JP2014107001A - Shift register circuit and picture display unit - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the circuit scale of a driver circuit formed by connecting shift register circuits in a multistage manner.SOLUTION: A shift register circuit 20 comprises: a transistor 1 reducing a potential of a node 22 according to a potential of a node 21; a transistor 2 reducing the potential of the node 21 according to the potential of the node 22; a transistor 3 increasing the potential of a node 23 by flowing of "CLK" according to a rise of the potential of the node 21; a transistor 4 outputting "CLK" as "OUT" according to a rise of the potential of the node 23; and a transistor 5 outputting "CLK" as "OUT".

Description

本発明は、シフトレジスタ回路および画像表示装置に関する。   The present invention relates to a shift register circuit and an image display device.

従来、前段の回路が出力した信号を後段の回路へ伝達するシフトレジスタ回路が知られている。このようなシフトレジスタ回路は、LCD(Liquid Crystal Display)や有機EL(Electro-Luminescence)ディスプレイ等の表示素子を順次操作するためのドライバ回路として用いられている。   Conventionally, a shift register circuit that transmits a signal output from a preceding circuit to a subsequent circuit is known. Such a shift register circuit is used as a driver circuit for sequentially operating display elements such as an LCD (Liquid Crystal Display) and an organic EL (Electro-Luminescence) display.

以下、図12を用いて、シフトレジスタ回路の動作について説明する。図12は、従来のシフトレジスタ回路を説明する回路図である。例えば、図12に示すシフトレジスタ回路30は、複数のトランジスタ31〜38、ノード40、41を有する。なお、図12に示す例では、トランジスタ31、37は、ゲート(ベース)およびドレイン(コレクタ)がダイオード接続されている。   Hereinafter, the operation of the shift register circuit will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a circuit diagram illustrating a conventional shift register circuit. For example, the shift register circuit 30 illustrated in FIG. 12 includes a plurality of transistors 31 to 38 and nodes 40 and 41. In the example shown in FIG. 12, the gates (base) and drain (collector) of the transistors 31 and 37 are diode-connected.

このようなシフトレジスタ回路30では、前段の回路から入力された信号を次段の回路に出力しない非選択時においては、ノード40の電位がLow状態となり、ノード41の電位がHigh状態となる。また、シフトレジスタ回路30では、前段の回路から入力された信号を次段の回路に出力する選択時においては、ノード40の電位がHigh状態となり、ノード41の電位がLow状態となる。   In such a shift register circuit 30, when the signal input from the previous circuit is not output to the next circuit, the potential of the node 40 is in the low state and the potential of the node 41 is in the high state. In the shift register circuit 30, when the signal input from the previous circuit is output to the next circuit, the potential of the node 40 is in a high state and the potential of the node 41 is in a low state.

ここで、シフトレジスタ回路30は、前段の回路から入力信号である「in」のパルスが入力されると、ダイオードとして動作するトランジスタ31を介し、パルスをノード40に入力する。このような場合には、ノード40の電位がHigh状態となり、トランジスタ35がオン状態となる結果、シフトレジスタ回路30は、クロック信号である「CLK」を出力信号である「OUT」として出力する。   Here, when a pulse of “in” that is an input signal is input from the preceding circuit, the shift register circuit 30 inputs a pulse to the node 40 via the transistor 31 that operates as a diode. In such a case, as a result of the potential of the node 40 being in a high state and the transistor 35 being in an on state, the shift register circuit 30 outputs “CLK” that is a clock signal as “OUT” that is an output signal.

また、シフトレジスタ回路30は、「in」のパルスをトランジスタ34のゲート(ベース)に入力する。このような場合には、トランジスタ34がオン状態となり、ノード41の電位が「VGL(低電位)」へと降下する。また、シフトレジスタ回路30は、クロック信号のパルスをトランジスタ38のゲートに入力する。この結果、トランジスタ38がオン状態になり、ノード41の電位が「VGL」へと降下し、トランジスタ33がオフ状態となり、ノード40の電位がHigh状態となる。   Further, the shift register circuit 30 inputs an “in” pulse to the gate (base) of the transistor 34. In such a case, the transistor 34 is turned on, and the potential of the node 41 drops to “VGL (low potential)”. The shift register circuit 30 inputs a clock signal pulse to the gate of the transistor 38. As a result, the transistor 38 is turned on, the potential of the node 41 is lowered to “VGL”, the transistor 33 is turned off, and the potential of the node 40 is in a high state.

また、シフトレジスタ回路30は、次段の回路が出力した「OUT」を、トランジスタ32のゲートに入力する。すると、トランジスタ32がオン状態となるので、ノード40の電位が「VGL」へと降下する。また、シフトレジスタ回路30の動作終了後は、トランジスタ34、38がオフ状態となり、ノード41の電位がLow状態からHigh状態へと遷移し、トランジスタ33、36がオン状態となる結果、ノード40が安定してLow状態となる。   Further, the shift register circuit 30 inputs “OUT” output from the circuit in the next stage to the gate of the transistor 32. Then, since the transistor 32 is turned on, the potential of the node 40 drops to “VGL”. After the operation of the shift register circuit 30, the transistors 34 and 38 are turned off, the potential of the node 41 is changed from the low state to the high state, and the transistors 33 and 36 are turned on. As a result, the node 40 is turned on. A stable low state is obtained.

特開2003−046090号公報JP 2003-046090 A

しかしながら、上述したシフトレジスタ回路30では、1つの「in」に対して1つの「OUT」しか出力できないので、シフトレジスタ回路を多段に設置するドライバ回路の回路規模を増大させてしまうという問題がある。   However, since the shift register circuit 30 described above can output only one “OUT” for one “in”, there is a problem that the circuit scale of the driver circuit in which the shift register circuits are arranged in multiple stages is increased. .

例えば、LCDや有機ELディスプレイ等の表示素子を操作するドライバ回路にシフトレジスタ回路30を適用する場合は、シフトレジスタ回路30を走査線の数だけ設置しなければならず、回路規模が増大する結果、狭額縁化を図ることができない。   For example, when the shift register circuit 30 is applied to a driver circuit that operates a display element such as an LCD or an organic EL display, the shift register circuits 30 must be provided by the number of scanning lines, resulting in an increase in circuit scale. It is not possible to narrow the frame.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、シフトレジスタ回路を多段に接続したドライバ回路の回路規模を縮小させることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to reduce the circuit scale of a driver circuit in which shift register circuits are connected in multiple stages.

本発明に係るシフトレジスタ回路は、ゲートが第1の導電経路に接続されて、ドレインが第2の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2の導電経路の電位を降下させる第1のトランジスタを有する。また、シフトレジスタ回路は、ゲートが前記第2の導電経路に接続されて、ドレインが前記第1の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第1の導電経路の電位を降下させる第2のトランジスタを有する。また、シフトレジスタ回路は、ゲートが前記第1の導電経路に接続され、ドレインが第1のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第3の導電経路に接続された、前記第1のクロック信号が入力された際に前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第3の導電経路の電位を上昇させる第3のトランジスタを有する。また、シフトレジスタ回路は、ゲートが前記第3の導電経路に接続され、ドレインが第2のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第1の出力信号を出力する第1の出力端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第1の出力端子から第1の出力信号を出力させる第4のトランジスタを有する。また、シフトレジスタ回路は、ゲートが前記第3の導電経路に接続され、ドレインが第3のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第2の出力信号を出力する第2の出力端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2の出力端子から第2の出力信号を出力させる第5のトランジスタを有する。   The shift register circuit according to the present invention includes a first conductive path having a gate connected to a first conductive path, a drain connected to a second conductive path, and a source connected to a low potential terminal. There is a first transistor that lowers the potential of the second conductive path in response to an increase in potential. The shift register circuit includes a second conductive path having a gate connected to the second conductive path, a drain connected to the first conductive path, and a source connected to a low potential terminal. There is a second transistor that lowers the potential of the first conductive path in response to the potential rising. In the shift register circuit, the gate is connected to the first conductive path, the drain is connected to the input terminal of the first clock signal, and the source is connected to the third conductive path. A third transistor that raises the potential of the third conductive path in response to an increase in potential of the first conductive path when a clock signal is input; The shift register circuit has a gate connected to the third conductive path, a drain connected to the input terminal of the second clock signal, and a source connected to the first output terminal that outputs the first output signal. A fourth transistor connected to output a first output signal from the first output terminal in response to an increase in potential of the third conductive path is provided. The shift register circuit has a gate connected to the third conductive path, a drain connected to the input terminal of the third clock signal, and a source connected to the second output terminal that outputs the second output signal. A fifth transistor connected to output a second output signal from the second output terminal in response to an increase in potential of the third conductive path is provided.

本発明に係るシフトレジスタ回路は、シフトレジスタ回路を多段に接続するドライバ回路の回路規模を縮小させることができる。   The shift register circuit according to the present invention can reduce the circuit scale of a driver circuit that connects shift register circuits in multiple stages.

第1形態のシフトレジスタ回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the shift register circuit of a 1st form. トランジスタの電流特性を説明するグラフである。It is a graph explaining the current characteristic of a transistor. シフトレジスタ回路に入力される信号波形を説明する図である。It is a figure explaining the signal waveform input into a shift register circuit. タイミング(A)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit at timing (A). タイミング(B)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit at timing (B). タイミング(C)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit at timing (C). タイミング(D)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the shift register circuit in a timing (D). タイミング(E)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the shift register circuit in a timing (E). シフトレジスタ回路の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of a shift register circuit. シフトレジスタ回路の適用例を説明する第1の図である。It is a first diagram illustrating an application example of a shift register circuit. シフトレジスタ回路の適用例を説明する第2の図である。It is a 2nd figure explaining the application example of a shift register circuit. 従来のシフトレジスタ回路を説明する回路図である。It is a circuit diagram explaining the conventional shift register circuit.

以下に、本発明に係るシフトレジスタ回路および画像表示装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態は本発明を限定するものではない。そして、以下に例示する実施形態は、形状を矛盾させない範囲で適宜変更、組み合わせることが可能である。   Hereinafter, embodiments of a shift register circuit and an image display device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that this embodiment does not limit the present invention. And the embodiment illustrated below can be suitably changed and combined in the range which does not contradict a shape.

(第1形態)
[シフトレジスタ回路の構造]
図1を用いて、シフトレジスタ回路の第1形態を説明する。図1は、第1形態のシフトレジスタ回路を示す回路図である。図1に示したように、シフトレジスタ回路20は、シフトレジスタ部25と、OUT波形制御部26とからなる。具体的には、シフトレジスタ回路20は、複数のトランジスタ1〜14と、複数のノード21〜24を有する。また、シフトレジスタ回路20は、前段のシフトレジスタ回路が出力した信号である「in」、クロック信号である「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の入力端子を有する。
(First form)
[Structure of shift register circuit]
A first embodiment of the shift register circuit will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a circuit diagram showing a shift register circuit according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the shift register circuit 20 includes a shift register unit 25 and an OUT waveform control unit 26. Specifically, the shift register circuit 20 includes a plurality of transistors 1 to 14 and a plurality of nodes 21 to 24. Further, the shift register circuit 20 has input terminals for “in” which is a signal output from the preceding shift register circuit and clock signals “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ” and “CLK 4 ”. Have.

また、シフトレジスタ回路20は、シフトレジスタ回路20の出力である「OUT」、「OUT」の出力端子を有する。すなわち、シフトレジスタ回路20は、1つの入力信号「in」に対して、2つの信号「OUT」、「OUT」を順に出力する。例えば、シフトレジスタ回路20は、画像表示装置のドライバ回路に適用される場合には、「OUT」、「OUT」の出力端子から、画像表示領域の連続する2つのゲート線に信号を順次出力する。 The shift register circuit 20 has output terminals “OUT 1 ” and “OUT 2 ” that are outputs of the shift register circuit 20. That is, the shift register circuit 20 sequentially outputs two signals “OUT 1 ” and “OUT 2 ” for one input signal “in”. For example, when the shift register circuit 20 is applied to a driver circuit of an image display device, signals are sequentially sent from the output terminals of “OUT 1 ” and “OUT 2 ” to two continuous gate lines in the image display area. Output.

また、シフトレジスタ回路20は、ノード23の電位を次段のシフトレジスタ回路に「in」として入力する「OUT」の出力端子を有する。ここで、次段のシフトレジスタ回路は、シフトレジスタ回路20が「OUT」を「in」として入力すると、「OUT」、および「OUT」を順次出力する機能を有する。シフトレジスタ回路20は、「OUT」および「OUT」の出力後に、待機状態へと遷移するため、かかる「OUT」が入力される入力端子を有する。 Further, the shift register circuit 20 has an output terminal “OUT N ” that inputs the potential of the node 23 as “in” to the shift register circuit of the next stage. Here, the shift register circuit at the next stage has a function of sequentially outputting “OUT 3 ” and “OUT 4 ” when the shift register circuit 20 inputs “OUT N ” as “in”. The shift register circuit 20 has an input terminal to which “OUT 4 ” is input in order to shift to a standby state after outputting “OUT 1 ” and “OUT 2 ”.

また、シフトレジスタ回路20は、電位が所定の閾値よりも高い値「VGH」に保たれている高電位端子と、電位が所定の閾値よりも低い値「VGL」に保たれている低電位端子とを有する。なお、以下の説明では、「VGH」の値はGND(グランド)よりも高い値とし、例えば、8(V)〜20(V)、「VGL」の値はGNDよりも低い値とし、例えば、−5(V)〜−15(V)とする。   Further, the shift register circuit 20 includes a high potential terminal in which the potential is maintained at a value “VGH” higher than a predetermined threshold, and a low potential terminal in which the potential is maintained at a value “VGL” lower than the predetermined threshold. And have. In the following description, the value of “VGH” is a value higher than GND (ground), for example, 8 (V) to 20 (V), and the value of “VGL” is a value lower than GND. -5 (V) to -15 (V).

また、各トランジスタ1〜14は、例えば、nチャンネルのMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)であるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、各トランジスタ1〜14は、NPN型のトランジスタや、キャリアが電子であるタイプ(n型)のMIS(Metal Insulator Semiconductor)構造を採用した電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)であってもよい。   Each of the transistors 1 to 14 is, for example, an n-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), but the present invention is not limited to this. For example, each of the transistors 1 to 14 may be an NPN type transistor or a field effect transistor (FET) that employs a type (n-type) MIS (Metal Insulator Semiconductor) structure in which carriers are electrons. Good.

また、各トランジスタ1〜14は、FETの一種である薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)、すなわちn−MISFETTFTであってもよい。また、PNP型のトランジスタやキャリアが正孔である(p型)のFET、又はTFT等を用いて、シフトレジスタ回路20と同等の機能を発揮する回路を構成してもよい。   Each of the transistors 1 to 14 may be a thin film transistor (TFT) which is a kind of FET, that is, an n-MISFET TFT. Alternatively, a circuit that exhibits a function equivalent to that of the shift register circuit 20 may be configured using a PNP transistor, a FET whose carrier is a hole (p-type), a TFT, or the like.

ここで、各トランジスタ1〜14には、ゲート、ソース、ドレインの3つの電極が存在するが、ソース、およびドレインは、トランジスタの導電性及び相対的な電位関係によって定義される。このため、以下の説明では、各トランジスタ1〜14がnチャンネルのMOSFETであるものとし、各トランジスタ1〜14が有する端子のうち、高電位側の端子をドレイン、低電位側の端子をソースと記載する。   Here, each of the transistors 1 to 14 has three electrodes of a gate, a source, and a drain, and the source and the drain are defined by the conductivity of the transistor and the relative potential relationship. Therefore, in the following description, it is assumed that each of the transistors 1 to 14 is an n-channel MOSFET, and among the terminals of each of the transistors 1 to 14, the high potential side terminal is the drain, and the low potential side terminal is the source. Describe.

ここで、図1に示したシフトレジスタ回路20における各トランジスタ1〜14、ノード21〜24の接続関係について説明する。   Here, a connection relationship between the transistors 1 to 14 and the nodes 21 to 24 in the shift register circuit 20 illustrated in FIG. 1 will be described.

ノード21は、トランジスタ1、2、3、13、14を接続する導電経路である。詳細には、ノード21は、トランジスタ1のゲート、トランジスタ2のドレイン、トランジスタ3のゲート、トランジスタ13のドレイン、トランジスタ14のソースに接続される。   The node 21 is a conductive path that connects the transistors 1, 2, 3, 13, and 14. Specifically, the node 21 is connected to the gate of the transistor 1, the drain of the transistor 2, the gate of the transistor 3, the drain of the transistor 13, and the source of the transistor 14.

ノード22は、トランジスタ1、2、7、11、12を接続する導電経路である。詳細には、ノード22は、トランジスタ1のドレイン、トランジスタ2のゲート、トランジスタ7のソース、トランジスタ11のゲート、トランジスタ12のゲートに接続される。   The node 22 is a conductive path that connects the transistors 1, 2, 7, 11, and 12. Specifically, the node 22 is connected to the drain of the transistor 1, the gate of the transistor 2, the source of the transistor 7, the gate of the transistor 11, and the gate of the transistor 12.

ノード23は、トランジスタ3〜5、9、10、および「OUT」の出力端子を接続する導電経路である。詳細には、ノード23は、トランジスタ3のソース、トランジスタ4のゲート、トランジスタ5のゲート、トランジスタ9のドレイン、トランジスタ10のゲートと接続される。また、ノード23は、次段のシフトレジスタ回路に入力される「in」として、ノード23の電位を伝達する「OUT」の出力端子に接続されている。 The node 23 is a conductive path that connects the transistors 3 to 5, 9, 10, and the output terminal of “OUT N ”. Specifically, the node 23 is connected to the source of the transistor 3, the gate of the transistor 4, the gate of the transistor 5, the drain of the transistor 9, and the gate of the transistor 10. The node 23 is connected to an output terminal of “OUT N ” that transmits the potential of the node 23 as “in” input to the shift register circuit in the next stage.

ノード24は、トランジスタ8〜10を接続する導電経路である。詳細には、ノード24は、トランジスタ8のソース、トランジスタ9のゲート、トランジスタ10のドレインと接続される。   Node 24 is a conductive path connecting transistors 8-10. Specifically, the node 24 is connected to the source of the transistor 8, the gate of the transistor 9, and the drain of the transistor 10.

トランジスタ1は、ゲートにノード21が接続され、ドレインにノード22が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ1は、ノード21の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード22の電位が「VGL」へ引き下げられる。   In the transistor 1, the node 21 is connected to the gate, the node 22 is connected to the drain, and the low potential terminal is connected to the source. The transistor 1 is turned on when the potential of the node 21 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 22 is lowered to “VGL”.

トランジスタ2は、ゲートにノード22が接続され、ドレインにノード21が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ2は、ノード22の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード21の電位が「VGL」へ引き下げられる。   In the transistor 2, the node 22 is connected to the gate, the node 21 is connected to the drain, and the low potential terminal is connected to the source. The transistor 2 is turned on when the potential of the node 22 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 21 is lowered to “VGL”.

トランジスタ3は、ゲートにノード21が接続され、ドレインに「CLK」の入力端子が接続され、ソースにノード23が接続されている。そして、トランジスタ3は、ノード21の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード23に「CLK」が入力されるので、ノード23の電位は、「CLK」の電位に従って上昇、もしくは下降する。 In the transistor 3, the node 21 is connected to the gate, the input terminal of “CLK 1 ” is connected to the drain, and the node 23 is connected to the source. The transistor 3 is turned on when the potential of the node 21 is higher than a predetermined threshold value. As a result, since “CLK 1 ” is input to the node 23, the potential of the node 23 rises or falls according to the potential of “CLK 1 ”.

トランジスタ4は、ゲートにノード23が接続され、ドレインに「CLK」の入力端子が接続され、ソースにトランジスタ11のドレイン、および「OUT」の出力端子が接続されている。そして、トランジスタ4は、ノード23の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、「CLK」が「OUT」として出力される。 In the transistor 4, the node 23 is connected to the gate, the input terminal of “CLK 2 ” is connected to the drain, the drain of the transistor 11 and the output terminal of “OUT 1 ” are connected to the source. The transistor 4 is turned on when the potential of the node 23 is higher than a predetermined threshold value. As a result, “CLK 2 ” is output as “OUT 1 ”.

トランジスタ5は、ゲートにノード23が接続され、ドレインに「CLK」の入力端子が接続され、ソースにトランジスタ12のドレイン、および「OUT」の出力端子が接続されている。そして、トランジスタ5は、ノード23の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、「CLK」が「OUT」として出力される。 In the transistor 5, the node 23 is connected to the gate, the input terminal of “CLK 3 ” is connected to the drain, the drain of the transistor 12 and the output terminal of “OUT 2 ” are connected to the source. The transistor 5 is turned on when the potential of the node 23 is higher than a predetermined threshold value. As a result, “CLK 3 ” is output as “OUT 2 ”.

トランジスタ6は、ゲートに「CLK」の入力端子が接続され、ドレインに高電位端子が接続され、ソースにトランジスタ7のドレインが接続されている。そして、トランジスタ6は、「CLK」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、トランジスタ7のドレインに「VGH」が供給される。 The transistor 6 has a gate connected to the input terminal of “CLK 2 ”, a drain connected to the high potential terminal, and a source connected to the drain of the transistor 7. The transistor 6 is turned on when the potential of “CLK 2 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, “VGH” is supplied to the drain of the transistor 7.

トランジスタ7は、ゲートに「CLK」の入力端子が接続され、ドレインにトランジスタ6のソースが接続され、ソースにノード22が接続されている。そして、トランジスタ6は、「CLK」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、「CLK」と「CLK」の電位がともに所定の閾値よりも高い場合には、ノード22に「VGH」が供給され、ノード22の電位が上昇する。 In the transistor 7, the input terminal of “CLK 4 ” is connected to the gate, the source of the transistor 6 is connected to the drain, and the node 22 is connected to the source. The transistor 6 is turned on when the potential of “CLK 4 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, when the potentials of “CLK 2 ” and “CLK 4 ” are both higher than a predetermined threshold, “VGH” is supplied to the node 22 and the potential of the node 22 rises.

トランジスタ8は、ゲートに「CLK」の入力端子が接続され、ドレインに高電位端子が接続され、ソースにノード24が接続されている。そして、トランジスタ8は、「CLK」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード24に「VGH」が供給され、ノード24の電位が上昇する。 In the transistor 8, the input terminal of “CLK 4 ” is connected to the gate, the high potential terminal is connected to the drain, and the node 24 is connected to the source. The transistor 8 is turned on when the potential of “CLK 4 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, “VGH” is supplied to the node 24 and the potential of the node 24 rises.

トランジスタ9は、ゲートにノード24が接続され、ドレインにノード23が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ9は、ノード24の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード23の電位が「VGL」へ引き下げられる。   In the transistor 9, the node 24 is connected to the gate, the node 23 is connected to the drain, and the low potential terminal is connected to the source. The transistor 9 is turned on when the potential of the node 24 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 23 is lowered to “VGL”.

トランジスタ10は、ゲートにノード23が接続され、ドレインにノード24が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ10は、ノード23の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード24の電位が「VGL」へと引き下げられる。   In the transistor 10, the node 23 is connected to the gate, the node 24 is connected to the drain, and the low potential terminal is connected to the source. The transistor 10 is turned on when the potential of the node 23 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 24 is lowered to “VGL”.

トランジスタ11は、ゲートにノード22が接続され、ドレインにトランジスタ4のソース、および「OUT」の出力端子が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ11は、ノード22の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、トランジスタ4のソース、すなわち「OUT」の出力端子における電位が「VGL」へ引き下げられる。 In the transistor 11, the node 22 is connected to the gate, the source of the transistor 4 and the output terminal of “OUT 1 ” are connected to the drain, and the low potential terminal is connected to the source. The transistor 11 is turned on when the potential of the node 22 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential at the source of the transistor 4, that is, the output terminal of “OUT 1 ” is lowered to “VGL”.

トランジスタ12は、ゲートにノード22が接続され、ドレインにトランジスタ5のソース、および「OUT」の出力端子が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ12は、ノード22の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、トランジスタ5のソース、すなわち「OUT」の出力端子における電位が「VGL」へと引き下げられる。 In the transistor 12, the node 22 is connected to the gate, the source of the transistor 5 and the output terminal “OUT 2 ” are connected to the drain, and the low potential terminal is connected to the source. The transistor 12 is turned on when the potential of the node 22 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential at the source of the transistor 5, that is, the output terminal of “OUT 2 ” is lowered to “VGL”.

トランジスタ13は、ゲートに「OUT」の入力端子が接続され、ドレインにノード21が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ13は、「OUT」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード21の電位が「VGL」へと引き下げられる。 The transistor 13 has a gate connected to the input terminal “OUT 4 ”, a drain connected to the node 21, and a source connected to the low potential terminal. The transistor 13 is turned on when the potential of “OUT 4 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 21 is lowered to “VGL”.

トランジスタ14は、ゲートに信号「in」の入力端子が接続され、ドレインに高電位端子が接続され、ソースにノード21が接続されている。そして、トランジスタ14は、信号「in」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード21に「VGH」が供給され、ノード21の電位が上昇する。   The transistor 14 has a gate connected to an input terminal of a signal “in”, a drain connected to a high potential terminal, and a source connected to a node 21. The transistor 14 is turned on when the potential of the signal “in” is higher than a predetermined threshold value. As a result, “VGH” is supplied to the node 21 and the potential of the node 21 rises.

このように、シフトレジスタ回路20は、ノード21の電位の上昇に伴って、ノード22の電位を下降させるトランジスタ1と、ノード22の電位の上昇に伴って、ノード21の電位を下降させるトランジスタ2とを有する。また、シフトレジスタ回路20は、ノード21の電位の上昇に伴って、「CLK」をノード23に出力するトランジスタ3を有する。さらに、シフトレジスタ回路20は、ノード23の電位の上昇に伴って「CLK」を「OUT」の出力端子に出力するトランジスタ4と、「CLK」を「OUT」の出力端子に出力するトランジスタ5とを有する。 As described above, the shift register circuit 20 includes the transistor 1 that decreases the potential of the node 22 as the potential of the node 21 increases, and the transistor 2 that decreases the potential of the node 21 as the potential of the node 22 increases. And have. The shift register circuit 20 includes a transistor 3 that outputs “CLK 1 ” to the node 23 as the potential of the node 21 increases. Further, the shift register circuit 20 outputs “CLK 2 ” to the output terminal of “OUT 1 ” and “CLK 3 ” to the output terminal of “OUT 2 ” as the potential of the node 23 increases. And a transistor 5 to be used.

このため、シフトレジスタ回路20は、1つの「in」から2つの「OUT」、「OUT」を出力することができる。すなわち、シフトレジスタ回路20は、「in」のパルスがトランジスタ14に入力されたことを契機として、ノード21の電位を上昇させる。この結果、トランジスタ3を介してノード23に「CLK」が入力され、トランジスタ4、5がオン状態となり、「CLK」の入力端子が「OUT」の出力端子と電気的に接続され、「CLK」の入力端子が「OUT」の出力端子と電気的に接続される。 Therefore, the shift register circuit 20 can output two “OUT 1 ” and “OUT 2 ” from one “in”. That is, the shift register circuit 20 raises the potential of the node 21 when the “in” pulse is input to the transistor 14. As a result, “CLK 1 ” is input to the node 23 via the transistor 3, the transistors 4 and 5 are turned on, and the input terminal of “CLK 2 ” is electrically connected to the output terminal of “OUT 1 ”. The input terminal of “CLK 3 ” is electrically connected to the output terminal of “OUT 2 ”.

このため、シフトレジスタ回路20は、「in」のパルスが入力された後に、「in」の位相を半分ずらしたクロック信号である「CLK」、「CLK」、および「CLK」の位相を半分ずらした「CLK」が入力される場合は、1つの「in」に対して「OUT」および「OUT」を順次出力することができる。 For this reason, the shift register circuit 20 receives the “in” pulse and then shifts the phase of “in” by half by “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, and “CLK 2 ”. the case shifted half "CLK 3" is input, it is possible to sequentially output "OUT 1" and "OUT 2" for one "in".

ここで、各トランジスタ1〜14のドレイン、ソース間に流れる電流は、ゲート、ソース間の電位に応じて変化する。このため、各トランジスタ1〜14は、ゲートの電位が所定の閾値よりも十分に高い場合は、完全なオン状態となるが、所定の閾値よりも十分に高くない場合は、完全なオン状態とはならない。また、各トランジスタ1〜14は、ゲートの電位が所定の閾値よりも十分に低い場合は、完全なオフ状態となるが、ゲートの電位が所定の閾値よりも十分に低くない場合は、完全なオフ状態とはならない。   Here, the current flowing between the drain and source of each of the transistors 1 to 14 varies depending on the potential between the gate and source. For this reason, each of the transistors 1 to 14 is completely turned on when the gate potential is sufficiently higher than a predetermined threshold, but is completely turned on when not sufficiently higher than the predetermined threshold. Must not. Each of the transistors 1 to 14 is completely turned off when the gate potential is sufficiently lower than the predetermined threshold value, but is completely turned off when the gate potential is not sufficiently lower than the predetermined threshold value. It is not turned off.

例えば、図2は、トランジスタの電流特性を説明するグラフである。なお、図2に示すグラフは、横軸を各トランジスタ1〜14のゲート、ソース間の電位Vg(V:Volt)とし、縦軸にドレイン、ソース間の電流Id(A:Ampere)を対数表示した。図2に示すように、各トランジスタ1〜14は、電位Vgが十分に低い場合には、電流Idをほぼ流さないオフ状態となる。   For example, FIG. 2 is a graph illustrating current characteristics of a transistor. In the graph shown in FIG. 2, the horizontal axis represents the potential Vg (V: Volt) between the gate and source of each of the transistors 1 to 14, and the vertical axis represents the current Id (A: Ampere) between the drain and source in logarithm. did. As shown in FIG. 2, when the potential Vg is sufficiently low, each of the transistors 1 to 14 is in an off state in which almost no current Id flows.

また、各トランジスタ1〜14は、電位Vgが十分に低くない場合には、電流Idが流れるオン(低)状態となる。また、各トランジスタ1〜14は、電位Vgが十分に高くない場合には、電流Idが十分に流れないオン(中)状態となる。また、各トランジスタ1〜14は、電位Vgが十分に高い場合には、電流Idが飽和し、完全なオン状態であるオン(高)状態となる。   Each of the transistors 1 to 14 is in an on (low) state in which the current Id flows when the potential Vg is not sufficiently low. Further, each of the transistors 1 to 14 is in an on (medium) state where the current Id does not sufficiently flow when the potential Vg is not sufficiently high. Further, when the potential Vg is sufficiently high, each of the transistors 1 to 14 is saturated with the current Id and is turned on (high), which is a complete on state.

このため、図12に例示した従来のシフトレジスタ回路30は、各トランジスタ31〜38のゲートに印加される電位が所定の閾値よりも十分に高くない場合には、各トランジスタ31〜38がオン(高)状態とはならず、動作不良を引き起こす場合がある。また、従来のシフトレジスタ回路30は、各トランジスタ31〜38のゲートに印加される電位が所定の閾値よりも十分に低くない場合には、オフ状態とはならず、動作不良を引き起こす場合がある。   For this reason, in the conventional shift register circuit 30 illustrated in FIG. 12, when the potential applied to the gates of the transistors 31 to 38 is not sufficiently higher than a predetermined threshold, the transistors 31 to 38 are turned on ( May not be in a high state and may cause malfunction. Further, the conventional shift register circuit 30 is not turned off and may cause malfunction when the potential applied to the gates of the transistors 31 to 38 is not sufficiently lower than a predetermined threshold value. .

一方、本発明のシフトレジスタ回路20は、「OUT」の電位にではなく、ノード21の電位に応じてノード22の電位を下げる。この結果、シフトレジスタ回路20は、「OUT」、および「OUT」を出力する際に、ノード22の電位を確実に下げることができ、ノード21の電位を十分高い状態に保てることで、信号出力の降下を防ぐことができる。 On the other hand, the shift register circuit 20 of the present invention lowers the potential of the node 22 according to the potential of the node 21, not the potential of “OUT 1 ”. As a result, when the shift register circuit 20 outputs “OUT 1 ” and “OUT 2 ”, the potential of the node 22 can be reliably lowered, and the potential of the node 21 can be kept sufficiently high. A drop in signal output can be prevented.

詳細には、シフトレジスタ回路20は、ノード21の電位の上昇に伴って、ノード22の電位を下降させるトランジスタ1と、ノード22の電位の上昇に伴って、ノード21の電位を下降させるトランジスタ2とを有する。また、シフトレジスタ回路20は、ノード21の電位の上昇に伴って、「CLK」をノード23に出力するトランジスタ3を有する。ここで、トランジスタ3において「CLK」が流れた場合には、ブートストラップ効果により、ノード21の電位が上昇する。このため、ノード22の電位が下降し、トランジスタ2が確実にオフにされ、ノード21の電位が上昇するので、シフトレジスタ回路20は、ノード23に入力する「CLK」の電位の低下を防ぐことができる。この結果、シフトレジスタ回路20は、トランジスタ4、5を確実にオン状態とするので、「OUT」および「OUT」の電位の低下を防ぐことができる。 Specifically, the shift register circuit 20 includes a transistor 1 that decreases the potential of the node 22 as the potential of the node 21 increases, and a transistor 2 that decreases the potential of the node 21 as the potential of the node 22 increases. And have. The shift register circuit 20 includes a transistor 3 that outputs “CLK 1 ” to the node 23 as the potential of the node 21 increases. Here, when “CLK 1 ” flows in the transistor 3, the potential of the node 21 rises due to the bootstrap effect. For this reason, the potential of the node 22 is lowered, the transistor 2 is reliably turned off, and the potential of the node 21 is raised. Therefore, the shift register circuit 20 prevents the potential of “CLK 1 ” input to the node 23 from being lowered. be able to. As a result, the shift register circuit 20 reliably turns on the transistors 4 and 5, so that the potentials of “OUT 1 ” and “OUT 2 ” can be prevented from decreasing.

[シフトレジスタ回路20の動作の流れ]
このようなシフトレジスタ回路20の動作の流れを説明する。まず、図3を用いて、シフトレジスタ回路20に入力する信号について説明する。図3は、シフトレジスタ回路に入力される信号波形を説明する図である。例えば、図3に示す例では、シフトレジスタ回路20には、「in」として、例えば「VST」(垂直走査開始信号:Vertical Start)が入力されるとともに、複数のクロック信号「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」が入力される。
[Operation Flow of Shift Register Circuit 20]
The operation flow of the shift register circuit 20 will be described. First, a signal input to the shift register circuit 20 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram for explaining a signal waveform input to the shift register circuit. For example, in the example illustrated in FIG. 3, for example, “VST” (vertical scan start signal: Vertical Start) is input to the shift register circuit 20 as “in”, and a plurality of clock signals “CLK 1 ”, “ “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” are input.

ここで、「VST」とは、シフトレジスタ回路20の前段に他のシフトレジスタ回路が存在しない場合に、「in」としてシフトレジスタ回路20に入力される信号であり、複数のシフトレジスタが信号を伝達する処理の開始を示す信号である。また、「CLK」とは、電位が「VGH」から「VGL」まで周期的に変化する第1のクロック信号であり、シフトレジスタ回路20が「OUT」、および「OUT」を出力する期間を示す信号である。 Here, “VST” is a signal that is input to the shift register circuit 20 as “in” when there is no other shift register circuit in the previous stage of the shift register circuit 20. It is a signal which shows the start of the process to transmit. “CLK 1 ” is a first clock signal whose potential periodically changes from “VGH” to “VGL”, and the shift register circuit 20 outputs “OUT 1 ” and “OUT 2 ”. It is a signal indicating a period.

また、「CLK」とは、電位が「VGH」から「VGL」まで周期的に変化する第2のクロック信号であり、シフトレジスタ回路20が「OUT」を出力するタイミングを示すクロック信号である。また、「CLK」とは、電位が「VGH」から「VGL」まで周期的に変化する第3のクロック信号であり、シフトレジスタ回路20が「OUT」を出力するタイミングを示すクロック信号である。また、「CLK」とは、電位が「VGH」から「VGL」まで周期的に変化する第4のクロック信号であり、シフトレジスタ回路20では「in」が入力されるタイミングと同期したクロック信号である。 “CLK 2 ” is a second clock signal whose potential periodically changes from “VGH” to “VGL”, and is a clock signal indicating the timing at which the shift register circuit 20 outputs “OUT 1 ”. is there. “CLK 3 ” is a third clock signal whose potential periodically changes from “VGH” to “VGL”, and is a clock signal indicating the timing at which the shift register circuit 20 outputs “OUT 2 ”. is there. “CLK 4 ” is a fourth clock signal whose potential periodically changes from “VGH” to “VGL”. In the shift register circuit 20, a clock signal synchronized with the timing at which “in” is input. It is.

なお、「CLK」の周期は、「CLK」の周期の半分であり、「CLK」の電位は、「CLK」の電位が「VGH」となっている間に、「VGH」となる。また、「CLK」の周期は、「CLK」の周期の半分であり、「CLK」の電位は、「CLK」の電位が「VGH」となっている間に、「VGH」となる。また、以下の説明では、図3に示すように、「CLK」は、「CLK」の位相を半分遅らせることで、電位が「VGH」となる範囲が重複しないようにした信号であるものとするが、実施形態はこれに限定されるものではなく、「OUT」と「OUT」を出力するタイミングに応じて、所定の量だけ位相を遅らせればよい。 The period of "CLK 2" is half of the period of "CLK 1", the potential of "CLK 2", during which the potential of "CLK 1" is "VGH", and "VGH" Become. The period of "CLK 3" is half of the period of "CLK 1", the potential of "CLK 3", while the potential of the "CLK 1" is "VGH", and "VGH" Become. In the following description, as shown in FIG. 3, “CLK 3 ” is a signal in which the phase of “CLK 2 ” is delayed by half so that the range in which the potential becomes “VGH” does not overlap. However, the embodiment is not limited to this, and the phase may be delayed by a predetermined amount in accordance with the timing of outputting “OUT 1 ” and “OUT 2 ”.

また、以下の説明では、「CLK」の周期は、「CLK」の周期の半分であるものとするが、実施形態は、これに限定されるものではない。また、以下の説明では、「in」および各クロック信号が入力された際のシフトレジスタ回路20の動作について理解を容易にするため、「in」が入力された後に各クロック信号が入力されるものとするが、例えば、「in」と同時に「CLK」のパルスが入力されることとしてもよい。 In the following description, the period of “CLK 2 ” is half of the period of “CLK 1 ”, but the embodiment is not limited to this. Further, in the following description, in order to facilitate understanding of the operation of the shift register circuit 20 when “in” and each clock signal are input, each clock signal is input after “in” is input. However, for example, a pulse of “CLK 4 ” may be input simultaneously with “in”.

また、以下の説明では、シフトレジスタ回路20の動作を、図3中の点線で示すタイミング(A)、タイミング(B)、タイミング(C)、タイミング(D)、タイミング(E)に分けて説明する。具体的には、タイミング(A)とは、「in」の電位が「VGH」となり、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の電位が「VGL」となるタイミングである。また、タイミング(B)とは、「in」の電位が「VGL」となり、「CLK」、および「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」、および「CLK」の電位が「VGL」となるタイミングである。 In the following description, the operation of the shift register circuit 20 is divided into timing (A), timing (B), timing (C), timing (D), and timing (E) indicated by dotted lines in FIG. To do. Specifically, in timing (A), the potential of “in” becomes “VGH”, and the potentials of “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” become “VGL”. It is timing. The timing (B) means that the potential of “in” becomes “VGL”, the potentials of “CLK 1 ” and “CLK 2 ” become “VGH”, and the potentials of “CLK 3 ” and “CLK 4 ”. Is the timing when becomes “VGL”.

また、タイミング(C)とは、「in」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGL」となるタイミングである。また、タイミング(D)とは、「in」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となるタイミングである。また、タイミング(E)とは、「in」、「CLK」、および「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」および「CLK」の電位が「VGH」となるタイミングである。 The timing (C) means that the potential of “in” becomes “VGL”, the potential of “CLK 1 ” becomes “VGH”, the potential of “CLK 2 ” becomes “VGL”, and the potential of “CLK 3 ”. Is the timing when “VGH” and the potential of “CLK 4 ” becomes “VGL”. The timing (D) means that the potential of “in” becomes “VGL”, the potential of “CLK 1 ” becomes “VGL”, the potential of “CLK 2 ” becomes “VGH”, and the potential of “CLK 3 ”. Is the timing when “VGL” and the potential of “CLK 4 ” becomes “VGH”. The timing (E) is a timing at which the potentials of “in”, “CLK 1 ”, and “CLK 2 ” are “VGL”, and the potentials of “CLK 3 ” and “CLK 4 ” are “VGH”. is there.

次に、図4〜図8を用いて、各タイミング(A)〜(E)におけるシフトレジスタ回路20の動作について説明する。まず、図4を用いて、タイミング(A)におけるシフトレジスタ回路20の動作を説明する。図4は、タイミング(A)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。   Next, the operation of the shift register circuit 20 at each timing (A) to (E) will be described with reference to FIGS. First, the operation of the shift register circuit 20 at the timing (A) will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit at the timing (A).

なお、図4では、シフトレジスタ回路20の導電経路のうち、各トランジスタ1〜14をオン状態にすることができる程度に電位が高い「High」状態となっている導電経路を太線で示した。また、図4では、主な電流の流れを白抜きの矢印で示した。また、図4に示す例では、タイミング(A)の前段階において、ノード23の電位がすでに「VGL」となっており、ノード24の電位がすでに「VGH」となっているものとするが、このような状態は、図3中(D)に示すタイミングの波形により、実現可能である。   In FIG. 4, among the conductive paths of the shift register circuit 20, the conductive paths that are in a “High” state that is high enough to enable the transistors 1 to 14 to be turned on are indicated by bold lines. In FIG. 4, the main current flow is indicated by white arrows. In the example shown in FIG. 4, it is assumed that the potential of the node 23 is already “VGL” and the potential of the node 24 is already “VGH” in the previous stage of the timing (A). Such a state can be realized by the timing waveform shown in FIG.

例えば、タイミング(A)においては、「in」として「VGH」のパルスがトランジスタ14のゲートに入力される。このため、トランジスタ14がオン状態となり、ノード21に「VGH」が供給され、ノード21の電位が上昇する。また、ノード21の電位が「High」状態となった場合は、トランジスタ1がオン状態となるので、ノード22の電位がトランジスタ1によって「VGL」に引き下げられる。また、ノード24の電位が「High」状態となっているため、トランジスタ9がオン状態となるので、ノード23の電位がトランジスタ9によって「VGL」へ引き下げられる。また、ノード23の電位が「VGL」に引き下げられているため、トランジスタ10がオフ状態となるので、ノード24の電位が「High」状態に保持される。   For example, at timing (A), a pulse “VGH” is input to the gate of the transistor 14 as “in”. Therefore, the transistor 14 is turned on, “VGH” is supplied to the node 21, and the potential of the node 21 rises. In addition, when the potential of the node 21 is in the “High” state, the transistor 1 is turned on, so that the potential of the node 22 is lowered to “VGL” by the transistor 1. Further, since the potential of the node 24 is in the “High” state, the transistor 9 is turned on, so that the potential of the node 23 is lowered to “VGL” by the transistor 9. Further, since the potential of the node 23 is lowered to “VGL”, the transistor 10 is turned off, so that the potential of the node 24 is held in the “High” state.

次に、図5を用いて、タイミング(B)におけるシフトレジスタ回路20の動作を説明する。図5は、タイミング(B)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。なお、図5では、図4と同様、シフトレジスタ回路20の導電経路のうち、「High」状態となっている導電経路を太線で示し、主な電流の流れを白抜きの矢印で示した。   Next, the operation of the shift register circuit 20 at the timing (B) will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit at the timing (B). In FIG. 5, as in FIG. 4, among the conductive paths of the shift register circuit 20, the conductive paths in the “High” state are indicated by bold lines, and the main current flow is indicated by white arrows.

例えば、タイミング(B)においては、ノード21が「High」状態であるので、トランジスタ1がオン状態を継続し、ノード22の電位が「VGL」に保持される。このため、トランジスタ2がオフ状態を継続し、ノード21が「High」状態を保つ。また、「High」状態であるノード21の電位により、トランジスタ3がオン状態となる。ここで、「CLK」のパルスがトランジスタ3のドレインに入力されると、ブートストラップ効果によりノード21の電位がさらに上昇し、トランジスタ3がオン(高)状態となる。すると、「CLK」の「VGH」が確実にノード23に入力されるので、ノード23が「High」状態となり、トランジスタ4がオン状態となる。このため、「CLK」のパルスが「OUT」として出力される。 For example, at the timing (B), since the node 21 is in the “High” state, the transistor 1 is kept on and the potential of the node 22 is held at “VGL”. For this reason, the transistor 2 continues to be turned off, and the node 21 maintains the “High” state. Further, the transistor 3 is turned on by the potential of the node 21 in the “High” state. Here, when the pulse of “CLK 1 ” is input to the drain of the transistor 3, the potential of the node 21 is further increased by the bootstrap effect, and the transistor 3 is turned on (high). Then, “VGH” of “CLK 1 ” is surely input to the node 23, so that the node 23 is in a “High” state and the transistor 4 is turned on. Therefore, a pulse of “CLK 2 ” is output as “OUT 1 ”.

ここで、トランジスタ5もオン状態となるが、「CLK」が「VGL」であるため、「OUT」として出力される信号も「VGL」となる。また、ノード23が「High」状態となるので、トランジスタ10がオン状態となり、ノード24の電位が「VGL」へ引き下げられる。このように、ノード24の電位が「VGL」へ引き下げられた場合は、トランジスタ9がオフ状態となるので、ノード23の電位は「High」に保たれる。また、ノード23の電位は、「OUT」に伝達され、次段の回路に「in」として出力される。 Here, the transistor 5 is also turned on, but since “CLK 3 ” is “VGL”, the signal output as “OUT 2 ” is also “VGL”. Further, since the node 23 is in the “High” state, the transistor 10 is turned on, and the potential of the node 24 is lowered to “VGL”. Thus, when the potential of the node 24 is lowered to “VGL”, the transistor 9 is turned off, so that the potential of the node 23 is kept at “High”. In addition, the potential of the node 23 is transmitted to “OUT N ” and output as “in” to the next-stage circuit.

なお、「CLK」の電位が「VGH」となると、トランジスタ6もオン状態となるが、「CLK」の電位が「VGL」であるため、トランジスタ7がオフ状態を保つ結果、ノード22に「VGH」が供給されず、ノード22の電位が「VGL」に保たれる。 Note that when the potential of “CLK 2 ” becomes “VGH”, the transistor 6 is also turned on. However, since the potential of “CLK 4 ” is “VGL”, the transistor 7 is kept off, so that the node 22 “VGH” is not supplied, and the potential of the node 22 is kept at “VGL”.

次に、図6を用いて、タイミング(C)におけるシフトレジスタ回路20の動作を説明する。図6は、タイミング(C)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。なお、図6では、図4と同様、シフトレジスタ回路20の導電経路のうち、「High」状態となっている導電経路を太線で示し、主な電流の流れを白抜きの矢印で示した。   Next, the operation of the shift register circuit 20 at the timing (C) will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit at the timing (C). In FIG. 6, as in FIG. 4, among the conductive paths of the shift register circuit 20, conductive paths that are in the “High” state are indicated by bold lines, and main current flows are indicated by white arrows.

例えば、タイミング(C)においては、ノード21の電位が「High」状態を保つのでトランジスタ1、3がオン状態を継続する。このため、ノード22の電位が「VGL」に保たれるとともに、ノード23の電位が「High」状態に保たれる。ここで、ノード23の電位が「High」状態に保たれているので、トランジスタ5がオン状態となり、「CLK」のパルスが入力されると、「CLK」のパルスが「OUT」として出力される。また、ノード23の電位が「High」状態に保たれるため、「OUT」からは、「CLK」と同じ周期の「in」が次段のシフトレジスタ回路に伝達される。 For example, at the timing (C), since the potential of the node 21 is kept in the “High” state, the transistors 1 and 3 are kept on. Therefore, the potential of the node 22 is kept at “VGL” and the potential of the node 23 is kept in the “High” state. Here, since the potential of the node 23 is kept in the “High” state, when the transistor 5 is turned on and the pulse of “CLK 3 ” is input, the pulse of “CLK 3 ” is changed to “OUT 2 ”. Is output. Further, since the potential of the node 23 is kept in the “High” state, “IN” having the same cycle as “CLK 1 ” is transmitted from “OUT N ” to the shift register circuit in the next stage.

次に、図7を用いて、タイミング(D)におけるシフトレジスタ回路20の動作を説明する。図7は、タイミング(D)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。なお、図7では、図4と同様、シフトレジスタ回路20の導電経路のうち、「High」状態となっている導電経路を太線で示し、主な電流の流れを白抜きの矢印で示した。   Next, the operation of the shift register circuit 20 at the timing (D) will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit at the timing (D). In FIG. 7, as in FIG. 4, among the conductive paths of the shift register circuit 20, conductive paths that are in the “High” state are indicated by bold lines, and main current flows are indicated by white arrows.

例えば、タイミング(D)においては、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」、「CLK」の電位が「VGH」となる。このような場合にはトランジスタ6、7がオン状態となるため、ノード22に「VGH」が供給される。ここで、ノード21が「High」状態であるため、トランジスタ1を介し、ノード22の電位が継続して「VGL」に引き下げられるが、ノード22に「VGH」が供給されることにより、完全ではないもののノード22の電位が「High」状態となる。このため、トランジスタ2がオン状態となり、ノード21の電位が「VGL」に引き下げられる。 For example, at timing (D), the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, and the potentials of “CLK 2 ” and “CLK 4 ” are “VGH”. In such a case, since the transistors 6 and 7 are turned on, “VGH” is supplied to the node 22. Here, since the node 21 is in the “High” state, the potential of the node 22 is continuously pulled down to “VGL” via the transistor 1, but “VGH” is supplied to the node 22, so Although not present, the potential of the node 22 is in a “High” state. For this reason, the transistor 2 is turned on, and the potential of the node 21 is lowered to “VGL”.

また、トランジスタ8がオン状態となるので、ノード24に「VGH」が供給され、ノード24の電位が「High」状態となる。すると、トランジスタ9がオン状態となるので、ノード23の電位が「VGL」に引き下げられる。この結果、トランジスタ4、5がオフ状態となるので、「CLK」のパルスが入力されても「OUT」として出力されず、「OUT」における電位が「VGL」に保持される。また、ノード23の電位が「VGL」に引き下げられるので、次段のシフトレジスタ回路に「in」として入力される「OUT」の電位が「VGL」となる。 Further, since the transistor 8 is turned on, “VGH” is supplied to the node 24, and the potential of the node 24 is set to the “High” state. Then, since the transistor 9 is turned on, the potential of the node 23 is lowered to “VGL”. As a result, the transistor 4 and 5 because turns off, not output as "OUT 1" is also a pulse is inputted in the "CLK 2", the potential at "OUT 1" is held in the "VGL". Further, since the potential of the node 23 is lowered to “VGL”, the potential of “OUT N ” input as “in” to the next-stage shift register circuit becomes “VGL”.

また、ノード22の電位が完全ではないものの「High」状態となるので、トランジスタ11、12がオン状態となり、「OUT」および「OUT」の出力端子における電位が「VGL」に引き下げられる。このため、シフトレジスタ回路20は、誤ったタイミングで「OUT」、および「OUT」が出力してしまうのを防ぐことができる。 In addition, since the potential of the node 22 is not perfect, the transistor 11 and 12 are turned on, and the potentials at the output terminals of “OUT 1 ” and “OUT 2 ” are lowered to “VGL”. For this reason, the shift register circuit 20 can prevent “OUT 1 ” and “OUT 2 ” from being output at an incorrect timing.

次に、図8を用いて、タイミング(E)におけるシフトレジスタ回路20の動作を説明する。図8は、タイミング(E)におけるシフトレジスタ回路の動作を説明するための図である。なお、図8では、図4と同様、シフトレジスタ回路20の導電経路のうち、「High」状態となっている導電経路を太線で示し、主な電気の流れを白抜きの矢印で示した。   Next, the operation of the shift register circuit 20 at the timing (E) will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit at the timing (E). In FIG. 8, as in FIG. 4, among the conductive paths of the shift register circuit 20, the conductive paths in the “High” state are indicated by bold lines, and the main electric flow is indicated by white arrows.

例えば、タイミング(E)においては、「CLK」、および「CLK」の電位が「VGH」となる。また、タイミング(E)においては、次段のシフトレジスタ回路が出力した信号であり、「OUT」に対応する信号「OUT」のパルスがトランジスタ13に入力される。このため、トランジスタ13がオン状態となり、ノード21の電位が「VGL」に引き下げられることより、トランジスタ1がオフ状態となるため、ノード22の電位の低下が抑えられると共に、トランジスタ3がオフ状態となる。 For example, at the timing (E), the potentials of “CLK 3 ” and “CLK 4 ” are “VGH”. At timing (E), a pulse of the signal “OUT 4 ” corresponding to “OUT 2 ” is input to the transistor 13, which is a signal output from the next shift register circuit. Therefore, the transistor 13 is turned on and the potential of the node 21 is pulled down to “VGL”, so that the transistor 1 is turned off, so that a decrease in the potential of the node 22 is suppressed and the transistor 3 is turned off. Become.

また、ノード22の電位は、完全ではないが「High」状態であるため、トランジスタ11、12がオン状態となる。この結果、「OUT」、および「OUT」の出力端子の電位を「VGL」に保つ。また、「CLK」の電位が「VGH」となると、トランジスタ8がオン状態となるため、ノード24に「VGH」が供給される。この結果、ノード24の電位が「High」状態となるので、トランジスタ9がオン状態となり、ノード23の電位が「VGL」に引き下げられる。このため、トランジスタ5がオフ状態を保ち、「CLK」のパルスが入力されても「OUT」として出力されず、「OUT」の出力端子における電位が「VGL」に保たれる。このため、シフトレジスタ20は、安定したオフ状態を保つことができる。 Further, although the potential of the node 22 is not perfect but is in a “High” state, the transistors 11 and 12 are turned on. As a result, the potentials at the output terminals of “OUT 1 ” and “OUT 2 ” are kept at “VGL”. Further, when the potential of “CLK 4 ” becomes “VGH”, the transistor 8 is turned on, so that “VGH” is supplied to the node 24. As a result, since the potential of the node 24 becomes “High”, the transistor 9 is turned on, and the potential of the node 23 is lowered to “VGL”. Thus, the transistor 5 is kept in the OFF state is not output as "CLK 3", "OUT 2" even pulse is input, the potential at the output terminal of the "OUT 2" is maintained at "VGL". For this reason, the shift register 20 can maintain a stable OFF state.

次に、図9を用いて、各信号が入力された際のシフトレジスタ回路20の動作について説明する。図9は、シフトレジスタ回路の動作を説明する図である。なお、図9には、シフトレジスタ回路20に入力される「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」および「in」の入力波形と、ノード21〜24の電位変化、及び「OUT」、「OUT」、「OUT」、「OUT」の波形を示した。ここで、「OUT」とは、次段の回路が「in」の入力後、最初に出力する信号であり、シフトレジスタ回路20が出力する「OUT」に対応する信号である。また「OUT」とは、次段の回路が「in」の入力後、2番目に出力する信号であり、シフトレジスタ回路20が出力する「OUT」に対応する信号である。 Next, the operation of the shift register circuit 20 when each signal is input will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a diagram illustrating the operation of the shift register circuit. Note that FIG. 9 shows input waveforms of “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, “CLK 4 ”, and “in” input to the shift register circuit 20, and potential changes of the nodes 21 to 24. , And waveforms of “OUT 1 ”, “OUT 2 ”, “OUT 3 ”, and “OUT 4 ” are shown. Here, “OUT 3 ” is a signal that is output first after the next-stage circuit inputs “in”, and is a signal corresponding to “OUT 1 ” output by the shift register circuit 20. Further, “OUT 4 ” is a signal output second after the next-stage circuit inputs “in”, and is a signal corresponding to “OUT 2 ” output by the shift register circuit 20.

また、図9には、各トランジスタ1〜14がオン(高)状態となる範囲を網かけで示し、オン(中)状態となる範囲を濃い点描で示し、オン(低)状態となる範囲を薄い点描で示す。また、各トランジスタ1〜14がオフ状態となる範囲は、白抜きで示す。また、図9中T1よりも前の状態では、ノード21、23の電位が「VGL」であり、ノード22、24の電位が「VGH」であるものとする。   Further, in FIG. 9, the range in which each of the transistors 1 to 14 is in the on (high) state is indicated by shading, the range in which the on (medium) state is set is indicated by dark stippling, and the range in which the on (low) state is set. Shown in light stippling. Further, the range in which each of the transistors 1 to 14 is turned off is shown in white. In the state before T1 in FIG. 9, the potentials of the nodes 21 and 23 are “VGL”, and the potentials of the nodes 22 and 24 are “VGH”.

また、図9には、電位がシフトレジスタ回路20と同じように、周期的に変化する「CLK」と同期した「in」が入力されたことに応じて、「OUT」および「OUT」を順次出力し、後段のシフトレジスタ回路から入力される「OUT」によって出力を停止する一連の流れを示す。ここでは、図9中T1〜T21に示した期間におけるトランジスタ1〜14の状態を用いて、上記一連の流れを具体的に説明する。 Further, in FIG. 9, as in the shift register circuit 20, “OUT 1 ” and “OUT 2 ” are input in response to the input of “in” synchronized with “CLK 4 ” that periodically changes. ”Are sequentially output, and the output is stopped by“ OUT 4 ”input from the subsequent shift register circuit. Here, the above series of flows will be specifically described using the states of the transistors 1 to 14 in the period indicated by T1 to T21 in FIG.

具体的には、T1は、「in」信号が入力されるまでの前段階であり、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」、「CLK」および「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。また、T2は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となり、「in」のパルスが入力される期間である。 Specifically, T1 is a previous stage until the “in” signal is input, and the potential of “CLK 1 ” is the potential of “VGH”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ”. Is a period in which “VGL” is set. In addition, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGH”. This is a period during which an “in” pulse is input.

また、T3は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となり、「in」のパルスが「VGH」となる期間である。また、T4は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」から「VGH」に遷移した後「VGL」に遷移し、「CLK」の電位が「VGH」となり、「in」のパルスが「VGH」となる期間である。 Further, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGH”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGH”. This is a period during which the “in” pulse becomes “VGH”. In addition, the potential of “CLK 1 ” is changed to “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is changed to “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is changed from “VGL” to “VGH”, and then is changed to “VGL”. In this period, the potential of “CLK 4 ” becomes “VGH” and the pulse of “in” becomes “VGH”.

また、T5は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」となり、「in」のパルスが入力された後、「VGL」となる期間である。また、T6は、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。また、T7は、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。また、T8は、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。 In addition, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGL”. This is a period of “VGL” after an “in” pulse is input. In T6, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGL”. It is a period. In T7, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, the potential of “CLK 2 ” is “VGH”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGL”. It is a period. In T8, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGL”. It is a period.

また、T9は、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」から「VGL」へと遷移し、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。また、T10は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。また、T11は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。また、T12は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。 In T9, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is changed from “VGH” to “VGL”, and “CLK 4 ” This is a period during which the potential of “VGL” becomes “VGL”. In T10, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGL”. It is a period. In T11, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGH”. It is a period. In T12, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGH”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGH”. It is a period.

また、T13は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。また、T14は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。また、T15は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。 In T13, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGH”. It is a period. In T14, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGH”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGH”. It is a period. In T15, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGH”. It is a period.

また、T16は、「CLK」の電位が「VGL」から「VGH」に遷移し、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。また、T17は、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。また、T18は、「CLK」の電位が「VGH」から「VGL」に遷移し、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」から「VGH」に遷移した後「VGL」に遷移し、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。 In T16, the potential of “CLK 1 ” changes from “VGL” to “VGH”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and “CLK 4 ”. This is a period during which the potential is “VGL”. In T17, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, the potential of “CLK 2 ” is “VGH”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGL”. It is a period. In T18, the potential of “CLK 1 ” transitions from “VGH” to “VGL”, the potential of “CLK 2 ” transitions from “VGL”, and the potential of “CLK 3 ” transitions from “VGL” to “VGH”. After that, a transition is made to “VGL” and the potential of “CLK 4 ” is “VGL”.

また、T19は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。また、T20は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。また、T21は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGL」から「VGH」に遷移した後「VGL」に遷移し、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。 In T19, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGH”. It is a period. In T20, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGH”, the potential of “CLK 3 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGH”. It is a period. In addition, the potential of “CLK 1 ” is changed to “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is changed to “VGL”, and the potential of “CLK 3 ” is changed from “VGL” to “VGH”, and then is changed to “VGL”. In this period, the potential of “CLK 4 ” is “VGH”.

例えば、図9中T1以前からT1においては、ノード21の電位が「VGL」であり、ノード22の電位が「VGH」であり、ノード24の電位が「VGH」であるため、トランジスタ2、9、11、12がオン(高)状態となる。このため、ノード21の電位が「VGL」に保たれる結果、トランジスタ3がオフ状態であるため、「CLK」のパルスがノード23に入力されない。また、トランジスタ9を介してノード23の電位が「VGL」に引き下げられるので、ノード23の電位が「VGL」を保たれる。 For example, from before T1 to T1 in FIG. 9, the potential of the node 21 is “VGL”, the potential of the node 22 is “VGH”, and the potential of the node 24 is “VGH”. , 11 and 12 are turned on (high). For this reason, as a result of the potential of the node 21 being kept at “VGL”, the transistor 3 is in an off state, so that the pulse of “CLK 1 ” is not input to the node 23. Further, since the potential of the node 23 is pulled down to “VGL” via the transistor 9, the potential of the node 23 is kept at “VGL”.

続いて、図9中T2においては、「CLK」の電位が「VGL」に遷移し、「CLK」の電位が「VGH」に遷移するので、トランジスタ7がオン(高)状態となり、トランジスタ8がオン(低)状態となる。この結果、ノード24に「VGH」が供給され、ノード24の電位が「VGH」となる。また、ノード24の電位が「VGH」に上昇すると、トランジスタ9がオン(高)状態を保つので、ノード23の電位が「VGL」に保持される。 Subsequently, at T2 in FIG. 9, the potential of “CLK 1 ” transitions to “VGL” and the potential of “CLK 4 ” transitions to “VGH”, so that the transistor 7 is turned on (high), and the transistor 8 is turned on (low). As a result, “VGH” is supplied to the node 24 and the potential of the node 24 becomes “VGH”. Further, when the potential of the node 24 rises to “VGH”, the transistor 9 is kept on (high), so that the potential of the node 23 is held at “VGL”.

ここで、トランジスタ14には、「in」パルスが入力されるので、トランジスタ14がオン(高)状態となり、「VGH」がノード21に供給され、ノード21の電位が上昇する。このように、ノード21の電位が上昇すると、トランジスタ1、3がオン状態となるため、ノード22の電位が「VGL」へと引き下げられる。この結果、ノード22の電位は、「GND」程度まで下降し、トランジスタ11、12は、オン(中)状態となる。この結果、「OUT」の出力端子、および「OUT」の出力端子における電位は、「VGL」に保持されている。 Here, since the “in” pulse is input to the transistor 14, the transistor 14 is turned on (high), “VGH” is supplied to the node 21, and the potential of the node 21 is increased. Thus, when the potential of the node 21 rises, the transistors 1 and 3 are turned on, so that the potential of the node 22 is lowered to “VGL”. As a result, the potential of the node 22 drops to about “GND”, and the transistors 11 and 12 are turned on (medium). As a result, the potentials at the output terminal “OUT 1 ” and the output terminal “OUT 2 ” are held at “VGL”.

続いて、図9中T3においては、「CLK」の電位が「VGH」に遷移するのでトランジスタ6がオン(中)状態となる。また、図9中T2と同様、「CLK」の電位が「VGH」であり、トランジスタ7がオン(高)状態であるので、ノード22には、トランジスタ6、7を介して、「VGH」が供給される。一方、ノード21の電位が「GND」に近い値であり、トランジスタ1がオン(高)状態であるので、ノード22の電位は、中間状態、すなわちGND付近の電位を保持している。 Subsequently, at T3 in FIG. 9, the potential of “CLK 2 ” transitions to “VGH”, so that the transistor 6 is turned on (medium). Similarly to T2 in FIG. 9, since the potential of “CLK 4 ” is “VGH” and the transistor 7 is in an on (high) state, “VGH” is connected to the node 22 via the transistors 6 and 7. Is supplied. On the other hand, since the potential of the node 21 is a value close to “GND” and the transistor 1 is in an on (high) state, the potential of the node 22 holds an intermediate state, that is, a potential in the vicinity of GND.

続いて、図9中T4においては、「CLK」の電位が「VGL」に遷移するので、トランジスタ6がオフ状態となる。また、「in」が「VGH」であるので、オン(高)状態のトランジスタ14を介して、「VGH」がノード21に供給され、ノード21の電位が、上昇し続ける。 Subsequently, at T4 in FIG. 9, since the potential of “CLK 2 ” transitions to “VGL”, the transistor 6 is turned off. Further, since “in” is “VGH”, “VGH” is supplied to the node 21 through the transistor 14 in the on (high) state, and the potential of the node 21 continues to rise.

また、ノード21の電位が上昇すると、トランジスタ1を介して、ノード22の電位が「VGL」へ引き下げられるので、ノード22の電位が「GND」よりも低い値になる。すると、トランジスタ2がオン(低)状態となるので、ノード21の電位の降下が抑制される。この結果、ノード21の電位がGNDよりも高い状態となり、ノード22の電位がGNDよりも低い状態となる。また、ノード22の電位がGNDよりも低い値となるので、トランジスタ11、12は、オン(低)状態となる。   Further, when the potential of the node 21 rises, the potential of the node 22 is lowered to “VGL” through the transistor 1, and thus the potential of the node 22 becomes lower than “GND”. Then, since the transistor 2 is turned on (low), the potential drop at the node 21 is suppressed. As a result, the potential of the node 21 is higher than GND, and the potential of the node 22 is lower than GND. In addition, since the potential of the node 22 is lower than GND, the transistors 11 and 12 are turned on (low).

続いて、図9中T5においては、「in」が「VGL」に遷移するので、トランジスタ14がオフ状態となる。このため、ノード21には、「VGH」の供給が行われない。また、「CLK」が「VGL」となるので、トランジスタ7、8がオフ状態となる。 Subsequently, at T5 in FIG. 9, since “in” transitions to “VGL”, the transistor 14 is turned off. For this reason, the node 21 is not supplied with “VGH”. Further, since “CLK 4 ” becomes “VGL”, the transistors 7 and 8 are turned off.

ここで、図9中T6において、「CLK」の電位が「VGH」に遷移すると、T5においてオン(中)状態であったトランジスタ3に「CLK」のパルスが流れる。すると、トランジスタ3のドレインからソースへと「CLK」のパルスの電圧が印加され、ブートストラップ効果が発生し、ノード21の電位がカップリングにより上昇する。 Here, when the potential of “CLK 1 ” transitions to “VGH” at T 6 in FIG. 9, a pulse of “CLK 1 ” flows through the transistor 3 that was in the on (medium) state at T 5. Then, a pulse voltage of “CLK 1 ” is applied from the drain to the source of the transistor 3, a bootstrap effect is generated, and the potential of the node 21 rises due to coupling.

すると、トランジスタ1がオン(高)状態となるので、ノード22の電位がより「VGL」に引き下げられ、トランジスタ2がオフ状態となる。すると、ノード21の電位が「VGH」に対して1.3〜1.5倍程度に上昇し、トランジスタ1がオン(高)状態となる。すると、ノード22の電位が完全に「VGL」へと引き下げられる。   Then, since the transistor 1 is turned on (high), the potential of the node 22 is further lowered to “VGL”, and the transistor 2 is turned off. Then, the potential of the node 21 rises to about 1.3 to 1.5 times “VGH”, and the transistor 1 is turned on (high). Then, the potential of the node 22 is completely lowered to “VGL”.

また、ノード21の電圧が上昇すると、トランジスタ3がオン(高)状態となるので、「CLK」のパルスがノード23に入力される結果、ノード23の電位が「VGH」に上昇する。すると、トランジスタ10がオン(高)状態となるので、ノード24の電位が「VGL」に引き下げられ、トランジスタ9がオフ状態となる。この結果、ノード23の電位が「VGH」に保たれるので、トランジスタ4、5がオン(高)状態となる。また、ノード23の電位が「VGH」となるので、次段に「in」として入力される「OUT」が「VGH」となる。 Further, when the voltage at the node 21 is increased, the transistor 3 is turned on (high). As a result, the pulse of “CLK 1 ” is input to the node 23, so that the potential of the node 23 is increased to “VGH”. Then, since the transistor 10 is turned on (high), the potential of the node 24 is lowered to “VGL”, and the transistor 9 is turned off. As a result, since the potential of the node 23 is maintained at “VGH”, the transistors 4 and 5 are turned on (high). Further, since the potential of the node 23 becomes “VGH”, “OUT N ” input as “in” in the next stage becomes “VGH”.

続いて、図9中T7において、「CLK」の電位が「VGH」へと遷移する。すると、図9中T6に続き、トランジスタ4がオン(高)状態であるので、「CLK」のパルスが「OUT」の出力端子に伝達され、「CLK」のパルスが「OUT」として出力される。また、図9中T8において、「CLK」の電位が「VGL」へと遷移する。このため、「OUT」の電位も「VGL」へと遷移する。 Subsequently, at T7 in FIG. 9, the potential of “CLK 2 ” transitions to “VGH”. Then, following the in FIG. 9 T6, the transistor 4 is ON (high) state, a pulse of "CLK 2" is transmitted to the output terminal of the "OUT 1", a pulse of "CLK 2" is "OUT 1" Is output as In addition, at T8 in FIG. 9, the potential of “CLK 2 ” transitions to “VGL”. For this reason, the potential of “OUT 1 ” also changes to “VGL”.

続いて、図9中T9において、「CLK」のパルスが入力される。すると、図9中T6に続き、トランジスタ5がオン(高)状態であるので、「CLK」のパルスが「OUT」の出力端子に伝達され、「CLK」のパルスが「OUT」として出力される。 Subsequently, a pulse of “CLK 3 ” is input at T9 in FIG. Then, following the in FIG. 9 T6, the transistor 5 is on (high) state, a pulse of "CLK 3" is transmitted to the output terminal of the "OUT 2", a pulse of "CLK 3" is "OUT 2" Is output as

このように、シフトレジスタ回路20は、ノード21の電位に応じて、ノード22と低電位端子とを電気的に接続するトランジスタ1を有し、ノード21の電位が上昇した場合には、ノード22の電位を降下させる。また、シフトレジスタ回路20は、トランジスタ3のドレインからソースへと「CLK」が流れる際に、ブートストラップ効果により、ノード21の電位を上昇させるので、トランジスタ1がオン(高)状態となり、ノード22の電位をさらに降下させる。この結果、トランジスタ2が完全にオフ状態となるので、ノード21の電位を高い状態に維持できる結果、シフトレジスタ回路20は、ノード23の電位を確実に高い状態に維持することができる。 As described above, the shift register circuit 20 includes the transistor 1 that electrically connects the node 22 and the low potential terminal according to the potential of the node 21, and when the potential of the node 21 rises, the node 22 The potential of is lowered. The shift register circuit 20 raises the potential of the node 21 due to the bootstrap effect when “CLK 1 ” flows from the drain to the source of the transistor 3, so that the transistor 1 is turned on (high), The potential of 22 is further lowered. As a result, since the transistor 2 is completely turned off, the potential of the node 21 can be maintained at a high level. As a result, the shift register circuit 20 can reliably maintain the potential of the node 23 at a high level.

また、シフトレジスタ回路20は、ノード23の電位が高い際、すなわち、「CLK」が「VGH」状態のときに、「CLK」を「OUT」として出力し、その後、「CLK」を「OUT」として出力する。このように、シフトレジスタ回路20は、1つのパルスに対し、異なる2つのパルスを出力するので、シフトレジスタ回路20からなるドライバ回路の回路規模を縮小させることができる。このため、例えば、表示素子を操作するドライバ回路にシフトレジスタ回路20を適用した場合は、走査線の半分の数のシフトレジスタを設置すればよいので、ドライバ回路の回路規模を縮小させる結果、狭額縁化を図ることができる。 When the potential of the node 23 is high, that is, when “CLK 1 ” is in the “VGH” state, the shift register circuit 20 outputs “CLK 2 ” as “OUT 1 ”, and then “CLK 3 ”. Is output as “OUT 2 ”. Thus, since the shift register circuit 20 outputs two different pulses for one pulse, the circuit scale of the driver circuit composed of the shift register circuit 20 can be reduced. For this reason, for example, when the shift register circuit 20 is applied to a driver circuit that operates the display element, it is only necessary to install half the number of shift registers of the scanning lines. A frame can be made.

続いて、図9中T10において、「CLK」の電位が「VGL」に遷移する。すると、トランジスタ3のソースからドレインへと「CLK」のLow電位に引き戻される際のカップリングにより、ノード21は、GNDよりも少し高いHigh状態に戻る。すると、トランジスタ3がオン(中)状態となる。また、「CLK」の電位が「VGL」に遷移すると、トランジスタ3を介して「CLK」が入力されるノード23の電位が「VGL」へと下がる。このため、トランジスタ4、5、10がオフ状態となる。 Subsequently, at T10 in FIG. 9, the potential of “CLK 1 ” transitions to “VGL”. Then, the node 21 returns to a High state that is slightly higher than GND due to coupling when pulled back to the low potential of “CLK 1 ” from the source to the drain of the transistor 3. Then, the transistor 3 is turned on (medium). When the potential of “CLK 1 ” transitions to “VGL”, the potential of the node 23 to which “CLK 1 ” is input through the transistor 3 is decreased to “VGL”. For this reason, the transistors 4, 5, and 10 are turned off.

続いて、図9中T11において、「CLK」の電位が「VGH」に遷移する。すると、トランジスタ7、8がオン(高)状態となるため、ノード24に「VGH」が供給される。ここで、ノード24は、トランジスタ9のゲートにのみ接続されている。このため、ノード24の電位は、一瞬で「VGH」へと上昇する。この結果、トランジスタ9がオン(高)状態となるので、ノード23の電位が「VGL」に引き下げられる。 Subsequently, at T <b> 11 in FIG. 9, the potential of “CLK 4 ” transitions to “VGH”. Then, since the transistors 7 and 8 are turned on (high), “VGH” is supplied to the node 24. Here, the node 24 is connected only to the gate of the transistor 9. For this reason, the potential of the node 24 rises to “VGH” in an instant. As a result, the transistor 9 is turned on (high), so that the potential of the node 23 is lowered to “VGL”.

続いて、図9中T12において、「CLK」の電位が「VGH」に遷移すると、トランジスタ6がオン(中)状態となるので、トランジスタ6、7を介して、ノード22に「VGH」が供給される。この結果、ノード21とノード22が電位のバランスを取ろうとし、ノード21の電位が「GND」よりも少し低い値に下降し、ノード22の電位が「GND」よりも少し低い状態に上昇する。この際、トランジスタ1、2がオン(低)となる。このような場合には、トランジスタ11、12がオン(低)状態となるので、「OUT」の出力端子、および「OUT」の出力端子の電位が「VGL」に引き下げられる。この結果、シフトレジスタ回路20は、「CLK」、「CLK」の誤出力を防ぐことができる。 Subsequently, when the potential of “CLK 2 ” transitions to “VGH” at T12 in FIG. 9, the transistor 6 is turned on (medium), so that “VGH” is applied to the node 22 via the transistors 6 and 7. Supplied. As a result, the node 21 and the node 22 try to balance the potential, the potential of the node 21 falls to a value slightly lower than “GND”, and the potential of the node 22 rises to a state slightly lower than “GND”. . At this time, the transistors 1 and 2 are turned on (low). In such a case, since the transistors 11 and 12 are turned on (low), the potentials of the output terminal of “OUT 1 ” and the output terminal of “OUT 2 ” are lowered to “VGL”. As a result, the shift register circuit 20 can prevent erroneous output of “CLK 1 ” and “CLK 2 ”.

また、ノード21の電位が「GND」よりも少し低い状態に下降した場合は、トランジスタ3がオン(低)状態となる。また、図9中T6〜T9において、「OUT」が次段の回路に「in」として出力されているので、次段の回路は、T12において、「OUT」を出力する。 In addition, when the potential of the node 21 is lowered to a state slightly lower than “GND”, the transistor 3 is turned on (low). Further, since “OUT N ” is output as “in” to the next-stage circuit from T6 to T9 in FIG. 9, the next-stage circuit outputs “OUT 3 ” at T12.

続いて、図9中T13において、「CLK」の電位が「VGL」に遷移すると、トランジスタ6がオフ状態となるので、ノード22に対する「VGH」の供給が止まる。続いて、図9中T14において、「CLK」の電位が「VGH」に遷移するが、トランジスタ5がオフであり、トランジスタ12がオン(低)であるため、「OUT」の出力端子における電位は「VGL」に保たれる。 Subsequently, when the potential of “CLK 2 ” transitions to “VGL” at T 13 in FIG. 9, the transistor 6 is turned off, so that the supply of “VGH” to the node 22 is stopped. Subsequently, at T14 in FIG. 9, the potential of “CLK 3 ” transitions to “VGH”. However, since the transistor 5 is off and the transistor 12 is on (low), the output terminal of “OUT 2 ” The potential is kept at “VGL”.

続いて、図9中T14においては、次段の回路が「OUT」のパルスを出力するので、トランジスタ13のゲートに「VGH」が供給される結果、トランジスタ13がオン(高)状態となり、ノード21の電位が「VGL」に引き下げられる。また、ノード21の電位が「VGL」となるため、トランジスタ1、3がオフ状態となる。 Subsequently, at T14 in FIG. 9, the next-stage circuit outputs a pulse of “OUT 4 ”, so that “VGH” is supplied to the gate of the transistor 13, so that the transistor 13 is turned on (high), The potential of the node 21 is lowered to “VGL”. Further, since the potential of the node 21 is “VGL”, the transistors 1 and 3 are turned off.

続いて、図9中T15においては、「CLK」と「OUT」の電位が「VGL」に遷移するので、トランジスタ13がオフ状態となる。続いて、図9中T16においては、「CLK」の電位が「VGL」に遷移するので、トランジスタ7、8がオフ状態となる。なお、図9中T16において、「CLK」の電位が「VGL」から「VGH」へと遷移するが、トランジスタ3がオフ状態となるため、ノード23に対する新たな電力の供給は行われず、ノード23の電位は「VGL」に保持される。 Subsequently, at T15 in FIG. 9, since the potentials of “CLK 3 ” and “OUT 4 ” transition to “VGL”, the transistor 13 is turned off. Subsequently, at T16 in FIG. 9, since the potential of “CLK 4 ” transitions to “VGL”, the transistors 7 and 8 are turned off. Note that at T16 in FIG. 9, the potential of “CLK 1 ” transitions from “VGL” to “VGH”. However, since the transistor 3 is turned off, no new power is supplied to the node 23, and the node The potential of 23 is held at “VGL”.

続いて、図9中T17においては、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGH」となる。しかし、トランジスタ3がオフ状態であるため、ノード23に対する新たな電力の供給は行われず、ノード23の電位は「VGL」に保持される。この結果、トランジスタ4がオフ状態となるので、「CLK」のパルスは「OUT」として出力されることはない。 Subsequently, at T < b > 17 in FIG. 9, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, and the potential of “CLK 2 ” is “VGH”. However, since the transistor 3 is off, no new power is supplied to the node 23, and the potential of the node 23 is held at “VGL”. As a result, since the transistor 4 is turned off, the pulse of “CLK 2 ” is not output as “OUT 1 ”.

続いて、図9中T18においては、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となるが、図9中T17の際と同様、トランジスタ3がオフ状態であるため、ノード23の電位が「VGL」に保持される。この結果、トランジスタ4がオフ状態となり、「CLK」のパルスは「OUT」として出力されることはない。 Subsequently, at T18 in FIG. 9, the potential of “CLK 2 ” becomes “VGL” and the potential of “CLK 3 ” becomes “VGH”. However, as in T17 in FIG. Therefore, the potential of the node 23 is held at “VGL”. As a result, the transistor 4 is turned off, and the pulse of “CLK 3 ” is not output as “OUT 2 ”.

続いて、図9中T19においては、「CLK」の電位が「VGH」に遷移するので、トランジスタ7、8がオン(低)状態となる。続いて、図9中T20において、「CLK」が「VGH」に遷移すると、トランジスタ6がオン(中)状態となるため、トランジスタ6、7を介して、「VGH」がノード22に供給される結果、ノード22の電位が「VGH」に上昇する。このような場合には、トランジスタ2がオン(高)状態となるため、ノード21の電位が「VGL」に保持される。この結果、シフトレジスタ20は、安定したオフ状態、すなわち非選択状態を保つことができる。 Subsequently, at T19 in FIG. 9, since the potential of “CLK 4 ” transitions to “VGH”, the transistors 7 and 8 are turned on (low). Subsequently, at “T20” in FIG. 9, when “CLK 2 ” transitions to “VGH”, the transistor 6 is turned on (medium), so that “VGH” is supplied to the node 22 via the transistors 6 and 7. As a result, the potential of the node 22 rises to “VGH”. In such a case, since the transistor 2 is turned on (high), the potential of the node 21 is held at “VGL”. As a result, the shift register 20 can maintain a stable off state, that is, a non-selected state.

なお、図9中T20においては、ノード23の電位が「VGL」に保たれるので、トランジスタ4がオン状態とはならず、「CLK」が「OUT」として出力されることはない。またノード22の電位が「VGH」に上昇した場合は、トランジスタ11、12がオン(高)状態となるので、「OUT」の出力端子、および「OUT」の出力端子の電位が「VGL」に保持される結果、オフ状態における誤信号の出力を防ぐことができる。 Note that at T20 in FIG. 9, since the potential of the node 23 is maintained at “VGL”, the transistor 4 is not turned on, and “CLK 2 ” is not output as “OUT 1 ”. When the potential of the node 22 rises to “VGH”, the transistors 11 and 12 are turned on (high), so that the potentials of the output terminal of “OUT 1 ” and the output terminal of “OUT 2 ” are “VGL”. As a result, the output of an erroneous signal in the off state can be prevented.

また、図9中T21においては、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」のパルスが入力される。しかしながら、ノード23の電位が「VGL」に保たれているため、トランジスタ5がオフ状態であるので、「OUT」が「OUT」として出力されることは無い。その後、シフトレジスタ回路20は、「in」が入力されない限り、図9中T16〜T21に示す動作を続けることとなる。また、シフトレジスタ回路20は、「in」が入力されない場合には、「CLK」の電位と「CLK」の電位とが両方とも「VGH」に遷移するたびに、ノード22に「VGH」を供給するので、安定したオフ状態を保持することができる。 Further, at T21 in FIG. 9, the potential of “CLK 2 ” becomes “VGL”, and the pulse of “CLK 3 ” is input. However, since the potential of the node 23 is maintained at “VGL”, the transistor 5 is in an off state, so that “OUT 3 ” is not output as “OUT 2 ”. Thereafter, the shift register circuit 20 continues the operation indicated by T16 to T21 in FIG. 9 unless “in” is input. In addition, when “in” is not input, the shift register circuit 20 outputs “VGH” to the node 22 every time both the potential of “CLK 2 ” and the potential of “CLK 4 ” transition to “VGH”. Therefore, a stable off state can be maintained.

[シフトレジスタ回路20の効果]
上述したように、シフトレジスタ回路20は、ノード21の電位が上昇することに応じて、ノード22の電位を降下させるトランジスタ1と、ノード22の電位が上昇することに応じて、ノード21の電位を降下させるトランジスタ2とを有する。また、シフトレジスタ回路20は、ノード21の電位が上昇することに応じて、ノード23の電位を上昇させるトランジスタ3を有する。また、シフトレジスタ回路20は、ノード23の電位が上昇することに応じて、「CLK」を「OUT」として出力するトランジスタ4と、ノード23の電位が上昇することに応じて、「CLK」を「OUT」として出力するトランジスタ5とを有する。
[Effect of the shift register circuit 20]
As described above, the shift register circuit 20 includes the transistor 1 that decreases the potential of the node 22 in response to the increase in the potential of the node 21 and the potential of the node 21 in response to the increase in the potential of the node 22. And a transistor 2 for lowering. The shift register circuit 20 includes the transistor 3 that raises the potential of the node 23 in response to the rise of the potential of the node 21. Further, the shift register circuit 20 includes the transistor 4 that outputs “CLK 2 ” as “OUT 1 ” in response to the rise in the potential of the node 23, and the “CLK 2 ” in response to the rise in the potential of the node 23. 3 ”is output as“ OUT 2 ”.

このため、シフトレジスタ回路20は、1つの「in」に対して、「OUT」、および「OUT」を出力することができるので、シフトレジスタ回路20からなるドライバ回路の回路規模を縮小させることができる。例えば、シフトレジスタ回路20は、表示素子を操作するドライバ回路に適用した場合は、ドライバ回路の回路規模を縮小させる結果、狭額縁化を図ることができる。 Therefore, the shift register circuit 20 can output “OUT 1 ” and “OUT 2 ” with respect to one “in”, and thus the circuit scale of the driver circuit including the shift register circuit 20 is reduced. be able to. For example, when the shift register circuit 20 is applied to a driver circuit that operates a display element, the frame size of the driver circuit can be reduced, resulting in a narrow frame.

なお、シフトレジスタ回路20は、ブートストラップ効果によりノード21の電位を上昇させるトランジスタ3を有するので、ノード23に入力する「CLK」の電位の降下を防ぐことができる。この結果、シフトレジスタ回路20は、トランジスタ4、5をオン(高)状態にすることができるので、「OUT」および「OUT」の電位の降下を防ぐことができる。 Note that since the shift register circuit 20 includes the transistor 3 that raises the potential of the node 21 by the bootstrap effect, the potential of “CLK 1 ” input to the node 23 can be prevented from dropping. As a result, the shift register circuit 20 can turn on the transistors 4 and 5, so that the potential drops of “OUT 1 ” and “OUT 2 ” can be prevented.

また、シフトレジスタ回路20は、ゲートに「CLK」が入力され、ドレインが高電位端子に接続され、ソースがトランジスタ7のドレインに接続されたトランジスタ6と、ゲートに「CLK」が入力され、ドレインがトランジスタ6のソースに接続され、ソースがノード22に接続されたトランジスタ7とを有する。つまり、シフトレジスタ回路20は、「CLK」の電位と「CLK」の電位とが、ともに「VGH」となった際に、ノード22の電位を上昇させるトランジスタ6、7を有する。このため、シフトレジスタ回路20は、「CLK」の電位と「CLK」の電位とが、ともに「VGH」となるたびにノード22に「VGH」を供給するので、安定したオフ状態を保つことができる。 Further, in the shift register circuit 20, “CLK 2 ” is input to the gate, the drain is connected to the high potential terminal, the transistor 6 is connected to the drain of the transistor 7, and “CLK 4 ” is input to the gate. , The transistor 7 having a drain connected to the source of the transistor 6 and a source connected to the node 22. That is, the shift register circuit 20 includes the transistors 6 and 7 that increase the potential of the node 22 when the potentials of “CLK 2 ” and “CLK 4 ” are both “VGH”. For this reason, the shift register circuit 20 supplies “VGH” to the node 22 every time both the potential of “CLK 2 ” and the potential of “CLK 4 ” are “VGH”, and thus maintains a stable OFF state. be able to.

また、シフトレジスタ回路20は、「CLK」の電位が上昇することに応じてノード24の電位を上昇させるトランジスタ8と、ノード24の電位が上昇することに応じてノード23の電位を降下させるトランジスタ9と、ノード23の電位が上昇することに応じてノード24の電位を降下させるトランジスタ10とを有する。このため、シフトレジスタ回路20は、「OUT」、および「OUT」を出力した後に、ノード23の電位を「VGL」に保つので、トランジスタ4、5をオフ状態に保つ結果、「OUT」、および「OUT」の誤出力を防ぐことができる。 Further, the shift register circuit 20 lowers the potential of the node 8 in accordance with the rise of the potential of the node 24 and the transistor 8 that raises the potential of the node 24 in response to the rise of the potential of “CLK 4 ”. The transistor 9 and the transistor 10 that lowers the potential of the node 24 in response to the rise of the potential of the node 23 are included. Therefore, the shift register circuit 20, "OUT 1", and after outputting the "OUT 2", because keeping the potential of the node 23 to "VGL", the result of keeping the transistors 4 and 5 in the OFF state, "OUT 1 ”And“ OUT 2 ”can be prevented from being erroneously output.

また、シフトレジスタ回路20は、ノード22の電位が上昇することに応じて「OUT」の出力端子の電位を降下させるトランジスタ11と、ノード22の電位が上昇することに応じて「OUT」の出力端子の電位を降下させるトランジスタ12とを有する。このため、シフトレジスタ回路20は、オフ状態の際に、誤った「OUT」、および「OUT」の出力を防ぐことができる。 The shift register circuit 20 includes a transistor 11 that decreases the potential of the output terminal of “OUT 1 ” in response to an increase in the potential of the node 22, and “OUT 2 ” in response to an increase in the potential of the node 22. And a transistor 12 for lowering the potential of the output terminal of the transistor. Therefore, the shift register circuit 20 can prevent erroneous output of “OUT 1 ” and “OUT 2 ” in the off state.

また、シフトレジスタ回路20は、ノード23の電位を次段の「in」として出力する「OUT」の出力端子を有する。このため、シフトレジスタ回路20は、次段の回路に対して適切なタイミングで「in」信号を入力することができる。具体的には、シフトレジスタ回路20は、「OUT」、「OUT」を出力する間、次段の回路に「in」信号を入力することで、シフトレジスタ回路20が「OUT」を出力した後に、次段の回路に「OUT」を出力させることができる。 The shift register circuit 20 has an output terminal “OUT N ” that outputs the potential of the node 23 as “in” in the next stage. For this reason, the shift register circuit 20 can input an “in” signal to the next-stage circuit at an appropriate timing. Specifically, the shift register circuit 20, "OUT 1", while outputs "OUT 2" and entering the "in" signal to the next-stage circuit, the shift register circuit 20 is to "OUT 2" After the output, “OUT 3 ” can be output to the next-stage circuit.

また、シフトレジスタ回路20は、次段の回路が出力した「OUT」の電位が上昇することに応じて、ノード21の電位を降下させるトランジスタ13を有する。このため、シフトレジスタ回路20は、後段の回路が信号を出力した際に、確実に非選択状態に遷移することができる。 In addition, the shift register circuit 20 includes a transistor 13 that lowers the potential of the node 21 in response to an increase in the potential of “OUT 4 ” output from the circuit in the next stage. For this reason, the shift register circuit 20 can reliably transit to the non-selected state when the circuit in the subsequent stage outputs a signal.

また、シフトレジスタ回路20は、「in」の電位が上昇することに応じて、ノード21の電位を上昇させるトランジスタ14を有する。このため、シフトレジスタ回路20は、「in」が入力された際にノード21の電位を上昇させ、選択状態に遷移することができる。   Further, the shift register circuit 20 includes the transistor 14 that raises the potential of the node 21 in response to the rise of the potential of “in”. For this reason, the shift register circuit 20 can increase the potential of the node 21 when “in” is input, and shift to the selected state.

また、シフトレジスタ回路20には、「CLK」の位相を所定量遅延させた「CLK」が入力され、「CLK」、および「CLK」の周期の倍の周期を有する「CLK」が入力される。このため、シフトレジスタ回路20は、「CLK」が「VGH」である間に、「OUT」を出力し、その後「OUT」を出力することができる。 Further, “CLK 3 ” obtained by delaying the phase of “CLK 2 ” by a predetermined amount is input to the shift register circuit 20, and “CLK 1 ” having a period twice as long as “CLK 2 ” and “CLK 3 ”. Is entered. For this reason, the shift register circuit 20 can output “OUT 1 ” while “CLK 1 ” is “VGH”, and then can output “OUT 2 ”.

[適用範囲]
例えば、上記の実施形態で例示したシフトレジスタ回路20は、液晶パネルや有機EL(Electro-Luminescence)パネルを用いた画像表示装置を動作させるドライバ回路に好適に適用される。また、シフトレジスタ回路20は、上述したドライバ回路以外の回路にも適用することができる。また、シフトレジスタ回路20は、複数のトランジスタと、各素子を順次駆動するためのドライバ回路とを有するセンサ装置、発光素子アレイ、サーマルヘッド等、任意の装置に適用することができる。
[Scope of application]
For example, the shift register circuit 20 exemplified in the above embodiment is suitably applied to a driver circuit that operates an image display device using a liquid crystal panel or an organic EL (Electro-Luminescence) panel. The shift register circuit 20 can also be applied to circuits other than the driver circuit described above. The shift register circuit 20 can be applied to an arbitrary device such as a sensor device, a light emitting element array, or a thermal head having a plurality of transistors and a driver circuit for sequentially driving each element.

(液晶パネルへの適用)
以下の説明では、シフトレジスタ回路20の適用例として、液晶パネルを用いた画像表示装置を動作させるドライバ回路にシフトレジスタ回路20を適用する例について説明する。
(Application to LCD panel)
In the following description, an example in which the shift register circuit 20 is applied to a driver circuit that operates an image display device using a liquid crystal panel will be described as an application example of the shift register circuit 20.

図10は、シフトレジスタ回路の適用例を説明する第1の図である。図10に示す例では、画像表示装置50は、制御回路51とパネル52とを有する。なお、画像表示装置50は、バックライト等の光源装置、カラーフィルタ基板、偏光方向が互いに異なる偏光板等を有するが、図10では、理解を容易にするため、それらの記載を省略した。   FIG. 10 is a first diagram illustrating an application example of the shift register circuit. In the example illustrated in FIG. 10, the image display device 50 includes a control circuit 51 and a panel 52. Note that the image display device 50 includes a light source device such as a backlight, a color filter substrate, a polarizing plate having different polarization directions, and the like, but the description thereof is omitted in FIG. 10 for easy understanding.

制御回路51は、例えば、パネル52に配置されるFPC(FlexiblePrinted Circuits)上に設けられたり、または、パネル52の外部回路基板上に設けられており、パネル52を駆動させるための制御信号を駆動回路55に出力する。なお、図10では、FPC、または外部回路基板についての図示を省略した。   The control circuit 51 is provided on, for example, an FPC (Flexible Printed Circuits) disposed on the panel 52 or on an external circuit board of the panel 52, and drives a control signal for driving the panel 52. Output to the circuit 55. In FIG. 10, illustration of the FPC or the external circuit board is omitted.

また、パネル52には、液晶パネルが用いられており、一対の基板から構成されている。例えば、パネル52は、アクティブエリア57に薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板とアレイ基板に対向するカラーフィルタ基板とからなる一対のガラス基板で構成されている。また、アクティブエリア57のアレイ基板の周辺には、周辺部54が形成されている。周辺部54には、駆動回路55および走査線駆動回路56が設けられており、走査線駆動回路56はアレイ基板のガラス上に形成されている。また、駆動回路55と走査線駆動回路56とは走査線制御線53で接続されている。   In addition, a liquid crystal panel is used for the panel 52, and it is composed of a pair of substrates. For example, the panel 52 is composed of a pair of glass substrates including an array substrate in which a thin film transistor is formed in the active area 57 and a color filter substrate facing the array substrate. A peripheral portion 54 is formed around the array substrate in the active area 57. The peripheral portion 54 is provided with a driving circuit 55 and a scanning line driving circuit 56, and the scanning line driving circuit 56 is formed on the glass of the array substrate. The driving circuit 55 and the scanning line driving circuit 56 are connected by a scanning line control line 53.

駆動回路55は、駆動用の半導体素子からなり、アクティブエリア上に延在されたデータ線に画像信号を出力する信号線駆動回路、走査線制御回路および対向電位駆動回路等で構成されている。なお、駆動回路55は、アクティブエリア57の周辺部54にCOG(Chip On Glass)方式で実装されている。   The drive circuit 55 is composed of a semiconductor element for driving, and includes a signal line drive circuit for outputting an image signal to a data line extending on the active area, a scanning line control circuit, a counter potential drive circuit, and the like. The drive circuit 55 is mounted on the peripheral portion 54 of the active area 57 by a COG (Chip On Glass) method.

また、パネル52の周辺部54に設けられた走査線駆動回路56には、第1形態において説明したシフトレジスタ回路20と同じ機能を発揮する複数の回路が適用されている。具体的には、走査線駆動回路56には、シフトレジスタ部25と同様の機能を発揮するシフトレジスタ部25〜25bが多段に接続され、各シフトレジスタ部25〜25bには、OUT波形制御部26と同様の機能を発揮するOUT波形制御部26〜26bが接続されている。   In addition, a plurality of circuits that exhibit the same function as the shift register circuit 20 described in the first embodiment are applied to the scanning line driving circuit 56 provided in the peripheral portion 54 of the panel 52. Specifically, the scan line driving circuit 56 is connected in multiple stages to shift register units 25 to 25b that perform the same function as the shift register unit 25. Each shift register unit 25 to 25b includes an OUT waveform control unit. 26 are connected to OUT waveform control units 26 to 26b that perform the same functions as the H.26.

なお、シフトレジスタ部25〜25bは、パネル52のアレイ基板上に一体的に形成された走査線駆動回路56上に形成されている。また、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ部25〜25b、およびOUT波形制御部26〜26b以外にも、複数のシフトレジスタ部、およびOUT波形制御部の組からなるシフトレジスタ回路を有するが、図10では、理解を容易にするため、記載を省略した。また、各OUT波形制御部26〜26bのそれぞれには、アクティブエリア57上に延設された走査線が2つずつ接続されている。また、図10に示す例では、理解を容易にするため、「CLK」〜「CLK」の入力線については、記載を省略した。 The shift register units 25 to 25b are formed on a scanning line driving circuit 56 that is integrally formed on the array substrate of the panel 52. In addition to the shift register units 25 to 25b and the OUT waveform control units 26 to 26b, the scanning line driving circuit 56 includes a shift register circuit including a plurality of shift register units and an OUT waveform control unit. In FIG. 10, the description is omitted for easy understanding. In addition, two scanning lines extending on the active area 57 are connected to each of the OUT waveform control units 26 to 26b. In the example illustrated in FIG. 10, the input lines of “CLK 1 ” to “CLK 4 ” are omitted for easy understanding.

駆動回路55は、走査線制御線53で走査線駆動回路56と接続されており、走査線制御線53を介して初段のシフトレジスタ部25に制御信号を出力する。   The drive circuit 55 is connected to the scan line drive circuit 56 through the scan line control line 53, and outputs a control signal to the first-stage shift register unit 25 through the scan line control line 53.

アクティブエリア57は、マトリックス状に配置した画素58を複数有する。詳細には、アクティブエリア57には、複数のデータ線が列方向に延在され、複数の走査線が行方向に延在されている。そして、アクティブエリア57には、データ線と走査線との交差に対応して、それぞれ画素58が形成されている。   The active area 57 has a plurality of pixels 58 arranged in a matrix. Specifically, in the active area 57, a plurality of data lines are extended in the column direction, and a plurality of scanning lines are extended in the row direction. In the active area 57, pixels 58 are formed corresponding to the intersections of the data lines and the scanning lines.

ここで、画素58は、アクティブ素子として動作する薄膜トランジスタ59と、画素電極60とを有する。画像表示装置50は、アレイ基板に設けられた画素電極60とカラーフィルタ基板に設けられた共通電極(図示せず)との間に印加された電圧によって液晶分子を制御して画像表示する。ここでは、パネル52は、アレイ基板に画素電極60が設けられ、カラーフィルタ基板に共通電極が設けられた縦電界方式で説明しているが、これに限らず、例えば、アレイ基板の画素58内に画素電極60および共通電極が設けられた横電界方式であってもよい。   Here, the pixel 58 includes a thin film transistor 59 that operates as an active element, and a pixel electrode 60. The image display device 50 displays an image by controlling liquid crystal molecules with a voltage applied between a pixel electrode 60 provided on the array substrate and a common electrode (not shown) provided on the color filter substrate. Here, the panel 52 is described in a vertical electric field method in which the pixel electrode 60 is provided on the array substrate and the common electrode is provided on the color filter substrate. Alternatively, a horizontal electric field method in which a pixel electrode 60 and a common electrode are provided may be used.

走査線駆動回路56は、第1形態に係わるシフトレジスタ部25と同様のシフトレジスタ部25〜25bを多段に接続し、各シフトレジスタ部25〜25bにOUT波形制御部26〜26bを接続した回路により構成される。ここで、走査線駆動回路56は、上述したシフトレジスタ部25の動作によりOUT波形制御部26が出力する「OUT」および「OUT」をアクティブエリア57上に延在する走査線に順次入力する。 The scanning line driving circuit 56 is a circuit in which shift register units 25 to 25b similar to the shift register unit 25 according to the first embodiment are connected in multiple stages, and OUT waveform control units 26 to 26b are connected to the shift register units 25 to 25b. Consists of. Here, the scanning line driving circuit 56 sequentially inputs “OUT 1 ” and “OUT 2 ” output from the OUT waveform control unit 26 to the scanning lines extending on the active area 57 by the operation of the shift register unit 25 described above. To do.

また、シフトレジスタ部25が有するノード23の電位は、シフトレジスタ部25aに「in」として入力されているので、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ回路25aの動作によりOUT波形制御部26aが出力する「OUT」および「OUT」をアクティブエリア57上に延在する走査線に順次入力する。このように、多段に設置されたシフトレジスタ部25〜25bが信号を順次シフトさせ、各OUT波形制御部26〜26bが2つの信号を順次出力する。このため、走査線駆動回路56は、駆動回路55から走査線制御線53を介して、制御信号が入力された場合には、アクティブエリア57上の各走査線に対して上方向から順に電圧を印加する。 Further, since the potential of the node 23 included in the shift register unit 25 is input as “in” to the shift register unit 25a, the scanning line driving circuit 56 outputs the OUT waveform control unit 26a according to the operation of the shift register circuit 25a. “OUT 3 ” and “OUT 4 ” are sequentially input to the scanning line extending on the active area 57. As described above, the shift register units 25 to 25b installed in multiple stages sequentially shift the signals, and each OUT waveform control unit 26 to 26b sequentially outputs the two signals. For this reason, when a control signal is input from the drive circuit 55 via the scanning line control line 53, the scanning line driving circuit 56 applies voltages to the scanning lines on the active area 57 in order from the top. Apply.

例えば、走査線駆動回路56は、制御信号を受信すると、シフトレジスタ部25、およびOUT波形制御部26の動作により、「OUT」を1段目の走査線に出力し、次に「OUT」を2段目の走査線に出力する。次に、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ部25a、およびOUT波形制御部26の動作により、「OUT」を3段目の走査線に出力し、次に「OUT」を4段目の走査線に出力する。この結果、走査線駆動回路56は、アクティブエリア57上の各走査線に対して、順番に電圧を印加する。 For example, when the scanning line driving circuit 56 receives the control signal, the operation of the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26 outputs “OUT 1 ” to the first scanning line, and then outputs “OUT 2 ”. Is output to the second scanning line. Next, the scanning line driving circuit 56 outputs “OUT 3 ” to the third stage scanning line by the operations of the shift register unit 25 a and the OUT waveform control unit 26, and then outputs “OUT 4 ” to the fourth stage. Output to the scan line. As a result, the scanning line driving circuit 56 sequentially applies a voltage to each scanning line on the active area 57.

ここで、従来のシフトレジスタ回路を用いて、走査線駆動回路56を構成する場合には、アクティブエリア57上に延設された走査線と同数のシフトレジスタ回路を多段に接続し、各シフトレジスタ回路から各走査線上に信号を出力する。しかしながら、シフトレジスタ部25とOUT波形制御部26からなるシフトレジスタ回路20を用いて、走査線駆動回路56を構成した場合には、1つのシフトレジスタ回路20から2つの走査線に対して信号を出力することができるので、走査線駆動回路56の回路規模を減少させ、画像表示装置50の狭額縁化を実現することができる。   Here, when the scanning line driving circuit 56 is configured using a conventional shift register circuit, the same number of shift register circuits as the scanning lines extended on the active area 57 are connected in multiple stages, and each shift register is connected. A signal is output from the circuit onto each scanning line. However, when the scanning line driving circuit 56 is configured using the shift register circuit 20 including the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26, a signal is sent from one shift register circuit 20 to two scanning lines. Therefore, the circuit scale of the scanning line driving circuit 56 can be reduced, and the narrowed frame of the image display device 50 can be realized.

また、シフトレジスタ回路20は、ブートストラップ効果により、出力する信号の電位を下げることなく出力することができるので、走査線駆動回路56が各走査線に印加する電圧の低下を防ぐことができる。この結果、画像表示装置50は、アクティブエリア57の大型化や画素58の細密化により走査線の数が増加した場合にも、各画素58に印加する電圧の低下を防ぐことができるので、正常に動作することができる。   In addition, the shift register circuit 20 can output the output signal without lowering the potential of the signal due to the bootstrap effect, so that the voltage applied to each scanning line by the scanning line driving circuit 56 can be prevented from being lowered. As a result, the image display device 50 can prevent a decrease in the voltage applied to each pixel 58 even when the number of scanning lines increases due to the increase in the size of the active area 57 or the densification of the pixels 58. Can work.

薄膜トランジスタ59は、画素58が形成された位置に応じたデータ線とソースとが接続され、画素58が形成された位置に応じた走査線とゲートとが接続されている。そして、走査線駆動回路56から対応する走査線に電圧が印加されるとともに、駆動回路55から対応するデータ線に電圧が印加された場合に、データ線に印加された電圧が薄膜トランジスタ59を介して画素電極60に印加される。   In the thin film transistor 59, a data line and a source corresponding to the position where the pixel 58 is formed are connected, and a scanning line and a gate corresponding to the position where the pixel 58 is formed are connected. When a voltage is applied to the corresponding scanning line from the scanning line driving circuit 56 and a voltage is applied to the corresponding data line from the driving circuit 55, the voltage applied to the data line is passed through the thin film transistor 59. Applied to the pixel electrode 60.

なお、図10では、液晶パネルを用いた画像表示装置にシフトレジスタ回路20を適用する例について説明した。しかしながら、実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、有機ELパネルを用いた画像表示装置にシフトレジスタ回路20を適用してもよい。例えば、図11は、シフトレジスタ回路20の適用例を説明する第2の図である。   Note that FIG. 10 illustrates an example in which the shift register circuit 20 is applied to an image display device using a liquid crystal panel. However, the embodiment is not limited to this. For example, the shift register circuit 20 may be applied to an image display device using an organic EL panel. For example, FIG. 11 is a second diagram illustrating an application example of the shift register circuit 20.

(有機ELへの適用)
図11に示す例では、シフトレジスタ部25、およびOUT波形制御部26を有する走査線駆動回路56を有し、有機ELパネルを用いた画像表示装置70について記載した。また、図11に示す例では、理解を容易にするため、シフトレジスタ部25、およびOUT波形制御部26からなるシフトレジスタ回路20を有する走査線駆動回路56を記載したが、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ回路20と同様の回路を複数有するものとする。具体的には、走査線駆動回路56は、アクティブエリア57上に延設する走査線の数の半分の数だけシフトレジスタ回路20と同様の回路を多段に接続することで構成すればよい。なお、上述の液晶パネルを用いた画像表示装置50と同様に、シフトレジスタ回路20は、パネル52のアレイ基板上の周辺部に一体的に形成されている。
(Application to organic EL)
In the example shown in FIG. 11, the image display device 70 having the scanning register driving circuit 56 having the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26 and using an organic EL panel is described. In the example shown in FIG. 11, the scanning line driving circuit 56 having the shift register circuit 20 including the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26 is described for easy understanding. Includes a plurality of circuits similar to the shift register circuit 20. Specifically, the scanning line driving circuit 56 may be configured by connecting, in multiple stages, the same circuits as the shift register circuit 20 by a number that is half the number of scanning lines extending on the active area 57. Note that the shift register circuit 20 is integrally formed on the peripheral portion of the panel 52 on the array substrate, similarly to the image display device 50 using the above-described liquid crystal panel.

図11に示す例では、画素58は、アノードが定電位供給回路71と電気的に接続された発光素子80と、発光素子80のカソードに一方の電極が接続されたトランジスタ81とを有する。また、画素58は、n型の薄膜トランジスタによって形成され、ドレインがトランジスタ82のドレインに接続され、ソースが電源供給回路72と電気的に接続されたドライバ素子83とを有する。また、画素58は、ドライバ素子83を形成する薄膜トランジスタのゲート・ドレイン間の導通状態を制御するトランジスタ82と静電容量84とを有する。   In the example shown in FIG. 11, the pixel 58 includes a light emitting element 80 whose anode is electrically connected to the constant potential supply circuit 71, and a transistor 81 whose one electrode is connected to the cathode of the light emitting element 80. The pixel 58 includes an n-type thin film transistor, and includes a driver element 83 whose drain is connected to the drain of the transistor 82 and whose source is electrically connected to the power supply circuit 72. In addition, the pixel 58 includes a transistor 82 that controls the conduction state between the gate and the drain of the thin film transistor that forms the driver element 83, and a capacitance 84.

また、図11に示す例では、各画素58内に備わる発光素子80のアノードに対して一定のオン電位を供給する定電位供給回路71と、制御線を介して、画素58内に備わるトランジスタ81の駆動を制御する駆動制御回路73と、ドライバ素子83のソースにオン電位または0電位を供給する電源供給回路72とを有する。   In the example shown in FIG. 11, a constant potential supply circuit 71 that supplies a constant on potential to the anode of the light emitting element 80 provided in each pixel 58, and a transistor 81 provided in the pixel 58 via a control line. And a power supply circuit 72 for supplying an ON potential or a zero potential to the source of the driver element 83.

発光素子80は、電流注入によって発光する機構を有し、例えば有機EL素子によって形成される。有機EL素子は、Al、Cu、ITO(Indium Tin Oxide)等によって形成されたアノード層およびカソード層と、アノード層とカソード層との間にフタルシアニン、トリスアルミニウム錯体、ベンゾキノリノラト、ベリリウム錯体等の有機系の材料によって形成された発光層とを少なくとも備えた構造を有し、発光層に注入された正孔と電子とが発光再結合することによって光を生じる機能を有する。   The light emitting element 80 has a mechanism for emitting light by current injection, and is formed of, for example, an organic EL element. The organic EL device includes an anode layer and a cathode layer formed of Al, Cu, ITO (Indium Tin Oxide), and the like, and phthalocyanine, trisaluminum complex, benzoquinolinolato, and beryllium complex between the anode layer and the cathode layer. And a light emitting layer formed of an organic material such as an organic material, and has a function of generating light by recombination of holes and electrons injected into the light emitting layer.

トランジスタ81は、発光素子80とドライバ素子83との間の導通を制御する機能を有し、本実施形態1では、n型の薄膜トランジスタによって形成される。すなわち、薄膜トランジスタのドレインとソースとがそれぞれ発光素子80、ドライバ素子83に接続される一方で、ゲートが駆動制御回路73と電気的に接続された構成を有し、駆動制御回路73から供給される電位に基づいて、発光素子80とドライバ素子83との間の導通状態を制御している。   The transistor 81 has a function of controlling conduction between the light emitting element 80 and the driver element 83, and is formed of an n-type thin film transistor in the first embodiment. That is, the drain and the source of the thin film transistor are connected to the light emitting element 80 and the driver element 83, respectively, while the gate is electrically connected to the drive control circuit 73, and supplied from the drive control circuit 73. Based on the potential, the conduction state between the light emitting element 80 and the driver element 83 is controlled.

ドライバ素子83は、発光素子80に流れる電流を制御するための機能を有する。具体的には、ドライバ素子83は、閾値以上の電位差に応じて発光素子80に流れる電流を制御する機能を有する。本実施形態1では、ドライバ素子83は、n型の薄膜トランジスタによって形成され、ゲートとソースとの間に印加される電位差に応じて発光素子80の発光輝度を制御している。   The driver element 83 has a function for controlling the current flowing through the light emitting element 80. Specifically, the driver element 83 has a function of controlling a current flowing through the light emitting element 80 in accordance with a potential difference equal to or greater than a threshold value. In the first embodiment, the driver element 83 is formed of an n-type thin film transistor, and controls the light emission luminance of the light emitting element 80 according to the potential difference applied between the gate and the source.

このような画素58においては、駆動回路55が信号線に印加した電圧により静電容量84に電荷が蓄積される。そして、駆動制御回路73がトランジスタ81のゲートに電圧を印加している間、静電容量84に蓄積した電荷に応じた電流が発光素子80に流れ、発光素子80が発光する。   In such a pixel 58, charges are accumulated in the capacitance 84 by the voltage applied to the signal line by the drive circuit 55. While the drive control circuit 73 applies a voltage to the gate of the transistor 81, a current corresponding to the charge accumulated in the capacitance 84 flows to the light emitting element 80, and the light emitting element 80 emits light.

このように、各画素58が発光素子80を有する場合であっても、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ部25、およびOUT波形制御部26からなるシフトレジスタ回路20が、2つの走査線に各画素の出力信号を出力する。このため、画像表示装置70は、画素58が有機ELパネルを有する場合にも、走査線駆動回路56の回路規模を減少させ、狭額縁化を図ることができる。また、シフトレジスタ回路20は、走査線上に出力するう信号の電位の低下を防ぐので、アクティブエリア57上の画素数に係わらず、画像表示装置70を正常に動作させることができる。   As described above, even when each pixel 58 has the light emitting element 80, the scanning line driving circuit 56 includes the shift register unit 25 including the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26 on two scanning lines. The output signal of each pixel is output. For this reason, the image display device 70 can reduce the circuit scale of the scanning line driving circuit 56 and reduce the frame even when the pixel 58 includes an organic EL panel. Further, since the shift register circuit 20 prevents the potential of the signal output on the scanning line from being lowered, the image display device 70 can be operated normally regardless of the number of pixels on the active area 57.

1〜14 トランジスタ
20 シフトレジスタ回路
21〜24 ノード
25 シフトレジスタ部
26 OUT波形制御部
1 to 14 transistor 20 shift register circuit 21 to 24 node 25 shift register unit 26 OUT waveform control unit

Claims (10)

ゲートが第1の導電経路に接続されて、ドレインが第2の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2の導電経路の電位を降下させる第1のトランジスタと、
ゲートが前記第2の導電経路に接続されて、ドレインが前記第1の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第1の導電経路の電位を降下させる第2のトランジスタと、
ゲートが前記第1の導電経路に接続され、ドレインが第1のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第3の導電経路に接続された、前記第1のクロック信号が入力された際に前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第3の導電経路の電位を上昇させる第3のトランジスタと、
ゲートが前記第3の導電経路に接続され、ドレインが第2のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第1の出力信号を出力する第1の出力端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2のクロック信号を第1の出力信号として前記第1の出力端子から出力させる第4のトランジスタと、
ゲートが前記第3の導電経路に接続され、ドレインが第3のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第2の出力信号を出力する第2の出力端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第3のクロック信号を第2の出力信号として前記第2の出力端子から出力させる第5のトランジスタと
を有することを特徴とするシフトレジスタ回路。
The gate is connected to the first conductive path, the drain is connected to the second conductive path, and the source is connected to the low potential terminal. A first transistor that lowers the potential of the second conductive path;
In response to an increase in potential of the second conductive path, the gate being connected to the second conductive path, the drain being connected to the first conductive path and the source being connected to the low potential terminal. A second transistor that lowers the potential of the first conductive path;
When the first clock signal is input, the gate is connected to the first conductive path, the drain is connected to the input terminal of the first clock signal, and the source is connected to the third conductive path. A third transistor that increases the potential of the third conductive path in response to an increase in potential of the first conductive path;
A gate connected to the third conductive path; a drain connected to an input terminal for a second clock signal; and a source connected to a first output terminal for outputting a first output signal. A fourth transistor for outputting the second clock signal as a first output signal from the first output terminal in response to an increase in potential of the conductive path of
The third connected to the third conductive path, the drain connected to the third clock signal input terminal, and the source connected to the second output terminal for outputting the second output signal. And a fifth transistor for outputting the third clock signal as a second output signal from the second output terminal in response to an increase in the potential of the conductive path of the shift register circuit.
ゲートが前記第2のクロック信号の入力端子に接続されるとともにドレインが高電位素子に接続された、前記第2のクロック信号の入力に応じてソースの電位を上昇させる第6のトランジスタと、
ゲートが第4のクロック信号の入力端子に接続され、ドレインが前記第6のトランジスタのソースに接続されるとともにソースが前記第2の導電経路に接続された、前記第4のクロック信号の入力に応じて前記第2の導電経路の電位を上昇させる第7のトランジスタと
をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ回路。
A sixth transistor having a gate connected to the input terminal of the second clock signal and a drain connected to a high-potential device; the sixth transistor raising the potential of the source in response to the input of the second clock signal;
To the input of the fourth clock signal, the gate is connected to the input terminal of the fourth clock signal, the drain is connected to the source of the sixth transistor, and the source is connected to the second conductive path. The shift register circuit according to claim 1, further comprising a seventh transistor that raises the potential of the second conductive path in response.
ゲートが前記第4のクロック信号の入力端子に接続され、ドレインが高電位端子に接続されるとともにソースが第4の導電経路に接続された、前記第4のクロック信号の入力に応じて前記第4の導電経路の電位を上昇させる第8のトランジスタと、
ゲートが前記第4の導電経路に接続され、ドレインが前記第3の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第4の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第3の導電経路の電位を降下させる第9のトランジスタと、
ゲートが前記第3の導電経路に接続され、ドレインが前記第4の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第4の導電経路の電位を降下させる第10のトランジスタと
をさらに有することを特徴とする請求項2に記載のシフトレジスタ回路。
In response to the input of the fourth clock signal, the gate is connected to the input terminal of the fourth clock signal, the drain is connected to the high potential terminal, and the source is connected to the fourth conductive path. An eighth transistor that raises the potential of the four conductive paths;
In response to an increase in potential of the fourth conductive path, the gate being connected to the fourth conductive path, the drain being connected to the third conductive path and the source being connected to the low potential terminal. A ninth transistor for lowering the potential of the third conductive path;
In response to an increase in potential of the third conductive path, the gate being connected to the third conductive path, the drain being connected to the fourth conductive path and the source being connected to the low potential terminal. The shift register circuit according to claim 2, further comprising a tenth transistor that lowers a potential of the fourth conductive path.
ゲートが前記第2の導電経路に接続され、ドレインが前記第1の出力端子に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第1の出力端子の電位を降下させる第11のトランジスタと、
ゲートが前記第2の導電経路に接続され、ドレインが前記第2の出力端子に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2の出力端子の電位を降下させる第12のトランジスタと
をさらに有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。
In response to an increase in potential of the second conductive path having a gate connected to the second conductive path, a drain connected to the first output terminal, and a source connected to a low potential terminal. An eleventh transistor for lowering the potential of the first output terminal;
In response to an increase in potential of the second conductive path, the gate being connected to the second conductive path, the drain being connected to the second output terminal and the source being connected to the low potential terminal. 4. The shift register circuit according to claim 1, further comprising a twelfth transistor that lowers the potential of the second output terminal. 5.
前記第3の導電経路の電位を次段のシフトレジスタ回路に、動作の開始を指示する入力信号として出力する第3の出力端子をさらに有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。   5. The device according to claim 1, further comprising a third output terminal that outputs the potential of the third conductive path to the shift register circuit of the next stage as an input signal instructing start of operation. A shift register circuit according to any one of the above. ゲートが前記次段のシフトレジスタ回路が出力する信号の出力端子に接続され、ドレインが前記第1の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記次段のシフトレジスタ回路が出力した信号の電位に応じて前記第1の導電経路の電位を降下させる第13のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。   The next-stage shift register circuit having a gate connected to an output terminal of a signal output from the next-stage shift register circuit, a drain connected to the first conductive path, and a source connected to a low potential terminal 6. The shift register circuit according to claim 1, further comprising a thirteenth transistor that drops the potential of the first conductive path in accordance with the potential of the signal output from the first register. . ゲートが入力信号の入力端子に接続され、ドレインが高電位端子に接続されるとともにソースが前記第1の導電経路に接続された、前記入力信号の電位に応じて前記第1の導電経路の電位を上昇させる第14のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。   The potential of the first conductive path according to the potential of the input signal, the gate being connected to the input terminal of the input signal, the drain being connected to the high potential terminal and the source being connected to the first conductive path. The shift register circuit according to claim 1, further comprising a fourteenth transistor for raising the voltage. 前記第3のクロック信号は、前記第2のクロック信号の位相を所定量遅延させた信号であり、前記第1のクロック信号は、前記第2のクロック信号、および前記第3のクロック信号が有する周期の倍の周期を有する信号であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。   The third clock signal is a signal obtained by delaying the phase of the second clock signal by a predetermined amount, and the first clock signal has the second clock signal and the third clock signal. The shift register circuit according to any one of claims 1 to 7, wherein the shift register circuit is a signal having a cycle that is twice the cycle. 請求項1乃至請求項8のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路を有するドライバ回路と、
前記ドライバ回路が出力する信号に従って発光する発光素子を有する、画像を表示する表示パネルと
を備えたことを特徴とする画像表示装置。
A driver circuit having the shift register circuit according to any one of claims 1 to 8,
An image display apparatus, comprising: a display panel that displays an image, the light emitting element emitting light according to a signal output from the driver circuit.
請求項1乃至請求項8のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路を有するドライバ回路と、
前記ドライバ回路が出力する信号に従って画像を表示する液晶パネルと
を備えたことを特徴とする画像表示装置。
A driver circuit having the shift register circuit according to any one of claims 1 to 8,
An image display device comprising: a liquid crystal panel that displays an image according to a signal output from the driver circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104050910A (en) * 2014-06-16 2014-09-17 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit, gate drive circuit and display panel
CN113421528A (en) * 2021-06-22 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 Driving circuit, driving method and display device
WO2024020998A1 (en) * 2022-07-29 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 Driving signal generation circuit, method and module, and display device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104050910A (en) * 2014-06-16 2014-09-17 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit, gate drive circuit and display panel
CN104050910B (en) * 2014-06-16 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 Shift register cell, gate driver circuit and display floater
CN113421528A (en) * 2021-06-22 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 Driving circuit, driving method and display device
CN113421528B (en) * 2021-06-22 2022-08-30 京东方科技集团股份有限公司 Driving circuit, driving method and display device
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