KR102610341B1 - Oxide Thin Film Transistor Based Scan Driver Circuit - Google Patents

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KR102610341B1
KR102610341B1 KR1020220130485A KR20220130485A KR102610341B1 KR 102610341 B1 KR102610341 B1 KR 102610341B1 KR 1020220130485 A KR1020220130485 A KR 1020220130485A KR 20220130485 A KR20220130485 A KR 20220130485A KR 102610341 B1 KR102610341 B1 KR 102610341B1
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oxide
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박기찬
유이경
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건국대학교 산학협력단
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Abstract

스캔 드라이버 회로가 개시된다. 본 개시에 따른 스캔 드라이버 회로는 제1 산화물 TFT 내지 상기 제10 산화물 TFT를 포함할 수 있다. 본 개시에 따른 스캔 드라이버 회로는 상기 산화물 TFT들 중 몇몇이 공핍 모드 특성을 나타내는 경우에도 상기 회로가 안정적으로 동작될 수 있도록 하는 메커니즘을 포함한다. 본 스캔 드라이버 회로는 4개의 클럭 신호들에 기반하여 작동될 수 있다. 제1 클럭 신호 및 제2 클럭 신호는 제1 로우 레벨 전압과 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호이다. 상기 제2 클럭 신호는 상기 제1 클럭 신호와 서로 역위상이다. 제3 클럭 신호 및 제4 클럭 신호는 상기 제1 로우 레벨 전압 보다 더 낮은 제2 로우 레벨 전압과 상기 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호이다. 상기 제3 클럭 신호는 상기 제1 클럭 신호와 서로 동위상이다. 상기 제4 클럭 신호는 상기 제2 클럭 신호와 서로 동위상이다.A scan driver circuit is disclosed. The scan driver circuit according to the present disclosure may include a first oxide TFT to a tenth oxide TFT. The scan driver circuit according to the present disclosure includes a mechanism that allows the circuit to operate stably even when some of the oxide TFTs exhibit depletion mode characteristics. This scan driver circuit can operate based on four clock signals. The first clock signal and the second clock signal are signals in which a first low level voltage and a high level voltage are alternately repeated. The second clock signal is out of phase with the first clock signal. The third clock signal and the fourth clock signal are signals in which a second low level voltage lower than the first low level voltage and the high level voltage are alternately repeated. The third clock signal is in phase with the first clock signal. The fourth clock signal is in phase with the second clock signal.

Description

산화물 박막 트랜지스터에 기반한 스캔 드라이버 회로{Oxide Thin Film Transistor Based Scan Driver Circuit}Scan driver circuit based on oxide thin film transistor {Oxide Thin Film Transistor Based Scan Driver Circuit}

아래의 개시는 디스플레이 패널의 화소 스위치를 제어하는 스캔 드라이버 회로에 관한 것이다.The disclosure below relates to a scan driver circuit that controls pixel switches of a display panel.

스마트폰 등에 사용되는 중소형 OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이에서는 저온 다결정 실리콘(Low-Temperature Polycrystalline Silicon: LTPS) TFT를 사용해서 화소 회로와 스캔 드라이버 회로가 구성된다. 기존의 LTPS TFT는 전하 이동도가 높고 특성이 안정적인 장점이 있지만 제조 비용이 높은 문제가 있다. 반면 최근의 대형 OLED 디스플레이에 사용되고 있는 산화물 TFT를 이용하여 중소형 OLED 디스플레이의 화소 회로와 스캔 드라이버 회로를 모두 구성하면 제조 비용이 낮아지는 장점 뿐만 아니라 낮은 누설 전류를 바탕으로 구동 소비 전력을 감소시킬 수 있는 장점도 있다. 그러나 산화물 TFT는 전하 이동도가 상대적으로 낮고 안정성이 부족해서 종종 공핍 모드 특성을 나타내는 단점이 있다. 공핍 모드 특성을 나타내는 산화물 TFT의 경우, 그 게이트 단자와 소스 단자 사이에 0 V를 인가해도 완전히 꺼지지 않는 치명적인 문제가 있어서 회로의 동작 안정성을 저하시키고 오히려 소비 전력을 증가시키게 된다. 이러한 단점을 보상하려면 스캔 드라이버 회로가 복잡해져서 아직까지 산화물 TFT를 중소형 OLED 디스플레이에 적용하기는 어려운 상황이다. 따라서 단순한 구조의 산화물 TFT를 기반으로 스캔 드라이버 회로를 개발하기 위해서 많은 연구들이 진행되고 있다.In small and medium-sized OLED (Organic Light Emitting Diode) displays used in smartphones, etc., low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) TFT is used to form the pixel circuit and scan driver circuit. The existing LTPS TFT has the advantage of high charge mobility and stable characteristics, but has the problem of high manufacturing cost. On the other hand, if both the pixel circuit and scan driver circuit of a small and medium-sized OLED display are configured using the oxide TFT used in recent large-sized OLED displays, not only does it have the advantage of lowering manufacturing costs, but it can also reduce driving power consumption based on low leakage current. There are also advantages. However, oxide TFTs have a disadvantage in that they often exhibit depletion mode characteristics due to their relatively low charge mobility and lack of stability. In the case of oxide TFTs that exhibit depletion mode characteristics, there is a critical problem in that they do not turn off completely even when 0 V is applied between their gate terminal and source terminal, which reduces the operational stability of the circuit and actually increases power consumption. To compensate for these shortcomings, the scan driver circuit has become complicated, so it is still difficult to apply oxide TFT to small and medium-sized OLED displays. Therefore, much research is being conducted to develop scan driver circuits based on oxide TFTs with a simple structure.

본 개시에 의해 해결하고자 하는 과제는 안정적으로 동작되고 제조 비용 및/또는 소비 전력이 절감될 수 있는 스캔 드라이버 회로를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present disclosure is to provide a scan driver circuit that operates stably and can reduce manufacturing costs and/or power consumption.

본 개시에 의해 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present disclosure are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 개시의 일 측면에 따르면, 스캔 드라이버 회로가 제공된다. 본 스캔 드라이버 회로는, 스캔 입력 펄스를 공급받기 위한 입력 단자에 연결된 제1 단자, 제3 클럭 신호가 공급되는 게이트 단자 및 제2 단자를 가지는 제1 산화물 TFT, 높은 전원 전압이 공급되는 게이트 단자, 상기 제1 산화물 TFT의 제2 단자에 연결되는 제2 단자 및 제1 단자를 가지는 제8 산화물 TFT, 상기 제3 클럭 신호가 공급되는 게이트 단자, 상기 높은 전원 전압이 공급되는 제1 단자 및 제2 단자를 가지는 제5 산화물 TFT, 제1 클럭 신호가 공급되는 제2 단자, 상기 제1 산화물 TFT의 제2 단자와 상기 제8 산화물 TFT의 제2 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자 및 제1 단자를 가지는 제9 산화물 TFT, 상기 제9 산화물 TFT의 제1 단자에 연결되는 제2 단자, 상기 제1 산화물 TFT의 제2 단자와 상기 제8 산화물 TFT의 제2 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자 및 제1 단자를 가지는 제4 산화물 TFT, 상기 제5 산화물 TFT의 제2 단자와 상기 제4 산화물 TFT의 제1 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자, 상기 높은 전압 레벨이 공급되는 제1 단자 및 상기 제9 산화물 TFT의 제1 단자와 상기 제4 산화물 TFT의 제2 단자에 공통으로 연결되는 제2 단자를 가지는 제10 산화물 TFT, 제4 클럭 신호가 공급되는 게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 가지는 제3 산화물 TFT, 상기 제3 산화물 TFT의 제1 단자와 상기 제8 산화물 TFT의 제1 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자, 제2 클럭 신호가 공급되는 제1 단자 및 출력 노드에 연결된 제2 단자를 가지는 제7 산화물 TFT, 상기 제5 산화물 TFT의 제2 단자, 상기 제4 산화물 TFT의 제1 단자 및 상기 제10 산화물 TFT의 게이트 단자에 공통으로 연결된 게이트 단자, 상기 제3 산화물 TFT의 제2 단자에 연결되는 제1 단자 및 낮은 전원 전압이 공급되는 제2 단자를 가지는 제2 산화물 TFT, 및 상기 제5 산화물 TFT의 제2 단자, 상기 제4 산화물 TFT의 제1 단자 및 상기 제10 산화물 TFT의 게이트 단자에 공통으로 연결된 게이트 단자, 상기 출력 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 낮은 전원 전압이 공급되는 제2 단자를 가지는 제6 산화물 TFT를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present disclosure, a scan driver circuit is provided. This scan driver circuit includes a first terminal connected to an input terminal for receiving scan input pulses, a first oxide TFT having a gate terminal and a second terminal to which a third clock signal is supplied, a gate terminal to which a high power voltage is supplied, An eighth oxide TFT having a first terminal and a second terminal connected to the second terminal of the first oxide TFT, a gate terminal to which the third clock signal is supplied, a first terminal and a second terminal to which the high power voltage is supplied. A fifth oxide TFT having a terminal, a second terminal to which a first clock signal is supplied, a gate terminal and a first terminal commonly connected to the second terminal of the first oxide TFT and the second terminal of the eighth oxide TFT. It has a ninth oxide TFT, a second terminal connected to the first terminal of the ninth oxide TFT, a gate terminal commonly connected to the second terminal of the first oxide TFT and the second terminal of the eighth oxide TFT, and a second terminal connected to the first terminal of the ninth oxide TFT. A fourth oxide TFT having one terminal, a gate terminal commonly connected to the second terminal of the fifth oxide TFT and the first terminal of the fourth oxide TFT, a first terminal to which the high voltage level is supplied, and the ninth terminal. A tenth oxide TFT having a second terminal commonly connected to the first terminal of the oxide TFT and the second terminal of the fourth oxide TFT, a gate terminal to which a fourth clock signal is supplied, a first terminal, and a second terminal. A third oxide TFT, a gate terminal commonly connected to the first terminal of the third oxide TFT and the first terminal of the eighth oxide TFT, a first terminal to which a second clock signal is supplied, and a second terminal connected to an output node. a seventh oxide TFT having a second terminal of the fifth oxide TFT, a gate terminal commonly connected to the first terminal of the fourth oxide TFT and a gate terminal of the tenth oxide TFT, and a second terminal of the third oxide TFT. A second oxide TFT having a first terminal connected to a terminal and a second terminal to which a low power voltage is supplied, and a second terminal of the fifth oxide TFT, a first terminal of the fourth oxide TFT, and the tenth oxide TFT It may include a sixth oxide TFT having a gate terminal commonly connected to the gate terminal of , a first terminal connected to the output node, and a second terminal to which the low power voltage is supplied.

일 실시예에서, 상기 제1 클럭 신호는 제1 로우 레벨 전압과 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호이고, 상기 제2 클럭 신호는 상기 제1 로우 레벨 전압과 상기 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호이고 - 상기 제2 클럭 신호는 상기 제1 클럭 신호와 서로 역위상임 -, 상기 제3 클럭 신호는 상기 제1 로우 레벨 전압 보다 더 낮은 제2 로우 레벨 전압과 상기 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호이고 - 상기 제3 클럭 신호는 상기 제1 클럭 신호와 서로 동위상임 -, 상기 제4 클럭 신호는 상기 제2 로우 레벨 전압과 상기 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호이다 - 상기 제4 클럭 신호는 상기 제2 클럭 신호와 서로 동위상임.In one embodiment, the first clock signal is a signal in which a first low level voltage and a high level voltage are alternately repeated, and the second clock signal is a signal in which the first low level voltage and the high level voltage are alternately repeated. signal - the second clock signal is out of phase with the first clock signal - and the third clock signal alternately repeats a second low level voltage lower than the first low level voltage and the high level voltage. signal - the third clock signal is in phase with the first clock signal -, the fourth clock signal is a signal in which the second low level voltage and the high level voltage are alternately repeated - the fourth clock signal is in phase with the second clock signal.

일 실시예에서, 상기 스캔 드라이버 회로는, 한 단자가 상기 제3 산화물 TFT의 제1 단자, 상기 제8 산화물 TFT의 제1 단자 및 상기 제7 산화물 TFT의 게이트 단자에 공통으로 연결되고 다른 한 단자가 상기 출력 노드에 연결되는 커패시터(C2)를 더 포함한다.In one embodiment, the scan driver circuit has one terminal commonly connected to the first terminal of the third oxide TFT, the first terminal of the eighth oxide TFT, and the gate terminal of the seventh oxide TFT, and the other terminal. further includes a capacitor (C2) connected to the output node.

일 실시예에서, 상기 스캔 드라이버 회로는, 한 단자가 상기 제5 산화물 TFT의 제2 단자, 상기 제4 산화물 TFT의 제1 단자, 상기 제10 산화물 TFT의 게이트 단자 및 상기 제2 산화물 TFT의 게이트 단자에 공통으로 연결되고 다른 한 단자가 상기 낮은 전원 전압을 공급받는 커패시터(C1)를 더 포함한다.In one embodiment, the scan driver circuit has one terminal connected to the second terminal of the fifth oxide TFT, the first terminal of the fourth oxide TFT, the gate terminal of the tenth oxide TFT, and the gate terminal of the second oxide TFT. It further includes a capacitor C1 that is commonly connected to the terminal and whose other terminal is supplied with the low power voltage.

일 실시예에서, 상기 스캔 드라이버 회로는, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제3 클럭 신호가 상기 하이 레벨 전압을 가지고 상기 제2 클럭 신호가 상기 제1 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제4 클럭 신호가 상기 제2 로우 레벨 전압을 가지는 제1 시간 구간에서 상기 스캔 입력 펄스가 상기 입력 단자로 입력되는 것에 응답하여, 상기 제1 클럭 신호가 상기 제1 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제3 클럭 신호가 상기 제2 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제2 클럭 신호 및 상기 제4 클럭 신호가 상기 하이 레벨 전압을 가지는 제2 시간 구간에서 상기 출력 노드로 하이 레벨의 스캔 출력 신호를 출력하도록 동작한다.In one embodiment, the scan driver circuit is configured such that the first clock signal and the third clock signal have the high level voltage, the second clock signal has the first low level voltage, and the fourth clock signal has the high level voltage. In response to the scan input pulse being input to the input terminal in a first time period having a second low level voltage, the first clock signal has the first low level voltage and the third clock signal has the second low level voltage. It operates to output a high-level scan output signal to the output node in a second time period in which the second clock signal and the fourth clock signal have a low-level voltage and the high-level voltage.

일 실시예에서, 상기 제5 산화물 TFT는 공핍 모드 특성을 가지며, 상기 제5산화물 TFT는, 상기 제2 시간 구간에서, 상기 제5산화물 TFT의 게이트에 상기 제3 클럭 신호의 상기 제2 로우 레벨 전압이 공급되는 것에 응답하여 오프되도록 동작된다.In one embodiment, the fifth oxide TFT has depletion mode characteristics, and the fifth oxide TFT transmits the second low level of the third clock signal to the gate of the fifth oxide TFT in the second time period. It is operated to turn off in response to voltage being supplied.

일 실시예에서, 상기 제4 산화물 TFT는 공핍 모드 특성을 가지며, 상기 제4 산화물 TFT는, 상기 제1 클럭 신호가 상기 제1 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제3 클럭 신호가 상기 제2 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제2 클럭 신호 및 상기 제4 클럭 신호가 상기 하이 레벨 전압을 가지는 시간 구간에서, 상기 제10 산화물 TFT를 통해 상기 제9 산화물 TFT의 제1 단자와 상기 제4 산화물 TFT의 제2 단자에 상기 높은 전원 전압이 공급되는 것에 응답하여 오프되도록 동작된다.In one embodiment, the fourth oxide TFT has depletion mode characteristics, wherein the first clock signal has the first low level voltage and the third clock signal has the second low level voltage. In a time section in which the second clock signal and the fourth clock signal have the high level voltage, the first terminal of the ninth oxide TFT and the second terminal of the fourth oxide TFT are connected through the tenth oxide TFT. It is operated to turn off in response to the high power supply voltage being supplied.

일 실시예에서, 상기 제1 산화물 TFT 내지 상기 제10 산화물 TFT는 n-채널의 산화물 TFT이다.In one embodiment, the first to tenth oxide TFTs are n-channel oxide TFTs.

개시된 실시예들에 따르면, 안정적으로 동작되고 제조 비용 및/또는 소비 전력이 절감될 수 있는 스캔 드라이버 회로를 구현할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the disclosed embodiments, there is a technical effect of implementing a scan driver circuit that operates stably and can reduce manufacturing costs and/or power consumption.

도 1은 본 개시에 따른, 산화물 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT) 기반의 스캔 드라이버(scan driver) 회로의 일 실시예의 회로도를 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에서의 클럭 신호들 및 스캔 드라이버 회로에서의 여러 노드들에서의 신호들의 타이밍도를 도시한 도면이다.
1 is a diagram illustrating a circuit diagram of an embodiment of a scan driver circuit based on an oxide thin film transistor (TFT) according to the present disclosure.
FIG. 2 is a diagram showing a timing diagram of the clock signals in FIG. 1 and signals at various nodes in the scan driver circuit.

실시예들에 대한 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 예시를 위한 목적으로 개시된 것으로서, 다양한 형태로 변경되어 구현될 수 있다. 따라서, 실제 구현되는 형태는 개시된 특정 실시예로만 한정되는 것이 아니며, 본 개시의 범위는 실시예들로 설명한 기술적 사상에 포함되는 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Specific structural or functional descriptions of the embodiments are disclosed for illustrative purposes only and may be changed and implemented in various forms. Accordingly, the actual implementation form is not limited to the specific disclosed embodiments, and the scope of the present disclosure includes changes, equivalents, or substitutes included in the technical idea described in the embodiments.

"제1" 또는 "제2" 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이런 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 해석되어야 한다. 예를 들어, "제1 구성요소"는 "제2 구성요소"로 명명될 수 있고, 유사하게 "제2 구성요소"는 "제1 구성요소"로도 명명될 수 있다.Although terms such as “first” or “second” may be used to describe various components, these terms should be interpreted only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, a “first component” may be named a “second component” and similarly, a “second component” may also be named a “first component”.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being “connected” to another component, it should be understood that it may be directly connected or connected to the other component, but that other components may exist in between.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 개시에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설명된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present disclosure, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of the described features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof, and are intended to indicate the presence of one or more other features or numbers, It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 개시에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted in an idealized or overly formal sense unless explicitly defined in the present disclosure. No.

이하, 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the attached drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, identical components will be assigned the same reference numerals regardless of the reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.

도 1은 본 개시에 따른, 산화물 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT) 기반의 스캔 드라이버(scan driver) 회로의 일 실시예의 회로도를 도시한 도면이다. 도 2는 도 1에서의 클럭 신호들 및 스캔 드라이버 회로에서의 여러 노드들에서의 신호들의 타이밍도를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a circuit diagram of an embodiment of a scan driver circuit based on an oxide thin film transistor (TFT) according to the present disclosure. FIG. 2 is a diagram showing a timing diagram of the clock signals in FIG. 1 and signals at various nodes in the scan driver circuit.

도 1의 스캔 드라이버 회로(100)는 입력 단자에서 스캔 입력 펄스(Scan[n-1])를 공급받고 이에 응답하여 출력 노드에서 스캔 출력 신호(Scan[n])를 출력하도록 구성될 수 있다. 스캔 출력 신호(Scan[n])는, 예컨대 OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널과 같은 디스플레이 패널에 배열된 화소 회로에 포함되는 화소 스위치들 중의 어느 하나에 공급되어 해당 화소 스위치를 제어할 수 있다. 본 개시에 따른 스캔 드라이버 회로(100)는 복수의 산화물 TFT를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 스캔 드라이버 회로(100)는 n-채널의 산화물 TFT를 근간으로 설계될 수 있다. 본 개시에 따른 스캔 드라이버 회로(100)는, 산화물 TFT의 공핍 모드 특성을 보완하기 위해 기존에 사용하던 두개의 클럭 신호들(CK1, CK2) 뿐만 아니라 이들 클럭 신호와 그 파형 패턴이 각각 대응되나 로우 레벨에서만 더 낮은 전압으로 내려가는 두개의 추가의 클럭 신호들(CLK1, CLK2)에 기반하여 작동될 수 있다. 이를 위해, 4개의 클럭들이 사용될 수 있다. 제1 클럭은 로우 레벨 전압(VGL)과 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 클럭 신호(CK1)를 생성한다(도 2 참조). 제2 클럭은 로우 레벨 전압(VGL)과 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 클럭 신호(CK2)를 생성한다(도 2 참조). 여기서, 클럭 신호(CK2)는 클럭 신호(CK1)와 서로 역위상이다. 제3 클럭은 로우 레벨 전압(VGLL)과 하이 레벨 전압이 교대로 반복되고 클럭 신호(CK1)와 그 파형 패턴이 대응되나 로우 레벨에서만 더 낮은 전압(VGLL)으로 내려가는 클럭 신호(CKL1)를 생성한다(도 2 참조). 제4 클럭은 로우 레벨 전압(VGLL)과 하이 레벨 전압이 교대로 반복되고 클럭 신호(CK2)와 그 파형 패턴이 대응되나 로우 레벨에서만 더 낮은 전압(VGLL)으로 내려가는 클럭 신호(CKL2)를 생성한다(도 2 참조). 여기서, 클럭 신호(CKL2)는 클럭 신호(CKL1)와 서로 역위상이다. 일 실시예에서, 클럭 신호들(CK1, CK2, CKL1, CKL2)의 듀티비(duty cycle)는 약 40 퍼센트에서 45 퍼센트 사이일 수 있다. 본 개시에 따른 스캔 드라이버 회로(100)에 포함된 산화물 TFT들은 높은 전원 전압(VGH) 및 낮은 전원 전압(VGL)에 기반하여 작동될 수 있다. TFT에서 게이트(gate) 단자 이외의 두 단자들 중에서 높은 전압이 공급되거나 유지되는 단자를 드레인(drain) 단자라 칭하고 낮은 전압이 공급되거나 유지되는 단자를 소스(source) 단자라 칭하므로, 이하의 설명에서는 편의상 TFT의 게이트 단자 이외의 두 단자들 중 어느 한 단자를 제1 단자로 칭하고 나머지 한 단자를 제2 단자로 칭하기로 한다.The scan driver circuit 100 of FIG. 1 may be configured to receive a scan input pulse (Scan[n-1]) from an input terminal and output a scan output signal (Scan[n]) from an output node in response. The scan output signal (Scan[n]) can be supplied to one of the pixel switches included in a pixel circuit arranged in a display panel, such as an OLED (Organic Light Emitting Diode) display panel, to control the pixel switch. . The scan driver circuit 100 according to the present disclosure may include a plurality of oxide TFTs. In one embodiment, the scan driver circuit 100 may be designed based on an n-channel oxide TFT. The scan driver circuit 100 according to the present disclosure includes not only the two clock signals (CK1 and CK2) previously used to complement the depletion mode characteristics of the oxide TFT, but also the clock signals and their waveform patterns correspond to each other, but low It can be operated based on two additional clock signals (CLK1, CLK2) that only step down in level to a lower voltage. For this, four clocks can be used. The first clock generates a clock signal (CK1) in which the low level voltage (VGL) and the high level voltage are alternately repeated (see FIG. 2). The second clock generates a clock signal CK2 in which the low level voltage VGL and the high level voltage are alternately repeated (see FIG. 2). Here, the clock signal CK2 is out of phase with the clock signal CK1. The third clock generates a clock signal (CKL1) in which low-level voltage (VGLL) and high-level voltage are alternately repeated, and its waveform pattern corresponds to the clock signal (CK1), but goes down to a lower voltage (VGLL) only at the low level. (See Figure 2). The fourth clock alternately repeats the low level voltage (VGLL) and the high level voltage and generates a clock signal (CKL2) whose waveform pattern corresponds to the clock signal (CK2) but goes down to a lower voltage (VGLL) only at the low level. (See Figure 2). Here, the clock signal CKL2 is out of phase with the clock signal CKL1. In one embodiment, the duty cycle of the clock signals CK1, CK2, CKL1, and CKL2 may be between about 40 percent and 45 percent. The oxide TFTs included in the scan driver circuit 100 according to the present disclosure may be operated based on a high power supply voltage (VGH) and a low power supply voltage (VGL). In a TFT, among the two terminals other than the gate terminal, the terminal to which a high voltage is supplied or maintained is called the drain terminal, and the terminal to which a low voltage is supplied or maintained is called a source terminal. Therefore, the following description For convenience, one of the two terminals other than the gate terminal of the TFT will be referred to as the first terminal, and the other terminal will be referred to as the second terminal.

도 1을 참조하면, 본 개시에 따른 스캔 드라이버 회로(100)는 스캔 입력 펄스(Scan[n-1])를 공급받기 위한 입력 단자에 연결된 제1 단자, 클럭 신호(CKL1)가 공급되는 게이트 단자 및 제2 단자를 가지는 제1 산화물 TFT(M1)를 포함할 수 있다. 스캔 드라이버 회로(100)는 높은 전원 전압(VGH)이 공급되는 게이트 단자, 제1 산화물 TFT(M1)의 제2 단자에 연결되는 제2 단자 및 제1 단자를 가지는 제8 산화물 TFT(M8)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 제1 산화물 TFT(M1)의 제2 단자와 제8 산화물 TFT(M8)의 제2 단자 사이의 노드에서의 전압을 P[n]이라 칭하고, 제8 산화물 TFT(M8)의 제1 단자에서의 전압을 Q[n]이라 칭한다. 스캔 드라이버 회로(100)는 클럭 신호(CLK1)가 공급되는 게이트 단자, 높은 전원 전압(VGH)이 공급되는 제1 단자 및 제2 단자를 가지는 제5 산화물 TFT(M5)를 더 포함할 수 있다. 스캔 드라이버 회로(100)는 클럭 신호(CK1)가 공급되는 제2 단자, 제1 산화물 TFT(M1)의 제2 단자와 제8 산화물 TFT(M8)의 제2 단자 사이의 노드에서의 전압 P[n]이 공급되는 게이트 단자 및 제1 단자를 가지는 제9 산화물 TFT(M9)를 더 포함할 수 있다. 스캔 드라이버 회로(100)는 제9 산화물 TFT(M9)의 제1 단자에 연결되는 제2 단자, 제1 산화물 TFT(M1)의 제2 단자와 제8 산화물 TFT(M8)의 제2 단자 사이의 노드에서의 신호 P[n]이 공급되는 게이트 단자 및 제1 단자를 가지는 제4 산화물 TFT(M4)를 더 포함할 수 있다. 스캔 드라이버 회로(100)는 제5 산화물 TFT(M5)의 제2 단자와 제4 산화물 TFT(M4)의 제1 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자, 높은 전압 레벨(VGH)이 공급되는 제1 단자 및 제9 산화물 TFT(M9)의 제1 단자와 제4 산화물 TFT(M4)의 제2 단자 사이의 노드에 연결되는 제2 단자를 가지는 제10 산화물 TFT(M10)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 제5 산화물 TFT(M5)의 제2 단자, 제4 산화물 TFT(M4)의 제1 단자 및 제10 산화물 TFT(M10)의 게이트 단자 사이의 노드에서의 전압을 QB[n]이라 칭한다.Referring to FIG. 1, the scan driver circuit 100 according to the present disclosure includes a first terminal connected to an input terminal for receiving a scan input pulse (Scan[n-1]), and a gate terminal to which a clock signal (CKL1) is supplied. and a first oxide TFT (M1) having a second terminal. The scan driver circuit 100 includes an eighth oxide TFT (M8) having a gate terminal to which a high power voltage (VGH) is supplied, a second terminal connected to the second terminal of the first oxide TFT (M1), and a first terminal. More may be included. Here, the voltage at the node between the second terminal of the first oxide TFT (M1) and the second terminal of the eighth oxide TFT (M8) is referred to as P[n], and the voltage at the node between the second terminal of the eighth oxide TFT (M8) is referred to as P[n]. The voltage at is called Q[n]. The scan driver circuit 100 may further include a fifth oxide TFT (M5) having a gate terminal to which a clock signal (CLK1) is supplied, a first terminal and a second terminal to which a high power voltage (VGH) is supplied. The scan driver circuit 100 has a second terminal to which the clock signal CK1 is supplied, a voltage P[ n] may further include a ninth oxide TFT (M9) having a gate terminal to which n] is supplied and a first terminal. The scan driver circuit 100 has a second terminal connected to the first terminal of the ninth oxide TFT (M9), a second terminal between the second terminal of the first oxide TFT (M1) and the second terminal of the eighth oxide TFT (M8). It may further include a fourth oxide TFT (M4) having a first terminal and a gate terminal to which a signal P[n] from the node is supplied. The scan driver circuit 100 includes a gate terminal commonly connected to the second terminal of the fifth oxide TFT (M5) and the first terminal of the fourth oxide TFT (M4), and a first terminal to which a high voltage level (VGH) is supplied. and a tenth oxide TFT (M10) having a second terminal connected to a node between the first terminal of the ninth oxide TFT (M9) and the second terminal of the fourth oxide TFT (M4). Here, the voltage at the node between the second terminal of the fifth oxide TFT (M5), the first terminal of the fourth oxide TFT (M4), and the gate terminal of the tenth oxide TFT (M10) is referred to as QB[n].

계속 도 1을 참조하면, 스캔 드라이버 회로(100)는 클럭 신호(CKL2)가 공급되는 게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 가지는 제3 산화물 TFT(M3)를 더 포함할 수 있다. 스캔 드라이버 회로(100)는 제3 산화물 TFT(M3)의 제1 단자와 제8 산화물 TFT(M8)의 제1 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자, 클럭 신호(CK2)가 공급되는 제1 단자 및 스캔 출력 신호(Scan[n])가 출력되는 출력 노드에 연결된 제2 단자를 가지는 제7 산화물 TFT(M7)를 더 포함할 수 있다. 스캔 드라이버 회로(100)는, 그 한 단자가 제3 산화물 TFT(M3)의 제1 단자, 제8 산화물 TFT(M8)의 제1 단자 및 제7 산화물 TFT(M7)의 게이트 단자에 공통으로 연결되고 다른 한 단자가 출력 노드에 연결되는 커패시터(C2)를 더 포함할 수 있다. 스캔 드라이버 회로(100)는 제5 산화물 TFT(M5)의 제2 단자, 제4 산화물 TFT(M4)의 제1 단자 및 제10 산화물 TFT(M10)의 게이트 단자에 공통으로 연결된 게이트 단자, 제3 산화물 TFT(M3)의 제2 단자에 연결되는 제1 단자 및 낮은 전원 전압(VGL)이 공급되는 제2 단자를 가지는 제2 산화물 TFT(M2)를 더 포함할 수 있다. 스캔 드라이버 회로(100)는 제5 산화물 TFT(M5)의 제2 단자, 제4 산화물 TFT(M4)의 제1 단자 및 제10 산화물 TFT(M10)의 게이트 단자에 공통으로 연결된 게이트 단자, 출력 노드에 연결된 제1 단자 및 낮은 전원 전압(VGL)이 공급되는 제2 단자를 가지는 제6 산화물 TFT(M6)를 더 포함할 수 있다. 스캔 드라이버 회로(100)는, 그 한 단자가 제5 산화물 TFT(M5)의 제2 단자, 제4 산화물 TFT(M4)의 제1 단자, 제10 산화물 TFT(M10)의 게이트 단자 및 제2 산화물 TFT(M2)의 게이트 단자에 공통으로 연결되고 다른 한 단자가 낮은 전원 전압(VGL)을 공급받는 커패시터(C1)를 더 포함할 수 있다.Continuing to refer to FIG. 1 , the scan driver circuit 100 may further include a third oxide TFT (M3) having a gate terminal to which the clock signal (CKL2) is supplied, a first terminal, and a second terminal. The scan driver circuit 100 includes a gate terminal commonly connected to the first terminal of the third oxide TFT (M3) and the first terminal of the eighth oxide TFT (M8), a first terminal to which a clock signal (CK2) is supplied, and It may further include a seventh oxide TFT (M7) having a second terminal connected to an output node where the scan output signal (Scan[n]) is output. The scan driver circuit 100 has one terminal commonly connected to the first terminal of the third oxide TFT (M3), the first terminal of the eighth oxide TFT (M8), and the gate terminal of the seventh oxide TFT (M7). and may further include a capacitor (C2) whose other terminal is connected to the output node. The scan driver circuit 100 includes a gate terminal commonly connected to the second terminal of the fifth oxide TFT (M5), the first terminal of the fourth oxide TFT (M4), and the gate terminal of the tenth oxide TFT (M10), and a third terminal. It may further include a second oxide TFT (M2) having a first terminal connected to the second terminal of the oxide TFT (M3) and a second terminal to which a low power voltage (VGL) is supplied. The scan driver circuit 100 includes a gate terminal and an output node commonly connected to the second terminal of the fifth oxide TFT (M5), the first terminal of the fourth oxide TFT (M4), and the gate terminal of the tenth oxide TFT (M10). It may further include a sixth oxide TFT (M6) having a first terminal connected to and a second terminal to which a low power voltage (VGL) is supplied. The scan driver circuit 100 has one terminal connected to the second terminal of the fifth oxide TFT (M5), the first terminal of the fourth oxide TFT (M4), the gate terminal of the tenth oxide TFT (M10), and the second oxide terminal. It may further include a capacitor (C1) that is commonly connected to the gate terminal of the TFT (M2) and whose other terminal is supplied with a low power supply voltage (VGL).

이하에서는, 도 1 및 도 2를 참조하여 스캔 드라이버 회로(100)의 동작에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the operation of the scan driver circuit 100 will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

먼저, 클럭 신호(CK1) 및 클럭 신호(CKL1)가 하이 레벨 상태에 있고 클럭 신호(CK2) 및 클럭 신호(CLK2)가 로우 레벨 상태에 있는 제1 시간 구간의 시작에서 스캔 입력 펄스(Scan[n-1])가 하이 레벨로 천이된다. 이 경우, 산화물 TFT(M1)가 온되고 전압(P[n])이 하이 레벨이 되고 산화물 TFT(M8)가 온되고 전압(Q[n])이 하이 레벨이 되고 산화물 TFT (M7)가 온된다. 또한, 산화물 TFT(M9) 및 산화물 TFT(M4)가 온되고 산화물 TFT(M10)가 온되고 산화물 TFT(M5)가 온되고 전압(QB[n])이 하이 레벨이 되고 산화물 TFT(M2)가 온되고 산화물 TFT(M6)가 온되고 산화물 TFT(M3)는 오프된다. 이러한 상태에서는 산화물 TFT (M7) 및 산화물 TFT(M6)가 모두 온되어 있으므로, 출력 노드는 클럭 신호(CK2)의 로우 레벨의 전압에 연결되는 동시에 낮은 전원 전압(VGL)에 풀다운되고 결과적으로 스캔 출력 신호(Scan[n])는 로우 레벨이 된다.First, the scan input pulse (Scan[n -1]) transitions to the high level. In this case, the oxide TFT (M1) turns on and the voltage (P[n]) becomes high level, the oxide TFT (M8) turns on, the voltage (Q[n]) becomes high level and the oxide TFT (M7) turns on. do. Additionally, the oxide TFT (M9) and oxide TFT (M4) are turned on, the oxide TFT (M10) is turned on, the oxide TFT (M5) is turned on, the voltage (QB[n]) is at a high level, and the oxide TFT (M2) is turned on. is turned on, the oxide TFT (M6) is turned on, and the oxide TFT (M3) is turned off. In this state, both the oxide TFT (M7) and the oxide TFT (M6) are on, so the output node is connected to the low level voltage of the clock signal (CK2) and at the same time is pulled down to the low power supply voltage (VGL), resulting in scan output. The signal (Scan[n]) becomes low level.

클럭 신호(CK1) 및 클럭 신호(CKL1)가 로우 레벨 상태에 있고 클럭 신호(CK2) 및 클럭 신호(CLK2)가 하이 레벨 상태에 있는 제2 시간 구간의 시작에서는 스캔 입력 펄스(Scan[n-1])가 로우 레벨로 천이된다. 이 경우, 산화물 TFT(M1)가 오프되고 전압(P[n])은 하이 레벨로 그대로 유지되고 전압(Q[n])도 하이 레벨의 상태에 있으므로 산화물 TFT(M7)가 온되어 클럭 신호(CK2)의 하이 레벨의 전압이 출력 노드로 전달되어 결과적으로 스캔 출력 신호(Scan[n])가 하이 레벨이 된다. 한편, 산화물 TFT(M8)는 오프된다. 그 이유는, 제1 시간 구간 동안에 커패시터(C2)가 하이 레벨의 전압으로 충전되어 있어 스캔 출력 신호(Scan[n])가 하이 레벨의 전압으로 상승함에 따라 전압(Q[n])이 하이 레벨 전압의 2배로 증가하고 해당 전압이 전압(P[n])이 제공되는 노드로 전달되어 산화물 TFT(M8)의 게이트-소스 간 전압()이 문턱 전압(threshold voltage)보다 낮아지기 때문이다. 다른 한편으로, 산화물 TFT(M9), 산화물 TFT(M4) 및 산화물 TFT(M3)는 온되고 산화물 TFT(M10) 및 산화물 TFT(M5)는 오프되고 전압(QB[n])은 로우 레벨이 되고, 이에 따라 산화물 TFT(M2) 및 산화물 TFT(M6)가 오프되어 출력 노드가 낮은 전원 전압(VGL)으로부터 분리된다. 본 개시에 따른 스캔 드라이버 회로(100)의 위와 같은 안정적인 동작은 산화물 TFT(M5)의 게이트 단자에 클럭 신호(CKL1)를 공급하는 구성에 의해 가능해진다. 스캔 드라이버 회로(100)가 제2 시간 구간에서 안정적으로 동작하기 위해서는 전압(QB[n])이 로우 레벨 상태로 유지되어 산화물 TFT(M6)를 오프시켜야 하는데, 만일 산화물 TFT(M5)의 게이트 단자에, 기존과 같이 클럭 신호(CK1)가 공급되고 또한 산화물 TFT(M5)가 공핍 모드 특성을 갖는다면 산화물 TFT(M5)가 완전히 꺼지지 않게 된다. 그러면 산화물 TFT(M5)를 통해 높은 전원 전압(VGH)이 로우 레벨 상태인 전압(QB[n])에 영향을 주어 전압(QB[n])이 조금 높아질 수 있고, 이에 따라 산화물 TFT(M2) 및 산화물 TFT(M6)가 약하게 온될 수 있다. 따라서, 본 개시에서는 산화물 TFT(M5)를 클럭 신호(CKL1)의 낮은 전압(VGLL)을 이용해 완전히 오프시킴으로써 스캔 드라이버 회로(100)의 안정적인 동작을 도모한다.At the beginning of the second time period when the clock signal CK1 and CKL1 are in a low level state and the clock signal CK2 and CLK2 are in a high level state, the scan input pulse (Scan[n-1 ]) transitions to the low level. In this case, the oxide TFT (M1) is turned off, the voltage (P[n]) remains at a high level, and the voltage (Q[n]) is also at a high level, so the oxide TFT (M7) is turned on and the clock signal ( The high level voltage of CK2) is transmitted to the output node, and as a result, the scan output signal (Scan[n]) becomes high level. Meanwhile, the oxide TFT (M8) is turned off. The reason is that the capacitor C2 is charged to a high level voltage during the first time period, and as the scan output signal Scan[n] rises to the high level voltage, the voltage Q[n] increases to the high level voltage. The voltage increases by two times, and that voltage is transferred to the node where the voltage (P[n]) is provided, resulting in the gate-source voltage of the oxide TFT (M8) ( ) is lower than the threshold voltage. On the other hand, the oxide TFT (M9), oxide TFT (M4) and oxide TFT (M3) are turned on and the oxide TFT (M10) and oxide TFT (M5) are turned off and the voltage (QB[n]) is at low level. , Accordingly, the oxide TFT (M2) and the oxide TFT (M6) are turned off to isolate the output node from the low power supply voltage (VGL). The above stable operation of the scan driver circuit 100 according to the present disclosure is made possible by a configuration that supplies the clock signal (CKL1) to the gate terminal of the oxide TFT (M5). In order for the scan driver circuit 100 to operate stably in the second time period, the voltage (QB[n]) must be maintained at a low level to turn off the oxide TFT (M6). If the gate terminal of the oxide TFT (M5) is turned off, If the clock signal CK1 is supplied as before and the oxide TFT (M5) has depletion mode characteristics, the oxide TFT (M5) is not completely turned off. Then, the high power supply voltage (VGH) affects the low-level voltage (QB[n]) through the oxide TFT (M5), causing the voltage (QB[n]) to increase slightly, and thus the oxide TFT (M2) and the oxide TFT (M6) may be slightly turned on. Therefore, in the present disclosure, stable operation of the scan driver circuit 100 is achieved by completely turning off the oxide TFT (M5) using the low voltage (VGLL) of the clock signal (CKL1).

클럭 신호(CK1) 및 클럭 신호(CKL1)가 하이 레벨 상태에 있고 클럭 신호(CK2) 및 클럭 신호(CLK2)가 로우 레벨 상태에 있는 제3 시간 구간에서는 스캔 입력 펄스(Scan[n-1])가 그대로 로우 레벨로 유지된다. 이 경우, 산화물 TFT(M1)는 온되고 전압(P[n])은 로우 레벨로 천이되고 산화물 TFT(M8)는 온되고 전압(Q[n])도 로우 레벨로 천이되어 산화물 TFT(M7)가 오프된다. 또한 산화물 TFT(M9), 산화물 TFT(M4) 및 산화물 TFT(M3)는 오프되고 산화물 TFT(M10) 및 산화물 TFT(M5)는 온되고 이에 따라 전압(QB[n])이 하이 레벨이 되어 산화물 TFT(M2) 및 산화물 TFT(M6)가 온되어 스캔 출력 신호(Scan[n])가 로우 레벨이 된다.In the third time period when the clock signal (CK1) and the clock signal (CKL1) are in the high level state and the clock signal (CK2) and the clock signal (CLK2) are in the low level state, the scan input pulse (Scan[n-1]) remains at the low level. In this case, the oxide TFT (M1) is turned on and the voltage (P[n]) transitions to a low level, and the oxide TFT (M8) is turned on and the voltage (Q[n]) also transitions to a low level, causing the oxide TFT (M7) to turn on. turns off. Additionally, the oxide TFT (M9), oxide TFT (M4), and oxide TFT (M3) are turned off, and the oxide TFT (M10) and oxide TFT (M5) are turned on, and the voltage (QB[n]) becomes high level, thereby turning the oxide TFT (M10) on. The TFT (M2) and the oxide TFT (M6) are turned on and the scan output signal (Scan[n]) becomes low level.

클럭 신호(CK1) 및 클럭 신호(CKL1)가 로우 레벨 상태이 있고 클럭 신호(CK2) 및 클럭 신호(CLK2)가 하이 레벨 상태에 있는 제4 시간 구간에서도 스캔 입력 펄스(Scan[n-1])가 여전히 로우 레벨로 유지된다. 이 경우에는, 산화물 TFT(M1)가 오프되고 전압(P[n])이 로우 레벨로 유지되고 산화물 TFT(M8)가 온되고 전압(Q[n])도 로우 레벨로 유지되고 산화물 TFT(M7)도 오프 상태를 유지한다. 한편, 산화물 TFT(M9) 및 산화물 TFT(M4)는 오프되고 산화물 TFT(M10) 및 산화물 TFT(M3)는 온되고 산화물 TFT(M5)는 오프되고 전압(QB[n])은 하이 레벨로 유지되고 이에 따라 산화물 TFT(M2) 및 산화물 TFT(M6)가 온되어 스캔 출력 신호(Scan[n])가 로우 레벨로 유지된다. 본 개시에 따른 스캔 드라이버 회로(100)의 위와 같은 안정적인 동작은, 기존에 비해 산화물 TFT(M9) 및 산화물 TFT(M10)가 추가된 구성에 의해 가능해진다. 스캔 드라이버 회로(100)가 제4 시간 구간에서 안정적으로 동작하기 위해서는 전압(QB[n])이 하이 레벨 상태로 유지되어 산화물 TFT(M6)가 온 상태로 유지되도록 해야 하는데, 만일 산화물 TFT(M9) 및 산화물 TFT(M10)가 없고 또한 산화물 TFT(M4)가 공핍 모드 특성을 갖는다면, 전압(P[n])이 산화물 TFT(M4)를 오프시키기에 충분히 낮은 전압이 되지 못하므로 산화물 TFT(M4)가 완전히 꺼지지 않게 된다. 그러면 클럭 신호(CK1)의 로우 레벨 전압이 하이 레벨 상태에 있는 전압(QB[n])에 영향을 주어 전압(QB[n])이 조금 낮아질 수 있고, 이에 따라 산화물 TFT(M6)가 완전히 온되지 못하게 된다. 따라서 본 개시에서는 산화물 TFT(M9) 및 산화물 TFT(M10)를 회로(100)에 추가하여 온 상태에 있는 산화물 TFT(M10)를 통해 높은 전원 전압(VGH)을 산화물 TFT(M9)와 산화물 TFT(M4) 사이의 노드에 전달함으로써 산화물 TFT(M4)의 게이트-소스 간 전압()이 문턱 전압 보다 낮아지도록 하여 산화물 TFT(M4)를 완전히 오프시킨다.Even in the fourth time period when the clock signal (CK1) and clock signal (CKL1) are in a low level state and the clock signal (CK2) and clock signal (CLK2) are in a high level state, the scan input pulse (Scan[n-1]) It still remains at a low level. In this case, the oxide TFT (M1) is turned off and the voltage (P[n]) is maintained at a low level, the oxide TFT (M8) is turned on and the voltage (Q[n]) is also maintained at a low level, and the oxide TFT (M7) is maintained at a low level. ) also remains off. Meanwhile, the oxide TFT (M9) and oxide TFT (M4) are turned off, the oxide TFT (M10) and oxide TFT (M3) are turned on, the oxide TFT (M5) is turned off, and the voltage (QB[n]) is maintained at a high level. Accordingly, the oxide TFT (M2) and the oxide TFT (M6) are turned on and the scan output signal (Scan[n]) is maintained at a low level. The above stable operation of the scan driver circuit 100 according to the present disclosure is made possible by a configuration in which an oxide TFT (M9) and an oxide TFT (M10) are added compared to the existing one. In order for the scan driver circuit 100 to operate stably in the fourth time period, the voltage (QB[n]) must be maintained at a high level to keep the oxide TFT (M6) in the on state. If the oxide TFT (M9) ) and if there is no oxide TFT (M10) and the oxide TFT (M4) has depletion mode characteristics, the voltage (P[n]) will not be low enough to turn off the oxide TFT (M4), so the oxide TFT (M4) M4) does not turn off completely. Then, the low level voltage of the clock signal (CK1) may affect the voltage (QB[n]) in the high level state, causing the voltage (QB[n]) to be slightly lowered, and as a result, the oxide TFT (M6) will be completely turned on. It won't be possible. Therefore, in the present disclosure, the oxide TFT (M9) and the oxide TFT (M10) are added to the circuit 100 to apply a high power voltage (VGH) to the oxide TFT (M9) and the oxide TFT (M10) through the oxide TFT (M10) in the on state. The voltage between the gate and source of the oxide TFT (M4) ( ) is lower than the threshold voltage to completely turn off the oxide TFT (M4).

이상으로 설명한 바와 같이, 본 개시의 스캔 드라이버 회로(100)에 따르면, 회로(100)에 공핍 모드 특성을 갖는 몇몇 산화물 TFT가 존재하는 경우에도 그러한 산화물 TFT들을 완전히 오프시킬 수 있는 구성을 통해 회로(100)가 안정적으로 동작할 수 있게 된다. 또한 본 개시의 스캔 드라이버 회로(100)는, 기존의 LTPS TFT에 비해 제조 비용이 낮을 뿐만 아니라 누설 전류가 현저하게 낮은 산화물 TFT를 사용해서 구성되므로, 기존의 LTPS TFT 스캔 드라이버 회로에 비해서 제조 비용을 절감할 수 있고OLED 디스플레이의 화면 주사율을 낮춤으로써 소비 전력을 절감할 수 있는 효과를 가져올 수 있다.As described above, according to the scan driver circuit 100 of the present disclosure, even when some oxide TFTs with depletion mode characteristics exist in the circuit 100, the circuit ( 100) can operate stably. In addition, the scan driver circuit 100 of the present disclosure is constructed using an oxide TFT that not only has a lower manufacturing cost than the existing LTPS TFT but also has a significantly lower leakage current, so the manufacturing cost is reduced compared to the existing LTPS TFT scan driver circuit. This can have the effect of reducing power consumption by lowering the screen refresh rate of the OLED display.

이상의 설명에 있어서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 접속되거나 결합된다는 기재의 의미는 당해 구성 요소가 그 다른 구성 요소에 직접적으로 접속되거나 결합된다는 의미뿐만 아니라 이들이 그 사이에 개재된 하나 또는 그 이상의 타 구성 요소를 통해 접속되거나 결합될 수 있다는 의미를 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 이외에도 구성 요소들 간의 관계를 기술하기 위한 용어들(예컨대, '상에', '상부에', '위에', '간에', '사이에' 등)도 유사한 의미로 해석되어야 한다.In the above description, the meaning of a description that a component is connected or combined with another component not only means that the component is directly connected or combined with the other component, but also one or more other components interposed between them. It should be understood to include the meaning that it can be connected or combined through elements. In addition, terms used to describe relationships between components (e.g., ‘on’, ‘above’, ‘above’, ‘between’, ‘between’, etc.) should be interpreted with a similar meaning.

본원에 개시된 실시예들에 있어서, 도시된 구성 요소들의 배치는 기술이 구현되는 환경 또는 요구 사항에 따라 달라질 수 있다. 예컨대, 일부 구성 요소가 생략되거나 몇몇 구성 요소들이 통합되어 하나로 실시될 수 있다. 또한 일부 구성 요소들의 배치 순서 및 연결이 변경될 수 있다.In the embodiments disclosed herein, the arrangement of the components shown may vary depending on the environment or requirements in which the technology is implemented. For example, some components may be omitted or some components may be integrated and implemented as one. Additionally, the arrangement order and connection of some components may change.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited drawings, those skilled in the art can apply various technical modifications and variations based on this. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or components of the described system, structure, device, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components are used. Alternatively, appropriate results may be achieved even if substituted or substituted by an equivalent.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims also fall within the scope of the claims described below.

M1: 제1 산화물 TFT
M2: 제2 산화물 TFT
M3: 제3 산화물 TFT
M4: 제4 산화물 TFT
M5: 제5 산화물 TFT
M6: 제6 산화물 TFT
M7: 제7 산화물 TFT
M8: 제8 산화물 TFT
M9: 제9 산화물 TFT
M10: 제10 산화물 TFT
M1: First oxide TFT
M2: Second oxide TFT
M3: Tertiary oxide TFT
M4: Quaternary oxide TFT
M5: Fifth oxide TFT
M6: sixth oxide TFT
M7: Seventh oxide TFT
M8: 8th oxide TFT
M9: 9th oxide TFT
M10: 10th oxide TFT

Claims (8)

스캔 드라이버 회로로서,
스캔 입력 펄스를 공급받기 위한 입력 단자에 연결된 제1 단자, 제3 클럭 신호가 공급되는 게이트 단자 및 제2 단자를 가지는 제1 산화물 TFT,
높은 전원 전압이 공급되는 게이트 단자, 상기 제1 산화물 TFT의 제2 단자에 연결되는 제2 단자 및 제1 단자를 가지는 제8 산화물 TFT,
상기 제3 클럭 신호가 공급되는 게이트 단자, 상기 높은 전원 전압이 공급되는 제1 단자 및 제2 단자를 가지는 제5 산화물 TFT,
제1 클럭 신호가 공급되는 제2 단자, 상기 제1 산화물 TFT의 제2 단자와 상기 제8 산화물 TFT의 제2 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자 및 제1 단자를 가지는 제9 산화물 TFT,
상기 제9 산화물 TFT의 제1 단자에 연결되는 제2 단자, 상기 제1 산화물 TFT의 제2 단자와 상기 제8 산화물 TFT의 제2 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자 및 제1 단자를 가지는 제4 산화물 TFT,
상기 제5 산화물 TFT의 제2 단자와 상기 제4 산화물 TFT의 제1 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자, 상기 높은 전압 레벨이 공급되는 제1 단자 및 상기 제9 산화물 TFT의 제1 단자와 상기 제4 산화물 TFT의 제2 단자에 공통으로 연결되는 제2 단자를 가지는 제10 산화물 TFT,
제4 클럭 신호가 공급되는 게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 가지는 제3 산화물 TFT,
상기 제3 산화물 TFT의 제1 단자와 상기 제8 산화물 TFT의 제1 단자에 공통으로 연결되는 게이트 단자, 제2 클럭 신호가 공급되는 제1 단자 및 출력 노드에 연결된 제2 단자를 가지는 제7 산화물 TFT,
상기 제5 산화물 TFT의 제2 단자, 상기 제4 산화물 TFT의 제1 단자 및 상기 제10 산화물 TFT의 게이트 단자에 공통으로 연결된 게이트 단자, 상기 제3 산화물 TFT의 제2 단자에 연결되는 제1 단자 및 낮은 전원 전압이 공급되는 제2 단자를 가지는 제2 산화물 TFT, 및
상기 제5 산화물 TFT의 제2 단자, 상기 제4 산화물 TFT의 제1 단자 및 상기 제10 산화물 TFT의 게이트 단자에 공통으로 연결된 게이트 단자, 상기 출력 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 낮은 전원 전압이 공급되는 제2 단자를 가지는 제6 산화물 TFT를 포함하는
스캔 드라이버 회로.
As a scan driver circuit,
A first oxide TFT having a first terminal connected to an input terminal for receiving a scan input pulse, a gate terminal to which a third clock signal is supplied, and a second terminal,
An eighth oxide TFT having a gate terminal to which a high power voltage is supplied, a second terminal and a first terminal connected to the second terminal of the first oxide TFT,
A fifth oxide TFT having a gate terminal to which the third clock signal is supplied, a first terminal and a second terminal to which the high power voltage is supplied,
A ninth oxide TFT having a second terminal to which a first clock signal is supplied, a gate terminal and a first terminal commonly connected to the second terminal of the first oxide TFT and the second terminal of the eighth oxide TFT,
A fourth terminal having a second terminal connected to the first terminal of the ninth oxide TFT, a gate terminal and a first terminal commonly connected to the second terminal of the first oxide TFT and the second terminal of the eighth oxide TFT oxide TFT,
A gate terminal commonly connected to the second terminal of the fifth oxide TFT and the first terminal of the fourth oxide TFT, the first terminal to which the high voltage level is supplied, the first terminal of the ninth oxide TFT, and the first terminal of the fourth oxide TFT. A tenth oxide TFT having a second terminal commonly connected to the second terminal of the four oxide TFT,
A third oxide TFT having a gate terminal to which a fourth clock signal is supplied, a first terminal, and a second terminal,
A seventh oxide having a gate terminal commonly connected to the first terminal of the third oxide TFT and the first terminal of the eighth oxide TFT, a first terminal to which a second clock signal is supplied, and a second terminal connected to an output node. TFTs,
A gate terminal commonly connected to the second terminal of the fifth oxide TFT, the first terminal of the fourth oxide TFT, and the gate terminal of the tenth oxide TFT, and the first terminal connected to the second terminal of the third oxide TFT and a second oxide TFT having a second terminal to which a low power supply voltage is supplied, and
A gate terminal commonly connected to the second terminal of the fifth oxide TFT, the first terminal of the fourth oxide TFT, and the gate terminal of the tenth oxide TFT, the first terminal connected to the output node, and the low power supply voltage are supplied. comprising a sixth oxide TFT having a second terminal
Scan driver circuit.
제1항에 있어서,
상기 제1 클럭 신호는 제1 로우 레벨 전압과 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호이고,
상기 제2 클럭 신호는 상기 제1 로우 레벨 전압과 상기 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호이고 - 상기 제2 클럭 신호는 상기 제1 클럭 신호가 반주기 만큼 쉬프트된 형태의 클럭 신호임 -,
상기 제3 클럭 신호는 상기 제1 로우 레벨 전압 보다 더 낮은 제2 로우 레벨 전압과 상기 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호이고 - 상기 제3 클럭 신호는 상기 제1 클럭 신호와 서로 동위상임 -,
상기 제4 클럭 신호는 상기 제2 로우 레벨 전압과 상기 하이 레벨 전압이 교대로 반복되는 신호인 - 상기 제4 클럭 신호는 상기 제2 클럭 신호와 서로 동위상임 -,
스캔 드라이버 회로.
According to paragraph 1,
The first clock signal is a signal in which a first low level voltage and a high level voltage are alternately repeated,
The second clock signal is a signal in which the first low level voltage and the high level voltage are alternately repeated - the second clock signal is a clock signal in the form of the first clock signal shifted by a half cycle -,
The third clock signal is a signal in which a second low level voltage lower than the first low level voltage and the high level voltage are alternately repeated - the third clock signal is in phase with the first clock signal -,
The fourth clock signal is a signal in which the second low level voltage and the high level voltage are alternately repeated - the fourth clock signal is in phase with the second clock signal -,
Scan driver circuit.
제2항에 있어서,
한 단자가 상기 제3 산화물 TFT의 제1 단자, 상기 제8 산화물 TFT의 제1 단자 및 상기 제7 산화물 TFT의 게이트 단자에 공통으로 연결되고 다른 한 단자가 상기 출력 노드에 연결되는 커패시터(C2)를 더 포함하는
스캔 드라이버 회로.
According to paragraph 2,
A capacitor (C2), one terminal of which is commonly connected to the first terminal of the third oxide TFT, the first terminal of the eighth oxide TFT, and the gate terminal of the seventh oxide TFT, and the other terminal connected to the output node. containing more
Scan driver circuit.
제3항에 있어서,
한 단자가 상기 제5 산화물 TFT의 제2 단자, 상기 제4 산화물 TFT의 제1 단자, 상기 제10 산화물 TFT의 게이트 단자 및 상기 제2 산화물 TFT의 게이트 단자에 공통으로 연결되고 다른 한 단자가 상기 낮은 전원 전압을 공급받는 커패시터(C1)를 더 포함하는
스캔 드라이버 회로.
According to paragraph 3,
One terminal is commonly connected to the second terminal of the fifth oxide TFT, the first terminal of the fourth oxide TFT, the gate terminal of the tenth oxide TFT, and the gate terminal of the second oxide TFT, and the other terminal is connected to the second terminal of the fifth oxide TFT. Further comprising a capacitor (C1) supplied with a low power supply voltage.
Scan driver circuit.
제2항에 있어서,
상기 스캔 드라이버 회로는,
상기 제1 클럭 신호 및 상기 제3 클럭 신호가 상기 하이 레벨 전압을 가지고 상기 제2 클럭 신호가 상기 제1 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제4 클럭 신호가 상기 제2 로우 레벨 전압을 가지는 제1 시간 구간에서 상기 스캔 입력 펄스가 상기 입력 단자로 입력되는 것에 응답하여,
상기 제1 클럭 신호가 상기 제1 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제3 클럭 신호가 상기 제2 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제2 클럭 신호 및 상기 제4 클럭 신호가 상기 하이 레벨 전압을 가지는 제2 시간 구간에서 상기 출력 노드로 하이 레벨의 스캔 출력 신호를 출력하도록 동작하는,
스캔 드라이버 회로.
According to paragraph 2,
The scan driver circuit is,
A first time period in which the first clock signal and the third clock signal have the high level voltage, the second clock signal has the first low level voltage, and the fourth clock signal has the second low level voltage. In response to the scan input pulse being input to the input terminal,
A second time period in which the first clock signal has the first low level voltage, the third clock signal has the second low level voltage, and the second clock signal and the fourth clock signal have the high level voltage. Operates to output a high-level scan output signal from the output node,
Scan driver circuit.
제5항에 있어서,
상기 제5 산화물 TFT는 공핍 모드 특성을 가지며,
상기 제5산화물 TFT는, 상기 제2 시간 구간에서, 상기 제5산화물 TFT의 게이트에 상기 제3 클럭 신호의 상기 제2 로우 레벨 전압이 공급되는 것에 응답하여 오프되도록 동작되는,
스캔 드라이버 회로.
According to clause 5,
The fifth oxide TFT has depletion mode characteristics,
The fifth oxide TFT is operated to be turned off in response to the second low level voltage of the third clock signal being supplied to the gate of the fifth oxide TFT in the second time period,
Scan driver circuit.
제5항에 있어서,
상기 제4 산화물 TFT는 공핍 모드 특성을 가지며,
상기 제4 산화물 TFT는, 상기 제1 클럭 신호가 상기 제1 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제3 클럭 신호가 상기 제2 로우 레벨 전압을 가지고 상기 제2 클럭 신호 및 상기 제4 클럭 신호가 상기 하이 레벨 전압을 가지는 시간 구간에서, 상기 제10 산화물 TFT를 통해 상기 제9 산화물 TFT의 제1 단자와 상기 제4 산화물 TFT의 제2 단자에 상기 높은 전원 전압이 공급되는 것에 응답하여 오프되도록 동작되는,
스캔 드라이버 회로.
According to clause 5,
The fourth oxide TFT has depletion mode characteristics,
The fourth oxide TFT is configured such that the first clock signal has the first low level voltage, the third clock signal has the second low level voltage, and the second clock signal and the fourth clock signal have the high level. Operated to turn off in response to the high power supply voltage being supplied to the first terminal of the ninth oxide TFT and the second terminal of the fourth oxide TFT through the tenth oxide TFT in a time period having a voltage,
Scan driver circuit.
제1항에 있어서,
상기 제1 산화물 TFT 내지 상기 제10 산화물 TFT는 n-채널의 산화물 TFT인,
스캔 드라이버 회로.
According to paragraph 1,
The first to tenth oxide TFTs are n-channel oxide TFTs,
Scan driver circuit.
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KR20130129124A (en) * 2012-05-18 2013-11-27 한국전자통신연구원 Gate driver based on oxide tft
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