다.
도 2 는 태핑단계에 있는 도 1 장치를 보여준다.
도 3 은 본 발명에 따른 태핑장치의 일례를 보여준다.
도 4a, 도 4b, 도 4c 및 도 4d 는 본 발명에 따른 차단장치의 작업 싸이클을 보여준다.
* 부호 설명
10...태핑장치 11...액체금속
12...바닥 13...용기
14...태핑채널 15...방출구
16...챔버 17...전자기장치
18...나선 19...차단장치
21, 121...고형화된 금속 22...차단요소
23a...제 1 부위 23b...제 2 부위
24...지지요소 25...보호층
26...방향 27...내화재
28...결정화기 시스템 29...중공 모듈 요소
30...전기 및 열절연층 31...냉각액
33...안전챔버 34...내화벽돌
35...금속벽 36...채널
37...절취된 원추
본 발명에 따르면 태핑채널은 수직축을 갖는 원통형이며 보호 내화재로 둘러싸인다.
본 발명의 한 구체예에서 태핑채널은 저부를 향해 넓어져서 태핑단계동안 액체금속이 벽과 접촉할 가능성을 방지하거나 적어도 제한한다.
이러한 확장은 저부를 향해 수렴하는 0 내지 15°의 기울기를 가진 절단된 원추형 세그멘트에 의해 이어진다.
태핑채널의 하부에는 태핑채널벽과 접촉하는 금속층을 고형화시키기 위해서 냉각액이 순환되는 냉각수단이 존재한다.
본 발명의 한 구체예에서 태핑채널의 하부는 내화재로 구성된다.
또다른 예에 따르면 하부는 세라믹재로 구성된다.
또다른 예에 따르면 하부는 높은 내열성 및 내마모성을 갖는 복합금속으로 구성된다.
본 발명에 따르면 태핑채널 외부에 태핑채널과 동축으로 위치된 권선으로 구성된 전자기 장치가 존재한다.
권선에 주입된 전류의 세기 및 주파수는 가변적이며 다양한 용융공정의 단계에 따라 제어된다.
전류조절가능성은 태핑채널에서 고형금속두께 성장의 제어를 가능하게 하며 태핑채널 내부에서 전자기 작용의 세기 및 크기를 조절할 수 있게 한다.
이러한 전자기 작용은 태핑채널 내부에서 액체금속의 재혼합을 일으키거나 액체금속을 차단하는 장치와 관련된 고형화된 금속을 필요에 따라 충분히 용융시키는 주울(Joule)효과를 일으킬 수 있다.
본 발명의 한 구체예에 따르면 태핑채널의 단부는 구리로 제조되며 순환냉각액 시스템에 의해 냉각되며 열 및 전기 절연 재료에 의해 내부가 라이닝된 결정화기 시스템으로 구성된다.
이러한 절연층은 구리벽과 태핑채널에 포함된 액체금속간의 전기적 접촉을 방지한다.
구리벽 외부에 위치된 권선은 구리에 전류를 유도하여 액체 금속에 전류를 교대로 유도하여서 태핑채널 내부의 금속상에 주울효과를 증가시킨다.
유도전류와 구리벽을 가진 냉각시스템 때문에 태핑채널 내 금속은 태핑채널 중앙부위에서 액체 또는 준액체상태로 유지하며 변두리 지역에서는 고형화하는 경향이 있다.
변두리 지역에서 단단하고 저항성인 고형화층이 생성되어서 구리벽을 라이닝하고 용융단계동안 정적일 경우와 태핑단계동안 이동중일때에 구리벽이 높은 금속온도로 인해 부식되는 것을 방지한다.
또다른 경우에 따르면 액체금속내부에 전류 유도는 냉각 시스템이 태핑채널벽 두께로 제조된 채널 내부에 위치되기 때문에 태핑채널 금속벽으로 부터 직접 획득된다.
따라서 일련의 인접 코일을 갖는 구성이 가능하다.
한 변형예에 따르면, 태핑 채널 벽 외부상에 위치된 전자기장을 강하게 하기 위해서 상자성 플레이트가 존재한다.
태핑채널벽 내부상에 절기절연재가 라이닝된다.
그러므로 전자기 장치와 냉각시스템의 조합작용은 태핑채널벽을 보호하는 고형화된 금속 외부층을 형성시키며 중앙 부위에서는 유도전류에 의해 생긴 주울효과에 의해 금속이 액체 또는 준액체 상태로 유지된다.
본 발명에 따른 태핑장치는 하부에 액체금속흐름을 차단시키는 장치를 포함하여서 고형화된 금속층이 그 위에 형성되게 한다.
본 발명의 한 구체예에서 이러한 차단장치는 적어도 두 부분으로 구성되는데, 하나는 다른 하나의 측부에 위치되며 높은 내열성을 가져 초기단계동안 액체금속의 흐름을 차단하는 역할을 하며 냉각되는 다른 부분은 차단장치 위의 고형화된 금속부분을 조절하는 역할을 한다.
본 발명에 따르면 차단장치의 제 1 부위는 고내열성이며 고내식성인 재료로 만든 적어도 하나의 플레이트를 포함한다.
자체 냉각 시스템이 없는 상태에서 이러한 플레이트 제조에 적합한 물질은 알루미나(Al2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 알루미늄 붕소화물(AlB2), 질화 알루미늄(AlN), 알루미늄, 붕소 질화물(AlBN2), 지르코늄 붕소화물(ZrB2), 및 열차단제로서 사용된 물질이다.
이러한 플레이트의 기능은 액체금속의 초기흐름에 의해 야기된 열쇼크 및 부식에 대한 저항성을 부여하는 것이다.
본 발명의 한 구체예에서 플레이트는 높은 내열성 및 기계적 성질을 가지는 하나이상의 층이 라이닝된 지지금속요소로 제조된다.
한 변형예에 따르면 하나이상의 층은 겉보기 총열전도성을 감소시키며 변형성을 증가시키기에 적합한 슬롯이나 노치를 가진다.
강철흐름이 태핑구멍이 닫힘으로써 차단되었다면 차단장치는 병진운동하여 태핑구멍과 교류하는 제 2 부위로 이동한다. 제 2 부위는 냉매시스템이 존재한다면 더 높은 열전도성을 가진다.
본 발명의 한 구체예에서 제 2 부위의 표면은 높은 내열성 및 내식성을 갖는 재료층으로 라이닝된다.
본 발명의 한 구체예에서, 높은 열전도성을 갖는 부위의 표면은 슬롯 또는 노치를 포함하고 고체 강철이 부착될 수 없는 재료로 라이닝된다.
이러한 라이닝은 질화붕소나 붕소, 알루미늄 질화물과 같은 부드럽고 저항성 있는 분말로 제조될 수 있다.
라이닝재의 열팽창은 액체금속과 냉각된 플레이트의 하부 고형부분간에 분리를 일으키며; 이러한 분리는 금속이 차단장치상에 직접 용접되는 것을 방지하여 자유롭고 독립적으로 움직이며 마모가 방지된다.
차단장치 위에 형성된 고체층의 기능은 플레이트를 향한 열흐름을 크게 감소시켜서 고형화에 의해 야기된 재료의 수축을 촉진하는 것이다.
고형화된 금속의 두께가 매우 단단하고 마찰을 일으키기 쉬운 결정구조를 갖기전에 차단장치는 고체금속으로부터 떨어지도록 다시 변위된다.
본 발명의 한 구체예에서 차단장치는 수직으로 변위되어 수밀리미터 거리로 유지되며 금속플러그 아래에 생긴 공기층에 의해 또다른 내열성을 도입한다.
차단장치의 이러한 위치는 주로 안전을 위해 유지되며 지지기능은 주로 고형화된 강철로 구성된다.
다음 단계에서, 차단장치는 더 높은 내열성을 갖는 부분이 태핑홀에 대응하도록 위치된다.
이것은 로내부로 부터의 에너지 손실을 제한하며 로내부를 향한 고형화된 금속전방의 진행을 방지하며 태핑채널벽과 교류하게 위치된 전자기 장치의 작용을 촉진한다.
태핑채널 중앙부위의 금속을 액체상태로 유지하며 확산되는 고형화를 막으며 교반작용동안 온도를 균일하게 유지시키는 것을 별도로 하더라도 전자기 장치는 채널벽을 따라 최종단계에서도 사용되어 차단장치와 교류하여 형성된 고형 금속플러를 적어도 부분적으로 용융한다.
이것은 적절한 방식으로 전류의 세기 및 주파수 수준을 변화시켜서 가능한 가장 단시간에 태핑구멍이 개방되게 함으로써 획득된다.
본 발명에 따른 액체금속(11) 태핑장치(10)가 전기아아크로, 레이들로 또는 턴디쉬와 같은 용기(13)의 바닥(12)상에 적용된다.
용기(13)는 하부에 외부 보호 내화재(27)로 라이닝된 태핑채널(14)을 가지는데, 이것은 저부에서 방출구(15)에서 종료된다.
한 변형예에 따르면 외부보호 내화재(27)는 상자성 재료로 제조된다.
저부의 표준 부품 외부에 강철 보호라이닝이 로(10)의 내화벽돌(34)에 있다.
태핑채널(14)은 상부가 원통형 또는 원추형이며 중간위치에서 방출구(15)와 교류하는 더 큰 직경의 챔버(16)를 포함한다.
더 큰 직경을 갖는 챔버(16)는 고형화된 금속층(21)이 형성될 수 있게 하며 태핑채널(14)의 벽을 보호하며 벽이 부식되는 것을 방지한다; 또한 태핑단계동안 액체금속(11)과 태핑채널(14)의 벽간에 오랜 접촉을 방지하는 역할을 한다.
더 큰 직경의 챔버(16) 다음에 저부를 향해 0 내지 15°의 각도로 수렴하는 원추대(37)형 세그멘트가 있다.
태핑채널벽은 세라믹, 복합 금속재 또는 내화벽돌로 제조된 인서트로 구성되며, 그 내부에 냉각액 순환채널이 있다. 냉각액은 물, 공기, 액체금속, 혼합물 또는 또다른 물질로 구성된다.
태핑채널(14) 외부에서 이와 동축으로 전자기장치(17)가 있다.
전자기장치(17)의 나선(18)은 주입기에 의해 공급된 적절한 전류 공급을 받아서 싸이클 시작시 태핑채널(14)을 통해 용기(13)로부터 흐르기 시작하는 액체금속(11)의 흐름을 중단 및 유지시키는데 적합한 전자기장을 발생시킨다.
용융 싸이클의 시작시 전자기장치의 주기능은 태핑채널(14)의 금속을 교반할 것인지 혼합할 것인지를 결정하는 것이다.
이러한 상황에서 태핑채널(14)에 인접한 채널 내 순환하는 냉각액에 의해 수행된 냉각 작용은 액체금속(11)의 신속하고 제어된 고형화를 일으켜서 그 결과 벽에 인접한 위치에서 태핑채널(14)에 고형층(21)을 형성시킨다.
도 3 에 도시된 바와 같이 태핑채널(14)의 벽은 내부에 냉각액(31)이 흐르는 복수의 중공 모듈 요소(29)를 포함하는 결정화기 시스템(28)으로 구성된다.
나선(18)은 결정화기 시스템(28) 외부에 배열되고 냉각시스템의 방식에 따라서 전류를 모든 용융/태핑 싸이클에 상관시키는 수단(38)에 의해 제어되는 적절한 전류(I0)를 공급받는다.
결정화기 시스템(28)의 구리벽과 액체금속(11)간에는 전기 및 열절연층(30)이 있다.
결정화기 시스템(28)의 존재는 전류(I0)로 시작하여 태핑채널(14) 내부의 액체금속에 유도된 전류(I2)값을 강화시킨다.
도 1, 도 2 및 도 4a 내지 도 4d 에 도시된 구체예에서 금속벽(35)의 존재로 인해 유도가 직접 일어나는데, 상기 벽내부에는 냉각액 순환을 위해 원주 채널(36)이 있다.
방출구(15)의 하부에 방출구(15) 자체의 수직축에 대해 직각 방향으로 병진운동할 수 있는 기계적 차단요소(22)를 포함한 차단장치(19)가 있다.
이 경우에 차단장치(19)는 서로 인접한 수평의 두 부분으로 구성된다.
제 1 부위(23a)는 높은 내열성을 가지며 용융단계 시작동안 방출구(15)아래에 놓인다(도 4a). 제 1 부위(23a)의 기능은 태핑채널(14)을 통해 흐르는 액체금속에 의해 야기된 높은 열쇼크와 부식에 저항하는 것이다.
이 경우에 제 1 부위(23a)는 상부에 하나이상의 보호층(25)이 있는 지지금속요소(24)로 구성된다. 이들 보호층은 높은 내열성 및 기계적 저항성을 가지며 열전도성을 감소시킬 슬롯이나 노치를 포함한다.
제 1 강철흐름을 차단한 후에 차단장치(19)는 제 1 부위(23a)보다 큰 열전도성을 갖는 제 2 부위(23b)를 방출구(15) 아래로 위치시키는 방향(26)으로 수평으로 병진운동된다(도 4b).
이 경우에 제 2 부위(23b)는 냉각액 순환 채널(32)을 갖는 냉각 시스템을 포함한다.
냉각 시스템의 기능은 차단장치(19)위에 플러그로서 기능을 하는 고형화된 금속층(121)을 형성시켜서 고형화로 인한 금속의 수축과 함께 액체금속에 의해 전달된 열흐름을 감소시키는 것이다.
한 변형예에 따르면 고형화된 금속층(121)이 형성될 때 단단한 결정이 되기 이전에 차단장치(19)가 하향으로 변위되며; 이러한 변위의 목적은 장치(19)를 고형화된 금속(121)으로부터 분리시켜 이들이 부착하는 것을 막아 자유운동을 유지하는 것이다.
로내부로부터 외부환경으로의 에너지 손실을 감소시키기 위해서 그리고 태핑채널(14)에서 고형화된 금속(121)의 진행을 감소시키기 위해서 다음 단계는 방출구(15)아래에 차단장치(19)의 제 1 부위(23a), 즉 가장 큰 내열성을 갖는 부위를 위치시키는 것이다(도 4c).
한 변형예에 따르면 차단장치(19)는 내열성이며 용융 싸이클동안 방출구(15)와 교류하게 위치되는 제 3 부위를 포함한다. 제 3 부위는 앞선 방향과 반대방향으로 변위됨으로써 방출구 아래에 있게 되는 제 1 부위(24-25)로 구성된다.
태핑이 수행될 때 차단장치(19)는 방출구(15)와 접촉하지 않은 위치에 옮겨지고(도 2 및 도 4d) 전자기 장치(17)가 주울효과에 의해 고형화된 금속 플러그(121)의 용융을 결정하는 세기 및 주파수를 가지는 전류에 의해 활성화된다.
이것은 방출구(15)를 자유롭게 하고 태핑채널(14)을 통한 액체금속(11)의 태핑을 진행시킨다.
태핑채널(14) 벽을 한정하는 재료 외부에 비어있는 안전챔버(33)가 있다.
본 발명에 따른 장치는 불순물 없이 주조품을 획득할 수 있게 하며 싸이클 시간을 감소시켜 생산성을 높이며 최적의 유지조건, 에너지 소모감소 및 더 안전한 작업 조건을 가능하게 한다.

Claims (19)

  1. 하부에서 활주하는 차단장치(19)와 적어도 일시적으로 조합되는 수직 방출구(15)와 단부에서 조합되는 태핑채널(14)을 하부에 포함하는 전기아아크로, 레이들로, 턴디쉬 등의 용기(13)로 부터 용융금속을 태핑하는 방법에 있어서,
    태핑채널(14)이 벽과 조합된 전자기 장치(17)와 벽냉각시스템을 포함하며 액체금속 태핑단계 끝무렵에 활주하는 차단장치(19)가 활성화되어서 방출구(15)를 폐쇄시키고 태핑채널(14)의 금속을 고형화시킴으로써 태핑채널(14)과 방출구(15)를 라이닝하는 적어도 하나의 층을 형성시키며 태핑단계의 개시무렵에 차단장치(19)가 활성화되어서 방출구(15)를 자유롭게 하며 방출구(15)를 막고 있는 금속이 전류특성을 변화시킴으로써 전자기 장치에 의해 용융됨을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 태핑이 진행되지 않을 때 태핑채널(14)과 방출구(15)에서 고형화된 금속의 두께가 교반작용을 겸하는 전자기장치(17)에 의해 조절됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 앞선 청구항중 한 항에 있어서, 태핑채널(14)의 벽상에 고형화된 금속의 두께가 냉각시스템을 작동시키고 전자기 장치(17)로 공급된 전류 및 주파수에 의해 조절됨을 특징으로 하는 방법.
  4. 앞선 청구항중 한 항에 있어서, 방출구(15)가 폐쇄될 때 활주하는 차단장치(19)가 방출구(15) 내부의 용융금속과 교류하게 높은 내열성 및 내식성을 갖는 플레이트(24, 25)를 포함하는 제 1 부위(23a)를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  5. 앞선 청구항중 한 항에 있어서, 방출구(15)가 폐쇄된 직후에 활주하는 차단장치(19)가 방출구(15)와 교류하게 높은 열전도성을 갖는 제 2 부위(23b)를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  6. 앞선 청구항중 한 항에 있어서, 금속이 고형화될 때 방출구(15)와 함께 작동하는 활주하는 차단장치(19)의 부위가 방출구(15)의 전방표면으로부터 축방향으로 거리가 떨어짐을 특징으로 하는 방법.
  7. 앞선 청구항중 한 항에 있어서, 용융단계 끝무렵에 활주하는 차단장치(19)가 방출구(15)와 비접촉위치로 옮겨지고 전자기 장치(17)에 방출구(15)와 교류하여 응고된 금속(121)의 적어도 부분적인 용융을 일으키는 세기 및 주파수가 공급됨을 특징으로 하는 방법.
  8. 전기아아크로, 레이들로, 턴디쉬와 같은 용기(13)로부터 용융금속을 태핑하는 장치로서, 용기(13)는 단부에서 수직인 방출구(15)와 조합된 태핑채널(14)을 하부에 포함하며 방출구(15)는 하부에서 활주하는 차단장치(19)와 적어도 일시적으로 조합되며 태핑채널(14)은 벽과 조합된 나선(18)을 포함한 전자기 장치(17)와 벽냉각 시스템을 포함하는 태핑장치에 있어서,
    용융/태핑 단계에 따라 전자기 장치(17)에 전류를 공급하는 수단(38)을 포함하며 활주하는 차단장치(19)가 높은 내열성 및 내식성을 갖는 제 1 부위(23a)와 제 1 부위(23a)에 측부로 인접위치되며 높은 열전도성을 갖는 제 2 부위(23b)를 포함함을 특징으로 하는 태핑장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 활주하는 차단장치(19)의 높은 내열성 및 내식성을 갖는 제 1 부위(23a)가 알루미나(Al2O3), 산화 지르코늄(ZrO2), 알루미늄 붕소화물(AlB2), 질화 알루미늄(AlN), 알루미늄, 붕소 질화물(AlBN2), 및 지르코늄 붕소화물(ZrB2)과 같은 재료로 만든 라이닝을 가짐을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 8 항 또는 9 항에 있어서, 활주하는 차단장치(19)의 높은 내열성 및 내식성을 갖는 제 1 부위(23a)가 방출구(15)의 전방벽에 노치 또는 슬롯을 가짐을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 8 항 내지 10 항중 한 항에 있어서, 활주하는 차단장치(19)의 제 2 부위(23b)가 고형 강철이 부착되지 않으며 질화붕소나 알루미늄, 붕소 질화물과 같은 재료로 제조된 라이닝을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 8 항 내지 11 항중 한 항에 있어서, 태핑채널(14)이 용기(13) 바닥(12)과 방출구(15) 사이의 중간 위치에 더 큰 직경을 가진 챔버(16)를 포함함을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 8 항 내지 12 항중 한 항에 있어서, 더 큰 직경을 갖는 챔버(16) 아래에 태핑장치(14)가 0 내지 15°의 각도로 저부를 향해 수렴하는 원추대(37) 형태의 세그멘트를 포함함을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 8 항 내지 13 항중 한 항에 있어서, 태핑채널(14)의 벽이 내화벽돌 또는 세라믹재로 제조되며 벽내에 냉각액 순환채널이 포함되며 나선(18)권선이 벽의 외부에 배열됨을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 8 항 내지 13 항중 한 항에 있어서, 태핑채널(14)의 벽이 높은 전기전도성을 갖는 금속으로 제조되며 벽속에 냉각액 통과 채널을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 8 항 내지 13 항중 한 항에 있어서, 태핑채널(14)의 벽이 냉각액(31) 통과를 허용하는 중공내부를 갖는 인접한 세로금속요소(29)로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 15 항 또는 16 항에 있어서, 태핑채널(14) 내 액체금속과 금속벽의 내면간에 전기 절연층(30)이 존재함을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 8 항 내지 17 항중 한 항에 있어서, 차단장치(19)의 제 1 부위(23a)가 금속으로 제조된 하부지탱요소(24)와 높은 내열성 재료로 제조된 하나이상의 라이닝층(25)을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 8 항 내지 18 항중 한 항에 있어서, 활주하는 차단장치(19)의 제 2 부위(23b)가 냉각액 순환 수단(32)을 포함함을 특징으로 하는 장치.
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