KR102641538B1 - Micro led display bad pixel el inspection and repair method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법은 마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module)을 이용한 EL(Electroluminescence) 검사를 통해, 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별하는 제1 단계; 및 상기 교체용 마이크로 LED를 떼어낸 리페어 위치에, 접합 소재가 스탬핑(stamping)된 교체용 마이크로 LED를 실장하는 제2 단계;를 포함한다.The present invention relates to a method for inspecting and repairing defective pixel EL in a micro LED display. According to an embodiment of the present invention, the method for inspecting and repairing defective pixel EL in a micro LED display includes an EL probe module (Electroluminescence Probe Module) including a micro spring tip. A first step of selecting replacement target micro LEDs on the micro LED display through EL (Electroluminescence) inspection; and a second step of mounting a replacement micro LED stamped with a bonding material at the repair location where the replacement micro LED was removed.

Description

마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법{MICRO LED DISPLAY BAD PIXEL EL INSPECTION AND REPAIR METHOD}Micro LED display bad pixel EL inspection and repair method {MICRO LED DISPLAY BAD PIXEL EL INSPECTION AND REPAIR METHOD}

본 발명은 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법에 관한 것으로, 보다 효율적이고 정확하게 마이크로 LED를 검사하여 리페어할 수 있는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for inspecting and repairing defective pixel EL in a micro LED display, and relates to a method for inspecting and repairing defective pixel EL in a micro LED display that can more efficiently and accurately inspect and repair micro LEDs.

마이크로 LED는 수십 마이크론 크기의 초소형 LED로 이를 디스플레이로 사용할 경우 기존 디스플레이 대비 전력 효율이 높고, 응답 시간이 짧고, 휘도가 높으며 수명이 긴 장점이 있어 OLED 및 LCD를 대체할 차세대 디스플레이의 핵심기술로 떠오르고 있다.Micro LED is an ultra-small LED with a size of tens of microns. When used as a display, micro LED has the advantages of high power efficiency, short response time, high brightness, and long lifespan compared to existing displays, so it is emerging as a core technology for next-generation displays that will replace OLED and LCD. there is.

마이크로 LED 시장은 2017년부터 형성되기 시작하였으며, 연평균 70% 수준의 성장을 통해 2025년 45억 ~ 200억 달러의 대규모 시장 형성이 예측되어 시장 및 기술 우위 확보를 위한 기업 간 경쟁이 치열하다.The micro LED market began to form in 2017, and is expected to grow at an average annual rate of 70%, creating a large market worth $4.5 billion to $20 billion in 2025. Competition among companies to secure market and technological superiority is fierce.

현재 마이크로 LED를 적용한 디스플레이 패널은 국내 삼성전자, LG전자, 해외 PlayNitride, AUO, 애플 등 다양한 그룹에서 상용화 개발을 진행 중이나 작아진 크기로 인하여 생산 공정부터 검사/평가 공정까지 기존 LED 산업과는 전혀 다른 새로운 공정 기술 및 장비개발이 필요하며, 작아진 크기로 인하여 생산 공정부터 검사/평가/리페어 공정까지 기존 LED 산업과는 전혀 다른 새로운 공정 기술 도입을 필요로 하고 있다.Currently, display panels using micro LED are being commercialized and developed by various groups such as domestic Samsung Electronics, LG Electronics, and overseas PlayNitride, AUO, and Apple, but due to their smaller size, the production process and inspection/evaluation process are completely different from the existing LED industry. New process technology and equipment development are needed, and due to the smaller size, it is necessary to introduce new process technology that is completely different from the existing LED industry, from the production process to the inspection/evaluation/repair process.

마이크로 LED 디스플레이 패널의 픽셀용 화소는 일반적인 조명으로 적용되는 LED의 광학적 품질 보다 엄격한 기준의 균질성(Uniformity) 확보가 필요하다.Pixels for micro LED display panels require uniformity that is stricter than the optical quality of LEDs used for general lighting.

따라서, 제작 공정 단계에서 엄격한 기준으로 불량 화소 발생되지 않도록 안정화된 공정라인을 필요로 하고, 또한 불량화소가 발생된 위치의 마이크로 LED를 리페어하는 공정 및 장비가 반드시 필요하다.Therefore, a stabilized process line is required to prevent defective pixels from occurring according to strict standards during the manufacturing process stage, and processes and equipment to repair micro LEDs at locations where defective pixels are generated are also essential.

이때, 또 다른 불량 픽셀을 만들지 않기 위해 임의의 기판위에 전사된 마이크로 LED 를 검사 검증하여 리페어 공정 후 재불량률을 만들지 않는 것이 중요하며, 일반 LED PKG를 적용한 디스플레이의 불량픽셀을 리페어하는 공정에서는 불량픽셀이 10개 이하에서는 리페어를 진행하지만 그 이상에서는 불량 패널로 판단하여 폐기처리하고 있다.At this time, in order to avoid creating another defective pixel, it is important to inspect and verify the micro LED transferred on a random substrate to avoid creating a repeat defect rate after the repair process. In the process of repairing defective pixels of a display using general LED PKG, the defective pixel is Repairs are carried out for 10 or less panels, but for more than 10 panels, they are judged to be defective and discarded.

현재 리페어 공정은 따로 LED의 특성을 측정하지 않고 제조사에서 제공해준 LED PKG를 그대로 적용하여 리페어 공정이 완료된 후 사용된 LED PKG의 불량여부를 판단 할 수 있으며, 이때 재불량이 발생할 경우 다시 LED PKG를 제거하고 부착하는 리페어 공정을 재반복한다.The current repair process does not separately measure the characteristics of the LED, but instead applies the LED PKG provided by the manufacturer to determine whether the LED PKG used is defective after the repair process is completed. At this time, if a defect occurs again, the LED PKG must be replaced again. Repeat the repair process of removing and attaching.

이와 같이, 재 리페어공정을 진행하게 되면 패널의 동판이 떨어져나가는 문제가 발생되고 이는 불량 패널로 처리가 되어 폐기해야 되어 시간과 비용문제가 발생하게 된다. 하지만 마이크로 LED를 적용한 디스플레이 패널의 경우 작은 픽셀의 제어, 선택적 전사, 접합 등 리페어 공정이 복잡하고 용이하지 않아 다시 리페어를 진행하기 어려우므로 특성이 검증된 마이크로 LED칩을 사용하여 리페어를 진행해야 한다.In this way, when a repair process is performed, a problem arises in which the copper plate of the panel falls off, and this is treated as a defective panel and has to be discarded, resulting in time and cost problems. However, in the case of display panels using micro LED, repair processes such as small pixel control, selective transfer, and bonding are complicated and not easy to repair, so repairs must be performed using micro LED chips with verified characteristics.

그러나, EL 검사 장비는 마이크로 LED 칩이 너무 작아 프로빙 도중 p, n 전극에 스크레치나 크랙을 형성 시킬 수 있고, 빠른 속도의 프루빙이 힘들어 양산에 적용하기 어려워 양산에 적용할 수 있는 EL 검사 장비의 개발이 필요한 실정이다.However, EL inspection equipment has micro LED chips that are too small, so scratches or cracks can form on the p and n electrodes during probing, and it is difficult to apply it to mass production because it is difficult to probe at high speeds. Development is needed.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명은 디스플레이의 불량화소의 검사와 리페어를 동시에 제공하고자 하며, 보다 상세하게는 마이크로 LED의 상용화를 위해서 불량화소가 생긴 디스플레이의 픽셀을 용이하게 리페어하고 이때 재 리페어 공정을 줄이기 위해 마이크로 LED의 전기적 특성(EL: Electroluminescence)을 검증한 후, 불량 화소를 리페어할 수 있는 최적화된 EL 검사와 리페어 방법 및 장치를 제공하고자 한다.The present invention was devised to solve the above-described problem. The present invention seeks to provide inspection and repair of defective pixels of a display at the same time. More specifically, for the commercialization of micro LED, the present invention aims to facilitate the removal of defective pixels from a display. In order to repair and reduce the re-repair process, we aim to verify the electrical characteristics (EL: Electroluminescence) of micro LEDs and provide optimized EL inspection and repair methods and devices that can repair defective pixels.

본 발명은 전사된 필름위의 마이크로 LED를 용이하게 측정하기 위해 기존의 프로브 스테이션 대신 여러개의 마이크로 LED를 분석할 수 있는 마이크로 스프링구조의 프로브 카드 모듈을 적용하여 디바이스의 데미지와 저항을 최소화하여 정확한 분석을 진행할 수 있도록 하고자 한다.In order to easily measure the micro LED on the transferred film, the present invention applies a probe card module with a micro spring structure that can analyze multiple micro LEDs instead of the existing probe station, minimizing damage and resistance to the device and providing accurate analysis. We want to be able to proceed.

전술한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법은 마이크로 스프링 팁 을 포함하는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module)을 이용한 EL(Electroluminescence) 검사를 통해, 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별하는 제1 단계; 및 상기 교체용 마이크로 LED를 떼어낸 리페어 위치에, 접합 소재가 스탬핑(stamping)된 교체용 마이크로 LED를 실장하는 제2 단계;를 포함한다.The method for inspecting and repairing defective pixel EL in a micro LED display according to an embodiment of the present invention to solve the above-described problem is through EL (Electroluminescence) inspection using an EL probe module (Electroluminescence Probe Module) including a micro spring tip, A first step of selecting micro LEDs to be replaced on the micro LED display; and a second step of mounting a replacement micro LED stamped with a bonding material at the repair location where the replacement micro LED was removed.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 제1 단계는 실리콘 러버, 실리콘 또는 전도성 파우더 팁이 접합된 마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈을 이용해 EL 검사를 할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the first step may be performed using an EL probe module including a micro spring tip to which silicon rubber, silicon, or a conductive powder tip is bonded.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 마이크로 스프링 팁은 적어도 1개 이상의 충격 흡수용 곡면을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the micro spring tip may include at least one curved surface for shock absorption.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 EL 프로브 모듈은 마이크로 LED 디스플레이 상의 각 라인 상의 다수의 교체대상 마이크로 LED를 각각 동시에 검사하도록 일렬로 배열되는 다수의 마이크로 스프링 팁을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the EL probe module may include a plurality of micro spring tips arranged in a row to simultaneously inspect a plurality of micro LEDs to be replaced on each line on the micro LED display.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 제1 단계는 이미지 센서 모듈에서 촬영된 R,G,B 레벨의 분석을 통해 상기 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the first step may select a micro LED to be replaced on the micro LED display through analysis of R, G, and B levels captured by the image sensor module.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 제2 단계는 상기 선별된 교체대상 마이크로 LED의 위치로 헤드툴을 이동하여, 레이저를 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED의 접합 소재를 녹이고, 상기 헤드툴을 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED를 흡착하여 떼어낼 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the second step is to move the head tool to the selected location of the micro LED to be replaced, melt the bonding material of the micro LED to be replaced using a laser, and use the head tool to melt the bonding material of the micro LED to be replaced. The micro LED to be replaced can be adsorbed and removed.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 제2 단계는 상기 교체대상 마이크로 LED를 흡착하여 떼어낸 이후에, 교체용 마이크로 LED를 스탬핑 위치로 이동시키고, 접합 소재에 상기 교체용 마이크로 LED의 단자가 잠길 위치까지 하강하여 스탬핑(stamping)하고, 상기 접합 소재가 스탬핑된 상기 교체용 마이크로 LED를 상기 교체대상 마이크로 LED가 제거된 리페어 위치로 이동하고, 상기 교체용 마이크로 LED를 상기 리페어 위치로 배치하여 레이저를 이용해 상기 접합 소재를 경화할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, in the second step, after adsorbing and removing the micro LED to be replaced, the replacement micro LED is moved to the stamping position, and the terminal of the replacement micro LED is attached to the bonding material. Lowering to the position to be locked and stamping, moving the replacement micro LED stamped with the bonding material to the repair position where the replacement target micro LED was removed, placing the replacement micro LED at the repair position and using the laser The bonding material can be cured using .

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 제2 단계 이후에 상기 교체용 마이크로 LED 및 실장 상태를 검증하는 제3 단계;를 더 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a third step of verifying the replacement micro LED and its mounting state may be further included after the second step.

본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치는 마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module)을 이용한 EL(Electroluminescence) 검사를 통해, 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별하는 검사부; 및 상기 교체용 마이크로 LED를 떼어낸 리페어 위치에, 접합 소재가 스탬핑(stamping)된 교체용 마이크로 LED를 실장하는 리페어부;를 포함한다.The micro LED display defective pixel EL inspection and repair device according to an embodiment of the present invention detects replacement target micros on the micro LED display through EL (Electroluminescence) inspection using an EL probe module (Electroluminescence Probe Module) including a micro spring tip. An inspection unit that selects LEDs; and a repair unit that mounts a replacement micro LED stamped with a bonding material at the repair location where the replacement micro LED was removed.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 검사부는 실리콘 러버, 실리콘 또는 전도성 파우더 팁이 접합된 마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module); 및 상기 EL 프로브 모듈을 통해 이미지 센서 모듈에서 촬영된 마이크로 LED의 R,G,B 레벨을 추출하여 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별하는 LED 판정 모듈;을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the inspection unit includes an EL probe module (Electroluminescence Probe Module) including a micro spring tip to which a silicon rubber, silicon, or conductive powder tip is bonded; and an LED determination module that selects a micro LED to be replaced on the micro LED display by extracting the R, G, and B levels of the micro LED photographed by the image sensor module through the EL probe module.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 마이크로 스프링 팁은 적어도 1개 이상의 충격 흡수용 곡면을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the micro spring tip may include at least one curved surface for shock absorption.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 EL 프로브 모듈은 마이크로 LED 디스플레이 상의 각 라인 상의 다수의 교체대상 마이크로 LED를 각각 동시에 검사하도록 일렬로 배열되는 다수의 마이크로 스프링 팁을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the EL probe module may include a plurality of micro spring tips arranged in a row to simultaneously inspect a plurality of micro LEDs to be replaced on each line on the micro LED display.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 리페어부는 상기 선별된 교체대상 마이크로 LED의 위치로 이동하여 레이저를 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED의 접합 소재를 녹이고, 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED를 흡착하여 떼어내는 동축 헤드툴; 상기 떼어내진 교체대상 마이크로 LED를 접합 소재에 상기 교체용 마이크로 LED의 단자가 잠길 위치까지 하강하여 스탬핑(stamping)하는 스탬핑 모듈; 및 상기 접합 소재가 스탬핑된 교체용 마이크로 LED를 상기 리페어 위치로 정렬 및 오차를 보정하는 정렬 비전 모듈;을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the repair unit moves to the selected position of the micro LED to be replaced, melts the bonding material of the micro LED to be replaced using a laser, and uses it to adsorb and remove the micro LED to be replaced. coaxial head tool; a stamping module that lowers and stamps the removed replacement micro LED onto a bonding material to a position where the terminal of the replacement micro LED is locked; and an alignment vision module that aligns the replacement micro LED stamped with the bonding material to the repair position and corrects errors.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 동축 헤드툴은 상기 리페어 위치로 상기 접합 소재가 스탬핑된 교체용 마이크로 LED를 이동시키고, 레이저를 이용해 상기 접합 소재를 경화시킬 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the coaxial head tool can move the replacement micro LED stamped with the bonding material to the repair position and harden the bonding material using a laser.

본 발명에 따르면 디스플레이의 불량화소의 검사와 리페어를 동시에 제공할 수 있으며, 보다 상세하게는 마이크로 LED의 상용화를 위해서 불량화소가 생긴 디스플레이의 픽셀을 용이하게 리페어하고 이때 재 리페어 공정을 줄이기 위해 마이크로 LED의 전기적 특성(EL)을 검증한 후, 불량 화소를 리페어할 수 있는 최적화된 EL 검사와 리페어 방법 및 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, inspection and repair of defective pixels of a display can be provided at the same time. More specifically, in order to commercialize micro LED, pixels of a display with defective pixels can be easily repaired, and in order to reduce the re-repair process, micro LED After verifying the electrical characteristics (EL) of , optimized EL inspection and repair methods and devices that can repair defective pixels can be provided.

본 발명에 따르면 전사된 필름위의 마이크로 LED를 용이하게 측정하기 위해 기존의 프로브 스테이션 대신 여러개의 마이크로 LED를 분석할 수 있는 마이크로 스프링구조의 프로브 카드 모듈을 적용하여 디바이스의 데미지와 저항을 최소화하여 정확한 분석을 진행할 수 있다.According to the present invention, in order to easily measure the micro LED on the transferred film, a probe card module with a micro spring structure that can analyze multiple micro LEDs is applied instead of the existing probe station to minimize damage and resistance to the device and provide accurate measurement. Analysis can proceed.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일실시예에 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치의 블록도이다.
도 8 내지 도 23은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치의 구성과 리페어 방법을 보다 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
도 24 내지 도 28은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀의 리페어의 평가 방법을 설명하기 위한 도면이다.
1 is a flowchart illustrating a method for inspecting and repairing defective EL pixels in a micro LED display according to an embodiment of the present invention.
2 to 6 are diagrams for explaining a method for inspecting and repairing defective pixel EL in a micro LED display according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a block diagram of a micro LED display defective pixel EL inspection and repair device according to an embodiment of the present invention.
8 to 23 are diagrams to explain in more detail the configuration and repair method of a micro LED display defective pixel EL inspection and repair device according to an embodiment of the present invention.
Figures 24 to 28 are diagrams for explaining a method of evaluating repair of defective pixels in a micro LED display according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 본 발명의 일실시예에 대해서 상세히 설명한다. 다만, 실시형태를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. However, in describing the embodiments, if it is determined that specific descriptions of related known functions or configurations may unnecessarily obscure the gist of the present invention, detailed descriptions thereof will be omitted. Additionally, the size of each component in the drawings may be exaggerated for explanation and does not mean the actual size.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a method for inspecting and repairing defective EL pixels in a micro LED display according to an embodiment of the present invention.

또한, 도 2 내지 도 6은 본 발명의 일실시예에 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.Additionally, FIGS. 2 to 6 are diagrams for explaining a method for inspecting and repairing defective EL pixels in a micro LED display according to an embodiment of the present invention.

이후부터는 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법을 설명하기로 한다.From now on, a method for inspecting and repairing defective pixel EL in a micro LED display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6.

본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법에 따르면, 마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module)을 이용한 EL(Electroluminescence) 검사를 통해(S110), 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별한다(S120).According to the EL inspection and repair method for micro LED display defective pixels according to an embodiment of the present invention, through EL (Electroluminescence) inspection using an EL probe module including a micro spring tip (S110), the micro LED Select the micro LED to be replaced on the display (S120).

도 2을 참조하면, 리페어 시의 재작업율을 줄이기 위하여, EL 프로브 모듈을 통한 마이크로 LED 불량 검사가 이루어질 수 있으며, 마이크로 LED 용 마이크로 프로브 카드 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 모듈을 구성하여 프로빙 속도를 개선할 수 있으며, Anode와 Cathode 간격 50 um이하의 마이크로 스프링 팁으로 구성하고, 이때 마이크로 스프링 프로브 팁은 폭 최소 50 마이크로 이하로 구성하며, 기판의 고정밀 얼라이너(Aligner) 제어와 오차 보정이 가능한 비전 시스템을 통해, 마이크로 LED의 RGB 레벨을 추출하고, 교체 대상 마이크로 LED의 EL 분석을 통한 불량 판정과 측정된 전기적 특성 데이터 간의 교차 검증이 이루어질 수 있다. 이때, 마이크로 LED는 10um 이하의 두께를 가지므로 충격을 가하지 않는 것이 매우 중요하며, 전극의 크기가 20 um 이하로 작기 때문에 팁의 끝의 표면적이 작아야 한다. 또한, pn 전극간 간격이 50 um이하로 작기 때문에 마이크로 스프링 프로브 팁 사이의 간격도 이에 대응되도록 50 um이하로 작게 형성되어야 한다.Referring to Figure 2, in order to reduce the rework rate during repair, micro LED defect inspection can be performed through an EL probe module, and the probing speed can be increased by configuring a micro probe card MEMS (Micro Electro Mechanical System) module for micro LED. It can be improved and is composed of a micro spring tip with an anode and cathode spacing of 50 um or less. In this case, the micro spring probe tip is composed of a width of at least 50 micro or less, and is a vision device capable of high-precision aligner control and error compensation of the substrate. Through the system, the RGB level of the micro LED can be extracted, and cross-verification can be performed between defective judgment through EL analysis of the micro LED to be replaced and the measured electrical characteristic data. At this time, since the micro LED has a thickness of less than 10 um, it is very important not to apply shock, and since the size of the electrode is small (less than 20 um), the surface area of the tip of the tip must be small. In addition, since the spacing between pn electrodes is small (less than 50 um), the spacing between micro spring probe tips must also be made small (less than 50 um) to correspond to this.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따르면 마이크로 LED 용 마이크로 프로브 카드 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 모듈의 성능 개선을 위하여 실리콘 러버, 실리콘 또는 전도성 파우더 팁이 접합된 마이크로 스프링 프로브 팁을 통해 데미지 완충을 제공하고, 정렬 비전 모듈의 고정밀 얼라이너(Aligner) 제어와 오차 보정, 그리고 마이크로 LED 밝기 추출 알고리즘 및 소프트웨어 개선과, 패널 리페어 현장 적용 및 마이크로 LED의 EL 분석결과의 보정 및 최적화를 제공할 수 있다.Referring to Figure 3, according to the present invention, in order to improve the performance of the micro probe card MEMS (Micro Electro Mechanical System) module for micro LED, damage cushioning is provided through a micro spring probe tip bonded to silicon rubber, silicon, or conductive powder tips. In addition, it can provide high-precision aligner control and error correction of the alignment vision module, improvement of micro LED brightness extraction algorithm and software, field application of panel repair, and correction and optimization of EL analysis results of micro LED.

즉, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명에 따르면 마이크로 스프링 팁은 적어도 1개 이상의 충격 흡수용 곡면을 포함하도록 구성될 수 있으며, EL 프로브 모듈은 마이크로 LED 디스플레이 상의 각 라인 상의 다수의 교체대상 마이크로 LED를 각각 동시에 검사하도록 다수의 마이크로 스프링 팁이 일렬로 배열되도록 하여 1개 또는 다수의 칩을 동시에 검사하도록 구성될 수 있다.That is, as shown in FIGS. 2 and 3, according to the present invention, the micro spring tip can be configured to include at least one curved surface for shock absorption, and the EL probe module can be configured to include multiple replacements on each line on the micro LED display. It can be configured to inspect one or multiple chips simultaneously by arranging a plurality of micro spring tips in a line so that each target micro LED can be inspected simultaneously.

이때, EL 전류 주입 상태에서 하부 투명 스테이지와 마이크로 LED 접합 투명 시트를 관통하는 하부에 이미지 센서 모듈(114)을 배치해 마이크로 LED 디스플레이의 R,G,B 레벨을 측정하여 추출하도록 할 수 있다.At this time, in the EL current injection state, the image sensor module 114 can be placed at the bottom penetrating the lower transparent stage and the micro LED bonded transparent sheet to measure and extract the R, G, and B levels of the micro LED display.

이와 같이, 본 발명에 따르면 마이크로 프로브 카드 MEMS 모듈을 이용하여 마이크로 LED의 전기적 특성, 구동전압, 리키지, 전류 인가값에 따른 광출력 등의 정보를 받아들여, 전기적, 광학적 특성을 분석후 불량칩과 정상칩을 판단하여 패널위의 불량칩을 제거하고, 양품으로 판단된 칩을 패널위로 전사 또는 본딩할 수 있다.In this way, according to the present invention, the micro probe card MEMS module is used to receive information such as the electrical characteristics of the micro LED, driving voltage, leakage, and optical output according to the current applied value, and analyze the electrical and optical characteristics to determine the defective chip. By determining which chips are normal, defective chips on the panel can be removed, and chips determined to be good can be transferred or bonded onto the panel.

또한, 도 4에서와 같이 마이크로 LED의 RGB 레벨 추출이 이루어지며, 이미지 센서 모듈의 측정결과로부터 교체 대상 마이크로 LED 칩의 좌표별 RGB 레벨 데이터 직렬화하고, 좌표별 RGB 데이터 레벨 테이블로부터 광 출력 양불 판정을 통해 교체 대상 마이크로 LED를 선별할 수 있다.In addition, as shown in Figure 4, the RGB level of the micro LED is extracted, the RGB level data for each coordinate of the micro LED chip to be replaced is serialized from the measurement results of the image sensor module, and the light output pass or fail is determined from the RGB data level table for each coordinate. Through this, you can select the micro LED to be replaced.

또한, 도 5를 참조하면, EL 검사 및 분석을 위하여, 전사시트 배열 마이크로 LED의 EL 검사 기준을 구성하고, 마이크로 스프팅 팁으로 구성되는 프로브에 전류 주입 상태에서 마이크로 LED의 광출력 이미지 측정 조건으로서, 주변광 차단, 칩간 광출력 밝기의 상대 비교 가능 전류 주입 조건을 구성하여, 마이크로 프로브를 적용한 전류 주입 상태에서 이미지센서 측정 결과로부터 영상 신호처리를 통해, 마이크로 LED의 RGB 레벨 추출을 하여 교체대상 마이크로 LED를 선별할 수 있다.In addition, referring to FIG. 5, for EL inspection and analysis, EL inspection standards for transfer sheet array micro LEDs are established, and as conditions for measuring the optical output image of the micro LED under current injection into a probe consisting of a micro springing tip, By configuring current injection conditions to block ambient light and enabling relative comparison of light output brightness between chips, the RGB level of the micro LED is extracted through image signal processing from the image sensor measurement results under current injection using a micro probe, and the micro LED to be replaced is identified. LEDs can be selected.

이때, 마이크로 LED의 EL 검사 기준으로서, 마이크로 스프링 팁(프로브)를 적용한 최적 전류 주입 상태에서 마이크로 LED 광출력 이미지의 위치별 밝기에 대한 RGB 레벨과 단일칩 LED에서 EL 검사장비로부터 측정되는 I/V 특성과 광출력 결과간의 비교 분석을 통해 마이크로 LED의 정상 또는 불량(양불) 판단 조건을 구성할 수 있다.At this time, as a standard for EL inspection of micro LED, the RGB level for the brightness of each position of the micro LED light output image in the optimal current injection state using the micro spring tip (probe) and the I/V measured from the EL inspection equipment in the single chip LED. Through comparative analysis between characteristics and light output results, it is possible to establish conditions for judging whether a micro LED is normal or defective.

아울러, 상기 전사시트 배열 마이크로 LED의 EL 검사의 결과로서 R,G,B 레벨을 데이터베이스화하여 사용함으로써, EL(Electroluminescence)를 통한 교체대상 마이크로 LED를 선별의 정확도를 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, by using the R, G, and B levels in a database as a result of the EL inspection of the transfer sheet array micro LED, the accuracy of selecting replacement target micro LEDs through EL (Electroluminescence) can be further improved.

이후, 상기 선별된 교체대상 마이크로 LED의 위치로 동축 헤드툴을 이동하여(S130), 레이저를 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED의 접합 소재를 녹이고(S140), 상기 동축 헤드툴의 화소 진공 흡착부를 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED를 흡착하여 떼어내어 불량화소를 제거한다(S150).Thereafter, the coaxial head tool is moved to the selected location of the micro LED to be replaced (S130), the bonding material of the micro LED to be replaced is melted using a laser (S140), and the pixel vacuum adsorption unit of the coaxial head tool is used to melt the bonding material of the micro LED to be replaced (S140). The micro LED to be replaced is adsorbed and removed to remove defective pixels (S150).

이후에는, 동축 헤드툴이 교체용 마이크로 LED를 스탬핑 위치로 이동시켜, 접합 소재에 상기 교체용 마이크로 LED의 단자가 잠길 위치까지 하강하여 스탬핑(stamping)한 후(S160), 상기 접합 소재가 스탬핑된 상기 교체용 마이크로 LED를 상기 교체대상 마이크로 LED가 제거된 리페어 위치로 이동시켜 배치하고, 레이저를 이용해 상기 접합 소재를 경화한다(S170).Afterwards, the coaxial head tool moves the replacement micro LED to the stamping position, descends to the position where the terminal of the replacement micro LED is locked in the bonding material and stamps it (S160), and then the bonding material is stamped. The replacement micro LED is moved and placed to the repair location where the replacement target micro LED was removed, and the bonding material is cured using a laser (S170).

이후부터는 도 6을 참조하여, 상기 리페어 과정을 보다 상세하게 설명하기로 한다.From now on, with reference to FIG. 6, the repair process will be described in more detail.

도 6을 참조하면 비전을 이용해 PCB의 모서리를 가이드 마크로 인식하고(S131), 상기 가이드 마크를 기준으로 리페어 할 위치로 동축 헤드툴을 이동한다(S132). 이후, 레이저를 이용하여 표면 코팅 소재와 마이크로 LED의 접합 소재를 녹이고(S141), 동축 헤드툴의 화소 진공 흡착부를 이용하여 LED 칩을 흡착하여 떼어낸다(S151).Referring to FIG. 6, the edge of the PCB is recognized as a guide mark using vision (S131), and the coaxial head tool is moved to the position to be repaired based on the guide mark (S132). Afterwards, the surface coating material and the bonding material of the micro LED are melted using a laser (S141), and the LED chip is adsorbed and removed using the pixel vacuum adsorption unit of the coaxial head tool (S151).

이후에는, 새로운 마이크로 LED를 픽업할 로딩부 위치로 동축 헤드툴을 이동하여(S161), 상기 마이크로 LED 칩을 픽업한 후 접합 소재의 스탬핑 위치로 이동한다(S162). 이때, 상기 접합 소재는 10,000 내지 20,000 cps 솔더 또는 SAP(Self Assembly Anisotropic Conductive Paste)로 구성되거나, ACF(Anisotropic Conductive Film) 소재로 구성 될 수 있다.Afterwards, the coaxial head tool is moved to the loading position where a new micro LED will be picked up (S161), the micro LED chip is picked up, and then moved to the stamping position of the bonding material (S162). At this time, the joining material may be composed of 10,000 to 20,000 cps solder or SAP (Self Assembly Anisotropic Conductive Paste), or ACF (Anisotropic Conductive Film) material.

이후, 상기 동축 헤드툴이 접합 소재에 마이크로 LED의 단자가 잠길 위치까지만 하강하여 스탬핑이 이루어지고(S163), 상기 마이크로 LED에 접합 소재의 스탬핑 상태를 확인할 수 있다(S164). 그 이후에는 상기 접합 소재가 스탬핑된 마이크로 LED를 리페어 할 위치로 이동시키고(S171), 리페어할 위치에 마이크로 LED를 내려놓은 뒤 진공 파기 및 레이저 경화를 통해 마이크로 LED를 실장할 수 있다(S172).Thereafter, stamping is performed by lowering the coaxial head tool only to a position where the terminal of the micro LED is locked in the bonding material (S163), and the stamping state of the bonding material on the micro LED can be confirmed (S164). After that, the micro LED stamped with the bonding material is moved to a position to be repaired (S171), the micro LED is placed in the position to be repaired, and then the micro LED can be mounted through vacuum breaking and laser curing (S172).

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치의 블록도이다.Figure 7 is a block diagram of a micro LED display defective pixel EL inspection and repair device according to an embodiment of the present invention.

이후부터는 도 7을 참조하여 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치의 구성을 설명하기로 한다.From now on, the configuration of the micro LED display defective pixel EL inspection and repair device will be described with reference to FIG. 7.

본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치(100)는 검사부(110) 및 리페어부(120)를 포함하여 구성될 수 있다.The micro LED display defective pixel EL inspection and repair device 100 according to an embodiment of the present invention may be configured to include an inspection unit 110 and a repair unit 120.

상기 검사부(110)는 마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module)을 이용한 EL(Electroluminescence) 검사를 통해, 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별하고, 상기 리페어부(120)는 상기 교체용 마이크로 LED를 떼어낸 리페어 위치에, 접합 소재가 스탬핑(stamping)된 교체용 마이크로 LED를 실장한다.The inspection unit 110 selects micro LEDs to be replaced on the micro LED display through EL (Electroluminescence) inspection using an EL probe module (Electroluminescence Probe Module) including a micro spring tip, and the repair unit 120 selects the micro LED to be replaced. A replacement micro LED stamped with bonding material is mounted at the repair location where the replacement micro LED was removed.

보다 구체적으로, 상기 검사부(110)는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module: 111) 및 LED 판정 모듈(112)을 포함하여 구성될 수 있다.More specifically, the inspection unit 110 may be configured to include an EL probe module (Electroluminescence Probe Module: 111) and an LED determination module (112).

상기 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module: 111)은 마이크로 스프링 팁(113)을 포함하여 구성되고, 상기 LED 판정 모듈(112)은 상기 EL 프로브 모듈(111)을 통해 이미지 센서 모듈(114)에서 촬영된 마이크로 LED의 R,G,B 레벨을 추출하여 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별한다. 이때, EL 전류 주입 상태에서 하부 투명 스테이지와 마이크로 LED 접합 투명 시트를 관통하는 하부에 이미지 센서 모듈(114)을 배치하여 R,G,B 레벨을 측정하도록 할 수 있다.The EL probe module (Electroluminescence Probe Module: 111) is configured to include a micro spring tip (113), and the LED determination module (112) detects the image captured by the image sensor module (114) through the EL probe module (111). Extracts the R, G, and B levels of the micro LED and selects the micro LED for replacement on the micro LED display. At this time, in the EL current injection state, the image sensor module 114 can be placed at the bottom penetrating the lower transparent stage and the micro LED bonded transparent sheet to measure R, G, and B levels.

한편, 상기 리페어부(120)는 동축 헤드툴(121)과 정렬 비전 모듈(122)을 포함하여 구성될 수 있다.Meanwhile, the repair unit 120 may be configured to include a coaxial head tool 121 and an alignment vision module 122.

상기 동축 헤드툴(121)은 상기 선별된 교체대상 마이크로 LED의 위치로 이동하여 레이저를 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED의 접합 소재를 녹이는 레이저 광조사부(123)와 상기 교체대상 마이크로 LED(불량 LED)를 흡착하여 떼어내는 화소 진공 흡착부(124)를 포함하여 구성될 수 있다.The coaxial head tool 121 moves to the selected location of the micro LED to be replaced and uses a laser to melt the bonding material of the micro LED to be replaced, and the laser light irradiation unit 123 to melt the bonding material of the micro LED to be replaced (defective LED). It may be configured to include a pixel vacuum adsorption unit 124 that adsorbs and removes the pixel.

또한 상기 동축 헤드툴(121)의 화소 진공 흡착부(124)는 접합 소재에 교체용 마이크로 LED(정상 LED)의 단자가 잠길 위치까지 하강하여 스탬핑(stamping)할 수 있다. 또한, 상기 동축 헤드툴(121)은 상기 리페어 위치로 상기 접합 소재가 스탬핑된 교체용 마이크로 LED를 이동시키고, 상기 레이저 광조사부(123)의 레이저를 이용해 상기 접합 소재를 경화시킬 수 있다.In addition, the pixel vacuum adsorption unit 124 of the coaxial head tool 121 can be lowered to a position where the terminal of a replacement micro LED (normal LED) is locked to the bonding material for stamping. In addition, the coaxial head tool 121 can move the replacement micro LED stamped with the bonding material to the repair position and harden the bonding material using the laser of the laser light irradiation unit 123.

상기 정렬 비전 모듈(122)은 상기 접합 소재가 스탬핑된 교체용 마이크로 LED를 상기 리페어 위치로 정렬 및 오차를 보정할 수 있다.The alignment vision module 122 can align the replacement micro LED stamped with the bonding material to the repair position and correct errors.

도 8 내지 도 23은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치의 구성과 리페어 방법을 보다 상세하게 설명하기 위한 도면이다.8 to 23 are diagrams to explain in more detail the configuration and repair method of a micro LED display defective pixel EL inspection and repair device according to an embodiment of the present invention.

이후부터는 도 8 내지 도 23을 참조하여 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치의 구성과 리페어 방법을 보다 상세하게 설명하기로 한다.From now on, the configuration and repair method of the micro LED display defective pixel EL inspection and repair device will be described in more detail with reference to FIGS. 8 to 23.

도 8을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 불량 화소 리페어를 위한 마이크로 LED는 크기 80 × 120 ㎛, 두께는 10 ㎛ 이하, 전극 사이즈는 30 ㎛ 이하, 칩간 간격 60 ㎛ 이하로 구성될 수 있으며, 도 9에 도시된 바와 같이 불량 화소 교체 및 실장을 위한 마이크로 LED 디스플레이의 이송 모듈은 X축, Y축 최대 이송길이 (X축)300 ㎜ 이상, (Y축)±25 ㎜, X축, Y축 최대/최소 이송속도 1 ㎛/s 이하, 150 ㎜/s 이상, Theta축 최대회전각도 ± 5.5°, Theta축 위치 보정 반복 정밀도 ± 2 arcsec로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 8, the micro LED for defective pixel repair according to an embodiment of the present invention can be configured to have a size of 80 × 120 ㎛, a thickness of 10 ㎛ or less, an electrode size of 30 ㎛ or less, and an inter-chip gap of 60 ㎛ or less. As shown in Figure 9, the transfer module of the micro LED display for replacing and mounting defective pixels has a maximum transfer length of X-axis and Y-axis (X-axis) of 300 mm or more, (Y-axis) ±25 mm, It can be configured with Y-axis maximum/minimum transfer speed of 1 ㎛/s or less, 150 mm/s or more, Theta-axis maximum rotation angle ± 5.5°, and Theta-axis position correction repetition accuracy ± 2 arcsec.

또한, 도 10에 도시된 바와 같이 마이크로 LED 리페어용 동축 헤드툴은 초소형 마이크로 LED 리페어를 위해 투명 퀄츠 소재를 적용한 화소 진공 흡착부의 진공흡착 방향과 레이저 조사 방향을 동축으로 설계하여, 비동축 방향 리페어 적용 시 인접 화소 간섭 발생을 제거할 수 있다.In addition, as shown in Figure 10, the coaxial head tool for micro LED repair is designed to be coaxial in the vacuum adsorption direction of the pixel vacuum adsorption part and the laser irradiation direction using transparent quartz material for ultra-small micro LED repair, thereby applying non-coaxial direction repair. Interference between adjacent pixels can be eliminated.

도 11은 동축 헤드툴의 불량 화소 진공 흡착 헤드 구조(좌)와, 접합 소재 최대 점도 변화 시점 제어 방법(우)을 도시하고 있다. 상기 동축 헤드툴은 레이저 광조사부와 동축 결합된 진공 흡착부를 포함하는 헤드 구조로서, 마이크로 LED 진공 흡착 압력 제어와 접합 소재 용융에 따른 진공 흡착 시점 및 종점 제어를 제공할 수 있다. 이를 통해 레이저 조사에 의해 접합소재가 용융 또는 경화되는 타이밍에 맞게 마이크로 LED의 제거 및 실장이 되도록 제어를 최적화할 수 있다.Figure 11 shows the defective pixel vacuum adsorption head structure of the coaxial head tool (left) and the method of controlling the maximum viscosity change point of the bonding material (right). The coaxial head tool is a head structure that includes a laser light irradiation unit and a vacuum adsorption unit coaxially coupled, and can provide micro LED vacuum adsorption pressure control and vacuum adsorption start and end point control according to melting of the bonding material. Through this, control can be optimized to ensure removal and mounting of micro LEDs according to the timing when the bonding material is melted or hardened by laser irradiation.

한편, 도 12에 도시된 바와 같이 동축 헤드툴은 펄스 제어를 통해 불량화소 제거를 위한 접합 소재의 레이저 용융 조건을 최적화 할 수 있으며, 도 13에서와 같이 불량화소 리페어 공정으로서 레이저 조사 및 흡착 공정을 통해, 인접 화소 간섭 없이 불량화소만 흡착 제거 및 교체가 가능하며, 동축 방향 레이저 조사를 통해 실장이 가능한 진공흡착/레이저 조사 공정 조건의 최적화가 가능하다.Meanwhile, as shown in Figure 12, the coaxial head tool can optimize the laser melting conditions of the bonding material for removing defective pixels through pulse control, and as shown in Figure 13, the laser irradiation and adsorption process is used as a defective pixel repair process. Through this, only defective pixels can be adsorbed, removed, and replaced without interfering with adjacent pixels, and the vacuum adsorption/laser irradiation process conditions that enable mounting through coaxial laser irradiation can be optimized.

이때, 도 14에서와 같이 단일 마이크로 LED 단위로 진공 흡착이 가능한 피치로 전사 필름을 배열하여 선택하여 전사할 수 있으며, 도 15에서와 같이 마이크로 LED 전사를 위한 시트의 점착력 제어 온도 조건을 설정하여, 전사 필름 상의 교체용 단일 마이크로의 LED 진공 흡착 공정의 온도 조건을 설정할 수 있다.At this time, as shown in Figure 14, the transfer film can be selected and transferred by arranging the transfer film at a pitch that allows vacuum adsorption in a single micro LED unit, and as shown in Figure 15, the adhesion control temperature conditions of the sheet for micro LED transfer are set, The temperature conditions of the LED vacuum adsorption process of the replacement single micro on the transfer film can be set.

아울러, 도 16에서와 불량화소 제거 후 스탬핑(Stamping) 공정을 통해 신규 접합 소재를 적용하여 교체화소를 실장 후에, 리페어후 접속 저항 평가를 통해 리페어 신뢰성을 확보할 수 있다. 즉, 동축 헤드툴의 레이저 광조사부와 화소 진공 흡착부를 이용한 리페어 장비의 레이저 출력과 렌즈 배율을 최적화하여, 레이저 조사 영역이 불량이 아닌 인접 픽셀과 50 ㎛ 이상의 간격을 두도록 하여, 마이크로 LED의 교체 실장 시 인접 픽셀(pixel)에 대한 데미지(damage)를 최소화할 수 있다.In addition, as shown in Figure 16, after removing the defective pixel and mounting the replacement pixel by applying a new bonding material through a stamping process, repair reliability can be secured through connection resistance evaluation after repair. In other words, by optimizing the laser output and lens magnification of the repair equipment using the laser light irradiation section of the coaxial head tool and the pixel vacuum adsorption section, the laser irradiation area is spaced more than 50 ㎛ from adjacent non-defective pixels for replacement mounting of micro LEDs. Damage to adjacent pixels can be minimized.

도 17은 동축 헤드툴의 레이저 광조사부의 보다 세부적인 구조를 도시하고 있으며, 도 18은 동축 헤드툴을 이용한 접합 소재의 스탬핑 공정을 설명하고 있다. 도 17에 도시된 바와 같이 상기 동축 헤드툴은 레이저 광조사부의 레이저 조사 상태 모니터링을 위한 비전 및 조명 제어가 가능한 구조로서, 980 nm 반도체 레이저 소스를 적용하는 광조사 면적 수동 가변 광학 구조를 통해 수직 방향 레이저 조사면 균질성(Uniformity)을 향상시킬 수 있으며, 도 18에 도시된 바와 같이 접합 소재 디스펜싱 이후 마이크로 LED 교체를 위한 실장이 이루어진다. 이와 같은 비전 및 조명 제어가 가능한 정렬 비전 모듈은 상기 동축 헤드툴에 포함되는 구조로 구성되거나, 별도의 모듈로 구성될 수 있다.Figure 17 shows a more detailed structure of the laser light irradiation part of the coaxial head tool, and Figure 18 explains the stamping process of the bonding material using the coaxial head tool. As shown in FIG. 17, the coaxial head tool is a structure capable of vision and lighting control for monitoring the laser irradiation status of the laser light irradiation unit, and the light irradiation area applied to the 980 nm semiconductor laser source is a passively variable optical structure to vertically adjust the head tool. Uniformity of the laser irradiated surface can be improved, and as shown in Figure 18, mounting for micro LED replacement is performed after dispensing the bonding material. The alignment vision module capable of such vision and lighting control may be configured as a structure included in the coaxial head tool, or may be configured as a separate module.

이때, 도 19에서와 같이 리페어 레이저 조사 면적의 최적화를 위해, 80 × 120 마이크로 LED 대비 편측 50 ㎛ 를 확장하는 영역 레이저 조사 광학계 설계를 통한 인접 화소 간섭을 제거할 수 있다. At this time, in order to optimize the repair laser irradiation area as shown in FIG. 19, interference with adjacent pixels can be removed by designing an area laser irradiation optical system that extends 50 ㎛ on one side compared to the 80 × 120 micro LED.

또한, 도 20에서와 같이 불량 화소 교체 시의 정밀 교체 실장을 위한 동축 헤드툴의 PID(Proportional-Integral-Differential controller) 하중 제어가 이루어질 수 있다.In addition, as shown in FIG. 20, PID (Proportional-Integral-Differential Controller) load control of the coaxial head tool can be performed for precision replacement mounting when replacing defective pixels.

도 21를 참조하면 상기 동축 헤드툴은 마이크로 LED 단자 간의 쇼트(Short) 방지를 위한 접합 소재 점도와 스탬핑(Stamping) 깊이를 최적화하여 제어할 수 있으며, 도 22에서와 같이 불량화소 리페어 공정에서 발생 가능한 위치 오정렬, 상하 틸팅(Tilting), 파손(Breaking), 단자 떨어짐 불량 방지를 위한 실장 하중 조건과 동축 방향 융용/흡착 방법을 제어할 수 있다.Referring to Figure 21, the coaxial head tool can be controlled by optimizing the bonding material viscosity and stamping depth to prevent short circuits between micro LED terminals, and as shown in Figure 22, it is possible to control the defective pixel repair process that may occur. Mounting load conditions and coaxial melting/adsorption methods can be controlled to prevent misalignment, tilting, breaking, and terminal dropping defects.

또한, 도 23에서와 같이 UVW 스테이지(stage)와 2 개의 정렬 비전 모듈(Vision system)을 이용해 동출 헤드툴의 불량 화소 교체 위치의 오차 보정이 가능하며, 이를 통해 정렬(Alignment) 정밀도 3 ㎛ 미만 기준 구현이 가능하다.In addition, as shown in Figure 23, it is possible to correct the error in the replacement position of the defective pixel of the head tool using a UVW stage and two alignment vision modules, and through this, the alignment precision is less than 3 ㎛. Implementation is possible.

이후부터는 도 24 내지 도 28을 참조하여 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀의 리페어의 평가 방법을 설명하기로 한다.From now on, an evaluation method for repairing defective pixels of a micro LED display will be described with reference to FIGS. 24 to 28.

도 24를 참조하면, 80 × 120 ㎛ 마이크로 LED 적용 30 PPI 패널을 통해 불량 화소 교체 시의 실장 평가가 이루어질 수 있으며, 도 25에서와 같이 솔더, 자가정렬형 페이스트, 실버 페이스트 등 접합 소재에 따른 접합성 평가가 이루어질 수 있다.Referring to Figure 24, mounting evaluation when replacing defective pixels can be performed through a 30 PPI panel with 80 Evaluation can be made.

또한, 도 26에서와 같이 고온 챔버를 이용하여 리페어 한 마이크로 LED의 고온 수명 검사를 수행하며, 이때 고온, 고습 조건에 노출시켜 고온 수명 검사가 이루어지며, 구체적으로 24 시간 동안 70도 이상의 고온 및 80% 이상의 습도 조건에 노출 하고, 도 27에서와 같이 마이크로 LED의 상태 확인을 한다. 이를 통해, 교체화소 실장 후 신뢰성 검사를 통해 리페어 과정의 검증이 가능하다.In addition, as shown in Figure 26, a high-temperature lifespan test is performed on the repaired micro LED using a high-temperature chamber. At this time, the high-temperature lifespan test is performed by exposing it to high temperature and high humidity conditions, specifically, a high temperature of 70 degrees or more for 24 hours and a high temperature of 80 degrees Celsius or more. Exposure to humidity conditions above % and check the status of the micro LED as shown in Figure 27. Through this, it is possible to verify the repair process through a reliability test after mounting the replacement pixel.

또한, 본 발명에 따르면 이미지 센서 모듈에서 취득한 전 영역 이미지에서 실제 칩을 객체화 및 배열화 하여, 개별 검사데이터와 위치데이터 및 정렬 등의 데이터를 운용에 적합한 형태로 직렬화하고, 직렬화 된 데이터를 보존 및 분석이 가능하며, 또한 선별 및 리페어 공정에 적용하기 위한 모션제어와의 연동이 가능하도록 최적화된 구조의 DB Scheme을 설계할 수 있다.In addition, according to the present invention, the actual chips are objectified and arranged in the entire area image acquired from the image sensor module, data such as individual inspection data, location data, and alignment are serialized in a form suitable for operation, and the serialized data is preserved and stored. Analysis is possible, and a DB Scheme with an optimized structure can be designed to enable linkage with motion control for application to selection and repair processes.

이를 통해, 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 시의 EL 프로브 모듈의 프로브(마이크로 스프링 팁)의 반복 컨택과 환경(온도, 습도 등)에 따라 불규칙하게 발생할 수 있는 위치 변동에 대하여 보정할 수 있도록 영상처리가 이루어질 수 있다. 도 28에 도시된 바와 같이 EL 검사 시의 R, G, B 밝기 레벨 결과에 따른 정상 또는 불량(양불)의 판정 조건을 최적화 할 수 있으며, EL 검사의 정확도 향상을 위하여 PD 측정 및 이미지센서 측정의 양불 판정 결과를 매핑할 수 있다.Through this, it is possible to compensate for positional changes that may occur irregularly depending on repeated contact of the probe (micro spring tip) of the EL probe module and the environment (temperature, humidity, etc.) when inspecting and repairing defective pixel EL of a micro LED display. Image processing may be performed. As shown in Figure 28, the judgment conditions of normal or defective (good or bad) can be optimized according to the R, G, and B brightness level results during EL inspection, and PD measurement and image sensor measurement can be used to improve the accuracy of EL inspection. The pass/fail judgment results can be mapped.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the detailed description of the present invention as described above, specific embodiments have been described. However, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. The technical idea of the present invention should not be limited to the above-described embodiments of the present invention, but should be determined not only by the claims but also by equivalents to the claims.

Claims (14)

마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module)을 이용한 EL(Electroluminescence) 검사를 통해, 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별하는 제1 단계; 및
상기 교체대상 마이크로 LED를 떼어낸 리페어 위치에, 접합 소재가 스탬핑(stamping)된 마이크로 LED를 실장하는 제2 단계;를 포함하고,
상기 제2 단계는,
상기 선별된 교체대상 마이크로 LED의 위치로 헤드툴을 이동하여,
레이저를 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED의 접합 소재를 녹이고,
상기 헤드툴을 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED를 흡착하여 떼어내고,
상기 마이크로 LED를 스탬핑 위치로 이동시키고,
접합 소재에 상기 마이크로 LED의 단자가 잠길 위치까지 하강하여 스탬핑(stamping)하고,
상기 접합 소재가 스탬핑된 상기 마이크로 LED를 상기 교체대상 마이크로 LED가 제거된 리페어 위치로 이동하고,
상기 마이크로 LED를 상기 리페어 위치로 배치하여 레이저를 이용해 상기 접합 소재를 경화하고,
상기 접합 소재는,
10,000 내지 20,000 cps 솔더, SAP(Self Assembly Anisotropic Conductive Paste)로 구성되거나 또는 ACF(Anisotropic Conductive Film) 소재로 구성되고,
상기 헤드툴은,
동축 헤드툴로서 투명 퀄츠 소재를 적용한 화소 진공 흡착부를 포함하고, 상기 화소 진공 흡착부의 진공흡착 방향과 상기 레이저의 조사 방향이 동축으로 구성되는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법.
A first step of selecting replacement target micro LEDs on the micro LED display through EL (Electroluminescence) inspection using an EL probe module including a micro spring tip; and
A second step of mounting a micro LED stamped with a bonding material at the repair location where the micro LED to be replaced was removed,
The second step is,
Move the head tool to the location of the selected micro LED to be replaced,
Using a laser, melt the bonding material of the micro LED to be replaced,
Using the head tool, adsorb and remove the micro LED to be replaced,
Move the micro LED to the stamping position,
Lower and stamp the terminal of the micro LED on the bonding material to a position where it will be locked,
Move the micro LED stamped with the bonding material to the repair position where the micro LED to be replaced is removed,
Place the micro LED at the repair position and cure the bonding material using a laser,
The bonding material is:
Consisting of 10,000 to 20,000 cps solder, SAP (Self Assembly Anisotropic Conductive Paste), or ACF (Anisotropic Conductive Film) material,
The head tool is,
A method for inspecting and repairing defective pixel EL in a micro LED display, including a pixel vacuum adsorption unit made of a transparent quartz material as a coaxial head tool, and the vacuum adsorption direction of the pixel vacuum adsorption unit and the laser irradiation direction are coaxial.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 단계는,
실리콘 러버, 실리콘 또는 전도성 파우더 팁이 접합된 마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈을 이용해 EL 검사를 하는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법.
In claim 1,
The first step is,
A method for EL inspection and repair of defective pixels in a micro LED display that performs EL inspection using an EL probe module containing a micro spring tip bonded to silicone rubber, silicone, or conductive powder tip.
청구항 1 있어서,
상기 마이크로 스프링 팁은,
적어도 1개 이상의 충격 흡수용 곡면을 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법.
In claim 1,
The micro spring tip is,
Method for inspecting and repairing defective pixel EL of a micro LED display including at least one curved surface for shock absorption.
청구항 1에 있어서,
상기 EL 프로브 모듈은,
마이크로 LED 디스플레이 상의 각 라인 상의 다수의 교체대상 마이크로 LED를 각각 동시에 검사하도록 일렬로 배열되는 다수의 마이크로 스프링 팁을 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법.
In claim 1,
The EL probe module is,
A micro LED display defective pixel EL inspection and repair method comprising a plurality of micro spring tips arranged in a row to simultaneously inspect a plurality of micro LEDs to be replaced on each line of the micro LED display.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 단계는,
이미지 센서 모듈에서 촬영된 R,G,B 레벨의 분석을 통해 상기 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별하는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법.
In claim 1,
The first step is,
A micro LED display defective pixel EL inspection and repair method that selects micro LEDs for replacement on the micro LED display through analysis of R, G, and B levels captured by the image sensor module.
삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제2 단계 이후에,
상기 마이크로 LED 및 실장 상태를 검증하는 제3 단계;
를 더 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 방법.
In claim 1,
After the second step,
A third step of verifying the micro LED and mounting state;
A micro LED display defective pixel EL inspection and repair method further comprising:
마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module)을 이용한 EL(Electroluminescence) 검사를 통해, 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별하는 검사부; 및
상기 교체대상 마이크로 LED를 떼어낸 리페어 위치에, 접합 소재가 스탬핑(stamping)된 마이크로 LED를 실장하는 리페어부;
를 포함하고,
상기 선별된 교체대상 마이크로 LED의 위치로 이동하여 레이저를 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED의 접합 소재를 녹이고, 이용해 상기 교체대상 마이크로 LED를 흡착하여 떼어내는 동축 헤드툴;
접합 소재에 상기 마이크로 LED의 단자가 잠길 위치까지 하강하여 스탬핑(stamping)하는 스탬핑 모듈; 및
상기 접합 소재가 스탬핑된 마이크로 LED를 상기 리페어 위치로 정렬 및 오차를 보정하는 정렬 비전 모듈;을 포함하고,
상기 동축 헤드툴은,
투명 퀄츠 소재를 적용한 화소 진공 흡착부를 포함하고, 상기 화소 진공 흡착부의 진공흡착 방향과 상기 레이저의 조사 방향이 동축으로 구성되고, 상기 리페어 위치로 상기 접합 소재가 스탬핑된 마이크로 LED를 이동시키고, 상기 레이저를 이용해 상기 접합 소재를 경화시키고,
상기 접합 소재는,
10,000 내지 20,000 cps 솔더, SAP(Self Assembly Anisotropic Conductive Paste)로 구성되거나 또는 ACF(Anisotropic Conductive Film) 소재로 구성되는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치.
An inspection unit that selects micro LEDs to be replaced on the micro LED display through EL (Electroluminescence) inspection using an EL probe module (Electroluminescence Probe Module) including a micro spring tip; and
A repair unit that mounts a micro LED stamped with a bonding material at the repair location where the micro LED to be replaced is removed;
Including,
A coaxial head tool that moves to the selected position of the micro LED to be replaced, melts the bonding material of the micro LED to be replaced using a laser, and uses it to adsorb and remove the micro LED to be replaced;
a stamping module that lowers and stamps the terminal of the micro LED into the bonding material to a position where it is locked; and
It includes an alignment vision module that aligns the micro LED stamped with the bonding material to the repair position and corrects errors,
The coaxial head tool is,
It includes a pixel vacuum adsorption unit using a transparent quartz material, the vacuum adsorption direction of the pixel vacuum adsorption unit and the irradiation direction of the laser are coaxial, moving the micro LED stamped with the bonding material to the repair position, and the laser Curing the bonding material using
The bonding material is:
Micro LED display defective pixel EL inspection and repair device consisting of 10,000 to 20,000 cps solder, SAP (Self Assembly Anisotropic Conductive Paste), or ACF (Anisotropic Conductive Film) material.
청구항 9에 있어서,
상기 검사부는,
실리콘 러버, 실리콘 또는 전도성 파우더 팁이 접합된 마이크로 스프링 팁을 포함하는 EL 프로브 모듈(Electroluminescence Probe Module); 및
상기 EL 프로브 모듈을 통해 이미지 센서 모듈에서 촬영된 마이크로 LED의 R,G,B 레벨을 추출하여 마이크로 LED 디스플레이 상의 교체대상 마이크로 LED를 선별하는 LED 판정 모듈;
을 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치.
In claim 9,
The inspection department,
EL probe module (Electroluminescence Probe Module) containing a micro spring tip bonded to silicone rubber, silicone or conductive powder tip; and
An LED determination module that selects a micro LED to be replaced on the micro LED display by extracting the R, G, and B levels of the micro LED photographed by the image sensor module through the EL probe module;
A micro LED display defective pixel EL inspection and repair device.
청구항 9에 있어서,
상기 마이크로 스프링 팁은,
적어도 1개 이상의 충격 흡수용 곡면을 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치.
In claim 9,
The micro spring tip is,
A micro LED display defective pixel EL inspection and repair device that includes at least one curved surface for shock absorption.
청구항 9에 있어서,
상기 EL 프로브 모듈은,
마이크로 LED 디스플레이 상의 각 라인 상의 다수의 교체대상 마이크로 LED를 각각 동시에 검사하도록 일렬로 배열되는 다수의 마이크로 스프링 팁을 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 불량 픽셀 EL 검사 및 리페어 장치.
In claim 9,
The EL probe module is,
A micro LED display defective pixel EL inspection and repair device comprising a plurality of micro spring tips arranged in a row to simultaneously inspect a plurality of micro LEDs to be replaced on each line of the micro LED display.
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