KR102653420B1 - 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템 - Google Patents

엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102653420B1
KR102653420B1 KR1020160067961A KR20160067961A KR102653420B1 KR 102653420 B1 KR102653420 B1 KR 102653420B1 KR 1020160067961 A KR1020160067961 A KR 1020160067961A KR 20160067961 A KR20160067961 A KR 20160067961A KR 102653420 B1 KR102653420 B1 KR 102653420B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoelectric conversion
substrate
photoelectric converter
photoelectric
layer
Prior art date
Application number
KR1020160067961A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170136196A (ko
Inventor
김강윤
이정훈
박종구
홍성철
윤영석
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020160067961A priority Critical patent/KR102653420B1/ko
Priority to PCT/KR2017/005468 priority patent/WO2017209445A1/en
Priority to US15/610,437 priority patent/US10551512B2/en
Publication of KR20170136196A publication Critical patent/KR20170136196A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102653420B1 publication Critical patent/KR102653420B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20186—Position of the photodiode with respect to the incoming radiation, e.g. in the front of, below or sideways the scintillator
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/40—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for generating radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A61B6/4208—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/52—Devices using data or image processing specially adapted for radiation diagnosis
    • A61B6/5205—Devices using data or image processing specially adapted for radiation diagnosis involving processing of raw data to produce diagnostic data
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20185—Coupling means between the photodiode and the scintillator, e.g. optical couplings using adhesives with wavelength-shifting fibres
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10116—X-ray image

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

신틸레이터(scintilator)를 포함하는 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템에 관한 것으로, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층의 상부면 위에 배치되는 제1 광전 변환기와, 신틸레이터층의 하부면 위에 배치되는 제2 광전 변환기를 포함하는 엑스레이 검출 장치를 이용한 엑스레이 영상 시스템은, 촬영하고자 하는 피사체로 엑스레이를 조사하는 엑스레이 발생부와, 피사체를 투과한 엑스레이를 수신하여 제1 전기적 신호로 변환하는 제1 광전 변환기와 제2 전기적 신호로 변환하는 제2 광전 변환기를 포함하는 엑스레이 검출 장치와, 엑스레이 검출 장치의 제1 전기적 신호를 토대로, 피사체의 제1 이미지를 처리하는 제1 이미지 처리부와, 엑스레이 검출 장치의 제2 전기적 신호를 토대로, 피사체의 제2 이미지를 처리하는 제2 이미지 처리부와, 처리된 피사체의 제1, 제2 이미지를 표시하는 디스플레이부와, 엑스레이 발생부, 엑스레이 검출 장치, 제1, 제2 이미지 처리부 및 디스플레이부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.

Description

엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템{X-ray detector and X-ray image system for using the same}
본 발명은 신틸레이터(scintilator)를 포함하는 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 엑스레이 검출 장치는, 엑스레이를 인체와 같은 피사체에 투과시키고, 그 투과량을 검출하여 피사체의 내부를 촬영하는 장치이다.
이러한 엑스레이 검출 장치는, 의료용 검사 장치 및 비파괴 검사 장치 등에서 주로 사용되고 있다.
초기의 엑스레이 검출 장치는, 엑스레이 감광 필름을 이용하여 피사체의 내부를 촬영하였으나, 피사체의 내부를 촬영할 때마다, 필름을 여러 번 교체해야 하는 불편함이 있었고, 피사체의 내부가 촬영된 필름을 따로 보관해야 하는 보관소가 추가로 필요한 문제들이 있었다.
따라서, 최근의 엑스레이 검출 장치는, 엑스레이 감광 필름 대신에 CR(Computed Radiography) 방식을 이용하거나 또는 DR(Digital Radiography) 방식을 이용하여 피사체의 내부를 촬영하고 있다.
이러한 엑스레이 검출 장치는, 액티브 매트릭스, CCD 및 CMOS 등과 같이 고체 이미징 소자를 기초로 평면형 엑스레이 검출 장치로 구현될 수 있다.
평면형 엑스레이 검출 장치는, 광을 전기 신호로 변환하는 광전변환기판과 광전변환기판에 접촉되는 신틸레이터층을 포함할 수 있다.
따라서, 평면형 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층에 엑스레이가 조사되면, 엑스레이를 광으로 변환하고, 변환된 광이 광전변환기판에 입사되면, 광을 전기 신호로 변환함으로써, 엑스레이 촬영 이미지 또는 실시간 엑스레이 이미지를 디지털 신호로 출력한다.
하지만, 기존의 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층에서, 엑스레이가 광으로 변환될 때, 변환된 광이 광전변환기판으로 입사되지 않고, 광의 확산 및 반사 등으로 인하여 광이 손실되는 경우가 발생할 수 있다.
이러한 광의 손실은, 엑스레이의 검출 효율을 저하시키고, 엑스레이 촬영 이미지의 선명도를 저하시키는 원인이 되고 있다.
따라서, 향후, 엑스레이 검출 효율을 높여 엑스레이 촬영 이미지의 선명도를 향상시킬 수 있는 엑스레이 검출 장치의 개발이 필요할 것이다.
본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은, 신틸레이터층의 상부면과 하부면 위에 각각 광전 변환기를 배치하여, 엑스레이의 검출 효율을 높일 수 있는 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템을 제공하고자 한다.
또 다른 목적은, 신틸레이터층의 상부면에 배치되는 광전 변환기의 두께를 감소시켜, 슬림화 및 소형화가 가능한 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템을 제공하고자 한다.
또 다른 목적은, 인접하는 광전 변환층 사이에 차단층을 배치하여, 적은 양의 엑스레이로 영상의 화질을 높일 수 있는 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템을 제공하고자 한다.
또 다른 목적은, 신틸레이터층에 광 통로를 형성하여, 광 손실을 줄일 수 있는 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템을 제공하고자 한다.
또 다른 목적은, 신틸레이터층의 양 측면에 전반사막을 배치하여, 광 손실을 줄일 수 있는 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템을 제공하고자 한다.
또 다른 목적은, 다수의 광전 변환기들로부터 획득한 영상들을 비교하여, 화질이 높은 영상을 선택하여 표시할 수 있는 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템을 제공하고자 한다.
또 다른 목적은, 다수의 광전 변환기들로부터 획득한 영상들을 중첩하여, 영상의 화질을 높일 수 있는 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템을 제공하고자 한다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 엑스레이 검출 장치는, 외부로부터 입사되는 엑스레이를 광으로 변환하는 신틸레이터층과, 변환된 광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환부를 포함하고, 광전 변환부는, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층의 상부면 위에 배치되는 제1 광전 변환기와, 신틸레이터층의 하부면 위에 배치되는 제2 광전 변환기를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 엑스레이 검출 장치를 이용한 엑스레이 영상 시스템은, 촬영하고자 하는 피사체로 엑스레이를 조사하는 엑스레이 발생부와, 피사체를 투과한 엑스레이를 수신하여 제1 전기적 신호로 변환하는 제1 광전 변환기와 제2 전기적 신호로 변환하는 제2 광전 변환기를 포함하는 엑스레이 검출 장치와, 엑스레이 검출 장치의 제1 전기적 신호를 토대로, 피사체의 제1 이미지를 처리하는 제1 이미지 처리부와, 엑스레이 검출 장치의 제2 전기적 신호를 토대로, 피사체의 제2 이미지를 처리하는 제2 이미지 처리부와, 처리된 피사체의 제1, 제2 이미지를 표시하는 디스플레이부와, 엑스레이 발생부, 엑스레이 검출 장치, 제1, 제2 이미지 처리부 및 디스플레이부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 신틸레이터층의 상부면과 하부면 위에 각각 광전 변환기를 배치하여, 엑스레이의 검출 효율을 높일 수 있어, 영상의 화질을 높일 수 있다.
본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 신틸레이터층의 상부면에 배치되는 광전 변환기의 두께를 감소시켜, 슬림화 및 소형화가 가능하다.
본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 인접하는 광전 변환층 사이에 차단층을 배치하여, 적은 양의 엑스레이로 영상의 화질을 높일 수 있어, 피폭량을 최소화할 수 있다.
본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 신틸레이터층에 광 통로를 형성하거나 또는, 신틸레이터층의 양 측면에 전반사막을 배치하여, 광 손실을 최소화하여 엑스레이 검출의 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 다수의 광전 변환기들로부터 획득한 영상들을 비교하여, 화질이 높은 영상을 선택하거나, 또는 다수의 광전 변환기들로부터 획득한 영상들을 중첩함으로써, 광전 변환기의 결함에 상관없이, 높은 화질의 영상을 획득할 수 있다.
본 발명의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 본 발명의 바람직한 실시 예와 같은 특정 실시 예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 엑스레이 검출 장치를 이용한 엑스레이 영상 시스템을 보여주는 블럭 구성도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명 제1 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명 제2 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명 제3 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명 제4 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명 제5 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 13은 본 발명 제6 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 14는 본 발명 제7 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 15는 본 발명 제8 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 16는 본 발명 제9 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 17 내지 도 19는 본 발명 제10 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 20 내지 도 23은 본 발명 제11 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 24 및 도 25는 본 발명 제12 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 엑스레이 검출 장치를 이용한 엑스레이 영상 시스템을 보여주는 블럭 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 엑스레이 영상 시스템은, 엑스레이 발생부(200), 엑스레이 검출 장치(100), 제1 이미지 처리부(310), 제2 이미지 처리부(320), 디스플레이부(400), 그리고 제어부(500)를 포함할 수 있다.
여기서, 엑스레이 발생부(200)는, 제어부(500)의 제어신호에 따라, 촬영하고자 하는 피사체(10)로 엑스레이를 조사할 수 있다.
다음, 엑스레이 검출 장치(100)는, 피사체(10)를 투과한 엑스레이를 수신하여 전기적 신호로 변환할 수 있다. 여기서, 엑스레이 검출 장치(100)는, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120)와, 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)를 포함할 수 있다. 일 예로, 엑스레이 검출 장치(100)의 신틸레이터층(110)은, 피사체(10)를 투과하여 입사되는 엑스레이를 광으로 변환하고, 제1 광전 변환기(110)는, 신틸레이터층(110)에서 변환된 광을 제1 전기적 신호로 변환하며, 제2 광전 변환기(120)는, 신틸레이터층(110)에서 변환된 광을 제2 전기적 신호로 변환할 수 있다.
신틸레이터층(110)은, 세슘 아이오다이드(CsI), 소듐 아이오다이드(NaI), 리튬 플로라이드(LiF), 가돌리윰 산황화물(GOS, Gadolinium Oxysulfide) 등으로 이루어질 수 있다.
그리고, 제1 광전 변환기(120)는, 다수의 픽셀 영역을 갖는 제1 기판, 제1 기판의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제1 광전 변환층, 그리고 제1 기판과 제1 광전 변환층 사이에 배치되어 변환된 전기 신호를 출력하는 제1 트랜지스터를 포함할 수 있다.
또한, 제2 광전 변환기(130)는, 다수의 픽셀 영역을 갖는 제2 기판, 제2 기판의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제2 광전 변환층, 그리고 제2 기판과 제2 광전 변환층 사이에 배치되어 변환된 전기 신호를 출력하는 제2 트랜지스터를 포함할 수 있다.
다음, 제1 이미지 처리부(310)는, 제1 광전 변환기(120)에 전기적으로 연결되어, 제1 광전 변환기(120)로부터 출력된 제1 전기적 신호를 토대로, 피사체(10)의 제1 이미지를 처리할 수 있다.
그리고, 제2 이미지 처리부(320)는, 제2 광전 변환기(130)에 전기적으로 연결되어, 제2 광전 변환기(130)로부터 출력된 제2 전기적 신호를 토대로, 피사체(10)의 제2 이미지를 처리할 수 있다.
이어, 디스플레이부(400)는, 제1, 제2 이미지 처리부(310, 320)로부터 처리된 피사체의 제1, 제2 이미지를 표시할 수 있다.
다음, 제어부(500)는, 엑스레이 발생부(200), 엑스레이 검출 장치(100), 제1, 제2 이미지 처리부(310, 320) 및 디스플레이부(400)를 제어할 수 있다.
여기서, 제어부(500)는, 제1 이미지 처리부(310)로부터 처리된 제1 이미지 전체와 제2 이미지 처리부(320)로부터 처리된 제2 이미지 전체를 합성하여, 디스플레이부(400)에 표시할 수 있다. 그 이유는, 제1 이미지 전체와 제2 이미지 전체를 합성할 경우, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120)로부터 획득한 제1 이미지의 화질, 또는 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)로부터 획득한 제2 이미지의 화질보다 더 선명한 화질의 이미지를 얻을 수 있기 때문이다.
즉, 제어부(500)는, 엑스레이 검출 장치(100)가, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층과, 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층이 서로 일대일 대응되도록 배치되는 구조를 가질 경우, 제1 이미지 전체와 제2 이미지 전체를 합성하는 방식으로 피사체의 촬영 영상을 표시할 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층과, 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층이, 서로 일대일 대응되어 배치되면, 제1 광전 변환기(120)로부터 획득한 제1 이미지와, 제2 광전 변환기(130)로부터 획득한 제2 이미지가, 서로 동일하기 때문이다.
따라서, 제어부(500)는, 서로 동일한 제1 이미지 전체와 제2 이미지 전체를 서로 중첩시켜, 중첩된 전체 이미지 영역에 대한 화질을 높일 수 있고, 입사되는 엑스레이 양이 적어도 선명한 이미지를 얻을 수 있다.
다른 경우로서, 제어부(500)는, 제1 이미지 처리부(310)로부터 처리된 제1 이미지 일부와 제2 이미지 처리부(320)로부터 처리된 제2 이미지 일부를 합성하여, 디스플레이부(400)에 표시할 수 있다. 그 이유는, 제1 이미지 일부와 제2 이미지 일부를 합성할 경우, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120)로부터 획득한 제1 이미지의 화질, 또는 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)로부터 획득한 제2 이미지의 화질보다 더 선명한 화질의 이미지를 얻을 수 있기 때문이다.
즉, 제어부(500)는, 엑스레이 검출 장치(100)가, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층과, 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층이 서로 어긋나도록 배치되는 구조를 가질 경우, 제1 이미지 일부와 제2 이미지 일부를 합성하는 방식으로 피사체의 촬영 영상을 표시할 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층과, 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층이, 서로 어긋나도록 배치되면, 제1 광전 변환기(120)로부터 획득한 제1 이미지의 일부와, 제2 광전 변환기(130)로부터 획득한 제2 이미지의 일부가, 서로 동일하기 때문이다.
따라서, 제어부(500)는, 서로 동일한 제1 이미지의 일부와 제2 이미지의 일부를 서로 중첩시켜, 중첩된 일부 이미지 영역에 대한 화질을 높일 수 있고, 입사되는 엑스레이 양이 적어도 선명한 이미지를 얻을 수 있다.
또 다른 경우로서, 제어부(500)는, 제1 이미지 처리부(310)로부터 처리된 제1 이미지의 화질과 제2 이미지 처리부(320)로부터 처리된 제2 이미지의 화질을 비교하여, 화질이 더 높은 이미지를 디스플레이부(400)에 표시할 수도 있다. 그 이유는, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120) 또는 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130) 중 어느 하나가 결함이 발생되어 이미지의 화질이 현저히 저하될 경우에도, 선명한 화질의 이미지를 얻을 수 있기 때문이다.
따라서, 제어부(500)는, 엑스레이 검출 장치(100) 내에 일부 결함이 발생하여도, 이미지 촬영의 중단 없이, 화질이 높은 이미지를 얻을 수 있다.
또 다른 경우로서, 제어부(500)는, 엑스레이의 세기가 기준값보다 크면, 제1 이미지 처리부(310)로부터 처리된 제1 이미지 또는 제2 이미지 처리부(320)로부터 처리된 제2 이미지를 디스플레이부(400)에 표시하고, 엑스레이의 세기가 기준값이면, 제1 이미지 처리부(310)로부터 처리된 제1 이미지를 디스플레이부(400)에 표시할 수 있으며, 엑스레이의 세기가 기준값보다 작으면, 제1 이미지 처리부(310)로부터 처리된 제1 이미지와 제2 이미지 처리부(320)로부터 처리된 제2 이미지를 합성하여 디스플레이부(400)에 표시할 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)가 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120)로부터 획득한 제1 이미지의 화질이, 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)로부터 획득한 제2 이미지의 화질보다 더 선명할 수 있기 때문이다.
따라서, 제어부(500)는, 엑스레이의 세기가 기준값보다 크면, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120)로부터 획득한 제1 이미지의 화질 또는 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)로부터 획득한 제2 이미지의 화질이 선명하므로, 제1, 제2 이미지 중 어느 하나를 선택할 수 있다. 그리고, 제어부(500)는, 엑스레이의 세기가 기준값이면, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120)로부터 획득한 제1 이미지의 화질이, 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)로부터 획득한 제2 이미지의 화질보다 더 선명하므로, 제1 이미지를 선택할 수 있다. 이어, 제어부(500)는, 엑스레이의 세기가 기준값보다 작으면, 신틸레이터층(110)의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기(120)로부터 획득한 제1 이미지의 화질과 신틸레이터층(110)의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기(130)로부터 획득한 제2 이미지의 화질이 모두 저하되므로, 제1 이미지와 제2 이미지를 합성할 수 있다.
이와 같이, 본 발명은, 신틸레이터층의 상부면과 하부면 위에 각각 광전 변환기를 배치한 엑스레이 검출 장치를 사용함으로써, 엑스레이의 검출 효율을 높여, 영상의 화질을 높일 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명 제1 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층(110)과 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부를 포함할 수 있다.
신틸레이터층(110)는, 외부로부터 입사되는 엑스레이(20)를 광(30)으로 변환할 수 있고, 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부는, 변환된 광(30)을 전기 신호로 변환할 수 있다.
여기서, 제1 광전 변환기(120)는, 엑스레이(20)가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면 위에 배치되고, 제2 광전 변환기(130)는, 신틸레이터층(110)의 하부면 위에 배치될 수 있다.
일 예로, 신틸레이터층(110)은, 세슘 아이오다이드(CsI), 소듐 아이오다이드(NaI), 리튬 플로라이드(LiF), 가돌리윰 산황화물(GOS, Gadolinium Oxysulfide) 등으로 이루어질 수 있다.
그리고, 제1 광전 변환기(120)는, 다수의 픽셀 영역을 갖는 제1 기판, 제1 기판의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제1 광전 변환층, 그리고 제1 기판과 제1 광전 변환층 사이에 배치되어 변환된 전기 신호를 출력하는 제1 트랜지스터를 포함할 수 있다.
또한, 제2 광전 변환기(130)는, 다수의 픽셀 영역을 갖는 제2 기판, 제2 기판의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제2 광전 변환층, 그리고 제2 기판과 제2 광전 변환층 사이에 배치되어 변환된 전기 신호를 출력하는 제2 트랜지스터를 포함할 수 있다.
이어, 도 2와 같이, 제1 광전 변환기(120)의 두께 t1와 제2 광전 변환기(130)의 두께 t2는, 서로 다를 수 있다. 일 예로, 제1 광전 변환기(120)의 두께 t1는, 제2 광전 변환기(130)의 두께 t2보다 더 얇을 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)가, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 제1 광전 변환기(120)의 두께가 너무 두꺼우면, 입사되는 엑스레이 일부가 손실될 수 있기 때문이다.
경우에 따라, 도 3과 같이, 제1 광전 변환기(120)의 두께 t1와 제2 광전 변환기(130)의 두께 t2는, 서로 동일할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명은, 신틸레이터층의 상부면에 배치되는 광전 변환기의 두께를 감소시켜, 슬림화 및 소형화가 가능하다.
도 4 및 도 5는 본 발명 제2 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층(110)과 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부를 포함할 수 있다.
제1 광전 변환기(120)는, 다수의 픽셀 영역을 갖는 제1 기판(121), 제1 기판(121)의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제1 광전 변환층(125), 그리고 제1 기판(121)과 제1 광전 변환층(125) 사이에 배치되어 변환된 전기 신호를 출력하는 제1 트랜지스터(123)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 트랜지스터(123)는, 게이트 전극(123a), 소스 전극(123b), 드레인 전극(123c) 및 픽셀 전극(123d)을 포함할 수 있다. 그리고, 제1 광전 변환층(125)는, 제1 트랜지스터(123)의 픽셀 전극(123d) 위에 형성될 수 있다.
이어, 제2 광전 변환기(130)는, 다수의 픽셀 영역을 갖는 제2 기판(131), 제2 기판(131)의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제2 광전 변환층(135), 그리고 제2 기판(131)과 제2 광전 변환층(135) 사이에 배치되어 변환된 전기 신호를 출력하는 제2 트랜지스터(133)를 포함할 수 있다. 여기서, 제2 트랜지스터(133)는, 게이트 전극(133a), 소스 전극(133b), 드레인 전극(133c) 및 픽셀 전극(133d)을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 광전 변환층(135)는, 제2 트랜지스터(133)의 픽셀 전극(133d) 위에 형성될 수 있다.
그리고, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)은, 서로 마주보도록 일대일 대응하여 배치될 수 있다.
한편, 도 4와 같이, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3과 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 두께 t4는, 서로 다를 수 있다. 일 예로, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3는, 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 두께 t4보다 더 얇을 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)가, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3가 너무 두꺼우면, 입사되는 엑스레이 일부가 손실될 수 있기 때문이다.
하지만, 도 5와 같이, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3과 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 두께 t4는, 서로 동일할 수도 있다.
다른 경우로서, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도와 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 엑스레이 투과도는, 서로 다를 수 있다. 일 예로, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도는, 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 엑스레이 투과도보다 더 높을 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)가, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도가 낮으면, 입사되는 엑스레이 일부가 손실될 수 있기 때문이다.
하지만, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도와 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 엑스레이 투과도는, 서로 동일할 수도 있다.
또한, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)과 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)은, 카본, 탄소섬유 강화 플라스틱(carbon fiber reinforced plastic), 유리, 수정, 사파이어, 금속 중 적어도 어느 하나일 수 있으며, 금속은, 철, 주석, 크롬, 알루미늄 중 어느 하나일 수 있는데, 이에 제한되지는 않는다. 여기서, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)과 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)은, 엑스레이 투과도에 따라 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 본 발명은, 신틸레이터층의 상부면에 배치되는 광전 변환기의 기판 두께를 감소시키거나 또는 기판의 엑스레이 투과도를 높여, 입사되는 엑스레이의 손실을 최소화할 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명 제3 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층(110)과 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부를 포함할 수 있는데, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)은, 서로 엇갈리게 배치될 수도 있다. 여기서, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)을 서로 엇갈리게 배치하는 이유는, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)이 서로 대응되어 배치되는 구조에 비해, 신틸레이터층(110)의 전체 영역으로부터 광 손실 없이, 광을 균일하게 검출할 수 있기 때문에 이미지의 화질이 향상될 수 있다.
본 발명 제3 실시예의 엑스레이 검출 장치는, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)이, 서로 엇갈리게 배치되는 구조 이외에, 나머지는, 본 발명 제2 실시예의 엑스레이 검출 장치의 구조와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
도 8 내지 도 10은 본 발명 제4 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층(110)과 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부를 포함할 수 있다.
제1 광전 변환기(120)는, 다수의 픽셀 영역을 갖는 제1 기판(121), 제1 기판(121)의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제1 광전 변환층(125), 그리고 제1 기판(121)과 제1 광전 변환층(125) 사이에 배치되어 변환된 전기 신호를 출력하는 제1 트랜지스터(123)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 트랜지스터(123)는, 게이트 전극(123a), 소스 전극(123b), 드레인 전극(123c) 및 픽셀 전극(123d)을 포함할 수 있다. 그리고, 제1 광전 변환층(125)는, 제1 트랜지스터(123)의 픽셀 전극(123d) 위에 형성될 수 있다.
이어, 제2 광전 변환기(130)는, 다수의 픽셀 영역을 갖는 제2 기판(131), 제2 기판(131)의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제2 광전 변환층(135), 그리고 제2 기판(131)과 제2 광전 변환층(135) 사이에 배치되어 변환된 전기 신호를 출력하는 제2 트랜지스터(133)를 포함할 수 있다. 여기서, 제2 트랜지스터(133)는, 게이트 전극(133a), 소스 전극(133b), 드레인 전극(133c) 및 픽셀 전극(133d)을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 광전 변환층(135)는, 제2 트랜지스터(133)의 픽셀 전극(133d) 위에 형성될 수 있다.
한편, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)은, 입사되는 엑스레이(20)를 차단하는 차단층(150)을 포함할 수 있다. 여기서, 차단층(150)은, 서로 인접하는 제1 광전 변환층(125)들 사이에 대응하여 배치될 수 있다. 즉, 제1 광전 변환층(125)은, 신틸레이터층(110)을 마주하는 제1 기판(121)의 하부면에 형성되고, 차단층(150)은, 엑스레이(20)가 입사되는 제1 기판(121)의 상부면 위에 형성될 수 있다. 이처럼, 차단층(150)을 형성하는 이유는, 제1 광전 변환층(125)이 위치하는 영역으로만 집중적으로 엑스레이가 입사되므로, 엑스레이로부터 변환된 광 검출 효율이 높아질 수 있다.
경우에 따라, 도 9와 같이, 제1 기판(121)은, 차단층(150)이 형성되는 영역의 두께 t12가, 다른 영역의 두께 t11보다 더 두꺼울 수 있다. 일 예로, 제1 기판(121)은, 인접하는 차단층(150)들 사이 영역에 그루브(groove)(127)가 형성될 수 있다. 여기서, 그루브(127)의 측면(129)은, 경사질 수 있다. 그 이유는, 차단층(150)을 안정적으로 지지할 수 있기 때문이다.
다른 경우로서, 도 10과 같이, 제1 기판(121)은, 차단층(150)이 형성되는 영역에 차단층(150)을 지지하는 지지 돌기(160)가 돌출되어 형성될 수 있다. 여기서, 지지 돌기(160)의 측면은, 경사질 수 있다. 그 이유는, 차단층(150)을 안정적으로 지지할 수 있기 때문이다. 일 예로, 지지 돌기(160)는, 제1 기판(121)과 다른 물질로 형성될 수 있다.
도 8 내지 도 10의 엑스레이 검출 장치는, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)이, 서로 마주보도록 일대일 대응하여 배치될 수도 있고, 경우에 따라, 서로 엇갈려서 배치될 수도 있다.
그리고, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3는, 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 두께 t4보다 더 얇을 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)가, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3가 너무 두꺼우면, 입사되는 엑스레이 일부가 손실될 수 있기 때문이다.
하지만, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3과 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 두께 t4는, 서로 동일할 수도 있다.
다른 경우로서, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도는, 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 엑스레이 투과도보다 더 높을 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)가, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도가 낮으면, 입사되는 엑스레이 일부가 손실될 수 있기 때문이다.
하지만, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도와 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 엑스레이 투과도는, 서로 동일할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명은, 인접하는 광전 변환층 사이에 차단층을 배치하여, 적은 양의 엑스레이로 영상의 화질을 높일 수 있어, 피폭량을 최소화할 수 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명 제5 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층(110)과 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부를 포함할 수 있다.
제1 광전 변환기(120)는, 제1 기판(121)의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제1 광전 변환층(125)을 포함하고, 제2 광전 변환기(130)는, 제2 기판(131)의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제2 광전 변환층(135)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1, 제2 광전 변환층(125, 135)은, 신틸레이터층(110)에 바로 접촉되어 배치될 수도 있지만, 도 11 및 도 12와 같이, 신틸레이터층(110)으로부터 일정 간격 떨어져 배치될 수도 있다.
도 11 및 도 12와 같이, 제1, 제2 광전 변환층(125, 135)이, 신틸레이터층(110)으로부터 일정 간격 떨어져 배치되는 경우, 제1 광전 변환층(125)과 신틸레이터층(110) 사이에는, 제1 접착층(170)이 형성되고, 제2 광전 변환층(135)과 신틸레이터층(110) 사이에는, 제2 접착층(180)이 형성될 수 있다. 접착층을 형성하는 이유는, 신틸레이터층과 광전 변환층이 외부 충격에 의해 분리되는 것을 방지하기 위함이다. 여기서, 도 11과 같이, 제1 접착층(170)의 두께 t21는, 제2 접착층(180)의 두께 t22보다 더 얇을 수 있다. 그 이유는, 제1 접착층(170)이, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 제1 접착층(170)의 두께 t21가 너무 두꺼우면, 입사되는 엑스레이 일부가 손실될 수 있기 때문이다.
하지만, 도 12와 같이, 제1 접착층(170)의 두께 t21와 제2 접착층(180)의 두께 t22는, 서로 동일할 수도 있다.
또한, 도 11 및 도 12의 엑스레이 검출 장치는, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)이, 서로 마주보도록 일대일 대응하여 배치될 수도 있고, 경우에 따라, 서로 엇갈려서 배치될 수도 있다.
그리고, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3는, 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 두께 t4보다 더 얇을 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)가, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3가 너무 두꺼우면, 입사되는 엑스레이 일부가 손실될 수 있기 때문이다.
하지만, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 두께 t3과 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 두께 t4는, 서로 동일할 수도 있다.
다른 경우로서, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도는, 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 엑스레이 투과도보다 더 높을 수 있다. 그 이유는, 제1 광전 변환기(120)가, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도가 낮으면, 입사되는 엑스레이 일부가 손실될 수 있기 때문이다.
하지만, 제1 광전 변환기(120)의 제1 기판(121)의 엑스레이 투과도와 제2 광전 변환기(130)의 제2 기판(131)의 엑스레이 투과도는, 서로 동일할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명은, 신틸레이터층의 상부면에 배치되는 접착층의 두께를 감소시켜, 입사되는 엑스레이의 손실을 최소화할 수 있다.
도 13은 본 발명 제6 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 제1, 제2 광전 변환층(125, 135)이, 신틸레이터층(110)으로부터 일정 간격 떨어져 배치되는데, 제1 광전 변환층(125)과 신틸레이터층(110) 사이에는, 제1 접착층(170)이 형성되고, 제2 광전 변환층(135)과 신틸레이터층(110) 사이에는, 제2 접착층(180)이 형성될 수 있다. 여기서, 제1 접착층(170)은, 서로 인접하는 제1 광전 변환층(125)들 사이의 영역에 제1 반사층(175)이 형성되고, 제2 접착층(180)은, 서로 인접하는 제2 광전 변환층(135)들 사이의 영역에 제2 반사층(185)이 형성될 수 있다. 제1 반사층(175)과 제2 반사층(185)을 형성하는 이유는, 신틸레이터층(110) 내에서 변환된 광(30)이, 제1 광전 변환층(125)들 사이의 영역과 제2 광전 변환층(135)들 사이의 영역에서 손실되는 것을 차단하기 위함이다. 일 예로, 제1, 제2 반사층(175, 185)은, Al, Ni, Cu, Pd, Ag 등과 같이 반사율이 높은 금속으로 이루어질 수 있다. 경우에 따라, 제1, 제2 반사층(175, 185)은, 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있다.
본 발명 제6 실시예의 엑스레이 검출 장치는, 제1 반사층(175)과 제2 반사층(185)이 배치되는 구조 이외에, 나머지는, 본 발명 제5 실시예의 엑스레이 검출 장치의 구조와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
도 14는 본 발명 제7 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 제1 광전 변환층(125)이, 신틸레이터층(110)에 바로 접촉되어 배치되고, 제2 광전 변환층(135)이, 신틸레이터층(110)으로부터 일정 간격 떨어져 배치될 수 있다. 여기서, 제2 광전 변환층(135)과 신틸레이터층(110) 사이에는, 제2 접착층(180)이 형성될 수 있다. 제2 접착층(180)을 형성하는 이유는, 신틸레이터층(110)과 제2 광전 변환층(135)이 외부 충격에 의해 분리되는 것을 방지하기 위함이다. 그리고, 도 14와 같이, 제1 광전 변환층(125)과 신틸레이터층(110) 사이에는, 제1 접착층을 형성하지 않고, 제2 광전 변환층(135)과 신틸레이터층(110) 사이에만, 제2 접착층(180)을 형성하는 이유는, 제1 광전 변환층(125)이, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부면에 위치하므로, 제1 광전 변환층(125)과 신틸레이터층(110) 사이에 접착층이 형성되면, 입사되는 엑스레이 일부가 손실될 수 있기 때문이다.
본 발명 제7 실시예의 엑스레이 검출 장치는, 제2 광전 변환층(135)과 신틸레이터층(110) 사이에만, 제2 접착층(180)을 형성하는 구조 이외에, 나머지는, 본 발명 제5 실시예의 엑스레이 검출 장치의 구조와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
도 15는 본 발명 제8 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 15에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 제1 광전 변환층(125)이, 신틸레이터층(110)에 바로 접촉되어 배치되고, 제2 광전 변환층(135)이, 신틸레이터층(110)으로부터 일정 간격 떨어져 배치될 수 있다. 여기서, 제2 광전 변환층(135)과 신틸레이터층(110) 사이에는, 제2 접착층(180)이 형성될 수 있다. 그리고, 제2 접착층(180)은, 서로 인접하는 제2 광전 변환층(135)들 사이의 영역에 제2 반사층(185)이 형성될 수 있다. 여기서, 제2 반사층(185)을 형성하는 이유는, 신틸레이터층(110) 내에서 변환된 광(30)이, 제2 광전 변환층(135)들 사이의 영역에서 손실되는 것을 차단하기 위함이다. 일 예로, 제2 반사층(185)은, Al, Ni, Cu, Pd, Ag 등과 같이 반사율이 높은 금속으로 이루어질 수 있다.
본 발명 제8 실시예의 엑스레이 검출 장치는, 제2 광전 변환층(135)과 신틸레이터층(110) 사이에만, 제2 접착층(180)을 형성하는 구조 이외에, 나머지는, 본 발명 제7 실시예의 엑스레이 검출 장치의 구조와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
도 16는 본 발명 제9 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 16에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층(110)과 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부를 포함할 수 있다.
제1 광전 변환기(120)는, 제1 기판(121)의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제1 광전 변환층(125)을 포함하고, 제2 광전 변환기(130)는, 제2 기판(131)의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제2 광전 변환층(135)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 광전 변환층(125)의 개수와 제2 광전 변환층(135)의 개수는, 서로 다를 수 있다. 일 예로, 제2 광전 변환층(135)의 개수는, 제1 광전 변환층(125)의 개수보다 더 많을 수 있다. 그 이유는, 엑스레이가 입사되는 신틸레이터층(110)의 상부 영역에서 변환되는 광량보다 신틸레이터층(110)의 하부 영역에서 변환되는 광량이 더 적으므로, 신틸레이터층(110)의 하부면에 위치하는 제2 광전 변환층(135)에서 광(30) 검출이 어려울 수 있기 때문이다.
이와 같이, 본 발명은, 신틸레이터층(110)의 하부에 위치하는 제2 광전 변환층(135)의 개수를, 신틸레이터층(110)의 상부에 위치하는 제1 광전 변환층(125)의 개수보다 더 많게 배치하여, 광 검출 효율을 높일 수 있다.
도 17 내지 도 19는 본 발명 제10 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 17 내지 도 19에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층(110)과 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부를 포함할 수 있다.
신틸레이터층(110)은, 입사되는 엑스레이를 광으로 변환할 수 있는데, 신틸레이터층(110)은, 세슘 아이오다이드(CsI), 소듐 아이오다이드(NaI), 리튬 플로라이드(LiF), 가돌리윰 산황화물(GOS, Gadolinium Oxysulfide) 등으로 이루어질 수 있다.
그리고, 신틸레이터층(110)은, 바인더 수지(112)와 다수의 형광 입자(114)들을 포함할 수 있다. 여기서, 도 17과 같이, 형광 입자(114)는, 신틸레이터층(110) 내에 균일하게 배치될 수 있다.
경우에 따라, 도 18과 같이, 형광 입자(114)의 비율은, 신틸레이터층(110)의 상부면에 인접하는 영역보다 신틸레이터층(110)의 하부면에 인접하는 영역이 더 높을 수 있다. 그 이유는, 엑스레이의 입사량이 신틸레이터층(110)의 상부 영역보다 신틸레이터층(110)의 하부 영역이 더 적으므로, 신틸레이터층(110)의 하부면에 위치하는 제2 광전 변환층(135)에서 광(30) 검출이 어려울 수 있기 때문이다.
다른 경우로서, 도 19와 같이, 형광 입자(114)의 비율은, 신틸레이터층(110)의 상부면에서 하부면 방향으로 갈수록 그레디언트(gradient)하게 증가할 수도 있다. 그 이유는, 엑스레이의 입사량이 신틸레이터층(110)의 상부 영역보다 신틸레이터층(110)의 하부 영역이 더 적으므로, 신틸레이터층(110)의 하부면에 위치하는 제2 광전 변환층(135)에서 광(30) 검출이 어려울 수 있기 때문이다.
이와 같이, 본 발명은, 형광 입자(114)의 비율을, 신틸레이터층(110)의 상부면에서 하부면 방향으로 갈수록 증가시켜, 광 검출 효율을 높일 수 있다.
도 20 내지 도 23은 본 발명 제11 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 20 내지 도 23에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층(110)과 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부를 포함할 수 있다.
신틸레이터층(110)은, 복수의 스트립 형상의 주상 결정들이 상부면에서 하부면 방향으로 형성됨으로써, 주상 결정 구조를 가질 수 있다. 여기서, 주상 결정들은, 신틸레이터층(110)의 광 통로(115)로 이용될 수 있다. 일 예로, 신틸레이터층(110)은, 상부면에서 하부면 방향으로 다수의 광 통로(115)들이 소정 간격을 가지고 형성될 수 있다. 이처럼, 신틸레이터층(110)에 광 통로(115)를 형성하는 이유는, 광 손실 없이, 광전 변환층으로만 광(30)이 집중되어 검출되도록 하기 위함이다.
광 통로(115)는, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)의 배치 관계에 따라, 다양한 형태로 배열될 수 있다. 일 예로, 도 20과 같이, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)이 서로 일대일 대응되어 배치되는 경우, 광 통로(115) 일측은, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)에 대응되고, 광 통로(115)의 타측은, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 광 통로(115)의 전단은, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)에 대응하여 개방되고, 광 통로(115)의 후단은, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)에 대응하여 개방될 수 있다.
다른 경우로서, 도 21과 같이, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)과, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)이 서로 어긋나게 배치되는 경우, 광 통로는, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)에 대응하는 제1 광 통로(117)와, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)에 대응하는 제2 광 통로(119)를 포함할 수 있다. 즉, 제1 광 통로(117)의 전단은, 제1 광전 변환기(120)의 제1 광전 변환층(125)에 대응되어 개방되고, 제1 광 통로(117)의 후단은, 제1 반사막(220)으로 차단될 수 있다. 그리고, 제2 광 통로(119)의 전단은, 제2 반사막(210)으로 차단되고, 제2 광 통로(119)의 후단은, 제2 광전 변환기(130)의 제2 광전 변환층(135)에 대응되어 개방될 수 있다. 제1, 제2 반사막(210, 220)을 형성하는 이유는, 광 손실을 최소화하여 광 검출 효율을 높이기 위함이다.
다른 경우로서, 제1 광 통로(117)의 후단에 위치하는 제1 반사막(220)과, 제2 광 통로(119)의 전단에 위치하는 제2 반사막(210)은, 제거될 수도 있다.
또 다른 경우로서, 도 22와 같이, 광 통로(115)의 내부에는, 다수의 형광 입자(114)들이 형성될 수 있다. 광 통로(115) 내부의 신틸레이터층(110)은, 바인더 수지(112)와 다수의 형광 입자(114)들을 포함할 수 있다. 여기서, 형광 입자(114)는, 신틸레이터층(110)의 광 통로 내에 균일하게 배치될 수 있다.
경우에 따라, 형광 입자(114)의 비율은, 신틸레이터층(110)의 상부면에 인접하는 영역보다 신틸레이터층(110)의 하부면에 인접하는 영역이 더 높을 수 있다. 그 이유는, 엑스레이의 입사량이 신틸레이터층(110)의 상부 영역보다 신틸레이터층(110)의 하부 영역이 더 적으므로, 신틸레이터층(110)의 하부면에 위치하는 제2 광전 변환층(135)에서 광(30) 검출이 어려울 수 있기 때문이다.
다른 경우로서, 형광 입자(114)의 비율은, 신틸레이터층(110)의 상부면에서 하부면 방향으로 갈수록 그레디언트(gradient)하게 증가할 수도 있다. 그 이유는, 엑스레이의 입사량이 신틸레이터층(110)의 상부 영역보다 신틸레이터층(110)의 하부 영역이 더 적으므로, 신틸레이터층(110)의 하부면에 위치하는 제2 광전 변환층(135)에서 광(30) 검출이 어려울 수 있기 때문이다.
또 다른 경우로서, 도 23과 같이, 광 통로(115)의 내측면에는, 전반사막(230)이 형성될 수 있다. 여기서, 전반사막(230)을 형성하는 이유는, 광 손실을 최소화하여 광 검출 효율을 높이기 위함이다.
이와 같이, 본 발명은, 신틸레이터층에 광 통로 내측면에 전반사막을 배치하여, 광 손실을 최소화하여 엑스레이 검출의 효율을 높일 수 있다.
도 24 및 도 25는 본 발명 제12 실시예에 따른 엑스레이 검출 장치를 보여주는 구조 단면도이다.
도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 엑스레이 검출 장치는, 신틸레이터층(110)과 제1, 제2 광전 변환기(120, 130)를 포함하는 광전 변환부를 포함할 수 있다.
도 24와 같이, 신틸레이터층(110)은, 양 측면에 전반사막(250)이 배치될 수 있다. 여기서, 전반사막(250)의 표면은, 플랫한 형상을 가질 수 있다. 그리고, 전반사막(250)을 형성하는 이유는, 신틸레이터층(110)의 양 측면 방향으로 광이 손실되는 것을 차단하고, 광을 내측 방향으로 반사시켜 광 손실을 최소화하고 광 검출 효율을 높이기 위함이다.
또한, 도 25와 같이, 신틸레이터층(110)은, 양 측면에 전반사막(250)이 배치될 수 있다. 여기서, 전반사막(250)의 표면은, 신틸레이터층(110)의 내측 방향으로 오목한 형상을 가질 수 있다. 그 이유는, 광을 내측 방향으로 균일하게 반사시켜 광 검출 효율을 높이기 위함이다.
이와 같이, 본 발명은, 신틸레이터층에 양 측면에 전반사막을 배치하여, 광 손실을 최소화하여 엑스레이 검출의 효율을 높일 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 피사체
100: 엑스레이 검출 장치
200: 엑스레이 발생부
310: 제1 이미지 처리부
320: 제2 이미지 처리부
400: 디스플레이부
500: 제어부

Claims (10)

  1. 외부로부터 입사되는 엑스레이를 광으로 변환하는 신틸레이터층; 그리고,
    상기 변환된 광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환부를 포함하고,
    상기 광전 변환부는,
    상기 엑스레이가 입사되는 상기 신틸레이터층의 상부면 위에 배치되는 제1 광전 변환기와,
    상기 신틸레이터층의 하부면 위에 배치되는 제2 광전 변환기를 포함하고,
    상기 제1 광전 변환기는,
    다수의 픽셀 영역을 갖는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제1 광전 변환층;
    상기 제1 기판과 제1 광전 변환층 사이에 배치되어 상기 변환된 전기 신호를 출력하는 제1 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제1 광전 변환기의 제1 기판은,
    서로 인접하는 제1 광전 변환층들 사이에 배치되어, 상기 입사되는 엑스레이를 차단하는 차단층을 포함하고,
    상기 제2 광전 변환기는,
    다수의 픽셀 영역을 갖는 제2 기판;
    상기 제2 기판의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제2 광전 변환층;
    상기 제2 기판의 제2 광전 변환층 사이에 배치되어 상기 변환된 전기 신호를 출력하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 광전 변환기의 제1 광전 변환층과 상기 제2 광전 변환기의 제2 광전 변환층은 서로 엇갈리게 배치되며,
    서로 인접하는 상기 제1 광전 변환층들 사이의 영역에 제1 반사층이 형성되고, 서로 인접하는 상기 제2 광전 변환층들 사이의 영역에 제2 반사층이 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 광전 변환기의 두께와 상기 제2 광전 변환기의 두께는, 서로 다른 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 장치.
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서, 상기 제1 광전 변환기의 제1 기판의 두께는,
    상기 제2 광전 변환기의 제2 기판의 두께보다 더 얇은 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 장치.
  5. 삭제
  6. 제1 항에 있어서, 상기 신틸레이터층은,
    상부면에서 하부면 방향으로 다수의 광 통로들이 소정 간격을 가지고 형성되고,
    상기 광 통로의 전단은,
    상기 제1 광전 변환기의 광전 변환층에 대응하여 개방되고,
    상기 광 통로의 후단은,
    상기 제2 광전 변환기의 광전 변환층에 대응하여 개방되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 장치.
  7. 신틸레이터층의 상부에 배치되는 제1 광전 변환기와, 신틸레이터층의 하부에 배치되는 제2 광전 변환기를 포함하는 엑스레이 검출 장치를 이용한 엑스레이 영상 시스템에 있어서,
    촬영하고자 하는 피사체로 엑스레이를 조사하는 엑스레이 발생부;
    상기 피사체를 투과한 엑스레이를 수신하여 제1 전기적 신호로 변환하는 제1 광전 변환기와 제2 전기적 신호로 변환하는 제2 광전 변환기를 포함하는 엑스레이 검출 장치;
    상기 엑스레이 검출 장치의 제1 전기적 신호를 토대로, 상기 피사체의 제1 이미지를 처리하는 제1 이미지 처리부;
    상기 엑스레이 검출 장치의 제2 전기적 신호를 토대로, 상기 피사체의 제2 이미지를 처리하는 제2 이미지 처리부;
    상기 처리된 피사체의 제1, 제2 이미지를 표시하는 디스플레이부; 그리고,
    상기 엑스레이 발생부, 엑스레이 검출 장치, 제1, 제2 이미지 처리부 및 디스플레이부를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제1 광전 변환기는,
    다수의 픽셀 영역을 갖는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제1 광전 변환층;
    상기 제1 기판과 제1 광전 변환층 사이에 배치되어 상기 변환된 전기 신호를 출력하는 제1 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제1 광전 변환기의 제1 기판은,
    서로 인접하는 제1 광전 변환층들 사이에 배치되어, 입사되는 엑스레이를 차단하는 차단층을 포함하고,
    상기 제2 광전 변환기는,
    다수의 픽셀 영역을 갖는 제2 기판;
    상기 제2 기판의 픽셀 영역에 배치되어 광을 전기 신호로 변환하는 제2 광전 변환층;
    상기 제2 기판과 제2 광전 변환층 사이에 배치되어 상기 변환된 전기 신호를 출력하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 광전 변환기의 제1 광전 변환층과 상기 제2 광전 변환기의 제2 광전 변환층은 서로 엇갈리게 배치되며,
    서로 인접하는 상기 제1 광전 변환층들 사이의 영역에 제1 반사층이 형성되고, 서로 인접하는 상기 제2 광전 변환층들 사이의 영역에 제2 반사층이 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 장치를 이용한 엑스레이 영상 시스템.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 제1 이미지 처리부로부터 처리된 제1 이미지 전체와 상기 제2 이미지 처리부로부터 처리된 제2 이미지 전체를 합성하여, 상기 디스플레이부에 표시하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 장치를 이용한 엑스레이 영상 시스템.
  9. 제7 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 제1 이미지 처리부로부터 처리된 제1 이미지 일부와 상기 제2 이미지 처리부로부터 처리된 제2 이미지 일부를 합성하여, 상기 디스플레이부에 표시하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 장치를 이용한 엑스레이 영상 시스템.
  10. 제7 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 제1 이미지 처리부로부터 처리된 제1 이미지의 화질과 상기 제2 이미지 처리부로부터 처리된 제2 이미지의 화질을 비교하여, 화질이 더 높은 이미지를 상기 디스플레이부에 표시하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 장치를 이용한 엑스레이 영상 시스템.
KR1020160067961A 2016-06-01 2016-06-01 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템 KR102653420B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160067961A KR102653420B1 (ko) 2016-06-01 2016-06-01 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템
PCT/KR2017/005468 WO2017209445A1 (en) 2016-06-01 2017-05-25 X-ray detector and x-ray image system using the same
US15/610,437 US10551512B2 (en) 2016-06-01 2017-05-31 X-ray detector and X-ray image system using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160067961A KR102653420B1 (ko) 2016-06-01 2016-06-01 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170136196A KR20170136196A (ko) 2017-12-11
KR102653420B1 true KR102653420B1 (ko) 2024-03-29

Family

ID=60477658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160067961A KR102653420B1 (ko) 2016-06-01 2016-06-01 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10551512B2 (ko)
KR (1) KR102653420B1 (ko)
WO (1) WO2017209445A1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120043465A1 (en) * 2010-08-17 2012-02-23 Peter Soukal Flat Image Detector and Method for the Generation of Medical Digital Images
JP2012229999A (ja) 2011-04-26 2012-11-22 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置及び放射線撮影装置
US20160041272A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Konica Minolta Inc. Radiograph detector and method for manufacturing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090034541A (ko) * 2007-10-04 2009-04-08 삼성전자주식회사 엑스-레이 검출기용 어레이 기판 및 이를 갖는 엑스-레이검출기
CN102216806B (zh) * 2008-11-18 2015-08-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 光谱成像检测器
JP6113662B2 (ja) * 2011-12-01 2017-04-12 株式会社東芝 シンチレータアレイとそれを用いたｘ線検出器およびｘ線検査装置
JP6200173B2 (ja) * 2013-03-21 2017-09-20 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120043465A1 (en) * 2010-08-17 2012-02-23 Peter Soukal Flat Image Detector and Method for the Generation of Medical Digital Images
JP2012229999A (ja) 2011-04-26 2012-11-22 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置及び放射線撮影装置
US20160041272A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Konica Minolta Inc. Radiograph detector and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017209445A1 (en) 2017-12-07
US10551512B2 (en) 2020-02-04
US20170350992A1 (en) 2017-12-07
KR20170136196A (ko) 2017-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2408901C1 (ru) Устройство для обнаружения излучения и система для обнаружения излучения
US20130187054A1 (en) Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
JP2001074847A (ja) 放射線撮像装置および放射線撮像システム
US8829449B2 (en) Scintillator plate
JPH0973144A (ja) 放射線検出装置
JP2023075117A (ja) 非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像
JP2010223922A (ja) Ｘ線撮像装置
JP2016045183A5 (ko)
JP2017200522A (ja) 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
KR102653420B1 (ko) 엑스레이 검출 장치 및 그를 이용한 엑스레이 영상 시스템
JP6576064B2 (ja) 放射線検出装置、放射線撮像システム及び放射線検出装置の製造方法
JP2008096344A (ja) 放射線検出装置、及びシンチレータパネル
JP2013011553A (ja) 放射線撮影システム及び放射線撮影装置、並びに放射線撮影方法
JP2005114518A (ja) 放射線検出装置及びその製造方法
US11269087B2 (en) Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
JP2009025258A (ja) 放射線検出器
JP2016151446A (ja) 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP2020204488A (ja) 放射線検出装置及び放射線撮影システム
JP6397283B2 (ja) 放射線検出装置及び放射線撮像システム
KR20160021387A (ko) 신틸레이터 패널 및 그 제조방법
JP5706387B2 (ja) シンチレータプレート及び画像取得装置
WO2020100588A1 (ja) 放射線撮像装置及びその製造方法、並びに、放射線撮像システム
US9229117B2 (en) Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
JP6643098B2 (ja) 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法
JP2017067681A (ja) 放射線画像撮影装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant