KR100517145B1 - Brush cleaner of a chemical-mechanical polisher - Google Patents
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Abstract
본 발명은 CMP 장비의 브러쉬 클리너에 관한 것으로, 상측이 개방된 본체(20) 내측에 CMP 공정을 마친 웨이퍼(W)가 웨이퍼 이송아암(미도시)에 의해 로딩/언로딩되는 로울러(40)와, 웨이퍼(W)를 향해 케미컬을 분사하는 케미컬분사노즐(50)과, 웨이퍼(W)의 상.하측에 각각 위치하는 상부 및 하부브러쉬(60,70)가 각각 설치되는 브러쉬 클리너(10)에 있어서, 본체(20)는 측벽이 내부에 일정 공간(21)을 형성하는 이중벽(22,23)으로 이루어지고, 이중벽(22,23)을 이루는 내측벽(22)과 외측벽(23)에 흡입구(24)와 배기구(25)가 각각 형성되며, 케미컬분사노즐(50)로부터 분사되는 케미컬로 인해 발생되는 흄을 흡입구(24)로 흡입하여 배기라인(31)으로 배출시키도록 배기구(25)에 배기팬(30)이 설치되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 웨이퍼의 클리닝을 위하여 분사되는 케미컬로 인해 발생된 흄을 본체의 외측으로 신속하게 배기시켜 흄으로 인해 파티클이 발생하는 것을 억제함으로써 웨이퍼가 클리닝시 그 표면에 스크래치가 발생하는 것을 방지하며, 흄을 배기시 작업자에게로 발산되지 않도록 함으로써 인체에 해로운 흄으로부터 작업자를 보호하는 효과를 가지고 있다.The present invention relates to a brush cleaner of the CMP apparatus, and a roller (40) in which the wafer (W), which has been subjected to the CMP process, is loaded / unloaded by a wafer transfer arm (not shown). In addition, the chemical spray nozzle 50 for injecting chemical toward the wafer W, and the brush cleaner 10 having upper and lower brushes 60 and 70 respectively positioned above and below the wafer W are provided. In the main body 20, the side walls are formed of double walls 22 and 23 having a predetermined space 21 therein, and an inlet port is formed on the inner wall 22 and the outer wall 23 forming the double walls 22 and 23. 24 and an exhaust port 25 are respectively formed, and the exhaust gas generated by the chemical injected from the chemical spray nozzle 50 is sucked into the inlet port 24 and exhausted to the exhaust port 25 so as to be discharged to the exhaust line 31. It characterized in that the fan 30 is installed. Accordingly, the present invention prevents the occurrence of scratches on the surface of the wafer during cleaning by suppressing the generation of particles due to the fume by quickly exhausting the fume generated due to the chemical injected for cleaning the wafer to the outside of the main body It also has the effect of protecting workers from fumes that are harmful to human body by preventing fumes from being emitted to workers when exhausting them.
Description
본 발명은 CMP 장비의 브러쉬 클리너에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 케미컬로 인해 발생된 흄을 본체의 외측으로 신속하게 배기시켜 흄으로 인해 파티클이 발생하는 것을 억제하며, 흄이 작업자에게로 발산되지 않도록 하는 CMP 장비의 브러쉬 클리너에 관한 것이다.The present invention relates to a brush cleaner of the CMP equipment, and more particularly, to quickly exhaust the fumes generated by the chemical to the outside of the main body to suppress the generation of particles due to the fume, so that the fume is not emitted to the operator To a brush cleaner in a CMP equipment.
최근에는, 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 웨이퍼의 넓어진 면을 평탄화하기 위해서 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; 이하 "CMP"라 함) 공정이 널리 이용되고 있다. Recently, in order to planarize the widened surface of the wafer as the wafer is large-sized, chemical-mechanical polishing (hereinafter referred to as "CMP") is a combination of chemical removal and mechanical removal in a single processing method. The process is widely used.
CMP 공정이란 단차를 가진 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드 위에 밀착시킨 후 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 방식이다. In the CMP process, a wafer surface having a step is brought into close contact with a polishing pad, and a slurry containing abrasive and chemical is injected between the wafer and the polishing pad to planarize the surface of the wafer.
CMP 공정을 실시하는 장비에는 폴리싱을 마친 웨이퍼의 표면에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거하기 위한 클리닝시스템이 구비된다.Equipment for the CMP process is equipped with a cleaning system for removing particles, slurries, residues, etc. adhered to the polished wafer surface.
클리닝 시스템은 웨이퍼 표면을 브러쉬로 세척하는 제 1 및 제 2 브러쉬 클리너(brush cleaner)와, 웨이퍼를 회전시키면서 그 표면에 잔존하는 케미컬을 제거하기 위해 초순수를 분사하여 린스후 건조시키는 스핀 린스 드라이어로 이루어진다.The cleaning system consists of a first and a second brush cleaner which cleans the wafer surface with a brush, and a spin rinse dryer that spins and rinses and dry ultrapure water to remove the chemical remaining on the surface while rotating the wafer. .
종래의 CMP 장비의 클리닝 시스템에서 브러쉬 클리너를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, the brush cleaner in the conventional cleaning system of the CMP equipment as follows.
도 1은 종래의 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 CMP 장비의 브러쉬 클리너(1)는 상측이 개방된 본체(2)와, 본체(2) 내측에 각각 설치되는 복수의 로울러(3), 케미컬분사노즐(4), 그리고 상부 및 하부브러쉬(5,6)를 포함한다.1 is a perspective view schematically showing a brush cleaner of a conventional CMP apparatus. As shown in the drawing, the brush cleaner 1 of the conventional CMP apparatus includes a main body 2 having an open upper side, a plurality of rollers 3, a chemical spray nozzle 4, respectively installed inside the main body 2, and Upper and lower brushes 5, 6.
본체(2)는 웨이퍼 이송아암(미도시)에 의해 복수의 로울러(3)로 웨이퍼(W)를 로딩/언로딩하도록 상측이 개방되도록 형성된다.The main body 2 is formed so that the upper side is opened to load / unload the wafer W to the plurality of rollers 3 by a wafer transfer arm (not shown).
로울러(3)는 복수개로 이루어져 본체(2)의 바닥면에 원형을 이루며 배열되도록 설치되어 웨이퍼 이송아암(미도시)에 의해 본체(2) 내측으로 로딩/언로딩되는 웨이퍼(W)의 가장자리를 지지한다.A plurality of rollers (3) is installed to be arranged in a circular shape on the bottom surface of the main body (2) to the edge of the wafer (W) that is loaded / unloaded into the main body (2) by a wafer transfer arm (not shown) I support it.
케미컬분사노즐(4)은 본체(2)의 바닥면에 일정 높이로 설치되며, 클리닝시 로울러(3)에 의해 지지된 웨이퍼(W)를 향해 케미컬을 분사한다.The chemical spray nozzle 4 is installed at a predetermined height on the bottom surface of the main body 2, and sprays the chemical toward the wafer W supported by the roller 3 during cleaning.
상부브러쉬(5)는 하측에 브러쉬(5a)가 구비되며, 클리닝시 로울러(3)에 지지된 웨이퍼(W)의 외측으로부터 상측으로 이동하여 웨이퍼(W) 상측면에 브러쉬(5a)를 밀착시켜 회전함으로써 웨이퍼(W) 상측면을 클리닝한다.The upper brush 5 is provided with a brush 5a at the lower side, and during cleaning, the brush 5a moves upward from the outside of the wafer W supported by the roller 3 to closely adhere the brush 5a to the upper surface of the wafer W. By rotating, the upper surface of the wafer W is cleaned.
하부브러쉬(6)는 상측에 브러쉬(6a)가 구비되어 로울러(3)에 지지되는 웨이퍼(W)의 하측에 회전가능하게 설치되며, 클리닝시 상측으로 상승하여 웨이퍼(W)의 하측면에 브러쉬(6a)를 밀착시켜 회전함으로써 웨이퍼(W) 하측면을 클리닝한다.The lower brush 6 is provided with a brush 6a on the upper side of the lower brush 6 so as to be rotatably installed on the lower side of the wafer W supported by the roller 3, and is raised to the upper side during cleaning to brush on the lower side of the wafer W. The lower surface of the wafer W is cleaned by bringing 6a into close contact and rotating.
이와 같은, 종래의 CMP 장비의 브러쉬 클리너는 케미컬분사노즐(4)이 웨이퍼(W) 표면으로 케미컬을 분사하기 때문에 본체(2) 내측에 존재하는 흄(fume)으로 인해 파티클이 발생하여 웨이퍼(W) 표면에 스크래치를 발생시켜 웨이퍼의 수율을 현저하게 저하시키며, 본체(2)에 머물던 흄이 개방된 상측을 통해 외측으로 발산되어 작업자에게 해로운 영향을 미치는 문제점을 가지고 있었다.In the brush cleaner of the conventional CMP apparatus, since the chemical spray nozzle 4 injects the chemical to the surface of the wafer W, particles are generated due to a fume existing inside the main body 2, and thus the wafer W The scratches on the surface significantly lower the yield of the wafer, and the fume remaining in the main body 2 is emitted to the outside through the open upper side, which has a detrimental effect on the worker.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 클리닝을 위하여 분사되는 케미컬로 인해 발생된 흄을 본체의 외측으로 신속하게 배기시켜 흄으로 인해 파티클이 발생하는 것을 억제함으로써 웨이퍼가 클리닝시 그 표면에 스크래치가 발생하는 것을 방지하며, 흄을 배기시 작업자에게로 발산되지 않도록 함으로써 인체에 해로운 흄으로부터 작업자를 보호하는 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 제공하는데 있다. The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to quickly exhaust the fumes generated due to the chemical injected for cleaning the wafer to the outside of the main body to suppress the generation of particles due to the fume This prevents scratches on the surface of the wafer during cleaning and prevents fumes from being emitted to the operator during exhaust, thereby providing a brush cleaner for CMP equipment that protects the operator from fumes that are harmful to humans.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 상측이 개방된 본체 내측에 CMP 공정을 마친 웨이퍼가 웨이퍼 이송아암에 의해 로딩/언로딩되는 로울러와, 웨이퍼를 향해 케미컬을 분사하는 케미컬분사노즐과, 웨이퍼의 상.하측에 각각 위치하는 상부 및 하부브러쉬가 각각 설치되는 브러쉬 클리너에 있어서, 본체는 측벽이 내부에 일정 공간을 형성하는 이중벽으로 이루어지고, 이중벽을 이루는 내측벽과 외측벽에 흡입구와 배기구가 각각 형성되며, 케미컬분사노즐로부터 분사되는 케미컬로 인해 발생되는 흄을 흡입구로 흡입하여 배기라인으로 배출시키도록 배기구에 배기팬이 설치되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a roller in which a wafer subjected to a CMP process is loaded / unloaded by a wafer transfer arm inside a main body with an open upper side, a chemical spray nozzle for injecting chemical toward the wafer, and a wafer. A brush cleaner having upper and lower brushes respectively positioned on the upper and lower sides of the brush cleaner, wherein the main body is formed of a double wall of which side walls form a predetermined space therein, and an inlet and an exhaust port of the inner wall and the outer wall of the double wall are respectively formed. It is formed, characterized in that the exhaust fan is installed in the exhaust port to discharge the exhaust fumes generated by the chemical injected from the chemical injection nozzle to the intake port to the exhaust line.
이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너의 본체 상부를 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너(10)는 상측이 개방되고, 측벽이 내부에 일정 공간(21)을 형성하는 이중벽(22,23)으로 이루어지며, 이중벽을 이루는 내측벽(22)과 외측벽(23)에 흡입구(24)와 배기구(25)가 각각 형성되는 본체(20)와, 본체(20)의 배기구(25)에 설치되는 배기팬(30)과, 본체(20) 내측에 각각 설치되는 복수의 로울러(40), 케미컬분사노즐(50), 그리고 상부 및 하부브러쉬(60,70)를 포함한다.Figure 2 is a perspective view schematically showing a brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view showing the upper body of the brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention. As shown, the brush cleaner 10 of the CMP apparatus according to the present invention is composed of double walls 22 and 23 having an upper side and a side wall forming a predetermined space 21 therein, and forming an inner wall forming a double wall. The main body 20 in which the inlet port 24 and the exhaust port 25 are formed in the 22 and the outer wall 23, the exhaust fan 30 provided in the exhaust port 25 of the main body 20, and the main body 20, respectively. A) a plurality of rollers 40, chemical spray nozzles 50, and upper and lower brushes 60 and 70, which are respectively installed inside.
본체(20)는 미도시된 웨이퍼 이송아암에 의해 복수의 로울러(40)에 웨이퍼(W)를 로딩/언로딩하도록 상측이 개방되어 있고, 케미컬분사노즐(50)로부터 분사되는 케미컬로 인해 발생되는 흄(fume)이 흡입되도록 내측벽(22)에 흡입구(24)가 형성되며, 흡입구(24)를 통해 흡입된 흄이 공간(21)을 따라 이동하여 외부로 배출되도록 외측벽(23)에 배기구(25)가 형성된다.The main body 20 is opened at the upper side to load / unload the wafers W on the plurality of rollers 40 by a wafer transfer arm, which is not shown, and is generated due to the chemical sprayed from the chemical spray nozzle 50. An inlet 24 is formed in the inner wall 22 so that the fume is sucked in, and an exhaust port (or exhaust port) is formed in the outer wall 23 so that the fume sucked through the inlet 24 moves along the space 21 and is discharged to the outside. 25) is formed.
흡입구(24)는 내측벽(22)에 복수개가 형성됨이 바람직하다. 따라서, 본체(20)의 내측의 흄을 배기팬(30)에 의해 신속하게 흡입토록 한다.Preferably, a plurality of suction ports 24 are formed on the inner wall 22. Therefore, the fume inside the main body 20 is promptly sucked by the exhaust fan 30.
흡입구(24)에는 개폐정도를 조절할 수 있는 도어(26)가 설치됨이 바람직하다.Inlet 24 is preferably provided with a door 26 to adjust the degree of opening and closing.
도어(26)가 흡입구(24)의 개폐정도를 조절할 수 있도록 도어(26)는 상단 양측에 각각 힌지축(26a)을 형성하여 흡입구(24)내의 상측에 힌지결합되되, 흡입구(24)로부터 열려져 있는 상태를 유지하도록 힌지축(26a)이 흡입구(24)내의 상측에 억지끼워진다.The door 26 is hinged to the upper side of the suction port 24 by forming the hinge shaft 26a on both sides of the upper end so that the door 26 adjusts the opening and closing degree of the suction port 24, and is opened from the suction port 24. The hinge shaft 26a is pressed in the upper side in the suction port 24 so as to keep the state.
배기팬(30)은 케미컬분사노즐(50)로부터 분사되는 케미컬로 인해 발생되는 흄을 흡입구(24)를 통해 흡입하여 이중벽(22,23)의 내측에 형성된 공간(21)을 따라 배기구(25)로 배출되도록 이송력을 제공하며, 배기구(25)를 통해 배출되는 흄이 외부로 배기되도록 배기라인(31)이 연결된다.The exhaust fan 30 sucks the fumes generated by the chemical injected from the chemical spray nozzle 50 through the suction port 24 to exhaust the exhaust port 25 along the space 21 formed inside the double walls 22 and 23. It provides a transfer force to be discharged to the exhaust line, the exhaust line 31 is connected so that the fumes discharged through the exhaust port 25 is exhausted to the outside.
로울러(40)는 복수개로 이루어져 본체(20)의 바닥면에 원형을 이루며 배열되도록 설치되어 웨이퍼 이송아암(미도시)에 의해 본체(2) 내측으로 로딩/언로딩되는 웨이퍼(W)의 가장자리를 지지한다.The rollers 40 are formed in plural and are arranged to form a circle on the bottom surface of the main body 20 so that the edges of the wafer W loaded / unloaded into the main body 2 by a wafer transfer arm (not shown) are arranged. I support it.
케미컬분사노즐(50)은 본체(20)의 바닥면으로부터 일정 높이로 설치되며, 클리닝시 로울러(40)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)를 향해 케미컬을 분사한다.The chemical spray nozzle 50 is installed at a predetermined height from the bottom surface of the main body 20, and sprays the chemical toward the wafer W supported by the roller 40 during cleaning.
상부브러쉬(60)는 하측에 브러쉬(61)가 구비되며, 클리닝시 로울러(40)에 지지된 웨이퍼(W)의 외측으로부터 상측으로 이동하여 웨이퍼(W) 상측면에 브러쉬(61)를 밀착시켜 회전함으로써 웨이퍼(W)의 상측면을 클리닝한다.The upper brush 60 is provided with a brush 61 at the lower side, and during cleaning, the brush 61 moves upward from the outside of the wafer W supported by the roller 40 to closely adhere the brush 61 to the upper surface of the wafer W. By rotating, the upper surface of the wafer W is cleaned.
하부브러쉬(70)는 상측에 브러쉬(71)가 구비되어 로울러(40)에 지지되는 웨이퍼(W)의 하측에 회전가능하게 설치되며, 클리닝시 상측으로 상승하여 웨이퍼(W)의 하측면에 브러쉬(71)를 밀착시켜 회전함으로써 웨이퍼(W)의 하측면을 클리닝한다.The lower brush 70 is rotatably installed on the lower side of the wafer W supported by the roller 40 by the brush 71 provided on the upper side, and is moved upward to the upper side during cleaning to brush on the lower side of the wafer W. The lower surface of the wafer W is cleaned by bringing the 71 into close contact and rotating.
한편, 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너는 본체(20) 내측의 흄을 흡입구(24)로 신속하게 배출시키기 위하여 본체(20)의 내측벽(22)에 가스분사노즐어레이(80)가 설치될 수 있다.On the other hand, the brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention, the gas injection nozzle array 80 is installed on the inner wall 22 of the main body 20 to quickly discharge the fume inside the main body 20 to the suction port 24 Can be.
가스분사노즐어레이(80)는 일정한 길이를 가진 튜브로서 일측에 길이방향을 따라 복수의 가스분사노즐(81)이 형성되며, 외부의 가스공급부(미도시)로부터 공급받은 가스를 가스분사노즐(81)을 통하여 흡입구(24)를 향하여 분사한다.The gas injection nozzle array 80 is a tube having a predetermined length, and a plurality of gas injection nozzles 81 are formed in one side along a length direction, and the gas injection nozzle 81 receives gas supplied from an external gas supply unit (not shown). Spray toward the suction port 24 through the).
가스분사노즐어레이(80)가 분사하는 가스는 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에 퍼지가스로 사용되는 질소(N2) 가스임이 바람직하다.The gas injected by the gas injection nozzle array 80 is preferably a nitrogen (N 2 ) gas used as a purge gas in a process for manufacturing a semiconductor device.
이와 같은 구조로 이루어진 CMP 장비의 브러쉬 클리너의 동작은 다음과 같이 이루어진다.The operation of the brush cleaner of the CMP device having such a structure is performed as follows.
로울러(30)에 지지된 웨이퍼(W)를 클리닝시 케미컬분사노즐(50)로부터 분사되는 케미컬로 인해 본체(20) 내측에 흄이 발생되며, 이 흄은 배기팬(30)의 구동에 의해 흡입구(24)를 통해 흡입되어 이중벽(22,23) 내측의 공간(21)을 따라 배기구(25)를 통해 배기라인(31)으로 배기된다.When cleaning the wafer W supported on the roller 30, a fume is generated inside the main body 20 due to the chemical sprayed from the chemical spray nozzle 50, and the fume is driven by the exhaust fan 30. It is sucked through 24 and is exhausted to the exhaust line 31 through the exhaust port 25 along the space 21 inside the double walls 22 and 23.
따라서, 본체(20)내에 발생된 흄이 상측으로 배출됨을 억제하여 외부로 신속하게 배출함으로써 본체(20)내에 케미컬에 의한 파티클이 발생하는 것을 억제함과 아울러 작업자에게 안전한 작업환경을 제공한다.Accordingly, by suppressing the discharge of the fume generated in the main body 20 to the upper side to quickly discharge to the outside to suppress the generation of particles by the chemical in the main body 20 and provide a safe working environment for the operator.
한편, 케미컬분사노즐(50)로부터 분사되는 케미컬이 배기팬(30)의 송풍력에 의해 영향을 받지 않고 웨이퍼(W)에 제대로 도달될 수 있도록 함과 동시에 웨이퍼(W)로부터 상부 및 하부브러쉬(60,70)에 의해 이탈된 파티클이 재차 웨이퍼(W)에 부착되지 않도록 하기 위하여 흡입구(24)를 통과하는 공기의 양을 흡입구(24)에 설치된 도어(26)의 개폐정도에 의해 조절할 수 있다.Meanwhile, the chemical sprayed from the chemical spray nozzle 50 can reach the wafer W properly without being affected by the blowing force of the exhaust fan 30, and at the same time, the upper and lower brushes from the wafer W ( In order to prevent the particles separated by the 60 and 70 from being attached to the wafer W again, the amount of air passing through the suction port 24 may be adjusted by the opening and closing degree of the door 26 installed in the suction port 24. .
이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼의 클리닝을 위하여 분사되는 케미컬로 인해 발생된 흄을 본체의 외측으로 신속하게 배기시켜 흄으로 인해 파티클이 발생하는 것을 억제함으로써 웨이퍼가 클리닝시 그 표면에 스크래치가 발생하는 것을 방지하며, 흄을 배기시 작업자에게로 발산되지 않도록 함으로써 인체에 해로운 흄으로부터 작업자를 보호한다.According to a preferred embodiment of the present invention as described above, the surface of the wafer during cleaning by suppressing the generation of particles due to the fume by quickly exhausting the fume generated due to the chemical injected for cleaning the wafer to the outside of the main body It prevents scratches and prevents fumes from being emitted to workers when it is exhausted, thus protecting workers from harmful fumes.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너는 웨이퍼의 클리닝을 위하여 분사되는 케미컬로 인해 발생된 흄을 본체의 외측으로 신속하게 배기시켜 흄으로 인해 파티클이 발생하는 것을 억제함으로써 웨이퍼가 클리닝시 그 표면에 스크래치가 발생하는 것을 방지하며, 흄을 배기시 작업자에게로 발산되지 않도록 함으로써 인체에 해로운 흄으로부터 작업자를 보호하는 효과를 가지고 있다.As described above, the brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention is to quickly discharge the fume generated due to the chemical injected for cleaning the wafer to the outside of the main body to suppress the generation of particles due to the fume to clean the wafer It prevents scratches from occurring on the surface and prevents fumes from being emitted to workers when exhausting them, thus protecting workers from fumes that are harmful to humans.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for carrying out the brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims of the present invention Without departing from the gist of the present invention, one of ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
도 1은 종래의 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 개략적으로 도시한 사시도이고,1 is a perspective view schematically showing a brush cleaner of a conventional CMP apparatus,
도 2는 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 개략적으로 도시한 사시도이고,Figure 2 is a perspective view schematically showing a brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention,
도 3은 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너의 본체 상부를 도시한 단면도이다. Figure 3 is a cross-sectional view showing the upper body of the brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
20 ; 본체 21 ; 공간20; Main body 21; space
22 ; 내측벽 23 ; 외측벽22; Inner wall 23; Outer wall
24 ; 흡입구 25 ; 배기구24; Inlet 25; Air vent
26 ; 도어 30 ; 배기팬26; Door 30; Exhaust fan
31 ; 배기라인 40 ; 로울러31; Exhaust line 40; Roller
50 ; 케미컬분사노즐 60 ; 상부브러쉬50; Chemical spray nozzles 60; Upper brush
70 ; 하부브러쉬 80 ; 초순수분사어레이70; Lower brush 80; Ultrapure Water Spray Array
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0006756A KR100517145B1 (en) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | Brush cleaner of a chemical-mechanical polisher |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0006756A KR100517145B1 (en) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | Brush cleaner of a chemical-mechanical polisher |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040070583A KR20040070583A (en) | 2004-08-11 |
| KR100517145B1 true KR100517145B1 (en) | 2005-09-26 |
Family
ID=37358818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0006756A KR100517145B1 (en) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | Brush cleaner of a chemical-mechanical polisher |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100517145B1 (en) |
-
2003
- 2003-02-04 KR KR10-2003-0006756A patent/KR100517145B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040070583A (en) | 2004-08-11 |
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