KR102661676B1 - Method of fabricating display device - Google Patents
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Abstract
실시 예에 따르면, 제1기판상에 배치된 복수 개의 발광소자를 검사하는 단계; 상기 복수 개의 발광소자 중에서 불량인 발광소자가 없는 제1영역을 절단하는 단계; 및 상기 절단한 제1영역에 배치된 복수 개의 발광소자를 패널에 전사하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법을 개시한다.According to an embodiment, the steps include inspecting a plurality of light emitting devices disposed on a first substrate; cutting a first area without any defective light emitting elements among the plurality of light emitting elements; and transferring a plurality of light emitting elements arranged in the cut first area to a panel.
Description
실시 예는 발광소자가 픽셀로 사용되는 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a method of manufacturing a display device in which light-emitting elements are used as pixels.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices containing compounds such as GaN and AlGaN have many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy, and can be used in a variety of ways, such as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light-emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials have produced red, green, and green colors through the development of thin film growth technology and device materials. Various colors such as blue and ultraviolet rays can be realized, and efficient white light can also be realized by using fluorescent materials or combining colors. Compared to existing light sources such as fluorescent lights and incandescent lights, low power consumption, semi-permanent lifespan, and fast response are possible. It has the advantages of speed, safety, and environmental friendliness.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when light-receiving devices such as photodetectors or solar cells are manufactured using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials, the development of device materials absorbs light in various wavelength ranges to generate photocurrent. By doing so, light of various wavelengths, from gamma rays to radio wavelengths, can be used. In addition, it has the advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy control of device materials, so it can be easily used in power control, ultra-high frequency circuits, or communication modules.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, semiconductor devices can replace the transmission module of optical communication means, the light emitting diode backlight that replaces the cold cathode fluorescence lamp (CCFL) that constitutes the backlight of LCD (Liquid Crystal Display) display devices, and fluorescent or incandescent light bulbs. Applications are expanding to include white light-emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. Additionally, the applications of semiconductor devices can be expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
최근에는 HD(high definition) 및 대 화면의 표시 장치가 요구되고 있으나, 복잡한 구성들을 갖는 액정 표시 장치 및 유기 전계 표시 장치는 수율이 낮고 비용은 높아 고화질의 대화면 표시 장치를 구현하기 어렵다.Recently, high-definition (HD) and large-screen display devices are in demand, but liquid crystal displays and organic electric field displays with complex configurations have low yields and high costs, making it difficult to implement high-definition large-screen displays.
실시 예는 수율이 우수한 표시장치의 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a method of manufacturing a display device with excellent yield.
또한, 제작 비용이 절감된 표시장치의 제조방법을 제공한다.Additionally, a method of manufacturing a display device with reduced manufacturing costs is provided.
본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치 제조방법은, 제1기판상에 배치된 복수 개의 발광소자를 검사하는 단계; 상기 복수 개의 발광소자 중에서 불량 발광소자가 없는 제1영역을 절단하는 단계; 및 상기 절단한 제1영역에 배치된 복수 개의 발광소자를 패널에 전사하는 단계를 포함한다.A display device manufacturing method according to an embodiment of the present invention includes the steps of inspecting a plurality of light emitting devices disposed on a first substrate; cutting a first area without defective light emitting elements among the plurality of light emitting elements; and transferring the plurality of light emitting devices arranged in the cut first region to the panel.
상기 제1영역이 절단된 제1기판상에서 정상 발광소자를 상기 패널에 선택적으로 전사하는 단계를 포함할 수 있다.The method may include selectively transferring a normal light emitting device onto the panel on the first substrate from which the first region is cut.
상기 제1영역에 배치된 복수 개의 발광소자를 패널에 전사하는 단계는, 상기 제1영역에 배치된 복수 개의 발광소자를 임시 기판에 전사하는 단계; 및 상기 임시 기판에 전사된 발광소자를 상기 패널에 전사하는 단계를 포함할 수 있다.The step of transferring the plurality of light emitting devices arranged in the first area to the panel may include transferring the plurality of light emitting devices arranged in the first area to a temporary substrate; and transferring the light emitting device transferred to the temporary substrate to the panel.
상기 제1영역의 적어도 일 측면은 200um이상일 수 있다.At least one side of the first region may be 200 μm or more.
상기 패널에 선택적으로 전사하는 단계는, 상기 제1영역이 절단된 제1기판상에서 정상 발광소자를 상기 제1기판에서 분리하여 상기 패널에 전사할 수 있다.In the step of selectively transferring to the panel, the normal light emitting device may be separated from the first substrate on the first substrate in which the first region is cut and transferred to the panel.
상기 패널에 선택적으로 전사하는 단계는, 상기 제1기판에서 선택적으로 레이저를 조사하여 상기 정상 발광소자를 분리할 수 있다.In the step of selectively transferring to the panel, the normal light emitting device can be separated by selectively irradiating a laser on the first substrate.
실시 예에 따르면, 수율이 우수한 표시장치를 제작할 수 있다.According to the embodiment, a display device with excellent yield can be manufactured.
또한, 제작 비용을 절감할 수 있다.Additionally, production costs can be reduced.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.The various and beneficial advantages and effects of the present invention are not limited to the above-described content, and may be more easily understood through description of specific embodiments of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치의 개념도이고,
도 2는 발광소자의 개념도이고,
도 3은 복수 개의 발광소자가 성장한 웨이퍼의 평면도이고,
도 4는 정상인 복수 개의 발광소자가 모여있는 제1영역을 절단하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 5는 제1영역의 발광소자를 패널에 전사하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 6은 전사된 패널의 평면도이고,
도 7은 제1영역이 제거된 웨이퍼를 보여주는 도면이고,
도 8a 내지 도 8c는 웨이퍼 내의 정상 발광소자를 선택적으로 전사하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 9는 선택적 전사가 완료된 패널의 평면도이다.1 is a conceptual diagram of a display device according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a conceptual diagram of a light emitting device,
Figure 3 is a top view of a wafer on which a plurality of light-emitting devices are grown;
Figure 4 is a diagram showing the process of cutting the first area where a plurality of normal light-emitting devices are gathered;
Figure 5 is a diagram showing the process of transferring the light emitting element of the first area to the panel;
Figure 6 is a top view of the transferred panel;
Figure 7 is a view showing a wafer from which the first region has been removed;
Figures 8a to 8c are diagrams showing the process of selectively transferring normal light emitting elements in the wafer;
Figure 9 is a top view of a panel on which selective transfer has been completed.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention that can specifically realize the above object will be described with reference to the attached drawings.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where each element is described as being formed "on or under", (or under) includes both elements that are in direct contact with each other or one or more other elements that are formed (indirectly) between the two elements. Additionally, when expressed as "on or under", it can include not only the upward direction but also the downward direction based on one element.
반도체 소자는 발광 소자, 수광 소자 등 각종 전자 소자를 포함할 수 있으며, 발광 소자와 수광 소자는 모두 제 1 도전형 반도체층과 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The semiconductor device may include various electronic devices such as a light-emitting device and a light-receiving device, and both the light-emitting device and the light-receiving device may include a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer.
본 실시 예에 따른 반도체 소자는 발광 소자일 수 있다.The semiconductor device according to this embodiment may be a light emitting device.
발광 소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해서 결정된다. 따라서, 방출되는 빛은 상기 물질의 조성에 따라 다를 수 있다. Light-emitting devices emit light when electrons and holes recombine, and the wavelength of this light is determined by the material's inherent energy band gap. Accordingly, the light emitted may vary depending on the composition of the material.
이하에서는 실시 예의 반도체 소자를 발광 소자로 설명한다.Hereinafter, the semiconductor device of the embodiment will be described as a light emitting device.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치의 개념도이고, 도 2는 발광소자의 개념도이다.FIG. 1 is a conceptual diagram of a display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a conceptual diagram of a light emitting device.
도 1을 참고하면, 실시 예에 따른 표시장치는 어레이 기판(20)상에 형성된 복수 개의 픽셀(23)을 포함한다. 픽셀(23)은 발광다이오드(LED)로 구현할 수 있다. 따라서, 전력 소비가 낮아지며 낮은 유지 비용으로 긴 수명으로 제공될 수 있고, 고휘도의 자발광 디스플레이로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 1, a display device according to an embodiment includes a plurality of
픽셀(23)은 제1 내지 제3발광소자(B, G, R)가 실장되어 RGB 서브 픽셀 역할을 수행할 수 있다. 이하에서는 3개의 발광소자가 RGB 서브 픽셀로 기능하는 것으로 설명하나, 필요에 따라 발광소자의 개수는 조절될 수 있다.The
제1발광소자(B)는 청색 파장대의 광을 출력하는 제1서브픽셀의 역할을 수행할 수 있다. 제2발광소자(G)는 녹색 파장대의 광을 출력하는 제2서브픽셀의 역할을 수행할 수 있다. 제3발광소자(R)는 적색 파장대의 광을 출력하는 제3서브픽셀의 역할을 수행할 수 있다. The first light emitting device (B) may function as a first subpixel that outputs light in the blue wavelength range. The second light emitting device (G) may function as a second subpixel that outputs light in the green wavelength range. The third light emitting element (R) may function as a third subpixel that outputs light in the red wavelength range.
제2발광소자(G)와 제3발광소자(R)는 청색 발광다이오드에 파장변환층(51, 52)을 배치하여 녹색광 및 적생광으로 변환할 수 있다. 파장변환층(51, 52)은 형광체 또는 양자점(QD) 등을 모두 포함할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 제2발광소자은 녹색 발광다이오드일 수 있고, 제3발광소자는 적색 발광다이오드일 수도 있다.The second light emitting device (G) and the third light emitting device (R) can be converted into green light and red light by disposing the
제1 내지 제3발광소자(B, G, R)의 전기적 연결 방법은 제한되지 않는다. 예시적으로, 관통전극을 이용하거나 리드전극을 이용하여 발광소자를 전기적으로 연결할 수 있다. The method of electrically connecting the first to third light emitting elements (B, G, and R) is not limited. Illustratively, the light emitting device may be electrically connected using a through electrode or a lead electrode.
표시 장치는 SD(Standard Definition)급 해상도(760ⅹ480), HD(High definition)급 해상도(1180ⅹ720), FHD(Full HD)급 해상도(1920ⅹ1080), UH(Ultra HD)급 해상도(3480ⅹ2160), 또는 UHD급 이상의 해상도(예: 4K(K=1000), 8K 등)으로 구현될 수 있다. 이때, 실시 예에 따른 제1 내지 제3발광소자(B, G, R)는 해상도에 맞게 복수로 배열되고 연결될 수 있다.The display device has SD (Standard Definition) resolution (760×480), HD (High definition) resolution (1180×720), FHD (Full HD) resolution (1920×1080), UH (Ultra HD) resolution (3480×2160), or UHD resolution. It can be implemented at higher resolutions (e.g. 4K (K=1000), 8K, etc.). At this time, the first to third light emitting devices (B, G, R) according to the embodiment may be arranged and connected in plural numbers according to the resolution.
실시 예는 복수 개의 발광소자가 픽셀로 기능하여 영상 및 이미지를 구현하므로 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 장점을 갖는다.The embodiment has the advantage of excellent color purity and color reproduction because a plurality of light-emitting devices function as pixels to implement images.
실시 예는 직진성이 우수한 발광소자를 이용하여 영상 및 이미지를 구현하므로 선명한 100인치 이상의 대형 표시장치를 구현할 수 있다.The embodiment implements videos and images using light-emitting devices with excellent straightness, so a clear large display device of 100 inches or more can be implemented.
실시 예는 저비용으로 고해상도의 100인치 이상의 대형 표시장치를 구현할 수 있다.The embodiment can implement a large display device of 100 inches or more with high resolution at low cost.
도 2를 참고하면, 발광소자는 어레이 기판(20) 상에 배치되는 제1도전형 반도체층(110), 활성층(120), 및 제2도전형 반도체층(130)을 포함하는 발광구조물(140), 제1도전형 반도체층(110)의 측면에서 어레이 기판(20)로 연장된 제1전극(150), 발광구조물(140)의 측면과 제1전극(150)을 커버하는 절연층(160), 및 제2도전형 반도체층(130)상에 배치되는 제2전극(170)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting device is a
제1도전형 반도체층(110)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 1 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1도전형 반도체층(110)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제 1 도펀트가 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트인 경우, 제1도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층일 수 있다.The first
제2도전형 반도체층(130)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 2 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2도전형 반도체층(130)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 제 2 도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우 제2도전형 반도체층(130)은 p형 반도체층일 수 있다.The second
활성층(120)은 제1도전형 반도체층(110)과 제2도전형 반도체층(130) 사이에 구비된다. 활성층(120)은 제1도전형 반도체층(110)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)과 제2도전형 반도체층(130)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 상기와 같은 활성층(120)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The active layer 120 is provided between the first
발광소자를 표시 장치의 픽셀(23)마다 배치하여 발광소자를 구동시켜 화상을 표시하기 위해서는 발광소자가 픽셀(23)의 회로 패턴과 전기적으로 접속되어야 한다. 제1전극(150)은 일 끝단이 제1도전형 반도체층(110)과 접촉하며, 타 끝단은 어레이 기판(20)의 상부면까지 연장되어 전기적으로 연결될 수 있다.In order to display an image by placing a light emitting device in each
절연막(160)은 제2도전형 반도체층(130)의 일부를 노출시키도록 제1전극(150)과 발광 구조물(210a)을 감싸도록 배치될 수 있다. 절연막(160)은 제1전극(150)과 제2전극(170)의 전기적인 접속을 방지한다. 상기와 같은 절연막(160)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The insulating
제2전극(170)은 절연막(160)에 의해 노출된 제2도전형 반도체층(130)과 전기적으로 접속될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제2도전형 반도체층(130)과 제2전극 사이에 오믹층이 더 배치될 수 있다. 오믹층을 통해 제2전극(170)으로부터 제2도전형 반도체층(130)에 균일하게 전류가 확산될 수 있다.The
도 3은 복수 개의 발광소자가 성장한 웨이퍼의 평면도이고, 도 4는 정상인 복수 개의 발광소자가 모여있는 제1영역을 절단하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 5는 제1영역의 발광소자를 어레이 기판에 전사하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 6은 전사된 어레이 기판의 평면도이다.Figure 3 is a plan view of a wafer on which a plurality of light-emitting devices are grown, Figure 4 is a diagram showing the process of cutting the first region where a plurality of normal light-emitting devices are gathered, and Figure 5 is a diagram showing the light-emitting devices of the first region on the array substrate. This is a diagram showing the transfer process, and Figure 6 is a top view of the transferred array substrate.
본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치 제조방법은, 제1기판(10)상에 배치된 복수 개의 발광소자를 검사하는 단계, 복수 개의 발광소자 중에서 불량 발광소자(200)가 없는 제1영역(11)을 절단하는 단계, 및 절단한 제1영역(11)에 배치된 복수 개의 발광소자를 어레이 기판(20)에 전사하는 단계를 포함한다.A display device manufacturing method according to an embodiment of the present invention includes the steps of inspecting a plurality of light-emitting devices disposed on a
도 3을 참고하면, 제1기판(10)상에는 복수 개의 발광소자(100, 200)가 배치될 수 있다. 제1기판(10)은 웨이퍼 기판일 수 있고 복수 개의 발광소자(100, 200)는 웨이퍼상에서 성장한 에피 구조물일 수 있다.Referring to FIG. 3, a plurality of light emitting
예시적으로 한 장의 웨이퍼 상에서 동일한 방법으로 복수 개의 발광소자를 성장시킨 경우에도 일부 발광소자는 불량이 발생할 수 있다. 불량은 다양한 원인에 의해 유발될 수 있다. 예시적으로 불량은 발광 자체를 하지 않는 경우, 발광의 강도가 기준치를 만족하지 못하는 경우, 발광 파장대가 기준 범위를 벗어난 경우 등일 수 있다. For example, even when a plurality of light emitting devices are grown using the same method on a single wafer, some light emitting devices may be defective. Defects can be caused by various causes. For example, defects may include cases where light is not emitted, the intensity of light does not meet the standard value, or the emission wavelength range is outside the standard range.
이하에서는 기준을 합격하지 못한 발광소자를 불량 발광소자로 정의하고, 기준을 합격한 발광소자를 정상 발광소자로 정의한다.Hereinafter, light-emitting devices that do not pass the standards are defined as defective light-emitting devices, and light-emitting devices that pass the standards are defined as normal light-emitting devices.
그러나, 제1기판(10)을 그대로 어레이 기판(20)에 1:1 전사하는 경우에는 불량 발광소자(200)까지 전사되므로 수율이 낮은 문제가 있다. 또한, 정상 발광소자만 선택적으로 전사하는 경우에는 많은 칩을 하나 하나 컨트롤해야 하므로 공정이 길어진다. 특히, 각각의 칩을 동일한 방향으로 정렬하기 어려워 광 균일도를 유지하기 어렵다. However, in the case of 1:1 transfer of the
실시 예에서는 복수 개의 발광소자 중에서 불량 발광소자(200)가 없는 제1영역(11)을 절단한다. 도 3을 참고하면, 불량인 복수 개의 없는 제1영역(11)을 선별하고, 도 4와 같이 제1영역(11)을 절단한다. 제1영역(11)을 절단하는 방식은 특별히 제한되지 않는다. 일반적인 스크라이빙을 이용하여 절단할 수도 있다.In an embodiment, the
이후, 절단한 제1영역(11)에 배치된 복수 개의 발광소자를 어레이 기판(20)에 전사한다. Thereafter, the plurality of light emitting devices arranged in the cut
구체적으로, 기판을 어레이 기판(20)에 합착한 후, 발광소자가 분리되어 어레이 기판(20)에 전사되도록 기판에 전체적으로 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off; LLO)를 실시할 수 있다.Specifically, after bonding the substrate to the
이 과정을 통해 복수 개의 제1영역(11)을 순차적으로 어레이 기판(20)에 전사하여 불량이 없는 발광소자를 빠른 속도로 어레이 기판(20)에 전사시킬 수 있다.Through this process, a plurality of
이때, 제1영역(11)의 크기는 200x200um이상으로 제작할 수 있다. 제1영역(11)의 크기가 200x200um이상인 경우에는 일반적인 이송장치(예: 로봇암, 진동 척 등)로 이송할 수 있어 기존의 장비를 그대로 이용할 수 있는 장점이 있다.At this time, the size of the
도 7은 제1영역이 제거된 웨이퍼를 보여주는 도면이고, 도 8a 내지 도 8c는 웨이퍼 내의 정상 발광소자를 선택적으로 전사하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 9는 선택적 전사가 완료된 어레이 기판의 평면도이다.FIG. 7 is a view showing a wafer from which the first region has been removed, FIGS. 8A to 8C are views showing a process of selectively transferring normal light emitting devices in the wafer, and FIG. 9 is a plan view of an array substrate on which selective transfer has been completed.
도 7을 참고하면, 제1영역(11)이 제거된 제1기판(10)에 잔존하는 정상 발광소자(100)를 어레이 기판(20)에 전사할 수 있다. Referring to FIG. 7, the normal
구체적으로 도 8a와 같이 제1기판(10)을 대향 접착하고, 도 8b와 같이 정상 발광소자가 배치된 영역에만 레이저(30)를 조사하여 리프트 오프 시킨다. 이후, 제1기판(10)을 분리시키면 정상 발광소자(100)만 어레이 기판(20)에 선택적으로 전사될 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 8A, the
이러한 방법에 의하면, 그룹화된 발광소자들을 측정하여 사전에 불량이 있는 그룹을 제외하여 수율 100%의 어레이 기판(20)을 제작할 수 있다. 1:1 전사의 경우, 불량이 발생할 경우 전사까지 그대로 이어지기 때문에 전체 웨이퍼를 폐기하여야 했다. 그러나 실시 예에 따르면, 불량 발광소자만 골라 내고 나머지 발광소자는 사용할 수 있기 때문에 비용이 절감된다.According to this method, the
또한, 마이크로 LED로 대면적 디스플레이를 제작하는 경우, 대면적 웨이퍼를 구하기 어려워 1:1 전사 방식은 채택하기 어렵다. 또한, 선택적 전사는 전사 시간이 오래 걸리는 문제가 있다. 그러나, 실시 예에 따르면, 제1영역의 정상 발광소자를 1:1 전사하고 나머지 잔존하는 발광소자를 선택적으로 전사하므로 수율이 향상되고 비용도 절감할 수 있다.Additionally, when producing a large-area display with micro LED, it is difficult to adopt a 1:1 transfer method because it is difficult to obtain a large-area wafer. Additionally, selective transcription has the problem of taking a long transcription time. However, according to the embodiment, the normal light emitting devices in the first area are transferred 1:1 and the remaining light emitting devices are selectively transferred, thereby improving yield and reducing costs.
Claims (6)
상기 복수 개의 발광소자 중에서 불량인 발광소자가 없는 제1영역을 상기 제1기판으로부터 절단하는 단계;
상기 제1영역에 배치된 복수 개의 발광소자를 패널에 전사하는 단계;
상기 제1영역이 절단된 상기 제1기판을 상기 패널에 대향 접착시키는 단계; 및
상기 제1영역이 절단된 상기 제1기판상에 잔존하는 정상 발광소자가 배치된 영역에만 레이저를 선택적으로 조사하여 상기 정상 발광소자를 상기 제1기판으로부터 분리하여 상기 패널에 선택적으로 전사하는 단계를 포함하며,
상기 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제1 도전형 반도체층의 측면으로부터 상기 패널로 연장되는 제1 전극과, 상기 제1 전극 및 상기 발광 구조물을 둘러싸며 상기 제2 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 절연층, 및 상기 절연층에 의해 노출되는 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하는 표시장치 제조방법.
inspecting a plurality of light emitting devices arranged on a first substrate;
cutting a first area in which there is no defective light emitting device among the plurality of light emitting devices from the first substrate;
transferring a plurality of light emitting devices arranged in the first area to a panel;
adhering the first substrate, from which the first region is cut, to the panel; and
A step of selectively irradiating a laser only to the area where the normal light-emitting device remaining on the first substrate from which the first region was cut is disposed, separating the normal light-emitting device from the first substrate and selectively transferring it to the panel. Includes,
The light emitting device includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer, a first electrode extending from a side of the first conductive semiconductor layer to the panel, and the first electrode. and a display device comprising an insulating layer surrounding the light emitting structure and exposing a portion of the second conductive semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer exposed by the insulating layer. Manufacturing method.
상기 제1영역에 배치된 복수 개의 발광소자를 패널에 전사하는 단계는,
상기 제1영역에 배치된 복수 개의 발광소자를 임시 기판에 전사하는 단계; 및
상기 임시 기판에 전사된 발광소자를 상기 패널에 전사하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법.
According to paragraph 1,
The step of transferring the plurality of light emitting elements arranged in the first area to the panel,
transferring a plurality of light emitting devices arranged in the first area to a temporary substrate; and
A display device manufacturing method comprising transferring the light emitting element transferred to the temporary substrate to the panel.
상기 제1영역의 적어도 일 측면은 200um이상인 표시장치 제조방법.
According to paragraph 1,
A method of manufacturing a display device wherein at least one side of the first area is 200um or more.
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