KR102599415B1 - 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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- KR102599415B1 KR102599415B1 KR1020170178127A KR20170178127A KR102599415B1 KR 102599415 B1 KR102599415 B1 KR 102599415B1 KR 1020170178127 A KR1020170178127 A KR 1020170178127A KR 20170178127 A KR20170178127 A KR 20170178127A KR 102599415 B1 KR102599415 B1 KR 102599415B1
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- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 title description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 110
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 111
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 64
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 52
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 48
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 47
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 42
- -1 alkylboron group Chemical group 0.000 claims description 34
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 20
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000005104 aryl silyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 claims description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 17
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 13
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 13
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 93
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 93
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 93
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 description 48
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 description 46
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 41
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 36
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 35
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 31
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 23
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 22
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 15
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 15
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 13
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 13
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 13
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 13
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 13
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 13
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 13
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 description 13
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 12
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 12
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 description 12
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 12
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FBVBNCGJVKIEHH-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[3,2-b]pyridine Chemical class C1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 FBVBNCGJVKIEHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- DDGPPAMADXTGTN-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine Chemical compound N=1C(Cl)=NC(C=2C=CC=CC=2)=NC=1C1=CC=CC=C1 DDGPPAMADXTGTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MJDDVTZXYXHTRY-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine Chemical compound N=1C(Cl)=CC(C=2C=CC=CC=2)=NC=1C1=CC=CC=C1 MJDDVTZXYXHTRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNLIIAKAAMFCJG-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trichloropyridine Chemical compound ClC1=CN=C(Cl)C(Cl)=C1 CNLIIAKAAMFCJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTEIZPBYXABJKN-UHFFFAOYSA-N 2-(4-chlorophenyl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 NTEIZPBYXABJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTXODVRNOQIGIM-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-6-phenyl-2-(4-phenylphenyl)pyrimidine Chemical compound C1(=CC=C(C=C1)C1=NC(=CC(=N1)Cl)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 RTXODVRNOQIGIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXNDQUZBTRYULA-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C(C=C1)C2=CC(=NC(=N2)C3=CC=C(C=C3)C4=CN=CC=C4)Cl Chemical compound C1=CC=C(C=C1)C2=CC(=NC(=N2)C3=CC=C(C=C3)C4=CN=CC=C4)Cl WXNDQUZBTRYULA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- LBJNMUFDOHXDFG-UHFFFAOYSA-N copper;hydrate Chemical compound O.[Cu].[Cu] LBJNMUFDOHXDFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- ROEQGIFOWRQYHD-UHFFFAOYSA-N (2-methoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=CC=CC=C1B(O)O ROEQGIFOWRQYHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSYYRNDZOSXTFU-UHFFFAOYSA-N (3-bromo-2-methoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=C(Br)C=CC=C1B(O)O KSYYRNDZOSXTFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMHZXXPDUOVTHD-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trichloropyridine Chemical compound ClC1=CC=NC(Cl)=C1Cl VMHZXXPDUOVTHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- MPIJGSAWPMMKMU-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-dibenzofuran-3-yl-6-phenyl-1,3,5-triazine Chemical compound ClC1=NC(=NC(=N1)C=1C=CC2=C(OC3=C2C=CC=C3)C=1)C1=CC=CC=C1 MPIJGSAWPMMKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKLKYZYRMGGYGN-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-dibenzofuran-4-yl-6-phenyl-1,3,5-triazine Chemical compound ClC1=NC(=NC(=N1)C1=CC=CC2=C1OC1=C2C=CC=C1)C1=CC=CC=C1 NKLKYZYRMGGYGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002941 2-furyl group Chemical group O1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- KSDZCEODHSUQTG-UHFFFAOYSA-N 3,4-dichloro-2-(2-methoxyphenyl)pyridine Chemical compound ClC=1C(=NC=CC=1Cl)C1=C(C=CC=C1)OC KSDZCEODHSUQTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLYDVTKNHQZPMM-UHFFFAOYSA-N ClC1=NC(=NC(=N1)C1=C2C(OC3=C2C=CC=C3)=CC=C1)C1=CC=CC(=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound ClC1=NC(=NC(=N1)C1=C2C(OC3=C2C=CC=C3)=CC=C1)C1=CC=CC(=C1)C1=CC=CC=C1 OLYDVTKNHQZPMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001573 adamantine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical group C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002962 imidazol-1-yl group Chemical group [*]N1C([H])=NC([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003406 indolizinyl group Chemical group C=1(C=CN2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000561 purinyl group Chemical group N1=C(N=C2N=CNC2=C1)* 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000246 pyrimidin-2-yl group Chemical group [H]C1=NC(*)=NC([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
- C07D491/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
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- H—ELECTRICITY
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
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- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
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Abstract
본 발명은 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 화합물은 유기 전계 발광 소자의 유기물층, 바람직하게는 발광층에 사용됨에 따라 유기 전계 발광 소자의 발광 효율, 구동 전압, 수명 등을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 소자용 재료로서 사용될 수 있는 신규 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
1950년대 베르나노스(Bernanose)의 유기 박막 발광 관측을 시점으로 하여, 1965년 안트라센 단결정을 이용한 청색 전기발광으로 이어진 유기 전계 발광(electroluminescent, EL) 소자에 대한 연구가 이어져 오다가, 1987년 탕(Tang)에 의하여 정공층과 발광층의 기능층으로 나눈 적층 구조의 유기 전계 발광 소자가 제시되었다. 이후, 고효율, 고수명의 유기 전계 발광 소자를 만들기 위하여, 소자 내 각각의 특징적인 유기물층을 도입하는 형태로 발전하여 왔으며, 이에 사용되는 특화된 물질의 개발로 이어졌다.
유기 전계 발광 소자는 두 전극 사이에 전압을 걸어주면 양극에서는 정공이 유기물층으로 주입되고, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이때, 유기물층으로 사용되는 물질은 그 기능에 따라, 발광 물질, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 분류될 수 있다.
발광 물질은 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 물질과, 보다 나은 천연색을 구현하기 위한 노란색 및 주황색 발광 물질로 구분될 수 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 물질로서 호스트/도펀트 계를 사용할 수 있다.
도펀트 물질은 유기 물질을 사용하는 형광 도펀트와 Ir, Pt 등의 중원자(heavy atoms)가 포함된 금속 착체 화합물을 사용하는 인광 도펀트로 나눌 수 있다. 이때, 인광 재료의 개발은 이론적으로 형광에 비해 4배까지 발광 효율을 향상시킬 수 있기 때문에, 인광 도펀트 뿐만 아니라 인광 호스트 재료들에 대한 연구도 많이 진행되고 있다.
현재까지 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단층, 전자 수송층 재료로는 NPB, BCP, Alq3 등이 널리 알려져 있으며, 발광층 재료로는 안트라센 유도체들이 보고되고 있다. 특히, 발광층 재료 중 효율 향상 측면에서 장점을 가지고 있는 Firpic, Ir(ppy)3, (acac)Ir(btp)2 등과 같은 Ir을 포함하는 금속 착체 화합물이 청색(blue), 녹색(green), 적색(red)의 인광 도판트 재료로 사용되고 있으며, 4,4-디카바졸리비페닐(4,4-dicarbazolybiphenyl, CBP)은 인광 호스트 재료로 사용되고 있다.
그러나 종래의 유기물층 재료들은 발광 특성 측면에서는 유리한 면이 있으나, 유리전이온도가 낮아 열적 안정성이 매우 좋지 않기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 수명 측면에서 만족할 만한 수준이 되지 못하고 있다. 따라서, 성능이 뛰어난 유기물층 재료의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자에 적용할 수 있으며, 정공, 전자 주입 및 수송능, 발광능 등이 모두 우수한 신규 유기 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 신규 유기 화합물을 포함하여 낮은 구동 전압과 높은 발광 효율을 나타내며 수명이 향상되는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
m은 0 내지 4의 정수이며;
n 및 l은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 단일결합, O, S, Se, N(R4) 및 C(R5)(R6)으로 구성된 군으로부터 선택되고, 단 Y1 및 Y2가 동시에 단일결합은 아니며;
L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합, C6~C18의 아릴렌기 및 핵원자수 5 내지 18개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되고;
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 N 또는 C(R7)이고, 반드시 하나는 N이며;
상기 L2에 결합되는 X1 내지 X4 중 어느 하나는 C(R7)이고, 이때 상기 R7은 부재이며;
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또는 C(R8)이고, 반드시 하나는 N이며;
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하고,
R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하고, 상기 R1 내지 R8 각각이 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
상기 L1 및 L2의 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기와, 상기 Ar1, Ar2 및 R1 내지 R8의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명은 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 1층 이상의 유기물층 중에서 적어도 하나는 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명에서의 “알킬”은 탄소수 1 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 이의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 “알케닐(alkenyl)”은 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 가진, 탄소수 2 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 이의 예로는 비닐(vinyl), 알릴(allyl), 이소프로펜일(isopropenyl), 2-부텐일(2-butenyl) 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 “알키닐(alkynyl)”은 탄소-탄소 삼중 결합을 1개 이상 가진, 탄소수 2 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 이의 예로는 에티닐(ethynyl), 2-프로파닐(2-propynyl) 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 “아릴”은 단독 고리 또는 2 이상의 고리가 조합된, 탄소수 6 내지 60개의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함(예를 들어, 탄소수는 8 내지 60개일 수 있음)하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 치환기도 포함될 수 있다. 이러한 아릴의 예로는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트릴, 플루오레닐 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 “헤테로아릴”은 핵원자수 5 내지 60개의 모노헤테로사이클릭 또는 폴리헤테로사이클릭 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이때, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, P, S 및 Se 중에서 선택된 헤테로원자로 치환된다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, P, S 및 Se 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹도 포함하는 것으로 해석된다. 이러한 헤테로아릴의 예로는 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 트리아지닐과 같은 6-원 모노사이클릭 고리; 페녹사티에닐(phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 퀴놀릴(quinolyl), 벤조티아졸(benzothiazole), 카바졸릴(carbazolyl)과 같은 폴리사이클릭 고리; 2-퓨라닐, N-이미다졸릴, 2-이속사졸릴, 2-피리디닐, 2-피리미디닐 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 “아릴옥시”는 RO-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R은 탄소수 5 내지 60개의 아릴을 의미한다. 이러한 아릴옥시의 예로는 페닐옥시, 나프틸옥시, 디페닐옥시 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 “알킬옥시”는 R’O-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R’는 1 내지 40개의 알킬을 의미하며, 직쇄(linear), 측쇄(branched) 또는 사이클릭(cyclic) 구조를 포함하는 것으로 해석한다. 이러한 알킬옥시의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 1-프로폭시, t-부톡시, n-부톡시, 펜톡시 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 “아릴아민”은 탄소수 6 내지 60개의 아릴로 치환된 아민을 의미한다.
본 발명에서의 “시클로알킬”은 탄소수 3 내지 40개의 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이러한 사이클로알킬의 예로는 사이클로프로필, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 놀보닐(norbornyl), 아다만틴(adamantine) 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 “헤테로시클로알킬”은 핵원자수 3 내지 40개의 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미하며, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로 원자로 치환된다. 이러한 헤테로시클로알킬의 예로는 모르폴린, 피페라진 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 “알킬실릴”은 탄소수 1 내지 40개의 알킬로 치환된 실릴이고, “아릴실릴”은 탄소수 5 내지 60개의 아릴로 치환된 실릴을 의미한다.
본 발명에서의 “축합 고리”는 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리, 축합 헤테로방향족 고리 또는 이들의 조합된 형태를 의미한다.
본 발명의 화합물은 열적 안정성, 캐리어 수송능, 발광능 등이 우수하기 때문에 유기 전계 발광 소자의 유기물층 재료로 유용하게 적용될 수 있다.
또한, 본 발명의 화합물을 유기물층에 포함하는 유기 전계 발광 소자는 발광성능, 구동전압, 수명, 효율 등의 측면이 크게 향상되어 풀 칼라 디스플레이 패널 등에 효과적으로 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
1.
신규 유기 화합물
본 발명의 신규 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
m은 0 내지 4의 정수이며;
n 및 l은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 단일결합, O, S, Se, N(R4) 및 C(R5)(R6)으로 구성된 군으로부터 선택되고, 단 Y1 및 Y2가 동시에 단일결합은 아니며;
L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합, C6~C18의 아릴렌기 및 핵원자수 5 내지 18개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되고;
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 N 또는 C(R7)이고, 반드시 하나는 N이며;
상기 L2에 결합되는 X1 내지 X4 중 어느 하나는 C(R7)이고, 이때 상기 R7은 부재이며;
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또는 C(R8)이고, 반드시 하나는 N이며;
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하고,
R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하고, 상기 R1 내지 R8 각각이 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
상기 L1 및 L2의 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기와, 상기 Ar1, Ar2 및 R1 내지 R8의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
보다 구체적으로, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 N-type 특성을 가지는 벤조퓨로피리딘(BFP)의 기본 골격에 질소-함유 헤테로환(예컨대, 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기등)과 같이 전자 흡수성이 큰 전자 끌개기(EWG)와 질소, 산소, 황 함유 헤테로환(예컨대, 카바졸, 페녹사진, 디벤조퓨란, 플루오렌등)과 같이 전자 주개(EDG)가 결합되어 분자 전체가 바이폴라(bipolar) 특성을 가지며, 강한 결합을 하므로 전기화학적으로 안정하고, 전자 수송성이 우수할 뿐만 아니라 높은 삼중항 에너지, 유리 전이온도 및 열적 안정성이 우수하다.
본 발명의 화합물은 새로운 형태의 벤조퓨로피리딘에 의해 전자끌개능력(electron withdrawing ability)을 조절할 수 있고, 분자의 LUMO state의 미세 조정(fine tuning)이 가능하며, 치환기의 방향이나 위치에 따라 에너지 밴드 갭, 입체 장애, film state property의 조절이 용이하다. 이로 인해 전자의 모빌리티를 개선하고, 효과전인 N-type 물질, 혹은 바이폴라(bipolar) 물질로써 적용될 수 있다. 특히 벤조퓨란기와 피리딘기가 결합된 BFP를 코어로 적용하여 피리딘기에 EWG 혹은 아릴, 헤테로아릴기를 결합, 벤조퓨란기에 EDG 혹은 아릴, 헤테로아릴기를 도입함으로써 홀특성과 전자특성를 수월하게 미세 조정(fine tuning)할 수 있어 유기 전계 발광 소자의 유기물층인 발광층, 전자 수송층, 전자 수송 보조층 및 전공 수송층 중 어느 하나의 재료로 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 전계 발광 소자의 유기물층 재료, 바람직하게는 발광층 재료(녹색의 인광 호스트 재료), 전자 수송층/주입층 재료 발광보조층 재료, 전자수송보조층 재료, 더욱 바람직하게는 발광층 재료, 전자 수송층 재료, 전자수송보조층 재료로 사용될 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 성능 및 수명 특성이 크게 향상될 수 있고, 이러한 유기 전계 발광 소자가 적용된 풀 칼라 유기 발광 패널도 성능이 극대화될 수 있다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 화합물은 하기 화학식 2 내지 7 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
상기 화학식 2 내지 7에서,
m, n, l, L1, L2, R1 내지 R6, X1 내지 X4, Z1 내지 Z3, Ar1 및 Ar2 각각은 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 화합물은 하기 화학식 8 내지 10 중 어느 하나로 표시될 수 있고, 바람직하게는 하기 화학식 9로 표시될 수 있다:
[화학식 8]
[화학식 9]
[화학식 10]
상기 화학식 8 내지 10에서,
m, n, l, Y1, Y2, L1, L2, R1 내지 R3, Z1 내지 Z3, Ar1 및 Ar2 각각은 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 R1 내지 R6은 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 R1 내지 R6의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 R1 내지 R6는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 R1 내지 R6의 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 R1 내지 R6는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 R1 내지 R6의 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기는 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합이거나, 하기 화학식 A-1 내지 A-4로 이루어진 군에서 선택된 링커일 수 있고, 바람직하게는 단일결합이거나, 하기 화학식 A-1 또는 A--2로 표시되는 링커일 수 있으며, 보다 바람직하게는 L2는 단일결합이거나, A-1 또는 A-2로 표시되는 링커일 수 있다:
상기 화학식 A-1 내지 A-4에서,
*는 결합이 이루어지는 부분을 의미한다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 A-1로 표시되는 링커는 하기 화학식 B-1 또는 B-2로 표시되는 링커일 수 있다:
상기 화학식 B-1 또는 B-2에서,
*는 결합이 이루어지는 부분을 의미한다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 Ar1 및 Ar2의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ar1 및 Ar2의 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ar1 및 Ar2의 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기는 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 하기 화학식 C-1 내지 C-5 중 어느 하나로 표시되는 치환기일 수 있다:
상기 화학식 C-1 내지 C-5에서,
*은 결합이 이루어지는 부분을 의미하고;
p는 0 내지 5의 정수이며;
q는 0 내지 4의 정수이며;
R9 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하고, 상기 R9 및 R10각각이 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
상기 R9 내지 R12의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 R9 및 R10은 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 R9 및 R10의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 R9 및 R10의 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 및 디벤조디옥시닐기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 화학식 C-1로 표시되는 치환기는 하기 화학식 D-1 내지 D-5 중 어느 하나로 표시되는 치환기일 수 있다.
상기 화학식 D-1 내지 D-5에서,
*은 결합이 이루어지는 부분을 의미한다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 나타낼 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다:
본 발명의 화학식 1의 화합물은 일반적인 합성방법에 따라 합성될 수 있다(Chem. Rev., 60:313 (1960); J. Chem . SOC. 4482 (1955); Chem. Rev. 95: 2457 (1995) 등 참조). 본 발명의 화합물에 대한 상세한 합성 과정은 후술하는 합성예에서 구체적으로 기술하도록 한다.
2.
유기
전계
발광 소자
한편, 본 발명의 다른 측면은 상기한 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자(유기 EL 소자)에 관한 것이다.
구체적으로, 본 발명은 양극(anode), 음극(cathode), 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 이때, 상기 화합물은 단독 또는 2 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 1층 이상의 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 발광 보조층, 전자 수송층, 전자 수송 보조층 및 전자 주입층 중 어느 하나 이상일 수 있고, 이 중에서 적어도 하나의 유기물층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조는 특별히 한정되지 않으나, 일 예시로 도 1을 참고하면, 예컨대 서로 마주하는 양극(10)과 음극(20), 그리고 상기 양극(10)과 음극(20) 사이에 위치하는 유기층(30)을 포함한다. 여기서, 상기 유기층(30)은 정공 수송층(31), 발광층(32) 및 전자 수송층(34)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 정공 수송층(31)과 발광층(32) 사이에는 정공 수송 보조층(33)을 포함할 수 있으며, 상기 전자 수송층(34)과 발광층(32) 사이에는 전자 수송 보조층(35)을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 예시로 도 2를 참고하면, 상기 유기층(30)은 정공 수송층(31)과 양극(10)사이에 정공 주입층(37)을 더 포함할 수 있으며, 전자 수송층(34)과 음극(20)사이에는 전자 주입층(36)을 추가로 더 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 정공 수송층(31)과 양극(10) 사이에 적층되는 정공 주입층(37)은 양극으로 사용되는 ITO와, 정공 수송층(31)으로 사용되는 유기물질 사이의 계면 특성을 개선할 뿐만 아니라 그 표면이 평탄하지 않은 ITO의 상부에 도포되어 ITO의 표면을 부드럽게 만들어주는 기능을 하는 층으로, 당 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이면 특별한 제한없이 사용할 수 있으며, 예컨대, 아민 화합물을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 전자 주입층(36)은 전자 수송층의 상부에 적층되어 음극으로부터의 전자 주입을 용이하게 해주어 궁극적으로 전력효율을 개선시키는 기능을 수행하는 층으로, 당 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이면 특별한 제한없이 사용할 수 있으며, 예컨대, LiF, Liq, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등의 물질을 이용할 수 있다.
또한, 본 발명에서 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 정공 수송 보조층(33)과 발광층(32) 사이에 발광 보조층을 더 포함할 수 있다. 상기 발광 보조층은 발광층(32)에 정공을 수송하는 역할을 하면서 유기층(30)의 두께를 조정하는 역할을 할 수 있다. 상기 발광 보조층은 정공 수송 물질을 포함할 수 있고, 정공 수송층(31)과 동일한 물질로 만들어질 수 있다.
또한, 본 발명에서 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 전자 수송층과 발광층 사이에 전자 수송 보조층을 더 포함할 수 있다. 상기 발광층(32)으로 유기 발광 소자 내에서 이온화 포텐셜 레벨을 타고 이동하는 정공이 전자 수송 보조층 의 높은 에너지 장벽에 막혀 전자 수송층으로 확산, 또는 이동하지 못해, 결과적으로 정공을 발광층에 제한시키는 기능을 한다. 이렇게 정공을 발광층에 제한시키는 기능은 환원에 의해 전자를 이동시키는 전자 수송층으로 정공이 확산되는 것을 막아, 산화에 의한 비가역적 분해반응을 통한 수명저하 현상을 억제 하여, 유기 발광 소자의 수명 개선에 기여할 수 있다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 N-type 특성을 가지는 벤조퓨로피리딘(BFP)의 기본 골격에 질소-함유 헤테로환(예컨대, 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기등)과 같이 전자 흡수성이 큰 전자 끌개기(EWG)와 질소, 산소, 황 함유 헤테로환(예컨대, 카바졸, 페녹사진, 디벤조퓨란, 플루오렌등)과 같이 전자 주개(EDG)가 결합되어 분자 전체가 바이폴라(bipolar) 특성을 가지며, 강한 결합을 하므로 전기화학적으로 안정하고, 전자 수송성이 우수할 뿐만 아니라 높은 삼중항 에너지, 유리 전이온도 및 열적 안정성이 우수하다.
따라서, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 전계 발광 소자의 유기물층인 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 어느 하나의 재료로 사용될 수 있지만, 바람직하게는 발광층, 전자 수송층 및 전자 수송층에 추가로 적층되는 전자 수송 보조층 중 어느 하나의 재료, 보다 바람직하게는 전자 수송층, 또는 전자수송 보조층의 재료로 사용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 화합물을 발광층 재료로 사용하는 경우, 구체적으로는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 인광 호스트, 형광 호스트 또는 도펀트 재료로 사용할 수 있으며, 바람직하게는 인광 호스트 재료로, 보다 바람직하게는 녹색의 인광 호스트 재료로 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기 유기 전계 발광 소자는 상기한 바와 같이 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층될 뿐만 아니라, 전극과 유기물층 계면에 절연층 또는 접착층을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 상기 유기물층 중 적어도 하나 이상(예컨대, 전자 수송 보조층)이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 알려져 있는 재료 및 방법을 이용하여 다른 유기물층 및 전극을 형성하여 제조될 수 있다.
상기 유기물층은 진공 증착법이나 용액 도포법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 용액 도포법의 예로는 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서 사용 가능한 기판으로는 특별히 한정되지 않으며, 실리콘 웨이퍼, 석영, 유리판, 금속판, 플라스틱 필름 및 시트 등이 사용될 수 있다.
또, 양극 물질로는 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 또는 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자; 및 카본블랙 등이 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
또, 음극 물질로는 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 또는 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 및 LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[
준비예
1] S-1의 합성
상온에서 2,3,5-트리클로로피리딘 (20g, 109 mmol), 2-메톡시페닐보론산(21.5g, 141.7 mmol)을 2-neck flask 에 넣는다. Pd(PPh3)4 (5.04g, 5.67mmol) 과 플루오르화 칼륨(potassium fluoride) (15.8g, 272.5 mmol) 을 첨가한다. Toluene 300 ml 첨가 후 100 ℃ 에서 5시간 교반한다. 반응 종결 후 용액을 실리카 필터 한다. 용매 제거 후 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:1) 로 정제 후 oil type의 투명한 화합물 S-1 (32.6g, 수득률 90%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 3.71(s, 3H), 7.03(t, 1H), 7.12(d, 1H), 7.20(d, 1H), 7.44(t, 1H), 8.23(s, 1H), 8.61(s, 1H)
[LCMS] : 253
[
준비예
2] S-2의 합성
상온에서 S-1(22g, 86.6 mmol)을 MC (200 ml)에 녹인다. 2-neck flask 에 넣고 NBS (20g, 113 mmol)을 천천히 첨가한다. 8시간 교반 후 Acetone (100 ml)을 넣어준다. 반응 완료 후 MC로 실리카 필터 해준다. 용매 제거 후 후 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:1) 로 정제 한다. Oil type의 연노란색 화합물 S-2 (27g, 수득률 94%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 3.74(s, 3H), 6.85(d, 1H), 7.31(d, 1H), 7.95 (s, 1H), 8.01(s, 1H), 8.85(s, 1H)
[LCMS] : 332
[
준비예
3] S-3의 합성
상온에서 S-1(28g, 84.1 mmol)을 MC (300 ml) 에 녹여 2-neck flask에 넣는다. Ice bath에서 0 ℃ 조건을 유지한다. BBr3 (12.2 ml, 126 mmol)을 천천히 첨가한다. 반응 종료 후 0 ℃ 의 H2O (300 ml) 를 천천히 첨가한다. 반응물을 MC로 추출하고 실리카 필터 한다. 용매 제거 후 oil type의 연노란색 화합물 S-3 (20.4g, 수득률 76%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 6.75(d, 1H), 7.29(d, 1H), 7.95 (s, 1H), 7.99(s, 1H), 8.84(s, 1H) 9.80(s, 1H)
[LCMS] : 318
[
준비예
4] S-4의 합성
상온에서 S-3(16g, 50 mmol) 과 KOH (11.2g, 199 mmol) Na2(S2O4) (1.6g, 5 mmol)을 2-neck flask에 넣는다. DMF (200 ml) 첨가 후 tetrabutylammonium bromide(Bu4NBr) (1.74g, 10mmol)을 넣는다. 130 ℃ 조건에서 3시간 교반한다. 반응 종료 후 H2O (200 ml) 를 천천히 첨가한다. 반응물을 MC로 추출하고 실리카 필터 한다. 용매 제거 후 흰색의 powder 화합물 S-4 (9.6g, 수득률 68%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.30~7.36(m, 2H), 7.65 (s, 1H), 7.98(s, 1H), 8.81(s, 1H)
[LCMS] : 282
[
준비예
5] S-5의 합성
반응물로 2,3,4-트리클로로피리딘을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 1]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-5 (40g, 수득률 79%)을 얻었다.
[
준비예
6] S-6의 합성
반응물로 3,4-디클로로-2-(2-메톡시페닐)피리딘을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 2]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-6 (38.8g, 수득률 92%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 3.80(s, 1H), 6.89(d, 1H), 7.15~7.22 (m, 2H), 7.34(t, 1H), 8.66(d, 1H) 8.83(d, 1H)
[LCMS] : 253
[
준비예
7] S-7의 합성
반응물로 2-(5-브로모-2-메톡시페닐)-3,4-디클로로피리딘을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 3]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-7 (32g, 수득률 65%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 6.78(d, 1H), 7.20~7.28 (m, 2H), 7.92(s, 1H), 8.66(d, 1H) 8.66(d, 1H), 9.84(s, 1H)
[LCMS] : 318
[
준비예
8] S-8의 합성
반응물로 4-브로모-2-(3,4-디클로로피리딘-2-일)페놀을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 4]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-8 (16.1g, 수득률 85%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.31~7.45(m, 3H), 7.69(s, 1H), 8.58(d, 1H)
[LCMS] : 282
[
준비예
9] S-9의 합성
상온에서 2,3,5-트리클로로피리딘 (20g, 109 mmol), 3-브로모-2-메톡시페닐보론산(50.3g, 218 mmol)을 2-neck flask 에 넣는다. Pd(PPh3)4 (3.78g, 3.27mmol) 과 플루오르화 칼륨(potassium fluoride) (8.7g, 218 mmol)을 첨가한다. Toluene 400 ml 첨가 후 100 ℃ 에서 5시간 교반한다. 반응 종결 후 용액을 실리카 필터 한다. 용매 제거 후 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:4) 로 정제 후 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:4) 로 정제한다. 용매 제거 후 oil type의 화합물 S-9 (12.34g, 수득률 34%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 3.71(s, 1H), 6.88(t, 3H), 7.35(d, 1H), 8.78(d, 1H), 8.86(s, 1H)
[LCMS] : 333
[
준비예
10] S-10의 합성
반응물로 2-(3-브로모-2-메톡시페닐)-3,5-디클로로피리딘을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 3]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-10 (10.9g, 수득률 70%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 6.82(t, 1H), 7.29(d, 3H), 7.94(s, 1H), 8.72(d, 1H), 8.85(s, 1H), 9.84(s, 1H)
[LCMS] : 318
[
준비예
11] S-11의 합성
반응물로 2-브로모-6-(3,5-디클로로피리딘-2-일)페놀을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 4]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-11 (17.3g, 수득률 80%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.12(t, 3H), 7.37(d, 1H), 7.65(d, 1H), 8.01(s, 1H), 8.77(s, 1H)
[LCMS] : 282
[
준비예
12] S-12의 합성
반응물로 3-브로모-2-메톡시페닐보론산 과 2,3,4-트리클로로피리딘을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 8]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-12 (11.3g, 수득률 29%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 3.73(s, 1H), 6.81(t, 1H) 7.29(d, 1H), 7.40(d, 1H), 8.66 (d, 1H), 8.78(d, 1H)
[LCMS] : 333
[
준비예
13] S-13의 합성
반응물로 2-(3-브로모-2-메톡시페닐)-3,4-디클로로피리딘을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 3]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-13 (31.3g, 수득률 75%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 6.82(t, 1H), 7.20~7.28 (m, 2H), 8.61 (d, 1H), 8.75(d, 1H), 9.83(s, 1H)
[LCMS] : 318
[
준비예
14] S-14의 합성
반응물로 2-브로모-6-(3,4-디클로로피리딘-2-일)페놀을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 3]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-14 (31.3g, 수득률 75%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.09(t, 1H), 7.36~7.45 (m, 2H), 7.70(d, 1H), 8.59(d, 1H)
[LCMS] : 282
[
준비예
15] S-15의 합성
상온에서 S-4 (2.8g, 9.94 mmol), 9-페닐-3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-9H-카바졸 (3.14g, 11 mmol)을 2-neck flask 에 넣는다. Pd(PPh3)4 (0.34g, 0.3 mmol) 과 K2CO3 (4.12g, 30 mmol) 을 첨가한다. Toluene 100ml 첨가 후 6시간 가열환류한다. 반응 종결 후 용액을 Silica hot filter 한다. 용매 제거 후 ethanol로 씻어준다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:3) 로 정제 후 화합물 S-15 (1.81g, 수득률 41%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.11(t, 1H), 7.20~7.34(m, 4H), 7.40~7.56(m, 7H), 7.70(s, 1H), 7.77(s, 1H), 7.98(s, 1H), 8.20(d, 1H), 8.79(s, 1H)
[LCMS] : 444
[
준비예
16] S-16의 합성
상온에서 S-15 (8g, 18 mmol), Pd(dppf)Cl2 (0.53g 0.72 mmol), KOAc (3.53g, 36 mmol), 비스(피나콜레이트)디보란 (5.5g, 22 mmol), X-phos (1.72g, 3.6 mmo) 을 2-neck flask에 넣느다. 질소조건을 유지하면서 1.4-dioxane (200 ml)을 넣고 reflux 한다. 12시간 반응 후 반응 종결 후 용액을 EA로 실리카 필터 한다. 용매 제거 후 흰색 powder 화합물 S-16 (8.8g, 수득률 92%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 1.29(s, 12H), 7.09(t, 1H), 7.20~7.36(m, 4H), 7.40~7.56(m, 7H), 7.71~7.82(t, 3H), 8.19(d, 1H), 8.75(s, 1H)
[LCMS] : 536
[
준비예
17] S-17의 합성
반응물로 3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-디벤조퓨란을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 14]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:4) 로 정제 후 용매를 제거한다. Toluene으로 재결정하여 목적 화합물 S-17 (6.5g, 수득률 56%)을 얻었다.
수득률 92%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.35~7.55(m, 7H), 7.65(s, 1H), 7.72(s, 1H), 7.96(d, 1H), 8.01(s, 1H), 8.77(s, 1H)
[LCMS] : 369
[
준비예
18] S-18의 합성
반응물로 S-17을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 15]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-18 (3.3g, 수득률 77%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 1.30(s, 12H), 7.31~7.42(m, 3H), 7.36~7.56(m, 3H), 7.64(s, 1H), 7.71(s, 1H), 7.80(s, 1H), 7.99(d, 1H), 8.70(s, 1H)
[LCMS] : 461
[
준비예
19] S-19의 합성
반응물로 10-페닐-3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-10H-페녹사진을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 14]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:4) 로 정제 후 용매를 제거한다. 클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 S-19 (4.1g, 수득률 38%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 6.42~6.51(m, 4H), 6.58~6.73(m, 3H), 6.88(s, 1H), 6.97~7.02(m, 3H), 7.19(d, 1H), 7.42(d, 1H), 7.50(d, 1H), 7.72(s, 1H), 7.98(s, 1H), 8.79(s, 1H)
[LCMS] : 460
[
준비예
20] S-20의 합성
반응물로 S-19을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 15]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-20 (4.6g, 수득률 91%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 1.26(s, 12H), 6.42~6.48(m, 4H), 6.56~6.74(m, 3H), 6.89(s, 1H), 6.98~7.01(m, 3H), 7.18(d, 1H), 7.40(d, 1H), 7.48(d, 1H), 7.72(s, 1H), 7.81(s, 1H), 8.75(s, 1H)
[LCMS] : 552
[
준비예
21] S-21의 합성
반응물로 2-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 14]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:2) 로 정제 후 용매를 제거한다. Toluene으로 재결정하여 목적 화합물 S-21 (7.4g, 수득률 68%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 1.76(s, 6H), 7.29(t, 1H), 7.38~7.60(m, 5H), 7.70(s, 1H), 7.77(s, 1H), 7.84(d, 1H), 7.90(d, 1H), 7.99(s, 1H), 8.80(s, 1H)
[LCMS] : 395
[
준비예
22] S-22의 합성
반응물로 S-21을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 15]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-22 (6.6g, 수득률 80%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 1.28(s, 12), 1.67(s, 6H), 7.30(t, 1H), 7.38~7.41(m, 2H), 7.48~7.61(m, 3H), 7.77(d, 2H), 7.80(s, 1H), 7.84(d, 1H), 7.93(d, 1H), 8.72(s, 1H)
[LCMS] : 487
[
준비예
23] S-23의 합성
반응물로 S-8 과 9-페닐-3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 14]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:1) 로 정제 후 용매를 제거한다. Toluene으로 재결정하여 목적 화합물 S-23 (5.4g, 수득률 70%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.18(t, 1H), 7.20~7.38(m, 4H), 7.40~7.55(m, 8H), 7.74(s, 1H), 7.80(s, 1H), 8.24(d, 1H), 8.66(d, 1H)
[LCMS] : 444
[
준비예
24] S-24의 합성
반응물로 S-23을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 15]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-24 (4.8g, 수득률 81%)을 얻었다.
재결정하여 목적 화합물 S-23 (5.4g, 수득률 70%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 1.32(s, 12H), 7.09(t, 1H), 7.21~7.36(m, 4H), 7.40~7.58(m, 8H), 7.70(s, 1H), 7.78(s, 1H), 8.31(d, 1H), 8.70(d, 1H)
[LCMS] : 536
[
준비예
25] S-25의 합성
반응물로 S-11 과 9-페닐-3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 14]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:1) 로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 ethanol로 씻어준 후 Toluene으로 재결정하여 목적 화합물 S-25 (2.3g, 수득률 40%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.11(t, 1H), 7.19~7.35(m, 5H), 7.39~7.54(m, 5H), 7.70(d, 1H), 7.81(s, 1H), 7.97(d, 1H), 8.03(s, 1H), 8.27(d, 1H), 8.83(s, 1H)
[LCMS] : 444
[
준비예
26] S-26의 합성
반응물로 S-25을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 15]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-26 (2.0g, 수득률 84%)을 얻었다.
1H-NMR: 1.34(s, 12H), 7.12(t, 1h), 7.19~7.32(m, 5H), 7.39~7.61(m, 5H), 7.67(d, 1H), 7.69(d, 1H), 7.78(d, 1H), 7.98(d, 1H), 8.22(d, 1H), 8.73(s, 1H)
[LCMS] : 536
[
준비예
27] S-27의 합성
반응물로 S-14 과 9-페닐-3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 14]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:1) 로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 Methanol로 씻어준 후 Toluene으로 재결정하여 목적 화합물 S-27 (5.3g, 수득률 60%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.10(t, 1h), 7.22~7.37(m, 5H), 7.45~7.60(m, 6H), 7.76(d, 1H), 7.87(s, 1H), 8.02(d, 1H), 8.29(d, 1H), 8.64(d, 1H)
[LCMS] : 444
[
준비예
28] S-28의 합성
반응물로 S-27을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 15]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물 S-28 (4.1g, 수득률 74%)을 얻었다.
[LCMS] : 536
[
합성예
1] 화합물 A-1의 합성
상온에서 S-16 (5.5g, 10.2 mmol), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 (3.27g, 12.2 mmol)을 2-neck flask 에 넣는다. Pd(PPh3)4 (0.47g, 0.41 mmol)과 NaOH (1.22g, 31 mmol)을 첨가한다. Toluene 200ml 첨가 후 8시간 가열환류한다. 반응 종결 후 Toluene을 이용하여 Silica hot filter 한다. 용매 제거 후 증류수 와 ethanol로 씻어준다. 디클로로벤젠으로 재결정 하여 화합물 A-1 (1.81g, 수득률 41%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.11(t, 1H), 7.20~7.33(m, 4H), 7.40~7.62(m, 13H), 7.74(s, 1H), 7.79(s, 1H), 8.01(s, 1H), 8.22(d, 1H), 8.41(m, 4H), 8.86(s, 1H)
[LCMS] : 641
[
합성예
2] 화합물 A-9의 합성
반응물로 S-16과 2-클로로-4-페닐-6-(3-(피리딘-3-일)페닐)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:1)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수와 Acetone로 씻어준 후 디클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 A-9 (2.3g, 수득률 58%)을 얻었다.
[LCMS] : 718
[
합성예
3] 화합물 A-13의 합성
반응물로 S-16과 2-클로로-4-페닐-6-(디벤조퓨란-4-일)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:4)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수 와 Acetone로 씻어준 후 디클로롤벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 A-13 (4.8g, 수득률 72%)을 얻었다.
[LCMS] : 731
[
합성예
4] 화합물 A-1-1의 합성
반응물로 S-22과 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:2)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수 와 Acetone로 씻어준 후 Toluene으로 재결정하여 목적 화합물 A-1-1 (2.8g, 수득률 66%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.11(t, 1H), 7.28~7.52(m, 11H), 7.73(s, 1H), 7.76(s, 1H), 7.85(d, 1H), 7.91(d, 1H), 8.99(s, 1H), 8.39(m, 4H), 8.84(s, 1H)
[LCMS] : 592
[
합성예
5] 화합물 A-2-1의 합성
반응물로 S-18과 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:2)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수 와 Acetone로 씻어준 후 Toluene으로 재결정하여 목적 화합물 A-1-1 (2.8g, 수득률 86%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.11(t, 1H), 7.32~7.60(m, 12H), 7.69(d, 2H), 7.98(m, 2H), 8.44(m, 4H), 8.90(s, 1H)
[LCMS] : 566
[
합성예
6] 화합물 A-3-1의 합성
반응물로 S-24과 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:2)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 디클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 A-3-1 (1.8g, 수득률 72%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.18(t, 1H), 7.29~7.33(m, 4H), 7.40~7.62(m, 14H), 7.80(s, 1H), 8.29(d, 1H), 8.46(m, 4H), 8.75(d, 1H)
[LCMS] : 641
[
합성예
7] 화합물 A-3-14의 합성
반응물로 S-24과 2-클로로-4-페닐-6-(디벤조퓨란-3-일)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:1)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 디클로롤벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 A-3-14 (4.4g, 수득률 70%)을 얻었다.
[LCMS] : 731
[
합성예
8] 화합물 B-13의 합성
반응물로 S-16과 2-클로로-4-(디벤조퓨란-1-일)-6-(4-(피리딘-3-일)페닐)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:1)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 디클로롤벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 B-13 (1.3g, 수득률 59%)을 얻었다.
[LCMS] : 808
[
합성예
9] 화합물 B-21의 합성
반응물로 S-16과 2-클로로-4-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-1-일)-6-(4-(피리딘-3-일)페닐)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=2:1)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 디클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 B-21 (1.7g, 수득률 69%)을 얻었다.
[LCMS] : 834
[
합성예
10] 화합물 B-3-1의 합성
반응물로 S-26과 2-(비페닐-3-일)-4-클로로-6-(디벤조퓨란-1-일)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=2:1)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 디클로롤벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 B-3-1 (0.9g, 수득률 44%)을 얻었다.
[LCMS] : 807
[
합성예
11] 화합물 B-3-13의 합성
반응물로 S-26과 2-클로로-4-(디벤조퓨란-1-일)-6-(4-(피리딘-3-일)페닐)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:2)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 B-3-13 (1.2g, 수득률 51%)을 얻었다.
[LCMS] : 808
[
합성예
12] 화합물 C-1의 합성
반응물로 S-16과 2-(4-클로로페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:3)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 Toluene으로 재결정하여 목적 화합물 C-1 (2.9g, 수득률 71%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.11(t, 1H), 7.32~7.60(m, 12H), 7.69(d, 2H), 7.98(m, 2H), 8.44(m, 4H), 8.90(s, 1H)
[LCMS] : 717
[
합성예
13] 화합물 C-3-1의 합성
반응물로 S-20과 2-(4-클로로페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:4)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 C-3-1 (3.1g, 수득률 79%)을 얻었다.
[LCMS] : 733
[
합성예
14] 화합물 E-1의 합성
반응물로 S-16과 4-클로로-2,6-디페닐피리미딘을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:6)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 E-1 (3.1g, 수득률 82%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.18(t, 1H), 7.26~7.44(m, 4H), 7.51~7.61(m, 13H), 7.85(d, 2H), 7.95(d, 2H), 8.07(s, 1H), 8.29(d, 1H), 8.35(s, 1H), 8.42(m, 2H), 8.88(s, 1H)
[LCMS] : 640
[
합성예
15] 화합물 E-2의 합성
반응물로 S-16과 2-(비페닐-4-일)-4-클로로-6-페닐피리미딘을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:5)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 E-2 (3.6g, 수득률 78%)을 얻었다.
[LCMS] : 716
[
합성예
16] 화합물 E-6의 합성
반응물로 S-16과 4-클로로-6-페닐-2-(4-(피리딘-3-일)페닐)피리미딘을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:4)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 E-6 (2.9g, 수득률 68%)을 얻었다.
[LCMS] : 717
[
합성예
17] 화합물 E-2-1의 합성
반응물로 S-18과 4-클로로-2,6-디페닐피리미딘을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:4)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 디클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 E-2-1 (2.1g, 수득률 61%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.34~7.55(m, 13H), 7.74(s, 1H), 7.87(s, 1H), 7.88(d, 2H), 8.02(d, 2H), 8.32(s, 1H), 8.39(m, 2H), 8.82(s, 1H)
[LCMS] : 565
[
합성예
18] 화합물 E-2-6의 합성
반응물로 S-18과 4-클로로-6-페닐-2-(4-(피리딘-3-일)페닐)피리미딘을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:3)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 Toluene으로 재결정하여 목적 화합물 E-2-6 (3.0g, 수득률 67%)을 얻었다.
[LCMS] : 642
[
합성예
19] 화합물 E-3-1의 합성
반응물로 S-28과 4-클로로-2,6-디페닐피리미딘 을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:4)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 E-3-1 (3.4g, 수득률 70%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.16(t, 1H), 7.29~7.40(m, 5H), 7.50~7.76(m, 13H), 7.86(s, 1H), 7.95(m, 3H), 8.29(d, 1H), 8.39(s, 1H), 8.46(m, 2H), 8.75(d, 1H)
[LCMS] : 640
[
합성예
20] 화합물 E-3-2의 합성
반응물로 S-28과 2-(비페닐-4-일)-4-클로로-6-페닐피리미딘을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(EA:Hexane=1:5)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 E-3-1 (1.4g, 수득률 55%)을 얻었다.
[LCMS] : 716
[
합성예
21] 화합물 E-3-3의 합성
반응물로 S-26과 4-클로로-2,6-디페닐피리미딘을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하였다. 컬럼크로마토그래피(MC:Hexane=1:2)로 정제 후 용매를 제거한다. 얻어진 고체를 증류수, methanol, Acetone로 씻어준 후 클로로벤젠으로 재결정하여 목적 화합물 E-3-3 (2.0g, 수득률 49%)을 얻었다.
1H-NMR: 7.14~7.36(m, 6H), 7.46~7.61(m, 11H), 7.72(d, 1H), 7.83(s, 1H), 7.91(m, 3H), 8.03(s, 1H), 8.25(d, 1H), 8.43(s, 1H), 8.48(m, 2H), 8.97(s, 1H)
[LCMS] : 640
[
실시예
1 내지 21] 녹색 유기
전계
발광 소자의 제작
상기 합성예에서 합성한 화합물을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후 아래의 과정에 따라 녹색 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
먼저, ITO (Indium tin oxide)가 1500Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV OZONE 세정기 (Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음 UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 m-MTDATA (60 nm)/TCTA (80 nm)/ 90% 표 1의 화합물 + 10 % Ir(ppy)3 (300nm)/BCP (10 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
m-MTDATA, TCTA, Ir(ppy)3, CBP, BCP, ex 1 및 ex 2의 구조는 하기와 같다.
[
비교예
1 내지 3] 녹색 유기
전계
발광 소자의 제작
발광층 형성시 발광 호스트 물질로서 화합물 A-1 대신 ex 1, ex 2 및 CBP를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정으로 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
[
평가예
1]
실시예 1 내지 21, 비교예 1 내지 3에서 제작한 각각의 유기 전계 발광 소자에 대하여 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압, 전류효율 및 발광 피크를 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 샘플 | 호스트 | 구동 전압 | EL 피크 | 전류효율 |
| (V) | (nm) | (cd/A) | ||
| 실시예 1 | A-1 | 6.20 | 518 | 44.8 |
| 실시예 2 | A-9 | 6.18 | 518 | 44.9 |
| 실시예 3 | A-13 | 6.46 | 518 | 41.3 |
| 실시예 4 | A-1-1 | 6.7 | 517 | 41.3 |
| 실시예 5 | A-2-1 | 6.72 | 515 | 43.1 |
| 실시예 6 | A-3-1 | 6.22 | 518 | 45.1 |
| 실시예 7 | A-3-14 | 6.66 | 518 | 41.4 |
| 실시예 8 | B-13 | 6.32 | 516 | 44.5 |
| 실시예 9 | B-21 | 6.88 | 518 | 38.7 |
| 실시예 10 | B-3-1 | 6.54 | 518 | 44.9 |
| 실시예 11 | B-3-13 | 6.47 | 518 | 43.3 |
| 실시예 12 | C-1 | 6.21 | 517 | 43.8 |
| 실시예 13 | C-3-1 | 6.29 | 515 | 43.1 |
| 실시예 14 | E-1 | 6.27 | 518 | 44.7 |
| 실시예 15 | E-2 | 6.37 | 518 | 41.4 |
| 실시예 16 | E-6 | 6.22 | 518 | 42.8 |
| 실시예 17 | E-2-1 | 6.30 | 516 | 42 |
| 실시예 18 | E-2-6 | 6.24 | 518 | 42.9 |
| 실시예 19 | E-3-1 | 6.60 | 518 | 44.8 |
| 실시예 20 | E-3-2 | 6.58 | 516 | 44.1 |
| 실시예 21 | E-3-3 | 6.73 | 515 | 44.9 |
| 비교예 1 | ex 1 | 6.90 | 516 | 40.3 |
| 비교예 2 | ex 2 | 6.52 | 517 | 39.8 |
| 비교예 3 | CBP | 6.98 | 516 | 38.2 |
상기 표 1로부터 실시예 1 내지 21에서 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광피크 및 전류효율은 각각 비교예 1 내지 3에서 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광피크 및 전류효율에 비하여 우수함을 확인할 수 있다.
10: 양극 20: 음극
30: 유기층 31: 정공 수송층
32: 발광층 33: 정공 수송 보조층
34: 전자 수송층 35: 전자 수송 보조층
36: 전자 주입층 37: 정공 주입층
30: 유기층 31: 정공 수송층
32: 발광층 33: 정공 수송 보조층
34: 전자 수송층 35: 전자 수송 보조층
36: 전자 주입층 37: 정공 주입층
Claims (14)
- 하기 화학식 2 내지 7 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
상기 화학식 2 내지 7에서,
m은 0 내지 4의 정수이며;
n 및 l은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합, C6~C18의 아릴렌기 및 핵원자수 5 내지 18개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되고;
X1 내지 X3는 각각 독립적으로 동일하거나 상이한 C(R7)이고, X4는 N이며;
상기 L2에 결합되는 X1 내지 X3 중 어느 하나의 R7은 부재이며;
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또는 C(R8)이고, 반드시 하나는 N이며;
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하나, 화학식 2로 표시되는 화합물인 경우 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 디벤조퓨란기 또는 디벤조싸이오펜기이고, 화학식 6으로 표시되는 화합물인 경우 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 디벤조퓨란기이며,
R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하고, 상기 R1 내지 R8 각각이 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
상기 L1 및 L2의 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기와, 상기 Ar1, Ar2 및 R1 내지 R8의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 R1 내지 R6은 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 R1 내지 R6의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이한 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합이거나, 하기 화학식 A-1 내지 A-4로 이루어진 군에서 선택된 링커인 화합물:
상기 화학식 A-1 내지 A-4에서,
*는 결합이 이루어지는 부분을 의미한다. - 제5항에 있어서,
상기 A-1로 표시되는 링커는 하기 화학식 B-1 또는 B-2로 표시되는 링커인 화합물:
상기 화학식 B-1 또는 B-2에서,
*는 결합이 이루어지는 부분을 의미한다. - 제1항에 있어서,
상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 Ar1 및 Ar2의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이한 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 하기 화학식 C-1 내지 C-5 중 어느 하나로 표시되는 치환기인 화합물:
상기 화학식 C-1 내지 C-5에서,
*은 결합이 이루어지는 부분을 의미하고;
p는 0 내지 5의 정수이며;
q는 0 내지 4의 정수이며;
R9 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하고, 상기 R9 및 R10각각이 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
상기 R9 내지 R12의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다. - 제8항에 있어서,
상기 R9 및 R10은 각각 독립적으로 C1~C30의 알킬기, C6~C30의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 30개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 화합물. - 제8항에 있어서,
상기 화학식 C-1로 표시되는 치환기는 하기 화학식 D-1 내지 D-5 중 어느 하나로 표시되는 치환기인 화합물:
상기 화학식 D-1 내지 D-5에서,
*은 결합이 이루어지는 부분을 의미한다. - 제1항에 있어서,
상기 화합물은 아래의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
- 하기 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물:
- (i) 양극, (ii) 음극, 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서,
상기 1층 이상의 유기물층 중에서 적어도 하나는 제1항 또는 제 12항에 따른 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제13항에 있어서,
상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 수송 보조층, 전자 수송층, 전자 수송 보조층 및 발광층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 층을 포함하는, 유기 전계 발광 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170178127A KR102599415B1 (ko) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170178127A KR102599415B1 (ko) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190076376A KR20190076376A (ko) | 2019-07-02 |
| KR102599415B1 true KR102599415B1 (ko) | 2023-11-08 |
Family
ID=67258430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170178127A KR102599415B1 (ko) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102599415B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102559792B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2023-07-27 | 솔루스첨단소재 주식회사 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| WO2021033724A1 (ja) * | 2019-08-19 | 2021-02-25 | 出光興産株式会社 | 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 |
| CN113150003B (zh) * | 2020-01-22 | 2023-04-07 | 北京绿人科技有限责任公司 | 一种有机发光化合物及有机电致发光器件 |
| CN113150002B (zh) * | 2020-01-22 | 2022-09-13 | 北京绿人科技有限责任公司 | 一种有机化合物及有机电致发光器件 |
| EP4043453A1 (en) * | 2021-02-11 | 2022-08-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Compound, material for an organic electroluminescence device and an organic electroluminescence device comprising the compound |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102191780B1 (ko) * | 2012-12-18 | 2020-12-16 | 에스에프씨 주식회사 | 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
-
2017
- 2017-12-22 KR KR1020170178127A patent/KR102599415B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190076376A (ko) | 2019-07-02 |
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