KR100728555B1 - Apparatus for Supplying Power-up Signal in Semiconductor Integrated Circuit - Google Patents
Apparatus for Supplying Power-up Signal in Semiconductor Integrated Circuit Download PDFInfo
- Publication number
- KR100728555B1 KR100728555B1 KR1020050107279A KR20050107279A KR100728555B1 KR 100728555 B1 KR100728555 B1 KR 100728555B1 KR 1020050107279 A KR1020050107279 A KR 1020050107279A KR 20050107279 A KR20050107279 A KR 20050107279A KR 100728555 B1 KR100728555 B1 KR 100728555B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power
- signal
- internal
- register
- signal supply
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4072—Circuits for initialization, powering up or down, clearing memory or presetting
Abstract
본 발명은 레지스터 블록과 내부 블록에 파워 업 신호를 분리하여 공급하는 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치를 제시한다.The present invention provides a power up signal supply apparatus of a semiconductor integrated circuit for separately supplying a power up signal to a register block and an internal block.
본 발명의 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치는 외부 전압으로부터 레지스터 파워 업 신호를 생성하여 레지스터 블록에 공급하는 레지스터 파워 업 신호 공급 수단 및 딥 파워 다운 모드로의 진입 여부에 따라 상기 외부 전압 및 내부 전압을 감지하여 그 결과에 따라 내부 파워 업 신호를 생성하여 내부 블록에 공급하는 내부 파워 업 신호 공급 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.The power up signal supply apparatus of the semiconductor integrated circuit of the present invention generates the resistor power up signal from an external voltage and supplies the resistor power up signal supply means to the register block and the external voltage and the internal power according to whether the device enters the deep power down mode. And an internal power up signal supply means for sensing a voltage and generating an internal power up signal according to the result and supplying the internal power up signal to the internal block.
본 발명에 의하면, 반도체 집적 회로의 딥 파워 다운 모드시 전력 소모는 감소되면서 레지스터 블록의 데이터는 유지되는 이점이 있다.According to the present invention, the power consumption is reduced while the deep power down mode of the semiconductor integrated circuit has the advantage that the data of the register block is maintained.
반도체 집적 회로, 딥 파워 다운, 파워 업 신호 Semiconductor Integrated Circuits, Deep Power-Down, Power-Up Signals
Description
도 1은 종래의 기술에 따른 파워 업 신호 공급 장치의 블록도,1 is a block diagram of a power up signal supply apparatus according to the prior art;
도 2는 본 발명에 따른 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치 파워 업 신호 공급 장치의 블록도,2 is a block diagram of a power up signal supply device power up signal supply device of a semiconductor integrated circuit according to the present invention;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치의 구성도,3 is a configuration diagram of a power-up signal supply apparatus of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레지스터 파워 업 신호 공급 수단의 구성도이다.4 is a block diagram of a register power-up signal supply means according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
2/210/312 : 외부 전압 감지 2/302 : 외부 전압 드라이버2/210/312:
10/310 : 전압 감지부 14/314 : 주변 전압 감지기10/310:
16/316 : 코어 전압 감지기 20/320 : 파워 업 신호 생성부16/316:
200/201 : 레지스터 파워 업 신호 공급 수단200/201: resistor power-up signal supply means
220 : 지연기 300 : 내부 파워 업 신호 공급 수단220: delay 300: internal power-up signal supply means
본 발명은 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레지스터 블록과 내부 블록에 파워 업 신호를 분리하여 공급하는 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a power up signal supply device for a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a power up signal supply device for a semiconductor integrated circuit for separately supplying a power up signal to a register block and an internal block.
일반적으로 반도체 메모리 장치는 액티브(Active) 상태와 대기(Stand-by) 상태로 구분되어 동작한다. 반도체 메모리 장치가 액티브 상태일 때에는 칩 내부의 회로들이 필요한 정보를 외부로 출력하거나 내부로 입력하는 동작을 수행한다. 반면, 반도체 메모리 장치가 대기 상태일 때에는 칩 내부에서 소모되는 전력을 최소화하기 위하여 액티브 상태로 진입할 수 있는 최소의 회로만을 남겨두고 모든 전류 경로를 차단한다. 그러나 반도체 메모리 장치가 장시간 대기 상태를 유지하게 되면 액티브 상태로 진입하기 위해서 인에이블 되고 있는 회로에 의해 지속적으로 전류가 소모되기 때문에 불필요한 전력이 소모되는 결과가 초래된다. 따라서 종래의 기술에서는 대기 상태의 전류 소모를 줄이기 위해 칩의 대부분의 전류 경로를 차단하여 대기 전류를 최소화하는 딥 파워 다운(Deep Power Down) 모드에 진입하도록 하는 방법을 사용하였다. 또한 딥 파워 다운 모드시에는 칩 내부의 내부 회로에 남아 있는 전원에 의한 불필요한 동작을 방지하기 위하여 내부 회로의 모든 전원을 그라운드 전압(VSS)으로 싱크시키는 방법을 사용하였다.In general, a semiconductor memory device is divided into an active state and a stand-by state to operate. When the semiconductor memory device is in an active state, circuits inside the chip output or output necessary information to the outside. On the other hand, when the semiconductor memory device is in the standby state, all current paths are cut off except for the minimum circuit that can enter the active state in order to minimize the power consumption inside the chip. However, if the semiconductor memory device maintains the standby state for a long time, unnecessary power is consumed because current is continuously consumed by the circuit which is enabled to enter the active state. Therefore, in the related art, a method of entering a deep power down mode that cuts off most current paths of the chip to minimize standby current in order to reduce standby current consumption is used. Also, in deep power down mode, a method of sinking all power supplies of the internal circuits to ground voltage (VSS) is used to prevent unnecessary operation by power remaining in the internal circuits of the chip.
파워 업 신호는 반도체 집적 회로 내의 전원 공급을 지시하는 신호이다. 반도체 집적 회로의 동작 초기에는 주변회로 동작전압(Vperi, 이하 주변 전압), 코어회로 동작전압(Vcore 이하 코어 전압) 및 고전위 전압(VPP) 등의 내부 전압들이 생 성 단계에 있으므로 원하는 레벨에 도달하지 못한 상태에 있게 된다. 이 때 상기 내부 전압들을 회로의 동작에 사용하게 되면 오동작이 발생할 우려가 있다. 따라서 일반적인 반도체 집적 회로는 상기 파워 업 신호의 인에이블 이후에 상기 내부 전압들을 사용하여 안정적인 전원을 확보한다.The power up signal is a signal instructing supply of power in the semiconductor integrated circuit. At the beginning of the operation of the semiconductor integrated circuit, internal voltages such as peripheral circuit operating voltage (Vperi, hereinafter peripheral voltage), core circuit operating voltage (core Vcore and below), and high potential voltage (VPP) are in the generation stage and thus reach a desired level. You are in an unsuccessful state. At this time, if the internal voltages are used for the operation of the circuit, there is a risk of malfunction. Therefore, a general semiconductor integrated circuit uses the internal voltages to ensure a stable power supply after enabling the power up signal.
이하, 종래의 기술에 따른 파워 업 신호 공급 장치를 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a power up signal supply apparatus according to the related art will be described with reference to FIG. 1.
도 1은 종래의 기술에 따른 파워 업 신호 공급 장치의 블록도로서, 내부 전압으로 주변 전압(Vperi)과 코어 전압(Vcore)이 사용되는 예를 나타낸 것이다.1 is a block diagram of a power up signal supply apparatus according to the related art, and shows an example in which a peripheral voltage Vperi and a core voltage Vcore are used as internal voltages.
도시한 바와 같이, 종래의 기술에 따른 파워 업 신호 공급 장치는 입력되는 딥 파워 다운 신호(DPD)가 디스에이블 될 때에만 외부 전압(Vext)을 구동하는 외부 전압 드라이버(2), 상기 외부 전압(Vext), 주변 전압(Vperi) 및 코어 전압(Vcore)을 감지하여 그 결과를 레벨 신호로 출력하는 전압 감지부(10) 및 상기 전압 감지부(10)의 출력 신호를 입력 받아 파워 업 신호(pwrup)를 생성 및 출력하는 파워 업 신호 생성부(20)로 구성된다.As shown, the power up signal supply apparatus according to the related art has an
이 때 상기 전압 감지부(10)는, 상기 외부 전압 드라이버(2)에서 구동된 전압을 감지하여 그 결과를 레벨 신호로 출력하는 외부 전압 감지기(12), 상기 주변 전압(Vperi)을 감지하여 그 결과를 레벨 신호로 출력하는 주변 전압 감지기(14) 및 상기 코어 전압(Vcore)을 감지하여 그 결과를 레벨 신호로 출력하는 코어 전압 감지기(16)로 구성된다.At this time, the
또한 상기 파워 업 신호 생성부(20)는 상기 전압 감지부(10)의 상기 외부 전압 감지기(12), 상기 주변 전압 감지기(14) 및 상기 코어 전압 감지기(16)로부터 출력된 각각의 레벨 신호를 입력으로 하여 상기 세 신호가 모두 하이(high) 레벨일 때에만 로우(low) 레벨의 신호를 출력하고 이외의 경우에는 하이 레벨의 신호를 출력하는 낸드 게이트(22) 및 상기 낸드 게이트(22)로부터 입력되는 신호의 레벨을 반전시켜 파워 업 신호(pwrup)로 출력하는 인버터(24)로 구성된다.In addition, the power-
이와 같이 구성된 파워 업 신호 공급 장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다. 여기에서 외부 전압(Vext)은 외부 공급전원(VDD) 등으로 구현 가능하며 반도체 집적 회로의 외부에서 인가되는 전원 중 어느 하나에 한정되지 않는다는 의미로 설정한 전압이다.The operation of the power-up signal supply device configured as described above is as follows. The external voltage Vext may be implemented by an external supply power source VDD and the like, and is set to mean that the external voltage Vext is not limited to any one of power applied to the outside of the semiconductor integrated circuit.
상기 전압 감지부(10)의 상기 주변 전압 감지기(14)는 일정값 이상의 상기 주변 전압(Vperi)이 입력되면 하이 레벨의 신호를 출력한다. 마찬가지로 상기 코어 전압 감지기(16)는 일정값 이상의 상기 코어 전압(Vcore)이 입력되면 하이 레벨의 신호를 출력한다. 그리고 상기 외부 전압 드라이버(2)는 상기 딥 파워 다운 신호(DPD)가 디스에이블 되면 상기 외부 전압(Vext)을 구동하여 상기 외부 전압 감지기(12)에 전달한다. 이후 상기 외부 전압 감지기(12)는 상기 외부 전압 드라이버(2)로부터 입력되는 전압이 일정값 이상이면 하이 레벨의 신호를 출력한다.The
이렇게 되면 상기 파워 업 신호 생성부(20)의 상기 낸드 게이트(22)의 세 입력 단자에는 모두 하이 레벨의 신호가 입력된다. 그러면 상기 낸드 게이트(22)는 로우 레벨의 신호를 출력하게 된다. 이후 상기 인버터(24)는 상기 로우 레벨의 신 호를 반전시켜 하이 레벨의 파워 업 신호(pwrup)를 출력한다.In this case, a high level signal is input to all three input terminals of the
상기 파워 업 신호(pwrup)가 하이 레벨이라는 것은 상기 파워 업 신호 공급 장치가 속하는 반도체 집적 회로 내에 전원이 공급된다는 의미를 갖는다. 즉 상기 주변 전압(Vperi)과 상기 코어 전압(Vcore)이 초기 상태를 벗어나 일정값 이상을 갖게 되었으므로 상기 파워 업 신호(pwrup)가 인에이블 된 것이고 그로 인해 상기 반도체 집적 회로가 동작 상태에 이르게 되는 것이다.The high level of the power up signal pwrup means that power is supplied to a semiconductor integrated circuit to which the power up signal supply device belongs. That is, since the peripheral voltage Vperi and the core voltage Vcore have a predetermined value or more out of an initial state, the power-up signal pwrup is enabled, and thus the semiconductor integrated circuit is brought into an operating state. .
이 때 반도체 집적 회로가 딥 파워 다운 모드에 이르러 상기 외부 전압 드라이버(2)에 딥 파워 다운 신호(DPD)가 인에이블 되어 입력되면 상기 외부 전압 드라이버(2)는 상기 외부 전압(Vext)을 차단한다. 따라서 상기 외부 전압 감지기(12)는 로우 레벨의 신호를 출력하게 되고 상기 파워 업 신호 생성부(20)에서 출력되는 파워 업 신호(pwrup)는 디스에이블 된다.At this time, when the semiconductor integrated circuit reaches the deep power down mode and the deep power down signal DPD is enabled and input to the
즉 상기 반도체 집적 회로가 전력 소모를 최소화하기 위한 딥 파워 다운 모드로 진입하게 되면 상기 파워 업 신호 공급 장치가 상기 파워 업 신호(pwrup)를 디스에이블 되게 함으로써 상기 반도체 집적 회로 내부에서 이루어지는 전원 공급을 중단하게 하는 것이다.That is, when the semiconductor integrated circuit enters a deep power down mode for minimizing power consumption, the power-up signal supply device disables the power-up signal pwrup to stop the power supply inside the semiconductor integrated circuit. It is to make it.
이와 같이 종래에는 딥 파워 다운 모드시 반도체 집적 회로 내의 모든 전류 경로를 차단하였다. 따라서 반도체 집적 회로가 딥 파워 다운 모드로 진입하면 모드 레지스터 셋트 등의 상기 반도체 집적 회로 칩의 초기 데이터를 저장하는 레지스터 블록에 저장되는 데이터도 모두 잃어버리게 되었다. 그러나 상기 모드 레지스터 셋트(MRS) 등의 레지스터 블록의 데이터는 유지되어야 한다. 종래의 기술에 의 하면 이와 같이 레지스터블록의 데이터를 유지시키기 위해서는 딥 파워 다운 모드를 사용할 수 없고, 반도체 집적 회로의 전력 소모를 방지하기 위해서는 레지스터의 데이터를 유지할 수 없다는 문제점이 있다.As described above, all current paths in the semiconductor integrated circuit are blocked in the deep power down mode. Therefore, when the semiconductor integrated circuit enters the deep power down mode, all data stored in the register block that stores the initial data of the semiconductor integrated circuit chip, such as a mode register set, is lost. However, data of register blocks such as the mode register set (MRS) must be maintained. According to the related art, there is a problem in that the deep power down mode cannot be used to hold the data of the register block, and the register data cannot be held to prevent power consumption of the semiconductor integrated circuit.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 딥 파워 다운 모드에서도 레지스터의 데이터를 유지할 수 있도록 하는 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치를 제공하는 데에 그 기술적 과제가 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and there is a technical problem to provide a power-up signal supply apparatus for a semiconductor integrated circuit capable of maintaining data of a register even in a deep power-down mode.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치는, 외부 전압으로부터 레지스터 파워 업 신호를 생성하여 레지스터 블록에 공급하는 레지스터 파워 업 신호 공급 수단; 및 딥 파워 다운 모드로의 진입 여부에 따라 상기 외부 전압 및 내부 전압을 감지하여 그 결과에 따라 내부 파워 업 신호를 생성하여 내부 블록에 공급하는 내부 파워 업 신호 공급 수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In accordance with one aspect of the present invention, there is provided a power up signal supply apparatus for a semiconductor integrated circuit, including: a register power up signal supply means for generating a resistor power up signal from an external voltage and supplying the resistor power up signal to a register block; And an internal power up signal supply means for sensing the external voltage and the internal voltage according to whether the device enters the deep power down mode and generating an internal power up signal according to the result and supplying the internal power up signal to the internal block. .
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치의 블록도이다.2 is a block diagram of a power up signal supply apparatus of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.
본 발명의 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치는 외부 전압으로부터 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)를 생성하여 레지스터 블록에 공급하는 레지스터 파워 업 신호 공급 수단(200) 및 상기 외부 전압 및 내부 전압을 감지하여 그 결과에 따라 내부 파워 업 신호(pwrup_i)를 생성하여 내부 블록에 공급하는 내부 파워 업 신호 공급 수단(300)으로 구성된다.The power up signal supply apparatus of the semiconductor integrated circuit of the present invention generates a resistor power up signal pwrup_r from an external voltage and senses the resistor power up signal supply means 200 for supplying the resistor power up signal to the register block and the external voltage and the internal voltage. As a result, the internal power-up signal supply means 300 generates an internal power-up signal pwrup_i and supplies it to the internal block.
상기 레지스터 파워 업 신호 공급 수단(200)은 딥 파워 다운 모드의 진입 또는 탈출에 무관하게 상기 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)를 생성하여 상기 레지스터 블록에 공급한다. 그러나 상기 내부 파워 업 신호 공급 수단(300)은 딥 파워 다운 모드에 진입하면 상기 내부 파워 업 신호(pwrup_i)를 디스에이블 시키고 딥 파워 다운 모드에서 탈출하면 상기 내부 파워 업 신호(pwrup_i)를 인에이블 시켜 상기 내부 블록에 공급한다.The register power up signal supply means 200 generates and supplies the register power up signal pwrup_r to the register block regardless of entry or exit of the deep power down mode. However, the internal power up signal supply means 300 disables the internal power up signal pwrup_i when entering the deep power down mode, and enables the internal power up signal pwrup_i when exiting the deep power down mode. Supply to the inner block.
이 때 상기 레지스터 블록은 모드 레지스터 셋트(MRS)를 비롯하여 상기 반도체 집적 회로 칩의 초기 데이터를 저장하는 적어도 하나 이상의 레지스터를 의미한다.In this case, the register block means at least one register that stores initial data of the semiconductor integrated circuit chip, including a mode register set (MRS).
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치의 구성도로서, 내부 전압으로 주변 전압(Vperi)과 코어 전압(Vcore)이 사용되는 예를 나타낸 것이다. 상기 내부 전압은 도시한 대로 주변 전압(Vperi)과 코어 전압(Vcore)에만 한정되지 않으며 고전위 전압(VPP) 등이 사용될 수도 있으나 설명의 편의상 상기 주변 전압(Vperi)과 코어 전압(Vcore)만을 도시하였다. 또한 종래 기술에서와 같이 외부 전압(Vext)은 외부 공급전원(VDD) 등으로 구현 가능하나 반도체 외부에서 인가되는 임의의 전압으로 구현 가능하다는 점을 밝혀둔다.3 is a configuration diagram of a power-up signal supply apparatus of a semiconductor integrated circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure, and illustrates an example in which a peripheral voltage Vperi and a core voltage Vcore are used as internal voltages. The internal voltage is not limited to the peripheral voltage Vperi and the core voltage Vcore as shown, and a high potential voltage VPP may be used, but for convenience of description, only the peripheral voltage Vperi and the core voltage Vcore are shown. It was. In addition, as in the related art, the external voltage Vext may be realized by an external supply power source VDD, but it may be realized by any voltage applied from the outside of the semiconductor.
본 발명의 파워 업 신호 공급 장치는 외부 전압(Vext)으로부터 레지스터 파 워 업 신호(pwrup_r)를 생성하여 레지스터 블록에 공급하는 레지스터 파워 업 신호 공급 수단(200) 및 상기 외부 전압(Vext), 상기 주변 전압(Vperi) 및 상기 코어 전압(Vcore)을 감지하여 그 결과에 따라 내부 파워 업 신호(pwrup_i)를 생성하여 내부 블록에 공급하는 내부 파워 업 신호 공급 수단(300)으로 구성된다.The power-up signal supply device of the present invention generates a resistor power-up signal pwrup_r from an external voltage Vext and supplies the resistor power-up signal supply means 200 and the external voltage Vext to the peripheral block. And an internal power up signal supply means 300 for sensing the voltage Vperi and the core voltage Vcore and generating the internal power up signal pwrup_i and supplying the internal power up signal pwrup_i to the internal block.
여기에서 상기 레지스터 파워 업 신호 공급 수단(200)은 상기 외부 전압(Vext)을 감지하여 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)를 생성하여 레지스터 블록에 전달하는 외부 전압 감지기(210)를 포함한다.Here, the resistor power up signal supply means 200 includes an
또한 상기 내부 파워 업 신호 공급 수단(300)은 입력되는 딥 파워 다운(DPD) 신호가 디스에이블 될 때에만 상기 외부 전압(Vext)을 구동하는 외부 전압 드라이버(302), 상기 외부 전압(Vext), 상기 주변 전압(Vperi) 및 상기 코어 전압(Vcore)을 감지하여 그 결과를 레벨 신호로 출력하는 전압 감지부(310) 및 상기 전압 감지부(310)의 출력 신호를 입력 받아 내부 파워 업 신호(pwrup_i)를 생성 및 출력하는 파워 업 신호 생성부(320)로 구성된다.In addition, the internal power-up signal supply means 300 is an
그리고 상기 전압 감지부(310)는 상기 외부 전압 드라이버(302)에서 구동된 전압을 감지하여 그 결과를 레벨 신호로 출력하는 외부 전압 감지기(312), 상기 주변 전압(Vperi)을 감지하여 그 결과를 레벨 신호로 출력하는 주변 전압 감지기(314) 및 상기 코어 전압(Vcore)을 감지하여 그 결과를 레벨 신호로 출력하는 코어 전압 감지기(316)로 구성된다.The
또한 상기 파워 업 신호 생성부(320)는 상기 전압 감지부(310)의 상기 외부 전압 감지기(312), 상기 주변 전압 감지기(314) 및 상기 코어 전압 감지기(316)로 부터 출력된 각각의 레벨 신호를 입력으로 하여 상기 세 신호가 모두 하이 레벨일 때에만 로우 레벨의 신호를 출력하고 이외의 경우에는 하이 레벨의 신호를 출력하는 낸드 게이트(322) 및 상기 낸드 게이트(322)로부터 입력되는 신호의 레벨을 반전시켜 내부 파워 업 신호(pwrup_i)로 출력하는 인버터(324)로 구성된다.In addition, the power-up signal generator 320 is a level signal output from the external voltage detector 312, the peripheral voltage detector 314, and the core voltage detector 316 of the
이와 같이 구성된 파워 업 신호 공급 장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다.The operation of the power-up signal supply device configured as described above is as follows.
상기 레지스터 파워 업 신호 공급 수단(200)의 상기 외부 전압 감지기(210)는 일정값 이상의 상기 외부 전압(Vext)이 입력되면 하이 레벨의 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)를 출력하여 레지스터 블록에 전달한다. 이렇게 레지스터 블록에 전달되는 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)는 상기 파워 업 신호 공급 장치가 속한 반도체 집적 회로가 처한 상태, 즉 액티브 모드나 대기 모드 또는 딥 파워 다운 모드에 관계 없이 일정하게 신호를 공급한다. 따라서 상기 외부 전압(Vext)이 상기 파워 업 신호 공급 장치에 인가되는 한 상기 레지스터 블록에는 데이터가 유지된다.The
그러나 상기 내부 파워 업 신호 공급 수단(300)은 딥 파워 다운 신호(DPD)의 영향을 받는다. 상기 전압 감지부(310)의 상기 주변 전압 감지기(314)는 일정값 이상의 상기 주변 전압(Vperi)이 입력되면 하이 레벨의 신호를 출력한다. 마찬가지로 상기 코어 전압 감지기(316)는 일정값 이상의 상기 코어 전압(Vcore)이 입력되면 하이 레벨의 신호를 출력한다. 그리고 상기 외부 전압 드라이버(302)는 상기 딥 파워 다운 신호(DPD)가 디스에이블 되면 상기 외부 전압(Vext)을 구동하여 상기 외부 전압 감지기(312)에 전달한다. 이후 상기 외부 전압 감지기(312)는 상기 외부 전압 드라이버(302)로부터 입력되는 전압이 일정값 이상이면 하이 레벨의 신호를 출력한 다.However, the internal power up signal supply means 300 is affected by the deep power down signal DPD. The peripheral voltage detector 314 of the
이렇게 되면 상기 파워 업 신호 생성부(320)의 상기 낸드 게이트(322)의 세 입력 단자에는 모두 하이 레벨의 신호가 입력된다. 그러면 상기 낸드 게이트(322)는 로우 레벨의 신호를 출력하게 된다. 이후 상기 인버터(324)는 상기 로우 레벨의 신호를 반전시켜 하이 레벨의 내부 파워 업 신호(pwrup_i)를 출력하여 내부 블록에 전달한다.In this case, a high level signal is input to all three input terminals of the
그러나 반도체 집적 회로가 딥 파워 다운 모드에 이르러 상기 외부 전압 드라이버(302)에 딥 파워 다운 신호(DPD)가 인에이블 되어 입력되면 상기 외부 전압 드라이버(302)는 상기 외부 전압(Vext)을 차단한다. 따라서 상기 외부 전압 감지기(312)는 로우 레벨의 신호를 출력하게 되고 상기 파워 업 신호 생성부(320)에서 출력되는 내부 파워 업 신호(pwrup_i)는 디스에이블 된다.However, when the semiconductor integrated circuit reaches the deep power down mode and the deep power down signal DPD is enabled and input to the
이와 같이 상기 반도체 집적 회로가 전력 소모를 최소화하기 위한 딥 파워 다운 모드로 진입하게 되면 상기 내부 파워 업 신호 공급 수단(300)은 상기 내부 파워 업 신호(pwrup_i)를 디스에이블 되게 함으로써 상기 반도체 집적 회로의 내부 블록에서 이루어지는 전원 공급을 중단하게 하여 상기 반도체 집적 회로의 전력 소모를 감소시킨다. 그러나 상기 레지스터 파워 업 신호 공급 수단(200)은 상기 반도체 집적 회로의 딥 파워 다운 모드 진입 여부와 관계 없이 상기 레지스터 블록에 상기 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)를 공급함으로써 상기 레지스터 블록의 데이터가 유지되게 하는 것이다.As such, when the semiconductor integrated circuit enters a deep power down mode for minimizing power consumption, the internal power up signal supplying means 300 disables the internal power up signal pwrup_i, thereby preventing the internal power up signal of the semiconductor integrated circuit. The power supply made in the inner block is stopped to reduce power consumption of the semiconductor integrated circuit. However, the register power up signal supply means 200 supplies the register power up signal pwrup_r to the register block to maintain the data of the register block regardless of whether the semiconductor integrated circuit enters the deep power down mode. will be.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레지스터 파워 업 신호 공급 수단의 구성도이다.4 is a block diagram of a register power-up signal supply means according to another embodiment of the present invention.
도시한 레지스터 파워 업 신호 공급 수단(201)은 도 2에 도시하고 설명한 외부 전압 감지기(210)로부터 출력되는 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)를 일정 시간 지연시키는 지연기(220)를 추가하여 구성된다.The illustrated resistor power up signal supply means 201 is configured by adding a
도 2의 상기 레지스터 파워 업 신호 공급 수단(200)의 회로 구성이 상기 내부 파워 업 신호 공급 수단(300)보다 간단하기 때문에 상기 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)가 상기 레지스터 블록에 입력되는 시간이 상기 내부 파워 업 신호(pwrup_i)가 내부 블록에 입력되는 시간보다 더 빠를 수 있고 그로 인해 회로 동작이 정상적으로 이루어지지 않게 될 수도 있다. 이와 같이 상기 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)의 인에이블 타임이 상기 내부 파워 업 신호(pwrup_i)의 인에이블 타임보다 빠를 경우에는 도시한 바와 같이 상기 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)가 상기 레지스터 블록에 전달되기 전에 상기 지연기(200)가 상기 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)를 일정 시간 지연시킴으로써 상기 레지스터 파워 업 신호(pwrup_r)와 상기 내부 파워 업 신호(pwrup_i)를 동기화시킬 수 있다.Since the circuit configuration of the register power up signal supply means 200 of FIG. 2 is simpler than the internal power up signal supply means 300, the time for which the register power up signal pwrup_r is input to the register block is increased. The power-up signal pwrup_i may be faster than the time input to the inner block, and thus the circuit operation may not be performed normally. As such, when the enable time of the register power-up signal pwrup_r is earlier than the enable time of the internal power-up signal pwrup_i, the register power-up signal pwrup_r is transferred to the register block. The
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As such, those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative in all respects and not as restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
이상에서 설명한 본 발명의 반도체 집적 회로의 파워 업 신호 공급 장치는 레지스터 블록에 파워 업 신호를 공급하는 수단과 내부 블록에 파워 업 신호를 공급하는 수단을 각각 구비함으로써 딥 파워 다운 모드시 전력 소모는 감소시키면서 레지스터 블록의 데이터는 유지되도록 하는 효과가 있다.The power up signal supply apparatus of the semiconductor integrated circuit of the present invention described above includes means for supplying a power up signal to a register block and a means for supplying a power up signal to an internal block, respectively, thereby reducing power consumption in the deep power down mode. While maintaining the data of the register block.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050107279A KR100728555B1 (en) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | Apparatus for Supplying Power-up Signal in Semiconductor Integrated Circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050107279A KR100728555B1 (en) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | Apparatus for Supplying Power-up Signal in Semiconductor Integrated Circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070050113A KR20070050113A (en) | 2007-05-15 |
KR100728555B1 true KR100728555B1 (en) | 2007-06-15 |
Family
ID=38273782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050107279A KR100728555B1 (en) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | Apparatus for Supplying Power-up Signal in Semiconductor Integrated Circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100728555B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150071936A (en) | 2013-12-19 | 2015-06-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Initial signal generation circuit and semiconductor device using the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0125079Y1 (en) * | 1994-08-01 | 1999-02-18 | 김주용 | Semiconductor device |
-
2005
- 2005-11-10 KR KR1020050107279A patent/KR100728555B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0125079Y1 (en) * | 1994-08-01 | 1999-02-18 | 김주용 | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070050113A (en) | 2007-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100816403B1 (en) | Dynamic random access memory with low power consumption | |
US7251170B2 (en) | Peripheral voltage generator | |
US6996023B2 (en) | Semiconductor memory device capable of reducing current consumption in active mode | |
KR100631953B1 (en) | Memory device | |
KR970023372A (en) | Semiconductor memory | |
US6791894B2 (en) | DRAM power-source controller that reduces current consumption during standby | |
KR100790444B1 (en) | Memory device | |
US7564732B2 (en) | Internal voltage generation circuit for semiconductor device | |
KR20150001945A (en) | Semi conductor | |
KR100728555B1 (en) | Apparatus for Supplying Power-up Signal in Semiconductor Integrated Circuit | |
KR100784890B1 (en) | Circuit and Method for Controlling Internal Voltage in Semiconductor Memory Apparatus | |
KR100230372B1 (en) | Internal voltage converter for semiconductor memory device | |
KR101053526B1 (en) | Bulk bias voltage generator and semiconductor memory device including same | |
CN110853684B (en) | Apparatus for supplying power supply voltage to semiconductor chip | |
KR100608373B1 (en) | Method of controlling internal voltage for memory device | |
TWI477958B (en) | Computing system,apparatus,processor and method for managing power in a computing system | |
KR101143396B1 (en) | Internal Voltage Generator of Semiconductor Memory Device | |
KR20110002283A (en) | Semiconductor device | |
KR0154662B1 (en) | A clock enable buffer of the synchronous dram | |
JP4240863B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR20080099623A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR100762240B1 (en) | Power control circuit | |
KR20060012788A (en) | Semiconductor memory device for supporting dual power down modes | |
KR100642398B1 (en) | Device for controlling sense amp | |
KR20070007514A (en) | Power supply circuit and dram that curtail currents in self-refresh mode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110526 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |