KR20180053864A - Micro led display pixel assembly and method for manufacturing the same - Google Patents
Micro led display pixel assembly and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180053864A KR20180053864A KR1020160150943A KR20160150943A KR20180053864A KR 20180053864 A KR20180053864 A KR 20180053864A KR 1020160150943 A KR1020160150943 A KR 1020160150943A KR 20160150943 A KR20160150943 A KR 20160150943A KR 20180053864 A KR20180053864 A KR 20180053864A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting units
- unit
- tft
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 41
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- -1 InN Chemical compound 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체 및 이의 제조방법에 관한 발명으로서, 더욱 상세하게는 LED 화소에 스위칭 소자를 설치하여 일반 기판에서 TFT 백 플레인 없이 동작하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
평판 디스플레이(FPD: Flat Panel Display) 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(LCD)가 가장 주목받는 디스플레이였지만, 상기 액정표시장치가 수광형 디스플레이이기 때문에, 밝기, 콘트라스트(contrast), 시야각 및 대면적화 등에 기술적 한계가 있으며, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판디스플레이소자에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.In the field of Flat Panel Display (FPD), a liquid crystal display (LCD) which is light and consumes less power has attracted the greatest attention. However, since the liquid crystal display is a light receiving type display, brightness, contrast, There are technological limitations on the viewing angle and large area, and development of new flat panel display devices capable of overcoming these drawbacks is being actively developed.
새로운 평판디스플레이 중 하나인 유기 발광 디스플레이는 단위 유기발광 소자(Organic Light Emitting Device: OLED)의 2차원 배열을 가지는 것으로, 자체발광형이기 때문에, 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트등의 특성이 우수하며, 백라이트가 필요하지 않기 때문에, 보다 경량 박형화가 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. One of the new flat panel displays is the organic light emitting display, which has a two-dimensional array of organic light emitting devices (OLEDs) and is self-emissive. Therefore, the organic light emitting display has superior viewing angle and contrast characteristics compared to a liquid crystal display , A backlight is not required, so that it is possible to make the lightweight and thinner, and it is also advantageous in terms of power consumption.
또한, 직접 저전압 구동이 가능하고 응답 속도가 빠르며, 전부 고체이기 때문에, 외부 충격에 강하고 사용온도범위도 넓으며 특히, 제조 비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. In addition, since it is possible to drive directly at low voltage, has a fast response speed, and is entirely solid, it is resistant to external impacts, has a wide temperature range of use, and is especially advantageous in terms of manufacturing cost.
특히, 각 화소마다 스위칭 소자인 트랜지스터를 가지는 액티브 매트릭스 방식으로 유기 발광 디스플레이를 구동하게 되면, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로, 저소비전력, 고정세 및 대형화가 가능한 장점을 갖는다.Particularly, when an organic light emitting display is driven by an active matrix method having a transistor serving as a switching element for each pixel, even if a low current is applied, the same luminance is exhibited, which has advantages of low power consumption, high definition and large size.
이러한 유기발광표시장치, 액정표시장치 등과 같은 평판 디스플레이 장치는 구동을 위해 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT), 커패시터 등과 이들을 연결하는 배선을 포함하는 패턴을 기판상에 형성하여 제작된다. A flat panel display device such as an organic light emitting display device, a liquid crystal display device, or the like is manufactured by forming a pattern on a substrate including a thin film transistor (TFT), a capacitor, and the like for driving them.
여기서, 박막트랜지스터는 게이트 전극과, 게이트 절연층에 의해 게이트 전극과 전기적으로 절연되는 활성층과, 상기 활성층과 전기적으로 연결되는 소스전극 및 드레인전극을 포함한다. 박막트랜지스터는 구동 박막트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터를 제어하는 스위칭 박막트랜지스터를 포함한다.The thin film transistor includes a gate electrode, an active layer electrically insulated from the gate electrode by a gate insulating layer, and a source electrode and a drain electrode electrically connected to the active layer. The thin film transistor includes a driving thin film transistor and a switching thin film transistor controlling the driving thin film transistor.
도 1은 종래 기술에 따른 백플레인 장치를 나타낸 도면이다.1 shows a backplane apparatus according to the prior art.
도 1에 나타낸 바와 같이, 점선으로 이루어진 원 내에 도시된 예를 들면, 4 x 4 픽셀 클러스터 중의 하나의 픽셀로서 이용될 수 있는, 하나의 LED를 구동하기 위한 픽셀 회로망(20)으로, X0 내지 X3 라인들에 대한 어드레스 디코더(24)의 개략적인 표상이 도 1의 4 x 4 픽셀 클러스터 위의 직사각형에 의해서 도시되어 있다.As shown in Fig. 1, the
또한, Y0 내지 Y3 라인들에 대한 어드레스 디코더(24)의 개략적인 표상이 도 1의 4 x 4 픽셀 클러스터의 좌측 측부 상에서 직사각형으로 도시되어 있다. Also, a schematic representation of the
또한, 종래 기술에 따른 백플레인 장치(16)는 단일 픽셀(14)의 온/오프 제어를 제공하기 위한 픽셀 회로망들을 포함하고, 어드레스 디코더 회로들이 단일 픽셀들(14)을 어드레싱하기 위해서 제공된다. In addition, a
그러나 최근의 디스플레이 장치는 대형화 추세인데 종래의 백 플레인을 이용한 디스플레이 장치는 패널 형태로 제조되고, 또한, 패널상에 화소가 설치되며, 상기 화소를 동작시키기 위한 구동 드라이버를 패널의 엣지쪽에 설치함으로써, 베젤리스 형태의 제조가 어려운 문제점이 있다.However, in recent years, a display device using a backplane has been manufactured in a panel form, a pixel is mounted on a panel, and a driving driver for operating the pixel is installed on the edge of the panel, There is a problem that it is difficult to manufacture a bezel type.
또한, 종래의 TFT 백 플레인은 TFT 어레이에 대한 증착과정에서 모듈의 크기와, 방법이 제한되는 문제점과 함께 단위 발광 구조체로의 제조가 어려워 어레이 구조로 제조할 수 밖에 없는 문제점이 있다.In addition, the conventional TFT backplane has a problem in that the size and method of the module are limited during the deposition process for the TFT array, and it is difficult to manufacture the unit light emitting structure.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 LED 화소에 스위칭 소자를 설치하여 일반 기판에서 TFT 백 플레인 없이 동작하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve these problems, it is an object of the present invention to provide a micro LED display pixel assembly and a method of manufacturing the same, in which a switching element is provided in an LED pixel to operate without a TFT backplane in a general substrate.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 임의의 파장 범위를 갖는 광을 출력하는 복수의 발광부와, 상기 발광부에 설치되어 상기 발광부를 스위칭하는 TFT(Thin Film Transistor)를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device including: a plurality of light emitting units for outputting light having a predetermined wavelength range; and a TFT (Thin Film Transistor) provided in the light emitting unit for switching the light emitting units.
또한, 본 발명에 따른 상기 발광부는 성장 기판이 제거되어 상기 TFT 상에 일정 간격으로 배열되고, 상기 발광부의 발광영역에 설치되어 발광부에서 출력되는 빛이 적색, 녹색, 청색으로 출력되도록 변환하는 형광 필터부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, the light emitting unit according to the present invention may include a plurality of light emitting units, each of which has a growth substrate removed therefrom, is arranged at a predetermined interval on the TFT, and is provided in a light emitting region of the light emitting unit, And a filter unit.
또한, 본 발명에 따른 상기 형광 필터부는 적색 및 녹색으로 변환하는 양자점 형광체 또는 세라믹 형광체와 상기 발광부에서 발광된 빛을 투과하는 제1 내지 제3 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, the fluorescent filter unit according to the present invention includes a quantum dot fluorescent material or a ceramic fluorescent material for converting red and green light, and first to third filters for transmitting light emitted from the light emitting unit.
또한, 본 발명에 따른 상기 발광부는 청색광을 출력하는 것을 특징으로 한다.Further, the light emitting unit according to the present invention outputs blue light.
또한, 본 발명에 따른 상기 발광부는 성장 기판이 제거되어 TFT 상에 일정 간격으로 배열되고, 상기 발광부의 발광영역에 설치되어 상기 발광부에서 출력되는 빛을 일정 색상의 빛으로 광 변환하는 광 변환부; 및 상기 광 변환부에서 출력되는 빛을 적색, 녹색, 청색으로 변환하여 출력하는 컬러 필터부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the light emitting unit according to the present invention may include a light converting unit that is disposed at a constant interval on the TFT with the growth substrate removed and is provided in the light emitting region of the light emitting unit, ; And a color filter unit converting the light output from the light converting unit into red, green, and blue, and outputting the converted light.
또한, 본 발명에 따른 상기 광 변환부는 발광부에서 출력되는 빛을 백색광으로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 한다.In addition, the light conversion unit according to the present invention converts light output from the light emitting unit into white light and outputs the white light.
또한, 본 발명에 따른 상기 컬러 필터부는 필름형 시트지로 이루어진 것을 특징으로 한다.Further, the color filter portion according to the present invention is characterized by being made of a film sheet.
또한, 본 발명에 따른 상기 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체는 플립칩 형태 또는 래터럴(Lateral) 형태로 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, the micro LED display pixel assembly according to the present invention is characterized by being formed in a flip chip shape or a lateral shape.
또한, 본 발명에 따른 상기 발광부는 이웃한 발광부와의 사이에 설치되어 빛이 누설되는 것을 방지하는 광 차단부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, the light emitting unit according to the present invention may further include a light blocking unit installed between the adjacent light emitting units to prevent light from leaking.
또한, 본 발명에 따른 상기 광 차단부는 TiO2, 세라믹 파우더, 반사금속, 검정색 잉크 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 한다.Also, the light shielding part according to the present invention is characterized in that it is made of any one of TiO 2 , ceramic powder, reflective metal and black ink.
또한, 본 발명에 따른 상기 TFT는 유기물 웨이퍼 또는 무기물 웨이퍼 상에 스위칭 회로부를 형성한 것을 특징으로 한다.The TFT according to the present invention is characterized in that a switching circuit portion is formed on an organic material wafer or an inorganic material wafer.
또한, 본 발명은 a) 성장 기판 상에 p-n 접합 구조를 갖는 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하며, 에칭을 통해 개별 발광부를 제조하는 단계; b) 상기 발광부의 제1 및 제2 전극과 전기적으로 각각 접속되어 상기 발광부가 개별 발광 제어되도록 스위칭하는 TFT를 접착하는 단계; 및 c) 상기 에피 구조체로부터 성장 기판을 제거하고, 상기 발광부의 발광 영역에 상기 발광부에서 발광되는 빛을 청색, 녹색, 적색으로 변환하여 출력하는 광 변환수단을 설치하는 단계를 포함한다.The present invention also provides a method of manufacturing a light emitting device, comprising the steps of: a) forming an epitaxial structure having a p-n junction structure on a growth substrate, forming a first electrode and a second electrode on the epitaxial structure, b) bonding a TFT, which is electrically connected to the first and second electrodes of the light emitting portion, for switching the light emitting portion to be individually controlled to emit light; And c) installing light converting means for removing the growth substrate from the epitaxial structure and converting the light emitted from the light emitting portion into blue, green, and red, and outputting the light to the light emitting region of the light emitting portion.
또한, 본 발명에 따른 상기 a) 단계는 에칭을 통해 제조된 개별 발광부에 이웃한 발광부로 빛이 누설되는 것을 방지하는 광 차단부를 설치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the step a) according to the present invention may further comprise the step of providing a light shielding part for preventing leakage of light from the individual light emitting part manufactured through etching to the neighboring light emitting part.
또한, 본 발명에 따른 상기 c) 단계의 광 변환수단은 발광부의 발광영역에 설치되어 상기 발광부에서 출력되는 빛이 적색, 녹색, 청색으로 출력되도록 변환하는 형광체를 구비한 형광 필터부인 것을 특징으로 한다.In addition, the light converting means in the step c) according to the present invention is a fluorescent filter unit provided in a light emitting region of the light emitting unit and including a phosphor for converting the light output from the light emitting unit into red, green, and blue do.
또한, 본 발명에 따른 상기 c) 단계의 광 변환수단은 발광부의 발광영역에 설치되어 상기 발광부에서 출력되는 빛을 일정 색상의 빛으로 광 변환하는 광 변환부과, 상기 광 변환부에서 출력되는 빛을 적색, 녹색, 청색으로 변환하여 출력하는 컬러 필터부인 것을 특징으로 한다.In addition, the light converting means of the step c) according to the present invention may include a light converting unit installed in the light emitting region of the light emitting unit and photo-converting light output from the light emitting unit into light of a certain color, And converting the red, green, and blue color signals into red, green, and blue color signals.
본 발명은 LED 화소에 스위칭 소자를 일체형으로 설치하여 TFT 기능을 수행할 수 있도록 구성함으로써, TFT 백 플레인 없이 동작할 수 있는 장점이 있다.The present invention is advantageous in that it can operate without a TFT backplane by providing a switching element as an integrated type in an LED pixel to perform a TFT function.
또한, 본 발명은 LED 화소에 TFT 기능을 설치함으로써, 디스플레이 장치의 크기 제한을 극복할 수 있는 장점이 있다.Further, the present invention is advantageous in that the size limitation of the display device can be overcome by providing the TFT function to the LED pixel.
또한, 본 발명은 LED 화소의 불량 발생시 패널 전체를 교체하지 않고, 불량이 발생된 일부 LED 화소만 교체할 수 있는 장점이 있다.Further, the present invention is advantageous in that it is possible to replace only a part of a LED pixel in which a defect has occurred, without replacing the entire panel when a defect of the LED pixel occurs.
또한, 본 발명은 전압 구동방식으로 동작하여 전류 소비량을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, the present invention is advantageous in that it can operate in a voltage-driven manner to reduce current consumption.
도 1 은 종래 기술에 따른 백플레인 장치를 나타낸 도면이다.
도 2 는 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체를 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.1 shows a backplane apparatus according to the prior art.
2 illustrates a micro LED display pixel assembly according to the present invention.
FIGS. 3-7 illustrate a process for fabricating a micro LED display pixel assembly according to the present invention.
8 and 9 are views showing another embodiment of a micro LED display pixel assembly according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a micro LED display pixel assembly according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
(제1 실시예)(Embodiment 1)
도 2는 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체를 나타낸 도면이고, 도 3 내지 도 7은 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 제조 과정을 나타낸 도면이다.FIG. 2 illustrates a micro-LED display pixel assembly according to the present invention, and FIGS. 3 through 7 illustrate a process of manufacturing a micro-LED display pixel assembly according to the present invention.
도 2 내지 도 7을 참조하면, 제1 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체(100)는 임의의 파장 범위를 갖는 광을 출력하는 복수의 발광부(110, 110a, 110b)와, 상기 발광부(110, 110a, 110b)에 설치되어 상기 발광부(110, 110a, 110b)를 스위칭하는 TFT(Thin Film Transistor, 130)와, 형광 필터부(150)를 포함하여 구성된다.2 to 7, the micro-LED
상기 발광부(110, 110a, 110b)는 성장 기판(101)이 제거되고 일정 간격으로 배열된 발광소자로서, 복수의 화합물 반도체층, 예를 들면 III족-V족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하고, 상기 발광부(110, 110a, 110b)는 단일 칩으로 형성된 LED 칩이며, 플립칩 형태 또는 래터럴(Lateral) 형태로 이루어지고, 바람직하게는 플립칩 형태로 이루어진 LED 칩이다.The
또한, 상기 발광부(110, 110a, 110b)는 청색 계열, 녹색 계열 또는 적색 계열과 같은 빛을 발광하는 유색 LED 일 수도 있고, 바람직하게는 청색 계열 빛을 발광하며, 상기 LED의 발광 색상은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대하여 한정되지 않는다.The
또한, 상기 발광부(110, 110a, 110b)는 성장 기판(101)과, 상기 성장 기판(101)의 상면에 제1 반도체층(102)과, 활성층(103)과, 제2 반도체층(104)과, 제1 전극(105)과, 제2 전극(106)과, 절연층(107)을 포함하는 발광 구조물로 이루어진다.The
상기 성장 기판(101)은 투명기판으로 사파이어(Al2O3), 질화갈륨(GaN), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs) 중 어느 하나로 이루어지고, 바람직하게는 사파이어(Al2O3)로 이루어진다.The
상기 제1 반도체층(102)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 III-V족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. The
상기 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있고, 상기 제1 반도체층(102)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the
또한, 상기 제1 반도체층(102)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있고, 자외선 영역의 빛을 방출하는 자외선 발광소자인 경우, 상기 제 1 반도체층(102)은 Al을 포함하여 이루어질 수도 있다.The
상기 제2 반도체층(104)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 III-V족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있고, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. The
상기 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있고, 상기 제2 반도체층(104)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the
또한, 상기 제2 반도체층(104)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있고, 자외선 영역의 빛을 방출하는 자외선 발광소자인 경우, 상기 제2 반도체층(104)은 Al을 포함하여 이루어질 수 있다.The
상기 제1 전극(105)은 제1 반도체층(102)과 접속되고, 제2 전극(106)은 제2 반도체층(104)과 접속된다.The
상기 절연층(107)은 상기 제1 반도체층(102) 및 제1 전극(105)이 제2 반도체층(104) 및 제2 전극(106)과 절연된 상태를 유지할 수 있도록 한다.The
한편, 상기 발광부(110)는 제1 반도체층(102), 활성층(103) 및 제2 반도체층(104)에 에칭부(108)를 형성하여 성장 기판(101)에 일정 간격을 유지하며 배열될 수 있도록 구성되고, 상기 에칭부(108)를 통해 구획된 각각의 발광부(110, 110a, 110b)는 각각 제1 및 제2 전극(105, 106)을 형성하여 발광부(110, 110a, 110b)의 개별 제어가 가능하도록 구성된다.The
또한, 상기 발광부(110, 110a, 110b)는 바람직하게는 청색광을 출력한다.Also, the
또한, 본 발명에 따른 상기 발광부(110, 110a, 110b)는 이웃한 발광부와의 사이에 설치되어 빛이 누설되는 것을 방지하는 광 차단부(120)를 포함하여 구성될 수 있다.The
즉 상기 광 차단부(120)는 에칭 영역(108)에 설치되어 발광부(110, 110a, 110b)의 측면으로 출력되는 빛이 이웃한 발광부에서 발광되는 빛과 혼합되는 것을 방지하는 구성으로서, 상기 광 차단부(120)는 TiO2, 세라믹 파우더, 반사금속, 검정색 잉크 중 어느 하나로 이루어진다.That is, the
상기 TFT(130)는 게이트 전극과, 게이트 절연층에 의해 게이트 전극과 전기적으로 절연되는 활성층과, 상기 활성층과 전기적으로 연결되는 소스전극 및 드레인전극을 포함한 스위칭 회로부(131)를 유기물 웨이퍼 또는 무기물 웨이퍼 상에 설치한 구성으로서, 상기 스위칭 회로부(131)는 데이터 신호를 공급하기 위한 제1 전극 리드(131a) 및 제2 전극 리드(131b)와, 전원 신호를 공급하기 위한 제3 전극 리드(131c) 및 제4 전극 리드(131d)가 설치되며, 발광부(110, 110a, 110b)의 제1 및 제2 전극(105, 106)과 전기적으로 접속하는 제1 접속 전극(132)과 제2 접속 전극(133)이 일정 패턴을 형성하며 설치된다. The
즉 상기 TFT(130)는 발광부(110, 110a, 110b)와 일체로 구성됨으로써, 종래의 TFT 백플레인 없이 일반적인 PCB 기판에 발광부(110, 110a, 110b)를 설치해도 개별 제어가 가능하게 함으로써, 화소 단위로 설치할 수 있으며, 이러한 화소 단위의 설치를 통해 불량 화소가 발생한 경우 불량이 발생된 화소만 교체할 수 있게 된다.That is, the
또한, 상기 TFT(130)의 스위칭 회로부(131)는 전압 이용한 제어를 통해 종래의 전류를 이용한 제어와 대비하여 전류 소비를 감소시킬 수 있다.In addition, the
한편, 상기 TFT(130)가 발광부(110, 110a, 110b)와 접착하면, 성장 기판(101)은 레이저 리프트 오프(Laser-Lift-Off)를 이용하여 상기 발광부(110, 110a, 110b)로부터 제거한다.When the
또한, 상기 성장 기판(101)의 제거방법은 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 방법으로 제거될 수 있다.In addition, the method of removing the
상기 형광 필터부(150)는 성장 기판(101)이 제거되어 상기 TFT(130) 상에 일정 간격으로 배열된 발광부(110, 110a, 110b)의 발광영역에 설치되고, 상기 발광부(110, 110a, 110b)에서 출력되는 청색광을 적색 또는 녹색으로 광 변환시켜 출력되도록 제1 내지 제 3 필터(150a, 150b, 150c)로 이루어지고, 바람직하게는 형광체로 이루어진다.The
또한, 상기 형광 필터부(150)는 발광부(110, 110a, 110b)로부터 출력되는 청색 광이 투과되어 출력될 수 있도록 제1 내지 제 3 필터(150a, 150b, 150c) 중 임의의 필터는 청색광이 투과될 수 있도록 형광체 없이 투명재로 이루어진다.The
또한, 상기 적색 및 녹색으로 변환하는 형광체는 양자점 형광체 또는 세라믹 형광체로 이루어지고, 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체 등으로 구성될 수도 있다.The red and green phosphors may be formed of a quantum dot fluorescent material or a ceramic fluorescent material and may be a garnet fluorescent material, a silicate fluorescent material, a nitride fluorescent material, an oxynitride fluorescent material, A phosphor or the like.
다음은 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 제조방법을 설명한다.The following describes a method of manufacturing a micro LED display pixel assembly according to the present invention.
성장 기판(101) 상에 p-n 접합 구조 즉 제1 반도체층(102)과, 활성층(103)과, 제2 반도체층(104)을 갖는 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체의 제1 반도체층(102)에는 제1 전극(105)을 형성하며, 제2 반도체층(104)에는 제2 전극(106)을 형성한 다음 에칭을 통해 서로 일정 간격 이격된 개별 발광부(110, 110a, 110b)를 제조한다.The epitaxial structure having the pn junction structure, that is, the
또한, 상기 에칭을 통해 제조된 개별 발광부(110, 110a, 110b, 110b)의 사이에는 이웃한 발광부로 빛이 누설되는 것을 방지하는 광 차단부(120)를 추가 설치하는 단계를 수행할 수 있다.In addition, a step of providing a
상기 제조된 발광부(110, 110a, 110b)는 상기 발광부(110, 110a, 110b)가 개별 발광 제어될 수 있도록 스위칭하는 TFT(130)를 상기 발광부(110, 110a, 110b)의 제1 및 제2 전극(105, 106)과 전기적으로 각각 접속되도록 접착한다.The manufactured
상기 TFT(130)와 발광부(110, 110a, 110b)가 접착되면, 에피 구조체로부터 성장 기판(101)을 제거하고, 상기 발광부(110, 110a, 110b)의 발광 영역 상에 상기 발광부에서 발광되는 빛을 청색, 녹색, 적색으로 변환하여 출력하는 광 변환수단인 형광 필터부(150)를 설치한다.When the
즉 상기 형광 필터부(150)는 발광부(110, 110a, 110b)의 발광영역에 설치되어 상기 발광부(110, 110a, 110b)에서 출력되는 빛이 적색, 녹색, 청색으로 출력되도록 변환하는 형광체를 설치하여 발광부에서 발광되는 빛을 청색, 녹색, 적색으로 변환하여 출력될 수 있도록 한다.That is, the
따라서 LED 화소에 스위칭 소자를 일체형으로 설치하여 TFT 기능을 수행할 수 있게 된다.Accordingly, the switching element can be integrated into the LED pixel to perform the TFT function.
(제2 실시예)(Second Embodiment)
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.8 and 9 are views showing another embodiment of a micro LED display pixel assembly according to the present invention.
우선, 제1 실시예와 동일한 구성요소에 대하여 반복적인 설명은 생략하고, 동일한 구성요소에 대하여 동일한 도면부호를 사용한다.First, repetitive descriptions of the same constituent elements as those of the first embodiment are omitted, and the same reference numerals are used for the same constituent elements.
도 8 및 도 9에 따른 제2 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체(100')는 임의의 파장 범위를 갖는 광을 출력하는 복수의 발광부(110', 110'a, 110'b)와, 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)에 설치되어 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)를 스위칭하는 TFT(130)와, 광 변환부(140)와, 컬러 필터부(150')를 포함하여 구성된다.The micro LED display pixel assembly 100 'according to the second embodiment according to FIGS. 8 and 9 includes a plurality of light emitting units 110', 110'a, and 110'b that output light having an arbitrary wavelength range, A
제2 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체(100')는 제1 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체(100)와 발광부(110', 110'a, 110'b) 구성에서 차이점이 있다.The micro LED display pixel assembly 100 'according to the second embodiment is different from the micro LED
즉 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)는 성장 기판(101)이 제거되어 TFT(130) 상에 일정 간격으로 배열되고, 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)의 발광영역에 설치되어 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)에서 출력되는 빛을 일정 색상의 빛으로 광 변환하는 광 변환부(140)와, 상기 광 변환부(140)에서 출력되는 빛을 적색, 녹색, 청색으로 변환하여 출력하는 컬러 필터부(150')를 포함하여 구성된다.That is, the light emitting units 110 ', 110'a and 110'b are arranged at regular intervals on the
상기 광 변환부(140)는 성장 기판(101)이 제거된 발광부(110', 110'a, 110'b)의 발광영역 즉 제1 반도체층(102)에 설치되어 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)에서 발광되는 빛(예를 들면, 청색광)을 흡수하여 여기(勵起)시킴으로써, 임의의 파장 영역 예를 들면, 백색광으로 광 변환하는 출력되도록 한다.The
또한, 상기 광 변환부(140)는 세라믹 형광체 또는 양자점 형광체로 구성되고, 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체 등으로 구성될 수도 있다.The
상기 컬러 필터부(150')는 광 변환부(140)에서 출력되는 빛을 적색, 녹색, 청색으로 변환하여 출력하는 구성으로서, 제1 컬러 필터(150'a)와, 제2 컬러 필터(150'b)와, 제3 컬러 필터(150'c)로 이루어지고, 바람직하게는 필름형 시트지로 이루어진다.The color filter unit 150 'includes a first color filter 150'a, a second color filter 150'a, and a second color filter 150'a. The color filter 150'is configured to convert light output from the
즉 제1 내지 제3 컬러 필터(150'a, 150'b, 150'c)를 적색, 녹색, 청색의 필름형 시트지 또는 형광체로 구성하여 화소를 구성할 수 있다.That is, the first to third color filters 150'a, 150'b, and 150'c may be formed of red, green, and blue film sheets or phosphors to form pixels.
본 실시예에서는 3가지 색을 출력하는 구성으로 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 단색 또는 2가지 색을 출력하도록 컬러 필터부의 구성을 변경할 수도 있다.In the present embodiment, three colors are output. However, the present invention is not limited to this, and the configuration of the color filter section may be changed so as to output monochrome or two colors.
다음은 제2 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 제조과정을 설명한다.The following describes the manufacturing process of the micro LED display pixel assembly according to the second embodiment.
다음은 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 제조방법을 설명한다.The following describes a method of manufacturing a micro LED display pixel assembly according to the present invention.
성장 기판(101) 상에 p-n 접합 구조 즉 제1 반도체층(102)과, 활성층(103)과, 제2 반도체층(104)을 갖는 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체의 제1 반도체층(102)에는 제1 전극(105)을 형성하며, 제2 반도체층(104)에는 제2 전극(106)을 형성한 다음 에칭을 통해 서로 일정 간격 이격된 개별 발광부(110, 110a, 110b)를 제조한다.The epitaxial structure having the pn junction structure, that is, the
또한, 상기 에칭을 통해 제조된 개별 발광부(110, 110a, 110b, 110b)의 사이에는 이웃한 발광부로 빛이 누설되는 것을 방지하는 광 차단부(120)를 추가 설치하는 단계를 수행할 수 있다.In addition, a step of providing a
상기 제조된 발광부(110, 110a, 110b)는 상기 발광부(110, 110a, 110b)가 개별 발광 제어될 수 있도록 스위칭하는 TFT(130)를 상기 발광부(110, 110a, 110b)의 제1 및 제2 전극(105, 106)과 전기적으로 각각 접속되도록 접착한다.The manufactured
상기 TFT(130)와 발광부(110, 110a, 110b)가 접착되면, 에피 구조체로부터 성장 기판(101)을 제거하고, 상기 발광부(110, 110a, 110b)의 발광 영역 상에 상기 발광부에서 발광되는 빛을 청색, 녹색, 적색으로 변환하여 출력하는 광 변환수단인 광 변환부(140)와, 컬러 필터부(150')를 설치한다.When the
즉 광 변환부(140)는 발광부(110', 110'a, 110'b)의 발광영역에 설치되어 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)에서 출력되는 빛을 일정 색상의 빛으로 광 변환하고, 컬러 필터부(150')는 상기 광 변환부(140)에서 출력되는 빛을 적색, 녹색, 청색으로 변환하여 출력될 수 있도록 한다.That is, the
따라서 LED 화소에 스위칭 소자를 일체형으로 설치하여 TFT 기능을 수행할 수 있게 된다.Accordingly, the switching element can be integrated into the LED pixel to perform the TFT function.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It can be understood that
또한, 본 발명의 실시예를 설명하는 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있으며, 상술된 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로, 이러한 용어들에 대한 해석은 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In the course of the description of the embodiments of the present invention, the thicknesses of the lines and the sizes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation, , Which may vary depending on the intentions or customs of the user, the operator, and the interpretation of such terms should be based on the contents throughout this specification.
100, 100' : 화소 조립체
101 : 성장 기판
102 : 제1 반도체층
103 : 활성층
104 : 제2 반도체층
105 : 제1 전극
106 : 제2 전극
107 : 절연층
108 : 에칭부
110, 110a, 110b : 발광부
110', 110'a, 110'b : 발광부
120 : 광 차단부
130 : TFT
131 : 스위칭 회로부
131a : 제1 전극 리드
131b : 제2 전극 리드
131c : 제3 전극 리드
131d : 제4 전극 리드
132 : 제1 접속 전극
133 : 제2 접속 전극
140 : 광 변환부
150 : 형광 필터부
150' : 컬러 필터부
150a : 제1 필터
150'a : 제1 필터
150b : 제2 필터
150'b : 제2 필터
150c : 제3 필터
150'c : 제3 필터100, 100 ': pixel assembly 101: growth substrate
102: first semiconductor layer 103: active layer
104: second semiconductor layer 105: first electrode
106: second electrode 107: insulating layer
108:
110 ', 110'a, 110'b: light emitting portion 120: light blocking portion
130: TFT 131: switching circuit
131a:
131c:
132: first connection electrode 133: second connection electrode
140: light-converting unit 150: fluorescent filter unit
150 ':
150'a:
150'b:
150'c: third filter
Claims (15)
A plurality of light emitting units 110, 110a, 110b, 110 ', 110'a, 110'b for outputting light having a predetermined wavelength range and a plurality of light emitting units 110, 110a, 110b, 110' And a thin film transistor (TFT) 130 provided on the light emitting units 110, 110a, 110b, 110 ', 110'a, 110'b for switching the light emitting units 110, 110'a, 110'b.
상기 발광부(110, 110a, 110b)는 성장 기판(101)이 제거되어 상기 TFT(130) 상에 일정 간격으로 배열되고, 상기 발광부(110, 110a, 110b)의 발광영역에 설치되어 발광부(110, 110a, 110b)에서 출력되는 빛이 적색, 녹색, 청색으로 출력되도록 변환하는 형광 필터부(150)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
The method according to claim 1,
The light emitting units 110, 110a and 110b are arranged at regular intervals on the TFT 130 after the growth substrate 101 is removed. The light emitting units 110, 110a, and 110b are provided in the light emitting regions of the light emitting units 110, And a fluorescent filter unit (150) for converting the light output from the light emitting units (110, 110a, 110b) to red, green, and blue colors.
상기 형광 필터부(150)는 적색 및 녹색으로 변환하는 양자점 형광체 또는 세라믹 형광체와 상기 발광부(110, 110a, 110b)에서 발광된 빛을 투과하는 제1 내지 제3 필터(150a, 150b, 150c)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
3. The method of claim 2,
The fluorescent filter unit 150 includes a quantum dot fluorescent material or a ceramic fluorescent substance that converts red and green light and first to third filters 150a, 150b, and 150c that transmit light emitted from the light emitting units 110, 110a, and 110b, Wherein the micro-LED display pixel assembly comprises:
상기 발광부(110, 110a, 110b)는 청색광을 출력하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
The method of claim 3,
And the light emitting units (110, 110a, 110b) output blue light.
상기 발광부(110', 110'a, 110'b)는 성장 기판(101)이 제거되어 TFT(130) 상에 일정 간격으로 배열되고, 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)의 발광영역에 설치되어 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)에서 출력되는 빛을 일정 색상의 빛으로 광 변환하는 광 변환부(140); 및
상기 광 변환부(140)에서 출력되는 빛을 적색, 녹색, 청색으로 변환하여 출력하는 컬러 필터부(150')를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
The method according to claim 1,
The light emitting units 110 ', 110'a, and 110'b are formed by removing the growth substrate 101 and arranged at regular intervals on the TFT 130, and the light emitting units 110', 110'a, 110'b A light converting unit 140 installed in the light emitting region of the light emitting unit 110 ', 110'a, and 110'b for converting light output from the light emitting units 110', 110'a, and 110'b into light of a certain color; And
, And a color filter unit (150 ') for converting the light output from the light converting unit (140) into red, green, and blue and outputting the converted light.
상기 광 변환부(140)는 발광부(110', 110'a, 110'b)에서 출력되는 빛을 백색광으로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
6. The method of claim 5,
Wherein the light conversion unit (140) converts light output from the light emitting units (110 ', 110'a, 110'b) into white light and outputs the white light.
상기 컬러 필터부(150')는 필름형 시트지로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
6. The method of claim 5,
Wherein the color filter portion (150 ') is made of a film-type sheet.
상기 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체는 플립칩 형태 또는 래터럴(Lateral) 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the micro LED display pixel assembly is in the form of a flip chip or a lateral shape.
상기 발광부(110, 110a, 110b, 110', 110'a, 110'b)는 이웃한 발광부와의 사이에 설치되어 빛이 누설되는 것을 방지하는 광 차단부(120)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The light emitting units 110, 110a, 110b, 110 ', 110'a, and 110'b may further include a light blocking unit 120 disposed between adjacent light emitting units to prevent leakage of light. Features a micro LED display pixel assembly.
상기 광 차단부(120)는 TiO2, 세라믹 파우더, 반사금속, 검정색 잉크 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
10. The method of claim 9,
Wherein the light shielding part (120) is made of any one of TiO 2 , ceramic powder, reflective metal, and black ink.
상기 TFT(130)는 유기물 웨이퍼 또는 무기물 웨이퍼 상에 복수의 스위칭 회로부(131)를 형성한 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the TFT (130) has a plurality of switching circuit parts (131) formed on an organic or inorganic wafer.
b) 상기 발광부(110, 110a, 110b, 110', 110'a, 110'b)의 제1 및 제2 전극(105, 106)과 전기적으로 각각 접속되어 상기 발광부(110, 110a, 110b, 110', 110'a, 110'b)가 개별 발광 제어되도록 스위칭하는 TFT(130)를 접착하는 단계; 및
c) 상기 에피 구조체로부터 성장 기판(101)을 제거하고, 상기 발광부(110, 110a, 110b, 110', 110'a, 110'b)의 발광 영역에 상기 발광부에서 발광되는 빛을 청색, 녹색, 적색으로 변환하여 출력하는 광 변환수단을 설치하는 단계를 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 제조방법.
a) forming an epitaxial structure having a pn junction structure on a growth substrate 101; forming a first electrode 105 and a second electrode 106 on the epitaxial structure; 110a, 110b, 110 ', 110 ' a, 110 'b);
b) electrically connected to the first and second electrodes 105 and 106 of the light emitting units 110, 110a, 110b, 110 ', 110'a and 110'b, , 110 ', 110'a, 110'b) are individually controlled to emit light; And
c) removing the growth substrate 101 from the epitaxial structure and irradiating the light emitted from the light emitting portion to the light emitting regions of the light emitting portions 110, 110a, 110b, 110 ', 110'a, Green, and red, and outputting the converted light.
상기 a) 단계는 에칭을 통해 제조된 개별 발광부(110, 110a, 110b, 110', 110'a, 110'b)에 이웃한 발광부로 빛이 누설되는 것을 방지하는 광 차단부(120)를 설치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 제조방법.
13. The method of claim 12,
In the step a), the light blocking part 120 for preventing the light from leaking to the adjacent light emitting part to the individual light emitting parts 110, 110a, 110b, 110 ', 110'a, 110'b manufactured through etching The method further comprising the step of: mounting the micro-LED on the substrate.
상기 c) 단계의 광 변환수단은 발광부(110, 110a, 110b)의 발광영역에 설치되어 상기 발광부(110, 110a, 110b)에서 출력되는 빛이 적색, 녹색, 청색으로 출력되도록 변환하는 형광체를 구비한 형광 필터부(150)인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 제조방법.
14. The method of claim 13,
The light converting unit in the step c) includes a plurality of light emitting units 110, 110a and 110b which are disposed in the light emitting regions of the light emitting units 110, 110a and 110b to convert light emitted from the light emitting units 110, 110a, and 110b into red, And a fluorescent filter unit (150) having a light emitting diode (LED).
상기 c) 단계의 광 변환수단은 발광부(110', 110'a, 110'b)의 발광영역에 설치되어 상기 발광부(110', 110'a, 110'b)에서 출력되는 빛을 일정 색상의 빛으로 광 변환하는 광 변환부(140)과, 상기 광 변환부(140)에서 출력되는 빛을 적색, 녹색, 청색으로 변환하여 출력하는 컬러 필터부(150')인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 화소 조립체의 제조방법.14. The method of claim 13,
The light converting means in the step c) is installed in the light emitting region of the light emitting units 110 ', 110'a, 110'b to adjust the light output from the light emitting units 110', 110'a, And a color filter unit 150 'for converting light output from the light converting unit 140 into red, green, and blue and outputting the converted light. A method of manufacturing an LED display pixel assembly.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160150943A KR20180053864A (en) | 2016-11-14 | 2016-11-14 | Micro led display pixel assembly and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160150943A KR20180053864A (en) | 2016-11-14 | 2016-11-14 | Micro led display pixel assembly and method for manufacturing the same |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180125176A Division KR102039838B1 (en) | 2018-10-19 | 2018-10-19 | Micro led display pixel assembly and method for manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180053864A true KR20180053864A (en) | 2018-05-24 |
Family
ID=62296914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160150943A KR20180053864A (en) | 2016-11-14 | 2016-11-14 | Micro led display pixel assembly and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20180053864A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110277053A (en) * | 2019-06-25 | 2019-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of display panel and preparation method thereof, driving method, display device |
| KR102054951B1 (en) * | 2018-06-18 | 2019-12-12 | (주)라이타이저 | Display apparatus and method for manufacturing sub micro light emitting diode display |
| JP2020057749A (en) * | 2018-09-26 | 2020-04-09 | ナイトライド・セミコンダクター株式会社 | UV-LED and display |
| WO2020171325A1 (en) | 2019-02-18 | 2020-08-27 | 이엘케이 주식회사 | Display panel and manufacturing method therefor |
| US11139342B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-10-05 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | UV-LED and display |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013205482A (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Color filter |
| KR101476207B1 (en) * | 2012-06-08 | 2014-12-24 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light emitting device |
| KR20160020037A (en) * | 2014-08-12 | 2016-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Donor mask, method for manufacturing organic light-emitting display apparatus, and organic light-emitting display apparatus |
| KR20160085315A (en) * | 2013-11-13 | 2016-07-15 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | LED Cap Containing Quantum Dot Phosphors |
| EP3089225A1 (en) * | 2015-04-30 | 2016-11-02 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro-light-emitting diode |
-
2016
- 2016-11-14 KR KR1020160150943A patent/KR20180053864A/en active Search and Examination
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013205482A (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Color filter |
| KR101476207B1 (en) * | 2012-06-08 | 2014-12-24 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light emitting device |
| KR20160085315A (en) * | 2013-11-13 | 2016-07-15 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | LED Cap Containing Quantum Dot Phosphors |
| KR20160020037A (en) * | 2014-08-12 | 2016-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Donor mask, method for manufacturing organic light-emitting display apparatus, and organic light-emitting display apparatus |
| EP3089225A1 (en) * | 2015-04-30 | 2016-11-02 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro-light-emitting diode |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102054951B1 (en) * | 2018-06-18 | 2019-12-12 | (주)라이타이저 | Display apparatus and method for manufacturing sub micro light emitting diode display |
| JP2020057749A (en) * | 2018-09-26 | 2020-04-09 | ナイトライド・セミコンダクター株式会社 | UV-LED and display |
| US11139342B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-10-05 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | UV-LED and display |
| WO2020171325A1 (en) | 2019-02-18 | 2020-08-27 | 이엘케이 주식회사 | Display panel and manufacturing method therefor |
| CN110277053A (en) * | 2019-06-25 | 2019-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of display panel and preparation method thereof, driving method, display device |
| US11475864B2 (en) | 2019-06-25 | 2022-10-18 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Display panel, method of manufacturing the same, method of driving the same and display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102039838B1 (en) | Micro led display pixel assembly and method for manufacturing the same | |
| EP3439042B1 (en) | Display device and manufacturing method therefor | |
| US11764253B2 (en) | Light-emitting diode unit for display comprising plurality of pixels and display device having same | |
| US11575067B2 (en) | Display substrate, display apparatus, and manufacturing method for display substrate | |
| US9978727B2 (en) | Display apparatus and manufacturing method thereof | |
| KR101476207B1 (en) | Display device using semiconductor light emitting device | |
| US10096647B2 (en) | Display apparatus having a plurality of reflective electrodes | |
| EP3328162B1 (en) | Display device and method for manufacturing same | |
| EP2888729B1 (en) | Display device using semiconductor light emitting devices | |
| KR102625489B1 (en) | Micro led display panel and method of manufacturing the same | |
| US10615311B2 (en) | Light emitting device and display comprising same | |
| KR20180053864A (en) | Micro led display pixel assembly and method for manufacturing the same | |
| EP3789992A1 (en) | Display device using semiconductor light emitting devices | |
| CN110021584B (en) | Display device and operating method for a display device | |
| CN110416243B (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
| KR20170142022A (en) | Display device and method of fabricating the same | |
| CN113644086B (en) | Preparation method of display panel and display panel | |
| US10229896B2 (en) | Light emitting diode apparatus and method for manufacturing the same | |
| KR102661676B1 (en) | Method of fabricating display device | |
| KR20170124048A (en) | Light emitting device and display device having thereof | |
| US11011573B2 (en) | Radiation-emitting component | |
| US20230037052A1 (en) | Led display apparatus and manufacturing method of the same | |
| KR20170120962A (en) | Light emitting device and display device having thereof | |
| KR20220043742A (en) | Micro led and display module having the same | |
| KR20170112776A (en) | Light emitting device, array substrate, panel, and display device including the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment |