KR19980016019A - 백바이어스 전압(vbb) 발생회로 - Google Patents

백바이어스 전압(vbb) 발생회로 Download PDF

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KR19980016019A
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신현수
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문정환
엘지반도체 주식회사
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Abstract

본 발명은 백바이어스 전압(VBB) 발생회로에 관한 것으로, 종래에는 램프회로의 클램프전압은 VCC의 변화에 민감하지 않고 거의 일정한 전압 레벨을 유지하나 VCC에 따른 IBB가 급격히 변하는 반도체 제품에서는 고전위 VCC에서 원하는 레벨의 백바이어스전압(VBB)을 유지할 수 없는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명은 액티브용 펌프에 입력되는 클램프 신호로 VDD를 사용하도록 함으로써 펌핑능력을 증가시켜 과도한 전류의 증가로 인한 백바이어스 전압(VBB) 레벨의 저하를 막도록 한다.

Description

백바이어스 전압(VBB) 발생회로
제1도는 종래 백바이어스 전압 발생회로도.
제2도는 이중전원을 제어하는 클램프 레벨 특성도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10:발진기20:펌프
30:액티브 센싱회로40:액티브 발진기
50:제1액티브펌프60:클램프 회로
70:제2액티브펌프
본 발명은 백바이어스 전압(VBB) 발생회로에 관한 것으로, 특히 액티브용 펌프에 입력되는 클램프신호로 VDD를 사용하여 펌핑능력을 증가시켜 과도한 전류의 증가로 인한 백바이어스 전압(VBB) 레벨의 저하를 막도록 하기 위한 백바이어스 전압 발생회로에 관한 것이다.
종래 백바이어스 전압 발생회로는, 제1도에 도시된 바와 같이, 스탠바이(standby) 상태에서 항상 일정한 발진 주파수를 출력하는 발진기(10)와; 상기 발진기(10)의 발진 주파수에 따라 백바이어스 전압(VBB)을 생성하여 출력하는 펌프(20)와; 액티브(active)상태에서만 일정한 발진 주파수를 출력하는 액티브용 발진기(40)와; 액티브 상태에서 상기 액티브용 발진기(40)를 발진시키기 위한 신호를 출력하는 액티브용 센싱회로(30)와; 입력신호 파형의 한 부위를 어느 일정한 레벨로 고정시키기 위한 클램프신호를 출력하는 클램프 회로(60)와; 상기 액티브용 발진기(40)로 부터의 출력전압을 상기 클램프 회로(60)로 부터 출력되는 클램프신호를 이용하여 클램프하여 적정 레벨의 백바이어스 전압(VBB)을 발생시키는 액티브용 제1, 제2펌프(50)(70)로 구성된다.
이와 같이 구성된 종래의 기술에 대하여 상세히 살펴보면 다음과 같다.
스탠바이(standby) 상태에서는 발진기(10)는 항상 일정한 발진주파수를 펌프(20)로 출력하면, 상기 펌프(20)는 동작하여 백바이어스 전압(VBB)을 발생시켜 이 전압이 필요로 한 곳에서 사용하도록 한다.
스탠바이 상태에서 액티브 상태가 되면 액티브용 센싱회로(30)에서 액티브용 발진기(40)가 동작할 수 있도록 제어신호를 가한다.
이에 상기 액티브용 발진기(40)는 발진하고, 발진하여 발생하는 발진주파수를 액티브용 제1펌프(50)와 제2펌프(70)로 각각 출력한다.
이때 클램프회로(60)로 부터는 액티브용 제1펌프(50)와 액티브용 제2펌프(70)가 구동하여 발생한 백바이어스 전압(VBB)을 적정 레벨의 전압으로 만들기 위하여 입력신호 파형의 한 부위를 어느 일정한 레벨로 고정시켜 주기 위한 클램프 신호를 상기 액티브용 제1펌프(50)와 액티브용 제2펌프(70)로 각각 출력한다.
그러면, 상기 액티브용 제1펌프(50)는 클램프회로(60)로 부터 입력되는 클램프 신호에 의해 클램프되고, 마찬가지로 액티브용 제2펌프(70)도 클램프 신호에 의해 클램프된다.
여기서, 액티브용 제1펌프(50)와 제2펌프(70)에 입력되는 클램프 신호로 VCC를 사용한다.
이렇게 클램프된 액티브용 제1펌프(50)와 제2펌프(70)의 출력전압이 합하여져 적정 레벨의 백바이어스 전압(VBB)을 발생시킨다.
결국, 스탠바이 상태에서는 발진기(10)와 펌프(20)에 의한 백바이어스 전압이 발생되고 액티브 상태에서는 클램프 회로(60)의 클램프신호에 의해 액티브용 제1펌프(50)와 제2펌프(70)의 출력값이 클램프되어 적정 레벨의 백바이어스 전압을 발생시키도록 한다.
그러나, 상기에서와 같은 종래 기술에 있어서, 클램프회로의 클램프전압은 VCC의 변화에 민감하지 않고 거의 일정한 전압 레벨을 유지하나 VCC에 따른 IBB가 급격히 변하는 반도체 제품에서는 고전위 VCC에서 원하는 레벨의 백바이어스 전압(VBB)을 유지할 수 없는 문제점이 있다.
따라서, 상기에서와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 액티브용 펌프에 입력되는 클램프 신호로 VDD를 사용하도록 함으로써 펌핑능력을 증가시켜 과도한 전류의 증가로 인한 백바이어스 전압(VBB) 레벨의 저하를 막도록 한 백바이어스 전압(VBB) 발생회로를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 종래 기술과 동일하고 단, 액티브용 제1펌프(50)와 액티브용 제2펌프(70)에 입력되는 클램프 신호로 VDD를 사용하도록 구성된다.
이때 액티브용 제1펌프(50)는 클램프 회로(60)의 출력신호를, 액티브용 제2펌프(70)는 VDD를 클램프신호로 사용하거나 액티브용 제1펌프(50)와 제2펌프(70)는 둘다 VDD를 클램프신호로 사용할 수 있다.
VDD는 VCC가 번-인 엔트리(Burn-in entry)에 들어가면 VCC를 팔로우-업(follow up)한다.
상기에서와 같은 동작을 행하는 것에 대하여 제1도에 의거하여 살펴보면, 액티브시 액티브용 발진기(40)가 발진하여 발진 주파수를 액티브용 제1펌프(50)와 제2펌프(70)로 출력한다.
이때 클램프 회로(60)는 액티브용 제1펌프(50)와 제2펌프(70)로 VDD전압을 클램프 신호로 하여 출력한다.
이에 상기 액티브용 제1펌프(50)와 제2펌프(70)가 적정 레벨로 고정되고, 이 고정된 전압이 백바이어스 전압(VBB)이 됨에 있어 제2도에서와 같이 VDD는 VCC가 번-인엔트리 즉, 일정레벨 이상이 되면 이후부터는 VCC를 이용한다.
그리고, 로우상태의 VCC의 경우 클램프 레벨과 VDD의 전압이 비슷하여 같은 VBB레벨을 얻는다.
또한, 하이상태의 VCC의 경우 로우상태의 VCC에서와 거의 비슷하나 VDD는 VCC를 이용하여 IBB구동능력이 증가시켜 백바이어스 저압(VBB)이 저하하는 것을 막는다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 액티브 동작시 액티브용 펌프에 입력되는 클램프 신호로 VDD를 사용함으로써 펌핑 능력을 증가시키고, 이 펌핑 능력이 증가함에 따라 과도한 전류의 증가로 인한 백바이어스 전압의 저하를 막을 수 있도록 한 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 클램프 회로의 클램프 신호로 VCC를 이용하여 액티브용 제1펌프와 액티브용 제2펌프를 구동시켜 VBB를 발생하는 전압 발생회로에 있어서, 상기 클램프 회로는 그의 클램프 신호로 VCC전압 대신 VDD전압을 사용하여 적정 레벨의 VBB를 발생할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 백바이어스 전압(VBB) 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, VDD전압은 VCC전압이 번-인 엔트리 이상되면 VCC전압을 이용하도록 한 것을 특징으로 하는 백바이어스 전압(VBB) 발생회로.
KR1019960035524A 1996-08-26 1996-08-26 백바이어스 전압(vbb) 발생회로 KR19980016019A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100675881B1 (ko) * 2001-02-21 2007-02-05 주식회사 하이닉스반도체 백바이어스전압(vbb) 발생 회로

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KR100675881B1 (ko) * 2001-02-21 2007-02-05 주식회사 하이닉스반도체 백바이어스전압(vbb) 발생 회로

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