KR102599122B1 - 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크 - Google Patents
포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102599122B1 KR102599122B1 KR1020230026310A KR20230026310A KR102599122B1 KR 102599122 B1 KR102599122 B1 KR 102599122B1 KR 1020230026310 A KR1020230026310 A KR 1020230026310A KR 20230026310 A KR20230026310 A KR 20230026310A KR 102599122 B1 KR102599122 B1 KR 102599122B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- focus ring
- shank
- diamond
- value
- curved surface
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 title 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P5/00—Setting gems or the like on metal parts, e.g. diamonds on tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/04—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic
- B24D3/06—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic metallic or mixture of metals with ceramic materials, e.g. hard metals, "cermets", cements
- B24D3/10—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic metallic or mixture of metals with ceramic materials, e.g. hard metals, "cermets", cements for porous or cellular structure, e.g. for use with diamonds as abrasives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
Abstract
본 발명은 포커스 링의 모서리별로 원하는 스펙에 맞춰 정확한 R값을 가지도록 가공할 수 있는 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크에 관한 것이다.
Description
본 발명은 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포커스 링의 모서리별로 원하는 스펙에 맞춰 정확한 R값을 가지도록 가공할 수 있는 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크에 관한 것이다.
반도체 제조 과정 중 에칭(Etching) 공정은 회로의 패턴 중 필요한 부분만 남기고 불필요한 부분을 깎아내는 공정이다. 도 1에 나타난 포커스 링(Focus ring) 또는 가이드 링(Guide ring)은 에칭 공정에서 웨이퍼(Wafer)를 고정시키기 위해 사용된다. 에칭 공정에서 웨이퍼가 안정적으로 고정되지 않으면, 회로에 손상이 생길 수 있다. 회로 손상은 생산 수율에 직접적인 영향을 미치므로, 에칭 공정에서 포커스 링 또는 가이드 링이 웨이퍼를 안정적으로 고정시키는 것은 매우 중요하다.
포커스 링 또는 가이드 링(이하, ‘포커스 링’이라 한다.)은 실리콘(Si) 또는 쿼츠(Quartz) 소재가 사용되었으나, 내부식성 및 내열성이 상대적으로 뛰어난 실리콘 카바이드(SiC) 소재가 많이 사용되고 있다. 이러한 소재들은 형상 가공이 어려워 깨짐이 발생하는 경우가 많다. 특히, 직각 형태를 가지는 포커스 링의 모서리를 별도로 가공하지 않으면, 모서리가 쉽게 깨지면서 파티클(Particle)이 발생할 수 있다.
포커스 링의 모서리를 둥글게 가공하면, 파티클 발생을 최소화시킬 수 있다. 이때, 포커스 링의 각각의 모서리별로 원하는 스펙에 맞게 정확한 R값을 가지도록 가공하는 것이 중요하다. 그러나 다이아몬드 전착 공구로 가공 후, 포커스 링의 모서리를 측정하면 실제 R값이 다른 경우가 많았다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 포커스 링의 모서리별로 원하는 스펙에 맞춰 정확한 R값을 가지도록 가공할 수 있는 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크를 제공함에 있다.
본 발명의 과제는 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크는, 제1반지름을 가지는 제1원통부와, 제2반지름을 가지는 제2원통부를 포함하는 바디부; 및 상기 제2원통부의 모서리에 곡률지게 형성되며 다이아몬드 분말이 전착되는 절삭부를 포함하고, 상기 바디부가 회전하면서 상기 절삭부가 포커스 링의 외면과 접촉하여 상기 포커스 링을 가공하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 다이아몬드 전착 공구용 샹크의 절삭부에 연장면을 포함하여 샹크 표면에 다이아몬드 분말이 균일하게 전착되므로 다이아몬드 분말 전착 후에도 곡면의 곡률이 변하지 않는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 기울어진 연장면에 의해 곡면의 곡률이 일정하게 유지되면서도 연장면에 의한 단차 발생을 방지할 수 있어 원하는 곡률 스펙에 맞춰 포커스 링을 정확하고 매끄럽게 가공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 기존 포커스 링을 나타낸 도면이다.
도 2는 기존 다이아몬드 전착 공구의 샹크를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크의 단면을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크의 절삭부의 단면을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 6은 포커스 링에 단차가 발생한 모습을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크에 의해 가공된 포커스 링을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크에 의해 가공된 포커스 링의 외경 하부 모서리를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 2는 기존 다이아몬드 전착 공구의 샹크를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크의 단면을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크의 절삭부의 단면을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 6은 포커스 링에 단차가 발생한 모습을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크에 의해 가공된 포커스 링을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크에 의해 가공된 포커스 링의 외경 하부 모서리를 확대하여 나타낸 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
이하에서는 이 분야의 기술자에게 자명한 사항으로서 본 발명의 특징을 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 공지된 구성이나 기능에 대한 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2는 기존 다이아몬드 전착 공구의 샹크를 확대하여 나타낸 도면이다. 도 2의 샹크는 모서리를 R값 0.3으로 곡률지게 형성한 것이다. 그러나 실제 R값은 0.415로 측정되며, 원래 의도했던 R값인 0.3 보다 크다는 것을 확인할 수 있다. 이는 다이아몬드 분말이 샹크 표면에 균일하게 전착되지 않고, 곡률이 있는 부분에 상대적으로 더 많은 다이아몬드 분말이 전착되면서 전체적인 곡률이 미세하게 변하기 때문이다. 다시 말해, 의도했던 R값을 가지도록 샹크의 형상을 가공하더라도, 다이아몬드 분말이 샹크의 곡면에 균일하게 전착되지 않는다. 이로 인해 다이아몬드 전착 후 대부분의 샹크가 의도했던 R값을 가지지 못하며, 양품율이 전체 수량의 50% 수준에 불과할 정도였다.
이러한 샹크로 포커스 링(F)을 가공하게 되면, 샹크 자체의 R값과는 다른 R값으로 가공이 이루어진다. 즉, 원하는 스펙과는 전혀 다른 스펙으로 포커스 링(F)이 가공되므로 매우 높은 불량률이 발생하게 된다. 따라서 다이아몬드 분말 전착 후에도 샹크의 곡면이 의도했던 곡률 그대로 유지되는 것은 포커스 링(F) 가공 공정에서 굉장히 중요하다.
본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크는 다이아몬드 분말 전착 후에도 곡면의 곡률이 변하지 않는다. 따라서 원하는 곡률 스펙에 맞춰 포커스 링(F)을 정확하게 가공할 수 있으며, 불량률을 획기적으로 낮출 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크를 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크의 단면을 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크는, 제1반지름(R1)을 가지는 제1원통부(110)와, 제2반지름(R2)을 가지는 제2원통부(120)를 포함하는 바디부(100); 및 상기 제2원통부(120)의 모서리에 곡률지게 형성되며 다이아몬드 분말이 전착되는 절삭부(200)를 포함하고, 상기 바디부(100)가 회전하면서 상기 절삭부(200)가 포커스 링(F)의 외면과 접촉하여 상기 포커스 링(F)을 물리적으로 가공한다.
상기 바디부(100)의 제1원통부(110) 및 제2원통부(120)는 원통형으로 형성된다. 이때, 제2반지름(R2)은 제1반지름(R1)보다 크거나 같을 수 있다. 그러나 실시예에 따라, 제1반지름(R1) 및 제2반지름(R2)은 다양하게 결정될 수 있다. 제1원통부(110)는 동력부(미도시)와 직/간접적으로 연결되어 회전할 수 있으며, 이에 제2원통부(120)도 회전할 수 있다.
상기 절삭부(200)는 제2원통부(120)의 모서리 적어도 일부에 곡률지게 형성된다. 그리고 절삭부(200)에는 다이아몬드 분말이 전착된다.
상기 제2원통부(120)가 회전하면서 절삭부(200)가 포커스 링(F)의 외면과 접촉하면, 다이아몬드 분말과 함께 포커스 링(F)의 외면을 절삭한다. 상기 포커스 링(F)은 접촉하는 절삭부(200)의 곡률 형상에 따라 마모되면서 가공이 이루어진다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크의 절삭부(200)의 단면을 확대하여 나타낸 도면이다.
상기 절삭부(200)는 곡면(210) 및 곡면(210)의 양 단부에서 이어지는 연장면(220)을 포함한다.
상기 곡면(210)은 단면이 미리 설정된 R값을 가지도록 형성된다. 여기서, R값은 반지름(Radius) 값 또는 라운딩(Rounding) 값으로서, 모서리가 얼마나 둥글게 처리되어 있는지를 나타내는 값이다.
또는, 수학적으로 R값은 R값을 반지름으로 하는 원의 원호에 해당하는 곡률을 의미한다. 실시예에 따라서, 미리 설정된 R값은 0.127 내지 0.381일 수 있다. 바람직하게, 미리 설정된 R값은 0.3일 수 있다. 이는 포커스 링(F)의 외경 하부 모서리에 요구되는 R값에 해당하나, 포커스 링(F)의 크기 및 가공 부분에 따라 다양하게 결정될 수 있다.
상기 곡면(210)의 R값에 따라 포커스 링(F)의 R값이 결정되므로, 곡면(210)의 R값을 원하는 스펙에 맞춰 정확하고 일정하게 형성하는 것이 중요하다. 특히, 다이아몬드 분말 전착 후에도 곡면(210)의 R값이 변하지 않아야 한다.
상기 연장면(220)은 곡면(210)의 양 단부에서 이어지면서 다이아몬드 분말이 절삭부(200) 전체에 균일하게 전착되도록 한다.
즉, 상기 절삭부(200)의 표면적을 넓혀 다이아몬드 분말이 곡면(210) 부분에만 주로 전착되지 않도록 한다.
상기 연장면(220)의 길이는 바람직하게 0.5mm 내지 1.5mm일 수 있다. 바람직하게는, 연장면(220)의 길이는 0.845일 수 있다.
상기 연장면(220)이 너무 넓어지면 가공이 어려워지거나, 연장면(220)에 의해 가공 형상이 변형될 수 있기 때문이다. 이러한 연장면(220)의 길이는 미리 설정된 R값 0.3으로 가공하기 위해 발명자가 반복적인 시뮬레이션을 통해 도출한 값에 해당한다. 따라서 연장면(220)의 길이는 미리 정해진 R값에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
도 6은 포커스 링에 단차가 발생한 모습을 나타낸 도면이다. 도 6의 A를 참조하면, 연장면(220)으로 인해 늘어난 길이만큼 포커스 링(F)에 단차가 발생할 수 있다. 이러한 단차 발생을 없애기 위해서, 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크는 연장면(220)이 곡면(210)과 일체로 연결되며, 4~6°의 기울기를 가진다.
다시 도 5를 참조하면, 연장면(220)은 연장면(220)을 이루는 선이 단면에서 곡면(210)의 R값을 반지름으로 하는 원의 원주상에 있는 곡면(210)의 한 점에서 접하는 접선과 일치한다.
상기 곡면(210)의 R값을 반지름으로 하는 원은 C이고, C의 원주상에 있는 곡면(210)의 한 점은 P1, 그리고 P1에서 접하는 접선은 T로 표시되어 있다.
그러면 C의 원주상에 있으면서, 동시에 곡면(210)의 한 점에 해당하는 P1에서의 T는 연장면(220)을 이루는 선에 해당한다. 이때, T는 곡면(210)상의 P1을 지나므로 상기 곡면(210) 및 연장면(220)은 서로 일체로 연결된다.
이때, 다이아몬드 분말은 곡면(210) 및 연장면(220) 모두에 전착된다. 곡면(210) 및 연장면(220)이 서로 일체로 연결되므로, 다이아몬드 분말이 곡면(210)에 뭉치지 않고 곡면(210) 및 연장면(220)에 균일하게 전착될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크는 다이아몬드 분말 전착 후에도 곡면(210)의 R값이 변하지 않으며, 원하는 곡률 스펙에 맞춰 정확하게 포커스 링(F)을 가공할 수 있다.
접선 T는 단면에서 곡면(210)의 단부상의 한 점을 지나는 직선을 기준으로 4° 내지 6°의 기울기를 가진다. 도 5에서 곡면(210)의 단부상의 한 점은 P2이고, P2를 지나는 직선은 L로 표시되어 있다. 상기 곡면(210)의 끝점에 해당하는 점 P2를 지나는 직선 L 또는 P2에서 접하는 직선 L은 원 C의 중심선과 수직이다.
이러한 직선 L과 접선 T의 각도는 4° 내지 6°에 해당한다. 바람직하게는, 4.8° 내지 5°일 수 있다. 이러한 각도 또는 기울기는 미리 설정된 R값 0.3으로 가공하기 위해 발명자가 반복적인 시뮬레이션을 통해 도출한 값에 해당한다. 따라서 접선 T의 각도 또는 기울기는 미리 정해진 R값에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크는 연장면(220)이 접선 T의 기울기만큼 기울어져 형성되면서 동시에 곡면(210)과 일체로 연결되므로, 포커스 링(F) 가공 시에도 도 6과 같은 단차가 발생하지 않는다. 상기 연장면(220)의 기울기로 인해 단차가 발생하더라도 연장면(220)처럼 곡면(210)과 이어지며 매끄럽게 가공되기 때문이다.
또한, 상기 연장면(220)은 제2원통부(120)와 이어지는 모서리가 일정한 곡률을 가진다. 도 5에서 제2원통부(120)와 이어지는 모서리는 점 E로 표시되어 있다. 연장면(220)의 모서리 또한 곡선으로 형성되어 모서리가 깨지는 것을 방지할 수 있으며, 포커스 링(F)과 보다 매끄럽게 접촉하여 가공할 수 있다. 실시예에 따라 곡률은 다양하게 결정될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크에 의해 가공된 포커스 링(F)을 나타낸 도면이다. 그리고 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크에 의해 가공된 포커스 링(F)의 모서리를 확대하여 나타낸 도면이다. 도 7에서 B로 표시된 포커스 링(F) 외경 하부의 R값은 0.3이이어야 한다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크로 5번 가공한 결과, 포커스 링(F) 외경 하부의 평균 R값은 0.296으로, 0.3과 0.004의 차이 밖에 나지 않는다. 즉, 포커스 링(F) 가공 결과 R값이 안정적으로 0.3에 수렴하는 것을 알 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구는 전술한 실시예에 따른 샹크를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구는 공구에 결합되는 샹크의 형상으로 인해 전술한 실시예에 따른 샹크와 동일한 특징을 가진다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안 될 것이다.
C: 원
F: 포커스 링
L: 직선
P1,P2: 점
R1: 제1반지름
R2: 제2반지름
T: 접선
100: 바디부
110: 제1원통부
120: 제원통부
200: 절삭부
210: 곡면
220: 연장면
F: 포커스 링
L: 직선
P1,P2: 점
R1: 제1반지름
R2: 제2반지름
T: 접선
100: 바디부
110: 제1원통부
120: 제원통부
200: 절삭부
210: 곡면
220: 연장면
Claims (10)
- 제1반지름(R1)을 가지는 제1원통부(110)와, 제2반지름(R2)을 가지는 제2원통부(120)를 포함하는 바디부(100); 및
상기 제1원통부(110)의 하부면은 상기 제2원통부(120)의 상부면과 연결되며,
상기 제2원통부(120)의 하부면은 모서리에 다이아몬드 분말이 전착되는 절삭부(200)를 포함하고,
상기 바디부(100)가 회전하면서 상기 절삭부(200)가 포커스 링(F)의 외면과 접촉하여 상기 포커스 링(F)을 가공하며,
상기 절삭부(200)는,
기 설정된 기울기를 가지며 상기 제2원통부(120)의 하부면의 모서리 끝단에서 상기 제2원통부(120)의 내측 방향으로 이어지는 연장면(220)을 포함하며,
상기 연장면(220)의 일단과 연결되어 미리 설정된 R값의 곡률을 가지도록 형성되는 곡면(210);을 포함하며,
상기 연장면(220)의 길이는 0.5mm 내지 1.5mm 이며,
상기 연장면(220)은 상기 곡면(210)의 R값을 반지름으로 하는 원(C)의 원주상에 있는 상기 곡면(210)의 한 점(P1)에서 접하는 접선(T)과 일치하는 것을 특징으로 하는 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 곡면(210) 및 상기 연장면(220)은,
서로 일체로 연결되는 것을 특징으로 하는 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크.
- 청구항 1에 있어서,
상기 다이아몬드 분말은,
상기 곡면(210) 및 상기 연장면(220)에 전착되는 것을 특징으로 하는 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크.
- 청구항 1에 있어서,
상기 미리 설정된 R값은,
0.3인 것을 특징으로 하는 포커스 링(F) 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크.
- 청구항 1에 있어서,
상기 연장면(220)은,
제2원통부(120)와 이어지는 모서리가 일정한 곡률을 가지는 것을 특징으로 하는 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크.
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20220100209 | 2022-08-10 | ||
| KR1020220100209 | 2022-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102599122B1 true KR102599122B1 (ko) | 2023-11-06 |
Family
ID=88748288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230026310A KR102599122B1 (ko) | 2022-08-10 | 2023-02-27 | 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102599122B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001079772A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-27 | Noritake Diamond Ind Co Ltd | フライス工具 |
| KR20100138359A (ko) * | 2009-06-25 | 2010-12-31 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | 다이아몬드 공구 |
| KR102266986B1 (ko) | 2020-02-12 | 2021-06-21 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포커스링, 포커스링의 제조방법 및 반도체소자의 제조방법 |
| KR20220011918A (ko) * | 2020-07-22 | 2022-02-03 | 주식회사 에지텍 | 다이아몬드 절삭공구와 이의 제조 방법 |
-
2023
- 2023-02-27 KR KR1020230026310A patent/KR102599122B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001079772A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-27 | Noritake Diamond Ind Co Ltd | フライス工具 |
| KR20100138359A (ko) * | 2009-06-25 | 2010-12-31 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | 다이아몬드 공구 |
| KR102266986B1 (ko) | 2020-02-12 | 2021-06-21 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포커스링, 포커스링의 제조방법 및 반도체소자의 제조방법 |
| KR20220011918A (ko) * | 2020-07-22 | 2022-02-03 | 주식회사 에지텍 | 다이아몬드 절삭공구와 이의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4263617B2 (ja) | 溝削り及び倣い削りのための切削インサート | |
| CN110087808B (zh) | 切削刀片及可转位刀片式切削工具 | |
| JP4689908B2 (ja) | 支持パッド | |
| US10882120B2 (en) | Cutting tool and method of manufacturing machined product | |
| TWI750172B (zh) | 切削工具 | |
| KR102599122B1 (ko) | 포커스 링 가공을 위한 다이아몬드 전착 공구용 샹크 | |
| CN105531055A (zh) | 切削镶刀、切削工具以及切削加工物的制造方法 | |
| US11325194B2 (en) | Thin drill | |
| US20210177543A1 (en) | Dental file | |
| KR100758276B1 (ko) | 파이프 단부 마감용 공구 | |
| CN110730700B (zh) | 铣削方法和切削刀片的用途 | |
| CN108176896B (zh) | 用于高精密深孔加工的挤光铰刀 | |
| JP2010274409A (ja) | マシナブルセラミックス加工用小径ドリル | |
| KR20140000141U (ko) | 드릴 구조 | |
| KR102178656B1 (ko) | 스텝이 형성된 드릴 및 스텝이 형성된 드릴의 제조 방법 | |
| CN112355333A (zh) | 一种刀具及其刀头结构 | |
| TW202126593A (zh) | 劃線輪 | |
| JP3657546B2 (ja) | ドリル | |
| KR20110023709A (ko) | 회전절삭공구 | |
| JP2006015419A (ja) | ボールエンドミル | |
| JP2016030298A (ja) | インサート、及び刃先交換式回転切削工具 | |
| JP2019042917A (ja) | 切削工具 | |
| JP2011025374A (ja) | エンドミル及びその製造方法 | |
| CN217749517U (zh) | 适用于涡旋盘的成型铣刀 | |
| CN212170916U (zh) | 一种半导体钻孔用无刃带型pcd钻头 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |