KR102598694B1 - 플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트 - Google Patents

플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트 Download PDF

Info

Publication number
KR102598694B1
KR102598694B1 KR1020227023529A KR20227023529A KR102598694B1 KR 102598694 B1 KR102598694 B1 KR 102598694B1 KR 1020227023529 A KR1020227023529 A KR 1020227023529A KR 20227023529 A KR20227023529 A KR 20227023529A KR 102598694 B1 KR102598694 B1 KR 102598694B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flux composition
weight
acid
methyl
butanediol
Prior art date
Application number
KR1020227023529A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220103198A (ko
Inventor
도모히사 가와나고
미유키 히라오카
히로요시 가와사키
Original Assignee
센주긴조쿠고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 filed Critical 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤
Publication of KR20220103198A publication Critical patent/KR20220103198A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102598694B1 publication Critical patent/KR102598694B1/ko

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3601Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with inorganic compounds as principal constituents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C13/00Alloys based on tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C13/00Alloys based on tin
    • C22C13/02Alloys based on tin with antimony or bismuth as the next major constituent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

본 발명의 플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올, 및 활성제를 포함하는 것이다.

Description

플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트
본 발명은, 플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트에 관한 것이다.
지금까지, 납땜용의 플럭스에 대하여 여러가지 개발이 이루어져 왔다. 이런 종류의 기술로서, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 기술이 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 용제로서 이소보닐시클로헥산올을 포함하는 플럭스 조성물이 기재되어 있다(특허문헌 1의 청구항 1).
특허문헌 1: 일본 특개 2015-160244호 공보
그렇지만, 본 발명자가 검토한 결과, 상기 특허문헌 1에 기재된 플럭스 조성물에 있어서, 급가열시에 있어서의 저잔사성의 점에서 개선의 여지가 있는 것이 판명되었다. 또한, 플럭스 조성물에 있어서는, 땜납 볼의 유지성이 요구된다.
본 발명자는 추가로 검토했는데, 다음과 같은 것이 지견되었다.
승온 속도의 빠른 리플로우나 TCB(열압착) 등에 따른 땜납 접합 프로세스에 있어서, 종래 보다도 높은 수준의 저잔사성이 요구된다.
종래의 저잔사용 플럭스의 용제로서, 이소보닐시클로헥산올이 사용되는 경우가 있다.
그렇지만, 이소보닐시클로헥산올은, 고점도 용제이기 때문에, 땜납 볼의 유지성이 뛰어나지만, 고비점 용제이기도 하기 때문에, 급속 가열시에 있어서의 잔사에 개선의 여지가 있었다.
이것에 대해서, 이소보닐시클로헥산올보다도 비점이 비교적 낮은 용제로서, 예를 들면, 헥실 디글리콜 등이 알려져 있다.
그렇지만, 헥실 디글리콜은, 비교적으로 저비점이지만, 저점도 용제이기도 하기 때문에, 땜납 볼의 유지성이 저하하여, 땜납 접합 프로세스에 있어서, 볼 미씽 등의 결함이 생길 우려가 있었다.
본 발명자는, 상기의 비점과 점도의 기술적 관계를 밟은 다음 용제의 특성에 착안하여 열심히 연구했는데, 3-메틸-1,3-부탄디올을 플럭스 조성물의 용제에 사용하는 것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 땜납 볼의 유지성의 모두를 향상할 수 있는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명에 의하면,
3-메틸-1,3-부탄디올, 및 활성제를 포함하는, 플럭스 조성물이 제공된다.
또한, 본 발명에 의하면,
상기의 플럭스 조성물 및 금속 분말(粉)을 포함하는, 땜납 페이스트가 제공된다.
본 발명에 의하면, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 땜납 볼의 유지성이 뛰어난 플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트가 제공된다.
본 실시 형태의 플럭스 조성물의 개요를 설명한다.
플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올, 및 활성제를 포함하는 것이다.
이 플럭스 조성물은, 땜납과 접합 대상의 금속을 접합하는, 땜납 접합 프로세스에 이용된다.
본 발명자의 지견에 의하면, 다음과 같은 것이 발견되었다.
통상, 땜납 접합시의 리플로우 공정에 있어서는, 약 1~2℃/sec의 승온 속도가 채용되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1의 도 1에는 리플로우 온도와 시간의 관계가 기재되어 있고, 거기에는, 180℃~240℃를 약 40 sec로 승온하는 조건, 즉, 약 1.5℃/sec의 승온 속도로 리플로우하는 것이 나타나 있다.
그렇지만, 급가열의 리플로우 공정이나 TCB(열압착) 등의 땜납 접합 프로세스에서는, 통상보다도, 추가로 빠른 승온 속도가 되기 때문에, 플럭스 조성물에는, 종래보다도 높은 수준의 저잔사성이 요구된다.
종래의 저잔사용 플럭스의 용제로서, 이소보닐시클로헥산올이나 헥실 디글리콜이 사용되는 경우가 있다.
이소보닐시클로헥산올은, 고점도 용제이기 때문에, 땜납 볼의 유지성이 뛰어나지만, 고비점 용제이기도 하기 때문에, 급속 가열시에 있어서의 잔사에 개선의 여지가 있었다. 한편의, 헥실 디글리콜은, 비교적으로 저비점이지만, 저점도 용제이기도 하기 때문에, 땜납 볼의 유지성이 저하하여, 땜납 접합 프로세스에 있어서, 볼 미씽 등의 결함이 생길 우려가 있었다.
상기의 비점과 점도의 기술적 관계를 바탕으로 한 다음 용제의 특성에 착안하여 열심히 연구했는데, 3-메틸-1,3-부탄디올을 플럭스 조성물의 용제로 사용하는 것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 땜납 볼의 유지성의 모두를 향상할 수 있는 것이 발견되었다.
상세한 메카니즘은 확실하지 않지만, 비점과 점도가 적절한 용제로서, 3-메틸-1,3-부탄디올을 사용하는 것에 의해서, 플럭스 조성물의, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 및 땜납 볼의 유지성을 향상할 수 있는 것이라고 생각할 수 있다.
본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 승온 속도의 하한이, 예를 들면, 3℃/sec 이상, 바람직하게는 4℃/sec 이상, 더욱 바람직하게는 5℃/sec 이상의 땜납 접합 프로세스에 이용할 수 있다. 승온 속도의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 실제의 프로세스 준하여 적절히 설정 가능하다.
본 실시 형태에 의하면, 이러한 비교적 승온 속도가 높은 리플로우 공정이나 TCB 공정에 있어서도, 저잔사의 플럭스 조성물을 실현할 수 있다.
일반적으로, 납땜의 후에 잔사의 세정을 필요로 하는 세정 용도와, 납땜 후에 세정을 하지 않고 사용할 수 있는 무세정 용도가 알려져 있다.
본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 어느 용도에도 적용할 수 있지만, 무세정 용도의 플럭스 조성물, 보다 바람직하게는, 승온 속도가 빠른 땜납 접합 프로세스시의 무세정 용도의 플럭스 조성물로서 사용할 수 있다.
또한, 하기의 절차로 측정되는 플럭스 조성물의 잔사량의 상한은, 예를 들면, 10 중량% 이하, 바람직하게는 8 중량% 이하, 보다 바람직하게는 5 중량% 미만이다. 이것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성을 한층 높일 수 있다. 상기 잔사량의 하한은, 특별히 한정되지 않는다.
(절차)
당해 플럭스 조성물을, 질소 분위기하, 5℃/sec의 승온 속도로, 25℃에서 250℃까지 가열 처리했을 때, 가열전의 중량 W0, 및 가열 후의 중량 W1를 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량(중량%)을 구한다.
플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올을 포함하는 것에 의해서, 활성제, 다른 용제, 베이스 수지 및 첨가제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는 경우에서도, 그 저잔사성을 유지하는 것이 가능하다.
또한, JIS Z 3284-3: 2014에 준거하여 측정되는, 25℃에 있어서의 플럭스 조성물의 점도의 하한은, 예를 들면, 500 mPa·s 이상으로 해도 된다. 이것에 의해, 땜납 볼의 유지성을 향상시키는 것이 가능하다. 상기 25℃에 있어서의 플럭스 조성물의 점도의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 5,000 mPa·s 이하로 해도 된다.
본 실시 형태에서는, 예를 들어 플럭스 조성물 중에 포함되는 각 성분의 종류나 배합량, 플럭스 조성물의 조제 방법 등을 적절히 선택하는 것에 의해, 상기 잔사량, 점도를 제어하는 것이 가능하다. 이들 중에서도, 예를 들어 3-메틸-1,3-부탄디올과 그 외의 성분의 함유 비율, 용제로서, 3-메틸-1,3-부탄디올 단독을 사용하는 것, 혹은 3-메틸-1,3-부탄디올과 다른 용제의 혼합 용제에 있어서, 다른 용제의 종류나 함유 비율을 적절히 조정하는 것, 또한, 칙소제가 되는 지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않는 것 등이, 상기 잔사량, 점도를 원하는 수치 범위로 하기 위한 요소로서 들 수 있다.
이하, 본 실시 형태의 플럭스 조성물의 각 성분에 대하여 상술한다.
(활성제)
플럭스 조성물은, 금속 산화물을 제거하는 특성을 가지는, 활성제를 포함해도 된다.
활성제를 포함하는 것에 의해서, 땜납 접합 프로세스시의 땜납 젖음성을 높이는 것이 가능하다.
일반적으로, 땜납 접합 프로세스에 대해서, 포름산 가스 등의 환원 가스 분위기하에서 수행하는 경우와, 환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는, 질소 가스나 아르곤 가스 등을 포함하는 불활성 가스 분위기하 혹은 감압 분위기하에서 수행하는 경우, 대기압 환경하에서 수행하는 경우가 알려져 있다.
활성제를 포함하는 플럭스 조성물은, 환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기의 땜납 접합 프로세스에 이용하는 것이 가능하다.
활성제의 구체예로서, 예를 들면, 유기산, 아민류, 할로겐계 활성제, 인계 활성제 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
이들 활성제는, 상세한 메카니즘은 확실하지 않지만, 금속 산화물과 염 또는 킬레이트를 형성하는 것에 의해서, 땜납 및 납땜 대상의 금속 표면의 금속 산화막을 제거할 수 있다고 생각할 수 있다.
플럭스 조성물 중의 활성제의 함유량의 상한은, 예를 들면, 30 중량% 이하이어도 되고, 20 중량% 이하이어도 된다. 또한, 플럭스 조성물 중의 활성제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량% 이상이어도 되고, 1 중량% 이상이어도 된다.
덧붙여, 본 명세서 중, 「~」는, 특별히 명시하지 않는 한, 상한치와 하한치를 포함하는 것을 나타낸다.
유기산으로서는, 모노카르복시산, 디카르복시산, 디카르복시산의 무수물, 옥시산 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이 중에서도, 히드록시기 및 카르복시기의 적어도 한쪽을 분자 중에 2개 이상 가지는 다가의 유기산을 이용해도 된다.
유기산의 구체예의 일례로서는, 예를 들면, 글루타르산, 아디핀산, 아제라인산, 에이코산 이산, 구연산, 글리콜산, 숙신산, 살리실산, 디글리콜산, 디피콜린산, 디부틸아닐린 디글리콜산, 수베린산, 세바신산, 티오 글리콜산, 테레프탈산, 도데칸 이산, 파라히드록시페닐 아세트산, 피콜린산, 페닐 숙신산, 프탈산, 프말산, 말레인산, 말론산, 라우린산, 벤조산, 주석산, 이소시아눌산 트리스(2-카르복시에틸), 글리신, 1,3-시클로헥산 디카르복시산, 2,2-비스(히드록시메틸) 프로피온산, 2,2-비스(히드록시메틸) 부탄산, 2,3-디히드록시벤조산, 2,4-디에틸글루타르산, 2-퀴놀린 카르복시산, 3-히드록시벤조산, 사과산, p-아니스산, 스테아린산, 12-히드록시스테아린산, 올레인산, 리놀산, 리놀렌산 등을 들 수 있다.
이 중에서도, 저잔사성의 관점으로부터, 유기산은, 탄소수가 11 이하인 유기산을 포함해도 된다.
탄소수가 11 이하인 유기산으로서는, 예를 들면, 글리콜산(탄소수 2), 티오글리콜산(탄소수 2), 글리신(탄소수 2), 말론산(탄소수 3), 프말산(탄소수 4), 말레인산(탄소수 4), 숙신산(탄소수 4), 디글리콜산(탄소수 4), 주석산(탄소수 4), 사과산(탄소수 4), 글루타르산(탄소수 5), 2,2-비스(히드록시메틸) 프로피온산(탄소수 5), 아디핀산(탄소수 6), 구연산(탄소수 6), 피콜린산(탄소수 6), 벤조산(탄소수 7), 2,2-비스(히드록시메틸) 부탄산(탄소수 6), 살리실산(탄소수 7), 디피콜린산(탄소수 7), 2,3-디히드록시벤조산(탄소수 7), 3-히드록시벤조산(탄소수 7), 수베린산(탄소수 8), 프탈산(탄소수 8), 이소프탈산(탄소수 8), 테레프탈산(탄소수 8), 파라히드록시페닐 아세트산(탄소수 8), 1,3-시클로헥산 디카르복시산(탄소수 8), p-아니스산(탄소수 8), 아제라인산(탄소수 9), 2,4-디에틸글루타르산(탄소수 9), 세바신산(탄소수 10), 페닐 숙신산(탄소수 10), 2-퀴놀린 카르복시산(탄소수 10), 4-tert-부틸 벤조산(탄소수 11) 등을 들 수 있다.
또한, 유기산으로서는, 예를 들면, 다이마산, 트리머산, 다이마산에 수소를 첨가한 수첨물인 수첨 다이마산, 트리머산에 수소를 첨가한 수첨물인 수첨 트리머산을 들 수 있다.
플럭스 조성물 중의 유기산의 함유량은, 예를 들면, 0~15 중량%이어도 되고, 1~10 중량%이어도 된다.
아민류로서는, 예를 들면, 모노에탄올 아민, 디페닐구아니딘, 에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 트리에틸렌테트라민, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸리움 트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸리움 트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2´-메틸이미다졸일(1´)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2´-운데실이미다졸일(1´)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2´-에틸-4´-메틸이미다졸일(1´)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2´-메틸이미다졸일(1´)]-에틸-s-트리아진 이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸 이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸 이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸 이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피로로[1,2-a]벤즈 이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸리움 클로라이드, 2-메틸이미다졸인, 2-페닐이미다졸인, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진 이소시아눌산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-s-트리아진, 에폭시-이미다졸 어덕트, 2-메틸벤조이미다졸, 2-옥틸벤조이미다졸, 2-펜틸벤조이미다졸, 2-(1-에틸펜틸) 벤조이미다졸, 2-노닐벤조이미다졸, 2-(4-티아졸일) 벤조이미다졸, 벤조이미다졸, 2-(2´-히드록시-5´-메틸페닐) 벤조트리아졸, 2-(2´-히드록시-3´-tert-부틸-5´-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2´-히드록시-3´,5´-디-tert-아밀페닐) 벤조트리아졸, 2-(2´-히드록시-5´-tert-옥틸페닐) 벤조트리아졸, 2,2´-메틸렌 비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-tert-옥틸페놀], 6-(2-벤조트리아졸일)-4-tert-옥틸-6´-tert-부틸-4´-메틸-2,2´-메틸렌비스페놀, 1,2,3-벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실) 아미노메틸]벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실) 아미노메틸]메틸벤조트리아졸, 2,2´-[[(메틸-1H-벤조트리아졸-1-일) 메틸]이미노]비스 에탄올, 1-(1´,2´-디카르복시에틸) 벤조트리아졸, 1-(2,3-디카르복시프로필) 벤조트리아졸, 1-[(2-에틸헥실아미노) 메틸]벤조트리아졸, 2,6-비스[(1H-벤조트리아졸-1-일) 메틸]-4-메틸페놀, 5-메틸벤조트리아졸, 5-페닐테트라졸 등을 들 수 있다.
플럭스 조성물 중의 아민류의 함유량의 상한은, 예를 들면, 15 중량% 이하이어도 되고, 10 중량%이어도 된다. 또한, 플럭스 조성물 중의 아민류의 함유량의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량% 이상이어도 되고, 1 중량% 이상이어도 된다.
할로겐계 활성제로서는, 유기 할로겐 화합물류 또는 아민 할로겐화 수소산 염류 등을 들 수 있다.
유기 할로겐 화합물로서는, 예를 들면, trans-2,3-디브로모-1,4-부텐디올, 트리아릴 이소시아누레이트 6 브롬화물, 1-브로모-2-부탄올, 1-브로모-2-프로판올, 3-브로모-1-프로판올, 3-브로모-1,2-프로판디올, 1,4-디브로모-2-부탄올, 1,3-디브로모-2-프로판올, 2,3-디브로모-1-프로판올, 2,3-디브로모-1,4-부탄디올, 2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올 등을 들 수 있다.
그 외의 유기 할로겐 화합물로서는, 예를 들면, 유기 클로로 화합물인 클로로알칸, 염소화 지방산 에스테르, 헤트산, 헤트산 무수물 등을 들 수 있다. 추가로 유기 플루오르 화합물인 불소계 계면활성제, 퍼플루오로알킬기를 가지는 계면활성제, 폴리테트라플루오로에틸렌 등을 들 수 있다.
아민 할로겐화 수소산염으로서는, 예를 들면, 요오드화 수소산(HI), 브롬화 수소산(HBr), 염화 수소산(HCl), 플루오르화 수소산(HF) 등의 할로겐화 수소산과, 아닐린, 디페닐구아니딘, 디에틸아민, 이소프로필아민 등의 아민 화합물을 조합시킨 염을 들 수 있다. 또한, 아민 할로겐화 수소산 염류 동등물로서, 테트라플루오로붕산(HBF4)과, 아민 화합물을 조합시킨 염도 이용할 수 있다.
플럭스 조성물 중의 할로겐계 활성제의 함유량의 상한은, 예를 들면, 10 중량% 이하이어도 되고, 5 중량% 이하이어도 된다. 또한, 플럭스 조성물 중의 할로겐계 활성제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량% 이상이어도 되고, 1 중량% 이상이어도 된다.
플럭스 조성물 중의 유기 할로겐 화합물의 함유량은, 예를 들면, 0~5 중량%이어도 된다.
플럭스 조성물 중의 아민 할로겐화 수소산염의 함유량은, 예를 들면, 0~1 중량%이어도 된다.
인계 활성제로서는, 예를 들면, 포스폰산 에스테르, 페닐 치환 포스핀산 포스폰산류, 인산 에스테르류 등을 들 수 있다.
포스폰산 에스테르로서는, 예를 들면, 2-에틸헥실(2-에틸헥실) 포스포네이트, n-옥틸(n-옥틸) 포스포네이트, n-데실(n-데실) 포스포네이트, 및 n-부틸(n-부틸) 포스포네이트를 들 수 있다.
페닐 치환 포스핀산으로서는, 예를 들면, 페닐포스핀산, 및 디페닐포스핀산을 들 수 있다.
플럭스 조성물 중의 인계 활성제의 함유량의 상한은, 예를 들면, 10 중량% 이하이어도 되고, 5 중량% 이하이어도 된다. 또한, 플럭스 조성물 중의 인계 활성제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량% 이상이어도 되고, 1 중량% 이상이어도 된다.
(용제)
플럭스 조성물은, 용제를 포함한다.
플럭스 조성물은, 용제로서, 적어도 3-메틸-1,3-부탄디올을 포함한다.
플럭스 조성물 중의 용제에는, 3-메틸-1,3-부탄디올의 단독 용제를 이용해도 되지만, 3-메틸-1,3-부탄디올 외에, 다른 용제를 포함하는 혼합 용제를 이용해도 된다.
다른 용제로서는, 예를 들면, 고형 용제, 액상 용제가 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량의 하한의 일례는, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 예를 들면, 10 중량% 이상이어도 되고, 20 중량% 이상이어도 되고, 30 중량% 이상이어도 된다. 이것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 땜납 볼의 유지성을 향상할 수 있다. 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량의 하한의 일례는, 예를 들면, 90 중량% 이상이어도 된다. 이것에 의해서, 땜납 접합 프로세스에 있어서의 접합 온도의 상한이 비교적 낮은 경우에서도, 급가열시에 있어서의 저잔사성을 높일 수 있다.
3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 100 중량% 이하이어도 되지만, 99 중량% 이하이어도 된다.
플럭스 조성물은, 고형 용제를 추가로 포함해도 된다. 즉, 플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올과 고형 용제의 혼합 용제를 포함해도 된다.
고형 용제는, 25℃에서 고형의 용제이면 되고, 융점의 하한이, 예를 들면, 30℃ 이상이어도 되고, 40℃ 이상이어도 되고, 50℃ 이상이어도 된다. 융점의 상한은, 예를 들면, 280℃ 이하로 해도 된다.
고형 용제로서는, 예를 들면, 알코올계 고형 용제나 페놀계 고형 용제 등이 이용된다.
이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
알코올계 고형 용제는, 분자 내에 1개 또는 2개 이상의 히드록시기를 가지는 고형 용제이면 되고, 2개 또는 3개 이상의 복수의 히드록시기를 가지는 다가 알코올계 고형 용제가 바람직하다.
다가 알코올계 고형 용제의 구체예로서는, 예를 들면, 펜타에리트리톨, 트리메티롤프로판, 2,5-디메틸-2,5-헥산디올, 네오펜틸글리콜 등을 들 수 있다.
페놀계 고형 용제는, 분자 내에 1개 또는 2개 이상의 페놀기를 가지는 고형 용제이면 되고, 페놀기의 벤젠환에는, 1또는 2개 이상의 히드록시기가 결합해도 된다.
플럭스 조성물 중의 고형 용제의 함유량은, 예를 들면, 0~40 중량%이어도 되고, 1~30 중량%이어도 된다.
플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올 이외의, 25℃에서 액상의 액상 용제를 추가로 포함해도 된다.
액상 용제로는, 알코올계 용제, 글리콜 에테르계 용제, 테르피네올류, 탄화수소류, 에스테르류, 물 등이 이용된다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이 중에서도, 액상 용제로서, 알코올계 용제 및 글리콜 에테르계 용제의 적어도 한쪽을 이용해도 된다.
플럭스 조성물 중의 액상 용제의 함유량은, 예를 들면, 0~50 중량%이어도 되고, 1~45 중량%이어도 된다.
알코올계 용제로서는, 예를 들면, 이소프로필알코올, 1,2-부탄디올, 이소보닐시클로헥산올, 2,4-디에틸-1,5-펜탄디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 2,5-디메틸-2,5-헥산디올, 2,5-디메틸-3-헥신-2,5-디올, 2,3-디메틸-2,3-부탄디올, 1,1,1-트리스(히드록시메틸) 에탄, 2-에틸-2-히드록시메틸-1,3-프로판디올, 2,2'-옥시 비스(메틸렌) 비스(2-에틸-1,3-프로판디올), 2,2-비스(히드록시메틸)-1,3-프로판디올, 1,2,6-트리히드록시헥산, 비스[2,2,2-트리스(히드록시메틸) 에틸]에테르, 1-에틴일-1-시클로헥산올, 1,4-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산 디메탄올, 에리트리톨, 트레이톨, 구아이아콜 글리세롤 에테르, 3,6-디메틸-4-옥틴-3,6-디올, 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올 등을 들 수 있다.
글리콜 에테르계 용제로서는, 예를 들면, 헥실디글리콜, 디에틸렌글리콜 모노-2-에틸헥실 에테르, 에틸렌글리콜 모노페닐 에테르, 2-메틸펜탄-2,4-디올, 디에틸렌글리콜 모노헥실 에테르, 디에틸렌글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 테트라에틸렌글리콜 모노메틸 에테르 등을 들 수 있다.
(베이스 수지)
플럭스 조성물은, 베이스 수지를 포함해도 된다.
베이스 수지로서는, 예를 들면, 로진계 수지, (메타)아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 페녹시 수지, 비닐 에테르계 수지, 테르펜 수지, 변성 테르펜 수지(예를 들면, 방향족 변성 테르펜 수지, 수첨 테르펜 수지, 수첨 방향족 변성 테르펜 수지 등), 테르펜페놀 수지, 변성 테르펜페놀 수지(예를 들면, 수첨 테르펜페놀 수지 등), 스틸렌 수지, 변성 스틸렌 수지(예를 들면, 스틸렌 아크릴 수지, 스틸렌말레인 수지 등), 크실렌 수지, 변성 크실렌 수지(예를 들면, 페놀 변성 크실렌 수지, 알킬 페놀 변성 크실렌 수지, 페놀 변성 레조르형 크실렌 수지, 폴리올 변성 크실렌 수지, 폴리옥시 에틸렌 부가 크실렌 수지 등) 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
덧붙여, 본 명세서 중, 「(메타)아크릴계 수지」란, 메타크릴계 수지 및 아크릴계 수지를 포함하는 개념을 말한다.
이들 중에서도, 베이스 수지는, 로진계 수지를 포함해도 된다.
로진계 수지로서는, 예를 들면, 검 로진, 우드 로진, 톨유 로진 등의 원료 로진, 원료 로진으로부터 얻을 수 있는 유도체를 들 수 있다. 유도체로서는, 예를 들면, 정제 로진, 수첨 로진, 불균화 로진, 중합 로진 및 α,β 불포화 카르복시산 변성물(아크릴화 로진), 말레인화 로진, 프말화 로진 등), 및 중합 로진의 정제물, 수소화물 및 불균화물, 및 α,β 불포화 카르복시산 변성물의 정제물, 수소화물, 불균화물 등을 들 수 있다. 이들 로진계 수지는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.
플럭스 조성물 중의 베이스 수지의 함유량은, 예를 들면, 0~10 중량%이어도 되고, 1~5 중량%이어도 된다.
(첨가제)
플럭스 조성물은, 본 발명의 효과를 해치지 않는 한, 플럭스에 통상 첨가되는 첨가제를 포함해도 된다.
첨가제로서는, 예를 들면, 칙소제, 산화 방지제, 방수제, 소포제, 염소제(艶消劑), 계면활성제, 착색제 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
칙소제로서는, 예를 들면, 피마자 경화유, 카르나바 왁스, 밀랍 등의 왁스계 칙소제 등을 들 수 있다.
산화 방지제로서는, 힌더드 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제 등을 들 수 있다.
이 중에서도, 플럭스 조성물은, 칙소제로서, 지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않도록 구성되어도 된다. 이것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성을 향상할 수 있다.
본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 예를 들면, 금속 분말과 혼합하고 땜납 페이스트로서 사용하거나, 볼 어태치용, 혹은 팁 어태치용의 플럭스로서 사용할 수 있다.
본 실시 형태의 땜납 페이스트는, 상기의 플럭스 조성물과, 금속 분말을 포함한다.
금속 분말은, Sn 단체(單體), 또는, Sn-Ag계, Sn-Cu계, Sn-Ag-Cu계, Sn-Bi계, Sn-In계 등, 혹은, 이들 합금에 Pb, Sb, Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P 등을 첨가한 땜납 분체로 구성되어도 된다.
땜납 합금은, As: 25~300 중량 ppm, 및 Sb: 0 중량 ppm 초과 3000 중량 ppm 이하, Bi: 0 중량 ppm 초과 10000 중량 ppm 이하, 및 Pb: 0 중량 ppm 초과 5100 중량 ppm 이하의 적어도 1종, 및 잔부가 Sn으로 이루어지는 합금 조성을 가지는 것이 바람직하다. 땜납 합금은, Ag: 0~4 중량% 및 Cu: 0~0.9 중량%가 적어도 1종을 추가로 함유하고 있어도 된다.
땜납 페이스트 중의 금속 분말 및 플럭스 조성물의 함유량에 한정은 없고, 예를 들면, 금속 분말을 5~95 중량%, 플럭스를 5~95 중량%로 할 수 있다.
플럭스 조성물 및 땜납 페이스트의 제조 방법에 한정은 없고, 원료를 동시에 또는 차례로, 임의의 방법으로 혼합하는 것에 의해 제조할 수 있다.
플럭스 조성물의 제조는, 최종적으로 플럭스 조성물의 전체 성분이 혼합되면 되고, 용제에 다른 성분을 차례로 혼합해도 되고, 다른 성분을 혼합한 것을 용제에 첨가해도 되고, 용제와 다른 전체 성분을 동시에 혼합해도 된다.
또한, 땜납 페이스트의 제조는, 반드시, 플럭스 조성물을 미리 조제하고, 이것을 금속 분말과 혼합할 필요는 없고, 최종적으로 플럭스 조성물의 전체 성분, 금속 분말 및 필요에 따라서 땜납 페이스트에 첨가되는 첨가제가 혼합되는 것이면 혼합의 차례는 불문하고, 플럭스 조성물의 성분의 일부와 금속 분말을 혼합한 후, 플럭스 조성물의 나머지의 성분을 첨가하는 등 해도 된다.
본 실시 형태의 플럭스 조성물이나 땜납 페이스트는, 일례로서, 반도체 장치의 제조 방법에 이용할 수 있다.
반도체 장치의 제조 방법은, 플럭스 조성물이나 땜납 페이스트를 전극에 도포하는 공정과, 그 전극에 땜납 볼을 게재하고, 예를 들면, 리드 프레임이나 프린트 배선 기판 등의 기판과 반도체 소자를 가열 처리하고, 용융한 땜납 볼을 통해서 이들을 접합하는 공정을 포함해도 된다.
가열 처리는, 질소 분위기하 또는 감압 분위기 하에서 수행해도 되고, 승온 속도가 예를 들면 3℃/sec 이상의 조건으로 수행해도 된다.
반도체 장치의 제조 방법은, 접합하는 공정의 후, 플럭스 조성물이나 땜납 페이스트를 세정하는 공정을 포함하지 않도록 구성되어도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 말했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 여러가지 구성을 채용할 수 있다. 또한, 본 발명은 상술의 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함된다.
이하, 참고 형태의 예를 부기한다.
1. 활성제를 포함하는, 플럭스 조성물로서,
3-메틸-1,3-부탄디올을 포함하고,
하기의 절차로 측정되는 당해 플럭스 조성물의 잔사량이 10 중량% 미만이며,
JIS Z 3284-3: 2014에 준거하여 측정되는, 25℃에 있어서의 당해 플럭스 조성물의 점도가, 500 mPa·s 이상인,
플럭스 조성물.
(절차)
당해 플럭스 조성물을, 질소 분위기하, 5℃/sec의 승온 속도로, 25℃로부터 250℃까지 가열 처리했을 때, 가열 전의 중량 W0, 및 가열 후의 중량 W1를 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량(중량%)을 구한다.
2. 1.에 기재된 플럭스 조성물로서,
승온 속도가 3℃/sec 이상의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물.
3. 1. 또는 2.에 기재된 플럭스 조성물로서,
상기 활성제가, 유기산, 아민류, 할로겐계 활성제, 및 인계 활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는, 플럭스 조성물.
4. 1.~3.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
상기 활성제가, 탄소수 11 이하의 유기산을 포함하는, 플럭스 조성물.
5. 1.~4.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물.
6. 1.~5.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않는, 플럭스 조성물.
7. 1.~6.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 10 중량% 이상인, 플럭스 조성물.
8. 1.~7.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 90 중량% 이상인, 플럭스 조성물.
9. 1.~8.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
고형 용제를 포함하는, 플럭스 조성물.
10. 1.~9.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
3-메틸-1,3-부탄디올 이외의 액상 용제를 포함하는, 플럭스 조성물.
11. 1.~10.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
베이스 수지를 포함하는, 플럭스 조성물.
12. 1.~11.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
무세정 용도인, 플럭스 조성물.
13. 1.~12.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물 및 금속 분말을 포함하는, 땜납 페이스트.
이하, 참고 형태의 추가적인 예를 부기한다.
1. 3-메틸-1,3-부탄디올을 포함하는, 플럭스 조성물.
2. 1.에 기재된 플럭스 조성물로서,
하기의 절차로 측정되는 당해 플럭스 조성물의 잔사량이 10 중량% 이하인, 플럭스 조성물.
(절차)
당해 플럭스 조성물을, 질소 분위기하, 5℃/sec의 승온 속도로, 25℃로부터 250℃까지 가열 처리했을 때, 가열 전의 중량 W0, 및 가열 후의 중량 W1를 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량(중량%)을 구한다.
3. 1. 또는 2. 에 기재된 플럭스 조성물로서,
승온 속도가 3℃/sec 이상의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물.
4. 1.~3.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
활성제를 포함하는, 플럭스 조성물.
5. 4.에 기재된 플럭스 조성물로서,
상기 활성제가, 유기산, 아민류, 할로겐계 활성제, 및 인계 활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1또는 2 이상을 포함하는, 플럭스 조성물.
6. 4. 또는 5.에 기재된 플럭스 조성물로서,
상기 활성제가, 탄소수 11 이하의 유기산을 포함하는, 플럭스 조성물.
7. 4.~6.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물.
8. 1.~7.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않는, 플럭스 조성물.
9. 1.~8.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 10 중량% 이상인, 플럭스 조성물.
10. 1.~9.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 90 중량% 이상인, 플럭스 조성물.
11.1.~10.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
고형 용제를 포함하는, 플럭스 조성물.
12. 1.~11.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
3-메틸-1,3-부탄디올 이외의 액상 용제를 포함하는, 플럭스 조성물.
13. 1.~12.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
베이스 수지를 포함하는, 플럭스 조성물.
14. 1.~13.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
무세정 용도의, 플럭스 조성물.
15. 1.~14.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,
JIS Z 3284-3: 2014에 준거하여 측정되는, 25℃에 있어서의 당해 플럭스 조성물의 점도가, 500 mPa·s 이상인, 플럭스 조성물.
16. 1.~15.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물 및 금속 분말을 포함하는, 땜납 페이스트.
[실시예]
이하, 본 발명에 대해 실시예를 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예의 기재로 전혀 한정되는 것은 아니다.
이하, 표 1 중의 원료 성분의 정보를 나타낸다.
(용제)
·3-메틸-1,3-부탄디올(25℃ 액상, 비점: 203℃, 25℃의 점도: 250 mPa·s)
·고형 용제 1: 펜타에리트리톨(25℃ 고형, 융점: 260℃)
·고형 용제 2: 트리메티롤프로판(25℃ 고형, 융점: 58℃)
·액상 용제 1: 이소보닐시클로헥산올(25℃ 액상, 비점: 318℃, 25℃의 점도: 89,000 mPa·s)
·액상 용제 2: 헥실디글리콜(25℃ 액상, 비점: 258℃, 25℃의 점도: 8.6 mPa·s)
(활성제)
·유기산 1: 숙신산
·유기산 2: 디글리콜산
·유기산 3: 글루타르산
·아민류 1: 모노에탄올 아민
·유기 할로겐 화합물류 1: trans-디브로모부텐디올
·아민 할로겐화 수소산염류 1: 디페닐구아니딘·HBr염
(첨가제)
·지방족 아마이드 1: 폴리아마이드
(베이스 수지)
·로진계 수지 1: 수첨 로진
<플럭스 조성물의 조제>
하기 표 1에 나타내는 배합 비율로, 원료 성분을 혼합하는 것에 의해, 플럭스 조성물을 얻었다.
얻어진 플럭스 조성물에 대해서, 이하의 평가 항목에 대하여 평가를 수행했다.
<점도>
얻어진 플럭스 조성물에 대해서, JIS Z 3284-3: 2014에 준거하고, 25℃에 있어서의 점도를 측정했다. 그 결과, 실시예 1~15는, 500 mPa·s 이상, 비교예 1은, 500 mPa·s 미만을 나타냈다.
<저잔사성>
TG법(열중량 측정법)에 따른 시험 평가방법으로서, 알루미늄 팬에 각 실시예 및 각 비교예의 플럭스 조성물을 10 mg 채우고, ULVAC사 제 TGD9600을 이용하고, 질소 분위기 하에서, 25℃~250℃까지, 승온 속도 5℃/sec로 가열했다.
가열 전의 각 플럭스 조성물의 중량 W0, 가열 후의 각 플럭스 조성물의 중량 W1를 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량 △W(중량%)을 구했다.
잔사량 △W가, 3 중량% 미만인 경우를 000, 3 중량% 이상 5 중량% 미만인 경우를 00, 5 중량% 이상 10 중량% 미만인 경우를 ○, 10 중량% 이상인 경우를 Х로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<땜납 볼 유지성>
프리플럭스 처리된 구리(Cu-OSP) 전극을 구비하는 프린트 기판 상에, φ0.24 mm의 SRO(솔더레지스트 개구 지름)를 30개(N=30) 형성하여, 샘플을 준비했다.
이어서, 솔더레지스트 개구 내의 구리 전극에 대해서, 각 실시예 및 각 비교예의 플럭스 조성물을 스프레이 도포했다.
이어서, 개구 내의 구리 전극 상에, 각각, φ0.3 mm의 땜납 볼(SAC305: Sn-3Ag-0.5Cu)을 마운트하고, 질소 분위기 하에서, 25℃~250℃까지, 승온 속도 5℃/sec로 가열하고, 250℃에서 30 sec 가열했다. 그 후, N2 리플로우에서, 25℃까지 냉각했다. 리플로우 후, 구리 전극의 모습을 확인했다.
땜납 볼이 구리 전극으로부터 떨어진 개수가, 30 개 중 0개인 경우를 ○, 30 개 중 1개 이상인 경우를 Х로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 1~15의 플럭스 조성물은, 비교예 1과 비교하여, 땜납 볼 유지성이 뛰어나고 있고, 비교예 2와 비교하여, 저잔사성이 뛰어난 결과를 나타냈다. 이러한 실시예 1~15의 플럭스 조성물은, 실프로세스에 있어서, 통상의 땜납 접합 조건뿐만 아니라, 급속 가열시에 있어도 플럭스 성분의 잔사분을 저감할 수 있는 것으로부터, 땜납용의 플럭스 조성물로서 적합하게 이용할 수 있다.
이 출원은, 2020년 4월 2일에 출원된 일본 출원 특원 2020-066440호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 모두를 여기에 삽입한다.

Claims (16)

  1. 3-메틸-1,3-부탄디올, 및 활성제를 포함하고,
    하기의 절차로 측정되는 당해 플럭스 조성물의 잔사량이 10 중량% 이하인, 플럭스 조성물에 있어서,
    상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 10 중량% 이상 99 중량% 이하이고,
    JIS Z 3284-3: 2014에 준거하여 측정되는, 25℃에 있어서의 당해 플럭스 조성물의 점도가, 500 mPa·s 이상인, 플럭스 조성물.
    (절차)
    당해 플럭스 조성물을, 질소 분위기하, 5℃/sec의 승온 속도로, 25℃로부터 250℃까지 가열 처리했을 때, 가열 전의 중량 W0, 및 가열 후의 중량 W1을 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량(중량%)을 구한다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    승온 속도가 3℃/sec 이상의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 활성제가, 유기산, 아민류, 및 할로겐계 활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는, 플럭스 조성물.
  4. 청구항 3에 있어서,
    당해 플럭스 조성물 중의 상기 유기산의 함유량은, 15 중량% 이하,
    당해 플럭스 조성물 중의 상기 아민류의 함유량은, 15 중량% 이하, 및
    당해 플럭스 조성물 중의 상기 할로겐계 활성제의 함유량은, 10 중량% 이하인, 플럭스 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 활성제가, 탄소수 11 이하의 유기산을 포함하는, 플럭스 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않는, 플럭스 조성물.
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 90 중량% 이상인, 플럭스 조성물.
  10. 청구항 1에 있어서,
    고형 용제를 포함하는, 플럭스 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서,
    3-메틸-1,3-부탄디올 이외의 액상 용제를 포함하는, 플럭스 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서,
    베이스 수지를 포함하는, 플럭스 조성물.
  13. 청구항 1에 있어서,
    무세정 용도의, 플럭스 조성물.
  14. 삭제
  15. 청구항 1 내지 청구항 7 및 청구항 9 내지 청구항 13 중 어느 한 항의 플럭스 조성물 및 금속 분말을 포함하는, 땜납 페이스트.
  16. 삭제
KR1020227023529A 2020-04-02 2021-03-12 플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트 KR102598694B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-066440 2020-04-02
JP2020066440A JP6836090B1 (ja) 2020-04-02 2020-04-02 フラックス組成物、及びそれを用いたはんだペースト
PCT/JP2021/010025 WO2021200030A1 (ja) 2020-04-02 2021-03-12 フラックス組成物、及びそれを用いたはんだペースト

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220103198A KR20220103198A (ko) 2022-07-21
KR102598694B1 true KR102598694B1 (ko) 2023-11-07

Family

ID=74665120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227023529A KR102598694B1 (ko) 2020-04-02 2021-03-12 플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6836090B1 (ko)
KR (1) KR102598694B1 (ko)
CN (1) CN114981035A (ko)
TW (1) TWI750060B (ko)
WO (1) WO2021200030A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004176179A (ja) 2002-11-15 2004-06-24 Chubu Kiresuto Kk 電子部品端子の水溶性半田濡れ性向上処理剤および処理法
US20170173745A1 (en) 2015-12-22 2017-06-22 International Business Machines Corporation No clean flux composition and methods for use thereof
WO2019172410A1 (ja) 2018-03-09 2019-09-12 株式会社オリジン フラックス、ソルダペースト、はんだ付けプロセス、はんだ付け製品の製造方法、bgaパッケージの製造方法
CN110883428A (zh) 2018-09-10 2020-03-17 株式会社田村制作所 喷射分配器用焊料组合物、及电子基板的制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3694948B2 (ja) * 1994-12-07 2005-09-14 株式会社デンソー はんだ付用フラックス及びはんだペースト及びそれらを用いたはんだ付方法
EP2851396A4 (en) * 2012-05-18 2016-01-06 Arakawa Chem Ind BASE RESIN FOR FLUX FOR SOFT BRAZING, FLOW FOR SOLDERING AND SOLDERING PULP
JP6383544B2 (ja) 2014-02-28 2018-08-29 株式会社タムラ製作所 はんだ付け用フラックス組成物およびそれを用いた電子基板の製造方法
JP2018109232A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 Dowaエレクトロニクス株式会社 接合材及びそれを用いた接合方法
JP6864046B2 (ja) * 2018-09-10 2021-04-21 株式会社タムラ製作所 ジェットディスペンサー用はんだ組成物、および電子基板の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004176179A (ja) 2002-11-15 2004-06-24 Chubu Kiresuto Kk 電子部品端子の水溶性半田濡れ性向上処理剤および処理法
US20170173745A1 (en) 2015-12-22 2017-06-22 International Business Machines Corporation No clean flux composition and methods for use thereof
WO2019172410A1 (ja) 2018-03-09 2019-09-12 株式会社オリジン フラックス、ソルダペースト、はんだ付けプロセス、はんだ付け製品の製造方法、bgaパッケージの製造方法
CN110883428A (zh) 2018-09-10 2020-03-17 株式会社田村制作所 喷射分配器用焊料组合物、及电子基板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202140183A (zh) 2021-11-01
CN114981035A (zh) 2022-08-30
TWI750060B (zh) 2021-12-11
JP6836090B1 (ja) 2021-02-24
JP2021159974A (ja) 2021-10-11
KR20220103198A (ko) 2022-07-21
WO2021200030A1 (ja) 2021-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6460198B1 (ja) フラックス及びソルダペースト
JP6540788B1 (ja) フラックス及びソルダペースト
JP6501003B1 (ja) はんだ付け用樹脂組成物、やに入りはんだ、フラックスコートはんだ及び液状フラックス
JP6528102B2 (ja) フラックス及びはんだ材料
JP6399242B1 (ja) フラックス及びソルダペースト
JP6540789B1 (ja) 樹脂組成物及びはんだ付け用フラックス
JP6458894B1 (ja) フラックス及びソルダペースト
JP6617793B2 (ja) ソルダペースト用フラックス及びソルダペースト
JP2020001077A (ja) フラックス、やに入りはんだ及びはんだ付け方法
JP6617848B1 (ja) フラックス
KR102598694B1 (ko) 플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트
JP2020001091A (ja) フラックス、やに入りはんだ、フラックスコートはんだ及びはんだ付け方法
JP2020192555A (ja) フラックス
JP6414314B1 (ja) はんだ付け用フラックスに用いられる樹脂組成物及びはんだ付け用フラックス
JP6663124B1 (ja) ロジン変性物、はんだ付け用フラックス及びソルダペースト
TWI782216B (zh) 包芯焊料用的助焊劑、包芯焊料、塗覆有助焊劑的焊料用的助焊劑、塗覆有助焊劑的焊料及焊接方法
JP2023039067A (ja) フラックス、及びそれを用いたはんだペースト
JP2020192597A (ja) フラックス
JP2021087998A (ja) フラックス及びソルダペースト
JP2023004119A (ja) ソルダペーストおよび電子装置の製造方法
JP2021079442A (ja) マレイン酸変性ロジンエステル又はマレイン酸変性ロジンアミドを含むフラックス用組成物、及びそれを含むフラックス、並びにはんだペースト
JP2021079443A (ja) マレイン酸変性ロジンエステル又はマレイン酸変性ロジンアミドを含むフラックス用組成物、及びそれを含むフラックス、並びにはんだペースト
JP2020192598A (ja) フラックス

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant