KR100523624B1 - Exhauster of the cleaning system of a chemical-mechanical polisher - Google Patents
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Abstract
본 발명은 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치에 관한 것으로서, 폴리싱을 마친 웨이퍼에 케미컬을 분사하여 클리닝하는 브러쉬 클리너(5,6)가 본체(2) 내측에 구비된 CMP 장비의 클리닝시스템(1)에 있어서, 본체(2)의 양측면에는 공급구(11) 및 배출구(12)가 각각 형성되고, 공급구(11)에는 본체(2)의 내측으로 가스를 공급하는 가스공급라인(21)이 연결되며, 배출구(12)의 외측에는 측벽에 배출구(12)와 연결되는 개구(31)가 형성됨과 아울러 일측에 가스배출라인(32)이 연결되는 배출챔버(30)가 설치되며, 배출챔버(30)의 내측에는 가스공급라인(21)으로부터 본체(2) 내측으로 공급되는 가스가 본체(2) 내측에 존재하는 케미컬 흄과 함께 개구(31)를 통해 가스배출라인(32)으로 배출되도록 이송력을 제공하는 배출팬(40)이 설치되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 CMP 장비의 클리닝시스템의 본체내에 존재하는 케미컬 흄을 신속하게 외부로 배출시킴으로써 본체내에 위치하는 웨이퍼에 파티클이 생성되는 것을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 효과를 가지고 있다.The present invention relates to an exhaust system of a cleaning system for a CMP apparatus, and includes a cleaning system (1) for a CMP apparatus provided with a brush cleaner (5, 6) for cleaning by spraying a chemical onto a polished wafer. In both sides of the main body 2, the supply port 11 and the discharge port 12 are formed, respectively, the supply port 11 is connected to the gas supply line 21 for supplying gas to the inside of the main body (2) The outer side of the outlet 12 is formed with an opening 31 connected to the outlet 12 on the side wall and a discharge chamber 30 to which the gas discharge line 32 is connected at one side, and the discharge chamber 30 ), The gas supplied from the gas supply line 21 to the main body 2 is discharged to the gas discharge line 32 through the opening 31 together with the chemical fumes present inside the main body 2. It characterized in that the discharge fan 40 is provided to provide. Therefore, the present invention has an effect of preventing the generation of particles on the wafer located in the main body by quickly discharging the chemical fume present in the main body of the cleaning system of the CMP equipment to the outside to improve the yield of the wafer.
Description
본 발명은 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 CMP 장비의 클리닝시스템의 본체내에 존재하는 케미컬 흄을 신속하게 외부로 배출시키는 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust device of a cleaning system of a CMP equipment, and more particularly, to an exhaust device of a cleaning system of a CMP equipment for quickly discharging chemical fumes present in the main body of the cleaning system of the CMP equipment to the outside.
웨이퍼가 대구경화 됨에 따라 웨이퍼의 넓어진 면을 평탄화하기 위해서 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; 이하 "CMP"라 함) 공정이 널리 이용되고 있다. As the wafer becomes larger in size, a chemical-mechanical polishing (CMP) process, which combines chemical removal and mechanical removal in one process, is used to planarize the widened surface of the wafer. It is used.
CMP 공정이란 단차를 가진 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드(polishing pad) 위에 밀착시킨 후 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 방식이다.The CMP process is a method in which a wafer surface having a step is brought into close contact with a polishing pad and a slurry containing abrasive and chemical is injected between the wafer and the polishing pad to planarize the surface of the wafer.
CMP 공정을 실시하는 CMP 장비에는 폴리싱을 마친 웨이퍼를 클리닝하기 위하여 클리닝시스템이 구비된다. CMP equipment that performs the CMP process is equipped with a cleaning system for cleaning the polished wafer.
종래의 CMP 장비에 구비된 클리닝 시스템을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the attached cleaning system provided in the conventional CMP equipment as follows.
도 1은 종래의 CMP 장비의 클리닝시스템을 개략적으로 도시한 측면도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 CMP 장비의 클리닝시스템(1)은 본체(2) 내측에 길이방향을 각각 따라 순차적으로 설치되는 여섯 개의 모듈(3,...,8)로 이루어져 있으며, 각각의 모쥴(3,...,8)은 웨이퍼가 로딩되는 인입포트(3)와, 인입포트(3)로부터 이송된 웨이퍼를 메가소닉(미도시)에 의해 클리닝하는 메가소닉베스(4)와, 메가소닉베스(4)로부터 이송된 웨이퍼에 케미컬을 분사하여 브러쉬(미도시)로 세척하는 제 1 및 제 2 브러쉬 클리너(5,6)와, 제 2 브러쉬 클리너(6)로부터 이송된 웨이퍼에 잔존하는 케미컬을 제거하기 위하여 웨이퍼를 회전시켜 초순수로 린수후 건조시키는 스핀 린드 드라이어(7)와, 스핀 린스 드라이어(7)로부터 이송된 웨이퍼를 후속공정을 위해 언로딩시키는 인출포트(8)이다.1 is a side view schematically showing a cleaning system of a conventional CMP equipment. As shown, the cleaning system 1 of the conventional CMP equipment is composed of six modules (3, ..., 8) sequentially installed along the longitudinal direction inside the main body (2), each module (3, ..., 8) are the inlet port 3 to which the wafer is loaded, the megasonic bath 4 to clean the wafer transferred from the inlet port 3 by megasonic (not shown), and the mega The first and second brush cleaners 5 and 6 which spray chemicals on the wafer transferred from the sonic bath 4 and wash them with a brush (not shown), and remain on the wafer transferred from the second brush cleaner 6. In order to remove chemicals, the spin spin dryer 7 rotates the wafer to be rinsed with ultrapure water and dries and the draw port 8 unloads the wafer transferred from the spin rinse dryer 7 for subsequent processing.
각각의 모듈(3,....,8)은 상측에 도어(미도시)가 각각 설치되며, 본체(2)내에는 각각의 모듈(3,...,8)의 도어(미도시)를 오픈시켜 내측으로 웨이퍼를 이송시키는 다섯 개의 그리퍼(gripper; 미도시)가 설치된다.Each module 3,..., 8 is provided with a door (not shown) on the upper side, and a door (not shown) of each module 3,..., 8 in the main body 2. Five grippers (not shown) are installed to transfer the wafer to the inside by opening the wafer.
그러나, 이와 같은 종래의 CMP 장비의 클리닝시스템(1)은 본체(2)에 별도의 배기장치가 없기 때문에, 제 1 및 제 2 브러쉬 클리너(5,6)에 사용되는 케미컬로 인해 발생되는 케미컬 흄(chemical fume)이 웨이퍼를 이송시 제 1 및 제 2 브러쉬 클리너(5,6)의 오픈된 도어를 통해 본체(2)내의 나머지 모든 모듈(2,3,4,7,8)내로 발산되어 각각의 클리닝공정을 진행하는 웨이퍼 표면에 파티클을 형성하는 문제점을 가지고 있었다.However, since the cleaning system 1 of the conventional CMP equipment does not have a separate exhaust device in the main body 2, the chemical fume generated due to the chemicals used in the first and second brush cleaners 5 and 6, may be used. (chemical fume) is diverted through the open doors of the first and second brush cleaners 5 and 6 into the remaining modules 2, 3, 4, 7 and 8 in the body 2 upon transfer of the wafer, respectively. There was a problem in that particles were formed on the wafer surface during the cleaning process.
특히, 제 1 및 제 2 브러쉬 클리너(5,6)로부터 발산된 케미컬 흄이 인출포트(8)에 위치한 웨이퍼에 도달하여 파티클을 발생할 경우 파티클이 부착된 웨이퍼가 인출포트(8)로부터 언로딩되어 후속공정을 수행시 웨이퍼에 결점을 발생시켜 웨이퍼의 수율을 현저하게 저하시키는 문제점을 가지고 있었다.In particular, when the chemical fumes emitted from the first and second brush cleaners 5 and 6 reach the wafer located in the extraction port 8 and generate particles, the wafer with particles is unloaded from the extraction port 8. There was a problem in that the yield of the wafer is remarkably lowered by generating defects in the wafer during the subsequent process.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 CMP 장비의 클리닝시스템의 본체내에 존재하는 케미컬 흄을 신속하게 외부로 배출시킴으로써 본체내에 위치하는 웨이퍼에 파티클이 발생하는 것을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치를 제공하는데 있다. The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to quickly discharge the chemical fumes present in the main body of the cleaning system of the CMP equipment to the outside to prevent particles from occurring in the wafer located in the main body It is to provide an exhaust system of the cleaning system of the CMP equipment to improve the yield of the wafer.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 본체 내측에 길이방향으로 인입포트, 메가소닉베스, 브러쉬 클리너, 스핀 린스 드라이어, 인출포트가 일렬로 배열되는 CMP 장비의 클리닝시스템에 있어서, 본체에는 인출포트측에 공급구가 형성됨과 아울러 인입포트측에 배출구가 각각 형성되고, 공급구의 외측에는 일측에 가스공급라인이 연결됨과 아울러 측벽에 공급구와 연결되는 개구가 형성되는 공급챔버가 설치되며, 공급챔버의 내측에는 가스공급라인으로부터 본체 내측으로 공급되는 가스에 이송력을 제공하는 공급팬이 설치되고, 배출구의 외측에는 측벽에 배출구와 연결되는 개구가 형성됨과 아울러 일측에 가스배출라인이 연결되는 배출챔버가 설치되며, 배출챔버의 내측에는 가스공급라인으로부터 본체 내측으로 공급되는 가스가 본체 내측에 존재하는 케미컬 흄과 함께 개구를 통해 가스배출라인으로 배출되도록 이송력을 제공하는 배출팬이 설치되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a cleaning system for a CMP apparatus in which a drawing port, a megasonic bath, a brush cleaner, a spin rinse dryer, and a drawing port are arranged in a line in a longitudinal direction inside the main body. The supply port is formed on the side and the outlet port is formed on the inlet port side, respectively, the supply chamber is provided on the outside of the supply port is connected to the gas supply line on one side and the opening is connected to the supply port on the side wall, A supply fan is provided on the inside to provide a transfer force to the gas supplied from the gas supply line to the inside of the main body, and an outlet chamber is formed at the side of the discharge port and connected to the discharge port on the side wall. It is installed inside the discharge chamber, the gas supplied from the gas supply line into the main body inside the main body A discharge fan is provided to provide a conveying force to be discharged to the gas discharge line through the opening together with the existing chemical fume.
이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치를 도시한 부분측단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치의 제어를 위한 구성도이다. Figure 2 is a perspective view showing the exhaust system of the cleaning system of the CMP equipment according to the present invention, Figure 3 is a partial side cross-sectional view showing the exhaust system of the cleaning system of the CMP equipment according to the invention, Figure 4 is It is a block diagram for the control of the exhaust system of the cleaning system of the CMP equipment.
도시된 바와 같이 본 발명에 따른 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치는, 내측에 인입포트(3), 메가소닉베스(4), 제 1 및 제 2 브러쉬 클리너(5,6), 스핀 린스 드라이어(7) 및 인출포트(8)가 각각 설치되는 클리닝시스템(1)의 본체(2) 양측면에는 공급구(11) 및 배출구(12)가 각각 형성되고, 공급구(11)에는 가스공급라인(21)이 연결되며, 배출구(12)의 외측에는 일측에 가스배출라인(32)이 연결되는 배출챔버(30)가 설치되고, 배출챔버(30)의 내측에 배출팬(40)이 설치된다.As illustrated, the exhaust system of the cleaning system of the CMP apparatus according to the present invention includes an inlet port 3, a megasonic bath 4, first and second brush cleaners 5 and 6, and a spin rinse dryer. 7) the supply port 11 and the discharge port 12 are formed on both sides of the main body 2 of the cleaning system 1, in which the discharge port 8 is provided, respectively, and the gas supply line 21 at the supply port 11; ) Is connected, the discharge chamber 30 is connected to the gas discharge line 32 on one side of the discharge port 12, the discharge fan 40 is installed inside the discharge chamber (30).
가스공급라인(21)은 가스공급부(50)로부터 공급밸브(51)의 개방에 의해 클리닝시스템(1)의 본체(2)의 공급구(11)로 가스를 공급한다.The gas supply line 21 supplies gas from the gas supply unit 50 to the supply port 11 of the main body 2 of the cleaning system 1 by opening the supply valve 51.
공급밸브(61)는 제어가 용이한 솔레노이드밸브임이 바람직하며, 제어부(70)에 의해 제어된다.The supply valve 61 is preferably a solenoid valve that is easy to control, and is controlled by the controller 70.
가스공급라인(21)으로부터 공급되는 가스는 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에 퍼지가스(purge gas)로 사용되는 질소(N2) 가스임이 바람직하다.The gas supplied from the gas supply line 21 is preferably nitrogen (N 2 ) gas used as a purge gas in a process for manufacturing a semiconductor device.
배출챔버(30)는 본체(2)의 배출구(12) 외측에 설치되고, 배출구(12)와 맞닿는 측벽에 배출구(12)와 연결되는 개구(31)가 형성되며, 일측에 가스배출라인(32)이 연결되고, 내측에 배출팬(40)이 설치된다.The discharge chamber 30 is installed outside the outlet 12 of the main body 2, the opening 31 is connected to the outlet 12 is formed on the side wall in contact with the outlet 12, the gas discharge line 32 on one side ) Is connected, and the discharge fan 40 is installed inside.
배출팬(40)은 배출챔버(30)내의 개구(31)측에 팬고정부재(41)에 의해 고정되며, 가스공급라인(21)으로부터 본체(2) 내측으로 공급되는 가스가 제 1 및 제 2 브러쉬 클리너(5,6)로부터 발산되는 케미컬 흄과 함께 배출챔버(30)의 개구(31)를 통해 가스배출라인(32)으로 배출되도록 이송력을 제공한다. The discharge fan 40 is fixed to the opening 31 in the discharge chamber 30 by the fan fixing member 41, and the gas supplied from the gas supply line 21 into the main body 2 is first and first. 2 together with the chemical fumes emitted from the brush cleaners 5 and 6, a transfer force is provided to be discharged to the gas discharge line 32 through the opening 31 of the discharge chamber 30.
배출팬(40)에는 배출팬(40)을 구동시키는 모터(42)의 회전속도를 조절하는 배출팬 속도조절부(43)가 구비됨이 바람직하다. 따라서, 가스배출라인(32)을 통해 배출되는 가스의 이송력을 조절할 수 있다.Discharge fan 40 is preferably provided with a discharge fan speed control unit 43 for adjusting the rotational speed of the motor 42 for driving the discharge fan 40. Therefore, the transport force of the gas discharged through the gas discharge line 32 can be adjusted.
배출팬(40)이 구동시 이를 외부로 표시하는 배출팬 작동표시부(44)가 본체(2)의 외측에 설치되며, 배출팬 작동표시부(44)로는 일정한 파장의 빛을 출력하는 램프가 사용될 수 있다. 따라서, 작업자가 배출팬 작동표시부(44)에 의해 배출팬(40)이 구동되는지를 쉽게 알 수 있다.When the discharge fan 40 is driven, the discharge fan operation indicator 44 is installed on the outside of the main body 2, and a lamp for outputting light of a predetermined wavelength may be used as the discharge fan operation indicator 44. have. Therefore, it is easy for the operator to know whether the discharge fan 40 is driven by the discharge fan operation indicator 44.
한편, 가스공급라인(21)이 연결되는 본체(2)의 공급구(11)는 본체(2) 내에서 클리닝을 마친 웨이퍼가 후속공정을 위해 외측으로 언로딩되는 인출포트(8)측에 형성되며, 배출챔버(30)가 설치되는 본체(2)의 배출구(12)는 폴리싱 공정을 마친 웨이퍼가 클리닝되기 위하여 본체(2) 내측으로 로딩되는 인입포트(3)측에 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 가스공급라인(21)을 통해 공급되는 가스가 인출포트(8)측으로부터 인입포트(3)측으로 흐르게 됨으로써 인출포트(8)를 통해 언로딩되는 웨이퍼에 케미컬 흄으로 인해 파티클이 발생하는 것을 차단시킨다.On the other hand, the supply port 11 of the main body 2 to which the gas supply line 21 is connected is formed on the side of the take-out port 8 in which the wafer cleaned in the main body 2 is unloaded to the outside for subsequent processing. The discharge port 12 of the main body 2 in which the discharge chamber 30 is installed is preferably formed on the inlet port 3 side loaded into the main body 2 to clean the wafer after the polishing process. Therefore, the gas supplied through the gas supply line 21 flows from the draw port 8 side to the draw port 3 side, so that particles are generated due to chemical fume on the wafer unloaded through the draw port 8. Block it.
본체(2)의 공급구(11)와 가스공급라인(21)사이에는 내측에 공급팬(60)이 설치되는 공급챔버(20)가 설치될 수 있다.A supply chamber 20 in which a supply fan 60 is installed may be installed between the supply port 11 and the gas supply line 21 of the main body 2.
공급챔버(20)는 가스공급라인(21)이 일측에 연결되고, 본체(2)의 공급구(11)가 형성된 측면과 맞닿는 측벽에 공급구(11)와 연결되는 개구(22)가 형성되며, 내측에 공급팬(60)이 설치된다.The supply chamber 20 has a gas supply line 21 connected to one side thereof, and an opening 22 connected to the supply port 11 is formed on a side wall which is in contact with a side surface on which the supply port 11 of the main body 2 is formed. The supply fan 60 is installed inside.
공급팬(60)은 공급챔버(20)내의 개구(22)측에 팬고정부재(61)에 의해 고정되며, 가스공급라인(21)으로부터 본체(2)의 내측으로 공급되는 가스에 이송력을 제공한다. The supply fan 60 is fixed by the fan fixing member 61 to the opening 22 side in the supply chamber 20, and transfers a conveying force to the gas supplied from the gas supply line 21 to the inside of the main body 2. to provide.
공급팬(60)에는 공급팬(60)을 구동시키는 모터(62)의 회전속도를 조절하는 공급팬 속도조절부(63)가 구비됨이 바람직하다. 따라서, 가스공급라인(21)을 통해 본체(2) 내측으로 공급되는 가스의 이송력을 조절할 수 있다.The supply fan 60 is preferably provided with a supply fan speed control unit 63 for adjusting the rotational speed of the motor 62 for driving the supply fan 60. Therefore, the conveyance force of the gas supplied into the main body 2 through the gas supply line 21 can be adjusted.
공급팬 속도조절부(63) 및 배출팬 속도조절부(43)는 제어부(70)에 전기적으로 연결되며, 제어부(70)는 전원부(80)로부터 전원을 공급받아서 작업자의 공급팬 속도조절부(63) 및 배출팬 속도조절부(43)의 조작에 의한 공급팬(60) 및 배출팬(30)의 회전속도값을 각각 입력받아 공급팬 모터(62) 및 배출팬 모터(42)의 회전속도를 조절한다.The supply fan speed control unit 63 and the discharge fan speed control unit 43 are electrically connected to the control unit 70, the control unit 70 is supplied with power from the power supply unit 80 to supply the speed control unit of the operator ( 63) and rotational speeds of the supply fan motor 62 and the exhaust fan motor 42 by receiving the rotational speed values of the supply fan 60 and the exhaust fan 30 by the operation of the exhaust fan speed control unit 43, respectively. Adjust
공급팬(60)이 구동시 이를 외부로 표시하는 공급팬 작동표시부(64)가 본체(2)의 외측에 설치되며, 공급팬 작동표시부(64)로는 일정한 파장의 빛을 출력하는 램프가 사용될 수 있다. 따라서, 작업자가 공급팬 작동표시부(64)에 의해 공급팬(60)이 구동되는지를 쉽게 알 수 있다.When the supply fan 60 is driven, a supply fan operation display unit 64 which displays it to the outside may be installed outside the main body 2, and a lamp for outputting light having a constant wavelength may be used as the supply fan operation display unit 64. have. Therefore, the operator can easily know whether the supply fan 60 is driven by the supply fan operation indicator 64.
공급팬 작동표시부(64) 및 배출팬 작동표시부(44)는 제어부(70)로부터 출력되는 제어신호에 따라 동작한다. 즉, 제어부(70)는 공급팬(60) 및 배출팬(40)을 구동시 공급팬 작동표시부(64) 및 배출팬 작동표시부(44)로 제어신호를 출력하여 동작시킴으로써 외부에서 작업자가 공급팬(60) 및 배출팬(40)의 동작여부를 알 수 있도록 한다.The supply fan operation display unit 64 and the discharge fan operation display unit 44 operate according to the control signal output from the control unit 70. That is, the control unit 70 operates by supplying a control signal to the supply fan operation display unit 64 and the discharge fan operation display unit 44 when the supply fan 60 and the discharge fan 40 are driven. 60 and the discharge fan 40 to know whether the operation.
이와 같은 구조로 이루어진 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치의 동작은 다음과 같이 이루어진다.Operation of the exhaust system of the cleaning system of the CMP equipment having such a structure is performed as follows.
작업자가 전원부(80)의 전원을 온(on)시키면 제어부(70)가 공급밸브(51)를 개방시켜서 가스공급부(50)로부터 가스공급라인(21)을 통해 공급챔버(20) 내측으로 가스를 공급하며, 공급팬(60) 및 배출팬(40)을 동작시켜 가스공급라인(21)으로부터 공급된 가스가 공급챔버(20)의 개구(22) 및 공급구(11)를 거쳐 클리닝시스템(1)의 본체(2)로 공급되도록 하며, 본체(2)로 공급된 가스는 내측의 케미컬 흄과 함께 배출구(12) 및 배출챔버(30)의 개구(31)를 거쳐 가스배출라인(32)을 통해 외측으로 배출되도록 한다.When the operator turns on the power of the power supply unit 80, the control unit 70 opens the supply valve 51 to supply gas from the gas supply unit 50 to the supply chamber 20 through the gas supply line 21. The supply fan 60 and the discharge fan 40 are operated so that the gas supplied from the gas supply line 21 passes through the opening 22 and the supply port 11 of the supply chamber 20. And the gas supplied to the main body 2 passes through the gas discharge line 32 through the discharge port 12 and the opening 31 of the discharge chamber 30 together with the chemical fume inside. To be discharged outwards.
한편, 가스공급라인(21)이 연결된 공급챔버(20)는 본체(2)의 인출포트(8)측에 설치되며, 가스배출라인(32)이 연결된 배출챔버(30)는 본체(2)의 인입포트(3)측에 설치됨으로써 가스공급라인(21)을 통해 공급되는 가스가 인출포트(8)측으로부터 인입포트(3)측으로 흐르게 됨으로써 인출포트(8)를 통해 언로딩되는 웨이퍼에 케미컬 흄으로 인해 파티클이 발생하는 것을 차단시킨다.Meanwhile, the supply chamber 20 to which the gas supply line 21 is connected is installed at the outlet port 8 side of the main body 2, and the discharge chamber 30 to which the gas discharge line 32 is connected is formed of the main body 2. Installed on the inlet port 3 side, the gas supplied through the gas supply line 21 flows from the outlet port 8 side to the inlet port 3 side, thereby chemical fume on the wafer unloaded through the outlet port 8. This prevents particles from occurring.
공급팬 속도조절부(63) 및 배출팬 속도조절부(43)에 의해 가스공급라인(21)을 통해 본체(2)로 공급되는 가스량과 본체(2)로부터 가스배출라인(32)으로 배출되는 가스 및 이에 포함된 케미컬 흄의 양을 조절할 수 있다.The amount of gas supplied to the main body 2 through the gas supply line 21 and the exhaust fan speed adjusting unit 63 and the exhaust fan speed adjusting unit 43 are discharged from the main body 2 to the gas discharge line 32. The amount of gas and the chemical fumes contained therein can be controlled.
공급팬 작동표시부(64) 및 배출팬 작동표시부(44)가 공급팬(60) 및 배출팬(40)의 동작여부를 외부로 표시함으로써 작업자가 외부에서 공급팬(60) 및 배출팬(40)의 동작여부를 알 수 있다.The supply fan operation indicator 64 and the discharge fan operation indicator 44 indicate the operation of the supply fan 60 and the discharge fan 40 to the outside, so that the operator can supply the supply fan 60 and the discharge fan 40 from the outside. You can see whether the operation.
이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, CMP 장비의 클리닝시스템의 본체내에 존재하는 케미컬 흄을 신속하게 외부로 배출시킴으로써 본체내에 위치하는 웨이퍼에 파티클이 생성되는 것을 방지한다.As described above, according to a preferred embodiment of the present invention, by quickly discharging the chemical fume present in the main body of the cleaning system of the CMP equipment to the outside to prevent particles from being generated in the wafer located in the main body.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치는 CMP 장비의 클리닝시스템의 본체내에 존재하는 케미컬 흄을 신속하게 외부로 배출시킴으로써 본체내에 위치하는 웨이퍼에 파티클이 생성되는 것을 방지하는 효과를 가지고 있다. As described above, the exhaust system of the cleaning system of the CMP equipment according to the present invention is to quickly discharge the chemical fumes present in the body of the cleaning system of the CMP equipment to the outside to prevent particles from being generated on the wafer located in the body Has an effect.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing the exhaust system of the cleaning system of the CMP equipment according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims Without departing from the gist of the present invention, anyone of ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
도 1은 종래의 CMP 장비의 클리닝시스템을 개략적으로 도시한 측면도이고,1 is a side view schematically showing a cleaning system of a conventional CMP equipment,
도 2는 본 발명에 따른 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치를 도시한 사시도이고,2 is a perspective view illustrating an exhaust device of a cleaning system of a CMP apparatus according to the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치를 도시한 부분측단면도이고,Figure 3 is a partial side cross-sectional view showing the exhaust device of the cleaning system of the CMP equipment according to the present invention,
도 4는 본 발명에 따른 CMP 장비의 클리닝시스템의 배기장치의 제어를 위한 구성도이다.4 is a configuration diagram for controlling the exhaust device of the cleaning system of the CMP equipment according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
11 : 공급구 12 : 배출구11: supply port 12: discharge port
20 : 공급챔버 21 : 가스공급라인20: supply chamber 21: gas supply line
22 : 개구 30 : 배출챔버22: opening 30: discharge chamber
31 : 개구 32 : 가스배출라인31: opening 32: gas discharge line
40 : 배출팬 41 : 팬고정부재40: discharge fan 41: fan fixing member
42 : 배출팬 모터 43 : 배출팬 속도조절부42: exhaust fan motor 43: exhaust fan speed control unit
44 : 배출팬 작동표시부 50 : 가스공급부44: discharge fan operation display unit 50: gas supply unit
51 : 공급밸브 60 : 공급팬51: supply valve 60: supply fan
61 : 팬고정부재 62 : 공급팬 모터61: fan fixing member 62: supply fan motor
63 : 공급팬 속도조절부 64 : 공급팬 작동표시부63: supply fan speed control unit 64: supply fan operation display unit
70 : 제어부 80 : 전원부70: control unit 80: power supply unit
Claims (8)
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