KR20230033851A

KR20230033851A - Substrate processing apparatus, treatment solution supply apparatus

Info

Publication number: KR20230033851A
Application number: KR1020210116765A
Authority: KR
Inventors: 고정석; 조아라; 정우신; 김대성; 김해경; 박형민; 이정진; 박임봉; 이주범
Original assignee: 세메스 주식회사; 서울대학교산학협력단
Priority date: 2021-09-02
Filing date: 2021-09-02
Publication date: 2023-03-09

Abstract

A treatment liquid supply apparatus is provided. The treatment liquid supply apparatus includes: a storage container in which a treatment liquid is stored; an air trap for removing bubbles from the treatment liquid supplied from the storage container; and a supply pipe connecting the storage container and the air trap. A portion of the supply pipe may be lower than the storage container. Therefore, it is possible to minimize a backflow area on a treatment liquid supply line.

Description

Substrate processing device and processing liquid supply device {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, TREATMENT SOLUTION SUPPLY APPARATUS}

본 발명은 기판을 처리액으로 액처리하는 장치에서 처리액 공급 장치 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing liquid supply device and a substrate processing device in an apparatus for liquid processing a substrate with a processing liquid.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 HMDS(Hexamethyl disilazane) 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.Among semiconductor manufacturing processes, a photo-lithography process is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photo process is usually performed in a spinner local facility that is connected to an exposure facility to continuously process a coating process, an exposure process, and a developing process. This spinner facility sequentially or selectively performs a hexamethyl disilazane (HMDS) process, a coating process, a baking process, and a developing process.

도 8은 일반적인 도포 공정이 이루어지는 처리 장치에서의 처리액 공급 장치를 보여주는 도면이다.8 is a view showing a treatment liquid supply device in a treatment device in which a general application process is performed.

도 8에서와 같이, 가압 방식의 처리액 공급 장치는 에어 트랩(3)과 그에 대한 백플로우(backflow)에 의해 장치 내 버블이 생성 및 성장이 일어나게 된다. 즉, 보틀(1)과 에어 트랩(3) 구간의 배관(2)이 보틀(1) 및 에어 트랩(3)보다 높이 위치하면서, 보틀(1) 내 가압이 멈춰서 대기압이 되었을 때 중력에 의해 배관(2) 내 처리액이 보틀(1) 또는 에어 트랩(3)으로 이동하게 되고, 이때 보틀(1) 쪽으로 처리액이 이동하는 백플로우가 발생하면서 공기로 채워지는 구간이 길어지게 된다. 그리고, 다시 보틀(1) 내의 처리액을 가압하여 처리액이 에어 트랩(3)으로 이동할때 배관에 채워진 공기로 인해 다량의 마이크로 버블이 발생하게 된다.As shown in FIG. 8, in the pressurized treatment liquid supply device, bubbles are generated and grown in the device by the air trap 3 and its backflow. That is, while the pipe (2) in the section between the bottle (1) and the air trap (3) is located higher than the bottle (1) and the air trap (3), when the pressurization in the bottle (1) stops and becomes atmospheric pressure, the pipe (2) by gravity (2) The inner treatment liquid moves to the bottle 1 or the air trap 3, and at this time, a backflow occurs in which the treatment liquid moves toward the bottle 1, and the section filled with air becomes longer. Then, when the treatment liquid in the bottle 1 is pressurized again and the treatment liquid moves to the air trap 3, a large amount of micro bubbles are generated due to the air filled in the pipe.

이러한 버블은 기판 상의 결함(defect)을 발생시켜 수율을 떨어뜨리게 된다. 버블을 줄이기 위해서는 배관의 길이를 최소화하거나 또는 백플로우에 의해 에어가 채워지는 영역을 최소화시켜야만 한다.These bubbles cause defects on the substrate to decrease yield. In order to reduce bubbles, the length of the pipe must be minimized or the area filled with air by the backflow must be minimized.

본 발명은 처리액 공급 라인 상에서의 백플로우 영역을 최소화할 수 있는 처리액 공급 장치 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a treatment liquid supply device and a substrate processing apparatus capable of minimizing a backflow area on a treatment liquid supply line.

본 발명은 처리액이 공급되는 동안 버블 생성을 최소화할 수 있는 처리액 공급 장치 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a treatment liquid supply device and a substrate processing apparatus capable of minimizing the generation of bubbles while the treatment liquid is supplied.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problem mentioned above. Other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 처리액이 저장되어 있는 저장용기; 상기 저장용기로부터 공급받은 처리액으로부터 버블을 제거하는 에어 트랩;및 상기 저장 용기와 상기 에어 트랩을 연결하는 공급배관을 포함하되; 상기 공급배관은 일부 구간이 상기 저장 용기보다 낮게 제공되는 약액 공급 장치가 제공될 수 있다. According to one aspect of the present invention, a storage container in which the treatment liquid is stored; an air trap for removing bubbles from the treatment liquid supplied from the storage container; and a supply pipe connecting the storage container and the air trap; A chemical solution supply device may be provided in which a section of the supply pipe is lower than the storage container.

또한, 상기 공급배관은 상기 저장용기보다 높은 위치에 제공되는 제1수평구간; 및 상기 저장용기보다 낮은 위치에 제공되는 제2수평구간을 포함할 수 있다.In addition, the supply pipe includes a first horizontal section provided at a higher position than the storage container; And it may include a second horizontal section provided at a lower position than the storage container.

또한, 상기 공급배관은 상기 제1수평구간과 상기 제2수평구간을 연결하는 수직 배관들을 포함할 수 있다.In addition, the supply pipe may include vertical pipes connecting the first horizontal section and the second horizontal section.

또한, 상기 처리액은 감광액을 포함할 수 있다.In addition, the treatment liquid may include a photoresist.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부에 기판이 지지되는 플레이트가 설치되어, 상기 기판을 처리하는 처리실; 상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐; 및 처리액을 상기 노즐로 공급하는 약액 공급 장치를 포함하되; 상기 약액 공급 장치는 처리액이 저장되어 있는 저장용기; 상기 저장용기로부터 공급받은 처리액으로부터 버블을 제거하는 에어 트랩;및 상기 저장 용기와 상기 에어 트랩을 연결하는 공급배관을 포함하고; 상기 공급배관은 일부 구간이 상기 저장 용기보다 낮게 제공되는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a processing chamber in which a plate for supporting a substrate is installed and processing the substrate; a nozzle supplying a treatment liquid to the substrate; and a chemical solution supply device supplying a treatment solution to the nozzle; The chemical solution supply device includes a storage container in which a treatment solution is stored; an air trap for removing bubbles from the treatment liquid supplied from the storage container; and a supply pipe connecting the storage container and the air trap; A substrate processing apparatus may be provided in which a section of the supply pipe is lower than that of the storage container.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부에 기판이 지지되는 플레이트가 설치되어, 상기 기판을 처리하는 처리실; 상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐; 처리액이 저장되어 있는 저장용기로부터 상기 노즐로 처리액을 공급하는 액 공급 라인; 상기 액공급 라인 상에 설치되어 처리액으로부터 버블을 제거하는 에어 트랩을 포함하되; 상기 액공급 라인은 상기 저장 용기와 상기 에어 트랩을 연결하는 제1공급배관의 일부구간이 상기 저장 용기보다 낮게 제공되는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a processing chamber in which a plate for supporting a substrate is installed and processing the substrate; a nozzle supplying a treatment liquid to the substrate; a liquid supply line supplying a treatment liquid from a storage container in which the treatment liquid is stored to the nozzle; An air trap installed on the liquid supply line to remove bubbles from the treatment liquid; In the liquid supply line, a portion of a first supply pipe connecting the storage container and the air trap may be lower than the storage container.

또한, 상기 제1공급배관은 상기 저장용기보다 높은 위치에 제공되는 그리고 상기 저장용기와 상기 에어트랩과 각각 연결되는 제1구간들; 상기 저장용기보다 낮은 위치에 제공되는 제2구간; 상기 제1구간들과 상기 제2구간을 연결되는 제3구간들을 포함하되; 상기 제1구간들과 상기 제2구간은 수평하게 제공되고, 상기 제3구간은 수직하게 제공될 수 있다.In addition, the first supply pipe includes first sections provided at a higher position than the storage container and connected to the storage container and the air trap, respectively; A second section provided at a lower position than the storage container; Including third sections connecting the first sections and the second section; The first section and the second section may be provided horizontally, and the third section may be provided vertically.

본 발명의 실시예에 의하면, 처리액 공급 라인 상에서의 백플로우 영역을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the backflow area on the treatment liquid supply line can be minimized.

본 발명의 실시예에 의하면, 처리액이 공급되는 동안 버블 생성을 최소화할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the generation of bubbles while the treatment liquid is supplied.

본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above. Effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 기판 처리 장치들 각각으로 감광액을 공급하는 처리액 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 개선전과 개선후의 버블양을 보여주는 그래프이다.
도 8은 일반적인 도포 공정이 이루어지는 처리 장치에서의 처리액 공급 장치를 보여주는 도면이다.1 is a plan view of a substrate processing facility according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 1 viewed from AA direction.
3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 1 viewed from the direction BB.
4 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 1 viewed from the CC direction.
5 is a cross-sectional view for explaining the substrate processing apparatus.
6 is a view for explaining a treatment liquid supply device for supplying a photoresist to each of the substrate processing apparatuses.
7 is a graph showing the amount of bubbles before and after improvement.
8 is a view showing a treatment liquid supply device in a treatment device in which a general application process is performed.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and actions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless otherwise stated. Specifically, terms such as "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features or It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment can be connected to an exposure device and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Below, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 1 내지 도 7을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing facility according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7 .

도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 1 is a view of a substrate processing facility viewed from above, FIG. 2 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the A-A direction, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the B-B direction, and FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 1 It is a view viewed from the C-C direction.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함할 수 있다. 1 to 4, the substrate processing facility 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, and a second buffer module 500. ), a pre-exposure processing module 600, and an interface module 700.

로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치될 수 있다. Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, before and after exposure processing module 600, and interface module 700 may be sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre- and post-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) is called a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is called a second direction 14, and the first direction 12 and the second Directions perpendicular to the direction 14 are referred to as a third direction 16 .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, a front open unified pod (FOUP) having a front door may be used as the cassette 20 .

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre- and post-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 1 , four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300 . The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty inside, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a height lower than that of the frame 310 of the first buffer module 300 described below. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210 . The index robot 220 is 4-axis driven so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. have this possible structure. The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a stand 224. The hand 221 is fixedly installed to the arm 222 . The arm 222 is provided with a structure that can be stretched and rotated. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 so as to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224 . The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . Also, although not shown, a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 is further provided on the frame 210 .

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty inside, and is disposed between the index module 200 and the coating and developing module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer robot 360 are positioned within the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are the coating and developing module ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of 400). The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. Each of the first buffer 320 and the second buffer 330 stores a plurality of substrates W temporarily. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed within the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing robot 482 of the developing module 402, which will be described later, form the substrate W on the support 332 in the housing 331. It has openings (not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and the direction in which the developing robot 482 is provided so as to carry in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has openings in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the application robot 432 located in the application module 401 to be described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixedly installed to the arm 362 . The arm 362 is provided in a stretchable structure so that the hand 361 can move along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer in an upward or downward direction. The first buffer robot 360 may simply be provided so that the hand 361 is driven in two axes along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. Each cooling chamber 350 cools the substrate W. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. In addition, a lift pin assembly (not shown) may be provided in the cooling chamber 350 to position the substrate W on the cooling plate 352 . The housing 351 is used by the index robot 220 so that the index robot 220 and the developing unit robot 482 provided in the developing module 402, which will be described later, carry in or take out the substrate W from the cooling plate 352. The provided direction and the development robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. Also, doors (not shown) may be provided in the cooling chamber 350 to open and close the aforementioned opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before an exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned into layers from each other. According to one example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling the substrate W before and after the process of applying the resist. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake chamber 420 , and a transfer chamber 430 . The resist coating chamber 410 , the bake chamber 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transport chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of each are provided in the first direction 12 and the third direction 16 respectively. In the figure, an example in which six resist coating chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, a larger number of bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned parallel to the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a substantially rectangular shape. The coating unit robot 432 includes the bake chambers 420, the resist coating chambers 410, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer of the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520 . The guide rail 433 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to linearly move in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in an elastic structure so that the hand 434 can move in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies photoresist on the substrate W.

레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist application chamber 410 has a housing 411 , a support plate 412 , and a nozzle 413 . The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is positioned within the housing 411 and supports the substrate W. The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412 . The nozzle 413 may have a circular tubular shape and supply photoresist to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and an outlet of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 414 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W coated with photoresist may be additionally provided in the resist coating chamber 410 .

다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다Referring back to FIGS. 1 to 4 , the bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 perform a pre-bake process of heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic substances or moisture from the surface of the substrate W before applying the photoresist or applying the photoresist to the substrate (W). W), a soft bake process or the like is performed after application, and a cooling process or the like of cooling the substrate W is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422 . The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, a heating means 424 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 422 . The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be respectively provided in one bake chamber 420 . Optionally, some of the bake chambers 420 may have only a cooling plate 421 and others may only have a heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process of removing a portion of the photoresist by supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. includes The developing module 402 includes a developing chamber 460 , a bake chamber 470 , and a transfer chamber 480 . The developing chamber 460 , the bake chamber 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the developing chamber 460 and the baking chamber 470 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of each are provided in the first direction 12 and the third direction 16 respectively. In the drawing, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, a larger number of bake chambers 470 may be provided.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned parallel to the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . A developing robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a substantially rectangular shape. The developing robot 482 includes the bake chambers 470, the developing chambers 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. Transferring the substrate (W) between the second cooling chamber 540 of the. The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12 . The developing robot 482 includes a hand 484, an arm 485, a support 486, and a stand 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a flexible structure so that the hand 484 can move in the horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . The arm 485 is coupled to the support 486 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. All of the developing chambers 460 have the same structure. However, the type of developer used in each developing chamber 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes the light-irradiated region of the photoresist on the substrate W. At this time, the light-irradiated region of the protective film is also removed. Depending on the type of photoresist that is selectively used, only a region to which light is not irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.The developing chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is positioned within the housing 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies a developer onto the substrate W placed on the support plate 462 . The nozzle 463 has a circular tubular shape, and may supply a developing solution to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and an outlet of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 may be further provided in the developing chamber 460 to supply a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W additionally supplied with the developing solution.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process of heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process of heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process of cooling the wafer is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472 . The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 472 . The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be respectively provided in one bake chamber 470 . Optionally, some of the bake chambers 470 may include only a cooling plate 471 and others may include only a heating plate 472 .

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Also, when viewed from the top, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600 . In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process such as a cooling process or an edge exposure process on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560. have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. A buffer 520 , a first cooling chamber 530 , a second cooling chamber 540 , an edge exposure chamber 550 , and a second buffer robot 560 are positioned within the frame 510 . The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16 . When viewed from above, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 of the application module 401 and the first direction 12 . The edge exposure chamber 550 is spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transports the substrate W between the buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 . The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520 . The second buffer robot 560 may have a structure similar to that of the first buffer robot 360 . The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the wafers W on which the process has been performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which a process has been performed in the coating module 401 . The first cooling chamber 530 has a structure similar to that of the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The edge exposure chamber 550 exposes the edges of the wafers W subjected to the cooling process in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 temporarily stores the substrates W after the process in the edge exposure chamber 550 before being transported to the preprocessing module 601 to be described later. The second cooling chamber 540 cools the wafers W after a process in the post-processing module 602 to be described later before they are transported to the developing module 402 . The second buffer module 500 may further have a buffer added at a height corresponding to that of the developing module 402 . In this case, the wafers W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in an added buffer and then transported to the developing module 402 .

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(1000)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 1000 performs an immersion lithography process, the pre-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film to protect the photoresist film applied to the substrate W during immersion exposure. Also, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using a chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602 . The pre-processing module 601 performs a process of treating the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of treating the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be partitioned into layers from each other. According to one example, the pre-processing module 601 is located on top of the post-processing module 602 . The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401 . The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402 . The preprocessing module 601 includes a protective film application chamber 610 , a bake chamber 620 , and a transfer chamber 630 . The protective film application chamber 610 , the transfer chamber 630 , and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and arranged along the third direction 16 so as to form layers with each other. Optionally, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake chambers 620 are provided and arranged along the third direction 16 so as to form layers with each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is located parallel to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12 . A preprocessing robot 632 is positioned within the transfer chamber 630 . The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is interposed between the protective film coating chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixedly installed on the arm 634. The arm 634 is provided with a structure that can be stretched and rotated. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 635 .

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film application chamber 610 applies a protective film on the substrate W to protect the resist film during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611 , a support plate 612 , and a nozzle 613 . The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is positioned within the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612 . The nozzle 613 may have a circular tubular shape and supply the protective liquid to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and an outlet of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid contains a foamable material. A photoresist and a material having low affinity for water may be used as the protective liquid. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film coating chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612 .

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622 . The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, a heating means 624 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 622 . The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be respectively provided in one bake chamber 620 . Optionally, some of the bake chambers 620 may include only a heating plate 622 and others may include only a cooling plate 621 .

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660 , the transfer chamber 680 , and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 so as to form layers with each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided, and may be disposed along the third direction 16 so as to form layers with each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned parallel to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a substantially square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is positioned within the transfer chamber 680 . The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second cooling chamber 540 of the interface module 700 described later. The substrate W is transported between the buffers 730 . The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may have the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601 .

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661 , a support plate 662 , and a nozzle 663 . The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is positioned within the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning solution onto the substrate W placed on the support plate 662 . As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning solution to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662 . Optionally, while the substrate W is being rotated, the nozzle 663 may linearly or rotationally move from the center area to the edge area of the substrate W.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using far ultraviolet rays. In the post-exposure bake process, the substrate W is heated to amplify an acid generated in the photoresist by exposure to complete a change in the properties of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672 . The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, a bake chamber having only the cooling plate 671 may optionally be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre- and post-exposure processing module 600, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided to have the same size and completely overlap each other when viewed from above. In addition, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size and completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may be provided to have the same size and completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(1000) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre- and post-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 1000 . The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. A first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 are positioned within the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on top of each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 . The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602 . When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 along the first direction 12, and the second buffer 730 is disposed in the post-processing module 602 It is positioned to be arranged in line with the transfer chamber 630 of the first direction 12.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(1000) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 1000 . The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560 .

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(1000)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(1000)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W subjected to the process in the preprocessing module 601 before being moved to the exposure apparatus 1000 . In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have been processed in the exposure apparatus 1000 before being transferred to the post-processing module 602 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed in the housing 721 and are spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 722 . The housing 721 is a direction and pre-processing robot provided with the interface robot 740 so that the interface robot 740 and the pre-processing robot 632 can carry in or take out the substrate W from the support 722 into the housing 721 ( 632) has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720 . However, the housing 4531 of the second buffer 730 has openings (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only buffers and a robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on a wafer.

레지스트 도포 챔버(410)는 이하 설명된 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판처리장치로 제공될 수 있다. The resist coating chamber 410 may be provided as a substrate processing apparatus for coating a photoresist on the substrate W described below.

도 5는 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 5 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2 .

도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 장치이다. 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(840), 분사 유닛(890), 그리고 제어부(880)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5 , a substrate processing device 800 is a device that applies photoresist on a substrate W. The substrate processing apparatus 800 may include a housing 810 , a substrate support unit 830 , a processing container 850 , a lift unit 840 , a spray unit 890 , and a control unit 880 .

하우징(810)은 내부에 처리 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 처리 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in the shape of a rectangular cylinder having a processing space 812 therein. An opening (not shown) is formed on one side of the housing 810 . The opening functions as an entrance through which the substrate W is carried in and out. A door is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. The door closes the processing space 812 of the housing 810 by blocking the opening when the substrate processing process proceeds. An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810 . The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816 . According to an example, the airflow provided inside the processing container 850 may be exhausted through the inner exhaust port 814 , and the airflow provided outside the processing vessel 850 may be exhausted through the outer exhaust port 816 .

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 처리 공간(812)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The substrate support unit 830 supports the substrate W in the processing space 812 of the housing 810 . The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a spin chuck 832 , a rotation shaft 834 , and an actuator 836 . The spin chuck 832 serves as a substrate support member 832 for supporting a substrate. The spin chuck 832 is provided to have a circular plate shape. The upper surface of the spin chuck 832 is in contact with the substrate W. The spin chuck 832 is provided to have a smaller diameter than the substrate W. According to an example, the spin chuck 832 may chuck the substrate W by vacuum suctioning the substrate W. Optionally, the spin chuck 832 may be provided as an electrostatic chuck that chucks the substrate W using static electricity. Also, the spin chuck 832 may chuck the substrate W with physical force.

한편, 스핀척(832)에는 처리 용기(850)의 세정 공정시 세정 지그(900)가 안착될 수 있다. Meanwhile, the cleaning jig 900 may be seated on the spin chuck 832 during a cleaning process of the processing container 850 .

회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재(834,836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다. 회전 구동 부재(834,836)는 기판 처리 단계에 따라 스핀척(832)을 서로 상이한 회전 속도로 회전시킬 수 있다.The rotating shaft 834 and the driver 836 are provided as rotation driving members 834 and 836 for rotating the spin chuck 832 . A rotation shaft 834 supports the spin chuck 832 below the spin chuck 832 . The rotating shaft 834 is provided so that its longitudinal direction is directed upward and downward. The rotating shaft 834 is provided so as to be rotatable about its central axis. The driver 836 provides a driving force so that the rotating shaft 834 rotates. For example, the driver 836 may be a motor capable of varying the rotation speed of the rotation shaft. The rotation driving members 834 and 836 may rotate the spin chuck 832 at different rotation speeds according to substrate processing steps.

처리 용기(850)는 내부에 현상 공정이 수행되는 처리 공간(812)을 제공한다. 처리 용기(850)는 기판 지지 유닛(830)을 감싸도록 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. The processing vessel 850 provides a processing space 812 in which a developing process is performed. The processing container 850 serves to enclose the substrate support unit 830 . The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862 .

내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 컵 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. The inner cup 852 is provided in a circular cup shape surrounding the rotating shaft 834 . When viewed from above, the inner cup 852 is positioned to overlap the inner vent 814 . When viewed from the top, the upper surface of the inner cup 852 is provided such that the outer and inner areas thereof incline at different angles from each other. According to an example, the outer region of the inner cup 852 slopes downward as it moves away from the substrate support unit 830, and the inner region slopes upward as it moves away from the substrate support unit 830. provided to do A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet each other is provided to correspond to the side end of the substrate W in the vertical direction. The outer region of the upper surface of the inner cup 852 is provided to be rounded. An area outside the upper surface of the inner cup 852 is provided concave downward. An outer region of the upper surface of the inner cup 852 may be provided as a region through which the treatment liquid flows.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다. The outer cup 862 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the inner cup 852 . The outer cup 862 has a bottom wall 864 , a side wall 866 , a top wall 870 , and a slanted wall 870 . The bottom wall 864 is provided to have a hollow circular plate shape. A recovery line 865 is formed on the bottom wall 864 . The recovery line 865 recovers the treatment liquid supplied to the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery line 865 may be reused by an external liquid recovery system. The side wall 866 is provided to have a circular tubular shape surrounding the substrate support unit 830 . The side wall 866 extends from the side end of the bottom wall 864 in a vertical direction. Sidewall 866 extends upwardly from bottom wall 864 .

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall 870 extends from the upper end of the side wall 866 toward the inside of the outer cup 862 . The inclined wall 870 is provided so as to be closer to the substrate support unit 830 as it goes upward. The inclined wall 870 is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 830 .

승강 유닛(840)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(840)은 내측 이동 부재(842) 및 외측 이동 부재(844)를 포함한다. 내측 이동 부재(842)는 내측 컵(852)을 승강 이동시키고, 외측 이동 부재(844)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다. The lifting unit 840 lifts and moves the inner cup 852 and the outer cup 862, respectively. The lifting unit 840 includes an inner moving member 842 and an outer moving member 844 . The inner moving member 842 moves the inner cup 852 up and down, and the outer moving member 844 moves the outer cup 862 up and down.

분사 유닛(890)은 기판 (W) 상에 다양한 종류의 처리 유체를 선택적으로 공급할 수 있다. The injection unit 890 may selectively supply various types of processing fluids onto the substrate W.

일 예로, 분사 유닛(890)은 기판(W)에 처리액을 공급하는 노즐(892) 및 노즐 이동 부재(893)를 포함할 수 있다. 노즐(892)은 복수 개로 제공될 수 있다. 노즐(892)이 복수개로 제공된 경우, 노즐(892)들 각각에는 처리액 공급장치(도 6에 도시됨)가 연결된다. 복수 개의 노즐(892)들 중 기판 상에 처리액을 토출하기 위해 노즐 이동 부재(893)에 의해 홀딩(Holding)된 노즐을 제외한 노즐(892)들은 홈 포트(미도시됨)에서 대기된다. 복수 개의 노즐(892)들 중 하나는 노즐 이동 부재(893)에 의해 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 노즐(892)이 스핀 척(832)에 놓인 기판(W)과 대향된 위치이다. 대기 위치는 노즐(892)이 홈 포트(900)에 대기되는 위치이다. 예컨대, 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액 또는 처리 용기의 세정에 사용되는 세정액일 수 있다. For example, the spray unit 890 may include a nozzle 892 supplying a treatment liquid to the substrate W and a nozzle moving member 893 . A plurality of nozzles 892 may be provided. When a plurality of nozzles 892 are provided, a treatment liquid supply device (shown in FIG. 6 ) is connected to each of the nozzles 892 . Among the plurality of nozzles 892, nozzles 892 other than the nozzle held by the nozzle moving member 893 to discharge the processing liquid onto the substrate stand by in a home port (not shown). One of the plurality of nozzles 892 is movable to a process position and a standby position by a nozzle moving member 893 . Here, the process position is a position where the nozzle 892 faces the substrate W placed on the spin chuck 832 . The waiting position is a position where the nozzle 892 is waiting for the home port 900 . For example, the treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist or a cleaning liquid used for cleaning a treatment container.

도 6은 기판 처리 장치들 각각으로 감광액을 공급하는 처리액 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다. 6 is a view for explaining a treatment liquid supply device for supplying a photoresist to each of the substrate processing apparatuses.

본 실시예에서 처리액 공급 장치(900)는 감광액을 기판 처리 장치(800)들 각각으로 공급하는 것으로 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 처리액을 이용하여 기판 표면을 처리하는 액처리 장치에 모두 적용 가능하다. 기판 처리 장치(800)는 이하 설명된 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 액처리 장치로 제공될 수 있다. In this embodiment, the processing liquid supply device 900 is described as supplying the photoresist to each of the substrate processing devices 800, but is not limited thereto, and is applied to all liquid processing devices that process the substrate surface using the processing liquid. Applicable. The substrate processing apparatus 800 may be provided as a liquid processing apparatus for coating a photoresist on the substrate W described below.

도 6을 참조하면, 처리액 공급 장치(900)는 보틀 형태의 저장 용기(910), 에어 트랩(920), 액공급 라인(930)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the treatment liquid supply device 900 may include a bottle-type storage container 910 , an air trap 920 , and a liquid supply line 930 .

저장용기(910)에는 처리액이 채워져 있다. 저장용기(910)에는 불활성가스 공급라인(912)과 제1공급라인(L1)이 연결되어 있다. 저장용기(910)에는 불활성가스 공급라인(912)을 통해 밀폐된 내부를 불활성기체의 분위기 및 가압 상태로 만들기 위해 불활성가스(헬륨가스 또는 질소 가스)가 레귤레이터를 통해 공급되며, 상대적인 압력으로 내부의 처리액이 제1공급라인(L1)을 통해 에어 트랩(920)으로 이동된다. 도시하지 않았지만, 에어 트랩과 기판 처리 장치를 연결하는 공급라인상에는 공급 펌프가 제공될 수 있다. The storage container 910 is filled with a treatment liquid. An inert gas supply line 912 and a first supply line L1 are connected to the storage container 910 . In the storage container 910, an inert gas (helium gas or nitrogen gas) is supplied through a regulator to make the sealed inside an inert gas atmosphere and pressurized state through an inert gas supply line 912, and the relative pressure The treatment liquid is moved to the air trap 920 through the first supply line L1. Although not shown, a supply pump may be provided on a supply line connecting the air trap and the substrate processing apparatus.

에어 트랩(920)은 처리액 내의 버블을 제거하기 위해 제공된다.An air trap 920 is provided to remove bubbles in the treatment liquid.

액공급 라인(930)은 저장 용기(910)와 에어 트랩(920)을 연결하는 제1공급라인(L1)과, 에어 트랩(920)과 노즐(892)을 연결하는 제2공급라인(L2)을 포함할 수 있다.The liquid supply line 930 includes a first supply line L1 connecting the storage container 910 and the air trap 920 and a second supply line L2 connecting the air trap 920 and the nozzle 892. can include

제1공급라인(L1)은 일부 구간이 저장 용기(910)보다 낮게 제공된다. 일 예로, 제1공급라인(L1)은 제1구간(A1)들과 제2구간(A2) 그리고 제3구간(A3)들을 포함할 수 있다. 제1구간(A1)들은 저장용기(910)보다 높은 위치에 제공된다. 제1구간(A1)들은 저장용기(910)의 출력포트(919)와 연결되는 제1라인(931)과, 에어 트랩(920)의 입력포트(929)와 연결되는 제2라인(932)을 포함할 수 있다. 제2구간(A2)은 저장용기(910)보다 낮은 위치에 제공되는 제3라인(933)을 포함할 수 있다. 제3구간(A3)들은 제1라인(931)과 제3라인(933)을 연결하는 제4라인(934)과, 제2라인(932)과 제3라인(933)을 연결하는 제5라인(935)을 포함할 수 있다. 제1구간(A1)들과 제2구간(A2)은 수평하게 제공되고, 제3구간(A3)은 수직하게 제공될 수 있다.A portion of the first supply line L1 is provided lower than the storage container 910 . For example, the first supply line L1 may include first sections A1, second sections A2, and third sections A3. The first sections A1 are provided at higher positions than the storage container 910 . The first section A1 includes a first line 931 connected to the output port 919 of the storage container 910 and a second line 932 connected to the input port 929 of the air trap 920. can include The second section A2 may include a third line 933 provided at a lower position than the storage container 910 . The third section A3 includes a fourth line 934 connecting the first line 931 and the third line 933 and a fifth line connecting the second line 932 and the third line 933. (935). The first sections A1 and the second section A2 may be provided horizontally, and the third section A3 may be provided vertically.

상술한 바와 같이, 처리액 공급 장치(900)의 액공급 라인(930)은 배관 높이를 낮추어 처리액이 저장 용기(910)까지 흐르지 않고, 제1공급라인(L1) 내에 머무르도록 제공된다. 즉, 저장 용기 내의 가압이 멈춰서 대기압이 되었을 때 중력에 의해 제1공급라인(L1) 내의 처리액이 저장 용기(910) 또는 에어 트랩(920)으로 이동하게 되는데, 이 때 제1공급라인(L1)의 일부가 저장용기(910)보다 낮게 위치됨으로써, 백플로우 구간을 최소화할 수 있다. As described above, the liquid supply line 930 of the treatment liquid supply device 900 lowers the pipe height so that the treatment liquid does not flow to the storage container 910 and stays within the first supply line L1. That is, when the pressurization in the storage container stops and becomes atmospheric pressure, the treatment liquid in the first supply line L1 moves to the storage container 910 or the air trap 920 by gravity. At this time, the first supply line L1 ) is located lower than the storage container 910, it is possible to minimize the backflow section.

즉, 에어 트랩(930)으로부터 백플로우된 처리액의 높이까지만 공기로 채워지게 됨으로써, 에어 백플로우 구간이 감소되는 효과를 기대할 수 있다. 도 6에서 점선으로 표시된 구간만이 백플로우에 의해 공기로 채워지게 된다. 예컨대, 저장 용기 내의 처리액의 높이는 처리액 사용에 따라 점점 줄어들게 되므로, 제1공급라인은 저장 용기 바닥면을 기준으로 50 ㎜ 이상 낮게 설정하면 도 7에서 보여주는 바와 같이 버블 감소 효과를 기대할 수 있다. That is, since air is filled only up to the height of the backflowed treatment liquid from the air trap 930, an effect of reducing the air backflow section can be expected. Only the section indicated by the dotted line in FIG. 6 is filled with air by the backflow. For example, since the height of the treatment liquid in the storage container gradually decreases according to the use of the treatment liquid, if the first supply line is set lower than 50 mm from the bottom surface of the storage container, as shown in FIG. 7 , a bubble reduction effect can be expected.

상기와 같이, 본 발명의 처리액 공급 장치는 처리액의 이동 경로를 저장용기와 에어 트랩보다 낮은 위치에 제공함으로써, 버블 생성을 최소화할 수 있다. As described above, the treatment liquid supply device of the present invention provides the treatment liquid movement path at a lower position than the storage container and the air trap, thereby minimizing bubble generation.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It should be understood that the above embodiments are presented to aid understanding of the present invention, do not limit the scope of the present invention, and various deformable embodiments also fall within the scope of the present invention. The scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the claims, and the scope of technical protection of the present invention is not limited to the literal description of the claims themselves, but is substantially equal to the scope of technical value. It should be understood that it extends to the invention of.

800: 액처리 장치 810 : 기판 지지 유닛
820 : 처리 용기 830 : 노즐
900 : 처리액 공급 장치 910 : 보틀
920 : 저장 탱크 932 : 순환 라인
942 : 공급 라인 952 : 리턴 라인
934 : 공급 펌프 960 : 리턴 펌프
970 : 제어부 800: liquid processing device 810: substrate support unit
820: processing container 830: nozzle
900: treatment liquid supply device 910: bottle
920: storage tank 932: circulation line
942 supply line 952 return line
934: supply pump 960: return pump
970: control unit

Claims

a storage container in which the treatment liquid is stored;
An air trap for removing bubbles from the treatment liquid supplied from the storage container; and
Including a supply pipe connecting the storage container and the air trap;
The supply pipe is
A chemical solution supply device provided with a partial section lower than the storage container.

According to claim 1,
The supply pipe is
A first horizontal section provided at a higher position than the storage container; and
A chemical solution supply device comprising a second horizontal section provided at a position lower than the storage container.

According to claim 2,
The supply pipe is
A chemical solution supply device including vertical pipes connecting the first horizontal section and the second horizontal section.

According to claim 2,
The treatment liquid
A chemical liquid supply device containing a photoresist.

In the substrate processing apparatus:
A processing chamber in which a plate for supporting a substrate is installed to process the substrate;
a nozzle supplying a treatment liquid to the substrate; and
including a chemical solution supply device supplying a treatment solution to the nozzle;
The chemical solution supply device
a storage container in which the treatment liquid is stored;
An air trap for removing bubbles from the treatment liquid supplied from the storage container; and
A supply pipe connecting the storage container and the air trap;
The supply pipe is
A substrate processing apparatus in which a partial section is provided lower than the storage container.

According to claim 5,
The supply pipe is
A first horizontal section provided at a higher position than the storage container; and
A substrate processing apparatus comprising a second horizontal section provided at a lower position than the storage container.

According to claim 6,
The supply pipe is
A substrate processing apparatus including vertical pipes connecting the first horizontal section and the second horizontal section.

According to claim 6,
The treatment liquid
A substrate processing apparatus comprising a photoresist.

In the substrate processing apparatus:
A processing chamber in which a plate for supporting a substrate is installed to process the substrate;
a nozzle supplying a treatment liquid to the substrate;
a liquid supply line supplying a treatment liquid from a storage container in which the treatment liquid is stored to the nozzle;
An air trap installed on the liquid supply line to remove bubbles from the treatment liquid;
The liquid supply line
A substrate processing apparatus wherein a partial section of a first supply pipe connecting the storage container and the air trap is provided lower than the storage container.

According to claim 9,
The first supply pipe is
First sections provided at a higher position than the storage container and connected to the storage container and the air trap, respectively;
A second section provided at a lower position than the storage container;
Including third sections connecting the first sections and the second section;
The first section and the second section are provided horizontally, and the third section is provided vertically.

According to claim 10,
The treatment liquid
A substrate processing apparatus comprising a photoresist.