WO2018016842A1 - Light-emitting diode package and method for producing same - Google Patents

Light-emitting diode package and method for producing same Download PDF

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WO2018016842A1
WO2018016842A1 PCT/KR2017/007706 KR2017007706W WO2018016842A1 WO 2018016842 A1 WO2018016842 A1 WO 2018016842A1 KR 2017007706 W KR2017007706 W KR 2017007706W WO 2018016842 A1 WO2018016842 A1 WO 2018016842A1
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cavity
light emitting
emitting diode
wavelength conversion
diode package
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PCT/KR2017/007706
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박병규
네이마사미
유종균
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서울반도체주식회사
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a light emitting diode package suitable for an automobile head lamp and a method of manufacturing the same.
  • a protection element is mounted together in the LED package to protect the LED from high voltage such as surge.
  • the light emitting diode and the protection device are mounted together in one package, various problems occur. For example, in order to adjust the profile of light emitted from the light emitting diode, the cavity area in which the light emitting diode is mounted needs to be symmetrical. However, it is difficult to form a cavity region in which a light emitting diode is mounted in a symmetrical structure for mounting a protection element.
  • the light emitting diode and the protection element should be spaced apart from each other in consideration of the process margin. It is difficult to miniaturize the package because the light emitting diode and the protection element are mounted within the limited sidewall of the package.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode package suitable for use in a high temperature environment.
  • Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package that can be miniaturized while mounting a protection device together.
  • a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, the base substrate having a first electrode and a second electrode; A housing disposed on the base substrate, the housing having sidewalls defining a first cavity for mounting a light emitting diode; A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And a wavelength conversion plate spaced apart from the light emitting diode and disposed on the sidewall.
  • the wavelength converting plate may include a ceramic plate phosphor.
  • the wavelength converting plate may include a phosphor glass (PIG) or a SiC phosphor.
  • a sidewall of the first cavity may surround the first cavity.
  • at least some of the side walls of the first cavity may be opened.
  • the light emitting diode is not particularly limited, and may be, for example, a flip chip, vertical or horizontal light emitting diode.
  • the center of the light emitting diode may be aligned with the center of the wavelength conversion plate. In contrast, the center of the light emitting diode may deviate from the center of the wavelength conversion plate.
  • the side wall of the first cavity may have a groove formed along the first cavity on an upper surface thereof.
  • the adhesive is prevented from spreading widely to improve process reliability.
  • the inside of the first cavity may be an empty space.
  • the light emitting diode package may further include a transparent resin covering the light emitting diode in the first cavity.
  • the transparent resin can partially or completely fill the first cavity.
  • the wavelength conversion plate may be used in an exposed state without a sealing resin.
  • the light emitting diode package may further include a sealing resin at least partially filling the space around the wavelength conversion plate.
  • the sealing resin may be a transparent resin or a white reflective resin.
  • the base substrate includes an insulating substrate, and the first and second electrodes each include an upper lead disposed on the insulating substrate; A lower lead disposed under the insulating substrate; And a via penetrating the insulating substrate to connect the upper lead and the lower lead.
  • the base substrate may include an aluminum nitride substrate.
  • Aluminum nitride substrates have good heat dissipation and high temperature durability, making them suitable for use in high temperature environments.
  • the light emitting diode package may further include a protection device.
  • the housing further includes sidewalls defining a second cavity for mounting the protection element, wherein the protection element may be mounted in the second cavity. By mounting a protection element, a light emitting diode can be protected from a surge.
  • the sidewall of the second cavity may be opened to communicate with the outside of the LED package.
  • the first cavity and the second cavity may share sidewalls. That is, the first cavity and the second cavity may be separated from each other by the side wall.
  • a protective element in the first cavity, so that the shape of the first cavity can be easily controlled, and in particular, the first cavity can be formed in a symmetrical structure.
  • the directing pattern of the light emitted from the light emitting diode can be easily controlled.
  • first cavity and the second cavity may communicate with each other. That is, a part of the sidewall positioned between the first cavity and the second cavity may be opened or the first cavity and the second cavity may be connected without the sidewall.
  • a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, the base substrate having a first electrode and a second electrode; A sidewall disposed on the base substrate, the sidewall defining a first cavity for mounting a light emitting diode, and the sidewall defining a second cavity for mounting a protection element, wherein a portion of the sidewall of the second cavity is the light emitting diode; A housing open to communicate with the outside of the package; A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And a protection element mounted in the second cavity.
  • the first cavity and the second cavity may be spaced apart or communicated with each other by sidewalls shared with each other.
  • the first cavity may have a size more than twice the second cavity.
  • the first cavity may be disposed on a central area of the base substrate.
  • the LED package can emit light to the outside from the central area.
  • the first cavity may have a rotationally symmetrical shape.
  • the first cavity may have a 180 degree rotational symmetry, a 90 degree rotational symmetry shape, or may have a circular shape.
  • the first cavity may have a square shape.
  • the second cavity may have an elongated shape along one side edge of the base substrate, and may have a rectangular shape.
  • a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, the base substrate having a first electrode and a second electrode; A housing disposed on the base substrate, the housing having sidewalls defining a first cavity for mounting a light emitting diode; A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And a wavelength conversion plate disposed on an upper surface of the light emitting diode.
  • the wavelength converting plate may include a ceramic plate phosphor.
  • the wavelength converting plate may include a phosphor glass (PIG) or a SiC phosphor.
  • a sidewall of the first cavity may surround the first cavity.
  • at least some of the side walls of the first cavity may be opened.
  • the light emitting diode is not particularly limited, and may be, for example, a flip chip, vertical or horizontal light emitting diode.
  • the wavelength conversion plate may cover the entire upper surface of the light emitting diode.
  • the light emitting diode package may include a plurality of light emitting diodes. For the plurality of light emitting diodes, one wavelength conversion plate may cover the top surface of the entire light emitting diode, or the plurality of wavelength conversion plates may cover the plurality of light emitting diodes, respectively.
  • the wavelength conversion plate may cover a portion of the light emitting diode except for a wire bonding portion of the top surface of the light emitting diode.
  • the side wall of the first cavity may have a groove formed along the first cavity on an upper surface thereof.
  • the light emitting diode package may further include a sealing resin that at least partially fills a space around the first cavity and the wavelength conversion plate.
  • the sealing resin may be a transparent resin or a white reflective resin. .
  • the base substrate includes an insulating substrate, and the first and second electrodes each include an upper lead disposed on the insulating substrate; A lower lead disposed under the insulating substrate; And a via penetrating the insulating substrate to connect the upper lead and the lower lead.
  • the base substrate may include an aluminum nitride substrate.
  • Aluminum nitride substrates have good heat dissipation and high temperature durability, making them suitable for use in high temperature environments.
  • the light emitting diode package may further include a protection device.
  • the housing further includes sidewalls defining a second cavity for mounting the protection element, wherein the protection element may be mounted in the second cavity. By mounting a protection element, a light emitting diode can be protected from a surge.
  • the sidewall of the second cavity may be opened to communicate with the outside of the LED package.
  • the first cavity and the second cavity may share sidewalls. That is, the first cavity and the second cavity may be separated from each other by the side wall.
  • a protective element in the first cavity, so that the shape of the first cavity can be easily controlled, and in particular, the first cavity can be formed in a symmetrical structure.
  • the directing pattern of the light emitted from the light emitting diode can be easily controlled.
  • first cavity and the second cavity may communicate with each other. That is, a part of the sidewall positioned between the first cavity and the second cavity may be opened or the first cavity and the second cavity may be connected without the sidewall.
  • a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, the base substrate having a first electrode and a second electrode; A sidewall disposed on the base substrate, the sidewall defining a first cavity for mounting a light emitting diode, and a sidewall defining a second cavity for mounting a protective element, wherein a portion of the sidewall of the second cavity is the light emitting diode; A housing open to communicate with the outside of the package; A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; A wavelength conversion plate disposed in at least a portion of an upper surface of the light emitting diode in the first cavity; And a protection element mounted in the second cavity.
  • the first cavity and the second cavity may be spaced apart or communicated with each other by sidewalls shared with each other.
  • the first cavity may have a size more than twice the second cavity.
  • the first cavity may be disposed on a central area of the base substrate.
  • the LED package can emit light to the outside from the central area.
  • the first cavity may have a rotationally symmetrical shape.
  • the first cavity may have a 180 degree rotational symmetry, a 90 degree rotational symmetry shape, or may have a circular shape.
  • the first cavity may have a square shape.
  • the second cavity may have an elongated shape along one side edge of the base substrate, and may have a rectangular shape.
  • a light emitting diode package manufacturing method including: providing a base substrate having a plurality of pairs of first electrodes and second electrodes, forming a housing having cavities on the base substrate, Mounting light emitting diodes and protective elements therein and dividing the base substrate and housing, wherein the housing includes a pair of first cavities facing each other and a second cavity disposed between the first cavities.
  • the light emitting diodes are mounted in the first cavities, the protection elements are mounted in the second cavity, and when the housing is divided, the second cavity is divided.
  • the protection elements are disposed in the second cavity and the second cavity is divided, it is easy to secure a work space for mounting the protection elements, thereby miniaturizing the LED package.
  • two protection elements may be mounted in the second cavity, and the two protection elements may be separated from each other by dividing the base substrate and the housing.
  • the two protection elements are each included in a separate LED package.
  • the light emitting diode package may further include attaching a wavelength conversion plate covering the first cavities before dividing the base substrate and the housing.
  • the method may further include attaching a wavelength conversion plate covering at least a portion of an upper surface of the light emitting diode before dividing the base substrate and the housing.
  • the light emitting diode package manufacturing method may further include forming a sealing resin filling the second cavity and at least partially filling a space around the phosphor glass.
  • the first cavity may be sealed by the wavelength conversion plate, and thus the interior may remain as an empty space.
  • the light emitting diode in the first cavity may cover the transparent resin.
  • the transparent resin may fill the first cavity, and may help the wavelength conversion plate to be attached on the sidewall of the first cavity.
  • first cavities different pairs of first and second electrodes are exposed to the first cavities, and the second cavity exposes two pairs of first and second electrodes, and two protection elements are disposed on the first cavities. It may be mounted on two pairs of the first electrode and the second electrode exposed in the two cavity, respectively.
  • the pair of different first and second electrodes may be arranged to have a 180-degree rotational symmetry structure.
  • light emitting diode packages having the same structure may be provided.
  • the first cavities and the second cavity may have a square shape.
  • a light emitting diode package suitable for use in a high temperature environment may be provided by adopting a wavelength conversion plate.
  • a wavelength conversion plate By distinguishing the cavity in which the light emitting diode and the protection element are mounted, and by installing the protection element in an open structure cavity, it is possible to easily control the directing pattern of the emitted light and to secure a working space, thereby providing a light emitting diode package that can be miniaturized. Can be.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view illustrating a vehicle equipped with a head lamp to which a light emitting diode package according to embodiments of the present invention is applied.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic cutaway perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention
  • Figure 5 is a cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 to 11 are schematic perspective views for explaining a light emitting diode package manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 16 is a schematic cutaway perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 17 is a bottom perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • 19 is a schematic perspective view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • 20 to 24 are schematic perspective views illustrating a light emitting diode package manufacturing process according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 are schematic perspective views illustrating a light emitting diode package according to still another embodiment of the present invention.
  • 26 is a schematic perspective view and a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 27 is a schematic perspective view and a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 28 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • 29 is a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view illustrating a vehicle equipped with a head lamp 110 to which a light emitting diode package according to embodiments of the present invention is applied.
  • the LED package is mounted at the front of the vehicle 100 and disposed in the head lamp 110.
  • the vehicle head lamp 110 includes a head lamp, a fog lamp, and the like, which secures the driver's front night vision.
  • the vehicle head lamp 110 may be mounted on the front left and right of the vehicle 100, and may have various shapes in consideration of the driver's taste.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic cutaway perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention
  • Figure 5 is a cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
  • the light emitting diode package includes a base substrate 10, a housing 20, a light emitting diode 30, and a protection device 40, and further, a glass phosphor 50.
  • the sealing resin 60 may be further included.
  • the base substrate 10 may include an insulating substrate 11, first electrodes 13a, 13b, and 13c, and second electrodes 15; 15a, 15b, and 15c, and may further include a heat radiation pad 17.
  • the insulating substrate 11 may be a ceramic substrate and may include, for example, an AlN substrate. AlN substrate has high temperature durability and good heat dissipation.
  • the first electrode 13 and the second electrode 15 have upper leads 13a and 15a, lower leads 13c and 15c and vias 13b and 15b, respectively.
  • the upper leads 13a and 15a are disposed on the upper surface of the insulating substrate 11.
  • the lower leads 13c and 15c are disposed on the bottom surface of the insulating substrate 11, and the vias 13b and 15b penetrate the insulating substrate 11, respectively, to pass the upper leads 13a and 15a to the lower leads ( 13c, 15c).
  • the first and second electrodes 13 and 15 may have a multilayer structure, for example, a multilayer structure in which a Ni layer / Cu layer / Au layer is stacked.
  • the Ni layer is used to improve the adhesion of the electrode patterns to the AlN substrate
  • the Au layer is used to prevent oxidation of the Cu layer, and is also used to improve the adhesion to the light emitting diode 30 described later.
  • the Cu layer is used for current and heat transfer, and may be relatively thick compared to the Ni layer and Au layer.
  • the first and second electrodes 13 and 15 of the present invention are not limited to the metal layers.
  • the heat radiating pad 17 is disposed between the first and second lower leads 13c and 15c and is electrically insulated from the first and second lower leads 13c and 15c.
  • the heat dissipation pad 17 is in contact with the printed circuit board, and in particular, may be in contact with a metal such as a metal PCB to help heat dissipation.
  • the heat dissipation pad 17 may be formed of the same material as the first and second electrodes 13 and 15.
  • the first and second upper leads 13a and 15a are disposed in parallel to each other, and the first and second lower leads 13c and 15c are disposed in parallel to each other.
  • the heat dissipation pad 17 has a wider width than the first and first lower leads 13c and 15b and is disposed in parallel therewith.
  • the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c are disposed to be orthogonal to each other.
  • the first and second vias 13b and 15b may be formed in an area where the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c intersect, respectively. . Since the first and second upper leads 13a and 15a are disposed to be orthogonal to the heat radiating pad 17, the heat dissipation characteristics may be further improved by increasing the area of the area where they cross.
  • the present invention is not limited to the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c disposed to cross each other, and the first and second upper leads.
  • the fields 13a and 15a may be disposed parallel to the first and second lower leads 13c and 15c.
  • the first and second upper leads 13a and 15a are not limited to being arranged in parallel, and may be variously modified according to the type of light emitting diode.
  • the housing 20 has a first cavity C1 and a second cavity C2.
  • the first cavity C1 defines a region in which the light emitting diode 30 is mounted
  • the second cavity C2 defines a region in which the protection element 40 is mounted.
  • the first cavity C1 may be disposed in the central area of the package.
  • the first cavity C1 is surrounded by the side wall 21.
  • the side wall 21 may have an inclined surface to reflect light emitted from the light emitting diode 30.
  • the first cavity C1 may have a rotationally symmetrical shape when viewed in plan, and may have a rectangular, in particular square, shape.
  • the rotation symmetry here does not mean only the rotating body, and includes the same shape is maintained when rotating at a specific angle, such as 60 degrees, 90 degrees, 120 degrees or 180 degrees.
  • the first cavity C1 is completely surrounded by the sidewall 21, but in another exemplary embodiment, a part of the sidewall 21 of the first cavity C1 may be opened.
  • the shape of the first cavity C1 is not limited to the quadrangle and may have various shapes as necessary.
  • a groove 23g may be formed along the upper surface 23 of the side wall 21.
  • the groove 23g prevents the adhesive or the like from flowing to other areas when attaching the wavelength conversion plate 50.
  • the second cavity C2 has a shape in which some sidewalls are open.
  • the second cavity C2 may communicate with the outside of the package. Since the sidewall of the second cavity C2 is opened, when the protection device 40 is mounted, an outer area of the package may be used as a work space, thereby miniaturizing the LED package.
  • the first cavity C1 and the second cavity C2 may be disposed at both sides with a part of the sidewall 21 interposed therebetween. That is, the first cavity C1 and the second cavity C2 share a part of the sidewall 21. Accordingly, as shown in FIG. 5, the side wall 21 may have an inner wall surface 21a positioned on the side of the first cavity C1 and an inner wall surface 21a positioned on the side of the second cavity C2. have. On the other hand, the inner wall surface 21a located on the side of the first cavity C1 is inclined more gently than the inner wall surface 21b located on the side of the second cavity C2 to reflect the light emitted from the light emitting diode 30. Can lose.
  • the second cavity C2 has a smaller size than the first cavity C1.
  • the first cavity C1 may be two times larger than the second cavity C2.
  • the second cavity C2 may have an elongated shape, for example, an elongated rectangular shape, along one edge of the base substrate 10.
  • the first cavity C1 and the second cavity C2 are formed by the housing 20, and the first electrode 13 and the second electrode 15, in particular, the first and second upper leads 13a, 15a).
  • the housing 20 may be formed of a material different from the insulating substrate 11, for example, a thermosetting or thermoplastic resin.
  • the housing 20 may be formed of a resin having high reflectance, and may be formed of, for example, poly phthal amide (PPA), poly cyclohexylenedimethylene terephthalate (PCT), epoxy molding compount (EMC), or silicone molding compound (SMC).
  • PPA poly phthal amide
  • PCT poly cyclohexylenedimethylene terephthalate
  • EMC epoxy molding compount
  • SMC silicone molding compound
  • the silicon molding compound (SMC) is resistant to high temperatures and has a high reflectance, so that the silicon molding compound (SMC) may be suitably used in a light emitting diode package requiring high power such as an automobile head lamp.
  • the upper surface of the housing 20 may have a stepped shape.
  • the housing 20 may include a top surface 27, a middle top surface 25, and a side surface 21, an upper surface 23, between which step portions 25w and 27w may be located. Can be.
  • the upper surface 23 of the sidewall 21 prevents the adhesive used to adhere the wavelength conversion plate 50 to spread to the wide side of the housing 20. Therefore, even when more than necessary adhesives are used, the adhesives can gather around the side surface of the wavelength conversion plate 50 to improve the adhesion of the wavelength conversion plate 50.
  • the stepped portions 25w and 27w and the intermediate upper surface 25 increase the adhesion area of the transparent resin 60 formed around the wavelength conversion plate 50 so that the transparent resin 60 is peeled off from the housing 20. Prevent it.
  • the double stepped top surface structure is illustrated and described, but is not limited thereto, and more top surfaces may be formed.
  • the upper end surface 27 constitutes an edge of the housing 20. However, due to the open sidewall of the second cavity C2, a part of the edge has a broken shape. In addition, a cathode mark 27a is formed on a part of the uppermost end face 27 to designate the position of the cathode electrode.
  • the light emitting diode 30 is disposed on the first and second upper leads 13a and 15a in the first cavity C1.
  • the light emitting diode 30 may be a light emitting diode emitting blue or ultraviolet rays as a gallium nitride-based inorganic semiconductor light emitting diode.
  • the light emitting diode 30 is a light emitting diode that can be mounted without a bonding wire, for example, may be a flip chip type light emitting diode.
  • the present invention is not limited thereto, and in another embodiment, may be a vertical or horizontal light emitting diode using a bonding wire.
  • the protection element 40 protects the light emitting diode 30 from a high voltage such as a surge.
  • the protection element 40 may be, for example, a transient voltage suppressor (TVS) diode or a zener diode.
  • TVS transient voltage suppressor
  • the wavelength conversion plate 50 covers the first cavity C1.
  • the wavelength conversion material is contained in the ceramic plate, for example, there is a glass (phosphor in glass (PIG)) containing the phosphor, or SiC phosphor containing the phosphor in the SiC substrate, the quartz may also contain a phosphor.
  • various ceramic plate phosphors are possible.
  • other wavelength converting materials such as quantum dots may be used.
  • the upper surface of the wavelength conversion plate 50 may be positioned above the upper surface 23 of the side wall 21, may be positioned below the uppermost surface 27 of the housing 20, and may be positioned above the intermediate surface 25. .
  • the present invention is not limited thereto, and the upper surface of the wavelength conversion plate 50 may be located above the upper end surface 27.
  • the wavelength conversion plate 50 is stronger than the resin containing the conventional phosphor and has high temperature durability.
  • the wavelength conversion plate 50 may have a rectangular shape, in particular a square shape.
  • the wavelength conversion plate 50 may be attached to the sidewall 21 using silicon or epoxy. At this time, the silicone or epoxy used as the adhesive is guided by the groove 23g, so that it is prevented from spreading to the first cavity C1, the second cavity C2, or another part of the housing 20.
  • the sealing resin 60 fills some space around the wavelength conversion plate 50.
  • the sealing resin 60 may cover the upper surface 23 and the intermediate surface 25 of the side wall 21, and may cover the stepped portion 25w and at least a portion of the stepped portion 27w.
  • the sealing resin 60 also covers the side of the wavelength conversion plate 50 so that the wavelength conversion plate 50 is firmly adhered to the housing 20.
  • the sealing resin 60 may also fill the second cavity C2 of the housing 20.
  • the sealing resin 60 may be formed of transparent silicone or epoxy.
  • the first cavity C1 is covered with the wavelength conversion plate 50 so that the sealing resin 60 penetrates into the first cavity C1. Can be prevented. Therefore, the first cavity C1 may remain in the empty space.
  • the present invention is not limited thereto, and the light emitting diode 30 in the first cavity C1 may be covered with a transparent resin.
  • the transparent resin may fill part of the first cavity C1 or completely fill the first cavity C1. This will be described later with reference to FIG. 12.
  • FIG. 6 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • the LED package according to the present embodiment is generally similar to the LED package of the above-described embodiment, but there is a difference in that the sealing resin 60 is formed of a white reflector.
  • the white reflector may be formed of a material in which a white pigment is mixed with a resin such as silicone or epoxy.
  • a reflector such as polycarbonate or PCT may be used as the sealing resin.
  • the encapsulation resin 60 By forming the encapsulation resin 60 using the white reflector, light emitted from the light emitting diode package can be generally emitted to the outside only through the wavelength conversion plate 50. Thus, unwanted light can be prevented from being emitted through the sealing resin 60 so that the directivity distribution of the light can be easily controlled.
  • FIG. 7 to 11 are schematic perspective views for explaining a light emitting diode package manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
  • the dashed lines in the figures indicate the positions to be divided.
  • the base substrate 10 includes a plurality of pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15. Although only the first and second upper leads 13a and 15a are shown in the drawing, the first and second vias 13b and 15b and the first and second lower leads as described with reference to FIGS. 13c and 15c are also included. Although two different pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15 are shown in FIG. 7, more pairs may be provided on the base substrate 10.
  • the two pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15 may be disposed in a 180 degree rotationally symmetrical structure. They again form a pair. A plurality of such pairs may be disposed on the base substrate 10.
  • the first electrode 13 and the second electrode 15 are described as being arranged in a symmetrical structure, the shape and structure of the first electrode 13 and the second electrode 15 may be variously modified.
  • a housing 20 is formed on the base substrate 10.
  • the housing 20 may be formed of a resin having high reflectance.
  • the housing 20 may be formed on the base substrate 10 using molding techniques.
  • the housing 20 includes a pair of first cavities C1 and a second cavity C2 disposed between these first cavities.
  • the second cavity C2 may be formed to have the same size as the first cavity C1, but may be smaller than the first cavity C1 because a relatively small protective element is mounted.
  • the pair of first cavities C1 expose different first upper leads 13a and second upper leads 15a, respectively.
  • the second cavity C2 exposes two different pairs of the first upper lead 13a and the second upper lead 15a. That is, in FIG. 8, the first cavity C1 disposed above exposes the first and second upper leads 13a and 15a of the first pair, and the first cavity C1 disposed below exposes the second. Expose the pair of first and second upper leads 13a, 15a.
  • the second cavity C2 exposes the first and second pair of first and second upper leads 13a and 15a.
  • the first cavities C1 may have the same size.
  • the second cavity C2 may have the same size as the first cavities C1 but may have a smaller size than the first cavities C1.
  • Both the first and second cavities C1 and C2 may have a rotationally symmetrical shape, for example, may have a square shape. However, the present invention is not limited thereto and may have other shapes.
  • the housing 20 also defines the top surface 23, the middle surface 25 and the top surface 27 of the side wall 21 surrounding the first cavity C1 as described above with reference to FIGS. 2 to 5. It may have a stepped portion (25w, 27w) between them, the cathode mark 27a may be formed on the top end surface 27.
  • a light emitting diode 30 is mounted in each of the first cavities C1, and a protection element 40 is mounted in the second cavity C2.
  • the light emitting diode 30 may be flip bonded to the first and second upper leads 13a and 15a exposed to the first cavity C1, and the protection device 40 may be exposed to the second cavity C2.
  • the first and second upper leads 13a and 15a may be flip bonded.
  • wavelength conversion plates 50 are attached to the first cavities C1.
  • the wavelength conversion plate 50 may be attached on the sidewall 21 surrounding the first cavity C1 using silicon or epoxy. As the wavelength conversion plate 50 is attached, the first cavity C1 may be blocked from the outside.
  • a sealing resin 60 is then formed to fill the second cavity C2.
  • the sealing resin 60 may fill some space around the wavelength conversion plate 50.
  • the sealing resin 60 may cover the upper surface 23 and the middle surface 25 of the sidewall 21 and may cover a part of the stepped portion 25w and the stepped portion 27w. Furthermore, the sealing resin 60 may cover the side surface of the wavelength conversion plate 5.
  • the sealing resin 60 may be formed of a transparent resin such as epoxy or silicone. Alternatively, it may be formed with a white reflector such as epoxy or silicone containing a white pigment.
  • the base substrate 10 and the housing 20 are divided into individual light emitting diode packages by dividing along the dotted lines to complete the light emitting diode package.
  • the second cavity C2 is divided.
  • the second cavity C2 can be divided into the same size, and therefore, the same light emitting diode packages can be manufactured.
  • two LED package regions share a second cavity C2 in which the protection devices 40 are mounted.
  • a work space for mounting the protection element 40 can be secured, and the LED package can be miniaturized.
  • the second cavity is surrounded by the side wall.
  • both the first cavity and the second cavity are separated from each other and surrounded by sidewalls, it is difficult to miniaturize the package because the work space for mounting the light emitting diode and the protection element is limited by the sidewalls.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting diode package according to the present exemplary embodiment is generally similar to the light emitting diode package described with reference to FIGS. 1 to 5, but the transparent resin 70a uses the light emitting diode 30. There is a difference in covering.
  • the transparent resin 70a may be a transparent silicone resin or an epoxy resin, and seals and protects the light emitting diode 30.
  • the transparent resin 70a fills a portion of the first cavity C1, and as illustrated, the wavelength conversion plate 50 may be spaced apart from the transparent resin 70a.
  • the LED package according to the present embodiment is generally similar to the embodiment of FIG. 12A, except that the transparent resin 70b completely fills the first cavity C1. .
  • the transparent resin 70b completely fills the first cavity C1 to seal the light emitting diode 30.
  • the transparent resin 70b may be used as an adhesive for bonding the wavelength conversion plate 50. Therefore, the wavelength conversion plate 50 can be firmly adhered to the housing 20.
  • FIG. 13 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • first cavity C1 and the second cavity C2 have been described as being spaced apart from each other by the side wall 21, but here, the first cavity C1 and the second cavity C2 are separated from each other. Explain about communicating.
  • a part of the sidewall 21 disposed between the first cavity C1 and the second cavity C2 is opened to allow the first cavity C1 and the second cavity C2 to each other.
  • the open portion may be a central portion of the sidewall 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2.
  • the second cavity C2 communicates with the outside of the package and the first cavity C1.
  • the height of the sidewall 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2 is relatively lower than that of the side wall 21 of the other part.
  • the first cavity C1 and the second cavity C2 communicate with each other.
  • FIG. 14 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting diode package according to the present embodiment is generally similar to the light emitting diode package of the above-described embodiments, except that the light emitting diode 30a has a vertical structure.
  • the flip-chip light emitting diode 30 flip-bonds the light emitting diode, it does not require a bonding wire.
  • a light emitting diode such as a vertical type or a horizontal type requires a bonding wire to electrically connect to the first and second upper leads 13a and 15a.
  • the vertical light emitting diode 30a generally has a first electrode on the lower surface and a second electrode on the upper surface. Accordingly, as illustrated, the light emitting diode 30a may be mounted on the first upper lead 13a and electrically connected to the second upper lead 15a through the bonding wire 80.
  • both the first electrode and the second electrode are disposed on the upper surface side of the light emitting diode, both of these electrodes are electrically connected to the first and second upper leads 13a and 15a through bonding wires.
  • the centers of the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50 may be aligned with each other.
  • the bonding wire 80 is used, the light emitting diode 30a may deviate from the center of the first cavity C1.
  • the center of the light emitting diode 30a and the wavelength conversion plate 50a It can be shifted.
  • the protection element 40 may also be electrically connected to the upper leads 13a and 15a through a bonding wire.
  • FIG. 15 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 16 is a schematic cutaway perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention
  • 17 is a bottom perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting diode package includes a base substrate 10, a housing 20, a light emitting diode 30, and a protection device 40, and further, a glass phosphor 50. ) And the sealing resin 60 may be further included.
  • the base substrate 10 may include an insulating substrate 11, first electrodes 13a, 13b, and 13c, and second electrodes 15; 15a, 15b, and 15c, and may further include a heat radiation pad 17.
  • the insulating substrate 11 may be a ceramic substrate and may include, for example, an AlN substrate. AlN substrate has high temperature durability and good heat dissipation.
  • the first electrode 13 and the second electrode 15 have upper leads 13a and 15a, lower leads 13c and 15c and vias 13b and 15b, respectively.
  • the upper leads 13a and 15a are disposed on the upper surface of the insulating substrate 11.
  • the lower leads 13c and 15c are disposed on the bottom surface of the insulating substrate 11, and the vias 13b and 15b penetrate the insulating substrate 11, respectively, to pass the upper leads 13a and 15a to the lower leads ( 13c, 15c).
  • the first and second electrodes 13 and 15 may have a multilayer structure, for example, a multilayer structure in which a Ni layer / Cu layer / Au layer is stacked.
  • the Ni layer is used to improve the adhesion of the electrode patterns to the AlN substrate
  • the Au layer is used to prevent oxidation of the Cu layer, and is also used to improve the adhesion to the light emitting diode 30 described later.
  • the Cu layer is used for current and heat transfer, and may be relatively thick compared to the Ni layer and Au layer.
  • the first and second electrodes 13 and 15 of the present invention are not limited to the metal layers.
  • the heat radiating pad 17 is disposed between the first and second lower leads 13c and 15c and is electrically insulated from the first and second lower leads 13c and 15c.
  • the heat dissipation pad 17 is in contact with the printed circuit board, and in particular, may be in contact with a metal such as a metal PCB to help heat dissipation.
  • the heat dissipation pad 17 may be formed of the same material as the first and second electrodes 13 and 15.
  • the first and second upper leads 13a and 15a are disposed in parallel to each other, and the first and second lower leads 13c and 15c are disposed in parallel to each other.
  • the heat dissipation pad 17 has a wider width than the first and first lower leads 13c and 15b and is disposed in parallel therewith.
  • the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c are disposed to be orthogonal to each other.
  • the first and second vias 13b and 15b may be formed in an area where the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c intersect, respectively. . Since the first and second upper leads 13a and 15a are disposed to be orthogonal to the heat radiating pad 17, the heat dissipation characteristics may be further improved by increasing the area of the area where they cross.
  • the present invention is not limited to the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c disposed to cross each other, and the first and second upper leads.
  • the fields 13a and 15a may be disposed parallel to the first and second lower leads 13c and 15c.
  • the first and second upper leads 13a and 15a are not limited to being arranged in parallel, and may be variously modified according to the type of light emitting diode.
  • the housing 20 has a first cavity C1 and a second cavity C2.
  • the first cavity C1 defines a region in which the light emitting diode 30 is mounted
  • the second cavity C2 defines a region in which the protection element 40 is mounted.
  • the first cavity C1 may be disposed in the central area of the package.
  • the first cavity C1 is surrounded by the side wall 21.
  • the side wall 21 may have an inclined surface to reflect light emitted from the light emitting diode 30.
  • the first cavity C1 may have a rotationally symmetrical shape when viewed in plan, and may have a rectangular, in particular square, shape.
  • the rotation symmetry here does not mean only the rotating body, and includes the same shape is maintained when rotating at a specific angle, such as 60 degrees, 90 degrees, 120 degrees or 180 degrees.
  • the first cavity C1 is completely surrounded by the sidewall 21, but in another exemplary embodiment, a part of the sidewall 21 of the first cavity C1 may be opened.
  • the shape of the first cavity C1 is not limited to the quadrangle and may have various shapes as necessary.
  • a groove 23g may be formed along the upper surface 23 of the side wall 21.
  • the groove 23g may improve the adhesion between the sealing resin 60 and the housing 20. That is, when the sealing resin 60 is formed in the cavities C1 and C2 of the housing 20, the sealing resin 60 is also formed inside the groove 23g so that the sealing resin 60 is formed in the housing 20. Can be fixed
  • the groove 23g may increase the adhesion area of the sealing resin 60 to minimize the peeling of the sealing resin 60 from the housing 20.
  • the upper surface 23 of the sidewall 21 may not include the groove 23g and may be flat.
  • the upper surface 23 of the sidewall 21 has a flat shape in which no groove 23g is formed.
  • the process for forming the grooves 23g is omitted in comparison with the light emitting diode package disclosed in FIG. 18A, and thus, the process may be simplified.
  • FIG. 18B is representatively showing that the groove 23g is not formed in the upper surface 23 of the side wall 21. Therefore, the upper surface of the side wall 21 as shown in FIG.
  • the structure in which the 23 does not include the groove 23g can be equally applied to all other drawings.
  • the second cavity C2 has a shape in which some sidewalls are open.
  • the second cavity C2 may communicate with the outside of the package. Since the sidewall of the second cavity C2 is opened, when the protection device 40 is mounted, an outer area of the package may be used as a work space, thereby miniaturizing the LED package.
  • the first cavity C1 and the second cavity C2 may be disposed at both sides with a part of the sidewall 21 interposed therebetween. That is, the first cavity C1 and the second cavity C2 share a part of the sidewall 21. Accordingly, as shown in FIG. 18, the side wall 21 may have an inner wall surface 21 a positioned on the side of the first cavity C1 and an inner wall surface 21 a positioned on the side of the second cavity C2. have. On the other hand, the inner wall surface 21a located on the side of the first cavity C1 is inclined more gently than the inner wall surface 21b located on the side of the second cavity C2 to reflect the light emitted from the light emitting diode 30. Can lose. That is, referring to FIG.
  • the angle 21a-1 of the inner wall surface 21a positioned on the first cavity C1 side is the inner wall surface 21b positioned on the second cavity C2 side. Is larger than the angle 21b-1. This means that the inclination of the inner wall surface 21a located on the side of the first cavity C1 is smaller than the inclination of the inner wall surface 21b located on the side of the second cavity C2 in relation to the substrate 11. do.
  • the light efficiency of the LED package may be increased by the slopes of the sides of the cavity C1 and C2.
  • the second cavity C2 has a smaller size than the first cavity C1.
  • the first cavity C1 may be two times larger than the second cavity C2.
  • the second cavity C2 may have an elongated shape, for example, an elongated rectangular shape, along one edge of the base substrate 10.
  • the first cavity C1 and the second cavity C2 are formed by the housing 20, and the first electrode 13 and the second electrode 15, in particular, the first and second upper leads 13a, 15a).
  • the housing 20 may be formed of a material different from the insulating substrate 11, for example, a thermosetting or thermoplastic resin.
  • the housing 20 may be formed of a resin having high reflectance, and may be formed of, for example, poly phthal amide (PPA), poly cyclohexylenedimethylene terephthalate (PCT), epoxy molding compount (EMC), or silicone molding compound (SMC).
  • PPA poly phthal amide
  • PCT poly cyclohexylenedimethylene terephthalate
  • EMC epoxy molding compount
  • SMC silicone molding compound
  • the silicon molding compound (SMC) is resistant to high temperatures and has a high reflectance, so that the silicon molding compound (SMC) may be suitably used in a light emitting diode package requiring high power such as an automobile head lamp.
  • the housing 20 may be formed of a transparent resin.
  • the light emitting diode package including the housing 20 formed of a transparent resin may have a relatively low directivity of light. Such a light emitting diode package may be suitable for use in, for example, an indoor light, particularly an automotive light, where dispersion of light is required.
  • the housing 20 may be formed of an antireflective resin having a high light absorption rate.
  • the housing 20 may be formed of a black resin that absorbs light of all wavelengths.
  • the housing 20 may be formed of a resin having a high reflectance, a transparent resin, or an antireflective resin having a high absorption rate.
  • the upper surface of the housing 20 may have a stepped shape.
  • the housing 20 may include a top surface 27, a middle top surface 25, and a side surface 21, an upper surface 23, between which step portions 25w and 27w may be located. Can be.
  • the stepped portions 25w and 27w, the middle top surface 25 and the side surface 21 upper surface 23 increase the adhesive area of the sealing resin 60 to prevent the sealing resin 60 from being peeled from the housing 20. prevent.
  • a double stepped top surface structure is illustrated and described, but is not limited thereto. More or fewer top surfaces may be formed.
  • the upper end surface 27 constitutes an edge of the housing 20. However, due to the open sidewall of the second cavity C2, a part of the edge has a broken shape. In addition, a cathode mark 27a is formed on a part of the uppermost end face 27 to designate the position of the cathode electrode.
  • the light emitting diode 30 is disposed on the first and second upper leads 13a and 15a in the first cavity C1.
  • the light emitting diode 30 may be a light emitting diode emitting blue or ultraviolet rays as a gallium nitride-based inorganic semiconductor light emitting diode.
  • the light emitting diode 30 is a light emitting diode that can be mounted without a bonding wire, for example, may be a flip chip type light emitting diode.
  • the present invention is not limited thereto, and in another embodiment, may be a vertical or horizontal light emitting diode using a bonding wire.
  • the protection element 40 protects the light emitting diode 30 from a high voltage such as a surge.
  • the protection element 40 may be, for example, a transient voltage suppressor (TVS) diode or a zener diode.
  • TVS transient voltage suppressor
  • the wavelength conversion plate 50 is disposed on the top surface of the light emitting diode 30 in the first cavity C1. That is, the wavelength conversion plate 50 forms a structure directly connected to the light emitting diode 30.
  • the wavelength conversion plate 50 forms a structure covering all or part of the upper surface of the light emitting diode 30 according to the type of the light emitting diode 50. That is, when the light emitting diode 30 requires wire bonding in order to receive power, the wavelength conversion plate 50 may have a remaining area on the top surface of the light emitting diode 50 except for an area requiring wire bonding. Can cover. However, when the light emitting diode 50 does not require a separate wire bonding, the wavelength conversion plate 50 may cover the entire upper surface of the light emitting diode 30.
  • the wavelength conversion plate 50 contains a wavelength conversion material in a ceramic plate.
  • various ceramic plate phosphors are possible.
  • other wavelength converting materials such as quantum dots may be used.
  • the upper surface of the wavelength conversion plate 50 may be positioned above the upper surface 23 of the side wall 21, may be positioned below the uppermost surface 27 of the housing 20, and may be positioned above the intermediate surface 25. .
  • the present invention is not limited thereto, and the upper surface of the wavelength conversion plate 50 may be located above the upper end surface 27.
  • the wavelength conversion plate 50 is stronger than the resin containing the conventional phosphor and has high temperature durability.
  • the wavelength conversion plate 50 may have a rectangular shape, in particular a square shape.
  • the wavelength conversion plate 50 may have the same or similar shape as the light emitting diode 30.
  • the wavelength conversion plate 50 may be attached to the top surface of the light emitting diode 30 using silicon or epoxy.
  • the sealing resin 60 fills the remaining space around the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50 in the first cavity C1.
  • the sealing resin 60 may cover the upper surface 23 and the intermediate surface 25 of the sidewall 21, and may cover the stepped portion 25w and at least a portion of the stepped portion 27w.
  • the sealing resin 60 also covers the side surface of the wavelength conversion plate 50 so that the wavelength conversion plate 50 is firmly adhered to the light emitting diode 30 in the housing 20.
  • the sealing resin 60 may also fill the second cavity C2 of the housing 20.
  • the sealing resin 60 may be formed of transparent silicone or epoxy.
  • 19 is a schematic perspective view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • the LED package according to the present embodiment is generally similar to the LED package of the above-described embodiment, but there is a difference in that the sealing resin 60 is formed of a white reflector.
  • the white reflector may be formed of a material in which a white pigment is mixed with a resin such as silicone or epoxy.
  • a reflector such as polycarbonate or PCT may be used as the sealing resin.
  • the encapsulation resin 60 By forming the encapsulation resin 60 using the white reflector, light emitted from the light emitting diode package can be generally emitted to the outside only through the wavelength conversion plate 50. Thus, unwanted light can be prevented from being emitted through the sealing resin 60 so that the directivity distribution of the light can be easily controlled.
  • 20 to 24 are schematic perspective views illustrating a light emitting diode package manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
  • the dashed lines in the figures indicate the positions to be divided.
  • the base substrate 10 includes a plurality of pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15. Although only the first and second upper leads 13a and 15a are shown in the drawing, the first and second vias 13b and 15b and the first and second lower leads as described with reference to FIGS. 15 to 18 are illustrated. 13c and 15c are also included. Although two different pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15 are shown in FIG. 20, more pairs may be provided on the base substrate 10.
  • the two pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15 may be disposed in a 180 degree rotationally symmetrical structure. They again form a pair. A plurality of such pairs may be disposed on the base substrate 10.
  • the first electrode 13 and the second electrode 15 are described as being arranged in a symmetrical structure, the shape and structure of the first electrode 13 and the second electrode 15 may be variously modified.
  • a housing 20 is formed on the base substrate 10.
  • the housing 20 may be formed of a resin having high reflectance.
  • the housing 20 may be formed on the base substrate 10 using molding techniques.
  • the housing 20 includes a pair of first cavities C1 and a second cavity C2 disposed between these first cavities.
  • the second cavity C2 may be formed to have the same size as the first cavity C1, but may be smaller than the first cavity C1 because a relatively small protective element is mounted.
  • the pair of first cavities C1 expose different first upper leads 13a and second upper leads 15a, respectively.
  • the second cavity C2 exposes two different pairs of the first upper lead 13a and the second upper lead 15a. That is, in FIG. 21, the first cavity C1 disposed above exposes the first and second upper leads 13a and 15a of the first pair, and the first cavity C1 disposed below exposes the second. Expose the pair of first and second upper leads 13a, 15a.
  • the second cavity C2 exposes the first and second pair of first and second upper leads 13a and 15a.
  • the first cavities C1 may have the same size.
  • the second cavity C2 may have the same size as the first cavities C1 but may have a smaller size than the first cavities C1.
  • Both the first and second cavities C1 and C2 may have a rotationally symmetrical shape, for example, may have a square shape. However, the present invention is not limited thereto and may have other shapes.
  • the housing 20 also has an upper surface 23, a middle surface 25, and a top surface 27 of the side wall 21 surrounding the first cavity C1 as described above with reference to FIGS. 15 to 18. It may have a stepped portion (25w, 27w) between them, the cathode mark 27a may be formed on the top end surface 27.
  • a light emitting diode 30 is mounted in each of the first cavities C1, and a protection element 40 is mounted in the second cavity C2.
  • the light emitting diode 30 may be flip bonded to the first and second upper leads 13a and 15a exposed to the first cavity C1, and the protection device 40 may be exposed to the second cavity C2.
  • the first and second upper leads 13a and 15a may be flip bonded.
  • wavelength conversion plates 50 are attached to upper surfaces of the light emitting diodes 30 in the first cavities C1.
  • the wavelength conversion plate 50 may be attached to the top surface of the light emitting diode 30 using silicon or epoxy.
  • the structure in which the wavelength conversion plate 50 covers the entire upper surface of the light emitting diode 30 is shown.
  • the wavelength conversion plate 50 may cover a portion of the light emitting diode 30 to expose the wire bonding portion of the light emitting diode 30.
  • a sealing resin 60 is then formed to fill the first cavity C1 and the second cavity C2.
  • the sealing resin 60 may fill some space around the wavelength conversion plate 50.
  • the sealing resin 60 may cover the upper surface 23 and the middle surface 25 of the sidewall 21 and may cover a part of the stepped portion 25w and the stepped portion 27w. Furthermore, the sealing resin 60 may cover the side surface of the wavelength conversion plate 5.
  • the sealing resin 60 may be formed of a transparent resin such as epoxy or silicone. Alternatively, it may be formed with a white reflector such as epoxy or silicone containing a white pigment.
  • the base substrate 10 and the housing 20 are divided into individual light emitting diode packages by dividing along the dotted lines to complete the light emitting diode package.
  • the second cavity C2 is divided.
  • the second cavity C2 can be divided into the same size, and therefore, the same light emitting diode packages can be manufactured.
  • two LED package regions share a second cavity C2 in which the protection devices 40 are mounted.
  • a work space for mounting the protection element 40 can be secured, and the LED package can be miniaturized.
  • the second cavity is surrounded by the side wall.
  • both the first cavity and the second cavity are separated from each other and surrounded by sidewalls, it is difficult to miniaturize the package because the work space for mounting the light emitting diode and the protection element is limited by the sidewalls.
  • 25 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • first cavity C1 and the second cavity C2 have been described as being spaced apart from each other by the side wall 21, but here, the first cavity C1 and the second cavity C2 are separated from each other. Explain about communicating.
  • a part of the sidewall 21 disposed between the first cavity C1 and the second cavity C2 is opened to allow the first cavity C1 and the second cavity C2 to each other.
  • the open portion may be a central portion of the sidewall 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2.
  • most of the sidewalls 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2 may be opened.
  • the second cavity C2 communicates with the outside of the package and the first cavity C1.
  • the height of the side wall 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2 is relatively lower than that of the side wall 21 of the other part.
  • the first cavity C1 and the second cavity C2 communicate with each other.
  • FIG. 26 is a perspective view and a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 26A illustrates a schematic perspective view for describing the LED package according to the present embodiment, FIG. 26B illustrates a cutaway perspective view, and FIG. 26C illustrates a cross-sectional view.
  • the LED package according to the present embodiment is generally similar to the LED package of the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 12, but the size of the LED 30 is shown. The difference is that the size of the wavelength conversion plate 50 is larger.
  • the size of the wavelength conversion plate 50 positioned on the light emitting diode 30 is larger than that of the light emitting diode 30.
  • the size means the width of the upper surface of the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50. Therefore, the thickness of the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50 is not limited.
  • the light emitted from the active layer (not shown) of the light emitting diode 30 may be emitted not only to the upper surface of the light emitting diode 30 but also to the side surface.
  • the size of the wavelength conversion plate 50 is larger than the size of the light emitting diode 30, all or part of the light emitted to the side of the light emitting diode 30 is converted into the wavelength band intended by the wavelength conversion plate 50. Can be. Therefore, when the size of the wavelength conversion plate 50 is larger than the light emitting diode 30, the reliability of the light emitting diode package may be increased.
  • FIG. 27 is a perspective view and a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 27A shows a schematic perspective view for explaining the LED package according to the present embodiment, FIG. 27B shows a cutaway perspective view, and FIG. 27C shows a cross-sectional view.
  • the light emitting diode package according to the present embodiment is generally similar to the light emitting diode package of the above-described embodiments, except that the light emitting diode 30 has a vertical structure. have.
  • the flip-chip light emitting diode 30 flip-bonds the light emitting diode, it does not require a bonding wire.
  • a light emitting diode such as a vertical type or a horizontal type requires a bonding wire to electrically connect to the first and second upper leads 13a and 15a.
  • the vertical light emitting diode 30a generally has a first electrode on the lower surface and a second electrode on the upper surface. Accordingly, the light emitting diode 30a is mounted on the first upper lead 15a and the second upper lead 13a through the bonding wire 80 as shown in FIGS. 27A to 27C. ) Can be electrically connected.
  • both the first electrode and the second electrode are disposed on the upper surface side of the light emitting diode, both of these electrodes are electrically connected to the first and second upper leads 13a and 15a through bonding wires.
  • the light emitting diode 30 is positioned at the center of the first cavity C1.
  • the light emitting diode 30a may deviate from the center of the first cavity C1 by using the bonding wire 80.
  • the wavelength conversion plate 50 covers the entire upper surface of the light emitting diode 30.
  • wire bonding is performed on a part of the upper surface of the light emitting diode 30. Accordingly, the wavelength conversion plate 50 exposes a portion of the upper surface of the light emitting diode 30 to which wire bonding is made, and covers the upper surface of the light emitting diode 30 in the remaining portion.
  • the protection element 40 may also be electrically connected to the upper leads 13a and 15a through a bonding wire.
  • FIG. 28 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • the LED package according to the present embodiment is generally similar to the LED package of the embodiment described with reference to FIG. 27, but there are differences in the structures of the cavity C1 ′ and C3.
  • the first cavity C1 of FIG. 27 is divided into two distinct first and second regions C1 ′ and C3.
  • the light emitting diode 30 disclosed in FIGS. 27 and 28 is a vertical light emitting diode, for example, and requires a bonding wire.
  • the first region C1 ′ of FIG. 28 is a portion in which the light emitting diode 30 is mounted
  • the second region C3 is a region in which the bonding wire 80 is bonded to the upper lead 13a.
  • the sidewall C1 ′ -1 of the first region C1 ′ in which the light emitting diodes 30 are mounted serves to reflect the light emitted from the light emitting diodes 30 onto the light emitting diode package.
  • the sidewall C1'-1 has a gentle slope to reflect light.
  • the second region C3 is a portion for bonding the bonding wire 80 to the upper lead 13a
  • the sidewall C3-1 of the second region C3 is an inclined surface of the sidewall C1'-1. Have a more steep slope.
  • the package may be prevented from growing by sharpening the inclined surface of the sidewall C3-1 of the second region C3.
  • the size of the second region C3 may be smaller than that of the first region C1 ′ and may be formed to a minimum size for the bonding wire.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • the LED package according to the present exemplary embodiment is generally similar to the LED package of the exemplary embodiment described with reference to FIGS. 15 to 26, but there are some differences in the shape and number of the LED and the wavelength conversion plate.
  • two light emitting diodes 30 ′ -1 and 30 ′ -2 may be mounted in the first cavity C1.
  • the two light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 may be mounted to be spaced apart from each other in the first cavity C1.
  • the separation distance of the light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 may be determined in consideration of the relationship with the sidewall 21. For example, the separation distance of the light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 may be determined to be equal to the distance between the light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 and the sidewall 21.
  • the light emitting diode package in FIG. 29A includes one wavelength conversion plate 50 ′.
  • One wavelength conversion plate 50 ' may cover the top surfaces of the two light emitting diodes 30'-1 and 30'-2.
  • the wavelength conversion plate 50 ′ may have a size determined to cover the top surfaces of the two light emitting diodes 30 ′ -1 and 30 ′ -2 spaced apart from each other, as illustrated in FIG. 16A.
  • the wavelength conversion plate 50 ′ may have a size determined to cover an area wider than the top surfaces of the two light emitting diodes 30 ′ -1 and 30 ′ -2, as in the embodiment shown in FIG. 26. have. Through this, the wavelength of the light emitted from the sides of the light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 can be efficiently changed.
  • the LED package of FIG. 29B includes two wavelength conversion plates 50'-1 and 50'-2.
  • Two wavelength conversion plates 50'-1 and 50'-2 cover two light emitting diodes 30'-1 and 30'-2, respectively.
  • the size of the wavelength conversion plate 50'-1, 50'-2 may be the same as the size of the light emitting diodes 30'-1, 30'-2 as shown in FIG.
  • the present invention is not limited thereto, and as in the exemplary embodiment illustrated in FIG. 26, the size of each wavelength converting plate 50 ′ -1 and 50 ′ -2 may correspond to each light emitting diode 30 ′ -1 and 30 ′ -2 May be larger than).
  • the size may mean the width of the upper surface of the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50.
  • the plurality of light emitting diodes may be mounted in the first cavity C1.
  • the number of wavelength conversion plates may be two or more, and may be equal to or smaller than the number of light emitting diodes mounted in the first cavity C1.
  • the number of light emitting diodes covered by the individual wavelength conversion plates may be different for each wavelength conversion plate. For example, when the light emitting diode package includes five light emitting diodes and two wavelength conversion plates, one wavelength conversion plate may cover three light emitting diodes and the other wavelength conversion plate may cover two light emitting diodes.
  • the number of protection elements mounted in the second cavity C2 may also increase. That is, a plurality of protection elements may be mounted in the second cavity C2.

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Abstract

A light-emitting diode package according to an embodiment comprises: a base substrate having a first electrode and a second electrode; a housing disposed on the base substrate and having a partition defining a first cavity for mounting a light-emitting diode; the light-emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; and a wavelength conversion plate disposed away from the light-emitting diode and over the partition.

Description

발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법Light emitting diode package and how to manufacture it
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 자동차 헤드 램프에 적합한 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a light emitting diode package suitable for an automobile head lamp and a method of manufacturing the same.
질화갈륨계 발광 다이오드가 개발된 이래, 그 응용 분야는 백라이트 유닛, 조명 및 자동차 헤드 램프 등으로 확장되고 있다. 특히, 자동차 헤드 램프는 밀폐된 공간에서 고출력 광을 방출하기 때문에 다른 분야에 비해 발광 다이오드 주위 온도가 상당히 높은 특징을 가진다. 따라서, 이러한 분야에 사용되는 발광 다이오드 패키지는 방열 특성뿐만 아니라 고온 내구성이 더욱 요구된다. 특히, 종래의 실리콘이나 에폭시 수지에 형광체를 함유시킨 파장변환기는 고온에서 사용될 경우 변색되기 쉬워 자동차 헤드 램프에 사용되기 어렵다.Since the development of gallium nitride based light emitting diodes, their applications have been extended to backlight units, lighting and automotive headlamps. In particular, automotive headlamps emit a high power of light in an enclosed space, which is characterized by a considerably higher ambient temperature of light emitting diodes than in other applications. Therefore, the LED package used in this field is more demanding not only heat dissipation characteristics but also high temperature durability. In particular, a wavelength converter containing a phosphor in a conventional silicone or epoxy resin tends to discolor when used at a high temperature, and thus is difficult to be used in an automobile head lamp.
한편, 서지(surge)와 같은 고전압으로부터 발광 다이오드를 보호하기 위해 발광 다이오드 패키지에 보호 소자가 함께 실장된다. 그런데 하나의 패키지 안에 발광 다이오드와 보호 소자를 함께 실장할 경우 다양한 문제가 발생된다. 예를 들어, 발광 다이오드에서 방출되는 광의 프로파일을 조절하기 위해 발광 다이오드가 실장되는 캐비티 영역은 대칭적(symmetrical)일 필요가 있다. 그러나 보호 소자를 실장하기 위해 발광 다이오드가 실장되는 캐비티 영역을 대칭 구조로 형성하기 어렵다. On the other hand, a protection element is mounted together in the LED package to protect the LED from high voltage such as surge. However, when the light emitting diode and the protection device are mounted together in one package, various problems occur. For example, in order to adjust the profile of light emitted from the light emitting diode, the cavity area in which the light emitting diode is mounted needs to be symmetrical. However, it is difficult to form a cavity region in which a light emitting diode is mounted in a symmetrical structure for mounting a protection element.
더욱이, 발광 다이오드와 보호 소자를 실장하기 위해서는 이들을 실장하기에 충분한 작업공간이 패키지에 제공되어야 한다. 더욱이, 발광 다이오드와 보호 소자는 공정 마진을 고려하여 서로 이격되어야 한다. 패키지의 한정된 측벽 내에서 발광 다이오드와 보호 소자를 실장하기 때문에 패키지를 소형화하기 어렵다.Furthermore, in order to mount light emitting diodes and protective elements, a sufficient space for mounting them must be provided in the package. Moreover, the light emitting diode and the protection element should be spaced apart from each other in consideration of the process margin. It is difficult to miniaturize the package because the light emitting diode and the protection element are mounted within the limited sidewall of the package.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 고온 환경에서 사용하기에 적합한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode package suitable for use in a high temperature environment.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 보호 소자를 함께 실장하면서도 소형화가 가능한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package that can be miniaturized while mounting a protection device together.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽을 갖는 하우징; 상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드로부터 이격되어 상기 측벽 상에 배치된 파장변환판을 포함한다. 파장변환판을 채택함으로써 고온환경에서 변색되는 것을 방지할 수 있다.A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, the base substrate having a first electrode and a second electrode; A housing disposed on the base substrate, the housing having sidewalls defining a first cavity for mounting a light emitting diode; A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And a wavelength conversion plate spaced apart from the light emitting diode and disposed on the sidewall. By adopting a wavelength conversion plate, it is possible to prevent discoloration in a high temperature environment.
상기 파장변환판(wavelength converting plate)은 세라믹 플레이트 형광체(ceramic plate phosphor)를 포함할 수 있으며, 특히, 형광체 글래스(phosphor in glass; PIG) 또는 SiC 형광체를 포함할 수 있다.The wavelength converting plate may include a ceramic plate phosphor. In particular, the wavelength converting plate may include a phosphor glass (PIG) or a SiC phosphor.
한편, 상기 제1 캐비티의 측벽은 상기 제1 캐비티를 둘러쌀 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 캐비티의 측벽 중 적어도 일부는 개방될 수 있다.Meanwhile, a sidewall of the first cavity may surround the first cavity. Alternatively, at least some of the side walls of the first cavity may be opened.
상기 발광 다이오드는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 플립칩, 수직형 또는 수평형 발광 다이오드일 수 있다.The light emitting diode is not particularly limited, and may be, for example, a flip chip, vertical or horizontal light emitting diode.
상기 발광 다이오드의 중심은 상기 파장변환판의 중심에 정렬될 수 있다. 이와 달리, 상기 발광 다이오드의 중심은 상기 파장변환판의 중심에서 벗어날 수 있다.The center of the light emitting diode may be aligned with the center of the wavelength conversion plate. In contrast, the center of the light emitting diode may deviate from the center of the wavelength conversion plate.
나아가, 상기 제1 캐비티의 측벽은 그 상부면에 상기 제1 캐비티를 따라 형성된 홈을 가질 수 있다. 상기 홈은 파장변환판을 부착할 때, 접착제가 넓게 퍼지는 것을 방지하여 공정 신뢰성을 향상시킨다.Further, the side wall of the first cavity may have a groove formed along the first cavity on an upper surface thereof. When the groove is attached to the wavelength conversion plate, the adhesive is prevented from spreading widely to improve process reliability.
한편, 상기 제1 캐비티 내부는 빈 공간일 수 있다. 이와 달리, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 제1 캐비티 내에서 상기 발광 다이오드를 덮는 투명 수지를 더 포함할 수 있다. 상기 투명 수지는 부분적으로 또는 완전히 상기 제1 캐비티를 채울 수 있다.The inside of the first cavity may be an empty space. Alternatively, the light emitting diode package may further include a transparent resin covering the light emitting diode in the first cavity. The transparent resin can partially or completely fill the first cavity.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 파장변환판은 밀봉 수지 없이 노출된 상태로 사용될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 파장변환판 주위의 공간을 적어도 부분적으로 채우는 밀봉 수지를 더 포함할 수 있다. 상기 밀봉 수지는 투명 수지 또는 백색 반사성 수지일 수 있다.In some embodiments, the wavelength conversion plate may be used in an exposed state without a sealing resin. In other embodiments, the light emitting diode package may further include a sealing resin at least partially filling the space around the wavelength conversion plate. The sealing resin may be a transparent resin or a white reflective resin.
한편, 상기 베이스 기판은 절연 기판을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극은 각각, 상기 절연 기판 상에 배치된 상부 리드; 상기 절연 기판 하부에 배치된 하부 리드; 및 상기 절연기판을 관통하여 상기 상부 리드와 하부 리드를 연결하는 비아를 포함할 수 있다.Meanwhile, the base substrate includes an insulating substrate, and the first and second electrodes each include an upper lead disposed on the insulating substrate; A lower lead disposed under the insulating substrate; And a via penetrating the insulating substrate to connect the upper lead and the lower lead.
나아가, 상기 베이스 기판은 질화알루미늄 기판을 포함할 수 있다. 질화알루미늄 기판은 방열 특성이 양호하고 고온 내구성이 강해 고온 환경에서 사용하기에 적합하다.Further, the base substrate may include an aluminum nitride substrate. Aluminum nitride substrates have good heat dissipation and high temperature durability, making them suitable for use in high temperature environments.
상기 발광 다이오드 패키지는 보호 소자를 더 포함할 수 있다. 상기 하우징은 상기 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 더 포함하고, 상기 보호 소자는 상기 제2 캐비티 내에 실장될 수 있다. 보호 소자를 실장함으로써 서지 등으로부터 발광 다이오드를 보호할 수 있다.The light emitting diode package may further include a protection device. The housing further includes sidewalls defining a second cavity for mounting the protection element, wherein the protection element may be mounted in the second cavity. By mounting a protection element, a light emitting diode can be protected from a surge.
한편, 상기 제2 캐비티의 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지 외부와 연통하도록 개방될 수 있다. 일부 측벽이 개방된 제2 캐비티를 채택함으로써 보호 소자를 실장하기 위한 작업 공간이 제2 캐비티 내에 한정되지 않고 넓게 사용될 수 있으며, 이에 따라, 발광 다이오드 패키지를 더욱 소형화할 수 있다.The sidewall of the second cavity may be opened to communicate with the outside of the LED package. By adopting the second cavity with some sidewalls open, the work space for mounting the protection element can be used widely without being limited in the second cavity, thereby making the LED package more compact.
상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 측벽을 공유할 수 있다. 즉, 제1 캐비티와 제2 캐비티는 상기 측벽에 의해 서로 분리될 수 있다. 그 결과, 제1 캐비티 내에 보호 소자를 실장할 필요가 없어, 제1 캐비티의 형상을 쉽게 제어할 수 있으며, 특히 제1 캐비티를 대칭 구조로 형성할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드에서 방출된 광의 지향 패턴을 쉽게 제어할 수 있다.The first cavity and the second cavity may share sidewalls. That is, the first cavity and the second cavity may be separated from each other by the side wall. As a result, it is not necessary to mount a protective element in the first cavity, so that the shape of the first cavity can be easily controlled, and in particular, the first cavity can be formed in a symmetrical structure. Thus, the directing pattern of the light emitted from the light emitting diode can be easily controlled.
이와 달리, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 연통할 수 있다. 즉, 상기 제1 캐비티와 제2 캐비티 사이에 위치하는 측벽의 일부가 개방되거나 측벽 없이 제1 캐비티와 제2 캐비티가 연결될 수 있다.Alternatively, the first cavity and the second cavity may communicate with each other. That is, a part of the sidewall positioned between the first cavity and the second cavity may be opened or the first cavity and the second cavity may be connected without the sidewall.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽, 및 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 갖되, 상기 제2 캐비티의 일부 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지의 외부와 연통하도록 개방된 하우징; 상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및 상기 제2 캐비티 내에 실장된 보호 소자를 포함한다.A light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, the base substrate having a first electrode and a second electrode; A sidewall disposed on the base substrate, the sidewall defining a first cavity for mounting a light emitting diode, and the sidewall defining a second cavity for mounting a protection element, wherein a portion of the sidewall of the second cavity is the light emitting diode; A housing open to communicate with the outside of the package; A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And a protection element mounted in the second cavity.
상기 제1 캐비티와 제2 캐비티는 서로 공유하는 측벽에 의해 이격되거나, 서로 연통할 수 있다.The first cavity and the second cavity may be spaced apart or communicated with each other by sidewalls shared with each other.
한편, 상기 제1 캐비티는 상기 제2 캐비티의 2배 이상의 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 캐비티는 상기 베이스 기판의 중앙 영역 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드 패키지는 그 중앙 영역으로부터 광을 외부로 방출할 수 있다. On the other hand, the first cavity may have a size more than twice the second cavity. In addition, the first cavity may be disposed on a central area of the base substrate. Thus, the LED package can emit light to the outside from the central area.
상기 제1 캐비티는 회전 대칭 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 캐비티는 180도 회전 대칭, 90도 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 또는 원형 형상을 가질 수 있다. 특히, 상기 제1 캐비티는 정사각형 형상을 가질 수 있다.The first cavity may have a rotationally symmetrical shape. For example, the first cavity may have a 180 degree rotational symmetry, a 90 degree rotational symmetry shape, or may have a circular shape. In particular, the first cavity may have a square shape.
한편, 상기 제2 캐비티는 상기 베이스 기판의 일측 가장자리를 따라 기다란 형상을 가질 수 있으며, 직사각형 형상을 가질 수 있다.The second cavity may have an elongated shape along one side edge of the base substrate, and may have a rectangular shape.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽을 갖는 하우징; 상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드의 상면에 배치된 파장변환판을 포함한다. 파장변환판을 채택함으로써 고온환경에서 변색되는 것을 방지할 수 있다.A light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, the base substrate having a first electrode and a second electrode; A housing disposed on the base substrate, the housing having sidewalls defining a first cavity for mounting a light emitting diode; A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And a wavelength conversion plate disposed on an upper surface of the light emitting diode. By adopting a wavelength conversion plate, it is possible to prevent discoloration in a high temperature environment.
상기 파장변환판(wavelength converting plate)은 세라믹 플레이트 형광체(ceramic plate phosphor)를 포함할 수 있으며, 특히, 형광체 글래스(phosphor in glass; PIG) 또는 SiC 형광체를 포함할 수 있다.The wavelength converting plate may include a ceramic plate phosphor. In particular, the wavelength converting plate may include a phosphor glass (PIG) or a SiC phosphor.
한편, 상기 제1 캐비티의 측벽은 상기 제1 캐비티를 둘러쌀 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 캐비티의 측벽 중 적어도 일부는 개방될 수 있다.Meanwhile, a sidewall of the first cavity may surround the first cavity. Alternatively, at least some of the side walls of the first cavity may be opened.
상기 발광 다이오드는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 플립칩, 수직형 또는 수평형 발광 다이오드일 수 있다.The light emitting diode is not particularly limited, and may be, for example, a flip chip, vertical or horizontal light emitting diode.
상기 파장변환판은 상기 발광 다이오드의 상면의 전체를 덮을 수 있다. 상기 발광 다이오드 패키지는 복수개의 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 복수개의 발광 다이오드에 대하여, 하나의 파장변환판이 전체 발광 다이오드의 상면을 덮을 수 있고, 또는 복수개의 파장변환판이 복수개의 발광 다이오드를 각각 덮을 수 있다.The wavelength conversion plate may cover the entire upper surface of the light emitting diode. The light emitting diode package may include a plurality of light emitting diodes. For the plurality of light emitting diodes, one wavelength conversion plate may cover the top surface of the entire light emitting diode, or the plurality of wavelength conversion plates may cover the plurality of light emitting diodes, respectively.
상기 파장변환판은 상기 발광 다이오드의 상면의 와이어 본딩부분을 제외한 나머지 일부를 덮을 수 있다.The wavelength conversion plate may cover a portion of the light emitting diode except for a wire bonding portion of the top surface of the light emitting diode.
나아가, 상기 제1 캐비티의 측벽은 그 상부면에 상기 제1 캐비티를 따라 형성된 홈을 가질 수 있다. 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 제1 캐비티 및 상기 파장변환판 주위의 공간을 적어도 부분적으로 채우는 밀봉 수지를 더 포함할 수 있다. 상기 밀봉 수지는 투명 수지 또는 백색 반사성 수지일 수 있다.. Further, the side wall of the first cavity may have a groove formed along the first cavity on an upper surface thereof. The light emitting diode package may further include a sealing resin that at least partially fills a space around the first cavity and the wavelength conversion plate. The sealing resin may be a transparent resin or a white reflective resin. .
한편, 상기 베이스 기판은 절연 기판을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극은 각각, 상기 절연 기판상에 배치된 상부 리드; 상기 절연 기판 하부에 배치된 하부 리드; 및 상기 절연기판을 관통하여 상기 상부 리드와 하부 리드를 연결하는 비아를 포함할 수 있다.Meanwhile, the base substrate includes an insulating substrate, and the first and second electrodes each include an upper lead disposed on the insulating substrate; A lower lead disposed under the insulating substrate; And a via penetrating the insulating substrate to connect the upper lead and the lower lead.
나아가, 상기 베이스 기판은 질화알루미늄 기판을 포함할 수 있다. 질화알루미늄 기판은 방열 특성이 양호하고 고온 내구성이 강해 고온 환경에서 사용하기에 적합하다.Further, the base substrate may include an aluminum nitride substrate. Aluminum nitride substrates have good heat dissipation and high temperature durability, making them suitable for use in high temperature environments.
상기 발광 다이오드 패키지는 보호 소자를 더 포함할 수 있다. 상기 하우징은 상기 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 더 포함하고, 상기 보호 소자는 상기 제2 캐비티 내에 실장될 수 있다. 보호 소자를 실장함으로써 서지 등으로부터 발광 다이오드를 보호할 수 있다.The light emitting diode package may further include a protection device. The housing further includes sidewalls defining a second cavity for mounting the protection element, wherein the protection element may be mounted in the second cavity. By mounting a protection element, a light emitting diode can be protected from a surge.
한편, 상기 제2 캐비티의 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지 외부와 연통하도록 개방될 수 있다. 일부 측벽이 개방된 제2 캐비티를 채택함으로써 보호 소자를 실장하기 위한 작업 공간이 제2 캐비티 내에 한정되지 않고 넓게 사용될 수 있으며, 이에 따라, 발광 다이오드 패키지를 더욱 소형화할 수 있다.The sidewall of the second cavity may be opened to communicate with the outside of the LED package. By adopting the second cavity with some sidewalls open, the work space for mounting the protection element can be used widely without being limited in the second cavity, thereby making the LED package more compact.
상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 측벽을 공유할 수 있다. 즉, 제1 캐비티와 제2 캐비티는 상기 측벽에 의해 서로 분리될 수 있다. 그 결과, 제1 캐비티 내에 보호 소자를 실장할 필요가 없어, 제1 캐비티의 형상을 쉽게 제어할 수 있으며, 특히 제1 캐비티를 대칭 구조로 형성할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드에서 방출된 광의 지향 패턴을 쉽게 제어할 수 있다.The first cavity and the second cavity may share sidewalls. That is, the first cavity and the second cavity may be separated from each other by the side wall. As a result, it is not necessary to mount a protective element in the first cavity, so that the shape of the first cavity can be easily controlled, and in particular, the first cavity can be formed in a symmetrical structure. Thus, the directing pattern of the light emitted from the light emitting diode can be easily controlled.
이와 달리, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 연통할 수 있다. 즉, 상기 제1 캐비티와 제2 캐비티 사이에 위치하는 측벽의 일부가 개방되거나 측벽 없이 제1 캐비티와 제2 캐비티가 연결될 수 있다.Alternatively, the first cavity and the second cavity may communicate with each other. That is, a part of the sidewall positioned between the first cavity and the second cavity may be opened or the first cavity and the second cavity may be connected without the sidewall.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽, 및 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 갖되, 상기 제2 캐비티의 일부 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지의 외부와 연통하도록 개방된 하우징; 상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 상기 제1 캐비티 내에서, 상기 발광 다이오드 상면의 적어도 일부에 배치된 파장변환판; 및 상기 제2 캐비티 내에 실장된 보호 소자를 포함한다.A light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, the base substrate having a first electrode and a second electrode; A sidewall disposed on the base substrate, the sidewall defining a first cavity for mounting a light emitting diode, and a sidewall defining a second cavity for mounting a protective element, wherein a portion of the sidewall of the second cavity is the light emitting diode; A housing open to communicate with the outside of the package; A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; A wavelength conversion plate disposed in at least a portion of an upper surface of the light emitting diode in the first cavity; And a protection element mounted in the second cavity.
상기 제1 캐비티와 제2 캐비티는 서로 공유하는 측벽에 의해 이격되거나, 서로 연통할 수 있다.The first cavity and the second cavity may be spaced apart or communicated with each other by sidewalls shared with each other.
한편, 상기 제1 캐비티는 상기 제2 캐비티의 2배 이상의 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 캐비티는 상기 베이스 기판의 중앙 영역 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드 패키지는 그 중앙 영역으로부터 광을 외부로 방출할 수 있다. On the other hand, the first cavity may have a size more than twice the second cavity. In addition, the first cavity may be disposed on a central area of the base substrate. Thus, the LED package can emit light to the outside from the central area.
상기 제1 캐비티는 회전 대칭 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 캐비티는 180도 회전 대칭, 90도 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 또는 원형 형상을 가질 수 있다. 특히, 상기 제1 캐비티는 정사각형 형상을 가질 수 있다.The first cavity may have a rotationally symmetrical shape. For example, the first cavity may have a 180 degree rotational symmetry, a 90 degree rotational symmetry shape, or may have a circular shape. In particular, the first cavity may have a square shape.
한편, 상기 제2 캐비티는 상기 베이스 기판의 일측 가장자리를 따라 기다란 형상을 가질 수 있으며, 직사각형 형상을 가질 수 있다.The second cavity may have an elongated shape along one side edge of the base substrate, and may have a rectangular shape.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 제1 전극 및 제2 전극의 쌍을 복수개 가지는 베이스 기판을 마련하고, 상기 베이스 기판 상에 캐비티들을 가지는 하우징을 형성하고, 상기 캐비티들 내에 발광 다이오드들 및 보호 소자들을 실장하고, 상기 베이스 기판 및 하우징을 분할하는 것을 포함하되, 상기 하우징은, 서로 대향하는 제1 캐비티들의 쌍과 상기 제1 캐비티들 사이에 배치된 제2 캐비티를 포함하고, 상기 발광 다이오드들은 상기 제1 캐비티들 내에 실장되고, 상기 보호 소자들은 상기 제2 캐비티 내에 실장되며, 상기 하우징을 분할할 때, 상기 제2 캐비티가 분할된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package manufacturing method including: providing a base substrate having a plurality of pairs of first electrodes and second electrodes, forming a housing having cavities on the base substrate, Mounting light emitting diodes and protective elements therein and dividing the base substrate and housing, wherein the housing includes a pair of first cavities facing each other and a second cavity disposed between the first cavities. The light emitting diodes are mounted in the first cavities, the protection elements are mounted in the second cavity, and when the housing is divided, the second cavity is divided.
보호 소자들을 제2 캐비티 내에 배치하고 제2 캐비티를 분할하기 때문에, 보호 소자들을 실장하기 위한 작업 공간을 확보하기 쉬워 발광 다이오드 패키지를 소형화할 수 있다.Since the protection elements are disposed in the second cavity and the second cavity is divided, it is easy to secure a work space for mounting the protection elements, thereby miniaturizing the LED package.
특히, 상기 제2 캐비티 내에 두 개의 보호 소자들이 실장되고, 상기 두 개의 보호 소자들은 상기 베이스 기판 및 하우징을 분할함에 따라 서로 분리될 수 있다. 상기 두 개의 보호 소자들은 각각 개별 발광 다이오드 패키지에 포함된다.In particular, two protection elements may be mounted in the second cavity, and the two protection elements may be separated from each other by dividing the base substrate and the housing. The two protection elements are each included in a separate LED package.
일 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 상기 베이스 기판 및 하우징을 분할하기 전에, 상기 제1 캐비티들을 덮는 파장변환판을 부착하는 것을 더 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 상기 베이스 기판 및 하우징을 분할하기 전에, 상기 발광 다이오드 상면의 적어도 일부를 덮는 파장변환판을 부착하는 것을 더 포함할 수 있다.The light emitting diode package may further include attaching a wavelength conversion plate covering the first cavities before dividing the base substrate and the housing. In another exemplary embodiment, the method may further include attaching a wavelength conversion plate covering at least a portion of an upper surface of the light emitting diode before dividing the base substrate and the housing.
나아가, 상기 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 상기 제2 캐비티를 채우고 상기 형광체 글래스 주변의 공간을 적어도 부분적으로 채우는 밀봉 수지를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.Furthermore, the light emitting diode package manufacturing method may further include forming a sealing resin filling the second cavity and at least partially filling a space around the phosphor glass.
상기 제1 캐비티는 파장변환판에 의해 밀봉될 수 있으며, 따라서 내부는 빈 공간으로 잔류할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 캐비티 내의 발광 다이오드를 투명 수지를 덮을 수 있다. 또한, 상기 투명 수지는 상기 제1 캐비티를 채울 수도 있으며, 파장변환판이 상기 제1 캐비티의 측벽 상에 부착되는 것을 도울 수 있다.The first cavity may be sealed by the wavelength conversion plate, and thus the interior may remain as an empty space. Alternatively, the light emitting diode in the first cavity may cover the transparent resin. In addition, the transparent resin may fill the first cavity, and may help the wavelength conversion plate to be attached on the sidewall of the first cavity.
한편, 상기 제1 캐비티들에 각각 서로 다른 쌍의 제1 전극과 제2 전극이 노출되고, 상기 제2 캐비티는 두 쌍의 제1 전극과 제2 전극을 노출하며, 두 개의 보호소자들이 상기 제2 캐비티 내에 노출된 두 쌍의 제1 전극과 제2 전극에 각각 실장될 수 있다.Meanwhile, different pairs of first and second electrodes are exposed to the first cavities, and the second cavity exposes two pairs of first and second electrodes, and two protection elements are disposed on the first cavities. It may be mounted on two pairs of the first electrode and the second electrode exposed in the two cavity, respectively.
또한, 상기 서로 다른 쌍의 제1 전극과 제2 전극은 180도 회전 대칭 구조를 갖도록 배치될 수 있다. 상기 베이스 기판을 분할함에 따라 동일한 구조의 발광 다이오드 패키지들이 제공될 수 있다.In addition, the pair of different first and second electrodes may be arranged to have a 180-degree rotational symmetry structure. By dividing the base substrate, light emitting diode packages having the same structure may be provided.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 캐비티들 및 제2 캐비티는 정사각형 형상을 가질 수 있다.In some embodiments, the first cavities and the second cavity may have a square shape.
본 발명의 실시예들에 따르면, 파장변환판을 채택함으로써 고온 환경에서 사용하기에 적합한 발광 다이오드 패키지가 제공될 수 있다. 또한, 발광 다이오드와 보호소자가 실장되는 캐비티들을 구분하고, 보호소자를 개방 구조의 캐비티 내에 실장함으로써 방출되는 광의 지향 패턴을 쉽게 제어할 수 있으며 작업 공간을 확보할 수 있어 소형화가 가능한 발광 다이오드 패키지가 제공될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a light emitting diode package suitable for use in a high temperature environment may be provided by adopting a wavelength conversion plate. In addition, by distinguishing the cavity in which the light emitting diode and the protection element are mounted, and by installing the protection element in an open structure cavity, it is possible to easily control the directing pattern of the emitted light and to secure a working space, thereby providing a light emitting diode package that can be miniaturized. Can be.
본 발명의 특징 및 장점은 이하의 도면 및 상세한 설명을 통해 더욱 명확해질 것이다. The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following drawings and detailed description.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지가 적용되는 헤드 램프가 장착된 차량을 나타내는 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view illustrating a vehicle equipped with a head lamp to which a light emitting diode package according to embodiments of the present invention is applied.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 절개 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 저면 사시도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a schematic cutaway perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and FIG. Bottom view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.6 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 공정을 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다.7 to 11 are schematic perspective views for explaining a light emitting diode package manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.12 is a schematic cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to still another embodiment of the present invention.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다.13 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to still another embodiment of the present invention.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.14 is a schematic cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이고, 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 절개 사시도이고, 도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 저면 사시도이며, 도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도들이다.15 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, FIG. 16 is a schematic cutaway perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a bottom perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, and FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.19 is a schematic perspective view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 20 내지 도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 공정을 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다.20 to 24 are schematic perspective views illustrating a light emitting diode package manufacturing process according to another embodiment of the present invention.
도 25는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도들 이다.25 are schematic perspective views illustrating a light emitting diode package according to still another embodiment of the present invention.
도 26은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도 및 단면도이다.26 is a schematic perspective view and a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to still another embodiment of the present invention.
도 27은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도 및 단면도이다.27 is a schematic perspective view and a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 28은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.28 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도들이다.29 is a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention; The following embodiments are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, widths, lengths, thicknesses, and the like of components may be exaggerated for convenience. In addition, when one component is described as "on" or "on" another component, each component is different from each other as well as when the component is "just above" or "on" the other component. It also includes a case where another component is interposed therebetween. Like numbers refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지가 적용되는 헤드 램프(110)가 장착된 차량을 나타내는 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view illustrating a vehicle equipped with a head lamp 110 to which a light emitting diode package according to embodiments of the present invention is applied.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 발광 다이오드 패키지는 차량(100)의 전방에 장착되어 헤드 램프(110) 내에 배치된다. 실시예에서 차량용 헤드 램프(110)는 운전자의 전방 야간 시야를 확보해주는 헤드 램프, 안개등 등을 포함한다.Referring to FIG. 1, in one embodiment of the present invention, the LED package is mounted at the front of the vehicle 100 and disposed in the head lamp 110. In an embodiment, the vehicle head lamp 110 includes a head lamp, a fog lamp, and the like, which secures the driver's front night vision.
차량용 헤드 램프(110)는 차량(100) 전방 좌우에 각각 장착될 수 있으며, 운전자의 취향을 고려하여 다양한 형상을 가질 수 있다.The vehicle head lamp 110 may be mounted on the front left and right of the vehicle 100, and may have various shapes in consideration of the driver's taste.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 절개 사시도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 저면 사시도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a schematic cutaway perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and FIG. Bottom view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 베이스 기판(10), 하우징(20), 발광 다이오드(30) 및 보호 소자(40)를 포함하며, 나아가, 글래스 형광체(50) 및 밀봉 수지(60)를 더 포함할 수 있다. 2 to 5, the light emitting diode package according to the present embodiment includes a base substrate 10, a housing 20, a light emitting diode 30, and a protection device 40, and further, a glass phosphor 50. ) And the sealing resin 60 may be further included.
베이스 기판(10)은 절연 기판(11), 제1 전극(13: 13a, 13b, 13c) 및 제2 전극(15; 15a, 15b, 15c)을 포함하고, 나아가 방열 패드(17)를 포함할 수 있다. 절연 기판(11)은 세라믹 기판일 수 있으며, 예를 들어, AlN 기판을 포함할 수 있다. AlN 기판은 고온 내구성이 좋고 방열 특성이 우수하다.The base substrate 10 may include an insulating substrate 11, first electrodes 13a, 13b, and 13c, and second electrodes 15; 15a, 15b, and 15c, and may further include a heat radiation pad 17. Can be. The insulating substrate 11 may be a ceramic substrate and may include, for example, an AlN substrate. AlN substrate has high temperature durability and good heat dissipation.
제1 전극(13) 및 제2 전극(15)은 각각 상부 리드들(13a, 15a), 하부 리드들(13c, 15c) 및 비아들(13b, 15b)을 갖는다. 상부 리드들(13a, 15a)은 절연 기판(11)의 상면에 배치된다. 하부 리드들(13c, 15c)은 절연 기판(11)의 하면에 배치되며, 비아들(13b, 15b)은 각각 절연 기판(11)을 관통하여 상부 리드들(13a, 15a)을 하부 리드들(13c, 15c)에 연결한다.The first electrode 13 and the second electrode 15 have upper leads 13a and 15a, lower leads 13c and 15c and vias 13b and 15b, respectively. The upper leads 13a and 15a are disposed on the upper surface of the insulating substrate 11. The lower leads 13c and 15c are disposed on the bottom surface of the insulating substrate 11, and the vias 13b and 15b penetrate the insulating substrate 11, respectively, to pass the upper leads 13a and 15a to the lower leads ( 13c, 15c).
일 실시예에서, 제1 및 제2 전극들(13, 15)은 다층 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어 Ni층/Cu층/Au층이 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. Ni층은 AlN 기판에 전극 패턴들의 접착력을 향상시키기 위해 사용되며, Au층은 Cu층의 산화를 방지하기 위해 사용되며, 또한, 후술되는 발광 다이오드(30)와의 접착력을 향상시키기 위해 사용된다. 또한, Cu층은 전류 및 열 전달을 위해 사용되며, Ni층 및 Au층에 비해 상대적으로 두꺼울 수 있다. 그러나 본 발명의 제1 및 제2 전극들(13, 15)이 상기 금속층들에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the first and second electrodes 13 and 15 may have a multilayer structure, for example, a multilayer structure in which a Ni layer / Cu layer / Au layer is stacked. The Ni layer is used to improve the adhesion of the electrode patterns to the AlN substrate, the Au layer is used to prevent oxidation of the Cu layer, and is also used to improve the adhesion to the light emitting diode 30 described later. In addition, the Cu layer is used for current and heat transfer, and may be relatively thick compared to the Ni layer and Au layer. However, the first and second electrodes 13 and 15 of the present invention are not limited to the metal layers.
한편, 방열패드(17)는 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c) 사이에 배치되며, 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)로부터 전기적으로 절연된다. 방열 패드(17)는 인쇄회로보드에 접촉하며, 특히, 메탈 PCB 등의 금속에 접촉하여 열 방출을 도울 수 있다. 방열 패드는(17)는 제1 및 제2 전극들(13, 15)과 동일한 재료로 형성될 수 있다.Meanwhile, the heat radiating pad 17 is disposed between the first and second lower leads 13c and 15c and is electrically insulated from the first and second lower leads 13c and 15c. The heat dissipation pad 17 is in contact with the printed circuit board, and in particular, may be in contact with a metal such as a metal PCB to help heat dissipation. The heat dissipation pad 17 may be formed of the same material as the first and second electrodes 13 and 15.
본 실시예에 있어서, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)은 서로 평행하게 배치되고, 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)은 서로 평행하게 배치된다. 또한, 방열 패드(17)는 제1 및 제1 하부 리드들(13c, 15b)보다 넓은 폭을 가지며 이들과 평행하게 배치된다. 한편, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)과 상기 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)은 서로 직교하도록 배치된다. 제1 및 제2 비아들(13b, 15b)은 각각 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)과 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)이 교차하는 영역에 형성될 수 있다. 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)이 방열 패드(17)와 직교하도록 배치되므로, 이들이 교차하는 영역의 면적을 증가시켜 방열 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.In the present embodiment, the first and second upper leads 13a and 15a are disposed in parallel to each other, and the first and second lower leads 13c and 15c are disposed in parallel to each other. In addition, the heat dissipation pad 17 has a wider width than the first and first lower leads 13c and 15b and is disposed in parallel therewith. Meanwhile, the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c are disposed to be orthogonal to each other. The first and second vias 13b and 15b may be formed in an area where the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c intersect, respectively. . Since the first and second upper leads 13a and 15a are disposed to be orthogonal to the heat radiating pad 17, the heat dissipation characteristics may be further improved by increasing the area of the area where they cross.
그러나 본 발명은 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)과 상기 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)은 서로 교차하도록 배치된 것에 한정되지 않으며, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)이 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)에 평행하게 배치될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)이 평행하게 배치되는 것에 한정되는 것은 아니며, 발광 다이오드 종류에 따라 다양하게 변형될 수 있다. However, the present invention is not limited to the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c disposed to cross each other, and the first and second upper leads. The fields 13a and 15a may be disposed parallel to the first and second lower leads 13c and 15c. In addition, the first and second upper leads 13a and 15a are not limited to being arranged in parallel, and may be variously modified according to the type of light emitting diode.
하우징(20)은 제1 캐비티(C1) 및 제2 캐비티(C2)를 가진다. 제1 캐비티(C1)는 발광 다이오드(30)가 실장되는 영역을 정의하고 제2 캐비티(C2)는 보호 소자(40)가 실장되는 영역을 정의한다.The housing 20 has a first cavity C1 and a second cavity C2. The first cavity C1 defines a region in which the light emitting diode 30 is mounted, and the second cavity C2 defines a region in which the protection element 40 is mounted.
제1 캐비티(C1)는 패키지의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 제1 캐비티(C1)는 측벽(21)으로 둘러싸인다. 측벽(21)은 발광 다이오드(30)에서 방출된 광을 반사시키기 위해 경사면을 가질 수 있다. 또한, 제1 캐비티(C1)는 평면도에서 보아 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 직사각형, 특히 정사각형 형상을 가질 수 있다. 여기서 회전 대칭은 회전체만을 의미하는 것은 아니며, 60도, 90도, 120도 또는 180도 등 특정 각도로 회전할 때 동일한 형상이 유지되는 것을 포함한다. 본 실시예에서는 제1 캐비티(C1)가 측벽(21)으로 완전히 둘러싸인 것에 대해 설명하지만, 다른 실시예에 있어서, 제1 캐비티(C1)의 측벽(21) 일부가 개방될 수 있다. 또한, 제1 캐비티(C1)의 형상은 사각형에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.The first cavity C1 may be disposed in the central area of the package. The first cavity C1 is surrounded by the side wall 21. The side wall 21 may have an inclined surface to reflect light emitted from the light emitting diode 30. In addition, the first cavity C1 may have a rotationally symmetrical shape when viewed in plan, and may have a rectangular, in particular square, shape. The rotation symmetry here does not mean only the rotating body, and includes the same shape is maintained when rotating at a specific angle, such as 60 degrees, 90 degrees, 120 degrees or 180 degrees. In the present exemplary embodiment, the first cavity C1 is completely surrounded by the sidewall 21, but in another exemplary embodiment, a part of the sidewall 21 of the first cavity C1 may be opened. In addition, the shape of the first cavity C1 is not limited to the quadrangle and may have various shapes as necessary.
한편, 측벽(21)의 상부면(23)을 따라 홈(23g)이 형성될 수 있다. 홈(23g)은 파장변환판(50)을 부착할 때, 접착제 등이 다른 영역으로 흐르는 것을 방지한다.Meanwhile, a groove 23g may be formed along the upper surface 23 of the side wall 21. The groove 23g prevents the adhesive or the like from flowing to other areas when attaching the wavelength conversion plate 50.
제2 캐비티(C2)는 일부 측벽이 개방된 형상을 가진다. 특히, 제2 캐비티(C2)는 패키지 외부에 연통될 수 있다. 제2 캐비티(C2)의 측벽이 개방되므로 보호 소자(40)를 실장할 때, 패키지 외부 영역이 작업 공간으로 활용될 수 있어 발광 다이오드 패키지를 소형화할 수 있다.The second cavity C2 has a shape in which some sidewalls are open. In particular, the second cavity C2 may communicate with the outside of the package. Since the sidewall of the second cavity C2 is opened, when the protection device 40 is mounted, an outer area of the package may be used as a work space, thereby miniaturizing the LED package.
한편, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)는 측벽(21) 일부를 사이에 두고 양측에 배치될 수 있다. 즉, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)는 측벽(21) 일부를 공유한다. 이에 따라, 도 5에 도시된 바와 같이, 측벽(21)은 제1 캐비티(C1) 측에 위치하는 내벽면(21a) 및 제2 캐비티(C2) 측에 위치하는 내벽면(21a)을 가질 수 있다. 한편, 제1 캐비티(C1) 측에 위치하는 내벽면(21a)은 발광 다이오드(30)에서 방출된 광을 반사시키도록 제2 캐비티(C2) 측에 위치하는 내벽면(21b)보다 완만하게 경사질 수 있다.Meanwhile, the first cavity C1 and the second cavity C2 may be disposed at both sides with a part of the sidewall 21 interposed therebetween. That is, the first cavity C1 and the second cavity C2 share a part of the sidewall 21. Accordingly, as shown in FIG. 5, the side wall 21 may have an inner wall surface 21a positioned on the side of the first cavity C1 and an inner wall surface 21a positioned on the side of the second cavity C2. have. On the other hand, the inner wall surface 21a located on the side of the first cavity C1 is inclined more gently than the inner wall surface 21b located on the side of the second cavity C2 to reflect the light emitted from the light emitting diode 30. Can lose.
또한, 제2 캐비티(C2)는 제1 캐비티(C1)보다 작은 크기를 가진다. 예컨대, 제1 캐비티(C1)는 제2 캐비티(C2)보다 2배 이상 클 수 있다. 상기 제2 캐비티(C2)는 베이스 기판(10)의 일측 가장자리를 따라 기다란 형상, 예컨대 기다란 직사각형 형상을 가질 수 있다.In addition, the second cavity C2 has a smaller size than the first cavity C1. For example, the first cavity C1 may be two times larger than the second cavity C2. The second cavity C2 may have an elongated shape, for example, an elongated rectangular shape, along one edge of the base substrate 10.
제1 캐비티(C1) 및 제2 캐비티(C2)는 하우징(20)에 의해 형성되며, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15), 특히, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)을 노출시킨다.The first cavity C1 and the second cavity C2 are formed by the housing 20, and the first electrode 13 and the second electrode 15, in particular, the first and second upper leads 13a, 15a).
한편, 상기 하우징(20)은 절연 기판(11)과는 다른 재료, 예컨대 열경화성 또는 열가소성 수지로 형성될 수 있다. 하우징(20)은 반사율이 높은 수지로 형성될 수 있으며, 예를 들어, PPA(poly phthal amide), PCT(poly cyclohexylenedimethylene terephthalate), EMC(epoxy molding compount) 또는 SMC(silcone molding compound)로 형성될 수 있다. 특히, 상기 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC)는 고온에 강하고 반사율이 높아 자동차 헤드 램프와 같이 고출력을 요하는 발광 다이오드 패키지에 적합하게 사용될 수 있다.The housing 20 may be formed of a material different from the insulating substrate 11, for example, a thermosetting or thermoplastic resin. The housing 20 may be formed of a resin having high reflectance, and may be formed of, for example, poly phthal amide (PPA), poly cyclohexylenedimethylene terephthalate (PCT), epoxy molding compount (EMC), or silicone molding compound (SMC). have. In particular, the silicon molding compound (SMC) is resistant to high temperatures and has a high reflectance, so that the silicon molding compound (SMC) may be suitably used in a light emitting diode package requiring high power such as an automobile head lamp.
하우징(20)은 상단면은 단차진 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 하우징(20)은 최상단면(27), 중간 상부면(25) 및 측벽(21) 상부면(23)을 포함할 수 있으며, 이들 사이에 단턱부들(25w, 27w)이 위치할 수 있다. 측벽(21) 상부면(23)은 파장변환판(50)을 접착하기 위해 사용되는 접착제가 하우징(20)의 넓은 면으로 퍼지는 것을 방지한다. 따라서, 필요 이상의 접착제가 사용될 경우에도, 접착제는 파장변환판(50)의 측면 주위에 모여 파장변환판(50)의 접착력을 향상시킬 수 있다.The upper surface of the housing 20 may have a stepped shape. For example, the housing 20 may include a top surface 27, a middle top surface 25, and a side surface 21, an upper surface 23, between which step portions 25w and 27w may be located. Can be. The upper surface 23 of the sidewall 21 prevents the adhesive used to adhere the wavelength conversion plate 50 to spread to the wide side of the housing 20. Therefore, even when more than necessary adhesives are used, the adhesives can gather around the side surface of the wavelength conversion plate 50 to improve the adhesion of the wavelength conversion plate 50.
한편, 단턱부(25w, 27w) 및 중간 상부면(25)은 파장변환판(50) 주위에 형성되는 투명 수지(60)의 접착 면적을 증가시켜 투명 수지(60)가 하우징(20)으로부터 박리되는 것을 방지한다. 본 실시예에서 이중 단차진 상단면 구조에 대해 도시하고 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 더 많은 상단면이 형성될 수 있다.Meanwhile, the stepped portions 25w and 27w and the intermediate upper surface 25 increase the adhesion area of the transparent resin 60 formed around the wavelength conversion plate 50 so that the transparent resin 60 is peeled off from the housing 20. Prevent it. In the present embodiment, the double stepped top surface structure is illustrated and described, but is not limited thereto, and more top surfaces may be formed.
상기 최상단면(27)은 하우징(20)의 테두리를 구성한다. 다만, 제2 캐비티(C2)의 개방된 측벽 때문에, 테두리의 일부가 끊어진 형상을 가진다. 또한, 최상단면(27)의 일부에 캐소드 마크(27a)가 형성되어 캐소드 전극의 위치를 지정할 수 있다.The upper end surface 27 constitutes an edge of the housing 20. However, due to the open sidewall of the second cavity C2, a part of the edge has a broken shape. In addition, a cathode mark 27a is formed on a part of the uppermost end face 27 to designate the position of the cathode electrode.
발광 다이오드(30)는 제1 캐비티(C1) 내에서 제1 및 제2 상부 리드(13a, 15a) 상에 배치된다. 발광 다이오드(30)는 질화갈륨계 무기 반도체 발광 다이오드로서 청색 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드일 수 있다. 본 실시예에 있어서, 발광 다이오드(30)는 본딩 와이어 없이 실장 가능한 발광 다이오드로, 예컨대 플립칩형 발광 다이오드일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에 있어서, 본딩 와이어를 이용하는 수직형이나 수평형 발광 다이오드일 수도 있다.The light emitting diode 30 is disposed on the first and second upper leads 13a and 15a in the first cavity C1. The light emitting diode 30 may be a light emitting diode emitting blue or ultraviolet rays as a gallium nitride-based inorganic semiconductor light emitting diode. In the present embodiment, the light emitting diode 30 is a light emitting diode that can be mounted without a bonding wire, for example, may be a flip chip type light emitting diode. However, the present invention is not limited thereto, and in another embodiment, may be a vertical or horizontal light emitting diode using a bonding wire.
보호 소자(40)는 서지와 같은 고전압으로부터 발광 다이오드(30)를 보호한다. 보호 소자(40)는 예컨대 TVS(transient voltage suppressor) 다이오드나 제너 다이오드일 수 있다.The protection element 40 protects the light emitting diode 30 from a high voltage such as a surge. The protection element 40 may be, for example, a transient voltage suppressor (TVS) diode or a zener diode.
파장변환판(50)은 제1 캐비티(C1)를 덮는다. 세라믹 플레이트에 파장변환 물질이 함유된 것으로, 예를 들어, 형광체를 함유시킨 글래스(phosphor in glass; PIG)나 SiC 기판에 형광체를 함유시킨 SiC 형광체가 있으며, 쿼츠에 형광체를 함유시킬 수도 있다. 이외에도 다양한 세라믹 플레이트 형광체가 가능하다. 또한, 형광체 이외에도 양자점과 같은 다른 파장변환 물질이 이용될 수 있다. 파장변환판(50)의 상부면은 측벽(21) 상부면(23)보다 위에 위치하며, 하우징(20)의 최상단면(27)보다 아래에 위치하고, 중간면(25)보다 위에 위치할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 파장변환판(50)의 상부면이 최상단면(27)보다 위에 위치할 수도 있다.The wavelength conversion plate 50 covers the first cavity C1. The wavelength conversion material is contained in the ceramic plate, for example, there is a glass (phosphor in glass (PIG)) containing the phosphor, or SiC phosphor containing the phosphor in the SiC substrate, the quartz may also contain a phosphor. In addition, various ceramic plate phosphors are possible. In addition to phosphors, other wavelength converting materials such as quantum dots may be used. The upper surface of the wavelength conversion plate 50 may be positioned above the upper surface 23 of the side wall 21, may be positioned below the uppermost surface 27 of the housing 20, and may be positioned above the intermediate surface 25. . However, the present invention is not limited thereto, and the upper surface of the wavelength conversion plate 50 may be located above the upper end surface 27.
파장변환판(50)은 세라믹 플레이트를 이용함으로써, 종래의 형광체를 함유한 수지에 비해 견고하고 고온 내구성이 강하다. 파장변환판(50)은 직사각형 특히 정사각형 형상을 가질 수 있다. 파장변환판(50)은 실리콘이나 에폭시 등을 이용하여 측벽(21)에 부착될 수 있다. 이때, 접착제로 사용되는 실리콘이나 에폭시는 홈(23g)에 의해 가이드되며, 따라서 제1 캐비티(C1)나 제2 캐비티(C2) 또는 하우징(20)의 다른 부분으로 퍼지는 것이 방지된다.By using the ceramic plate, the wavelength conversion plate 50 is stronger than the resin containing the conventional phosphor and has high temperature durability. The wavelength conversion plate 50 may have a rectangular shape, in particular a square shape. The wavelength conversion plate 50 may be attached to the sidewall 21 using silicon or epoxy. At this time, the silicone or epoxy used as the adhesive is guided by the groove 23g, so that it is prevented from spreading to the first cavity C1, the second cavity C2, or another part of the housing 20.
한편, 밀봉 수지(60)는 파장변환판(50) 주위의 일부 공간을 채운다. 밀봉 수지(60)는 측벽(21) 상부면(23) 및 중간면(25)을 덮을 수 있으며, 단턱부(25w)를 덮고 단턱부(27w)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 밀봉 수지(60)는 또한 파장변환판(50)의 측면을 덮어 파장변환판(50)이 하우징(20)에 견고하게 접착되도록 한다.On the other hand, the sealing resin 60 fills some space around the wavelength conversion plate 50. The sealing resin 60 may cover the upper surface 23 and the intermediate surface 25 of the side wall 21, and may cover the stepped portion 25w and at least a portion of the stepped portion 27w. The sealing resin 60 also covers the side of the wavelength conversion plate 50 so that the wavelength conversion plate 50 is firmly adhered to the housing 20.
밀봉 수지(60)는 또한 하우징(20)의 제2 캐비티(C2)를 채울 수 있다. 밀봉 수지(60)는 투명한 실리콘이나 에폭시로 형성될 수 있다. 제1 캐비티(C1)가 제2 캐비티(C2)로부터 이격된 경우, 제1 캐비티(C1)는 파장변환판(50)으로 덮여 있어 밀봉 수지(60)가 제1 캐비티(C1) 내로 침투하는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 제1 캐비티(C1)는 빈 공간으로 잔류할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 캐비티(C1) 내의 발광 다이오드(30)를 투명 수지로 덮을 수 있다. 투명 수지는 제1 캐비티(C1) 내의 일부를 채우거나 또는 제1 캐비티(C1)를 완전히 채울 수도 있다. 이에 대해서는 도 12를 참조하여 뒤에서 다시 설명된다.The sealing resin 60 may also fill the second cavity C2 of the housing 20. The sealing resin 60 may be formed of transparent silicone or epoxy. When the first cavity C1 is spaced apart from the second cavity C2, the first cavity C1 is covered with the wavelength conversion plate 50 so that the sealing resin 60 penetrates into the first cavity C1. Can be prevented. Therefore, the first cavity C1 may remain in the empty space. However, the present invention is not limited thereto, and the light emitting diode 30 in the first cavity C1 may be covered with a transparent resin. The transparent resin may fill part of the first cavity C1 or completely fill the first cavity C1. This will be described later with reference to FIG. 12.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.6 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 설명한 실시예의 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나 밀봉 수지(60)가 백색 반사기로 형성된 것에 차이가 있다. 백색 반사기는 실리콘이나 에폭시 등의 수지에 백색 안료를 혼합한 재료로 형성될 수 있다. 또한, 폴리 카보네이트 또는 PCT 등의 반사기가 밀봉 수지로 사용될 수도 있다.Referring to FIG. 6, the LED package according to the present embodiment is generally similar to the LED package of the above-described embodiment, but there is a difference in that the sealing resin 60 is formed of a white reflector. The white reflector may be formed of a material in which a white pigment is mixed with a resin such as silicone or epoxy. In addition, a reflector such as polycarbonate or PCT may be used as the sealing resin.
백색 반사기를 이용하여 밀봉 수지(60)를 형성함으로써, 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 광은 대체로 파장변환판(50)을 통해서만 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 원하지 않는 광이 밀봉 수지(60)를 통해 방출되는 것을 차단할 수 있어 광의 지향 분포를 쉽게 제어할 수 있다.By forming the encapsulation resin 60 using the white reflector, light emitted from the light emitting diode package can be generally emitted to the outside only through the wavelength conversion plate 50. Thus, unwanted light can be prevented from being emitted through the sealing resin 60 so that the directivity distribution of the light can be easily controlled.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 공정을 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다. 도면들에서 점선은 분할될 위치를 나타낸다.7 to 11 are schematic perspective views for explaining a light emitting diode package manufacturing process according to an embodiment of the present invention. The dashed lines in the figures indicate the positions to be divided.
우선, 도 7을 참조하면, 베이스 기판(10)이 마련된다. 베이스 기판(10)은 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 쌍을 복수 개 포함한다. 도면에는 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)만을 도시하지만, 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 및 제2 비아들(13b, 15b)와 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)도 함께 포함된다. 도 7에는 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 서로 다른 두 쌍이 도시되어 있으나, 더 많은 쌍이 베이스 기판(10)에 제공될 수 있다.First, referring to FIG. 7, a base substrate 10 is provided. The base substrate 10 includes a plurality of pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15. Although only the first and second upper leads 13a and 15a are shown in the drawing, the first and second vias 13b and 15b and the first and second lower leads as described with reference to FIGS. 13c and 15c are also included. Although two different pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15 are shown in FIG. 7, more pairs may be provided on the base substrate 10.
한편, 상기 두 쌍의 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)은 180도 회전 대칭 구조로 배치될 수 있다. 이들은 다시 페어를 형성한다. 베이스 기판(10) 상에는 이러한 페어들이 복수개 배치될 수 있다. 여기서, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)이 대칭구조로 배치된 것으로 설명하지만, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 형상 및 구조는 다양하게 변형될 수 있다. Meanwhile, the two pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15 may be disposed in a 180 degree rotationally symmetrical structure. They again form a pair. A plurality of such pairs may be disposed on the base substrate 10. Here, although the first electrode 13 and the second electrode 15 are described as being arranged in a symmetrical structure, the shape and structure of the first electrode 13 and the second electrode 15 may be variously modified.
도 8을 참조하면, 베이스 기판(10) 상에 하우징(20)이 형성된다. 하우징(20)은 반사율이 높은 수지로 형성될 수 있다. 하우징(20)은 몰딩 기술을 이용하여 베이스 기판(10) 상에 형성될 수 있다. 하우징(20)은 제1 캐비티들(C1)의 쌍과 이들 제1 캐비티들 사이에 배치된 제2 캐비티(C2)를 포함한다. 제2 캐비티(C2)는 제1 캐비티(C1)와 동일한 크기로 형성될 수 있으나, 상대적으로 작은 보호 소자가 실장되기 때문에 제1 캐비티(C1)보다 작을 수 있다.Referring to FIG. 8, a housing 20 is formed on the base substrate 10. The housing 20 may be formed of a resin having high reflectance. The housing 20 may be formed on the base substrate 10 using molding techniques. The housing 20 includes a pair of first cavities C1 and a second cavity C2 disposed between these first cavities. The second cavity C2 may be formed to have the same size as the first cavity C1, but may be smaller than the first cavity C1 because a relatively small protective element is mounted.
한 쌍의 제1 캐비티들(C1)은 각각 서로 다른 제1 상부 리드(13a) 및 제2 상부 리드(15a)를 노출한다. 한편, 제2 캐비티(C2)는 서로 다른 두 쌍의 제1 상부 리드(13a)와 제2 상부 리드(15a)를 노출한다. 즉, 도 8에서 위쪽에 배치된 제1 캐비티(C1)는 제1 쌍의 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)를 노출하고, 아래쪽에 배치된 제1 캐비티(C1)는 제2 쌍의 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)를 노출한다. 또한, 제2 캐비티(C2)는 제1 쌍 및 제2 쌍의 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)를 노출한다.The pair of first cavities C1 expose different first upper leads 13a and second upper leads 15a, respectively. Meanwhile, the second cavity C2 exposes two different pairs of the first upper lead 13a and the second upper lead 15a. That is, in FIG. 8, the first cavity C1 disposed above exposes the first and second upper leads 13a and 15a of the first pair, and the first cavity C1 disposed below exposes the second. Expose the pair of first and second upper leads 13a, 15a. In addition, the second cavity C2 exposes the first and second pair of first and second upper leads 13a and 15a.
한편, 제1 캐비티들(C1)은 서로 동일한 크기를 가질 수 있다. 제2 캐비티(C2)는 제1 캐비티들(C1)과 동일한 크기를 가질 수 있으나 제1 캐비티들(C1)보다 작은 크기를 가질 수도 있다.Meanwhile, the first cavities C1 may have the same size. The second cavity C2 may have the same size as the first cavities C1 but may have a smaller size than the first cavities C1.
제1 및 제2 캐비티들(C1, C2)은 모두 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어 정사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 형상을 가질 수도 있다.Both the first and second cavities C1 and C2 may have a rotationally symmetrical shape, for example, may have a square shape. However, the present invention is not limited thereto and may have other shapes.
하우징(20)은 또한 앞서 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 캐비티(C1)를 둘러싸는 측벽(21)의 상부면(23), 중간면(25) 및 최상단면(27)을 가질 수 있으며, 이들 사이에 단턱부들(25w, 27w)을 가질 수 있고 최상단면(27)에 캐소드 마크(27a)가 형성될 수 있다.The housing 20 also defines the top surface 23, the middle surface 25 and the top surface 27 of the side wall 21 surrounding the first cavity C1 as described above with reference to FIGS. 2 to 5. It may have a stepped portion (25w, 27w) between them, the cathode mark 27a may be formed on the top end surface 27.
도 9를 참조하면, 제1 캐비티들(C1) 내에 각각 발광 다이오드(30)가 실장되고, 제2 캐비티(C2) 내에 보호 소자(40)가 실장된다. 발광 다이오드(30)는 제1 캐비티(C1)에 노출된 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)에 플립 본딩될 수 있으며, 보호 소자(40)는 제2 캐비티(C2)에 노출된 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)에 플립 본딩될 수 있다.9, a light emitting diode 30 is mounted in each of the first cavities C1, and a protection element 40 is mounted in the second cavity C2. The light emitting diode 30 may be flip bonded to the first and second upper leads 13a and 15a exposed to the first cavity C1, and the protection device 40 may be exposed to the second cavity C2. The first and second upper leads 13a and 15a may be flip bonded.
도 10을 참조하면, 제1 캐비티들(C1) 상에 파장변환판(50)들이 부착된다. 파장변환판(50)은 실리콘이나 에폭시를 이용하여 제1 캐비티(C1)를 둘러싸는 측벽(21) 상에 부착될 수 있다. 파장변환판(50)을 부착함에 따라 제1 캐비티(C1)는 외부로부터 차단될 수 있다.Referring to FIG. 10, wavelength conversion plates 50 are attached to the first cavities C1. The wavelength conversion plate 50 may be attached on the sidewall 21 surrounding the first cavity C1 using silicon or epoxy. As the wavelength conversion plate 50 is attached, the first cavity C1 may be blocked from the outside.
도 11을 참조하면, 이어서, 제2 캐비티(C2)를 채우는 밀봉 수지(60)가 형성된다. 밀봉 수지(60)는 파장변환판(50) 주위의 일부 공간을 채울 수 있다. 밀봉 수지(60)는 측벽(21) 상부면(23), 중간면(25)을 덮고 단턱부(25w) 및 단턱부(27w)의 일부를 덮을 수 있다. 나아가, 밀봉 수지(60)는 파장변환판(5)의 측면을 덮을 수 있다. 밀봉 수지(60)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투명 수지로 형성될 수 있다. 이와 달리, 백색 안료를 함유하는 에폭시 또는 실리콘과 같이 백색 반사기로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 11, a sealing resin 60 is then formed to fill the second cavity C2. The sealing resin 60 may fill some space around the wavelength conversion plate 50. The sealing resin 60 may cover the upper surface 23 and the middle surface 25 of the sidewall 21 and may cover a part of the stepped portion 25w and the stepped portion 27w. Furthermore, the sealing resin 60 may cover the side surface of the wavelength conversion plate 5. The sealing resin 60 may be formed of a transparent resin such as epoxy or silicone. Alternatively, it may be formed with a white reflector such as epoxy or silicone containing a white pigment.
이어서, 베이스 기판(10)과 하우징(20)을 점선을 따라 분할함으로써 개별 발광 다이오드 패키지로 분할되어 발광 다이오드 패키지가 완성된다. 상기 베이스 기판(10)과 하우징(20)을 분할할 때, 특히, 제2 캐비티(C2)가 분할된다. 제2 캐비티(C2)는 동일한 크기로 양분될 수 있으며, 따라서, 동일한 발광 다이오드 패키지들이 제조될 수 있다.Subsequently, the base substrate 10 and the housing 20 are divided into individual light emitting diode packages by dividing along the dotted lines to complete the light emitting diode package. When dividing the base substrate 10 and the housing 20, in particular, the second cavity C2 is divided. The second cavity C2 can be divided into the same size, and therefore, the same light emitting diode packages can be manufactured.
본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법에 따르면, 보호 소자들(40)이 실장되는 제2 캐비티(C2)를 두 개의 발광 다이오드 패키지 영역이 공유한다. 이에 따라, 보호 소자(40)를 실장하기 위한 작업 공간을 확보할 수 있어 발광 다이오드 패키지를 소형화할 수 있다. 종래 기술에서는 제2 캐비티가 측벽으로 둘러싸여 있다. 그러나 제1 캐비티와 제2 캐비티를 서로 분리하면서 모두 측벽으로 둘러싸일 경우, 발광 다이오드와 보호 소자를 실장하기 위한 작업 공간이 측벽에 의해 제한되기 때문에 패키지를 소형화하기 어렵다. According to the LED package manufacturing method according to the present embodiment, two LED package regions share a second cavity C2 in which the protection devices 40 are mounted. As a result, a work space for mounting the protection element 40 can be secured, and the LED package can be miniaturized. In the prior art, the second cavity is surrounded by the side wall. However, when both the first cavity and the second cavity are separated from each other and surrounded by sidewalls, it is difficult to miniaturize the package because the work space for mounting the light emitting diode and the protection element is limited by the sidewalls.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.12 is a schematic cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
우선, 도 12(a)를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나, 투명 수지(70a)가 발광 다이오드(30)를 덮는 것에 차이가 있다.First, referring to FIG. 12 (a), the light emitting diode package according to the present exemplary embodiment is generally similar to the light emitting diode package described with reference to FIGS. 1 to 5, but the transparent resin 70a uses the light emitting diode 30. There is a difference in covering.
투명 수지(70a)는 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지일 수 있으며, 발광 다이오드(30)를 밀봉하여 보호한다. 투명 수지(70a)는 제1 캐비티(C1)의 일부 영역을 채우며, 도시한 바와 같이, 파장변환판(50)은 투명 수지(70a)로부터 이격될 수 있다.The transparent resin 70a may be a transparent silicone resin or an epoxy resin, and seals and protects the light emitting diode 30. The transparent resin 70a fills a portion of the first cavity C1, and as illustrated, the wavelength conversion plate 50 may be spaced apart from the transparent resin 70a.
도 12(b)를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 도 12(a)의 실시예와 대체로 유사하나, 투명 수지(70b)가 제1 캐비티(C1)를 완전히 채우는 것에 차이가 있다.Referring to FIG. 12B, the LED package according to the present embodiment is generally similar to the embodiment of FIG. 12A, except that the transparent resin 70b completely fills the first cavity C1. .
투명 수지(70b)는 제1 캐비티(C1)을 완전히 채워 발광 다이오드(30)를 밀봉한다. 또한, 투명 수지(70b)는 파장변환판(50)을 접착하기 위한 접착제로 사용될 수 있다. 따라서, 파장변환판(50)을 하우징(20)에 견고하게 접착시킬 수 있다.The transparent resin 70b completely fills the first cavity C1 to seal the light emitting diode 30. In addition, the transparent resin 70b may be used as an adhesive for bonding the wavelength conversion plate 50. Therefore, the wavelength conversion plate 50 can be firmly adhered to the housing 20.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도들이다.13 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
앞서 설명한 실시예들에서는 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 측벽(21)에 의해 서로 이격된 것에 대해 설명하였으나, 여기서는 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 서로 연통하는 것에 대해 설명한다.In the above-described embodiments, the first cavity C1 and the second cavity C2 have been described as being spaced apart from each other by the side wall 21, but here, the first cavity C1 and the second cavity C2 are separated from each other. Explain about communicating.
도 13(a)를 참조하면, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2) 사이에 배치된 측벽(21)의 일부가 개방되어 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 서로 연통한다. 개방되는 부분은 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 공유하는 측벽(21)의 중앙부분일 수 있다. Referring to FIG. 13A, a part of the sidewall 21 disposed between the first cavity C1 and the second cavity C2 is opened to allow the first cavity C1 and the second cavity C2 to each other. Communicate. The open portion may be a central portion of the sidewall 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2.
도 13(b)를 참조하면, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 공유하는 측벽(21)의 대부분이 개방될 수 있다. 따라서, 제2 캐비티(C2)는 패키지의 외부 및 제1 캐비티(C1)에 연통한다.Referring to FIG. 13B, most of the sidewalls 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2 may be opened. Thus, the second cavity C2 communicates with the outside of the package and the first cavity C1.
도 13(c)를 참조하면, 본 실시예의 경우, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 공유하는 측벽(21)의 높이가 다른 부분의 측벽(21)에 비해 상대적으로 낮게 형성되어, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 서로 연통한다.Referring to FIG. 13C, in the present embodiment, the height of the sidewall 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2 is relatively lower than that of the side wall 21 of the other part. Thus, the first cavity C1 and the second cavity C2 communicate with each other.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도이다.14 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 설명한 실시예들의 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나, 발광 다이오드(30a)가 수직형 구조인 것에 차이가 있다.Referring to FIG. 14, the light emitting diode package according to the present embodiment is generally similar to the light emitting diode package of the above-described embodiments, except that the light emitting diode 30a has a vertical structure.
플립칩 구조의 발광 다이오드(30)는 발광 다이오드를 플립 본딩하기 때문에, 본딩 와이어를 필요로 하지 않는다. 그러나 수직형이나 수평형 등의 발광 다이오드는 제1 및 제2 상부 리드(13a, 15a)에 전기적으로 연결하기 위해 본딩 와이어를 필요로 한다. 수직형 발광 다이오드(30a)는, 일반적으로 하면에 제1 전극을 가지며, 상면에 제2 전극을 갖는다. 따라서, 도시한 바와 같이 발광 다이오드(30a)는 제1 상부 리드(13a) 상에 실장되고, 본딩 와이어(80)를 통해 제2 상부 리드(15a)에 전기적으로 연결될 수 있다.Since the flip-chip light emitting diode 30 flip-bonds the light emitting diode, it does not require a bonding wire. However, a light emitting diode such as a vertical type or a horizontal type requires a bonding wire to electrically connect to the first and second upper leads 13a and 15a. The vertical light emitting diode 30a generally has a first electrode on the lower surface and a second electrode on the upper surface. Accordingly, as illustrated, the light emitting diode 30a may be mounted on the first upper lead 13a and electrically connected to the second upper lead 15a through the bonding wire 80.
수평형 발광 다이오드의 경우, 제1 전극 및 제2 전극이 모두 발광 다이오드의 상면측에 배치되므로, 이들 전극들이 모두 본딩 와이어들을 통해 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)에 전기적으로 연결될 것이다.In the case of a horizontal light emitting diode, since both the first electrode and the second electrode are disposed on the upper surface side of the light emitting diode, both of these electrodes are electrically connected to the first and second upper leads 13a and 15a through bonding wires. will be.
한편, 앞의 실시예들에 있어서, 발광 다이오드(30)와 파장변환판(50)의 중심이 서로 정렬될 수 있다. 그러나 본 실시예에서는 본딩 와이어(80)를 사용함에 따라 발광 다이오드(30a)가 제1 캐비티(C1)의 중앙에서 벗어날 수 있으며, 따라서, 발광 다이오드(30a)와 파장변환판(50a)의 중심이 어긋날 수 있다.Meanwhile, in the above embodiments, the centers of the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50 may be aligned with each other. However, in the present embodiment, as the bonding wire 80 is used, the light emitting diode 30a may deviate from the center of the first cavity C1. Thus, the center of the light emitting diode 30a and the wavelength conversion plate 50a It can be shifted.
한편, 도시하지는 않았지만, 보호 소자(40)도 본딩 와이어를 통해 상부 리드들(13a, 15a)에 전기적으로 연결될 수 있다.Although not shown, the protection element 40 may also be electrically connected to the upper leads 13a and 15a through a bonding wire.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이고, 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 절개 사시도이며, 도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 저면 사시도이고, 도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 15 is a schematic perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a schematic cutaway perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. 17 is a bottom perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, and FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 15 내지 도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 베이스 기판(10), 하우징(20), 발광 다이오드(30) 및 보호 소자(40)를 포함하며, 나아가, 글래스 형광체(50) 및 밀봉 수지(60)를 더 포함할 수 있다. 15 to 18, the light emitting diode package according to the present embodiment includes a base substrate 10, a housing 20, a light emitting diode 30, and a protection device 40, and further, a glass phosphor 50. ) And the sealing resin 60 may be further included.
베이스 기판(10)은 절연 기판(11), 제1 전극(13: 13a, 13b, 13c) 및 제2 전극(15; 15a, 15b, 15c)을 포함하고, 나아가 방열 패드(17)를 포함할 수 있다. 절연 기판(11)은 세라믹 기판일 수 있으며, 예를 들어, AlN 기판을 포함할 수 있다. AlN 기판은 고온 내구성이 좋고 방열 특성이 우수하다.The base substrate 10 may include an insulating substrate 11, first electrodes 13a, 13b, and 13c, and second electrodes 15; 15a, 15b, and 15c, and may further include a heat radiation pad 17. Can be. The insulating substrate 11 may be a ceramic substrate and may include, for example, an AlN substrate. AlN substrate has high temperature durability and good heat dissipation.
제1 전극(13) 및 제2 전극(15)은 각각 상부 리드들(13a, 15a), 하부 리드들(13c, 15c) 및 비아들(13b, 15b)을 갖는다. 상부 리드들(13a, 15a)은 절연 기판(11)의 상면에 배치된다. 하부 리드들(13c, 15c)은 절연 기판(11)의 하면에 배치되며, 비아들(13b, 15b)은 각각 절연 기판(11)을 관통하여 상부 리드들(13a, 15a)을 하부 리드들(13c, 15c)에 연결한다.The first electrode 13 and the second electrode 15 have upper leads 13a and 15a, lower leads 13c and 15c and vias 13b and 15b, respectively. The upper leads 13a and 15a are disposed on the upper surface of the insulating substrate 11. The lower leads 13c and 15c are disposed on the bottom surface of the insulating substrate 11, and the vias 13b and 15b penetrate the insulating substrate 11, respectively, to pass the upper leads 13a and 15a to the lower leads ( 13c, 15c).
일 실시예에서, 제1 및 제2 전극들(13, 15)은 다층 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어 Ni층/Cu층/Au층이 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. Ni층은 AlN 기판에 전극 패턴들의 접착력을 향상시키기 위해 사용되며, Au층은 Cu층의 산화를 방지하기 위해 사용되며, 또한, 후술되는 발광 다이오드(30)와의 접착력을 향상시키기 위해 사용된다. 또한, Cu층은 전류 및 열 전달을 위해 사용되며, Ni층 및 Au층에 비해 상대적으로 두꺼울 수 있다. 그러나 본 발명의 제1 및 제2 전극들(13, 15)이 상기 금속층들에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the first and second electrodes 13 and 15 may have a multilayer structure, for example, a multilayer structure in which a Ni layer / Cu layer / Au layer is stacked. The Ni layer is used to improve the adhesion of the electrode patterns to the AlN substrate, the Au layer is used to prevent oxidation of the Cu layer, and is also used to improve the adhesion to the light emitting diode 30 described later. In addition, the Cu layer is used for current and heat transfer, and may be relatively thick compared to the Ni layer and Au layer. However, the first and second electrodes 13 and 15 of the present invention are not limited to the metal layers.
한편, 방열패드(17)는 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c) 사이에 배치되며, 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)로부터 전기적으로 절연된다. 방열 패드(17)는 인쇄회로보드에 접촉하며, 특히, 메탈 PCB 등의 금속에 접촉하여 열 방출을 도울 수 있다. 방열 패드는(17)는 제1 및 제2 전극들(13, 15)과 동일한 재료로 형성될 수 있다.Meanwhile, the heat radiating pad 17 is disposed between the first and second lower leads 13c and 15c and is electrically insulated from the first and second lower leads 13c and 15c. The heat dissipation pad 17 is in contact with the printed circuit board, and in particular, may be in contact with a metal such as a metal PCB to help heat dissipation. The heat dissipation pad 17 may be formed of the same material as the first and second electrodes 13 and 15.
본 실시예에 있어서, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)은 서로 평행하게 배치되고, 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)은 서로 평행하게 배치된다. 또한, 방열 패드(17)는 제1 및 제1 하부 리드들(13c, 15b)보다 넓은 폭을 가지며 이들과 평행하게 배치된다. 한편, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)과 상기 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)은 서로 직교하도록 배치된다. 제1 및 제2 비아들(13b, 15b)은 각각 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)과 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)이 교차하는 영역에 형성될 수 있다. 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)이 방열 패드(17)와 직교하도록 배치되므로, 이들이 교차하는 영역의 면적을 증가시켜 방열 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.In the present embodiment, the first and second upper leads 13a and 15a are disposed in parallel to each other, and the first and second lower leads 13c and 15c are disposed in parallel to each other. In addition, the heat dissipation pad 17 has a wider width than the first and first lower leads 13c and 15b and is disposed in parallel therewith. Meanwhile, the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c are disposed to be orthogonal to each other. The first and second vias 13b and 15b may be formed in an area where the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c intersect, respectively. . Since the first and second upper leads 13a and 15a are disposed to be orthogonal to the heat radiating pad 17, the heat dissipation characteristics may be further improved by increasing the area of the area where they cross.
그러나 본 발명은 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)과 상기 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)은 서로 교차하도록 배치된 것에 한정되지 않으며, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)이 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)에 평행하게 배치될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)이 평행하게 배치되는 것에 한정되는 것은 아니며, 발광 다이오드 종류에 따라 다양하게 변형될 수 있다. However, the present invention is not limited to the first and second upper leads 13a and 15a and the first and second lower leads 13c and 15c disposed to cross each other, and the first and second upper leads. The fields 13a and 15a may be disposed parallel to the first and second lower leads 13c and 15c. In addition, the first and second upper leads 13a and 15a are not limited to being arranged in parallel, and may be variously modified according to the type of light emitting diode.
하우징(20)은 제1 캐비티(C1) 및 제2 캐비티(C2)를 가진다. 제1 캐비티(C1)는 발광 다이오드(30)가 실장되는 영역을 정의하고 제2 캐비티(C2)는 보호 소자(40)가 실장되는 영역을 정의한다.The housing 20 has a first cavity C1 and a second cavity C2. The first cavity C1 defines a region in which the light emitting diode 30 is mounted, and the second cavity C2 defines a region in which the protection element 40 is mounted.
제1 캐비티(C1)는 패키지의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 제1 캐비티(C1)는 측벽(21)으로 둘러싸인다. 측벽(21)은 발광 다이오드(30)에서 방출된 광을 반사시키기 위해 경사면을 가질 수 있다. 또한, 제1 캐비티(C1)는 평면도에서 보아 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 직사각형, 특히 정사각형 형상을 가질 수 있다. 여기서 회전 대칭은 회전체만을 의미하는 것은 아니며, 60도, 90도, 120도 또는 180도 등 특정 각도로 회전할 때 동일한 형상이 유지되는 것을 포함한다. 본 실시예에서는 제1 캐비티(C1)가 측벽(21)으로 완전히 둘러싸인 것에 대해 설명하지만, 다른 실시예에 있어서, 제1 캐비티(C1)의 측벽(21) 일부가 개방될 수 있다. 또한, 제1 캐비티(C1)의 형상은 사각형에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.The first cavity C1 may be disposed in the central area of the package. The first cavity C1 is surrounded by the side wall 21. The side wall 21 may have an inclined surface to reflect light emitted from the light emitting diode 30. In addition, the first cavity C1 may have a rotationally symmetrical shape when viewed in plan, and may have a rectangular, in particular square, shape. The rotation symmetry here does not mean only the rotating body, and includes the same shape is maintained when rotating at a specific angle, such as 60 degrees, 90 degrees, 120 degrees or 180 degrees. In the present exemplary embodiment, the first cavity C1 is completely surrounded by the sidewall 21, but in another exemplary embodiment, a part of the sidewall 21 of the first cavity C1 may be opened. In addition, the shape of the first cavity C1 is not limited to the quadrangle and may have various shapes as necessary.
한편, 측벽(21)의 상부면(23)을 따라 홈(23g)이 형성될 수 있다. 홈(23g)은 밀봉 수지(60)와 하우징의 (20)의 접착력을 향상 시킬 수 있다. 즉, 하우징(20)의 캐비티(C1, C2) 내에 밀봉 수지(60)가 형성될 경우, 상기 홈(23g) 내부에도 밀봉 수지(60)가 형성되어 밀봉 수지(60)를 하우징(20)에 고정 시킬 수 있다. 또한, 홈(23g)은 밀봉 수지(60)의 접착 면적을 증가시켜 밀봉 수지(60)가 하우징(20)으로부터 박리되는 것을 최소화할 수 있다. Meanwhile, a groove 23g may be formed along the upper surface 23 of the side wall 21. The groove 23g may improve the adhesion between the sealing resin 60 and the housing 20. That is, when the sealing resin 60 is formed in the cavities C1 and C2 of the housing 20, the sealing resin 60 is also formed inside the groove 23g so that the sealing resin 60 is formed in the housing 20. Can be fixed In addition, the groove 23g may increase the adhesion area of the sealing resin 60 to minimize the peeling of the sealing resin 60 from the housing 20.
하지만, 다른 실시예에 따라 측벽(21)의 상부면(23)은 홈(23g)을 포함하지 않고, 평평한 형태일 수 있다. 도 18의(b)를 참조하면, 측벽(21)의 상부면(23)은 홈(23g)이 형성되지 않은 평평한 형태를 갖는다. 도 18의 (b)에 개시된 발광 다이오드 패키지는 도 18의 (a)에 개시된 발광 다이오드 패키지와 비교하여 홈(23g)을 형성하기 위한 공정이 생략되므로, 공정이 간단해지는 이점이 있다. 여기서, 도 18의 (b)는 측벽(21)의 상부면(23)에 홈(23g)이 형성되지 않은 것을 대표적으로 나타내는 것이므로, 따라서 도 18의 (b)와 같이 측벽(21)의 상부면(23)이 홈(23g)을 포함하지 않은 구조는 다른 모든 도면에서 동일하게 적용될 수 있다.However, according to another exemplary embodiment, the upper surface 23 of the sidewall 21 may not include the groove 23g and may be flat. Referring to FIG. 18B, the upper surface 23 of the sidewall 21 has a flat shape in which no groove 23g is formed. In the light emitting diode package disclosed in FIG. 18B, the process for forming the grooves 23g is omitted in comparison with the light emitting diode package disclosed in FIG. 18A, and thus, the process may be simplified. Here, FIG. 18B is representatively showing that the groove 23g is not formed in the upper surface 23 of the side wall 21. Therefore, the upper surface of the side wall 21 as shown in FIG. The structure in which the 23 does not include the groove 23g can be equally applied to all other drawings.
제2 캐비티(C2)는 일부 측벽이 개방된 형상을 가진다. 특히, 제2 캐비티(C2)는 패키지 외부에 연통 될 수 있다. 제2 캐비티(C2)의 측벽이 개방되므로 보호 소자(40)를 실장할 때, 패키지 외부 영역이 작업 공간으로 활용될 수 있어 발광 다이오드 패키지를 소형화할 수 있다.The second cavity C2 has a shape in which some sidewalls are open. In particular, the second cavity C2 may communicate with the outside of the package. Since the sidewall of the second cavity C2 is opened, when the protection device 40 is mounted, an outer area of the package may be used as a work space, thereby miniaturizing the LED package.
한편, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)는 측벽(21) 일부를 사이에 두고 양측에 배치될 수 있다. 즉, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)는 측벽(21) 일부를 공유한다. 이에 따라, 도 18에 도시된 바와 같이, 측벽(21)은 제1 캐비티(C1) 측에 위치하는 내벽면(21a) 및 제2 캐비티(C2) 측에 위치하는 내벽면(21a)을 가질 수 있다. 한편, 제1 캐비티(C1) 측에 위치하는 내벽면(21a)은 발광 다이오드(30)에서 방출된 광을 반사시키도록 제2 캐비티(C2) 측에 위치하는 내벽면(21b)보다 완만하게 경사질 수 있다. 즉, 도 18의 (a)를 참조하면, 제1 캐비티(C1) 측에 위치하는 내벽면(21a)의 각도(21a-1)는 제2 캐비티(C2) 측에 위치하는 내벽면(21b)의 각도(21b-1) 보다 크다. 이는, 기판(11)과의 관계에서, 제1 캐비티(C1) 측에 위치하는 내벽면(21a)의 기울기가 제2 캐비티(C2) 측에 위치하는 내벽면(21b)의 기울기보다 작음을 의미한다. 이러한 캐비티(C1, C2) 측변의 기울기를 통해 발광 다이오드 패키지의 광 효율을 높일 수 있다.Meanwhile, the first cavity C1 and the second cavity C2 may be disposed at both sides with a part of the sidewall 21 interposed therebetween. That is, the first cavity C1 and the second cavity C2 share a part of the sidewall 21. Accordingly, as shown in FIG. 18, the side wall 21 may have an inner wall surface 21 a positioned on the side of the first cavity C1 and an inner wall surface 21 a positioned on the side of the second cavity C2. have. On the other hand, the inner wall surface 21a located on the side of the first cavity C1 is inclined more gently than the inner wall surface 21b located on the side of the second cavity C2 to reflect the light emitted from the light emitting diode 30. Can lose. That is, referring to FIG. 18A, the angle 21a-1 of the inner wall surface 21a positioned on the first cavity C1 side is the inner wall surface 21b positioned on the second cavity C2 side. Is larger than the angle 21b-1. This means that the inclination of the inner wall surface 21a located on the side of the first cavity C1 is smaller than the inclination of the inner wall surface 21b located on the side of the second cavity C2 in relation to the substrate 11. do. The light efficiency of the LED package may be increased by the slopes of the sides of the cavity C1 and C2.
또한, 제2 캐비티(C2)는 제1 캐비티(C1)보다 작은 크기를 가진다. 예컨대, 제1 캐비티(C1)는 제2 캐비티(C2)보다 2배 이상 클 수 있다. 상기 제2 캐비티(C2)는 베이스 기판(10)의 일측 가장자리를 따라 기다란 형상, 예컨대 기다란 직사각형 형상을 가질 수 있다.In addition, the second cavity C2 has a smaller size than the first cavity C1. For example, the first cavity C1 may be two times larger than the second cavity C2. The second cavity C2 may have an elongated shape, for example, an elongated rectangular shape, along one edge of the base substrate 10.
제1 캐비티(C1) 및 제2 캐비티(C2)는 하우징(20)에 의해 형성되며, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15), 특히, 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)을 노출시킨다.The first cavity C1 and the second cavity C2 are formed by the housing 20, and the first electrode 13 and the second electrode 15, in particular, the first and second upper leads 13a, 15a).
한편, 상기 하우징(20)은 절연 기판(11)과는 다른 재료, 예컨대 열경화성 또는 열가소성 수지로 형성될 수 있다. 하우징(20)은 반사율이 높은 수지로 형성될 수 있으며, 예를 들어, PPA(poly phthal amide), PCT(poly cyclohexylenedimethylene terephthalate), EMC(epoxy molding compount) 또는 SMC(silcone molding compound)로 형성될 수 있다. 특히, 상기 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC)는 고온에 강하고 반사율이 높아 자동차 헤드 램프와 같이 고출력을 요하는 발광 다이오드 패키지에 적합하게 사용될 수 있다. 또는 하우징(20)은 투명한 수지로 형성될 수 있다. 투명한 수지로 형성된 하우징(20)을 포함하는 발광 다이오드 패키지는 광의 지향성이 상대적으로 낮아질 수 있다. 이러한 발광 다이오드 패키지는 예를 들어 광의 분산이 요구되는 실내등, 특히 자동차용 실내등에 사용되기에 적합할 수 있다. 또는, 하우징(20)은 광의 흡수율이 높은 비반사 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 하우징(20)은 모든 파장의 광을 흡수하는 검정색 수지로 형성될 수 있다. 결과적으로, 하우징(20)은 반사율이 높은 수지, 투명 수지 또는 흡수 율이 높은 비반사 수지로 형성될 수 있다.The housing 20 may be formed of a material different from the insulating substrate 11, for example, a thermosetting or thermoplastic resin. The housing 20 may be formed of a resin having high reflectance, and may be formed of, for example, poly phthal amide (PPA), poly cyclohexylenedimethylene terephthalate (PCT), epoxy molding compount (EMC), or silicone molding compound (SMC). have. In particular, the silicon molding compound (SMC) is resistant to high temperatures and has a high reflectance, so that the silicon molding compound (SMC) may be suitably used in a light emitting diode package requiring high power such as an automobile head lamp. Alternatively, the housing 20 may be formed of a transparent resin. The light emitting diode package including the housing 20 formed of a transparent resin may have a relatively low directivity of light. Such a light emitting diode package may be suitable for use in, for example, an indoor light, particularly an automotive light, where dispersion of light is required. Alternatively, the housing 20 may be formed of an antireflective resin having a high light absorption rate. For example, the housing 20 may be formed of a black resin that absorbs light of all wavelengths. As a result, the housing 20 may be formed of a resin having a high reflectance, a transparent resin, or an antireflective resin having a high absorption rate.
하우징(20)은 상단면은 단차진 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 하우징(20)은 최상단면(27), 중간 상부면(25) 및 측벽(21) 상부면(23)을 포함할 수 있으며, 이들 사이에 단턱부들(25w, 27w)이 위치할 수 있다. 단턱부(25w, 27w), 중간 상부면(25) 및 측벽(21) 상부면(23)은 밀봉 수지(60)의 접착 면적을 증가시켜 밀봉 수지(60)가 하우징(20)으로부터 박리되는 것을 방지한다. 본 실시예에서 이중 단차진 상단면 구조에 대해 도시하고 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 더 많거나 더 적은 상단면이 형성될 수 있다.The upper surface of the housing 20 may have a stepped shape. For example, the housing 20 may include a top surface 27, a middle top surface 25, and a side surface 21, an upper surface 23, between which step portions 25w and 27w may be located. Can be. The stepped portions 25w and 27w, the middle top surface 25 and the side surface 21 upper surface 23 increase the adhesive area of the sealing resin 60 to prevent the sealing resin 60 from being peeled from the housing 20. prevent. In the present embodiment, a double stepped top surface structure is illustrated and described, but is not limited thereto. More or fewer top surfaces may be formed.
상기 최상단면(27)은 하우징(20)의 테두리를 구성한다. 다만, 제2 캐비티(C2)의 개방된 측벽 때문에, 테두리의 일부가 끊어진 형상을 가진다. 또한, 최상단면(27)의 일부에 캐소드 마크(27a)가 형성되어 캐소드 전극의 위치를 지정할 수 있다.The upper end surface 27 constitutes an edge of the housing 20. However, due to the open sidewall of the second cavity C2, a part of the edge has a broken shape. In addition, a cathode mark 27a is formed on a part of the uppermost end face 27 to designate the position of the cathode electrode.
발광 다이오드(30)는 제1 캐비티(C1) 내에서 제1 및 제2 상부 리드(13a, 15a) 상에 배치된다. 발광 다이오드(30)는 질화갈륨계 무기 반도체 발광 다이오드로서 청색 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드일 수 있다. 본 실시예에 있어서, 발광 다이오드(30)는 본딩 와이어 없이 실장 가능한 발광 다이오드로, 예컨대 플립칩형 발광 다이오드일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에 있어서, 본딩 와이어를 이용하는 수직형이나 수평형 발광 다이오드일 수도 있다.The light emitting diode 30 is disposed on the first and second upper leads 13a and 15a in the first cavity C1. The light emitting diode 30 may be a light emitting diode emitting blue or ultraviolet rays as a gallium nitride-based inorganic semiconductor light emitting diode. In the present embodiment, the light emitting diode 30 is a light emitting diode that can be mounted without a bonding wire, for example, may be a flip chip type light emitting diode. However, the present invention is not limited thereto, and in another embodiment, may be a vertical or horizontal light emitting diode using a bonding wire.
보호 소자(40)는 서지와 같은 고전압으로부터 발광 다이오드(30)를 보호한다. 보호 소자(40)는 예컨대 TVS(transient voltage suppressor) 다이오드나 제너 다이오드일 수 있다.The protection element 40 protects the light emitting diode 30 from a high voltage such as a surge. The protection element 40 may be, for example, a transient voltage suppressor (TVS) diode or a zener diode.
파장변환판(50)은 제1 캐비티(C1) 내에서 발광 다이오드(30)의 상면에 배치된다. 즉, 파장변환판(50)은 발광 다이오드(30)와 직접적으로 접속된 구조를 이룬다. 파장변환판(50)은 발광 다이오드(50)의 종류에 따라 발광 다이오드(30) 상면의 전체 또는 일부를 덮는 구조를 이룬다. 즉, 일 실시에에 따라 발광 다이오드(30)가 전원을 공급받기 위해 와이어 본딩이 필요한 형태인 경우, 파장변환판(50)은 상기 발광 다이오드(50) 상면에서 와이어 본딩이 필요한 영역을 제외한 나머지 영역을 덮을 수 있다. 다만, 발광 다이오드(50)가 별도의 와이어 본딩이 필요하지 않은 구조인 경우, 파장변환판(50)은 상기 발광 다이오드(30) 상면의 전체를 덮을 수 있다.The wavelength conversion plate 50 is disposed on the top surface of the light emitting diode 30 in the first cavity C1. That is, the wavelength conversion plate 50 forms a structure directly connected to the light emitting diode 30. The wavelength conversion plate 50 forms a structure covering all or part of the upper surface of the light emitting diode 30 according to the type of the light emitting diode 50. That is, when the light emitting diode 30 requires wire bonding in order to receive power, the wavelength conversion plate 50 may have a remaining area on the top surface of the light emitting diode 50 except for an area requiring wire bonding. Can cover. However, when the light emitting diode 50 does not require a separate wire bonding, the wavelength conversion plate 50 may cover the entire upper surface of the light emitting diode 30.
파장변환판(50)은 세라믹 플레이트에 파장변환 물질이 함유된 것으로, 예를 들어, 형광체를 함유시킨 글래스(phosphor in glass; PIG)나 SiC 기판에 형광체를 함유시킨 SiC 형광체가 있으며, 쿼츠에 형광체를 함유시킬 수도 있다. 이외에도 다양한 세라믹 플레이트 형광체가 가능하다. 또한, 형광체 이외에도 양자점과 같은 다른 파장변환 물질이 이용될 수 있다. 파장변환판(50)의 상부면은 측벽(21) 상부면(23)보다 위에 위치하며, 하우징(20)의 최상단면(27)보다 아래에 위치하고, 중간면(25)보다 위에 위치할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 파장변환판(50)의 상부면이 최상단면(27)보다 위에 위치할 수도 있다.The wavelength conversion plate 50 contains a wavelength conversion material in a ceramic plate. For example, there is a glass containing phosphor (PIG) or a SiC phosphor containing a phosphor in a SiC substrate, and a phosphor in quartz It may also contain. In addition, various ceramic plate phosphors are possible. In addition to phosphors, other wavelength converting materials such as quantum dots may be used. The upper surface of the wavelength conversion plate 50 may be positioned above the upper surface 23 of the side wall 21, may be positioned below the uppermost surface 27 of the housing 20, and may be positioned above the intermediate surface 25. . However, the present invention is not limited thereto, and the upper surface of the wavelength conversion plate 50 may be located above the upper end surface 27.
파장변환판(50)은 세라믹 플레이트를 이용함으로써, 종래의 형광체를 함유한 수지에 비해 견고하고 고온 내구성이 강하다. 파장변환판(50)은 직사각형 특히 정사각형 형상을 가질 수 있다. 특히, 파장변환판(50)은 발광 다이오드(30)와 동일하거나 유사한 형상을 가질 수 있다. 파장변환판(50)은 실리콘이나 에폭시 등을 이용하여 발광 다이오드(30)의 상면에 부착될 수 있다. By using the ceramic plate, the wavelength conversion plate 50 is stronger than the resin containing the conventional phosphor and has high temperature durability. The wavelength conversion plate 50 may have a rectangular shape, in particular a square shape. In particular, the wavelength conversion plate 50 may have the same or similar shape as the light emitting diode 30. The wavelength conversion plate 50 may be attached to the top surface of the light emitting diode 30 using silicon or epoxy.
한편, 밀봉 수지(60)는 제1 캐비티(C1) 내에서, 발광 다이오드(30)와 파장변환판(50) 주위의 나머지 공간을 채운다. 또한 밀봉 수지(60)는 측벽(21) 상부면(23) 및 중간면(25)을 덮을 수 있으며, 단턱부(25w)를 덮고 단턱부(27w)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 밀봉 수지(60)는 또한 파장변환판(50)의 측면을 덮어 파장변환판(50)이 하우징(20)내에서 발광 다이오드(30)에 견고하게 접착되도록 한다. 밀봉 수지(60)는 또한 하우징(20)의 제2 캐비티(C2)를 채울 수 있다. 밀봉 수지(60)는 투명한 실리콘이나 에폭시로 형성될 수 있다. Meanwhile, the sealing resin 60 fills the remaining space around the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50 in the first cavity C1. In addition, the sealing resin 60 may cover the upper surface 23 and the intermediate surface 25 of the sidewall 21, and may cover the stepped portion 25w and at least a portion of the stepped portion 27w. The sealing resin 60 also covers the side surface of the wavelength conversion plate 50 so that the wavelength conversion plate 50 is firmly adhered to the light emitting diode 30 in the housing 20. The sealing resin 60 may also fill the second cavity C2 of the housing 20. The sealing resin 60 may be formed of transparent silicone or epoxy.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.19 is a schematic perspective view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 설명한 실시예의 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나 밀봉 수지(60)가 백색 반사기로 형성된 것에 차이가 있다. 백색 반사기는 실리콘이나 에폭시 등의 수지에 백색 안료를 혼합한 재료로 형성될 수 있다. 또한, 폴리 카보네이트 또는 PCT 등의 반사기가 밀봉 수지로 사용될 수도 있다.Referring to FIG. 19, the LED package according to the present embodiment is generally similar to the LED package of the above-described embodiment, but there is a difference in that the sealing resin 60 is formed of a white reflector. The white reflector may be formed of a material in which a white pigment is mixed with a resin such as silicone or epoxy. In addition, a reflector such as polycarbonate or PCT may be used as the sealing resin.
백색 반사기를 이용하여 밀봉 수지(60)를 형성함으로써, 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 광은 대체로 파장변환판(50)을 통해서만 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 원하지 않는 광이 밀봉 수지(60)를 통해 방출되는 것을 차단할 수 있어 광의 지향 분포를 쉽게 제어할 수 있다.By forming the encapsulation resin 60 using the white reflector, light emitted from the light emitting diode package can be generally emitted to the outside only through the wavelength conversion plate 50. Thus, unwanted light can be prevented from being emitted through the sealing resin 60 so that the directivity distribution of the light can be easily controlled.
도 20 내지 도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 공정을 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다. 도면들에서 점선은 분할될 위치를 나타낸다.20 to 24 are schematic perspective views illustrating a light emitting diode package manufacturing process according to an embodiment of the present invention. The dashed lines in the figures indicate the positions to be divided.
우선, 도 20을 참조하면, 베이스 기판(10)이 마련된다. 베이스 기판(10)은 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 쌍을 복수 개 포함한다. 도면에는 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)만을 도시하지만, 도 15 내지 도 18를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 및 제2 비아들(13b, 15b)와 제1 및 제2 하부 리드들(13c, 15c)도 함께 포함된다. 도 20에는 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 서로 다른 두 쌍이 도시되어 있으나, 더 많은 쌍이 베이스 기판(10)에 제공될 수 있다.First, referring to FIG. 20, a base substrate 10 is provided. The base substrate 10 includes a plurality of pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15. Although only the first and second upper leads 13a and 15a are shown in the drawing, the first and second vias 13b and 15b and the first and second lower leads as described with reference to FIGS. 15 to 18 are illustrated. 13c and 15c are also included. Although two different pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15 are shown in FIG. 20, more pairs may be provided on the base substrate 10.
한편, 상기 두 쌍의 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)은 180도 회전 대칭 구조로 배치될 수 있다. 이들은 다시 페어를 형성한다. 베이스 기판(10) 상에는 이러한 페어들이 복수개 배치될 수 있다. 여기서, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)이 대칭구조로 배치된 것으로 설명하지만, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 형상 및 구조는 다양하게 변형될 수 있다. Meanwhile, the two pairs of the first electrode 13 and the second electrode 15 may be disposed in a 180 degree rotationally symmetrical structure. They again form a pair. A plurality of such pairs may be disposed on the base substrate 10. Here, although the first electrode 13 and the second electrode 15 are described as being arranged in a symmetrical structure, the shape and structure of the first electrode 13 and the second electrode 15 may be variously modified.
도 21을 참조하면, 베이스 기판(10) 상에 하우징(20)이 형성된다. 하우징(20)은 반사율이 높은 수지로 형성될 수 있다. 하우징(20)은 몰딩 기술을 이용하여 베이스 기판(10) 상에 형성될 수 있다. 하우징(20)은 제1 캐비티들(C1)의 쌍과 이들 제1 캐비티들 사이에 배치된 제2 캐비티(C2)를 포함한다. 제2 캐비티(C2)는 제1 캐비티(C1)와 동일한 크기로 형성될 수 있으나, 상대적으로 작은 보호 소자가 실장되기 때문에 제1 캐비티(C1)보다 작을 수 있다.Referring to FIG. 21, a housing 20 is formed on the base substrate 10. The housing 20 may be formed of a resin having high reflectance. The housing 20 may be formed on the base substrate 10 using molding techniques. The housing 20 includes a pair of first cavities C1 and a second cavity C2 disposed between these first cavities. The second cavity C2 may be formed to have the same size as the first cavity C1, but may be smaller than the first cavity C1 because a relatively small protective element is mounted.
한 쌍의 제1 캐비티들(C1)은 각각 서로 다른 제1 상부 리드(13a) 및 제2 상부 리드(15a)를 노출한다. 한편, 제2 캐비티(C2)는 서로 다른 두 쌍의 제1 상부 리드(13a)와 제2 상부 리드(15a)를 노출한다. 즉, 도 21에서 위쪽에 배치된 제1 캐비티(C1)는 제1 쌍의 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)를 노출하고, 아래쪽에 배치된 제1 캐비티(C1)는 제2 쌍의 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)를 노출한다. 또한, 제2 캐비티(C2)는 제1 쌍 및 제2 쌍의 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)를 노출한다.The pair of first cavities C1 expose different first upper leads 13a and second upper leads 15a, respectively. Meanwhile, the second cavity C2 exposes two different pairs of the first upper lead 13a and the second upper lead 15a. That is, in FIG. 21, the first cavity C1 disposed above exposes the first and second upper leads 13a and 15a of the first pair, and the first cavity C1 disposed below exposes the second. Expose the pair of first and second upper leads 13a, 15a. In addition, the second cavity C2 exposes the first and second pair of first and second upper leads 13a and 15a.
한편, 제1 캐비티들(C1)은 서로 동일한 크기를 가질 수 있다. 제2 캐비티(C2)는 제1 캐비티들(C1)과 동일한 크기를 가질 수 있으나 제1 캐비티들(C1)보다 작은 크기를 가질 수도 있다.Meanwhile, the first cavities C1 may have the same size. The second cavity C2 may have the same size as the first cavities C1 but may have a smaller size than the first cavities C1.
제1 및 제2 캐비티들(C1, C2)은 모두 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어 정사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 형상을 가질 수도 있다.Both the first and second cavities C1 and C2 may have a rotationally symmetrical shape, for example, may have a square shape. However, the present invention is not limited thereto and may have other shapes.
하우징(20)은 또한 앞서 도 15 내지 도 18를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 캐비티(C1)를 둘러싸는 측벽(21)의 상부면(23), 중간면(25) 및 최상단면(27)을 가질 수 있으며, 이들 사이에 단턱부들(25w, 27w)을 가질 수 있고 최상단면(27)에 캐소드 마크(27a)가 형성될 수 있다.The housing 20 also has an upper surface 23, a middle surface 25, and a top surface 27 of the side wall 21 surrounding the first cavity C1 as described above with reference to FIGS. 15 to 18. It may have a stepped portion (25w, 27w) between them, the cathode mark 27a may be formed on the top end surface 27.
도 22를 참조하면, 제1 캐비티들(C1) 내에 각각 발광 다이오드(30)가 실장되고, 제2 캐비티(C2) 내에 보호 소자(40)가 실장된다. 발광 다이오드(30)는 제1 캐비티(C1)에 노출된 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)에 플립 본딩될 수 있으며, 보호 소자(40)는 제2 캐비티(C2)에 노출된 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)에 플립 본딩될 수 있다.Referring to FIG. 22, a light emitting diode 30 is mounted in each of the first cavities C1, and a protection element 40 is mounted in the second cavity C2. The light emitting diode 30 may be flip bonded to the first and second upper leads 13a and 15a exposed to the first cavity C1, and the protection device 40 may be exposed to the second cavity C2. The first and second upper leads 13a and 15a may be flip bonded.
도 23을 참조하면, 제1 캐비티들(C1) 내의 발광 다이오드(30)의 상면에 파장변환판(50)들이 부착된다. 파장변환판(50)은 실리콘이나 에폭시를 이용하여 발광 다이오드(30)의 상면에 부착될 수 있다. 여기서, 파장변환판(50)이 발광 다이오드(30) 상면의 전체를 덮는 구조가 제시되어 있다. 하지만 발광 다이오드(30)가 와이어 본딩이 요구되는 구조인 경우, 파장변환판(50)은 발광 다이오드(30)의 와이어 본딩 부분을 노출시키도록 발광 다이오드(30)의 일부를 덮을 수 있다.Referring to FIG. 23, wavelength conversion plates 50 are attached to upper surfaces of the light emitting diodes 30 in the first cavities C1. The wavelength conversion plate 50 may be attached to the top surface of the light emitting diode 30 using silicon or epoxy. Here, the structure in which the wavelength conversion plate 50 covers the entire upper surface of the light emitting diode 30 is shown. However, when the light emitting diode 30 has a structure requiring wire bonding, the wavelength conversion plate 50 may cover a portion of the light emitting diode 30 to expose the wire bonding portion of the light emitting diode 30.
도 24를 참조하면, 이어서, 제1 캐비티(C1) 및 제2 캐비티(C2)를 채우는 밀봉 수지(60)가 형성된다. 밀봉 수지(60)는 파장변환판(50) 주위의 일부 공간을 채울 수 있다. 밀봉 수지(60)는 측벽(21) 상부면(23), 중간면(25)을 덮고 단턱부(25w) 및 단턱부(27w)의 일부를 덮을 수 있다. 나아가, 밀봉 수지(60)는 파장변환판(5)의 측면을 덮을 수 있다. 밀봉 수지(60)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투명 수지로 형성될 수 있다. 이와 달리, 백색 안료를 함유하는 에폭시 또는 실리콘과 같이 백색 반사기로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 24, a sealing resin 60 is then formed to fill the first cavity C1 and the second cavity C2. The sealing resin 60 may fill some space around the wavelength conversion plate 50. The sealing resin 60 may cover the upper surface 23 and the middle surface 25 of the sidewall 21 and may cover a part of the stepped portion 25w and the stepped portion 27w. Furthermore, the sealing resin 60 may cover the side surface of the wavelength conversion plate 5. The sealing resin 60 may be formed of a transparent resin such as epoxy or silicone. Alternatively, it may be formed with a white reflector such as epoxy or silicone containing a white pigment.
이어서, 베이스 기판(10)과 하우징(20)을 점선을 따라 분할함으로써 개별 발광 다이오드 패키지로 분할되어 발광 다이오드 패키지가 완성된다. 상기 베이스 기판(10)과 하우징(20)을 분할할 때, 특히, 제2 캐비티(C2)가 분할된다. 제2 캐비티(C2)는 동일한 크기로 양분될 수 있으며, 따라서, 동일한 발광 다이오드 패키지들이 제조될 수 있다.Subsequently, the base substrate 10 and the housing 20 are divided into individual light emitting diode packages by dividing along the dotted lines to complete the light emitting diode package. When dividing the base substrate 10 and the housing 20, in particular, the second cavity C2 is divided. The second cavity C2 can be divided into the same size, and therefore, the same light emitting diode packages can be manufactured.
본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법에 따르면, 보호 소자들(40)이 실장되는 제2 캐비티(C2)를 두 개의 발광 다이오드 패키지 영역이 공유한다. 이에 따라, 보호 소자(40)를 실장하기 위한 작업 공간을 확보할 수 있어 발광 다이오드 패키지를 소형화할 수 있다. 종래 기술에서는 제2 캐비티가 측벽으로 둘러싸여 있다. 그러나 제1 캐비티와 제2 캐비티를 서로 분리하면서 모두 측벽으로 둘러싸일 경우, 발광 다이오드와 보호 소자를 실장하기 위한 작업 공간이 측벽에 의해 제한되기 때문에 패키지를 소형화하기 어렵다. According to the LED package manufacturing method according to the present embodiment, two LED package regions share a second cavity C2 in which the protection devices 40 are mounted. As a result, a work space for mounting the protection element 40 can be secured, and the LED package can be miniaturized. In the prior art, the second cavity is surrounded by the side wall. However, when both the first cavity and the second cavity are separated from each other and surrounded by sidewalls, it is difficult to miniaturize the package because the work space for mounting the light emitting diode and the protection element is limited by the sidewalls.
도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도들이다.25 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
앞서 설명한 실시예들에서는 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 측벽(21)에 의해 서로 이격된 것에 대해 설명하였으나, 여기서는 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 서로 연통하는 것에 대해 설명한다.In the above-described embodiments, the first cavity C1 and the second cavity C2 have been described as being spaced apart from each other by the side wall 21, but here, the first cavity C1 and the second cavity C2 are separated from each other. Explain about communicating.
도 25(a)를 참조하면, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2) 사이에 배치된 측벽(21)의 일부가 개방되어 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 서로 연통한다. 개방되는 부분은 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 공유하는 측벽(21)의 중앙부분일 수 있다. Referring to FIG. 25A, a part of the sidewall 21 disposed between the first cavity C1 and the second cavity C2 is opened to allow the first cavity C1 and the second cavity C2 to each other. Communicate. The open portion may be a central portion of the sidewall 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2.
도 25(b)를 참조하면, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 공유하는 측벽(21)의 대부분이 개방될 수 있다. 따라서, 제2 캐비티(C2)는 패키지의 외부 및 제1 캐비티(C1)에 연통한다.Referring to FIG. 25B, most of the sidewalls 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2 may be opened. Thus, the second cavity C2 communicates with the outside of the package and the first cavity C1.
도 25(c)를 참조하면, 본 실시예의 경우, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 공유하는 측벽(21)의 높이가 다른 부분의 측벽(21)에 비해 상대적으로 낮게 형성되어, 제1 캐비티(C1)와 제2 캐비티(C2)가 서로 연통한다.Referring to FIG. 25C, the height of the side wall 21 shared by the first cavity C1 and the second cavity C2 is relatively lower than that of the side wall 21 of the other part. Thus, the first cavity C1 and the second cavity C2 communicate with each other.
도 26은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도 및 단면도이다. 구체적으로 도 26(a)는 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도를 나타내고, 도 26(b)는 절개 사시도 및 도 26(c)는 단면도를 나타낸다.26 is a perspective view and a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 26A illustrates a schematic perspective view for describing the LED package according to the present embodiment, FIG. 26B illustrates a cutaway perspective view, and FIG. 26C illustrates a cross-sectional view.
도 26(a) 내지 도 26(c)를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 도 1 내지 12를 통해 설명한 실시예들의 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나, 발광 다이오드(30)의 크기보다 파장변환판(50)의 크기가 더 큰 것에 차이가 있다.26 (a) to 26 (c), the LED package according to the present embodiment is generally similar to the LED package of the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 12, but the size of the LED 30 is shown. The difference is that the size of the wavelength conversion plate 50 is larger.
도 26(a) 내지 도 26(c)를 참조하면, 발광 다이오드(30) 상에 위치하는 파장변환판(50)의 크기는 발광 다이오드(30) 보다 더 크다. 여기서 크기는 발광 다이오드(30) 및 파장변환판(50)의 상부면 넓이를 의미한다. 따라서, 발광 다이오드(30) 및 파장변환판(50)의 두께는 한정되지 않는다. 일반적으로 발광 다이오드(30)의 활성층(미도시)에서 방출되는 광은 발광 다이오드(30)의 상부면 뿐만 아니라, 측면으로도 방출될 수 있다. 파장변환판(50)의 크기가 발광 다이오드(30)의 크기보다 큰 경우, 발광 다이오드(30)의 측면으로 방출되는 광의 전체 또는 그 일부가 파장변환판(50)에 의해 의도된 파장 대역으로 변환될 수 있다. 따라서, 파장변환판(50)의 크기가 발광 다이오드(30) 보다 큰 경우, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성이 높아질 수 있다. 26A to 26C, the size of the wavelength conversion plate 50 positioned on the light emitting diode 30 is larger than that of the light emitting diode 30. Here, the size means the width of the upper surface of the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50. Therefore, the thickness of the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50 is not limited. In general, the light emitted from the active layer (not shown) of the light emitting diode 30 may be emitted not only to the upper surface of the light emitting diode 30 but also to the side surface. When the size of the wavelength conversion plate 50 is larger than the size of the light emitting diode 30, all or part of the light emitted to the side of the light emitting diode 30 is converted into the wavelength band intended by the wavelength conversion plate 50. Can be. Therefore, when the size of the wavelength conversion plate 50 is larger than the light emitting diode 30, the reliability of the light emitting diode package may be increased.
도 27은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도 및 단면도이다. 구체적으로, 도 27(a)는 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 사시도를 나타내고, 도 27(b)는 절개 사시도 및 도 27(c)는 단면도를 나타낸다.27 is a perspective view and a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 27A shows a schematic perspective view for explaining the LED package according to the present embodiment, FIG. 27B shows a cutaway perspective view, and FIG. 27C shows a cross-sectional view.
도 27(a) 내지 도 27(c)를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 설명한 실시예들의 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나, 발광 다이오드(30)가 수직형 구조인 것에 차이가 있다.27 (a) to 27 (c), the light emitting diode package according to the present embodiment is generally similar to the light emitting diode package of the above-described embodiments, except that the light emitting diode 30 has a vertical structure. have.
플립칩 구조의 발광 다이오드(30)는 발광 다이오드를 플립 본딩하기 때문에, 본딩 와이어를 필요로 하지 않는다. 그러나 수직형이나 수평형 등의 발광 다이오드는 제1 및 제2 상부 리드(13a, 15a)에 전기적으로 연결하기 위해 본딩 와이어를 필요로 한다. 수직형 발광 다이오드(30a)는, 일반적으로 하면에 제1 전극을 가지며, 상면에 제2 전극을 갖는다. 따라서, 도 27(a) 내지 도 27(c)를 통해 도시한 바와 같이 발광 다이오드(30a)는 제1 상부 리드(15a) 상에 실장되고, 본딩 와이어(80)를 통해 제2 상부 리드(13a)에 전기적으로 연결될 수 있다.Since the flip-chip light emitting diode 30 flip-bonds the light emitting diode, it does not require a bonding wire. However, a light emitting diode such as a vertical type or a horizontal type requires a bonding wire to electrically connect to the first and second upper leads 13a and 15a. The vertical light emitting diode 30a generally has a first electrode on the lower surface and a second electrode on the upper surface. Accordingly, the light emitting diode 30a is mounted on the first upper lead 15a and the second upper lead 13a through the bonding wire 80 as shown in FIGS. 27A to 27C. ) Can be electrically connected.
수평형 발광 다이오드의 경우, 제1 전극 및 제2 전극이 모두 발광 다이오드의 상면측에 배치되므로, 이들 전극들이 모두 본딩 와이어들을 통해 제1 및 제2 상부 리드들(13a, 15a)에 전기적으로 연결될 것이다.In the case of a horizontal light emitting diode, since both the first electrode and the second electrode are disposed on the upper surface side of the light emitting diode, both of these electrodes are electrically connected to the first and second upper leads 13a and 15a through bonding wires. will be.
한편, 앞의 실시예들에 있어서, 발광 다이오드(30)는 제1 캐비티(C1)의 중앙에 위치한다. 그러나 본 실시예에서는 본딩 와이어(80)를 사용함에 따라 발광 다이오드(30a)가 제1 캐비티(C1)의 중앙에서 벗어날 수 있다. 또한, 앞의 실시예들에 있어서, 파장변환판(50)은 발광 다이오드(30)의 상면의 전체를 덮는다. 그러나, 본 실시예에서는 발광 다이오드(30) 상면의 일부에 와이어 본딩이 이루어 진다. 따라서 파장변환판(50)은 발광 다이오드(30)의 상면 중 와이어 본딩이 이루어지는 부분을 노출시키며 나머지 부분에서 발광 다이오드(30) 상면을 덮는다.Meanwhile, in the above embodiments, the light emitting diode 30 is positioned at the center of the first cavity C1. However, in the present embodiment, the light emitting diode 30a may deviate from the center of the first cavity C1 by using the bonding wire 80. In addition, in the above embodiments, the wavelength conversion plate 50 covers the entire upper surface of the light emitting diode 30. However, in this embodiment, wire bonding is performed on a part of the upper surface of the light emitting diode 30. Accordingly, the wavelength conversion plate 50 exposes a portion of the upper surface of the light emitting diode 30 to which wire bonding is made, and covers the upper surface of the light emitting diode 30 in the remaining portion.
한편, 도시하지는 않았지만, 보호 소자(40)도 본딩 와이어를 통해 상부 리드들(13a, 15a)에 전기적으로 연결될 수 있다. Although not shown, the protection element 40 may also be electrically connected to the upper leads 13a and 15a through a bonding wire.
도 28은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도이다.28 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 28을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 도 27을 통해 설명한 실시예의 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하나, 캐비티(C1', C3)의 구조에 있어서 차이가 있다.Referring to FIG. 28, the LED package according to the present embodiment is generally similar to the LED package of the embodiment described with reference to FIG. 27, but there are differences in the structures of the cavity C1 ′ and C3.
도 28에서는 도 27의 제1 캐비티(C1)가 두 개의 뚜렷한 제1 영역(C1') 및 제2 영역(C3)으로 구분되는 것을 특징으로 한다. 도 27 및 도 28에 개시된 발광 다이오드(30)는 예컨대 수직형 발광 다이오드로서, 본딩 와이어를 필요로 한다. 여기서, 도 28의 제1 영역(C1')은 발광 다이오드(30)가 실장되는 부분이고, 제2 영역(C3)은 본딩 와이어(80)가 상부 리드(13a)에 본딩되는 영역이다. 발광 다이오드(30)가 실장되는 제1 영역(C1')의 측벽(C1'-1)은 발광 다이오드(30)가 방출하는 빛을 발광 다이오드 패키지 위쪽으로 반사하는 역할을 수행하게 된다. 따라서, 측벽(C1'-1)은 빛을 반사하도록 완만한 경사면을 가진다. 하지만, 제2 영역(C3)은 본딩 와이어(80)를 상부 리드(13a)에 본딩하기 위한 부분으로, 제2 영역(C3)의 측벽(C3-1)은 측벽(C1'-1)의 경사면보다 급격한 경사면을 가진다. 제2 영역(C3)의 측벽(C3-1) 경사면을 급격하게 함으로써 패키지가 커지는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 제2 영역(C3)의 크기는 제1 영역(C1')에 비해 작게 형성될 수 있고, 본딩 와이어를 위한 최소한의 크기로 형성될 수 있다. In FIG. 28, the first cavity C1 of FIG. 27 is divided into two distinct first and second regions C1 ′ and C3. The light emitting diode 30 disclosed in FIGS. 27 and 28 is a vertical light emitting diode, for example, and requires a bonding wire. Here, the first region C1 ′ of FIG. 28 is a portion in which the light emitting diode 30 is mounted, and the second region C3 is a region in which the bonding wire 80 is bonded to the upper lead 13a. The sidewall C1 ′ -1 of the first region C1 ′ in which the light emitting diodes 30 are mounted serves to reflect the light emitted from the light emitting diodes 30 onto the light emitting diode package. Thus, the sidewall C1'-1 has a gentle slope to reflect light. However, the second region C3 is a portion for bonding the bonding wire 80 to the upper lead 13a, and the sidewall C3-1 of the second region C3 is an inclined surface of the sidewall C1'-1. Have a more steep slope. The package may be prevented from growing by sharpening the inclined surface of the sidewall C3-1 of the second region C3. Furthermore, the size of the second region C3 may be smaller than that of the first region C1 ′ and may be formed to a minimum size for the bonding wire.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도들이다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 앞서 도 15 내지 26을 통해 설명한 실시예의 발광 다이오드 패키지들과 대체로 유사하나, 발광 다이오드, 파장변환판의 모양 및 개수에 있어서 일부 차이가 있다.29 is a cross-sectional view for describing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. The LED package according to the present exemplary embodiment is generally similar to the LED package of the exemplary embodiment described with reference to FIGS. 15 to 26, but there are some differences in the shape and number of the LED and the wavelength conversion plate.
도 29(a) 및 도 29(b)를 참조하면, 제1 캐비티(C1) 내부에 2개의 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)가 실장 될 수 있다. 2개의 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)는 제1 캐비티(C1) 내에서 서로 이격되어 실장될 수 있다. 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)의 이격 거리는 측벽(21)과의 관계를 고려하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)의 이격거리는 각 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)와 측벽(21)과의 거리와 동일하게 결정될 수 있다.Referring to FIGS. 29A and 29B, two light emitting diodes 30 ′ -1 and 30 ′ -2 may be mounted in the first cavity C1. The two light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 may be mounted to be spaced apart from each other in the first cavity C1. The separation distance of the light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 may be determined in consideration of the relationship with the sidewall 21. For example, the separation distance of the light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 may be determined to be equal to the distance between the light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 and the sidewall 21.
도 29(a)에서의 발광 다이오드 패키지는 하나의 파장변환판(50')을 포함한다. 하나의 파장변환판(50')은 두 개의 발광 다이오드(30'-1, 30'-2) 상면을 덮을 수 있다. 파장변환판(50')은, 도 16(a)에 도시된 것처럼, 이격된 두 개의 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)의 상면을 덮도록 결정된 크기를 가질 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 파장변환판(50')은, 앞서 도 26에서 제시된 실시예에서와 같이, 두 개의 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)의 상면보다 넓은 영역을 커버하도록 결정된 크기를 가질 수 있다. 이를 통해 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)의 측면에서 방출된 광의 파장을 효율적으로 변화 시킬 수 있다. The light emitting diode package in FIG. 29A includes one wavelength conversion plate 50 ′. One wavelength conversion plate 50 'may cover the top surfaces of the two light emitting diodes 30'-1 and 30'-2. The wavelength conversion plate 50 ′ may have a size determined to cover the top surfaces of the two light emitting diodes 30 ′ -1 and 30 ′ -2 spaced apart from each other, as illustrated in FIG. 16A. However, it is not limited thereto. That is, the wavelength conversion plate 50 ′ may have a size determined to cover an area wider than the top surfaces of the two light emitting diodes 30 ′ -1 and 30 ′ -2, as in the embodiment shown in FIG. 26. have. Through this, the wavelength of the light emitted from the sides of the light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 can be efficiently changed.
다른 실시예로, 도 29(b)에서의 발광 다이오드 패키지는 두 개의 파장변환판(50'-1, 50'-2)을 포함한다. 두 개의 파장변환판(50'-1, 50'-2)은 두 개의 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)를 각각 덮는다. 여기서, 파장변환판(50'-1, 50'-2)의 크기는 도 28(b)에 도시된 것과 같이 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)의 크기와 동일할 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 도 26에서 제시된 실시예에서와 같이, 각각의 파장변환판(50'-1, 50'-2)의 크기는 각각의 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)의 크기보다 클 수 있다. 이를 통해 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)의 측면에서 방출된 광의 파장을 효율적으로 변화 시킬 수 있다. 여기서 크기는 발광 다이오드(30) 및 파장변환판(50)의 상부면 넓이를 의미할 수 있다.In another embodiment, the LED package of FIG. 29B includes two wavelength conversion plates 50'-1 and 50'-2. Two wavelength conversion plates 50'-1 and 50'-2 cover two light emitting diodes 30'-1 and 30'-2, respectively. Here, the size of the wavelength conversion plate 50'-1, 50'-2 may be the same as the size of the light emitting diodes 30'-1, 30'-2 as shown in FIG. However, the present invention is not limited thereto, and as in the exemplary embodiment illustrated in FIG. 26, the size of each wavelength converting plate 50 ′ -1 and 50 ′ -2 may correspond to each light emitting diode 30 ′ -1 and 30 ′ -2 May be larger than). Through this, the wavelength of the light emitted from the sides of the light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 can be efficiently changed. Here, the size may mean the width of the upper surface of the light emitting diode 30 and the wavelength conversion plate 50.
비록 도 29(a) 및 도 29(b)에서 제1 캐비티(C1) 내부에 2개의 발광 다이오드(30'-1, 30'-2)가 실장된 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않으며 3개 이상의 복수개의 발광 다이오드가 제1 캐비티(C1) 내부에 실장 될 수 있다. 도 15(b)에서 파장변환판의 개수는 2개 이상일 수 있고, 제1 캐비티(C1) 내에 실장된 발광 다이오드 개수와 동일하거나, 또는 더 작을 수 있다. 파장변환판의 개수가 발광 다이오드 개수보다 작은 경우, 개별적인 파장변환판이 커버하는 발광 다이오드 개수는 파장변환판 별로 상이해질 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 패키지가 5개의 발광 다이오드와 2개의 파장변환판을 포함하는 경우, 하나의 파장변환판은 3개의 발광 다이오드를 덮고 나머지 다른 파장변환판은 2개의 발광 다이오드를 덮을 수 있다. Although two light emitting diodes 30'-1 and 30'-2 are mounted inside the first cavity C1 in FIGS. 29A and 29B, the present invention is not limited thereto. The plurality of light emitting diodes may be mounted in the first cavity C1. In FIG. 15B, the number of wavelength conversion plates may be two or more, and may be equal to or smaller than the number of light emitting diodes mounted in the first cavity C1. When the number of wavelength conversion plates is smaller than the number of light emitting diodes, the number of light emitting diodes covered by the individual wavelength conversion plates may be different for each wavelength conversion plate. For example, when the light emitting diode package includes five light emitting diodes and two wavelength conversion plates, one wavelength conversion plate may cover three light emitting diodes and the other wavelength conversion plate may cover two light emitting diodes.
제1 캐비티(C1) 내부에 실장되는 발광 다이오드 개수가 증가함에 따라, 제2 캐비티(C2) 내에 실장되는 보호 소자의 개수도 증가할 수 있다. 즉, 제2 캐비티(C2) 내에 복수개의 보호 소자가 실장될 수 있다. As the number of light emitting diodes mounted in the first cavity C1 increases, the number of protection elements mounted in the second cavity C2 may also increase. That is, a plurality of protection elements may be mounted in the second cavity C2.
이상에서 본 발명의 다양한 실시예들에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이들 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형이 가능할 것이다. 또한, 하나의 실시예에서만 설명된 구성요소는 발명의 범위를 벗어자지 않는한 다른 실시예에도 적용될 수 있다.While various embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. In addition, the components described in only one embodiment may be applied to other embodiments without departing from the scope of the invention.

Claims (50)

  1. 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판;A base substrate having a first electrode and a second electrode;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽을 갖는 하우징;A housing disposed on the base substrate, the housing having sidewalls defining a first cavity for mounting a light emitting diode;
    상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And
    상기 발광 다이오드로부터 이격되어 상기 측벽 상에 배치된 파장변환판을 포함하는 발광 다이오드 패키지.And a wavelength conversion plate spaced apart from the light emitting diode and disposed on the sidewall.
  2. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 파장변환판은 세라믹 플레이트 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지.The wavelength conversion plate is a light emitting diode package comprising a ceramic plate phosphor.
  3. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 제1 캐비티의 측벽은 상기 제1 캐비티를 둘러싸는 발광 다이오드 패키지.The sidewalls of the first cavity surrounds the first cavity.
  4. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 제1 캐비티의 측벽 중 적어도 일부는 개방된 발광 다이오드 패키지.At least a portion of the sidewall of the first cavity is open LED package.
  5. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 발광 다이오드는 플립칩, 수직형 또는 수평형 발광 다이오드인 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package is a flip chip, vertical or horizontal light emitting diode package.
  6. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5,
    상기 발광 다이오드의 중심은 상기 파장변환판의 중심에 정렬된 발광 다이오드 패키지.The center of the light emitting diode is a light emitting diode package aligned with the center of the wavelength conversion plate.
  7. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5,
    상기 발광 다이오드의 중심은 상기 파장변환판의 중심에서 벗어난 발광 다이오드 패키지.The center of the light emitting diode is a light emitting diode package off the center of the wavelength conversion plate.
  8. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 제1 캐비티의 측벽은 그 상부면에 상기 제1 캐비티를 따라 형성된 홈을 가지는 발광 다이오드 패키지.The sidewall of the first cavity has a groove formed in the upper surface along the first cavity.
  9. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 제1 캐비티 내에서 상기 발광 다이오드를 덮는 투명 수지를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.The LED package of claim 1, further comprising a transparent resin covering the light emitting diode in the first cavity.
  10. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9,
    상기 투명 수지는 부분적으로 또는 완전히 상기 제1 캐비티를 채우는 발광 다이오드 패키지.And the transparent resin partially or completely fills the first cavity.
  11. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 파장변환판 주위의 공간을 적어도 부분적으로 채우는 밀봉 수지를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.And a sealing resin at least partially filling the space around the wavelength conversion plate.
  12. 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11,
    상기 밀봉 수지는 투명 수지 또는 백색 반사성 수지인 발광 다이오드 패키지.The sealing resin is a light emitting diode package is a transparent resin or a white reflective resin.
  13. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 베이스 기판은 절연 기판을 포함하고,The base substrate includes an insulating substrate,
    상기 제1 및 제2 전극은 각각,The first and second electrodes, respectively,
    상기 절연 기판 상에 배치된 상부 리드;An upper lead disposed on the insulating substrate;
    상기 절연 기판 하부에 배치된 하부 리드; 및A lower lead disposed under the insulating substrate; And
    상기 절연기판을 관통하여 상기 상부 리드와 하부 리드를 연결하는 비아를 포함하는 발광 다이오드 패키지.And a via penetrating the insulating substrate to connect the upper lead and the lower lead.
  14. 청구항 13에 있어서,The method according to claim 13,
    상기 절연 기판은 질화알루미늄 기판을 포함하는 발광 다이오드 패키지.The insulating substrate is a light emitting diode package comprising an aluminum nitride substrate.
  15. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,
    보호 소자를 더 포함하되,Further include a protective element,
    상기 하우징은 상기 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 더 포함하고,The housing further includes sidewalls defining a second cavity for mounting the protective element,
    상기 보호 소자는 상기 제2 캐비티 내에 실장된 발광 다이오드 패키지.The protection device is a light emitting diode package mounted in the second cavity.
  16. 청구항 15에 있어서,The method according to claim 15,
    상기 제2 캐비티의 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지 외부와 연통하도록 개방된 발광 다이오드 패키지.The sidewall of the second cavity is open to communicate with the outside of the LED package.
  17. 청구항 15에 있어서,The method according to claim 15,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 측벽을 공유하는 발광 다이오드 패키지.The LED package of the first cavity and the second cavity share a side wall.
  18. 청구항 15에 있어서,The method according to claim 15,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 연통하는 발광 다이오드 패키지.The first cavity and the second cavity communicate with each other.
  19. 발광 다이오드 패키지에 있어서,In the light emitting diode package,
    제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판;A base substrate having a first electrode and a second electrode;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽, 및 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 갖되, 상기 제2 캐비티의 일부 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지의 외부와 연통하도록 개방된 하우징;A sidewall disposed on the base substrate, the sidewall defining a first cavity for mounting a light emitting diode, and the sidewall defining a second cavity for mounting a protection element, wherein a portion of the sidewall of the second cavity is the light emitting diode; A housing open to communicate with the outside of the package;
    상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And
    상기 제2 캐비티 내에 실장된 보호 소자를 포함하는 발광 다이오드 패키지.A light emitting diode package comprising a protection element mounted in the second cavity.
  20. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19,
    상기 제1 캐비티와 제2 캐비티는 서로 공유하는 측벽에 의해 이격된 발광 다이오드 패키지.The first cavity and the second cavity are spaced apart by a side wall shared with each other.
  21. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19,
    상기 제1 캐비티와 제2 캐비티는 서로 연통하는 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 1, wherein the first cavity and the second cavity communicate with each other.
  22. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19,
    상기 제1 캐비티는 상기 제2 캐비티의 2배 이상의 크기를 가지는 발광 다이오드 패키지.The first cavity has a size greater than twice the size of the second cavity.
  23. 청구항 19에 있어서, The method according to claim 19,
    상기 제1 캐비티는 상기 베이스 기판의 중앙 영역 상에 배치된 발광 다이오드 패키지.The first cavity is disposed on the central area of the base substrate.
  24. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19,
    상기 제1 캐비티는 회전 대칭 형상을 가지며,The first cavity has a rotationally symmetrical shape,
    상기 제2 캐비티는 상기 베이스 기판의 일측 가장자리를 따라 기다란 형상을 가지는 발광 다이오드 패키지.The second cavity is a light emitting diode package having an elongated shape along one edge of the base substrate.
  25. 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판;A base substrate having a first electrode and a second electrode;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽을 갖는 하우징;A housing disposed on the base substrate, the housing having sidewalls defining a first cavity for mounting a light emitting diode;
    상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; 및A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes; And
    상기 발광 다이오드의 상면에 배치된 파장변환판을 포함하는 발광 다이오드 패키지.A light emitting diode package comprising a wavelength conversion plate disposed on an upper surface of the light emitting diode.
  26. 청구항 25에 있어서,The method according to claim 25,
    상기 파장변환판은 세라믹 플레이트 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지.The wavelength conversion plate is a light emitting diode package comprising a ceramic plate phosphor.
  27. 청구항 25에 있어서,The method according to claim 25,
    상기 제1 캐비티의 측벽은 상기 제1 캐비티를 둘러싸는 발광 다이오드 패키지.The sidewalls of the first cavity surrounds the first cavity.
  28. 청구항 25에 있어서,The method according to claim 25,
    상기 제1 캐비티의 측벽 중 적어도 일부는 개방된 발광 다이오드 패키지.At least a portion of the sidewall of the first cavity is open LED package.
  29. 청구항 25에 있어서,The method according to claim 25,
    상기 발광 다이오드는 플립칩, 수직형 또는 수평형 발광 다이오드인 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package is a flip chip, vertical or horizontal light emitting diode package.
  30. 청구항 29에 있어서,The method of claim 29,
    상기 파장변환판은 상기 발광 다이오드의 상면의 전체를 덮는 발광 다이오드 패키지.The wavelength conversion plate is a light emitting diode package covering the entire upper surface of the light emitting diode.
  31. 청구항 30에 있어서,The method of claim 30,
    상기 파장변환판의 크기는 상기 발광 다이오드의 크기보다 크거나 같은 발광 다이오드 패키지.The wavelength conversion plate is greater than or equal to the size of the light emitting diode package.
  32. 청구항 31에 있어서,The method according to claim 31,
    상기 파장변환판은 상기 발광 다이오드의 상면의 일부를 덮어 와이어 본딩부분을 노출시키는 발광 다이오드 패키지.The wavelength conversion plate covers a portion of the upper surface of the light emitting diode to expose a wire bonding portion.
  33. 청구항 25에 있어서,The method according to claim 25,
    상기 제1 캐비티의 측벽은 그 상부면에 상기 제1 캐비티를 따라 형성된 홈을 가지는 발광 다이오드 패키지.The sidewall of the first cavity has a groove formed in the upper surface along the first cavity.
  34. 청구항 25에 있어서,The method according to claim 25,
    상기 제1 캐비티 및 상기 파장변환판 주위 공간을 채우는 밀봉 수지를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.The LED package of claim 1, further comprising a sealing resin filling the space around the first cavity and the wavelength conversion plate.
  35. 청구항 34에 있어서,The method of claim 34, wherein
    상기 밀봉 수지는 투명 수지 또는 백색 반사성 수지인 발광 다이오드 패키지.The sealing resin is a light emitting diode package is a transparent resin or a white reflective resin.
  36. 청구항 25에 있어서,The method according to claim 25,
    상기 베이스 기판은 절연 기판을 포함하고,The base substrate includes an insulating substrate,
    상기 제1 및 제2 전극은 각각,The first and second electrodes, respectively,
    상기 절연 기판 상에 배치된 상부 리드;An upper lead disposed on the insulating substrate;
    상기 절연 기판 하부에 배치된 하부 리드; 및A lower lead disposed under the insulating substrate; And
    상기 절연기판을 관통하여 상기 상부 리드와 하부 리드를 연결하는 비아를 포함하는 발광 다이오드 패키지.And a via penetrating the insulating substrate to connect the upper lead and the lower lead.
  37. 청구항 36에 있어서,The method of claim 36,
    상기 절연 기판은 질화알루미늄 기판을 포함하는 발광 다이오드 패키지.The insulating substrate is a light emitting diode package comprising an aluminum nitride substrate.
  38. 청구항 25에 있어서,The method according to claim 25,
    보호 소자를 더 포함하되,Further include a protective element,
    상기 하우징은 상기 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 더 포함하고,The housing further includes sidewalls defining a second cavity for mounting the protective element,
    상기 보호 소자는 상기 제2 캐비티 내에 실장된 발광 다이오드 패키지.The protection device is a light emitting diode package mounted in the second cavity.
  39. 청구항 38에 있어서,The method of claim 38,
    상기 제2 캐비티의 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지 외부와 연통하도록 개방된 발광 다이오드 패키지.The sidewall of the second cavity is open to communicate with the outside of the LED package.
  40. 청구항 38에 있어서,The method of claim 38,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 측벽을 공유하는 발광 다이오드 패키지.The LED package of the first cavity and the second cavity share a side wall.
  41. 청구항 38에 있어서,The method of claim 38,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 연통하는 발광 다이오드 패키지.The first cavity and the second cavity communicate with each other.
  42. 청구항 25에 있어서,The method according to claim 25,
    상기 발광 다이오드는 적어도 2개 이상인 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package is at least two light emitting diodes.
  43. 청구항 42에 있어서,The method of claim 42,
    상기 파장변환판은 상기 적어도 2개 이상의 발광 다이오드의 상면에 배치되는 발광 다이오드 패키지.The wavelength conversion plate is a light emitting diode package disposed on the upper surface of the at least two light emitting diodes.
  44. 청구항 42에 있어서,The method of claim 42,
    상기 파장변환판은 적어도 2개 이상이고,The wavelength conversion plate is at least two,
    상기 적어도 2개 이상의 파장변환판은 상기 적어도 2개 이상의 발광 다이오드의 상면에 배치되는 발광 다이오드 패키지. The at least two wavelength conversion plate is a light emitting diode package disposed on the upper surface of the at least two light emitting diodes.
  45. 발광 다이오드 패키지에 있어서,In the light emitting diode package,
    제1 전극 및 제2 전극을 갖는 베이스 기판;A base substrate having a first electrode and a second electrode;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 발광 다이오드를 실장하기 위한 제1 캐비티를 정의하는 측벽, 및 보호 소자를 실장하기 위한 제2 캐비티를 정의하는 측벽을 갖되, 상기 제2 캐비티의 일부 측벽은 상기 발광 다이오드 패키지의 외부와 연통하도록 개방된 하우징;A sidewall disposed on the base substrate, the sidewall defining a first cavity for mounting a light emitting diode, and the sidewall defining a second cavity for mounting a protection element, wherein a portion of the sidewall of the second cavity is the light emitting diode; A housing open to communicate with the outside of the package;
    상기 제1 캐비티 내에 실장되어 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 접속된 발광 다이오드; A light emitting diode mounted in the first cavity and electrically connected to the first and second electrodes;
    상기 제1 캐비티 내에서, 상기 발광 다이오드 상면의 적어도 일부에 배치된 파장변환판; 및A wavelength conversion plate disposed in at least a portion of an upper surface of the light emitting diode in the first cavity; And
    상기 제2 캐비티 내에 실장된 보호 소자를 포함하는 발광 다이오드 패키지.A light emitting diode package comprising a protection element mounted in the second cavity.
  46. 청구항 45에 있어서,The method of claim 45,
    상기 제1 캐비티와 제2 캐비티는 서로 공유하는 측벽에 의해 이격된 발광 다이오드 패키지.The first cavity and the second cavity are spaced apart by a side wall shared with each other.
  47. 청구항 45에 있어서,The method of claim 45,
    상기 제1 캐비티와 제2 캐비티는 서로 연통하는 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 1, wherein the first cavity and the second cavity communicate with each other.
  48. 청구항 45에 있어서,The method of claim 45,
    상기 제1 캐비티는 상기 제2 캐비티의 2배 이상의 크기를 가지는 발광 다이오드 패키지.The first cavity has a size greater than twice the size of the second cavity.
  49. 청구항 45에 있어서, The method of claim 45,
    상기 제1 캐비티는 상기 베이스 기판의 중앙 영역 상에 배치된 발광 다이오드 패키지.The first cavity is disposed on the central area of the base substrate.
  50. 청구항 45에 있어서,The method of claim 45,
    상기 제1 캐비티는 회전 대칭 형상을 가지며,The first cavity has a rotationally symmetrical shape,
    상기 제2 캐비티는 상기 베이스 기판의 일측 가장자리를 따라 기다란 형상을 가지는 발광 다이오드 패키지.The second cavity is a light emitting diode package having an elongated shape along one edge of the base substrate.
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