KR19980015954A - A step-up voltage generator of a semiconductor memory device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액티브 킥커가 두개이상일 경우, 승압전압 발생기 내부의 승압전압 검출기 및 발진기의 갯수를 적절히 조합하여 승압전압레벨의 스윙폭을 작게하고 이에 따라 소모되는 전류를 줄일 수 있는 승압전압 발생기를 구현하는 것이다. 따라서 본 발명의 요지는, 일정승압전압을 내부전원전압으로 사용하기 위한 반도체 메모리 장치의 승압전압 발생기가 상기 일정승압전압을 발생시키기 위해 상기 일정승압전압의 검출레벨을 각각 다른 레벨로 검출하는 두개 이상의 승압전압 검출기들과, 상기 승압전압 검출기들의 각 출력단에 각각의 입력단이 접속되어 상기 승압전압 검출기에 의해 일정 주기를 갖고 동작하는 발진기들과, 상기 발진기들 각각마다에 접속되고 상기 발진기들 각각의 인에이블에 의해 동작하며 각각 다른 검출레벨에 따른 상기 일정승압전압을 발생시키는 두개 이상의 액티브 킥커들을 가지는 것이다.The present invention realizes a step-up voltage generator that can reduce the swing width of the step-up voltage level and reduce the current consumed by appropriately combining the number of step-up voltage detectors and oscillators in the step-up voltage generator when there are two or more active kickers will be. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a semiconductor memory device in which a step-up voltage generator of a semiconductor memory device for using a constant step-up voltage as an internal supply voltage detects two or more And an output terminal connected to each of the output terminals of the step-up voltage detectors and operating with a constant period by the step-up voltage detector; and a control unit connected to each of the oscillators, And has two or more active kickers which are operated by an enable and generate the predetermined boosted voltage in accordance with different detection levels, respectively.
Description
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 내부적으로 승압된 일정 전압을 공급하는 승압전압 발생기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly to a step-up voltage generator that supplies a constant voltage stepped up internally.
일반적으로, 반도체 메모리 장치내에서는 워드라인과 소자분리 트랜지스터등을 제어하기 위하여 승압전압 VPP가 사용되며, 또한 승압전압 발생기는 대기상태(Stand-by)중에 동작하는 메인 펌프(Main Pump)와 활성화시 동작하는 액티브 킥커(Active Kicker)로 나누어 진다. 따라서 승압전압 검출기를 사용하였을 경우, 통상 하나의 승압전압 검출기를 사용하므로 하나의 검출 레벨을 인식하여 한꺼번에 다수개의 액티브 킥커를 동작시키게 된다. 도 1은 종래 기술의 일실시예에 따른 승압전압 검출기를 사용하는 승압전압 발생기의 제어구조를 보여주는 블럭도이다. 도 1을 참조하면, 하나의 승압전압 검출기 10과, 상기 검출기 10과 연결된 하나의 발진기(Osillator) 30과, 상기 발진기에 공통접속된 다수개의 액티브 킥커들 50,70이 연결되어 있는 구조이다. 따라서, 승압전압 레벨이 칩(chip)이 동작하는 구간에서 필요이상 높아지게 되고 승압전압 레벨의 스윙(Swing)폭이 커지게 되어 칩의 오동작 즉, 노이즈에 의한 내부전원전압의 딥(dip)을 유발하거나 산화막 브레이크다운(Oxide Breakdown)과 같은 칩의 신뢰성을 떨어뜨리는 문제점을 발생시킨다.In general, in a semiconductor memory device, a boost voltage VPP is used to control a word line, a device isolation transistor, and the like. Also, a boost voltage generator includes a main pump that operates in a standby state, Active Kicker which is active. Therefore, when a step-up voltage detector is used, since one step-up voltage detector is usually used, a plurality of active kickers are operated at a time by recognizing one detection level. 1 is a block diagram showing a control structure of a boosted voltage generator using a boosted voltage detector according to an embodiment of the related art. Referring to FIG. 1, there is a structure in which one step-up voltage detector 10, one oscillator 30 connected to the detector 10, and a plurality of active kickers 50 and 70 connected in common to the oscillator are connected. Accordingly, the voltage level of the boosted voltage is higher than necessary in a section in which the chip operates, and the swing width of the boosted voltage level becomes large, causing a malfunction of the chip, that is, a dip of the internal power supply voltage due to noise Or the reliability of a chip such as an oxide breakdown is lowered.
본 발명의 목적은 두개이상의 액티브 킥커를 가지고 있을 경우 두개 이상의 승압전압 검출기를 사용하여 검출 레벨을 달리 가져감으로써 승압전압 레벨의 스윙폭을 작게 하고 승압전압 레벨이 필요이상 높아지지 않게하여 전류 소모를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치의 승압전압 발생기를 제공함에 있다.An object of the present invention is to reduce the swing width of the step-up voltage level by reducing the detection level by using two or more step-up voltage detectors when two or more active kickers are provided, Voltage voltage generator of the semiconductor memory device.
본 발명의 다른 목적은 두개 이상의 승압전압 검출기 각각마다에 발진기를 연결하여 각 발진기의 주기를 다르게 하여 승압전압 레벨의 스윙폭을 작게 하고 승압전압 레벨이 필요이상 높아지지 않게하여 전류 소모를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치의 승압전압 발생기를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to reduce the swing width of the step-up voltage level by connecting oscillators to each of the two or more step-up voltage detectors and to reduce the current consumption by making the step- Voltage voltage generator of a semiconductor memory device.
본 발명의 또다른 목적은 두개 이상의 액티브 킥커를 가지고 있을 경우 하나의 승압전압 검출기에 두개 이상의 발진기를 연결하며 각 발진기의 발진 주기를 다르게 하여 승압전압 레벨의 스윙폭을 최소로 가질 수 있는 반도체 메모리 장치의 승압전압 발생기를 제공함에 있다.It is still another object of the present invention to provide a semiconductor memory device capable of minimizing the swing width of the step-up voltage level by connecting two or more oscillators to one step-up voltage detector when two or more active kickers are provided, Up voltage generator.
도 1은 종래 기술의 일실시예에 따른 승압전압 검출기를 사용하는 승압전압 발생기의 제어구조를 보여주는 블록도.1 is a block diagram showing a control structure of a boosted voltage generator using a boosted voltage detector according to an embodiment of the prior art;
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 승압전압 검출기를 사용하는 승압전압 발생기의 제어구조를 보여주는 블록도.2 is a block diagram showing a control structure of a boosted voltage generator using a boosted voltage detector according to an embodiment of the present invention;
도 3은 도 1과 도 2에 따른 승압전압 검출레벨의 스윙폭을 비교한 도면.Fig. 3 is a diagram comparing the swing widths of the boosted voltage detection levels according to Figs. 1 and 2; Fig.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 승압전압 검출기를 사용하는 승압전압 발생기의 제어구조를 보여주는 블록도.4 is a block diagram showing a control structure of a step-up voltage generator using a step-up voltage detector according to another embodiment of the present invention.
도 5는 도 1과 도 4에 따른 승압전압 검출레벨의 스윙폭을 비교한 도면.Fig. 5 is a diagram comparing swing widths of boosted voltage detection levels according to Figs. 1 and 4; Fig.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used for the same reference numerals even though they are shown in different drawings.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 승압전압 검출기를 사용하는 승압전압 발생기의 제어구조를 보여주는 블럭도이다. 도 2를 참조하면, 두개의 승압전압 검출기들 10,20과, 상기 승압전압 검출기들 10,20 각각에 접속된 발진기들 30,40과, 상기 발진기들 30,40 각각에 연결된 액티브 킥커들 50,60으로 구성되어 있다. 이와같은 구성에 따른 동작 결과는 후술될 도 2에 서술된다.2 is a block diagram showing a control structure of a boosted voltage generator using a boosted voltage detector according to an embodiment of the present invention. 2, there are two step-up voltage detectors 10 and 20, oscillators 30 and 40 connected to the step-up voltage detectors 10 and 20, active kickers 50 connected to the oscillators 30 and 40, 60 < / RTI > The operation result according to such a configuration will be described with reference to FIG. 2 to be described later.
도 3은 도 1과 도 2에 따른 승압전압 검출레벨의 스윙폭(A,B)을 비교한 도면이다. 도 3을 참조하면, 종래 기술(도 1)에서와 같이 승압전압 검출기를 한개만 사용할 경우 도면에서 실선으로 나타나는 바와 같이 승압전압 레벨의 스윙폭 B가 크고, 본 발명 기술(도 2)에서와 같이 승압전압 검출기 두개를 사용할 경우 승압전압 검출 레벨을 다르게 가져감으로써 도면에서 점선으로 나타나는 바와 같이 승압전압 레벨의 스윙폭 A가 작아진다. 따라서, 승압전압 레벨이 승압전압 검출기 10의 검출레벨보다 낮을 경우 두개의 액티브 킥커들 50,70이 동작하지만 승압전압 레벨이 승압전압 검출기 10의 검출레벨보다는 높고 승압전압 검출기 20의 검출레벨보다는 낮을 경우에는 액티브 킥커들중 하나만이 동작하여 적정한 승압전압 레벨을 유지한다.FIG. 3 is a diagram comparing the swing widths A and B of the boosted voltage detection level according to FIG. 1 and FIG. Referring to FIG. 3, when only one step-up voltage detector is used as in the prior art (FIG. 1), the swing width B of the step-up voltage level is large as shown by a solid line in FIG. When two step-up voltage detectors are used, the step-up voltage detection level is varied to reduce the swing width A of the step-up voltage level as indicated by the dotted line in the figure. Accordingly, when the step-up voltage level is lower than the detection level of the step-up voltage detector 10, the two active kickers 50 and 70 operate but when the step-up voltage level is higher than the detection level of the step-up voltage detector 10 and lower than the detection level of the step-up voltage detector 20 Only one of the active kickers operates to maintain an appropriate boost voltage level.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 승압전압 검출기를 사용하는 승압전압 발생기의 제어구조를 보여주는 블럭도이다. 도 4를 참조하면, 하나의 승압전압 검출기 10과, 상기 승압전압 검출기 10에 공통연결된 발진기들 30,40과, 상기 발진기들 30,40에 각각 연결된 액티브 킥커들 50,70으로 구성되어 있다. 이와같은 구성에 따른 동작 결과는 후술될 도 5에 서술된다.4 is a block diagram showing a control structure of a boosted voltage generator using a boosted voltage detector according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the system includes one step-up voltage detector 10, oscillators 30 and 40 connected in common to the step-up voltage detector 10, and active kickers 50 and 70 connected to the oscillators 30 and 40, respectively. The operation result according to this configuration will be described with reference to FIG. 5 to be described later.
도 5는 도 1과 도 4에 따른 승압전압 검출레벨의 스윙폭(A',B')을 비교한 도면이다. 도 5를 참조하면, 종래 기술(도 1)에서와 같이 발진기를 한개만 사용할 경우 도면에서 실선으로 나타나는 바와 같이 승압전압 레벨의 스윙폭 B'가 크고, 본 발명 기술(도 4)에서와 같이 발진기 두개를 사용할 경우 각 발진기의 발진 주기를 다르게 가져감으로써 도면에서 점선으로 나타나는 바와 같이 승압전압 레벨의 스윙폭 A'가 작아진다. 따라서, 하나의 승압전압 검출기를 사용하여 승압전압 레벨을 검출하여 이와 연결된 두개의 발진기의 주기를 다르게 하므로써 짧은 주기를 갖는 발진기에 의해 먼저 한개의 액티브 킥커를 동작시키고 이후 긴 주기를 갖는 발진기에 의해 나머지 한개의 액티브 킥커를 동작시켜 종래 기술(도 1)보다는 승압전압 레벨의 스윙폭이 작게 한다.FIG. 5 is a diagram comparing the swing widths A 'and B' of the boosted voltage detection level according to FIG. 1 and FIG. Referring to FIG. 5, when only one oscillator is used as in the prior art (FIG. 1), the swing width B 'of the boosted voltage level is large as shown by a solid line in FIG. When two oscillators are used, the oscillation period of each oscillator is different, so that the swing width A 'of the boosted voltage level becomes smaller as indicated by a dotted line in the drawing. Therefore, by using one step-up voltage detector to detect the step-up voltage level and varying the periods of the two oscillators connected thereto, an oscillator having a short period first operates one active kicker, A single active kicker is operated to make the swing width of the step-up voltage level smaller than that of the prior art (Fig. 1).
본 발명에 따르면, 승압전압 검출기의 갯수를 각각의 발진기 및 액티브 킥커의 갯수와 동일하게 연결하거나 또는 각각의 승압전압 검출기마다에 두개 이상의 발진기를 연결하여, 각 승압전압 검출기의 검출레벨을 다르게 가져가거나 또는 각 발진기의 발진 주기를 다르게 가져감으로써 승압전압 레벨의 스윙폭을 줄여 불필요한 승압전압으로 인한 칩의 오동작을 제거하며 각 승압전압 검출기 또는 각 발진기의 동작에 소모되는 전류를 줄이는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to connect the number of step-up voltage detectors equal to the number of the oscillators and the active kickkillers, or connect two or more oscillators to each step-up voltage detector to take different detection levels of the step-up voltage detectors Or the oscillation period of each oscillator is different, thereby reducing the swing width of the boosted voltage level, thereby eliminating the malfunction of the chip due to unnecessary boosted voltage, and reducing the current consumed in the operation of each boosted voltage detector or each oscillator.
상기한 본 발명은 도면을 중심으로 예를 들어 한정되었지만, 그 동일한 것은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 변화와 변형이 가능함이 본 분야의 숙련된 자에게 있어 명백할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.
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| KR1019960035436A KR19980015954A (en) | 1996-08-24 | 1996-08-24 | A step-up voltage generator of a semiconductor memory device |
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| KR1019960035436A KR19980015954A (en) | 1996-08-24 | 1996-08-24 | A step-up voltage generator of a semiconductor memory device |
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| KR19980015954A true KR19980015954A (en) | 1998-05-25 |
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| KR1019960035436A KR19980015954A (en) | 1996-08-24 | 1996-08-24 | A step-up voltage generator of a semiconductor memory device |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453773B2 (en) | 2002-12-18 | 2008-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of eliminating home-in noise in optical disc drive by using variable step counter |
-
1996
- 1996-08-24 KR KR1019960035436A patent/KR19980015954A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453773B2 (en) | 2002-12-18 | 2008-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of eliminating home-in noise in optical disc drive by using variable step counter |
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