KR102682279B1 - 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그 - Google Patents
반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102682279B1 KR102682279B1 KR1020220052087A KR20220052087A KR102682279B1 KR 102682279 B1 KR102682279 B1 KR 102682279B1 KR 1020220052087 A KR1020220052087 A KR 1020220052087A KR 20220052087 A KR20220052087 A KR 20220052087A KR 102682279 B1 KR102682279 B1 KR 102682279B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reflected light
- electrostatic chuck
- information
- wafer
- detected
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 37
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 63
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
Abstract
본 발명은 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그에 관한 것이다.개시되는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그가 반도체 및 디스플레이 중 적어도 하나를 제조하는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되고, 정전척 몸체 및 상기 정전척 몸체의 가장자리에서 이격되어 설치되는 에지링(edge ring)을 포함하는 정전척으로 이동 로봇이 웨이퍼를 이동시킬 수 있도록 상기 웨이퍼의 이동 위치를 조정하기 위한 것으로서, 베이스 부재와 반사광 감지 부재 및 제어 부재를 포함함에 따라, 상기 반사광 감지 부재가 배치된 상기 베이스 부재의 무게를 상대적으로 줄일 수 있고 두께도 상대적으로 얇게 형성할 수 있으면서도 상기 웨이퍼가 이동될 이동 위치를 정확하게 조정할 수 있게 있게 되는 장점이 있다.
Description
본 발명은 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그에 관한 것이다.
반도체 및 디스플레이 제조 설비는 반도체 및 디스플레이 중 적어도 하나를 제조하는 설비를 말한다.
이러한 반도체 및 디스플레이를 제조하기 위한 핵심 재료로 웨이퍼(Wafer)가 사용되는데, 상기 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 원형의 판이다.
상기 반도체 및 디스플레이를 제조하기 위한 다수 개의 공정을 거치게 되고 그 중의 하나인 식각 공정 등에서는 상기 웨이퍼를 챔버 내에 설치되는 정전척에 고정시킨 후 상기 웨이퍼를 가공하게 되는데, 이 때 상기 웨이퍼는 보관함에 보관되어져 있다가 이동 로봇에 의해 상기 챔버의 출입구를 거쳐 상기 정전척 상으로 이동된다.
상기 웨이퍼의 정확한 가공을 위해서는 상기 웨이퍼가 상기 이동 로봇에 의해 상기 정전척 상의 미리 정해진 지점으로 이동되어야 하고, 상기 웨이퍼가 미리 정해진 지점으로 이동되도록 이동 위치를 조정할 때 적용되는 것이 웨이퍼 이동 위치 조정 지그이다.
상기 웨이퍼 이동 위치 조정 지그는 테스트용 웨이퍼 또는 테스트 더미라고도 불리우고, 이러한 웨이퍼 이동 위치 조정 지그의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시돈 특허문헌의 그 것들이다.
아래 제시된 특허 문헌에 의하면, 영상을 촬영할 수 있는 카메라 등의 영상 촬영부가 복수 개 구비되고, 복수 개의 상기 영상 촬영부가 상기 정전척 상에 형성된 복수 개의 핀 홀을 각각 촬영한 후 영상 정보를 이용하여 연산 처리함으로써 상기 정전척의 중심을 확인하고, 이미 알고 있는 상기 웨이퍼 이동 위치 조정 지그의 중심과 상기 정전척의 중심을 비교하여 그 차이값을 보정하는 방식으로 이동 위치를 조정하게 된다.
그러나, 아래 제시된 특허 문헌의 경우, 영상 정보를 획득하기 위해 복수 개의 영상 촬영부가 설치되어야 하는데, 이러한 영상 촬영부의 무게가 상대적으로 무거울 뿐만 아니라 각 영상 촬영부의 무게가 정확하게 일치하지 않아 상기 이동 로봇에 의해 이동되는 동안 한 쪽으로 처지는 현상이 발생되었다.
또한, 상기 정전척으로 접근하기 위한 상기 챔버의 출입구 높이가 상대적으로 작아지게 되면서 상기 웨이퍼 이동 위치 조정 지그도 얇게 형성되어져야 하는데, 상기 영상 촬영부의 크기를 축소하기에는 한계가 있어, 그 두께를 상대적으로 얇게 형성할 수 있는 발명이 요구되고 있다.
본 발명은 전체적인 무게를 상대적으로 줄이고 두께도 상대적으로 얇게 형성할 수 있으면서도 웨이퍼의 이동 위치를 정확하게 조정할 수 있는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그는 반도체 및 디스플레이 중 적어도 하나를 제조하는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되고, 정전척 몸체 및 상기 정전척 몸체의 가장자리에서 이격되어 설치되는 에지링(edge ring)을 포함하는 정전척으로 이동 로봇이 웨이퍼를 이동시킬 수 있도록 상기 웨이퍼의 이동 위치를 조정하기 위한 것으로서, 소정 면적의 평판 형태로 형성되고, 상기 정전척 몸체 상에 놓여지는 베이스 부재; 상기 베이스 부재의 가장자리부에 배치되고, 상기 정전척 쪽으로 광을 조사한 다음, 상기 정전척에서 반사되는 반사광 중 적어도 일부를 감지하는 반사광 감지 부재; 및 상기 반사광 감지 부재의 작동을 제어하는 제어 부재;를 포함하고, 상기 반사광 감지 부재는 상기 베이스 부재에서 적어도 두 개가 소정 각도 이격되어 배치되고, 상기 제어 부재가 미리 설정된 반사광 정보인 설정 반사광 정보와, 상기 반사광 감지 부재에서 감지되는 반사광 정보인 감지 반사광 정보를 비교하고, 상기 설정 반사광 정보에 대한 상기 감지 반사광 정보의 오차값을 이용하여 보정 정보를 생성하고, 상기 제어 부재에 의해 상기 보정 정보가 상기 이동 로봇에 전달됨으로써 상기 반사광 감지 부재가 배치된 상기 베이스 부재의 이동 위치가 조정될 수 있고, 상기 각 반사광 감지 부재는 상기 베이스 부재의 가장자리부에 배치되고, 상기 정전척에 광을 조사하는 광 조사부와, 상기 광 조사부와 이격되어 배치되고, 복수 개의 반사광 투과홀이 형성된 반사광 투과부와, 상기 반사광 투과부의 상공에 배치되고, 상기 광 조사부에서 조사된 상기 광이 상기 정전척을 구성하는 상기 정전척 몸체 및 상기 에지링 중 적어도 하나에서 반사되어 형성되는 상기 반사광 중 상기 반사광 투과홀을 통해 투과되는 것을 감지하는 반사광 감지부를 포함하고, 상기 반사광 감지 부재가 배치된 상기 베이스 부재가 상기 이동 로봇에 의해 상기 정전척 상으로 이동된 상태에서 상기 광 조사부에서 조사된 상기 광이 상기 정전척에서 반사됨으로써 상기 반사광이 형성되고, 상기 반사광 중 상기 반사광 투과홀을 투과한 것이 상기 반사광 감지부에서 감지되어 상기 감지 반사광 정보가 생성된 후 상기 제어 부재로 전달되고, 상기 제어 부재가 상기 설정 반사광 정보와 상기 감지 반사광 정보를 비교하고, 상기 제어 부재에 의해 상기 감지 반사광 정보와 상기 설정 반사광 정보가 불일치하다고 판단되면, 상기 제어 부재는 상기 감지 반사광 정보와 상기 설정 반사광 정보의 오차값에 대한 상기 보정 정보를 생성한 후 상기 이동 로봇에 전달하게 되고, 그에 따라 상기 이동 로봇이 상기 보정 정보를 이용하여 상기 정전척에 대해 상기 반사광 감지 부재가 배치된 상기 베이스 부재의 이동 위치를 조정시킬 수 있게 되고, 상기 반사광 투과부는 박막필름 형태로 형성되고, 복수 개의 상기 반사광 투과홀은 상기 반사광 투과부의 길이 방향으로 동일한 거리만큼 이격되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그에 의하면, 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그가 반도체 및 디스플레이 중 적어도 하나를 제조하는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되고, 정전척 몸체 및 상기 정전척 몸체의 가장자리에서 이격되어 설치되는 에지링(edge ring)을 포함하는 정전척으로 이동 로봇이 웨이퍼를 이동시킬 수 있도록 상기 웨이퍼의 이동 위치를 조정하기 위한 것으로서, 베이스 부재와 반사광 감지 부재 및 제어 부재를 포함함에 따라, 상기 반사광 감지 부재가 배치된 상기 베이스 부재의 무게를 상대적으로 줄일 수 있고 두께도 상대적으로 얇게 형성할 수 있으면서도 상기 웨이퍼가 이동될 이동 위치를 정확하게 조정할 수 있게 있게 되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그가 정전척 상에 배치된 모습을 보이는 단면도.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 도면.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 위에서 내려다본 평면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 수직으로 절단한 후 일부를 확대한 확대도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 구성하는 반사광 감지 부재에 반사광이 감지된 모습을 보이는 도면.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 구성하는 반사광 감지 부재의 일부를 확대한 확대도.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 도면.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 위에서 내려다본 평면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 수직으로 절단한 후 일부를 확대한 확대도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 구성하는 반사광 감지 부재에 반사광이 감지된 모습을 보이는 도면.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 구성하는 반사광 감지 부재의 일부를 확대한 확대도.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그가 정전척 상에 배치된 모습을 보이는 단면도이고, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 도면이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 위에서 내려다본 평면도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 수직으로 절단한 후 일부를 확대한 확대도이고, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 구성하는 반사광 감지 부재에 반사광이 감지된 모습을 보이는 도면이다.
도 1 내지 도 5를 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)는 반도체 및 디스플레이 중 적어도 하나를 제조하는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되고, 정전척 몸체(11) 및 상기 정전척 몸체(11)의 가장자리에서 이격되어 설치되는 에지링(edge ring)(12)을 포함하는 정전척(10)에 대해 상기 정전척의 미리 정해진 위치로 이동 로봇이 웨이퍼를 이동시킬 수 있도록 상기 정전척(10)에 대한 상기 웨이퍼의 이동 위치를 조정하기 위한 것으로서, 베이스 부재(110)와, 반사광 감지 부재(120) 및 제어 부재(130)를 포함한다.
상기 이동 로봇은 그 내부에 복수 개의 슬롯이 형성되어 상기 웨이퍼가 보관되는 풉(FOUP) 등의 보관함에서 가공 등을 위해 챔버 내에 설치된 상기 정전척(10)으로 상기 웨이퍼를 이동시키는 것이고, 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)는 상기 웨이퍼와 함께 상기 보관함에 배치되어 있다가 상기 웨이퍼가 이동되기 전 상기 이동 로봇에 장착되어 상기 이동 로봇에 의해 상기 웨이퍼가 이동될 때 상기 정전척(10), 더 정확하게는 상기 정전척 몸체(11)상의 미리 정해진 위치로 이동되는지 여부를 확인하고, 상기 정전척 몸체(11)상의 미리 정해진 위치 대비 상기 이동 로봇에 의한 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)의 이동 위치 사이에 오차가 발생될 경우, 그 오차값을 연산하여 상기 이동 로봇에 전달함으로써 상기 웨이퍼의 이동 위치를 조정시킬 수 있는 것이다.
상기 베이스 부재(110)는 소정 면적의 평판 형태로 형성되고, 상기 정전척 몸체(11) 상에 놓여지는 것으로, 실리콘(Si) 재질로 이루어진 실리콘 기판 등이 그 예로 제시될 수 있다.
본 실시예에서 상기 베이스 부재(110)는 원판 형태로 형성되고, 상기 정전척(10)의 상면에 비해 상대적으로 크게 형성되어 상기 정전척(10) 상에 놓여질 때 상기 정전척(10)에서 외측으로 확장되는 형태로 형성된다.
도면 번호 115 는 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)가 상기 보관함의 상기 슬롯에 삽입될 때 미리 정해진 방향으로 삽입된 후 미리 정해진 위치에 안착되도록 가이드하는 가이드홀이다.
상기 보관함에는 상기 가이드홀(115)을 인식하는 인식 수단(미도시)이 형성되고, 상기 인식 수단이 상기 보관함에 삽입되는 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)의 상기 가이드홀(115)을 인식하게 됨으로써 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)가 항상 미리 정해진 위치에 배치될 수 있게 된다.
상기 반사광 감지 부재(120)는 상기 베이스 부재(110)의 가장자리부에 배치되고, 상기 정전척(10) 쪽으로 광을 조사한 다음, 상기 정전척(10)에서 반사되는 반사광 중 적어도 일부를 감지하는 것이다.
상기 반사광 감지 부재(120)는 상기 베이스 부재(110)에서 적어도 두 개가 소정 각도 이격되어 배치된다.
상기 정전척(10) 상에서 상기 베이스 부재(110)는 평면 이동을 하게 됨으로써 상기 베이스 부재(110)의 이동 위치를 조정하기 위해서는 최소 두 개의 축, 예를 들어 X축 및 Y축을 기준으로 한 이동 정보가 필요하게 된다.
상기 반사광 감지 부재(120)가 두 개로 이루어질 경우, 두 개의 축을 기준으로 확인이 용이하도록 두 개의 상기 반사광 감지 부재(120)는 서로 수직되게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 각 반사광 감지 부재(120)는 광 조사부(121)와, 반사광 투과부(122)와, 반사광 감지부(124)를 포함한다.
상기 광 조사부(121)는 상기 베이스 부재(110)의 가장자리부에 배치되고, 상기 정전척(10)을 구성하는 상기 정전척 몸체(11) 및 상기 에지링(12)에 광을 조사하는 것으로, LED 등이 그 예로 제시될 수 있다.
본 실시예에서 상기 광 조사부(121)는 상기 광이 효율적으로 조사될 수 있도록 소정 거리 이격되면서 한 쌍으로 이루어진다.
상기 반사광 투과부(122)는 상기 광 조사부(121)와 이격되어 배치되면서 소정 길이로 형성되고, 복수 개의 반사광 투과홀(123)이 형성된 것이다.
상기 반사광 투과부(122)는 한 쌍의 상기 광 조사부(121) 사이의 중앙에 배치되면서 상기 반사광 투과부(122)는 박막필름 형태로 형성된다.
복수 개의 상기 반사광 투과홀(123)은 상기 반사광 투과부(122)의 길이 방향으로 동일한 거리만큼 이격되면서 일렬로 형성된다.
상기 반사광 투과부(122)는 상기 베이스 부재(110)의 중심을 지나는 가상의 중심선에 형성되고, 한 쌍의 상기 광 조사부(121)는 상기 반사광 투과부(122)를 기준으로 서로 대칭되게 배치된다.
상기 반사광 감지부(124)는 상기 반사광 투과부(122)의 상공에 배치되고, 상기 광 조사부(121)에서 상기 정전척(10) 쪽으로 조사된 상기 광이 상기 정전척(10)을 구성하는 상기 정전척 몸체(11) 및 상기 에지링(12) 중 적어도 하나에서 반사되어 형성되는 상기 반사광 중 상기 반사광 투과홀(123)을 통해 투과되는 것을 감지하는 것으로, 광 감지 센서 등이 그 예로 제시될 수 있다.
상세히, 상기 광 조사부(121)에서 상기 정전척(10) 쪽으로 조사된 상기 광은 상기 정전척(10)을 구성하는 상기 정전척 몸체(11) 및 상기 에지링(12) 중 적어도 하나에서 반사됨으로써 상기 반사광이 형성되고, 상기와 같이 형성된 상기 반사광 중 상기 반사광 투과홀(123)을 통과한 것이 상기 반사광 감지부(124)에서 감지된다.
상기 정전척 몸체(11) 중 상기 정전척 몸체(11)의 상면에는 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)가 놓여짐으로써 상기 반사광이 형성되지 아니하고, 예를 들어 상기 정전척 몸체(11)의 측면 등에서는 상기 광이 반사됨으로서 상기 반사광이 형성될 수 있게 된다.
본 실시예에서 상기 반사광 감지 부재(120)는 네 개로 이루어지고, 네 개의 상기 반사광 감지 부재(120)는 상기 베이스 부재(110)의 중심을 기준으로 등간격으로 이격되면서 상기 베이스 부재(110)의 가장자리부에 배치된다.
네 개의 상기 반사광 감지 부재(120)가 90° 등간격으로 이격되어 배치되면 서로 수직되는 두 개의 축인 상기 X축, 상기 Y축을 기준으로 오차값을 확인할 수 있다.
즉, 네 개의 상기 반사광 감지 부재(120) 중 한 쌍의 것은 상기 베이스 부재(110)의 중심을 지나는 하나의 가상의 중심선에 배치되어 상기 X축으로의 오차값을 확인할 수 있고, 네 개의 상기 반사광 감지 부재(120) 중 다른 한 쌍의 것은 상기 베이스 부재(110)의 중심을 지나는 상기 하나의 가상의 중심선과 수직되는 다른 하나의 가상의 중심선에 배치되어 상기 Y축으로의 오차값을 확인할 수 있다.
상기 제어 부재(130)는 상기 반사광 감지 부재(120)의 작동을 제어하는 것이다.
상기 제어 부재(130)는 상기 베이스 부재(110) 상에 배치될 수도 있고, 상기 베이스 부재(110)로부터 이격되어 PC 형태로 형성되고, 상기 반사광 감지 부재(120)와 통신하여 상기 감지 반사광 정보를 전달받을 수 있다.
상기 제어 부재(130)에는 상기 각 반사광 감지 부재(120)에서 감지되어야 할 정보인 설정 반사광 정보가 미리 저장된다.
그러면, 상기 제어 부재(130)가 미리 설정된 상태로 상기 제어 부재(130)에 저장되어 있는 반사광 정보인 상기 설정 반사광 정보와, 상기 반사광 감지 부재(120)에서 감지되는 반사광 정보인 감지 반사광 정보를 비교하고, 상기 설정 반사광 정보에 대한 상기 감지 반사광 정보의 오차값을 이용하여 보정 정보를 생성함으로써 상기 반사광 감지 부재(120)가 배치된 상기 베이스 부재(110)의 이동 위치를 조정시킬 수 있게 된다.
예를 들어, 도 5에 도시된 것과 같이, 상기 베이스 부재(110)의 중심을 원점(O)으로 정의하고, 네 개의 상기 반사광 감지 부재(120) 중 수평으로 한 쌍이 배치된 축을 상기 X축으로 정의하고, 네 개의 상기 반사광 감지 부재(120) 중 수직으로 한 쌍이 배치된 축을 상기 Y축으로 정의한 다음, 상기 각 반사광 투과홀(123)을 투과한 후 상기 각 반사광 감지부(124)에 감지된 상기 반사광의 개수를 확인한 결과, 상기 X축에 배치된 한 쌍의 상기 반사광 감지 부재(120) 중 좌측의 것은 4개가 감지되고, 한 쌍의 상기 반사광 감지 부재(120) 중 우측의 것은 2개가 감지되고, 상기 Y축에 배치된 한 쌍의 상기 반사광 감지 부재(120) 중 상측의 것은 4개가 감지되고, 상기 Y축에 배치된 한 쌍의 상기 반사광 감지 부재(120) 중 하측의 것은 2개가 감지된다면, 상기 제어 부재(130)는 네 개의 상기 반사광 감지부(124) 모두 상기 반사광이 3개씩 감지될 수 있도록 상기 베이스 부재(110)를 -X축 및 +Y축으로 이동시키는 보정 정보를 생성하게 된다.
상기와 같이 형성되면, 상기 반사광 감지 부재(120)가 배치된 상기 베이스 부재(110)가 상기 가이드홀(115)에 의해 미리 정해진 방향으로 상기 보관함에 수용되어 있다가 상기 이동 로봇에 의해 상기 정전척(10) 상으로 이동된 상태에서 상기 광 조사부(121)에서 조사된 상기 광이 상기 정전척(10)을 구성하는 상기 정전척 몸체(11) 및 상기 에지링(12) 중 적어도 하나에서 반사됨으로써 상기 반사광이 형성되고, 상기 반사광 중 상기 반사광 투과홀을 투과한 것이 상기 반사광 감지부(124)에서 감지되어 상기 감지 반사광 정보가 생성된 후 상기 제어 부재(130)로 전달되고, 상기 제어 부재(130)가 상기 설정 반사광 정보와 상기 반사광 감지부(124)에서 감지된 상기 감지 반사광 정보를 비교하고, 상기 제어 부재(130)에 의해 상기 감지 반사광 정보와 상기 설정 반사광 정보가 불일치하다고 판단되면, 상기 제어 부재(130)는 상기 감지 반사광 정보와 상기 설정 반사광 정보의 오차값에 대한 상기 보정 정보를 생성한 후 상기 이동 로봇에 전달하게 되고, 그에 따라 상기 이동 로봇이 상기 보정 정보를 이용하여 상기 정전척(10)에 대해 상기 반사광 감지 부재(120)가 배치된 상기 베이스 부재(110)가 상기 반사광 감지 부재(120)가 놓여진 상태로 이동 위치를 조정시킬 수 있게 된다.
상기 설정 반사광 정보는 상기 제어 부재에 저장부(미도시)가 구비되어 상기 저장부에 저장될 수도 있고, 외부 저장소에 저장되어 있다가 USB 등을 통해 상기 제어 부재(130)로 전달될 수도 있다.
또한, 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)는 상기 반사광 감지 부재(120)에서 감지된 상기 감지 반사광 정보를 외부로 송신하거나, 외부로부터 정보를 수신할 수 있는 통신부를 더 포함할 수도 있다.
여기서, 외부의 대상은 상기 제어 부재(130)가 될 수도 있고, 상기 이동 로봇이 될 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)의 작동에 대하여 설명한다.
먼저, 상기 보관함에 상기 반사광 감지 부재(120)가 장착된 상기 베이스 부재(110)를 마련한다.
그런 다음, 상기 이동 로봇이 상기 반사광 감지 부재(120)가 장착된 상기 베이스 부재(110)를 상기 정전척(10) 상으로 이동한다.
그런 다음, 상기 광 조사부(121)에서 상기 광을 조사한다. 상기 광 조사부(121)에서 조사된 상기 광 중 상기 정전척(10)에 조사된 것은 그 표면에서 반사되어 상기 반사광이 형성되고, 상기 반사광 중 상기 반사광 투과부(122)에 형성된 상기 반사광 투과홀(123)을 통과한 것은 상기 반사광 감지부(124)에 감지된다.
이 때, 조사된 상기 광 중 상기 정전척 몸체(11)에 조사된 것은 상기 반사광 투과부(122)에서 반사되지 아니하고, 상기 반사광 투과부(122)를 제외한 나머지 부분, 예를 들면, 상기 정전척 몸체(11)의 상면 등를 제외한 나머지 부분으로 반사된다.
상기 반사광 감지 부재(120)에서 감지된 상기 감지 반사광 정보가 상기 제어 부재(130)에 전달되고, 상기 제어 부재(130)는 미리 저장된 상기 설정 반사광 정보와 상기 감지 반사광 정보를 비교한다.
상기 설정 반사광 정보와 상기 감지 반사광 정보가 일치할 경우, 상기 제어 부재(130)는 상기 이동 로봇에 이동 위치 조정 완료라는 신호를 수신한다.
상기 설정 반사광 정보와 상기 감지 반사광 정보가 불일치할 경우, 상기 제어 부재(130)는 상기 설정 반사광 정보에 대한 상기 감지 반사광 정보의 오차값을 연산하여 상기 보정 정보를 생성한 다음, 상기 보정 정보를 상기 이동 로봇에 전달한다.
상기 이동 로봇은 상기 제어 부재(130)에서 전달된 상기 보정 정보를 이용하여 상기 반사광 감지 부재(120)가 장착된 상기 베이스 부재(110)의 이동 위치를 조정한다.
상기와 같이, 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그(100)가 상기 반도체 및 디스플레이 중 적어도 하나를 제조하는 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되고, 상기 정전척 몸체(11) 및 상기 정전척 몸체(11)의 가장자리에서 이격되어 설치되는 상기 에지링(12)(edge ring)을 포함하는 상기 정전척(10)으로 상기 이동 로봇이 웨이퍼를 이동시킬 수 있도록 상기 웨이퍼의 이동 위치를 조정하기 위한 것으로서, 상기 베이스 부재(110)와 상기 반사광 감지 부재(120) 및 상기 제어 부재(130)를 포함함에 따라, 상기 반사광 감지 부재(120)가 배치된 상기 베이스 부재(110)의 무게를 상대적으로 줄일 수 있고 두께도 상대적으로 얇게 형성할 수 있으면서도 상기 정전척(10)에 대해 상기 웨이퍼가 이동될 이동 위치를 정확하게 조정할 수 있게 된다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그에 대하여 설명한다.
이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 제 1 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그를 구성하는 반사광 감지 부재의 일부를 확대한 확대도.
도 6을 참조하면, 본 실시예에서는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그가 베이스 부재와, 반사광 감지 부재 및 제어 부재를 포함한다.
상기 베이스 부재느 소정 면적의 평판 형태로 형성되고, 상기 정전척 몸체 상에 놓여지는 것이다.
상기 반사광 감지 부재는 상기 베이스 부재의 가장자리부에 배치되고, 상기 정전척 쪽으로 광을 조사한 다음, 상기 정전척에서 반사되는 반사광을 감지하는 것이다.
상기 제어 부재는 상기 반사광 감지 부재의 작동을 제어하는 것이다.
상기 반사광 감지 부재는 상기 베이스 부재에 적어도 두 개 배치되고, 상기 각 반사광 감지 부재는 광 조사부와, 반사광 투과부(222)와, 반사광 감지부(224)와, 반사광 집중부(240)와, 반사광 확산부(245)를 포함한다.
상기 광 조사부는 상기 베이스 부재의 가장자리부에 배치되고, 상기 정전척, 즉 정전척 몸체 및 에지링에 광을 조사하는 것이다.
상기 반사광 투과부(222)는 상기 광 조사부와 이격되어 배치되고, 복수 개의 반사광 투과홀(223)이 형성된 것이다.
상기 반사광 감지부(224)는 상기 반사광 투과부(222)의 상공에 배치되고, 상기 광 조사부에서 상기 정전척 쪽으로 조사된 상기 광이 상기 정전척을 구성하는 상기 정전척 몸체 및 상기 에지링 중 적어도 하나에서 반사되어 형성되는 상기 반사광 중 상기 반사광 투과홀(223)을 통해 투과되는 것을 감지하는 것으로, 광 감지 센서 등이 그 예로 제시될 수 있다.
상기 반사광 집중부(240)는 상기 반사광 투과부(222)의 하측에 결합되고, 복수 개의 상기 반사광 투과홀(223)과 연통되는 복수 개의 반사광 집중홀(241)이 형성된 것이다.
상기 각 반사광 집중홀(241)은 상기 반사광 투과부(222)에서 외측으로 멀어질수록 점진적으로 확장되도록 경사지게 형성된다.
그러면, 상기 반사광 집중홀(241) 중 상기 에지링과 상대적으로 근접된 하측 부분의 단면적이 상기 반사광 투과홀(223)의 단면적에 비해 상대적으로 넓게 형성됨으로써 상기 정전척에서 반사되는 상기 반사광 중 상대적으로 많은 광량이 상기 반사광 집중홀(241) 쪽으로 유입될 수 있게 된다.
상기 반사광 확산부(245)는 상기 반사광 감지부(224)의 하측에서 상기 반사광 투과부(222)와 대면되게 결합되고, 복수 개의 상기 반사광 투과홀(223)과 대면되는 복수 개의 반사광 확산홀(246)이 형성된 것이다.
상기 각 반사광 확산홀(246)은 상기 반사광 감지부(224)에서 상기 반사광 투과부(222) 쪽으로 갈수록 점진적으로 좁혀지도록 경사지게 형성된다.
상기 반사광 감지 부재가 상기 반사광 집중부(240) 및 상기 반사광 확산부(245)를 포함함에 따라, 상기 정전척에서 반사된 상기 반사광 중 상기 반사광 집중홀(241)로 유입된 것은 상기 반사광 집중홀(241)을 경유하면서 집중된 후 상기 반사광 투과홀(223)을 통해 상기 반사광 확산부(245)로 이동됨으로써 확산이 이루어지고, 그에 따라 상기 반사광 확산부(245)를 통해 확산된 상태에서 상기 반사광 감지부(224)에 감지될 수 있게 되고, 그에 따라, 상기 반사광 중 상기 반사광 투과부(222)로 유입되어 투과된 것에 대한 상기 반사광 감지부(224)의 감지 효율이 향상될 수 있게 된다.
상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그에 의하면, 상기 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그의 무게를 상대적으로 줄일 수 있고 두께도 상대적으로 얇게 형성할 수 있으면서도 상기 정전척 상에 대해 상기 웨이퍼가 이동될 이동 위치를 정확하게 조정할 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.
100 : 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그
10 : 정전척
11 : 정전척 몸체
12 : 에지링
110 : 베이스 부재
120 : 반사광 감지 부재
121 : 광 조사부
122 : 반사광 투과부
123 : 반사광 투과홀
124 : 반사광 감지부
130 : 제어 부재
10 : 정전척
11 : 정전척 몸체
12 : 에지링
110 : 베이스 부재
120 : 반사광 감지 부재
121 : 광 조사부
122 : 반사광 투과부
123 : 반사광 투과홀
124 : 반사광 감지부
130 : 제어 부재
Claims (4)
- 반도체 및 디스플레이 중 적어도 하나를 제조하는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되고, 정전척 몸체 및 상기 정전척 몸체의 가장자리에서 이격되어 설치되는 에지링(edge ring)을 포함하는 정전척으로 이동 로봇이 웨이퍼를 이동시킬 수 있도록 상기 웨이퍼의 이동 위치를 조정하기 위한 것으로서,
소정 면적의 평판 형태로 형성되고, 상기 정전척 몸체 상에 놓여지는 베이스 부재;
상기 베이스 부재의 가장자리부에 배치되고, 상기 정전척 쪽으로 광을 조사한 다음, 상기 정전척에서 반사되는 반사광 중 적어도 일부를 감지하는 반사광 감지 부재; 및
상기 반사광 감지 부재의 작동을 제어하는 제어 부재;를 포함하고,
상기 반사광 감지 부재는 상기 베이스 부재에서 적어도 두 개가 소정 각도 이격되어 배치되고,
상기 제어 부재가 미리 설정된 반사광 정보인 설정 반사광 정보와, 상기 반사광 감지 부재에서 감지되는 반사광 정보인 감지 반사광 정보를 비교하고, 상기 설정 반사광 정보에 대한 상기 감지 반사광 정보의 오차값을 이용하여 보정 정보를 생성하고, 상기 제어 부재에 의해 상기 보정 정보가 상기 이동 로봇에 전달됨으로써 상기 반사광 감지 부재가 배치된 상기 베이스 부재의 이동 위치가 조정될 수 있고,
상기 각 반사광 감지 부재는
상기 베이스 부재의 가장자리부에 배치되고, 상기 정전척에 광을 조사하는 광 조사부와,
상기 광 조사부와 이격되어 배치되고, 복수 개의 반사광 투과홀이 형성된 반사광 투과부와,
상기 반사광 투과부의 상공에 배치되고, 상기 광 조사부에서 조사된 상기 광이 상기 정전척을 구성하는 상기 정전척 몸체 및 상기 에지링 중 적어도 하나에서 반사되어 형성되는 상기 반사광 중 상기 반사광 투과홀을 통해 투과되는 것을 감지하는 반사광 감지부를 포함하고,
상기 반사광 감지 부재가 배치된 상기 베이스 부재가 상기 이동 로봇에 의해 상기 정전척 상으로 이동된 상태에서 상기 광 조사부에서 조사된 상기 광이 상기 정전척에서 반사됨으로써 상기 반사광이 형성되고, 상기 반사광 중 상기 반사광 투과홀을 투과한 것이 상기 반사광 감지부에서 감지되어 상기 감지 반사광 정보가 생성된 후 상기 제어 부재로 전달되고, 상기 제어 부재가 상기 설정 반사광 정보와 상기 감지 반사광 정보를 비교하고, 상기 제어 부재에 의해 상기 감지 반사광 정보와 상기 설정 반사광 정보가 불일치하다고 판단되면, 상기 제어 부재는 상기 감지 반사광 정보와 상기 설정 반사광 정보의 오차값에 대한 상기 보정 정보를 생성한 후 상기 이동 로봇에 전달하게 되고, 그에 따라 상기 이동 로봇이 상기 보정 정보를 이용하여 상기 정전척에 대해 상기 반사광 감지 부재가 배치된 상기 베이스 부재의 이동 위치를 조정시킬 수 있게 되고,
상기 반사광 투과부는 박막필름 형태로 형성되고, 복수 개의 상기 반사광 투과홀은 상기 반사광 투과부의 길이 방향으로 동일한 거리만큼 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 각 반사광 감지 부재는
상기 반사광 투과부의 하측에 결합되고, 복수 개의 상기 반사광 투과홀과 연통되는 복수 개의 반사광 집중홀이 형성된 반사광 집중부와,
상기 반사광 감지부의 하측에서 상기 반사광 투과부와 대면되게 결합되고, 복수 개의 상기 반사광 투과홀과 대면되는 복수 개의 반사광 확산홀이 형성된 반사광 확산부를 더 포함하고,
상기 각 반사광 집중홀은 상기 반사광 투과부에서 외측으로 멀어질수록 점진적으로 확장되게 형성되고,
상기 각 반사광 확산홀은 상기 반사광 감지부에서 상기 반사광 투과부 쪽으로 갈수록 점진적으로 좁혀지게 형성되고,
상기 정전척에서 반사된 상기 반사광 중 상기 반사광 집중홀로 유입된 것은 상기 반사광 집중홀을 경유하면서 집중된 후 상기 반사광 투과홀을 통해 상기 반사광 확산부로 이동됨으로써 확산이 이루어지고, 그에 따라 상기 반사광 확산부를 통해 확산된 상태에서 상기 반사광 감지부에 의해 감지될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220052087A KR102682279B1 (ko) | 2022-04-27 | 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220052087A KR102682279B1 (ko) | 2022-04-27 | 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230152393A KR20230152393A (ko) | 2023-11-03 |
| KR102682279B1 true KR102682279B1 (ko) | 2024-07-05 |
Family
ID=
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009184069A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウエハ搬送装置及びその調整方法 |
| KR101987895B1 (ko) | 2017-02-02 | 2019-06-12 | 주식회사 투윈테크 | 반도체 또는 디스플레이 시스템 분야에서 사용되는 이송 위치 측정용 테스트 더미 및 상기 이송 위치 측정용 테스트 더미를 이용한 정밀 이송 측정 방법 |
| KR102351993B1 (ko) * | 2020-02-24 | 2022-01-18 | 주식회사 에스에스엠 | 더미 웨이퍼 |
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009184069A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウエハ搬送装置及びその調整方法 |
| KR101987895B1 (ko) | 2017-02-02 | 2019-06-12 | 주식회사 투윈테크 | 반도체 또는 디스플레이 시스템 분야에서 사용되는 이송 위치 측정용 테스트 더미 및 상기 이송 위치 측정용 테스트 더미를 이용한 정밀 이송 측정 방법 |
| KR102351993B1 (ko) * | 2020-02-24 | 2022-01-18 | 주식회사 에스에스엠 | 더미 웨이퍼 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6808117B2 (en) | Method and apparatus for calibrating marking position in chip scale marker | |
| KR101211104B1 (ko) | 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 | |
| JP5248825B2 (ja) | チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置検出装置 | |
| US8431861B2 (en) | Height position detecting apparatus and height position detecting method | |
| JP4814187B2 (ja) | チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置検出装置 | |
| US10668678B2 (en) | Die tool, device and method for producing a lens wafer | |
| TWI828760B (zh) | 基板貼合裝置、參數計算裝置、基板貼合方法及參數計算方法 | |
| KR101857414B1 (ko) | 마킹 위치 보정장치 및 방법 | |
| KR102682279B1 (ko) | 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그 | |
| US11004743B2 (en) | Dicing method and laser processing apparatus | |
| KR20170095591A (ko) | 마킹 위치 보정장치 및 방법 | |
| KR20230152393A (ko) | 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그 | |
| KR102411116B1 (ko) | 기판처리시스템, 기판처리시스템의 기판이송방법 | |
| US6850332B2 (en) | Method for measuring step difference in a semiconductor device and apparatus for performing the same | |
| JP5243139B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| KR20170104048A (ko) | 레이저 리프트 오프 공정 간 대상물 반전 검출 방법 | |
| KR102543759B1 (ko) | 고정맵 기반 얼라이먼트 보상제어방식을 이용한 레이저 가공장치 및 그 방법 | |
| KR102504810B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 다이 정렬 방법 | |
| US20220157633A1 (en) | Wafer bonding apparatus | |
| KR100257788B1 (ko) | 웨이퍼 이송용 반송유니트의 로봇암 위치조정장치 | |
| US11835867B2 (en) | Measuring device and measuring method | |
| US20220208720A1 (en) | Substrate bonding apparatus and substrate bonding method | |
| KR20090054737A (ko) | 웨이퍼 정렬 장치 | |
| JP2008177206A (ja) | 基板保持装置、表面形状測定装置および応力測定装置 | |
| KR970003688B1 (ko) | 노광기에서의 웨이퍼 예비정렬 방법 |