KR102595552B1 - Method of removing particles from a chamber of a probe station - Google Patents

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KR102595552B1 KR1020180134528A KR20180134528A KR102595552B1 KR 102595552 B1 KR102595552 B1 KR 102595552B1 KR 1020180134528 A KR1020180134528 A KR 1020180134528A KR 20180134528 A KR20180134528 A KR 20180134528A KR 102595552 B1 KR102595552 B1 KR 102595552B1
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Abstract

웨이퍼 스테이지를 중심으로 서로 마주보도록 구비되며, 챔버 내의 파티클을 제거하기 위한 공기를 제공하는 송풍팬 및 챔버로부터 공기를 배출하는 배기팬을 포함하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법에 있어서, 송풍팬 및 배기팬을 정상 회전 속도로 구동한 후, 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보한다. 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우, 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 송풍팬 및 배기팬을 구동하는 한편, 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 송풍팬 및 배기팬을 고속 회전 속도로부터 정상회전 속도로 회복시킨다. 이후, 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 송풍팬 및 배기팬을 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시킬 수 있다.A method for removing particles in a probe station chamber, which is provided to face each other around the wafer stage and includes a blowing fan that provides air for removing particles in the chamber and an exhaust fan that exhausts air from the chamber, comprising: a blowing fan and an exhaust fan; After driving the fan at normal rotation speed, data regarding the number of particles in the chamber is obtained. When the number of particles exceeds the maximum standard value, the blower fan and exhaust fan are driven at a higher rotation speed than the normal rotation speed, while when the number of particles decreases below the maximum standard value, the blower fan and exhaust fan are rotated at high speed. Restore speed to normal rotation speed. Thereafter, when the number of particles is less than the minimum standard value, the blowing fan and exhaust fan can be driven at a low rotation speed lower than the normal rotation speed.

Description

프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법{METHOD OF REMOVING PARTICLES FROM A CHAMBER OF A PROBE STATION}{METHOD OF REMOVING PARTICLES FROM A CHAMBER OF A PROBE STATION}

본 발명의 실시예들은 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 프로브 카드를 이용하여 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼에 대하여 전기적인 검사를 수행하는 프로브 스테이션 챔버 내에 파티클을 제거하는 파티클 제거 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a method for removing particles in a probe station chamber. More specifically, it relates to a particle removal method that uses a probe card to remove particles from a probe station chamber that performs electrical inspection on a wafer on which semiconductor devices are formed.

일반적으로 집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 반도체 웨이퍼 상에 일련의 반도체 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 박막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 반도체 회로 소자들이 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.In general, semiconductor devices such as integrated circuit devices can be formed by repeatedly performing a series of semiconductor processes on a semiconductor wafer. For example, a deposition process to form a thin film on a wafer, an etching process to form the thin film into patterns with electrical properties, an ion implantation process or diffusion process to inject or diffuse impurities into the patterns, and a wafer on which the patterns are formed. Semiconductor circuit elements can be formed on the wafer by repeatedly performing cleaning and rinsing processes to remove impurities from the wafer.

이러한 일련의 공정들을 통해 반도체 소자들을 형성한 후 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 검사 공정이 수행될 수 있다. 검사 공정은 복수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 프로브 스테이션과 전기적인 신호를 제공하기 위하여 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.After forming semiconductor devices through this series of processes, an inspection process can be performed to inspect the electrical characteristics of the semiconductor devices. The inspection process may be performed by a probe station including a probe card with a plurality of probes and a tester connected to the probe card to provide an electrical signal.

검사 공정을 위해 검사 챔버의 상부에는 프로브 카드가 장착될 수 있으며, 프로브 카드 아래에는 웨이퍼를 지지하는 척이 배치될 수 있다. 척의 아래에는 척을 회전시키는 회전 구동부가 배치될 수 있으며, 회전 구동부의 아래에는 척을 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동부와 척을 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동부가 배치될 수 있다.For the inspection process, a probe card may be mounted on the top of the inspection chamber, and a chuck to support the wafer may be placed below the probe card. A rotary drive unit that rotates the chuck may be disposed below the chuck, and a vertical drive unit that moves the chuck in the vertical direction and a horizontal drive unit that moves the chuck in the horizontal direction may be disposed below the rotary drive unit.

특히, 상기 검사 챔버 내의 파티클이 잔류할 경우, 상기 검사 공정의 오동작이 발생할 수 있다. 따라서, 싱기 검사 챔버 내에 잔류하는 파티클을 제거하기 위하여 챔버 내에 공기를 제공하는 송풍팬 및 배기팬이 구비될 수 있다.In particular, if particles remain in the inspection chamber, malfunction of the inspection process may occur. Therefore, a blowing fan and an exhaust fan that provide air within the chamber may be provided to remove particles remaining in the freshness test chamber.

상기 송풍팬 및 상기 배기팬은 상기 공기를 일정하게 챔버내로 흐르게 함으로써 상기 공기의 흐름을 통하여 챔버 내에 부유하는 파티클이 함께 제거될 수 있다. The blower fan and the exhaust fan allow the air to constantly flow into the chamber, so that particles floating in the chamber can be removed together through the air flow.

하지만, 상기 송풍팬 및 배기팬은 일정한 회전 속도로 회전함에 따라 특히, 파티클의 수가 감소된 경우 일정한 회전 속도로 구동하여 해당 유닛의 소비 전력이나 수명이 악화되는 문제가 있다.However, as the blower fan and exhaust fan rotate at a constant rotation speed, especially when the number of particles is reduced, there is a problem in that the power consumption and lifespan of the unit are worsened by operating at a constant rotation speed.

본 발명의 실시예들은 챔버 내의 파티클의 수에 따라 송풍팬 및 배기팬의 회전 속도를 조절할 수 있는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법을 제공하는 것이다.Embodiments of the present invention provide a method for removing particles in a probe station chamber that can adjust the rotation speed of the blowing fan and exhaust fan according to the number of particles in the chamber.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 스테이지를 중심으로 서로 마주보도록 구비되며, 챔버 내의 파티클을 제거하기 위한 공기를 제공하는 송풍팬 및 상기 챔버로부터 상기 공기를 배출하는 배기팬을 포함하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법에 있어서, 상기 송풍팬 및 배기팬을 정상 회전 속도로 구동한다. 이어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보한다. 상기 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우, 상기 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 상기 송풍팬 및 배기팬을 구동하는 한편, 상기 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 고속 회전 속도로부터 상기 정상회전 속도로 회복시킨다. 이후, 상기 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시킬 수 있다.According to embodiments of the present invention for achieving the above object, the wafer stage is provided to face each other, a blowing fan providing air to remove particles in the chamber, and an exhaust fan discharging the air from the chamber. In a method of removing particles in a probe station chamber including, the blowing fan and the exhaust fan are driven at a normal rotation speed. Next, data on the number of particles in the chamber is secured. When the number of particles exceeds the maximum reference value, the blower fan and exhaust fan are driven at a high rotation speed greater than the normal rotation speed, while when the number of particles decreases below the maximum reference value, the blower fan and The exhaust fan is restored from the high rotation speed to the normal rotation speed. Thereafter, when the number of particles is less than the minimum reference value, the blower fan and exhaust fan may be driven at a low rotation speed lower than the normal rotation speed.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하기 위해, 상기 챔버 내의 파티클을 포집하고, 상기 파티클의 개수를 카운팅할 수 있다. In one embodiment of the present invention, in order to secure data on the number of particles in the chamber, particles in the chamber may be collected and the number of particles may be counted.

여기서, 상기 챔버 내의 파티클을 포집하기 위하여, 상기 웨이퍼 스테이지와 인접하게 배치된 포집기가 이용될 수 있다.Here, a collector disposed adjacent to the wafer stage may be used to collect particles in the chamber.

한편, 상기 파티클의 개수를 카운팅하기 위하여, 상기 파티클들에 레이저를 조사하여 산란되는 산란광의 세기를 이용할 수 있다.Meanwhile, in order to count the number of particles, the intensity of scattered light scattered by irradiating a laser to the particles can be used.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하기 위하여, 상기 챔버 내에 수행되는 세부 공정별로 발생하는 파티클의 개수를 예측할 수 있다.In one embodiment of the present invention, in order to secure data on the number of particles in the chamber, the number of particles generated for each detailed process performed in the chamber can be predicted.

예를 들면, 상기 세부 공정 중 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정이 프로브 카드의 정렬 공정 및 웨이퍼 정렬 공정과 비교할 때 높은 파티클 개수를 가지는 것을 예측할 수 있다.For example, among the detailed processes, it can be predicted that the wafer replacement process and the probe pin polishing process have a higher particle count compared to the probe card alignment process and the wafer alignment process.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하고, 상기 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우, 상기 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 송풍팬 및 배기팬을 구동하는 한편, 상기 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 고속 회전 속도로부터 상기 정상회전 속도로 회복시킨다. 이로써, 챔버 내의 파티클의 개수에 따라 상기 송풍팬 및 배기팬의 회전 속도가 조절될 수 있다. 결과적으로 챔버 내의 파티클의 개수에 따라 파티클이 챔버 내부로부터 효과적으로 제거될 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, data on the number of particles in the chamber is secured, and when the number of particles exceeds the maximum reference value, a blowing fan and a blower are rotated at a high rotation speed greater than the normal rotation speed. While driving the exhaust fan, when the number of particles decreases below the maximum reference value, the blowing fan and exhaust fan are restored from the high rotation speed to the normal rotation speed. Accordingly, the rotation speed of the blowing fan and the exhaust fan can be adjusted depending on the number of particles in the chamber. As a result, particles can be effectively removed from inside the chamber depending on the number of particles in the chamber.

한편, 상기 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시킴에 따라, 상기 송풍팬 및 배기팬의 소비 전력 및 기대 수명을 개선할 수 있다.Meanwhile, when the number of particles is less than the minimum standard value, the power consumption and life expectancy of the blower fan and exhaust fan can be improved by driving the blower fan and exhaust fan at a low rotation speed lower than the normal rotation speed. there is.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 제거 방법을 설명하기 위한 프로브 스테이션을 도시한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 제거 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 세부 공정 별 챔버 내의 파티클 개수를 도시한 그래프이다.Figure 1 is a schematic configuration diagram showing a probe station for explaining a particle removal method according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a flowchart for explaining a particle removal method according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a graph showing the number of particles in the chamber for each detailed process.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention does not have to be configured as limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are not provided to fully complete the present invention, but rather are provided to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In embodiments of the present invention, when one element is described as being disposed or connected to another element, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements may be interposed between them. It could be. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there cannot be another element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and/or parts, but the items are not limited by these terms. won't

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.Technical terms used in the embodiments of the present invention are merely used for the purpose of describing specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Additionally, unless otherwise limited, all terms, including technical and scientific terms, have the same meaning that can be understood by a person skilled in the art. The above terms, as defined in common dictionaries, will be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the relevant art and description of the invention, and unless explicitly defined, ideally or excessively by superficial intuition. It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, for example changes in manufacturing methods and/or tolerances, are fully to be expected. Accordingly, the embodiments of the present invention are not intended to be described as limited to the specific shapes of the regions illustrated but are intended to include deviations in the shapes, and the elements depicted in the drawings are entirely schematic and represent their shapes. is not intended to describe the exact shape of the elements nor is it intended to limit the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 제거 방법을 설명하기 위한 프로브 스테이션을 도시한 개략적인 구성도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 제거 방법을 설명하기 위한 순서도이다Figure 1 is a schematic configuration diagram showing a probe station for explaining a particle removal method according to an embodiment of the present invention. Figure 2 is a flowchart for explaining a particle removal method according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 프로브 스테이션(100)은 반도체 소자들(11)이 형성된 기판(10)에 대하여 프로브 카드(20)를 이용해 전기적인 검사를 수행한다. 프로브 스테이션(100)은 기판(10)에 대한 전기적인 검사를 수행하기 위한 공간을 제공하는 검사 챔버(110), 상기 검사 챔버(110)에 구비되는 척(120), 상기 검사 챔버(110) 내에 서로 마주보도록 구비되어 공기를 챔버(110) 내에 제공하고 배기하는 송풍팬(130)과 배기팬(140), 및 상기 프로브 카드(20)를 상기 검사 챔버(10) 안에 고정하는 카드 홀더(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the probe station 100 performs an electrical inspection on the substrate 10 on which the semiconductor elements 11 are formed using the probe card 20. The probe station 100 includes a test chamber 110 that provides a space for performing an electrical test on the substrate 10, a chuck 120 provided in the test chamber 110, and a test chamber 110 within the test chamber 110. A blowing fan 130 and an exhaust fan 140 provided to face each other to provide and exhaust air into the chamber 110, and a card holder 150 for fixing the probe card 20 within the test chamber 10. may include.

구체적으로, 상기 척(120)은 상기 검사 챔버(110) 안에 배치되며, 상기 기판(10)이 상면에 안착될 수 있다. 여기서, 기판(10)은 반도체 웨이퍼일 수 있으며, 반도체 소자들인 복수의 다이(11)가 상면에 형성된다. 상기 다이(11)는 도 3에 도시된 것처럼 전극 패드들을 구비한다.Specifically, the chuck 120 is placed in the inspection chamber 110, and the substrate 10 can be seated on the top surface. Here, the substrate 10 may be a semiconductor wafer, and a plurality of dies 11, which are semiconductor elements, are formed on the upper surface. The die 11 is provided with electrode pads as shown in FIG. 3 .

도면에 상세히 도시하지는 않았으나, 상기 척(120)은 상기 기판(10) 상의 다이들(11)이 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)과 접촉되도록 수직 및 수평 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다. 또한, 상기 척(120)은 상기 기판(10)의 정렬을 위해 회전 가능하게 구성될 수 있다. Although not shown in detail in the drawing, the chuck 120 is configured to be movable in vertical and horizontal directions so that the dies 11 on the substrate 10 come into contact with the probes 21 of the probe card 20. You can. Additionally, the chuck 120 may be configured to be rotatable for alignment of the substrate 10 .

상기 척(120)의 상측에는 상기 카드 홀더(150)가 배치될 수 있다. 상기 카드 홀더(150)는 상기 검사 챔버(110)의 상부에 결합되고, 상기 프로브 카드(20)는 상기 카드 홀더(150)의 하면에 탈착 가능하게 결합되어 상기 검사 챔버(110)의 안에 배치된다. The card holder 150 may be placed on the upper side of the chuck 120. The card holder 150 is coupled to the upper part of the test chamber 110, and the probe card 20 is detachably coupled to the lower surface of the card holder 150 and placed inside the test chamber 110. .

상기 프로브 스테이션(100)은 상기 기판(10)의 전기적인 특성을 검사하는 전기적 신호를 발생하는 테스터(40)와 연결될 수 있다. 상기 테스터(40)는 상기 프로브 카드(20)를 통해 상기 기판(10)의 검사를 위한 전기적 신호들을 상기 다이들(11)에 인가하고, 상기 다이들(11)로부터 출력되는 신호들을 통해 상기 기판(10)의 전기적인 특성을 검사한다. 이때, 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)은 상기 다이들(11)의 전극 패드들(미도시)에 접촉되어 상기 테스터(40)로부터 인가된 전기적 신호들 상기 전극 패드들에 인가한다.The probe station 100 may be connected to a tester 40 that generates an electrical signal to inspect the electrical characteristics of the substrate 10. The tester 40 applies electrical signals for inspection of the substrate 10 to the dies 11 through the probe card 20, and tests the substrate 11 through the signals output from the dies 11. Check the electrical characteristics of (10). At this time, the probes 21 of the probe card 20 are in contact with the electrode pads (not shown) of the dies 11 and apply the electrical signals applied from the tester 40 to the electrode pads. .

한편, 상기 프로브 스테이션(100)은 상기 척(120)의 일측에 배치되어 상기 척(120)과 함께 이동 가능하며 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)에 대한 이미지를 획득하기 위한 하부 정렬 카메라(170)와, 상기 척(120)의 상측에 배치되어 상기 기판(10) 상의 패턴들에 대한 이미지를 획득하기 위한 상부 정렬 카메라(180)를 포함할 수 있다. 도면에 상세히 도시하지는 않았으나, 상기 상부 정렬 카메라(180)는 브릿지 형태를 갖는 구동부에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다. 특히, 상기 하부 및 상부 정렬 카메라들(170, 180)은 상기 기판(10)과 상기 프로브 카드(20) 사이의 정렬을 위해 사용될 수 있다.Meanwhile, the probe station 100 is disposed on one side of the chuck 120 and can move with the chuck 120, and is arranged at the bottom to acquire images of the probes 21 of the probe card 20. It may include a camera 170 and an upper alignment camera 180 disposed above the chuck 120 to acquire images of patterns on the substrate 10. Although not shown in detail in the drawing, the upper alignment camera 180 can be moved in the horizontal direction by a driving unit having a bridge shape. In particular, the lower and upper alignment cameras 170 and 180 may be used for alignment between the substrate 10 and the probe card 20.

상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)은 상기 검사 챔버(110)를 중심으로 서로 마주보도록 구비된다. 상기 송풍팬은 공기를 챔버(110) 내에 제공하는 한편, 상기 배기팬은 상기 공기를 챔버 내부로부터 배출할 수 있도록 팬을 구비할 수 있다. 이로써, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)은 공기의 흐름을 이용하여 상기 검사 챔버(110) 내에 존재하는 파티클을 제거할 수 있다.The blowing fan 130 and the exhaust fan 140 are provided to face each other around the test chamber 110. The blowing fan may provide air into the chamber 110, while the exhaust fan may be provided to exhaust the air from the inside of the chamber. Accordingly, the blowing fan 130 and the exhaust fan 140 can remove particles existing in the inspection chamber 110 using the air flow.

이하, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 구동 방법에 대하여 도 2를 참고하여 이하 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the method of driving the blower fan 130 and the exhaust fan 140 will be described in detail with reference to FIG. 2.

도 2를 참조하면, 상기 검사 챔버 내에 검사 공정이 수행되는 동안, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 정상 회전 속도로 구동한다(S110). 상기 정상 회전 속도는 기설정값에 해당한다. 이로써, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 구동에 따라 상기 챔버(110) 내의 파티클들이 제거될 수 있다.Referring to FIG. 2, while an inspection process is performed in the inspection chamber, the blower fan 130 and the exhaust fan 140 are driven at a normal rotation speed (S110). The normal rotation speed corresponds to a preset value. Accordingly, particles in the chamber 110 can be removed as the blowing fan 130 and the exhaust fan 140 are driven.

상기 검사 공정이 수행되는 동안, 상기 챔버(110) 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보한다(S130). 상기 파티클의 개수에 대한 데이터는 실시간으로 확인될 수 있다. 이와 다르게, 상기 파타클의 개수는 해당 세부 공정에 따라 예측된 값에 해당할 수 있다. While the inspection process is performed, data regarding the number of particles in the chamber 110 is secured (S130). Data on the number of particles can be confirmed in real time. Alternatively, the number of particles may correspond to a value predicted according to the detailed process.

상기 파티클의 개수에 대한 데이터를 확보하는 방법에 대하여는 후술하기로 한다. A method of securing data on the number of particles will be described later.

상기 파티클의 개수에 대한 데이터를 기초하여 상기 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우 상대적으로 챔버(110) 내의 오염도가 높음을 의미한다. 따라서, 상기 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)이 구동한다(S150). 따라서, 상기 챔버(110) 내의 오염도를 효과적으로 감소시킬 수 있다.Based on the data on the number of particles, if the number of particles exceeds the maximum reference value, it means that the degree of contamination in the chamber 110 is relatively high. Accordingly, the blower fan 130 and the exhaust fan 140 are driven at a higher rotation speed than the normal rotation speed (S150). Therefore, the degree of contamination within the chamber 110 can be effectively reduced.

이후, 상기 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 상기 고속 회전 속도로부터 상기 정상 회전 속도로 회복시킨다. 이로서, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 고속 회전에 따른 유닛의 소비 전력의 증가 및 수명 악화를 억제할 수 있다.Thereafter, when the number of particles decreases below the maximum reference value, the blowing fan 130 and the exhaust fan 140 are restored from the high rotation speed to the normal rotation speed. As a result, an increase in power consumption and deterioration of the lifespan of the unit due to high-speed rotation of the blower fan 130 and the exhaust fan 140 can be suppressed.

한편, 상기 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 상기 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시킨다. 이로써, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 에너지 효율이 개선될 수 있으며 나아가 수명을 개선할 수 있다.Meanwhile, when the number of particles is less than the minimum reference value, the blowing fan 130 and the exhaust fan 140 are driven at a low rotation speed lower than the normal rotation speed. As a result, the energy efficiency of the blower fan 130 and the exhaust fan 140 can be improved and their lifespan can be improved.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버(110) 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하기 위하여, 실시간으로 챔버(110) 내의 파티클들의 개수를 측정할 수 있다. In one embodiment of the present invention, in order to secure data on the number of particles in the chamber 110, the number of particles in the chamber 110 can be measured in real time.

상기 챔버(110) 내의 파티클을 측정하기 위해, 상기 챔버(110) 내의 파티클을 포집한다. 상기 파티클을 포집하는 데 있어서, 사용되는 포집기(미도시)는 상기 척(120)에 인접하여 배치될 수 있다. 이로써 상기 척(120) 상에 배치되는 기판의 교체, 기판 및 프브로 카드 사이의 컨택시 발생할 수 있는 파티클을 보다 정확하게 측정할 수 있다.In order to measure particles within the chamber 110, the particles within the chamber 110 are collected. In collecting the particles, a collector (not shown) used may be placed adjacent to the chuck 120. As a result, it is possible to more accurately measure particles that may be generated when the substrate placed on the chuck 120 is replaced or when there is contact between the substrate and the probe card.

이어서, 상기 포집된 파티클에 대하여 상기 파티클의 개수를 카운팅할 수 있다. 상기 파티클의 개수를 카운팅하기 위하여, 상기 포집된 파티클에 대하여 레이저를 조사하여 발생되는 산란광의 세기에 따라 파티클의 개수를 측정할 수 있다.Subsequently, the number of particles can be counted for the collected particles. In order to count the number of particles, the number of particles can be measured according to the intensity of scattered light generated by irradiating a laser to the collected particles.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버(110) 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하기 위하여, 상기 챔버(110) 내에 수행되는 세부 공정별로 발생하는 파티클의 개수를 예측할 수 있다.In one embodiment of the present invention, in order to secure data on the number of particles in the chamber 110, the number of particles generated for each detailed process performed in the chamber 110 can be predicted.

도 3은 세부 공정 별 챔버 내의 파티클 개수를 도시한 그래프이다.Figure 3 is a graph showing the number of particles in the chamber for each detailed process.

도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 챔버(110) 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계는, 상기 세부 공정 중 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정이 프로브 카드의 정렬 공정 및 웨이퍼 정렬 공정과 비교할 때 높은 파티클 개수를 가지는 것으로 예측된다. 따라서, 상기 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정이 수행되는 동안 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 상기 정상 회전 속도보다 상대적으로 고속 회전시킬 수 있다. 이로써, 상기 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정 중 발생되는 파티클들이 보다 신속하게 효과적으로 제거될 수 있다. 1 and 3, the step of securing data on the number of particles in the chamber 110 includes the wafer replacement process and the probe pin polishing process among the detailed processes, the probe card alignment process and the wafer alignment process. It is predicted to have a high particle number compared to . Accordingly, while the wafer replacement process and the probe pin polishing process are performed, the blower fan 130 and the exhaust fan 140 can be rotated at a relatively higher speed than the normal rotation speed. Accordingly, particles generated during the wafer replacement process and the probe pin polishing process can be removed more quickly and effectively.

반면에, 프로브 카드의 정렬 또는 웨이퍼 정렬 공정 중에는 상대적으로 적은 개수의 파티클이 발생함을 예측할 수 있다. 이때에는 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 상기 정상 회전 속도보다 상대적으로 낮은 저속 회전시킬 수 있다. 이로써, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 에너지 효율이 개선될 수 있으며 나아가 수명을 개선할 수 있다.On the other hand, it can be expected that a relatively small number of particles are generated during the probe card alignment or wafer alignment process. At this time, the blower fan 130 and the exhaust fan 140 may be rotated at a relatively lower speed than the normal rotation speed. As a result, the energy efficiency of the blower fan 130 and the exhaust fan 140 can be improved and their lifespan can be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will be able to understand that it exists.

100 : 프로브 스테이션 110 : 검사 챔버
120 : 척 130 : 송풍팬
140 : 배기팬 150 : 카드 홀더100: probe station 110: inspection chamber
120: Chuck 130: Blowing fan
140: exhaust fan 150: card holder

Claims (7)

웨이퍼 스테이지를 중심으로 서로 마주보도록 구비되며, 챔버 내의 파티클을 제거하기 위한 공기를 제공하는 송풍팬 및 상기 챔버로부터 상기 공기를 배출하는 배기팬을 포함하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법에 있어서,
상기 송풍팬 및 배기팬을 정상 회전 속도로 구동하는 단계;
상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계;
상기 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우, 상기 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 상기 송풍팬 및 배기팬을 구동하는 단계;
상기 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 고속 회전 속도로부터 상기 정상회전 속도로 회복시키는 단계; 및
상기 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시키는 단계;를 포함하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법.In the method of removing particles in a probe station chamber, which are provided to face each other around the wafer stage and include a blowing fan that provides air for removing particles in the chamber and an exhaust fan that exhausts the air from the chamber,
Driving the blower fan and exhaust fan at a normal rotation speed;
Obtaining data on the number of particles in the chamber;
When the number of particles exceeds the maximum reference value, driving the blower fan and the exhaust fan at a higher rotation speed than the normal rotation speed;
When the number of particles decreases below the maximum reference value, restoring the blower fan and exhaust fan from the high rotation speed to the normal rotation speed; and
When the number of particles is less than the minimum reference value, driving the blower fan and the exhaust fan at a low rotation speed lower than the normal rotation speed. 제1항에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계는,
상기 챔버 내의 파티클을 포집하는 단계; 및
상기 파티클의 개수를 카운팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법. The method of claim 1, wherein securing data on the number of particles in the chamber comprises:
collecting particles in the chamber; and
A method of removing particles in a probe station chamber, comprising: counting the number of particles. 제2항에 있어서, 상기 챔버 내의 파티클을 포집하는 단계는, 상기 웨이퍼 스테이지와 인접하게 배치된 포집기를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법. The method of claim 2, wherein the step of collecting particles in the chamber is performed using a collector disposed adjacent to the wafer stage. 제2항에 있어서, 상기 파티클의 개수를 카운팅하기 위하여, 상기 파티클들에 레이저를 조사하여 산란되는 산란광의 세기를 이용하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법.The method of claim 2, wherein to count the number of particles, the intensity of scattered light scattered by irradiating a laser to the particles is used. 제1항에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계는,
상기 챔버 내에 수행되는 세부 공정별로 발생하는 파티클의 개수를 예측하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법. The method of claim 1, wherein securing data on the number of particles in the chamber comprises:
A method of removing particles in a probe station chamber, comprising the step of predicting the number of particles generated for each detailed process performed in the chamber. 제5항에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계는,
상기 세부 공정 중 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정이 프로브 카드의 정렬 공정 및 웨이퍼 정렬 공정과 비교할 때 높은 파티클 개수를 가지는 것을 예측하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법. The method of claim 5, wherein securing data on the number of particles in the chamber comprises:
A method for removing particles in a probe station chamber, comprising the step of predicting that among the detailed processes, the wafer replacement process and the probe pin polishing process have a higher number of particles compared to the probe card alignment process and the wafer alignment process. 제6항에 있어서, 상기 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정이 수행되는 동안 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 고속 회전 속도로 구동하고, 상기 프로브 카드의 정렬 공정 및 웨이퍼 정렬 공정이 수행되는 동안 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 저속 회전 속도로 구동하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법.The method of claim 6, wherein the blower fan and the exhaust fan are driven at the high rotation speed while the wafer replacement process and the probe pin polishing process are performed, and while the probe card alignment process and the wafer alignment process are performed, the blower fan and the exhaust fan are driven at the high rotation speed. A method of removing particles in a probe station chamber, comprising driving a blower fan and an exhaust fan at the low rotation speed.
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