KR102659918B1 - 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

[과제] 프리 스퍼터를 양호한 생산성으로, 간편하게 행할 수 있는 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
[해결 수단] 성막 장치(1)는, 성막 대상물(6) 및 원통형의 타겟(2)이 내부에 배치되는 챔버(10)와, 타겟(2)의 내부에 설치되고, 타겟(2)의 외주면으로부터 누설되는 자장을 생성하는 자장 발생 수단(3)과, 타겟(2)을 회전 구동하는 타겟 구동 수단(11)을 구비한다. 성막 장치(1)는, 자장 발생 수단(3)과 타겟(2)의 내주면 사이에 이동 가능하게 설치되는 자기 차폐 부재(5)와, 자기 차폐 부재(5)를 구동하는 차폐 부재 구동 수단(12)을 가진다.

Description

성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법{FILM FORMATION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은, 성막 장치, 및, 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.

기판이나 기판 상에 형성된 적층체 등의 성막 대상물에, 금속이나 금속 산화물 등의 재료로 이루어지는 박막을 형성하는 방법으로서, 스퍼터법이 널리 알려져 있다. 스퍼터법에 따라 성막을 행하는 스퍼터 장치는, 진공 챔버 내에 있어서, 성막 재료로 이루어지는 타겟과 성막 대상물을 대향시켜 배치한 구성을 가지고 있다. 타겟에 부(負)의 전압을 인가하면 타겟의 근방에 플라즈마가 발생하고 전리한 불활성 가스 원소에 의해 타겟 표면이 스퍼터되고, 방출된 스퍼터 입자가 성막 대상물에 퇴적되어 성막된다. 또한, 타겟의 배면(원통형의 타겟의 경우에는 타겟의 내측)에 마그넷을 배치하고, 발생하는 자장에 의해 캐소드 근방의 전자 밀도를 높게 하여 스퍼터 하는, 마그네트론 스퍼터법도 알려져 있다.

종래의 이 종류의 성막 장치에 있어서는, 예를 들어, 타겟을 교환한 후나, 챔버 내를 대기 개방한 후, 혹은 성막 처리를 연속하여 행하지 않고 타겟이 플라즈마에 노출되지 않은 기간이 긴 경우 등에는, 타겟의 표면이 산화 혹은 변질되어 있는 경우가 있다. 이와 같이 타겟의 표면이 산화 혹은 변질되었을 경우나, 타겟 표면에 이물이 부착되었을 경우 등에는, 성막 대상물에 대해 스퍼터 하기 전에, 성막 대상물 이외에 대해 스퍼터를 행하여, 타겟의 표면을 청정하게 하는 프리 스퍼터가 행해지고 있다(특허문헌 1).

타겟을 회전시키면서 스퍼터를 행하는 로터리 캐소드 RC；회전 캐소드, 로테이터블 캐소드라고도 칭함)에 있어서의 프리 스퍼터로서는, 예를 들어, 특허문헌 2에 기재된 바와 같은 방법이 있다.

특허문헌 2에 기재된 스퍼터 장치에서는, RC의 내부에 설치된 마그넷(자석 어셈블리)을 회전시킴으로써, 다음의 3개의 상태를 취할 수 있다.

(1) 플라즈마가 기판(성막 대상물)의 반대측을 향하고 있는 상태

(2) 플라즈마가 횡(기판의 성막면에 수평인 방향)을 향하고 있는 상태

(3) 플라즈마가 기판을 향하고 있는 상태

즉, (1)의 상태로 플라즈마를 발생시키고 (1) 또는 (2)의 상태로 유지함으로써 기판에 스퍼터 하는 일 없이 프리 스퍼터를 행할 수 있다. 프리 스퍼터가 완료한 후에는, 마그넷을 회전시키고 (3)의 상태로 하면, 기판이나 RC를 이동시키는 일 없이, 프리 스퍼터로부터 본 스퍼터로 이행할 수도 있다.

일본특허공개 제2016-204705호 공보 일본특허공표 제2015-519477호 공보

그렇지만, 특허문헌 2에 기재된 바와 같이 마그넷을 회전시키는 방법에서는, 성막 대상물이 대형화하여 RC가 장척(長尺)으로 되었을 경우에, 마그넷이 무거워져, 회전시키는 것이 곤란하게 된다.

그 외의 방법으로서, RC 전체를 프리 스퍼터를 위한 위치까지 이동시켜 프리 스퍼터 하는 방법도 생각할 수 있지만, 이동 거리가 길어져, 생산성이 저하되어 버린다.

본 발명의 목적은, 프리 스퍼터를 양호한 생산성으로, 간편하게 행할 수 있는 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 일 측면으로서의 성막 장치는, 성막 대상물 및 원통형의 타겟이 내부에 배치되는 챔버와, 상기 타겟의 내부에 설치되고, 상기 타겟의 외주면으로부터 누설되는 자장을 생성하는 자장 발생 수단과, 상기 타겟을 회전 구동하는 타겟 구동 수단을 구비한 성막 장치로서, 상기 자장 발생 수단과 상기 타겟의 내주면의 사이에 이동 가능하게 설치되는 자기 차폐 부재와, 당해 자기 차폐 부재를 구동하는 차폐 부재 구동 수단을 가지는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 다른 일 측면으로서의 성막 장치는, 성막 대상물 및 원통형의 타겟이 내부에 배치되는 챔버와, 상기 타겟의 내부에 설치되고, 상기 타겟의 외주면으로부터 누설되는 자장을 생성하는 자장 발생 수단과, 상기 타겟을 회전 구동하는 타겟 구동 수단을 구비한 성막 장치로서, 상기 자장 발생 수단과 상기 타겟의 내주면의 사이에, 상기 타겟과 동축으로 회전 가능하게 설치되는 자기 차폐 부재와, 당해 자기 차폐 부재를 회전 구동하는 차폐 부재 구동 수단을 가지는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 또 다른 일 측면으로서의 성막 장치는, 성막 대상물 및 원통형의 타겟이 내부에 배치되는 챔버와, 상기 타겟의 내부에 설치되고, 상기 타겟의 외주면으로부터 누설되는 자장을 생성하는 자장 발생 수단과, 상기 타겟을 회전 구동하는 타겟 구동 수단을 구비하고, 상기 챔버 내의 성막 에리어에 배치되는 상기 성막 대상물에 성막하는 성막 장치로서, 상기 자장 발생 수단과 상기 타겟의 내주면의 사이에 이동 가능하게 설치되는 자기 차폐 부재를 갖고, 상기 자장 발생 수단이 상기 자기 차폐 부재와 상기 성막 에리어의 사이에 배치된 상태에서 방전을 행하는 제1 동작 모드와, 상기 자기 차폐 부재가 상기 자장 발생 수단과 상기 성막 에리어의 사이에 배치된 상태에서 방전을 행하는 제2 동작 모드를 전환 가능하게 가지는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 다른 일 측면으로서의 전자 디바이스의 제조 방법은, 성막 대상물을 챔버 내에 배치하고, 상기 성막 대상물과 대향하여 배치된 원통형의 타겟으로부터 비상하는 스퍼터 입자를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터 성막 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 타겟의 내부에 배치된 자장 발생 수단에 의해, 상기 자장 발생 수단으로부터 상기 성막 대상물로 향하는 제1 방향과, 상기 성막 대상물로부터 멀어지는 제2 방향의 양쪽 모두를 향해 자장을 발생시키고, 상기 제1 방향으로 발생한 자장을 차폐한 상태에서, 상기 타겟을 회전시키면서 방전하는 프리 스퍼터 공정과, 상기 제2 방향으로 발생한 자장을 차폐한 상태에서, 상기 타겟을 회전시키면서 방전하는 본 스퍼터 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 프리 스퍼터를 양호한 생산성으로, 간편하게 행할 수 있다.

[도 1] (A)는 실시형태 1의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도, (B)는 실시형태 1의 자기 차폐판의 사시도.
[도 2] (A)는 본 스퍼터 모드 상태의 실시형태 1의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도, (B)는 실시형태의 성막 장치의 측면도.
[도 3] 실시형태 1의 제1 자석 유닛의 사시도.
[도 4] (A)는 구동 기구의 일례를 나타내는 사시도, (B)는 구동 기구의 일례를 나타내는 단면도.
[도 5] (A)는 구동 기구의 다른 예를 나타내는 사시도, (B)는 구동 기구의 다른 예를 나타내는 단면도.
[도 6] 실시형태 2의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도.
[도 7] (A)는 실시형태 3의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도, (B)는 실시형태 3의 구획판의 사시도.
[도 8] 유기 EL 소자의 일반적인 층 구성을 나타내는 도면.

이하에, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 다만, 이하의 실시형태는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위는 그들 구성으로 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서의, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 플로우, 제조 조건, 치수, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것이 아니다.

[실시형태 1]

우선, 도 1(A) 및 도 2(A)를 참조하여, 실시형태 1의 성막 장치(1)의 기본적인 구성에 대해 설명한다. 도 1(A)는 프리 스퍼터 모드 상태의 성막 장치(1)의 구성, 도 2(A)는 본 스퍼터 모드 상태의 성막 장치(1)의 구성을 나타내고 있다.

본 실시형태와 관련되는 성막 장치(1)는, 반도체 디바이스, 자기 디바이스, 전자 부품 등의 각종 전자 디바이스나, 광학 부품 등의 제조에 있어 기판(기판 상에 적층체가 형성되어 있는 것도 포함함) 상에 박막을 퇴적 형성하기 위해 이용된다. 보다 구체적으로는, 성막 장치(1)는, 발광 소자나 광전 변환 소자, 터치 패널 등의 전자 디바이스의 제조에 있어 바람직하게 이용된다. 그 중에서도, 본 실시형태와 관련되는 성막 장치(1)는, 유기 EL(ErectroLuminescence) 소자 등의 유기 발광 소자나, 유기 박막 태양 전지 등의 유기 광전 변환 소자의 제조에 있어 특히 바람직하게 적용할 수 있다. 또한 본 발명에 있어서의 전자 디바이스는, 발광 소자를 구비한 표시 장치(예를 들어 유기 EL 표시 장치)나 조명 장치(예를 들어 유기 EL 조명 장치), 광전 변환 소자를 구비한 센서(예를 들어 유기 CMOS 이미지 센서)도 포함하는 것이다.

도 8은, 유기 EL 소자의 일반적인 층 구성을 모식적으로 나타내고 있다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 유기 EL 소자는, 기판에 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극의 순서로 성막되는 구성이 일반적이다. 본 실시형태와 관련되는 성막 장치(1)는, 유기막 상에, 스퍼터링에 의해, 전자 주입층이나 전극(음극)에 이용되는 금속이나 금속 산화물 등의 적층 피막을 성막할 때에 매우 바람직하게 이용된다. 또한, 유기막 상에의 성막으로 한정되지 않고, 금속 재료나 산화물 재료 등의 스퍼터로 성막 가능한 재료의 조합이면, 다양한 면에 적층 성막이 가능하다.

성막 장치(1)는, 가스 도입구(7) 및 도시하지 않은 배기구를 구비하고, 내부를 진공으로 유지할 수 있는 챔버(10)를 가진다. 챔버(10)의 내부에는, 가스 도입구(7)를 거쳐서 도시하지 않은 가스 도입 수단에 의해 아르곤 등의 불활성 가스나 반응성 가스가 공급되며, 챔버(10)의 내부로부터는, 도시하지 않은 배기구를 거쳐서 도시하지 않은 배기 수단에 의해 진공 배기가 행해진다.

챔버(10) 내에는, 성막 장치(1)에 의해 성막 처리를 행하는 대상인 성막 대상물(6)과, 성막 대상물(6)과 대향하여 원통형의 타겟(2)이 배치된다. 챔버(10) 내에 타겟(2)이 배치된 상태에서, 성막 대상물(6)이 도시하지 않은 반송 수단에 의해 타겟(2)과 대향하는 챔버(10) 내의 영역인 성막 에리어(A0)로 반송되어, 성막 처리가 행해져도 된다. 성막 대상물(6)은, 성막 에리어(A0) 내에서 성막 대상물(6)의 성막면에 평행한 방향으로 도시하지 않은 성막 대상물 구동 수단에 의해 이동되어지면서, 성막 처리가 행해져도 된다. 타겟(2)의 내부에는, 자장 발생 수단으로서의 자석 유닛(3)이 설치된다. 타겟(2)은, 구동 수단으로서의 타겟 구동 장치(11)에 의해, 타겟(2)의 원통 중심축을 회전의 축으로 하여 회전 구동된다. 자석 유닛(3)은 밀폐된 케이스(4) 내에 장착되고, 타겟(2)과 함께 로터리 캐소드(8)를 구성하고 있다.

타겟(2)은, 성막 대상물(6)에 성막을 행하는 성막 재료의 공급원으로서 기능한다. 타겟(2)의 재질은 특히 한정되지 않지만, 예를 들어, Cu, Al, Ti, Mo, Cr, Ag, Au, Ni 등의 금속 타겟과 그 합금재를 들 수 있다. 타겟(2)은, 이들 성막 재료가 형성된 층의 내측에, 백킹 튜브와 같은 다른 재료로 이루어지는 층이 형성되어 있어도 된다. 또한, 타겟(2)은 원통형의 타겟이지만, 여기서 말하는 「원통형」은 수학적으로 엄밀한 원통형만을 의미하는 것이 아니라, 모선이 직선이 아니라 곡선인 것이나, 중심축에 수직인 단면이 수학적으로 엄밀한 「원」이 아닌 것도 포함한다. 즉, 본 발명에 있어서의 타겟(2)은, 중심축을 축으로 회전 가능한 원통형의 것이면 된다.

자석 유닛(3)은, 타겟(2)과 성막 에리어(A0)에 배치되는 성막 대상물(6) 사이의 영역인 제1 영역(A1)과, 성막 대상물로부터 멀어지는 방향의 제2 영역(A2)에 있어서, 타겟(2)의 외주 근방에 플라즈마(P)를 집중시키는 자장을 발생시키는 구성으로 되어 있다. 또한, 타겟(2)의 내부에는, 타겟(2)의 내주와 자석 유닛(3) 사이에, 자장을 차폐하는 자기 차폐판(5)이 이동 가능하게 배치되어 있다. 또한, 여기서 말하는 「차폐」란, 자기 차폐판(5)을 통과하는 자장을 100% 차단하는 것만을 의미하는 것이 아니라, 자기 차폐판(5)을 통과하는 자장을 저감시키는 것을 포함한다.

자기 차폐판(5)은, 제1 영역(A1)에 있어서의 자장의 생성을 차폐하고 제2 영역(A2)에 있어서의 자장의 생성을 허용하는 제1 차폐 위치(I)와(도 1(A) 참조), 제2 영역(A2)에 있어서의 자장의 생성을 차폐하고 제1 영역(A1)에 있어서의 자장의 생성을 허용하는 제2 차폐 위치(II)(도 2(A) 참조) 사이를 이동 가능하게 되어 있으며, 차폐판 구동 장치(12)에 의해 구동된다.

타겟(2)에는 바이어스 전압을 인가하는 전원(13)이 접속된다. 또한, 챔버(10)는 접지되어 있다. 성막 장치(1)는, 제어 장치(14)에 의해, 차폐판 구동 장치(12), 타겟 구동 장치(11) 및 전원(13)을 제어함으로써, 성막 대상물(6)에 성막하는 본 스퍼터 전에, 타겟(2)의 표면을 클리닝하는 프리 스퍼터를 행한다. 프리 스퍼터는, 자기 차폐판(5)을 제1 차폐 위치(I)로 이동시키고(도 1(A) 참조), 제2 영역(A2)에서 타겟(2)의 스퍼터를 행하여, 타겟(2) 표면의 산화물이나 변질된 부분, 부착된 이물 등을 제거하는 모드이다. 그 후, 자기 차폐판(5)을 제2 차폐 위치(II)로 이동시키고, 프리 스퍼터 모드에서 청정하게 된 타겟(2)의 스퍼터를 행하는 본 스퍼터를 행하도록 제어된다.

성막 대상물(6)은, 도시하는 예에서는, 챔버(10)의 천정 측에, 로터리 캐소드(8)의 회전축과 평행, 즉 수평으로 배치되고, 양측 테두리가 도시하지 않은 기판 홀더에 의해 보유지지되고 있다. 성막 대상물(6)은, 예를 들어, 챔버(10)의 측벽에 설치된 도시하지 않은 입구 게이트로부터 반입되어, 성막 에리어(A0) 내의 성막 위치까지 이동하여 성막되고, 성막 후, 도시하지 않은 출구 게이트로부터 배출된다. 성막 장치(1)는, 위에서 설명한 바와 같이, 성막 대상물(6)의 성막면이 중력 방향 하방을 향한 상태에서 성막이 행해지는, 이른바 디포 업의 구성이어도 된다. 다만, 이에 한정되지 않고, 성막 대상물(6)이 챔버(10)의 저면 측에 배치되고 그 상방에 로터리 캐소드(8)가 배치되고, 성막 대상물(6)의 성막면이 중력 방향 상방을 향한 상태에서 성막이 행해지는, 이른바 디포 다운의 구성이어도 된다. 혹은, 성막 대상물(6)이 수직으로 세워진 상태, 즉, 성막 대상물(6)의 성막면이 중력 방향과 평행한 상태에서 성막이 행해지는 구성이어도 된다.

로터리 캐소드(8)는, 도 2(B)에 나타내는 바와 같이, 챔버(10)의 상하 방향 거의 중앙에 배치되며, 양단이 서포트 블록(300)과 엔드 블록(200)을 거쳐서 회전 가능하게 지지되고 있다.

(자석 유닛(30)의 배치 구성)

자석 유닛(30)은, 성막 대상물(6)을 향하는 방향(제1 방향)으로 자장을 형성하는 제1 자석 유닛(3A)과, 성막 대상물(2)과는 멀어지는 방향, 즉 제1 방향과는 역의 방향인 제2 방향으로 자장을 형성하는 제2 자석 유닛(3B)에 의해 구성되어 있다. 제1 자석 유닛(3A)과 제2 자석 유닛(3B)은 배면 맞추기로 겹쳐져 있고, 자력의 강도는 같게 설정되어 있다. 또한, 제1 자석 유닛(3A)과 제2 자석 유닛(3B) 사이에는 공간이 설치되어 있어도 된다. 제1 자석 유닛(3A)과 제2 자석 유닛(3B)은, 기본적으로 같은 구성이며, 제1 자석 유닛(3A)을 예로 들어, 그 구성을 설명한다.

제1 자석 유닛(3A)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 로터리 캐소드(8)의 회전축과 평행 방향으로 연장하는 중심 자석(31)과, 중심 자석(31)을 둘러싸는 중심 자석(31)과는 다른 극의 주변 자석(32)과, 요크판(33)을 구비하고 있다. 주변 자석(32)은, 중심 자석(31)과 평행으로 연장하는 한 쌍의 직선부(32a, 32b)와, 직선부(32a, 32b)의 양단을 연결하는 전회(轉回)부(32c, 32c)에 의해 구성되어 있다. 제2 자석 유닛(3B)도 동일한 구성이다.

자석 유닛(30)에 의해 형성되는 자장은, 중심 자석(31)의 자극으로부터, 주변 자석(32)의 직선부(32a, 32a)를 향해 루프 형상으로 돌아오는 자력선을 가지고 있다. 이에 의해, 타겟(2)의 표면 근방에는, 타겟(2)의 긴 길이 방향으로 연장하는 토로이달형의 자장의 터널이 형성된다. 이 자장에 의해, 전자가 포착되어, 타겟(2)의 표면 근방에 플라즈마를 집중시키고, 스퍼터링의 효율이 높여지고 있다.

(케이스의 구성)

케이스(4)는 원통 형상의 밀폐된 박스로, 자석 유닛(30)이 케이스(4) 내에 배치된다. 케이스(4)의 중심 축선과 타겟의 중심축은 로터리 캐소드(8)의 중심 축선(N)과 동축적으로 조립되어 있다. 또한, 자석 유닛(3)의 요크판(33)은, 중심 축선(N)을 통과하는 수평면 상에 위치하고, 제1 자석 유닛(3A)과 제2 자석 유닛(3B)의 중심 자석(31, 31)의 중심을 통과하는 수직면이, 중심 축선을 통과하도록 배치되어 있다.

한편, 자기 차폐판(5)은, 도 1(A), (B)에 나타내는 바와 같이, 원통형의 케이스(4)의 내주를 따른 아치 형상의 판상 부재로, 케이스(4)의 내주에 고정되어 있다. 도시하는 예에서는, 자기 차폐판(5)은, 케이스(4)의 반주분(半周分)을 덮는 구성으로 되어 있고, 반원통 형상을 가지고 있다. 자기 차폐판(5)의 고정은, 케이스(4)의 내주에 붙여도 되고, 나사 등의 체결 부재에 의해 고정해도 되고, 경우에 따라서는, 케이스(4) 자체의 재질을, 해당 부분에 대해 자성 부재에 의해 구성하여도 된다.

자기 차폐판(5)의 재질은 자속을 흡수하여 내부에 집중하기 쉬운 재료, 즉, 높은 비투자율(比透磁率)을 가지는 재료이면 특히 한정되지 않는다. 자기 차폐판(5)을 구성하는 재료의 비투자율은 500 이상인 것이 바람직하고, 1000 이상인 것이 바람직하고, 3000 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 자기 차폐판(5)을 구성하는 재료의 비투자율의 상한은 특히 한정되지 않으며, 예를 들어, 10000000 이하여도 되고, 1000000 이하여도 된다. 보다 구체적으로는, 자기 차폐판(5)을 구성하는 재료로서는, 강자성체인 것이 바람직하며, 예를 들어, Fe, Co, Ni나 그 합금, 퍼멀로이나 뮤 메탈 등을 이용할 수 있다.

(타겟의 구동 기구 및 차폐판의 구동 기구)

도 4(A)는, 타겟 구동 기구(11) 및 차폐판 구동 기구(12)의 일례를 나타내는 개략 사시도이며, 도 4(B)는 로터 캐소드(8)의 회전축을 따른 단면도이다.

로터리 캐소드(8)는, 상기한 바와 같이, 긴 길이 방향 양단부가 엔드 블록(200)과 서포트 블록(300)에 회전 가능하게 지지된다. 이 예에서는, 원통형의 케이스(4)의 내주에 자기 차폐판(5)이 고정되고, 케이스(4)의 회전에 의해 중앙의 자석 유닛(3)의 주위를 회전 이동하도록 되어 있다. 자석 유닛(3)은 고정축(35)에 의해 회전 방향으로는 고정되어 있다.

엔드 블록(200)은, 챔버(10)의 벽에 고정되고, 외부 공간으로 통한 중공의 박스 형상을 가진다. 타겟(2)에 동력을 전달하는 동력 전달축(21) 및 케이스(4)에 동력을 전달하는 동력 전달축(41)은, 엔드 블록(200)의 중공 내부로 돌출하고 있다. 그리고, 각각의 동력 전달축(21, 41)은, 각각, 구동 전달 기구로서의 벨트 전달 기구(110, 120)를 거쳐 구동원인 모터(130)에 접속되어, 회전 구동력이 전달되도록 되어 있다. 벨트 전달 기구(110, 120)는, 도시하는 예에서는, 벨트 및 풀리는, 이빨이 붙은 타입의 것이 사용되고 있지만, 이에 한정되지 않는다.

이 예에서는, 타겟 구동 장치(11)와, 차폐판 구동 장치(12)는, 동일한 모터(130)를 이용하고 있다. 즉, 모터(130)에 직결되는 출력축(131)의 도중에, 벨트 전달 기구(110)의 구동측 풀리(111)가 고정되고, 출력축(131)의 단부(端部)가 전자(電磁) 클러치(125)를 거쳐 자성판 구동 장치(12)의 구동측 풀리(121)에 접속되고 있다. 또한, 자성판 구동 장치(12)의 종동측 풀리(122)에는, 전자(電磁) 브레이크(126)가 설치되어, 정지 위치에서 보유지지되도록 되어 있다.

타겟(2)의 동력 전달축(21)은 원통형의 중공축이며, 중공 구멍을 통해서 케이스(4)의 동력 전달축(41)이 타겟(2)의 동력 전달축(21)으로부터 돌출하고 있다. 케이스(4)의 동력 전달축(41)도 중공축이며, 중공 구멍을 통해서 자석 유닛(3)을 고정하는 고정축(35)이 엔드 블록(200) 측으로 돌출하고 있다. 타겟(2)의 동력 전달축(21)은, 타겟(2)의 단부에 고정되는 단판(端板)(22)의 중앙에 돌출하여 설치되고, 케이스(4)의 동력 전달축(41)은, 케이스(4)의 단판(42)의 중앙에 돌출하여 설치되고 있다.

한편, 서포트 블록(300)은 챔버(10) 내에 배치되어 있고, 타겟(2) 및 케이스(4)의 단부에 설치된 종동측 회전축(24, 44)이, 서포트 블록(300)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 엔드 블록측과 달리, 서로 회전 가능하게 지지되면 되기 때문에, 타겟(2)의 종동측 회전축(24)을 케이스(4)의 종동측 회전축(44)이 관통하지 않지도 되고, 또한, 케이스(4)의 종동측 회전축(44)을 고정축(35)이 관통할 필요는 없다.

또한 여기서는 서포트 블록(300)은 챔버(10)의 내부에 배치되고, 엔드 블록(200)은 챔버(10)의 외부에 배치되는 것으로 했지만, 이에 한정되지 않고, 엔드 블록(200)도 챔버(10)의 내부에 배치되어도 된다. 이 경우, 모터(130) 등도 엔드 블록(200)의 내부에 배치되어도 좋다. 엔드 블록(200) 및 서포트 블록(300)을 챔버(10)의 내부에 배치하고, 로터리 캐소드(8)와 함께 성막 대상물(6)의 성막면에 대해서 평행으로 이동 가능한 구성으로 해도 된다. 이 구성으로 하면, 로터리 캐소드(8)를 회전 구동시키면서, 로터리 캐소드(8)를 성막 대상물(6)의 성막면에 대해 평행으로 구동시킬 수 있다.

도 4(B)는, 도 4(A)보다 구체적인 구성을 나타내는 것이다.

엔드 블록(200)은 챔버(10) 밖이므로, 진공의 챔버(10) 내의 분위기와 외기와의 시일을 할 필요가 있어, 회전 부분의 베어링과 시일을 중심으로 설명하는 것으로 한다.

(엔드 블록측의 구성)

고정축(35)과 케이스(4)의 동력 전달축(41) 사이에는, 한 쌍의 베어링(B)이 설치되고, 고정축(35)에 대해 케이스(4)의 동력 전달축(41)이 회전 가능하게 되어 있고, 고정축(35)과 케이스(4)의 동력 전달축(41)과의 환상 간극에 진공 시일에 적절한 밀봉 장치(270)가 장착되어 있다. 이 밀봉 장치(270)는, 고정축(35)과 케이스(4)의 동력 전달축(41)과의 상대적인 회전을 가능하게 하면서, 환상 간극을 봉지하는 기능을 가지고 있다. 자석 유닛(3)과 고정축(35)은 연결되어 있어, 케이스(4)가 회전해도 자석 유닛(3)은 회전하는 일은 없다.

케이스(4)의 동력 전달축(41)과 타겟(2)의 동력 전달축(21) 사이에도, 한 쌍의 베어링(B)이 설치되고, 케이스(4)의 동력 전달축(41)에 대해 타겟(2)의 동력 전달축(21)이 회전 가능하게 되어 있고, 케이스(4)의 동력 전달축(41)과 타겟(2)의 동력 전달축(21)과의 환상 간극이 밀봉 장치(270)에 의해 시일되어 있다.

다음으로, 타겟(2)의 동력 전달축(21)과, 엔드 블록(200)에 설치된 원형의 개구부(201) 사이에도 베어링(B)이 설치되어, 엔드 블록(200)에 대해 타겟(2)의 동력 전달축이 회전 가능하게 되어 있으며, 또한, 타겟(2)의 동력 전달축(21)과 개구부(201)와의 환상 간극이 밀봉 장치(270)에 의해 시일되어 있다.

또한, 도시한 예에서는, 구동력 전달축(21)은, 타겟(2)의 개구 끝을 막는 단판(22)에 설치된 구성이며, 타겟(2)은, 클램프 등의 체결 부재(290)에 의해 외주측의 단부가 체결되고, 타겟(2)의 내주와 단판(22)과의 감합부는 가스켓(G)에 의해 봉지되어 있다. 이에 의해, 케이스(4) 내를 저압력 상태로 유지하고 있다.

(서포트 블록(300)측의 구성)

타겟(2)의 종동측 회전축(24)은 중공이 아니며, 동력 전달축(21)과 동축적으로 설치되며, 서포트 블록(300)에 설치된 축 구멍(301)에 베어링(B)을 거쳐서 회전 가능하게 지지되고 있다. 이 베어링부에는 특히 밀봉 장치는 불필요하다. 종동측 회전축(24)은, 타겟(2)의 개구 끝을 막는 단판(25)에 설치된 구성이며, 단판(25)의 내측의 단면에는 미관통의 베어링 구멍(26)이 설치되어 있고, 이 베어링 구멍(26)에 케이스(4)의 종동측 회전축(44)이, 베어링(B)을 거쳐서 회전 가능하게 지지되고 있다. 또한, 케이스(4)의 종동측 회전축(44)도 미관통의 베어링 구멍(46)이 설치되고, 구동측의 고정축(35)과 동축적으로 고정축(36)이 상대 회전 가능하게 감합하고 있다.

또한, 타겟(2)의 서포트 블록(300) 측의 단부도, 클램프 등의 체결 부재(290)에 의해 외주측의 단부가 체결되고, 타겟(2)의 내주와 단판과의 감합부는 가스켓(G)에 의해 봉지되어, 타겟(2)의 내부 공간을 저압력 상태로 유지하고 있다.

이상과 같이 구성되는 로터리 캐소드(10)에 의하면, 모터(130)의 회전 구동력이, 벨트 전달 기구(110), 동력 전달축(21)을 거쳐서 타겟(2)에 전달되어, 회전 구동된다.

또한, 케이스(4)에는, 모터(130)의 회전 구동력이, 전자 클러치(125)를 거쳐서 케이스(4) 측의 벨트 전달 기구(110) 및 동력 전달축(41)을 거쳐서 케이스(4)에 전달되어, 케이스(4)가 회전 구동된다. 즉, 전자 클러치(125)가 온 상태일 때에, 케이스(4)와 함께 자기 차폐판(5)이 회전하고, 오프로 되면 케이스(4)가 정지한다. 또한, 정지 위치에서는, 전자 브레이크(126)에 의해, 정지 위치에서 보유지지된다. 이에 의해, 본 스퍼터 공정과 프리 스퍼터 공정을, 전자 클러치(125)의 온 오프의 타이밍에 의해 전환할 수 있다.

다음으로, 성막 장치(1)의 작용에 대해 설명한다.

성막 장치(1)는, 제어부(14)에 의해 구동원인 모터(130), 타겟 구동 기구(11), 차폐 부재 구동 기구(12)의 전자 클러치(125), 전자 브레이크(126)를 제어하여, 자기 차폐판(5)을 회전시켜 자기 차폐판(5)의 위치를 변경할 수 있다. 이에 의해, 성막 장치(1)는, 성막 대상물(6)에 성막하는 본 스퍼터 모드와, 타겟(2)의 표면을 클리닝하는 프리 스퍼터 모드를 전환 제어한다. 환언하면, 성막 장치(1)는, 프리 스퍼터 모드에 상당하는 제1 동작 모드와, 본 스퍼터 모드에 상당하는 제2 동작 모드를 전환 가능하게 가진다. 여기서, 제1 동작 모드는, 자기 차폐판(5)이 성막 에리어(A0)와는 반대 측에 배치된 상태, 즉, 자석 유닛(3)이, 자기 차폐판(5)과 성막 에리어(A0)(또는 성막 대상물(6)) 사이에 배치된 상태에서 방전을 행하는 동작 모드이다. 또한, 제2 동작 모드는, 자기 차폐판(5)이 성막 에리어(A0) 측에 배치된 상태, 즉, 자기 차폐판(5)이, 자석 유닛(3)과 성막 에리어(A0)(또는 성막 대상물(6)) 사이에 배치된 상태에서 방전을 행하는 동작 모드이다.

프리 스퍼터 모드는, 제1 영역(A1)의 자장의 생성을 차폐하고, 또한, 제2 영역(A2)에 자장을 생성하여 타겟(2)의 표면을 청정하게 하는 공정이다. 본 스퍼터 모드는, 제2 영역(A2)의 자장의 생성을 차폐하고, 또한, 제1 영역(A1)에 자장을 생성하고, 타겟(2)을 스퍼터 하여 성막 대상물(6)에 타겟 입자를 퇴적시키는 공정이다.

(프리 스퍼터 공정)

프리 스퍼터 공정에서는, 모터(130)를 회전시킴과 함께, 전자 클러치(125)를 온으로 하여 케이스 구동 기구(12)의 벨트 전달 기구(120)를 구동하고, 케이스(4)와 함께 자기 차폐판(5)을 회전시켜, 본 스퍼터용의 제1 자석 유닛(3A)을 덮는 제1 차폐 위치(I)까지 이동시킨다. 이 동안, 모터(130)에 의해, 타겟 구동 기구(11)의 벨트 전달 기구(110)도 구동하고 있어, 타겟은 계속 회전하고 있다. 자기 차폐판(5)이 제1 차폐 위치(I)에 도달하면, 전자 클러치(125)가 오프되고, 동시에 전자 브레이크(126)가 온으로 되어 정지 위치를 보유지지하고, 전원으로부터 바이어스 전압을 인가한다. 바이어스 전압을 인가하면, 자기 차폐판(5)에 의해, 제1 영역(A1)의 자장의 생성은 차폐되고, 제2 자석 유닛(3B)에 의한 제2 영역(A2)의 자장이 생성되고 있으므로, 이 제2 자석 유닛(3B) 측의 타겟 표면 근방에 플라즈마(P)가 집중하여 생성되고, 플라즈마 상태의 가스 이온이 타겟(2)에 충돌하고, 타겟 표면의 산화물 등이 비산하여, 타겟(2)의 표면이 클리닝 된다. 소정 시간, 프리 스퍼터를 행하여, 타겟(2)의 표면이 클리닝된 후, 본 스퍼터로 이행한다.

(본 스퍼터 공정)

본 스퍼터 공정에서는, 모터(130)를 회전시킴과 함께, 전자 브레이크(125)를 해방하고, 전자 클러치(126)를 온으로 하여 케이스 구동 기구(12)의 벨트 전달 기구(120)를 구동하고, 케이스(4)와 함께 자기 차폐판(5)을 회전시켜, 프리 스퍼터용의 제2 자석 유닛(3B)을 덮는 제2 차폐 위치(II)까지 이동시킨다. 이 동안, 모터(130)에 의해, 타겟 구동 기구(11)의 벨트 구동 기구(110)도 구동하고 있어, 타겟(2)은 계속 회전하고 있다. 자기 차폐판(5)이 제2 차폐 위치(II)에 도달하면, 전자 클러치(125)를 오프로 하고, 동시에 전자 브레이크(126)로 정지 위치를 보유지지하고, 전원(13)으로부터 바이어스 전압을 인가한다.

바이어스 전위가 인가되면, 자기 차폐판(5)에 의해, 제2 영역(A2)의 자장의 생성은 차폐되고, 제1 자석 유닛(3A)에 의한 제1 영역(A1)의 자장이 생성되고 있으므로, 이 제1 자석 유닛 측의 타겟 표면 근방에 플라즈마(P)가 집중하여 생성되고, 플라즈마 상태의 가스 이온이 타겟(2)을 스퍼터하고, 비산한 스퍼터 입자가 성막 대상물(6)에 퇴적되어 성막된다.

이상 설명한 것처럼, 본 실시형태에 의하면, 자석 유닛(3)을 회전시키거나 로터리 캐소드(8)를 퇴피시키거나 하지 않아도, 비교적 경량이며 구동이 용이한 자기 차폐판(5)을 이동시키는 것만으로 프리 스퍼터를 행할 수 있기 때문에, 프리 스퍼터를 양호한 생산성으로, 간편하게 행할 수 있다.

(타겟의 구동 기구 및 차폐판의 구동 기구의 다른 구성예)

도 5는, 타겟 구동 기구(11) 및 차폐판 구동 기구(12)의 다른 구성예를 나타내는 개략 사시도이다. 기본적으로는, 도 4에 나타낸 구성과 동일하므로, 주로 다른 점에 대해서만 설명하고, 동일한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다.

상기 구성에서는, 자기 차폐판(5)이 케이스(4)에 고정되고, 케이스(4)와 함께 자기 차폐판(5)이 회전하도록 되어 있었지만, 이 예는, 자기 차폐판(5)이 케이스(4) 내에 배치되고, 타겟(2)이나 케이스(4)는, 독립하여 회전시키도록 구성되어 있다.

즉, 타겟(2)의 동력 전달축(21)은 원통형의 중공축이며, 중공 구멍을 통해서 케이스(4)의 고정축(401)이 타겟(2)의 동력 전달축(21)으로부터 엔드 블록(200) 측으로 돌출하고 있다. 케이스(4)의 고정축(401)도 중공축이며, 중공 구멍을 통해서 자기 차폐판(5)의 동력 전달축(501)이 엔드 블록(200) 측으로 돌출하고 있다. 타겟(2)의 동력 전달축(21)은, 타겟(2)의 단부에 고정되는 단판(21)의 중앙에 돌출하여 설치되고, 케이스(4)의 고정축(401)은, 케이스(4)의 단판(42)의 중앙에 돌출하여 설치되고 있다. 또한, 자기 차폐판(5)의 동력 전달축(501)은, 자기 차폐판(5)의 원형의 단판(502)의 중앙에 연결되어 있다.

한편, 서포트 블록(300) 측에 관해서는, 상기 형태와 달리, 상기 타겟(2) 및 자기 차폐판(5)의 단부에 설치된 종동측 회전축(24, 504)이, 서포트 블록(300)에 회전 가능하게 지지되고 있다. 타겟(2)의 종동측 회전축(24)을 자기 차폐판(5)의 종동측 회전축(504)이 관통하지 않지도 되며, 또한, 케이스(4)의 고정축(401)을 자기 차폐판(5)의 종동측 회전축(504)이 관통하지 않아도 된다.

다음으로, 본 발명의 다른 실시형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에서는 실시형태 1과, 주로 다른 점에 대해서만 설명하고, 동일한 구성 부분에 대해서는, 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다.

[실시형태 2]

도 6은, 본 발명의 실시형태 2와 관련되는 성막 장치(101)를 나타내고 있다. 실시형태 2와 관련되는 성막 장치(101)는, 로터리 캐소드(8) 내의 자석 유닛(3)의 자력이, 성막 대상물(6)에 대향하는 바깥 쪽의 제1 자석 유닛(3A)의 자력이, 성막 대상물(6)과 반대 측의 제2 자석 유닛(3B)의 자력보다 강하게 설정한 것이다.

이와 같이 함으로써, 프리 스퍼터 모드에 있어서 타겟(2)의 표면 근방에 형성되는 플라즈마의 밀도를, 본 스퍼터 모드에 있어서 타겟(2)의 표면 근방에 형성되는 플라즈마의 밀도보다 작게 할 수 있다. 그 때문에, 본 실시형태에 의하면, 실시형태 1의 효과에 더하여, 프리 스퍼터 시의 과잉의 재료 소비를 억제할 수 있다.

[실시형태 3]

도 7은, 본 발명의 실시형태 3과 관련되는 성막 장치(102)를 나타내고 있다. 실시형태 3과 관련되는 성막 장치(102)에서는, 챔버(10)의 내부를, 성막 대상물(6)에 성막하기 위한 제1 영역(A1)과, 제1 영역(A1)과 다른 제2 영역(A2)으로 구획하기 위한 구획 부재(400)를 설치한 것이다.

제1 영역(A1)은 본 스퍼터 시의 플라즈마가 생성되는 영역이며, 제2 영역(A2)은 프리 스퍼터 시에 플라즈마가 생성되는 영역이다. 성막 장치(102)는, 제1 영역(A1)으로 가스를 도입하기 위한 제1 가스 도입구(71)와, 제2 영역(A2)으로 가스를 도입하기 위한 제2 가스 도입구(72)를 가지고 있고, 각각의 가스 도입구(71, 72)는 다른 가스 공급원에 접속되고 있어도 좋다. 각각의 가스 도입구(71, 72)로부터는 다른 종류의 가스가 공급되어도 좋다.

구획 부재는, 로터리 캐소드의 중심축을 통과하는 수평면을 따라, 로터리 캐소드의 좌우에 한 쌍의 수평판부(401)와, 수평판부(401)를 지지하는 수직 방향으로 연장하는 지지판부(402)를 구비한 L자 형상으로 굴곡진 판재에 의해 구성된다. 지지판부(402)는 챔버(10)의 내벽면에 고정되고, 수평판부(401)의 로터리 캐소드(8) 측의 단부가, 타겟의 측면에 대해 미소한 간극을 거쳐 대향하도록 구성된다. 또한, 수평판부(401)가 직접 챔버(10)의 벽에 고정된 구성이여도 된다.

이와 같이 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)을 구획함으로써, 프리 스퍼터 시의 산화물 등의 비산 입자가 성막 대상물 측에 부착되는 등의 영향을 억제할 수 있다.

[그 외의 실시형태]

또한, 본 발명은, 상기한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지 구성을 채용할 수 있다.

예를 들어, 자기 차폐판을 자석 유닛과 함께 케이스 내에 배치했을 경우에 대해 설명하였지만, 케이스 외주와 타겟 내주 사이의 간극에 배치하는 구성으로 해도 된다.

또한, 자기 차폐판의 사이즈로서는, 상기 실시형태에서는 거의 단면 반원 형상으로 되어 있고, 원통형의 타겟의 180°의 범위를 덮는 사이즈로 되어 있지만, 180°에 한정되는 것이 아니다. 원통형의 타겟의 90°이상 270°이하의 범위를 덮는 사이즈로 하는 것이 바람직하고, 150°이상 210°이하의 범위를 덮는 사이즈로 하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 상기 실시형태에서는, 자기 차폐판을 자성판 1매로 구성하고 있지만, 2매 겹친 구성으로 해도 되고, 1매에 한정되지 않는다.

나아가, 자석 유닛(3)은, 성막 대상물(6)과 대향하는 제1 자석 유닛(3A)에 대해서, 180° 반대 측에 프리 스퍼터용의 제2 자석 유닛(3B)을 1개만 배치하고 있지만, 프리 스퍼터용의 제2 자석 유닛(3B)을 복수 설치해도 된다. 이 경우는, 복수 설치하는 제2 자석 유닛(3B)은 다른 방향을 향해 배치되어도 된다.

또한, 상기 실시형태에서는, 로터리 캐소드(8)가 1개인 경우를 예시하였지만, 로터리 캐소드(8)가 챔버(10)의 내부에 복수 배치된 성막 장치에도 적용할 수 있다.

1: 성막 장치
2: 타겟
3: 자석 유닛(자장 발생 수단)
5: 자기 차폐판
6: 성막 대상물
10: 챔버
11: 타겟 구동 장치(타겟 구동 수단)
12: 차폐판 구동 장치(차폐판 구동 수단)

Claims (18)

1. 성막 대상물 및 원통형의 타겟이 내부에 배치되는 챔버와,
   상기 타겟의 내부에 설치되고, 상기 타겟의 외주면으로부터 누설되는 자장을 생성하는 자장 발생 수단과,
   상기 타겟을 회전 구동하는 타겟 구동 수단을 구비한 성막 장치로서,
   상기 자장 발생 수단과 상기 타겟의 내주면 사이에 이동 가능하게 설치되는 자기 차폐 부재와,
   당해 자기 차폐 부재를 구동하는 차폐 부재 구동 수단과,
   상기 차폐 부재 구동 수단에 의해 상기 자기 차폐 부재를 이동시킴으로써, 상기 성막 대상물에 성막하는 본 스퍼터 모드와, 상기 타겟의 표면을 클리닝하는 프리 스퍼터 모드를 전환하는 제어 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 차폐 부재 구동 수단은, 상기 자기 차폐 부재를 상기 타겟과 동축으로 회전 이동시키는 수단인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 자기 차폐 부재는, 아치 형상의 판상 부재인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 자기 차폐 부재는, 상기 타겟의 긴 길이 방향과 직교하는 단면 형상이 원호 형상의 판상 부재인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
   상기 자기 차폐 부재는, 반원통 형상의 판상 부재인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 자기 차폐 부재는, 강자성 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
7. 삭제
8. 제1항에 있어서,
   상기 자장 발생 수단은, 상기 성막 대상물을 향하는 방향과, 상기 성막 대상물로부터 멀어지는 방향의 양쪽 모두로 자장을 발생시키는 수단인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
9. 제8항에 있어서,
   상기 자장 발생 수단은, 상기 성막 대상물을 향하는 방향으로 자장을 발생시키는 제1 자석 유닛과, 상기 성막 대상물로부터 멀어지는 방향으로 자장을 발생시키는 제2 자석 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
10. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 내부를, 상기 성막 대상물에 성막하기 위한 제1 영역과, 상기 제1 영역과 다른 제2 영역으로 구획하기 위한 구획 부재를 더 가지는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
11. 제1항에 있어서,
    상기 자장 발생 수단은, 상기 타겟의 내부에서 밀폐된 케이스 내에 수납되어 있고, 상기 자기 차폐 부재는 상기 케이스 내에 장착되어 있는 성막 장치.
12. 제1항에 있어서,
    상기 자장 발생 수단과, 상기 자기 차폐 부재를 갖고, 상기 타겟이, 상기 자장 발생 수단 및 상기 자기 차폐 부재가 그 내부에 배치되도록 각각 배치되는 캐소드 유닛을, 상기 챔버 내에 복수 가지는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
13. 성막 대상물 및 원통형의 타겟이 내부에 배치되는 챔버와,
    상기 타겟의 내부에 설치되고, 상기 타겟의 외주면으로부터 누설되는 자장을 생성하는 자장 발생 수단과,
    상기 타겟을 회전 구동하는 타겟 구동 수단을 구비한 성막 장치로서,
    상기 자장 발생 수단과 상기 타겟의 내주면 사이에, 상기 타겟과 동축으로 회전 가능하게 설치되는 자기 차폐 부재와,
    당해 자기 차폐 부재를 회전 구동하는 차폐 부재 구동 수단과,
    상기 차폐 부재 구동 수단에 의해 상기 자기 차폐 부재를 회전시킴으로써, 상기 성막 대상물에 성막하는 본 스퍼터 모드와, 상기 타겟의 표면을 클리닝하는 프리 스퍼터 모드를 전환하는 제어 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
14. 성막 대상물 및 원통형의 타겟이 내부에 배치되는 챔버와,
    상기 타겟의 내부에 설치되고, 상기 타겟의 외주면으로부터 누설되는 자장을 생성하는 자장 발생 수단과,
    상기 타겟을 회전 구동하는 타겟 구동 수단을 구비하고, 상기 챔버 내의 성막 에리어에 배치되는 상기 성막 대상물에 성막하는 성막 장치로서,
    상기 자장 발생 수단과 상기 타겟의 내주면 사이에 이동 가능하게 설치되는 자기 차폐 부재를 갖고,
    상기 자장 발생 수단이 상기 자기 차폐 부재와 상기 성막 에리어 사이에 배치된 상태에서 방전을 행하는 제1 동작 모드와,
    상기 자기 차폐 부재가 상기 자장 발생 수단과 상기 성막 에리어 사이에 배치된 상태에서 방전을 행하는 제2 동작 모드
    를 전환 가능하게 가지는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
15. 제14항에 있어서,
    상기 자기 차폐 부재를 구동하는 차폐 부재 구동 수단을 갖고,
    상기 차폐 부재 구동 수단에 의해 상기 자기 차폐 부재를 이동시킴으로써, 상기 제1 동작 모드와, 상기 제2 동작 모드를 전환하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
16. 성막 대상물을 챔버 내에 배치하고, 상기 성막 대상물과 대향하여 배치된 원통형의 타겟으로부터 비상하는 스퍼터 입자를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터 성막 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 타겟의 내부에 배치된 자장 발생 수단에 의해, 상기 자장 발생 수단으로부터 상기 성막 대상물을 향하는 제1 방향과, 상기 성막 대상물로부터 멀어지는 제2 방향의 양쪽 모두로 자장을 발생시키고,
    상기 제1 방향으로 발생한 자장을 차폐한 상태에서, 상기 타겟을 회전시키면서 방전하는 프리 스퍼터 공정과,
    상기 제2 방향으로 발생한 자장을 차폐한 상태에서, 상기 타겟을 회전시키면서 방전하는 본 스퍼터 공정
    을 가지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
17. 제16항에 있어서,
    상기 프리 스퍼터 공정은, 상기 타겟의 외표면을 청정하게 하는 공정인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
18. 제17항에 있어서,
    상기 본 스퍼터 공정은, 표면이 청정하게 된 상기 타겟을 스퍼터 하여, 상기 성막 대상물에 상기 스퍼터 입자를 퇴적시키는 공정인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.