KR102613008B1 - Conductive film and method for preparing the same - Google Patents

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Abstract

본 출원은 도전성 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 도전성 필름은 전기적 특성 및 투명성이 우수하면서도, 롤-투-롤 공정의 공정성을 개선할 수 있다.This application relates to conductive films and their manufacturing methods. The conductive film has excellent electrical properties and transparency, and can improve the fairness of the roll-to-roll process.

Description

도전성 필름 및 그 제조방법{Conductive film and method for preparing the same}Conductive film and method for manufacturing the same {Conductive film and method for preparing the same}

본 출원은 도전성 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다.This application relates to conductive films and their manufacturing methods.

투명 전극은 전지, 터치 패널, 디스플레이 등 다양한 분야에 사용된다. 일반적으로, 투명 전극은 유리나 플라스틱 소재의 투명 기재 상에 ITO와 같은 도전층을 형성하는 방식으로 제조된다. 그리고, 투명 전극은, 투명 기재와 도전층 사이에 소정의 기능을 발휘하는 층(기능층)을 더 포함하기도 한다. 이러한 경우 투명 전극은, 투명 기재 및 기능층을 포함하는 필름을 롤-투-롤(roll-to-roll) 방식을 통해 권출하면서, 증착을 통해 도전층을 형성하는 방식으로 제조될 수 있다. 이러한 롤-투롤 공정에서는 주행롤과 기능층 사이의 마찰로 인하여 필름의 비정상적인 주행이 일어날 수 있고, 그에 따라 투명 전극에 주름이 발생하거나 투명 전극이 접히는 것과 같은 불량이 발생할 수 있다.Transparent electrodes are used in various fields such as batteries, touch panels, and displays. Generally, transparent electrodes are manufactured by forming a conductive layer such as ITO on a transparent substrate made of glass or plastic. In addition, the transparent electrode may further include a layer (functional layer) that exerts a predetermined function between the transparent substrate and the conductive layer. In this case, the transparent electrode can be manufactured by forming a conductive layer through vapor deposition while unwinding a film including a transparent substrate and a functional layer through a roll-to-roll method. In this roll-to-roll process, abnormal running of the film may occur due to friction between the running roll and the functional layer, and as a result, defects such as wrinkles or folding of the transparent electrode may occur.

본 출원의 일 목적은 롤-투-롤을 이용한 도전성 필름의 제조 공정성을 개선할 수 있는 도전성 필름을 제공하는 것이다.One purpose of the present application is to provide a conductive film that can improve the manufacturing process of the conductive film using roll-to-roll.

본 출원의 다른 목적은 전기적 특성 및 투명성이 우수한 도전성 필름을 제공하는 것이다.Another object of the present application is to provide a conductive film with excellent electrical properties and transparency.

본 출원의 상기 목적 및 기타 그 밖의 목적은 하기 상세히 설명되는 본 출원에 의해 모두 해결될 수 있다.The above objects and other objects of the present application can all be solved by the present application described in detail below.

본 출원에 관한 일례에서, 본 출원은 투명 전극, 즉 투명 도전성 필름에 관한 것이다. 구체적으로, 본 출원은 도전층 및 기능층을 포함하는 도전성 필름에 관한 것이다.In one example relating to this application, this application relates to transparent electrodes, i.e. transparent conductive films. Specifically, this application relates to a conductive film including a conductive layer and a functional layer.

본 출원에서 「투명」이란 380 nm 내지 780 nm 범위 내의 파장, 구체적으로는 550 nm 파장인 가시광에 대한 투과율이 80 % 이상 또는 85 % 이상인 경우를 의미한다. 즉, 본 출원의 투명 도전성 필름은 상기 투과율을 만족한다.In this application, “transparent” means that the transmittance to visible light with a wavelength in the range of 380 nm to 780 nm, specifically 550 nm, is 80% or more or 85% or more. That is, the transparent conductive film of the present application satisfies the above transmittance.

상기 도전층은 전기 도전성을 갖는 층으로서, 소위 전극으로서의 기능을 수행할 수 있는 층을 의미할 수 있다. 투명성과 전기 도전성을 갖는 경우라면, 도전층을 형성하는 재료의 종류는 특별히 제한되지 않는다.The conductive layer is a layer having electrical conductivity and may refer to a layer that can function as a so-called electrode. As long as it has transparency and electrical conductivity, the type of material forming the conductive layer is not particularly limited.

하나의 예시에서, 상기 도전층은 투명 도전성 금속 산화물(tranparent conductive metal oxide)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide), In2O3(indium oxide), IGO(indium galium oxide), FTO(Fluor doped Tin Oxide), AZO(Aluminium doped Zinc Oxide), GZO(Galium doped Zinc Oxide), ATO(Antimony doped Tin Oxide), IZO(Indium doped Zinc Oxide), NTO(Niobium doped Titanium Oxide), ZnO(zink oxide) 또는 CTO (Cesium Tungsten Oxide)를 포함할 수 있다. 그러나, 투명 도전성 금속 산화물의 종류가 상기 나열된 것들에 제한되는 것은 아니다.In one example, the conductive layer may include transparent conductive metal oxide. For example, the conductive layer is ITO (Indium Tin Oxide), In 2 O 3 (indium oxide), IGO (indium galium oxide), FTO (Fluor doped Tin Oxide), AZO (Aluminum doped Zinc Oxide), GZO (Galium It may include doped zinc oxide (ATO), antimony doped tin oxide (ATO), indium doped zinc oxide (IZO), niobium doped titanium oxide (NTO), zinc oxide (ZnO), or cesium tungsten oxide (CTO). However, the types of transparent conductive metal oxide are not limited to those listed above.

하나의 예시에서, 상기 도전층은 상기 언급된 투명 도전성 금속 산화물 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 하나의 층 내에 2 이상의 투명 도전성 금속 산화물을 포함할 수 있다. 또는 상기 도전층은 2 이상의 층으로 구성된 적층 구조를 갖고, 각각의 층이 서로 상이한 투명 도전성 금속 산화물을 포함할 수도 있다.In one example, the conductive layer may include one or more of the transparent conductive metal oxides mentioned above. Specifically, one layer may include two or more transparent conductive metal oxides. Alternatively, the conductive layer may have a stacked structure composed of two or more layers, and each layer may include different transparent conductive metal oxides.

하나의 예시에서, 상기 도전층은 소정의 패턴을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 도전층은, 식각(에칭) 또는 포토리소그라피 등의 방법을 통해 형성된 영역으로서, 전기가 흐르는 영역과 전기가 흐르지 않는 영역을 모두 가질 수 있다.In one example, the conductive layer may have a predetermined pattern. For example, the conductive layer is a region formed through a method such as etching or photolithography, and may have both a region where electricity flows and a region where electricity does not flow.

상기 도전층은 상기 설명된 헤이즈 및/또는 투명성이 충족될 수 있도록, 그리고 도전층으로서 기능하기에 충분한 표면 저항과 기계적 강도를 제공할 수 있을 만큼의 두께를 가질 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 도전층은 300 nm 이하의 두께를 가질 수 있다. 상기 두께를 초과하는 경우에는 표면 저항이 상대적으로 낮아지는 효과를 볼 수 있기는 하지만, 도전층의 광에 대한 투과도가 저하할 수 있고, 크랙(crack)이 쉽게 발생하는 문제가 있을 수 있다. 그리고, 300 nm 이상의 두께를 초과하는 경우에는 비용이나 공정성 측면에서도 바람직하지 못하다. 구체적으로, 본 출원에서는 하기 설명되는 적정 수준의 표면 저항을 만족하고, 동시에 투명성과 기계적인 강도를 충분히 확보할 수 있도록, 250 nm 이하, 200 nm 이하, 150 nm 이하, 100 nm 이하, 50 nm 이하 두께의 도전층을 사용할 수 있다. 상기 도전층 두께의 하한은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 10 nm 이상, 15 nm 이상, 20 nm 이상, 25 nm 이상, 30 nm 이상, 35 nm 이상 또는 40 nm 이상일 수 있다.The conductive layer can have a thickness sufficient to meet the haze and/or transparency described above and to provide sufficient surface resistance and mechanical strength to function as a conductive layer. In one example, the conductive layer may have a thickness of 300 nm or less. If the thickness exceeds the above thickness, the surface resistance can be relatively lowered, but the light transmittance of the conductive layer may decrease and cracks may easily occur. Additionally, if the thickness exceeds 300 nm or more, it is undesirable in terms of cost and fairness. Specifically, in the present application, in order to satisfy the appropriate level of surface resistance described below and at the same time sufficiently secure transparency and mechanical strength, the thickness is 250 nm or less, 200 nm or less, 150 nm or less, 100 nm or less, and 50 nm or less. A conductive layer of any thickness can be used. The lower limit of the thickness of the conductive layer is not particularly limited, but may be, for example, 10 nm or more, 15 nm or more, 20 nm or more, 25 nm or more, 30 nm or more, 35 nm or more, or 40 nm or more.

하나의 예시에서, 상기 도전층은 40 내지 500 Ω/□ 범위 내의 표면 저항을 가질 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 적정 수준의 전기 도전성을 제공할 수 있다. 본 출원에 따르면 하기 설명되는 바와 같이 롤-투-롤 공정성 개선을 통해 안정적으로 도전층 형성되면서, 상기와 같은 도전층의 표면 저항이 확보될 수 있다.In one example, the conductive layer may have a surface resistance in the range of 40 to 500 Ω/□. When the above range is satisfied, an appropriate level of electrical conductivity can be provided. According to the present application, the surface resistance of the conductive layer as described above can be secured while the conductive layer is stably formed through improved roll-to-roll processability as described below.

상기 투명 도전성 필름은 기능층으로서 인덱스 매칭층을 포함한다. 상기 인덱스 매칭층은 도전층의 일면 상에 위치할 수 있다.The transparent conductive film includes an index matching layer as a functional layer. The index matching layer may be located on one side of the conductive layer.

특별히 달리 정의하지 않는 이상, 본 출원에서 층간 적층 위치와 관련하여 사용되는 「~ 상」 또는 「~ 상에」라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성 바로 위에 위치하는 경우뿐 아니라 이들 구성 사이에 제 3 의 구성이 개재되는 경우까지도 포함하는 의미로 사용될 수 있다.Unless specifically defined otherwise, the terms “on” or “on” used in relation to interlayer lamination positions in this application refer not only to the case where a component is located directly above another component, but also to a third layer between these components. It can be used to include even cases where composition is involved.

상기 인덱스 매칭층은 도전성 필름의 광학적 특성을 개선할 수 있다. 구체적으로, 상기 설명한 바와 같이, 도전층이 패턴을 갖는 경우, 도전성 금속 산화물이 존재하는 영역과 도전성 금속 산화물이 에칭된 영역을 동시에 가질 수 있는데, 이들 영역 사이에는 반사도 차이가 존재한다. 하기 설명되는 바와 같이 매트릭스와 입자를 갖는 인덱스 매칭층은 광학 간섭, 굴절 또는 산란에 의해 이들 영역의 반사도 차이를 줄임으로써 시인되는 패턴을 은폐하고 동시에 도전성 필름의 투과율을 향상 시키는 기능을 수행한다. 그 외에, 도전성 필름을 제공하는 과정에서 (유리나 플라스틱) 기재 상에 직접 증착층인 도전층을 형성하는 경우에는, 진공 공정의 플라즈마에 의해 기재 표면에 데미지가 발생하거나 공정 중 발생한 VOC(vcolatile organic chemicals)로 인해 도전층의 물성이 저하될 수 있는데, 상기 인덱스 매칭층이 기재층과 도전층 사이에 위치하는 경우에는 증착 공정에 대한 일종의 버퍼 역할을 수행할 수 있으므로 상기 언급된 문제를 예방하는 이점이 있다.The index matching layer can improve the optical properties of the conductive film. Specifically, as described above, when the conductive layer has a pattern, it can simultaneously have a region where the conductive metal oxide is present and a region where the conductive metal oxide is etched, and a difference in reflectivity exists between these regions. As explained below, the index matching layer having a matrix and particles functions to conceal the visible pattern by reducing the difference in reflectivity of these areas by optical interference, refraction or scattering and at the same time improves the transmittance of the conductive film. In addition, in the process of providing a conductive film, when forming a conductive layer, which is a vapor deposition layer, directly on a substrate (glass or plastic), damage to the substrate surface may occur due to the plasma of the vacuum process or VOC (vcolatile organic chemicals) generated during the process may occur. ) may cause the physical properties of the conductive layer to deteriorate. When the index matching layer is located between the base layer and the conductive layer, it can serve as a kind of buffer for the deposition process, so it has the advantage of preventing the problems mentioned above. there is.

상기 인덱스 매칭층은 매트릭스(matrix: M) 및 입자(particle: P)를 포함한다. 상기 매트릭스는 인덱스 매칭층에서 연속상을 형성하고, 상기 입자는 상기 연속상 내에 분산된 상태를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 인덱스 매칭층은, 그 일부분이 매트릭스 외부로 노출된 입자를 포함할 수 있다. 즉, 상기 인덱스 매칭층은 매트릭스(M) 및 입자(P)를 포함하고, 상기 입자(P)가 돌출된 표면(S)을 가질 수 있다. The index matching layer includes a matrix (M) and particles (P). The matrix forms a continuous phase in the index matching layer, and the particles may be dispersed within the continuous phase. Specifically, the index matching layer may include particles whose portion is exposed to the outside of the matrix. That is, the index matching layer includes a matrix (M) and particles (P), and the particles (P) may have a protruding surface (S).

상기 인덱스 매칭층은 돌출된 표면을 형성하는 입자를 포함한다.The index matching layer includes particles forming a protruding surface.

구체적으로, 입자(P)가 돌출된 표면(S)을 갖는 인덱스 매칭층은 하기 관계식 1을 만족하는 입자(P1)을 포함할 수 있다. 입자(P1)를 소정 함량 포함하는 경우, 표면 요철을 갖는 표면(S)를 형성할 수 있다.Specifically, the index matching layer having a surface (S) on which the particles (P) protrude may include particles (P1) that satisfy the following relational equation 1. When the particles (P1) are included in a predetermined amount, a surface (S) having surface irregularities can be formed.

[관계식 1][Relationship 1]

(DP1/TM) > 1 (D P1 /T M ) > 1

상기 관계식 1에서, DP1은 상기 인덱스 매칭층이 포함하는 입자(P1)의 입경을 의미하고, TM은 상기 인덱스 매칭층의 매트릭스가 갖는 두께를 의미한다.In equation 1, D P1 refers to the particle size of the particles P1 included in the index matching layer, and T M refers to the thickness of the matrix of the index matching layer.

입자의 입경은 공지된 방법에 따라 측정될 수 있다. 예를 들어 BET(Brunauer-Emmett-Telle) 비표면적 분석에 의해서 상기 입경을 측정 또는 정의할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 관계식 1은 소정 입경을 갖는 상기 입자가 실제로 차지하는 매트릭스 공간에서 가장 높게 측정된 매트릭스 두께(TM)와의 관계를 의미할 수 있고, 또는 소정 입경을 갖는 상기 입자가 실제로 차지하는 매트릭스 공간에서 측정된 매트릭스의 평균 두께(TM)와의 관계를 의미할 수도 있다. 또 하나의 예시에서, 상기 관계식 1은 상기 언급된 방법에 따라 측정된 매트릭스의 두께 평균값(TM)과 사용된 입자의 입경 간 관계를 의미할 수 있다.The particle size of the particles can be measured according to known methods. For example, the particle size can be measured or defined by BET (Brunauer-Emmett-Telle) specific surface area analysis. In one example, the relational equation 1 may mean the relationship between the highest measured matrix thickness (T M ) in the matrix space actually occupied by the particles having a predetermined particle size, or the matrix thickness actually occupied by the particles having a predetermined particle size. It may also mean the relationship with the average thickness (T M ) of the matrix measured in space. In another example, the relational expression 1 may mean the relationship between the average thickness value (T M ) of the matrix measured according to the above-mentioned method and the particle size of the particles used.

즉, 상기 인덱스 매칭층은 매트릭스의 두께 보다 더 큰 입경을 갖는 입자(P1)을 포함할 수 있다.That is, the index matching layer may include particles P1 having a particle diameter larger than the thickness of the matrix.

상기 관계식 1을 만족하는 입경의 입자(P1)은 인덱스 매칭층의 표면에 요철을 형성할 수 있다. 그리고, 상기 요철은 하기 설명되는 최대 표면 조도 및/또는 마찰계수를 부여할 수 있다. 롤-투-롤을 통해 권출되는 인덱스 매칭층 상에 ITO와 같은 도전층을 형성하는 경우, 주행롤과 인덱스 매칭층 사이의 마찰로 인한 공정 불량이 발생할 수 있다. 그러나, 본 출원에서는 상기 관계식 1을 만족하는 입자가 돌출된 표면(S)를 갖는 인덱스 매칭층이 사용되기 때문에, 롤에 권취되었던 인덱스 매칭층이 권출되면서 발생할 수 있는 정전기를 감소시키고, 인덱스 매칭층의 마찰력도 감소시킬 수 있다. 결과적으로, 종래 기술에서 발생하던 롤-투-롤 공정 불량을 예방하고, 도전성 필름의 품질도 개선할 수 있다. Particles (P1) with a particle size that satisfies the above equation 1 may form irregularities on the surface of the index matching layer. In addition, the irregularities can provide maximum surface roughness and/or friction coefficient as described below. When forming a conductive layer such as ITO on the index matching layer unrolled through roll-to-roll, process defects may occur due to friction between the running roll and the index matching layer. However, in the present application, since an index matching layer having a surface (S) on which particles satisfying the above relational expression 1 protrudes is used, static electricity that may occur when the index matching layer wound on a roll is unwound is reduced, and the index matching layer Friction can also be reduced. As a result, roll-to-roll process defects that occurred in the prior art can be prevented and the quality of the conductive film can be improved.

하나의 예시에서, 상기 인덱스 매칭층은, 인덱스 매칭층의 매트릭스 형성을 위한 수지 성분 100 중량부 대비, 상기 관계식 1을 만족하는 입자(P1)을 0.5 내지 15 중량부 범위 내로 포함할 수 있다. 이때, 상기 함량 비율은 인덱스 매칭층 형성을 위한 조성물에서 고형분에 대한 중량 비율이다. 예를 들어, 상기 입자(P1)의 함량은 1 중량부 이상, 2 중량부 이상, 3 중량부 이상, 4 중량부 이상 또는 5 중량부 이상일 수 있고, 그 상한은 14 중량부 이하, 13 중량부 이하, 12 중량부 이하, 11 중량부 이하 또는 10 중량부 이하일 수 있다. 입자의 함량이 상기 범위를 초과할 경우에는 도전성 필름의 헤이즈(haze)가 높아지는 것과 같이 도전성 필름의 투과율(투명성)이 저하될 수 있다. 또한, 과량의 입자는 인덱스 매칭층 상에 형성되는 도전층의 강도를 약화시킬 수 있고, 그에 따라 도전성 필름의 품질을 저하시킬 수 있다.In one example, the index matching layer may include 0.5 to 15 parts by weight of particles (P1) satisfying the relational equation 1, based on 100 parts by weight of the resin component for forming the matrix of the index matching layer. At this time, the content ratio is the weight ratio to the solid content in the composition for forming the index matching layer. For example, the content of the particles (P1) may be 1 part by weight or more, 2 parts by weight or more, 3 parts by weight or more, 4 parts by weight or more, or 5 parts by weight or more, and the upper limit is 14 parts by weight or less, 13 parts by weight or less. Hereinafter, it may be 12 parts by weight or less, 11 parts by weight or less, or 10 parts by weight or less. If the particle content exceeds the above range, the transmittance (transparency) of the conductive film may decrease as the haze of the conductive film increases. Additionally, excessive particles may weaken the strength of the conductive layer formed on the index matching layer, thereby deteriorating the quality of the conductive film.

하나의 예시에서, 상기 입자(P1)는 인덱스 매칭층의 매트릭스가 갖는 두께(TM) 보다 2.5 배 이하, 2.4 배 이하, 2.3 배 이하, 2.2 배 이하, 2.1 배 이하, 2.0 배 이하, 1.9 배 이하, 1.8 배 이하, 1.7 배 이하, 1.6 배 이하, 1.5 배 이하, 1.4 배 이하, 1.3 배 이하, 1.2 배 이하 또는 1.1 배 이하의 직경(DP1)을 가질 수 있다.In one example, the particles (P1) have a thickness of 2.5 times or less, 2.4 times or less, 2.3 times or less, 2.2 times or less, 2.1 times or less, 2.0 times or less, and 1.9 times the thickness (T M ) of the matrix of the index matching layer. Hereinafter, it may have a diameter (D P1 ) of 1.8 times or less, 1.7 times or less, 1.6 times or less, 1.5 times or less, 1.4 times or less, 1.3 times or less, 1.2 times or less, or 1.1 times or less.

하나의 예시에서, 상기 인덱스 매칭층은 돌출된 표면을 형성하는 입자(P1) 외에, 필름의 광학 특성을 개선하는데 기여하는 입자를 동시에 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 인덱스 매칭층은 하기 관계식 2를 만족하는 입자(P2)를 더 포함할 수 있다.In one example, the index matching layer may simultaneously include particles that contribute to improving the optical properties of the film in addition to the particles (P1) forming the protruding surface. Specifically, the index matching layer may further include particles (P2) that satisfy the following relational equation 2.

[관계식 2][Relational Expression 2]

(DP2/TM) ≤ 1(D P2 /T M ) ≤ 1

상기 관계식 2에서, DP2는 상기 인덱스 매칭층이 포함하는 입자(P2)의 입경을 의미하고, TM은 상기 인덱스 매칭층의 매트릭스가 갖는 두께를 의미한다. 입경이나 두께, 그리고 이들의 관계에 관한 측정 방법 등은 상기 설명한 바와 동일하다.In equation 2, D P2 refers to the particle size of the particles P2 included in the index matching layer, and T M refers to the thickness of the matrix of the index matching layer. The measurement method for particle size, thickness, and their relationship is the same as described above.

관계식 2를 만족하는 입자(P2)는, 빛의 산란 등을 유도하여 인덱스 매칭층에 대하여 투명성을 부여할 수 있다. Particles (P2) satisfying Relation 2 can provide transparency to the index matching layer by inducing light scattering.

하나의 예시에서, 상기 인덱스 매칭층은, 인덱스 매칭층의 매트릭스 형성을 위한 수지 성분 100 중량부 대비, 상기 관계식 2를 만족하는 입자(P2)을 200 중량부 이하로 포함할 수 있다. 이때, 상기 함량 비율은 인덱스 매칭층 형성을 위한 조성물에서 고형분에 대한 중량 비율이다. 예를 들어, 상기 입자(P2)의 함량은 0 중량부 이상, 5 중량부 이상, 10 중량부 이상, 15 중량부 이상, 20 중량부 이상, 25 중량부 이상, 30 중량부 이상, 35 중량부 이상, 40 중량부 이상, 45 중량부 이상, 50 중량부 이상, 55 중량부 이상, 60 중량부 이상, 65 중량부 이상, 70 중량부 이상, 75 중량부 이상, 80 중량부 이상, 85 중량부 이상, 90 중량부 이상, 95 중량부 이상 또는 100 중량부 이상 포함할 수 있다. 그리고 상기 함량의 상한은 예를 들어, 190 중량부 이하, 180 중량부 이하, 170 중량부 이하, 160 중량부 이하, 150 중량부 이하, 140 중량부 이하, 130 중량부 이하, 120 중량부 이하 또는 110 중량부 이하일 수 있다. 상기 함량 범위로 입자(P2)를 사용하는 경우, 적절한 투명성과 투과율을 확보할 수 있다. 입자의 함량이 상기 범위를 초과할 경우에는 색감(yellow index) 변화가 일어날 수 있다. 또한, 과량의 입자는 인덱스 매칭층 상에 형성되는 도전층의 강도를 약화시킬 수 있고, 그에 따라 도전성 필름의 품질을 저하시킬 수 있다. In one example, the index matching layer may include 200 parts by weight or less of particles (P2) satisfying the relational equation 2, based on 100 parts by weight of the resin component for forming the matrix of the index matching layer. At this time, the content ratio is the weight ratio to the solid content in the composition for forming the index matching layer. For example, the content of the particles (P2) is 0 parts by weight or more, 5 parts by weight or more, 10 parts by weight or more, 15 parts by weight or more, 20 parts by weight or more, 25 parts by weight or more, 30 parts by weight or more, 35 parts by weight or more. or more, 40 parts by weight or more, 45 parts by weight or more, 50 parts by weight or more, 55 parts by weight or more, 60 parts by weight or more, 65 parts by weight or more, 70 parts by weight or more, 75 parts by weight or more, 80 parts by weight or more, 85 parts by weight or more It may contain more than 90 parts by weight, more than 95 parts by weight, or more than 100 parts by weight. And the upper limit of the content is, for example, 190 parts by weight or less, 180 parts by weight or less, 170 parts by weight or less, 160 parts by weight or less, 150 parts by weight or less, 140 parts by weight or less, 130 parts by weight or less, 120 parts by weight or less. It may be 110 parts by weight or less. When particles (P2) are used in the above content range, appropriate transparency and transmittance can be secured. If the particle content exceeds the above range, a change in color (yellow index) may occur. Additionally, excessive particles may weaken the strength of the conductive layer formed on the index matching layer, thereby deteriorating the quality of the conductive film.

본 출원에서, 상기 표면 요철을 갖는 인덱스 매칭층은 소정의 특성을 만족할 수 있다. 바꾸어 말하면, 상기 도전성 필름은, 본 출원의 기술적 사상을 해하지 않는 범위 내에서, 하기 특성을 만족할 수 있도록 입자를 포함할 수 있다.In the present application, the index matching layer having the surface irregularities may satisfy predetermined characteristics. In other words, the conductive film may contain particles so as to satisfy the following characteristics within a range that does not impair the technical spirit of the present application.

하나의 예시에서, 상기와 같이 소정 관계식을 만족하는 입자를 포함하는 인덱스 매칭층의 표면(S)은 15 내지 100 nm 범위 내의 최대 표면 조도(Rmax)를 가질 수 있다. 상기 최대 표면 조도는, 인덱스 매칭층의 표면(S)가 갖는 최대 높이와 최저 높이의 차이를 의미하며, 하기 실험례에서 설명되는 방법에 따라 측정될 수 있다. 구체적으로, 상기 표면(S)의 최대 표면 조도는 16 nm 이상, 17 nm 이상, 18 nm 이상, 19 nm 이상, 20 nm 이상, 21 nm 이상, 22 nm 이상, 23 nm 이상, 24 nm 이상 또는 25 nm 이상일 수 있다. 그리고, 그 상한은 예를 들어, 90 nm 이하, 85 nm 이하, 80 nm 이하, 75 nm 이하, 70 nm 이하, 65 nm 이하, 60 nm 이하, 55 nm 이하 또는 50 nm 이하일 수 있다. 매트릭스 외부로 노출된 입자를 갖는 상기 표면(S)가 상기 범위 내의 최대 표면 조도를 갖는 경우 하기 설명되는 수준의 마찰계수를 가질 수 있기 때문에 롤-투-롤 공정의 불량을 예방할 수 있고, 하기 실험례에서 확인되듯이 투명 도전성 필름에 대하여 낮은 헤이즈를 제공할 수 있다.In one example, the surface (S) of the index matching layer including particles satisfying a predetermined relational expression as described above may have a maximum surface roughness (R max ) within the range of 15 to 100 nm. The maximum surface roughness refers to the difference between the maximum and minimum heights of the surface (S) of the index matching layer, and can be measured according to the method described in the experimental examples below. Specifically, the maximum surface roughness of the surface (S) is 16 nm or more, 17 nm or more, 18 nm or more, 19 nm or more, 20 nm or more, 21 nm or more, 22 nm or more, 23 nm or more, 24 nm or more, or 25 nm or more. It may be more than nm. And, the upper limit may be, for example, 90 nm or less, 85 nm or less, 80 nm or less, 75 nm or less, 70 nm or less, 65 nm or less, 60 nm or less, 55 nm or less, or 50 nm or less. When the surface (S) with particles exposed to the outside of the matrix has a maximum surface roughness within the above range, it can have a friction coefficient at a level described below, thereby preventing defects in the roll-to-roll process, and in the experiment below As confirmed in the examples, low haze can be provided for transparent conductive films.

하나의 예시에서, 상기 표면(S)는 도전층의 일면과 마주하거나 도전층의 일면과 직접 접하는 구성일 수 있다. 표면(S) 상에 도전층이 형성될 경우, 롤-투-롤 공정성을 개선하고, 도전층의 손상을 방지할 수 있다.In one example, the surface S may face one side of the conductive layer or may be in direct contact with one side of the conductive layer. When a conductive layer is formed on the surface S, roll-to-roll processability can be improved and damage to the conductive layer can be prevented.

하나의 예시에서, 상기 표면 조도를 만족하는 인덱스 매칭층의 표면(S)에서 관찰되는 입자의 개수는, 0.2 내지 3.0 개/㎛2 범위 이내일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 적절한 수준의 필름 투명성을 확보하면서도, 본 출원의 목적을 달성할 수 있을 만큼의 마찰계수 및/또는 표면 조도가 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 인덱스 매칭층의 표면(S)에서 단위면적(㎛2) 당 관찰되는 입자(P1) 의 개수는 0.3 개/㎛2 이상, 0.4 개/㎛2 이상, 0.5 개/㎛2 이상, 0.6 개/㎛2 이상, 0.7 개/㎛2 이상, 0.8 개/㎛2 이상, 0.9 개/㎛2 이상, 1.0 개/㎛2 이상, 1.1 개/㎛2 이상, 1.2 개/㎛2 이상, 1.3 개/㎛2 이상, 1.4 개/㎛2 이상, 1.5 개/㎛2 이상, 1.6 개/㎛2 이상, 1.7 개/㎛2 이상, 1.8 개/㎛2 이상, 1.9 개/㎛2 이상, 또는 2.0 개/㎛2 이상일 수 있고, 그리고 2.9 개/㎛2 이하, 2.8 개/㎛2 이하, 2.7 개/㎛2 이하 또는 2.6 개/㎛2 이하일 수 있다. 입자의 개수가 상기 범위를 초과한다는 것은 표면(S)에 돌출된 입자의 개수가 과도할 수 있다는 것으로, 인덱스 매칭층이나 도전성 필름의 강도가 저하할 수 있고, 오히려 공정성에 악영향을 줄 수 있기도 하다. 또한, 입자의 개수가 상기 범위 미만인 경우에는 본 출원의 목적을 달성하기 어려울 수 있다. 다만, 상기와 같은 입자의 개수는, 하기 실험례에서 설명하는 바와 같이 서로 다른 영역에 대하여 관찰된 입자 개수에 대한 평균값이기 때문에, 상기 단위면적당 입자의 개수는 상기 관계식 1을 만족하는 입자가 인덱스매칭층에 포함되었는지 여부와 본 출원의 목적을 달성할 수 있을 만큼의 적절한 표면 조도 및/또는 마찰계수가 확보될 수 있는지에 대한 판단 기준 중 하나일 뿐이다.In one example, the number of particles observed on the surface (S) of the index matching layer that satisfies the surface roughness may be within the range of 0.2 to 3.0 particles/㎛ 2 . When the above range is satisfied, a friction coefficient and/or surface roughness sufficient to achieve the purpose of the present application can be provided while securing an appropriate level of film transparency. For example, the number of particles (P1) observed per unit area (㎛ 2 ) on the surface (S) of the index matching layer is 0.3 particles / ㎛ 2 or more, 0.4 particles / ㎛ 2 or more, 0.5 particles / ㎛ 2 or more. , 0.6 pieces/μm 2 or more, 0.7 pieces/μm 2 or more, 0.8 pieces/μm 2 or more, 0.9 pieces/μm 2 or more, 1.0 pieces/μm 2 or more, 1.1 pieces/μm 2 or more, 1.2 pieces/μm 2 or more, 1.3 pieces/μm 2 or more, 1.4 pieces/μm 2 or more, 1.5 pieces/μm 2 or more, 1.6 pieces/μm 2 or more, 1.7 pieces/μm 2 or more, 1.8 pieces/μm 2 or more, 1.9 pieces/μm 2 or more, or It may be 2.0 pieces/μm 2 or more, and may be 2.9 pieces/μm 2 or less, 2.8 pieces/μm 2 or less, 2.7 pieces/μm 2 or less, or 2.6 pieces/μm 2 or less. If the number of particles exceeds the above range, it means that the number of particles protruding from the surface (S) may be excessive, which may lower the strength of the index matching layer or conductive film and may even have a negative effect on processability. . Additionally, if the number of particles is less than the above range, it may be difficult to achieve the purpose of the present application. However, since the number of particles as described above is an average value of the number of particles observed in different areas as explained in the experimental examples below, the number of particles per unit area is index matched if the particles that satisfy the above relational equation 1 It is only one of the criteria for determining whether it is included in the layer and whether appropriate surface roughness and/or friction coefficient can be secured to achieve the purpose of this application.

하나의 예시에서, 상기 표면 조도를 만족하는 인덱스 매칭층은 소정 범위의 정지 마찰계수를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 인덱스 매칭층의 표면(S)는 1.0 이하의 정지 마찰계수를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 마찰계수는 0.9 이하, 0.8 이하, 0.7 이하, 0.6 이하 또는 0.5 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 마찰계수는 1 회 이상 측정될 수 있다. 측정되는 동안 마찰계수는 일정한 값을 보일 수 있다. 또는 2 회 이상 측정된 일정한 값의 마찰계수 값이 하나의 값에 수렴하는 모습을 보일 수 있다. 상기 정지 마찰계수는 하기 실험례에서와 같은 방법으로 측정될 수 있다.In one example, the index matching layer that satisfies the surface roughness may have a coefficient of static friction within a predetermined range. Specifically, the surface (S) of the index matching layer may have a static friction coefficient of 1.0 or less. More specifically, the friction coefficient may be 0.9 or less, 0.8 or less, 0.7 or less, 0.6 or less, or 0.5 or less. For example, the friction coefficient may be measured more than once. During measurement, the coefficient of friction may show a constant value. Alternatively, the friction coefficient value of a certain value measured two or more times may appear to converge to one value. The static friction coefficient can be measured in the same way as in the experimental example below.

상기 설명된 관계식과 요철 형상에 관한 수치를 만족할 수 있다면, 인덱스 매칭층 형성에 사용되는 입자(P)의 형태는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 인덱스 매칭층이 포함하는 입자(P)의 형태는 판상형, 침상형, 무정형, 또는 구형일 수 있다.The shape of the particles P used to form the index matching layer is not particularly limited, as long as the above-described relational expression and numerical values for the concave-convex shape can be satisfied. For example, the shape of the particles P included in the index matching layer may be plate-shaped, needle-shaped, amorphous, or spherical.

하나의 예시에서, 상기 입자(P)는 등방성 구형 입자일 수 있다. 등방성 구형을 갖는 경우, 인덱스 매칭층 내 입자의 배열 방향과 무관하게, 매트릭스 내에서 입자의 분포 정도나 형태가 균일하게 유지될 수 있고, 본 출원에서 요구되는 인덱스 매칭층의 특성을 만족하는데 유리할 수 있다.In one example, the particle (P) may be an isotropic spherical particle. In the case of having an isotropic spherical shape, regardless of the arrangement direction of the particles in the index matching layer, the degree of distribution or shape of the particles can be maintained uniformly within the matrix, which can be advantageous in satisfying the characteristics of the index matching layer required in the present application. there is.

상기 설명된 관계식 1 및 2 를 만족하는데 장애가 되지 않는다면, 인덱스 매칭층 형성에 사용되는 입자(P)의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 하나의 예시에서, 상기 입자로는 NaF, MgF2, CaF2, BaF2, SiO2, CeF3, Al2O3, ZrO2, TiO2, ZnS, ZnSe 또는 Ta2O5 와 같은 무기 입자가 사용될 수 있다. 또 하나의 예시에서, 상기 입자로는 알콕시 실란과 같은 유무기 하이브리드 입자가 사용될 수 있다. 또 하나의 예시에서, 상기 입자로는 나열된 것들로 구성된 그룹으로부터 선택되는 2 이상이 사용될 수 도 있다.The type of particles (P) used to form the index matching layer is not particularly limited, as long as there is no obstacle to satisfying the above-described relations 1 and 2. In one example, the particles include inorganic particles such as NaF, MgF 2 , CaF 2 , BaF 2 , SiO 2 , CeF 3 , Al 2 O 3 , ZrO 2, TiO 2 , ZnS, ZnSe, or Ta 2 O 5 can be used In another example, the particles may be organic-inorganic hybrid particles such as alkoxy silane. In another example, two or more particles selected from the group consisting of those listed may be used as the particles.

하나의 예시에서, 상기 입자의 굴절률은 1.30 내지 2.7 범위 내일 수 있고, 목적하는 효과를 고려하여, 각 입자의 굴절률과 직경이 적절히 조절될 수 있다.In one example, the refractive index of the particles may be in the range of 1.30 to 2.7, and considering the desired effect, the refractive index and diameter of each particle may be appropriately adjusted.

하나의 예시에서, 상기 인덱스 매칭층은 경화성 수지와 입자를 포함하는 조성물의 경화물일 수 있다. 이 경우, 매트릭스는 경화성 수지로부터 유래한 구성일 수 있다. In one example, the index matching layer may be a cured product of a composition containing a curable resin and particles. In this case, the matrix may be of composition derived from a curable resin.

경화성 수지의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 실리콘 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 및/또는 우레탄계 수지 등이 매트릭스 형성에 사용될 수 있다. 경화성 관능기에 의해서 매트릭스를 형성하는 조성물에 대하여 열 경화 또는 UV 경화되거나, 열 경화 및 UV 경화가 함께 진행될 수 있다.The type of curable resin is not particularly limited. For example, silicone resin, acrylic resin, epoxy resin, and/or urethane resin can be used to form the matrix. The composition forming the matrix by the curable functional group may be heat-cured or UV-cured, or heat-cured and UV-cured together.

상기 조성물은 경화제 또는 개시제를 포함할 수 있다. 경화제 또는 개시제는 전술한 유기물 및 무기물을 경화시킬 수 있으며, 예를 들어, 열 경화, UV 경화 또는 열 및 UV경화를 진행시킬 수 있다.The composition may include a curing agent or initiator. A curing agent or initiator can cure the above-mentioned organic and inorganic materials, for example, heat curing, UV curing, or heat and UV curing.

상기 경화제는 예를 들면, 아민 경화제, 이미다졸 경화제, 페놀 경화제, 인 경화제 또는 산무수물 경화제 등의 일종 또는 이종 이상을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The curing agent may be, for example, one or more types of amine curing agents, imidazole curing agents, phenol curing agents, phosphorus curing agents, or acid anhydride curing agents, but is not limited thereto.

하나의 예시에서 상기 경화제로는, 상온에서 고상이고, 융점 또는 분해 온도가 80℃이상인 이미다졸 화합물을 사용할 수 있다. 이러한 화합물로는, 예를 들면, 2-메틸 이미다졸, 2-헵타데실 이미다졸, 2-페닐 이미다졸, 2-페닐-4-메틸 이미다졸 또는 1-시아노에틸-2-페닐 이미다졸 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 경화제의 함량은, 조성물의 조성, 예를 들면, 유기물의 종류나 비율에 따라서 선택될 수 있다.In one example, the curing agent may be an imidazole compound that is solid at room temperature and has a melting point or decomposition temperature of 80°C or higher. Such compounds include, for example, 2-methyl imidazole, 2-heptadecyl imidazole, 2-phenyl imidazole, 2-phenyl-4-methyl imidazole or 1-cyanoethyl-2-phenyl imidazole, etc. This may be exemplified, but is not limited thereto. The content of the hardener may be selected depending on the composition of the composition, for example, the type or ratio of organic matter.

또한, 개시제는 열이나 UV에 의해 분해되어 반응을 촉진하는 물질을 만드는 양이온 개시제 또는 라디칼 개시제를 포함할 수 있다.Additionally, the initiator may include a cationic initiator or a radical initiator that is decomposed by heat or UV to create a substance that promotes the reaction.

상기 양이온 개시제는 양이온 광개시제 또는 양이온 열개시제일 수 있다. 양이온 광개시제로는, 오늄 염(onium salt) 또는 유기금속염(organometallic salt) 계열의 이온화 양이온 개시제 또는 유기 실란 또는 잠재성 황산(latent sulfonic acid) 계열이나 비이온화 양이온 광중합 개시제를 사용할 수 있다. 오늄염 계열의 개시제로는, 디아릴이오도늄 염(diaryliodonium salt), 트리아릴술포늄 염(triarylsulfonium salt) 또는 아릴디아조늄 염(aryldiazonium salt) 등이 예시될 수 있고, 유기금속 염 계열의 개시제로는 철 아렌(iron arene) 등이 예시될 수 있으며, 유기 실란 계열의 개시제로는, o-니트릴벤질 트리아릴 실리 에테르(o-nitrobenzyl triaryl silyl ether), 트리아릴 실리 퍼옥시드(triaryl silyl peroxide) 또는 아실 실란(acyl silane) 등이 예시될 수 있고, 잠재성 황산 계열의 개시제로는 α-설포닐옥시 케톤 또는 α-히드록시메틸벤조인 설포네이트 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The cationic initiator may be a cationic photoinitiator or a cationic thermal initiator. As the cationic photoinitiator, an ionized cationic initiator of the onium salt or organometallic salt series, or an organic silane or latent sulfonic acid series or a non-ionized cationic photopolymerization initiator may be used. Examples of the onium salt series initiator include diaryliodonium salt, triarylsulfonium salt, or aryldiazonium salt, and may be used as an organometallic salt series initiator. Examples of zero include iron arene, and examples of organic silane-based initiators include o-nitrobenzyl triaryl silyl ether and triaryl silyl peroxide. Alternatively, acyl silane may be used, and latent sulfuric acid-based initiators may include α-sulfonyloxy ketone or α-hydroxymethylbenzoin sulfonate, but are not limited thereto. .

양이온 열개시제는 이미다졸 및 초강산의 4차 암모늄염 (예를 들어, SbF6의 4차 암모늄 염) 등과 그 혼합물을 포함한다.Cationic thermal initiators include imidazole and quaternary ammonium salts of super acids (e.g., quaternary ammonium salts of SbF6) and mixtures thereof.

라디칼 개시제는 광개시제 또는 열개시제일 수 있다. 광개시제의 구체적인 종류는 경화 속도 및 황변 가능성 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 예를 들면, 벤조인계, 히드록시 케톤계, 아미노 케톤계 또는 포스핀 옥시드계 광개시제 등을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤조인 n-부틸에테르, 벤조인 이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아니노 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤(thioxanthone), 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논 디메틸케탈, p-디메틸아미노 안식향산 에스테르, 올리고[2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판논] 및 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥시드 등을 사용할 수 있다.The radical initiator may be a photoinitiator or a thermoinitiator. The specific type of photoinitiator may be appropriately selected considering curing speed and yellowing potential. For example, benzoin-based, hydroxy ketone-based, amino ketone-based, or phosphine oxide-based photoinitiators can be used, and specifically, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin isopropyl ether. , Benzoin n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, acetophenone, dimethylanino acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2 -Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1one, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propane-1- On, 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl-2-(hydroxy-2-propyl)ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4 -Dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, benzyldimethylketal, acetophenone dimethylketal, p-dimethylamino benzoic acid ester, oligo[2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methyl Vinyl)phenyl]propanone] and 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide can be used.

하나의 예시에서, 상기 인덱스 매칭층 형성을 위한 조성물은 광경화성 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 단관능 (메타)아크릴레이트 또는 다관능 (메타)아크릴레이트를 포함할 수 있다. 단관능 (메타)아크릴레이트로는 알킬 (메타) 아크릴레이트, 보다 구체적으로, 옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 팔미틸(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트 또는 이소스테아릴 (메타)아크릴레이트가 사용될 수 있다. 또한, 다관능 아크릴레이트로는, 다관능 우레탄 아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트(EGDA), 디프로필렌글리콜디아크릴레이트(Dipropylene glycol diacrylate; DPGDA), 비스페놀 A계 또는 비스페놀 F계 등의 에폭시를 포함하는 에폭시 아크릴레이트, 폴리에테르 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트라이/테트라아크릴레이트 (pentaerythritol tri/tetraacrylate; PETA), 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexa-acrylate, DPHA), 트라이메틸올프로판 트라이아크릴레이트 (trimethylolpropane triacrylate; TMPTA) 및 헥사메틸렌 다이아크릴레이트 (hexamethylene diacrylate; HDDA)가 사용될수 있다. 그러나, 상기 나열된 물질들로 한정되는 것은 아니다.In one example, the composition for forming the index matching layer may include a photocurable compound. For example, it may include monofunctional (meth)acrylate or polyfunctional (meth)acrylate. Monofunctional (meth)acrylates include alkyl (meth)acrylate, more specifically, octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, Uryl (meth)acrylate, palmityl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate or isostearyl (meth)acrylate can be used. In addition, polyfunctional acrylates include polyfunctional urethane acrylate, ethylene glycol diacrylate (EGDA), dipropylene glycol diacrylate (DPGDA), and epoxies such as bisphenol A or bisphenol F. Epoxy acrylate, polyether triacrylate, pentaerythritol tri/tetraacrylate (PETA), dipentaerythritol hexa-acrylate (DPHA), trimethylolpropane triacrylate ( trimethylolpropane triacrylate (TMPTA) and hexamethylene diacrylate (HDDA) may be used. However, it is not limited to the materials listed above.

하나의 예시에서, 상기 수지 성분을 포함하는 조성물이 경화되는 경우, 수지 성분으로부터 형성되는 매트릭스는 20 nm 이상, 25 nm 이상, 30 nm 이상, 35 nm 이상, 40 nm 이상, 또는 45 nm 이상의 두께를 가질 수 있다. 본 출원에서, 상기 매트릭스의 두께는 공지된 방법, 예를 들어 SEM(HR-SEM, S-4800, Hitachi 社)이나 TEM(FE-TSEM, TITAN G2 ChemiSTEM 80-200, FEI 社)에 의한 단면 이미지 관찰을 통해서 측정될 수 있다. 또는 XRR(X'Petr Pro MRD XRD, PANalytical 社)을 사용하여 인접하는 층 간 전자밀도 차이를 분석하고, 두께 진동(thickness oscillation)을 유추하는 방식으로 상기 매트릭스의 두께가 측정될 수 있다. 이때, 상기 매트릭스의 두께는, 도전성 필름을 그 표면에 대한 법선 방향에서 관찰할 때, 표면의 여러 지점에서 측정된 두께 값에 대한 평균값일 수 있다. 매트릭스 수지의 두께 상한은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 200 nm 이하, 150 nm 이하 또는 100 nm 이하일 수 있고, 보다 구체적으로는 90 nm 이하, 85 nm 이하, 80 nm 이하, 75 nm 이하, 70 nm 이하, 65 nm 이하, 60 nm 이하 또는 55 nm 이하일 수 있다.In one example, when the composition comprising the resin component is cured, the matrix formed from the resin component has a thickness of at least 20 nm, at least 25 nm, at least 30 nm, at least 35 nm, at least 40 nm, or at least 45 nm. You can have it. In the present application, the thickness of the matrix is determined by known methods, such as cross-sectional images by SEM (HR-SEM, S-4800, Hitachi) or TEM (FE-TSEM, TITAN G2 ChemiSTEM 80-200, FEI). It can be measured through observation. Alternatively, the thickness of the matrix can be measured by analyzing the electron density difference between adjacent layers using XRR (X'Petr Pro MRD XRD, PANalytical) and inferring thickness oscillation. At this time, the thickness of the matrix may be an average value of thickness values measured at various points on the surface when the conductive film is observed in the normal direction to the surface. The upper limit of the thickness of the matrix resin is not particularly limited, but may be, for example, 200 nm or less, 150 nm or less, or 100 nm or less, and more specifically, 90 nm or less, 85 nm or less, 80 nm or less, 75 nm or less, 70 nm or less. It may be less than or equal to 65 nm, less than or equal to 60 nm or less than or equal to 55 nm.

하나의 예시에서, 상기 구성을 갖는 인덱스 매칭층은 1.45 내지 1.8 범위 내의 굴절률을 가질 수 있다.In one example, the index matching layer having the above configuration may have a refractive index in the range of 1.45 to 1.8.

하나의 예시에서, 상기 도전성 필름은 기재를 더 포함할 수 있다. 도전성 필름이 기재를 더 포함하는 경우, 상기 도전성 필름은 기재, 인덱스 매칭층, 및 도전층을 순차로 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 인덱스 매칭층의 표면(S)는 도전층을 마주하는 표면이거나 상기 도전층의 일면과 직접 접하는 표면일 수 있다. In one example, the conductive film may further include a substrate. When the conductive film further includes a substrate, the conductive film may sequentially include a substrate, an index matching layer, and a conductive layer. In this case, the surface S of the index matching layer may be a surface facing the conductive layer or a surface directly in contact with one surface of the conductive layer.

기재의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 기재는 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리(메타)아크릴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리아세탈계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지 또는 폴리페닐렌설파이드계 수지 등을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 폴리올레핀계 수지로는 COP (cyclic olefin polymer) 또는 COC (cyclic olefin copolymer)가 사용될 수 있다.The type of substrate is not particularly limited. For example, the base material may be polyester-based resin, acetate-based resin, polyether-based resin, polycarbonate-based resin, poly(meth)acrylic resin, polystyrene-based resin, polyolefin-based resin, polyimide-based resin, polyamide-based resin. , polyvinyl chloride-based resin, polyacetal-based resin, polyvinylidene chloride-based resin, or polyphenylene sulfide-based resin. More specifically, COP (cyclic olefin polymer) or COC (cyclic olefin copolymer) may be used as the polyolefin resin.

상기 기재층의 두께 역시 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 구체적으로는 3 내지 300 ㎛ 정도일 수 있다.The thickness of the base layer is also not particularly limited, and may be, for example, 1 ㎛ or more, specifically 3 to 300 ㎛.

하나의 예시에서, 상기 도전층은 인덱스 매칭층의 일면 상에 직접 위치할 수 있다. 즉, 상기 도전층은 상기 인덱스 매칭층의 표면(S) 상에 직접 형성된 구성일 수 있다. 이러한 경우, 상기 인덱스 매칭층과 도전층의 계면에서 상기 입자(P)의 전부 또는 일부는 매트릭스 외부로 돌출하여 존재하고, 상기 인덱스 매칭층은 상기 입자(P1)에 의해 부여된 소정의 표면 조도를 가질 수 있다.In one example, the conductive layer may be located directly on one side of the index matching layer. That is, the conductive layer may be formed directly on the surface (S) of the index matching layer. In this case, all or part of the particles (P) protrude outside the matrix at the interface between the index matching layer and the conductive layer, and the index matching layer maintains a predetermined surface roughness provided by the particles (P1). You can have it.

상기 도전성 필름은 공지의 요소를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 앵커층, 유전체층, 점착제층 또는 접착제층이 포함될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The conductive film may further include known elements. For example, an anchor layer, a dielectric layer, an adhesive layer, or an adhesive layer may be included, but are not limited thereto.

하나의 예시에서, 상기 도전성 필름은 하드코팅층을 더 포함할 수 있다. 하드코팅층은 필름에 대하여 강도를 부여할 수 있는 층을 의미한다. In one example, the conductive film may further include a hard coating layer. The hard coating layer refers to a layer that can provide strength to the film.

상기 하드코팅층은 경화형 수지를 포함할 수 있다. 특별히 제한되지 않으나, 상기 경화형 수지의 일례로는, 폴리에스테르계 (메타)아크릴레이트계 수지, 멜라민계 수지, 알키드계 수지, 우레탄계 수지, 올레핀계 수지, 아미드계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등이 사용될 수 있다.The hard coating layer may include a curable resin. Although not particularly limited, examples of the curable resin include polyester-based (meth)acrylate-based resin, melamine-based resin, alkyd-based resin, urethane-based resin, olefin-based resin, amide-based resin, cellulose-based resin, silicone-based resin, Epoxy resins, etc. may be used.

하나의 예시에서, 상기 하드코팅층은 상기 언급된 인덱스 매칭층의 매트릭스 성분과 동일한 수지 성분 또는 화합물을 포함할 수 있다.In one example, the hard coating layer may include the same resin component or compound as the matrix component of the index matching layer mentioned above.

상기 하드코팅층의 두께는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 0.5 내지 10 ㎛ 범위일 수 있다. 상기 범위 내에서 적절한 강도를 제공할 수 있다.The thickness of the hard coating layer is not particularly limited, but may range from 0.5 to 10 ㎛, for example. Appropriate strength can be provided within the above range.

하나의 예시에서, 상기 도전성 필름은 하기 식 1에 따른 저항 변화율이 15% 이하일 수 있다.In one example, the conductive film may have a resistance change rate of 15% or less according to Equation 1 below.

<식 1><Equation 1>

저항 변화율 = 100 x {(R2-R1)/R1}Rate of change of resistance = 100 x {(R2-R1)/R1}

이때, R1은 상온에서 측정된 도전성 필름의 저항이고, R2는 85℃ 및 85 RH%에서 120 시간 동안 보관 후 측정된 저항이다.이때, 상온은 특별히 가온 또는 감온되지 않은 상태의 온도로서, 예를 들어 18 내지 28℃ 범위 내의 온도, 보다 구체적으로는 약 23 ℃ 의 온도를 의미할 수 있다. 저항 R1과 R2는 하기 실시예에서 설명되는 방법에 따라 측정될 수 있다.At this time, R1 is the resistance of the conductive film measured at room temperature, and R2 is the resistance measured after storage at 85°C and 85 RH% for 120 hours. At this time, room temperature is the temperature in a state where the temperature is not particularly heated or reduced, for example. For example, it may mean a temperature in the range of 18 to 28°C, more specifically, a temperature of about 23°C. Resistance R1 and R2 can be measured according to the method described in the Examples below.

상기 저항 변화율을 만족한다는 것은, 도전성 필름의 고온/고습 내구성이 우수하다는 것을 의미한다.Satisfying the above resistance change rate means that the conductive film has excellent high temperature/high humidity durability.

본 출원에 관한 다른 일례에서, 본 출원은 상기 설명된 도전성 필름을 제조하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 상기 방법은 롤-투-롤 공정을 이용한 도전성 필름의 제조방법에 관한 것이다. 이때, 롤-투-롤은 공지된 바와 마찬가지로, 필름의 권취 및 권출을 이용하여 적층체를 형성하는 방법을 의미한다. 상기 롤-투-롤 공정에 사용되는 롤-투-롤 장비의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 스테인레스강(stainless steel), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 금속 성분 롤을 포함할 수 있다.In another example related to this application, this application relates to a method of making the conductive film described above. Specifically, the method relates to a method of manufacturing a conductive film using a roll-to-roll process. At this time, as is well known, roll-to-roll refers to a method of forming a laminate using winding and unwinding of a film. The type of roll-to-roll equipment used in the roll-to-roll process is not particularly limited, and for example, metal rolls containing stainless steel, copper (Cu), or aluminum (Al) may include.

도전성 필름의 구체적인 구성은 상기 설명한 바와 동일하다.The specific structure of the conductive film is the same as described above.

상기 방법은 매트릭스(M) 및 입자(P)를 포함하고, 상기 입자(P)가 돌출된 표면(S)를 갖는 인덱스 매칭층(index matching layer)을 롤-투-롤 장비로부터 권출하는 단계; 및 상기 권출된 인덱스 매칭층 상에 도전층을 증착 방식에 의해 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 도전층을 형성하는 증착 방식과 세부 공정은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 진공 증착법이나 스퍼터링 법에 의해 상기 나열된 투명 도전성 산화물을 포함하는 도전층이 형성될 수 있다.The method includes unwinding an index matching layer comprising a matrix (M) and particles (P) and having a surface (S) on which the particles (P) protrude from roll-to-roll equipment. ; And it may include forming a conductive layer on the unwound index matching layer by a deposition method. The deposition method and detailed process for forming the conductive layer are not particularly limited. For example, a conductive layer containing the transparent conductive oxides listed above may be formed by vacuum deposition or sputtering.

하나의 예시에서, 상기 도전층은 인덱스 매칭층의 일면 상에 직접 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 도전층은 매트릭스 외부로 돌출하여 존재하는 입자에 의해 부여된 표면 조도를 갖는 상기 표면(S) 상에 형성될 수 있다. In one example, the conductive layer may be formed directly on one side of the index matching layer. Specifically, the conductive layer may be formed on the surface S having surface roughness imparted by particles existing protruding outside the matrix.

본 출원에 관한 또 다른 일례에서, 본 출원은 도전성 필름의 용도에 대한 것이다. 예를 들어, 상기 도전성 필름은 OLED(Organic Light Emitting Diode), PDP(Plasma Display Panel) 또는 LCD(Liquid Crystal Display) 등과 같은 디스플레이 장치나 터치 패널 등에 사용될 수 있다. 그 외에도 상기 도전성 필름은 도전성 필름이 적용될 수 있는 공지의 용도에 모두 사용될 수 있다.In another example related to this application, this application relates to the use of a conductive film. For example, the conductive film can be used in display devices such as OLED (Organic Light Emitting Diode), PDP (Plasma Display Panel), or LCD (Liquid Crystal Display), or in touch panels. In addition, the conductive film can be used in all known applications to which a conductive film can be applied.

본 출원의 일례에 따르면, 전기적 특성 및 투명성이 우수하면서도, 롤-투-롤 공정의 공정 불량을 예방할 수 있는 도전성 필름이 제공될 수 있다.According to an example of the present application, a conductive film that has excellent electrical properties and transparency and can prevent process defects in the roll-to-roll process can be provided.

도 1은 본 출원의 일례에 따른 도전성 필름을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 출원 실시예 및 비교예에서 인덱스 매칭층 계면의 단위면적당 입자 개수를 측정하기 위하여 사용된 이미지의 일부이다.
도 3은 최대 표면 조도를 계산하는 방법을 설명하기 위한 이미지이다.
Figure 1 schematically shows a conductive film according to an example of the present application.
Figure 2 is a portion of an image used to measure the number of particles per unit area of the index matching layer interface in the examples and comparative examples of this application.
Figure 3 is an image to explain a method of calculating maximum surface roughness.

이하, 실시예를 통해 본 출원을 상세히 설명한다. 그러나, 본 출원의 보호범위가 하기 설명되는 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present application will be described in detail through examples. However, the scope of protection of the present application is not limited to the examples described below.

<평가방법><Evaluation method>

* 인덱스 매칭층 내 입자(P)의 입도분포 (P1 및 P2 입자의 함량): DLS (dynamic light scattering) 장비로 사용되는 입자의 입경을 측정하였다. * Particle size distribution of particles (P) in the index matching layer (content of P1 and P2 particles) : The particle size of the particles used was measured with DLS (dynamic light scattering) equipment.

* 최대 표면 조도: AFM(atomic force microscope)(tapping mode, PPP-NCHR 10M tip)을 이용하여 5 x 5㎛ 표면 영역에 대한 표면 조도를 측정하였다. 구체적으로, 상기 표면(S)에서 선택된 5 x 5 ㎛ 영역에 대한 두께 방향에서 임의의 기준점(zero 위치)을 정하고, 상기 영역 내에서 기준점으로부터 가장 멀리 떨어진 돌출된 입자까지의 법선 거리(+d1)와 기준점 보다 낮은 매트릭스까지의 법선 거리(-d) 간 차이(Rmax = d1 - (-d2))를 기록하였다.* Maximum surface roughness : The surface roughness was measured for a 5 x 5㎛ surface area using an atomic force microscope (AFM) (tapping mode, PPP-NCHR 10M tip). Specifically, an arbitrary reference point (zero position) is set in the thickness direction for a 5 x 5 ㎛ area selected on the surface (S), and the normal distance (+d 1 ) and the normal distance (-d) to the matrix lower than the reference point (Rmax = d 1 - (-d 2 )) was recorded.

* 정지 마찰계수: 일반적으로, 롤-투-롤 공정에서 필름이 권취 및 권출되는 롤의 주 재료인 SUS(스테인리스강)에 대한 인덱스 매칭층의 마찰계수를 측정하였다. 구체적으로, ASTM D1894 방법에 따라, 실시에 및 비교예에서 제조된 인덱스매칭층의 표면(S)에 대하여 SUS 기재를 위치시키고, 추를 이용하여 200 g의 하중을 가해진 상태에서의 마찰계수를 측정하였다. 평가 결과는 아래와 같다. * Static friction coefficient : In general, the friction coefficient of the index matching layer for SUS (stainless steel), the main material of the roll where the film is wound and unwound in the roll-to-roll process, was measured. Specifically, according to the ASTM D1894 method, the SUS substrate was placed on the surface (S) of the index matching layer manufactured in the examples and comparative examples, and the friction coefficient was measured under a load of 200 g using a weight. did. The evaluation results are as follows.

- O(우수): 마찰계수가 1.0 이하- O (Excellent): Friction coefficient less than 1.0

- X(나쁨): 마찰계수가 1.0 초과인 지점이 관찰됨- X (bad): A point where the friction coefficient exceeds 1.0 is observed.

* 공정성(표면 변형): 실시예 및 비교예에서와 같이, 롤-투-롤 공정을 이용하여 적층체를 권출 및 이동시키면서, 인덱스 매칭층 상에 증착층인 도전층을 형성하고, 제조된 도전성 필름(또는 도전층)의 표면 변형 유무를 관찰하였다. 평가 기준은 아래와 같다: * Processability (surface deformation): As in the examples and comparative examples, a conductive layer, which is a deposited layer, is formed on the index matching layer while unwinding and moving the laminate using a roll-to-roll process, and the manufactured conductive layer is The presence or absence of surface deformation of the film (or conductive layer) was observed. The evaluation criteria are as follows:

- O(우수): 주름이나 접힙이 관찰되지 않음- O (Excellent): No wrinkles or folds observed

- X(불량): 주름 또는 접힘이 관찰됨- X (defect): Wrinkles or folds are observed

* 저항 변화: 실시예 및 비교예에 따라 제조된 도전성 필름에 대하여, 면저항 측정기(Loresta HP MCP-T410, Mitsubishi-chemical)를 이용하여 측정하였다. 구체적으로, 도전층 샘플 중앙부 60mm x 60mm 크기에 대하여 4-probe contact 저항을 측정하고, 그 변화 정도를 계산하였다. 하기 식에 따른 저항 변화율이 15% 이하인 경우 고온/고습 하 저항변화 내구성이 우수한 것(O)으로, 15% 를 초과하는 경우에는 좋지 못한 것(X)으로 평가하였다. * Resistance change : The conductive films manufactured according to Examples and Comparative Examples were measured using a sheet resistance meter (Loresta HP MCP-T410, Mitsubishi-chemical). Specifically, the 4-probe contact resistance was measured for a 60mm x 60mm size in the center of the conductive layer sample, and the degree of change was calculated. If the resistance change rate according to the formula below was 15% or less, the resistance change durability under high temperature/high humidity was evaluated as excellent (O), and if it exceeded 15%, it was evaluated as poor (X).

저항 변화율 = 100 x {(R2-R1)/R1}Rate of change of resistance = 100 x {(R2-R1)/R1}

이때, R1은 상온(23℃에서 측정된 도전성 필름의 저항이고, R2는 85℃및 85 RH%에서 120 시간 동안 보관 후 측정된 저항이다.At this time, R1 is the resistance of the conductive film measured at room temperature (23°C), and R2 is the resistance measured after storage at 85°C and 85 RH% for 120 hours.

<실시예 및 비교예><Examples and Comparative Examples>

실시예 1Example 1

하드코팅층층의 형성Formation of hard coating layer

에폭시 아크릴레이트와 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트 혼합물 100 중량부 대비, 에폭시 아크릴레이트(CN110, Sartomer社) 60 중량부, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(SR444, Sartomer社) 40 중량부 및 광개시제(Irgacure184, basf社) 4 중량부를 혼합하여 하드코팅층 형성용 조성물을 제조하였다. 그리고, 상기 조성물을, 두께가 40 ㎛ 이고, 굴절률이 1.5인 사이클로올레핀 폴리머(ZF16, ZEON社) 필름의 일면에 도포후 건조하여, 굴절률 1.55의 하드코팅층을 형성하였다(두께 1 ㎛).Compared to 100 parts by weight of a mixture of epoxy acrylate and pentaerythritol triacrylate, 60 parts by weight of epoxy acrylate (CN110, Sartomer), 40 parts by weight of pentaerythritol triacrylate (SR444, Sartomer) and a photoinitiator (Irgacure184, basf) A composition for forming a hard coating layer was prepared by mixing 4 parts by weight. Then, the composition was applied to one side of a cycloolefin polymer (ZF16, ZEON) film with a thickness of 40 ㎛ and a refractive index of 1.5 and dried to form a hard coating layer with a refractive index of 1.55 (1 ㎛ thick).

인덱스 매칭층의 형성Formation of index matching layer

에폭시 아크릴레이트와 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트 혼합물 100 중량부 대비, 에폭시 아크릴레이트(CN110, Sartomer社) 60 중량부, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(PETA)(SR444, Sartomer社) 40 중량부, 광개시제(Irgacure184, basf社) 4 중량부, 상기 관계식 1을 만족하는 실리카 나노입자 (MEK-AC5140Z, Nissan Chemicals) 5중량부, 및 상기 관계식 2를 만족하는 지르코니아 나노입자(PCPA-50PGA, Pixelligent) 150 중량부를 혼합하여 인덱스 매칭층 형성용 조성물을 제조하였다. 그리고, 상기 조성물을 하드코팅층의 일면에 도포후 건조하고, 진공 UV 조사기로 경화시켜 굴절률이 1.68이고, 두께가 약 80 nm 인 층을 형성하였다.Compared to 100 parts by weight of the mixture of epoxy acrylate and pentaerythritol triacrylate, 60 parts by weight of epoxy acrylate (CN110, Sartomer), 40 parts by weight of pentaerythritol triacrylate (PETA) (SR444, Sartomer), photoinitiator ( 4 parts by weight of Irgacure184 (Basf Co., Ltd.), 5 parts by weight of silica nanoparticles (MEK-AC5140Z, Nissan Chemicals) satisfying equation 1 above, and 150 parts by weight of zirconia nanoparticles (PCPA-50PGA, Pixelligent) satisfying equation 2 above. A composition for forming an index matching layer was prepared by mixing. Then, the composition was applied to one side of the hard coating layer, dried, and cured with a vacuum UV irradiator to form a layer with a refractive index of 1.68 and a thickness of about 80 nm.

도전성 필름의 제조Manufacturing of conductive film

상기 제조된 적층체(사이클로올레핀 필름/하드코팅층/인덱스 매칭층)를 롤-투-롤 장비에 권취하였다. 이후, 롤-투-롤 장비에서 상기 적층체를 권출하여 이송시키면서, 아르곤 가스와 98.4%와 산소 가스 1.6%로 이루어진 5mTorr의 분위기 속에서 스퍼터링 방법을 이용하여 두께가 25nm인 ITO층을 증착하고, 도전성 필름을 제조하였다.The prepared laminate (cycloolefin film/hard coating layer/index matching layer) was wound on a roll-to-roll equipment. Thereafter, while unwinding and transporting the laminate in roll-to-roll equipment, an ITO layer with a thickness of 25 nm is deposited using a sputtering method in an atmosphere of 5 mTorr consisting of 98.4% argon gas and 1.6% oxygen gas, A conductive film was prepared.

실시예 2, 실시예 3, 비교예 1 및 비교예 2Example 2, Example 3, Comparative Example 1 and Comparative Example 2

하기 표 1에서와 같이, 각 실시예와 비교예의 구성을 실시예 1과 다르게 한 것을 제외하고, 동일한 방법으로 도전성 필름을 제조하였다.As shown in Table 1 below, conductive films were manufactured in the same manner, except that the composition of each Example and Comparative Example was different from Example 1.

상기 제조된 도전성 필름들의 구성과 물성 측정 결과는 각각 표 1 및 표 2와 같다.The composition and physical property measurement results of the prepared conductive films are shown in Table 1 and Table 2, respectively.

[표 1][Table 1]

[표 2][Table 2]

Claims (16)

도전층(conductive layer); 및
상기 도전층의 적어도 일면 상에 위치하고, 매트릭스(M) 및 입자(P)를 포함하며, 상기 입자(P)가 돌출된 표면(S)을 갖는 인덱스 매칭층(index matching layer);을 포함하는 도전성 필름이고,
상기 매트릭스는 인덱스 매칭층에서 연속상을 형성하고, 상기 입자는 상기 연속상 내에 분산된 상태로 존재하며,
상기 인덱스 매칭층은, 매트릭스 형성을 위한 수지 성분 100 중량부 대비, 하기 관계식 1을 만족하는 입자(P1)을 0.5 내지 15 중량부 범위 내로 포함하는 도전성 필름:
[관계식 1]
(DP1/TM) > 1
(상기 관계식 1에서, DP1은 상기 인덱스 매칭층이 포함하는 입자(P1)의 입경을 의미하고, TM은 상기 인덱스 매칭층의 매트릭스가 갖는 두께를 의미한다.)
conductive layer; and
An index matching layer located on at least one surface of the conductive layer, including a matrix (M) and particles (P), and having a surface (S) on which the particles (P) protrude. It's a film,
The matrix forms a continuous phase in the index matching layer, and the particles exist in a dispersed state within the continuous phase,
The index matching layer is a conductive film containing particles (P1) satisfying the following relational equation 1 in the range of 0.5 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin component for matrix formation:
[Relationship 1]
(D P1 /T M ) > 1
(In the above relational equation 1, D P1 refers to the particle size of the particles P1 included in the index matching layer, and T M refers to the thickness of the matrix of the index matching layer.)
제 1 항에 있어서, 하기 관계식 2를 만족하는 입자(P2)를 200 중량부 이하로 더 포함하는 도전성 필름:
[관계식 2]
(DP2/TM) ≤ 1
(상기 관계식 2에서, DP2는 상기 인덱스 매칭층이 포함하는 입자(P2)의 입경을 의미하고, TM은 상기 인덱스 매칭층의 매트릭스가 갖는 두께를 의미한다.)
The conductive film according to claim 1, further comprising 200 parts by weight or less of particles (P2) satisfying the following equation 2:
[Relational Expression 2]
(D P2 /T M ) ≤ 1
(In the above relational equation 2, D P2 refers to the particle size of the particles (P2) included in the index matching layer, and T M refers to the thickness of the matrix of the index matching layer.)
제 1 항에 있어서, 상기 표면(S)의 최대 표면 조도(Rmax)가 15 내지 100 nm 범위 내인 만족하는 도전성 필름.The conductive film according to claim 1, wherein the maximum surface roughness (Rmax) of the surface (S) is within the range of 15 to 100 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 표면(S)은 도전층의 일면과 마주하거나 도전층의 일면과 직접 접하는 도전성 필름.The conductive film according to claim 1, wherein the surface (S) faces one side of the conductive layer or is in direct contact with one side of the conductive layer. 제 1 항에 있어서, 상기 표면(S)에서 관찰되는 입자의 개수가 0.2 내지 3.0 개/㎛2 범위 내인 도전성 필름.The conductive film according to claim 1, wherein the number of particles observed on the surface (S) is in the range of 0.2 to 3.0 particles/㎛ 2 . 제 1 항에 있어서, 상기 표면(S)의 정지마찰계수가 1.0 이하인 도전성 필름.The conductive film according to claim 1, wherein the surface (S) has a coefficient of static friction of 1.0 or less. 제 1 항에 있어서, 상기 인덱스 매칭층은 1.45 내지 1.80 범위 내의 굴절률을 갖는 도전성 필름.The conductive film of claim 1, wherein the index matching layer has a refractive index in the range of 1.45 to 1.80. 제 1 항에 있어서, 상기 매트릭스는 실리콘 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 또는 우레탄계 수지를 포함하는 도전성 필름.The conductive film of claim 1, wherein the matrix includes a silicone resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a urethane resin. 제 1 항에 있어서, 상기 입자는 NaF, MgF2, CaF2, BaF2, SiO2, CeF3, Al2O3, ZrO2, TiO2, ZnS, ZnSe, Ta2O5 또는 알콕시실란 입자를 포함하는 도전성 필름.The method of claim 1, wherein the particles are NaF, MgF 2 , CaF 2 , BaF 2 , SiO 2 , CeF 3 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 , ZnS, ZnSe, Ta 2 O 5 or alkoxysilane particles. A conductive film comprising: 제 1 항에 있어서, 상기 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide), In2O3(indium oxide), IGO(indium galium oxide), FTO(Fluor doped Tin Oxide), AZO(Aluminium doped Zinc Oxide), GZO(Galium doped Zinc Oxide), ATO(Antimony doped Tin Oxide), IZO(Indium doped Zinc Oxide), NTO(Niobium doped Titanium Oxide), ZnO(zink oxide) 및 CTO (Cesium Tungsten Oxide) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 도전성 필름.The method of claim 1, wherein the conductive layer is made of indium tin oxide (ITO), indium oxide (In 2 O 3 ), indium galium oxide (IGO), fluor doped tin oxide (FTO), aluminum doped zinc oxide (AZO), and GZO. Contains one or more selected from (Galium doped Zinc Oxide), ATO (Antimony doped Tin Oxide), IZO (Indium doped Zinc Oxide), NTO (Niobium doped Titanium Oxide), ZnO (zink oxide), and CTO (Cesium Tungsten Oxide) conductive film. 제 1 항에 있어서, 상기 도전층은 40 내지 500 Ω/□ 범위 내의 표면 저항을 갖는 도전성 필름.The conductive film of claim 1, wherein the conductive layer has a surface resistance in the range of 40 to 500 Ω/□. 제 1 항에 있어서, 기재를 더 포함하고, 기재, 인덱스 매칭층, 및 도전층을 순차로 포함하는 도전성 필름.The conductive film of claim 1, further comprising a substrate, and sequentially including the substrate, the index matching layer, and the conductive layer. 제 1 항에 따른 도전성 필름의 제조방법이고,
매트릭스(M) 및 입자(P)를 포함하고, 상기 입자(P)가 돌출된 표면(S)을 갖는 인덱스 매칭층(index matching layer)을 롤-투-롤 장비로부터 권출하는 단계; 및
상기 권출된 인덱스 매칭층 상에 도전층을 증착 방식에 의해 형성하는 단계를 포함하는 방법.
A method of manufacturing a conductive film according to claim 1,
Unwinding an index matching layer including a matrix (M) and particles (P) and having a surface (S) on which the particles (P) protrude from roll-to-roll equipment; and
A method comprising forming a conductive layer on the unwound index matching layer by a deposition method.
제 13 항에 있어서, 상기 도전층을 상기 표면(S) 상에 형성하는 방법.14. The method of claim 13, wherein the conductive layer is formed on the surface (S). 제 1 항에 따른 도전성 필름을 포함하는 터치 패널.A touch panel comprising the conductive film according to claim 1. 제 1 항에 따른 도전성 필름을 포함하는 디스플레이 장치.A display device comprising the conductive film according to claim 1.
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