KR102645831B1 - 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102645831B1
KR102645831B1 KR1020160176231A KR20160176231A KR102645831B1 KR 102645831 B1 KR102645831 B1 KR 102645831B1 KR 1020160176231 A KR1020160176231 A KR 1020160176231A KR 20160176231 A KR20160176231 A KR 20160176231A KR 102645831 B1 KR102645831 B1 KR 102645831B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical
substrate
unit
flow
process chamber
Prior art date
Application number
KR1020160176231A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180072940A (ko
Inventor
이재은
이상준
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160176231A priority Critical patent/KR102645831B1/ko
Publication of KR20180072940A publication Critical patent/KR20180072940A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102645831B1 publication Critical patent/KR102645831B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Abstract

기판 처리 장치는 기판이 위치하는 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 바닥에 하부 바닥부 및 상기 하부 바닥부로부터 상부로 이격되는 위치에 형성되는 상부 바닥부로 이루어짐으로써 케미컬이 플로우되는 공간을 갖도록 구비되는 케미컬 플로우부, 및 상기 케미컬 플로우부로 플로우되는 상기 케미컬을 기판 이면을 향하여 분사할 수 있도록 상기 상부 바닥부로부터 상기 기판 이면을 향하도록 구비되는 이면 분사부를 포함하는 케미컬 분사부; 및 상기 케미컬 플로우부로 상기 케미컬을 공급하도록 상기 케미컬 플로우부와 연결되는 케미컬 공급부를 포함할 수 있다.

Description

케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{Apparatus for injecting clean chemical and Apparatus for processing substrate having the same}
본 발명은 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 기판 이면을 향하여 케미컬을 분사하기 위한 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자, 평판 디스플레이 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조에서는 세정 등과 같은 케미컬을 사용하는 공정을 빈번하게 수행하고 있다. 상기 케미컬을 사용하는 공정에서는 기판 이면으로도 상기 케미컬을 분사하기도 한다.
상기 기판 이면으로 케미컬을 분사하는 장치는 상기 케미컬을 공급하는 공급 라인으로 이루지는 케미컬 공급부 등이 공정 챔버 내에 배치되는 구조를 갖는다.
상기 케미컬 공급부는 공급 라인이 일자 형태의 수직 구조를 갖도록 구비되기 때문에 다양한 형태의 구조를 구현하는 것이 용이하지 않을 것이고, 공급 라인이 공정 챔버 내에 배치되기 때문에 유지 보수가 용이하지 않을 것이고, 또한 공정 챔버의 크기를 축소하는 데에도 한계가 있을 것이다.
본 발명의 일 목적은 기판 이면으로 분사하기 위한 케미컬을 공급하는 공급 라인의 생략이 가능한 케미컬 분사 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 언급한 케미컬 분사 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
언급한 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사 장치는 공정 챔버 바닥에 하부 바닥부 및 상기 하부 바닥부로부터 상부로 이격되는 위치에 형성되는 상부 바닥부로 이루어짐으로써 케미컬이 플로우되는 공간을 갖도록 구비되는 케미컬 플로우부; 및 상기 케미컬 플로우부로 플로우되는 상기 케미컬을 기판 이면을 향하여 분사할 수 있도록 상기 상부 바닥부로부터 상기 기판 이면을 향하도록 구비되는 이면 분사부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사 장치에 있어서, 상기 기판 이면의 원하는 부분에만 상기 케미컬을 분사할 수 있게 상기 케미컬 플로우부를 구획하는 격벽을 더 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사 장치에 있어서, 상기 격벽은 개폐 구조를 갖도록 구비될 수 있다.
언급한 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판이 위치하는 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 바닥에 하부 바닥부 및 상기 하부 바닥부로부터 상부로 이격되는 위치에 형성되는 상부 바닥부로 이루어짐으로써 케미컬이 플로우되는 공간을 갖도록 구비되는 케미컬 플로우부, 및 상기 케미컬 플로우부로 플로우되는 상기 케미컬을 기판 이면을 향하여 분사할 수 있도록 상기 상부 바닥부로부터 상기 기판 이면을 향하도록 구비되는 이면 분사부를 포함하는 케미컬 분사부; 및 상기 케미컬 플로우부로 상기 케미컬을 공급하도록 상기 케미컬 플로우부와 연결되는 케미컬 공급부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판 이면의 원하는 부분에만 상기 케미컬을 분사할 수 있게 상기 케미컬 플로우부를 구획하는 격벽을 더 구비하되, 상기 격벽은 개폐 구조를 갖도록 구비될 수 있다.
본 발명의 케미컬 분사 장치 및 기판 처리 장치는 공정 챔버 바닥에 케미컬 플로우부가 구비되기 때문에 기판 이면으로 분사하기 위한 케미컬을 공급하는 공급 라인의 생략이 가능하다.
이에, 본 발명의 케미컬 분사 장치 및 기판 처리 장치는 기판 이면의 원하는 부분에만 케미컬을 공급할 수 있는 다양한 공급 구조의 구현이 가능할 것이고, 공급 라인의 생략을 통하여 유지 보수를 생략할 수 있을 것이고, 또한 공정 챔버의 크기까지 보다 용이하게 축소시킬 수 있을 것이다. 아울러 공급 라인의 설치를 위한 공수의 절감도 기대할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에 구비되는 격벽을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부하는 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사 장치 및 기판 처리 장치에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치에 구비되는 격벽을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 케미컬 분사부(15)를 포함할 수 있다. 상기 케미컬 분사부(15)는 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사 장치와 동일한 구조를 가질 수 있다. 이에, 이하에서는 상기 케미컬 분사부(15)를 인용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사 장치를 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 기판(10) 이면으로 케미컬을 분사하는 공정을 수행하기 위한 것으로써 언급한 케미컬 분사부(15) 이외에도 공정 챔버(11), 케미컬 공급부(21) 등을 포함할 수 있다.
상기 공정 챔버(11)는 기판(10)이 위치하는 공정을 제공하도록 구비되는 것으로써, 특히 기판(10) 이면을 향하여 케미컬을 분사하기 위한 공간을 제공하도록 구비될 수 있다. 상기 공정 챔버(11)에는 기판(10)을 이송하기 위한 롤러 등이 구비될 수도 있다.
상기 케미컬 분사부(15)는 케미컬 플로우부(16), 이면 분사부(17) 등을 포함할 수 있다.
상기 케미컬 플로우부(16)는 공정 챔버(11)의 바닥 쪽에 위치하도록 구비될 수 있다. 상기 케미컬 플로우부(16)는 공정 챔버(11)의 바닥인 하부 바닥부(13) 및 상기 하부 바닥부(13)로부터 상부로 이격되는 위치에 형성되는 상부 바닥부(14)에 의해 형성되는 공간으로 이루어질 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에서의 케미컬 플로우부(16)는 상기 하부 바닥부(13) 및 상부 바닥부(14)에 의해 형성되는 공간으로 케미컬이 플로우되는 구조를 가질 수 있다.
상기 이면 분사부(17)는 케미컬 플로우부(16)로 플로우되는 상기 케미컬을 기판(10) 이면을 향하여 분사할 수 있도록 구비될 수 있다. 이에, 상기 이면 분사부(17)는 언급한 상부 바닥부(14)에 위치하도록 구비될 수 있는 것으로써, 주로 스프레이 노즐 등을 포함할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사부(15)는 공정 챔버(11)의 바닥 쪽에 구비되는 케미컬 플로우부(16) 및 이면 분사부(17)를 구비할 수 있기 때문에 공정 챔버(11) 내부에 기판(10) 이면을 향하여 분사하기 위한 케미컬을 공급하는 공급 라인 등을 생략할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사부(15)는 공정 챔버(11) 바닥 쪽에 위치하는 케미컬 플로우부(16)를 사용하여 기판(10) 이면을 향하여 분사하기 위한 케미컬을 공급할 수 있는 것이다.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사부(15)의 경우 공급 라인의 생략을 통하여 유지 보수를 생략할 수 있다. 또한, 공정 챔버(11)의 크기까지 보다 용이하게 축소시킬 수 있을 뿐만 아니라 공급 라인의 설치를 위한 공수도 절감시킬 수 있을 것이다.
그리고 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(11) 바닥이 언급한 하부 바닥부(13) 및 상부 바닥부(14)에 의해 이중 구조를 갖기 때문에 공정 챔버(11) 자체가 보다 안정적인 구조를 가질 수 있을 것이다.
언급한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(11)의 바닥에 케미컬 플로우부(16)를 구비함으로써 공정 챔버(11)의 하부를 낮춤에 의해 공정 챔버(11)의 크기를 축소시킬 수 있을 것이고, 그리고 공정 챔버(11) 바닥을 이중 구조로 구비함에 의해 공정 챔버(11) 바닥을 보다 견고하게 보강할 수 있을 것이다.
상기 케미컬 공급부(21)는 상기 케미컬 플로우부(16)로 상기 케미컬을 공급하도록 구비될 수 있다. 이에, 상기 케미컬 공급부(21)는 상기 케미컬 플로우부(16)와 연결되도록 구비될 수 있다. 상기 케미컬 공급부(21)는 상기 케미컬 플로우부(16)와 여러 곳에서 연결되도록 구비될 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 케미컬 공급부(21)로부터 케미컬 분사부(15)로 공급되는 케미컬을 공정 챔버(11)로 이송되는 기판(10) 이면을 향하여 분사할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 기판(10) 상면을 향하여 케미컬을 분사하는 상면 분사부(18)를 포함할 수 있다.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 케미컬 분사부(15)의 이면 분사부(17)를 통하여 기판(10) 이면으로 케미컬을 공급함과 아울러 언급한 상면 분사부(18)를 통하여 기판(10) 상면으로 케미컬을 공급함에 의해 기판(10) 처리를 위한 공정을 수행할 수 있는 것이다.
그리고 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사부(15)는 기판(10) 이면의 원하는 부분에만 케미컬을 분사할 수 있게 상기 케미컬 플로우부(16)를 구획하는 격벽(19)을 더 구비할 수 있다. 상기 격벽(19)은 개폐 구조를 갖도록 구비될 수 있다.
언급한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 분사부(15)를 포함하는 기판 처리 장치(100)는 상기 격벽(19)을 구비함으로써 상기 케미컬 플로우부(16) 중에서 원하는 부분의 케미컬 플로우부(16)에만 케미컬이 플로우되도록 함에 의해 기판(10) 이면의 원하는 부분에만 케미컬을 분사할 수 있는 것이다.
만약 상기 기판(10) 이면 가장자리 부분에 해당하는 케미컬 플로우부(16)에만 케미컬이 플로우되도록 상기 격벽(19)을 개방하면 상기 기판(10) 이면의 가장자리 부분에만 케미컬을 분사할 수 있을 것이다. 이와 달리 상기 기판(10)의 중심 부분에 해당하는 케미컬 플로우부(16)에만 케미컬이 플로우되도록 상기 격벽(19)을 개방하면 상기 기판(10)의 중심 부분에만 케미컬을 분사할 수 있을 것이다.
따라서 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 기판(10) 이면의 원하는 부분에만 케미컬을 분사하도록 공급할 수 있기 때문에 다양한 공급 구조의 구현이 가능할 것이다.
본 발명의 케미컬 분사 장치 및 기판 처리 장치는 공급 라인의 생략을 통하여 유지 보수를 생략할 수 있을 뿐만 아니라 공급 라인의 설치를 위한 공수도 절감할 수 있기 때문에 집적회로 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 기대할 수 있을 것이다.
또한 본 발명의 케미컬 분사 장치 및 기판 처리 장치는 공정 챔버의 크기를 용이하게 축소시킬 수 있을 뿐만 아니라 기판 이면으로 분사하기 위한 케미컬에 대한 다양한 공급 구조를 구현할 수 있기 때문에 장치 자체의 신뢰도의 향상을 기대할 수 있을 것이다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 기판 11 : 공정 챔버
13 : 하부 바닥부 14 : 상부 바닥부
15 : 케미컬 분사부(케미컬 분사 장치)
16 : 케미컬 플로우부 17 : 이면 분사부
18 : 상면 분사부 19 : 격벽
21 : 케미컬 공급부 100 : 기판 처리 장치

Claims (7)

  1. 공정 챔버 바닥에 하부 바닥부 및 상기 하부 바닥부로부터 상부로 이격되는 위치에 형성되는 상부 바닥부로 이루어짐으로써 케미컬이 플로우되는 공간을 갖도록 구비되되, 상기 공정 챔버 바닥 전체 영역을 차지하도록 구비되는 케미컬 플로우부; 및
    상기 케미컬 플로우부로 플로우되는 상기 케미컬을 기판 이면을 향하여 분사할 수 있도록 상기 상부 바닥부에 위치하고, 상기 상부 바닥부로부터 상기 기판 이면을 향하도록 구비되는 이면 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 케미컬 분사 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 이면의 원하는 부분에만 상기 케미컬을 분사할 수 있게 상기 케미컬 플로우부를 구획하는 격벽을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 케미컬 분사 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 격벽은 개폐 구조를 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 케미컬 분사 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 케미컬 플로우부로 상기 케미컬을 공급하도록 구비되되, 상기 격벽에 의해 다수개로 구획되는 상기 케미컬 플로우부의 두 곳 이상에서 연결되도록 구비되는 케미컬 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 케미컬 분사 장치.
  5. 기판이 위치하는 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 바닥에 하부 바닥부 및 상기 하부 바닥부로부터 상부로 이격되는 위치에 형성되는 상부 바닥부로 이루어짐으로써 케미컬이 플로우되는 공간을 갖도록 구비되되, 상기 공정 챔버 바닥 전체 영역을 차지하도록 구비되는 케미컬 플로우부, 및 상기 케미컬 플로우부로 플로우되는 상기 케미컬을 기판 이면을 향하여 분사할 수 있도록 상기 상부 바닥부에 위치하고, 상기 상부 바닥부로부터 상기 기판 이면을 향하도록 구비되는 이면 분사부를 포함하는 케미컬 분사부; 및
    상기 케미컬 플로우부로 상기 케미컬을 공급하도록 상기 케미컬 플로우부와 연결되는 케미컬 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 기판 이면의 원하는 부분에만 상기 케미컬을 분사할 수 있게 상기 케미컬 플로우부를 구획하는 격벽을 더 구비하되, 상기 격벽은 개폐 구조를 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 케미컬 공급부는 상기 격벽에 의해 다수개로 구획되는 상기 케미컬 플로우부의 두 곳 이상에서 연결되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020160176231A 2016-12-22 2016-12-22 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR102645831B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160176231A KR102645831B1 (ko) 2016-12-22 2016-12-22 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160176231A KR102645831B1 (ko) 2016-12-22 2016-12-22 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180072940A KR20180072940A (ko) 2018-07-02
KR102645831B1 true KR102645831B1 (ko) 2024-03-08

Family

ID=62914045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160176231A KR102645831B1 (ko) 2016-12-22 2016-12-22 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102645831B1 (ko)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6133120B2 (ja) * 2012-05-17 2017-05-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180072940A (ko) 2018-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BR112018002002A2 (pt) método para limpar um equipamento no local.
KR100712728B1 (ko) 가스분리형 샤워헤드의 세정 장치
KR20120031117A (ko) 기판 처리 장치
US9892940B2 (en) Spray assembly and wet etching device having the same
KR102645831B1 (ko) 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2019071382A5 (ko)
CN101214484B (zh) 基板清洗装置
JP2017128006A5 (ko)
CN203631506U (zh) 清洗装置
JP2007266545A (ja) 基板処理装置
TWM520515U (zh) 用以承載平板構件之卡匣本體
KR101652481B1 (ko) 이중 슬릿 노즐를 이용한 약액 도포 장치
KR20150075955A (ko) 대면적기판 처리장치
CN205025204U (zh) 带喷雾装置的围墙
US20130266745A1 (en) Case and electronic device having the same
KR102336793B1 (ko) 기화기
KR102094943B1 (ko) 식각 장치
CN103809390B (zh) 一种显影喷头
KR102624628B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20100055812A (ko) 기판 처리 장치
KR101697176B1 (ko) 코팅 장비용 노즐 블록
KR20100011304A (ko) 유체분사장치
US20130312911A1 (en) Wet-etching equipment and its supplying device
TWI576634B (zh) 用於溼式製程的整合式藥液槽
US20160214150A1 (en) Nozzle component and container washing apparatus using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant