KR102628178B1 - Substrate cleaning device and substrate cleaning method - Google Patents
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Abstract
단시간에 효과가 높은 세정 도구의 셀프 클리닝을 행할 수 있는 기판 세정 장치를 제공한다. 기판 세정 장치는, 기판의 표면에 접촉해서 기판을 세정하기 위한 세정 도구와, 세정 도구에 접촉해서 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 셀프 클리닝 부재와, 세정 도구를 회전시키기 위한 세정 도구 회전 기구와, 세정 도구를 보유 지지하기 위한 세정 도구 보유 지지 기구이며, 세정 도구를 기판에 압박할 수 있음과 함께, 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 압박할 수 있는, 세정 도구 보유 지지 기구를 구비한다. 또한, 기판 세정 장치는, 세정 도구를 셀프 클리닝할 때 세정 도구 회전 기구가 세정 도구를 회전시키는 셀프 클리닝 시 토크가, 세정 도구가 기판을 세정할 때 세정 도구 회전 기구가 세정 도구를 회전시키는 기판 세정 시 토크 이상의 소정 토크로 되도록, 세정 도구의 셀프 클리닝 부재에의 압박력을 제어하는 제어부를 구비한다.A substrate cleaning device capable of performing self-cleaning with a highly effective cleaning tool in a short period of time is provided. The substrate cleaning device includes a cleaning tool for contacting the surface of the substrate to clean the substrate, a self-cleaning member for contacting the cleaning tool to self-clean the cleaning tool, a cleaning tool rotation mechanism for rotating the cleaning tool, and a cleaning tool for rotating the cleaning tool. It is a cleaning tool holding mechanism for holding and supporting a tool, and is provided with a cleaning tool holding mechanism capable of pressing the cleaning tool to the substrate and pressing the cleaning tool to the self-cleaning member. In addition, the substrate cleaning device has a self-cleaning torque in which the cleaning tool rotating mechanism rotates the cleaning tool when the cleaning tool is self-cleaned, and the cleaning tool rotating mechanism rotates the cleaning tool when the cleaning tool cleans the substrate. A control unit is provided to control the pressing force of the cleaning tool against the self-cleaning member so as to achieve a predetermined torque equal to or higher than the initial torque.
Description
본 발명은 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate cleaning device and a substrate cleaning method.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 실리콘 기판 상에 물성이 다른 다양한 막이 형성되고, 이들 막에 다양한 가공이 실시됨으로써 미세한 금속 배선이 형성된다. 예를 들어, 다마신 배선 형성 공정에서는, 막에 배선 홈을 형성하고, 이 배선 홈에 Cu 등의 금속을 매립한다. 그 후, 화학 기계 연마(CMP)에 의해 여분의 금속을 제거함으로써 금속 배선이 형성된다. 일반적으로, 기판을 연마하는 CMP 장치(연마 장치)는, 연마된 기판을 세정하는 기판 세정 장치를 구비하고 있다. 기판의 세정은, 기판을 회전시키면서, 롤 스펀지 또는 펜 스펀지 등의 세정 도구를 기판에 접촉시킴으로써 행하여진다.In the semiconductor device manufacturing process, various films with different physical properties are formed on a silicon substrate, and various processes are performed on these films to form fine metal wiring. For example, in the damascene wiring forming process, a wiring groove is formed in the film, and a metal such as Cu is buried in the wiring groove. Afterwards, metal wiring is formed by removing excess metal by chemical mechanical polishing (CMP). Generally, a CMP device (polishing device) for polishing a substrate is equipped with a substrate cleaning device for cleaning the polished substrate. Cleaning of the substrate is performed by bringing a cleaning tool such as a roll sponge or pen sponge into contact with the substrate while rotating the substrate.
세정 도구로 기판을 세정함에 따라서, CMP에서 사용된 지립 또는 연마 부스러기(이하, 합쳐서 「처리 부스러기」라고도 함)가 세정 도구의 표면 및 내부에 축적된다. 그래서, 이러한 처리 부스러기를 세정 도구로부터 제거하기 위해서, 정기적으로 세정 도구를 셀프 클리닝하는 것이 행하여지고 있다. 이 세정 도구의 셀프 클리닝은, 세정 도구를 회전시키면서, 브러시 또는 플레이트와 같은 셀프 클리닝 부재에 접촉시킴으로써 행하여진다. 또한, 신규로 교환한 브러시로 연마 후의 기판을 세정하기 전에, 당해 브러시를 초기화할 목적으로, 브레이크 인이라고 칭하는 상기 셀프 클리닝과 마찬가지의 처리를 행하는 것도 행하여진다. 이하, 이들을 합쳐서 셀프 클리닝이라고 칭한다.As a substrate is cleaned with a cleaning tool, abrasive grains or polishing debris used in CMP (hereinafter collectively referred to as “processing debris”) accumulate on the surface and inside of the cleaning tool. Therefore, in order to remove such processing debris from the cleaning tool, regular self-cleaning of the cleaning tool is performed. Self-cleaning of this cleaning tool is performed by rotating the cleaning tool and bringing it into contact with a self-cleaning member such as a brush or plate. Additionally, before cleaning the polished substrate with a newly replaced brush, a process similar to the above self-cleaning called break-in is also performed for the purpose of initializing the brush. Hereinafter, these are collectively referred to as self-cleaning.
이러한 세정 도구의 셀프 클리닝은, 예를 들어 기판간(1매의 기판의 세정마다)에 비교적 짧은 시간 동안 이루어지고, 로트간(소정수의 기판의 세정마다) 그리고 브레이크 인 처리 시에 비교적 긴 시간 동안 이루어진다. 또한, 기판간의 셀프 클리닝에서는 세정액으로서 초순수가 사용되는 경우가 많고, 로트간의 셀프 클리닝 그리고 브레이크 인 처리 시에는 세정액으로서 약액이 사용되는 경우도 있다.Self-cleaning of such a cleaning tool is performed, for example, in a relatively short time between substrates (for each cleaning of one substrate), and for a relatively long time between lots (for each cleaning of a certain number of substrates) and during break-in processing. It takes place during Additionally, in self-cleaning between substrates, ultrapure water is often used as a cleaning liquid, and in self-cleaning between lots and during break-in processing, a chemical solution is sometimes used as a cleaning liquid.
세정 도구의 셀프 클리닝은, 기판의 처리 공정 중 내지 공정간에 실행되기 때문에, 셀프 클리닝에 걸리는 시간이 길어지면, 기판의 처리 전체의 시간 효율이 저하되어버린다. 한편, 셀프 클리닝을 단시간에 함으로써 세정 도구의 셀프 클리닝 효과가 저하되면, 세정 도구에 남은 처리 부스러기가 기판을 오염시킨다.Since self-cleaning of the cleaning tool is performed during or between substrate processing processes, if the time required for self-cleaning increases, the time efficiency of the entire substrate processing decreases. On the other hand, if the self-cleaning effect of the cleaning tool is reduced by performing self-cleaning in a short period of time, the processing debris remaining in the cleaning tool contaminates the substrate.
셀프 클리닝의 효과를 높이기 위해서, 세정 도구의 회전 속도, 또는 세정액의 온도 등을 조정하는 것을 생각할 수 있다. 즉, 세정 도구의 회전 속도가 클수록, 세정 도구와 셀프 클리닝 부재의 접촉부의 접촉 빈도가 커져서, 세정 도구의 셀프 클리닝 효과가 높아질 것으로 생각된다. 또한, 세정액의 온도가 높을수록, 연마 부스러기가 세정액에 배출되기 쉬워져, 세정 도구의 셀프 클리닝 효과가 높아질 것으로 생각된다.In order to increase the effectiveness of self-cleaning, it is conceivable to adjust the rotational speed of the cleaning tool, the temperature of the cleaning liquid, etc. In other words, it is thought that the higher the rotational speed of the cleaning tool, the greater the frequency of contact between the cleaning tool and the self-cleaning member, thereby increasing the self-cleaning effect of the cleaning tool. Additionally, it is thought that the higher the temperature of the cleaning liquid, the easier it is for polishing debris to be discharged into the cleaning liquid, thereby increasing the self-cleaning effect of the cleaning tool.
또한, 셀프 클리닝의 효과는, 세정 도구와 셀프 클리닝의 마찰에 영향을 받는다. 세정 도구와 셀프 클리닝 부재의 마찰이 부족하면, 세정 도구로부터 처리 부스러기가 배출되지 않아 충분한 셀프 클리닝 효과를 얻지 못한다. 한편, 세정 도구와 셀프 클리닝 부재의 마찰이 과도하게 크면, 세정 도구의 마모 열화의 원인이 될 수 있다. 그리고, 본 발명자의 연구에 의해, 세정 도구의 압박, 회전 속도 및 세정액의 온도는, 세정 도구와 셀프 클리닝 부재의 마찰에 다양한 형태로 영향을 미치는 것으로 판명되었다.Additionally, the effectiveness of self-cleaning is affected by the friction between the cleaning tool and the self-cleaning tool. If the friction between the cleaning tool and the self-cleaning member is insufficient, processing debris is not discharged from the cleaning tool, and a sufficient self-cleaning effect is not obtained. On the other hand, if the friction between the cleaning tool and the self-cleaning member is excessively large, it may cause wear and deterioration of the cleaning tool. Through research by the present inventor, it has been found that the pressure of the cleaning tool, the rotational speed, and the temperature of the cleaning liquid have various effects on the friction between the cleaning tool and the self-cleaning member.
본 발명은 상기 과제의 적어도 일부를 감안하여 이루어진 것이며, 단시간에 효과가 높은 세정 도구의 셀프 클리닝을 행할 수 있는 기판 세정 장치 또는 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또한, 본 발명은 세정 도구를 적합한 압박력으로 셀프 클리닝 부재에 압박해서 세정 도구를 셀프 클리닝할 수 있는 기판 세정 장치 또는 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.The present invention has been made in view of at least part of the above problems, and one of its purposes is to provide a substrate cleaning device or a substrate cleaning method that can perform highly effective self-cleaning of a cleaning tool in a short period of time. Another object of the present invention is to provide a substrate cleaning device or a substrate cleaning method capable of self-cleaning a cleaning tool by pressing the cleaning tool against a self-cleaning member with an appropriate pressing force.
(형태 1) 형태 1에 의하면, 기판 세정 장치가 제안되고, 상기 기판 세정 장치는, 기판의 표면에 접촉해서 당해 기판을 세정하기 위한 세정 도구와, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 셀프 클리닝 부재와, 상기 세정 도구를 회전시키기 위한 세정 도구 회전 기구와, 상기 세정 도구를 보유 지지하는 세정 도구 보유 지지 기구이며, 상기 세정 도구를 상기 기판에 압박할 수 있음과 함께, 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 압박할 수 있는, 세정 도구 보유 지지 기구와, 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재와 접촉하고 있을 때 상기 세정 도구 회전 기구가 상기 세정 도구를 회전시키는 토크가, 상기 세정 도구가 상기 기판을 세정할 때 상기 세정 도구 회전 기구가 상기 세정 도구를 회전시키는 기판 세정 시 토크 이상의 소정 토크로 되도록, 상기 세정 도구의 상기 셀프 클리닝 부재에의 압박력을 제어하는 제어부를 구비한다. 형태 1에 의하면, 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 적합한 압박력으로 압박하여, 세정 도구를 셀프 클리닝할 수 있다.(Form 1) According to
(형태 2) 형태 2에 의하면, 기판 세정 장치가 제안되고, 기판의 표면에 접촉해서 당해 기판을 세정하기 위한 세정 도구와, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 셀프 클리닝 부재와, 상기 세정 도구를 회전시키기 위한 세정 도구 회전 기구와, 상기 세정 도구를 보유 지지하는 세정 도구 보유 지지 기구이며, 상기 세정 도구를 상기 기판에 압박할 수 있음과 함께, 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 압박할 수 있는, 세정 도구 보유 지지 기구와, 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재와 접촉하고 있을 때, 상기 세정 도구가 제1회전 속도로 회전하고 있을 때는 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재에 제1 압박력으로 압박되도록 상기 세정 도구 보유 지지 기구를 제어하고, 상기 세정 도구가 상기 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도로 회전하고 있을 때는 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재에 상기 제1 압박력보다 큰 제2 압박력으로 압박되도록 상기 세정 도구 보유 지지 기구를 제어하는 제어부를 구비한다. 형태 2는, 세정 도구의 회전 속도가 클수록, 세정 도구와 셀프 클리닝 부재의 마찰이 작아지는 경향이 있다는 발견에 기초한다. 형태 2에 의하면, 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 적합한 압박력으로 압박하여, 세정 도구를 셀프 클리닝할 수 있다.(Form 2) According to Form 2, a substrate cleaning device is proposed, comprising: a cleaning tool for contacting a surface of a substrate to clean the substrate; a self-cleaning member for contacting the cleaning tool to self-clean the cleaning tool; a cleaning tool rotation mechanism for rotating the cleaning tool, and a cleaning tool holding mechanism for holding and supporting the cleaning tool, capable of pressing the cleaning tool against the substrate, and attaching the cleaning tool to the self-cleaning member. a cleaning tool holding support mechanism capable of pressing against the self-cleaning member, and when the cleaning tool is in contact with the self-cleaning member, the cleaning tool is rotated at a first rotational speed. 1. Control the cleaning tool holding mechanism to be pressed with a pressing force, and when the cleaning tool is rotating at a second rotational speed greater than the first rotational speed, the cleaning tool is applied to the self-cleaning member with a pressing force greater than the first pressing force. and a control unit that controls the cleaning tool holding mechanism to be pressed with a second pressing force. Form 2 is based on the finding that the greater the rotational speed of the cleaning tool, the smaller the friction between the cleaning tool and the self-cleaning member tends to be. According to mode 2, the cleaning tool can be self-cleaned by pressing the cleaning tool with an appropriate pressing force against the self-cleaning member.
(형태 3) 형태 3에 의하면, 기판 세정 장치가 제안되고, 상기 기판 세정 장치는, 기판의 표면에 접촉해서 당해 기판을 세정하기 위한 세정 도구와, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 셀프 클리닝 부재와, 상기 세정 도구를 회전시키기 위한 세정 도구 회전 기구와, 상기 세정 도구를 보유 지지하는 세정 도구 보유 지지 기구이며, 상기 세정 도구를 상기 기판에 압박할 수 있음과 함께, 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 압박할 수 있는, 세정 도구 보유 지지 기구와, 액체 중에서 또는 액체의 공급을 수반해서 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재와 접촉하고 있을 때, 상기 액체가 제1 온도일 때는 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재에 제1 압박력으로 압박되도록 상기 세정 도구 보유 지지 기구를 제어하고, 상기 액체가 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도일 때는 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재에 상기 제1 압박력보다 큰 제2 압박력으로 압박되도록 상기 세정 도구 보유 지지 기구를 제어하는 제어부를 구비한다. 형태 3은, 셀프 클리닝에 사용하는 액체의 온도가 높을수록, 세정 도구와 셀프 클리닝 부재의 마찰이 작아진다는 발견에 기초한다. 형태 3에 의하면, 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 적합한 압박력으로 압박하여, 세정 도구를 셀프 클리닝할 수 있다.(Form 3) According to mode 3, a substrate cleaning device is proposed, wherein the substrate cleaning device includes a cleaning tool for contacting the surface of a substrate to clean the substrate, and self-cleaning the cleaning tool by contacting the cleaning tool. a self-cleaning member for rotating the cleaning tool, a cleaning tool rotating mechanism for rotating the cleaning tool, and a cleaning tool holding mechanism for holding and supporting the cleaning tool, the cleaning tool being capable of pressing the cleaning tool against the substrate. a cleaning tool holding mechanism capable of pressing the tool against the self-cleaning member; and, when the cleaning tool is in contact with the self-cleaning member in a liquid or with a supply of liquid, when the liquid is at a first temperature. Controlling the cleaning tool holding mechanism so that the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force, and when the liquid is at a second temperature higher than the first temperature, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force. and a control unit that controls the cleaning tool holding support mechanism to be pressed with a second pressing force greater than the first pressing force. Form 3 is based on the finding that the higher the temperature of the liquid used for self-cleaning, the smaller the friction between the cleaning tool and the self-cleaning member. According to mode 3, the cleaning tool can be self-cleaned by pressing the cleaning tool with an appropriate pressing force against the self-cleaning member.
(형태 4) 형태 4에 의하면, 기판 세정 장치가 제안되고, 상기 기판 세정 장치는, 기판의 표면에 접촉해서 당해 기판을 세정하기 위한 세정 도구와, 제1 재료로 형성되어, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 제1 셀프 클리닝 부재와, 제2 재료로 형성되어, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 제2 셀프 클리닝 부재를 구비하고, 외부 입력에 기초하여 상기 제1 셀프 클리닝 부재와 상기 제2 셀프 클리닝 부재 중 한쪽을 선택하여, 상기 세정 도구를 상기 선택한 셀프 클리닝 부재와 접촉시킴으로써 당해 세정 도구를 셀프 클리닝한다. 형태 4에 의하면, 외부 입력에 기초하여 셀프 클리닝 부재를 선택하여, 세정 도구의 셀프 클리닝을 행할 수 있다. 이에 의해, 단시간에 효과가 높은 세정 도구의 셀프 클리닝을 행할 수 있다.(Form 4) According to Form 4, a substrate cleaning device is proposed, the substrate cleaning device comprising a cleaning tool for contacting the surface of a substrate to clean the substrate, and a first material, and contacting the cleaning tool. a first self-cleaning member for self-cleaning the cleaning tool, and a second self-cleaning member formed of a second material and contacting the cleaning tool to self-clean the cleaning tool, based on an external input. Then, one of the first self-cleaning member and the second self-cleaning member is selected, and the cleaning tool is brought into contact with the selected self-cleaning member to self-clean the cleaning tool. According to mode 4, self-cleaning of the cleaning tool can be performed by selecting a self-cleaning member based on an external input. As a result, highly effective self-cleaning of the cleaning tool can be performed in a short period of time.
(형태 5) 형태 5에 의하면, 기판 세정 장치가 제안되고, 상기 기판 세정 장치는, 기판의 표면에 접촉해서 당해 기판을 세정하기 위한 세정 도구와, 제1 재료로 형성되어, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 제1 셀프 클리닝 부재와, 제2 재료로 형성되어, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 제2 셀프 클리닝 부재를 구비하고, 상기 세정 도구를 상기 제1 셀프 클리닝 부재에 접촉시킨 후에 당해 세정 도구를 상기 제2 셀프 클리닝 부재에 접촉시킴으로써 당해 세정 도구를 셀프 클리닝한다. 형태 5에 의하면, 2개의 셀프 클리닝 부재를 사용하여, 세정 도구의 셀프 클리닝이 행하여진다. 이에 의해, 세정 도구의 셀프 클리닝의 효과를 높일 수 있다.(Form 5) According to Form 5, a substrate cleaning device is proposed, wherein the substrate cleaning device is formed of a cleaning tool for contacting the surface of a substrate and cleaning the substrate, and a first material, and contacting the cleaning tool. A first self-cleaning member is provided for self-cleaning the cleaning tool, and a second self-cleaning member is formed of a second material and is in contact with the cleaning tool to self-clean the cleaning tool. The cleaning tool is self-cleaned by bringing it into contact with the first self-cleaning member and then bringing the cleaning tool into contact with the second self-cleaning member. According to Embodiment 5, self-cleaning of the cleaning tool is performed using two self-cleaning members. As a result, the effectiveness of self-cleaning of the cleaning tool can be improved.
(형태 6) 형태 6에 의하면, 형태 4 또는 5의 기판 세정 장치에 있어서, 상기 제1 재료는, 상기 세정 도구를 셀프 클리닝할 때 상기 제2 재료에 비해서 표면 자유 에너지의 수소 결합성 성분이 많고 분산력 성분이 적은 재료이다. 형태 6에 의하면, 우선 제1 셀프 클리닝 부재를 사용해서 지립과 같이 표면 자유 에너지의 수소 결합성 성분이 많은 처리 부스러기를 세정 도구로부터 제거할 수 있고, 계속해서 제2 셀프 클리닝 부재를 사용해서 유기 착체와 같이 표면 자유 에너지의 분산력 성분이 많은 처리 부스러기를 세정 도구로부터 제거할 수 있다.(Form 6) According to Form 6, in the substrate cleaning device of Form 4 or 5, the first material has a higher hydrogen bonding component of surface free energy than the second material when self-cleaning the cleaning tool, It is a material with a low dispersion force component. According to mode 6, first, the first self-cleaning member can be used to remove processing debris, such as abrasives, containing a large hydrogen bonding component in the surface free energy from the cleaning tool, and then the second self-cleaning member can be used to remove the organic complex. As shown, processing debris with a large dispersion force component of surface free energy can be removed from the cleaning tool.
(형태 7) 형태 7에 의하면, 형태 4 내지 6 중 어느 것의 기판 세정 장치에 있어서, 상기 제1 재료는, 무기 산화물계 재료 또는 분자 구조 내에 극성기를 갖는 제1 유기 고분자계 재료이며, 상기 제2 재료는, 비극성의 제2 유기 고분자계 재료이다.(Form 7) According to Form 7, in the substrate cleaning device of any of Forms 4 to 6, the first material is an inorganic oxide-based material or a first organic polymer-based material having a polar group in the molecular structure, and the second The material is a nonpolar second organic polymer-based material.
(형태 8) 형태 8에 의하면, 형태 1 내지 7 중 어느 것의 기판 세정 장치에 있어서, 상기 세정 도구의 셀프 클리닝은, 제1 시간에서의 단시간 셀프 클리닝과, 상기 제1 시간보다 긴 제2 시간에서의 장시간 셀프 클리닝이 있으며, 상기 단시간 셀프 클리닝에서는 초순수가 사용되고, 상기 장시간 셀프 클리닝에서는 약액을 사용해도 되고, 약액을 사용한 경우에는 초순수에 의한 린스 처리가 계속해서 행하여진다. 어느 경우에든 액온을 올려서 세정 효과를 높이는 것을 행해도 된다. 또한, 약액을 사용한 뒤 초순수로 린스할 경우에, 그 전후로 세정 토크가 변화하는 경우가 있지만, 그 경우도 웨이퍼 세정 시의 토크와 동등 이상이 되도록 압박 내지 회전수를 가감한다.(Form 8) According to aspect 8, in the substrate cleaning device of any of
(형태 9) 형태 9에 의하면, 형태 1 내지 8 중 어느 것의 기판 세정 장치에 있어서, 액체가 저장되며, 상기 셀프 클리닝 부재를 수용하는 액조와, 상기 액체에 초음파 진동을 부여하는 진동부를 구비한다.(Form 9) According to mode 9, the substrate cleaning device of any of
(형태 10) 형태 10에 의하면, 형태 1 내지 9 중 어느 것의 기판 세정 장치에 있어서, 상기 세정 도구를 셀프 클리닝할 때 당해 세정 도구를 향해서 기체 또는 액체를 분출하는 분출부를 더 구비한다.(Form 10) According to mode 10, the substrate cleaning device of any of
(형태 11) 형태 11에 의하면, 기판 세정 방법이 제안되고, 상기 기판 세정 방법은, 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 기판의 표면에 접촉시켜서 당해 기판을 세정하는 기판 세정 스텝과, 상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 셀프 클리닝 스텝을 포함하고, 상기 셀프 클리닝 스텝에서는, 상기 세정 도구를 회전시키는 토크가, 상기 기판 세정 스텝에서 상기 세정 도구를 회전시키는 기판 세정 시 토크 이상의 소정 토크로 되도록, 상기 세정 도구의 상기 셀프 클리닝 부재에의 압박력을 제어한다. 형태 11에 의하면, 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 적합한 압박력으로 압박하여, 세정 도구를 셀프 클리닝할 수 있다.(Aspect 11) According to Aspect 11, a substrate cleaning method is proposed, the substrate cleaning method comprising: a substrate cleaning step of rotating a cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a surface of a substrate to clean the substrate; A self-cleaning step of rotating a cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a self-cleaning member to self-clean the cleaning tool, wherein in the self-cleaning step, a torque for rotating the cleaning tool is applied to the substrate cleaning step. The pressing force of the cleaning tool on the self-cleaning member is controlled so that a predetermined torque exceeds the torque during substrate cleaning by rotating the cleaning tool. According to mode 11, the cleaning tool can be self-cleaned by pressing the cleaning tool with an appropriate pressing force against the self-cleaning member.
(형태 12) 형태 12에 의하면, 기판 세정 방법이 제안되고, 상기 기판 세정 방법은, 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 기판의 표면에 접촉시켜서 당해 기판을 세정하는 기판 세정 스텝과, 상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 셀프 클리닝 스텝을 포함하고, 상기 셀프 클리닝 스텝에서는, 상기 세정 도구가 제1 회전 속도로 회전하고 있을 때는 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 제1 압박력으로 압박하고, 상기 세정 도구가 상기 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도로 회전하고 있을 때는 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 상기 제1 압박력보다 큰 제2 압박력으로 압박한다. 형태 12에 의하면, 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 적합한 압박력으로 압박하여, 세정 도구를 셀프 클리닝할 수 있다.(Aspect 12) According to Aspect 12, a substrate cleaning method is proposed, the substrate cleaning method comprising: a substrate cleaning step of rotating a cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a surface of a substrate to clean the substrate; A self-cleaning step of self-cleaning the cleaning tool by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a self-cleaning member, wherein in the self-cleaning step, when the cleaning tool is rotating at a first rotational speed. The cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force, and when the cleaning tool is rotating at a second rotational speed greater than the first rotational speed, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force. Apply pressure with a large second pressure force. According to mode 12, the cleaning tool can be self-cleaned by pressing the cleaning tool with an appropriate pressing force against the self-cleaning member.
(형태 13) 형태 13에 의하면, 기판 세정 방법이 제안되고, 상기 기판 세정 방법은, 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 기판의 표면에 접촉시켜서 당해 기판을 세정하는 기판 세정 스텝과, 상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 액체 중에서 또는 액체의 공급을 수반해서 상기 세정 도구를 액조 내의 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 셀프 클리닝 스텝을 포함하고, 상기 셀프 클리닝 스텝에서는, 상기 액체가 제1 온도일 때는 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 제1 압박력으로 압박하고, 상기 액체가 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도일 때는 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 상기 제1 압박력보다 큰 제2 압박력으로 압박한다. 형태 13에 의하면, 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 적합한 압박력으로 압박하여, 세정 도구를 셀프 클리닝할 수 있다.(Aspect 13) According to Aspect 13, a substrate cleaning method is proposed, the substrate cleaning method comprising: a substrate cleaning step of rotating a cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a surface of a substrate to clean the substrate; A self-cleaning step for self-cleaning the cleaning tool by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a self-cleaning member in a liquid tank in a liquid or with the supply of liquid, wherein in the self-cleaning step, the liquid When the liquid is at a first temperature, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force, and when the liquid is at a second temperature higher than the first temperature, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force. Apply pressure with a large second pressure force. According to mode 13, the cleaning tool can be self-cleaned by pressing the cleaning tool with an appropriate pressing force against the self-cleaning member.
(형태 14) 형태 14에 의하면, 기판 세정 방법이 제안되고, 상기 기판 세정 방법은, 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 기판의 표면에 접촉시켜서 당해 기판을 세정하는 기판 세정 스텝과, 외부 입력에 기초하여, 제1 재료로 형성된 제1 셀프 클리닝 부재와, 제2 재료로 형성된 제2 셀프 클리닝 부재 중 한쪽을 선택하는 선택 스텝과, 상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 상기 선택 스텝에서 선택된 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 셀프 클리닝 스텝을 포함한다. 형태 14에 의하면, 외부 입력에 기초하여 셀프 클리닝 부재를 선택하여, 세정 도구의 셀프 클리닝을 행할 수 있다. 이에 의해, 단시간에 효과가 높은 세정 도구의 셀프 클리닝을 행할 수 있다.(Aspect 14) According to Aspect 14, a substrate cleaning method is proposed, the substrate cleaning method comprising: a substrate cleaning step of rotating a cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with the surface of the substrate to clean the substrate; A selection step of selecting one of a first self-cleaning member formed of a first material and a second self-cleaning member formed of a second material based on the input, and rotating the cleaning tool and selecting the cleaning tool. It includes a self-cleaning step for self-cleaning the cleaning tool by contacting it with a self-cleaning member selected in the step. According to mode 14, self-cleaning of the cleaning tool can be performed by selecting a self-cleaning member based on an external input. As a result, highly effective self-cleaning of the cleaning tool can be performed in a short period of time.
(형태 15) 형태 15에 의하면, 기판 세정 방법이 제안되고, 상기 기판 세정 방법은, 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 기판의 표면에 접촉시켜서 당해 기판을 세정하는 기판 세정 스텝과, 상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 제1 재료로 형성된 제1 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 제1 셀프 클리닝 스텝과, 상기 제1 셀프 클리닝 스텝 후에, 상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 제2 재료로 형성된 제2 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 제2 셀프 클리닝 스텝을 포함한다. 형태 15에 의하면, 2개의 셀프 클리닝 부재를 사용하여, 세정 도구의 셀프 클리닝이 행하여진다. 이에 의해, 세정 도구의 셀프 클리닝의 효과를 높일 수 있다.(Aspect 15) According to Aspect 15, a substrate cleaning method is proposed, the substrate cleaning method comprising: a substrate cleaning step of rotating a cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a surface of a substrate to clean the substrate; A first self-cleaning step of self-cleaning the cleaning tool by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a first self-cleaning member made of a first material, and after the first self-cleaning step, the cleaning tool is and a second self-cleaning step of self-cleaning the cleaning tool by rotating it and bringing the cleaning tool into contact with a second self-cleaning member made of a second material. According to aspect 15, self-cleaning of the cleaning tool is performed using two self-cleaning members. As a result, the effectiveness of self-cleaning of the cleaning tool can be improved.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 세정 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 기판 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.
도 3은 다른 일례에 따른 기판 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.
도 4는 펜 부재의 셀프 클리닝을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 롤 부재의 셀프 클리닝을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 제1 실시 형태의 제어부에 의해 실행되는 셀프 클리닝 시 목표 압박력 설정 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 7은 제2 실시 형태의 제어부에 의해 실행되는 셀프 클리닝 시 목표 압박력 설정 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 8은 회전수(Ns) 및 온도(Tc)와 목표 압박력(Pp*)의 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 9는 제3 실시 형태에서의 액조와 셀프 클리닝 부재의 일례를 도시하는 도면이다.
도 10은 제3 실시 형태의 제어부에 의해 실행되는 셀프 클리닝 부재 선택 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 제4 실시 형태의 제어부에 의해 실행되는 셀프 클리닝 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus including a substrate cleaning apparatus according to an embodiment.
Figure 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate cleaning device according to an embodiment.
Figure 3 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate cleaning device according to another example.
Fig. 4 is a diagram schematically showing self-cleaning of a pen member.
Fig. 5 is a diagram schematically showing self-cleaning of a roll member.
FIG. 6 is a flowchart showing an example of target pressing force setting processing during self-cleaning executed by the control unit of the first embodiment.
Fig. 7 is a flowchart showing an example of target pressing force setting processing during self-cleaning executed by the control unit of the second embodiment.
FIG. 8 is a diagram showing an example of the relationship between the rotation speed Ns and temperature Tc and the target pressing force Pp*.
Fig. 9 is a diagram showing an example of a liquid tank and a self-cleaning member in the third embodiment.
Fig. 10 is a flowchart showing an example of self-cleaning member selection processing executed by the control unit of the third embodiment.
Fig. 11 is a flowchart showing an example of self-cleaning processing executed by the control unit of the fourth embodiment.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 이하에서 설명하는 도면에서, 동일한 또는 상당하는 구성 요소에는, 동일한 부호를 부여해서 중복된 설명을 생략한다. 본 실시 형태의 기판 세정 장치는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 일부로서 이용할 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings described below, identical or equivalent components are given the same reference numerals and redundant descriptions are omitted. The substrate cleaning device of this embodiment can be used as a part of a substrate processing device that processes substrates such as semiconductor wafers.
(제1 실시 형태)(First Embodiment)
도 1은, 실시 형태에 따른 기판 세정 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(10)는, 하우징(110)과, 하우징(110)에 인접해서 배치된 로드 포트(112)를 갖고 있다. 로드 포트(112)에는, 다수의 기판(Wf)(도 2 등 참조)을 스톡하기 위한 오픈 카세트, SMIF(Standard Manufacturing Interface) 포드, 또는 FOUP(Front Opening Unified Pod)를 탑재할 수 있다. SMIF 포드 및 FOUP는, 내부에 기판 카세트를 수납하고, 외부 공간과는 독립된 환경을 유지할 수 있는 밀폐 용기이다.1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus including a substrate cleaning apparatus according to an embodiment. As shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus 10 has a housing 110 and a load port 112 disposed adjacent to the housing 110 . The load port 112 can be equipped with an open cassette, a Standard Manufacturing Interface (SMIF) pod, or a Front Opening Unified Pod (FOUP) for stocking a plurality of substrates Wf (see FIG. 2, etc.). SMIF pods and FOUPs are sealed containers that store a substrate cassette inside and can maintain an environment independent of external space.
하우징(110)의 내부에는, 복수(도 1에 도시하는 양태에서는 4개)의 연마 유닛(114a 내지 114d)과, 연마 후의 기판(Wf)을 세정하는 제1 세정 유닛(116) 및 제2 세정 유닛(118)과, 세정 후의 기판(Wf)을 건조시키는 건조 유닛(120)이 수용되어 있다. 도 1에 도시하는 예에서는, 연마 유닛(114a 내지 114d)이 기판 처리 장치(10)의 길이 방향을 따라 배열되고, 세정 유닛(116, 118) 및 건조 유닛(120)이 연마 유닛(114a 내지 114d)과 병렬로 배치되어 있다.Inside the housing 110, there are a plurality of polishing units 114a to 114d (four in the embodiment shown in FIG. 1), a first cleaning unit 116 for cleaning the polished substrate Wf, and a second cleaning unit. A unit 118 and a drying unit 120 for drying the cleaned substrate Wf are accommodated. In the example shown in FIG. 1, the polishing units 114a to 114d are arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 10, and the cleaning units 116 and 118 and the drying unit 120 are arranged in the polishing units 114a to 114d. ) are placed in parallel.
로드 포트(112)와, 로드 포트(112)측에 위치하는 연마 유닛(114a) 및 건조 유닛(120)의 사이에는, 제1 반송 로봇(122)이 배치되어 있다. 또한, 연마 유닛(114a 내지 114d)과, 세정 유닛(116, 118) 및 건조 유닛(120)의 사이에, 반송 유닛(124)이 배치되어 있다. 제1 반송 로봇(122)은, 연마 전의 기판(Wf)을 로드 포트(112)로부터 수취해서 반송 유닛(124)에 전달하거나, 건조 유닛(120)으로부터 취출된 건조 후의 기판(Wf)을 반송 유닛(124)으로부터 수취하거나 한다.The first transport robot 122 is disposed between the load port 112 and the polishing unit 114a and drying unit 120 located on the load port 112 side. Additionally, a transfer unit 124 is disposed between the polishing units 114a to 114d, the cleaning units 116 and 118, and the drying unit 120. The first transfer robot 122 receives the substrate Wf before polishing from the load port 112 and delivers it to the transfer unit 124, or transfers the dried substrate Wf taken out from the drying unit 120 to the transfer unit. You can receive it from (124).
연마 유닛(114a 내지 114d)은, 기판(Wf)의 연마(평탄화)가 행하여지는 영역이다. 연마 유닛(114a 내지 114d)에 대해서는, 본 발명의 핵심을 이루지 않기 때문에 상세한 설명을 생략한다.The polishing units 114a to 114d are areas where polishing (flattening) of the substrate Wf is performed. Detailed description of the polishing units 114a to 114d is omitted since they do not constitute the core of the present invention.
제1 세정 유닛(116)과 제2 세정 유닛(118)의 사이에, 이들 제1 세정 유닛(116)과 제2 세정 유닛(118)의 사이에 기판(Wf)의 전달을 행하는 제2 반송 로봇(126)이 배치되어 있다. 또한, 제2 세정 유닛(118)과 건조 유닛(120)의 사이에, 이들 제2 세정 유닛(118)과 건조 유닛(120)의 사이에 기판(Wf)의 전달을 행하는 제3 반송 유닛(128)이 배치되어 있다. 또한, 하우징(110)의 내부에는, 기판 처리 장치(10)의 각 기기의 움직임을 제어하는 제어부(50)가 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 하우징(110)의 내부에 제어부(50)가 배치되어 있다. 단, 이러한 예에 한정되지 않고, 하우징(110)의 외부에 제어부(50)가 배치되어도 된다. 본 실시 형태에서는, 제어부(50)는, 외부 입력을 받아들이는 입력부(52)를 갖고 있다. 여기서, 외부 입력에는, 유저에 의한 기계적인 조작, 그리고 유선 또는 무선에 의한 외부 장치로부터의 신호의 입력이 포함될 수 있다.A second transfer robot that transfers the substrate Wf between the first cleaning unit 116 and the second cleaning unit 118. (126) is placed. In addition, a third transfer unit 128 is provided between the second cleaning unit 118 and the drying unit 120, and transfers the substrate Wf between the second cleaning unit 118 and the drying unit 120. ) is placed. Additionally, a control unit 50 that controls the movement of each device of the substrate processing apparatus 10 is disposed inside the housing 110 . In this embodiment, the control unit 50 is disposed inside the housing 110. However, it is not limited to this example, and the control unit 50 may be disposed outside the housing 110. In this embodiment, the control unit 50 has an input unit 52 that accepts external input. Here, the external input may include mechanical manipulation by the user and input of a signal from a wired or wireless external device.
본 실시 형태의 세정 유닛(116, 118)은, 후술하는 세정 도구를 자전시키면서 기판(Wf)의 표면에 접촉시킴으로써, 기판(Wf)을 세정한다. 또한, 세정 유닛(116, 118)은, 세정 도구와 합쳐서, 이류체 제트에 의해 기판(Wf)의 표면을 세정하는 이류체 제트 세정 장치를 사용해도 된다.The cleaning units 116 and 118 of this embodiment clean the substrate Wf by rotating a cleaning tool described later and bringing it into contact with the surface of the substrate Wf. Additionally, the cleaning units 116 and 118 may be combined with a cleaning tool to use a two-fluid jet cleaning device that cleans the surface of the substrate Wf with a two-fluid jet.
건조 유닛(120)은, 일례로서, 회전하는 기판(Wf)을 향해서, 도시하지 않은 노즐로부터 IPA 증기를 분출함으로써 기판(Wf)을 건조시킨다. 또한 건조 유닛(120)은, 기판(Wf)을 고속으로 회전시켜서 원심력에 의해 기판(Wf)을 건조시켜도 된다.As an example, the drying unit 120 dries the substrate Wf by ejecting IPA vapor from a nozzle (not shown) toward the rotating substrate Wf. Additionally, the drying unit 120 may rotate the substrate Wf at high speed and dry the substrate Wf by centrifugal force.
도 2는, 실시 형태에 따른 기판 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이며, 도 3은, 다른 일례에 따른 기판 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이다. 도시한 바와 같이, 기판 세정 장치(20)(기판 세정 유닛(116, 118))는, 기판(Wf)을 보유 지지해서 회전시키는 기판 회전 기구(본 실시 형태에서는 후술하는 지지 부재(40)를 참조)와, 기판(Wf)에 세정액을 공급하는 세정액 공급부(42)를 갖고 있다. 본 실시 형태의 세정액에는, 초순수(DIW) 등의 린스액과, 암모니아과산화수소(SC1), 염산과산화수소(SC2), 황산과산화수소(SPM), 황산가수, 불산 등의 약액이 포함되어 있다. 본 실시 형태에서 특별히 언급하지 않는 한, 세정액은, 린스액 또는 약액 중 어느 것을 의미하고 있다.FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate cleaning device according to an embodiment, and FIG. 3 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate cleaning device according to another example. As shown, the substrate cleaning device 20 (substrate cleaning units 116, 118) is a substrate rotation mechanism that holds and rotates the substrate Wf (in this embodiment, refer to the
기판(Wf)은, 그 중심축(중심 O를 통과해서 기판(Wf)의 표면에 수직인 축)을 회전축으로 해서 회전한다. 본 실시 형태에서는, 주로, 기판(Wf)의 표면이 수평 방향을 따라 연장되고, 회전축이 연직 방향으로 연장된 양태를 사용해서 설명하지만, 이것에 한정되지 않는다. 본 실시 형태의 기판 회전 기구는, 기판(Wf)의 외주를 지지하는 4개의 지지 부재(40)를 갖는다. 지지 부재(40)는, 예를 들어 스핀들, 척 등이다. 이 스핀들, 척 등의 회전에 의해, 기판(Wf)을 회전시킬 수 있다.The substrate Wf rotates with its central axis (an axis passing through the center O and perpendicular to the surface of the substrate Wf) as a rotation axis. In this embodiment, the description is mainly made using an aspect in which the surface of the substrate Wf extends along the horizontal direction and the rotation axis extends in the vertical direction, but it is not limited to this. The substrate rotation mechanism of this embodiment has four
기판 세정 장치(20)는, 기판(Wf)과 접촉해서 기판(Wf)을 세정하는 세정 도구(11), 세정 도구(11)를 회전시키는 세정 도구 회전 기구(31), 및 세정 도구(11)를 보유 지지하는 세정 도구 보유 지지 기구(32)를 구비하고 있다. 세정 도구(11)로서는, 기판(Wf)의 표면에 대하여 대략 수직인 회전축 주위로 자전하는 펜 부재(11A)(도 2 참조)를 사용할 수 있다. 또한, 세정 도구(11)로서는, 기판(Wf)의 직경의 거의 전체 길이에 걸쳐 직선상으로 연장되는 롤 부재(11B)(도 2, 도 3 참조)를 사용할 수 있다.The
세정 도구 회전 기구(31)는, 세정 도구(11)로서 펜 부재(11A)가 사용되고 있을 경우에는, 세정 도구(11)를 기판(Wf)의 표면에 대하여 대략 수직인 회전축 주위로 회전시킨다. 또한, 세정 도구 회전 기구(31)는, 세정 도구(11)로서 롤 부재(11B)가 사용되고 있을 경우에는, 세정 도구(11)를 기판(Wf)의 표면에 평행한 회전축 주위로 회전시킨다. 세정 도구 회전 기구(31)로서는, 다양한 기구를 채용할 수 있으며, 일례로서 DC 모터 및 링크 기구를 채용할 수 있다.When the
세정 도구 보유 지지 기구(32)는, 세정 도구(11) 및 세정 도구 회전 기구(31)를 기판(Wf)의 표면에 대하여 수직으로 이동시켜서, 세정 도구(11)를 기판(Wf)에 압박하거나 기판(Wf)으로부터 이격시키거나 할 수 있다. 세정 도구 보유 지지 기구(32)로서는, 다양한 기구를 채용할 수 있으며, 일례로서 볼 나사를 사용한 모터 구동 기구, 또는 에어 실린더 등을 채용할 수 있다. 또한, 세정 도구 보유 지지 기구(32)는, 세정 도구(11) 및 세정 도구 회전 기구(31)를 기판(Wf)의 표면에 대하여 평행하게 이동시켜서, 세정 도구(11)와 기판(Wf)의 접촉부를 변경하거나, 세정 도구(11)를 도시하지 않은 대기 위치로 이동시키거나 할 수 있다.The cleaning tool holding mechanism 32 moves the cleaning tool 11 and the cleaning
또한, 도 2에 도시하는 예에서는, 펜 부재(11A)가 기판(Wf)의 상면(도 2의 상면)을 세정하고, 롤 부재(11B)가 기판(Wf)의 하면(도 2의 하면)을 세정한다. 또한, 도 3에 도시하는 예에서는, 롤 부재(11B)가 기판(Wf)의 표면 및 이면을 세정한다. 단, 세정 도구(11)가 기판(Wf)의 표면에 접촉함으로써 기판(Wf)이 세정되면 되며, 기판 세정 장치(20)는, 도 2 또는 도 3의 예에 한정되는 것은 아니다.Additionally, in the example shown in FIG. 2, the
세정 도구(11)가 교환되는 등, 신규 세정 도구(11)가 사용되는 경우, 세정 도구(11)의 브레이크 인이 행하여진다. 세정 도구(11)는, 초기 상태에서는 건조되어 있는 경우도 있어, 이대로 세정 처리에 사용하면, 기판(Wf)을 손상시킬 우려가 있다. 또한, 습윤 상태로 제공되는 경우에도, 스펀지 자체에 오염의 원인이 되는 파티클이 부착되어 있는 경우가 있다. 이 때문에, 물을 적셔서 주물러 주거나, 파티클을 제거하도록 초기 길들임(브레이크 인)이 행하여진다. 이 브레이크 인이 행하여진 세정 도구(11)를 사용해서 세정 처리를 실행하고, 기판(Wf)에 대하여 세정 후의 역 오염 체크가 행하여진다. 역 오염이란, 청정한 기판(Wf)이 세정 도구(11)에 의해 오염되어버리는 것이다. 역 오염이 생기는 경우, 이후의 처리 프로세스에 중대한 악영향을 주므로, 이 역 오염 체크는 중요하다.When a new cleaning tool 11 is used, such as when the cleaning tool 11 is replaced, a break-in of the cleaning tool 11 is performed. The cleaning tool 11 may be dry in its initial state, and if used for cleaning as is, there is a risk of damaging the substrate Wf. Additionally, even when provided in a wet state, there are cases where particles that cause contamination may be attached to the sponge itself. For this reason, initial break-in (break-in) is performed by soaking and massaging with water or removing particles. A cleaning process is performed using the cleaning tool 11 on which this break-in has been performed, and a reverse contamination check after cleaning is performed on the substrate Wf. Reverse contamination means that the clean substrate Wf is contaminated by the cleaning tool 11. This reverse contamination check is important because if reverse contamination occurs, it will have a significant negative impact on the subsequent treatment process.
또한, 세정 도구(11)로 기판(Wf)을 세정함에 따라서, 기판(Wf)의 연마 시의 처리 부스러기가 세정 도구(11)의 표면 및 내부에 축적된다. 이 때문에, 정기적으로 세정 도구(11)의 셀프 클리닝이 행하여진다. 이 셀프 클리닝은, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝 부재(60)에 접촉시킴으로써 행하여진다. 세정 도구(11)의 셀프 클리닝은, 기판간(1매의 기판의 세정마다)에 비교적 짧은 시간(제1 시간) 동안 이루어지고, 로트간(소정수의 기판의 세정마다)에 비교적 긴 시간(제2 시간) 동안 이루어진다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판간의 셀프 클리닝에서는, 셀프 클리닝에 사용하는 액체로서 순수(DIW) 등이 사용된다. 한편, 로트간의 셀프 클리닝에서는, 암모니아과산화수소(SC1), 염산과산화수소(SC2), 황산과산화수소(SPM), 황산가수, 불산 등의 약액이 사용된 후에, 초순수가 사용된다. 단, 이러한 예에 한정되지 않고, 기판간의 셀프 클리닝에 있어서 약액이 사용되어도 되고, 로트간의 셀프 클리닝에 있어서 약액이 사용되지 않아도 된다. 또한, 이하에서는, 「셀프 클리닝」은, 「브레이크 인」을 포함하는 것으로 한다.Additionally, as the substrate Wf is cleaned with the cleaning tool 11, processing debris from polishing the substrate Wf accumulates on the surface and inside of the cleaning tool 11. For this reason, self-cleaning of the cleaning tool 11 is performed regularly. This self-cleaning is performed by bringing the cleaning tool 11 into contact with the self-cleaning
도 4는, 펜 부재(11A)의 셀프 클리닝을 모식적으로 도시하는 도면이며, 도 5는, 롤 부재(11B)의 셀프 클리닝을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 셀프 클리닝 부재(60)가 액조(62) 내에 배치되어 있다. 셀프 클리닝 부재(60)는, 예를 들어 석영판, 사파이어판과 같은 무기 산화물계 재료, 또는 PTFE, PVDF, PFA, PPS, PEEK, PMMA와 같은 내약품성, 저용출성이 양호한 유기 고분자계 재료에 의해 형성된다. 또한, 액조(62)에는, 초순수(DIW), 또는 암모니아과산화수소(SC1), 염산과산화수소(SC2), 황산과산화수소(SPM), 황산가수, 혹은 불산 등의 약액과 같은 액체(64)가 저장되어 있다. 액조(62)에서는, 액체 이송 기구(65)에 의해, 청정한 액체가 공급되거나, 또는 내부의 액체가 청정되면서 순환되는 것이 바람직하다. 또한, 액조(62)에 저장되는 액체(64)는, 온도 조절 기구(66)에 의해 온도를 조절할 수 있는 것이 바람직하다. 온도 조절 기구(66)로서는, 예를 들어 히터를 사용할 수 있다. 또한, 기판 세정 장치(20)는, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝 시에 액조(62) 내에 초음파 진동을 부여하는 진동부(67)를 구비하면 된다. 또한, 기판 세정 장치(20)는, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝 시에 세정 도구(11)를 향해서 기체 또는 액체를 분출하는 분출부(68)를 구비하면 된다.FIG. 4 is a diagram schematically showing self-cleaning of the
또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 예에서는, 셀프 클리닝 부재(60)가 액조(62) 내에 배치되는 것으로 하였다. 그러나, 이러한 예에 한정되지 않고, 액조(62)가 구비되지 않아도 된다. 단, 액조(62)가 구비되지 않는 경우에도, 액체 이송 기구(65)에 의한 액체(64)의 공급을 수반하여, 즉 예를 들어 액체(64)가 연속적으로 흘려보내지면서, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝이 행하여져도 된다. 또한, 이러한 경우에도, 온도 조절 기구(66)에 의해 액체(64)의 온도를 조절할 수 있으면 된다.Additionally, in the examples shown in FIGS. 4 and 5, the self-cleaning
도 4에 도시한 바와 같이, 펜 부재(11A)를 셀프 클리닝할 때는, 세정 도구 회전 기구(31)가 펜 부재(11A)를 회전시킴과 함께, 세정 도구 보유 지지 기구(32)가 펜 부재(11A)를 셀프 클리닝 부재(60)에 압박한다. 또한, 도 4에서는, 셀프 클리닝 부재(60)의 표면이 펜 부재(11A)의 회전축에 대하여 수직인 예를 나타내고 있지만, 이러한 예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 롤 부재(11B)를 셀프 클리닝할 때는, 세정 도구 회전 기구(31)가 롤 부재(11B)를 회전시킴과 함께, 세정 도구 보유 지지 기구(32)가 롤 부재(11B)를 셀프 클리닝 부재(60)에 압박한다. 또한, 도 5에 도시하는 예에서는, 셀프 클리닝 부재(60)의 표면이 연직 방향에 대하여 경사져 있고, 롤 부재(11B)가 연직 방향으로 이동해서 셀프 클리닝 부재에 접촉하는 것으로 하고 있지만, 이러한 예에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 4, when self-cleaning the
도 6은, 실시 형태의 제어부(50)에 의해 실행되는 셀프 클리닝 시 목표 압박력 설정 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 이 처리는, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝 부재(60)와 접촉시킬 때, 즉 세정 도구(11)를 셀프 클리닝할 때 소정 시간마다(예를 들어, 수십msec마다) 실행된다.FIG. 6 is a flowchart showing an example of target pressing force setting processing during self-cleaning executed by the control unit 50 of the embodiment. This processing is executed at predetermined times (for example, every several tens of msec) when the cleaning tool 11 is brought into contact with the self-cleaning
이 처리가 개시되면, 먼저 제어부(50)는, 세정 도구 회전 기구(31)의 출력 토크(Tr)를 판독한다(S12). 출력 토크(Tr)는, 세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)가 접촉하고 있을 때 세정 도구 회전 기구(31)가 세정 도구(11)를 회전시키는 토크이며, 예를 들어 세정 도구 회전 기구(31)의 도시하지 않은 모터에 흐르는 전류값에 기초하여 검출할 수 있다. 또한, 출력 토크(Tr)는, 제어부(50)에 의한 세정 도구 회전 기구(31)에의 토크 지령을 사용해도 된다.When this process is started, the control unit 50 first reads the output torque Tr of the cleaning tool rotation mechanism 31 (S12). The output torque Tr is the torque by which the cleaning
계속해서, 제어부(50)는, 출력 토크(Tr)와 소정의 목표 토크(Tr*)에 기초하여, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝 부재(60)에 압박하는 목표 압박력(Pp*)을 설정하고(S14), 본 처리를 종료한다. 여기서, 목표 토크(Tr*)는, 미리 결정된 소정 토크이며, 세정 도구(11)가 기판(Wf)을 세정할 때 세정 도구(11)에 작용하는 토크(기판 세정 시 토크) 이상의 토크이다. 목표 토크(Tr*)는, 외부 입력에 의해 설정 가능하게 해도 된다. 또한, 목표 압박력(Pp*)의 설정은, 일례로서, 출력 토크(Tr)와 목표 토크(Tr*)의 차에 기초하여, 비례 게인(Gp) 및 적분 게인(Gi)을 사용한 PI 연산, 혹은, 비례 게인(Gp), 적분 게인(Gi) 및 미분 게인(Gd)을 사용한 PID 연산에 의해 행할 수 있다. 본 처리를 종료하면, 제어부(50)는, 세정 도구(11)가 목표 압박력(Pp*)으로 셀프 클리닝 부재(60)에 압박되도록 세정 도구 보유 지지 기구(32)를 제어한다.Subsequently, the control unit 50 sets the target pressing force Pp* for pressing the cleaning tool 11 against the self-cleaning
세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)의 마찰은, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝 부재(60)에의 압박력(Pp)뿐만 아니라, 세정 도구(11)의 마모, 세정 도구(11)의 회전 속도(회전수(Ns)), 액체(64)의 종류 및 온도(Tc), 그리고, 셀프 클리닝 부재(60)의 재질 및 형상 등의 조건에 따라 변화한다. 세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)의 마찰이 부족하면, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝에 있어서 충분한 효과를 얻지 못하게 될 우려가 있다. 이러한 경우에는, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝 부족에 의해 기판(Wf)의 역 오염이 생겨서 이후의 처리 프로세스에 악영향을 미치거나, 브레이크 인의 체크에 걸리는 시간 및 비용이 커지거나 한다. 한편, 세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)의 마찰이 과도하게 커지면, 마모에 의해 세정 도구(11)가 열화되는 원인이 된다. 이에 반해, 본 실시 형태의 기판 세정 장치(20)에서는, 세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)가 접촉하고 있을 때의 세정 도구 회전 기구(31)의 출력 토크(Tr)가, 기판 세정 시 토크 이상의 소정 토크로 되도록, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝 부재(60)에의 압박력이 제어된다. 그리고, 이 소정 토크로서 세정 도구(11)가 열화되지 않는 토크가 채용됨으로써, 세정 도구를 셀프 클리닝 부재(60)에 적합한 압박력으로 압박하여, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝할 수 있다.The friction between the cleaning tool 11 and the self-cleaning
또한, 본 실시 형태의 기판 세정 장치(20)에 의하면, 목표 토크(Tr*)가 기판 세정 시 토크 이상의 토크로 되어 있다. 즉, 목표 토크(Tr*)는, 세정 도구(11)에 처리 부스러기가 축적될 때 세정 도구(11)에 작용하고 있는 토크 이상의 토크이다. 이러한 목표 토크(Tr*)를 사용함으로써, 단시간에 세정 도구(11)로부터 처리 부스러기를 적합하게 제거할 수 있다.Additionally, according to the
(제2 실시 형태)(Second Embodiment)
제2 실시 형태의 기판 처리 장치(10)는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(10)와 동일한 구성을 구비하고 있으며, 중복되는 설명은 생략한다. 제2 실시 형태의 기판 처리 장치(10)는, 도 6에 도시하는 처리 대신에, 도 7에 도시하는 셀프 클리닝 시 목표 압박력 설정 처리를 실행하는 점에서, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(10)와 다르다. 이 도 7에 도시하는 처리는, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝 부재(60)와 접촉시킬 때, 즉 세정 도구(11)를 셀프 클리닝할 때, 제어부(50)에 의해 소정 시간마다(예를 들어, 수십msec마다) 실행된다.The substrate processing apparatus 10 of the second embodiment has the same configuration as the substrate processing apparatus 10 of the first embodiment, and overlapping descriptions are omitted. The substrate processing apparatus 10 of the first embodiment is similar to the substrate processing apparatus 10 of the first embodiment in that the substrate processing apparatus 10 of the second embodiment performs the self-cleaning target pressing force setting process shown in FIG. 7 instead of the process shown in FIG. 6. ) is different from The process shown in FIG. 7 is performed by the control unit 50 at predetermined time intervals (e.g., when the cleaning tool 11 is brought into contact with the self-cleaning
본 처리가 개시되면, 제어부(50)는, 세정 도구(11)의 회전수(Ns) 및 액체(64)의 온도(Tc)를 판독한다(S22). 세정 도구(11)의 회전수(Ns)는, 세정 도구(11)의 회전수(Ns)를 검출하는 도시하지 않은 센서에 의한 검출값, 또는 세정 도구 회전 기구(31)의 회전수를 검출하는 도시하지 않은 센서에 의한 검출값을 사용할 수 있다. 또한, 세정 도구(11)의 회전수(Ns)는, 세정 도구 회전 기구(31)에의 회전수 지령을 사용해도 된다. 액체(64)의 온도(Tc)는, 액조(62)에 마련된 도시하지 않은 온도 센서에 의한 검출값을 사용할 수 있다. 또한, 액체(64)의 온도는, 온도 조절 기구(66)에 의한 온도 지령을 사용해도 된다.When this process is started, the control unit 50 reads the rotation speed Ns of the cleaning tool 11 and the temperature Tc of the liquid 64 (S22). The rotation speed Ns of the cleaning tool 11 is a value detected by a sensor (not shown) that detects the rotation speed Ns of the cleaning tool 11, or a value detecting the rotation speed of the cleaning
계속해서, 제어부(50)는, 회전수(Ns)와 온도(Tc)에 기초하여, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝 부재(60)에 압박하는 목표 압박력(Pp*)을 설정하고(S24), 본 처리를 종료한다. 이 S24의 처리에서는, 회전수(Ns)가 클수록 목표 압박력(Pp*)이 커지는 경향이면서 또한 액체(64)의 온도(Tc)가 높을수록 목표 압박력(Pp*)이 커지는 경향으로, 목표 압박력(Pp*)이 설정된다. 도 8은, 회전수(Ns) 및 온도(Tc)와 목표 압박력(Pp*)의 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 또한, 도 8에서는, 회전수(Ns) 또는 온도(Tc)가 커질수록 목표 압박력(Pp*)이 선형으로 커지는 예가 도시되어 있지만, 이 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 회전수(Ns) 또는 온도(Tc)가 커질수록 목표 압박력(Pp*)이 단계적으로 커져도 되고, 회전수(Ns) 또는 온도(Tc)와 목표 압박력(Pp*)의 관계가 곡선상으로 나타나도 된다. S24의 처리는, 일례로서, 회전수(Ns)와 온도(Tc)와 목표 압박력(Pp*)의 관계를 실험 등에 의해 미리 맵으로서 정해 두고, 이 맵과 판독한 회전수(Ns) 및 온도(Tc)에 기초해서 행할 수 있다. 단, 이러한 예에 한정되지 않고, 제어부(50)는, 회전수(Ns)와 온도(Tc)에 기초하여, 다양한 방법으로 목표 압박력(Pp*)을 설정해도 된다. 본 처리를 종료하면, 제어부(50)는, 세정 도구(11)가 목표 압박력(Pp*)으로 셀프 클리닝 부재(60)에 압박되도록 세정 도구 보유 지지 기구(32)를 제어한다.Subsequently, the control unit 50 sets the target pressing force Pp* for pressing the cleaning tool 11 against the self-cleaning
본 발명자의 연구에 의해, 세정 도구(11)의 회전수(Ns)가 클수록, 세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)의 마찰이 작아지는 경향이 있는 것이 발견되었다. 이 때문에, 제2 실시 형태의 기판 세정 장치(20)에 의하면, 세정 도구(11)가 제1 회전 속도(Ns1)로 회전하고 있을 때는, 세정 도구(11)가 셀프 클리닝 부재(60)에 제1 압박력(Pp1)으로 압박된다. 또한, 세정 도구(11)가 제1 회전 속도(Ns1)보다 큰 제2 회전 속도(Ns2)(Ns2>Ns1)로 회전하고 있을 때는, 세정 도구(11)가 셀프 클리닝 부재(60)에 제1 압박력(Pp1)보다 큰 제2 압박력(Pp2)(Pp2>Pp1)으로 압박된다. 이에 의해, 세정 도구(11)의 회전수(Ns)가 클 때, 세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)의 마찰이 부족해서 충분한 효과를 얻지 못하게 되는 것을 억제할 수 있다. 즉, 제2 실시 형태의 기판 세정 장치(20)에 의하면, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝 부재(60)에 적합한 압박력으로 압박하여, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝할 수 있다.Through research by the present inventor, it was discovered that the larger the rotational speed Ns of the cleaning tool 11, the smaller the friction between the cleaning tool 11 and the self-cleaning
또한, 본 발명자의 연구에 의해, 액체(64)의 온도(Tc)가 높을수록, 세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)의 마찰이 작아지는 경향이 있는 것이 발견되었다. 이 때문에, 제2 실시 형태의 기판 세정 장치(20)에 의하면, 액체(64)의 온도(Tc)가 제1 온도(Tc1)일 때는, 세정 도구(11)가 셀프 클리닝 부재(60)에 제1 압박력(Pp1)으로 압박된다. 또한, 액체(64)의 온도(Tc)가 제1 온도(Tc1)보다 높은 제2 온도(Tc2)(Tc2>Tc1)일 때는, 세정 도구(11)가 셀프 클리닝 부재(60)에 제1 압박력(Pp1)보다 큰 제2 압박력(Pp2)(Pp2>Pp1)으로 압박된다. 이에 의해, 액체(64)의 양이 많을 때, 세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)의 마찰이 부족해서 충분한 효과를 얻지 못하게 되는 것을 억제할 수 있다. 즉, 제2 실시 형태의 기판 세정 장치(20)에 의하면, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝 부재(60)에 적합한 압박력으로 압박하여, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝할 수 있다.Additionally, through research by the present inventor, it was discovered that the higher the temperature Tc of the liquid 64, the lower the friction between the cleaning tool 11 and the self-cleaning
또한, 제2 실시 형태의 기판 세정 장치(20)에서는, 세정 도구(11)의 회전수(Ns)와 액체(64)의 온도(Tc)에 기초하여 목표 압박력(Pp*)이 설정되는 것으로 했지만, 회전수(Ns)와 온도(Tc) 중 한쪽에 기초하여 목표 압박력(Pp*)이 설정되어도 된다. 또한, 이들 대신에 또는 이에 더하여, 다른 파라미터에 기초해서, 목표 압박력(Pp*)이 설정되어도 된다. 일례로서, 세정 도구(11)에 의한 기판(Wf)의 세정 횟수가 많을수록 커지도록 목표 압박력(Pp*)이 설정되어도 된다. 또한, 액체(64)로서 계면 활성제를 넣은 약액이 사용되고 있을 때는, 액체(64)로서 초순수가 사용되고 있을 때보다도, 목표 압박력(Pp*)이 큰 값으로 설정되어도 된다. 또한, 셀프 클리닝 부재(60)의 재질에 기초하여 목표 압박력(Pp*)이 설정되어도 된다. 또한, 세정 도구(11)와 셀프 클리닝 부재(60)의 접촉 시간이 길수록 커지도록 또는 작아지도록 목표 압박력(Pp*)이 설정되어도 된다.Additionally, in the
(제3 실시 형태)(Third Embodiment)
제3 실시 형태의 기판 세정 장치(20)는, 셀프 클리닝 부재(60)로서, 제1 재료로 형성된 제1 부재(제1 셀프 클리닝 부재)(60A)와, 제2 재료로 형성된 제2 부재(제2 셀프 클리닝 부재)(60B)를 갖는 점에서 제1 실시 형태의 기판 세정 장치(20)와 다르고, 그 밖의 구성은 제1 실시 형태의 기판 세정 장치(20)와 동일하다. 여기서, 제1 재료는, 예를 들어 무기 산화물계 재료 또는 분자 구조 내에 극성기를 갖기 때문에 표면 자유 에너지의 수소 결합성 성분이 상대적으로 큰 유기 고분자계 재료(제1 유기 고분자계 재료)이다. 또한, 제2 재료는, 예를 들어 분자 구조 내에 극성기를 갖지 않기 때문에 표면 자유 에너지의 분산력 성분이 상대적으로 큰 유기 고분자계 재료(제2 유기 고분자계 재료)이다.The
도 9는, 제3 실시 형태에서의 액조와 셀프 클리닝 부재의 일례를 도시하는 도면이다. 도시한 바와 같이, 제3 실시 형태에서는, 액조(62)에 제1 부재(60A)와 제2 부재(60B)가 배치되어 있다. 단, 이러한 예에 한정되지 않고, 제1 부재(60A)와 제2 부재(60B)는, 각각 별도의 액조(62)에 배치되어도 된다. 또한, 액조(62)가 구비되지 않아도 된다. 단, 액조(62)가 구비되지 않는 경우에도, 액체 이송 기구(65)에 의한 액체(64)의 공급을 수반하여, 즉 예를 들어 액체(64)가 연속적으로 흘려보내지면서, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝이 행하여져도 된다.FIG. 9 is a diagram showing an example of a liquid tank and a self-cleaning member in the third embodiment. As shown, in the third embodiment, a
도 10은, 제3 실시 형태의 제어부(50)에 의해 실행되는 셀프 클리닝 부재 선택 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 이 처리는, 일례로서, 기판 세정 장치(20)의 기동 시, 또는 입력부(52)에 외부 입력이 이루어진 타이밍에 실행된다. 본 처리가 실행되면, 제어부(50)는, 외부 입력에 의해 제1 부재(60A)가 선택되어 있는지 여부를 판정한다(S42). 이 처리는, 일례로서, 제어부(50)가 도시하지 않은 메모리의 소정 영역을 참조함으로써 행할 수 있다. 그리고, 제어부(50)는, 제1 부재(60A)가 선택되어 있을 때는(S42: "예"), 제1 부재(60A)를 셀프 클리닝 부재로서 설정하고 본 처리를 종료한다. 한편, 제어부(50)는, 제1 부재(60A)가 선택되어 있지 않을 때는(S42: "아니오"), 제2 부재(60B)를 셀프 클리닝 부재로서 설정하고 본 처리를 종료한다. 그리고, 제어부(50)는, 본 처리에 의해 선택된 셀프 클리닝 부재(60)를 사용하여, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝을 실행한다.FIG. 10 is a flowchart showing an example of self-cleaning member selection processing executed by the control unit 50 of the third embodiment. As an example, this processing is performed when the
세정 도구(11)를 셀프 클리닝하는 셀프 클리닝 부재(60)는, 세정 도구(11)에 축적된 처리 부스러기에 따라 적합한 소재가 다른 것이 상정된다. 예를 들어, 지립과 같이 표면 자유 에너지의 수소 결합성 성분이 많은 처리 부스러기를 대상으로 하는 경우에는, 무기 산화물계 재료 내지 분자 구조 내에 극성기를 갖는 유기 고분자계 재료로 형성된 제1 부재(60A)를 셀프 클리닝 부재(60)로서 사용하는 것이 바람직하다고 생각된다. 또한, 유기 착체와 같이 표면 자유 에너지의 분산력 성분이 많은 처리 부스러기를 대상으로 하는 경우에는, 분자 구조 내에 극성기를 갖지 않는 유기 고분자계 재료로 형성된 제2 부재(60B)를 셀프 클리닝 부재(60)로서 사용하는 것이 바람직하다고 생각된다. 이에 반해, 제3 실시 형태의 기판 세정 장치(20)에 의하면, 외부 입력에 기초하여 셀프 클리닝 부재(60)가 선택되기 때문에, 적합한 셀프 클리닝 부재(60)에 의해 세정 도구(11)의 셀프 클리닝을 실행할 수 있다. 이에 의해, 단시간에 효과가 높은 세정 도구의 셀프 클리닝을 행할 수 있다.It is assumed that the self-cleaning
또한, 예를 들어 석영과 같이, 온도가 높아짐에 따라서 상기 표면 자유 에너지의 수소 결합성 성분이 크게 감소하는 무기 산화물계 재료도 있다. 이 때문에, 액체(64)의 가온을 병용하는 경우에는, 예를 들어 PMMA와 같이 유기 고분자계 재료이면서도 분자 구조 내에 극성기를 갖기 때문에 고온에서도 수소 결합성 성분이 비교적 큰 재료를, 수소 결합성 성분이 많은 처리 부스러기를 대상으로 하는 세정 도구에 적용하면 된다. 환언하면, 제1 부재(60A)는, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝할 때, 제2 부재(60B)에 비하여, 표면 자유 에너지의 수소 결합성 성분이 많고 분산력 성분이 적은 재료로 형성되면 된다.Additionally, there are inorganic oxide-based materials, such as quartz, in which the hydrogen bonding component of the surface free energy decreases significantly as the temperature increases. For this reason, when heating the liquid 64 is used in combination, for example, a material such as PMMA, which is an organic polymer material but has a polar group in its molecular structure and therefore has a relatively large hydrogen bonding component even at high temperatures, is used as a hydrogen bonding component. Simply apply it to a cleaning tool that targets large amounts of disposal debris. In other words, the
(제4 실시 형태)(Fourth Embodiment)
제4 실시 형태의 기판 세정 장치(20)는, 제3 실시 형태의 기판 세정 장치(20)와 동일한 구성을 갖는다. 제4 실시 형태의 기판 세정 장치(20)에서는, 세정 도구(11)를 제1 부재(60A)와 제2 부재(60B) 양쪽에 접촉시키는 점에서, 제3 실시 형태의 기판 세정 장치(20)와 다르다.The
도 11은, 제4 실시 형태의 제어부(50)에 의해 실행되는 셀프 클리닝 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 이 처리는, 세정 도구(11)를 셀프 클리닝할 때 실행된다. 셀프 클리닝 처리가 실행되면, 제어부(50)는, 먼저 세정 도구(11)를 회전시키면서 제1 부재(60A)에 접촉시킴으로써, 제1 부재(60A)에 의한 셀프 클리닝 처리를 실행한다(S52). 계속해서, 제어부(50)는, 세정 도구(11)를 회전시키면서 제2 부재(60B)에 접촉시킴으로써, 제2 부재(60B)에 의한 셀프 클리닝 처리를 실행하고(S54), 본 처리를 종료한다.FIG. 11 is a flowchart showing an example of self-cleaning processing performed by the control unit 50 of the fourth embodiment. This processing is performed when self-cleaning the cleaning tool 11. When the self-cleaning process is executed, the control unit 50 first rotates the cleaning tool 11 and brings it into contact with the
제4 실시 형태에 따르면, 세정 도구(11)를 회전시키면서 무기 산화물계 재료 내지 분자 구조 내에 극성기를 갖는 유기 고분자계 재료로 형성된 제1 부재(60A)에 접촉시키고, 그 후에, 세정 도구(11)를 회전시키면서 분자 구조 내에 극성기를 갖지 않는 유기 고분자계 재료로 형성된 제2 부재(60B)에 접촉시킴으로써, 세정 도구(11)의 셀프 클리닝이 실행된다. 이에 의해, 우선, 세정 도구(11)로부터 지립과 같이 표면 자유 에너지의 수소 결합성 성분이 많은 처리 부스러기를 제거할 수 있고, 계속해서 세정 도구(11)로부터 유기 착체와 같이 표면 자유 에너지의 분산력 성분이 많은 처리 부스러기를 제거할 수 있다. 이러한 방법에 의해, 단시간에 효과가 높은 세정 도구의 셀프 클리닝을 행할 수 있다.According to the fourth embodiment, the cleaning tool 11 is rotated and brought into contact with the
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명해 왔지만, 상기한 발명의 실시 형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않고, 변경, 개량될 수 있음과 함께, 본 발명에는 그 균등물이 포함되는 것은 물론이다. 또한, 상술한 과제의 적어도 일부를 해결할 수 있는 범위, 또는, 효과의 적어도 일부를 발휘하는 범위에 있어서, 실시 형태 및 변형예의 임의의 조합이 가능하고, 특허 청구 범위 및 명세서에 기재된 각 구성 요소의 임의의 조합, 또는 생략이 가능하다.As mentioned above, embodiments of the present invention have been described. However, the above-described embodiments of the invention are intended to facilitate understanding of the present invention and do not limit the present invention. The present invention may be modified and improved without departing from its spirit, and it goes without saying that equivalents thereof are included in the present invention. In addition, any combination of the embodiments and modifications is possible within the scope of solving at least part of the above-described problem or exhibiting at least part of the effect, and each component described in the claims and specification can be used. Any combination or omission is possible.
본원은, 2018년 3월 15일 출원의 일본 특허 출원 번호 제2018-048217호에 기초하는 우선권을 주장한다. 일본 특허 출원 번호 제2018-048217호의 명세서, 특허 청구 범위, 도면 및 요약서를 포함하는 모든 개시 내용은, 참조에 의해 전체로서 본원에 원용된다. 일본 특허 공개 제2005-012238호 공보(특허문헌 1)의 명세서, 특허 청구 범위, 도면 및 요약서를 포함하는 모든 개시는, 참조에 의해 전체로서 본원에 원용된다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2018-048217, filed on March 15, 2018. The entire disclosure of Japanese Patent Application No. 2018-048217, including the specification, claims, drawings and abstract, is hereby incorporated by reference in its entirety. All disclosures of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-012238 (Patent Document 1), including the specification, claims, drawings, and abstract, are hereby incorporated by reference in their entirety.
10: 기판 처리 장치
11: 세정 도구
11A: 펜 부재
11B: 롤 부재
20: 기판 세정 장치
31: 세정 도구 회전 기구
32: 세정 도구 보유 지지 기구
40: 지지 부재
42: 세정액 공급부
50: 제어부
52: 입력부
60: 셀프 클리닝 부재
60A: 제1 부재(제1 셀프 클리닝 부재)
60B: 제2 부재(제2 셀프 클리닝 부재)
62: 액조
64: 액체
65: 액체 이송 기구
66: 온도 조절 기구
67: 진동부
68: 분출부10: Substrate processing device
11: Cleaning tool
11A: Pen member
11B: Roll member
20: Substrate cleaning device
31: Cleaning tool rotating mechanism
32: cleaning tool holding support mechanism
40: support member
42: Cleaning liquid supply unit
50: control unit
52: input unit
60: Absence of self-cleaning
60A: first member (first self-cleaning member)
60B: second member (second self-cleaning member)
62: Liquid
64: liquid
65: Liquid transfer mechanism
66: Temperature control mechanism
67: Vibration unit
68: blowout part
Claims (15)
상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 셀프 클리닝 부재와,
상기 세정 도구를 회전시키기 위한 세정 도구 회전 기구와,
상기 세정 도구를 보유 지지하는 세정 도구 보유 지지 기구이며, 상기 세정 도구를 상기 기판에 압박할 수 있음과 함께, 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 압박할 수 있는, 세정 도구 보유 지지 기구와,
상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재와 접촉하고 있을 때 상기 세정 도구 회전 기구가 상기 세정 도구를 회전시키는 토크가, 상기 세정 도구가 상기 기판을 세정할 때 상기 세정 도구 회전 기구가 상기 세정 도구를 회전시키는 기판 세정 시 토크 이상의 소정 토크로 되도록, 상기 세정 도구의 상기 셀프 클리닝 부재에의 압박력을 제어하는 제어부
를 구비하는 기판 세정 장치.a cleaning tool for contacting the surface of the substrate to clean the substrate;
a self-cleaning member for contacting the cleaning tool to self-clean the cleaning tool;
a cleaning tool rotation mechanism for rotating the cleaning tool;
a cleaning tool holding mechanism that holds the cleaning tool and is capable of pressing the cleaning tool to the substrate and pressing the cleaning tool to the self-cleaning member;
A torque causing the cleaning tool rotating mechanism to rotate the cleaning tool when the cleaning tool is in contact with the self-cleaning member causes the cleaning tool rotating mechanism to rotate the cleaning tool when the cleaning tool is cleaning the substrate. A control unit that controls the pressing force of the cleaning tool to the self-cleaning member to achieve a predetermined torque or more when cleaning the substrate.
A substrate cleaning device comprising:
상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 셀프 클리닝 부재와,
상기 세정 도구를 회전시키기 위한 세정 도구 회전 기구와,
상기 세정 도구를 보유 지지하는 세정 도구 보유 지지 기구이며, 상기 세정 도구를 상기 기판에 압박할 수 있음과 함께, 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 압박할 수 있는, 세정 도구 보유 지지 기구와,
상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재와 접촉하고 있을 때, 상기 세정 도구가 제1 회전 속도로 회전하고 있을 때는 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재에 제1 압박력으로 압박되도록 상기 세정 도구 보유 지지 기구를 제어하고, 상기 세정 도구가 상기 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도로 회전하고 있을 때는 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재에 상기 제1 압박력보다 큰 제2 압박력으로 압박되도록 상기 세정 도구 보유 지지 기구를 제어하는 제어부
를 구비하는 기판 세정 장치.a cleaning tool for contacting the surface of the substrate to clean the substrate;
a self-cleaning member for contacting the cleaning tool to self-clean the cleaning tool;
a cleaning tool rotation mechanism for rotating the cleaning tool;
a cleaning tool holding mechanism that holds the cleaning tool and is capable of pressing the cleaning tool to the substrate and pressing the cleaning tool to the self-cleaning member;
When the cleaning tool is in contact with the self-cleaning member, the cleaning tool holding mechanism is controlled so that the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force when the cleaning tool is rotating at a first rotational speed. And, when the cleaning tool is rotating at a second rotational speed greater than the first rotational speed, the cleaning tool holding support mechanism is pressed against the self-cleaning member with a second pressing force greater than the first pressing force. control unit that controls
A substrate cleaning device comprising:
상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 셀프 클리닝 부재와,
상기 세정 도구를 회전시키기 위한 세정 도구 회전 기구와,
상기 세정 도구를 보유 지지하는 세정 도구 보유 지지 기구이며, 상기 세정 도구를 상기 기판에 압박할 수 있음과 함께, 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 압박할 수 있는, 세정 도구 보유 지지 기구와,
액체 중에서 또는 액체의 공급을 수반해서 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재와 접촉하고 있을 때, 상기 액체가 제1 온도일 때는 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재에 제1 압박력으로 압박되도록 상기 세정 도구 보유 지지 기구를 제어하고, 상기 액체가 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도일 때는 상기 세정 도구가 상기 셀프 클리닝 부재에 상기 제1 압박력보다 큰 제2 압박력으로 압박되도록 상기 세정 도구 보유 지지 기구를 제어하는 제어부
를 구비하는 기판 세정 장치.a cleaning tool for contacting the surface of the substrate to clean the substrate;
a self-cleaning member for contacting the cleaning tool to self-clean the cleaning tool;
a cleaning tool rotation mechanism for rotating the cleaning tool;
a cleaning tool holding mechanism that holds the cleaning tool and is capable of pressing the cleaning tool to the substrate and pressing the cleaning tool to the self-cleaning member;
Holding the cleaning tool so that when the cleaning tool is in contact with the self-cleaning member in a liquid or accompanied by a supply of liquid, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force when the liquid is at a first temperature. Controlling a support mechanism, and controlling the cleaning tool holding support mechanism such that when the liquid is at a second temperature higher than the first temperature, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a second pressing force greater than the first pressing force. control unit
A substrate cleaning device comprising:
제1 재료로 형성되어, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 제1 셀프 클리닝 부재와,
제2 재료로 형성되어, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 제2 셀프 클리닝 부재
를 구비하고,
외부 입력에 기초하여 상기 제1 셀프 클리닝 부재와 상기 제2 셀프 클리닝 부재 중 한쪽을 선택하고, 상기 세정 도구를 상기 선택한 셀프 클리닝 부재와 접촉시킴으로써 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는, 기판 세정 장치.a cleaning tool for contacting the surface of the substrate to clean the substrate;
a first self-cleaning member formed of a first material and configured to contact the cleaning tool to self-clean the cleaning tool;
A second self-cleaning member formed of a second material and configured to contact the cleaning tool and self-clean the cleaning tool.
Equipped with
A substrate cleaning device, wherein one of the first self-cleaning member and the second self-cleaning member is selected based on an external input, and the cleaning tool is brought into contact with the selected self-cleaning member to self-clean the cleaning tool.
제1 재료로 형성되어, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 제1 셀프 클리닝 부재와,
제2 재료로 형성되어, 상기 세정 도구에 접촉해서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하기 위한 제2 셀프 클리닝 부재
를 구비하고,
상기 세정 도구를 상기 제1 셀프 클리닝 부재에 접촉시킨 후에 당해 세정 도구를 상기 제2 셀프 클리닝 부재에 접촉시킴으로써 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는, 기판 세정 장치.a cleaning tool for contacting the surface of the substrate to clean the substrate;
a first self-cleaning member formed of a first material and configured to contact the cleaning tool to self-clean the cleaning tool;
A second self-cleaning member formed of a second material and configured to contact the cleaning tool and self-clean the cleaning tool.
Equipped with
A substrate cleaning device, wherein the cleaning tool is brought into contact with the first self-cleaning member and then the cleaning tool is brought into contact with the second self-cleaning member to self-clean the cleaning tool.
상기 제2 재료는, 비극성의 제2 유기 고분자계 재료인, 기판 세정 장치.The method according to claim 4 or 5, wherein the first material is an inorganic oxide-based material or a first organic polymer-based material having a polar group in its molecular structure,
A substrate cleaning device, wherein the second material is a non-polar second organic polymer-based material.
상기 단시간 셀프 클리닝에서는 초순수가 사용되고, 상기 장시간 셀프 클리닝에서는 약액 처리 후 초순수 린스가 사용되거나, 혹은, 초순수 처리만이 행하여지는, 기판 세정 장치.The method according to any one of claims 1 to 5, wherein the self-cleaning of the cleaning tool includes short-term self-cleaning at a first time and long-term self-cleaning at a second time longer than the first time,
A substrate cleaning device in which ultrapure water is used in the short-time self-cleaning, and in the long-time self-cleaning, an ultrapure water rinse is used after chemical treatment, or only ultrapure water treatment is performed.
상기 액체에 초음파 진동을 부여하는 진동부
를 구비하는, 기판 세정 장치.The method according to any one of claims 1 to 5, comprising: a liquid tank storing liquid and accommodating the self-cleaning member;
Vibration unit that applies ultrasonic vibration to the liquid
A substrate cleaning device comprising:
상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 셀프 클리닝 스텝
을 포함하고,
상기 셀프 클리닝 스텝에서는, 상기 세정 도구를 회전시키는 토크가, 상기 기판 세정 스텝에서 상기 세정 도구를 회전시키는 기판 세정 시 토크 이상의 소정 토크로 되도록, 상기 세정 도구의 상기 셀프 클리닝 부재에의 압박력을 제어하는,
기판 세정 방법.A substrate cleaning step for cleaning the substrate by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with the surface of the substrate;
A self-cleaning step of self-cleaning the cleaning tool by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a self-cleaning member.
Including,
In the self-cleaning step, the pressing force of the cleaning tool to the self-cleaning member is controlled so that the torque for rotating the cleaning tool is a predetermined torque greater than the torque during substrate cleaning for rotating the cleaning tool in the substrate cleaning step. ,
Substrate cleaning method.
상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 셀프 클리닝 스텝
을 포함하고,
상기 셀프 클리닝 스텝에서는, 상기 세정 도구가 제1 회전 속도로 회전하고 있을 때는 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 제1 압박력으로 압박하고, 상기 세정 도구가 상기 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도로 회전하고 있을 때는 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 상기 제1 압박력보다 큰 제2 압박력으로 압박하는,
기판 세정 방법.A substrate cleaning step for cleaning the substrate by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with the surface of the substrate;
A self-cleaning step of self-cleaning the cleaning tool by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a self-cleaning member.
Including,
In the self-cleaning step, when the cleaning tool is rotating at a first rotational speed, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force, and the cleaning tool is rotated at a second rotational speed greater than the first rotational speed. When rotating, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a second pressing force greater than the first pressing force,
Substrate cleaning method.
상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 액체 중에서 또는 액체의 공급을 수반해서 상기 세정 도구를 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 셀프 클리닝 스텝
을 포함하고,
상기 셀프 클리닝 스텝에서는, 상기 액체가 제1 온도일 때는 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 제1 압박력으로 압박하고, 상기 액체가 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도일 때는 상기 세정 도구를 상기 셀프 클리닝 부재에 상기 제1 압박력보다 큰 제2 압박력으로 압박하는,
기판 세정 방법.A substrate cleaning step for cleaning the substrate by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with the surface of the substrate;
A self-cleaning step for self-cleaning the cleaning tool by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a self-cleaning member in a liquid or with the supply of liquid.
Including,
In the self-cleaning step, when the liquid is at a first temperature, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member with a first pressing force, and when the liquid is at a second temperature higher than the first temperature, the cleaning tool is pressed against the self-cleaning member. Pressing the cleaning member with a second pressing force greater than the first pressing force,
Substrate cleaning method.
외부 입력에 기초하여, 제1 재료로 형성된 제1 셀프 클리닝 부재와, 제2 재료로 형성된 제2 셀프 클리닝 부재 중 한쪽을 선택하는 선택 스텝과,
상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 상기 선택 스텝에서 선택된 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 셀프 클리닝 스텝
을 포함하는 기판 세정 방법. A substrate cleaning step for cleaning the substrate by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with the surface of the substrate;
a selection step for selecting one of a first self-cleaning member made of a first material and a second self-cleaning member made of a second material based on an external input;
A self-cleaning step of self-cleaning the cleaning tool by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with the self-cleaning member selected in the selection step.
A substrate cleaning method comprising:
상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 제1 재료로 형성된 제1 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 제1 셀프 클리닝 스텝과,
상기 제1 셀프 클리닝 스텝 후에, 상기 세정 도구를 회전시킴과 함께 상기 세정 도구를 제2 재료로 형성된 제2 셀프 클리닝 부재에 접촉시켜서 당해 세정 도구를 셀프 클리닝하는 제2 셀프 클리닝 스텝
을 포함하는 기판 세정 방법.A substrate cleaning step for cleaning the substrate by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with the surface of the substrate;
a first self-cleaning step for self-cleaning the cleaning tool by rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a first self-cleaning member made of a first material;
After the first self-cleaning step, a second self-cleaning step of rotating the cleaning tool and bringing the cleaning tool into contact with a second self-cleaning member made of a second material to self-clean the cleaning tool.
A substrate cleaning method comprising:
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| JP2023004002A (en) * | 2021-06-25 | 2023-01-17 | 株式会社荏原製作所 | Cleaning member processing device, break-in method, and cleaning member cleaning method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015065379A (en) | 2013-09-26 | 2015-04-09 | 株式会社荏原製作所 | Substrate cleaner, substrate cleaning device, manufacturing method of cleaned substrate, and substrate processing device |
| US20160254170A1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and system for cleaning wafer and scrubber |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3447869B2 (en) * | 1995-09-20 | 2003-09-16 | 株式会社荏原製作所 | Cleaning method and apparatus |
| JPH1092781A (en) * | 1996-06-04 | 1998-04-10 | Ebara Corp | Method and equipment for carrying substrate |
| JPH10109074A (en) * | 1996-10-02 | 1998-04-28 | Ebara Corp | Washing method of washing member and device therefor |
| US6986185B2 (en) * | 2001-10-30 | 2006-01-17 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for determining scrubber brush pressure |
| JP3999540B2 (en) * | 2002-03-15 | 2007-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | Brush cleaning method and processing system for scrub cleaning apparatus |
| JP4283068B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-06-24 | 株式会社荏原製作所 | Method for initializing cleaning member of substrate cleaning apparatus, substrate cleaning apparatus, substrate polishing and cleaning system |
| JP2005012238A (en) | 2004-09-02 | 2005-01-13 | Ebara Corp | Method and apparatus for cleaning substrate |
| JP4511591B2 (en) * | 2004-09-28 | 2010-07-28 | 株式会社荏原製作所 | Substrate cleaning apparatus and cleaning member replacement time determination method |
| JP4722570B2 (en) * | 2005-06-02 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate cleaning method, recording medium, and substrate cleaning apparatus |
| JP2008071799A (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Method and apparatus of cleaning semiconductor substrate |
| JP2010021457A (en) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Fujitsu Microelectronics Ltd | Method of cleaning brush |
| JP5731866B2 (en) * | 2011-03-22 | 2015-06-10 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20170043664A (en) * | 2014-10-31 | 2017-04-21 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate cleaning device and substrate cleaning method |
| KR102454775B1 (en) * | 2015-02-18 | 2022-10-17 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and substrate processing apparatus |
| US10170343B1 (en) * | 2017-06-30 | 2019-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Post-CMP cleaning apparatus and method with brush self-cleaning function |
| KR102022076B1 (en) * | 2017-09-21 | 2019-09-23 | 한양대학교 에리카산학협력단 | Cleaning method for PVA brush and that apparatus thereof |
-
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015065379A (en) | 2013-09-26 | 2015-04-09 | 株式会社荏原製作所 | Substrate cleaner, substrate cleaning device, manufacturing method of cleaned substrate, and substrate processing device |
| US20160254170A1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and system for cleaning wafer and scrubber |
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