KR102609280B1 - 다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 sers 기판 및 이의 제조 방법 - Google Patents

다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 sers 기판 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 불연속 다공성 박막과 불연속적인 유전체 층이 적용되어 배면에서의 표면 강화 라만 산란 신호를 강화시키도록 하기 위하여, 기판층; 상기 투명 기판층에 적층되는 금속박막층; 상기 금속박막층 상에 적층되는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 적층되는 다공성 금속막층;을 포함하여 구성되어, 상기 기판층에서 조사광을 조사하고 SERS 신호를 검출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 SERS 기판을 제공한다.

Description

다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 SERS 기판 및 이의 제조 방법{BACK SERS SUBSTRATE IMPROVED SURFACE ENHANCED RAMAN SCATTERING ON THE BACK SURFACE USING POROUS THIN FILM LAYER AND MEANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 SERS 기판에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 불연속 다공성 박막과 불연속적인 유전체 층이 적용되어 배면에서의 표면 강화 라만 산란 신호가 개선된 배면 SERS 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
라만 산란(Raman scattering) 이란, 복사선과 물질 사이에 상호작용이 일어나 복사선의 일부 에너지가 물질 내 분자의 진동에너지 준위를 전이시키는데 사용되어 입사광과 다른 파장을 가지는 복사선이 방출되는 현상을 의미하며, 비탄성 산란(inelastic scattering)이라고도 한다. 라만 산란 신호는 분자의 고유한 성질로, 라만 산란 신호 측정은 비파괴 무표지 광학적 바이오물질 검출에 매우 적합한 반면, 신호가 약하며, 재현성이 낮고, 측정이 오래 걸린다는 단점이 있다.
이러한 라만 산란 신호를 강화하여 고감도 검출을 하기 위하여 사용되는 기술 중 하나가 표면강화 라만 산란법(Surface Enhanced Raman Scattering 또는 Surface Enhanced Raman Spectroscopy)이다. 표면강화 라만 산란법(SERS)에서 라만 신호는 그 세기가 매우 약하지만, 거칠기가 높은 금속 표면, 예를 들면, 양각이나 음각의 나노 구조에서는 104 내지 1,015배 정도로 세기가 증폭되는 특성이 있다.
이러한 특성을 가지는 표면강화 라만 산란법(SERS) 기술은 다양한 바이오 물질이나 화학 물질을 검출할 수 있는 센서의 개발에 널리 적용되고 있다.
이에 대해 종래에는 SERS기판에 금속 박막층 또는 금속 나노입자층을 형성하여 신호 강도를 증폭하는 기술이 제시되었고, 특히 상기 금속으로 금(Au)이나 은(Ag) 등의 귀금속이 흔히 사용되었다.
그러나 귀금속의 가격이 비싸기 때문에 SERS기판이 더욱 경제적으로 사용되기 위해서는 라만산란신호의 강도를 유지하면서도 금의 사용량을 줄일 수 있는 기술의 개발이 필요하다.
또한, 상술한 종래기술의 SERS 기판은 기판이 비등방성이며 나노 크기인 피라미드 형태 등의 요철부가 표면에 형성되나 나노 갭을 가지는 구조물이 형성되는 것은 아니어서, 표면 강화 라만 산란법(SERS)용 기판으로서는 라만 신호의 증폭에 한계를 가진다.
이와 함께, 진공증착을 이용하여 저비용으로 좀 더 쉽게 표면 강화 라만 산란법(SERS)용 기판을 제조하도록 하나, 단순히 단층의 증착층을 형성하므로 표면적이 크지 않기 때문에 분석하고자 하는 물질이 표면 강화 라만 산란 법(SERS)용 기판에 충분히 흡착되지 못하는 문제가 있다.
대한민국등록특허 제10-1168654호 일본공개특허 제2002-527771호
따라서 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예는, 기판층, 불연속 금속 박막층, 불연속 유전체층 및 다공성 금속막층을 적층하여 배면 SERS 기판을 제작하고, 배면 SERS 기판의 기판층 측(배면 측)에서 조사광을 조사하여 표면 증강 라만 산란광 신호를 검출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 SERS 기판 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
상술한 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 기판층; 상기 투명 기판층에 적층되는 금속박막층; 상기 금속박막층 상에 적층되는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 적층되는 다공성 금속막층;을 포함하여 구성되어, 상기 기판층에서 조사광을 조사하고 SERS 신호를 검출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 SERS 기판을 제공한다.
상기 기판층은 투명 유리 또는 투명 폴리머로 제작되는 투명 기판인 것을 특징으로 한다.
상기 금속박막층은, 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
상기 금속박막층의 두께는 0.2 ~ 50nm인 것을 특징으로 한다.
상기 유전체층은 SiO2, Al2O3, TiO2, Si3N4 또는 이들의 혼합물질을 포함할 수 있다.
상기 유전체층의 두께는, 0.1 ~ 5nm인 것을 특징으로 한다.
상기 금속박막층은, 상기 투명 기판층 상에 불연속면을 이루며 적층되는 불연속 금속박막층이고, 상기 유전체층은, 상기 불연속 금속박막층의 상에 적층되는 불연속 유전체층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 다공성 금속막층은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
상기 다공성 금속막층의 두께는 50 ~ 300nm인 것을 특징으로 한다.
상기 배면 SERS 기판은 상기 유전체층과 상기 다공성 금속막층의 접합면에 SERS 핫스팟이 형성되도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예는, 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 기판 상에 금속박막층을 형성하는 금속박막층 형성 단계; 상기 금속박막층 상에 유전체층을 형성하는 유전체층 형성단계; 상기 유전체층 상에 다공성 금속막층을 형성하는 다공성 금속막층 형성 단계;를 포함하여 이루어지는, 다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 SERS 기판 제조 방법을 제공한다.
상기 기판 준비 단계에서 준비되는 기판은, 투명 유리 또는 투명 폴리머로 제작된 투명 기판인 것을 특징으로 한다.
상기 투명 기판은 투과율 80% 이상인 기판인 것을 특징으로 한다.
상기 금속박막층 형성 단계는, 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함하는 금속박막층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 금속박막층 형성 단계에서 형성되는 상기 금속박막층의 두께는 0.2 ~ 50 nm인 것을 특징으로 한다.
상기 유전체층 형성단계에서 형성되는 유전체층은 SiO2, Al2O3, TiO2, Si3N4 또는 이들의 혼합물질을 포함하는 유전체층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 유전체층 형성단계에서 형성되는 상기 유전체층의 두께는 0.1 ~ 5nm인 것을 특징으로 한다.
상기 금속박막층 형성 단계는, 고밀도이고 불연속 평면을 이루는 불연속 금속박막층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 유전체층 형성 단계는, 상기 불연속 금속박막층에 대응하는 불연속 평면을 이루는 불연속 유전체층을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 다공성 금속막층 형성 단계는, 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함하는 다공성 금속막층을 형성하는 단계일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 박막의 불연속 금속박막층과 불연속 유전체층이 신호의 강도가 커진 다수의 SERS 핫스팟을 형성할 수 있도록 하고, SERS 핫스팟까지의 두께가 상대적으로 얇은 배면에서 조사광을 조사하여 SERS 신호를 검출하는 것에 의해, 조사광과 SERS 핫스팟으로부터 발생된 SERS 신호의 반사와 산란이 최소화되어 SERS 신호의 검출 강도가 커지므로 SERS 기판의 검지 효율을 향상시키는 효과를 제공한다.
본 발명의 효과를 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 SERS 기판(1)의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예의 SERS 기판 제조 방법의 처리과정을 나타내는 순서도이다.
도 3은 다공성 금속막층(400)이 형성되지 않은 SERS 기판(a)의 배면에서의 라만 시프트와 라만 산란 신호의 강도를 나타내는 그래프(b)이다.
도 4는 다공성 금속막층(400)이 형성된 SERS 기판(a)의 배면에서의 라만 시프트와 라만 산란 신호의 강도를 나타내는 그래프(b)이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예의 설명에서 파우더는, 포도상, 판상, 구상, 덴드라이트 상 등의 다양한 형태를 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배면 SERS 기판(1)의 단면도이다.
도 1과 같이, 상기 다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 SERS 기판(1)은, 기판층(100), 상기 투명 기판층(100) 에 적층되는 금속박막층(200), 상기 금속박막층(200) 에 적층되는 유전체층(300) 및 상기 유전체층(300)에 적층되는 다공성 금속막층(400)을 포함하여 구성되어, 상기 기판층(100) 측에서 조사광을 조사하고 SERS 신호를 검출하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판층(100)은 투명 유리 또는 투명 폴리머로 제작되는 투명 기판인 것을 특징일 수 있다. 상기 투명 기판은 투과율 80% 이상인 기판인 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 투명 폴리머는 폴리염화비닐(polyviniyl chloride, PVC), 폴리비닐알콜(polyviniyl alcohol, PVA), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethelene terephthalate, PET), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 등일 수 있다.
상기 금속박막층(200)은, 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 상기 불연속 금속박막층(200)은 기공이 없는 고밀도이고 두께는 0.2 ~ 5 nm일 수 있다.
일반적으로 증착된 금속박막의 경우 10nm~20nm 이상이 증착되어야 연속적인 금속박막이 형성되는 것으로 알려져 있으며, 10nm 이하의 금속박막이 형성되는 경우 핵생성이 되고 성장하고 있는 단계의 불연속적인 막이 형성되게 된다.
금속박막층의 두께가 5nm 이상이 될 경우 배면에서 방출된 라만 레이저 및 샘플에서 발생한 라만 신호의 투과율이 낮아지고 반사율이 높아져 신호가 감소하게 되며, 0.2nm 이하로 증착되는 경우 SERS 효과를 발생시키기 위한 핫스팟(hot spot)의 개수가 줄어들게 되어 신호가 감소하게 된다.
상기 유전체층(300)은 SiO2, Al2O3, TiO2, Si3N4 또는 이들의 혼합물질을 포함할 수 있다. 상기 유전체층의 두께는, 0.1 ~ 5 nm일 수 있다.
또한 유전체층의 두께가 5nm 이상인 경우 핫스팟(hot spot이) 형성되기 위한 아래쪽에 형성된 불연속 금속박막층과 상부에 형성되는 다공성 금속막층의 입자간 거리가 증가하게 되어 신호가 감소하고, 아래쪽 입자로 침투하는 피분석물(analyte)의 이동을 방해하게 되어 신호가 감소하는 단점이 있다. 그리고 유전체층의 두께가 0.1nm 이하가 되는 경우 실질적으로 유전체층 불연속 막이 형성되는 부분이 너무 적어 hot spot 개수가 감소하여 신호가 감소하게 되는 단점이 있다.
상술한 구성의 상기 배면 SERS 기판(1)은 상기 유전체층(300)과 상기 다공성 금속막층(400)의 접합면에 신호가 증강된 다수의 SERS 핫스팟(Hot Spot)이 형성되도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
상술한 구성에서 라만 산란 신호의 강도 향상을 위해 다수의 SERS 핫스팟을 형성할 수 있도록 하기 위하여, 상기 금속박막층(200)은, 상기 투명 기판층(100) 상에 불연속면을 이루며 적층되는 불연속 금속박막층으로 형성되고, 상기 유전체층(300)은, 상기 불연속 금속박막층(200)의 상에 적층되는 불연속 유전체층으로 형성된다. 이때, 상기 불연속 유전체층(300)은 상기 불연속 금속박막층(200)에 대응하는 불연속면을 가지도록 적층 형성된다. 상술한 불연속적인 구성에 의해 상기 불연속 금속박막층과 다공성 금속막층(400)의 불연속 유전체층(300)과의 접합면에서 다수의 핫스팟이 발생하게 된다.
상기 다공성 금속막층(400)은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 스퍼터링 등의 적용하여 다수의 기공을 가지도록 형성될 수 있다. 상기 다공성 금속막층(400)의 두께는 50 ~ 300 nm 일 수 있다.
다공성 금속막층의 두께가 50nm 미만인 경우 다공성 막이 형성되지 않는 부분의 면적이 많아 핫스팟(hot spot)의 개수가 감소하여 신호가 감소하게 되며, 300nm 초과의 경우 신호형성에 영향을 미치지 않는 부분이 불필요하게 형성되므로 생산성 및 가격경쟁력을 저하시키므로 바람직하지 않다.
도 2는 본 발명의 일 실시예의 배면 SERS 기판 제조 방법의 처리과정을 나타내는 순서도이다.
도 2와 같이, 본 발명의 일 실시예의 배면 SERS 기판 제조 방법은, 기판을 준비하는 기판 준비 단계(S1); 상기 기판 상에 금속박막층을 형성하는 금속박막층 형성 단계(S2); 상기 금속박막층 상에 유전체층을 형성하는 유전체층 형성단계(S3); 상기 유전체층 상에 다공성 금속막층을 형성하는 다공성 금속막층 형성 단계(S4);를 포함하여 이루어지는, 다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 SERS 기판 제조 방법을 제공한다.
상기 금속박막층 형성 단계(S2) 및 상기 유전체층 형성단계(S3)에서 상기 금속박막층(200) 및 유전체층(200)은 스퍼터링이나 증발증착법을 활용하여 형성이 가능하다. 스퍼터링을 통하여 증착할 경우 공정조건은 압력 0.5mTorr~50mTorr, 인가파워 0.1W/cm2 ~ 10W/cm2, 기판과 타겟과의 거리 5cm~20cm로 진행하는 것이 바람직하며, 특히 균일도, 재현성 및 생산성 확보를 위하여 공정조건은 압력 1mTorr~20mTorr, 인가파워 0.1W/cm2~5W/cm2, 기판과 타겟과의 거리 5cm~15cm로 진행하는 것이 더욱 바람직하며 시간으로 두께를 제어한다. 증발증착법을 이용하여 증착할 경우 공정조건은 압력 0.001mTorr~200mTorr로 진행하는 것이 바람직하고 시간으로 두께를 제어한다.
상기 다공성 금속막층 형성 단계(S4)의 다공성 금속막층의 경우 가스유동스퍼터링건(GFS)을 활용한 스퍼터링법이나 증발증착법을 활용하여 형성이 가능하다. 가스유동스퍼터링건(GFS)에, 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금 중 하나 이상의 증착하고자 하는 금속타겟을 장착하고 GFS건 압력 0.3~5 Torr, 챔버압력 1~200mTorr, 파워 0.5~10W/cm2 조건에서 증착하였으며 특히 균일도, 재현성 및 생산성 확보를 위하여 공정조건은 GFS건 압력 0.5~2 Torr, 챔버압력 5~50mTorr, 파워 1~10W/cm2 조건으로 진행하는 것이 더욱 바람직하며 시간으로 두께를 제어한다. 증발증착법을 활용하여 형성할 경우 공정조건은 압력 10mTorr~10000mTorr로 진행하는 것이 바람직하고 시간으로 두께를 제어한다. 도 3은 다공성 금속막층(400)이 형성되지 않은 SERS 기판(a)에서의 라만 시프트와 라만 산란 신호의 강도를 나타내는 그래프(b)이다.
도 3과 같이, 도 3의 (a)의 배면 SERS 기판은 기판(100), 불연속 금속박막층(200) 및 불연속 유전체층(300) 만으로 적층 구성된다. 이 경우, 배면에서 조사광을 조사하여 SERS 신호를 검출한 결과, 라만 시프트에 변환에 따라 SERS 신호의 강도가 가변하게 되며, 금속박막층(200)의 서로 다른 두께(x)에 따라서도 가변하는 것을 볼 수 있다. R6G 분석시 구체적으로, 약 1,190 cm-1, 1,310cm-1, 1,370cm-1, 1,510cm-1, 1,600cm-1, 1,650cm-1 등의 라만 시프트의 위치에서 SERS 신호 강도의 피크가 나타났으며, 최대 SERS 신호 강도의 피크는 라만 시프트 1,370cm-1에서 대략 3,000 a.u.를 초과하는 것으로 나타났다. 그리고 두께가 5nm인 금속박막층(200)에서 약 3,000 a.u.로 가장 큰 SERS 강도를 나타냈으며, 다음으로 두께 2nm와 10nm 인 금속박막층(200)에서 약 2,200 a.u.의 SERS 강도를 나타내는 것으로 확인됐다. 그리고 금속박막층의 두께가 1nm 이하인 경우와 50nm 이상의 두께에서는 SERS 신호가 검출되지 않는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 결과는 형성된 금속막 두께가 얇은 경우에는 라만 레이저 및 신호의 투과율은 높으나 핫스팟 밀도가 낮아 신호가 거의 검출되지 않고 너무 두꺼운 경우에는 연속막이 형성되어 핫스팟이 형성되지 않아 신호가 낮은 결과를 나타낸 것으로 판단된다.
도 4는 다공성 금속막층(400)이 형성된 배면 SERS 기판(a)에서의 라만 시프트와 라만 산란 신호의 강도를 나타내는 그래프(b)이다.
도 4와 같이, 도 4의 (a)의 배면 SERS 기판(1)은 기판(100), 불연속 금속박막층(200), 불연속 유전체층(300) 및 다공성 금속막층(400)으로 적층 구성된다. 이 경우, 배면에서 조사광을 조사하여 SERS 신호를 검출한 결과, 라만 시프트에 변환에 따라 SERS 신호의 강도가 가변하게 되며, 불연속 금속박막층(200)의 서로 다른 두께(x)에 따라서도 가변하는 것은 도 3과 동일하였다. 분석물질인 R6G의 경우 구체적으로, 약 1,190 cm-1, 1,310cm-1, 1,370cm-1, 1,510cm-1, 1600cm-1, 1,650cm-1 등의 라만 시프트의 위치에서 SERS 신호 강도의 피크가 나타났으며, 최대 SERS 신호 강도의 피크는 라만 시프트 약 1370cm-1에서 대략 22500 a.u.를 초과하는 것으로 나타났다. 그리고 두께가 0.5 nm인 불연속 금속박막층(200)에서 약 22,500 a.u.로 가장 큰 SERS 강도를 나타냈으며, 다음으로 두께 1nm 인 불연속 금속박막층(200)에서 약 12,500 a.u.의 SERS 강도를 나타내는 것으로 확인됐다. 그리고 불연속 금속박막층(200)의 두께가 증가할 수록 SERS 강도는 감소하다가 50nm 이상의 두께에서는 SERS 신호가 거의 검출되지 않는 것을 확인할 수 있었다.
라만 시프트 약 1,370 cm-1에서 최대 피크를 가지는 두께 0.5nm의 불연속 금속박막층(200)을 가지는 도 3 및 도 4의 배면 SERS 기판들의 SERS 신호의 측정 결과를 비교해 보면, 다공성 금속막층(400)을 가지지 않는 도 3의 배면 SERS 기판의 SERS 신호는 약 3,000 a.u. 이고, 다공성 금속막층(300)을 가지는 도 4의 배면 SERS 기판의 SERS 신호 강도는 약 22,500 a.u.로 확인되었다. 즉, 다공성 금속막층(400)을 형성하고 SERS 기판의 배면에서 조사광을 조사하는 것에 의해 SERS 신호의 강도가 약 7.5배로 증가하는 것을 확인할 수 있었다.
상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술적 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
1: 배면 SERS 기판
100: 투명 기판층
200: 금속박막층
300: 유전체층
400: 다공성 금속막층

Claims (21)

  1. 기판층;
    상기 기판층에 적층되는 금속박막층;
    상기 금속박막층 상에 적층되는 유전체층; 및
    상기 유전체층 상에 적층되는 다공성 금속막층;을 포함하여 구성되어, 상기 기판층에서 조사광을 조사하고 SERS 신호를 검출하도록 하고,
    상기 금속박막층의 두께는 0.2nm 내지 5 nm이고,
    상기 금속박막층은, 상기 기판층 상에 불연속면을 이루며 적층되는 불연속 금속박막층으로 형성되고,
    상기 유전체층은, 상기 불연속 금속박막층 상에 적층되는 불연속 유전체층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판층은 투명 유리 또는 투명 폴리머로 제작되는 투명 기판인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 투명 기판은 투과율 80% 이상인 기판인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속박막층은, 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 중 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 SiO2, Al2O3, TiO2, Si3N4 또는 이들의 혼합물질 중 하나 이상으로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층의 두께는, 0.1nm 내지 5 nm인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 다공성 금속막층은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 다공성 금속막층의 두께는 50 ~ 300nm인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층과 상기 다공성 금속막층의 접합면에 SERS 핫스팟이 형성되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판.
  12. 기판을 준비하는 기판 준비 단계;
    상기 기판 상에 금속박막층을 형성하는 금속박막층 형성 단계;
    상기 금속박막층 상에 유전체층을 형성하는 유전체층 형성단계;
    상기 유전체층 상에 다공성 금속막층을 형성하는 다공성 금속막층 형성 단계;를 포함하여 이루어지고,
    상기 금속박막층 형성 단계는, 0.2nm 내지 5nm의 두께를 가지는, 고밀도이고 불연속 평면을 이루는 불연속 금속박막층을 형성하는 단계이고,
    상기 유전체층 형성 단계는, 상기 불연속 금속박막층에 대응하는 불연속 평면을 이루는 불연속 유전체층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는, 다공성 박막을 활용하여 배면의 표면 강화 라만 산란이 향상된 배면 SERS 기판 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판 준비 단계에서 준비되는 기판은, 투명 유리 또는 투명 폴리머로 제작된 투명 기판인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 투명 기판은 투과율 80% 이상인 기판인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판 제조방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 금속박막층 형성 단계는, 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함하는 금속박막층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판 제조 방법.
  16. 삭제
  17. 제12항에 있어서,
    상기 유전체층 형성단계에서 형성되는 유전체층은 SiO2, Al2O3, TiO2, Si3N4 또는 이들의 혼합물질을 포함하는 유전체층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판 제조 방법.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 유전체층 형성단계에서 형성되는 상기 유전체층의 두께는 0.1nm 내지 5 nm인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판 제조 방법.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제12항에 있어서,
    상기 다공성 금속막층 형성 단계는, 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함하는 다공성 금속막층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 배면 SERS 기판 제조 방법.
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