KR102351993B1 - 더미 웨이퍼 - Google Patents

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KR102351993B1
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Abstract

일 실시예예 따른 더미 웨이퍼는, 상면 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하는 기판 및 상기 기판의 외주부에 대하여 돌출된 형상으로 형성된 측정부를 포함하고, 상기 측정부는 상기 기판이 정전척 또는 스테이지의 몸체와 상기 몸체의 외측에 배치된 에지링의 상측에 배치되는 경우 상기 정전척 또는 스테이지의 몸체와 상기 에지링 사이의 간극을 측정할 수 있다.

Description

더미 웨이퍼 {A DUMMY WAFER}
아래의 실시예들은 더미 웨이퍼에 관한 것이다.
반도체 소자는 수 만개에서 수십억 개의 전자부품들이 매우 작고 얇은 칩에 형성된 것이다.
이러한 반도체 소자를 만드는 중요한 재료로 사용되는 것이 바로 웨이퍼이다. 여기서, 웨이퍼란, 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥을 얇게 썬 원판모양의 판이다.
이러한 웨이퍼는 반도체 소자를 제조하기 위한 여러 제조 공정을 거쳐 그 표면에 트랜지스터나 다이오드 등의 소자가 만들어지고 몇 백개의 아이씨(IC)칩이 배열될 수 있다.
이러한 제조 공정에 있어서, 웨이퍼가 각 제조 단계에 맞게 이송되기 위해 이송로봇이 적용된다.
여기서, 종래에는 테스트 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼를 적절한 위치에 이송될 수 있는지 판단을 하기 위한 방법이나 장치가 개발되었으며, 이러한 예로 제시될 수 있는 것이 아래에 제시된 특허문헌들의 그 것들이다.
그러나, 아래 제시된 특허문헌들을 포함한 종래의 웨이퍼를 이송하는 방법이나 장치에 의하면, 웨이퍼가 이송될 장치에 웨이퍼가 적절하게 이송되었는지에 대한 기준점을 별도로 형성하여야 했다.
여기서, 기준점이 형성되어 있지 않은 장치에는 별도의 기준점을 제작하여야 했으며 이에 따라 제작 비용 및 시간이 다소 소요되는 문제점이 있었다.
또한, 종래에는 웨이퍼의 종류에 맞게 제공되는 지그가 정상적인 위치에 적절하게 위치하였는지 확인하는 방법이 있었으나, 이러한 방법에 있어서 우선, 웨이퍼의 종류에 맞게 대응되는 지그도 별도로 생산하여야 하는 단점이 있었다.
또한, 예를 들어 동일한 슬롯으로 분할된 웨이퍼용 운송용기에 웨이퍼가 보관된 상태에서, 보관된 웨이퍼를 이송로봇으로 빼낼 때, 웨이퍼의 측면과 상하부면이 손상되지 않도록 하여야 하는데 이러한 웨이퍼의 측면과 상하부면이 손상되지 않도록 감지하는 장치가 개발되지 아니하였다.
또한, 웨이퍼가 이송되는 과정에 있어서, 제조 장치에서 가해지는 진동을 감지하거나, 제조 장치 주변의 온습도 조건이 감지되어야 하는 경우가 있는데, 종래에는 이러한 조건들을 감지할 수 있는 수단이 그 제조 장치에 구비되어 있지 아니하였기 때문에, 그 제조 장치와 별도로 그러한 감지 수단들을 구비하여야 해서, 별도 구비에 따른 비용 상승 및 공간적 비효율성이 발생되는 문제가 있었다.
또한, 위와 같은 장치 및 방법에 있어, 일반적으로 블루투스 통신 기반의 시스템이 적용되었는데 이는 넓은 설비 환경에 비해 단거리 통신일 뿐만 아니라, 대량의 데이터를 전송할 수 없는 문제점이 있었다.
또한, 위 내용에서는 웨이퍼만을 제한하여 설명하였으나, 사각형 모양의 포토 마스크(Photo mask)나 엘씨디 패널(LCD Panel) 등이 사용되는 다른 제조 공정의 이송 역시, 정상적으로 이송이 이루어지고 있는지 확인할 수 있는 테스트 장비가 필요하였다
선행기술문헌
(특허문헌 0001) 공개특허 제 10??2010??0054908호, 공개일자: 2010.05.26., 발명의 명칭: 카메라 비젼을 통한 오토 티칭 원점 측정 방법
(특허문헌 0002) 공개특허 제 10??2003??00806976호, 공개일자: 2003.10.17., 발명의 명칭: 웨이퍼 테스트에 사용되는 척 높이 측정을 위한 지그
일 실시예에 따른 목적은 에지링에 대하여 정중앙의 위치에 더미 웨이퍼를 배치시킬 수 있도록 에지링과 정전척의 몸체 사이 또는 에지링과 웨이퍼가 놓이는 스테이지의 몸체 사이의 간극을 측정할 수 있는 더미 웨이퍼를 제공하는 것이다.
일 실시예에 따른 목적은 장치 내에 효과적으로 더미 웨이퍼를 수용 시키기 위하여 기존의 웨이퍼용 운송용기(FOUP)에 사용할 수 있도록 조명을 제공하거나 가이드부를 제공할 수 있는 더미 웨이퍼를 제공하는 것이다.
일 실시예에 따른 목적은 공정이 수행되는 주변 환경에 대한 데이터를 측정할 수 있는 더미 웨이퍼를 제공하는 것이다.
일 실시예예에 따른 더미 웨이퍼는, 상면 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하는 기판 및 상기 기판의 외주부에 대하여 돌출된 형상으로 형성된 측정부를 포함하고, 상기 측정부는 상기 기판이 정전척 또는 스테이지의 몸체와 상기 몸체의 외측에 배치된 에지링의 상측에 배치되는 경우 상기 정전척 또는 상기 스테이지의 몸체와 상기 에지링 사이의 간극을 측정할 수 있다.
이 때, 복수 개의 측정부가 배치될 수 있으며, 상기 복수 개의 측정부는 상기 기판의 외주부를 따라 서로 일정한 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다.
구체적으로, 각각의 측정부에서 측정된 상기 정전척 또는 스테이지의 몸체와 상기 에지링 사이의 간극의 값들을 서로 비교하여 상기 에지링에 대한 상기 기판의 중심점의 위치 값을 측정할 수 있다.
또한, 상기 더미 웨이퍼는, 측정된 상기 에지링에 대한 상기 기판의 중심점의 위치 값과 상기 에지링 내측의 정중앙에 대한 위치로 기 설정된 위치 값을 비교하여 상기 에지링 내측의 정중앙에 대해 상기 기판의 중심점이 이탈한 정도의 오차 값을 계산하고 저장할 수 있는 연산부를 더 포함할 수 있다.
아울러, 상기 더미 웨이퍼는, 상기 측정부에서 측정된 데이터 또는 상기 연산부에서 산출된 데이터를 외부로 송신하거나, 외부로부터 데이터 값을 수신할 수 있는 통신부를 더 포함할 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 더미 웨이퍼는, 상기 기판의 외주부의 일측에 형성된 가이드부를 더 포함할 수 있으며, 상기 기판이 장치 또는 웨이퍼용 운송용기(FOUP) 내에 수용된 경우, 상기 가이드부는 상기 장치 또는 웨이퍼용 운송용기의 특정된 일 측에 배치될 수 있다.
이 때, 상기 가이드부는 서로 인접한 두 개의 측정부 사이에 형성될 수도 있으며, 상기 기판의 상측 또는 하측을 향하여 레이저를 조사할 수 있다.
상기 측정부는, 상기 기판으로부터 탈부착되거나 상기 기판에 대하여 상측 또는 하측으로 접힐 수 있으며, 상기 기판의 외측으로 조명을 제공할 수 있다.
또한, 상기 측정부는, 상기 기판의 상태 또는 상기 기판의 주변 환경에 대한 데이터를 측정할 수 있다.
일 실시예에 따른 더미 웨이퍼는 에지링에 대하여 정중앙의 위치에 더미 웨이퍼를 배치시킬 수 있도록 에지링과 정전척의 몸체 사이 또는 에지링과 웨이퍼가 놓이는 스테이지의 몸체 사이의 간극을 측정할 수 있다.
일 실시예에 따른 더미 웨이퍼는 장치 내에 효과적으로 더미 웨이퍼를 수용시키기 위하여 기존의 웨이퍼용 운송용기(FOUP)에 사용 할 수 있도록 조명을 제공하거나 가이드부를 제공할 수 있는 더미 웨이퍼를 제공하는 것이다.
일 실시예에 따른 더미 웨이퍼는 공정이 수행되는 주변 환경에 대한 데이터를 측정할 수 있다.
도1 내지 도4는 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼를 나타낸다.
도5는 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼의 작동 상태를 나타낸다.
도6은 일 실시예에 따른 웨이퍼가 안착되는 에지링의 다양한 형태를 나타낸다.
도7은 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼가 장치 또는 웨이퍼용 운송용기(FOUP) 내에 배치된 상태를 나타낸다.
이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 이하의 설명은 실시예들의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 실시예에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다.
다만, 일 실시예를 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
또한, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도1 내지 도4는 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼를 나타내며, 도5는 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼의 작동 상태를 나타낸다. 도6은 일 실시예에 따른 웨이퍼가 안착되는 에지링의 다양한 형태를 나타내며, 도7은 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼가 장치 또는 웨이퍼용 운송용기(FOUP) 내에 배치된 상태를 나타낸다.
도1 및 도2를 참조하면, 일 실시예예 따른 더미 웨이퍼는 상면 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하는 기판(110) 및 상기 기판의 외주부에 대하여 돌출된 형상으로 형성된 측정부(120)를 포함할 수 있다. 또한, 기판의 외주부의 일측에 형성된 가이드부(130)를 더 포함할 수 있다.
이 때, 상기 측정부는 상기 기판이 정전척의 몸체와 정전척의 몸체의 외측에 배치된 에지링의 상측에 배치되는 경우 정전척의 몸체와 에지링 사이의 간극을 측정할 수 있다. 이와 같은 매커니즘에 대해서는 후술하기로 한다.
도3 및 도4의 실시예는 도1 및 도2의 실시예를 보다 간략화하여 표현한 것이다. 이를 토대로 측정부의 구체적인 실시예들을 검토하면, 도3 및 도4와 같이 복수 개의 측정부가 기판의 외주부를 따라 배치될 수 있으며, 복수 개의 측정부는 기판의 외주부를 따라 서로 일정한 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다.
즉, 도3과 같이 세 개의 측정부(120)로 구성될 경우, 각각의 측정부들은 외주부들을 따라 120ㅊ만큼 이격되어 배치될 수 있다. 뿐만 아니라, 도4와 같이 네 개의 측정부(120)로 구성될 경우, 각각의 측정부들은 외주부를 따라 90ㅊ만큼 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 측정부가 n개로 구성될 경우, 각각의 측정부들은 외주부를 따라 360ㅊ/n 만큼 이격되어 배치될 수 있다.
다만, 이에 반드시 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 일정하지 않은 거리만큼 이격되어 배치될 수 있음은 물론이다. 일 예로서, 두 개의 측정부로 구성될 경우 각각의 측정부들의 간격은 90ㅊ 또는 120ㅊ 만큼 이격되어 배치될 수도 있다.
이와 같은 측정부는 영상 케메라, 초음파 센서, 레이저 센서, 케패시턴스 센서 등으로 구성될 수 있다. 측정부의 구성은 측정 대상이 되는 에지링의 재질 또는 형태에 따라 선택적으로 채택될 수 있다.
또한, 측정부(120)는 기판(110)으로부터 탈부착될 수 있다. 이 때, 소켓, 자석, 또는 볼트 등의 방식으로 탈부착이 가능할 수 있다. 아울러, 측정부에는 별도의 발광요소(미도시)가 구비되어 기판의 외측을 향해 별도의 조명을 제공할 수도 있다.
이 때, 상기 기판(110)은 300㎜의 직경을 갖는 실리콘 기판일 수 있다. 그에 따라, 더미 웨이퍼 자체는 300mm 표준규격 FOUP에 수용될 수 있을 것이다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 재질과 수치로 기판의 직경이 형성될 수 있음은 자명하다.
도5를 참조하면, 이와 같은 구성을 포함하는 간극측정용 더미 웨이퍼(100)의 기판(110)은, 각각의 측정부에서 측정된 정전척의 몸체 또는 웨이퍼가 놓이는 스테이지의 몸체(200)와 에지링(300) 사이의 간극(G)의 값들을 서로 비교하여 에지링에 대한 기판(110)의 중심점의 위치 값을 확인할 수 있다.
이 때, 정전척(ESC)를 구성하는 정전척의 몸체 또는 웨이퍼가 놓이는 스테이지의 몸체(200)의 상부 가장자리 둘레를 따라서 에지링(edge ring, 300)이 위치되고, 상기 정전척의 몸체와 에지링 사이의 간극(G)의 상측 부분에는 더미 웨이퍼의 측정부(120)가 배치될 수 있다.
또한, 기판(110)은, 측정된 에지링에 대한 기판의 중심점의 위치 값과 에지링 내측의 정중앙에 대한 위치로 기 설정된 위치 값을 비교하여 에지링 내측의 정중앙에 대해 기판의 중심점이 이탈한 정도의 오차 값을 계산하는 연산부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
일 예로서, 측정부(120)가 정전척의 몸체 또는 웨이퍼가 놓이는 스테이지의 몸체(200)와 에지링(300)의 상측에 배치되는 경우, 각각의 측정부에서 측정된 상기 측정부(120)에 대한 상기 간극(G)의 상대적 위치 값들을 토대로, 각각의 위치 값들을 상대 비교함으로써 기판(110)의 현재 위치를 파악할 수 있다. 그 후, 에지링 내의 정중앙의 위차값 (0, 0의 좌표값) 대비 X축, Y축 기준으로 기판(110)의 중심의 위치가 얼마나 벗어났는지 연산할 수 있다.
다만, 필요에 따라 상기 연산부는 더미 웨이퍼 내에 포함되는 것이 아닌 더미 웨이퍼의 외부의 별도의 장치 내에 포함될 수도 있으며, 그에 따라, 더미 웨이퍼 자체에서는 에지링에 대한 기판의 중심점의 위치 값만을 측정할 수도 있다.
아울러, 더미 웨이퍼는, 측정부에서 측정된 데이터 또는 연산부에서 산출된 데이터를 외부로 송신하거나, 외부로부터 데이터 값을 수신할 수 있는 통신부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 측정 또는 연산된 데이터를 외부로 송신하지 않고 더미 웨이퍼 내부 장착된 저장부(미도시)에 데이터들을 저장하였다가, 더미 웨이퍼가 장치 외부로 배출된 경우 유선 또는 무선의 방식으로 데이터를 송신할 수도 있을 것이다.
또한, 상기 더미 웨이퍼 내에는 별도의 전원부(미도시)가 배치되고, 전원부는 무선 충전 방식으로 충전될 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 유선 충전 방식으로 충전될 수도 있을 것이다.
아울러, 측정부는 기판의 상태 또는 기판의 주변 환경에 대한 데이터를 측정할 수 있다.
일 예로서, 측정부는 더미 웨이퍼 자체의 기울기 또는 진동 등을 모니터링 할 수 있다. 또한, 더미 웨이퍼의 주변 환경에 대한 온도, 습도 또는 전자파 등을 모니터링 할 수 있다. 따라서, 반송계에 의하여 더미 웨이퍼가 이동되는 순간의 외부 환경에 대한 각종 데이터를 수집할 수 있으며, 더미 웨이퍼가 장치 내에 수용된 경우 장치 내의 환경에 대한 각종 데이터를 수집할 수 있다.
도6을 참조하면, 웨이퍼(100)의 외곽에 위치하는 에지링(300)은 일단부(310)가 단차진 형상으로 형성될 수 있다. 나아가, 에지링(300)의 일단부(310)는 테이퍼진 형상으로 형성되거나 굴곡 있는 형상으로 형성될 수 있다. 이와 같은 구조를 통하여, 생산용 웨이퍼의 에지쪽 유니포미티를 향상시켜 생산수율을 극대화할 수 있을 것이다.
도7을 참조하면, 기판(110)의 외주부의 일측에 형성된 가이드부(130)를 더 포함할 수 있으며, 기판이 장치 또는 FOUP(500) 내에 수용되어 FOUP(500) 내측에 형성된 슬롯(400) 상에 배치되는 경우, 가이드부(130)는 장치 또는 FOUP(500)의 특정된 일 측에 배치되어 기판이 기 설정된 방향으로 삽입되도록 하는 기준점으로서의 역할을 수행할 수 있다.
이 때, 상기 가이드부(130)는 장치 또는 FOUP(500)의 도어부 측에 형성될 수 있다. 다만, 이에 반드시 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 도어부 측을 기준으로 ??90ㅀ 또는 +90ㅀ 방향을 형성될 수도 있다. 뿐만 아니라, 기타 특정 다른 위치에 가이드부(130)가 형성될 수도 있다.
즉, 더미 웨이퍼가 FOUP(500) 내에 기 설정된 방향으로 위치되는 경우에 가이드부(130)는 FOUP의 도어부(510) 측에 배치되도록 형성될 수 있다. 이 때, 상기 장치는 풉(FOUP)일 수 있으며, 기타 다른 장치일 수도 있다. 상기 가이드부(130)는 얼라인 포인트로서 활용될 수 있다. 이 때, 가이드부(130)는 모따기 형식으로 형성될 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 가이드부(130)의 위치는 필요에 따라 도어 측 기준으로 일정 각도가 틀어진 방향에 형성될 수 있음은 물론이다.
또한, 가이드부(130)는 기판의 하측을 향하여 수직의 방향으로 레이저를 조사함으로써 기판의 하측에 얼라인 포인트로서 일 점을 형성할 수 있다. 즉, 가이드부(130)에 레이저 포인트가 구성될 수 있다. 이 때, FOUP(500)의 바닥 부분에는 안내 선 또는 포인트가 구비될 수 있어서, 가이드부(130)로부터 조사된 레이저가 상기 안내 선 또는 포인트와 매칭되도록 기판의 얼라인 방향을 조정할 수 있다. 이를 통해서, 기판은 기 설정된 방향으로 FOUP(500)으로 안정적으로 삽입될 수 있다.
또한, 상기 가이드부(130)는 기판에 대하여 하측의 방향에서 장치의 내측 바닥면을 향하는 대각선 방향 또는 기판에 대하여 상측의 방향에서 장치의 내측 윗면을 향하는 대각선 방향으로 조사될 수도 있다.
더미 웨이퍼가 특정 장치 또는 FOUP 내로 삽입될 때 장치 또는 FOUP 내에 형성된 슬롯(400)과 측정부가 간섭되는 것을 방지하기 위하여, 상기 가이드부는 서로 인접한 두 개의 측정부 사이의 중간 지점, 즉, 기판의 외주부를 따라 두 개의 측정부로부터 각각 동일한 거리만큼 이격된 지점에 형성될 수 있다.
아울러, 가이드부는 돌출요소로 형성될 수 있으며, 장치의 도어 내측에는 상기 돌출요소와 맞물리는 오목요소가 형성될 수 있다. 그에 따라, 기판에 형성된 돌출요소와 장치의 도어 내측에 형성된 오목요소가 서로 맞물려 더미 웨이퍼를 기 설정된 방향으로 얼라인 시켜 장치 내에 수용할 수 있다. 뿐만 아니라, 이와 반대로, 가이드부가 오목요소로 형성되고, 도어 내측에 상기 오목요소와 맞물리는 돌출요소가 형성될 수도 있을 것이다.
이와 같이 상기에서 검토한 구성들을 포함하는 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼는 에지링에 대하여 정중앙의 위치에 더미 웨이퍼를 배치시킬 수 있도록 에지링과 정전척의 몸체 사이의 간극을 측정할 수 있으며, 장치 또는 FOUP 내에 효과적으로 더미 웨이퍼를 수용 시키기 위하여 조명을 제공하거나 가이드부를 제공할 수 있다. 또한, 더미 웨이퍼는 공정이 수행되는 주변 환경에 대한 데이터를 측정할 수 있다.
이상과 같이 실시예에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 실시예가 설명되었으나 이는 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허 청구범위 뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100 : 웨이퍼
110 : 기판
120 : 측정부
130 : 가이드부
200 : 정전척의 몸체 / 웨이퍼가 놓이는 스테이지의 몸체
300 : 에지링
310 : 에지링의 일단부
400 : 슬롯
500 : FOUP
510 : FOUP의 도어부

Claims (9)

  1. 상면 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하는 기판; 및
    상기 기판의 외주부에 대하여 돌출된 형상으로 형성된 측정부;
    를 포함하고,
    상기 측정부는, 상기 기판이 정전척 또는 스테이지의 몸체와 상기 몸체의 외측에 배치된 에지링의 상측에 배치되는 경우, 상기 정전척 또는 스테이지의 몸체와 상기 에지링 사이의 간극을 측정할 수 있으며,
    복수 개의 측정부가 배치될 수 있고, 상기 복수 개의 측정부는 상기 기판의 외주부를 따라 서로 일정한 거리만큼 이격되어 배치되며,
    각각의 측정부에서 측정된 상기 정전척 또는 스테이지의 상기 몸체와 상기 에지링 사이의 간극의 값들을 서로 비교하여 상기 에지링에 대한 상기 기판의 중심점의 위치 값을 측정할 수 있는, 더미 웨이퍼.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    측정된 상기 에지링에 대한 상기 기판의 중심점의 위치 값과 상기 에지링 내측의 정중앙에 대한 위치로 기 설정된 위치 값을 비교하여, 상기 에지링 내측의 정중앙에 대해 상기 기판의 중심점이 이탈한 정도의 오차 값을 계산하고 저장할 수 있는 연산부;
    를 더 포함하는,
    더미 웨이퍼.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 측정부에서 측정된 데이터 또는 상기 연산부에서 산출된 데이터를 외부로 송신하거나, 외부로부터 데이터 값을 수신할 수 있는 통신부;
    를 더 포함하는,
    더미 웨이퍼.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 외주부의 일측에 형성된 가이드부;
    를 더 포함하고,
    상기 기판이 장치 또는 웨이퍼용 운송용기(FOUP) 내에 수용된 경우, 상기 가이드부는 상기 장치 또는 웨이퍼용 운송용기의 특정된 일 측에 배치될 수 있는,
    더미 웨이퍼.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가이드부는 서로 인접한 두 개의 측정부 사이에 형성될 수 있으며,
    상기 가이드부는 상기 기판의 상측 또는 하측을 향하여 레이저를 조사할 수 있는,
    더미 웨이퍼.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 측정부는 상기 기판으로부터 탈부착되거나 상기 기판에 대하여 상측 또는 하측으로 접힐 수 있는,
    더미 웨이퍼.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 측정부는,
    상기 기판의 상태 또는 상기 기판의 주변 환경에 대한 데이터를 측정할 수 있거나, 상기 기판의 외측으로 조명을 제공할 수 있는,
    더미 웨이퍼.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230152393A (ko) 2022-04-27 2023-11-03 주식회사 투윈테크 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그
KR102682279B1 (ko) * 2022-04-27 2024-07-05 주식회사 투윈테크 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990041065A (ko) * 1997-11-20 1999-06-15 윤종용 프로세스 챔버 내에서 얼라인먼트를 모니터링하기 위한 건식식각장치
KR20100009916A (ko) * 2008-07-21 2010-01-29 삼성전자주식회사 공정 챔버의 로테이션 밸런스 측정 장치 및 방법, 그리고이를 이용하는 반도체 제조 설비 및 그 방법
KR101987895B1 (ko) * 2017-02-02 2019-06-12 주식회사 투윈테크 반도체 또는 디스플레이 시스템 분야에서 사용되는 이송 위치 측정용 테스트 더미 및 상기 이송 위치 측정용 테스트 더미를 이용한 정밀 이송 측정 방법
JP6656200B2 (ja) * 2017-04-12 2020-03-04 東京エレクトロン株式会社 位置検出システム及び処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230152393A (ko) 2022-04-27 2023-11-03 주식회사 투윈테크 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그
KR102682279B1 (ko) * 2022-04-27 2024-07-05 주식회사 투윈테크 반도체 및 디스플레이 제조 설비에 적용되는 웨이퍼 이동 위치 조정 지그

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