KR950009249Y1 - 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치 Download PDF

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KR950009249Y1 KR2019930004219U KR930004219U KR950009249Y1 KR 950009249 Y1 KR950009249 Y1 KR 950009249Y1 KR 2019930004219 U KR2019930004219 U KR 2019930004219U KR 930004219 U KR930004219 U KR 930004219U KR 950009249 Y1 KR950009249 Y1 KR 950009249Y1
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치
제 1 도는 종래 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치 구조도.
제 2 도는 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치의 구조도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 진공시스템 2 : 제2밸브
3 : 클램프 4 : 웨이퍼 지지대
5 : 유량 조절계 6 :제2밸브
7 : 제1밸브 8 : 진공펌프
9,9' : 배관 10 : 가스 실린더
11 : 가스 조절부 12 : 제3밸브
본 고안은 반도체 웨이퍼 후면에 가스를 공급하는 반도체 제조장치에 사용되는 후면가스 주입장치에 관한것으로, 특히 낮은 웨이퍼 파손 및 파티클(Particle)발생 억제에 적당하도록 한 반도체 후면가스 주입장치에 관한 것이다.
일반적으로 사용되는 종래 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치의 구조는 제1도에 도시된 바와같이 진공 시스템(1) 내부에 웨이퍼(2)가 클램프(3)에 의해 고정되어 안착되는 웨이퍼 지지대(4)의 중앙부에는 웨이퍼(2) 후면에 가스를 주입하기 위한 배관(9)이 설치되어 있으며, 상기 배관(9)에는 유입되는 가스를 단계적으로 제어하기 위한 제1및 제2밸브(7)(6)와 상기 제1및 제2밸브(7)(6)사이에는 유량조절계(5)가 부착되어 있는 가스 조절부(11)가 설치되어 웨이퍼(2)의 후면에 공급되는 가스의 유입량을 조절하도록 되어있다.
상기와 같은 종래 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치는 진공시스템(1) 내부로 웨이퍼(2)가 반입되면, 상기웨이퍼(2)는 웨이퍼 지지대(4)위에 놓이게되고, 이때 클램프(3)가 하강하여 웨이퍼(2)를 고정 시키게 된다.
이러한 상태에서 가스조절부(11)의 제1및 제2밸브(7)(6)가 열리고, 가스는 가스실린더(10)에서 유량조절계(5)를 통해 조절된 양만큼 웨이퍼(2) 후면으로 공급된다. 따라서 유입된 가스는 웨이퍼(2) 후면을 거쳐 클램프(3)와 웨이퍼 지지대(4)간의 간격등으로 유출되어 진공시스템(1)으로 유입된 진공펌프(8)에 의해 외부에 유출된다.
이후 소정 시간이 경과하여 작업이 끝나면 제1및 제2밸브(7)(6)가 닫히고, 클램프(3)는 위로 상승되어 웨이퍼 (2) 를 반출한다.
이때 제2밸브(6)와 웨이퍼(2)간에 걸린 압력(웨이퍼의 휨정도, 가스의 유량, 웨이퍼의 지지대에 놓인 위치의 정밀도 등에 따라 달라지며 보통 3∼10 torr정도이다)과 진공시스템(1) 압력간의 차이 때문에 심한 경우 웨이퍼가 튀어올라 파손되고, 정상적인 상태에서도 급격한 압력차 때문에 진공계내 중착된 박막등으로 부터 이물이 발생하여 웨이퍼를 오염시키게 됨에 따라 웨이퍼 후면에 균일한 가스 주입이 어렵게 되어 양질의 웨이퍼를 생산하는데 많은 어려움이 따르게 된다.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 웨이퍼 지지대의 중앙부에 설치되어 웨이퍼 후면에 가스를 공급하는 배관과 진공시스템 사이에 조절밸브가 부착되는 배관을 추가로 설치하여 웨이퍼가 반출될 때 배관내부의 압력을 감압 시켜 배관과 진공시스템 내부의 압력을 동일하게 유지함으로서 웨이퍼의 파손이나 이물질을 현저히 감소시켜 양질의 웨이퍼를 생산 할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치를 제공하는데 본 고안의 목적이 있는 것이다.
본 고안의 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치는 진공 시스뎀(1)에 안착된 웨이퍼(2)의 후면에 가스를 주입하기 위한 가스조절부(11)가 연결되어 있는 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치에 있어서, 상기 배관(9)및 가스조절부(11)사이와 진공 시스템(1)의 일측에 제3밸브(12)가 부착된 배관(9')을 설치하여 진공 시스템(1) 내부의 압력을 감소 시키도록 구성된 것이다.
이하 첨부된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치의 구조도로서 진공 시스템(1) 내부에 웨이퍼(2)가 클램프(3)에 의해 고정되어 안착되는 웨이퍼 지지대(4)의 중앙부에는 웨이퍼(2) 후면에 가스를 주입하기위한 배관(9)이 설치되어 있으며, 상기 배관(9)에는 유입되는 가스를 단계적으로 제어하기 위한 제1및 제2밸브(7)(6)와 상기 제1및 제2밸브(7)(6)사이에는 유량조절계(5)가 부착되어 있는 가스 조절부(11)가 설치되어 웨이퍼(2)의 후면에 공급되는 가스의 유입량을 조절하도록 되어있다.
또한 가스조절부(11)의 제2밸브(6)와 배관(9) 사이에는 제3밸브(12)가 설치되어 있는 배관(9')을 진공시스템(1)의 내부와 통하도록 연결되어 있다.
상기와 같이 구성된 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치는, 먼저 진공시스템(1) 내부로 웨이퍼(2)가 반입되면 상기 웨이퍼(2)는 웨이퍼 지지대(4)위에 놓이게되고, 이때 클램프(3)가 하강하여 웨이퍼(2)를 고정 시키게 된다.
이러한 상태에서 가스조절부(11)의 제1및 제2밸브(7)(6)가 열리고, 가스는 가스실린더(10)에서 유량조절계(5)를 통해 조절된 양만큼 웨이퍼(2) 후면으로 공급된다. 따라서 유입된 가스는 웨이퍼(2) 후면을 거쳐 클램프(3)와 웨이퍼 지지대(4)간의 간격등으로 유출되어 진공시스템(1)으로 유입된 진공펌프(8)에 의해 외부에 유출된다.
이후 소정 시간이 경과하여 작업이 끝나면 제1및 제2밸브(7)(6)가 닫히고, 제3밸브(12)는 열리게 되어 제2밸브(6)와 웨이퍼(2)간에 걸린 압력은 신속히 감압 시키게 되어 클램프(3)가 위로 상승될때 웨이퍼(2) 후면과 전면의 압력차가 거의 발생하지 않게 됨으로서 진공시스템(1) 내부의 압력과 배관(9)의 압력차이에 의한 웨이퍼(2) 파손은 발생하지 않게 되는 것이다.
이상에서 상술한 바와 같이 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치는 웨이퍼 지지대의 중앙부에 설치되어 웨이퍼 후면에 가스를 공급하는 배관과 진공 시스템 사이에 조절밸브가 부착되는 배관을 추가로 설치하여 웨이퍼가 반출될 때 배관 내부의 압력을 감압시킴으로써 웨이퍼의 파손이나 이물질을 현저히 감소시켜 양질의 웨이퍼를 생산 할 수 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 진공 시스템(1)에 안착된 웨이퍼(2)의 후면에 가스를 주입하기 위한 가스조절부(11)가 연결되어 있는 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치에 있어서, 상기 배관(9)및 가스 조절부(11)사이와 진공 시스템(1)의 일측에 제3밸브(12)가부착된 배관(9')을 설치하여 제3밸브(12)를 열면 진공시스템(1)과 배관(9) 내부의 압력을 동일하게 유지 할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치.
KR2019930004219U 1993-03-20 1993-03-20 반도체 웨이퍼 후면 가스 주입장치 KR950009249Y1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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