KR102616524B1 - Substrate processing apparatus, treatment solution supply apparatus and treatment solution supply method - Google Patents

Substrate processing apparatus, treatment solution supply apparatus and treatment solution supply method Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리 장치들; 하나의 펌프 유닛을 이용하여 상기 처리 장치들 각각의 노즐로 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 포함하되; 상기 처리액 공급부는 상기 처리 장치들 각각으로 로딩되는 기판들의 순서에 따라 처리액을 순차적으로 공급할 수 있다. The present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes processing devices that process a substrate using a processing liquid; It includes a processing liquid supply unit that supplies processing liquid to the nozzles of each of the processing devices using one pump unit; The processing liquid supply unit may sequentially supply processing liquid according to the order of substrates loaded into each of the processing devices.

Description

기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, TREATMENT SOLUTION SUPPLY APPARATUS AND TREATMENT SOLUTION SUPPLY METHOD} Substrate processing device, processing liquid supply device, and processing liquid supply method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, TREATMENT SOLUTION SUPPLY APPARATUS AND TREATMENT SOLUTION SUPPLY METHOD}

본 발명은 기판을 처리액으로 액처리하는 장치에서 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a processing liquid supply device and a processing liquid supply method in an apparatus for treating a substrate with a processing liquid.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 HMDS(Hexamethyl disilazane) 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.Among the semiconductor manufacturing processes, the photo-lithography process is a process that forms a desired pattern on a wafer. The photographic process is usually carried out in a spinner local facility where exposure equipment is connected and sequentially processes the coating process, exposure process, and development process. These spinner facilities sequentially or selectively perform the HMDS (Hexamethyl disilazane) process, application process, bake process, and development process.

도 8은 일반적인 도포 공정이 이루어지는 처리 장치에서의 처리액 공급 장치를 보여주는 도면이다.Figure 8 is a diagram showing a treatment liquid supply device in a treatment device in which a general coating process is performed.

도 8에서와 같이, 기존의 도포 공정에서는 펌프(2)가 액처리 장치(1)마다 독립적으로 설치된다. 그 결과, 공정 진행시 처리액 공급 장치의 처리액 상태가 액처리 장치(1)마다 상이하게 된다. As shown in FIG. 8, in the existing application process, the pump 2 is installed independently for each liquid treatment device 1. As a result, when the process progresses, the state of the processing liquid in the processing liquid supply device is different for each liquid processing device 1.

구체적으로는, 처리액 공급 장치의 펌프(2)나 필터(미도시됨)의 상태가 액처리 장치(1) 간에 처리액 공급이 상이하게 된다. 이와 같이, 처리액 공급 장치의 펌프(2)나 필터의 상태가 액처리 장치(1) 간에 상이하면, 처리액 공급 장치로부터 공급되어서 액처리 장치의 도포 노즐부터 기판에 토출되는 처리액 내의 파티클의 양이나, 그 처리액을 사용하여 액처리가 행해진 기판 내의 결함의 양에, 액처리 장치 간에 편차가 크게 발생한다. Specifically, the state of the pump 2 or filter (not shown) of the processing liquid supply device causes the supply of the processing liquid to differ between the liquid processing devices 1 . In this way, if the state of the pump 2 or the filter of the processing liquid supply device is different between the liquid processing devices 1, the particles in the processing liquid supplied from the processing liquid supply device and discharged from the application nozzle of the liquid processing device to the substrate may be affected. There is a large difference between liquid processing devices in the amount or the amount of defects in a substrate that has been liquid treated using the processing liquid.

그 결과, 기판 간에 품질 차이가 발생하게 된다. 그리고 처리액 공급장치가 모두 동시에 작동할 시 약액 탱크 내 비정상적인 음압이 발생하여 약액 내 거품이 생기기 쉬운 환경을 조성하고 생성된 거품이 액처리 장치에 공급될 경우 도포 불량을 일으킬 수 있다.As a result, quality differences occur between substrates. In addition, when all treatment liquid supply devices operate simultaneously, abnormal negative pressure is generated in the chemical solution tank, creating an environment in which bubbles are likely to form in the chemical solution, and if the generated bubbles are supplied to the liquid treatment device, it may cause application defects.

본 발명은 공급 배관 내 처리액 정체 시간을 줄일 수 있는 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a treatment liquid supply device and a treatment liquid supply method that can reduce treatment liquid stagnation time in a supply pipe.

본 발명은 공급 배관 내 압력의 변동 폭을 줄여 공급 배관 내 기포 발생 가능성을 줄일 수 있는 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a treatment liquid supply device and a treatment liquid supply method that can reduce the possibility of bubbles occurring in the supply pipe by reducing the range of pressure fluctuations in the supply pipe.

본 발명은 공통의 공급장치를 사용하여 공급장치에서 발생하는 폐액을 줄일 수 있는 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a treatment liquid supply device and a treatment liquid supply method that can reduce waste liquid generated from the supply device by using a common supply device.

본 발명은 기판 공급 순서와 약액 공급 순서를 맞춰 약액 공급 장치의 유휴 시간을 감소시킬 수 있는 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a processing liquid supply device and a processing liquid supply method that can reduce the idle time of the chemical liquid supply device by matching the substrate supply sequence and the chemical liquid supply sequence.

본 발명은 공급부 펌프의 수량을 줄일 수 있는 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a treatment liquid supply device and a treatment liquid supply method that can reduce the quantity of the supply pump.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problems mentioned above. Other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리 장치들; 하나의 펌프 유닛을 이용하여 상기 처리 장치들 각각의 노즐로 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 포함하되; 상기 처리액 공급부는 상기 처리 장치들 각각으로 로딩되는 기판들의 순서에 따라 처리액을 순차적으로 공급하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. According to one aspect of the present invention, processing devices for processing a substrate using a processing liquid; It includes a processing liquid supply unit that supplies processing liquid to the nozzles of each of the processing devices using one pump unit; The processing liquid supply unit may be provided as a substrate processing device that supplies processing liquid sequentially according to the order of substrates loaded into each of the processing devices.

또한, 상기 처리액 공급부는 상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이에 따라 공급배관의 압력 변화를 최소화하기 위해 상기 펌프의 공급압력을 제어하는 펌프 제어부를 더 포함할 수 있다.In addition, the processing liquid supply unit may further include a pump control unit that controls the supply pressure of the pump to minimize pressure changes in the supply pipe according to the processing liquid movement length between the pump unit and the nozzles of each of the processing devices. .

또한, 상기 처리 장치들은 다단으로 적층 배치될 수 있다.Additionally, the processing devices may be stacked and arranged in multiple stages.

또한, 상기 처리액 공급부는 상기 처리 장치들의 적층 높이 차이에 따라 공급배관의 압력 변화를 최소화하기 위해 상기 펌프의 공급압력을 제어하는 펌프 제어부를 더 포함할 수 있다.In addition, the processing liquid supply unit may further include a pump control unit that controls the supply pressure of the pump to minimize pressure changes in the supply pipe according to differences in stacking heights of the processing devices.

또한, 상기 처리 장치들은 다단으로 적층 배치되고, 상기 처리액 공급부는 상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이 및 상기 처리 장치들의 적층 높이 차이에 따라 공급배관의 압력 변화를 최소화 하기 위해 상기 펌프의 공급압력을 제어하는 펌프 제어부를 더 포함할 수 있다.In addition, the processing devices are arranged in a multi-stage stack, and the processing liquid supply unit minimizes pressure changes in the supply pipe according to the processing liquid movement length between the pump unit and the nozzle of each of the processing devices and the difference in the stacking height of the processing devices. To do this, it may further include a pump control unit that controls the supply pressure of the pump.

또한, 상기 처리액 공급부는 처리액이 저장되어 있는 보틀; 및 상기 보틀로부터 공급받은 처리액을 일시 저장하는 트랩 탱크를 포함하고, 상기 공급 배관은 상기 보틀과 상기 트랩 탱크 그리고 상기 펌프 유닛이 순차적으로 배치된 메인 배관; 및 상기 메인 배관으로부터 분기되어 상기 처리 장치들 각각의 노즐과 연결되는 분기 배관들을 포함할 수 있다.In addition, the treatment liquid supply unit includes a bottle in which the treatment liquid is stored; and a trap tank that temporarily stores the treatment liquid supplied from the bottle, wherein the supply pipe includes a main pipe in which the bottle, the trap tank, and the pump unit are sequentially arranged. and branch pipes branched from the main pipe and connected to nozzles of each of the processing devices.

또한, 상기 펌프 유닛은 제1모터를 포함하고, 상기 트랩 탱크로부터 처리액을 공급받아 충전하는 충전 펌프부; 제2모터를 포함하고, 상기 충전 펌프부에 충전된 처리액을 제공받아 상기 노즐로 공급하는 토출 펌프부; 상기 충전 펌프부로부터 상기 토출 펌프부로 처리액이 이동되는 경로상에 제공되는 필터; 및 상기 제1모터 및 제2모터를 제어하는 펌프 제어부를 포함하되; 상기 펌프 제어부는 상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이 및 상기 처리 장치들의 적층 높이 차이에 따라 상기 제2모터의 토크 및 속도를 제어하여 상기 토출 펌프부의 공급압력을 다르게 제공할 수 있다.Additionally, the pump unit includes a first motor and a charging pump unit that receives and fills the processing liquid from the trap tank. a discharge pump unit including a second motor, receiving the treatment liquid charged in the charge pump unit and supplying it to the nozzle; a filter provided on a path along which the processing liquid moves from the charge pump unit to the discharge pump unit; And a pump control unit that controls the first motor and the second motor; The pump control unit controls the torque and speed of the second motor according to the processing liquid movement length between the nozzles of the pump unit and each of the processing devices and the difference in stacking height of the processing devices to provide different supply pressure to the discharge pump unit. can do.

또한, 상기 펌프 제어부는 상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이가 길수록 그리고 상기 처리 장치들의 적층 높이 높을수록 상기 토출 펌프부의 공급압력이 높아지도록 제어할 수 있다.Additionally, the pump control unit may control the supply pressure of the discharge pump unit to increase as the processing liquid movement length between the pump unit and the nozzle of each of the processing devices is longer and the stacking height of the processing devices is higher.

또한, 상기 처리 장치들 각각으로 기판이 로딩되는 순서는 상기 처리장치들이 적층된 타워별로 순차적으로 기판이 로딩되되; 해당 타워의 가장 상부에 위치한 처리장치부터 아래로 순차 투입되고, 해당 타워내 기판 로딩이 완료되면, 가장 인접한 또 다른 타워의 가장 아래에 위치한 처리장치부터 위로 순차 투입될 수 있다.In addition, the order in which substrates are loaded into each of the processing devices is sequentially loaded for each tower on which the processing devices are stacked; The processing devices located at the top of the relevant tower are sequentially introduced downward, and when loading of the substrates within the tower is completed, the substrates can be sequentially inputted upwards starting from the processing devices located at the bottom of another tower adjacent to the tower.

본 발명의 일 측면에 따르면, 처리액 공급원; 상기 처리액 공급원에 연결되는 메인 배관; 상기 메인 배관으로부터 분기되고, 처리 장치들 각각의 노즐과 연결되는 분기 배관; 상기 메인 배관에 설치되는 펌프 유닛; 및 상기 처리 장치들 각각으로 로딩되는 기판들의 순서에 따라 처리액을 순차적으로 공급하도록 상기 펌프 유닛을 제어하는 제어부를 포함하는 처리액 공급 장치가 제공될 수 있다.According to one aspect of the present invention, a treatment liquid source; a main pipe connected to the treatment liquid supply source; a branch pipe branched from the main pipe and connected to a nozzle of each of the processing devices; A pump unit installed in the main pipe; and a control unit that controls the pump unit to sequentially supply the processing liquid according to the order of the substrates loaded into each of the processing devices.

또한, 상기 펌프 유닛은 제1모터를 포함하고, 상기 처리액 공급원으로부터 처리액을 공급받아 충전하는 충전 펌프부; 제2모터를 포함하고, 상기 충전 펌프부에 충전된 처리액을 제공받아 상기 노즐로 공급하는 토출 펌프부; 및 상기 제1모터 및 제2모터를 제어하는 펌프 제어부를 포함할 수 있다.In addition, the pump unit includes a first motor and a charging pump unit that receives and charges processing liquid from the processing liquid supply source. a discharge pump unit including a second motor, receiving the treatment liquid charged in the charge pump unit and supplying it to the nozzle; And it may include a pump control unit that controls the first motor and the second motor.

또한, 상기 펌프 제어부는 상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이 및 상기 처리 장치들의 적층 높이 차이에 따라 상기 제2모터의 토크 및 속도를 제어하여 상기 토출 펌프부의 공급압력을 다르게 제공할 수 있다.In addition, the pump control unit controls the torque and speed of the second motor according to the processing liquid movement length between the nozzles of the pump unit and each of the processing devices and the difference in stacking height of the processing devices to adjust the supply pressure of the discharge pump unit. It can be provided differently.

또한, 상기 펌프 제어부는 상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이가 길수록 그리고 상기 처리 장치들의 적층 높이 높을수록 상기 토출 펌프부의 공급압력이 높아지도록 제어할 수 있다.Additionally, the pump control unit may control the supply pressure of the discharge pump unit to increase as the processing liquid movement length between the pump unit and the nozzle of each of the processing devices is longer and the stacking height of the processing devices is higher.

또한, 상기 펌프 유닛은 상기 충전 펌프부로부터 상기 토출 펌프부로 처리액이 이동되는 경로상에 제공되는 필터를 더 포함할 수 있다.Additionally, the pump unit may further include a filter provided on a path through which the treatment liquid moves from the charge pump unit to the discharge pump unit.

본 발명의 일 측면에 따르면, 보틀에 담겨있는 처리액을 트랩 탱크에 임시 저장하는 단계; 펌프의 흡입(suction) 동작을 통해 상기 트랩 탱크에 저장되어 있는 처리액을 상기 펌프의 펌프실에 채우고, 상기 펌프의 배출 동작을 통해 상기 펌프실에 채워져 있는 처리액을 처리 장치들 각각의 노즐로 공급하는 펌핑 단계를 포함하되; 상기 펌핑 단계는 상기 처리 장치들 각각으로 로딩되는 기판들의 순서에 따라 처리액을 순차적으로 공급하는 처리액 공급 방법이 제공될 수 있다.According to one aspect of the present invention, temporarily storing a treatment liquid contained in a bottle in a trap tank; Filling the pump chamber of the pump with the treatment liquid stored in the trap tank through the suction operation of the pump, and supplying the treatment liquid filled in the pump chamber to the nozzles of each of the treatment devices through the discharge operation of the pump. Includes a pumping step; The pumping step may provide a processing liquid supply method in which the processing liquid is sequentially supplied according to the order of the substrates loaded into each of the processing devices.

또한, 상기 펌핑 단계는 상기 트랩 탱크에 저장되어 있는 처리액을 충전 펌프부의 펌프실에 충전하는 단계; 상기 충전 펌프부에 충전되어 있는 처리액을 토출 펌프부의 펌프실에 저장하는 단계; 상기 토출 펌프부의 배출 동작을 통해 처리액을 상기 노즐로 공급하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the pumping step includes charging the treatment liquid stored in the trap tank into the pump chamber of the charging pump unit; storing the treatment liquid charged in the charging pump unit in the pump chamber of the discharge pump unit; It may include supplying the treatment liquid to the nozzle through a discharge operation of the discharge pump unit.

또한, 상기 펌핑 단계는 상기 펌프와 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이에 따라 상기 토출 펌프부의 공급압력을 다르게 제공할 수 있다.Additionally, the pumping step may provide different supply pressures of the discharge pump unit depending on the movement length of the processing liquid between the pump and the nozzle of each of the processing devices.

또한, 상기 펌핑 단계는 상기 처리 장치들의 적층 높이 차이에 따라 상기 토출 펌프부의 공급압력을 다르게 제공할 수 있다.Additionally, the pumping step may provide different supply pressures of the discharge pump unit according to differences in stacking heights of the processing devices.

또한, 상기 펌핑 단계는 상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이가 길수록 그리고 상기 처리 장치들의 적층 높이 높을수록 상기 토출 펌프부의 공급압력이 높아지도록 제어할 수 있다.Additionally, the pumping step may be controlled so that the supply pressure of the discharge pump unit increases as the processing liquid movement length between the pump unit and the nozzles of each of the processing devices increases and the stacking height of the processing devices increases.

또한, 상기 토출 펌프부의 공급압력은 상기 토출 펌프부의 구동 모터의 토크 및 속도 제어를 통해 제공될 수 있다.Additionally, the supply pressure of the discharge pump unit may be provided through torque and speed control of the driving motor of the discharge pump unit.

또한, 상기 처리 장치들 각각으로 기판이 로딩되는 순서는 상기 처리장치들이 적층된 타워별로 순차적으로 기판이 로딩되되; 해당 타워의 가장 상부에 위치한 처리장치부터 아래로 순차 투입되고, 해당 타워내 기판 로딩이 완료되면, 가장 인접한 또 다른 타워의 가장 아래에 위치한 처리장치부터 위로 순차 투입될 수 있다.In addition, the order in which substrates are loaded into each of the processing devices is sequentially loaded for each tower on which the processing devices are stacked; The processing devices located at the top of the relevant tower are sequentially introduced downward, and when loading of the substrates within the tower is completed, the substrates can be sequentially inputted upwards starting from the processing devices located at the bottom of another tower adjacent to the tower.

본 발명의 실시예에 의하면, 공급 배관 내 처리액 정체 시간을 줄일 수 있어 배관 내 기포 성장 시간을 줄일 수 있고, 주변 온도에 영향을 적게 받아 처리액 변질을 방지할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.According to an embodiment of the present invention, the stagnation time of the treatment liquid in the supply pipe can be reduced, thereby reducing the bubble growth time in the pipe, and has the special effect of preventing deterioration of the treatment liquid by being less affected by the surrounding temperature.

본 발명의 실시예에 의하면, 공급 배관 내 압력의 변동 폭을 줄여 공급 배관 내 기포 발생 가능성을 줄일 수 있는 각별한 효과를 갖는다.According to an embodiment of the present invention, it has a special effect of reducing the possibility of bubbles occurring in the supply pipe by reducing the fluctuation range of pressure in the supply pipe.

본 발명의 실시예에 의하면, 공통의 공급장치를 사용하여 공급장치에서 발생하는 폐액을 줄일 수 있는 각별한 효과를 갖는다.According to an embodiment of the present invention, it has a special effect of reducing waste liquid generated from the supply device by using a common supply device.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판 공급 순서와 약액 공급 순서를 맞춰 약액 공급 장치의 유휴 시간을 감소시킬 수 있는 각별한 효과를 갖는다.According to an embodiment of the present invention, the idle time of the chemical solution supply device can be reduced by matching the substrate supply order and the chemical solution supply order.

본 발명의 실시예에 의하면, 배관 계통을 하나로 통합하여 배관 내 유휴 처리액을 줄일 수 있는 각별한 효과를 갖는다.According to an embodiment of the present invention, it has a special effect of reducing idle liquid in the pipe by integrating the piping system into one.

본 발명의 실시예에 의하면, 펌프 수량을 줄일 수 있어 유지보수 및 설치 공간을 줄일 수 있는 각별한 효과를 갖는다.According to an embodiment of the present invention, the number of pumps can be reduced, which has the special effect of reducing maintenance and installation space.

본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above. Effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 레지스트 도포 챔버들 각각으로 감광액을 공급하는 처리액 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 펌프 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 5에 도시된 액처리 장치들의 처리액 공급 과정을 설명하기 위한 공정 선도이다.
도 8은 일반적인 도포 공정이 이루어지는 처리 장치에서의 처리액 공급 장치를 보여주는 도면이다.
1 is a plan view of a substrate processing facility according to a first embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view of the facility of Figure 1 viewed from the AA direction.
Figure 3 is a cross-sectional view of the equipment of Figure 1 viewed from the BB direction.
Figure 4 is a cross-sectional view of the facility of Figure 1 viewed from the CC direction.
FIG. 5 is a diagram for explaining a processing liquid supply device that supplies photoresist liquid to each of the resist application chambers.
FIG. 6 is a diagram for explaining the pump unit shown in FIG. 5.
FIG. 7 is a process diagram for explaining the process of supplying processing liquid to the liquid processing devices shown in FIG. 5.
Figure 8 is a diagram showing a treatment liquid supply device in a treatment device in which a general coating process is performed.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Below, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. Additionally, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component does not mean excluding other components, but rather including other components, unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to include one or more other features or It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first component may be named a second component, and similarly, the second component may also be named a first component without departing from the scope of the present invention.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Additionally, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or flat display panel. In particular, the equipment of this embodiment can be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Below, the case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 1 내지 도 7을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, the substrate processing equipment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7.

도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. FIG. 1 is a view of the substrate processing facility viewed from above, FIG. 2 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the A-A direction, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the B-B direction, and FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 1 This is a view viewed from the C-C direction.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함할 수 있다. 1 to 4, the substrate processing equipment 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and development module 400, and a second buffer module 500. ), a pre- and post-exposure processing module 600, and an interface module 700.

로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치될 수 있다. Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and development module 400, second buffer module 500, pre- and post-exposure processing module 600, and interface module 700. Can be sequentially arranged in a row in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and development module 400, the second buffer module 500, the pre- and post-exposure processing module 600, and the interface module ( The direction in which 700) is arranged is referred to as the first direction 12, and the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as the second direction 14, and the first direction 12 and the second The direction perpendicular to the direction 14 is called the third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while stored in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used as the cassette 20.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and development module 400, the second buffer module 500, the pre- and post-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) is explained in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a table 120 on which the cassette 20 containing the substrates W is placed. A plurality of platforms 120 are provided, and the platforms 200 are arranged in a row along the second direction 14. In Figure 1, four stands 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the holder 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300, which will be described later. The index robot 220 and guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is driven in four axes so that the hand 221, which directly handles the substrate W, can move and rotate in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. This has a possible structure. The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a stand 224. The hand 221 is fixedly installed on the arm 222. The arm 222 is provided in a stretchable structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 so as to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The stand 224 is coupled to the guide rail 230 so that it can move linearly along the guide rail 230. In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, second buffer 330, cooling chamber 350, and first buffer robot 360 are located within frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially arranged along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the application module 401 of the application and development module 400, which will be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 will be located at a height corresponding to the application module 401 of the application and development module 400, which will be described later. It is located at a height corresponding to the development module 402 of 400). The first buffer robot 360 is positioned at a certain distance from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 each temporarily store a plurality of substrates W. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16. One substrate (W) is placed on each support 332. The housing 331 includes an index robot 220, a first buffer robot 360, and a developing robot 482 of the developing module 402, which will be described later, to place the substrate W on the support 332 within the housing 331. It has an opening (not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and the direction in which the developing robot 482 is provided for loading or unloading. The first buffer 320 has a generally similar structure to the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 located in the applicator module 401, which will be described later, is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixedly installed on the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure, allowing the hand 361 to move along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two axes along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chambers 350 cool the substrates W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods may be used, such as cooling using coolant or cooling using thermoelectric elements. Additionally, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) that positions the substrate W on the cooling plate 352 . The housing 351 has the index robot 220 so that the index robot 220 and the developing robot 482 provided in the developing module 402, which will be described later, can load or unload the substrate W into or out of the cooling plate 352. The direction provided and the developing robot 482 have an opening (not shown) in the direction provided. Additionally, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) that open and close the above-described openings.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The coating and developing module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 has an application module 401 and a development module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged to be divided into layers from each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling to the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially arranged along the second direction 14. Accordingly, the resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist application chambers 410 are provided, and a plurality of resist application chambers 410 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, unlike this, the bake chamber 420 may be provided in greater numbers.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned parallel to the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. An applicator robot 432 and a guide rail 433 are located within the transfer chamber 430. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes bake chambers 420, resist application chambers 410, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer of the second buffer module 500, which will be described later. The substrate W is transferred between cooling chambers 520. The guide rail 433 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a stand 437. The hand 434 is fixedly installed on the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable structure so that the hand 434 can move in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 to enable linear movement in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437, and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. The resist application chambers 410 all have the same structure. However, the type of photoresist used in each resist application chamber 410 may be different. As an example, a chemical amplification resist may be used as a photo resist. The resist application chamber 410 applies photoresist on the substrate W.

레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist application chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located within the housing 411 and supports the substrate W. The support plate 412 is provided to be rotatable. The nozzle 413 supplies photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. Additionally, the resist application chamber 410 may be further provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photoresist is applied.

다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다Referring again to FIGS. 1 to 4, the bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 perform a prebake process in which organic matter or moisture on the surface of the substrate W is removed by heating the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist, or a photoresist is applied to the substrate (W). A soft bake process performed after coating on W is performed, and a cooling process for cooling the substrate W is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as coolant or a thermoelectric element. Additionally, the heating plate 422 is provided with a heating means 424 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may each be provided within one bake chamber 420. Optionally, some of the bake chambers 420 may have only a cooling plate 421 and others may have only a heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The development module 402 includes a development process of removing part of the photo resist by supplying a developer solution to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the development process. Includes. The development module 402 has a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially arranged along the second direction 14. Accordingly, the development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of development chambers 460 are provided, and a plurality of development chambers 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six development chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, unlike this, the bake chamber 470 may be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned parallel to the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. A developing robot 482 and a guide rail 483 are located within the transfer chamber 480. The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing robot 482 includes bake chambers 470, developing chambers 460, the second buffer 330 and cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. The substrate W is transferred between the second cooling chambers 540. The guide rail 483 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to move linearly in the first direction 12. The developing robot 482 has a hand 484, an arm 485, a support 486, and a stand 487. The hand 484 is fixedly installed on the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable structure so that the hand 484 can move in the horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 to enable linear movement in the third direction 16 along the support 486. The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The stand 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the type of developer used in each developing chamber 460 may be different. The developing chamber 460 removes the light-irradiated area of the photo resist on the substrate W. At this time, the light-irradiated area of the protective film is also removed. Depending on the type of photoresist selectively used, only the areas that are not exposed to light among the areas of the photoresist and the protective film may be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located within the housing 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is provided to be rotatable. The nozzle 463 supplies developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply the developing solution to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. Additionally, the developing chamber 460 may be further provided with a nozzle 464 that supplies a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developing solution has been supplied.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 of the development module 402 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 470 include a post-bake process of heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process of heating the substrate W after the development process, and a heating process after each bake process. A cooling process to cool the wafer is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as coolant or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may each be provided within one bake chamber 470. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471 and others may have only a heating plate 472.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Additionally, when viewed from the top, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the coating and development module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. Additionally, the second buffer module 500 performs a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560. have The frame 510 has the shape of a rectangular parallelepiped. Buffer 520, first cooling chamber 530, second cooling chamber 540, edge exposure chamber 550, and second buffer robot 560 are located within frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16. When viewed from the top, the buffer 520 is disposed along the first direction 12 and the transfer chamber 430 of the application module 401. The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transports the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. The second buffer robot 560 is located between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a similar structure to the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform subsequent processes on the wafers W on which the process was performed in the coating module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which a process has been performed in the coating module 401. The first cooling chamber 530 has a similar structure to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes the edges of the wafers W on which the cooling process was performed in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 temporarily stores the substrates W on which a process has been performed in the edge exposure chamber 550 before they are transported to the preprocessing module 601, which will be described later. The second cooling chamber 540 cools the wafers W that have undergone processing in the post-processing module 602, which will be described later, before they are transported to the development module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the wafers W that have undergone processing in the post-processing module 602 may be temporarily stored in an added buffer and then transported to the development module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(1000)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 1000 performs a liquid immersion exposure process, the pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film that protects the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure. Additionally, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. Additionally, when the application process is performed using a chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be divided into layers. According to one example, the pre-processing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the development module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially arranged along the second direction 14. Accordingly, the protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and arranged along the third direction 16 to form a layer on top of each other. Optionally, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. A plurality of bake chambers 620 are provided and arranged along the third direction 16 to form a layer on top of each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is located parallel to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. A preprocessing robot 632 is located within the transfer chamber 630. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 operates between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700, which will be described later. Transfer the substrate (W). The pretreatment robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support base 635. The hand 633 is fixedly installed on the arm 634. The arm 634 is provided in a stretchable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 635.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film application chamber 610 applies a protective film that protects the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is located within the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is provided to be rotatable. The nozzle 613 supplies protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply protective liquid to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid contains a foaming material. The protective liquid may be a photoresist or a material with low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 rotates the substrate W placed on the support plate 612 and supplies a protective liquid to the central area of the substrate W.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with cooling means 623 such as coolant or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 622 is provided with a heating means 624 such as a heating wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may each be provided within one bake chamber 620. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only a heating plate 622 and others may have only a cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially arranged along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided, and may be arranged along the third direction 16 to form a layer on top of each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided, and may be arranged along the third direction 16 to form a layer on top of each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned parallel to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from the top. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located within the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second cooling chamber 540 of the interface module 700, which will be described later. The substrate W is transported between buffers 730. The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. Cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located within the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is provided to be rotatable. The nozzle 663 supplies cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. Water such as deionized water may be used as a cleaning liquid. The cleaning chamber 660 supplies cleaning liquid to the central area of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center area of the substrate W to the edge area.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process was performed using far ultraviolet rays. The post-exposure bake process heats the substrate W to amplify the acid generated in the photoresist by exposure, thereby completely changing the properties of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with heating means 674, such as a heating wire or thermoelectric element. After exposure, the bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as coolant or thermoelectric elements. Additionally, optionally, a bake chamber with only a cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre- and post-exposure processing module 600, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. Additionally, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided in the same size, so that they completely overlap each other when viewed from the top. Additionally, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided in the same size and completely overlap each other when viewed from the top. Additionally, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may be provided in the same size and completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(1000) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre- and post-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 1000. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, second buffer 730, and interface robot 740 are located within frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced a certain distance apart from each other and are arranged to be stacked on each other. The first buffer 720 is placed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is located at a height corresponding to the pre-processing module 601, and the second buffer 730 is located at a height corresponding to the post-processing module 602. When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in line with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 along the first direction 12, and the second buffer 730 is disposed in the post-processing module 602. It is positioned to be aligned with the transfer chamber 630 along the first direction 12.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(1000) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 1000. The interface robot 740 has a structure generally similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(1000)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(1000)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W on which a process has been performed in the preprocessing module 601 before they are moved to the exposure apparatus 1000 . And the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have completed the process in the exposure apparatus 1000 before they are moved to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are spaced apart from each other along the third direction 16. One substrate (W) is placed on each support 722. The housing 721 is provided with an interface robot 740 and a preprocessing robot ( 632) has an opening (not shown) in the provided direction. The second buffer 730 has a generally similar structure to the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the post-processing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only buffers and a robot as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the wafer.

도 5는 레지스트 도포 챔버들 각각으로 감광액을 공급하는 처리액 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다. FIG. 5 is a diagram for explaining a processing liquid supply device that supplies photoresist liquid to each of the resist application chambers.

본 실시예에서 처리액 공급 장치(900)는 감광액을 레지스트 도포 챔버들 각각으로 공급하는 것으로 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 처리액을 이용하여 기판 표면을 처리하는 액처리 장치에 모두 적용 가능하다. 레지스트 도포 챔버는 이하 설명된 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 액처리 장치(800)로 제공될 수 있다. 액처리 장치(800) 각각은 기판 지지 유닛(810), 처리 용기(820), 노즐(830)을 포함할 수 있다. In this embodiment, the processing liquid supply device 900 is described as supplying photoresist liquid to each of the resist application chambers, but it is not limited to this and can be applied to any liquid processing device that processes the surface of a substrate using a processing liquid. . The resist application chamber may be provided as a liquid processing device 800 for applying photoresist on the substrate W described below. Each liquid processing device 800 may include a substrate support unit 810, a processing vessel 820, and a nozzle 830.

도 5를 참조하면, 액처리 장치(800)들은 제1타워(T1)와 제2타워(T2)에 각각 3개씩 적층 배치될 수 있다. 일 예로, 제1타워(T1)에 적층 배치된 액처리 장치들은 최상단부터 아래로 1번 액처리 장치(800-1), 3번 액처리 장치(800-3) 그리고 5번 액처리 장치(800-5)로 정의될 수 있으며, 제2타워(T2)에 적층 배치된 액처리 장치들은 최상단부터 아래로 2번 액처리 장치(800-2), 4번 액처리 장치(800-4) 그리고 6번 액처리 장치(800-6)로 정의될 수 있다.Referring to FIG. 5 , three liquid processing devices 800 may be arranged in a stack of three each in the first tower T1 and the second tower T2. As an example, the liquid processing devices arranged in a stack in the first tower (T1) are, from the top to bottom, liquid processing device No. 1 (800-1), liquid processing device No. 3 (800-3), and liquid processing device No. 5 (800). It can be defined as -5), and the liquid processing devices arranged in a stack in the second tower (T2) are liquid processing device No. 2 (800-2), liquid processing device No. 4 (800-4), and 6 from the top. It may be defined as a liquid processing device 800-6.

처리액 공급 장치(900)는 보틀(bottle;910), 트랩탱크(920), 펌프 유닛(930) 그리고 공급배관(980)을 포함할 수 있다. The treatment liquid supply device 900 may include a bottle 910, a trap tank 920, a pump unit 930, and a supply pipe 980.

보틀(910)에는 처리액이 채워져 있으며, 제1불활성가스 공급라인(912)과 제1공급라인(L1)이 연결되어 있다. 보틀(910)에는 제1불활성가스 공급라인(912)을 통해 밀폐된 보틀(910) 내부를 불활성기체의 분위기로 만들기 위해 불활성가스(헬륨가스 또는 질소 가스)가 레귤레이터를 통해 공급되며, 상대적인 압력으로 내부의 처리액이 제1공급라인(L1)을 통해 트랩 탱크(920)로 이동된다.The bottle 910 is filled with a treatment liquid, and the first inert gas supply line 912 and the first supply line (L1) are connected. An inert gas (helium gas or nitrogen gas) is supplied to the bottle 910 through a regulator through the first inert gas supply line 912 to create an inert gas atmosphere inside the sealed bottle 910, and the gas is supplied at a relative pressure. The internal processing liquid is moved to the trap tank 920 through the first supply line (L1).

트랩 탱크(920)에는 제1공급라인(L1)을 통해 제공받은 처리액이 저장되고, 일측에는 수위 감지센서(922)들이 설치되어 처리액의 수위를 감지하여 적정 수위까지 처리액이 계속적으로 충진되도록 한다. 한편, 트랩 탱크(920)의 상단에는 제2드레인 라인(924)에 연결되는데, 이 제2드레인 라인(924)은 트랩 탱크(920)의 상단에 모아지는 기포를 제거하거나 또는 처리액의 성질 변화에 대응하여 수동적으로 처리액을 드레인시키게 된다. 제2드레인 라인(924)을 통해 배출되는 기포 및 성질 변화된 처리액은 폐액 탱크(미도시됨)로 제공될 수 있다. 트랩 탱크(920)의 저면에는 제2공급라인(L2)이 연결된다. 제2공급라인(L2)은 펌프 유닛(930)에 연결된다. The trap tank 920 stores the treatment liquid provided through the first supply line (L1), and water level detection sensors 922 are installed on one side to detect the water level of the treatment liquid and continuously fill the treatment liquid to the appropriate level. Make it possible. Meanwhile, the top of the trap tank 920 is connected to a second drain line 924, which removes air bubbles collected at the top of the trap tank 920 or changes the properties of the treatment liquid. In response, the treatment liquid is passively drained. The bubbles and the treatment liquid with changed properties discharged through the second drain line 924 may be provided to a waste liquid tank (not shown). A second supply line (L2) is connected to the bottom of the trap tank 920. The second supply line (L2) is connected to the pump unit 930.

펌프 유닛(930)는 흡입 및 배출 동작에 의해 발생되는 유동압에 의해 트랩 탱크(920)에 저장되어 있는 처리액을 액처리 장치들 각각의 노즐(830)로 정량 공급한다. 펌프 유닛(930)는 트랩 탱크(920)로부터 기판 1회분의 처리액을 흡입해 놓고, 도포 처리시에 해당 노즐(830)로 서로 다른 공급 압력으로 처리액을 배출할 수 있다. The pump unit 930 supplies a fixed amount of the treatment liquid stored in the trap tank 920 to the nozzles 830 of each of the liquid treatment devices using fluid pressure generated by suction and discharge operations. The pump unit 930 may suction the processing liquid for one batch of substrates from the trap tank 920 and discharge the processing liquid to the corresponding nozzle 830 at different supply pressures during the application process.

펌프 유닛(930)에는 제3공급라인(L3)이 연결된다. 제3공급라인(L3)에는 액처리 장치들 각각의 노즐(830)과 연결된 분기배관(L4)들이 연결될 수 있다. 메인 배관은 제1공급라인(L1)과 제2공급라인(L2) 그리고 제3공급라인(L3)을 포함할 수 있다. A third supply line (L3) is connected to the pump unit 930. Branch pipes (L4) connected to the nozzles 830 of each of the liquid processing devices may be connected to the third supply line (L3). The main pipe may include a first supply line (L1), a second supply line (L2), and a third supply line (L3).

일 예로, 처리액 공급 장치(900)는 액처리 장치들(800-1 ~ 800-6) 각각으로 로딩되는 기판들의 순서에 따라 처리액을 순차적으로 공급할 수 있다. As an example, the processing liquid supply device 900 may sequentially supply processing liquid according to the order of substrates loaded into each of the liquid processing devices 800-1 to 800-6.

처리액 공급 장치(900)는 펌프 제어부(990)를 포함할 수 있다. 펌프 제어부(990)는 펌프 유닛(930)과 액처리 장치(800-1 ~ 800-6)들 각각의 노즐(830)간의 처리액 이동 길이에 따라 공급 배관의 압력 변화를 최소화하기 위해 펌프 유닛(930)의 공급압력을 제어할 수 있다. 또한, 펌프 제어부(990)는 액처리 장치들의 적층 높이 차이에 따라 펌프 유닛(930)의 공급압력을 제어할 수 있다.The processing liquid supply device 900 may include a pump control unit 990. The pump control unit 990 operates a pump unit ( 930) supply pressure can be controlled. Additionally, the pump control unit 990 may control the supply pressure of the pump unit 930 according to the difference in stacking height of the liquid processing devices.

도 6은 도 5에 도시된 펌프 유닛을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 6 is a diagram for explaining the pump unit shown in FIG. 5.

도 6을 참조하면, 펌프 유닛(930)은 기판 상에 정량의 유체를 토출시키도록 설계되어 있다. 일 예로, 펌프 유닛(930)은 충전 펌프부(940)와 토출 펌프부(950) 그리고 필터(960)를 포함하는 다단 펌프 구조로 제공될 수 있다. 예컨대, 충전 펌프부(940)와 토출 펌프부(950)는 다이어프램 방식을 갖는 펌프일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 필터(960)는 충전 펌프부(940)로부터 토출 펌프부(950)로 처리액이 이동되는 라인 상에 설치될 수 있다. Referring to FIG. 6, the pump unit 930 is designed to discharge a fixed amount of fluid onto the substrate. As an example, the pump unit 930 may be provided as a multi-stage pump structure including a charge pump unit 940, a discharge pump unit 950, and a filter 960. For example, the charge pump unit 940 and the discharge pump unit 950 may be diaphragm type pumps, but are not limited thereto. The filter 960 may be installed on the line through which the processing liquid moves from the charge pump unit 940 to the discharge pump unit 950.

충전 펌프부(940)는 제1모터(942)와 트랩 탱크(920)로부터 처리액을 공급받아 충전하는 제1펌프실(944)을 포함할 수 있다. The charging pump unit 940 may include a first motor 942 and a first pump chamber 944 that receives and fills the processing liquid from the trap tank 920.

토출 펌프부(950)는 제2모터(952)와, 충전 펌프부(940)에 충전된 처리액을 제공받아 저장하는 제2펌프실(954)을 포함할 수 있다. 제2펌프실(954)에 저장된 처리액은 제2모터(952)의 토출 동작에 의해 노즐(830)로 공급될 수 있다. 토출 펌프부(950)에서 처리액을 노즐(830)로 공급하는 동안, 충전 펌프부(940)는 흡입 동작을 통해 트랩 탱크(920)로부터 처리액을 제1펌프실(944)에 충전한다. The discharge pump unit 950 may include a second motor 952 and a second pump chamber 954 that receives and stores the treatment liquid charged in the charge pump unit 940. The treatment liquid stored in the second pump chamber 954 may be supplied to the nozzle 830 by the discharge operation of the second motor 952. While the discharge pump unit 950 supplies the treatment liquid to the nozzle 830, the charge pump unit 940 fills the first pump chamber 944 with the treatment liquid from the trap tank 920 through a suction operation.

펌프 제어부(990)는 제1모터(942) 및 제2모터(952)를 각각 제어할 수 있다. 일 예로, 펌프 제어부(990)는 펌프 유닛(930)과 처리 장치들 각각의 노즐(830)간의 처리액 이동 길이 및 처리 장치(800)들의 적층 높이 차이에 따라 제2모터(952)의 토크 및 속도를 제어하여 토출 펌프부(950)의 공급압력을 다르게 제공할 수 있다. 한편, 충전 펌프부(940)의 공급압력은 항상 일정하도록 펌프 제어부(990)에 의해 제어될 수 있다. The pump control unit 990 can control the first motor 942 and the second motor 952, respectively. As an example, the pump control unit 990 controls the torque and By controlling the speed, the supply pressure of the discharge pump unit 950 can be provided differently. Meanwhile, the supply pressure of the charging pump unit 940 may be controlled by the pump control unit 990 to be constant at all times.

본 실시예에 의하면, 펌프 제어부(990)는 펌프 유닛(930)과 액처리 장치들 각각의 노즐(830)간의 처리액 이동 길이가 길수록 그리고 처리 장치들의 적층 높이 높을수록 공급압력이 높아지도록 토출 펌프부(950)를 제어할 수 있다.According to this embodiment, the pump control unit 990 operates the discharge pump so that the supply pressure increases as the movement length of the processing liquid between the pump unit 930 and the nozzle 830 of each of the liquid processing devices is longer and the stacking height of the processing devices is higher. Unit 950 can be controlled.

도 7은 도 5에 도시된 액처리 장치들의 처리액 공급 과정을 설명하기 위한 공정 선도이다.FIG. 7 is a process diagram for explaining the process of supplying processing liquid to the liquid processing devices shown in FIG. 5.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 액처리 장치들 각각으로 기판이 로딩되는 순서는 액처리 장치들이 적층된 타워별로 순차적으로 로딩될 수 있다. 일 예로, 기판 반송 로봇의 기판 로딩 순서는 제1타워의 가장 상부에 위치한 1번 액처리 장치부터 시작하여 3번 액처리 장치(800-3)와 5번 액처리 장치(800-5)로 순차 투입될 수 있다. 그리고 제1타워(T1) 내의 기판 로딩이 완료되면, 가장 인접한 제2타워(T2)의 가장 아래에 위치한 6번 액처리 장치(800-6), 4번 액처리 장치(800-4) 그리고 2번 액처리 장치(800-2)로 순차 투입될 수 있다. 이러한 기판의 순차적 투입을 통해 각 공정 시작 시간에 편차 생기게 된다. 이러한 시간 편차를 이용하여 처리액을 순차적으로 공급한다. Referring to FIGS. 5 to 7 , the order in which substrates are loaded into each liquid processing device may be sequentially loaded for each tower on which the liquid processing devices are stacked. As an example, the substrate loading order of the substrate transfer robot starts with the liquid processing unit No. 1 located at the top of the first tower, and sequentially moves to the liquid processing unit No. 3 (800-3) and the liquid processing unit No. 5 (800-5). can be put in. And when the substrate loading in the first tower (T1) is completed, liquid processing device No. 6 (800-6), liquid processing device No. 4 (800-4) and 2 located at the bottom of the adjacent second tower (T2) It may be sequentially introduced into the liquid processing device 800-2. Through the sequential input of these substrates, deviations occur in the start time of each process. Using this time difference, the treatment liquid is supplied sequentially.

한편, 처리액의 공급은 다음과 같다. 기판이 가장 먼저 투입된 1번 액처리 장치(800-1)로 통하는 분기라인(L4)의 밸브를 열어 1번 액처리 장치(800-1)의 노즐(830)로 처리액을 공급한다. 정량의 처리액을 공급한 후 1번 액처리 장치*800-1)와 처리액 공급장치 사이의 밸브를 닫고 펌프 유닛(930) 내 처리액을 충전한다. 펌프 유닛(930) 내 처리액 충전 완료 후 3번 액처리 장치(800-3)로 통하는 분기라인L4)의 밸브를 열어 3번 액처리 장치(800-3)로 처리액을 공급한다. 정량의 처리액을 공급한 후 3번 액처리 장치(800-3)와 처리액 공급장치 사이의 밸브를 닫고 펌프 유닛(930) 내 처리액을 재충전한다. 펌프 유닛(930) 내 처리액 충전 완료 후 5번 액처리 장치(800-5)로 통하는 분기라인(L4)의 밸브를 열어 5번 액처리 장치(800-5)로 처리액을 공급한다. 정량의 처리액을 공급한 후 5번 액처리 장치(800-5)와 처리액 공급장치 사이의 밸브를 닫고 펌프 유닛(930) 내 처리액을 충전한다. 위와 같이 제1타워 내 모든 액처리 장치를 위에서부터 순차적으로 공급 후 다음 제2타워(T2)로 전환한다. Meanwhile, the supply of the treatment liquid is as follows. The valve of the branch line (L4) leading to the first liquid processing device (800-1) into which the substrate was first input is opened to supply the processing liquid to the nozzle 830 of the first liquid processing device (800-1). After supplying a fixed amount of treatment liquid, close the valve between liquid treatment device No. 1 *800-1) and the treatment liquid supply device and fill the treatment liquid in the pump unit 930. After completing the filling of the treatment liquid in the pump unit 930, the valve of the branch line L4 leading to the liquid treatment device No. 3 (800-3) is opened to supply the treatment liquid to the liquid treatment device No. 3 (800-3). After supplying a fixed amount of treatment liquid, the valve between the liquid treatment device 3 (800-3) and the treatment liquid supply device is closed and the treatment liquid in the pump unit 930 is recharged. After completing the filling of the treatment liquid in the pump unit 930, the valve of the branch line (L4) leading to the liquid treatment device No. 5 (800-5) is opened to supply the treatment liquid to the liquid treatment device No. 5 (800-5). After supplying a fixed amount of treatment liquid, the valve between the 5th liquid treatment device (800-5) and the treatment liquid supply device is closed and the treatment liquid in the pump unit 930 is charged. As above, all liquid treatment devices in the first tower are supplied sequentially from the top and then switched to the second tower (T2).

제2타워(T2)에서의 처리액 공급은 6번 액처리 장치(800-6)부터 시작하여 4번 액처리 장치(800-4) 그리고 2번 액처리 장치(800-2) 순으로 이루어지며, 이에 대한 설명은 생략한다.The supply of the treatment liquid from the second tower (T2) starts from the 6th liquid treatment unit (800-6), then the 4th liquid treatment unit (800-4), and the 2nd liquid treatment unit (800-2). , the explanation for this is omitted.

본 발명의 처리액 공급장치(900)는 위와 같이 타워의 위에서 아래로, 아래에서 위로 다시 위에서 아래 방향으로 기판의 로딩 순서를 따라 처리액을 공급한다.The processing liquid supply device 900 of the present invention supplies processing liquid according to the loading order of the substrate from the top to the bottom of the tower, from the bottom to the top, and then from the top to the bottom, as shown above.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It should be understood that the above embodiments are provided to aid understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and that various modifications possible therefrom also fall within the scope of the present invention. The scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the patent claims, and the scope of technical protection of the present invention is not limited to the literal description of the claims themselves, but is substantially a scope of equal technical value. It should be understood that this extends to inventions of .

800: 액처리 장치 810 : 기판 지지 유닛
820 : 처리 용기 830 : 노즐
900 : 처리액 공급 장치 910 : 보틀
920 : 트랩 탱크 930 : 펌프 유닛
940 ; 충전 펌프부 950 : 토출 펌프부
960 : 필터 990 : 펌프 제어부
800: Liquid processing device 810: Substrate support unit
820: Processing container 830: Nozzle
900: Treatment liquid supply device 910: Bottle
920: Trap tank 930: Pump unit
940 ; Charge pump unit 950: Discharge pump unit
960: Filter 990: Pump control unit

Claims (20)

처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리 장치들;
하나의 펌프 유닛을 이용하여 상기 처리 장치들 각각의 노즐로 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 포함하되;
상기 처리액 공급부는
상기 처리 장치들 각각으로 로딩되는 기판들의 순서에 따라 처리액을 순차적으로 공급하되;
상기 처리액 공급부는
처리액이 저장되어 있는 보틀;
상기 보틀로부터 공급받은 처리액을 일시 저장하는 트랩 탱크;
상기 보틀과 상기 트랩 탱크 그리고 상기 펌프 유닛이 순차적으로 배치된 메인 배관과 상기 메인 배관으로부터 분기되어 상기 처리 장치들 각각의 노즐과 연결되는 분기 배관들을 포함하는 공급 배관을 포함하고,
상기 펌프 유닛은
제1모터를 포함하고, 상기 트랩 탱크로부터 처리액을 공급받아 충전하는 충전 펌프부;
제2모터를 포함하고, 상기 충전 펌프부에 충전된 처리액을 제공받아 상기 노즐로 공급하는 토출 펌프부;
상기 충전 펌프부로부터 상기 토출 펌프부로 처리액이 이동되는 경로상에 제공되는 필터; 및
상기 제1모터 및 제2모터를 제어하는 펌프 제어부를 포함하고;
상기 펌프 제어부는
상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이 및 상기 처리 장치들의 적층 높이 차이에 따라 상기 제2모터의 토크 및 속도를 제어하여 상기 토출 펌프부의 공급압력을 다르게 제공하는 기판 처리 장치.
Processing devices that process a substrate using a processing liquid;
It includes a processing liquid supply unit that supplies processing liquid to the nozzles of each of the processing devices using one pump unit;
The treatment liquid supply unit
Supplying processing liquid sequentially according to the order of substrates loaded into each of the processing devices;
The treatment liquid supply unit
A bottle in which the treatment liquid is stored;
a trap tank for temporarily storing the treatment liquid supplied from the bottle;
A supply pipe including a main pipe in which the bottle, the trap tank, and the pump unit are sequentially arranged, and branch pipes branched from the main pipe and connected to nozzles of each of the processing devices,
The pump unit is
a charging pump unit including a first motor and receiving and charging the processing liquid from the trap tank;
a discharge pump unit including a second motor, receiving the treatment liquid charged in the charge pump unit and supplying it to the nozzle;
a filter provided on a path along which the processing liquid moves from the charge pump unit to the discharge pump unit; and
It includes a pump control unit that controls the first motor and the second motor;
The pump control unit
A substrate processing device that provides different supply pressures to the discharge pump unit by controlling the torque and speed of the second motor according to the processing liquid movement length between the nozzles of the pump unit and each of the processing devices and the difference in stacking height of the processing devices. .
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 처리 장치들은
다단으로 적층 배치되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The processing devices are
A substrate processing device that is stacked in multiple stages.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 펌프 제어부는
상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이가 길수록 그리고 상기 처리 장치들의 적층 높이 높을수록 상기 토출 펌프부의 공급압력이 높아지도록 제어하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The pump control unit
A substrate processing device that controls the supply pressure of the discharge pump unit to increase as the processing liquid movement length between the pump unit and the nozzle of each of the processing devices is longer and the stacking height of the processing devices is higher.
제 1 항에 있어서,
상기 처리 장치들 각각으로 기판이 로딩되는 순서는
상기 처리장치들이 적층된 타워별로 순차적으로 기판이 로딩되되;
해당 타워의 가장 상부에 위치한 처리장치부터 아래로 순차 투입되고, 해당 타워내 기판 로딩이 완료되면, 가장 인접한 또 다른 타워의 가장 아래에 위치한 처리장치부터 위로 순차 투입되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The order in which the substrate is loaded into each of the processing devices is
Substrates are sequentially loaded into each tower where the processing devices are stacked;
Substrate processing devices are sequentially inputted starting from the processing device located at the top of the relevant tower downwards, and when loading of substrates within the tower is completed, substrate processing devices are sequentially inputted starting from the processing device located at the bottom of another tower adjacent to the tower.
처리액 공급원;
상기 처리액 공급원에 연결되는 메인 배관;
상기 메인 배관으로부터 분기되고, 처리 장치들 각각의 노즐과 연결되는 분기 배관;
상기 메인 배관에 설치되는 펌프 유닛; 및
상기 처리 장치들 각각으로 로딩되는 기판들의 순서에 따라 처리액을 순차적으로 공급하도록 상기 펌프 유닛을 제어하는 제어부를 포함하되;
상기 펌프 유닛은
제1모터를 포함하고, 상기 처리액 공급원으로부터 처리액을 공급받아 충전하는 충전 펌프부;
제2모터를 포함하고, 상기 충전 펌프부에 충전된 처리액을 제공받아 상기 노즐로 공급하는 토출 펌프부; 및
상기 제1모터 및 제2모터를 제어하는 펌프 제어부를 포함하는 처리액 공급 장치.
Process liquid source;
a main pipe connected to the treatment liquid supply source;
a branch pipe branched from the main pipe and connected to a nozzle of each of the processing devices;
A pump unit installed in the main pipe; and
A control unit that controls the pump unit to sequentially supply processing liquid according to the order of substrates loaded into each of the processing devices;
The pump unit is
A charging pump unit including a first motor and receiving and charging processing liquid from the processing liquid supply source;
a discharge pump unit including a second motor, receiving the treatment liquid charged in the charge pump unit and supplying it to the nozzle; and
A processing liquid supply device including a pump control unit that controls the first motor and the second motor.
삭제delete 제 10 항에 있어서,
상기 펌프 제어부는
상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이 및 상기 처리 장치들의 적층 높이 차이에 따라 상기 제2모터의 토크 및 속도를 제어하여 상기 토출 펌프부의 공급압력을 다르게 제공하는 처리액 공급 장치.
According to claim 10,
The pump control unit
Processing liquid supply to provide different supply pressures to the discharge pump unit by controlling the torque and speed of the second motor according to the processing liquid movement length between the nozzles of the pump unit and each of the processing devices and the difference in stacking height of the processing devices. Device.
제 12 항에 있어서,
상기 펌프 제어부는
상기 펌프 유닛과 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이가 길수록 그리고 상기 처리 장치들의 적층 높이 높을수록 상기 토출 펌프부의 공급압력이 높아지도록 제어하는 처리액 공급 장치.
According to claim 12,
The pump control unit
A processing liquid supply device that controls the supply pressure of the discharge pump unit to increase as the processing liquid movement length between the pump unit and the nozzle of each of the processing devices is longer and the stacking height of the processing devices is higher.
제 10 항에 있어서,
상기 펌프 유닛은
상기 충전 펌프부로부터 상기 토출 펌프부로 처리액이 이동되는 경로상에 제공되는 필터를 더 포함하는 처리액 공급 장치.
According to claim 10,
The pump unit is
A processing liquid supply device further comprising a filter provided on a path through which the processing liquid moves from the charge pump unit to the discharge pump unit.
처리액 공급 방법에 있어서,
보틀에 담겨있는 처리액을 트랩 탱크에 임시 저장하는 단계;
펌프의 흡입(suction) 동작을 통해 상기 트랩 탱크에 저장되어 있는 처리액을 상기 펌프의 제1펌프실에 채우고, 상기 제1펌프실에 충전된 처리액을 상기 펌프의 제2펌프실에 저장하며, 상기 펌프의 배출 동작을 통해 상기 제2펌프실에 채워져 있는 처리액을 처리 장치들 각각의 노즐로 공급하는 펌핑 단계를 포함하되;
상기 펌핑 단계는 상기 처리 장치들 각각으로 로딩되는 기판들의 순서에 따라 처리액을 순차적으로 공급하며,
상기 펌핑 단계는
상기 트랩 탱크에 저장되어 있는 처리액을 상기 제1펌프실에 충전하는 단계;
상기 제1펌프실에 충전되어 있는 처리액을 상기 제2펌프실에 저장하는 단계; 및
상기 펌프의 배출 동작을 통해 상기 제2펌프실에 저장되어 있는 처리액을 상기 노즐로 공급하는 단계를 포함하는 처리액 공급 방법.
In the treatment liquid supply method,
Temporarily storing the treatment liquid contained in the bottle in a trap tank;
The treatment liquid stored in the trap tank is filled into the first pump chamber of the pump through a suction operation of the pump, and the treatment liquid filled in the first pump chamber is stored in the second pump chamber of the pump. A pumping step of supplying the processing liquid filled in the second pump chamber to each nozzle of the processing devices through a discharge operation of;
The pumping step sequentially supplies processing liquid according to the order of substrates loaded into each of the processing devices,
The pumping step is
filling the first pump chamber with the treatment liquid stored in the trap tank;
storing the treatment liquid charged in the first pump chamber in the second pump chamber; and
A processing liquid supply method comprising supplying the processing liquid stored in the second pump chamber to the nozzle through a discharge operation of the pump.
삭제delete 제 15 항에 있어서,
상기 펌핑 단계는
상기 펌프와 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이 및 상기 처리 장치들의 적층 높이 차이에 따라 상기 제2펌프실의 공급압력을 다르게 제공하는 처리액 공급 방법.
According to claim 15,
The pumping step is
A processing liquid supply method that provides different supply pressures to the second pump chamber depending on the processing liquid movement length between the pump and the nozzle of each of the processing devices and the difference in stacking height of the processing devices.
제 15 항에 있어서,
상기 펌핑 단계는
상기 펌프와 상기 처리 장치들 각각의 노즐간의 처리액 이동 길이가 길수록 그리고 상기 처리 장치들의 적층 높이 높을수록 상기 제2펌프실의 공급압력이 높아지도록 제어하는 처리액 공급 방법.
According to claim 15,
The pumping step is
A processing liquid supply method in which the supply pressure of the second pump chamber is controlled to increase as the processing liquid movement length between the pump and the nozzle of each of the processing devices is longer and the stacking height of the processing devices is higher.
제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
상기 제2펌프실의 공급압력은
상기 제2펌프실의 구동 모터의 토크 및 속도 제어를 통해 제공되는 처리액 공급 방법.
The method of claim 17 or 18,
The supply pressure of the second pump room is
A treatment liquid supply method provided through torque and speed control of the driving motor of the second pump room.
제 15 항에 있어서,
상기 처리 장치들 각각으로 기판이 로딩되는 순서는
상기 처리장치들이 적층된 타워별로 순차적으로 기판이 로딩되되;
해당 타워의 가장 상부에 위치한 처리장치부터 아래로 순차 투입되고, 해당 타워내 기판 로딩이 완료되면, 가장 인접한 또 다른 타워의 가장 아래에 위치한 처리장치부터 위로 순차 투입되는 처리액 공급 방법.
According to claim 15,
The order in which the substrate is loaded into each of the processing devices is
Substrates are sequentially loaded into each tower where the processing devices are stacked;
A method of supplying processing liquid in which the processing liquid is sequentially supplied downward starting from the processing device located at the top of the relevant tower, and when substrate loading in the tower is completed, the processing liquid is sequentially inputted upward starting from the processing device located at the bottom of another tower next to the tower.
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