KR102614672B1 - Light emitting diode package - Google Patents
Light emitting diode package Download PDFInfo
- Publication number
- KR102614672B1 KR102614672B1 KR1020160091434A KR20160091434A KR102614672B1 KR 102614672 B1 KR102614672 B1 KR 102614672B1 KR 1020160091434 A KR1020160091434 A KR 1020160091434A KR 20160091434 A KR20160091434 A KR 20160091434A KR 102614672 B1 KR102614672 B1 KR 102614672B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- cavity
- diode package
- wavelength conversion
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 48
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 22
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- -1 for example Polymers 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
발광 다이오드 패키지가 제공된다. 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판; 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽을 갖는 하우징; 제1 캐비티 내에 실장되어 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및 발광 다이오드로부터 이격되어 측벽 상에 배치된 파장변환판을 포함한다.A light emitting diode package is provided. A light emitting diode package according to one embodiment includes a base substrate having a first electrode and a second electrode; A housing disposed on a base substrate and having a side wall defining a first cavity for mounting a light emitting diode; a light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; and a wavelength conversion plate disposed on a side wall and spaced apart from the light emitting diode.
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 구체적으로는 자동차 헤드 램프에 적합한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and specifically to a light emitting diode package suitable for automobile headlamps.
질화갈륨계 발광 다이오드가 개발된 이래, 그 응용 분야는 백라이트 유닛, 조명 및 자동차 헤드 램프 등으로 확장되고 있다. 특히, 자동차 헤드 램프는 밀폐된 공간에서 고출력 광을 방출하기 때문에 다른 분야에 비해 발광 다이오드 주위 온도가 상당히 높은 특징을 가진다. 따라서, 이러한 분야에 사용되는 발광 다이오드 패키지는 방열 특성뿐만 아니라 고온 내구성이 더욱 요구된다. 특히, 종래의 실리콘이나 에폭시 수지에 형광체를 함유시킨 파장변환기는 고온에서 사용될 경우 변색되기 쉬워 자동차 헤드 램프에 사용되기 어렵다.Since the development of gallium nitride-based light emitting diodes, their application fields have expanded to include backlight units, lighting, and automobile headlamps. In particular, automobile headlamps emit high-output light in a closed space, so the temperature around the light-emitting diode is significantly higher than in other fields. Therefore, light emitting diode packages used in these fields require not only heat dissipation characteristics but also high-temperature durability. In particular, conventional wavelength converters containing phosphors in silicon or epoxy resin are prone to discoloration when used at high temperatures, making them difficult to use in automobile headlamps.
한편, 서지(surge)와 같은 고전압으로부터 발광 다이오드를 보호하기 위해 발광 다이오드 패키지에 보호 소자가 함께 실장된다. 그런데 하나의 패키지 안에 발광 다이오드와 보호 소자를 함께 실장할 경우 다양한 문제가 발생된다. 예를 들어, 발광 다이오드에서 방출되는 광의 프로파일을 조절하기 위해 발광 다이오드가 실장되는 캐비티 영역은 대칭적(symmetrical)일 필요가 있다. 그러나 보호 소자를 실장하기 위해 발광 다이오드가 실장되는 캐비티 영역을 대칭 구조로 형성하기 어렵다. Meanwhile, a protection element is mounted on the light emitting diode package to protect the light emitting diode from high voltage such as surge. However, when a light emitting diode and a protection element are mounted together in one package, various problems occur. For example, in order to control the profile of light emitted from the light emitting diode, the cavity area in which the light emitting diode is mounted needs to be symmetrical. However, in order to mount a protection element, it is difficult to form a cavity area where a light emitting diode is mounted into a symmetrical structure.
더욱이, 발광 다이오드와 보호 소자를 실장하기 위해서는 이들을 실장하기에 충분한 작업공간이 패키지에 제공되어야 한다. 더욱이, 발광 다이오드와 보호 소자는 공정 마진을 고려하여 서로 이격되어야 한다. 패키지의 한정된 측벽 내에서 발광 다이오드와 보호 소자를 실장하기 때문에 패키지를 소형화하기 어렵다.Furthermore, in order to mount the light emitting diode and the protection element, the package must provide sufficient work space to mount them. Moreover, the light emitting diode and the protection element must be spaced apart from each other considering process margin. It is difficult to miniaturize the package because the light emitting diode and protection elements are mounted within the limited sidewall of the package.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 고온 환경에서 사용하기에 적합한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode package suitable for use in a high temperature environment.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 보호 소자를 함께 실장하면서도 소형화가 가능한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode package that can be miniaturized while mounting a protection element together.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽을 갖는 하우징; 상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드로부터 이격되어 상기 측벽 상에 배치된 파장변환판(wavelength converting plate)을 포함하는 발광 다이오드 패키지가 제공된다.According to one embodiment of the present invention, a base substrate having a first electrode and a second electrode; a housing disposed on the base substrate and having a side wall defining a first cavity for mounting a light emitting diode; a light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; and a wavelength converting plate disposed on the sidewall and spaced apart from the light emitting diode.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 발광 다이오드 패키지에 있어서, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽, 및 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 갖되, 상기 제2 캐비티의 일부 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지의 외부와 연통하도록 개방된 하우징; 상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및 상기 제2 캐비티 내에 실장된 보호 소자를 포함하는 발광 다이오드 패키지가 제공된다.According to another embodiment of the present invention, a light emitting diode package comprising: a base substrate having a first electrode and a second electrode; It is disposed on the base substrate and has a sidewall that defines a first cavity for mounting a light emitting diode, and a sidewall that defines a second cavity for mounting a protection element, wherein a portion of the sidewall of the second cavity is the light emitting diode. a housing open to communicate with the exterior of the package; a light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And a light emitting diode package including a protection element mounted in the second cavity is provided.
본 발명의 실시예들에 따르면, 파장변환판을 채택함으로써 고온 환경에서 사용하기에 적합한 발광 다이오드 패키지가 제공될 수 있다. 또한, 발광 다이오드와 보호소자가 실장되는 캐비티들을 구분하고, 보호소자를 개방 구조의 캐비티 내에 실장함으로써 방출되는 광의 지향 패턴을 쉽게 제어할 수 있으며 작업 공간을 확보할 수 있어 소형화가 가능한 발광 다이오드 패키지가 제공될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a light emitting diode package suitable for use in a high temperature environment can be provided by adopting a wavelength conversion plate. In addition, by distinguishing the cavities in which the light emitting diode and the protective element are mounted, and mounting the protective element in the cavity of an open structure, the direction pattern of the emitted light can be easily controlled and the work space can be secured, providing a light emitting diode package that can be miniaturized. It can be.
본 발명의 특징 및 장점은 이하의 도면 및 상세한 설명을 통해 더욱 명확해질 것이다. The features and advantages of the present invention will become more clear through the following drawings and detailed description.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지가 적용되는 헤드 램프가 장착된 차량을 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 절개 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 저면 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 공정을 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic perspective view showing a vehicle equipped with a headlamp to which a light-emitting diode package is applied according to embodiments of the present invention.
Figure 2 is a schematic perspective view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a schematic cutaway perspective view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a bottom perspective view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a schematic perspective view for explaining a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
7 to 11 are schematic perspective views for explaining a light emitting diode package manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
Figure 12 is a schematic cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to still other embodiments of the present invention.
Figure 13 is a schematic perspective view for explaining a light emitting diode package according to still other embodiments of the present invention.
Figure 14 is a schematic cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The embodiments introduced below are provided as examples so that the idea of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. Also, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Additionally, when one component is described as being "on top of" or "on" another component, it means that each component is "directly on" or "directly on" the other component, as well as when each component is described as being "directly on" or "directly on" the other component. This also includes cases where another component is interposed. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드 패키지가 제공된다. 이 발광 다이오드 패키지는, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽을 갖는 하우징; 상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드로부터 이격되어 상기 측벽 상에 배치된 파장변환판을 포함한다. 파장변환판을 채택함으로써 고온환경에서 변색되는 것을 방지할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a light emitting diode package is provided. This light emitting diode package includes a base substrate having a first electrode and a second electrode; a housing disposed on the base substrate and having a side wall defining a first cavity for mounting a light emitting diode; a light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; and a wavelength conversion plate disposed on the side wall and spaced apart from the light emitting diode. By adopting a wavelength conversion plate, discoloration can be prevented in a high temperature environment.
상기 파장변환판(wavelength converting plate)은 세라믹 플레이트 형광체(ceramic plate phosphor)를 포함할 수 있으며, 특히, 형광체 글래스(phosphor in glass; PIG) 또는 SiC 형광체를 포함할 수 있다.The wavelength converting plate may include a ceramic plate phosphor, and in particular, may include a phosphor in glass (PIG) or SiC phosphor.
한편, 상기 제1 캐비티의 측벽은 상기 제1 캐비티를 둘러쌀 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 캐비티의 측벽 중 적어도 일부는 개방될 수 있다.Meanwhile, a side wall of the first cavity may surround the first cavity. Alternatively, at least a portion of the side walls of the first cavity may be open.
상기 발광 다이오드는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 플립칩, 수직형 또는 수평형 발광 다이오드일 수 있다.The light emitting diode is not particularly limited and may be, for example, a flip chip, vertical or horizontal light emitting diode.
상기 발광 다이오드의 중심은 상기 파장변환판의 중심에 정렬될 수 있다. 이와 달리, 상기 발광 다이오드의 중심은 상기 파장변환판의 중심에서 벗어날 수 있다.The center of the light emitting diode may be aligned with the center of the wavelength conversion plate. In contrast, the center of the light emitting diode may deviate from the center of the wavelength conversion plate.
나아가, 상기 제1 캐비티의 측벽은 그 상부면에 상기 제1 캐비티를 따라 형성된 홈을 가질 수 있다. 상기 홈은 파장변환판을 부착할 때, 접착제가 넓게 퍼지는 것을 방지하여 공정 신뢰성을 향상시킨다.Furthermore, the side wall of the first cavity may have a groove formed along the first cavity on its upper surface. The groove improves process reliability by preventing the adhesive from spreading widely when attaching the wavelength conversion plate.
한편, 상기 제1 캐비티 내부는 빈 공간일 수 있다. 이와 달리, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 제1 캐비티 내에서 상기 발광 다이오드를 덮는 투명 수지를 더 포함할 수 있다. 상기 투명 수지는 부분적으로 또는 완전히 상기 제1 캐비티를 채울 수 있다.Meanwhile, the inside of the first cavity may be an empty space. Alternatively, the light emitting diode package may further include a transparent resin covering the light emitting diode within the first cavity. The transparent resin may partially or completely fill the first cavity.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 파장변환판은 밀봉 수지 없이 노출된 상태로 사용될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 파장변환판 주위의 공간을 적어도 부분적으로 채우는 밀봉 수지를 더 포함할 수 있다. 상기 밀봉 수지는 투명 수지 또는 백색 반사성 수지일 수 있다.In some embodiments, the wavelength conversion plate may be used in an exposed state without a sealing resin. In other embodiments, the light emitting diode package may further include a sealing resin that at least partially fills the space around the wavelength conversion plate. The sealing resin may be a transparent resin or a white reflective resin.
한편, 상기 베이스 기판은 절연 기판을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극은 각각, 상기 절연 기판 상에 배치된 상부 리드; 상기 절연 기판 하부에 배치된 하부 리드; 및 상기 절연기판을 관통하여 상기 상부 리드와 하부 리드를 연결하는 비아를 포함할 수 있다.Meanwhile, the base substrate includes an insulating substrate, and the first and second electrodes each include an upper lead disposed on the insulating substrate; a lower lead disposed below the insulating substrate; and a via that penetrates the insulating substrate and connects the upper lead and the lower lead.
나아가, 상기 베이스 기판은 질화알루미늄 기판을 포함할 수 있다. 질화알루미늄 기판은 방열 특성이 양호하고 고온 내구성이 강해 고온 환경에서 사용하기에 적합하다.Furthermore, the base substrate may include an aluminum nitride substrate. Aluminum nitride substrates have good heat dissipation characteristics and high temperature durability, making them suitable for use in high temperature environments.
상기 발광 다이오드 패키지는 보호 소자를 더 포함할 수 있다. 상기 하우징은 상기 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 더 포함하고, 상기 보호 소자는 상기 제2 캐비티 내에 실장될 수 있다. 보호 소자를 실장함으로써 서지 등으로부터 발광 다이오드를 보호할 수 있다.The light emitting diode package may further include a protection element. The housing further includes a side wall defining a second cavity for mounting the protection element, and the protection element may be mounted in the second cavity. By mounting a protection element, the light emitting diode can be protected from surges, etc.
한편, 상기 제2 캐비티의 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지 외부와 연통하도록 개방될 수 있다. 일부 측벽이 개방된 제2 캐비티를 채택함으로써 보호 소자를 실장하기 위한 작업 공간이 제2 캐비티 내에 한정되지 않고 넓게 사용될 수 있으며, 이에 따라, 발광 다이오드 패키지를 더욱 소형화할 수 있다.Meanwhile, a side wall of the second cavity may be open to communicate with the outside of the light emitting diode package. By adopting a second cavity with some sidewalls open, the work space for mounting the protection element is not limited to the second cavity and can be widely used, and thus the light emitting diode package can be further miniaturized.
상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 측벽을 공유할 수 있다. 즉, 제1 캐비티와 제2 캐비티는 상기 측벽에 의해 서로 분리될 수 있다. 그 결과, 제1 캐비티 내에 보호 소자를 실장할 필요가 없어, 제1 캐비티의 형상을 쉽게 제어할 수 있으며, 특히 제1 캐비티를 대칭 구조로 형성할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드에서 방출된 광의 지향 패턴을 쉽게 제어할 수 있다.The first cavity and the second cavity may share a sidewall. That is, the first cavity and the second cavity may be separated from each other by the side wall. As a result, there is no need to mount a protection element in the first cavity, so the shape of the first cavity can be easily controlled, and in particular, the first cavity can be formed into a symmetrical structure. Therefore, the direction pattern of light emitted from the light emitting diode can be easily controlled.
이와 달리, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 연통할 수 있다. 즉, 상기 제1 캐비티와 제2 캐비티 사이에 위치하는 측벽의 일부가 개방되거나 측벽 없이 제1 캐비티와 제2 캐비티가 연결될 수 있다.Alternatively, the first cavity and the second cavity may communicate with each other. That is, a portion of the side wall located between the first cavity and the second cavity may be open, or the first cavity and the second cavity may be connected without a side wall.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽, 및 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 갖되, 상기 제2 캐비티의 일부 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지의 외부와 연통하도록 개방된 하우징; 상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및 상기 제2 캐비티 내에 실장된 보호 소자를 포함한다.A light emitting diode package according to another embodiment of the present invention includes a base substrate having a first electrode and a second electrode; It is disposed on the base substrate and has a sidewall that defines a first cavity for mounting a light emitting diode, and a sidewall that defines a second cavity for mounting a protection element, wherein a portion of the sidewall of the second cavity is the light emitting diode. a housing open to communicate with the exterior of the package; a light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; and a protection element mounted within the second cavity.
상기 제1 캐비티와 제2 캐비티는 서로 공유하는 측벽에 의해 이격되거나, 서로 연통할 수 있다.The first cavity and the second cavity may be spaced apart from each other by a shared side wall, or may communicate with each other.
한편, 상기 제1 캐비티는 상기 제2 캐비티의 2배 이상의 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 캐비티는 상기 베이스 기판의 중앙 영역 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드 패키지는 그 중앙 영역으로부터 광을 외부로 방출할 수 있다. Meanwhile, the first cavity may have a size more than twice that of the second cavity. Additionally, the first cavity may be disposed on the central area of the base substrate. Accordingly, the light emitting diode package can emit light to the outside from its central area.
상기 제1 캐비티는 회전 대칭 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 캐비티는 180도 회전 대칭, 90도 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 또는 원형 형상을 가질 수 있다. 특히, 상기 제1 캐비티는 정사각형 형상을 가질 수 있다.The first cavity may have a rotationally symmetrical shape. For example, the first cavity may have a 180 degree rotational symmetry, a 90 degree rotational symmetry, or a circular shape. In particular, the first cavity may have a square shape.
한편, 상기 제2 캐비티는 상기 베이스 기판의 일측 가장자리를 따라 기다란 형상을 가질 수 있으며, 직사각형 형상을 가질 수 있다.Meanwhile, the second cavity may have an elongated shape along one edge of the base substrate and may have a rectangular shape.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 발광 다이오드 패키지 제조 방법이 제공된다. 상기 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 제1 전극 및 제2 전극의 쌍을 복수개 가지는 베이스 기판을 마련하고, 상기 베이스 기판 상에 캐비티들을 가지는 하우징을 형성하고, 상기 캐비티들 내에 발광 다이오드들 및 보호 소자들을 실장하고, 상기 베이스 기판 및 하우징을 분할하는 것을 포함하되, 상기 하우징은, 서로 대향하는 제1 캐비티들의 쌍과 상기 제1 캐비티들 사이에 배치된 제2 캐비티를 포함하고, 상기 발광 다이오드들은 상기 제1 캐비티들 내에 실장되고, 상기 보호 소자들은 상기 제2 캐비티 내에 실장되며, 상기 하우징을 분할할 때, 상기 제2 캐비티가 분할된다.According to another embodiment of the present invention, a method for manufacturing a light emitting diode package is provided. The method of manufacturing a light emitting diode package includes providing a base substrate having a plurality of pairs of first electrodes and second electrodes, forming a housing having cavities on the base substrate, and installing light emitting diodes and protection elements in the cavities. Mounting and dividing the base substrate and the housing, wherein the housing includes a pair of first cavities facing each other and a second cavity disposed between the first cavities, and the light emitting diodes are the first cavities. 1 cavities, the protection elements are mounted in the second cavity, and when dividing the housing, the second cavity is divided.
보호 소자들을 제2 캐비티 내에 배치하고 제2 캐비티를 분할하기 때문에, 보호 소자들을 실장하기 위한 작업 공간을 확보하기 쉬워 발광 다이오드 패키지를 소형화할 수 있다.Since the protection elements are placed in the second cavity and the second cavity is divided, it is easy to secure a work space for mounting the protection elements, and the light emitting diode package can be miniaturized.
특히, 상기 제2 캐비티 내에 두 개의 보호 소자들이 실장되고, 상기 두 개의 보호 소자들은 상기 베이스 기판 및 하우징을 분할함에 따라 서로 분리될 수 있다. 상기 두 개의 보호 소자들은 각각 개별 발광 다이오드 패키지에 포함된다.In particular, two protection elements are mounted in the second cavity, and the two protection elements can be separated from each other by dividing the base substrate and the housing. The two protection elements are each included in an individual light emitting diode package.
한편, 상기 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 상기 베이스 기판 및 하우징을 분할하기 전에, 상기 제1 캐비티들을 덮는 파장변환판을 부착하는 것을 더 포함할 수 있다. 나아가, 상기 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 상기 제2 캐비티를 채우고 상기 형광체 글래스 주변의 공간을 적어도 부분적으로 채우는 밀봉 수지를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. Meanwhile, the light emitting diode package manufacturing method may further include attaching a wavelength conversion plate covering the first cavities before dividing the base substrate and the housing. Furthermore, the method of manufacturing a light emitting diode package may further include forming a sealing resin that fills the second cavity and at least partially fills the space around the phosphor glass.
상기 제1 캐비티는 파장변환판에 의해 밀봉될 수 있으며, 따라서 내부는 빈 공간으로 잔류할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 캐비티 내의 발광 다이오드를 투명 수지를 덮을 수 있다. 또한, 상기 투명 수지는 상기 제1 캐비티를 채울 수도 있으며, 파장변환판이 상기 제1 캐비티의 측벽 상에 부착되는 것을 도울 수 있다.The first cavity may be sealed by a wavelength conversion plate, so the interior may remain as an empty space. Alternatively, the light emitting diode in the first cavity may be covered with transparent resin. Additionally, the transparent resin may fill the first cavity and help attach the wavelength conversion plate to the sidewall of the first cavity.
한편, 상기 제1 캐비티들에 각각 서로 다른 쌍의 제1 전극과 제2 전극이 노출되고, 상기 제2 캐비티는 두 쌍의 제1 전극과 제2 전극을 노출하며, 두 개의 보호소자들이 상기 제2 캐비티 내에 노출된 두 쌍의 제1 전극과 제2 전극에 각각 실장될 수 있다.Meanwhile, different pairs of first electrodes and second electrodes are exposed to each of the first cavities, the second cavity exposes two pairs of first electrodes and second electrodes, and two protective elements are exposed to the first electrodes. 2 It can be mounted on two pairs of first and second electrodes exposed within the cavity, respectively.
또한, 상기 서로 다른 쌍의 제1 전극과 제2 전극은 180도 회전 대칭 구조를 갖도록 배치될 수 있다. 상기 베이스 기판을 분할함에 따라 동일한 구조의 발광 다이오드 패키지들이 제공될 수 있다.Additionally, the different pairs of first and second electrodes may be arranged to have a 180 degree rotational symmetry structure. By dividing the base substrate, light emitting diode packages of the same structure can be provided.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 캐비티들 및 제2 캐비티는 정사각형 형상을 가질 수 있다.In some embodiments, the first cavities and the second cavities may have a square shape.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지가 적용되는 헤드 램프(110)가 장착된 차량을 나타내는 개략적인 사시도이다.Figure 1 is a schematic perspective view showing a vehicle equipped with a
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 발광 다이오드 패키지는 차량(100)의 전방에 장착되어 헤드 램프(110) 내에 배치된다. 실시예에서 차량용 헤드 램프(110)는 운전자의 전방 야간 시야를 확보해주는 헤드 램프, 안개등 등을 포함한다.Referring to FIG. 1, in one embodiment of the present invention, the light emitting diode package is mounted on the front of the
차량용 헤드 램프(110)는 차량(100) 전방 좌우에 각각 장착될 수 있으며, 운전자의 취향을 고려하여 다양한 형상을 가질 수 있다.The
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 절개 사시도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 저면 사시도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.Figure 2 is a schematic perspective view for explaining a light-emitting diode package according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a schematic cut-away perspective view for explaining a light-emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and Figure 4 is It is a bottom perspective view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and Figure 5 is a cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 베이스 기판(10), 하우징(20), 발광 다이오드(30) 및 보호 소자(40)를 포함하며, 나아가, 글래스 형광체(50) 및 밀봉 수지(60)를 더 포함할 수 있다. 1 to 5, the light emitting diode package according to this embodiment includes a
베이스 기판(10)은 절연 기판(11), 제1 전극(13: 13a, 13b, 13c) 및 제2 전극(15; 15a, 15b, 15c)을 포함하고, 나아가 방열 패드(17)를 포함할 수 있다. 절연 기판(11)은 세라믹 기판일 수 있으며, 예를 들어, AlN 기판을 포함할 수 있다. AlN 기판은 고온 내구성이 좋고 방열 특성이 우수하다.The
제1 전극(13) 및 제2 전극(15)은 각각 상부 리드들(13a, 15a), 하부 리드들(13c, 15c) 및 비아들(13b, 15b)을 갖는다. 상부 리드들(13a, 15a)은 절연 기판(11)의 상면에 배치된다. 하부 리드들(13c, 15c)은 절연 기판(11)의 하면에 배치되며, 비아들(13b, 15b)은 각각 절연 기판(11)을 관통하여 상부 리드들(13a, 15a)을 하부 리드들(13c, 15c)에 연결한다.The first electrode 13 and the second electrode 15 have
일 실시예에서, 제1 및 제2 전극들(13, 15)은 다층 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어 Ni층/Cu층/Au층이 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. Ni층은 AlN 기판에 전극 패턴들의 접착력을 향상시키기 위해 사용되며, Au층은 Cu층의 산화를 방지하기 위해 사용되며, 또한, 후술되는 발광 다이오드(30)와의 접착력을 향상시키기 위해 사용된다. 또한, Cu층은 전류 및 열 전달을 위해 사용되며, Ni층 및 Au층에 비해 상대적으로 두꺼울 수 있다. 그러나 본 발명의 제1 및 제2 전극들(13, 15)이 상기 금속층들에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment, the first and second electrodes 13 and 15 may have a multi-layer structure, for example, a stacked Ni layer/Cu layer/Au layer. The Ni layer is used to improve the adhesion of the electrode patterns to the AlN substrate, and the Au layer is used to prevent oxidation of the Cu layer, and is also used to improve the adhesion to the
한편, 방열패드(17)는 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c) 사이에 배치되며, 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)로부터 전기적으로 절연된다. 방열 패드(17)는 인쇄회로보드에 접촉하며, 특히, 메탈 PCB 등의 금속에 접촉하여 열 방출을 도울 수 있다. 방열 패드는(17)는 제1 및 제2 전극들(13, 15)과 동일한 재료로 형성될 수 있다.Meanwhile, the
본 실시예에 있어서, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)은 서로 평행하게 배치되고, 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)은 서로 평행하게 배치된다. 또한, 방열 패드(17)는 제1 및 제1 하부 리드들(13c, 15b)보다 넓은 폭을 가지며 이들과 평행하게 배치된다. 한편, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)과 상기 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)은 서로 직교하도록 배치된다. 제1 및 제2 비아들(13b, 15b)은 각각 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)과 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)이 교차하는 영역에 형성될 수 있다. 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)이 방열 패드(17)와 직교하도록 배치되므로, 이들이 교차하는 영역의 면적을 증가시켜 방열 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.In this embodiment, the first and second upper leads 13a and 15a are arranged parallel to each other, and the first and second lower leads 13c and 15c are arranged parallel to each other. Additionally, the
그러나 본 발명은 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)과 상기 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)은 서로 교차하도록 배치된 것에 한정되지 않으며, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)이 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)에 평행하게 배치될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)이 평행하게 배치되는 것에 한정되는 것은 아니며, 발광 다이오드 종류에 따라 다양하게 변형될 수 있다. However, the present invention is not limited to the first and second upper leads (13a, 15a) and the first and second lower leads (13c, 15c) being arranged to cross each other, and the first and second upper leads (13a, 15a) are arranged to intersect each other. The leads 13a and 15a may be arranged parallel to the first and second lower leads 13c and 15c. Additionally, the first and second upper leads 13a and 15a are not limited to being arranged in parallel, and may be modified in various ways depending on the type of light emitting diode.
하우징(20)은 제1 캐비티(C1) 및 제2 캐비티(C2)를 가진다. 제1 캐비티(C1)는 발광 다이오드(30)가 실장되는 영역을 정의하고 제2 캐비티(C2)는 보호 소자(40)가 실장되는 영역을 정의한다.The
제1 캐비티(C1)는 패키지의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 제1 캐비티(C1)는 측벽(21)으로 둘러싸인다. 측벽(21)은 발광 다이오드(30)에서 방출된 광을 반사시키기 위해 경사면을 가질 수 있다. 또한, 제1 캐비티(C1)는 평면도에서 보아 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 직사각형, 특히 정사각형 형상을 가질 수 있다. 여기서 회전 대칭은 회전체만을 의미하는 것은 아니며, 60도, 90도, 120도 또는 180도 등 특정 각도로 회전할 때 동일한 형상이 유지되는 것을 포함한다. 본 실시예에서는 제1 캐비티(C1)가 측벽(21)으로 완전히 둘러싸인 것에 대해 설명하지만, 다른 실시예에 있어서, 제1 캐비티(C1)의 측벽(21) 일부가 개방될 수 있다. 또한, 제1 캐비티(C1)의 형상은 사각형에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.The first cavity C1 may be disposed in the central area of the package. The first cavity (C1) is surrounded by a side wall (21). The
한편, 측벽(21)의 상부면(23)을 따라 홈(23g)이 형성될 수 있다. 홈(23g)은 파장변환판(50)을 부착할 때, 접착제 등이 다른 영역으로 흐르는 것을 방지한다.Meanwhile, a
제2 캐비티(C2)는 일부 측벽이 개방된 형상을 가진다. 특히, 제2 캐비티(C2)는 패키지 외부에 연통될 수 있다. 제2 캐비티(C2)의 측벽이 개방되므로 보호 소자(40)를 실장할 때, 패키지 외부 영역이 작업 공간으로 활용될 수 있어 발광 다이오드 패키지를 소형화할 수 있다.The second cavity C2 has a shape in which some side walls are open. In particular, the second cavity C2 may communicate with the outside of the package. Since the sidewall of the second cavity C2 is open, when mounting the
한편, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)는 측벽(21) 일부를 사이에 두고 양측에 배치될 수 있다. 즉, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)는 측벽(21) 일부를 공유한다. 이에 따라, 도 5에 도시된 바와 같이, 측벽(21)은 제1 캐비티(C1) 측에 위치하는 내벽면(21a) 및 제2 캐비티(C2) 측에 위치하는 내벽면(21a)을 가질 수 있다. 한편, 제1 캐비티(C1) 측에 위치하는 내벽면(21a)은 발광 다이오드(30)에서 방출된 광을 반사시키도록 제2 캐비티(C2) 측에 위치하는 내벽면(21b)보다 완만하게 경사질 수 있다.Meanwhile, the first cavity (C1) and the second cavity (C2) may be disposed on both sides with a portion of the
또한, 제2 캐비티(C2)는 제1 캐비티(C1)보다 작은 크기를 가진다. 예컨대, 제1 캐비티(C1)는 제2 캐비티(C2)보다 2배 이상 클 수 있다. 상기 제2 캐비티(C2)는 베이스 기판(10)의 일측 가장자리를 따라 기다란 형상, 예컨대 기다란 직사각형 형상을 가질 수 있다.Additionally, the second cavity (C2) has a smaller size than the first cavity (C1). For example, the first cavity (C1) may be more than twice as large as the second cavity (C2). The second cavity C2 may have an elongated shape, for example, an elongated rectangular shape, along one edge of the
제1 캐비티(C1) 및 제2 캐비티(C2)는 하우징(20)에 의해 형성되며, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15), 특히, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)을 노출시킨다.The first cavity (C1) and the second cavity (C2) are formed by the
한편, 상기 하우징(20)은 절연 기판(11)과는 다른 재료, 예컨대 열경화성 또는 열가소성 수지로 형성될 수 있다. 하우징(20)은 반사율이 높은 수지로 형성될 수 있으며, 예를 들어, PPA(poly phthal amide), PCT(poly cyclohexylenedimethylene terephthalate), EMC(epoxy molding compount) 또는 SMC(silcone molding compound)로 형성될 수 있다. 특히, 상기 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC)는 고온에 강하고 반사율이 높아 자동차 헤드 램프와 같이 고출력을 요하는 발광 다이오드 패키지에 적합하게 사용될 수 있다.Meanwhile, the
하우징(20)은 상단면은 단차진 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 하우징(20)은 최상단면(27), 중간 상부면(25) 및 측벽(21) 상부면(23)을 포함할 수 있으며, 이들 사이에 단턱부들(25w, 27w)이 위치할 수 있다. 측벽(21) 상부면(23)은 파장변환판(50)을 접착하기 위해 사용되는 접착제가 하우징(20)의 넓은 면으로 퍼지는 것을 방지한다. 따라서, 필요 이상의 접착제가 사용될 경우에도, 접착제는 파장변환판(50)의 측면 주위에 모여 파장변환판(50)의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
한편, 단턱부(25w, 27w) 및 중간 상부면(25)은 파장변환판(50) 주위에 형성되는 투명 수지(60)의 접착 면적을 증가시켜 투명 수지(60)가 하우징(20)으로부터 박리되는 것을 방지한다. 본 실시예에서 이중 단차진 상단면 구조에 대해 도시하고 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 더 많은 상단면이 형성될 수 있다.Meanwhile, the stepped
상기 최상단면(27)은 하우징(20)의 테두리를 구성한다. 다만, 제2 캐비티(C2)의 개방된 측벽 때문에, 테두리의 일부가 끊어진 형상을 가진다. 또한, 최상단면(27)의 일부에 캐소드 마크(27a)가 형성되어 캐소드 전극의 위치를 지정할 수 있다.The
발광 다이오드(30)는 제1 캐비티(C1) 내에서 제1 및 제2 상부 리드(13a, 15a) 상에 배치된다. 발광 다이오드(30)는 질화갈륨계 무기 반도체 발광 다이오드로서 청색 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드일 수 있다. 본 실시예에 있어서, 발광 다이오드(30)는 본딩 와이어 없이 실장 가능한 발광 다이오드로, 예컨대 플립칩형 발광 다이오드일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에 있어서, 본딩 와이어를 이용하는 수직형이나 수평형 발광 다이오드일 수도 있다.The
보호 소자(40)는 서지와 같은 고전압으로부터 발광 다이오드(30)를 보호한다. 보호 소자(40)는 예컨대 TVS(transient voltage suppressor) 다이오드나 제너 다이오드일 수 있다.The
파장변환판(50)은 제1 캐비티(C1)를 덮는다. 세라믹 플레이트에 파장변환 물질이 함유된 것으로, 예를 들어, 형광체를 함유시킨 글래스(phosphor in glass; PIG)나 SiC 기판에 형광체를 함유시킨 SiC 형광체가 있으며, 쿼츠에 형광체를 함유시킬 수도 있다. 이외에도 다양한 세라믹 플레이트 형광체가 가능하다. 또한, 형광체 이외에도 양자점과 같은 다른 파장변환 물질이 이용될 수 있다. 파장변환판(50)의 상부면은 측벽(21) 상부면(23)보다 위에 위치하며, 하우징(20)의 최상단면(27)보다 아래에 위치하고, 중간면(25)보다 위에 위치할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 파장변환판(50)의 상부면이 최상단면(27)보다 위에 위치할 수도 있다.The
파장변환판(50)은 세라믹 플레이트를 이용함으로써, 종래의 형광체를 함유한 수지에 비해 견고하고 고온 내구성이 강하다. 파장변환판(50)은 직사각형 특히 정사각형 형상을 가질 수 있다. 파장변환판(50)은 실리콘이나 에폭시 등을 이용하여 측벽(21)에 부착될 수 있다. 이때, 접착제로 사용되는 실리콘이나 에폭시는 홈(23g)에 의해 가이드되며, 따라서 제1 캐비티(C1)나 제2 캐비티(C2) 또는 하우징(20)의 다른 부분으로 퍼지는 것이 방지된다.By using a ceramic plate, the
한편, 밀봉 수지(60)는 파장변환판(50) 주위의 일부 공간을 채운다. 밀봉 수지(60)는 측벽(21) 상부면(23) 및 중간면(25)을 덮을 수 있으며, 단턱부(25w)를 덮고 단턱부(27w)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 밀봉 수지(60)는 또한 파장변환판(50)의 측면을 덮어 파장변환판(50)이 하우징(20)에 견고하게 접착되도록 한다.Meanwhile, the sealing
밀봉 수지(60)는 또한 하우징(20)의 제2 캐비티(C2)를 채울 수 있다. 밀봉 수지(60)는 투명한 실리콘이나 에폭시로 형성될 수 있다. 제1 캐비티(C1)가 제2 캐비티(C2)로부터 이격된 경우, 제1 캐비티(C1)는 파장변환판(50)으로 덮여 있어 밀봉 수지(60)가 제1 캐비티(C1) 내로 침투하는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 제1 캐비티(C1)는 빈 공간으로 잔류할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 캐비티(C1) 내의 발광 다이오드(30)를 투명 수지로 덮을 수 있다. 투명 수지는 제1 캐비티(C1) 내의 일부를 채우거나 또는 제1 캐비티(C1)를 완전히 채울 수도 있다. 이에 대해서는 도 12를 참조하여 뒤에서 다시 설명된다.Sealing
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.Figure 6 is a schematic perspective view for explaining a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 설명한 실시예의 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나 밀봉 수지(60)가 백색 반사기로 형성된 것에 차이가 있다. 백색 반사기는 실리콘이나 에폭시 등의 수지에 백색 안료를 혼합한 재료로 형성될 수 있다. 또한, 폴리 카보네이트 또는 PCT 등의 반사기가 밀봉 수지로 사용될 수도 있다.Referring to FIG. 6, the light emitting diode package according to this embodiment is generally similar to the light emitting diode package of the previously described embodiment, but the difference is that the sealing
백색 반사기를 이용하여 밀봉 수지(60)를 형성함으로써, 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 광은 대체로 파장변환판(50)을 통해서만 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 원하지 않는 광이 밀봉 수지(60)를 통해 방출되는 것을 차단할 수 있어 광의 지향 분포를 쉽게 제어할 수 있다.By forming the sealing
도 7 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 공정을 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다. 도면들에서 점선은 분할될 위치를 나타낸다.7 to 11 are schematic perspective views for explaining a light emitting diode package manufacturing process according to an embodiment of the present invention. In the drawings, dotted lines indicate positions to be divided.
우선, 도 7을 참조하면, 베이스 기판(10)이 마련된다. 베이스 기판(10)은 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 쌍을 복수 개 포함한다. 도면에는 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)만을 도시하지만, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 및 제2 비아들(13b, 15b)와 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)도 함께 포함된다. 도 7에는 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 서로 다른 두 쌍이 도시되어 있으나, 더 많은 쌍이 베이스 기판(10)에 제공될 수 있다.First, referring to FIG. 7, a
한편, 상기 두 쌍의 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)은 180도 회전 대칭 구조로 배치될 수 있다. 이들은 다시 페어를 형성한다. 베이스 기판(10) 상에는 이러한 페어들이 복수개 배치될 수 있다. 여기서, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)이 대칭구조로 배치된 것으로 설명하지만, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 형상 및 구조는 다양하게 변형될 수 있다. Meanwhile, the two pairs of first electrodes 13 and second electrodes 15 may be arranged in a 180 degree rotationally symmetrical structure. They form a pair again. A plurality of such pairs may be disposed on the
도 8을 참조하면, 베이스 기판(10) 상에 하우징(20)이 형성된다. 하우징(20)은 반사율이 높은 수지로 형성될 수 있다. 하우징(20)은 몰딩 기술을 이용하여 베이스 기판(10) 상에 형성될 수 있다. 하우징(20)은 제1 캐비티들(C1)의 쌍과 이들 제1 캐비티들 사이에 배치된 제2 캐비티(C2)를 포함한다. 제2 캐비티(C2)는 제1 캐비티(C1)와 동일한 크기로 형성될 수 있으나, 상대적으로 작은 보호 소자가 실장되기 때문에 제1 캐비티(C1)보다 작을 수 있다.Referring to FIG. 8, a
한 쌍의 제1 캐비티들(C1)은 각각 서로 다른 제1 상부 리드(13a) 및 제2 상부 리드(15a)를 노출한다. 한편, 제2 캐비티(C2)는 서로 다른 두 쌍의 제1 상부 리드(13a)와 제2 상부 리드(15a)를 노출한다. 즉, 도 8에서 위쪽에 배치된 제1 캐비티(C1)는 제1 쌍의 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)를 노출하고, 아래쪽에 배치된 제1 캐비티(C1)는 제2 쌍의 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)를 노출한다. 또한, 제2 캐비티(C2)는 제1 쌍 및 제2 쌍의 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)를 노출한다.The pair of first cavities C1 each expose different first
한편, 제1 캐비티들(C1)은 서로 동일한 크기를 가질 수 있다. 제2 캐비티(C2)는 제1 캐비티들(C1)과 동일한 크기를 가질 수 있으나 제1 캐비티들(C1)보다 작은 크기를 가질 수도 있다.Meanwhile, the first cavities C1 may have the same size. The second cavity C2 may have the same size as the first cavities C1, but may also have a smaller size than the first cavities C1.
제1 및 제2 캐비티들(C1, C2)은 모두 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어 정사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 형상을 가질 수도 있다.The first and second cavities C1 and C2 may both have a rotationally symmetrical shape, for example, a square shape. However, it is not limited to this and may have other shapes.
하우징(20)은 또한 앞서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 캐비티(C1)를 둘러싸는 측벽(21)의 상부면(23), 중간면(25) 및 최상단면(27)을 가질 수 있으며, 이들 사이에 단턱부들(25w, 27w)을 가질 수 있고 최상단면(27)에 캐소드 마크(27a)가 형성될 수 있다.The
도 9를 참조하면, 제1 캐비티들(C1) 내에 각각 발광 다이오드(30)가 실장되고, 제2 캐비티(C2) 내에 보호 소자(40)가 실장된다. 발광 다이오드(30)는 제1 캐비티(C1)에 노출된 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)에 플립 본딩될 수 있으며, 보호 소자(40)는 제2 캐비티(C2)에 노출된 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)에 플립 본딩될 수 있다.Referring to FIG. 9, a
도 10을 참조하면, 제1 캐비티들(C1) 상에 파장변환판(50)들이 부착된다. 파장변환판(50)은 실리콘이나 에폭시를 이용하여 제1 캐비티(C1)를 둘러싸는 측벽(21) 상에 부착될 수 있다. 파장변환판(50)을 부착함에 따라 제1 캐비티(C1)는 외부로부터 차단될 수 있다.Referring to FIG. 10,
도 11을 참조하면, 이어서, 제2 캐비티(C2)를 채우는 밀봉 수지(60)가 형성된다. 밀봉 수지(60)는 파장변환판(50) 주위의 일부 공간을 채울 수 있다. 밀봉 수지(60)는 측벽(21) 상부면(23), 중간면(25)을 덮고 단턱부(25w) 및 단턱부(27w)의 일부를 덮을 수 있다. 나아가, 밀봉 수지(60)는 파장변환판(5)의 측면을 덮을 수 있다. 밀봉 수지(60)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투명 수지로 형성될 수 있다. 이와 달리, 백색 안료를 함유하는 에폭시 또는 실리콘과 같이 백색 반사기로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 11, the sealing
이어서, 베이스 기판(10)과 하우징(20)을 점선을 따라 분할함으로써 개별 발광 다이오드 패키지로 분할되어 발광 다이오드 패키지가 완성된다. 상기 베이스 기판(10)과 하우징(20)을 분할할 때, 특히, 제2 캐비티(C2)가 분할된다. 제2 캐비티(C2)는 동일한 크기로 양분될 수 있으며, 따라서, 동일한 발광 다이오드 패키지들이 제조될 수 있다.Next, the
본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법에 따르면, 보호 소자들(40)이 실장되는 제2 캐비티(C2)를 두 개의 발광 다이오드 패키지 영역이 공유한다. 이에 따라, 보호 소자(40)를 실장하기 위한 작업 공간을 확보할 수 있어 발광 다이오드 패키지를 소형화할 수 있다. 종래 기술에서는 제2 캐비티가 측벽으로 둘러싸여 있다. 그러나 제1 캐비티와 제2 캐비티를 서로 분리하면서 모두 측벽으로 둘러싸일 경우, 발광 다이오드와 보호 소자를 실장하기 위한 작업 공간이 측벽에 의해 제한되기 때문에 패키지를 소형화하기 어렵다. According to the light emitting diode package manufacturing method according to this embodiment, the second cavity C2 in which the
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.Figure 12 is a schematic cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
우선, 도 12(a)를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나, 투명 수지(70a)가 발광 다이오드(30)를 덮는 것에 차이가 있다.First, referring to FIG. 12(a), the light emitting diode package according to this embodiment is generally similar to the light emitting diode package previously described with reference to FIGS. 1 to 5, but the
투명 수지(70a)는 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지일 수 있으며, 발광 다이오드(30)를 밀봉하여 보호한다. 투명 수지(70a)는 제1 캐비티(C1)의 일부 영역을 채우며, 도시한 바와 같이, 파장변환판(50)은 투명 수지(70a)로부터 이격될 수 있다.The
도 12(b)를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 도 12(a)의 실시예와 대체로 유사하나, 투명 수지(70b)가 제1 캐비티(C1)를 완전히 채우는 것에 차이가 있다.Referring to FIG. 12(b), the light emitting diode package according to this embodiment is generally similar to the embodiment of FIG. 12(a), but the difference is that the
투명 수지(70b)는 제1 캐비티(C1)을 완전히 채워 발광 다이오드(30)를 밀봉한다. 또한, 투명 수지(70b)는 파장변환판(50)을 접착하기 위한 접착제로 사용될 수 있다. 따라서, 파장변환판(50)을 하우징(20)에 견고하게 접착시킬 수 있다.The
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도들이다.Figure 13 is a perspective view for explaining a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
앞서 설명한 실시예들에서는 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 측벽(21)에 의해 서로 이격된 것에 대해 설명하였으나, 여기서는 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 서로 연통하는 것에 대해 설명한다.In the previously described embodiments, it was explained that the first cavity (C1) and the second cavity (C2) are spaced apart from each other by the
도 13(a)를 참조하면, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2) 사이에 배치된 측벽(21)의 일부가 개방되어 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 서로 연통한다. 개방되는 부분은 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 공유하는 측벽(21)의 중앙부분일 수 있다. Referring to FIG. 13(a), a portion of the
도 13(b)를 참조하면, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 공유하는 측벽(21)의 대부분이 개방될 수 있다. 따라서, 제2 캐비티(C2)는 패키지의 외부 및 제1 캐비티(C1)에 연통한다.Referring to FIG. 13(b), most of the
도 13(c)를 참조하면, 본 실시예의 경우, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 공유하는 측벽(21)의 높이가 다른 부분의 측벽(21)에 비해 상대적으로 낮게 형성되어, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 서로 연통한다.Referring to FIG. 13(c), in the case of this embodiment, the height of the
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도이다.Figure 14 is a perspective view for explaining a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 설명한 실시예들의 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나, 발광 다이오드(30a)가 수직형 구조인 것에 차이가 있다.Referring to FIG. 14, the light emitting diode package according to this embodiment is generally similar to the light emitting diode packages of the previously described embodiments, but the difference is that the light emitting diode 30a has a vertical structure.
플립칩 구조의 발광 다이오드(30)는 발광 다이오드를 플립 본딩하기 때문에, 본딩 와이어를 필요로 하지 않는다. 그러나 수직형이나 수평형 등의 발광 다이오드는 제1 및 제2 상부 리드(13a, 15a)에 전기적으로 연결하기 위해 본딩 와이어를 필요로 한다. 수직형 발광 다이오드(30a)는, 일반적으로 하면에 제1 전극을 가지며, 상면에 제2 전극을 갖는다. 따라서, 도시한 바와 같이 발광 다이오드(30a)는 제1 상부 리드(13a) 상에 실장되고, 본딩 와이어(80)를 통해 제2 상부 리드(15a)에 전기적으로 연결될 수 있다.The flip chip structure
수평형 발광 다이오드의 경우, 제1 전극 및 제2 전극이 모두 발광 다이오드의 상면측에 배치되므로, 이들 전극들이 모두 본딩 와이어들을 통해 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)에 전기적으로 연결될 것이다.In the case of a horizontal light emitting diode, both the first electrode and the second electrode are disposed on the top side of the light emitting diode, so all of these electrodes are electrically connected to the first and second upper leads 13a and 15a through bonding wires. will be.
한편, 앞의 실시예들에 있어서, 발광 다이오드(30)와 파장변환판(50)의 중심이 서로 정렬될 수 있다. 그러나 본 실시예에서는 본딩 와이어(80)를 사용함에 따라 발광 다이오드(30a)가 제1 캐비티(C1)의 중앙에서 벗어날 수 있으며, 따라서, 발광 다이오드(30a)와 파장변환판(50a)의 중심이 어긋날 수 있다.Meanwhile, in the previous embodiments, the centers of the
한편, 도시하지는 않았지만, 보호 소자(40)도 본딩 와이어를 통해 상부 리드들(13a, 15a)에 전기적으로 연결될 수 있다. Meanwhile, although not shown, the
이상에서 본 발명의 다양한 실시예들에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이들 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형이 가능할 것이다.Although various embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the scope of the present invention.
Claims (24)
상기 베이스 기판 상에 배치되고, 제1 캐비티 및 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 갖는 하우징;
상기 제1 캐비티 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 적어도 하나의 발광 다이오드; 및
상기 제2 캐비티 내에 배치된 보호소자를 포함하고,
상기 제2 캐비티의 측벽의 일부 영역은 상기 발광 다이오드 패키지 외부와 연통하도록 개방된 발광 다이오드 패키지.A base substrate having a first electrode and a second electrode;
a housing disposed on the base substrate and having sidewalls defining a first cavity and a second cavity;
at least one light emitting diode disposed in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; and
It includes a protective element disposed in the second cavity,
A light emitting diode package wherein a portion of a side wall of the second cavity is open to communicate with the outside of the light emitting diode package.
상기 제1 캐비티에 배치된 파장변환판을 더 포함하되,
상기 파장변환판은 세라믹 플레이트 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
Further comprising a wavelength conversion plate disposed in the first cavity,
The wavelength conversion plate is a light emitting diode package including a ceramic plate phosphor.
상기 제1 캐비티의 측벽은 상기 제1 캐비티를 둘러싸는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
A light emitting diode package wherein a sidewall of the first cavity surrounds the first cavity.
상기 제1 캐비티의 측벽 중 적어도 일부는 개방된 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
A light emitting diode package wherein at least a portion of the sidewall of the first cavity is open.
상기 발광 다이오드는 플립칩, 수직형 또는 수평형 발광 다이오드인 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
A light emitting diode package wherein the light emitting diode is a flip chip, vertical or horizontal light emitting diode.
상기 제1 캐비티에 배치된 파장변환판을 더 포함하되,
상기 발광 다이오드의 중심은 상기 파장변환판의 중심에 정렬된 발광 다이오드 패키지.In claim 5,
Further comprising a wavelength conversion plate disposed in the first cavity,
A light emitting diode package where the center of the light emitting diode is aligned with the center of the wavelength conversion plate.
상기 제1 캐비티에 배치된 파장변환판을 더 포함하되,
상기 발광 다이오드의 중심은 상기 파장변환판의 중심에서 벗어난 발광 다이오드 패키지.In claim 5,
Further comprising a wavelength conversion plate disposed in the first cavity,
A light emitting diode package in which the center of the light emitting diode deviates from the center of the wavelength conversion plate.
상기 제1 캐비티의 측벽은 그 상부면에 상기 제1 캐비티를 따라 형성된 홈을 가지는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
A light emitting diode package wherein a sidewall of the first cavity has a groove formed along the first cavity on its upper surface.
상기 제1 캐비티 내에서 상기 발광 다이오드를 덮는 투명 수지를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
A light emitting diode package further comprising a transparent resin covering the light emitting diode within the first cavity.
상기 투명 수지는 부분적으로 또는 완전히 상기 제1 캐비티를 채우는 발광 다이오드 패키지.In claim 9,
A light emitting diode package wherein the transparent resin partially or completely fills the first cavity.
상기 제1 캐비티에 배치된 파장변환판을 더 포함하되,
상기 파장변환판 주위의 공간을 적어도 부분적으로 채우는 밀봉 수지를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
Further comprising a wavelength conversion plate disposed in the first cavity,
A light emitting diode package further comprising a sealing resin that at least partially fills the space around the wavelength conversion plate.
상기 밀봉 수지는 투명 수지 또는 백색 반사성 수지인 발광 다이오드 패키지.In claim 11,
A light emitting diode package wherein the sealing resin is a transparent resin or a white reflective resin.
상기 베이스 기판은 절연 기판을 포함하고,
상기 제1 및 제2 전극은 각각,
상기 절연 기판 상에 배치된 상부 리드;
상기 절연 기판 하부에 배치된 하부 리드; 및
상기 절연기판을 관통하여 상기 상부 리드와 하부 리드를 연결하는 비아를 포함하는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
The base substrate includes an insulating substrate,
The first and second electrodes are each,
an upper lead disposed on the insulating substrate;
a lower lead disposed below the insulating substrate; and
A light emitting diode package including a via that penetrates the insulating substrate and connects the upper lead and the lower lead.
상기 절연 기판은 질화알루미늄 기판을 포함하는 발광 다이오드 패키지.In claim 13,
A light emitting diode package wherein the insulating substrate includes an aluminum nitride substrate.
상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 측벽을 공유하는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
The first cavity and the second cavity share a sidewall.
상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 연통하는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
A light emitting diode package wherein the first cavity and the second cavity communicate with each other.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160091434A KR102614672B1 (en) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | Light emitting diode package |
PCT/KR2017/007706 WO2018016842A1 (en) | 2016-07-19 | 2017-07-18 | Light-emitting diode package and method for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160091434A KR102614672B1 (en) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | Light emitting diode package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180009567A KR20180009567A (en) | 2018-01-29 |
KR102614672B1 true KR102614672B1 (en) | 2023-12-15 |
Family
ID=61028582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160091434A KR102614672B1 (en) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | Light emitting diode package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102614672B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102487358B1 (en) * | 2018-02-05 | 2023-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | Semiconductor device package and light emitting device including the same |
KR20190140352A (en) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode package |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294587A (en) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Package for storing light emitting element |
JP2007317815A (en) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting device |
JP2008159986A (en) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | Light-emitting device and illuminator |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101926531B1 (en) * | 2012-05-24 | 2018-12-10 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting system |
-
2016
- 2016-07-19 KR KR1020160091434A patent/KR102614672B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294587A (en) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Package for storing light emitting element |
JP2007317815A (en) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting device |
JP2008159986A (en) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | Light-emitting device and illuminator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180009567A (en) | 2018-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5746076B2 (en) | Semiconductor light emitting device package submount and semiconductor light emitting device package including the submount | |
KR101190414B1 (en) | Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element, and methods of assembling same | |
US8203218B2 (en) | Semiconductor device package including a paste member | |
US10153408B2 (en) | Light-emitting apparatus and illumination apparatus | |
CN107527975B (en) | Vertical light emitting diode with electrode structure and light emitting diode package | |
KR101825473B1 (en) | Light emitting device package and method of fabricating the same | |
CN110112275B (en) | Light emitting device and light source module having the same | |
US8710513B2 (en) | Light-emitting device package and method of manufacturing the same | |
JP7046796B2 (en) | Light emitting device | |
KR102261955B1 (en) | Light emitting module and lighting apparatus having thereof | |
KR102271161B1 (en) | Light emitting module and lighting apparatus having thereof | |
US9911906B2 (en) | Light emitting device package | |
KR102614672B1 (en) | Light emitting diode package | |
KR101653395B1 (en) | Multi-chip led package | |
JP4985416B2 (en) | Light emitting device | |
KR102261956B1 (en) | Light emitting module and light unit havig thereof | |
US9105825B2 (en) | Light source package and method of manufacturing the same | |
KR20180020829A (en) | Ultraviolet light emitting diode package | |
KR20180020685A (en) | Light emitting diode package and method of fabricating the same | |
US10396258B2 (en) | Light emitting device package | |
KR102142718B1 (en) | Light emitting device and light apparatus having thereof | |
CN110870064B (en) | RGB LED package with BSY emitter | |
JP7193532B2 (en) | light emitting device package | |
KR20080087405A (en) | Light emitting diode package and method for fabricating the same diode | |
KR20090064717A (en) | Light emitting diode package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |