KR19980022557A - 반도체 공정챔버의 진공장치 - Google Patents

반도체 공정챔버의 진공장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19980022557A
KR19980022557A KR1019960041738A KR19960041738A KR19980022557A KR 19980022557 A KR19980022557 A KR 19980022557A KR 1019960041738 A KR1019960041738 A KR 1019960041738A KR 19960041738 A KR19960041738 A KR 19960041738A KR 19980022557 A KR19980022557 A KR 19980022557A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
process chamber
vacuum
control valve
valve
supply valve
Prior art date
Application number
KR1019960041738A
Other languages
English (en)
Inventor
김회재
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960041738A priority Critical patent/KR19980022557A/ko
Publication of KR19980022557A publication Critical patent/KR19980022557A/ko

Links

Abstract

공급밸브(Supply Vavle) 및 조절밸브(Brooks Vavle)의 개폐가 동시에 수행되도록 하는 회로패턴으로 구성되는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)을 연결구비하여 공정시간이 단축되도록 개선시킨 반도체 공정챔버의 진공장치에 관한 것이다.
본 발명은, 공정챔버를 진공분위기로 형성하기 위하여 상기 공정챔버로 아르곤가스를 공급하는 공급밸브 및 상기 아르곤의 공급량을 조절하는 조절밸브가 구비된 반도체 공정챔버의 진공장치에 있어서, 소정의 전기력 인가에 의해 개폐동작이 수행되는 상기 공급밸브 및 조절밸브가 동시에 상기 개폐동작을 수행할 수 있는 회로패턴으로 구성되는 인쇄회로기판이 연결구비됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 진공형성을 위한 공정시간의 단축으로 생산성을 극대화시키는 효과가 있다.

Description

반도체 공정챔버의 진공장치
본 발명은 반도체 공정챔버의 진공장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공급밸브(Supply Vavle) 및 조절밸브(Brooks Vavle)의 개폐가 동시에 수행되도록 하는 회로패턴으로 구성되는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)을 연결구비하여 공정시간이 단축되도록 개선시킨 반도체 공정챔버의 진공장치에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼(Wafer) 상에 막질을 적층하는 공정 또는 웨이퍼 상의 막질을 식각하는 공정 등은 대부분 진공상태에서 공정을 수행한다.
그리고 이러한 공정수행에 적합한 진공상태를 제공하기 위해서는 진공펌프(Vaccum Pump), 가스(Gas)가 유입되는 라인(Line) 및 밸브 등이 필수적으로 구비되는 진공장치를 이용하는 것이 일반적이다.
도1은 종래의 반도체 공정챔버의 진공장치를 나타내는 구성도이다.
먼저, 공정수행시 진공펌프(10)의 펌핑(Pumping)으로 공정챔버(Process Chamber)(12)를 진공분위기로 형성하기 위하여 공정챔버(12)로 아르곤(Ar) 가스를 공급하는 공급밸브(14) 및 공급밸브(14)로 공급되는 아르곤 가스의 공급량을 조절하는 조절밸브(15)가 라인(16) 상에 구비된다.
그리고 공급밸브(14) 및 조절밸브(15)가 소정의 전기력의 인가에 의해 개폐동작이 수행되도록 공급밸브(14)에는 솔레노이드밸브(Solenoid Vavle)(18)가 조절밸브(15)에는 엠케이에스 컨트롤러(MKS Controller)(19)가 각각에 연결구비되어 개폐 및 아르곤 가스의 공급량을 조절한다.
여기서 종래에는 공정이 끝난 후 대기상태로 진행되면 소정의 전기력 인가로 솔레노이드 밸브(18)에 의해 공급밸브(14)는 클로져(Close)되고, 엠케이에스 컨트롤러(19)에 의해 조절밸브(15)는 오픈(Open)된다.
즉, 공급밸브(14)가 오픈될 때는 조절밸브(15)는 클로져되고, 공급밸브(14)가 클로져될 때는 조절밸브(15)는 오픈되는 것이다.
그래서 공급밸브(14)가 클로져되고 조절밸브(15)가 오픈되는 대기상태에서는 공급밸브(14)가 구비된 부분까지 진공상태로 형성되어서, 공정수행시 진공형성이 필요없는 부분인 공급밸브(14)와 조절밸브(15)사이의 라인(16)도 진공으로 형성되는 것이다.
여기서 공급밸브(14)와 조절밸브(15)사이를 진공으로 형성하기 위하여 펌핑하여야 하는 시간은 60분 내지 100분 정도의 시간이 필요하여 공정수행시간의 로스(Loss)가 발생하였다.
따라서 종래에는 진공형성을 위한 공정시간의 로스로 인해 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 공정시간의 단축으로 생산성을 향상시키기 위한 반도체 공정챔버의 진공장치를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체 공정챔버의 진공장치를 나타내는 구성도이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체 공정챔버의 진공장치의 실시예를 나타내는 구성도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 20 : 진공펌프 12, 22 : 공정챔버
14, 24 : 공급밸브 15, 25 : 조절밸브
16, 26 : 라인 18, 28 : 솔레노이드밸브
19, 29 : 엠케이에스 컨트롤러 30 : 인쇄회로기판
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 공정챔버의 진공장치는, 공정챔버를 진공분위기로 형성하기 위하여 상기 공정챔버로 아르곤가스를 공급하는 공급밸브 및 상기 아르곤의 공급량을 조절하는 조절밸브가 구비된 반도체 공정챔버의 진공장치에 있어서, 소정의 전기력 인가에 의해 개폐동작이 수행되는 상기 공급밸브 및 조절밸브가 동시에 상기 개폐동작을 수행할 수 있는 회로패턴으로 구성되는 인쇄회로기판이 연결구비됨을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에 따른 반도체 공정챔버의 진공장치의 실시예를 나타내는 구성도이다.
먼저, 공정수행시 진공펌프(20)의 펌핑으로 공정챔버(22)를 진공분위기로 형성하기 위하여 공정챔버(22)로 아르곤 가스를 공급하는 공급밸브(24) 및 공급밸브(24)로 공급되는 아르곤 가스의 공급량을 조절하는 조절밸브(25)가 라인(26) 상에 구비된다.
그리고 공급밸브(24) 및 조절밸브(25)가 소정의 전기력의 인가에 의해 개폐동작이 수행되도록 공급밸브(24)에는 솔레노이드밸브(28)가 조절밸브(25)에는 엠케이에스 컨트롤러(29)가 각각에 연결구비되어 아르곤 가스의 공급 및 공급량을 조절한다.
여기서 본 발명은 공급밸브(24) 및 조절밸브(25)가 동시에 개폐동작이 수행되는 회로패턴으로 구성되는 인쇄회로기판(30)이 연결구비된다.
그래서 본 발명은 공정이 수행된 후 대기상태로 진행되면 소정의 전기력 인가로 솔레노이드 밸브(28)에 의해 공급밸브(24)가 클로져되며, 엠케이에스 컨트롤러(29)에 의해 조절밸브(25)도 클로져된다.
여기서 공급밸브(24)와 조절밸브(25)가 동시에 개폐가 이루어지도록 회로패턴이 구성되는 인쇄회로기판(30)은 전기력이 인가되는 경로상에 연결구비되어 소정의 전기력 인가에 의해 동시개폐가 이루어지도록 하는 것이다.
실시예는 솔네노이드 밸브(28)에 인가되는 24V가 0V로 되면서 공급밸브가 클로져되고, 조절밸브쪽으로는 엠케이에스 컨트롤러를 통하여 인가되는 15V를 차단하여 조절밸브가 클로져된다.
또한 공급밸브(24)와 조절밸브(25)의 오픈동작은 전술한 반대의 전기력 인가로 이루어지는 것으로, 이러한 회로패턴으로 인쇄회로기판(30)을 구성하여 엠케이에스 컨트롤러(29)에서 조절밸브(25)로 전기력이 인가되는 경로상에 연결구비하여 이용한다.
그러면 대기상태에서 진공을 형성하기 위하여 펌핑을 실시할 때 조절밸브(25)가 클로져되어 있어, 진공형성이 필요없는 부분인 공급밸브(24)와 조절밸브(25)사이의 라인(26)으로는 진공으로 형성되지 않아 공정시간을 단축할 수 있다.
그래서 본 발명은 아르곤 가스를 공급하는 공급밸브(24)와 그 공급량을 조절하는 조절밸브(25)의 개폐가 동시에 이루어지도록 하여 진공형성을 위한 공정시간의 단축을 가져온다.
따라서, 본 발명에 의하면 진공형성을 위한 공정시간의 단축으로 생산성을 극대화시키는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (1)

  1. 공정챔버를 진공분위기로 형성하기 위하여 상기 공정챔버로 아르곤가스를 공급하는 공급밸브 및 상기 아르곤의 공급량을 조절하는 조절밸브가 구비된 반도체 공정챔버의 진공장치에 있어서,
    소정의 전기력 인가에 의해 개폐동작이 수행되는 상기 공급밸브 및 조절밸브가 동시에 상기 개폐동작을 수행할 수 있는 회로패턴으로 구성되는 인쇄회로기판이 연결구비됨을 특징으로 하는 반도체 공정챔버의 진공장치.
KR1019960041738A 1996-09-23 1996-09-23 반도체 공정챔버의 진공장치 KR19980022557A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960041738A KR19980022557A (ko) 1996-09-23 1996-09-23 반도체 공정챔버의 진공장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960041738A KR19980022557A (ko) 1996-09-23 1996-09-23 반도체 공정챔버의 진공장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980022557A true KR19980022557A (ko) 1998-07-06

Family

ID=66520757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960041738A KR19980022557A (ko) 1996-09-23 1996-09-23 반도체 공정챔버의 진공장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19980022557A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1999067527A3 (de) Verfahren und anordnung zum steuern eines kapazitiven aktors
KR19980022557A (ko) 반도체 공정챔버의 진공장치
CN109962002B (zh) 半导体干式蚀刻机台及其工艺流程
KR19990039091U (ko) 반도체 웨이퍼 식각장비의 웨이퍼 냉각용 가스압력 제어장치
US7025895B2 (en) Plasma processing apparatus and method
JPH0831369A (ja) ガス供給装置
KR19980016560A (ko) 반도체 공정챔버용 진공장치
JP2715134B2 (ja) 処理方法
KR102080115B1 (ko) 기판처리장치의 제어방법
KR100619581B1 (ko) 플라즈마 공정챔버의 정전기제거장치
US20040025790A1 (en) Apparatus for supplying cooling gas in semiconductor device manufacturing equipment
JPH1015378A (ja) 真空処理室の調圧方法
KR100846995B1 (ko) 반도체 소자 제조용 스트립퍼의 도어 시스템
JP2002249876A (ja) 真空排気方法および真空装置
KR200167738Y1 (ko) 반도체 이온주입설비의 진공조절장치
KR20050023979A (ko) 헬륨 순환 시스템
KR20060120324A (ko) 반도체 제조장비의 멀티챔버 장치
KR100239710B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 산화막 제거장치
KR100237823B1 (ko) 반도체 공정챔버로의 냉각용 헬륨가스 공급 장치
JP2000311883A (ja) ドライエッチング方法
JP4449231B2 (ja) ドライエッチング方法
KR950009249Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치
KR19980050055U (ko) 웨이퍼 세정액 공급장치
JPH06256948A (ja) 真空処理装置
KR100213448B1 (ko) 반도체 제조시스템의 에어 공급장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination