KR101370188B1 - Electrically conductive transparent film, and touch panel comprising same - Google Patents

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히데오 무라카미
도시유키 오야
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도요보 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체의 전면에 사용되는 터치패널용 전극필름으로서 사용했을 때, 시인성이 우수한 동시에, 생산성이 우수하며, 또한 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 우수한 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름으로서, 고굴절률층은 산화주석의 함유율이 10~60 질량%인 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 무기 박막이고, 저굴절률층은 굴절률이 1.30~1.60인 무기 박막으로 되며, 투명도전성 박막층은 굴절률이 1.80~2.20인 무기 박막으로 되고, 또한 투명도전성 필름의 분광 투과율의 피크가 450~530 ㎚에 존재하며, 또한 전광선 투과율이 90% 이상, 컬러 b값이 -2~2인 투명도전성 필름에 관한 것이다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is excellent in visibility, excellent in productivity, and excellent in pen sliding durability in the vicinity of a frame when used as an electrode film for a touch panel used on the front surface of a display such as a high-definition liquid crystal display. And it aims to provide a touch panel using the same. The present invention provides a transparent conductive film in which a high refractive index layer, a low refractive index layer, and a transparent conductive thin film layer are laminated in this order on a substrate made of a transparent plastic film, wherein the high refractive index layer is amorphous having a tin oxide content of 10 to 60 mass%. An inorganic thin film of indium-tin composite oxide, wherein the low refractive index layer is an inorganic thin film having a refractive index of 1.30 to 1.60, and the transparent conductive thin film layer is an inorganic thin film having a refractive index of 1.80 to 2.20, and the spectral transmittance of the transparent conductive film The peak exists in 450-530 nm, Furthermore, it is related with the transparent conductive film whose total light transmittance is 90% or more, and color b value is -2-2.

Description

투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널{Electrically conductive transparent film, and touch panel comprising same}Transparently conductive film and touch panel comprising same

본 발명은 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트(이하, 간단히 투명도전성 필름이라고도 한다) 및 이들을 사용한 터치패널에 관한 것이다. 특히 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체에 삽입되는 터치패널의 전극용 필름으로서 사용한 경우, 시인성이 우수한 동시에 터치패널의 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 우수하기 때문에 표시 에어리어를 넓게 하는 것이 가능해지는 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널에 관한 것이다. The present invention provides a transparent conductive film or a transparent conductive sheet (hereinafter referred to simply as a transparent conductive film) and a touch panel using a high refractive index layer, a low refractive index layer, and a transparent conductive thin film layer stacked in this order on a substrate made of a transparent plastic film. It is about. In particular, when used as an electrode film for a touch panel to be inserted into a display such as a high-definition liquid crystal display, it is excellent in visibility and excellent in pen sliding durability in the vicinity of the frame of the touch panel, thereby making it possible to widen the display area. It relates to a malleable film and a touch panel using the same.

투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 투명하고 또한 저항이 작은 박막을 적층한 투명도전성 필름은, 그 도전성을 이용한 용도, 예를 들면, 액정 디스플레이나 일렉트로루미네선스(EL로 약기되는 경우가 있다) 디스플레이 등과 같은 플랫 패널 디스플레이나, 터치패널의 투명전극 등, 전기, 전자분야의 용도로 널리 사용되고 있다. The transparent conductive film which laminated | stacked the transparent and the low resistance thin film on the base material which becomes a transparent plastic film is the use using the electroconductivity, for example, a liquid crystal display or an electroluminescence (it may abbreviate as EL). It is widely used in electric and electronic fields such as flat panel displays such as displays and transparent electrodes of touch panels.

최근 들어, 터치패널은 입력 인터페이스로서 폭넓게 인지되어, 특히 휴대정보단말이나 디지털 비디오 카메라, 디지털 카메라 등의 휴대단말에는 조작키를 생략하기 위해 표시 디스플레이에 터치패널을 탑재하는 케이스가 늘고 있다. 한편, 이들 휴대단말에 사용되는 액정 디스플레이 등의 표시체의 고정세화는 점점 진행되고 있어, 이러한 표시체의 전면에 삽입되는 터치패널용 전극필름은 시인성을 저하시키지 않는 것이 강하게 요망되고 있다. Background Art In recent years, touch panels have been widely recognized as input interfaces, and in particular, portable terminals such as portable information terminals, digital video cameras, and digital cameras have increased in number of cases in which touch panels are mounted on display displays in order to omit operation keys. On the other hand, high definition of display bodies such as liquid crystal displays used in these portable terminals is progressing, and it is strongly desired that the electrode films for touch panels inserted in the front surface of such displays not deteriorate visibility.

즉, 전극필름의 투과율이 낮은 경우, 액정 디스플레이 등의 표시체의 휘도가 저하되어, 표시화면이 어두워지기 때문에 표시가 보기 어려워진다. 또한 전극필름이 착색되어 있는 경우, 액정 디스플레이 등의 표시색(특히 백색)의 색표시가 변화되어, 선명한 화상이 얻어지기 어려워진다. 이 때문에, 전극필름에는 투과율이 높고, 또한 착색이 적은 것이 요망되고 있다.That is, when the transmittance | permeability of an electrode film is low, since the brightness | luminance of display bodies, such as a liquid crystal display, falls, and a display screen becomes dark, display becomes difficult to see. In addition, when the electrode film is colored, color display of display colors (especially white), such as a liquid crystal display, changes, and it is difficult to obtain a clear image. For this reason, it is desired for an electrode film to have high transmittance | permeability and few coloring.

한편, 액정 디스플레이 등의 표시체는 대화면화가 요망되고 있다. 이 때문에, 표시 디스플레이를 포함하는 상자체 에어리어(프레임)는 보다 좁아져, 터치패널로서도 보다 좁은 프레임화가 요망되며, 또한 터치패널의 프레임 근방은 상자체 내에 수납되지 않고 표시 에어리어 상에 존재하는 상태가 되었다. On the other hand, large screens are desired for displays such as liquid crystal displays. For this reason, the box area (frame) containing a display display becomes narrower, and narrower frame formation is desired also as a touch panel, and the state in which the vicinity of the frame of the touch panel exists on the display area without being accommodated in the box body is maintained. It became.

터치패널은 투명도전층을 갖는 한쌍의 투명도전성 기판을, 투명도전층이 대향하도록 스페이서를 매개로 배치해서 된다. 터치패널을 펜 입력할 때, 고정전극측의 투명도전성 박막과 가동전극(필름전극)측의 투명도전성 박막끼리 접촉하는데, 특히 프레임 근방에서는, 가동전극측의 투명도전성 박막에, 펜 하중에 의한 강한 굽힘응력이 가해진다. 이 때문에, 펜 하중에 의한 강한 굽힘응력이 가해지더라도, 투명도전성 박막에 크랙, 박리 등의 파괴가 발생하지 않는, 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 우수한 투명도전성 필름이 요망되고 있다.The touch panel is arranged by arranging a pair of transparent conductive substrates having a transparent conductive layer via spacers so that the transparent conductive layers face each other. When pen is input to the touch panel, the transparent conductive thin film on the fixed electrode side and the transparent conductive thin film on the movable electrode (film electrode) side are in contact with each other. Bending stress is applied. For this reason, there is a demand for a transparent conductive film having excellent pen sliding durability in the vicinity of the frame, in which cracks, peeling or the like do not occur in the transparent conductive thin film even when a strong bending stress is applied due to a pen load.

시인성을 향상시키기 위해서는, 반사방지 가공 등에서 사용되는 굴절률이 상이한 층을 적층시켜서, 빛의 간섭을 이용하는 것이 제안되어 있다. 즉, 투명도전막과 기재 필름 사이에 굴절률이 상이한 층을 설치하여 광학 간섭을 이용하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1~3). In order to improve visibility, it is proposed to laminate | stack layers different in refractive index used by antireflection processing etc., and to use the interference of light. That is, using the optical interference by providing the layer in which refractive index differs between a transparent conductive film and a base film is proposed (patent documents 1-3).

특허문헌 1 : 일본국 특허공개 평11-286066호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-286066

특허문헌 2 : 일본국 특허 제3626624호 공보Patent Document 2: Japanese Patent No. 3826624

특허문헌 3 : 일본국 특허공개 제2006-346878호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Publication No. 2006-346878

그러나, 이들 특허문헌 1~3에 기재된 투명도전성 필름은, 시인성의 개선은 가능하지만, 환경 안정성 또는 터치패널 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성에 문제가 있었다. 즉, 특허문헌 1의 실시예 1에 기재된 바와 같이 고진공상태까지 진공조를 배기한 후에 형성한 인듐에 대한 주석 함유율이 낮은 막을 고굴절률층으로서 사용한 경우에는, 성막 중 또는 터치패널의 제조공정에서 가해지는 열처리에 의해 ITO막의 결정화가 일어나기 쉬워진다. 이와 같이 결정화된 ITO막을 고굴절층 또는 투명도전층으로서 갖는 투명도전성 필름을 전극필름으로서 사용한 터치패널에 있어서는, 터치패널 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 좋지 않다. 또한 특허문헌 2에 기재된 산화티탄막을 고굴절층으로서 사용한 투명도전성 필름을 사용한 터치패널에 있어서는, 옥외에서 사용한 경우, 입력의 위치 어긋남이 생긴다는 문제가 발생한다. 또한 특허문헌 3에 기재된 산화주석 및 산화세륨을 함유한 산화인듐막을 고굴절률층으로서 사용한 경우, 산화세륨을 함유하여 딱딱하고 깨지기 쉬운 막으로 되기 때문에, 터치패널의 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 불충분하며, 또한 성막속도가 느려지기 때문에 생산성이 저하된다.However, although the visibility of the transparent conductive films of these patent documents 1-3 is possible improvement, there existed a problem in environmental stability or pen sliding durability in the touch panel frame vicinity. That is, when using as a high refractive index layer the film | membrane with a low tin content rate with respect to the indium formed after evacuating a vacuum chamber to a high vacuum state as described in Example 1 of patent document 1, it is added in the manufacturing process of a touch panel. The heat treatment tends to cause crystallization of the ITO film. In a touch panel using a transparent conductive film having the crystallized ITO film as a high refractive layer or a transparent conductive layer as an electrode film, pen sliding durability in the vicinity of the touch panel frame is not good. Moreover, in the touch panel using the transparent conductive film which used the titanium oxide film of patent document 2 as a high refractive layer, when using it outdoors, the problem that an input position shift arises. In addition, when the indium oxide film containing tin oxide and cerium oxide described in Patent Document 3 is used as a high refractive index layer, since it becomes a hard and brittle film containing cerium oxide, the pen sliding durability near the frame of the touch panel is insufficient. In addition, productivity decreases because the film formation speed is lowered.

즉, 본 발명의 목적은, 상기 종래의 문제점을 감안하여, 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체의 전면에 사용되는 터치패널용 전극필름으로서 사용했을 때, 시인성이 우수한 동시에, 생산성이 우수하며, 또한 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성(에지 내구성)이 우수한 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널을 제공하는 것에 있다.That is, the objective of this invention is excellent in visibility, excellent in productivity, when using it as an electrode film for touch panels used for the front surface of display bodies, such as a high-definition liquid crystal display, in view of the said conventional problem, Another object of the present invention is to provide a transparent conductive film having excellent pen sliding durability (edge durability) in the vicinity of the frame and a touch panel using the same.

본 발명은, 상기와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로서, 상기 과제를 해결할 수 있었던 투명도전성 필름 및 터치패널은, 이하의 구성으로 된다.This invention is made | formed in view of the above situation, The transparent conductive film and touchscreen which could solve the said subject have the following structures.

1.　투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름으로서, 고굴절률층은 산화주석의 함유율이 10~60 질량%인 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 무기 박막이고, 저굴절률층은 굴절률이 1.30~1.60인 무기 박막으로 되며, 투명도전성 박막층은 굴절률이 1.80~2.20인 무기 박막으로 되고, 또한 투명도전성 필름의 분광 투과율의 피크가 450~530 ㎚에 존재하며, 또한 전광선 투과율이 90% 이상, 컬러 b값이 -2~2인 것을 특징으로 하는 투명도전성 필름. 1. A transparent conductive film in which a high refractive index layer, a low refractive index layer, and a transparent conductive thin film layer are laminated in this order on a substrate made of a transparent plastic film, wherein the high refractive index layer is amorphous having a tin oxide content of 10 to 60 mass%. An inorganic thin film made of an indium-tin composite oxide, wherein the low refractive index layer is an inorganic thin film having a refractive index of 1.30 to 1.60, and the transparent conductive thin film layer is an inorganic thin film having a refractive index of 1.80 to 2.20, and the peak of the spectral transmittance of the transparent conductive film Is present at 450 to 530 nm, and the total light transmittance is 90% or more, and the color b value is -2 to 2.

2.　상기 고굴절률층의 산화주석의 함유율이 20~60 질량%인 것을 특징으로 하는 상기 1.에 기재된 투명도전성 필름. 2. The content rate of tin oxide of the said high refractive index layer is 20-60 mass%, The transparent conductive film of said 1. characterized by the above-mentioned.

3.　상기 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에 저반사 처리를 행한 것을 특징으로 하는 상기 1. 또는 2.에 기재된 투명도전성 필름. 3. The transparent conductive film as described in said 1. or 2. which carried out the low reflection process on the opposite surface to the surface where the transparent conductive thin film layer of the base material which consists of said transparent plastic films was laminated | stacked.

4.　상기 1. 내지 3. 중 어느 하나에 기재된 투명도전성 필름의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에, 점착제를 매개로 투명 수지 시트가 첩합(貼合)되어 있는 것을 특징으로 하는 투명도전성 시트. 4. A transparent resin sheet is bonded to the other side of the surface in which the transparent conductive thin film layer of the transparent conductive film in any one of said 1-3 is laminated | stacked through an adhesive agent, The transparent conductive property characterized by the above-mentioned. Sheet.

5.　투명도전성 박막층을 갖는 한쌍의 패널판을 투명도전성 박막층이 대향하도록 스페이서를 매개로 배치해서 되는 터치패널로서, 적어도 한쪽의 패널판이 상기 1. 내지 4. 중 어느 하나에 기재된 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트로 되는 것을 특징으로 하는 터치패널. 5. A touch panel in which a pair of panel plates having a transparent conductive thin film layer are arranged via a spacer so that the transparent conductive thin film layers face each other, wherein at least one panel plate is a transparent conductive film or transparency according to any one of 1. to 4. A touch panel comprising a malleable sheet.

본 발명의 투명도전성 필름은, 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층의 순으로 적층한 구성을 가지며, 특정 파장영역에 투과율의 피크가 존재하기 때문에, 고정세한 표시체의 전면에 배치해도 시인성의 저하를 억제할 수 있다. 또한 상기 고굴절률층에 산화주석의 함유율을 소정 값으로 한 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 층을 사용함으로써, 생산성이 우수하고, 또한 굽힘에 대한 기계강도를 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 터치패널 프레임 근방에 있어서 펜 슬라이딩 시험을 행하였을 때, 투명도전성 박막에 박리 및 크랙이 발생하기 어려워져, 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성을 향상시킬 수 있다는 이점이 있다. The transparent conductive film of the present invention has a structure in which a high refractive index layer, a low refractive index layer, and a transparent conductive thin film layer are laminated on a substrate made of a transparent plastic film, and a peak of transmittance is fixed in a specific wavelength region. Even if it arrange | positions in front of a minute display body, the fall of visibility can be suppressed. In addition, by using a layer made of an amorphous indium-tin composite oxide having a predetermined content of tin oxide as the high refractive index layer, the productivity is excellent and the mechanical strength against bending can be improved. For this reason, when the pen sliding test is performed in the vicinity of the touch panel frame, peeling and cracking are less likely to occur in the transparent conductive thin film, and the pen sliding durability in the vicinity of the frame can be improved.

본 발명의 투명도전성 필름은, 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름이다. 이하, 각 층별로 상세하게 설명한다. The transparent conductive film of this invention is a transparent conductive film which laminated | stacked the high refractive index layer, the low refractive index layer, and the transparent conductive thin film layer in this order on the base material used as a transparent plastic film. Hereinafter, each layer is explained in full detail.

(투명 플라스틱 필름으로 되는 기재)(Base material made of transparent plastic film)

본 발명에서 사용하는 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재란, 유기 고분자를 용융 압출 또는 용액 압출을 하고, 필요에 따라, 길이방향 및/또는 폭방향으로 연신, 냉각, 열고정을 행한 필름이다. 유기 고분자로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 나일론6, 나일론4, 나일론66, 나일론12, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르설판, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌설피드, 폴리페닐렌옥시드, 폴리스티렌, 신디오택틱 폴리스티렌, 노르보르넨계 폴리머 등을 들 수 있다.The base material which becomes a transparent plastic film used by this invention is a film which melt-extruding or solution extrusion of the organic polymer, and extending | stretching, cooling, and heat setting in the longitudinal direction and / or the width direction as needed. Examples of the organic polymer include polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene-2,6-naphthalate, polypropylene terephthalate, nylon 6, nylon 4, nylon 66, nylon 12, polyimide, polyamideimide, polyethersulfane, Polyether ether ketone, polycarbonate, polyarylate, cellulose propionate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyetherimide, polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, polystyrene, syndiotactic polystyrene And norbornene-based polymers.

이들 유기 고분자 중에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트, 신디오택틱 폴리스티렌, 노르보르넨계 폴리머, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트 등이 매우 적합하다. 또한, 이들 유기 고분자는 다른 유기 중합체의 단량체를 소량 공중합해도 되고, 다른 유기 고분자를 블렌드해도 된다. Among these organic polymers, polyethylene terephthalate, polypropylene terephthalate, polyethylene-2,6-naphthalate, syndiotactic polystyrene, norbornene-based polymer, polycarbonate, polyarylate and the like are very suitable. In addition, these organic polymers may copolymerize a small amount of monomers of other organic polymers, or may blend other organic polymers.

본 발명에서 사용하는 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재의 두께는, 10 ㎛를 초과하고, 300 ㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 상한값은 260 ㎛, 하한값은 70 ㎛인 것이 특히 바람직하다. 플라스틱 필름의 두께가 10 ㎛ 이하에서는 기계적 강도가 부족하고, 특히 터치패널에 사용했을 때의 펜 입력에 대한 변형이 커지는 경향이 있어, 내구성이 불충분해지기 쉽다. 한편, 두께가 300 ㎛를 초과하면, 터치패널에 사용했을 때, 필름을 변형시키기 위한 펜 하중을 크게 할 필요가 있다. 이 때문에, 투명도전성 박막에 가해지는 하중도 필연적으로 커져, 투명도전성 박막의 내구성 관점에서 바람직하지 않다. It is preferable that the thickness of the base material which becomes a transparent plastic film used by this invention exceeds 10 micrometers, and is 300 micrometers or less, It is especially preferable that an upper limit is 260 micrometers, and a lower limit is 70 micrometers. When the thickness of a plastic film is 10 micrometers or less, mechanical strength is lacking, and deformation | transformation with respect to pen input especially when used for a touch panel tends to become large, and durability is easy to become inadequate. On the other hand, when thickness exceeds 300 micrometers, when using for a touchscreen, it is necessary to enlarge the pen load for deforming a film. For this reason, the load on a transparent conductive thin film also inevitably becomes large, and it is unpreferable from a durable viewpoint of a transparent conductive thin film.

본 발명에서 사용하는 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재는, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 상기 필름을 코로나 방전처리, 글로우 방전처리, 화염처리, 자외선 조사처리, 전자선 조사처리, 오존처리 등의 표면활성화 처리를 행해도 된다. The base material of the transparent plastic film used by this invention is a corona discharge treatment, a glow discharge treatment, a flame treatment, an ultraviolet irradiation treatment, an electron beam irradiation treatment, an ozone treatment, etc., in the range which does not impair the objective of this invention. You may perform a surface activation process.

또한, 본 발명에서는, 기재와 투명도전성 박막층의 밀착성을 향상시켜, 펜 입력 내구성, 내약품성의 부여, 올리고머 등의 저분자량 물질의 석출 방지를 목적으로, 기재와 투명도전성 박막층 사이에, 경화형 수지를 주된 구성성분으로 하는 경화물층을 설치해도 된다. In addition, in the present invention, a curable resin is provided between the substrate and the transparent conductive thin film layer for the purpose of improving the adhesion between the substrate and the transparent conductive thin film layer and providing pen input durability, chemical resistance, and preventing precipitation of low molecular weight substances such as oligomers. You may provide the hardened | cured material layer which uses a main component.

상기 경화형 수지는, 가열, 자외선조사, 전자선조사 등의 에너지 인가에 의해 경화되는 수지라면 특별히 한정되지 않고, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 생산성의 관점에서는, 자외선 경화형 수지를 주성분으로 하는 경화형 수지가 바람직하다.The curable resin is not particularly limited as long as it is a resin that is cured by applying energy such as heating, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, and the like, and a silicone resin, an acrylic resin, a methacryl resin, an epoxy resin, a melamine resin, a polyester resin, a urethane resin, and the like. Can be mentioned. From a viewpoint of productivity, curable resin which has ultraviolet curable resin as a main component is preferable.

이러한 자외선 경화형 수지로서는, 예를 들면, 다가 알코올의 아크릴산 또는 메타크릴산 에스테르와 같은 다관능성의 아크릴레이트 수지, 디이소시아네이트, 다가 알코올 및 아크릴산 또는 메타크릴산의 히드록시알킬에스테르 등으로부터 합성되는 바와 같은 다관능성의 우레탄아크릴레이트 수지 등을 들 수 있다. 필요에 따라, 이들 다관능성의 수지에 단관능성의 단량체, 예를 들면, 비닐피롤리돈, 메틸메타크릴레이트, 스티렌 등을 첨가하여 공중합시킬 수 있다. As such ultraviolet curable resin, for example, as synthesize | combined from polyfunctional acrylate resin, such as acrylic acid or methacrylic acid ester of polyhydric alcohol, diisocyanate, polyhydric alcohol, and hydroxyalkyl ester of acrylic acid or methacrylic acid, etc. Polyfunctional urethane acrylate resin etc. are mentioned. If necessary, monofunctional monomers such as vinylpyrrolidone, methyl methacrylate, styrene, and the like can be added to these polyfunctional resins for copolymerization.

또한, 투명도전성 박막과 경화물층의 부착력을 향상시키기 위해, 경화물층을 표면처리하는 것이 유효하다. 구체적인 방법으로서는, 글로우 또는 코로나 방전을 조사하는 방전처리법을 사용하여, 카르보닐기, 카르복실기, 수산기를 증가시키는 방법, 산 또는 알칼리로 처리하는 화학약품 처리법을 사용하여, 아미노기, 수산기, 카르보닐기 등의 극성기를 증가시키는 방법 등을 들 수 있다. Moreover, in order to improve the adhesive force of a transparent conductive thin film and hardened | cured material layer, it is effective to surface-treat a hardened | cured material layer. As a specific method, the polar group, such as an amino group, a hydroxyl group, or a carbonyl group, is increased by using the discharge treatment method which irradiates a glow or corona discharge, the method of increasing a carbonyl group, a carboxyl group, a hydroxyl group, and the chemical treatment method treated with an acid or an alkali. And the like.

자외선 경화형 수지는, 통상, 광중합개시제를 첨가하여 사용된다. 광중합개시제로서는, 자외선을 흡수하여 라디칼을 발생시키는 공지의 화합물을 특별히 한정 없이 사용할 수 있고, 이러한 광중합개시제로서는, 예를 들면, 각종 벤조인류, 페닐케톤류, 벤조페논류 등을 들 수 있다. 광중합개시제의 첨가량은, 자외선 경화형 수지 100 질량부에 대해, 1~5 질량부로 하는 것이 바람직하다. UV-curable resin is normally used by adding a photoinitiator. As a photoinitiator, the well-known compound which absorbs an ultraviolet-ray and generate | occur | produces a radical can be used without a restriction | limiting, As such a photoinitiator, various benzoin, phenyl ketone, benzophenone, etc. are mentioned, for example. It is preferable that the addition amount of a photoinitiator shall be 1-5 mass parts with respect to 100 mass parts of ultraviolet curable resins.

도포액 중의 수지성분의 농도는, 코팅법에 따른 점도 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 도포액 중에 자외선 경화형 수지, 광중합개시제의 합계량이 차지하는 비율은, 통상은 20~80 질량%이다. 또한, 이 도포액에는, 필요에 따라, 기타 공지의 첨가제, 예를 들면, 실리콘계 계면활성제, 불소계 계면활성제 등의 레벨링제 등을 첨가해도 된다. The density | concentration of the resin component in a coating liquid can be suitably selected in consideration of the viscosity etc. by the coating method. For example, the ratio which occupies the total amount of ultraviolet curable resin and a photoinitiator in a coating liquid is 20-80 mass% normally. Moreover, you may add other well-known additives, such as leveling agents, such as a silicone type surfactant and a fluorine type surfactant, to this coating liquid as needed.

본 발명에 있어서, 조제된 도포액은 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에 코팅된다. 코팅법에는 특별히 한정되지 않고, 바 코트법, 그라비아 코트법, 리버스 코트법 등의 종래부터 알려져 있는 방법을 사용할 수 있다. In the present invention, the prepared coating liquid is coated on a substrate made of a transparent plastic film. The coating method is not particularly limited, and conventionally known methods such as a bar coating method, a gravure coating method, and a reverse coating method can be used.

또한, 경화물층의 두께는 0.1~15 ㎛의 범위인 것이 바람직하다. 경화물층 두께의 하한값은 0.5 ㎛가 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 1 ㎛이다. 또한, 경화물층 두께의 상한값은 10 ㎛가 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 8 ㎛이다. 경화물층의 두께가 0.1 ㎛ 미만인 경우에는, 충분히 가교된 구조가 형성되기 어려워지기 때문에, 펜 입력 내구성이나 내약품성이 저하되기 쉬워지고, 올리고머 등의 저분자량에 의한 밀착성의 저하도 일어나기 쉬워진다. 한편, 경화물층의 두께가 15 ㎛를 초과하는 경우에는, 생상선이 저하되는 경향이 있다. Moreover, it is preferable that the thickness of hardened | cured material layer is the range of 0.1-15 micrometers. As for the lower limit of the thickness of hardened | cured material layer, 0.5 micrometer is more preferable, Especially preferably, it is 1 micrometer. Moreover, as for the upper limit of the thickness of hardened | cured material layer, 10 micrometers is more preferable, Especially preferably, it is 8 micrometers. When the thickness of hardened | cured material layer is less than 0.1 micrometer, since a fully crosslinked structure becomes difficult to form, pen input durability and chemical-resistance fall easily, and adhesive fall by low molecular weight, such as an oligomer, also occurs easily. On the other hand, when the thickness of hardened | cured material layer exceeds 15 micrometers, there exists a tendency for a raw line to fall.

(고굴절률층)(High refractive index layer)

본 발명에 있어서의 고굴절률층은 산화주석의 함유율이 10~60 질량%인 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 무기 박막이다. 보다 바람직하게는 산화주석의 함유율이 20~50 질량%이고, 더욱 바람직하게는 30~45 질량%이다.The high refractive index layer in the present invention is an inorganic thin film made of an amorphous indium-tin composite oxide having a tin oxide content of 10 to 60 mass%. More preferably, the content rate of tin oxide is 20-50 mass%, More preferably, it is 30-45 mass%.

고굴절률층은, 적어도 저굴절률층(굴절률이 1.30~1.60)보다 높은 굴절률을 갖는 층이다. 저굴절률층보다 높은 굴절률을 갖는 층을 투명 플라스틱 필름기재 상에 형성함으로써, 빛의 간섭효과가 얻어진다. The high refractive index layer is a layer having a refractive index higher than at least the low refractive index layer (the refractive index is 1.30 to 1.60). By forming a layer having a higher refractive index than the low refractive index layer on the transparent plastic film base, the interference effect of light is obtained.

일반적으로 고굴절률층으로서는 TiO2, Nb2O5, In2O3가 사용된다. 그러나 예를 들면 스퍼터링법에 의해 TiO2막, Nb2O5막을 형성하는 경우, 성막속도가 느려 생산성이 저하된다. 이 때문에 생산성의 관점에서는 고굴절률층으로서 인듐 산화물이 바람직하다. Generally, as the high refractive index layer, TiO 2 , Nb 2 O 5 , In 2 O 3 are used. However, for example, when a TiO 2 film or an Nb 2 O 5 film is formed by the sputtering method, the film formation speed is slow and productivity is lowered. For this reason, indium oxide is preferable as a high refractive index layer from a productivity viewpoint.

그러나, In2O3 또는 산화주석 함유율이 낮은 인듐-주석 복합 산화막을 형성하는 경우, 생산성은 우수하나, 스퍼터링으로의 성막 중 또는 터치패널 제조공정 중에 가해지는 열처리에 의해 고굴절률층이 결정화된다. 고굴절률층이 결정화되어 있는 투명도전성 필름을 사용하여 제작한 터치패널의 경우는, 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 떨어진다. 따라서, 고굴절률층에는 결정립이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 실시예의 란에 기재한 측정에 있어서 결정립이 관측되지 않는 것이 바람직하다. However, when forming an In 2 O 3 or an indium-tin composite oxide film having a low tin oxide content, the high refractive index layer is crystallized by heat treatment applied during sputtering or during the touch panel manufacturing process, although the productivity is excellent. In the case of the touch panel manufactured using the transparent conductive film in which the high refractive index layer is crystallized, pen sliding durability in the vicinity of the frame is inferior. Therefore, it is preferable that no crystal grain exists in the high refractive index layer. Specifically, it is preferable that no crystal grains are observed in the measurement described in the column of the examples.

이 때문에 본 발명에 있어서 사용되는 고굴절률층은, 생산성의 관점에서 인듐-주석 복합 산화물로 되고, 산화주석의 함유율이 10~60 질량%이다. 산화주석의 함유율이 10 질량% 미만인 경우, 성막 중 또는 터치패널 제조공정 중에 가해지는 열처리에 의한 결정화를 억제하는 것이 곤란해진다. 한편, 산화주석의 함유율이 60 질량%를 초과하는 경우, 타겟의 밀도를 향상시키는 것이 곤란해져, 생산 중에 방전 이상이 발생하기 쉬워지기 때문에 생산성의 관점에서 바람직하지 않다.For this reason, the high refractive index layer used in this invention turns into an indium-tin composite oxide from a productivity viewpoint, and the content rate of tin oxide is 10-60 mass%. When the content of tin oxide is less than 10% by mass, it becomes difficult to suppress crystallization by heat treatment applied during film formation or during the touch panel manufacturing process. On the other hand, when the content rate of tin oxide exceeds 60 mass%, it is difficult to improve the density of a target, and it is not preferable from a productivity viewpoint, since discharge abnormality arises easily during production.

또한, 산화주석의 함유율이 10~60 질량%의 범위더라도, 산화주석의 함유율이 낮은 영역에서는 제막조건에 따라 결정화되는 경우가 있다. 특히 불활성 가스에 대한 수분압의 비가 낮은 경우에는 결정화되기 쉽다. 이러한 산화주석의 함유율이 낮은 경우(예를 들면 20 질량% 이하)에는, 특히 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 높게 함으로써, 결정화를 억제할 수 있다. 바람직한 불활성 가스에 대한 수분압의 비는 산화주석의 함유율에 따라 상이하나, 예를 들면 주석 함유율이 10 질량%인 경우, 3×10-3 이상으로 하는 것이 바람직하다. 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 높게 하기 위해서는, 제막 전의 진공폭로조건을 조정함으로써 필름의 함유 수분량을 높게 하는 방법, 제막시에 필름온도를 비교적 높게 하는 방법, 의도적으로 수증기를 도입하는 방법 등 임의의 방법을 들 수 있다. 그 밖에, 사용하는 기재 필름의 수분 함유율에 따라서도 좌우되기 때문에, 이를 고려하여 적정 조건을 결정할 필요가 있다. 또한, 산소의 분압비를 낮게 함으로써도 결정화를 억제하 수 있다.Moreover, even if the content rate of tin oxide is 10-60 mass%, it may crystallize according to film forming conditions in the area | region where the content rate of tin oxide is low. It is easy to crystallize especially when the ratio of the water pressure with respect to an inert gas is low. When the content rate of such tin oxide is low (for example, 20 mass% or less), crystallization can be suppressed by making the ratio of the water pressure with respect to an inert gas especially high. The ratio of the water pressure to the preferred inert gas is different depending on the content of tin oxide. For example, when the content of tin is 10% by mass, it is preferable that the ratio be 3 × 10 −3 or more. In order to increase the ratio of the water pressure to the inert gas, a method of increasing the moisture content of the film by adjusting the vacuum exposure conditions before film formation, a method of relatively increasing the film temperature at the time of film formation, a method of intentionally introducing water vapor, etc. The method can be mentioned. In addition, since it also depends on the water content of the base film to be used, it is necessary to determine appropriate conditions in consideration of this. In addition, crystallization can be suppressed by lowering the partial pressure ratio of oxygen.

본 발명에서 사용하는 고굴절률층의 막두께로서는 35~50 ㎚가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 38~48 ㎚이다. 50 ㎚를 초과한 경우, 고굴절률층이 성막 중 또는 가열처리 후에 결정화되기 쉬워진다. 또한 35 ㎚ 미만인 경우, 투명도전성 필름의 광학 특성을 개선하는 것이 곤란해진다. 또한, 고굴절률층의 굴절률은 1.70~2.50인 것이 바람직하고, 더 나아가서는 1.90~2.30, 특히 1.90~2.10인 것이 바람직하다.As a film thickness of the high refractive index layer used by this invention, 35-50 nm is preferable, More preferably, it is 38-48 nm. When it exceeds 50 nm, a high refractive index layer becomes easy to crystallize in film formation or after heat processing. Moreover, when it is less than 35 nm, it becomes difficult to improve the optical characteristic of a transparent conductive film. Moreover, it is preferable that the refractive index of a high refractive index layer is 1.70-2.50, Furthermore, it is preferable that it is 1.90-2.30, especially 1.90-2.10.

본 발명에 있어서의 고굴절률층의 성막방법으로서는, 진공증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법, 스프레이법 등이 알려져 있어, 필요로 하는 막두께에 따라, 상기 방법을 적절히 사용할 수 있지만, 막두께의 편차를 저감시킨다는 관점에서 스퍼터링법이 바람직하다. As the film formation method of the high refractive index layer in the present invention, a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, a spray method and the like are known, and the method can be appropriately used depending on the film thickness required. The sputtering method is preferable from the viewpoint of reducing the variation in thickness.

스퍼터링법의 경우는 일반적으로 금속 타겟으로부터 반응성 가스를 도입하여 금속산화물을 제작하는 반응성 스퍼터링법과 산화물 타겟으로부터 금속산화물을 제작하는 방법이 있다. 막두께의 편차를 억제하는데는 산화물 타겟을 사용하는 것이 바람직하다. In the sputtering method, there are generally a reactive sputtering method for preparing a metal oxide by introducing a reactive gas from a metal target and a method for producing a metal oxide from an oxide target. It is preferable to use an oxide target to suppress the variation of the film thickness.

본 발명에서 사용하는 고굴절률층은 저굴절률층을 매개로 적층하는 투명도전성 박막의 도전성으로의 영향을 억제하기 위해 절연체인 것이 바람직하다. 구체적으로는 1×106 Ω/□ 이상이다. 이 때문에 인듐-주석 복합 산화물층을 형성할 때 반응성 가스를 표면저항값이 최소값이 되는 가스유량의 1.5~5배 흐르게 하는 것이 바람직하다. 1.5배 미만이면 표면저항값을 상기 범위로 하는 것이 곤란하다. 또한 5.0배를 초과하는 가스유량을 흐르게 하면 막 중에 화학양론비 이상의 산소가 흡입되거나, 또는 산소 음이온의 과잉 생성에 의해 형성에 따른 손실이 커다란 막이 형성되기 쉬워져, 불안정한 막이 되기 때문에 환경시험 후의 투명도전성 박막의 안정성이 저하되어 버린다. It is preferable that the high refractive index layer used by this invention is an insulator in order to suppress the influence on the electroconductivity of the transparent conductive thin film laminated | stacked through the low refractive index layer. Specifically, it is 1 × 10 6 Ω / □ or more. For this reason, when forming an indium-tin composite oxide layer, it is preferable to make a reactive gas flow 1.5 to 5 times the gas flow volume whose surface resistance value becomes a minimum value. If it is less than 1.5 times, it is difficult to make surface resistance value into the said range. In addition, when a gas flow rate of more than 5.0 times flows, oxygen having a higher stoichiometric ratio is sucked into the membrane, or an excessive amount of oxygen anions tends to form a large loss film, resulting in an unstable film. The stability of the malleable thin film is reduced.

이 때문에 고온, 고습 환경하(85℃, 85%RH, 1000시간)에서의 안정성을 얻기 위해서는 가스유량을 표면저항값이 최소값이 되는 가스유량의 1.5~3배로 하는 것이 바람직하고, 이 때문에 산화주석의 함유율이 20~60 질량%인 것이 바람직하다. 20 질량% 미만인 경우, 상기 가스유량으로는 표면저항값을 1×106 Ω/□ 이상으로 하는 것이 곤란해진다. For this reason, in order to obtain stability in a high temperature and high humidity environment (85 degreeC, 85% RH, 1000 hours), it is preferable to make gas flow volume 1.5 to 3 times the gas flow volume whose surface resistance becomes the minimum value, and for this reason, tin oxide It is preferable that the content rate of is 20-60 mass%. If it is less than 20 mass%, it becomes difficult to make surface resistance value 1 * 10 <6> / ohm or more by the said gas flow volume.

(저굴절률층)(Low refractive index layer)

본 발명에 있어서의 저굴절률층의 굴절률은, 1.30~1.60이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1.40~1.50이다. 구체적으로는 SiO2, Al2O3 등의 투명 금속화합물, 또는 SiO2-Al2O3 등의 복합 금속산화물로 되는 층을 들 수 있다. 굴절률이 1.30 미만인 경우, 저굴절률층이 다공질의 막이 되어 그 위에 형성하는 투명도전성 박막층의 전기 특성을 저해해 버린다. 한편, 굴절률이 1.60을 초과하는 경우에는, 상기 광학 특성을 만족하는 것이 곤란해진다. As for the refractive index of the low refractive index layer in this invention, 1.30-1.60 are preferable, More preferably, they are 1.40-1.50. Specifically, there may be mentioned a layer which is a composite metal oxide such as SiO 2, Al 2 O 3 such as a transparent metal compound, or a SiO 2 -Al 2 O 3. When the refractive index is less than 1.30, the low refractive index layer becomes a porous film and hinders the electrical properties of the transparent conductive thin film layer formed thereon. On the other hand, when refractive index exceeds 1.60, it becomes difficult to satisfy the said optical characteristic.

저굴절률층의 막두께는, 본원 발명의 범위로 하는 분광 투과율, 전광선 투과율 및 컬러값을 만족시키기만 하면, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면 SiO2　박막의 경우는 45~60 ㎚가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50~58 ㎚이다. 60 ㎚를 초과하면 투명도전성 필름의 광선투과율은 향상되지만 착색이 생겨 분광 투과율이나 컬러 b값이 목표로부터 벗어나 버린다. 한편, 45 ㎚ 미만인 경우는, 목표로 하는 전광선 투과율을 얻는 것이 곤란해진다. The film thickness of the low refractive index layer can be appropriately selected as long as it satisfies the spectral transmittance, total light transmittance and color value in the scope of the present invention. For example, it is preferably 45 ~ 60 ㎚ the case of SiO 2 thin film, and more preferably 50 ~ 58 ㎚. When it exceeds 60 nm, although the light transmittance of a transparent conductive film improves, coloring will arise and spectral transmittance and color b value will deviate from a target. On the other hand, when it is less than 45 nm, it becomes difficult to obtain target total light transmittance.

본 발명에 있어서의 저굴절률층의 성막방법으로서는, 진공증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법, 스프레이법 등이 알려져 있고, 필요로 하는 막두께에 따라, 상기 방법을 적절히 사용할 수 있으나, 막두께의 편차를 저감시킨다는 관점에서 스퍼터링법이 바람직하다. 일반적으로 스퍼터링으로 형성하는 경우는 반응성 DC 또는 AC 스퍼터링법이 사용된다. 성막속도를 향상시키기 위해 DC 또는 AC 전원의 전압값을 일정하게 유지하도록 반응성 가스유량을 제어하는 임피던스 제어 또는 특정 원소의 플라즈마 중에서의 발광강도를 일정하게 유지하도록 반응성 가스유량을 제어하는 플라즈마 에미션법이 사용된다. As the method for forming the low refractive index layer in the present invention, a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, a spray method, and the like are known, and the above method can be suitably used depending on the film thickness required. The sputtering method is preferable from the viewpoint of reducing the variation in thickness. Generally, when forming by sputtering, reactive DC or AC sputtering method is used. Impedance control for controlling the reactive gas flow rate to maintain a constant voltage value of a DC or AC power source to improve the deposition rate, or plasma emission method for controlling the reactive gas flow rate to maintain a constant emission intensity in the plasma of a specific element. Used.

(투명도전성 박막층)Transparent conductive thin film layer

본 발명에 있어서의 투명도전성 박막층은 굴절률이 1.80~2.20인 무기 박막으로 된다. 보다 바람직하게는 1.90~2.10의 무기 박막이고, 더욱 바람직하게는 1.93~2.05의 무기 박막이다. 투명도전성 박막의 굴절률이 1.80 미만인 경우는, 도전성이 양호한 투명도전성 박막층을 형성하는 것이 곤란하다. 한편, 굴절률이 2.20을 초과하는 경우도 도전성이 양호한 투명도전성 박막층을 형성하는 것이 곤란하며, 또한, 공기와 투명도전성 박막층의 계면에서의 반사가 커져, 상기 광학 특성을 충족시키는 것이 곤란해진다. The transparent conductive thin film layer in this invention turns into an inorganic thin film whose refractive index is 1.80-2.20. More preferably, they are 1.90-2.10 inorganic thin films, More preferably, they are 1.93-2.05 inorganic thin films. When the refractive index of the transparent conductive thin film is less than 1.80, it is difficult to form a transparent conductive thin film layer having good conductivity. On the other hand, even when the refractive index exceeds 2.20, it is difficult to form a transparent conductive thin film layer having good conductivity, and also the reflection at the interface between air and the transparent conductive thin film layer becomes large, making it difficult to satisfy the above optical characteristics.

구체적으로는 산화인듐, 산화주석, 산화아연, 인듐-주석 복합 산화물, 주석-안티몬 복합 산화물, 아연-알루미늄 복합 산화물, 인듐-아연 복합 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 굴절률 조정을 위해 금속산화물을 적절히 첨가해도 상관없다. 이들 중, 환경 안정성이나 회로 가공성의 관점에서, 인듐-주석 복합 산화물이 매우 적합하다. Specifically, indium oxide, tin oxide, zinc oxide, indium-tin composite oxide, tin-antimony composite oxide, zinc-aluminum composite oxide, indium-zinc composite oxide, etc. may be mentioned. In addition, you may add a metal oxide suitably for refractive index adjustment. Among these, indium-tin composite oxide is very suitable from the viewpoint of environmental stability and circuit workability.

본 발명에 있어서 투명도전성 박막층을 적층하고, 투명도전성 필름의 표면저항값을 바람직하게는 50~5000 Ω/□, 더욱 바람직하게는 100~2000 Ω/□로 함으로써, 투명도전성 필름으로서 터치패널 등에 사용할 수 있다. 표면저항값이 100 Ω/□ 미만인 경우는 터치패널의 위치 인식 정밀도가 나빠지고, 2000 Ω/□를 초과하면 터치패널의 전극간에 가하는 전압을 높게 해야만 하는 경우가 있어, 바람직하지 않다. In the present invention, the transparent conductive thin film layer is laminated, and the surface resistance value of the transparent conductive film is preferably 50 to 5000 Ω / □, more preferably 100 to 2000 Ω / □, to be used in touch panels and the like as the transparent conductive film. Can be. When the surface resistance value is less than 100 Ω / □, the positional recognition accuracy of the touch panel is deteriorated, and when the surface resistance value exceeds 2000 Ω / □, the voltage applied between the electrodes of the touch panel may be high, which is not preferable.

또한 생산성의 관점에서 투명도전성 박막은 고굴절률층과 동일한 소재, 예를 들면 인듐-주석 조성인 것이 바람직하다. 조성이 상이한 경우, 고굴절률용, 투명도전성 박막용 각각의 타겟 및 캐소드가 필요해져, 설비적으로도 대규모 장치로 되어 버린다. In terms of productivity, the transparent conductive thin film is preferably the same material as the high refractive index layer, for example, an indium-tin composition. When the composition is different, each target and cathode for a high refractive index and a transparent conductive thin film are required, and a large scale device is also used in terms of equipment.

투명도전성 박막의 층구조는, 단층구조여도 되고, 2층 이상의 적층구조여도 된다. 2층 이상의 적층구조를 갖는 투명도전성 박막의 경우, 각 층을 구성하는 상기 금속산화물은 동일해도 되고, 상이해도 된다. The layer structure of the transparent conductive thin film may be a single layer structure or a laminated structure of two or more layers. In the case of the transparent conductive thin film which has a laminated structure of two or more layers, the said metal oxide which comprises each layer may be same or different.

투명도전성 박막의 막두께는, 4~25 ㎚의 범위가 바람직하고, 특히 바람직하게는 5~20 ㎚이며, 보다 바람직하게는 8~18 ㎚이다. 투명도전성 박막의 막두께가 4 ㎚ 미만인 경우, 연속한 박막이 되기 어려워, 양호한 도전성이 얻어지기 어려워진다. 한편, 투명도전성 박막의 막두께가 25 ㎚보다도 두꺼운 경우, 투명성이 저하되기 쉬워지는 동시에, 터치패널의 프레임 근방에서의 굽힘응력에 견딜 수 있는 기계강도를 갖는 막을 얻는 것이 곤란해진다. As for the film thickness of a transparent conductive thin film, the range of 4-25 nm is preferable, Especially preferably, it is 5-20 nm, More preferably, it is 8-18 nm. When the film thickness of the transparent conductive thin film is less than 4 nm, it becomes difficult to form a continuous thin film, and it is difficult to obtain good conductivity. On the other hand, when the film thickness of a transparent conductive thin film is thicker than 25 nm, transparency will fall easily, and it will become difficult to obtain the film | membrane which has mechanical strength which can endure bending stress in the frame vicinity of a touchscreen.

본 발명에 있어서의 투명도전성 박막의 성막방법으로서는, 진공증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법, 스프레이법 등이 알려져 있어, 필요로 하는 막두께에 따라, 상기 방법을 적절히 사용하 수 있다.As the film forming method of the transparent conductive thin film in the present invention, a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, a spray method, and the like are known, and the method can be appropriately used depending on the film thickness required.

예를 들면, 스퍼터링법의 경우, 산화물 타겟을 사용한 통상의 스퍼터링법, 또는, 금속 타겟을 사용한 반응성 스퍼터링법 등이 사용된다. 이때, 반응성 가스로서, 산소, 질소 등을 도입하거나, 오존 첨가, 플라즈마 조사, 이온 어시스트 등의 수단을 병용하거나 해도 된다. 또한, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 기판에 직류, 교류, 고주파 등의 바이어스를 인가해도 된다. For example, in the case of the sputtering method, a normal sputtering method using an oxide target or a reactive sputtering method using a metal target is used. At this time, oxygen, nitrogen, or the like may be introduced as the reactive gas, or means such as ozone addition, plasma irradiation, and ion assist may be used in combination. In addition, bias such as direct current, alternating current, or high frequency may be applied to the substrate within a range not to impair the object of the present invention.

(투명도전성 필름의 광학 특성)(Optical characteristics of the transparent conductive film)

본 발명의 투명도전성 필름은, 상기 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층의 순으로 적층한 구성을 가지며, 특정 파장영역에 투과율의 피크가 존재하기 때문에, 고정세한 표시체의 전면에 배치해도 시인성의 저하를 억제할 수 있다. Since the transparent conductive film of the present invention has a configuration in which a high refractive index layer, a low refractive index layer, and a transparent conductive thin film layer are laminated on a substrate made of the transparent plastic film, and a peak of transmittance exists in a specific wavelength region, Even if it arrange | positions in front of a high-definition display body, the fall of visibility can be suppressed.

본 발명의 투명도전성 필름의 분광 투과율의 피크는, 450~530 ㎚에 존재하기 때문에, 착색이 매우 적고, 또한 투과율이 우수하기 때문에, 본 발명의 투명도전성 필름을 터치패널 등의 부재에 사용했을 때, 시인성이 우수하다. 보다 바람직한 분광 투과율의 피크는 460~520 ㎚이고, 더욱 바람직한 분광 투과율의 피크는 470~510 ㎚이다. Since the peak of the spectral transmittance of the transparent conductive film of this invention exists in 450-530 nm, since coloring is very small and excellent transmittance | permeability, when the transparent conductive film of this invention is used for members, such as a touch panel, Excellent visibility. The peak of more preferable spectral transmittance is 460-520 nm, and the peak of more preferable spectral transmittance is 470-510 nm.

또한, 본 발명의 투명도전성 필름의 전광선 투과율이 90% 이상이기 때문에, 본 발명의 투명도전성 필름을 터치패널 등의 부재에 사용했을 때, 액정 디스플레이 등의 휘도의 저하를 억제할 수 있다. Moreover, since the total light transmittance of the transparent conductive film of this invention is 90% or more, when the transparent conductive film of this invention is used for members, such as a touch panel, the fall of brightness | luminance, such as a liquid crystal display, can be suppressed.

또한, 본 발명의 투명도전성 필름의 컬러 b값이 -2~2이기 때문에, 본 발명의 투명도전성 필름을 터치패널 등의 부재에 사용했을 때, 액정 디스플레이 등의 표시체의 표시색을 손상시키는 것을 억제할 수 있다. 보다 바람직한 컬러 b값은 -1.0~1.5이고, 더욱 바람직하게는 0~1.5이다. Moreover, since the color b value of the transparent conductive film of this invention is -2-2, when using the transparent conductive film of this invention for members, such as a touch panel, what impairs the display color of display bodies, such as a liquid crystal display, It can be suppressed. More preferable color b value is -1.0-1.5, More preferably, it is 0-1.5.

(뉴턴링의 발생을 방지)(Prevention of Newton ring)

또한, 터치패널로 했을 때 뉴턴링의 발생을 방지할 목적으로, 투명 플라스틱 필름의 설명에 있어서 기재한 경화물층에 중심선 평균 거칠기(Ra)가 0.1~0.5 ㎛의 범위가 되도록 입자를 함유시키는 것이 바람직하다. Ra가 0.1 미만인 경우에는, 뉴턴링의 발생을 방지하는 것이 어려워진다. 한편, Ra가 0.5 ㎛를 초과하는 경우에는, 투명도전성 박막 표면이 지나치게 거칠어져, 펜 슬라이딩 내구성이 나빠지는 경향이 있다. In addition, in order to prevent the occurrence of a Newton ring when using a touch panel, it is preferable to contain the particles in the cured product layer described in the description of the transparent plastic film so that the centerline average roughness Ra is in the range of 0.1 to 0.5 µm. desirable. When Ra is less than 0.1, it becomes difficult to prevent the occurrence of Newton rings. On the other hand, when Ra exceeds 0.5 micrometer, the surface of a transparent conductive thin film becomes too rough and it exists in the tendency for pen sliding durability to worsen.

경화물층에 함유시키는 입자로서는 특별히 한정은 없으나, 무기 입자(예를 들면, 실리카, 탄산칼슘 등), 내열성 유기 입자(예를 들면, 실리콘 입자, PTFE 입자, 폴리이미드 입자 등), 가교 고분자 입자(가교 PS 입자, 가교 아크릴계 입자 등)가 예시된다. 이들 입자의 평균 입경(전자현미경법에 의함)은, 0.5~5 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 경화물층 중에 함유시키는 입자의 함유율은 0.01~10 질량%로 하는 것이 바람직하다. The particles to be contained in the cured product layer are not particularly limited, but inorganic particles (for example, silica, calcium carbonate, etc.), heat resistant organic particles (for example, silicon particles, PTFE particles, polyimide particles, etc.), and crosslinked polymer particles (Crosslinked PS particles, crosslinked acrylic particles, etc.) are exemplified. It is preferable that the average particle diameter (by electron microscope method) of these particles is 0.5-5 micrometers. Moreover, it is preferable to make content rate of the particle | grains to contain in a hardened | cured material layer into 0.01-10 mass%.

(하드코트층)(Hard coat layer)

또한, 터치패널로 했을 때의 최외층(펜 입력면)의 내찰상성을 추가로 개선시키기 위해, 투명 플라스틱 필름의 투명도전성 박막을 형성시킨 표면과는 반대면(터치패널로 했을 때의 최외층의 펜 입력면)에, 하드코트층을 설치하는 것이 바람직하다. 상기 하드코트층의 경도는, 연필경도로 2H 이상인 것이 바람직하다. 2H 미만의 경도에서는, 투명도전성 필름의 하드코트층으로서는 내찰상성의 관점에서 불충분하다. In addition, in order to further improve the scratch resistance of the outermost layer (pen input surface) when the touch panel is used, the surface opposite to the surface on which the transparent conductive thin film of the transparent plastic film is formed (the outermost layer when the touch panel is used) It is preferable to provide a hard coat layer on the pen input surface). It is preferable that the hardness of the said hard coat layer is 2H or more with a pencil hardness. At a hardness of less than 2H, the hard coat layer of the transparent conductive film is insufficient from the viewpoint of scratch resistance.

상기 하드코트층의 두께는 0.5~10 ㎛인 것이 바람직하다. 두께가 0.5 ㎛ 미만에서는, 내찰상성이 불충분해지기 쉽고, 10 ㎛보다도 두꺼운 경우에는 생산성의 관점에서 바람직하지 않다.It is preferable that the thickness of the said hard-coat layer is 0.5-10 micrometers. If the thickness is less than 0.5 µm, scratch resistance tends to be insufficient, and if it is thicker than 10 µm, it is not preferable from the viewpoint of productivity.

상기 하드코트층에 사용되는 경화형 수지 조성물은, 아크릴레이트계의 관능기를 갖는 수지가 바람직하고, 예를 들면, 비교적 저분자량의 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지, 스피로아세탈 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리티올폴리엔 수지, 다가 알코올 등의 다관능성 화합물의 (메타)아크릴레이트 등의 올리고머 또는 프리폴리머 등을 들 수 있다. The curable resin composition used for the hard coat layer is preferably a resin having an acrylate-based functional group. For example, a relatively low molecular weight polyester resin, a polyether resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or an alkyd. Oligomers or prepolymers such as (meth) acrylates of polyfunctional compounds such as resins, spiroacetal resins, polybutadiene resins, polythiolpolyene resins, and polyhydric alcohols.

또한, 반응성 희석제로서는, 에틸(메타)아크릴레이트, 에틸헥실(메타)아크릴레이트, 스티렌, 메틸스티렌, N-비닐피롤리돈 등의 단관능 모노머 및 다관능 모노머, 예를 들면, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 헥산디올(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트 등을 비교적 다량으로 함유하는 것을 사용할 수 있다. Moreover, as a reactive diluent, monofunctional monomers and polyfunctional monomers, such as ethyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, styrene, methylstyrene, and N-vinylpyrrolidone, for example, trimethylolpropane tri (Meth) acrylate, hexanediol (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) Those containing relatively large amounts of acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentylglycol di (meth) acrylate, and the like can be used.

본 발명에서는, 올리고머로서 우레탄아크릴레이트, 모노머로서 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트 등을 혼합하는 것이 바람직하다. In this invention, it is preferable to mix urethane acrylate as an oligomer, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, etc. as a monomer.

또한, 상기 하드코트층에 사용되는 경화형 수지 조성물로서는, 폴리에스테르아크릴레이트와 폴리우레탄아크릴레이트의 혼합물이 특히 매우 적합하다. 폴리에스테르아크릴레이트는 도막이 매우 단단하여 하드코트층으로서 적합하다. 그러나, 폴리에스테르아크릴레이트 단독의 도막의 경우는 내충격성이 낮아 깨지기 쉽다는 문제가 있다. 이에, 도막에 내충격성 및 유연성을 부여하기 위해, 폴리우레탄아크릴레이트를 병용하는 것이 바람직하다. 즉, 폴리에스테르아크릴레이트에 폴리우레탄아크릴레이트를 병용함으로써, 도막은 하드코트층으로서의 경도를 유지하면서, 내충격성 및 유연성 등의 기능을 구비할 수 있다. Moreover, as curable resin composition used for the said hard-coat layer, the mixture of a polyester acrylate and a polyurethane acrylate is especially suitable. Polyester acrylate is very hard in coating and is suitable as a hard coat layer. However, in the case of a coating film of polyester acrylate alone, there is a problem that the impact resistance is low and easily broken. Therefore, in order to provide impact resistance and flexibility to a coating film, it is preferable to use polyurethane acrylate together. That is, by using polyurethane acrylate together with polyester acrylate, a coating film can be equipped with functions, such as impact resistance and flexibility ,, maintaining the hardness as a hard-coat layer.

양자의 배합비율은, 폴리에스테르아크릴레이트 수지 100 질량부에 대해, 폴리우레탄아크릴레이트 수지를 30 질량부 이하로 하는 것이 바람직하다. 폴리우레탄아크릴레이트 수지의 배합비율이 30 질량부를 초과하면, 도막이 지나치게 부드러워져 내충격성이 불충분해지는 경향이 있다. It is preferable that the compounding ratio of both makes polyurethane acrylate resin 30 mass parts or less with respect to 100 mass parts of polyester acrylate resins. When the compounding ratio of polyurethane acrylate resin exceeds 30 mass parts, there exists a tendency for a coating film to become soft too much and impact resistance will become inadequate.

상기 경화형 수지 조성물의 경화방법은, 통상의 경화방법, 즉, 가열, 전자선 또는 자외선의 조사에 의해 경화하는 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 전자선 경화의 경우는, 콕크로프트 왈톤형, 핸디그래프형, 공진변압형, 절연 코어 변압기형, 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기로부터 방출되는 50~1000 keV, 바람직하게는 100~300 keV의 에너지를 갖는 전자선 등이 사용된다. 또한, 자외선 경화의 경우에는, 초고압수은등, 고압수은등, 저압수은등, 카본아크, 크세논아크, 메탈할라이드램프 등의 광선으로부터 발하는 자외선 등을 이용할 수 있다. As a hardening method of the said curable resin composition, the normal hardening method, ie, the method of hardening by irradiation of a heating, an electron beam, or an ultraviolet-ray can be used. For example, in the case of electron beam curing, 50 to 1000 keV emitted from various electron beam accelerators such as cockcroft Walton type, handy graph type, resonant transformer type, insulated core transformer type, linear type, dynamtron type, and high frequency type, Preferably an electron beam or the like having an energy of 100 to 300 keV is used. In the case of ultraviolet curing, ultra high pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, low pressure mercury lamp, ultraviolet light emitted from light rays such as carbon arc, xenon arc, metal halide lamp, and the like can be used.

또한, 전리방사선 경화의 경우에는, 상기 경화형 수지 조성물 중에 광중합개시제나 광증감제를 함유시키는 것이 바람직하다. 광중합개시제로서는, 아세토페논류, 벤조페논류, 미힐러벤조일벤조에이트, α-아밀옥심에스테르, 테트라메틸티우람모노설파이드, 티옥산톤류 등을 들 수 있다. 또한, 광증감제로서는, n-부틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-부틸포스핀 등이 바람직하다.Moreover, in the case of ionizing radiation hardening, it is preferable to contain a photoinitiator and a photosensitizer in the said curable resin composition. Acetophenones, benzophenones, Michler's benzoyl benzoate, (alpha)-amyl oxime ester, tetramethyl thiuram monosulfide, thioxanthones etc. are mentioned as a photoinitiator. As the photosensitizer, n-butylamine, triethylamine, tri-n-butylphosphine and the like are preferable.

하드코트층에 방현성(防眩性)을 부여하기 위해서는, 경화형 수지 중에 CaCO3나 SiO2 등의 무기 입자를 분산시키는 방법, 또는 하드코트층의 표면에 요철형상을 형성시키는 방법이 유효하다. 예를 들면, 요철을 형성하기 위해서는, 경화형 수지 조성물을 포함하는 도액을 도공 후, 표면에 볼록형상을 갖는 부형 필름을 라미네이트하고, 이 부형 필름 위로부터 자외선을 조사하여 경화형 수지를 경화시킨 후에, 부형 필름만을 박리함으로써 얻어진다. In order to give a room overt (防眩性) the hard coat layer, a method of forming a method of dispersing inorganic particles such as CaCO 3 or SiO 2 in the curable resin, or the uneven shape on the surface of the hard coat layer it is effective. For example, in order to form an unevenness | corrugation, after coating the coating liquid containing curable resin composition, it laminates the shaping | molding film which has convex shape on the surface, irradiates an ultraviolet-ray from this shaping film, and hardens curable resin, It is obtained by peeling only a film.

상기 부형 필름에는, 이형성을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트(이후, PET로 약칭하는 경우가 있다) 등의 기재 필름 상에 목적하는 볼록형상을 설치한 것, 또는, PET 등의 기재 필름 상에 미세한 볼록층을 형성한 것 등을 사용할 수 있다. 그 볼록층의 형성은, 예를 들면, 무기 입자와 바인더 수지로 되는 수지 조성물을 사용하여 기재 필름 상에 도공함으로써 얻을 수 있다. In the said shaping film, the target convex shape was provided on the base film, such as polyethylene terephthalate (henceforth abbreviated as PET) which has mold release property, or a fine convex layer was formed on the base film, such as PET. What was formed can be used. Formation of this convex layer can be obtained by coating on a base film using the resin composition which consists of inorganic particle and binder resin, for example.

상기 바인더 수지로서는, 예를 들면, 폴리이소시아네이트로 가교된 아크릴폴리올을 사용하고, 무기 입자로서는, CaCO3나 SiO2 등을 사용할 수 있다. 또한, 이 밖에 PET 제조시에 SiO2 등의 무기 입자를 이겨 넣은 매트 타입의 PET도 사용할 수 있다. Examples of the binder resin, for example, using an acrylic polyol crosslinked by polyisocyanate, and the inorganic particles may be used, such as CaCO 3 or SiO 2. In addition, this can also be used outside the PET of a mat type insert overcome the inorganic particles of SiO 2, such as at the time of PET fabrication.

이 부형 필름을 자외선 경화형 수지의 도막에 라미네이트한 후 자외선을 조사하여 도막을 경화하는 경우, 부형 필름이 PET를 기재로 한 필름인 경우, 그 필름에 자외선의 단파장측이 흡수되어, 자외선 경화형 수지의 경화가 부족하다는 결점이 있다. 따라서, 자외선 경화형 수지의 도막에 라미네이트하는 부형 필름의 전광선 투과율이 20% 이상인 것을 사용하는 것이 필요하다.When laminating | stacking this shaping | molding film to the coating film of ultraviolet curable resin, and irradiating an ultraviolet-ray and hardening a coating film, when a shaping | molding film is a film based on PET, the short wavelength side of an ultraviolet-ray is absorbed by the film, and There is a drawback of lack of curing. Therefore, it is necessary to use the thing with 20% or more of total light transmittance of the shaping | molding film laminated to the coating film of ultraviolet curable resin.

또한, 터치패널에 사용했을 때 가시광선의 투과율을 추가로 향상시키기 위해, 하드코트층 상에 저반사 처리를 행해도 된다. 이 저반사 처리는, 하드코트층의 굴절률과는 상이한 굴절률을 갖는 재료를 단층 또는 2층 이상으로 적층하는 것이 바람직하다. In addition, in order to further improve the transmittance of visible light when used for the touch panel, a low reflection treatment may be performed on the hard coat layer. In this low reflection treatment, a material having a refractive index different from that of the hard coat layer is preferably laminated in a single layer or two or more layers.

단층구조의 경우, 하드코트층보다도 작은 굴절률을 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 2층 이상의 다층구조로 하는 경우는, 하드코트층과 인접한 층은, 하드코트층보다도 커다란 굴절률을 갖는 재료를 사용하고, 그 윗층에는 그것보다도 작은 굴절률을 갖는 재료를 선택하는 것이 좋다. 이러한 저반사 처리를 구성하는 재료로서는, 유기 재료, 무기 재료 상관없이, 상기 굴절률의 관계를 만족하면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, CaF2, MgF2, NaAlF4, SiO2, ThF4, ZrO2, Nd2O3, SnO2, TiO2, CeO2, ZnS, In2O3 등의 유전체를 사용하는 것이 바람직하다. In the case of a single layer structure, it is preferable to use a material having a refractive index smaller than that of the hard coat layer. In the case of a multilayer structure having two or more layers, it is preferable that a material having a refractive index larger than that of the hard coat layer is used for the layer adjacent to the hard coat layer, and a material having a refractive index smaller than that is selected for the upper layer. The material constituting such a low reflection treatment is not particularly limited as long as the relationship between the refractive indices is satisfied regardless of the organic material or the inorganic material. For example, it is preferable to use a dielectric such as CaF 2 , MgF 2 , NaAlF 4 , SiO 2 , ThF 4 , ZrO 2 , Nd 2 O 3 , SnO 2 , TiO 2 , CeO 2 , ZnS, In 2 O 3, or the like. Do.

이 저반사 처리는, 진공증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법 등의 드라이 코팅 프로세스여도 되고, 그라비아방식, 리버스방식, 다이방식 등의 웨트 코팅 프로세스여도 된다. The low reflection treatment may be a dry coating process such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or a wet coating process such as a gravure method, a reverse method, or a die method.

또한, 이 저반사 처리층의 적층에 앞서, 전처리로서, 코로나 방전처리, 플라즈마처리, 스퍼터 에칭처리, 전자선 조사처리, 자외선 조사처리, 프라이머처리, 이접착처리 등의 공지의 표면처리를 하드코트층에 행해도 된다. In addition, prior to the lamination of the low reflection treatment layer, as a pretreatment, known surface treatments, such as corona discharge treatment, plasma treatment, sputter etching treatment, electron beam irradiation treatment, ultraviolet irradiation treatment, primer treatment, and easy-adhesion treatment, are applied to the hard coat layer. You may also carry out.

(투명도전성 시트)(Transparent conductive sheet)

본 발명의 투명도전성 시트는, 본 발명의 투명도전성 필름의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에, 점착제를 매개로 투명 수지 시트를 첩합 적층함으로써 얻어진다. 본 발명의 투명도전성 시트는, 터치패널의 고정전극에 사용할 수 있다. 즉, 터치패널의 고정전극의 기판을 유리에서 본 발명의 투명 수지 시트로 변경함으로써, 경량이며 깨지기 어려운 터치패널을 제작할 수 있다. The transparent conductive sheet of the present invention is obtained by bonding and laminating a transparent resin sheet on a surface opposite to the surface on which the transparent conductive thin film layer of the transparent conductive film of the present invention is laminated. The transparent conductive sheet of the present invention can be used for a fixed electrode of a touch panel. That is, by changing the board | substrate of the fixed electrode of a touchscreen from glass to the transparent resin sheet of this invention, a lightweight and fragile touchpanel can be manufactured.

상기 점착제는, 투명성을 갖는 것이라면 특별히 한정은 없으나, 예를 들면 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제 등이 매우 적합하다. 이 점착제의 두께는 특별히 한정은 없지만, 통상 1~100 ㎛의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 점착제의 두께가 1 ㎛ 미만의 두께인 경우, 실용상 문제가 없는 접착성을 얻는 것이 어렵고, 100 ㎛를 초과하는 두께의 경우는 생산성의 관점에서 바람직하지 않다. The pressure-sensitive adhesive is not particularly limited as long as it has transparency. For example, acrylic pressure-sensitive adhesives, silicone pressure-sensitive adhesives, rubber pressure-sensitive adhesives and the like are very suitable. Although the thickness of this adhesive is not specifically limited, It is preferable to set in the range of 1-100 micrometers normally. When the thickness of an adhesive is less than 1 micrometer, it is difficult to obtain adhesiveness with no practical problem, and, in the case of thickness exceeding 100 micrometers, it is not preferable from a productivity viewpoint.

이 점착제를 매개로 첩합하는 투명 수지 시트는, 유리와 동등한 기계적 강도를 부여하기 위해 사용하는 것으로, 두께는 0.05~5 ㎜의 범위가 바람직하다. 상기 투명 수지 시트의 두께가 0.05 ㎜ 미만인 경우는, 기계적 강도가 유리에 비해 부족하다. 한편, 두께가 5 ㎜를 초과하는 경우에는, 지나치게 두꺼워 터치패널에 사용하기에는 부적당하다. 또한, 이 투명 수지 시트의 재질은, 상기 투명 플라스틱 필름과 동일한 것을 사용할 수 있다. The transparent resin sheet bonded together through this pressure-sensitive adhesive is used to impart mechanical strength equivalent to that of glass, and the thickness is preferably in the range of 0.05 to 5 mm. When the thickness of the said transparent resin sheet is less than 0.05 mm, mechanical strength is insufficient compared with glass. On the other hand, when thickness exceeds 5 mm, it is too thick and it is unsuitable for using for a touchscreen. In addition, the material similar to the said transparent plastic film can be used for the material of this transparent resin sheet.

(터치패널)(Touch panel)

터치패널은, 투명도전성 박막층을 갖는 한쌍의 투명도전성 기판(필름, 유리, 시트 중 어느 하나)을, 투명도전성 박막층이 대향하도록 스페이서를 매개로 배치해서 된다. 펜에 의해 문자를 입력했을 때, 펜으로부터의 압압(押壓)에 의해, 대향한 투명도전성 박막끼리 접촉하여, 전기적으로 ON의 상태가 되어, 터치패널 상에서의 펜의 위치를 검출할 수 있다. 이 펜 위치를 연속적이고 정확하게 검출함으로써, 펜의 궤적으로부터 문자를 인식할 수 있다.In the touch panel, a pair of transparent conductive substrates (either film, glass or sheet) having a transparent conductive thin film layer may be disposed via a spacer so that the transparent conductive thin film layers face each other. When a character is input by the pen, the opposing transparent conductive thin films are brought into contact with each other by the pressing force from the pen, and the state of the pen on the touch panel can be detected. By detecting this pen position continuously and accurately, it is possible to recognize characters from the pen trajectory.

본 발명의 터치패널은, 적어도 한쪽의 투명도전성 기판에 상기 본 발명의 투명도전성 필름을 사용한 것이다. 이때, 펜 접촉측의 가동전극이 본 발명의 투명도전성 필름을 사용하면, 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체에 삽입되어도 시인성이 저하되지 않고, 또한 펜 슬라이딩 내구성이 우수하기 때문에, 장기간에 걸쳐 안정한 터치패널로 할 수 있다. 도 1에, 본 발명의 투명도전성 필름을 사용한, 터치패널의 예를 나타낸다. In the touch panel of the present invention, the transparent conductive film of the present invention is used for at least one transparent conductive substrate. At this time, when the movable electrode on the pen contact side uses the transparent conductive film of the present invention, even when inserted into a display such as a high-definition liquid crystal display, the visibility is not lowered and the pen sliding durability is excellent, so that it is stable for a long time. The touch panel can be used. In FIG. 1, the example of the touchscreen using the transparent conductive film of this invention is shown.

또한, 본 발명의 투명도전성 필름 및 투명도전성 시트를 사용해서 얻은, 유리기판을 사용하지 않는 플라스틱제 터치패널의 단면도를 도 2에 나타내었다. 이 플라스틱제 터치패널은, 유리를 사용하고 있지 않기 때문에, 매우 경량이며, 또한 충격에 의해 깨지는 경우가 없다.In addition, sectional drawing of the plastic touch panel which does not use the glass substrate obtained using the transparent conductive film and transparent conductive sheet of this invention is shown in FIG. Since this plastic touch panel does not use glass, it is very light weight and cannot be broken by an impact.

실시예Example

이하에 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명은 이들 실시예에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다. 또한, 투명도전성 필름의 성능 및 고굴절률층, 투명도전성 박막의 결정성, 터치패널의 펜 슬라이딩 내구성 시험은, 하기 방법으로 측정하였다. Although an Example demonstrates this invention further in detail below, this invention is not limited at all by these Examples. In addition, the performance of the transparent conductive film, the crystallinity of the high refractive index layer, the transparent conductive thin film, and the pen sliding durability test of the touch panel were measured by the following method.

(1) 전광선 투과율(1) total light transmittance

JIS-K7136에 준거해서, 닛폰 덴쇼쿠 고교(주) 제조 NDH-1001DP를 사용하여, 광선투과율을 측정하였다. In accordance with JIS-K7136, light transmittance was measured using Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd. product NDH-1001DP.

(2) 표면저항값(2) surface resistance

JIS-K7194에 준거해서, 4단자법으로 측정하였다. 측정기는 미쯔비시 유카(주) 제조　Lotest AMCP-T400을 사용하였다. It measured by the 4-terminal method based on JIS-K7194. The tester used Mitsubishi Yuka Co., Ltd. #Lotest AMCP-T400.

(3) 컬러(a값, b값)(3) Color (a value, b value)

JIS-K7105에 준거해서, 색차계(닛폰 덴쇼쿠 고교 제조, ZE-2000)를 사용하여, 표준의 빛 C/2로 컬러 a값, b값을 측정하였다. Based on JIS-K7105, the color a value and b value were measured with standard light C / 2 using the color difference meter (Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd., ZE-2000).

(4) 분광 투과율의 피크 파장(4) Peak wavelength of spectral transmittance

분광광도계(히타치 U-3500형)를 사용해서, 380~780 ㎚의 범위에서 투명도전성 박막측에 빛이 조사되도록 하여, 실내의 공기를 투과율의 참조로 해서 측정하였다. 측정결과로부터 투과율이 최대값이 되는 파장을 피크 파장으로 하였다. Using a spectrophotometer (Hitachi U-3500 type), light was irradiated to the transparent conductive thin film side in the range of 380-780 nm, and the indoor air was measured as a reference of the transmittance | permeability. From the measurement result, the wavelength at which the transmittance becomes the maximum value was defined as the peak wavelength.

(5) 고굴절률층, 투명도전성 박막의 결정성(5) Crystallinity of high refractive index layer and transparent conductive thin film

고굴절률층, 투명도전성 박막을 적층한 필름 시료편을 300 ㎛×300 ㎛의 정사각형으로 잘라내, 울트라미크로톰의 시료 홀더에, 박막면을 자기 앞쪽으로 해서 고정하였다. 이어서, 1 ㎛×1 ㎛ 이상의 목적 관찰부위를 갖는 절편이 얻어질 정도로 나이프를 필름면에 대해 매우 예각으로 설치하여, 설정 두께 70 ㎚로 절삭하였다. The film sample piece which laminated | stacked the high refractive index layer and the transparent conductive thin film was cut out to the square of 300 micrometer x 300 micrometers, and was fixed to the sample holder of an ultramicrotome with the thin film surface toward the front of the magnetic body. Subsequently, the knife was set at acute angle with respect to the film surface so that the slice which has the objective observation site | part of 1 micrometer * 1 micrometer or more was obtained, and it cut to 70 nm of setting thickness.

이 절편의 도전성 박막 표면측이며 또한 박막의 현저한 손상이 없는 부위에 있어서, 1 ㎛×1 ㎛의 관찰시야를 확보하고, 투과형 전자현미경(JEOL사 제조, JEM-2010)을 사용해서, 가속전압 200 kV, 명시야에서 관찰배율 5만배로 사진촬영을 행하여 결정성을 평가하였다. An observation voltage of 1 μm × 1 μm was ensured on the surface of the electrically conductive thin film surface of the section and without significant damage to the thin film, and an acceleration voltage of 200 was obtained by using a transmission electron microscope (JEM-2010, manufactured by JEOL). The crystallinity was evaluated by taking pictures at kV and bright field at a magnification of 50,000 times.

(6) 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성 시험(6) Pen sliding durability test near the frame

터치패널의 첩합부의 안쪽으로부터 1.5 ㎜ 떨어진 위치를 폴리아세탈제 펜(선단의 형상：0.8 ㎜R)에 2.5 N의 하중을 가하고, 1만회(왕복 5000회)의 직선 슬라이딩 시험을 터치패널에 행하였다. 이때의 슬라이딩 거리는 30 ㎜, 슬라이딩 속도는 60 ㎜/초로 하였다. 또한, 터치패널의 상하 기판의 갭은 150 ㎛였다. 이 슬라이딩 내구성 시험 후에, 먼저, 슬라이딩부가 백화되어 있는지를 육안으로 관찰하였다. 또한, 슬라이딩 부위 가까운 주변을 현미경으로 관찰하여, 크랙의 발생이 없는지 관찰하였다. 또한, 펜 하중 1.0 N으로 슬라이딩부를 눌렀을 때의, ON 저항(가동전극(필름전극)과 고정전극이 접촉했을 때의 저항값)을 측정하였다. A load of 2.5 N was applied to a polyacetal pen (shape of the tip: 0.8 mmR) at a position 1.5 mm from the inside of the bonded portion of the touch panel, and a linear sliding test was performed on the touch panel for 10,000 times (5000 round trips). It was. The sliding distance at this time was 30 mm, and the sliding speed was 60 mm / second. In addition, the gap of the upper and lower board | substrates of a touchscreen was 150 micrometers. After this sliding durability test, it was visually observed whether the sliding part was whitening. In addition, the vicinity of the sliding site was observed under a microscope to observe whether or not cracks were generated. Furthermore, the ON resistance (resistance value when the movable electrode (film electrode) and the fixed electrode contacted) when the sliding portion was pressed at a pen load of 1.0 N was measured.

(7) 펜 슬라이딩 내구성 시험(7) pen sliding durability test

폴리아세탈제 펜(선단의 현상：0.8 ㎜R)에 2.5 N의 하중을 가하고, 10만회(왕복 5만회)의 직선 슬라이딩 시험을 터치패널에 행하였다. 이때의 슬라이딩 거리는 30 ㎜, 슬라이딩 속도는 60 ㎜/초로 하였다. 이 슬라이딩 내구성 시험 후에, 먼저, 슬라이딩부가 백화되어 있는지를 육안으로 관찰하였다. 또한, 펜 하중 0.5 N으로 상기 슬라이딩부에 가해지도록 20 ㎜ø의 기호 ○ 표시를 필기하여, 터치패널이 이것을 정확하게 읽어낼 수 있는지를 평가하였다. 또한, 펜 하중 0.5 N으로 슬라이딩부를 눌렀을 때의, ON 저항(가동전극(필름전극)과 고정전극이 접촉했을 때의 저항값)을 측정하였다. A 2.5 N load was applied to a polyacetal pen (developing at the tip: 0.8 mm R), and a linear sliding test of 100,000 times (50,000 round trips) was performed on the touch panel. The sliding distance at this time was 30 mm, and the sliding speed was 60 mm / second. After this sliding durability test, it was visually observed whether the sliding part was whitening. In addition, the symbol ○ mark of 20 mm was written so as to be applied to the sliding portion with a pen load of 0.5 N to evaluate whether the touch panel could read this accurately. In addition, the ON resistance (resistance value when the movable electrode (film electrode) and the fixed electrode contacted) when the sliding portion was pressed at a pen load of 0.5 N was measured.

(8) 고온·고습하에서의 환경시험(8) Environmental test under high temperature and high humidity

　투명도전성 필름을, (주) 나가노 가가쿠 기카이 세이사쿠쇼 제조의 LH43-12P를 사용하여 85℃, 85%RH의 분위기하에서 1000시간 폭로하였다. 이 처리 후에 표면저항값, 광선투과율, 컬러를 측정하였다. The transparent conductive film was exposed to 1000 degreeC in the atmosphere of 85 degreeC and 85% RH using LH43-12P by the Nakano Chemical Co., Ltd. product made by Seiki International Corporation. After this treatment, the surface resistance value, light transmittance and color were measured.

(9) 고굴절률층, 저굴절률층, 투명도전성 박막층의 막두께(9) Film thicknesses of the high refractive index layer, the low refractive index layer, and the transparent conductive thin film layer

고굴절률층, 저굴절률층, 투명도전성 박막층을 적층한 필름 시료편을 1 ㎜×10 ㎜의 크기로 잘라내, 전자현미경용 에폭시 수지에 포매하였다. 이것을 울트라미크로톰의 시료 홀더에 고정하고, 포매한 시료편의 짧은 변에 평행한 단면 박절편을 제작하였다. 이어서, 이 절편의 박막의 현저한 손상이 없는 부위에 있어서, 투과형 전자현미경(JEOL사 제조, JEM-2010)을 사용해서, 가속전압 200 kV, 명시야에서 관찰배율 1만배로 사진촬영을 행하여 얻어진 사진으로부터 막두께를 구하였다. The film sample piece which laminated | stacked the high refractive index layer, the low refractive index layer, and the transparent conductive thin film layer was cut out to the magnitude | size of 1 mm x 10 mm, and embedded in the epoxy resin for electron microscopes. This was fixed to the sample holder of an ultramicrotome, and the cross-section thin piece parallel to the short side of the embedded sample piece was produced. Subsequently, photographs obtained by photographing at an observation magnification of 10,000 times at an accelerating voltage of 200 kV and a bright field using a transmission electron microscope (JEM-2010, manufactured by JEOL Co., Ltd.) at the site where there was no significant damage of the thin film of this section. The film thickness was calculated | required from.

(10) 고굴절률층, 저굴절률층, 투명도전성 박막층의 굴절률(10) Refractive index of high refractive index layer, low refractive index layer, transparent conductive thin film layer

실리콘 웨이퍼 상에 각층을 각각 동 성막조건으로 제작한 시료에 대해서 분광 엘립소미터(오츠카 덴시 가부시키가이샤 제조, FE-5000)를 사용하여 550 ㎚의 굴절률을 평가하였다. 또한, 각층을 설치한 필름의 분광 투과율 측정 데이터에 대해 광학 시뮬레이션 소프트웨어를 사용하여 피팅을 행해, 굴절률을 산출하였다. 이때, 각층의 막두께는 상기 막두께 평가방법에 의해 평가한 값을 사용하였다. 또한 이와 같이 산출한 각층의 굴절률이 실리콘 웨이퍼 상의 각층의 굴절률과 크게 차가 없는 것을 확인하였다. Refractive index of 550 nm was evaluated using the spectroscopic ellipsometer (Otsuka Denshi Co., Ltd. make, FE-5000) about the sample which produced each layer on the silicon wafer by the film-forming conditions, respectively. In addition, the spectral transmittance measurement data of the film provided with each layer was fitted using optical simulation software, and the refractive index was computed. At this time, the film thickness of each layer used the value evaluated by the said film thickness evaluation method. In addition, it was confirmed that the refractive index of each layer thus calculated was not significantly different from the refractive index of each layer on the silicon wafer.

[실시예 1]Example 1

광중합개시제 함유 아크릴계 수지(다이니치 세이카 고교사 제조, 세이카빔 EXF-01J) 100 질량부에, 용제로서 톨루엔/MEK(80/20：질량비)의 혼합용매를, 고형분 농도가 50 질량%가 되도록 첨가하고, 교반하여 균일하게 용해해서 도포액을 조제하였다. To 100 parts by mass of a photopolymerization initiator-containing acrylic resin (manufactured by Daiichi Seika Co., Ltd., Seika Beam EXF-01J), a mixed solvent of toluene / MEK (80/20: mass ratio) is added as a solvent so that the solid content concentration is 50% by mass. The mixture was stirred and uniformly dissolved to prepare a coating solution.

양면에 이접착층을 갖는 이축배향 투명 PET 필름(도요 보세키사 제조, A4340, 두께 188 ㎛)에, 도막의 두께가 5 ㎛가 되도록 조제한 도포액을, 메이어 바를 사용하여 도포하였다. 80℃에서 1분간 건조를 행한 후, 자외선 조사장치(아이그래픽사 제조, UB042-5AM-W형)를 사용해서 자외선을 조사(광량：300 mJ/㎠)하여, 도막을 경화시켰다. 이어서, 반대면에 대해서도 동일하게 도막을 설치한 후, 180℃에서 1분간의 가열처리를 행하여, 휘발성분의 저감을 행하였다. The coating liquid prepared so that the thickness of a coating film might be 5 micrometers was apply | coated to the biaxially oriented transparent PET film (ATosho Boseki Co., A4340, thickness 188 micrometers) which has an easily bonding layer on both surfaces using the Mayer bar. After drying at 80 degreeC for 1 minute, the ultraviolet-ray was irradiated (light quantity: 300mJ / cm <2>) using the ultraviolet irradiation device (The UB042-5AM-W type | mold by Igraphic Corporation), and the coating film was hardened. Subsequently, after providing a coating film similarly to the opposite surface, heat processing was performed at 180 degreeC for 1 minute, and the volatile content was reduced.

또한, 이 경화물층을 적층한 이축배향 투명 PET 필름을 진공 폭로하기 위해, 진공 챔버 중에서 되감기처리를 행하였다. 이때의 압력은 0.002 Pa이고, 폭로시간은 20분으로 하였다. 또한, 센터롤의 온도는 40℃로 하였다.Moreover, in order to expose a vacuum to the biaxially oriented transparent PET film which laminated | stacked this hardened | cured material layer, rewinding process was performed in the vacuum chamber. The pressure at this time was 0.002 Pa, and the exposure time was 20 minutes. In addition, the temperature of the center roll was 40 degreeC.

다음으로, 이 경화물층 상에 인듐-주석 복합 산화물로 되는 고굴절률층을 성막하였다. 이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 산화주석을 36 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 6.9 g/㎤)을 사용하여, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 O2 유량의 3배의 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하였다. 단, 통상의 DC가 아니라, 아크 방전을 방지하기 위해, 닛폰 이앤아이 제조 RPG-100을 사용하여 5 μs 폭의 펄스를 50 kHz 주기로 인가하였다. 또한, 센터롤 온도는 0℃로 하고, 스퍼터링을 행하였다. Next, a high refractive index layer made of indium-tin composite oxide was formed on this cured product layer. At this time, the pressure before sputtering was set to 0.0001 Pa, and DC power of 2 W / cm 2 was applied using indium oxide (Sumitomo Kinzoku Kosansha, Density 6.9 g / cm 3) containing 36 mass% of tin oxide as a target. It was. Further, Ar gas was flowed at 130 sccm and O 2 gas at a flow rate three times the O 2 flow rate at which the surface resistance value was minimum, and the film was formed using a DC magnetron sputtering method in an atmosphere of 0.4 Pa. However, in order to prevent arc discharge rather than normal DC, the pulse of 5 microseconds width was applied in 50 kHz period using RPG-100 by Nippon E & I. In addition, the center roll temperature was 0 degreeC, and sputtering was performed.

또한, 분위기의 산소분압을 스퍼터 프로세스 모니터(LEYBOLD INFICON사 제조, XPR2)로 상시 관측하면서, 인듐-주석 복합 산화물 박막 중의 산화도가 일정해지도록 산소가스의 유량계 및 DC 전원에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 45 ㎚의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 고굴절률층을 퇴적시켰다. 이와 같이 하여 얻어진 고굴절률층의 표면저항값은 1×106 Ω/□ 이상이었다. In addition, the oxygen partial pressure of the atmosphere was constantly observed with a sputter process monitor (manufactured by LEYBOLD INFICON, XPR2), and fed back to the flowmeter of the oxygen gas and the DC power supply so that the oxidation degree in the indium-tin composite oxide thin film was constant. As described above, a high refractive index layer made of an indium-tin composite oxide having a thickness of 45 nm was deposited. The surface resistance value of the high refractive index layer thus obtained was 1 × 10 6 Ω / square or more.

또한 상기 고굴절률층 상에 저굴절률층으로서 SiO2 박막을 형성하는데는, 실리콘을 타겟으로 사용하여, 직류 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하였다. 또한, 기판의 배면(背面)에는 0℃의 냉각 롤을 설치하여, 투명 플라스틱 필름을 냉각하였다. 이때의 타겟에는 7.8 W/㎠의 전력을 공급하고, 다이나믹 레이트는 23 ㎚·m/분이었다. In addition, to form a SiO 2 thin film as a low refractive index layer on the high refractive index layer, using a silicon as a target, by a direct-current magnetron sputtering method, the vacuum degree is 0.27 Pa, Ar gas as gas, 500 sccm, O 2 gas is 80 Flow was at a flow rate of sccm. Moreover, the cooling roll of 0 degreeC was installed in the back surface of the board | substrate, and the transparent plastic film was cooled. The target at this time was supplied with 7.8 W / cm 2 of electric power, and the dynamic rate was 23 nm · m / min.

또한, 성막 중의 전압값을 상시 관측하면서, 전압값이 일정해지도록 산소가스의 유량계에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 55 ㎚, 굴절률 1.46의 저굴절률층을 퇴적시켰다. Moreover, while observing the voltage value during film-forming, it always fed back to the flowmeter of oxygen gas so that a voltage value might become constant. As described above, the low refractive index layer having a thickness of 55 nm and a refractive index of 1.46 was deposited.

다음으로, 이 저굴절률층 상에 인듐-주석 복합 산화물로 되는 투명도전성 박막을 성막하였다. 이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 산화주석을 36 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 6.9 g/㎤)을 사용하여, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하였다. 단, 통상의 DC가 아니라, 아크 방전을 방지하기 위해, 닛폰 이앤아이 제조 RPG-100을 사용하여 5 μs 폭의 펄스를 50 kHz 주기로 인가하였다. 또한, 센터롤 온도는 10℃로 하고, 스퍼터링을 행하였다. Next, a transparent conductive thin film of indium-tin composite oxide was formed on the low refractive index layer. At this time, the pressure before sputtering was set to 0.0001 Pa, and DC power of 2 W / cm 2 was applied using indium oxide (Sumitomo Kinzoku Kosansha, Density 6.9 g / cm 3) containing 36 mass% of tin oxide as a target. It was. Further, Ar gas was allowed to flow at 130 sccm and O 2 gas at a flow rate at which the surface resistance value was minimum, and the film was formed using a DC magnetron sputtering method in an atmosphere of 0.4 Pa. However, in order to prevent arc discharge rather than normal DC, the pulse of 5 microseconds width was applied in 50 kHz period using RPG-100 by Nippon E & I. In addition, the center roll temperature was 10 degreeC, and sputtering was performed.

또한, 분위기의 산소분압을 스퍼터 프로세스 모니터(LEYBOLD　INFICON사 제조, XPR2)로 상시 관측하면서, 인듐-주석 복합 산화물 박막 중의 산화도가 일정해지도록 산소가스의 유량계 및 DC 전원에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 15 ㎚, 굴절률 1.96의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 투명도전성 박막을 퇴적시켰다. In addition, the oxygen partial pressure of the atmosphere was constantly observed with a sputter process monitor (manufactured by LEYBOLD INFICON, XPR2), and fed back to the flowmeter of the oxygen gas and the DC power supply so that the oxidation degree in the indium-tin composite oxide thin film was constant. As described above, a transparent conductive thin film made of an indium-tin composite oxide having a thickness of 15 nm and a refractive index of 1.96 was deposited.

＜터치패널의 제작＞<Production of touch panel>

이 투명도전성 필름을 한쪽의 패널판으로서 사용하고, 다른 쪽의 패널판으로서, 유리기판 상에 플라즈마 CVD법으로 두께가 20 ㎚인 인듐-주석 복합 산화물 박막(산화주석 함유율：10 질량%)으로 되는 투명도전성 박막(닛폰 소다사 제조, S500)을 사용하였다. 이 2매의 패널판을 투명도전성 박막이 대향하도록, 직경 30 ㎛의 에폭시 비즈를 매개로 배치하여 터치패널을 제작하였다.This transparent conductive film is used as one panel plate, and the other panel plate is made of an indium-tin composite oxide thin film (tin oxide content: 10 mass%) having a thickness of 20 nm on the glass substrate by plasma CVD. A transparent conductive thin film (S500 manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) was used. The two panel plates were arranged so as to face the transparent conductive thin film via an epoxy bead of 30 µm in diameter to produce a touch panel.

[실시예 2][Example 2]

실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 10 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 7.1 g/㎠)으로 하고, O2가스유량을 표면저항값이 최소가 되는 유량의 5배로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 얻어진 고굴절률층의 표면저항값은 1×106 Ω/□ 이상이었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. 또한, 불활성 가스에 대한 수분압의 비는 5×10-3이었다. Example 1, and indium oxide containing tin oxide is 10% by weight as a target to fabricate a high refractive index layer according to (Sumitomo long joku alpine Shah manufacture, density 7.1 g / ㎠) into and, O 2 is the gas flow rate of the surface resistance value of at least A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the flow rate was changed to 5 times. The surface resistance of the obtained high refractive index layer was 1 × 10 6 Ω / square or more. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen. In addition, the ratio of the water pressure with respect to the inert gas was 5x10 <-3> .

[비교예 1]Comparative Example 1

실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 5 질량% 함유한 산화인듐(미쯔이 긴조쿠 고교샤 제조, 밀도 7.1 g/㎠)으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. In Example 1, a transparent conductive property was obtained in the same manner as in Example 1, except that indium oxide (Mitsui Kinzoku Co., Ltd., density 7.1 g / cm 2) containing 5% by mass of tin oxide was used as a target for producing the high refractive index layer. A film was produced. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[비교예 2][Comparative Example 2]

실시예 1에 있어서 저굴절률층의 막두께를 70 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. In Example 1, the transparent conductive film was produced like Example 1 except having set the film thickness of the low refractive index layer to 70 nm. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[비교예 3][Comparative Example 3]

실시예 1에 있어서 저굴절률층의 막두께를 40 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. In Example 1, the transparent conductive film was produced like Example 1 except having set the film thickness of the low refractive index layer to 40 nm. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[실시예 3][Example 3]

실시예 1과 동일하게 하여 하드코트층/이축배향 투명 PET 필름으로 되는 기재/경화물층/고굴절률층/저굴절률층/투명도전성 박막층으로 되는 적층체를 제작하고, 이어서, 이 하드코트층 상에 순차 TiO2 박막층(굴절률：2.30, 막두께 15 ㎚), SiO2 박막층(굴절률：1.46, 막두께 29 ㎚), TiO2 박막층(굴절률：2.30, 막두께 109 ㎚), SiO2 박막층(굴절률：1.46, 막두께 87 ㎚)을 적층함으로써 반사방지 처리층을 형성하였다. TiO2 박막층을 형성하는데는, 티탄을 타겟으로 사용하여, 직류 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa로 하고, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하였다. 또한, 기판의 배면에는 표면온도가 0℃인 냉각 롤을 설치하여, 투명 플라스틱 필름을 냉각하였다. 이때의 타겟에는 7.8 W/㎠의 전력을 공급하고, 다이나믹 레이트는 23 ㎚·m/분이었다. In the same manner as in Example 1, a laminate including a substrate, a hardened layer, a high refractive index layer, a low refractive index layer, and a transparent conductive thin film layer of a hard coat layer / biaxially oriented transparent PET film was prepared. TiO 2 thin film layer (refractive index: 2.30, film thickness 15 nm), SiO 2 thin film layer (refractive index: 1.46, film thickness 29 nm), TiO 2 thin film layer (refractive index: 2.30, film thickness 109 nm), SiO 2 thin film layer (refractive index: 1.46 and a film thickness of 87 nm) were laminated to form an antireflective treatment layer. In forming a TiO 2 thin film layer, titanium was used as a target, and the degree of vacuum was 0.27 Pa by direct current magnetron sputtering, and 500 gas of Ar gas and 80 gas of O 2 were flowed as a gas. Moreover, the cooling roll whose surface temperature is 0 degreeC was installed in the back surface of the board | substrate, and the transparent plastic film was cooled. The target at this time was supplied with 7.8 W / cm 2 of electric power, and the dynamic rate was 23 nm · m / min.

SiO2 박막을 형성하는데는, 실리콘을 타겟으로 사용하여, 직류 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하였다. 또한, 기판의 배면에는 0℃의 냉각 롤을 설치하여, 투명 플라스틱 필름을 냉각하였다. 이때의 타겟에는 7.8 W/㎠의 전력을 공급하고, 다이나믹 레이트는 23 ㎚·m/분이었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 한쪽 패널판으로서 사용하고, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. In forming a SiO 2 thin film, silicon was used as a target, and a DC magnetron sputtering method was used to flow a gas of 0.27 Pa, a gas of Ar gas as a gas, and a gas of O 2 gas at a flow rate of 80 sccm. Moreover, the cooling roll of 0 degreeC was installed in the back surface of the board | substrate, and the transparent plastic film was cooled. The target at this time was supplied with 7.8 W / cm 2 of electric power, and the dynamic rate was 23 nm · m / min. In addition, this transparent conductive film was used as one panel board | substrate, and it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[실시예 4]Example 4

실시예 1과 동일하게 하여 제작한 투명도전성 필름을, 아크릴계 점착제를 매개로 해서, 두께가 1.0 ㎜인 폴리카보네이트제의 시트에 첩부(貼付)하여, 투명도전성 적층 시트를 제작하였다. 이 투명도전성 적층 시트를 고정전극으로서 사용하고, 실시예 1의 투명도전성 필름을 가동전극에 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. The transparent conductive film produced in the same manner as in Example 1 was affixed to a polycarbonate sheet having a thickness of 1.0 mm via an acrylic pressure sensitive adhesive to produce a transparent conductive laminated sheet. This transparent conductive laminated sheet was used as a fixed electrode, and the transparent conductive film of Example 1 was used for the movable electrode, and the touch panel was produced like Example 1 similarly.

[실시예 5][Example 5]

실시예 1에 있어서 저굴절률층으로서 불화마그네슘(MgF2)으로 되는 박막을 성막한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 형성하였다.A transparent conductive film was formed in the same manner as in Example 1 except that a thin film made of magnesium fluoride (MgF 2 ) was formed as a low refractive index layer in Example 1.

이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 불화마그네슘(미쯔이 긴조쿠 제조)을 사용하여, 2 W/㎠의 13.56 MHz의 고주파 전력을 인가하고 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm의 유속으로 흐르게 하여 성막을 행하였다. 또한, 성막 중의 전압값을 상시 관측하면서, 전압값이 일정해지도록 산소가스의 유량계에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 60 ㎚, 굴절률 1.36의 저굴절률층을 퇴적시켰다. At this time, the pressure before sputtering was set to 0.0001 Pa, using magnesium fluoride (manufactured by Mitsui Ginjoku) as a target, a high frequency power of 13.56 MHz was applied at 2 W / cm 2, and the magnetron sputtering method gave a vacuum of 0.27 Pa and gas. The film was formed by flowing Ar gas at a flow rate of 500 sccm. Moreover, while observing the voltage value during film-forming, it always fed back to the flowmeter of oxygen gas so that a voltage value might become constant. As described above, a low refractive index layer having a thickness of 60 nm and a refractive index of 1.36 was deposited.

또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[실시예 6][Example 6]

실시예 1에 있어서 경화물층 상에 저굴절률층으로서 알루미늄-실리콘 복합 산화물(Al2O3-SiO2)로 되는 박막을 성막한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 형성하였다.A transparent conductive film was formed in the same manner as in Example 1 except that a thin film made of aluminum-silicon composite oxide (Al 2 O 3 -SiO 2 ) was formed as a low refractive index layer on the cured product layer in Example 1. .

이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 Al-Si(50：50 wt%)(미쯔이 긴조쿠 제조)를 사용하여, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하고 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하여 성막을 행하였다. 또한, 성막 중의 전압값을 상시 관측하면서, 전압값이 일정해지도록 산소가스의 유량계에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 50 ㎚, 굴절률 1.55의 저굴절률층을 퇴적시켰다.At this time, the pressure before sputtering was set to 0.0001 Pa, using Al-Si (50:50 wt%) (manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.) as a target, DC power of 2 W / cm 2 was applied, and the degree of vacuum was obtained by the magnetron sputtering method. 0.27 Pa, by flowing 500 sccm, O 2 gas, Ar gas as a gas at a flow rate of 80 sccm were subjected to film formation. Moreover, while observing the voltage value during film-forming, it always fed back to the flowmeter of oxygen gas so that a voltage value might become constant. As described above, a low refractive index layer having a thickness of 50 nm and a refractive index of 1.55 was deposited.

또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[실시예 7][Example 7]

실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 20 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 7.0 g/㎤)으로 하고, O2가스유량을 표면저항값이 최소가 되는 유량의 4배로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 얻어진 고굴절률층의 표면저항값은 1×106 Ω/□ 이상이었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. In Example 1, as a target for producing a high refractive index layer, an indium oxide containing 20 mass% of tin oxide (Sumitomo Kinzoku Kosansha, Density 7.0 g / cm 3) was used, and the O 2 gas flow rate was minimum. A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the flow rate was 4 times the flow rate. The surface resistance of the obtained high refractive index layer was 1 × 10 6 Ω / square or more. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[실시예 8][Example 8]

실시예 1에 있어서 갈륨을 도핑한 산화아연 박막을 투명도전성 박막으로 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 타겟으로서 산화갈륨을 5 질량% 함유한 산화아연(도소사 제조)을 사용하고, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하여, 두께 14 ㎚, 굴절률 2.05의 투명도전성 박막을 얻었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the zinc oxide thin film doped with gallium was used as the transparent conductive thin film in Example 1. Zinc oxide containing 5 mass% of gallium oxide (manufactured by Tosoh Corporation) was used as a target, and DC power of 2 W / cm 2 was applied. Further, Ar gas was flowed at 130 sccm and O 2 gas at a flow rate of minimum surface resistance, and film formation was performed using DC magnetron sputtering in an atmosphere of 0.4 Pa to form a transparent conductive thin film having a thickness of 14 nm and a refractive index of 2.05. Got it. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[실시예 9][Example 9]

고굴절률층의 두께를 40 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다. A transparent conductive film and a touch panel were produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the high refractive index layer was 40 nm.

[실시예 10][Example 10]

저굴절률층의 두께를 50 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.A transparent conductive film and a touch panel were produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the low refractive index layer was 50 nm.

[실시예 11][Example 11]

투명도전성 박막의 두께를 10 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.A transparent conductive film and a touch panel were produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the transparent conductive thin film was set to 10 nm.

[실시예 12][Example 12]

투명도전성 박막의 두께를 22 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.A transparent conductive film and a touch panel were produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the transparent conductive thin film was 22 nm.

[실시예 13][Example 13]

실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 55 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 6.7 g/㎤)으로 하고, O2가스유량을 표면저항값이 최소가 되는 유량의 2.5배로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 얻어진 고굴절률층의 표면저항값은 1×106 Ω/□ 이상이었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. In Example 1, as a target for producing the high refractive index layer, indium oxide containing 55% by mass of tin oxide (Sumitomo Kinzoku Kosansha, Density 6.7 g / cm 3) was used, and the O 2 gas flow rate had a minimum surface resistance value. A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the flow rate was set to 2.5 times. The surface resistance of the obtained high refractive index layer was 1 × 10 6 Ω / square or more. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[비교예 4][Comparative Example 4]

실시예 1에 있어서 저굴절률층으로서 지르코니아-실리콘 복합 산화물(ZrO2-SiO2)로 되는 박막을 성막한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 형성하였다.A transparent conductive film was formed in the same manner as in Example 1 except that a thin film made of zirconia-silicon composite oxide (ZrO 2 -SiO 2 ) was formed as a low refractive index layer in Example 1.

이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 ZrSi2(미쯔이 긴조쿠 제조)를 사용하여, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하고 직류 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하여 성막을 행하였다. 또한, 성막 중의 전압값을 상시 관측하면서, 전압값이 일정해지도록 산소가스의 유량계에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 45 ㎚, 굴절률 1.75의 저굴절률층을 퇴적시켰다.At this time, the pressure before sputtering was set to 0.0001 Pa, and ZrSi 2 (manufactured by Mitsui Ginjoku Co., Ltd.) was used as a target, and DC power of 2 W / cm 2 was applied thereto. Film formation was performed by flowing 500 sccm and O 2 gas at a flow rate of 80 sccm. Moreover, while observing the voltage value during film-forming, it always fed back to the flowmeter of oxygen gas so that a voltage value might become constant. As described above, a low refractive index layer having a thickness of 45 nm and a refractive index of 1.75 was deposited.

[비교예 5][Comparative Example 5]

실시예 2에 있어서, 제막 전의 되감기시의 압력을 추가로 한자리 향상시켜서 0.0002 Pa로 한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 이때의 불활성 가스에 대한 수분압의 비는 1×10-3이었다. 추가로 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. In Example 2, the transparent conductive film was produced like Example 2 except having further improved the pressure at the time of rewinding before film forming to 0.0002 Pa. The ratio of the water pressure to the inert gas at this time was 1 × 10 −3 . Furthermore, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[비교예 6][Comparative Example 6]

실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 75 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 5.8 g/㎤)으로 하고, O2가스유량을 표면저항값이 최소가 되는 유량의 2배로 하였다. 그러나, 스퍼터링 중에 이상방전이 다발하여, 고굴절률층을 성막할 수 없었다. In Example 1, as a target for producing the high refractive index layer, indium oxide containing 75 mass% of tin oxide (Sumitomo Kinzoku Kosansha, Density 5.8 g / cm 3) was used, and the O 2 gas flow rate had a minimum surface resistance value. It was made into twice the flow volume which becomes. However, abnormal discharge occurred frequently during sputtering, and a high refractive index layer could not be formed.

[비교예 7][Comparative Example 7]

실시예 1에 있어서 티탄 및 주석을 도핑한 산화인듐 박막을 투명도전성 박막으로 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 타겟으로서 산화인듐：산화주석：산화티탄＝60：10：30 중량%(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조)를 사용하고, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하여, 두께 15 ㎚, 굴절률 2.25의 투명도전성 박막을 얻었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the indium oxide thin film doped with titanium and tin was used as the transparent conductive thin film in Example 1. Indium oxide: tin oxide: titanium oxide = 60: 10: 30% by weight (made by Sumitomo Kinzoku Kosansha) was used as a target, and DC power of 2 W / cm 2 was applied. Further, Ar gas was flowed at 130 sccm and O 2 gas at a flow rate at which the surface resistance value was minimum, and a film was formed using DC magnetron sputtering in an atmosphere of 0.4 Pa to form a transparent conductive thin film having a thickness of 15 nm and a refractive index of 2.25. Got it. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[비교예 8][Comparative Example 8]

실시예 1에 있어서 실리콘 및 주석을 도핑한 산화인듐 박막을 투명도전성 박막으로 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 타겟으로서 산화인듐：산화주석：산화실리콘＝60：10：30 중량%(스미토모 광산사 제조)를 사용하고, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하여, 두께 18 ㎚, 굴절률 1.75의 투명도전성 박막을 얻었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the indium oxide thin film doped with silicon and tin was used as the transparent conductive thin film in Example 1. As a target, indium oxide: tin oxide: silicon oxide = 60: 10: 30 wt% (manufactured by Sumitomo Mining Co., Ltd.) was used, and DC power of 2 W / cm 2 was applied. Further, Ar gas was flowed at 130 sccm and O 2 gas at a flow rate at which the surface resistance value was minimum, and a film was formed using DC magnetron sputtering in an atmosphere of 0.4 Pa to form a transparent conductive thin film having a thickness of 18 nm and a refractive index of 1.75. Got it. Moreover, using this transparent conductive film, it carried out similarly to Example 1, and produced the touchscreen.

[비교예 9][Comparative Example 9]

고굴절률층의 두께를 30 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.A transparent conductive film and a touch panel were produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the high refractive index layer was set to 30 nm.

[비교예 10][Comparative Example 10]

고굴절률층의 두께를 60 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.A transparent conductive film and a touch panel were produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the high refractive index layer was 60 nm.

[비교예 11][Comparative Example 11]

투명도전성 박막의 두께를 30 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.A transparent conductive film and a touch panel were produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the transparent conductive thin film was set to 30 nm.

Figure 112013106525029-pct00005
Figure 112013106525029-pct00005

Figure 112012034877297-pct00002
Figure 112012034877297-pct00002

표 1, 2의 결과로부터, 본원 발명의 범위를 만족하는 실시예 1~13에 기재된 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트를 사용한 터치패널은, 시인성이 우수하며, 또한 프레임 근방에 있어서 폴리아세탈제 펜(선단 형상：0.8 ㎜R)에 2.5 N의 하중을 가하여 1만회의 슬라이딩 시험을 행한 후에도 박리나 크랙의 발생도 없고, ON 저항에도 이상이 없었다. From the results of Tables 1 and 2, the touch panels using the transparent conductive films or the transparent conductive sheets described in Examples 1 to 13 satisfying the scope of the present invention are excellent in visibility, and are made of polyacetal pens in the vicinity of the frame ( Even after 10,000 times of sliding tests were performed by applying a 2.5 N load to the tip shape: 0.8 mmR), no peeling or cracking occurred, and there was no abnormality in the ON resistance.

한편, 고굴절률층이 결정질인 비교예 1에 기재된 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트를 사용한 터치패널은, 프레임 근방에서 폴리아세탈제 펜(선단 형상：0.8 ㎜R)에 2.5 N의 하중을 가하여 1만회의 슬라이딩 시험을 행한 후에 ON 저항에 이상이 발생하였다. 또한, 현미경으로 펜 슬라이딩 부분을 평가해보니, 투명도전성 박막의 박리나 크랙이 보였다. 투명도전성 박막이 결정질인 비교예 5도 마찬가지이다. On the other hand, the touch panel using the transparent conductive film or the transparent conductive sheet of the comparative example 1 whose crystalline layer of high refractive index is crystalline was applied 10,000 times by applying 2.5N load to the polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR) in the vicinity of a frame. An abnormality occurred in the ON resistance after the sliding test of. In addition, when the pen sliding portion was evaluated under a microscope, peeling or cracking of the transparent conductive thin film was observed. The same applies to Comparative Example 5 in which the transparent conductive thin film is crystalline.

또한, 저굴절률층 또는 고굴절률층 또는 투명도전성 박막의 막두께가 두꺼운 [비교예 2, 10, 11]은 전광선 투과율이 본원 발명의 범위외로 투명성이 나쁘고, 저굴절률층 또는 고굴절률층의 막두께가 얇은 [비교예 3, 9]는 컬러 b값이 본원 발명의 범위위로 색채가 나빠, 이들 투명도전성 필름을 사용한 터치패널은 시인성이 떨어지는 것이었다. 비교예 4, 비교예 7은 저굴절률층 또는 투명도전성 박막의 굴절률이 높기 때문에 컬러 b값이 본원 발명의 범위외로 색채가 나쁘다.In addition, [Comparative Examples 2, 10, 11], in which the film thickness of the low refractive index layer, the high refractive index layer, or the transparent conductive thin film is thick, the total light transmittance is poor in transparency outside the scope of the present invention, and the film thickness of the low refractive index layer or the high refractive index layer is low. [Comparative Examples 3, 9], which had a thin color, had poor color b values over the range of the present invention, and the touch panels using these transparent conductive films were inferior in visibility. In Comparative Example 4 and Comparative Example 7, since the refractive index of the low refractive index layer or the transparent conductive thin film is high, the color b value is poor in color outside the scope of the present invention.

비교예 7, 8은 표면저항이 지나치게 높아, 터치패널 용도에 적합하지 않다. 또한 비교예 6은 산화인듐에 대한 산화주석의 비율이 지나치게 많아 이상방전이 많고, 스퍼터링 중의 이상방전이 많아, 성막을 행할 수 없었다. Comparative Examples 7 and 8 have too high surface resistance and are not suitable for touch panel applications. Moreover, in Comparative Example 6, the ratio of tin oxide to indium oxide was too large, so that abnormal discharge was large, and abnormal discharge during sputtering was large, and film formation could not be performed.

본 발명의 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트는, 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체의 전면에 배치되는 터치패널에 사용했을 때, 시인성이 우수한 동시에, 터치패널의 프레임 근방에서도 박리, 크랙 등을 발생시키지 않고, 펜 슬라이딩 내구성이 우수하며, 또한 위치 검출 정밀도나 표시품위도 우수하기 때문에, 터치패널의 협프레임화에 대응할 수 있어, 휴대정보단말이나 디지털 비디오 카메라, 디지털 카메라 등에 사용되는, 기록매체의 소형화와 표시 디스플레이의 대화면화가 강하게 요구되는 터치패널로서 특히 매우 적합하다.The transparent conductive film or transparent conductive sheet of the present invention is excellent in visibility when used in a touch panel disposed on the front surface of a display such as a high-definition liquid crystal display, and generates peeling and cracks in the vicinity of the frame of the touch panel. It is excellent in pen sliding durability and excellent in position detection accuracy and display quality, so that it is possible to cope with narrowing of the touch panel, which is used for portable information terminals, digital video cameras, digital cameras, and the like. It is particularly suitable as a touch panel in which miniaturization and large screen of a display display are strongly demanded.

도면의 간단한 설명Brief Description of Drawings

도 1은 본 발명의 투명도전성 필름을 사용한, 터치패널의 설명도이다.1 is an explanatory diagram of a touch panel using the transparent conductive film of the present invention.

도 2는 본 발명의 투명도전성 필름을 사용한, 유리기판을 사용하지 않는 터치패널의 설명도이다.2 is an explanatory view of a touch panel using no transparent substrate using the transparent conductive film of the present invention.

10：투명도전성 필름
11：투명 플라스틱 필름(기재)
12：경화물층
13：고굴절률층
14：저굴절률층
15：투명도전성 박막층
16：하드코트층
20：비즈
30：유리판
40：투명도전성 시트
41：점착제
42：투명 수지 시트10: transparent conductive film
11: Transparent plastic film (base material)
12: hardened layer
13: high refractive index layer
14: Low refractive index layer
15: Transparent conductive thin film layer
16: hard coat layer
20: Beads
30: Glass board
40: Transparent conductive sheet
41: Adhesive
42: transparent resin sheet

Claims (8)

투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름으로서, 고굴절률층은 산화주석의 함유율이 20~60 질량%인 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 무기 박막이고, 저굴절률층은 굴절률이 1.30~1.60인 무기 박막으로 되며, 투명도전성 박막층은 굴절률이 1.80~2.20인 무기 박막으로 되고, 또한 투명도전성 필름의 분광 투과율의 피크가 450~530 ㎚에 존재하며, 또한 전광선 투과율이 90% 이상, 컬러 b값이 -2~2인 것을 특징으로 하는 투명도전성 필름. A transparent conductive film in which a high refractive index layer, a low refractive index layer, and a transparent conductive thin film layer are laminated in this order on a substrate made of a transparent plastic film, wherein the high refractive index layer is formed of amorphous indium- having a tin oxide content of 20 to 60 mass%. An inorganic thin film made of a tin composite oxide, the low refractive index layer is an inorganic thin film having a refractive index of 1.30 to 1.60, the transparent conductive thin film layer is an inorganic thin film having a refractive index of 1.80 to 2.20, and the peak of spectral transmittance of the transparent conductive film is 450 It exists in -530 nm, Furthermore, a total light transmittance is 90% or more, and the color b value is -2-2, The transparent conductive film characterized by the above-mentioned. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에 저반사 처리를 행한 것을 특징으로 하는 투명도전성 필름. The method of claim 1,
A transparent conductive film is subjected to a low reflection treatment on the surface opposite to the surface on which the transparent conductive thin film layer of the substrate made of the transparent plastic film is laminated. 삭제delete 제1항에 기재된 투명도전성 필름의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에, 점착제를 매개로 투명 수지 시트가 첩합(貼合)되어 있는 것을 특징으로 하는 투명도전성 시트. A transparent resin sheet is bonded to a surface opposite to the surface on which the transparent conductive thin film layer of the transparent conductive film according to claim 1 is laminated via an adhesive, wherein the transparent conductive sheet is a transparent conductive sheet. 삭제delete 제3항에 기재된 투명도전성 필름의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에, 점착제를 매개로 투명 수지 시트가 첩합되어 있는 것을 특징으로 하는 투명도전성 시트. The transparent conductive sheet is bonded to the opposite surface of the surface where the transparent conductive thin film layer of the transparent conductive film of Claim 3 was laminated | stacked via an adhesive agent. The transparent conductive sheet characterized by the above-mentioned. 투명도전성 박막층을 갖는 한쌍의 패널판을 투명도전성 박막층이 대향하도록 스페이서를 매개로 배치해서 되는 터치패널로서, 적어도 한쪽의 패널판이 제1항, 제3항, 제5항 및 제7항 중 어느 한 항에 기재된 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트로 되는 것을 특징으로 하는 터치패널. A touch panel in which a pair of panel plates having a transparent conductive thin film layer are disposed via a spacer so that the transparent conductive thin film layers face each other, wherein at least one panel plate is any one of claims 1, 3, 5 and 7. A touch panel comprising the transparent conductive film or the transparent conductive sheet according to claim.
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