KR102591029B1 - Optical film having low variation of light transmission rate and display apparatus comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 150℃에서 30분간 열처리 및 가시광선에서 150시간 노광처리 되기 전과 후, 50㎛ 두께를 기준으로, 0% 초과 0.5% 이하의 광투과도 변화율(ΔTT)을 갖는, 광학 필름을 제공한다. 상기 광학 필름은 50㎛ 두께를 기준으로, 370nm에서 430nm까지의 파장 영역에서, 1.65 [%/nm] 이상의 광투과도 기울기를 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예는 상기의 광학 필름을 포함하는 표시장치를 제공한다.One embodiment of the present invention is an optical device having a light transmittance change rate (ΔTT) of more than 0% and less than 0.5%, based on a thickness of 50㎛, before and after heat treatment at 150°C for 30 minutes and exposure treatment in visible light for 150 hours. Provides film. The optical film may have a light transmittance slope of 1.65 [%/nm] or more in a wavelength range from 370 nm to 430 nm, based on a thickness of 50 μm. Additionally, an embodiment of the present invention provides a display device including the optical film.

Description

낮은 광투과도 변화율을 갖는 광학 필름 및 이를 포함하는 표시장치{OPTICAL FILM HAVING LOW VARIATION OF LIGHT TRANSMISSION RATE AND DISPLAY APPARATUS COMPRISING THE SAME}Optical film having low light transmittance change rate and display device including the same {OPTICAL FILM HAVING LOW VARIATION OF LIGHT TRANSMISSION RATE AND DISPLAY APPARATUS COMPRISING THE SAME}

본 발명은 낮은 광투과도 변화율을 갖는 광학 필름 및 이를 포함하는 표시장치에 대한 것이다.The present invention relates to an optical film having a low light transmittance change rate and a display device including the same.

최근, 표시장치의 박형화, 경량화, 플렉서블화로 인하여, 커버 윈도우로 유리 대신 광학 필름을 사용하는 것이 검토되고 있다. 광학 필름이 표시장치의 커버 윈도우로 사용되기 위해서는, 우수한 광학적 특성 및 기계적 특성을 가져야 한다. 따라서, 광학 필름이 외부 환경에서 장시간 사용되더라도, 광학 특성에 변화가 없는 광학 필름을 개발하는 것이 필요하다. 특히, 장시간 사용되더라도, 광학 필름의 광투과도가 저하되지 않는 것이 필요하다.Recently, as display devices become thinner, lighter, and more flexible, the use of optical films instead of glass as cover windows is being considered. In order for an optical film to be used as a cover window of a display device, it must have excellent optical and mechanical properties. Therefore, it is necessary to develop an optical film that does not change its optical properties even if the optical film is used for a long time in an external environment. In particular, it is necessary that the light transmittance of the optical film does not deteriorate even when used for a long time.

본 발명의 일 실시예는 우수한 광특성을 갖는 광학 필름을 제공하고자 한다.One embodiment of the present invention seeks to provide an optical film with excellent optical properties.

본 발명의 일 실시예는, 열처리 후 가시광선에 장시간 노출되더라도, 열처리 및 가시광선에 노출 전과 후의 광투과도 변화율(ΔTT)이 작은 광학 필름을 제공하고자 한다.One embodiment of the present invention seeks to provide an optical film that has a small light transmittance change rate (ΔTT) before and after heat treatment and exposure to visible light, even if exposed to visible light for a long time after heat treatment.

또한, 본 발명의 일 실시예는, 큰 광투과도 기울기(sT)를 가져, 자외선 파장 영역의 빛은 차단하면서, 가시광선 영역의 빛은 높은 투과율로 통과시키는 광학 필름을 제공하고자 한다.In addition, an embodiment of the present invention seeks to provide an optical film that has a large light transmittance slope (sT) and blocks light in the ultraviolet wavelength range while allowing light in the visible range to pass through with high transmittance.

본 발명의 다른 일 실시예는, 필름 내의 염소(Cl) 농도를 제어함으로써, 장시간 사용되더라도 광학적 특성이 유지될 수 있는 광학 필름을 제공하고자 한다.Another embodiment of the present invention seeks to provide an optical film that can maintain optical properties even when used for a long time by controlling the chlorine (Cl) concentration in the film.

이러한 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예는, 150℃에서 30분간 열처리 및 가시광선에서 150시간 노광처리 되기 전과 후, 50㎛ 두께를 기준으로, 0% 초과 0.5% 이하의 광투과도 변화율(ΔTT)을 갖는, 광학 필름을 제공한다. 여기서, 광투과도 변화율(ΔTT)은 다음 식 1로 계산된다 In order to solve this problem, an embodiment of the present invention has a light transmittance change rate of more than 0% and less than 0.5% based on a thickness of 50㎛ before and after heat treatment at 150°C for 30 minutes and exposure treatment in visible light for 150 hours. An optical film having (ΔTT) is provided. Here, the light transmittance change rate (ΔTT) is calculated by the following equation 1:

[식 1][Equation 1]

ΔTT (%) = [|TT2-TT1|/TT1] x 100ΔTT (%) = [|TT 2 -TT 1 |/TT 1 ] x 100

상기 식 1에서, TT1은 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 되기 전 상기 광학 필름의 광투과도(TT)이고, TT2는 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 된 후 상기 광학 필름의 광투과도(TT)이다. 상기 가시광선에 의한 노광처리 조건은, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(xenon) 램프를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 상기 광학 필름에 광을 조사하는 조건이다.In Equation 1, TT 1 is the light transmittance (TT) of the optical film before heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours, and TT 2 is heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and This is the light transmittance (TT) of the optical film after exposure to visible light for 150 hours. The conditions for exposure treatment using visible light include using a xenon lamp in an environment where an average temperature of 25°C and an average relative humidity of 30% are maintained, with a light intensity of 0.8 W/m 2 at a central wavelength of 420 nm for 150 hours. These are the conditions for irradiating light to the optical film.

상기 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 370nm에서 430nm까지의 파장 영역에서, 1.65 [%/nm] 이상의 광투과도 기울기를 가질 수 있다. 여기서, 광투과도 기울기(sT)는 파장 변화에 대한 광투과도 변화로서, 다음 식 2에 의하여 계산된다.The optical film may have a light transmittance slope of 1.65 [%/nm] or more in a wavelength range from 370 nm to 430 nm, based on a thickness of 50 μm. Here, the light transmittance slope (sT) is the change in light transmittance with respect to the wavelength change, and is calculated by the following equation 2.

[식 2][Equation 2]

sT (%/nm) = ΔT/ΔλsT (%/nm) = ΔT/Δλ

상기 식 2에서, Δλ는 nm 단위로 표시되는 광의 파장을 나타내며 ΔT는 % 단위로 표시되는 광투과도 변화를 나타낸다.In Equation 2, Δλ represents the wavelength of light expressed in nm and ΔT represents the change in light transmittance expressed in %.

상기 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 88% 이상의 광투과도를 가질 수 있다.The optical film may have a light transmittance of 88% or more based on a thickness of 50㎛.

상기 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 3 이하의 황색도를 가질 수 있다.The optical film may have a yellowness of 3 or less based on a thickness of 50 μm.

상기 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 1.0% 이하의 헤이즈(haze)를 가질 수 있다. The optical film may have a haze of 1.0% or less based on a thickness of 50 μm.

상기 광학 필름은, 중량 기준으로 120 ppm (0.012 중량%) 이하의 염소(Cl)를 포함할 수 있다. The optical film may contain 120 ppm (0.012% by weight) or less of chlorine (Cl) by weight.

상기 광학 필름은, 중량 기준으로 50 ppm (0.005 중량%) 이하의 염소(Cl)를 포함할 수 있다.The optical film may contain 50 ppm (0.005% by weight) or less of chlorine (Cl) by weight.

상기 광학 필름에 있어서, 150℃에서 30분간 열처리 및 가시광선에서 150시간 노광처리 되기 전과 후, 50㎛ 두께를 기준으로, 황색도(Y.I.) 변화(ΔY.I.)가 5 이하일 수 있다. 여기서, 황색도 변화(ΔY.I.)는 다음 식 3으로 계산된다.In the optical film, the change in yellowness (Y.I.) (ΔY.I.) may be 5 or less, based on a thickness of 50 μm, before and after heat treatment at 150°C for 30 minutes and exposure treatment to visible light for 150 hours. Here, the yellowness change (ΔY.I.) is calculated by the following equation 3.

[식 3][Equation 3]

ΔY.I. = Y.I.(2) - Y.I.(1)ΔY.I. = Y.I.(2) - Y.I.(1)

상기 식 3에서, Y.I.(1)은 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 되기 전 상기 광학 필름의 황색도(Y.I.)이고, Y.I.(2)는 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 된 후 상기 광학 필름의 광투과도 황색도(Y.I.)이며, 상기 가시광선에 의한 노광처리 조건은, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(xenon) 램프를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 상기 광학 필름에 광을 조사하는 조건이다.In Equation 3, YI(1) is the yellowness (YI) of the optical film before heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours, and YI(2) is the yellowness at a temperature of 150°C. The light transmittance of the optical film is yellowness (YI) after heat treatment for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours, and the exposure treatment conditions by visible light are maintained at an average temperature of 25°C and an average relative humidity of 30%. The condition is to irradiate light to the optical film for 150 hours using a xenon lamp in the environment with a light quantity of 0.8 W/m 2 at a central wavelength of 420 nm.

상기 광학 필름은, 이미드 반복 단위 및 아마이드 반복 단위 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The optical film may include at least one of an imide repeating unit and an amide repeating unit.

본 발명의 다른 일 실시예는, 표시패널 및 상기 표시패널 상에 배치된 상기의 광학 필름을 포함하는, 표시장치를 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a display device including a display panel and the optical film disposed on the display panel.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 작은 광투과도 변화율(ΔTT)을 가져, 가시광선에 장시간 노출되더라도 광학 필름의 투과도가 저하되지 않고 우수한 투명성을 유지할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 큰 광투과도 기울기(sT)를 가져, 자외선 파장 영역의 빛은 차단하면서, 가시광선 영역의 빛은 높은 투과율로 통과시킬 수 있다. The optical film according to an embodiment of the present invention has a small light transmittance change rate (ΔTT), and can maintain excellent transparency without deteriorating the transmittance of the optical film even when exposed to visible light for a long time. In addition, the optical film according to an embodiment of the present invention has a large light transmittance slope (sT), and can block light in the ultraviolet wavelength range while allowing light in the visible range to pass through with high transmittance.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 낮은 염소(Cl) 함량을 가지며, 열처리 및 노광처리 후에도 작은 광투과도 변화율(ΔTT)이 작아 우수한 광학적 안정성을 가질 수 있다.The optical film according to an embodiment of the present invention has a low chlorine (Cl) content and can have excellent optical stability due to a small light transmittance change rate (ΔTT) even after heat treatment and exposure treatment.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름을 포함하는 표시장치는 우수한 표시품질을 가지며, 장시간 사용되더라도 우수한 표시품질을 유지할 수 있다.A display device including an optical film according to an embodiment of the present invention has excellent display quality and can maintain excellent display quality even when used for a long time.

도 1은 광투과도 기울기(sT)를 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시장치의 일부에 대한 단면도이다.
도 3은 도 2의 "P" 부분에 대한 확대 단면도이다.
1 is a diagram explaining the light transmittance slope (sT).
Figure 2 is a cross-sectional view of a portion of a display device according to another embodiment of the present invention.
Figure 3 is an enlarged cross-sectional view of portion "P" in Figure 2.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명한다. 다만, 아래에서 설명되는 실시예들은 본 발명의 명확한 이해를 돕기 위한 예시적 목적으로 제시되는 것일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. However, the embodiments described below are provided for illustrative purposes only to facilitate a clear understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로, 본 발명이 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 구성 요소는 동일 참조 부호로 지칭될 수 있다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명은 생략된다. The shape, size, ratio, angle, number, etc. shown in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown in the drawings. Like components may be referred to by the same reference numerals throughout the specification. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description is omitted.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이라는 표현이 사용되지 않는 이상, 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소가 단수로 표현된 경우, 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함한다. 또한, 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless the expression 'only' is used. If a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated. In addition, when interpreting components, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이라는 표현이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, one or more other parts may be placed between the two parts, unless the expression 'directly' is used.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부 (lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해 되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 마찬가지로, 예시적인 용어인 "위" 또는 "상"은 위와 아래의 방향을 모두 포함할 수 있다.Spatially relative terms such as “below, beneath,” “lower,” “above,” and “upper” refer to one element or component as shown in the drawing. It can be used to easily describe the correlation with other elements or components. Spatially relative terms should be understood as terms that include different directions of the element during use or operation in addition to the direction shown in the drawings. For example, if an element shown in the drawings is turned over, an element described as “below” or “beneath” another element may be placed “above” the other element. Accordingly, the illustrative term “down” may include both downward and upward directions. Likewise, the illustrative terms “up” or “on” can include both up and down directions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이라는 표현이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal relationship is described as 'after', 'successfully after', 'after', 'before', etc., 'immediately' or 'directly' Unless the expression is used, non-continuous cases may also be included.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1 항목, 제2 항목 및 제3 항목 중 적어도 하나"의 의미는 제1 항목, 제2 항목 또는 제3 항목 각각 뿐만 아니라 제1 항목, 제2 항목 및 제3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, “at least one of the first, second, and third items” means each of the first, second, or third items, as well as two of the first, second, and third items. It can mean a combination of all items that can be presented from more than one.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동이 가능하다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or fully combined or combined with each other, and various technological interconnections are possible.

발명의 일 실시예는 광학 필름을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 고분자 수지를 포함한다. One embodiment of the invention provides an optical film. An optical film according to an embodiment of the present invention includes a polymer resin.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 이미드 반복 단위 및 아마이드 반복 단위 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 폴리이미드계 고분자, 폴리아마이드계 고분자 및 폴리아마이드-이미드계 고분자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.An optical film according to an embodiment of the present invention may include at least one of an imide repeating unit and an amide repeating unit. For example, the optical film according to an embodiment of the present invention may include at least one of a polyimide-based polymer, a polyamide-based polymer, and a polyamide-imide-based polymer.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 디아민계 화합물 및 디안하이드라이드계 화합물에 의하여 형성된 이미드 반복 단위를 포함할 수 있다.An optical film according to an embodiment of the present invention may include an imide repeating unit formed by a diamine-based compound and a dianhydride-based compound.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 디아민계 화합물 및 디카르보닐계 화합물에 의하여 형성된 아마이드 반복 단위를 포함할 수 있다.An optical film according to an embodiment of the present invention may include an amide repeating unit formed by a diamine-based compound and a dicarbonyl-based compound.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 디아민계 화합물, 디안하이드라이드계 화합물 및 디카르보닐계 화합물에 의하여 형성된 아마이드 반복 단위 및 이미드 반복 단위를 모두 포함할 수 있다.The optical film according to an embodiment of the present invention may include both an amide repeating unit and an imide repeating unit formed by a diamine-based compound, a dianhydride-based compound, and a dicarbonyl-based compound.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 폴리이미드 수지, 폴리아마이드 수지 및 폴리아마이드-이미드 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The optical film according to an embodiment of the present invention may include at least one of polyimide resin, polyamide resin, and polyamide-imide resin.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름은 폴리이미드계 필름, 폴리아마이드계 필름 및 폴리아마이드-이미드계 필름 중 어느 하나일 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 광투과성을 갖는 필름이라면 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름이 될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the optical film may be any one of a polyimide-based film, a polyamide-based film, and a polyamide-imide-based film. However, an embodiment of the present invention is not limited to this, and any film having light transparency can be an optical film according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 디아민계 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the diamine-based compound may be represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

화학식 1에서, A1은 2가의 유기기를 나타낸다. 예를 들어, A1은 탄소수 4 내지 40의 2가의 유기기를 포함한다. 화학식 1에 포함된 유기기 중의 수소 원자는 할로겐 원소, 탄화수소기, 또는 할로겐 원소로 치환된 탄화수소기에 의해 치환될 수 있다. 수소 원자와 치환된 탄화수소기 또는 할로겐 원소로 치환된 탄화수소기의 탄소수는 1 내지 8일 수 있다. 예를 들어, A1에 포함된 수소는 -F, -CH3, -CF3 등으로 치환될 수 있다. In Formula 1, A 1 represents a divalent organic group. For example, A 1 includes a divalent organic group having 4 to 40 carbon atoms. The hydrogen atom in the organic group included in Formula 1 may be substituted by a halogen element, a hydrocarbon group, or a hydrocarbon group substituted with a halogen element. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group substituted with a hydrogen atom or the hydrocarbon group substituted with a halogen element may be 1 to 8. For example, hydrogen included in A 1 may be substituted with -F, -CH 3 , -CF 3 , etc.

수소 원자가 불소 치환된 탄화수소기에 의해 치환된 디아민계 화합물을 사용하여 제조된 광학 필름은 우수한 광투과성을 가지며, 우수한 가공 특성을 가질 수 있다. An optical film manufactured using a diamine-based compound in which hydrogen atoms are substituted with fluorine-substituted hydrocarbon groups has excellent light transmittance and can have excellent processing characteristics.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름의 제조에 사용되는 디아민계 화합물로, 예를 들면, 지방족 디아민, 방향족 디아민 및 이들의 혼합물이 있다. Diamine-based compounds used in the production of an optical film according to an embodiment of the present invention include, for example, aliphatic diamine, aromatic diamine, and mixtures thereof.

본 발명의 일 실시예에서, "방향족 디아민"은 아미노기가 방향족 고리에 직접 결합되어 있는 디아민을 의미하며, 그 구조의 일부에 지방족 기 또는 기타의 치환기를 포함할 수도 있다. 방향족 고리는, 단일 고리 또는 단일 고리가 직접 또는 헤테로원자로 연결된 결합 고리어도 되고 축합 고리이어도 된다. 방향족 고리는, 예를 들어, 벤젠 고리, 비페닐 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리 및 플루오렌 고리를 포함할 수 있으며, 이들에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, “aromatic diamine” refers to a diamine in which an amino group is directly bonded to an aromatic ring, and may include an aliphatic group or other substituents in part of its structure. The aromatic ring may be a single ring, a bonded ring in which the single rings are connected directly or by heteroatoms, or a condensed ring. Aromatic rings may include, but are not limited to, for example, a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a fluorene ring.

본 발명의 일 실시예에서, "지방족 디아민"은 아미노기가 지방족 기에 직접 결합해 있는 디아민을 의미하며, 그 구조의 일부에 방향족 고리 또는 기타의 치환기를 포함할 수도 있다. 지방족 디아민은, 고리형 지방족 디아민 및 고리형이 아닌 비환식 지방족 디아민을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, “aliphatic diamine” refers to a diamine in which an amino group is directly bonded to an aliphatic group, and may include an aromatic ring or other substituents in part of its structure. Aliphatic diamines may include cyclic aliphatic diamines and non-cyclic acyclic aliphatic diamines.

화학식 1의 A1은, 예를 들어, 하기의 구조식들 중 어느 하나로 표현되는 구조를 포함할 수 있다.A 1 of Formula 1 may include, for example, a structure represented by any of the following structural formulas.

상기 구조식에서 *은 결합 위치를 나타낸다. 상기 구조식에서 X는 독립적으로 단일 결합, O, S, SO2, CO, CH2, C(CH3)2 및 C(CF3)3 중 어느 하나일 수 있다. X와 각 환에 대한 결합 위치가 특별히 한정되는 것은 아니지만, X의 결합 위치는, 예를 들어, 각 환에 대해 메타 또는 파라 위치일 수 있다.In the above structural formula, * represents the binding position. In the above structural formula, X may independently be any one of a single bond, O, S, SO 2 , CO, CH 2 , C(CH 3 ) 2 and C(CF 3 ) 3 The bonding position of X and each ring is not particularly limited, but the bonding position of

본 발명의 일 실시예에 따르면, 디안하이드라이드계 화합물은 하기 화학식 2로 표현될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the dianhydride-based compound may be represented by the following formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

화학식 2에서, A2는 4가의 유기기를 나타낸다. 예를 들어, A2는 탄소수 4 내지 40의 4가의 유기기를 포함할 수 있다. 화학식 2에 포함된 유기기 중의 수소 원자는 할로겐 원소, 탄화수소기 또는 할로겐 치환된 탄화수소기에 의해 치환될 수 있다. 여기서, 수소 원자와 치환된 탄화수소기 또는 할로겐 치환된 탄화수소기의 탄소수는 1 내지 8일 수 있다. In Formula 2, A 2 represents a tetravalent organic group. For example, A 2 may include a tetravalent organic group having 4 to 40 carbon atoms. The hydrogen atom in the organic group included in Formula 2 may be substituted by a halogen element, a hydrocarbon group, or a halogen-substituted hydrocarbon group. Here, the number of carbon atoms of the hydrogen atom and the substituted hydrocarbon group or the halogen-substituted hydrocarbon group may be 1 to 8.

화학식 2의 A2는, 예를 들어, 하기의 구조식들 중 어느 하나로 표현되는 구조를 포함할 수 있다.A 2 of Formula 2 may include, for example, a structure represented by any one of the following structural formulas.

상기 구조식에서 *은 결합 위치를 나타낸다. 상기 구조식에서 X는 독립적으로 단일 결합, O, S, SO2, CO, (CH2)n, (C(CH3)2)n 및 (C(CF3)2)n 중 어느 하나일 수 있고, n은 1 내지 5인 정수일 수 있다. X와 각 환에 대한 결합 위치가 특별히 한정되는 것은 아니지만, X의 결합 위치는, 예를 들어, 각 환에 대해 메타 또는 파라 위치일 수 있다.In the above structural formula, * represents the binding position. In the above structural formula , may be an integer from 1 to 5. The bonding position of X and each ring is not particularly limited, but the bonding position of

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름의 제조에 사용되는 모노머는 복수 종류의 디안하이드라이드계 화합물을 포함할 수 있다.The monomer used to manufacture the optical film according to an embodiment of the present invention may include multiple types of dianhydride-based compounds.

수소 원자가 불소 치환된 탄화수소기에 의해 치환된 디안하이드라이드계 화합물을 사용하여 제조된 광학 필름은 우수한 광투과성 및 우수한 가공 특성을 가질 수 있다.An optical film manufactured using a dianhydride-based compound in which hydrogen atoms are substituted with fluorine-substituted hydrocarbon groups can have excellent light transmittance and excellent processing characteristics.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 디카르보닐계 화합물은 하기 화학식 3으로 표현될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the dicarbonyl-based compound may be represented by the following formula (3).

[화학식 3][Formula 3]

화학식 3에서, A3는 2가의 기(group)를 나타낸다. 예를 들어, A3는 탄소수 4 내지 40의 2가의 유기기를 포함할 수 있다. 또한, A3는 탄소 원자, 질소 원자 또는 산소 원자를 표시할 수도 있다. 화학식 3에 포함된 유기기 중의 수소 원자는 할로겐 원소, 탄화수소기 또는 불소 치환된 탄화수소기에 의해 치환될 수 있다. 여기서, 수소 원자가 치환된 탄화수소기 또는 불소 치환된 탄화수소기의 탄소수는 1 내지 8일 수 있다. In Formula 3, A 3 represents a divalent group. For example, A 3 may include a divalent organic group having 4 to 40 carbon atoms. Additionally, A 3 may represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. The hydrogen atom in the organic group included in Formula 3 may be substituted by a halogen element, a hydrocarbon group, or a fluorine-substituted hydrocarbon group. Here, the number of carbon atoms of the hydrogen atom-substituted hydrocarbon group or the fluorine-substituted hydrocarbon group may be 1 to 8.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름의 제조에 사용되는 디안하이드라이드계 화합물과 디카르보닐계 화합물의 함량에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 예를 들어, 화학식 2로 표현되는 디안하이드라이드계 화합물과 화학식 3으로 표현되는 디카르보닐계 화합물의 몰비(디안하이드라이드계 화합물:디카르보닐계 화합물)는 20 내지 60:80 내지 40의 범위로 조정될 수 있다. There is no particular limitation on the content of the dianhydride-based compound and dicarbonyl-based compound used in the production of the optical film according to an embodiment of the present invention. For example, the molar ratio of the dianhydride-based compound represented by Formula 2 and the dicarbonyl-based compound represented by Formula 3 (dianhydride-based compound: dicarbonyl-based compound) may be adjusted to the range of 20 to 60:80 to 40. You can.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 하기 화학식 4로 표현되는 이미드 반복단위를 포함할 수 있다.An optical film according to an embodiment of the present invention may include an imide repeating unit represented by the following formula (4).

[화학식 4][Formula 4]

화학식 4에 포함된 A1과 A2는 이미 설명된 바와 같다.A 1 and A 2 included in Formula 4 are as already described.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 하기 화학식 5로 표현되는 아마이드 반복 단위를 더 포함할 수 있다.The optical film according to an embodiment of the present invention may further include an amide repeating unit represented by the following formula (5).

[화학식 5][Formula 5]

화학식 5에 포함된 A1과 A3는 이미 설명된 바와 같다.A 1 and A 3 included in Formula 5 are as already described.

본 발명의 일 실시예에 따라, 이미드 반복단위를 갖는 광학 필름으로, 예를 들어, 폴리이미드 필름이 있다. 아마이드 반복단위를 갖는 광학 필름으로, 예를 들어, 폴리아마이드 필름이 있다. 이미드 반복단위와 아마이드 반복단위를 갖는 광학 필름으로, 예를 들어, 폴리아마이드-이미드 필름이 있다. According to one embodiment of the present invention, an optical film having an imide repeating unit includes, for example, a polyimide film. An optical film having an amide repeating unit includes, for example, a polyamide film. An optical film having an imide repeating unit and an amide repeating unit includes, for example, a polyamide-imide film.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름은 광투과성 및 플렉서블 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 벤딩(bending) 특성, 폴딩(folding) 특성 및 롤러블(rollable) 특성을 가질 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the optical film may have light transparency and flexible properties. For example, an optical film according to an embodiment of the present invention may have bending characteristics, folding characteristics, and rollable characteristics.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름이 가시광선에 장시간 노출되더라도, 광학 필름의 광투과도가 저하되는 것이 방지될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, even if the optical film is exposed to visible light for a long time, the light transmittance of the optical film can be prevented from being reduced.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름이 150℃에서 30분간 열처리되고, 150시간 동안 광학 필름에 가시광선이 조사되는 경우, 열처리 및 가시광선 조사 전과 후, 50㎛ 두께를 기준으로, 광학 필름의 광투과도 변화율(ΔTT)이 0% 초과 0.5% 이하이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 150시간 동안 광학 필름에 가시광선을 조사하는 것을 "노광처리"라 한다.According to an embodiment of the present invention, when the optical film is heat treated at 150°C for 30 minutes and visible light is irradiated to the optical film for 150 hours, based on a thickness of 50㎛, before and after heat treatment and visible light irradiation, the optical film The light transmittance change rate (ΔTT) is greater than 0% and less than or equal to 0.5%. According to one embodiment of the present invention, irradiating visible light to an optical film for 150 hours is called “exposure treatment.”

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광투과도 변화율(ΔTT)은 다음 식 1로 계산된다. According to one embodiment of the present invention, the rate of change in light transmittance (ΔTT) is calculated by the following equation 1.

[식 1][Equation 1]

ΔTT (%) = [|TT2-TT1|/TT1] x 100ΔTT (%) = [|TT 2 -TT 1 |/TT 1 ] x 100

식 1에서, TT1은 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 되기 전 광학 필름의 광투과도(TT)이다. TT2는 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 된 후 광학 필름의 광투과도(TT)이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 광투과도 변화율은 TT1과 TT2 차이의 절대값(|TT2-TT1|)으로부터 계산될 수 있다.In Equation 1, TT 1 is the light transmittance (TT) of the optical film before heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours. TT 2 is the light transmittance (TT) of the optical film after heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours. According to one embodiment of the present invention, the rate of change in light transmittance can be calculated from the absolute value of the difference between TT 1 and TT 2 (|TT 2 -TT 1 |).

가시광선에 의한 노광처리 조건은, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(xenon) 램프를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 상기 광학 필름에 광을 조사하는 조건이다.Exposure treatment conditions using visible light include using a xenon lamp in an environment where the average temperature is maintained at 25°C and the average relative humidity is 30%, with a light intensity of 0.8 W/m 2 at a central wavelength of 420 nm for 150 hours. These are the conditions for irradiating light to an optical film.

열처리는 광학 필름을 30분간 150℃의 열로 처리되는 것이다. 예를 들어, 광학 필름이 150℃ 오븐에서 30분간 보관 또는 방치하는 것에 의하여 열처리가 이루어질 수 있다.Heat treatment involves treating the optical film with heat at 150°C for 30 minutes. For example, heat treatment may be performed by storing or leaving the optical film in an oven at 150°C for 30 minutes.

가시광선의 조사 조건은, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(xenon) 램프를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 광학 필름에 광을 조사하는 조건이다.The visible light irradiation conditions are: a xenon lamp is used in an environment where the average temperature is 25°C and the average relative humidity is 30%, and the light is applied to the optical film for 150 hours at a light intensity of 0.8 W/m 2 at a central wavelength of 420 nm. This is a condition for investigating.

광투과도는 표준규격 ASTM E313에 따라 분광 광도계(spectrophotometer)에 의하여, 파장 360 내지 740nm의 범위에서 측정될 수 있다. 분광 광도계로, 예를 들어, KONICA MINOLTA 社의 CM-3700D가 사용될 수 있다.Light transmittance can be measured in a wavelength range of 360 to 740 nm by a spectrophotometer according to the standard ASTM E313. As a spectrophotometer, for example, CM-3700D from KONICA MINOLTA can be used.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름이 낮은 광투과도 변화율(ΔTT)를 가져, 장시간 광에 노출되더라도 광학 필름의 광투과도가 저하되지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 우수한 투명성을 유지 능력을 가질 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 우수한 광학적 안정성을 가질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the optical film has a low light transmittance change rate (ΔTT), so the light transmittance of the optical film may not deteriorate even when exposed to light for a long time. Therefore, the optical film according to an embodiment of the present invention can have the ability to maintain excellent transparency. As such, the optical film according to an embodiment of the present invention may have excellent optical stability.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름이 광에 장시간 노출된 후 광학 필름의 광투과도가 향상될 수도 있다. 그 결과, 광에 장시간 노출되더라도 광학 필름에서 투명도 저하가 발생하지 않고 오히려 투명도가 상승할 수도 있다.According to one embodiment of the present invention, the light transmittance of the optical film may be improved after the optical film is exposed to light for a long time. As a result, even if exposed to light for a long time, transparency does not decrease in the optical film, but rather transparency may increase.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 예를 들어, 0.01% 내지 0.5%의 광투과도 변화율(ΔTT)을 가질 수 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 0.05% 내지 내지 0.5%의 광투과도 변화율(ΔTT)을 가질 수 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 0.1% 내지 내지 0.5%의 광투과도 변화율(ΔTT)을 가질 수 있다.The optical film according to an embodiment of the present invention may have, for example, a light transmittance change rate (ΔTT) of 0.01% to 0.5%. Alternatively, the optical film according to an embodiment of the present invention may have a light transmittance change rate (ΔTT) of 0.05% to 0.5%. Alternatively, the optical film according to an embodiment of the present invention may have a light transmittance change rate (ΔTT) of 0.1% to 0.5%.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 370nm에서 430nm까지의 파장 영역에서, 1.65 [%/nm] 이상의 광투과도 기울기를 가질 수 있다.The optical film according to an embodiment of the present invention may have a light transmittance slope of 1.65 [%/nm] or more in a wavelength range from 370 nm to 430 nm, based on a thickness of 50 μm.

광투과도 기울기(sT)는 파장 변화에 대한 광투과도 변화를 의미하며, 다음 식 2에 의하여 계산될 수 있다. The light transmittance slope (sT) refers to the change in light transmittance with respect to the change in wavelength, and can be calculated using the following equation 2.

[식 2][Equation 2]

sT (%/nm) = ΔT/ΔλsT (%/nm) = ΔT/Δλ

식 2에서, Δλ는 nm 단위로 표시되는 광의 파장을 나타내며, ΔT는 % 단위로 표시되는 광투과도 변화를 나타낸다.In Equation 2, Δλ represents the wavelength of light expressed in nm, and ΔT represents the change in light transmittance expressed in %.

예를 들어, 광투과도 기울기(sT)를 측정하기 위해, 광학 필름의 광투과도가 측정된다. 이때 광학 필름의 광투과도는 표준규격 ASTM E313에 따라 분광 광도계(spectrophotometer)에 의하여, 파장 360 내지 740nm의 범위에서 측정될 수 있다. 분광 광도계로, 예를 들어, KONICA MINOLTA 社의 CM-3700D가 사용될 수 있다. 광투과도 기울기(sT)는 열처리 및 노광처리 전 광학 필름을 대상으로 측정된다.For example, to measure the optical transmittance slope (sT), the optical transmittance of an optical film is measured. At this time, the light transmittance of the optical film can be measured in the wavelength range of 360 to 740 nm by a spectrophotometer according to the standard ASTM E313. As a spectrophotometer, for example, CM-3700D from KONICA MINOLTA can be used. The light transmittance slope (sT) is measured on the optical film before heat treatment and exposure treatment.

도 1은 광투과도 기울기(sT)를 설명하는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 파장 변화에 대한 광투과도 변화를 측정함으로써, 광투과도 기울기(sT)가 측정될 수 있다.1 is a diagram explaining the light transmittance slope (sT). As shown in FIG. 1, the light transmittance slope (sT) can be measured by measuring the change in light transmittance with respect to the change in wavelength.

예를 들어, 370nm에서의 광투과도가 1%이고, 430nm에서 광투과도가 99%인 경우, 다음과 같이 광투과도 기울기(sT)가 계산될 수 있다.For example, if the light transmittance at 370 nm is 1% and the light transmittance at 430 nm is 99%, the light transmittance slope (sT) can be calculated as follows.

ΔT = 99%(430nm에서 광투과도) - 1%(370nm에서의 광투과도) = 98%ΔT = 99% (light transmittance at 430 nm) - 1% (light transmittance at 370 nm) = 98%

Δλ= 430nm - 370nm = 60nmΔλ=430nm - 370nm = 60nm

sT (%/nm) = ΔT/Δλ= 98%/60nm = 1.63 [%/nm]sT (%/nm) = ΔT/Δλ= 98%/60nm = 1.63 [%/nm]

본 발명의 일 실시예에 따르면, 370 내지 430nm의 파장 영역에서 광투과도 기울기가 낮을수록, 필름 색상이 녹색 또는 황색이나 오렌지색에 가까운 색을 띄게 된다. 따라서, 무색 또는 무색에 근접하는 투명한 광학 필름이 되기 위해서는, 광학 필름이 370 내지 430nm의 단파장 영역에서 높은 투과도 기울기를 가져, 430nm 이상의 파장을 갖는 광을 최대한 흡수하지 않아야 한다.According to one embodiment of the present invention, the lower the light transmittance slope in the wavelength range of 370 to 430 nm, the closer the film color to green or yellow or orange appears. Therefore, in order to become a transparent optical film that is colorless or close to colorless, the optical film must have a high transmittance slope in the short wavelength region of 370 to 430 nm and must not absorb light with a wavelength of 430 nm or more as much as possible.

태양광 스펙트럼 중 10 내지 400nm의 파장대 빛은 자외선에 해당된다. 특히, 태양광 중 오존층과 대기층에 의해 흡수 또는 반사되지 않고 지표면에 도달하는 강한 광자 에너지를 갖는 빛은 UV-A선이며, 이는 315 내지 400nm의 파장을 갖는다. 광학 필름의 광투과도 변화의 원인 중 하나는 열 및 빛에 의한 광학 필름 내의 라디칼 형성 및 고분자 수지의 분해이다. 이러한 라디칼 형성 및 고분자 수지의 분해가 방지되도록 하기 위해, 광학 필름이 370 내지 430nm의 단파장 영역에서 높은 투과도 기울기를 가질 필요가 있다.Light in the wavelength range of 10 to 400 nm in the solar spectrum corresponds to ultraviolet rays. In particular, among sunlight, light with strong photon energy that reaches the earth's surface without being absorbed or reflected by the ozone layer and atmospheric layer is UV-A ray, which has a wavelength of 315 to 400 nm. One of the causes of changes in light transmittance of optical films is the formation of radicals and decomposition of polymer resin in the optical film due to heat and light. In order to prevent such radical formation and decomposition of the polymer resin, the optical film needs to have a high transmittance gradient in the short wavelength region of 370 to 430 nm.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름에서 발생되는 광투과도 변화율(ΔTT)을 최소화 방법으로, 예를 들어, 광학 필름에 포함된 염소(Cl)의 함량을 최소화하는 방법이 있다. 또한, 광학 필름의 광투과도 기울기(sT)를 향상시키는 방법으로, 예를 들어, 광학 필름에 포함된 염소(Cl)의 함량을 최소화하는 방법이 있다.According to an embodiment of the present invention, a method of minimizing the rate of change in light transmittance (ΔTT) generated in an optical film includes, for example, a method of minimizing the content of chlorine (Cl) contained in the optical film. Additionally, as a method of improving the light transmittance slope (sT) of an optical film, for example, there is a method of minimizing the content of chlorine (Cl) contained in the optical film.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름에 포함된 염소(Cl)의 함량을 최소화하여, 광학 필름의 광투과도 변화율(ΔTT)을 저하시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름에 포함된 염소(Cl)의 함량을 최소화하여, 광학 필름의 광투과도 기울기(sT)를 향상시킬 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the light transmittance change rate (ΔTT) of the optical film can be reduced by minimizing the content of chlorine (Cl) contained in the optical film. Additionally, according to an embodiment of the present invention, the light transmittance slope (sT) of the optical film can be improved by minimizing the content of chlorine (Cl) contained in the optical film.

본 발명자들은, 광학 필름에 염소(Cl) 원자가 잔존하는 경우, 광학 필름의 광투과도가 변할 가능성이 증가한다는 것을 확인하였다. 또한, 본 발명자들은, 광학 필름에 염소(Cl) 원자가 잔존하는 경우, 광학 필름의 광투과도 기울기(sT)가 감소될 가능성이 증가한다는 것을 확인하였다. The present inventors confirmed that when chlorine (Cl) atoms remain in the optical film, the likelihood that the light transmittance of the optical film will change increases. Additionally, the present inventors confirmed that when chlorine (Cl) atoms remain in the optical film, the possibility that the light transmittance slope (sT) of the optical film is reduced increases.

구체적으로, 광학 필름의 제조 과정 중, 고분자 중합 과정, 예를 들어, 폴리아마이드-이미드계 고분자의 중합 과정에서 발생된 염산(HCl)이 충분히 제거되지 못하여 광학 필름 제조를 위한 반응액, 예를 들어, 폴리아마이드-아믹산 용액 내에 존재하는 경우, 반응액의 산도(acidity)가 증가되어 반응성이 저하되고, 고분자의 분해(degradation)가 발생될 수 있다. 또한, 광학 필름을 제조하는 과정 중, 화학적 또는 열적 이미드화 과정에서, 염산(HCl)이 물(H2O)과 반응하여 하이드로늄 이온(H3O+)과 염소 이온(Cl-)의 생성 등 부반응이 유발되어 필름의 광학 물성이 저하될 수 있다. 염소(Cl) 원자를 포함하는 광학 필름에 열 및 광이 조사되는 경우, 염소(Cl) 원자에 의해 광학필름을 구성하는 고분자의 분해 또는 열화가 가속화되거나, 고분자 수지의 화학 구조에 변화가 생길 수 있다. 이와 같이, 광학 필름을 구성하는 고분자 수지의 화학 구조가 분해되거나 열화되어 변하는 경우, 광학 필름의 광투과도가 저하될 수 있으며, 광투과도 기울기(sT)가 감소될 수 있다.Specifically, during the manufacturing process of the optical film, hydrochloric acid (HCl) generated during the polymerization process, for example, the polymerization process of the polyamide-imide polymer, cannot be sufficiently removed, so that the reaction solution for manufacturing the optical film, for example, , when present in a polyamide-amic acid solution, the acidity of the reaction solution increases, which reduces reactivity and may cause degradation of the polymer. In addition, during the process of manufacturing optical films, during chemical or thermal imidization, hydrochloric acid (HCl) reacts with water (H 2 O) to generate hydronium ions (H 3 O + ) and chlorine ions (Cl - ). Side reactions such as side reactions may occur and the optical properties of the film may deteriorate. When heat and light are irradiated to an optical film containing chlorine (Cl) atoms, the decomposition or deterioration of the polymer that makes up the optical film may be accelerated by the chlorine (Cl) atoms, or the chemical structure of the polymer resin may change. there is. As such, when the chemical structure of the polymer resin constituting the optical film decomposes or deteriorates and changes, the light transmittance of the optical film may decrease and the light transmittance slope (sT) may decrease.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 중량 기준으로 120 ppm 이하의 염소(Cl)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 120 ppm은 0.012 중량%에 대응될 수 있다. 광학 필름에 중량 기준으로 120 ppm 이하의 염소(Cl)가 포함되는 경우, 염소(Cl)로 인해 발생되는 광학 필름 내의 화학 반응이 저하될 수 있으며, 그 결과, 광학 필름의 광투과도 저하가 방지될 수 있고, 광투과도 기울기(sT) 감소가 방지될 수 있다. The optical film according to an embodiment of the present invention may contain 120 ppm or less of chlorine (Cl) by weight. According to one embodiment of the present invention, 120 ppm may correspond to 0.012% by weight. If the optical film contains 120 ppm or less of chlorine (Cl) by weight, the chemical reaction within the optical film caused by chlorine (Cl) may decrease, and as a result, a decrease in light transmittance of the optical film may be prevented. and a decrease in the light transmittance slope (sT) can be prevented.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 염소(Cl)라는 용어는 염소 원자 및 염소 이온(Cl-)를 포함하는 의미로 사용된다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 염소(Cl)는 다른 원자와 결합하여 분자를 형성할 수 있으며, 분자 내에 포함된 염소 원자는 본 발명의 일 실시예에 따른 염소(Cl)에 포함된다. 염소의 함량은 염소의 농도로 표현될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the term chlorine (Cl) is used to include a chlorine atom and a chlorine ion (Cl - ). In addition, according to an embodiment of the present invention, chlorine (Cl) can form a molecule by combining with other atoms, and the chlorine atom contained in the molecule is included in chlorine (Cl) according to an embodiment of the present invention. . The chlorine content can be expressed as chlorine concentration.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 1 내지 120 ppm (0.0001 내지 0.012 중량%)의 염소(Cl)를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 중량 기준으로, 50 ppm (0.001 중량%) 이하의 염소(Cl)를 포함할 수 있고, 10 ppm (0.001 중량%) 이하의 염소(Cl)를 포함할 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 2 내지 120 ppm의 염소를 포함할 수도 있고, 2 내지 50 ppm의 염소를 포함할 수도 있고, 1 내지 10 ppm의 염소를 포함할 수도 있고, 2 내지 10 ppm의 염소를 포함할 수도 있다.An optical film according to an embodiment of the present invention may contain 1 to 120 ppm (0.0001 to 0.012% by weight) of chlorine (Cl). In addition, the optical film according to an embodiment of the present invention may contain 50 ppm (0.001% by weight) or less of chlorine (Cl), and 10 ppm (0.001% by weight) or less of chlorine (Cl) by weight. It may also include . The optical film according to an embodiment of the present invention may contain 2 to 120 ppm of chlorine, 2 to 50 ppm of chlorine, 1 to 10 ppm of chlorine, or 2 to 120 ppm of chlorine. May contain up to 10 ppm chlorine.

이미 설명한 바와 같이, 광학 필름의 제조 과정에서 염산(HCl)이 발생되는 경우가 있다. 광학 필름의 제조 과정 중 발생된 염산이 제거되지 않는 경우, 결과물인 광학 필름에 염소(Cl)가 잔존할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름에 잔존하는 염소(Cl) 함량을 최소화하기 위해, 광학 필름의 제조 과정에서 발생되는 염산을 제거하기 위한 염소(Cl) 수용체가 사용된다. As already explained, hydrochloric acid (HCl) is sometimes generated during the manufacturing process of optical films. If hydrochloric acid generated during the manufacturing process of the optical film is not removed, chlorine (Cl) may remain in the resulting optical film. Therefore, according to one embodiment of the present invention, in order to minimize the chlorine (Cl) content remaining in the optical film, a chlorine (Cl) receptor is used to remove hydrochloric acid generated during the manufacturing process of the optical film.

염소(Cl) 수용체는 광학 필름의 제조 과정에서 염산(HCl)과 반응하여 염소(Cl) 화합물이 된 후, 광학 필름의 제조 과정에서 제거된다. 그러나, 염소(Cl) 수용체의 일부는 염산과 반응하지 않을 수 있고, 광학 필름의 제조 과정 중에서 제거되지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 미량의 염소(Cl) 수용체를 포함할 수 있다. The chlorine (Cl) receptor reacts with hydrochloric acid (HCl) to form a chlorine (Cl) compound during the manufacturing process of the optical film, and is then removed during the manufacturing process of the optical film. However, some of the chlorine (Cl) receptors may not react with hydrochloric acid and may not be removed during the manufacturing process of the optical film. Therefore, the optical film according to an embodiment of the present invention may include a trace amount of chlorine (Cl) receptor.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 염소(Cl) 수용체는 염산(HCl) 또는 염소이온(Cl-)과 반응할 수 있는 물질이다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 염소(Cl) 수용체는, 염산(HCl) 또는 염소이온(Cl-)과 반응한 후, 광학 필름의 제조 과정 중 후속 공정에 제거될 수 있는 물질로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 염소(Cl) 수용체는 염산과 반응하여 염(salt) 또는 할로하이드린 화합물(halohydrine compound)를 형성함으로써 중합 과정에서 생성되는 염산을 제거하는 역할을 할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the chlorine (Cl) receptor is a substance that can react with hydrochloric acid (HCl) or chlorine ion (Cl - ). In addition, according to one embodiment of the present invention, the chlorine (Cl) receptor is selected from materials that can be removed in a subsequent process during the manufacturing process of the optical film after reacting with hydrochloric acid (HCl) or chlorine ion (Cl - ). It can be. For example, the chlorine (Cl) receptor can serve to remove hydrochloric acid generated during polymerization by reacting with hydrochloric acid to form a salt or halohydrine compound.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 염소(Cl) 수용체로, 환형 에테르(cyclic ether)계 화합물이 사용될 수 있다. 환형 에테르(cyclic ether)계 화합물은, 예를 들어, 에폭사이드(eposide)계 화합물, 옥세탄(oxetane)계 화합물, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran)계 화합물 및 테트라하이드로피란(tetrahydropyran)계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a cyclic ether-based compound may be used as a chlorine (Cl) acceptor. The cyclic ether-based compound is, for example, at least one of an epoxide-based compound, an oxetane-based compound, a tetrahydrofuran-based compound, and a tetrahydropyran-based compound. may include.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 환형 에테르(cyclic ether)계 화합물을, 중량 기준으로 0.1 내지 30 ppm 만큼 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 중량 기준으로 0.1 내지 12 ppm의 환형 에테르(cyclic ether)계 화합물을 포함할 수도 있다.The optical film according to an embodiment of the present invention may contain 0.1 to 30 ppm by weight of a cyclic ether-based compound. The optical film according to an embodiment of the present invention may include 0.1 to 12 ppm by weight of a cyclic ether-based compound.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 염소(Cl) 수용체로, 하기 화학식 6으로 표현되는 에폭사이드계 화합물이 사용될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, an epoxide-based compound represented by the following formula (6) can be used as a chlorine (Cl) acceptor.

[화학식 6] [Formula 6]

화학식 6에서 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 유기기 중 어느 하나일 수 있다. 보다 구체적으로, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기일 수 있다. In Formula 6, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may each independently be hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. More specifically, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may each independently be hydrogen or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. According to one embodiment of the present invention, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may each independently be hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 화학식 6로 표현되는 에폭사이드계 화합물 중 프로필렌옥사이드(propylene oxide, PO)가 염소(Cl) 수용체로 사용될 수 있다. 따라서, According to one embodiment of the present invention, propylene oxide (PO), among epoxide-based compounds represented by Chemical Formula 6, can be used as a chlorine (Cl) acceptor. thus,

염소(Cl) 수용체로 사용되는 에폭사이드계 화합물은 하기 반응식 1에 따라 염산(HCl) 또는 염소(Cl)와 반응할 수 있다.Epoxide-based compounds used as chlorine (Cl) receptors can react with hydrochloric acid (HCl) or chlorine (Cl) according to Scheme 1 below.

[반응식 1][Scheme 1]

본 발명의 일 실시예에 있어서, 염소(Cl) 수용체와 염산(HCl)의 반응물은 광학 필름의 제조 과정 중에 제거된다. 그 결과, 염소(Cl)가 제거될 수 있다. 그러나, 염소(Cl) 수용체와 염소(Cl)의 반응물이 제거되지 않고 광학 필름에 잔존할 수도 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 염소(Cl) 수용체와 염산(HCl) 또는 염소(Cl)의 반응물을 포함할 수도 있다. In one embodiment of the present invention, the reaction product of chlorine (Cl) receptor and hydrochloric acid (HCl) is removed during the manufacturing process of the optical film. As a result, chlorine (Cl) can be removed. However, the reaction product of the chlorine (Cl) receptor and chlorine (Cl) may not be removed and may remain in the optical film. Therefore, the optical film according to an embodiment of the present invention may include a chlorine (Cl) receptor and a reactant of hydrochloric acid (HCl) or chlorine (Cl).

염소(Cl) 수용체로 프로필렌옥사이드(PO)가 사용되는 경우, 염소(Cl) 수용체는 하기 반응식 2에 따라 염산(HCl)과 반응할 수 있다.When propylene oxide (PO) is used as a chlorine (Cl) receptor, the chlorine (Cl) receptor can react with hydrochloric acid (HCl) according to Scheme 2 below.

[반응식 2][Scheme 2]

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 88% 이상의 광투과도를 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 90% 이상의 광투과도를 가질 수도 있고, 91% 이상의 광투과도를 가질 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 열처리 및 노광처리 전 광학 필름을 대상으로 광투과도가 측정 및 평가된다.The optical film according to an embodiment of the present invention may have a light transmittance of 88% or more based on a thickness of 50 μm. Additionally, the optical film according to an embodiment of the present invention may have a light transmittance of 90% or more, or may have a light transmittance of 91% or more, based on a thickness of 50 μm. According to one embodiment of the present invention, light transmittance is measured and evaluated for an optical film before heat treatment and exposure treatment.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 3 이하의 황색도(Y.I.)를 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 2 이하의 황색도를 가질 수도 있고, 1 이하의 황색도를 가질 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 열처리 및 노광처리 전 광학 필름을 대상으로 황색도(Y.I.)가 측정 및 평가된다.The optical film according to an embodiment of the present invention may have a yellowness (Y.I.) of 3 or less based on a thickness of 50㎛. Additionally, the optical film according to an embodiment of the present invention may have a yellowness of 2 or less, and may have a yellowness of 1 or less, based on a thickness of 50 μm. According to one embodiment of the present invention, yellowness (Y.I.) is measured and evaluated for an optical film before heat treatment and exposure treatment.

광투과도 및 황색도는 표준규격 ASTM E313에 따라 분광 광도계(spectrophotometer)에 의하여, 파장 360 내지 740nm의 범위에서 측정될 수 있다. 분광 광도계(spectrophotometer)로, 예를 들어, KONICA MINOLTA 社의 CM-3700D가 사용될 수 있다.Light transmittance and yellowness can be measured in a wavelength range of 360 to 740 nm by a spectrophotometer according to the standard ASTM E313. As a spectrophotometer, for example, CM-3700D from KONICA MINOLTA can be used.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 50㎛ 두께를 기준으로, 1.0% 이하의 헤이즈(haze)를 가질 수 있다. The optical film according to an embodiment of the present invention may have a haze of 1.0% or less based on a thickness of 50 μm.

헤이즈는 ASTM D1003에 따라 헤이즈 미터에 의하여 측정될 수 있다. 헤이즈 측정을 위해 50㎜ x 50㎜ 크기의 광학 필름 샘플이 사용될 수 있다. 5회 측정된 헤이즈 값의 평균을 그 샘플의 헤이즈라고 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 헤이즈 미터로 MURAKAMI 社의 HM-150이 사용될 수 있다.Haze can be measured by a haze meter according to ASTM D1003. An optical film sample measuring 50 mm x 50 mm can be used for haze measurement. The average of the haze values measured five times can be referred to as the haze of the sample. According to one embodiment of the present invention, MURAKAMI's HM-150 can be used as a haze meter.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 5 이하의 황색도 변화(ΔY.I.)를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 다르면, 150℃에서 30분간 열처리 및 가시광선에서 150시간 노광처리 되기 전과 후, 50㎛ 두께를 기준으로, 광학 필름의 황색도 변화(ΔY.I.)가 측정된다.The optical film according to an embodiment of the present invention may have a yellowness change (ΔY.I.) of 5 or less. According to one embodiment of the present invention, the change in yellowness (ΔY.I.) of the optical film is measured based on a thickness of 50㎛ before and after heat treatment at 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours.

보다 구체적으로, 황색도 변화(ΔY.I.)는 다음 식 3으로 계산된다.More specifically, the yellowness change (ΔY.I.) is calculated by the following equation 3:

[식 3][Equation 3]

ΔY.I. = Y.I.(2) - Y.I.(1)ΔY.I. = Y.I.(2) - Y.I.(1)

식 3에서, Y.I.(1)은 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 되기 전 상기 광학 필름의 황색도(Y.I.)이고, Y.I.(2)는 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 된 후 상기 광학 필름의 광투과도 황색도(Y.I.)이다. In Equation 3, Y.I.(1) is the yellowness (Y.I.) of the optical film before heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours, and Y.I.(2) is 30 at a temperature of 150°C. The light transmittance of the optical film after heat treatment for 1 minute and exposure to visible light for 150 hours is also yellowness (Y.I.).

가시광선에 의한 노광처리 조건은, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(xenon) 램프를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 상기 광학 필름에 광을 조사하는 조건이다.Exposure treatment conditions using visible light include using a xenon lamp in an environment where the average temperature is maintained at 25°C and the average relative humidity is 30%, with a light intensity of 0.8 W/m 2 at a central wavelength of 420 nm for 150 hours. These are the conditions for irradiating light to an optical film.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 필름은 5 이하의 낮은 황색도 변화(ΔY.I.)를 가져, 광학 필름이 사용되는 통상적인 조건에서 가시광선에 장시간 노출되더라도, 광학 필름의 황색도(Y.I.)가 저하되는 것이 방지될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the optical film has a low yellowness change (ΔY.I.) of 5 or less, so that the yellowness (ΔY.I.) of the optical film is reduced even when exposed to visible light for a long time under typical conditions in which the optical film is used. Y.I.) can be prevented from deteriorating.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 낮은 염소(Cl) 농도를 가지기 때문에, 낮은 황색도 변화(ΔY.I.)를 가질 수 있다.Since the optical film according to an embodiment of the present invention has a low chlorine (Cl) concentration, it may have a low yellowness change (ΔY.I.).

일반적으로, 광학 필름이 염소(Cl)를 포함하는 경우, 광학 필름에 열 또는 광이 조사되면, 염소(Cl)에 의해 광학필름을 구성하는 고분자의 분해 또는 열화가 심화될 수 있고, 고분자 수지의 화학 구조에 변화가 생길 수 있다. 이와 같이, 광학 필름을 구성하는 고분자 수지의 화학 구조가 분해되거나 열화되어 변하는 경우, 광학 필름의 황색도가 증가할 수 있다.Generally, when the optical film contains chlorine (Cl), when heat or light is irradiated to the optical film, the decomposition or deterioration of the polymer that makes up the optical film may worsen due to chlorine (Cl), and the polymer resin may be damaged. Changes in chemical structure may occur. In this way, when the chemical structure of the polymer resin constituting the optical film decomposes or deteriorates and changes, the yellowness of the optical film may increase.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 낮은 염소(Cl) 농도를 가지기 때문에, 150℃에서 30분간 열처리 및 가시광선에서 150시간 노광처리와 같은 악조건 실험을 거치더라도, 황색도의 증가가 크지 않아, 낮은 황색도 변화(ΔY.I.)를 가질 수 있다. 이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 광학 필름이 사용되는 통상의 조건에서 황색도의 증가가 거의 발생하지 않아, 표시장치 등에 유용하게 적용될 수 있다.Since the optical film according to an embodiment of the present invention has a low chlorine (Cl) concentration, even when subjected to adverse conditions such as heat treatment at 150°C for 30 minutes and exposure treatment in visible light for 150 hours, the increase in yellowness is not significant. , may have a low yellowness change (ΔY.I.). The optical film according to an embodiment of the present invention has little increase in yellowness under normal conditions under which optical films are used, and can be usefully applied to display devices, etc.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은 표시장치에 적용되어 표시패널의 표시면을 보호할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름은, 표시패널을 보호하기 충분한 정도의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 광학 필름은 10 내지 100㎛의 두께를 가질 수 있다.The optical film according to an embodiment of the present invention can be applied to a display device to protect the display surface of the display panel. The optical film according to an embodiment of the present invention may have a thickness sufficient to protect the display panel. For example, the optical film may have a thickness of 10 to 100 μm.

이하, 도 2 및 도 3를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름이 사용된 표시장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 2 and 3, a display device using an optical film according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시장치(200)의 일부에 대한 단면도이고, 도 3는 도 2의 "P" 부분에 대한 확대 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion of the display device 200 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the “P” portion of FIG. 2.

도 2을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시장치(200)는 표시패널(501) 및 표시패널(501) 상의 광학 필름(100)을 포함한다. Referring to FIG. 2, a display device 200 according to another embodiment of the present invention includes a display panel 501 and an optical film 100 on the display panel 501.

도 2 및 도 3을 참조하면, 표시패널(501)은 기판(510), 기판(510) 상의 박막 트랜지스터(TFT) 및 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 유기 발광 소자(570)를 포함한다. 유기 발광 소자(570)는 제1 전극(571), 제1 전극(571) 상의 유기 발광층(572) 및 유기 발광층(572) 상의 제2 전극(573)을 포함한다. 도 2 및 도 3에 개시된 표시장치(200)은 유기발광 표시장치이다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the display panel 501 includes a substrate 510, a thin film transistor (TFT) on the substrate 510, and an organic light emitting device 570 connected to the thin film transistor (TFT). The organic light emitting device 570 includes a first electrode 571, an organic light emitting layer 572 on the first electrode 571, and a second electrode 573 on the organic light emitting layer 572. The display device 200 disclosed in FIGS. 2 and 3 is an organic light emitting display device.

기판(510)은 유리 또는 플라스틱으로 만들어질 수 있다. 구체적으로, 기판(510)은 폴리이미드계 수지와 같은 플라스틱으로 만들어질 수 있다. 도시되지 않았지만, 기판(510) 상에 버퍼층이 배치될 수 있다. Substrate 510 may be made of glass or plastic. Specifically, the substrate 510 may be made of plastic such as polyimide-based resin. Although not shown, a buffer layer may be disposed on the substrate 510.

박막 트랜지스터(TFT)는 기판(510) 상에 배치된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(520), 반도체층(520)과 절연되어 반도체층(520)의 적어도 일부와 중첩하는 게이트 전극(530), 반도체층(520)과 연결된 소스 전극(541) 및 소스 전극(541)과 이격되어 반도체층(520)과 연결된 드레인 전극(542)을 포함한다. A thin film transistor (TFT) is disposed on the substrate 510. The thin film transistor (TFT) includes a semiconductor layer 520, a gate electrode 530 that is insulated from the semiconductor layer 520 and overlaps at least a portion of the semiconductor layer 520, a source electrode 541 connected to the semiconductor layer 520, and It includes a drain electrode 542 spaced apart from the source electrode 541 and connected to the semiconductor layer 520.

도 3를 참조하면, 게이트 전극(530)과 반도체층(520) 사이에 게이트 절연막(535)이 배치된다. 게이트 전극(530) 상에 층간 절연막(551)이 배치되고, 층간 절연막(551) 상에 소스 전극(541) 및 소스 전극(541)이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3, a gate insulating film 535 is disposed between the gate electrode 530 and the semiconductor layer 520. An interlayer insulating film 551 may be disposed on the gate electrode 530, and a source electrode 541 and a source electrode 541 may be disposed on the interlayer insulating film 551.

평탄화막(552)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 배치되어 박막 트랜지스터(TFT)의 상부를 평탄화시킨다.The planarization film 552 is disposed on the thin film transistor (TFT) to planarize the top of the thin film transistor (TFT).

제1 전극(571)은 평탄화막(552) 상에 배치된다. 제1 전극(571)은 평탄화막(552)에 구비된 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된다. The first electrode 571 is disposed on the planarization film 552. The first electrode 571 is connected to the thin film transistor (TFT) through a contact hole provided in the planarization film 552.

뱅크층(580)은 제1 전극(571)의 일부 및 평탄화막(552) 상에 배치되어 화소 영역 또는 발광 영역을 정의한다. 예를 들어, 뱅크층(580)이 복수의 화소들 사이의 경계 영역에 매트릭스 구조로 배치됨으로써, 뱅크층(580)에 의해 화소 영역이 정의될 수 있다. The bank layer 580 is disposed on a portion of the first electrode 571 and the planarization film 552 to define a pixel area or a light emitting area. For example, the bank layer 580 may be arranged in a matrix structure in the boundary area between a plurality of pixels, so that the pixel area may be defined by the bank layer 580.

유기 발광층(572)은 제1 전극(571) 상에 배치된다. 유기 발광층(572)은 뱅크층(580) 상에도 배치될 수 있다. 유기 발광층(572)은 하나의 발광층을 포함할 수도 있고, 상하로 적층된 2개 이상의 발광층을 포함할 수도 있다. 이러한 유기 발광층(572)에서 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색을 갖는 광이 방출될 수 있으며, 백색(White) 광이 방출될 수도 있다. The organic light emitting layer 572 is disposed on the first electrode 571. The organic light emitting layer 572 may also be disposed on the bank layer 580. The organic light-emitting layer 572 may include one light-emitting layer or two or more light-emitting layers stacked vertically. Light having any one of red, green, and blue colors may be emitted from the organic emission layer 572, and white light may also be emitted.

제2 전극(573)은 유기 발광층(572) 상에 배치된다.The second electrode 573 is disposed on the organic light emitting layer 572.

제1 전극(571), 유기 발광층(572) 및 제2 전극(573)이 적층되어 유기 발광 소자(570)가 이루어질 수 있다. The organic light emitting device 570 may be formed by stacking the first electrode 571, the organic light emitting layer 572, and the second electrode 573.

도시되지 않았지만, 유기 발광층(572)이 백색(White) 광을 발광하는 경우, 개별 화소는 유기 발광층(572)에서 방출되는 백색(White) 광을 파장 별로 필터링하기 위한 컬러 필터를 포함할 수 있다. 컬러 필터는 광의 이동경로 상에 형성된다.Although not shown, when the organic emission layer 572 emits white light, each pixel may include a color filter to filter the white light emitted from the organic emission layer 572 by wavelength. A color filter is formed on the path of light.

제2 전극(573) 상에 박막 봉지층(590)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(590)은 적어도 하나의 유기막 및 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있으며, 적어도 하나의 유기막 및 적어도 하나의 무기막이 교호적으로 배치될 수 있다.A thin film encapsulation layer 590 may be disposed on the second electrode 573. The thin film encapsulation layer 590 may include at least one organic layer and at least one inorganic layer, and at least one organic layer and at least one inorganic layer may be alternately disposed.

이상 설명된 적층 구조를 갖는 표시패널(501) 상에 광학 필름(100)이 배치된다.The optical film 100 is disposed on the display panel 501 having the laminated structure described above.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing an optical film according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필름의 제조방법은, 디아민계 화합물, 디안하이드라이드계 화합물, 제1 디카르보닐계 화합물 및 제1 염소(Cl) 수용체를 이용하여 제1 반응액을 형성하는 단계, 제1 반응액에 제2 디카르보닐계 화합물 및 제2 염소(Cl) 수용체를 첨가하고 반응시켜 제2 반응액을 형성하는 단계, 상기 제2 반응액에 탈수제 및 이미드화 촉매를 첨가하고 반응시켜 제3 반응액을 형성하는 단계, 제3반응액을 처리하여 고체 상태의 고분자 수지를 제조하는 단계, 상기 고체 상태의 고분자 수지를 용해시켜 고분자 수지 용액을 제조하는 단계, 및 상기 고분자 수지 용액을 캐스팅하는 단계를 포함한다. 이하, 각 단계를 구체적으로 설명한다.The method for manufacturing an optical film according to an embodiment of the present invention includes forming a first reaction solution using a diamine-based compound, a dianhydride-based compound, a first dicarbonyl-based compound, and a first chlorine (Cl) receptor. , adding a second dicarbonyl-based compound and a second chlorine (Cl) acceptor to the first reaction solution and reacting to form a second reaction solution, adding a dehydrating agent and an imidization catalyst to the second reaction solution and reacting forming a third reaction solution, processing the third reaction solution to prepare a polymer resin in a solid state, dissolving the polymer resin in a solid state to prepare a polymer resin solution, and casting the polymer resin solution. It includes steps to: Hereinafter, each step will be described in detail.

먼저, 디아민계 화합물, 디안하이드라이드계 화합물, 제1 디카르보닐계 화합물 및 제1 염소(Cl) 수용체를 이용하여 제1 반응액을 형성한다. First, a first reaction solution is formed using a diamine-based compound, a dianhydride-based compound, a first dicarbonyl-based compound, and a first chlorine (Cl) receptor.

제1 반응액 제조를 위한 용매로, 예를 들어, 디메틸아세트아마이드(DMAc, N,N-dimethylacetamide), 디메틸포름아마이드(DMF, N,N-dimethylformamide), 메틸피롤리돈(NMP, 1-methyl-2-pyrrolidinone), m-크레졸(m-cresol), 테트라하이드로퓨란(THF, tetrahydrofuran), 클로로포름(Chloroform), 메틸에틸케톤(Methyl Ethyl Ketone, MEK) 등의 비양자성 극성 유기 용매 (aprotic solvent) 및 이들의 혼합물이 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 용매가 이에 한정되는 것은 아니며 다른 용매가 사용될 수도 있다.Solvents for preparing the first reaction solution include, for example, dimethylacetamide (DMAc, N,N-dimethylacetamide), dimethylformamide (DMF, N,N-dimethylformamide), and methylpyrrolidone (NMP, 1-methyl). Aprotic polar organic solvents such as -2-pyrrolidinone, m-cresol, tetrahydrofuran (THF), chloroform, and methyl ethyl ketone (MEK). and mixtures thereof may be used. However, the solvent according to one embodiment of the present invention is not limited to this and other solvents may be used.

디아민계 화합물로 상기 설명된 화학식 1의 화합물들이 사용될 수 있고, 디안하이드라이드계 화합물로 상기 설명된 화학식 2의 화합물들이 사용될 수 있다. 제1 디카르보닐계 화합물로, 상기 설명된 화학식 3으로 표현되는 디카르보닐계 화합물들이 사용될 수 있다. The compounds of Formula 1 described above may be used as diamine-based compounds, and the compounds of Formula 2 described above may be used as dianhydride-based compounds. As the first dicarbonyl-based compound, dicarbonyl-based compounds represented by the formula (3) described above can be used.

예를 들어, 디아민계 화합물로, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 2,2'-비스(트리플루오로메틸) 벤지딘(TFDB) 등이 있다.For example, diamine-based compounds include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, and 3,3'-diamino. Diphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (TFDB), etc.

디안하이드라이드계 화합물로, 싸이클로부탄-1,2,3,4-테트라카르복실릭 디안하이드라이드(cyclobutane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, CBDA), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물(3,3,4,4-biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA), 4,4'-(헥사플루오로이소프로피리덴) 디프탈산 이무수물(4,4-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride, 6FDA)등이 있다. A dianhydride-based compound, cyclobutane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride (CBDA), 3,3',4,4 '-Biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 4,4'-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic dianhydride (4,4-(hexafluoroisopropylidene) )diphthalic anhydride, 6FDA), etc.

디카르보닐계 화합물로, 테레프탈산 디클로라이드(테레프탈로일 클로라이드, terephthaloyl chloride, TPC), 이소프탈산 디클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC), 나프탈렌 디카르복실산 디클로라이드, 4,4'-비페닐디카르복실산 디클로라이드, 3,3'-비페닐디카르복실산 디클로라이드 등이 있다. Dicarbonyl-based compounds include terephthaloyl chloride (TPC), isophthaloyl chloride (IPC), naphthalene dicarboxylic acid dichloride, and 4,4'-biphenyldicarboxyl. Acid dichloride, 3,3'-biphenyldicarboxylic acid dichloride, etc.

디아민계 화합물, 디안하이드라이드계 화합물, 제1 디카르보닐계 화합물 각각은 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.Each of the diamine-based compound, dianhydride-based compound, and first dicarbonyl-based compound may be used alone or in a mixture of two or more types.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 디아민계 화합물 100 몰부(mole part)에 대하여, 20 내지 60 몰부(mole part)의 디안하이드라이드계 화합물이 사용될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, 20 to 60 mole parts of the dianhydride-based compound may be used for 100 mole parts of the diamine-based compound.

디아민계 화합물과 제1 디카르보닐계 화합물이 반응하는 과정에서 염소(Cl) 화합물이 발생할 수 있다. 염소 화합물을 제거하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 반응액 형성과정에서 제1 염소(Cl) 수용체가 사용된다. Chlorine (Cl) compounds may be generated during the reaction between the diamine-based compound and the first dicarbonyl-based compound. In order to remove chlorine compounds, according to one embodiment of the present invention, a first chlorine (Cl) acceptor is used in the process of forming the first reaction solution.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 염소(Cl) 수용체로, 환형 에테르(cyclic ether)계 화합물이 사용될 수 있다. 환형 에테르(cyclic ether)계 화합물은, 예를 들어, 에폭사이드(eposide)계 화합물, 옥세탄(oxetane)계 화합물, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran)계 화합물 및 테트라하이드로피란(tetrahydropyran)계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a cyclic ether-based compound may be used as the first chlorine (Cl) acceptor. The cyclic ether-based compound is, for example, at least one of an epoxide-based compound, an oxetane-based compound, a tetrahydrofuran-based compound, and a tetrahydropyran-based compound. may include.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 염소(Cl) 수용체로, 화학식 6으로 표현되는 에폭사이드계 화합물들이 사용될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, epoxide-based compounds represented by Chemical Formula 6 may be used as the first chlorine (Cl) acceptor.

[화학식 6] [Formula 6]

화학식 6에서 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 유기기 중 어느 하나일 수 있다. 보다 구체적으로, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기일 수 있다.In Formula 6, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may each independently be hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. More specifically, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may each independently be hydrogen or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. According to one embodiment of the present invention, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may each independently be hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

제1 염소(Cl) 수용체로 사용되는 에폭사이드계 화합물은 반응식 1에 따라 염산(HCl)와 반응할 수 있다. 그에 따라, 제1 반응액에서 염산(HCl)이 제거될 수 있다.The epoxide-based compound used as the first chlorine (Cl) acceptor can react with hydrochloric acid (HCl) according to Scheme 1. Accordingly, hydrochloric acid (HCl) can be removed from the first reaction solution.

[반응식 1][Scheme 1]

본 발명의 일 실시예에 따르면, 에폭사이드계 화합물 중 프로필렌옥사이드(propylene oxide, PO)가 제1 염소(Cl) 수용체로 사용될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, propylene oxide (PO) among epoxide-based compounds can be used as the first chlorine (Cl) acceptor.

프로필렌옥사이드(PO)가 제1 염소(Cl) 수용체로 사용되는 경우, 하기 반응식 2에 따라 염산(HCl)이 제거될 수 있다.When propylene oxide (PO) is used as the first chlorine (Cl) acceptor, hydrochloric acid (HCl) can be removed according to Scheme 2 below.

[반응식 2][Scheme 2]

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 염소(Cl) 수용체의 함량은, 몰(mole) 수 기준으로, 제1 디카르보닐계 화합물 함량의 4 내지 7배가 될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the content of the first chlorine (Cl) acceptor may be 4 to 7 times the content of the first dicarbonyl-based compound, based on the number of moles.

디아민과 제1 카르보닐계 화합물의 반응식을 고려할 때, 이론적으로 제1 디카르보닐계 화합물에 대한 제1 염소(Cl) 수용체의 함량이 2배인 경우, 디아민과 제1 디카르보닐계 화합물의 반응에 의하여 생성된 염산(HCl)이 제1 염소 수용체에 의하여 제거될 수 있다. 그러나, 본 발명자들이 확인한 바에 따르면, 제1 염소(Cl) 수용체의 함량이 제1 디카르보닐계 화합물 몰 수의 4배 미만인 경우, 제1 염소(Cl) 수용체와 염산(HCl)의 반응이 충분히 이루어지지 않아, 염소(Cl) 제거 효율이 저하되었다. 또한, 디카르보닐계 화합물 몰 수의 7배를 초과하는 제1 염소(Cl) 수용체가 사용되는 경우, 과량의 염소(Cl) 수용체로 인하여 중합도가 저하되었다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 염소(Cl) 수용체의 함량은, 몰(mole) 수 기준으로, 제1 디카르보닐계 화합물 함량의 4 내지 7배로 조정된다.Considering the reaction formula between diamine and the first carbonyl-based compound, theoretically, if the content of the first chlorine (Cl) acceptor relative to the first dicarbonyl-based compound is doubled, by the reaction of the diamine and the first dicarbonyl-based compound The produced hydrochloric acid (HCl) can be removed by the first chlorine receptor. However, as confirmed by the present inventors, when the content of the first chlorine (Cl) receptor is less than 4 times the number of moles of the first dicarbonyl-based compound, the reaction between the first chlorine (Cl) receptor and hydrochloric acid (HCl) is sufficiently achieved. As a result, the chlorine (Cl) removal efficiency decreased. In addition, when a first chlorine (Cl) acceptor exceeding 7 times the number of moles of the dicarbonyl-based compound was used, the degree of polymerization decreased due to the excessive amount of chlorine (Cl) acceptor. Therefore, according to one embodiment of the present invention, the content of the first chlorine (Cl) acceptor is adjusted to 4 to 7 times the content of the first dicarbonyl-based compound, based on the number of moles.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 반응액은 폴리아믹산과 폴리아마이드 반복단위를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first reaction solution may include polyamic acid and polyamide repeating units.

다음, 제1 반응액에, 제2 디카르보닐계 화합물 및 제2 염소(Cl) 수용체를 첨가하고 반응시켜, 제2 반응액을 형성한다. 예를 들어, 제1 반응액 형성 후, 1 내지 24 시간 경과 후, 제1 반응액에 제2 디카르보닐계 화합물 및 제2 염소(Cl) 수용체가 첨가될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 반응액 형성 후 1 내지 20 시간 경과 후, 제1 반응액에 제2 디카르보닐계 화합물 및 제2 염소(Cl) 수용체가 첨가될 수 있다.Next, a second dicarbonyl-based compound and a second chlorine (Cl) acceptor are added to the first reaction solution and reacted to form a second reaction solution. For example, 1 to 24 hours after forming the first reaction solution, a second dicarbonyl-based compound and a second chlorine (Cl) acceptor may be added to the first reaction solution. More specifically, 1 to 20 hours after formation of the first reaction solution, a second dicarbonyl-based compound and a second chlorine (Cl) acceptor may be added to the first reaction solution.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 반응액에 제2 디카르보닐계 화합물 및 제2 염소(Cl) 수용체가 첨가되기 시작하면, 그 반응액을 제2 반응액이라고 한다.According to one embodiment of the present invention, when the second dicarbonyl-based compound and the second chlorine (Cl) acceptor begin to be added to the first reaction solution, the reaction solution is called the second reaction solution.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 디카르보닐계 화합물과 제2 디카르보닐계 화합물은 동일한 물질일 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 디카르보닐계 화합물과 제2 디카르보닐계 화합물은 다른 물질일 수도 있다. 제1 디카르보닐계 화합물과 제2 디카르보닐계 화합물을 통합하여 디카르보닐계 화합물이라고 한다.According to one embodiment of the present invention, the first dicarbonyl-based compound and the second dicarbonyl-based compound may be the same material. However, one embodiment of the present invention is not limited to this, and the first dicarbonyl-based compound and the second dicarbonyl-based compound may be different substances. The first dicarbonyl-based compound and the second dicarbonyl-based compound are collectively called a dicarbonyl-based compound.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 염소(Cl) 수용체와 제2 염소(Cl) 수용체는 동일한 물질일 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 염소(Cl) 수용체와 제2 염소(Cl) 수용체는 다른 물질일 수도 있다. 제1 염소(Cl) 수용체와 제2 염소(Cl) 수용체를 통합하여 염소(Cl) 수용체라고 한다.According to one embodiment of the present invention, the first chlorine (Cl) receptor and the second chlorine (Cl) receptor may be the same material. However, an embodiment of the present invention is not limited to this, and the first chlorine (Cl) receptor and the second chlorine (Cl) receptor may be different substances. The primary chlorine (Cl) receptor and the secondary chlorine (Cl) receptor are collectively called the chlorine (Cl) receptor.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 염소(Cl) 수용체는 환형 에테르(cyclic ether)계 화합물을 포함할 수 있다. 제2 염소(Cl) 수용체로 사용되는 환형 에테르(cyclic ether)계 화합물은, 에폭사이드(eposide)계 화합물, 옥세탄(oxetane)계 화합물, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran)계 화합물 및 테트라하이드로피란(tetrahydropyran)계 화합물을 포함할 수 있다. 환형 에테르(cyclic ether)계 화합물은 프로필렌옥사이드(propylene oxide)계 화합물을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the second chlorine (Cl) receptor may include a cyclic ether-based compound. Cyclic ether-based compounds used as secondary chlorine (Cl) receptors include epoxide-based compounds, oxetane-based compounds, tetrahydrofuran-based compounds, and tetrahydropyran. ) may include compounds. Cyclic ether-based compounds may include propylene oxide-based compounds.

제2 디카르보닐계 화합물 및 제2 염소(Cl) 수용체에 의하여 반응액의 점도가 조정될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 반응액을 형성하는 단계에서, 제2 반응액의 겉보기 점도가 250±30 Ps이 될 때까지 제2 디카르보닐계 화합물 및 제2 염소(Cl) 수용체가 첨가될 수 있다.The viscosity of the reaction solution can be adjusted by the second dicarbonyl-based compound and the second chlorine (Cl) receptor. According to one embodiment of the present invention, in the step of forming the second reaction liquid, the second dicarbonyl-based compound and the second chlorine (Cl) receptor are used until the apparent viscosity of the second reaction liquid is 250 ± 30 Ps. may be added.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 염소(Cl) 수용체의 함량은, 몰(mole) 수 기준으로, 제2 디카르보닐계 화합물 함량의 4 내지 7배가 될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the content of the second chlorine (Cl) acceptor may be 4 to 7 times the content of the second dicarbonyl-based compound, based on the number of moles.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 디아민계 화합물 100 몰부(mole part)에 대하여, 제1 디카르보닐계 화합물 및 제2 디카르보닐계 화합물의 총 함량은 40 내지 80 몰부일 수 있다. 보다 구체적으로, 디아민계 화합물 100 몰부(mole part)에 대하여, 제1 디카르보닐계 화합물의 함량은 35 내지 79 몰부이고, 제2 디카르보닐계 화합물의 함량은 1 내지 5 몰부일 수 있다. 또한, 제2 디카르보닐계 화합물의 함량은, 디아민계 화합물 100 몰부에 대하여 1 내지 3 몰부일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, with respect to 100 mole parts of the diamine-based compound, the total content of the first dicarbonyl-based compound and the second dicarbonyl-based compound may be 40 to 80 mole parts. More specifically, with respect to 100 mole parts of the diamine-based compound, the content of the first dicarbonyl-based compound may be 35 to 79 mole parts, and the content of the second dicarbonyl-based compound may be 1 to 5 mole parts. Additionally, the content of the second dicarbonyl-based compound may be 1 to 3 molar parts per 100 molar parts of the diamine-based compound.

다음, 제2 반응액에, 탈수제 및 이미드화 촉매를 첨가하고 반응시켜, 제3 반응액을 형성한다. Next, a dehydrating agent and an imidization catalyst are added to the second reaction liquid and reacted to form a third reaction liquid.

제3 반응액 형성 과정에서, 아믹산의 일부가 이미드화되어 이미드 반복단위가 형성될 수 있다. In the process of forming the third reaction solution, a portion of the amic acid may be imidized to form an imide repeating unit.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 반응액에 탈수제 및 이미드화 촉매가 첨가된 후 60 내지 80℃의 온도에서 30분 내지 2시간 동안 환류 교반이 진행된다. 그 결과, 제3 반응액이 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, after the dehydrating agent and imidization catalyst are added to the second reaction liquid, reflux stirring is performed at a temperature of 60 to 80 ° C. for 30 minutes to 2 hours. As a result, a third reaction liquid may be formed.

탈수제로, 무수 초산(acetic anhydride), 프로피온산 무수물, 이소낙산 무수물, 피발산 무수물, 낙산 무수물, 이소길초산 무수물과 같은 산무수물이 사용될 수 있다.As a dehydrating agent, acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, isobutyric acid anhydride, pivalic anhydride, butyric acid anhydride, and isovaleric anhydride may be used.

이미드화 촉매로, 이소퀴놀린(isoquinoline), 베타피콜린(β-picoline), 피리딘(pyridine)과 같은 3급 아민이 사용될 수 있다.As an imidization catalyst, tertiary amines such as isoquinoline, β-picoline, and pyridine may be used.

제1 염소(Cl) 수용체, 제2 염소(Cl) 수용체 및 이미드화 촉매에 의하여 제3 반응액의 pH가 조정될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제3 반응액은 8 이상의 pH를 가질 수 있다. The pH of the third reaction solution may be adjusted by the first chlorine (Cl) acceptor, the second chlorine (Cl) acceptor, and the imidization catalyst. According to one embodiment of the present invention, the third reaction solution may have a pH of 8 or more.

본 발명의 일 실시예에 따르면 제3 반응액은 8 내지 9의 pH를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제3 반응액의 pH가 8 내지 9가 되도록, 제2 반응액 형성시 첨가되는 제2 염소(Cl) 수용체의 함량이 조정될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the third reaction solution may have a pH of 8 to 9. According to one embodiment of the present invention, the content of the second chlorine (Cl) receptor added when forming the second reaction solution may be adjusted so that the pH of the third reaction solution is 8 to 9.

제3 반응액이 pH 8 내지 9 정도의 약 염기성 상태인 경우, 제1 반응액 및 2 반응액 형성시 생성되었던 염산(HCl)이 모두 또는 대부분 염소(Cl) 수용체와 반응하였다고 할 수 있다. When the third reaction solution is in a slightly basic state of about pH 8 to 9, it can be said that all or most of the hydrochloric acid (HCl) generated during the formation of the first and second reaction solutions reacted with the chlorine (Cl) receptor.

제3 반응액의 pH가 8 미만인 경우, 제1 반응액 및 2 반응액 형성시 생성되었던 염산(HCl)이 충분히 제거되지 않아, 잔존하는 염산(HCl)에서 유래된 염소(Cl) 및 염소 화합물이 폴리이미드 필름에 존재하게 될 가능성이 커진다. If the pH of the third reaction solution is less than 8, the hydrochloric acid (HCl) generated during the formation of the first and second reaction solutions is not sufficiently removed, and chlorine (Cl) and chlorine compounds derived from the remaining hydrochloric acid (HCl) are formed. The possibility of it being present in the polyimide film increases.

제3 반응액 pH를 고려할 때, 디안하이드라이드 화합물의 몰 수의 2배 내지 7배의 이미드화 촉매가 사용될 수 있다. Considering the pH of the third reaction solution, an imidization catalyst of 2 to 7 times the number of moles of the dianhydride compound may be used.

다음, 제3 반응액을 처리하여, 고체 상태의 고분자 수지를 제조한다.Next, the third reaction solution is processed to prepare a polymer resin in a solid state.

고체 상태의 고분자 수지 제조를 위해, 제3 반응액에 용매가 첨가될 수 있다. 용매로, 예를 들어, 에탄올, 메탄올, 헥산 등이 사용될 수 있다. 용매는 단독으로 사용될 수도 있고, 2종 이상의 용매가 혼합되어 사용될 수도 있다.To prepare a polymer resin in a solid state, a solvent may be added to the third reaction solution. As a solvent, for example, ethanol, methanol, hexane, etc. can be used. The solvent may be used alone, or two or more types of solvents may be mixed and used.

중합 용매와 잘 섞이면서 극성이 낮은 용매가 제3 반응액에 첨가되면, 분말 상태의 고체 고분자 수지가 침전된다. 침전물을 여과하여, 건조함으로써 고순도의 고체 고분자 수지가 얻어질 수 있다. 침전물을 여과하는 과정에서 액체 성분들이 제거될 때, 미반응 모노머, 올리고머 및 첨가제, 반응 부산물이 제거되며, 이때, 염산(HCl)과 염소(Cl) 수용체의 반응물이 제거될 수 있다. 이와 같이 얻어진 고체 상태의 고분자 수지는 염소(Cl)를 포함하지 않거나, 미량의 염소(Cl) 만을 포함하게 된다. When a low polarity solvent that is well mixed with the polymerization solvent is added to the third reaction solution, a solid polymer resin in powder form is precipitated. High purity solid polymer resin can be obtained by filtering and drying the precipitate. When liquid components are removed in the process of filtering the sediment, unreacted monomers, oligomers, additives, and reaction by-products are removed, and at this time, reactants of hydrochloric acid (HCl) and chlorine (Cl) receptor can be removed. The solid polymer resin obtained in this way does not contain chlorine (Cl) or contains only a trace amount of chlorine (Cl).

이와 같이 얻어진 고분자 수지는 고체 분말 상태이며, 이미드 반복단위 및 아마이드 반복 단위를 포함할 수 있다. 고분자 수지는, 예를 들어, 폴리아마이드-이미드계 수지일 수 있다.The polymer resin obtained in this way is in a solid powder state and may include an imide repeating unit and an amide repeating unit. The polymer resin may be, for example, a polyamide-imide resin.

다음, 고체 상태의 고분자 수지를 용해시켜 고분자 수지 용액을 제조한다. 고체 상태의 고분자 수지를 용매에 용해시켜 고분자 수지 용액을 제조하는 단계를 재용해 단계라고도 한다.Next, a polymer resin solution is prepared by dissolving the solid polymer resin. The step of preparing a polymer resin solution by dissolving the solid polymer resin in a solvent is also called the re-dissolution step.

고체 상태의 고분자 수지를 용해시키기 위한 용매로, 중합 과정에서 사용된 용매와 동일한 용매들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 디메틸아세트아마이드(DMAc, N,N-dimethylacetamide), 디메틸포름아마이드(DMF, N,N-dimethylformamide), 메틸피롤리돈(NMP, 1-methyl-2-pyrrolidinone), m-크레졸(m-cresol), 테트라하이드로퓨란(THF, tetrahydrofuran), 클로로포름(Chloroform), 메틸에틸케톤(Methyl Ethyl Ketone, MEK) 등의 비양자성 극성 유기 용매 (aprotic polar organic solvent) 및 이들의 혼합물이 고체 상태의 고분자 수지를 용해시키기 위한 용매로 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 용매가 이에 한정되는 것은 아니며 공지된 다른 용매가 사용될 수도 있다.As a solvent for dissolving the solid polymer resin, the same solvents as those used in the polymerization process can be used. For example, dimethylacetamide (DMAc, N,N-dimethylacetamide), dimethylformamide (DMF, N,N-dimethylformamide), methylpyrrolidone (NMP, 1-methyl-2-pyrrolidinone), m-cresol ( Aprotic polar organic solvents such as m-cresol, tetrahydrofuran (THF), chloroform, and methyl ethyl ketone (MEK) and mixtures thereof are used in solid state. It can be used as a solvent to dissolve polymer resin. However, the solvent according to an embodiment of the present invention is not limited thereto, and other known solvents may be used.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 재용해된 고분자 수지 용액은 6 내지 7의 pH를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 폴리아마이드-이미드계 수지 용액은 약산성 또는 중성에 가까운 약산성의 특성을 가질 수 있다. 제3 반응액이 pH 8 내지 9의 약 염기성 상태로 제조되었기 때문에, 고분자 수지 용액이 pH 6 내지 7의 약산성을 나타낼 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the re-dissolved polymer resin solution may have a pH of 6 to 7. According to one embodiment of the present invention, the polyamide-imide resin solution may have weakly acidic or weakly acidic characteristics close to neutrality. Since the third reaction solution was prepared in a slightly basic state of pH 8 to 9, the polymer resin solution may exhibit a weak acidity of pH 6 to 7.

다음, 고분자 수지 용액을 캐스팅한다.Next, cast the polymer resin solution.

캐스팅을 위해 캐스팅 기판이 사용된다. 캐스팅 기판의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 캐스팅 기판으로, 유리 기판, 알루미늄 기판, 스테인레스(SUS) 기판, 테프론 기판 등이 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐스팅 기판으로 유리 기판이 사용될 수 있다.A casting substrate is used for casting. There is no particular limitation on the type of casting substrate. As a casting substrate, a glass substrate, an aluminum substrate, a stainless steel (SUS) substrate, a Teflon substrate, etc. can be used. According to one embodiment of the present invention, a glass substrate may be used as a casting substrate.

구체적으로, 고분자 수지 용액이 캐스팅 기판에 도포됨으로써 캐스팅이 이루어진다. 캐스팅을 위하여 코터(coater), 블레이드(blade) 등이 사용될 수 있다.Specifically, casting is performed by applying a polymer resin solution to a casting substrate. A coater, blade, etc. may be used for casting.

고분자 수지 용액을 캐스팅한 후, 80 내지 120℃온도 범위에서 2℃/분의 속도로 승온하며 건조시켜, 고분자 수지의 도막(coating film)이 제조될 수 있다. 이와 같이 제조된 도막(coating film)은 광학 필름의 중간체라고 할 수 있다. 도막(coating film)을 핀 형태의 텐터에 팽팽하게 당겨 고정시킨 후, 3℃/min의 승온 속도로 120℃부터 250 ~ 350℃까지 승온하면서 열처리한다. 최고 제막 온도에 도달하면 등온 분위기에서 10 내지 30분간 추가적인 열처리를 할 수 있다. 그 결과, 광학 필름이 제조될 수 있다.After casting the polymer resin solution, the temperature is raised in the range of 80 to 120°C at a rate of 2°C/min and dried to produce a polymer resin coating film. The coating film manufactured in this way can be said to be an intermediate of an optical film. The coating film is tightly pulled and fixed to the pin-shaped tenter, and then heat treated while raising the temperature from 120°C to 250 to 350°C at a temperature increase rate of 3°C/min. When the maximum film forming temperature is reached, additional heat treatment can be performed in an isothermal atmosphere for 10 to 30 minutes. As a result, an optical film can be manufactured.

이하, 예시적인 실시예 및 비교예를 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 이하 설명되는 실시예 및 비교예에 의하여 본 발명이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to exemplary embodiments and comparative examples. However, the present invention is not limited to the examples and comparative examples described below.

<실시예 1><Example 1>

4구의 이중 자켓 반응조에 TFDB 80.06g(250 mmol)(디아민계 화합물)을 디메틸아세트아마이드(DMAc)(용매)에 용해시켰다. 여기에, 19.86g(68 mmol)의 BPDA(디안하이드라이드계 화합물)를 투입하고, 반응기의 온도를 25℃로 2시간 동안 유지하면서 교반시켰다. 반응이 완료되면, 6FDA(디안하이드라이드계 화합물) 13.33g(30 mmol)을 넣고 1시간 동안 25℃에서 교반시켰다. 이후 반응기 온도를 7℃ 이하로 낮춘 후, TPC 29.945g(148 mmol)(제1 디카르보닐계 화합물)과 프로필렌옥사이드(PO) (38.55g, 664 mmol, TPC 몰 수의 4.5배)(제1 염소 수용체)를 투입하였다. 1시간 동안 7℃에서 교반하였다[제1 반응액 형성].80.06 g (250 mmol) of TFDB (diamine-based compound) was dissolved in dimethylacetamide (DMAc) (solvent) in a four-neck double jacketed reaction tank. Here, 19.86 g (68 mmol) of BPDA (dianhydride-based compound) was added and stirred while maintaining the temperature of the reactor at 25°C for 2 hours. When the reaction was completed, 13.33 g (30 mmol) of 6FDA (dianhydride-based compound) was added and stirred at 25°C for 1 hour. After lowering the reactor temperature to 7°C or lower, TPC 29.945 g (148 mmol) (the first dicarbonyl-based compound) and propylene oxide (PO) (38.55 g, 664 mmol, 4.5 times the number of moles of TPC) (the first chlorine) receptor) was added. It was stirred at 7°C for 1 hour [formation of the first reaction solution].

제1 반응액을 상온에서 1시간 방치한 후, 제1 반응액의 초기 점도를 확인하고, 25℃에서 반응액의 겉보기 점도가 250± 30 Ps가 될 때까지 TPC(1.269g, 6 mmol)(제2 디카르보닐계 화합물)와 프로필렌옥사이드(PO)(1.63g, 28 mmol, TPC 몰 수의 4.5배)(제2 염소 수용체)를 추가 투입하였다[제2 반응액 형성].After leaving the first reaction solution at room temperature for 1 hour, check the initial viscosity of the first reaction solution, and add TPC (1.269g, 6 mmol) until the apparent viscosity of the reaction solution reaches 250 ± 30 Ps at 25°C. A second dicarbonyl-based compound) and propylene oxide (PO) (1.63 g, 28 mmol, 4.5 times the number of moles of TPC) (second chlorine acceptor) were added [forming a second reaction solution].

중합 반응이 종료된 후, 제2 반응액에, 이미드화 촉매인 피리딘(pyridine, Py)(16.97g, BPDA+6FDA 몰 수의 2.2배)과 탈수제인 아세트산 무수물(acetic anhydride, AA)(21.97g, BPDA+6FDA 몰 수의 2.2배)를 투입한 후, 온도를 80℃로 올려 1시간 교반하였다[제3 반응액 형성]. After the polymerization reaction was completed, pyridine (Py) (16.97 g, 2.2 times the number of moles of BPDA+6FDA) as an imidization catalyst and acetic anhydride (AA) (21.97 g) as a dehydrating agent were added to the second reaction solution. , 2.2 times the number of moles of BPDA+6FDA) was added, then the temperature was raised to 80°C and stirred for 1 hour [formation of the third reaction solution].

플라스크를 상온으로 식히고, 제3 반응액을 메탄올(3000 ml)에 부어 침전이 이루어지도록 하였다. 침전물을 여과하여 흰색 고체 상태의 고분자 수지를 획득하였다. 획득된 고분자 수지는 고체 분말 상태이다. 실시예 1에서 제조된 고분자 수지는, 폴리아마이드-이미드 고분자 수지이다.The flask was cooled to room temperature, and the third reaction solution was poured into methanol (3000 ml) to cause precipitation. The precipitate was filtered to obtain a white solid polymer resin. The obtained polymer resin is in a solid powder state. The polymer resin prepared in Example 1 is a polyamide-imide polymer resin.

이와 같이 획득된 고체 분말 상태의 고분자 수지를 디메틸아세트아마이드(DMAc)에 12.7 wt%의 농도로 용해하여, 고분자 수지 용액을 제조하였다.The polymer resin in solid powder state thus obtained was dissolved in dimethylacetamide (DMAc) at a concentration of 12.7 wt% to prepare a polymer resin solution.

제조된 고분자 수지 용액을 기판에 캐스팅하였다. 구체적으로, 메이어 바(Mayer bar) 코터를 이용하여 고분자 수지 용액을 유리 기판에 도포하고, 80℃의 열풍으로 10분 처리하여 도막(coating film)이 형성되도록 하였다. The prepared polymer resin solution was cast on a substrate. Specifically, the polymer resin solution was applied to a glass substrate using a Mayer bar coater, and treated with hot air at 80°C for 10 minutes to form a coating film.

이어서, 80℃부터 120℃까지 승온하면서, 도막을 17분간 1차 열처리하였다. 수득된 중간체 도막을 핀 형태의 텐터(tenter)에 팽팽하게 당겨 고정하여 오븐에 투입한 후, 3℃/min의 승온 속도로 120℃부터 270℃까지 승온하였다. 270℃에 도달하면 등온 분위기에서 10분간 2차 열처리하였다. Next, the coating film was subjected to primary heat treatment for 17 minutes while raising the temperature from 80°C to 120°C. The obtained intermediate coating film was tightly pulled and fixed on a pin-shaped tenter and placed in an oven, and then the temperature was raised from 120°C to 270°C at a temperature increase rate of 3°C/min. When 270°C was reached, secondary heat treatment was performed for 10 minutes in an isothermal atmosphere.

잔류 응력의 제거를 위해, 2차 열처리된 도막을 텐터(tenter)에서 분리하여 270℃에서 1분간 3차 열처리하였다. 그 결과, 50㎛ 두께의 광학 필름이 제조되었다.To remove residual stress, the secondary heat treated coating film was separated from the tenter and subjected to third heat treatment at 270°C for 1 minute. As a result, an optical film with a thickness of 50 μm was manufactured.

<실시예 2 내지 5><Examples 2 to 5>

하기 표 1의 조건에 따라, 실시예 1에 개시된 방법을 적용하여, 실시예 2 내지 5에 따른 광학 필름을 제조하였다.Optical films according to Examples 2 to 5 were manufactured by applying the method disclosed in Example 1 according to the conditions in Table 1 below.

<비교예 1 내지 3><Comparative Examples 1 to 3>

하기 표 1의 조건에 따라, 실시예 1에 개시된 방법을 적용하여, 비교예 1 내지 3에 따른 필름을 제조하였다. Films according to Comparative Examples 1 to 3 were manufactured by applying the method disclosed in Example 1 according to the conditions in Table 1 below.

구분division 제1 반응액first reaction solution 제2 반응액Second reaction liquid 제3 반응액Third reaction solution TFDB
(몰부)
TFDB
(Molbu)
BPDA
(몰부)
BPDA
(Molbu)
6FDA
(몰부)
6FDA
(Molbu)
TPC
(몰부)
T.P.C.
(Molbu)
PO
(배수)
P.O.
(Drainage)
TPC
(몰부)
T.P.C.
(Molbu)
PO
(배수)
P.O.
(Drainage)
Py
(배수)
Py
(Drainage)
AA
(배수)
AA
(Drainage)
pHpH
실시예 1Example 1 100100 2727 1212 5959 4.54.5 2.52.5 4.54.5 2.22.2 2.22.2 8.098.09 실시예 2Example 2 5959 4.54.5 1One 4.54.5 3.33.3 8.418.41 실시예 3Example 3 5959 4.54.5 1One 4.54.5 6.66.6 8.558.55 실시예 4Example 4 5959 4.94.9 1.61.6 4.94.9 2.22.2 8.628.62 실시예 5Example 5 5959 4.94.9 1.61.6 4.94.9 3.33.3 8.648.64 비교예 1Comparative Example 1 5959 2.52.5 1.51.5 2.52.5 3.33.3 4.044.04 비교예 2Comparative Example 2 5959 3.83.8 1.51.5 3.73.7 2.22.2 4.644.64 비교예 3Comparative Example 3 5959 3.83.8 1.31.3 3.73.7 3.33.3 5.175.17

표 1에서, "몰부(mole part)"는 디아민계 화합물인 TFDB 100몰(mole)에 대한 상대적인 몰수를 나타낸다. PO(Propylene oxide)의 함량을 표시하는 "배수"는 TPC의 몰수에 대한 배수이며, Py(피리딘)과 AA(아세트산 무수물, Acetic anhydride)의 함량을 표시하는 "배수"는 디안하이드라이드의 몰수에 대한 배수이다. In Table 1, “mole part” represents the number of moles relative to 100 moles of TFDB, a diamine-based compound. The “multiple” indicating the content of PO (propylene oxide) is a multiple of the number of moles of TPC, and the “multiple” indicating the content of Py (pyridine) and AA (acetic anhydride) is a multiple of the number of moles of dianhydride. It is a multiple of

실시예 1 내지 5 및 비교예 1 및 3에서 제조된 광학 필름에 대하여 다음과 같이 물성을 측정하였다.The physical properties of the optical films prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 3 were measured as follows.

(1) 광투과도(TT)(%)(1) Light transmittance (TT) (%)

표준규격 ASTM E313으로 Spectrophotometer (CM-3700D, KONICA MINOLTA)를 이용하여, 파장 360 내지 740nm 에서의 광학 필름의 평균 광투과도를 측정하였다. 열처리 및 노광처리 전 광학 필름에 대해 광투과도가 측정된다.The average light transmittance of the optical film at a wavelength of 360 to 740 nm was measured using a spectrophotometer (CM-3700D, KONICA MINOLTA) according to the standard ASTM E313. Light transmittance is measured for the optical film before heat treatment and exposure treatment.

(2) 광투과도 변화율(ΔTT)(%)(2) Light transmittance change rate (ΔTT) (%)

광학 필름에 대해 상기 (1)의 방법으로 광투과도를 측정하여, 열처리 및 노광처리 전 광학 필름의 광투과도 TT1를 얻었다.The light transmittance of the optical film was measured by the method (1) above to obtain the light transmittance TT 1 of the optical film before heat treatment and exposure treatment.

다음, 광학 필름을 150℃의 오븐에서 30분간 열처리한 후, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(Xenon) 램프가 설치된 Q-Sun 장비(Suntest XXL+)를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 샘플에 광을 조사함으로써 노광처리를 하였다.Next, the optical film was heat treated in an oven at 150°C for 30 minutes, and then using Q-Sun equipment (Suntest XXL+) equipped with a xenon lamp in an environment where the average temperature was maintained at 25°C and the average relative humidity was 30%. Exposure treatment was performed by irradiating the sample with light at a central wavelength of 420 nm and a light quantity of 0.8 W/m 2 for 150 hours.

제논(xenon) 램프: 에이비넥소(Atlas 社 수입업체)의 모델명 Xenon Lamp NXE 1700 램프를 사용하였다. XLSII+/XXL 규격에 따라 태양광과 가장 유사한 파장별 에너지를 갖는 램프이다.Xenon lamp: A lamp model name Xenon Lamp NXE 1700 from AB NEXO (importer of Atlas) was used. It is a lamp that has energy by wavelength most similar to sunlight according to the XLSII+/XXL standard.

열처리 및 노광처리 후, 광학 필름에 대해 상기 (1)의 방법으로 광투과도를 측정하여, 열처리 및 노광처리 후 광학 필름의 광투과도 TT2을 얻었다.After heat treatment and exposure treatment, the light transmittance of the optical film was measured by the method (1) above, and the light transmittance TT 2 of the optical film after heat treatment and exposure treatment was obtained.

다음, 식 1에 따라 광투과도 변화율(ΔTT)을 계산하였다.Next, the light transmittance change rate (ΔTT) was calculated according to Equation 1.

[식 1][Equation 1]

ΔTT (%) = [|TT2-TT1|/TT1] x 100ΔTT (%) = [|TT 2 -TT 1 |/TT 1 ] x 100

(3) 광투과도 기울기 (sT)(3) Light transmittance slope (sT)

상기 (1)의 방법으로 광투과도를 측정한 다음, 식 2에 따라, 50㎛ 두께를 기준으로, 370nm에서 430nm까지의 파장 영역에서의 광투과도 기울기(sT)를 측정하였다. After measuring the light transmittance by the method of (1) above, the light transmittance slope (sT) in the wavelength range from 370 nm to 430 nm was measured based on a thickness of 50 μm according to Equation 2.

[식 2][Equation 2]

sT (%/nm) = ΔT/ΔλsT (%/nm) = ΔT/Δλ

ΔT = (430nm에서 광투과도) - (370nm에서의 광투과도)ΔT = (light transmittance at 430nm) - (light transmittance at 370nm)

Δλ= 430nm - 370nm = 60nmΔλ=430nm - 370nm = 60nm

(4) 황색도(Y.I.): 표준규격 ASTM E313으로 Spectrophotometer (CM-3700D, KONICA MINOLTA)를 이용하여 황색도를 측정하였다.(4) Yellowness (Y.I.): Yellowness was measured using a Spectrophotometer (CM-3700D, KONICA MINOLTA) according to the standard ASTM E313.

(5) 헤이즈(%): 제조된 광학 필름을 50㎜ × 50㎜로 잘라 MURAKAMI社의 헤이즈 미터(모델명: HM-150) 장비를 이용하여 ASTM D1003에 따라 5회 측정하여 그 평균 값을 헤이즈 값으로 하였다.(5) Haze (%): Cut the manufactured optical film into 50 mm It was done as follows.

(6) 황색도 변화(ΔY.I.)(6) Yellowness change (ΔY.I.)

150℃에서 30분간 열처리 및 가시광선에서 150시간 노광처리 되기 전과 후, 50㎛ 두께를 기준으로, 광학 필름의 황색도 변화(ΔY.I.)가 측정된다.The change in yellowness (ΔY.I.) of the optical film is measured based on a thickness of 50㎛ before and after heat treatment at 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours.

구체적으로, 광학 필름에 대해 상기 (4)의 방법으로 황색도(Y.I.)를 측정하여, 열처리 및 노광처리 전 광학 필름의 황색도(Y.I.)인 Y.I.(1)를 얻었다.Specifically, the yellowness (Y.I.) of the optical film was measured by the method in (4) above, and Y.I.(1), which is the yellowness (Y.I.) of the optical film before heat treatment and exposure treatment, was obtained.

다음, 광학 필름을 150℃의 오븐에서 30분간 열처리한 후, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(Xenon) 램프가 설치된 Q-Sun 장비(Suntest XXL+)를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 샘플에 광을 조사함으로써 노광처리를 하였다.Next, the optical film was heat treated in an oven at 150°C for 30 minutes, and then using Q-Sun equipment (Suntest XXL+) equipped with a xenon lamp in an environment where the average temperature was maintained at 25°C and the average relative humidity was 30%. Exposure treatment was performed by irradiating the sample with light at a central wavelength of 420 nm and a light quantity of 0.8 W/m 2 for 150 hours.

열처리 및 노광처리 후, 광학 필름에 대해 상기 (4)의 방법으로 황색도(Y.I.)를 측정하여, 열처리 및 노광처리 후 광학 필름의 황색도(Y.I.)인 Y.I.(2)를 얻었다.After heat treatment and exposure treatment, the yellowness (Y.I.) of the optical film was measured by the method in (4) above, and Y.I.(2), which is the yellowness (Y.I.) of the optical film after heat treatment and exposure treatment, was obtained.

다음, 식 3에 따라 황색도 변화(ΔY.I.)를 계산하였다. Next, the yellowness change (ΔY.I.) was calculated according to Equation 3.

[식 3][Equation 3]

ΔY.I. = Y.I.(2) - Y.I.(1)ΔY.I. = Y.I.(2) - Y.I.(1)

(7) 염소(Cl) 함량(ppm)(7) Chlorine (Cl) content (ppm)

염소(Cl)의 함량은 염소의 농도(ppm)로 표현된다.The content of chlorine (Cl) is expressed as chlorine concentration (ppm).

50㎛ 두께의 광학 필름을 약 0.5 cm x 0.5 cm 로 자른 후, 동결 건조 및 분말화한 후, 증류수를 이용하여 2시간 동안 Sonication 추출을 진행하여 염소(Cl) 추출액을 얻었다. 염소 추출액에 대하여 이온 크로마토그래피 분석을 실시하여 염소의 농도를 계산함으로써, 염소의 함량을 측정하였다. 이온 크로마토그래피 분석을 위해, Dionex社의 이온 크로마토그래프 장치인 ICS 2000 모델(Dionex ICS-2000 Ion Chromatography System)에 2종의 컬럼[IonPac AS18 Analytical (4x250 mm) + AG18 Guard (4x50 mm)]과 용리액[Dionex社의 EGC-KOH III Cartridge]을 설치하여 분석 하였다.A 50㎛ thick optical film was cut into approximately 0.5 cm The chlorine content was measured by performing ion chromatography analysis on the chlorine extract and calculating the chlorine concentration. For ion chromatography analysis, 2 types of columns [IonPac AS18 Analytical (4x250 mm) + AG18 Guard (4x50 mm)] and eluent are used in Dionex's ion chromatography device, ICS 2000 model (Dionex ICS-2000 Ion Chromatography System). [Dionex's EGC-KOH III Cartridge] was installed and analyzed.

구체적으로, 염소(Cl)의 함량은 다음과 같이 측정된다.Specifically, the content of chlorine (Cl) is measured as follows.

측정 장치: Dionex社의 이온 크로마토그래프 장치인 ICS 2000 모델(Dionex ICS-2000 Ion Chromatography System)에 2종의 컬럼[IonPac AS18 Analytical (4x250 mm) + AG18 Guard (4x50 mm)]과 용리액[Dionex社의 EGC-KOH III Cartridge]을 설치하여 분석 하였다.Measuring device: ICS 2000 model (Dionex ICS-2000 Ion Chromatography System), an ion chromatography device from Dionex, with two types of columns [IonPac AS18 Analytical (4x250 mm) + AG18 Guard (4x50 mm)] and an eluent [from Dionex] EGC-KOH III Cartridge] was installed and analyzed.

측정 방법: 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 및 3에서 제조된 50㎛ 두께의 광학 필름을 약 0.5 cm x 0.5 cm 로 자른 후 동결 건조하고 분쇄하여 광학 필름의 분말을 제조한 후, 분말화된 광학 필름을 5 중량%의 비율로 증류수에 혼합한 후, 광학 필름으로부터 염소(Cl), 특히 염소 이온(Cl-)을 추출한다. 구체적으로, 광학 필름 분말 0.2 g과 물 3.8 g을 20 mL Vial에 넣고 BRANSON社의 5510 ultrasonic bath를 사용하여 2시간 동안 Sonication 추출을 진행한다. 그 결과, 광학 필름으로부터 추출된 염소(Cl)를 포함하는 염소 추출 혼합액이 제조된다. 제조된 염소 추출 혼합액을 0.45 ㎛ 나일론 필터(nylon filter)로 걸러 측정용 샘플을 제조하였다. 컬럼 온도는 30℃, 측정 셀 온도는 35℃로 세팅된 이온 크로마토그래프 장치에 측정용 샘플을 20μL 투입하여 분리된 이온 피크들 중 염소 이온에 해당하는 피크의 면적을 확인한다. 염소 이온의 함량 계산을 위해 Thermo Scientific社의 Dionex Seven Anion Standard를 증류수로 희석하여 0.04 ppm 내지 1 ppm 농도 구간 (0.04ppm, 0.06ppm, 0.08 ppm, 0.1 ppm, 1.0 ppm)의 염소 이온 표준 용액을 제조하여, 측정용 샘플과 동일한 방법으로 이온 크로마토그래피 분석을 실시하였다. 표준 용액을 이용하여 측정된 염소 이온에 해당하는 피크의 면적을 확인하여, 검량선을 작성하였다.Measurement method: The 50㎛ thick optical film prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 3 was cut to about 0.5 cm After mixing the optical film with distilled water at a ratio of 5% by weight, chlorine (Cl), especially chlorine ions (Cl - ), is extracted from the optical film. Specifically, 0.2 g of optical film powder and 3.8 g of water are placed in a 20 mL vial and Sonication extraction is performed for 2 hours using BRANSON's 5510 ultrasonic bath. As a result, a chlorine extraction mixture containing chlorine (Cl) extracted from the optical film is prepared. The prepared chlorine extraction mixture was filtered through a 0.45 ㎛ nylon filter to prepare a sample for measurement. Inject 20 μL of the sample for measurement into an ion chromatograph device set at 30°C for the column temperature and 35°C for the measurement cell, and check the area of the peak corresponding to the chlorine ion among the separated ion peaks. To calculate the content of chlorine ions, Thermo Scientific's Dionex Seven Anion Standard was diluted with distilled water to prepare a chlorine ion standard solution with a concentration range of 0.04 ppm to 1 ppm (0.04 ppm, 0.06 ppm, 0.08 ppm, 0.1 ppm, 1.0 ppm). Therefore, ion chromatography analysis was performed in the same manner as the measurement sample. The area of the peak corresponding to the chlorine ion measured using the standard solution was confirmed, and a calibration curve was created.

검량선은, 다음 식 4와 같이 1차 함수로 표현될 수 있다.The calibration curve can be expressed as a linear function as shown in Equation 4 below.

[식 4][Equation 4]

y = ax + by = ax + b

식 4에서, y는 피크 면적이고, x는 표준 용액의 농도이고, a는 검량선의 기울기이고, b는 검량선의 y축 절편이다. 식 3에서 얻어진 검량선을 측정용 샘플의 피크 면적(y)에 적용하여, 측정용 샘플의 염소 농도(x)를 계산할 수 있다. 측정용 샘플의 염소 농도(x)는 다음 식 5로 구해질 수 있다.In equation 4, y is the peak area, x is the concentration of the standard solution, a is the slope of the calibration curve, and b is the y-axis intercept of the calibration curve. By applying the calibration curve obtained in Equation 3 to the peak area (y) of the sample for measurement, the chlorine concentration (x) of the sample for measurement can be calculated. The chlorine concentration (x) of the sample for measurement can be obtained by the following equation 5.

[식 5][Equation 5]

x = (y-b)/a x = (y-b)/a

다음, 측정용 샘플 제조에 적용된 희석비를 고려하여, 광학 필름에 포함된 염소의 함량을 계산한다. 구체적으로, 측정용 샘플에 적용된 광학 필름의 중량비는 다음 식 6으로 계산될 수 있다.Next, considering the dilution ratio applied to prepare the sample for measurement, calculate the content of chlorine contained in the optical film. Specifically, the weight ratio of the optical film applied to the sample for measurement can be calculated using the following equation 6.

[식 6][Equation 6]

측정용 샘플 중 광학 필름의 중량비 = (광학 필름의 중량)/(광학 필름의 중량 + 증류수의 중량)Weight ratio of optical film in sample for measurement = (weight of optical film)/(weight of optical film + weight of distilled water)

식 6에서 "광학 필름의 중량"은 측정용 샘플 제조에 사용된 광학 필름의 중량을 의미한다.In Equation 6, “weight of the optical film” means the weight of the optical film used to prepare the sample for measurement.

다음, 측정용 샘플 중 광학 필름의 중량비와 측정용 샘플의 염소 농도를 이용하여, 다음 식 7에 따라 광학 필름의 염소 농도를 계산한다.Next, using the weight ratio of the optical film among the samples for measurement and the chlorine concentration of the sample for measurement, the chlorine concentration of the optical film is calculated according to the following equation 7.

[식 7][Equation 7]

광학 필름의 염소 농도 = (측정용 샘플의 염소 농도) / (측정용 샘플 중 광학 필름의 중량비)Chlorine concentration of optical film = (chlorine concentration of sample for measurement) / (weight ratio of optical film in sample for measurement)

측정결과는 다음 표 2와 같다.The measurement results are shown in Table 2 below.

구분division TT1 (%)TT 1 (%) TT2 (%)TT 2 (%) ΔTT (%)ΔTT (%) Y.I.(1)Y.I.(1) Y.I.(2)Y.I.(2) ΔY.I.ΔY.I. 헤이즈
(%)
Haze
(%)
염소 함량
(ppm)
chlorine content
(ppm)
sTsT
실시예 1Example 1 88.9488.94 88.9988.99 0.06 0.06 2.912.91 7.447.44 4.534.53 0.20.2 4949 1.65031.6503 실시예 2Example 2 89.1289.12 89.5689.56 0.49 0.49 2.722.72 7.087.08 4.364.36 0.20.2 3131 1.65741.6574 실시예 3Example 3 88.8188.81 88.6888.68 0.15 0.15 2.712.71 7.187.18 4.474.47 0.20.2 1010 1.66011.6601 실시예 4Example 4 89.1589.15 88.9488.94 0.24 0.24 2.622.62 7.117.11 4.494.49 0.20.2 6.76.7 1.65181.6518 실시예 5Example 5 89.0689.06 89.4089.40 0.38 0.38 2.542.54 6.846.84 4.304.30 0.20.2 2.42.4 1.66561.6656 비교예 1Comparative Example 1 88.6688.66 89.3289.32 0.740.74 3.723.72 9.94 9.94 6.226.22 0.30.3 350350 1.61831.6183 비교예 2Comparative Example 2 88.5988.59 89.1889.18 0.670.67 3.543.54 8.948.94 5.405.40 0.30.3 286286 1.62431.6243 비교예 3Comparative Example 3 88.9088.90 88.2288.22 0.760.76 3.243.24 8.418.41 5.175.17 0.40.4 166166 1.63391.6339

표 2에서 노광처리 전 광학 필름의 광투과도 TT1이 각각의 광학 필름의 광투과도에 해당된다.In Table 2, the light transmittance TT 1 of the optical film before exposure treatment corresponds to the light transmittance of each optical film.

표 2의 측정결과에 개시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 광학 필름은, 낮은 광투과도 변화율(ΔTT), 낮은 황색도, 낮은 황색도 변화, 우수한 광투과도, 낮은 헤이즈, 낮은 염소(Cl) 함량 및 큰 광투과도 기울기(sT)을 가진다는 것을 확인할 수 있다.As disclosed in the measurement results in Table 2, the optical film according to the embodiment of the present invention has low light transmittance change rate (ΔTT), low yellowness, low yellowness change, excellent light transmittance, low haze, and low chlorine (Cl). It can be confirmed that it has a high content and a large light transmittance slope (sT).

100: 광학 필름
200: 표시장치
501: 표시패널
100: optical film
200: display device
501: display panel

Claims (11)

이미드 반복 단위 및 아마이드 반복 단위 중 적어도 하나를 포함하고,
중량 기준으로 120 ppm (0.012 중량%) 이하의 염소(Cl)를 포함하며,
150℃에서 30분간 열처리 및 가시광선에서 150시간 노광처리 되기 전과 후, 50㎛ 두께를 기준으로, 0% 초과 0.5% 이하의 광투과도 변화율(ΔTT)을 갖는, 광학 필름:
여기서, 광투과도 변화율(ΔTT)은 다음 식 1로 계산되며,
[식 1]
ΔTT (%) = [|TT2-TT1|/TT1] x 100
상기 식 1에서, TT1은 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 되기 전 상기 광학 필름의 광투과도(TT)이고, TT2는 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 된 후 상기 광학 필름의 광투과도(TT)이며,
상기 가시광선에 의한 노광처리 조건은, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(xenon) 램프를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 상기 광학 필름에 광을 조사하는 조건이다.
Contains at least one of an imide repeat unit and an amide repeat unit,
Contains less than 120 ppm (0.012% by weight) chlorine (Cl) by weight,
An optical film having a light transmittance change rate (ΔTT) of more than 0% and less than 0.5%, based on a thickness of 50㎛, before and after heat treatment at 150°C for 30 minutes and exposure treatment in visible light for 150 hours:
Here, the light transmittance change rate (ΔTT) is calculated by the following equation 1,
[Equation 1]
ΔTT (%) = [|TT 2 -TT 1 |/TT 1 ] x 100
In Equation 1, TT 1 is the light transmittance (TT) of the optical film before heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours, and TT 2 is heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and Light transmittance (TT) of the optical film after exposure to visible light for 150 hours,
The conditions for exposure treatment using visible light include using a xenon lamp in an environment where an average temperature of 25°C and an average relative humidity of 30% are maintained, with a light intensity of 0.8 W/m 2 at a central wavelength of 420 nm for 150 hours. These are the conditions for irradiating light to the optical film.
제1항에 있어서,
50㎛ 두께를 기준으로, 370nm에서 430nm까지의 파장 영역에서, 1.65 [%/nm] 이상의 광투과도 기울기를 갖는, 광학 필름:
여기서, 광투과도 기울기(sT)는 파장 변화에 대한 광투과도 변화로서, 다음 식 2에 의하여 계산되며,
[식 2]
sT (%/nm) = ΔT/Δλ
상기 식 2에서, Δλ는 nm 단위로 표시되는 광의 파장을 나타내며 ΔT는 % 단위로 표시되는 광투과도 변화를 나타낸다.
According to paragraph 1,
An optical film having a light transmittance slope of 1.65 [%/nm] or more in the wavelength range from 370 nm to 430 nm, based on a thickness of 50 μm:
Here, the light transmittance slope (sT) is the change in light transmittance with respect to the wavelength change, and is calculated by the following equation 2,
[Equation 2]
sT (%/nm) = ΔT/Δλ
In Equation 2, Δλ represents the wavelength of light expressed in nm and ΔT represents the change in light transmittance expressed in %.
제1항에 있어서,
50㎛ 두께를 기준으로, 88% 이상의 광투과도를 갖는, 광학 필름.
According to paragraph 1,
An optical film having a light transmittance of 88% or more, based on a thickness of 50㎛.
제1항에 있어서,
50㎛ 두께를 기준으로, 3 이하의 황색도를 갖는, 광학 필름.
According to paragraph 1,
An optical film having a yellowness of 3 or less, based on a thickness of 50 μm.
제1항에 있어서,
50㎛ 두께를 기준으로, 1.0% 이하의 헤이즈(haze)를 갖는, 광학 필름.
According to paragraph 1,
An optical film having a haze of 1.0% or less, based on a thickness of 50 μm.
삭제delete 제1항에 있어서,
중량 기준으로 50 ppm (0.005 중량%) 이하의 염소(Cl)를 포함하는, 광학 필름.
According to paragraph 1,
An optical film comprising less than or equal to 50 ppm (0.005% by weight) chlorine (Cl).
제1항에 있어서,
150℃에서 30분간 열처리 및 가시광선에서 150시간 노광처리 되기 전과 후, 50㎛ 두께를 기준으로, 황색도(Y.I.) 변화(ΔY.I.)가 5 이하인, 광학 필름:
여기서, 황색도 변화(ΔY.I.)는 다음 식 3으로 계산되며,
[식 3]
ΔY.I. = Y.I.(2) - Y.I.(1)
상기 식 3에서, Y.I.(1)은 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 되기 전 상기 광학 필름의 황색도(Y.I.)이고, Y.I.(2)는 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 된 후 상기 광학 필름의 광투과도 황색도(Y.I.)이며,
상기 가시광선에 의한 노광처리 조건은, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(xenon) 램프를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 상기 광학 필름에 광을 조사하는 조건이다.
According to paragraph 1,
An optical film with a yellowness (YI) change (ΔY.I.) of 5 or less, based on a thickness of 50㎛, before and after heat treatment at 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours:
Here, the yellowness change (ΔY.I.) is calculated by the following equation 3,
[Equation 3]
ΔY.I. = YI(2) - YI(1)
In Equation 3, YI(1) is the yellowness (YI) of the optical film before heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours, and YI(2) is the yellowness at a temperature of 150°C. The light transmittance of the optical film after heat treatment for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours is yellowness (YI),
The conditions for exposure treatment using visible light include using a xenon lamp in an environment where an average temperature of 25°C and an average relative humidity of 30% are maintained, with a light intensity of 0.8 W/m 2 at a central wavelength of 420 nm for 150 hours. These are the conditions for irradiating light to the optical film.
삭제delete 이미드 반복 단위 및 아마이드 반복 단위 중 적어도 하나를 포함하고,
중량 기준으로 120 ppm (0.012 중량%) 이하의 염소(Cl)를 포함하며,
150℃에서 30분간 열처리 및 가시광선에서 150시간 노광처리 되기 전과 후, 50㎛ 두께를 기준으로, 황색도(Y.I.) 변화(ΔY.I.)가 5 이하인, 광학 필름:
여기서, 황색도 변화(ΔY.I.)는 다음 식 3으로 계산되며,
[식 3]
(ΔY.I.) = Y.I.(2) - Y.I.(1)
상기 식 3에서, Y.I.(1)은 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 되기 전 상기 광학 필름의 황색도(Y.I.)이고, Y.I.(2)는 150℃의 온도에서 30분간 열처리 및 150시간 동안 가시광선에서 노광처리 된 후 상기 광학 필름의 황색도(Y.I.)이며,
상기 가시광선에 의한 노광처리 조건은, 평균 온도 25℃, 평균 상대 습도 30%가 유지되는 환경에서 제논(xenon) 램프를 사용하여, 중심 파장 420nm에서 0.8 W/m2 의 광량으로, 150 시간 동안 상기 광학 필름에 광을 조사하는 조건이다.
Contains at least one of an imide repeat unit and an amide repeat unit,
Contains less than 120 ppm (0.012% by weight) chlorine (Cl) by weight,
An optical film with a yellowness (YI) change (ΔY.I.) of 5 or less, based on a thickness of 50㎛, before and after heat treatment at 150°C for 30 minutes and exposure treatment in visible light for 150 hours:
Here, the yellowness change (ΔY.I.) is calculated by the following equation 3,
[Equation 3]
(ΔY.I.) = YI(2) - YI(1)
In Equation 3, YI(1) is the yellowness (YI) of the optical film before heat treatment at a temperature of 150°C for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours, and YI(2) is the yellowness at a temperature of 150°C. The yellowness (YI) of the optical film after heat treatment for 30 minutes and exposure to visible light for 150 hours,
The conditions for exposure treatment using visible light include using a xenon lamp in an environment where an average temperature of 25°C and an average relative humidity of 30% are maintained, with a light intensity of 0.8 W/m 2 at a central wavelength of 420 nm for 150 hours. These are the conditions for irradiating light to the optical film.
표시패널; 및
상기 표시패널 상에 배치된, 제1항 내지 제5항, 제7항, 제8항 및 제10항 중 어느 한 항의 광학 필름;
을 포함하는, 표시장치.
display panel; and
The optical film of any one of claims 1 to 5, 7, 8, and 10 disposed on the display panel;
Including a display device.
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