KR102579251B1 - Gate driver and display device including the same, and driving method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 게이트 드라이버는 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하며 위상이 순차 지연되는 다수의 스캔 신호들을 출력하는 다수의 스테이지들; 위상이 다른 클럭 신호들을 상기 스테이지들에 공급하는 복수개의 클럭 배선들; 및 상기 스테이지들 중에서 가장 먼저 동작하는 제1 스테이지에 스타트 신호를 공급하는 스타트 배선을 포함하고, 상기 스타트 신호가 상기 게이트 온 전압으로 입력되기 전의 파워 온 기간 동안, 상기 클럭 신호들은 상기 스테이지들을 리셋시킬 수 있도록 상기 게이트 온 전압으로 입력된다.A gate driver according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages that swing between a gate-on voltage and a gate-off voltage and output a plurality of scan signals whose phases are sequentially delayed; a plurality of clock wires supplying clock signals with different phases to the stages; and a start wire that supplies a start signal to a first stage that operates first among the stages, and during a power-on period before the start signal is input as the gate-on voltage, the clock signals reset the stages. is input as the gate-on voltage.

Description

게이트 드라이버와 이를 포함한 표시장치 및 그 구동방법{GATE DRIVER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND DRIVING METHOD OF THE SAME}Gate driver, display device including the same, and driving method thereof {GATE DRIVER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND DRIVING METHOD OF THE SAME}

본 발명은 게이트 드라이버와 이를 포함한 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gate driver and a display device including the same.

전계 발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 유기 발광 표시장치로 대별된다. 이 중에서, 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.Electroluminescent displays are roughly divided into inorganic light emitting displays and organic light emitting displays depending on the material of the light emitting layer. Among these, the active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (hereinafter referred to as "OLED") that emits light on its own, has a fast response speed, and has high luminous efficiency, brightness and It has the advantage of a large viewing angle.

유기 발광 표시장치는 OLED를 각각 포함한 픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 픽셀들의 휘도를 조절한다. 픽셀들 각각은 게이트-소스 간 전압에 따라 OLED에 흐르는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)와, 스캔 신호에 따라 구동 TFT의 게이트-소트 간 전압을 프로그래밍하는 스위치 TFT들을 포함하며, 구동전류에 비례하는 OLED의 발광량으로 표시 계조(휘도)를 조절한다. An organic light emitting display device arranges pixels, each including OLED, in a matrix form and adjusts the luminance of the pixels according to the gradation of image data. Each pixel includes a driving TFT (Thin Film Transistor) that controls the driving current flowing through the OLED according to the gate-source voltage, and switch TFTs that program the gate-sort voltage of the driving TFT according to the scan signal. The display gradation (brightness) is adjusted by the amount of light emitted by the OLED that is proportional to the current.

유기 발광 표시장치는 스캔 신호를 생성하는 게이트 드라이버를 포함한다. 게이트 드라이버는 스캔 신호를 게이트라인들에 순차적으로 공급한다. 스캔 신호는 게이트라인들을 통해 각 픽셀의 스위치 TFT에 공급되어, 스위치 TFT의 스위칭 동작을 제어한다.The organic light emitting display device includes a gate driver that generates a scan signal. The gate driver sequentially supplies scan signals to the gate lines. The scan signal is supplied to the switch TFT of each pixel through gate lines to control the switching operation of the switch TFT.

게이트 드라이버는 다수의 스테이지들로 이루어진 게이트 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다. 각 스테이지는 노드 Q와 노드 QB의 전위에 따라 스캔 신호를 게이트 오프 전압 또는 게이트 온 전압으로 출력한다. 게이트 오프 전압의 스캔 신호는 스위치 TFT들을 턴 오프 시킬 수 있는 전압이고, 게이트 온 전압의 스캔 신호는 스위치 TFT들을 턴 온 시킬 수 있는 전압이다. 각 스테이지에서 노드 Q가 활성화되는 동안 게이트 온 전압의 스캔 신호가 출력되고, 노드 QB가 활성화 되는 동안 게이트 오프 전압의 스캔 신호가 출력 된다. The gate driver can be implemented as a gate shift register consisting of multiple stages. Each stage outputs a scan signal as a gate-off voltage or gate-on voltage depending on the potentials of node Q and node QB. The scan signal of the gate-off voltage is a voltage that can turn off the switch TFTs, and the scan signal of the gate-on voltage is a voltage that can turn on the switch TFTs. In each stage, a scan signal of the gate-on voltage is output while node Q is activated, and a scan signal of the gate-off voltage is output while node QB is activated.

노드 Q와 노드 QB의 전위는 스타트 신호(또는 캐리 신호)와 클럭 신호들에 의해 제어된다. 클럭 신호들은 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하며, 복수개의 클럭 배선들을 통해 스테이지들에 인가될 수 있다. 서로 다른 클럭 배선들을 통해 인가되는 클럭 신호들은 서로 다른 위상을 가질 수 있다. 각 스테이지에서 노드 Q가 활성화되는 동안 게이트 온 전압의 클럭 신호가 게이트 온 전압의 스캔 신호로 출력 된다. The potentials of node Q and node QB are controlled by a start signal (or carry signal) and clock signals. Clock signals swing between a gate-on voltage and a gate-off voltage and may be applied to the stages through a plurality of clock wires. Clock signals applied through different clock wires may have different phases. While node Q is activated in each stage, the clock signal of the gate-on voltage is output as a scan signal of the gate-on voltage.

이러한 게이트 드라이버의 동작 안정성이 확보되기 위해서는, 각 스테이지에서 노드 Q의 전위와 노드 QB의 전위가 서로 반대로 제어되어야 한다. 다시 말해, 노드 Q가 게이트 온 전압으로 활성화 되는 동안 노드 QB는 게이트 오프 전압으로 비 활성화되어야 하고, 반대로 노드 Q가 게이트 오프 전압으로 비 활성화 되는 동안 노드 QB는 게이트 온 전압으로 활성화되어야 한다. In order to ensure the operational stability of this gate driver, the potential of node Q and the potential of node QB in each stage must be controlled to be opposite to each other. In other words, node QB must be deactivated with the gate-off voltage while node Q is activated with the gate-on voltage, and conversely, node QB must be activated with the gate-on voltage while node Q is deactivated with the gate-off voltage.

만약, 노드 Q의 전위와 노드 QB의 전위가 언 노운(unknown) 상태가 되면, 스캔 신호가 정상적으로 출력될 수 없다. 노드 Q와 노드 QB가 언 노운(unknown) 상태가 되는 문제점은 게이트 드라이버의 초기 구동시 생길 수 있다. 초기 구동은 표시장치의 구동 전원이 인가된 직후의 파워 온 기간에서 이뤄진다. 상기와 같은 언 노운 상태를 해소하기 위해, 초기 구동시 스테이지들을 별도의 리셋 신호로 동시에 초기화시키는 방법이 사용되고 있다. 이러한 리셋 동작에 의해 노드 Q와 노드 QB는 언 노운 상태가 아닌 게이트 온 전압 또는 게이트 오프 전압으로 서로 반대로 초기화되고, 스캔 신호의 왜곡에 의한 이상 구동(Abnormal Driving)이 방지될 수 있다.If the potential of node Q and the potential of node QB become unknown, the scan signal cannot be output normally. A problem in which node Q and node QB are in an unknown state may occur during initial operation of the gate driver. Initial driving occurs during the power-on period immediately after the driving power of the display device is applied. In order to resolve the above-mentioned unknown state, a method of simultaneously initializing the stages with separate reset signals during initial operation is used. Through this reset operation, node Q and node QB are initialized to opposite gate-on voltages or gate-off voltages rather than the unlocked state, and abnormal driving due to distortion of the scan signal can be prevented.

그런데, 전술한 리셋 동작을 수행하기 위해서는 스테이지들에 리셋 신호를 공급하는 별도의 신호 배선과 스위치 소자가 더 필요하여 스테이지들의 연결 구성이 복잡해진다. 게이트 드라이버는 표시패널의 베젤 영역에 직접 형성될 수 있는데, 이 경우 스테이지들의 연결 구성이 복잡하면 베젤 영역을 줄이기 어렵다.However, in order to perform the above-described reset operation, separate signal wires and switch elements that supply reset signals to the stages are needed, making the connection configuration of the stages complicated. The gate driver can be formed directly in the bezel area of the display panel, but in this case, if the connection configuration of the stages is complicated, it is difficult to reduce the bezel area.

따라서, 본 발명은 종래 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 초기 구동시 별도의 리셋 신호에 의하지 않고 모든 스테이지들을 리셋시켜 동작의 안정성을 확보할 수 있도록 한 게이트 드라이버와 이를 포함한 표시장치 및 그 구동방법을 제공한다.Therefore, the present invention was developed to solve the conventional problems, and provides a gate driver that ensures stability of operation by resetting all stages without a separate reset signal during initial operation, a display device including the same, and a method of driving the same. provides.

본 발명의 실시예에 따른 게이트 드라이버는 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하며 위상이 순차 지연되는 다수의 스캔 신호들을 출력하는 다수의 스테이지들; 위상이 다른 클럭 신호들을 상기 스테이지들에 공급하는 복수개의 클럭 배선들; 및 상기 스테이지들 중에서 가장 먼저 동작하는 제1 스테이지에 스타트 신호를 공급하는 스타트 배선을 포함하고, 상기 스타트 신호가 상기 게이트 온 전압으로 입력되기 전의 파워 온 기간 동안, 상기 클럭 신호들은 상기 스테이지들을 리셋시킬 수 있도록 상기 게이트 온 전압으로 입력된다.A gate driver according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages that swing between a gate-on voltage and a gate-off voltage and output a plurality of scan signals whose phases are sequentially delayed; a plurality of clock wires supplying clock signals with different phases to the stages; and a start wire that supplies a start signal to a first stage that operates first among the stages, and during a power-on period before the start signal is input as the gate-on voltage, the clock signals reset the stages. is input as the gate-on voltage.

상기 파워 온 기간 동안 상기 스타트 신호는 상기 게이트 오프 전압으로 입력된다.During the power-on period, the start signal is input as the gate-off voltage.

상기 스테이지들 각각은, 노드 Q가 부트 스트랩핑되는 동안 상기 게이트 온 전압의 스캔 신호를 노드 Na에 출력하는 트랜지스터 T5; 상기 클럭 신호들 중 어느 하나에 의해 상기 노드 QB에 상기 게이트 온 전압을 인가하는 트랜지스터 T3; 노드 QB가 상기 게이트 온 전압으로 활성화되는 동안 상기 게이트 오프 전압의 스캔 신호를 상기 노드 Na에 출력하는 트랜지스터 T6; 노드 QB가 상기 게이트 온 전압으로 활성화되는 동안 상기 게이트 오프 전압을 노드 QA에 인가하는 트랜지스터 T2; 상기 노드 QA의 전위에 따라 상기 노드 QB에 상기 게이트 오프 전압을 인가하는 트랜지스터 T7; 상기 스타트 신호 또는 캐리 신호에 따라 상기 게이트 온 전압을 상기 노드 QA에 인가하는 트랜지스터 T1; 및 상기 스타트 신호 또는 캐리 신호에 따라 상기 게이트 오프 전압을 상기 노드 QB에 인가하는 트랜지스터 T4를 포함한다.Each of the stages includes a transistor T5 that outputs a scan signal of the gate-on voltage to node Na while node Q is bootstrapped; Transistor T3 for applying the gate-on voltage to the node QB by one of the clock signals; a transistor T6 that outputs a scan signal of the gate-off voltage to the node Na while the node QB is activated with the gate-on voltage; Transistor T2 for applying the gate-off voltage to node QA while node QB is activated with the gate-on voltage; a transistor T7 that applies the gate-off voltage to the node QB according to the potential of the node QA; Transistor T1 for applying the gate-on voltage to the node QA according to the start signal or carry signal; and a transistor T4 that applies the gate-off voltage to the node QB according to the start signal or carry signal.

상기 스테이지들 각각은, 상기 노드 QA와 상기 노드 Q 사이에 접속되어, 노드 Q가 부트 스트랩핑되는 동안에만 턴 오프 되는 트랜지스터 TA를 더 포함한다.Each of the stages further includes a transistor TA that is connected between the node QA and the node Q and is turned off only while the node Q is bootstrapped.

상기 파워 온 기간 동안, 상기 트랜지스터 T3의 턴 온에 의해 상기 노드 QB가 상기 게이트 온 전압으로 리셋되고, 상기 트랜지스터 T2와 상기 트랜지스터 TA의 턴 온에 의해 상기 노드 QA와 상기 노드 Q가 상기 게이트 오프 전압으로 리셋된다.During the power-on period, the node QB is reset to the gate-on voltage by turning on the transistor T3, and the node QA and the node Q are reset to the gate-off voltage by turning on the transistor T2 and the transistor TA. is reset to

상기 파워 온 기간 동안, 상기 노드 Q의 상기 게이트 오프 전압에 의해 상기 트랜지스터 T5가 턴 오프 되고, 상기 노드 QB의 상기 게이트 온 전압에 의해 상기 트랜지스터 T6이 턴 온 되고, 상기 게이트 오프 전압의 스타트 신호에 따라 상기 트랜지스터 T1과 상기 트랜지스터 T4가 턴 오프 되고, 상기 노드 QA의 상기 게이트 오프 전압에 의해 상기 트랜지스터 T7이 턴 오프 된다.During the power-on period, the transistor T5 is turned off by the gate-off voltage of the node Q, the transistor T6 is turned on by the gate-on voltage of the node QB, and the start signal of the gate-off voltage Accordingly, the transistor T1 and the transistor T4 are turned off, and the transistor T7 is turned off by the gate-off voltage of the node QA.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 게이트 드라이버의 구동방법은 복수개의 클럭 배선들을 통해 위상이 다른 클럭 신호들을 다수의 스테이지들에 공급하는 단계; 스타트 배선을 스타트 신호를 상기 스테이지들 중에서 가장 먼저 동작하는 제1 스테이지에 공급하는 단계; 및 상기 스타트 신호와 상기 클럭 신호들에 응답하여 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하며 위상이 순차 지연되는 다수의 스캔 신호들을 상기 스테이지들에서 출력하는 단계를 포함하고, 상기 스타트 신호가 상기 게이트 온 전압으로 입력되기 전의 파워 온 기간 동안, 상기 클럭 신호들은 상기 스테이지들을 리셋시킬 수 있도록 상기 게이트 온 전압으로 입력된다.Additionally, a method of driving a gate driver according to an embodiment of the present invention includes supplying clock signals of different phases to a plurality of stages through a plurality of clock wires; supplying a start signal through a start wire to a first stage that operates first among the stages; and outputting, from the stages, a plurality of scan signals whose phases are sequentially delayed and swing between a gate-on voltage and a gate-off voltage in response to the start signal and the clock signals, wherein the start signal is transmitted to the gate. During the power-on period before being input as the on-voltage, the clock signals are input as the gate-on voltage to reset the stages.

본 발명은 초기 구동시 리셋 동작을 위해 클럭 신호들을 게이트 온 전압으로 스테이지들에 인가한다. 이를 통해, 본 발명은 초기 구동시 별도의 리셋 신호에 의하지 않고 모든 스테이지들을 리셋시켜 동작의 안정성을 확보할 수 있다. 본 발명은 별도의 리셋 신호를 생략하고 각 스테이지 내에서 리셋 신호에 따라 동작하는 트랜지스터를 제거함으로써 스테이지 연결 구성을 간소화할 수 있고, 베젤 사이즈를 줄일 수 있다.In the present invention, clock signals are applied to the stages as a gate-on voltage for a reset operation during initial driving. Through this, the present invention can secure operational stability by resetting all stages without a separate reset signal during initial operation. The present invention can simplify the stage connection configuration and reduce the bezel size by omitting a separate reset signal and removing the transistor that operates according to the reset signal within each stage.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 표시패널에 형성된 픽셀 어레이를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 픽셀 어레이에 포함된 일 픽셀 회로를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 픽셀 회로에 인가되는 데이터 신호와 게이트 신호를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 1의 게이트 드라이버에 포함된 스캔 드라이버와 에미션 드라이버를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 스캔 드라이버에 포함된 게이트 쉬프트 레지스터의 구성을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 게이트 쉬프트 레지스터에 포함된 일 스테이지 구성을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 6의 게이트 쉬프트 레지스터에 인가되는 스타트 신호와 클럭 신호들의 잘못된 예를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 스타트 신호와 클럭 신호들에 따른 게이트 쉬프트 레지스터의 동작 불량을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 6의 게이트 쉬프트 레지스터에 인가되는 스타트 신호와 클럭 신호들의 최적 예를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 10의 스타트 신호와 클럭 신호들에 따라 리셋 되어 게이트 쉬프트 레지스터가 정상 동작하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 7의 첫 번째 스테이지의 동작 파형을 보여주는 도면이다.
도 13a 내지 도 13e는 도 12의 구간① 내지 구간⑤에 각각 대응되는 스테이지 동작 상태를 보여주는 도면들이다.
1 is a diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a pixel array formed on the display panel of FIG. 1.
FIG. 3 is a diagram schematically showing one pixel circuit included in the pixel array of FIG. 2.
FIG. 4 is a diagram showing a data signal and a gate signal applied to the pixel circuit of FIG. 3.
FIG. 5 is a diagram showing a scan driver and an emission driver included in the gate driver of FIG. 1.
FIG. 6 is a diagram showing the configuration of a gate shift register included in the scan driver of FIG. 5.
FIG. 7 is a diagram showing the configuration of one stage included in the gate shift register of FIG. 6.
FIG. 8 is a diagram showing an example of an incorrect start signal and clock signal applied to the gate shift register of FIG. 6.
FIG. 9 is a diagram for explaining malfunction of the gate shift register according to the start signal and clock signals of FIG. 8.
FIG. 10 is a diagram showing an optimal example of the start signal and clock signal applied to the gate shift register of FIG. 6.
FIG. 11 is a diagram illustrating normal operation of the gate shift register after being reset according to the start signal and clock signals of FIG. 10.
FIG. 12 is a diagram showing the operation waveform of the first stage of FIG. 7.
FIGS. 13A to 13E are diagrams showing stage operation states corresponding to sections ① to section ⑤ of FIG. 12, respectively.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms, but the present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and are within the scope of common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless '~ only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on top', 'on top', 'at the bottom', 'next to ~', 'right next to' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용될 수 있으나, 이 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.First, second, etc. may be used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to substantially like elements throughout the specification.

본 발명에서 표시패널의 기판 상에 형성되는 픽셀 회로와 게이트 드라이버는 p 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. p 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 대한 설명에서는 소스와 드레인 중 어느 하나를 제1 전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제2 전극으로 기술한다. In the present invention, the pixel circuit and gate driver formed on the substrate of the display panel may be implemented as a TFT with a p-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure, but are not limited to this. TFT is a three-electrode device including a gate, source, and drain. The source is an electrode that supplies carriers to the transistor. Within the TFT, carriers begin to flow from the source. The drain is the electrode through which carriers go out of the TFT. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of p-type TFT (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type TFT, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of a MOSFET can change depending on the applied voltage. Therefore, in the description of the embodiment of the present invention, one of the source and the drain is described as the first electrode, and the other one of the source and the drain is described as the second electrode.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 실시예에서, 표시장치는 유기발광 물질을 포함한 유기발광 표시장치를 중심으로 설명한다. 하지만, 본 발명의 기술적 사상은 유기발광 표시장치에 국한되지 않고, 무기발광 물질을 포함한 무기발광 표시장치에 적용될 수 있음에 주의하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. In the following embodiments, the description will focus on an organic light emitting display device including an organic light emitting material. However, it should be noted that the technical idea of the present invention is not limited to organic light emitting display devices, but can be applied to inorganic light emitting display devices including inorganic light emitting materials.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여준다. 도 2는 도 1의 표시패널에 형성된 픽셀 어레이를 보여준다. 도 3은 도 2의 픽셀 어레이에 포함된 일 픽셀 회로를 개략적으로 보여준다. 도 4는 도 3의 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여준다. 도 5는 도 1의 게이트 드라이버에 포함된 스캔 드라이버와 에미션 드라이버를 보여준다.Figure 1 shows a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a pixel array formed on the display panel of FIG. 1. FIG. 3 schematically shows one pixel circuit included in the pixel array of FIG. 2. FIG. 4 shows a gate signal applied to the pixel circuit of FIG. 3. Figure 5 shows the scan driver and emission driver included in the gate driver of Figure 1.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(100), 타이밍 콘트롤러(110), 데이터 드라이버(120), 게이트 드라이버(130), 및 레벨 쉬프터(150) 등을 구비한다.1 to 5, the display device of the present invention includes a display panel 100, a timing controller 110, a data driver 120, a gate driver 130, and a level shifter 150.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시패널(100)에는 다수의 데이터라인들(14)과 다수의 게이트라인들(15a,15b)이 교차되고, 이 교차영역마다 픽셀들(PXL)이 매트릭스 형태로 배치되어 픽셀 어레이(Pixel array)를 구성할 수 있다. 표시패널(100)에서 픽셀 어레이는 화상이 표시되는 액티브 영역(AA)에 형성되고, 픽셀 어레이 바깥에는 화상이 표시되지 않는 베젤 영역(BZ)이 배치된다.Referring to FIGS. 1 and 2, a plurality of data lines 14 and a plurality of gate lines 15a and 15b intersect in the display panel 100, and pixels PXL are formed in a matrix form in each intersection area. It can be arranged to form a pixel array. In the display panel 100, a pixel array is formed in the active area (AA) where an image is displayed, and a bezel area (BZ) where an image is not displayed is disposed outside the pixel array.

표시패널(100)의 픽셀 어레이에는 도 2와 같이 다수의 수평 픽셀 라인들(L1~L4)이 구비되며, 각 수평 픽셀 라인(L1~L4) 상에는 수평으로 이웃하며 게이트 라인들(15a,15b)에 공통으로 연결된 다수의 픽셀들(PXL)이 배치된다. 여기서, 수평 픽셀 라인들(L1~L4) 각각은 물리적인 신호 라인이 아니라, 수평으로 이웃한 픽셀들(PXL)에 의해 구현되는 1라인 분량의 픽셀 집합을 의미한다. 픽셀 어레이에는 고전위 전원 전압(EVDD)을 픽셀들(PXL)에 공급하는 제1 전원라인(17), 초기화 전압(Vint)을 픽셀들(PXL)에 공급하는 제2 전원라인(16)이 포함될 수 있다. 또한, 픽셀들(PXL)은 저전위 전원 전압(EVSS)에 연결될 수 있다. 게이트 라인들 각각은 도 2와 같이 스캔 신호(SCAN)가 공급되는 제1 게이트 라인(15a), 및 에미션 신호(EM)가 공급되는 제2 게이트 라인(15b)을 포함할 수 있다. The pixel array of the display panel 100 is provided with a plurality of horizontal pixel lines (L1 to L4) as shown in FIG. 2, and each horizontal pixel line (L1 to L4) is horizontally adjacent and has gate lines (15a, 15b). A plurality of commonly connected pixels (PXL) are disposed. Here, each of the horizontal pixel lines L1 to L4 is not a physical signal line, but rather a set of pixels for one line implemented by horizontally neighboring pixels PXL. The pixel array includes a first power line 17 that supplies a high-potential power supply voltage (EVDD) to the pixels (PXL), and a second power line 16 that supplies an initialization voltage (Vint) to the pixels (PXL). You can. Additionally, the pixels PXL may be connected to the low-potential power supply voltage EVSS. Each of the gate lines may include a first gate line 15a to which the scan signal SCAN is supplied, and a second gate line 15b to which the emission signal EM is supplied, as shown in FIG. 2 .

픽셀들(PXL) 각각은 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 청색 픽셀, 및 백색 픽셀 중 어느 하나일 수 있다. 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 청색 픽셀, 및 백색 픽셀은 하나의 단위 픽셀을 구성하여 다양한 컬러를 구현할 수 있다. 단위 픽셀에서 구현되는 컬러는 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 청색 픽셀, 및 백색 픽셀의 발광 비율에 따라 결정될 수 있다. 한편, 이 단위 픽셀에서 백색 픽셀은 생략될 수 있다. 픽셀들(PXL) 각각에는 데이터 라인(14), 제1 게이트 라인(15a), 제2 게이트 라인(15b), 제1 전원라인(17), 제2 전원라인(16) 등이 연결될 수 있다. Each of the pixels PXL may be one of a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel. Red pixels, green pixels, blue pixels, and white pixels constitute one unit pixel and can implement various colors. The color implemented in a unit pixel may be determined according to the emission ratio of the red pixel, green pixel, blue pixel, and white pixel. Meanwhile, white pixels may be omitted from this unit pixel. A data line 14, a first gate line 15a, a second gate line 15b, a first power line 17, a second power line 16, etc. may be connected to each of the pixels PXL.

도 3과 같이, 픽셀들(PXL) 각각은 OLED와, OLED를 구동하는 구동 전류를 생성하는 스위치 회로(SWC)를 포함할 수 있다. 스위치 회로(SWC)는 적어도 하나 이상의 스캔 신호(SCAN)에 따라 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압을 프로그래밍하기 위한 복수의 스위치 TFT들과, 프로그래밍된 게이트-소스 간 전압에 따라 구동전류를 생성하는 구동 TFT와, 적어도 하나 이상의 커패시터 등을 포함할 수 있다. 스위치 회로(SWC)는 에미션 신호(EM)에 따라 온/오프 되어 OLED의 발광 타이밍을 결정하는 에미션 TFT(ET)를 더 포함할 수도 있다. 스위치 회로(SWC)는 제품 모델 및 스펙에 따라 다양하게 구성될 수 있다. 픽셀들(PXL) 각각에 포함된 TFT들은 PMOS형 LTPS TFT로 구현될 수 있고, 이를 통해 원하는 응답 특성을 확보할 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, TFT들 중에서 적어도 하나 이상의 TFT는 오프 커런트 특성(Off Current Characteristic)이 좋은 NMOS형 옥사이드 TFT로 구현되고, 나머지 TFT들은 응답 특성이 좋은 PMOS형 LTPS TFT로 구현될 수도 있다. As shown in FIG. 3, each of the pixels PXL may include an OLED and a switch circuit (SWC) that generates a driving current to drive the OLED. The switch circuit (SWC) includes a plurality of switch TFTs for programming the gate-source voltage of the driving TFT according to at least one scan signal (SCAN), and a driving circuit that generates a driving current according to the programmed gate-source voltage. It may include a TFT and at least one capacitor. The switch circuit (SWC) may further include an emission TFT (ET) that is turned on/off according to the emission signal (EM) to determine the emission timing of the OLED. The switch circuit (SWC) can be configured in various ways depending on the product model and specifications. The TFTs included in each pixel (PXL) can be implemented as a PMOS-type LTPS TFT, and through this, the desired response characteristics can be secured. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto. For example, among the TFTs, at least one TFT may be implemented as an NMOS-type oxide TFT with good off-current characteristics, and the remaining TFTs may be implemented as PMOS-type LTPS TFTs with good response characteristics.

픽셀들(PXL) 각각은 일 예로 도 4와 같은 데이터 신호와 게이트 신호에 따라 구동될 수 있다. 이 경우, 픽셀들(PXL) 각각은 스캔 신호(SCAN) 및 에미션 신호(EM)에 따라, 초기화 동작, 프로그래밍 동작, 홀딩 동작 및 에미션 동작을 수행할 수 있다. 초기화 기간(A) 동안 동작의 안전성을 위해, 스위치 회로(SWC)는 픽셀 회로 내의 특정 노드들을 초기화 전압(Vint)으로 초기화 할 수 있다. 프로그래밍 기간(B) 동안, 스위치 회로(SWC)는 데이터전압(Vdata)을 기반으로 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압을 프로그래밍할 수 있다. 프로그래밍 기간(B) 동안, 구동 TFT의 문턱전압이 샘플링 및 보상될 수 있다. 홀딩 기간(C) 동안, 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압이 안정화될 수 있다. 그리고, 에미션 기간(D) 동안, 구동 TFT의 소스-드레인 사이에는 게이트-소스 간 전압에 대응되는 구동 전류가 흐르며, 이 구동 전류에 의해 OLED가 발광하게 된다. 한편, 에미션 TFT는 에미션 신호(EM)에 따라 에미션 기간(C) 동안에만 턴 온 되도록 제어될 수 있다. For example, each of the pixels PXL may be driven according to a data signal and a gate signal as shown in FIG. 4 . In this case, each of the pixels PXL may perform an initialization operation, a programming operation, a holding operation, and an emission operation according to the scan signal SCAN and the emission signal EM. For operational safety during the initialization period (A), the switch circuit (SWC) may initialize specific nodes within the pixel circuit to the initialization voltage (Vint). During the programming period (B), the switch circuit (SWC) may program the gate-source voltage of the driving TFT based on the data voltage (Vdata). During the programming period (B), the threshold voltage of the driving TFT can be sampled and compensated. During the holding period (C), the voltage between the gate and source of the driving TFT may be stabilized. And, during the emission period (D), a driving current corresponding to the gate-source voltage flows between the source and drain of the driving TFT, and this driving current causes the OLED to emit light. Meanwhile, the emission TFT can be controlled to turn on only during the emission period (C) according to the emission signal (EM).

도 4에서, 게이트 온 전압(Gate On Voltage)은 픽셀들의 TFT가 턴-온(turn-on)될 수 있는 게이트 신호(스캔 신호, 에미션 신호)의 전압이다. 게이트 오프 전압(Gate Off Voltage)은 TFT가 턴-오프(turn-off)될 수 있는 게이트 신호의 전압이다. 일 예로, PMOS에서 게이트 온 전압(VGL)은 게이트 로우 전압이고, 게이트 오프 전압(VGH)은 게이트 로우 전압보다 높은 게이트 하이 전압이다. In FIG. 4, Gate On Voltage is the voltage of a gate signal (scan signal, emission signal) at which TFTs of pixels can be turned on. Gate Off Voltage is the voltage of the gate signal at which the TFT can be turned off. For example, in PMOS, the gate-on voltage (VGL) is a gate low voltage, and the gate-off voltage (VGH) is a gate high voltage that is higher than the gate low voltage.

도 1을 참조하면, 데이터 드라이버(120)는 타이밍 콘트롤러(110)로부터 영상 데이터(DATA)와 소스 타이밍 제어신호(DDC)를 입력 받는다. 데이터 드라이버(120)는 타이밍 콘트롤러(110)로부터의 소스 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 영상 데이터(DATA)를 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압(Vdata)을 생성하고, 그 데이터전압(Vdata)을 스캔 신호(SCAN)에 동기하여 표시패널(100)의 데이터라인들(14)에 공급한다. 데이터 드라이버(120)는 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(100)의 데이터라인들에 접속될 수 있다. Referring to FIG. 1, the data driver 120 receives image data (DATA) and a source timing control signal (DDC) from the timing controller 110. The data driver 120 converts the image data (DATA) into a gamma compensation voltage in response to the source timing control signal (DDC) from the timing controller 110 to generate a data voltage (Vdata), and the data voltage (Vdata) is supplied to the data lines 14 of the display panel 100 in synchronization with the scan signal SCAN. The data driver 120 may be connected to the data lines of the display panel 100 through a Chip On Glass (COG) process or a Tape Automated Bonding (TAB) process.

도 1을 참조하면, 레벨 쉬프터(150)는 타이밍 콘트롤러(110)로부터 입력되는 게이트 타이밍 제어신호(GDC)의 TTL(Transistor-Transistor-Logic) 레벨 전압을 표시패널(100)에 형성된 TFT를 구동시킬 수 있는 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 부스팅(Boosting)하여 게이트 드라이버(130)에 공급한다. Referring to FIG. 1, the level shifter 150 uses the Transistor-Transistor-Logic (TTL) level voltage of the gate timing control signal (GDC) input from the timing controller 110 to drive the TFT formed on the display panel 100. Boosting is performed using the available gate high voltage (VGH) and gate low voltage (VGL) and supplied to the gate driver 130.

도 1을 참조하면, 게이트 드라이버(130)는 레벨 쉬프터(150)로부터 입력되는 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 따라 동작되어 게이트 신호를 생성한다. 그리고, 그 게이트 신호를 게이트라인들에 순차적으로 공급한다. 게이트 드라이버(130)는 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시패널(100)의 하부 기판 상에 직접 형성될 수 있다. 게이트 드라이버(130)는 표시패널(100)에서 화면 바깥의 비 표시영역(즉, 베젤 영역(BZ))에 형성된다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(150)는 타이밍 콘트롤러(110)와 함께 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)(140) 상에 실장될 수 있다.Referring to FIG. 1, the gate driver 130 operates according to the gate timing control signal (GDC) input from the level shifter 150 to generate a gate signal. Then, the gate signal is sequentially supplied to the gate lines. The gate driver 130 may be formed directly on the lower substrate of the display panel 100 using a gate driver in panel (GIP) method. The gate driver 130 is formed in a non-display area (i.e., bezel area BZ) outside the screen of the display panel 100. In the GIP method, the level shifter 150 may be mounted on a printed circuit board (Printed Circuit Board) 140 together with the timing controller 110.

게이트 드라이버(130)는 도 5와 같이 표시패널(100)의 마주보는 양측에 더블 뱅크(Double Bank) 방식으로 구비되어, 각 게이트라인의 로드 편차에 따른 신호 왜곡을 최소화할 수 있다. 게이트 드라이버(130)는 스캔 신호(SCAN)를 생성하는 스캔 드라이버(131)와 에미션 신호(EM)를 생성하는 에미션 드라이버(132)를 포함한다. The gate driver 130 is provided in a double bank manner on both opposing sides of the display panel 100 as shown in FIG. 5, so that signal distortion due to load variation of each gate line can be minimized. The gate driver 130 includes a scan driver 131 that generates a scan signal (SCAN) and an emission driver 132 that generates an emission signal (EM).

스캔 드라이버(131)는 스캔 신호(SCAN)를 제1 게이트라인들(15a(1)~15a(n))에 라인 순차 방식으로 공급할 수 있다. 에미션 드라이버(132)는 에미션 신호(EM)를 제2 게이트라인들(15b(1)~15b(n))에 라인 순차 방식으로 공급할 수 있다. 스캔 드라이버(131)는 다수의 스테이지들로 이루어진 게이트 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다. The scan driver 131 may supply the scan signal SCAN to the first gate lines 15a(1) to 15a(n) in a line sequential manner. The emission driver 132 may supply the emission signal EM to the second gate lines 15b(1) to 15b(n) in a line sequential manner. The scan driver 131 may be implemented as a gate shift register consisting of multiple stages.

도 1을 참조하면, 타이밍 콘트롤러(110)는 공지의 다양한 인터페이스 방식을 통해 외부의 호스트 시스템(미도시)과 연결될 수 있다. 타이밍 콘트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 영상 데이터(DATA)를 입력 받고, 픽셀들(PXL)의 전기적 특성 차이로 인한 휘도 편차가 보상되도록 영상 데이터(DATA)를 보정한 후 데이터 드라이버들(120)로 전송할 수 있다. Referring to FIG. 1, the timing controller 110 may be connected to an external host system (not shown) through various known interface methods. The timing controller 110 receives image data (DATA) from the host system, corrects the image data (DATA) to compensate for the luminance deviation due to differences in electrical characteristics of the pixels (PXL), and then sends the image data (DATA) to the data drivers 120. Can be transmitted.

타이밍 콘트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력 받고, 이 타이밍신호를 기반으로 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 소스 타이밍 제어신호(DDC)를 생성할 수 있다. 게이트 타이밍 제어신호(GDC)는 외부 스타트 신호, 클럭 신호들 등을 포함할 수 있다. The timing controller 110 receives timing signals such as a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), a data enable signal (Data Enable, DE), and a main clock (MCLK) from the host system, and receives these timing signals. Based on this, a gate timing control signal (GDC) and a source timing control signal (DDC) can be generated. The gate timing control signal (GDC) may include an external start signal, clock signals, etc.

도 6은 도 5의 스캔 드라이버(131)에 포함된 게이트 쉬프트 레지스터의 구성을 보여준다.FIG. 6 shows the configuration of a gate shift register included in the scan driver 131 of FIG. 5.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 스캔 드라이버(131)는 다수의 스테이지들(ST1~ST4,…)로 이루어진 게이트 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다. 스테이지들(ST1~ST4,…)은 표시 패널에 직접 형성되는 GIP 소자들일 수 있다. Referring to FIG. 6, the scan driver 131 according to an embodiment of the present invention may be implemented with a gate shift register consisting of a plurality of stages (ST1 to ST4,...). The stages ST1 to ST4,... may be GIP elements formed directly on the display panel.

스테이지들(ST1~ST4,…)은 외부 스타트 신호(VST)에 따라 순차적으로 동작이 활성화되어 스캔 신호(SCAN(1)~SCAN(4),…)를 출력한다. 최상단 스테이지(ST1)는 외부 스타트 신호(VST)에 따라 동작이 활성화되고, 차상단 스테이지(ST2) 내지 최하단 스테이지는 전단 스테이지의 스캔 신호에 따라 동작이 활성화된다. 전단 스테이지의 스캔 신호는 내부 스타트 신호로서, 캐리 신호(CRY)가 된다. 여기서, "전단 스테이지"란, 기준이 되는 스테이지의 상부에 위치하여 기준 스테이지에서 출력되는 스캔 신호에 비해 위상이 앞선 스캔 신호를 생성하는 스테이지를 의미한다. The stages (ST1~ST4,...) are sequentially activated according to the external start signal (VST) and output scan signals (SCAN(1)~SCAN(4),...). The top stage (ST1) is activated according to the external start signal (VST), and the next top stage (ST2) to the bottom stage are activated according to the scan signal of the previous stage. The scan signal of the front stage is an internal start signal and becomes the carry signal (CRY). Here, the “front stage” refers to a stage that is located above the reference stage and generates a scan signal that is ahead in phase compared to the scan signal output from the reference stage.

스테이지들(ST1~ST4,…)은 스캔 신호(SCAN(1)~SCAN(4),…)를 출력하기 위해, 레벨 쉬프터(150)로부터 외부 스타트 신호(VST), 복수의 클럭신호들(CLK1~CLK4)을 입력 받을 수 있다. 외부 스타트 신호(VST)와 클럭신호들(CLK1~CLK4)은 모두 게이트 오프 전압(예컨대, 게이트 하이 전압(VGH))과 게이트 온 전압(예컨대, 게이트 로우 전압(VGL)) 사이에서 스윙한다.The stages (ST1 to ST4,...) receive an external start signal (VST) and a plurality of clock signals (CLK1) from the level shifter 150 in order to output scan signals (SCAN(1) to SCAN(4),...). ~CLK4) can be input. Both the external start signal (VST) and the clock signals (CLK1 to CLK4) swing between a gate-off voltage (eg, gate high voltage (VGH)) and a gate-on voltage (eg, gate low voltage (VGL)).

특히, 파워 온 기간에서 모든 스테이지들(ST1~ST4,…)이 별도의 리셋 신호에 의하지 않고 초기화되도록 클럭신호들(CLK1~CLK4)의 전압과 외부 스타트 신호(VST)의 전압은 서로 반대로 입력된다. 파워 온 기간은 외부 스타트 신호(VST)가 게이트 온 전압(VGL)으로 입력되기 전의 초기 구동 기간을 의미한다. 파워 온 기간 동안 외부 스타트 신호(VST)는 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력되고 클럭신호들(CLK1~CLK4)은 모두 게이트 온 전압(VGL)으로 입력된다.In particular, during the power-on period, the voltages of the clock signals (CLK1 to CLK4) and the voltage of the external start signal (VST) are input opposite to each other so that all stages (ST1 to ST4,...) are initialized without a separate reset signal. . The power-on period refers to the initial driving period before the external start signal (VST) is input as the gate-on voltage (VGL). During the power-on period, the external start signal (VST) is input as the gate-off voltage (VGH), and the clock signals (CLK1 to CLK4) are all input as the gate-on voltage (VGL).

스테이지들(ST1~ST4,…)은 복수의 접속 단자들(A1,A2,B1,B2,C1)을 통해 신호 배선들(CL1~CL4) 및 전원 배선들(WL1,WL2)에 연결될 수 있다. 신호 배선 CL5는 스테이지들(ST1~ST4,…) 중에서 가장 먼저 동작이 수행되는 최상단 스테이지(ST1)에 연결될 수 있다.The stages (ST1 to ST4,...) may be connected to the signal wires (CL1 to CL4) and the power wires (WL1, WL2) through a plurality of connection terminals (A1, A2, B1, B2, C1). The signal wire CL5 may be connected to the top stage (ST1), where the operation is performed first among the stages (ST1 to ST4,...).

신호 배선들 CL1,CL2,CL3,CL4에는 각각 클럭 신호들 CLK1,CLK2,CLK3,CLK4이 인가된다. 신호 배선 CL5에는 외부 스타트 신호(VST)가 인가된다. 전원 배선들 WL1,WL2에는 각각 게이트 오프 전압(VGH), 게이트 온 전압(VGL)이 인가된다.Clock signals CLK1, CLK2, CLK3, and CLK4 are applied to the signal wires CL1, CL2, CL3, and CL4, respectively. An external start signal (VST) is applied to the signal wire CL5. A gate-off voltage (VGH) and a gate-on voltage (VGL) are applied to the power wires WL1 and WL2, respectively.

스테이지들(ST1~ST4,…) 각각은 스캔 신호(SCAN(1)~SCAN(4))에 동기되도록 제1 클럭 신호가 입력되는 클럭 단자 B1, 제1 클럭 신호보다 위상이 뒤진 제2 클럭 신호가 입력되는 클럭 단자 B2를 포함한다. 여기서, 제1 클럭 신호와 제2 클럭 신호는 클럭신호들(CLK1~CLK4) 중에서 결정될 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제4 클럭 신호들은 서로 이웃한 4개의 스테이지들(ST1~ST4)에서 서로 다르다. 제1 및 제2 클럭 신호들은, 제1 스테이지(ST1)에서 클럭 신호들 CLK1,CLK3이고, 제2 스테이지(ST2)에서 클럭 신호들 CLK2,CLK4이고, 제3 스테이지(ST3)에서 클럭 신호들 CLK3,CLK1이고, 제4 스테이지(ST4)에서 클럭 신호들 CLK4,CLK2일 수 있다.Each of the stages (ST1 to ST4,...) has a clock terminal B1 to which a first clock signal is input so as to be synchronized with the scan signals (SCAN(1) to SCAN(4)), and a second clock signal whose phase is behind the first clock signal. It includes a clock terminal B2 to which is input. Here, the first clock signal and the second clock signal may be determined from clock signals CLK1 to CLK4. In this case, the first to fourth clock signals are different from each other in four adjacent stages (ST1 to ST4). The first and second clock signals are clock signals CLK1 and CLK3 in the first stage (ST1), clock signals CLK2 and CLK4 in the second stage (ST2), and clock signals CLK3 in the third stage (ST3). ,CLK1, and may be clock signals CLK4 and CLK2 in the fourth stage (ST4).

스테이지들(ST1~ST4,…) 각각은 게이트 오프 전압(VGH)이 입력되는 VGH 전원 단자 A1와, 게이트 온 전압(VGL)이 입력되는 VGL 전원 단자 A2를 포함하며, 외부 스타트 신호(VST) 또는 내부 스타트 신호(또는, 캐리 신호)가 입력되는 스타트 단자(C1)을 포함한다.Each of the stages (ST1 to ST4,...) includes a VGH power terminal A1 to which a gate-off voltage (VGH) is input, a VGL power terminal A2 to which a gate-on voltage (VGL) is input, and an external start signal (VST) or It includes a start terminal (C1) into which an internal start signal (or carry signal) is input.

도 7은 도 6의 게이트 쉬프트 레지스터에 포함된 제1 스테이지 구성을 보여준다. 도 6의 차상단 스테이지~최하단 스테이지도 입력되는 클럭 신호에서 차이가 있을 뿐 그 구성은 제1 스테이지와 실질적으로 동일하다.FIG. 7 shows the first stage configuration included in the gate shift register of FIG. 6. The configuration of the second upper stage to the lowermost stage in FIG. 6 is substantially the same as that of the first stage, except that there is a difference in the input clock signal.

도 7을 참조하면, 제1 스테이지(ST1)는 출력부, QA 제어부, QB 제어부, 및 열화 경감부를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the first stage ST1 may include an output unit, a QA control unit, a QB control unit, and a degradation reduction unit.

출력부는 노드 Q에 따라 제어되는 트랜지스터 T5, 노드 QB에 따라 제어되는 트랜지스터 T6, 노드 Q와 노드 Na에 연결된 커패시터 CB를 포함할 수 있다.The output unit may include a transistor T5 controlled according to node Q, a transistor T6 controlled according to node QB, and a capacitor CB connected to node Q and node Na.

트랜지스터 T5는 클럭 신호 CLK1에 따라 노드 Q가 부트 스트랩핑(Boot strapping)되는 동안 게이트 온 전압(VGL)의 스캔 신호(SCAN(1))를 노드 Na로 출력하는 풀업 소자이다. 트랜지스터 T5의 게이트전극은 노드 Q에 접속되고, 제1 전극은 클럭 단자 B1에 접속되고, 제2 전극은 노드 Na에 접속된다.Transistor T5 is a pull-up device that outputs a scan signal (SCAN(1)) of the gate-on voltage (VGL) to node Na while node Q is bootstrapped according to the clock signal CLK1. The gate electrode of transistor T5 is connected to node Q, the first electrode is connected to clock terminal B1, and the second electrode is connected to node Na.

커패시터 CB는 노드 Q와 노드 Na 사이에 접속된다. 노드 Q의 전위가 게이트 온 전압(VGL)인 상태에서 클럭 신호 CLK1이 게이트 오프 전압(VGH)에서 게이트 온 전압(VGL)으로 반전되면, 커패시터 CB의 커플링 효과에 의해 노드 Q의 전위가 게이트 온 전압(VGL)에서 그보다 낮은 부스팅 레벨로 떨어진다. 이러한 부트 스트랩핑(Boot strapping)에 의해 노드 Na의 전위가 빠르게 게이트 온 전압(VGL)으로 떨어진다. 부트 스트랩핑 효과를 이용하면 게이트 온 전압(VGL)의 스캔 신호(SCAN(1))를 왜곡 없이 빠르게 출력할 수 있다.Capacitor CB is connected between node Q and node Na. When the clock signal CLK1 is inverted from the gate-off voltage (VGH) to the gate-on voltage (VGL) while the potential of node Q is the gate-on voltage (VGL), the potential of node Q becomes gate-on due to the coupling effect of the capacitor CB. The voltage (VGL) drops to a lower boosting level. Due to this bootstrapping, the potential of the node Na quickly drops to the gate-on voltage (VGL). Using the bootstrapping effect, the scan signal (SCAN(1)) of the gate-on voltage (VGL) can be output quickly and without distortion.

트랜지스터 T6은 노드 QB가 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화될 때 게이트 오프 전압(VGH)의 스캔 신호(SCAN(1))를 노드 Na로 출력하는 풀 다운 소자이다. 트랜지스터 T6의 게이트전극은 노드 QB에 접속되고, 제1 전극은 노드 Na에 접속되고, 제2 전극은 VGH 전원 단자 A1에 접속된다.Transistor T6 is a pull-down element that outputs a scan signal (SCAN(1)) of the gate-off voltage (VGH) to node Na when node QB is activated with the gate-on voltage (VGL). The gate electrode of transistor T6 is connected to node QB, the first electrode is connected to node Na, and the second electrode is connected to VGH power supply terminal A1.

QA 제어부는 노드 QA의 전위를 제어하는 트랜지스터들 T1,T2를 포함할 수 있다.The QA control unit may include transistors T1 and T2 that control the potential of node QA.

트랜지스터 T1은 클럭 신호 CLK1보다 위상이 앞선 외부 스타트 신호(VST)에 따라 스위칭되어 노드 QA에 게이트 온 전압(VGL)을 인가한다. 트랜지스터 T1의 게이트전극은 스타트 단자 C1에 접속되고, 제1 전극은 VGL 전원 단자 A2에 접속되고, 제2 전극은 노드 QA에 접속된다.Transistor T1 is switched according to an external start signal (VST) whose phase is ahead of the clock signal CLK1 and applies a gate-on voltage (VGL) to node QA. The gate electrode of transistor T1 is connected to the start terminal C1, the first electrode is connected to the VGL power supply terminal A2, and the second electrode is connected to the node QA.

트랜지스터 T2는 노드 QB의 전위에 따라 스위칭되어 노드 QA에 게이트 오프 전압(VGH)을 인가한다. 트랜지스터 T2의 게이트전극은 노드 QB에 접속되고, 제1 전극은 노드 QA에 접속되며, 제2 전극은 VGH 전원 단자 A1에 접속된다.Transistor T2 is switched according to the potential of node QB and applies a gate-off voltage (VGH) to node QA. The gate electrode of transistor T2 is connected to node QB, the first electrode is connected to node QA, and the second electrode is connected to VGH power supply terminal A1.

QB 제어부는 노드 QB의 전위를 제어하는 트랜지스터들 T3,T4,T7과 커패시터 CQB를 포함할 수 있다.The QB control unit may include transistors T3, T4, and T7 that control the potential of node QB and a capacitor CQB.

트랜지스터 T3은 클럭 신호 CLK1보다 위상이 뒤진 클럭 신호 CLK3에 따라 스위칭되어 노드 QB를 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화한다. 트랜지스터 T3의 게이트전극은 클럭 단자 B2에 접속되고, 제1 전극은 VGL 전원 단자 A2에 접속되고, 제2 전극은 노드 QB에 접속된다.Transistor T3 switches according to the clock signal CLK3, which is out of phase with the clock signal CLK1, activating node QB with the gate-on voltage (VGL). The gate electrode of transistor T3 is connected to the clock terminal B2, the first electrode is connected to the VGL power supply terminal A2, and the second electrode is connected to the node QB.

트랜지스터 T4는 외부 스타트 신호(VST)에 따라 스위칭되어 노드 QB를 게이트 오프 전압(VGH)으로 비 활성화한다. 트랜지스터 T4의 게이트전극은 스타트 단자 C1에 접속되고, 제1 전극은 VGH 전원 단자 A1에 접속되고, 제2 전극은 노드 QB에 접속된다.Transistor T4 switches according to the external start signal (VST) to disable node QB to the gate-off voltage (VGH). The gate electrode of transistor T4 is connected to the start terminal C1, the first electrode is connected to the VGH power supply terminal A1, and the second electrode is connected to the node QB.

트랜지스터 T7은 노드 QA가 활성화되는 동안 노드 QB를 게이트 오프 전압(VGH)으로 비 활성화한다. 트랜지스터 T7의 게이트전극은 노드 QA에 접속되고, 제1 전극은 VGH 전원 단자 A1에 접속되고, 제2 전극은 노드 QB에 접속된다.Transistor T7 disables node QB with its gate-off voltage (VGH) while node QA is activated. The gate electrode of transistor T7 is connected to node QA, the first electrode is connected to VGH power supply terminal A1, and the second electrode is connected to node QB.

커패시터 CQB는 노드 QB와 VGH 전원 단자 A1 사이에 접속되어, 노드 QB가 플로팅(Floating)되는 동안 노드 QB의 전위를 안정화시킨다.Capacitor CQB is connected between node QB and VGH power supply terminal A1 to stabilize the potential of node QB while node QB is floating.

열화 경감부는 노드 Q와 노드 QA 사이에 접속된 트랜지스터 TA로 구현될 수 있다. 트랜지스터 TA의 게이트 전극은 VGL 전원 단자 A2에 접속된다. 트랜지스터 TA는 VGL 전원 단자 A2로부터 입력되는 게이트 온 전압(VGL)에 의해 통상적으로 턴 온 상태를 유지한다. 다만, 노드 Q가 부트 스트랩핑 되는 기간 동안에는 트랜지스터 TA에 걸리는 게이트-소스 간 전압이 문턱전압보다 낮아지므로 트랜지스터 TA가 턴 오프 된다.The degradation reduction unit may be implemented with a transistor TA connected between node Q and node QA. The gate electrode of transistor TA is connected to the VGL power supply terminal A2. Transistor TA is normally turned on by the gate-on voltage (VGL) input from the VGL power supply terminal A2. However, during the period when node Q is bootstrapped, the gate-source voltage applied to transistor TA becomes lower than the threshold voltage, so transistor TA is turned off.

트랜지스터 TA는 턴 온 상태를 유지하다가 노드 Q의 전위가 부스팅 되는 동안에만 턴 오프 되어 노드 Q와 노드 QA 사이의 전류를 차단한다. 노드 Q의 전위가 부스팅되더라도 그 영향이 노드 QA에 일측 전극이 연결된 트랜지스터들 T1,T2,T7에 가해지지 않게 된다. 따라서, 노드 Q의 부스팅 전위에 의해 트랜지스터들 T1,T2,T7의 드레인-소스 간 전압이 증가되는 것이 방지된다. 즉, 노드 Q가 부트 스트랩핑될 때 트랜지스터들 T1,T2,T7의 드레인-소스 간 전압이 임계치 이상으로 증가되면 과부하로 인해 소자 파괴 현상, 소위 브레이크 다운(Break down) 현상이 생길 수 있는데, 이러한 문제가 미연에 방지될 수 있는 것이다.Transistor TA remains turned on and turns off only while the potential of node Q is boosted, blocking the current between node Q and node QA. Even if the potential of node Q is boosted, the effect is not applied to the transistors T1, T2, and T7 with one electrode connected to node QA. Accordingly, the voltage between the drain and source of the transistors T1, T2, and T7 is prevented from increasing due to the boosting potential of the node Q. In other words, when node Q is bootstrapped, if the voltage between the drain and source of transistors T1, T2, and T7 increases above the threshold, device destruction, or so-called break down phenomenon, may occur due to overload. Problems can be prevented in advance.

도 8은 도 6의 게이트 쉬프트 레지스터에 인가되는 스타트 신호와 클럭 신호들의 잘못된 예를 보여주는 도면이다. 그리고, 도 9는 도 8의 스타트 신호와 클럭 신호들에 따른 게이트 쉬프트 레지스터의 동작 불량을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 8 is a diagram showing an example of an incorrect start signal and clock signal applied to the gate shift register of FIG. 6. And, FIG. 9 is a diagram for explaining malfunction of the gate shift register according to the start signal and clock signals of FIG. 8.

도 8을 참조하면, 파워 온 기간(PON)에서 별도의 리셋 신호가 인가되지 않고, 스타트 신호(VST)와 클럭 신호들 CLK1~4는 모두 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력되고 있다. 클럭 신호들 CLK1~4는 모두 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력되므로, 파워 온 기간(PON)에서 스테이지들의 노드 Q와 노드 QB는 리셋되지 못한다. 즉, 파워 온 기간(PON)에서 스테이지들의 노드 Q와 노드 QB는 게이트 온 전압(VGL) 또는 게이트 오프 전압(VGH)으로 리셋되지 못하고, 플로팅 상태로 유지되고 있다.Referring to FIG. 8, no separate reset signal is applied during the power-on period (PON), and the start signal (VST) and clock signals CLK1 to 4 are all input as the gate-off voltage (VGH). Since the clock signals CLK1 to CLK4 are all input as the gate-off voltage (VGH), node Q and node QB of the stages cannot be reset in the power-on period (PON). That is, in the power-on period (PON), node Q and node QB of the stages are not reset to the gate-on voltage (VGL) or gate-off voltage (VGH) and are maintained in a floating state.

파워 온 기간(PON)에 이은 디스플레이 기간(DIS)에서 스타트 신호(VST)가 게이트 온 전압(VGL)으로 입력되면서 최상단 스테이지의 동작이 시작된다. 그리고, 차상단 내지 최하단 스테이지들은 전단 스테이지의 출력을 캐리 신호(내부 스타트 신호)로 받아 동작이 시작된다.In the display period (DIS) following the power-on period (PON), the start signal (VST) is input as the gate-on voltage (VGL) and the operation of the top stage begins. Then, the top to bottom stages begin operation by receiving the output of the previous stage as a carry signal (internal start signal).

도 9를 더 참조하여 디스플레이 기간(DIS)에서의 스테이지들의 동작을 살펴보면 다음과 같다. 파워 온 기간(PON)에서 스테이지들의 노드 Q와 노드 QB가 리셋되지 못했기 때문에, 도 9에서와 같이 디스플레이 기간(DIS)에서 일부 스캔 신호들이 왜곡되고 있다. 예를 들어, 구간①에서 스테이지들 1~8의 스캔신호들은 모두 게이트 오프 전압(즉, 하이 레벨(H))으로 출력되어야 하나, 스테이지들 4,8의 경우 스캔신호들이 비정상 전압(M)으로 왜곡되고 있다. 비정상 전압(M)은 게이트 오프 전압(즉, 하이 레벨(H))과 게이트 온 전압(즉, 로우 레벨(L))으로 정의되지 않는 제3의 전압이다. 이는 해당 스테이지들 4,8과 전단 스테이지들 3,7의 노드 Q 및 노드 QB가 플로팅(도 9에 "X"로 표기됨)되는 것에 기인한다. 스캔 신호의 왜곡 현상은 구간들 ②~⑤에서도 나타난다. 이렇게 스캔 신호가 왜곡되면 표시패널에 정상적으로 영상 데이터를 기입할 수 없다.With further reference to FIG. 9, the operations of the stages in the display period (DIS) are as follows. Because node Q and node QB of the stages were not reset in the power-on period (PON), some scan signals are distorted in the display period (DIS) as shown in FIG. 9. For example, in section ①, all scan signals of stages 1 to 8 must be output at a gate-off voltage (i.e., high level (H)), but in the case of stages 4 and 8, the scan signals are output at an abnormal voltage (M). It is being distorted. The abnormal voltage (M) is a third voltage that is not defined by the gate-off voltage (i.e., high level (H)) and the gate-on voltage (i.e., low level (L)). This is due to the fact that nodes Q and node QB of the corresponding stages 4 and 8 and the preceding stages 3 and 7 are floating (indicated by “X” in FIG. 9). Distortion of the scan signal also appears in sections ② to ⑤. If the scan signal is distorted like this, image data cannot be written normally to the display panel.

도 10은 도 6의 게이트 쉬프트 레지스터에 인가되는 스타트 신호와 클럭 신호들의 최적 예를 보여주는 도면이다. 그리고, 도 11은 도 10의 스타트 신호와 클럭 신호들에 따라 리셋 되어 게이트 쉬프트 레지스터가 정상 동작하는 것을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 10 is a diagram showing an optimal example of the start signal and clock signal applied to the gate shift register of FIG. 6. And, FIG. 11 is a diagram to explain the normal operation of the gate shift register after being reset according to the start signal and clock signals of FIG. 10.

도 10을 참조하면, 파워 온 기간(PON)에서 별도의 리셋 신호가 인가되지 않고, 스타트 신호(VST)는 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력되고, 클럭 신호들 CLK1~4는 모두 게이트 온 전압(VGL)로 입력되고 있다. 클럭 신호들 CLK1~4는 모두 게이트 온 전압(VGL)으로 입력되므로, 파워 온 기간(PON)에서 스테이지들의 노드 Q와 노드 QB는 별도의 리셋 신호에 의하지 않고서도 동시에 리셋될 수 있다. 즉, 파워 온 기간(PON)에서 스테이지들의 노드 QB는 게이트 온 전압(VGL)의 클럭 신호(즉, 도 7에서 B2에 인가되는 클럭신호)에 의해 게이트 온 전압(VGL)으로 동시에 리셋되고, 노드 Q는 게이트 오프 전압(VGH)으로 동시에 리셋될 수 있다.Referring to FIG. 10, no separate reset signal is applied in the power-on period (PON), the start signal (VST) is input as the gate-off voltage (VGH), and clock signals CLK1 to 4 are all input at the gate-on voltage (VGH). It is being input as VGL). Since the clock signals CLK1 to CLK4 are all input as the gate-on voltage (VGL), node Q and node QB of the stages can be reset simultaneously during the power-on period (PON) without a separate reset signal. That is, in the power-on period (PON), the nodes QB of the stages are simultaneously reset to the gate-on voltage (VGL) by the clock signal of the gate-on voltage (VGL) (i.e., the clock signal applied to B2 in FIG. 7), and the nodes Q can be reset simultaneously with the gate-off voltage (VGH).

파워 온 기간(PON)에 이은 디스플레이 기간(DIS)에서 스타트 신호(VST)가 게이트 온 전압(VGL)으로 입력되면서 최상단 스테이지의 동작이 시작된다. 그리고, 차상단 내지 최하단 스테이지들은 전단 스테이지의 출력을 캐리 신호(내부 스타트 신호)로 받아 동작이 시작된다.In the display period (DIS) following the power-on period (PON), the start signal (VST) is input as the gate-on voltage (VGL) and the operation of the top stage begins. Then, the top to bottom stages begin operation by receiving the output of the previous stage as a carry signal (internal start signal).

도 11을 더 참조하여 디스플레이 기간(DIS)에서의 스테이지들의 동작을 살펴보면 다음과 같다. 파워 온 기간(PON)에서 스테이지들의 노드 Q와 노드 QB가 동시에 리셋되었기 때문에, 도 11에서와 같이 디스플레이 기간(DIS)에서 스캔 신호들의 왜곡이 방지될 수 있다. 즉, 구간②에서 스테이지들 1~8의 스캔신호들은 모두 게이트 오프 전압(즉, 하이 레벨(H))으로 출력되고 있으며, 구간③ 내지 구간⑨에서 스테이지들 1~8의 스캔신호들은 순차적으로 게이트 온 전압(즉, 로우 레벨(L))으로 출력되고 있다. With further reference to FIG. 11, the operations of the stages in the display period (DIS) are as follows. Since node Q and node QB of the stages are reset simultaneously in the power-on period (PON), distortion of scan signals in the display period (DIS) can be prevented as shown in FIG. 11. That is, in section ②, all scan signals of stages 1 to 8 are output at a gate-off voltage (i.e., high level (H)), and in section ③ to section ⑨, the scan signals of stages 1 to 8 are sequentially gated. It is output at on voltage (i.e. low level (L)).

도 12는 도 7의 첫 번째 스테이지의 동작 파형을 보여주는 도면이다. 그리고,도 13a 내지 도 13e는 도 12의 구간① 내지 구간⑤에 각각 대응되는 스테이지 동작 상태를 보여주는 도면들이다. 여기서, 구간①은 파워 온 기간에 해당되고, 구간② 내지 구간⑤는 디스플레이 기간에 해당된다.FIG. 12 is a diagram showing the operation waveform of the first stage of FIG. 7. And, FIGS. 13A to 13E are diagrams showing stage operation states corresponding to sections ① to section ⑤ of FIG. 12, respectively. Here, section① corresponds to the power-on period, and section② to section⑤ corresponds to the display period.

도 12 및 도 13a를 참조하면, 구간①에서 리셋 동작을 위해 외부 스타트 신호(VST)는 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력되고 클럭신호들 CLK1~CLK4은 게이트 온 전압(VGL)으로 입력된다. 별도의 리셋 신호는 입력되지 않는다.Referring to FIGS. 12 and 13A, for the reset operation in section ①, the external start signal (VST) is input as the gate-off voltage (VGH) and the clock signals CLK1 to CLK4 are input as the gate-on voltage (VGL). A separate reset signal is not input.

구간①에서 게이트 오프 전압(VGH)의 외부 스타트 신호(VST)에 따라 트랜지스터들 T1,T4가 턴 오프 된다. 구간①에서 게이트 온 전압(VGL)의 클럭 신호 CLK3에 따라 트랜지스터 T3이 턴 온 되어, 노드 QB가 게이트 온 전압(VGL)으로 리셋 된다. 그리고, 노드 QB의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 트랜지스터 T2가 턴 온 되어, 노드 QA와 노드 Q가 게이트 오프 전압(VGH)으로 리셋된다. 트랜지스터 TA는 게이트 온 전압(VGL)에 의해 턴 온 되므로, 노드 QA와 노드 Q가 동일전위가 된다.In section ①, transistors T1 and T4 are turned off according to the external start signal (VST) of the gate-off voltage (VGH). In section ①, transistor T3 is turned on according to the clock signal CLK3 of the gate-on voltage (VGL), and node QB is reset to the gate-on voltage (VGL). Then, transistor T2 is turned on according to the gate-on voltage (VGL) of node QB, and node QA and node Q are reset to the gate-off voltage (VGH). Transistor TA is turned on by the gate-on voltage (VGL), so node QA and node Q are at the same potential.

구간①에서 트랜지스터 T5는 노드 Q의 게이트 오프 전압(VGH)에 따라 턴 오프 되고, 트랜지스터 T6은 노드 QB의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 턴 온 된다. 따라서, 노드 Na에서 출력되는 스캔 신호(SCAN(1))는 게이트 오프 전압(VGH)이 된다.In section ①, transistor T5 is turned off according to the gate-off voltage (VGH) of node Q, and transistor T6 is turned on according to the gate-on voltage (VGL) of node QB. Accordingly, the scan signal (SCAN(1)) output from node Na becomes the gate-off voltage (VGH).

도 12 및 도 13b를 참조하면, 구간②에서 외부 스타트 신호(VST)와 클럭신호 CLK4는 게이트 온 전압(VGL)으로 입력되고, 클럭신호들 CLK1,CLK2,CLK3은 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력된다. Referring to Figures 12 and 13b, in section ②, the external start signal (VST) and clock signal CLK4 are input as the gate-on voltage (VGL), and the clock signals CLK1, CLK2, and CLK3 are input as the gate-off voltage (VGH). do.

구간②에서 게이트 온 전압(VGL)의 외부 스타트 신호(VST)에 따라 트랜지스터들 T1,T4가 턴 온 되어, 노드 QA에 게이트 온 전압(VGL)이 인가되고, 노드 QB에 게이트 오프 전압(VGH)이 인가된다. 이때, 게이트 오프 전압(VGH)의 클럭신호 CLK3에 따라 트랜지스터 T3이 턴 오프 된다. In section ②, transistors T1 and T4 are turned on according to the external start signal (VST) of the gate-on voltage (VGL), and the gate-on voltage (VGL) is applied to node QA, and the gate-off voltage (VGH) is applied to node QB. This is approved. At this time, transistor T3 is turned off according to the clock signal CLK3 of the gate-off voltage (VGH).

구간②에서 노드 QB의 게이트 오프 전압(VGH)에 따라 트랜지스터 T2가 턴 오프 된다. 그리고, 노드 QA의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 트랜지스터 T7이 턴 온 되어 노드 QB에 게이트 오프 전압(VGH)을 인가한다. 구간②에서 트랜지스터 TA는 온 상태를 유지하고, 노드 Q의 전위는 게이트 온 전압(VGL)이 된다.In section ②, transistor T2 is turned off according to the gate-off voltage (VGH) of node QB. Then, transistor T7 is turned on according to the gate-on voltage (VGL) of node QA and applies the gate-off voltage (VGH) to node QB. In section ②, transistor TA remains on, and the potential of node Q becomes the gate-on voltage (VGL).

구간②에서 트랜지스터 T6은 노드 QB의 게이트 오프 전압(VGH)에 따라 턴 오프 되고, 트랜지스터 T5는 노드 Q의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 턴 온 된다. 따라서, 노드 Na에서 출력되는 스캔 신호(SCAN(1))는 클럭신호 CLK1의 게이트 오프 전압(VGH)이 된다.In section ②, transistor T6 is turned off according to the gate-off voltage (VGH) of node QB, and transistor T5 is turned on according to the gate-on voltage (VGL) of node Q. Accordingly, the scan signal (SCAN(1)) output from node Na becomes the gate-off voltage (VGH) of the clock signal CLK1.

도 12 및 도 13c를 참조하면, 구간③에서 클럭신호 CLK1는 게이트 온 전압(VGL)으로 입력되고, 외부 스타트 신호(VST)와 클럭신호들 CLK4,CLK2,CLK3은 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력된다. Referring to FIGS. 12 and 13C, in section ③, the clock signal CLK1 is input as the gate-on voltage (VGL), and the external start signal (VST) and clock signals CLK4, CLK2, and CLK3 are input as the gate-off voltage (VGH). do.

구간③에서 게이트 오프 전압(VGH)의 외부 스타트 신호(VST)에 따라 트랜지스터들 T1,T4가 턴 오프 되어, 노드 QA를 플로팅된다. 이때, 게이트 오프 전압(VGH)의 클럭신호 CLK3에 따라 트랜지스터 T3이 오프 상태를 유지한다. 구간③에서 노드 QA의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 트랜지스터 T7이 턴 온 되어 노드 QB에 게이트 오프 전압(VGH)을 인가한다. In section ③, the transistors T1 and T4 are turned off according to the external start signal (VST) of the gate-off voltage (VGH), and the node QA is floated. At this time, transistor T3 remains in the off state according to the clock signal CLK3 of the gate-off voltage (VGH). In section ③, transistor T7 is turned on according to the gate-on voltage (VGL) of node QA and applies the gate-off voltage (VGH) to node QB.

구간③에서 게이트 온 전압(VGL)의 클럭 신호 CLK1가 입력될 때 노드 Q의 전위는 부트 스트랩핑되어 게이트 온 전압(VGL)에서 그보다 낮은 부스팅 전압(VGL')으로 낮아진다. 이때, 트랜지스터 TA는 턴 오프 되어 노드 QA와 노드 Q를 전기적으로 차단함으로써, 트랜지스터들 T1,T2,T7에 가해지는 부스팅 스트레스를 제거한다. In section ③, when the clock signal CLK1 of the gate-on voltage (VGL) is input, the potential of node Q is bootstrapped and lowered from the gate-on voltage (VGL) to a lower boosting voltage (VGL'). At this time, transistor TA is turned off to electrically block node QA and node Q, thereby eliminating boosting stress applied to transistors T1, T2, and T7.

구간③에서 트랜지스터 T6은 노드 QB의 게이트 오프 전압(VGH)에 따라 오프 상태를 유지하고, 트랜지스터 T5는 노드 Q의 부스팅 전압(VGL')에 따라 온 상태를 유지한다. 따라서, 노드 Na에서 출력되는 스캔 신호(SCAN(1))는 클럭신호 CLK1의 게이트 온 전압(VGL)이 된다.In section ③, transistor T6 remains off according to the gate-off voltage (VGH) of node QB, and transistor T5 remains on according to the boosting voltage (VGL') of node Q. Therefore, the scan signal (SCAN(1)) output from node Na becomes the gate-on voltage (VGL) of the clock signal CLK1.

도 12 및 도 13d를 참조하면, 구간④에서 클럭신호 CLK2는 게이트 온 전압(VGL)으로 입력되고, 외부 스타트 신호(VST)와 클럭신호들 CLK4,CLK1,CLK3은 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력된다. Referring to Figures 12 and 13D, in section ④, the clock signal CLK2 is input as the gate-on voltage (VGL), and the external start signal (VST) and clock signals CLK4, CLK1, and CLK3 are input as the gate-off voltage (VGH). do.

구간④에서 게이트 오프 전압(VGH)의 외부 스타트 신호(VST)에 따라 트랜지스터들 T1,T4가 오프 상태를 유지하여, 노드 QA를 계속해서 플로팅시킨다. 이때, 게이트 오프 전압(VGH)의 클럭신호 CLK3에 따라 트랜지스터 T3도 오프 상태를 유지한다. 구간④에서 노드 QA의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 트랜지스터 T7이 온 상태르 유지하여 노드 QB에 게이트 오프 전압(VGH)을 인가한다. In section ④, the transistors T1 and T4 remain in the off state according to the external start signal (VST) of the gate-off voltage (VGH), and the node QA continues to float. At this time, transistor T3 is also maintained in an off state according to the clock signal CLK3 of the gate-off voltage (VGH). In section ④, transistor T7 remains on according to the gate-on voltage (VGL) of node QA and applies the gate-off voltage (VGH) to node QB.

구간④에서 게이트 오프 전압(VGH)의 클럭 신호 CLK1가 입력될 때 노드 Q의 전위는 부스팅 전압(VGL')에서 게이트 온 전압(VGL)으로 높아진다. 이때, 트랜지스터 TA는 턴 온 된다. In section ④, when the clock signal CLK1 of the gate-off voltage (VGH) is input, the potential of node Q increases from the boosting voltage (VGL') to the gate-on voltage (VGL). At this time, transistor TA is turned on.

구간 ④에서 트랜지스터 T6은 노드 QB의 게이트 오프 전압(VGH)에 따라 오프 상태를 유지하고, 트랜지스터 T5는 노드 Q의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 온 상태를 유지한다. 따라서, 노드 Na에서 출력되는 스캔 신호(SCAN(1))는 클럭신호 CLK1의 게이트 오프 전압(VGH)이 된다.In section ④, transistor T6 remains off according to the gate-off voltage (VGH) of node QB, and transistor T5 remains on according to the gate-on voltage (VGL) of node Q. Accordingly, the scan signal (SCAN(1)) output from node Na becomes the gate-off voltage (VGH) of the clock signal CLK1.

도 12 및 도 13e를 참조하면, 구간⑤에서 클럭신호 CLK3은 게이트 온 전압(VGL)으로 입력되고, 외부 스타트 신호(VST)와 클럭신호들 CLK4,CLK1,CLK2는 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력된다. Referring to Figures 12 and 13e, in section ⑤, the clock signal CLK3 is input as the gate-on voltage (VGL), and the external start signal (VST) and clock signals CLK4, CLK1, and CLK2 are input as the gate-off voltage (VGH). do.

구간⑤에서 게이트 오프 전압(VGH)의 클럭신호 CLK3에 따라 트랜지스터 T3이 턴 온 되어 노드 QB에 게이트 온 전압(VGL)이 인가된다. 그리고, 노드 QB의 게이트 온 전압(VGL)에 의해 트랜지스터 T2가 턴 온 되어 노드 QA에 게이트 오프 전압(VGH)이 인가된다. 이때, 트랜지스터 T7은 노드 QA의 게이트 오프 전압(VGH)에 따라 턴 오프 되고, 트랜지스터들 T1,T4는 게이트 오프 전압(VGH)의 외부 스타트 신호(VST)에 따라 오프 상태를 유지한다. 그리고, 게이트 온 전압(VGL)에 의해 트랜지스터 TA는 턴 온 되고, 노드 Q는 게이트 오프 전압(VGH)이 된다.In section ⑤, transistor T3 is turned on according to the clock signal CLK3 of the gate-off voltage (VGH), and the gate-on voltage (VGL) is applied to node QB. Then, transistor T2 is turned on by the gate-on voltage (VGL) of node QB, and the gate-off voltage (VGH) is applied to node QA. At this time, transistor T7 is turned off according to the gate-off voltage (VGH) of node QA, and transistors T1 and T4 remain off according to the external start signal (VST) of the gate-off voltage (VGH). Then, the transistor TA is turned on by the gate-on voltage (VGL), and the node Q becomes the gate-off voltage (VGH).

구간⑤에서 트랜지스터 T5는 노드 Q의 게이트 오프 전압(VGH)에 따라 턴 오프 되고, 트랜지스터 T6은 노드 QB의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 턴 온 된다. 따라서, 노드 Na에서 출력되는 스캔 신호(SCAN(1))는 게이트 오프 전압(VGH)이 된다.In section ⑤, transistor T5 is turned off according to the gate-off voltage (VGH) of node Q, and transistor T6 is turned on according to the gate-on voltage (VGL) of node QB. Accordingly, the scan signal (SCAN(1)) output from node Na becomes the gate-off voltage (VGH).

전술한 바와 같이, 본 발명은 초기 구동시 리셋 동작을 위해 클럭 신호들을 게이트 온 전압으로 스테이지들에 인가한다. 이를 통해, 본 발명은 초기 구동시 별도의 리셋 신호에 의하지 않고 모든 스테이지들을 리셋시켜 동작의 안정성을 확보할 수 있다. 본 발명은 별도의 리셋 신호를 생략하고 각 스테이지 내에서 리셋 신호에 따라 동작하는 트랜지스터를 제거함으로써 스테이지 연결 구성을 간소화할 수 있고, 베젤 사이즈를 줄일 수 있다. As described above, the present invention applies clock signals to the stages as a gate-on voltage for a reset operation during initial driving. Through this, the present invention can secure operational stability by resetting all stages without a separate reset signal during initial operation. The present invention can simplify the stage connection configuration and reduce the bezel size by omitting a separate reset signal and removing the transistor that operates according to the reset signal within each stage.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Through the above-described content, those skilled in the art will be able to see that various changes and modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to what is described in the detailed description of the specification, but should be defined by the scope of the patent claims.

100 : 표시패널 110 : 타이밍 콘트롤러
120 : 데이터 드라이버 130 : 게이트 드라이버
131 : 스캔 드라이버
100: display panel 110: timing controller
120: data driver 130: gate driver
131: scan driver

Claims (11)

게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하며 위상이 순차 지연되는 다수의 스캔 신호들을 출력하는 다수의 스테이지들;
위상이 다른 클럭 신호들을 상기 스테이지들에 공급하는 복수개의 클럭 배선들; 및
상기 스테이지들 중에서 가장 먼저 동작하는 제1 스테이지에 스타트 신호를 공급하는 스타트 배선을 포함하고,
상기 스타트 신호가 상기 게이트 온 전압으로 입력되기 전의 파워 온 기간 동안, 상기 클럭 신호들은 상기 스테이지들을 리셋시킬 수 있도록 상기 게이트 온 전압으로 입력되고,
상기 스테이지들 각각은,
노드 Q가 부트 스트랩핑되는 동안 상기 게이트 온 전압의 스캔 신호를 노드 Na에 출력하는 트랜지스터 T5;
상기 클럭 신호들 중 어느 하나에 의해 노드 QB에 상기 게이트 온 전압을 인가하는 트랜지스터 T3;
상기 노드 QB가 상기 게이트 온 전압으로 활성화되는 동안 상기 게이트 오프 전압의 스캔 신호를 상기 노드 Na에 출력하는 트랜지스터 T6;
상기 노드 QB가 상기 게이트 온 전압으로 활성화되는 동안 상기 게이트 오프 전압을 노드 QA에 인가하는 트랜지스터 T2;
상기 노드 QA의 전위에 따라 상기 노드 QB에 상기 게이트 오프 전압을 인가하는 트랜지스터 T7;
상기 스타트 신호 또는 캐리 신호에 따라 상기 게이트 온 전압을 상기 노드 QA에 인가하는 트랜지스터 T1; 및
상기 스타트 신호 또는 캐리 신호에 따라 상기 게이트 오프 전압을 상기 노드 QB에 인가하는 트랜지스터 T4를 포함하는 게이트 드라이버.
A plurality of stages swinging between a gate-on voltage and a gate-off voltage and outputting a plurality of scan signals whose phases are sequentially delayed;
a plurality of clock wires supplying clock signals with different phases to the stages; and
It includes a start wire that supplies a start signal to the first stage that operates first among the stages,
During the power-on period before the start signal is input to the gate-on voltage, the clock signals are input to the gate-on voltage to reset the stages,
Each of the above stages is,
Transistor T5 that outputs a scan signal of the gate-on voltage to node Na while node Q is bootstrapped;
Transistor T3 for applying the gate-on voltage to node QB by any one of the clock signals;
a transistor T6 that outputs a scan signal of the gate-off voltage to the node Na while the node QB is activated with the gate-on voltage;
Transistor T2 for applying the gate-off voltage to node QA while the node QB is activated with the gate-on voltage;
a transistor T7 that applies the gate-off voltage to the node QB according to the potential of the node QA;
Transistor T1 for applying the gate-on voltage to the node QA according to the start signal or carry signal; and
A gate driver including a transistor T4 that applies the gate-off voltage to the node QB according to the start signal or carry signal.
제 1 항에 있어서,
상기 파워 온 기간 동안 상기 스타트 신호는 상기 게이트 오프 전압으로 입력되는 게이트 드라이버.
According to claim 1,
A gate driver wherein the start signal is input as the gate-off voltage during the power-on period.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 스테이지들 각각은,
상기 노드 QA와 상기 노드 Q 사이에 접속되어, 상기 노드 Q가 부트 스트랩핑되는 동안에만 턴 오프 되는 트랜지스터 TA를 더 포함하는 게이트 드라이버.
According to claim 1,
Each of the above stages is,
A gate driver further comprising a transistor TA connected between the node QA and the node Q and turned off only while the node Q is bootstrapped.
제 4 항에 있어서,
상기 파워 온 기간 동안,
상기 트랜지스터 T3의 턴 온에 의해 상기 노드 QB가 상기 게이트 온 전압으로 리셋되고,
상기 트랜지스터 T2와 상기 트랜지스터 TA의 턴 온에 의해 상기 노드 QA와 상기 노드 Q가 상기 게이트 오프 전압으로 리셋되는 게이트 드라이버.
According to claim 4,
During the power-on period,
By turning on the transistor T3, the node QB is reset to the gate-on voltage,
A gate driver in which the node QA and the node Q are reset to the gate-off voltage by turning on the transistor T2 and the transistor TA.
제 5 항에 있어서,
상기 파워 온 기간 동안,
상기 노드 Q의 상기 게이트 오프 전압에 의해 상기 트랜지스터 T5가 턴 오프 되고,
상기 노드 QB의 상기 게이트 온 전압에 의해 상기 트랜지스터 T6이 턴 온 되고,
상기 게이트 오프 전압의 스타트 신호에 따라 상기 트랜지스터 T1과 상기 트랜지스터 T4가 턴 오프 되고,
상기 노드 QA의 상기 게이트 오프 전압에 의해 상기 트랜지스터 T7이 턴 오프 되는 게이트 드라이버.
According to claim 5,
During the power-on period,
The transistor T5 is turned off by the gate-off voltage of the node Q,
The transistor T6 is turned on by the gate-on voltage of the node QB,
The transistor T1 and transistor T4 are turned off according to the start signal of the gate-off voltage,
A gate driver in which the transistor T7 is turned off by the gate-off voltage of the node QA.
삭제delete 삭제delete 상기 청구항 제1항 내지 제2항과 상기 청구항 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항의 게이트 드라이버를 포함하는 표시장치.A display device comprising the gate driver according to any one of claims 1 to 2 and claims 4 to 6. 위상이 다른 복수의 클럭 신호들을 입력 받고, 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하며 위상이 순차 지연되는 다수의 스캔 신호들을 출력하는 다수의 스테이지들을 갖는 표시장치에 있어서,
상기 스테이지들 각각은,
스타트 신호 또는 캐리 신호에 따라 상기 게이트 온 전압을 노드 QA에 인가하는 트랜지스터 T1;
상기 스타트 신호 또는 캐리 신호보다 위상이 더 늦은 제1 클럭 신호에 의해 노드 Q가 부트 스트랩핑되는 동안 상기 게이트 온 전압의 스캔 신호를 노드 Na에 출력하는 트랜지스터 T5;
상기 제1 클럭 신호보다 위상이 더 늦은 제2 클럭 신호에 응답하여 노드 QB에 상기 게이트 온 전압을 인가하는 트랜지스터 T3;
상기 노드 QB가 상기 게이트 온 전압으로 활성화되는 동안 상기 게이트 오프 전압의 스캔 신호를 상기 노드 Na에 출력하는 트랜지스터 T6; 및
상기 노드 Q가 부트 스트랩핑되는 동안에 턴 오프 되어 상기 노드 QA와 상기 노드 Q 간의 전기적 연결을 차단하고, 상기 노드 Q가 부트 스트랩핑되지 않는 동안에 턴 온 되어 상기 노드 QA와 상기 노드 Q를 전기적으로 연결하는 트랜지스터 TA를 포함한 표시장치.
In a display device having a plurality of stages that receive a plurality of clock signals of different phases and output a plurality of scan signals whose phases are sequentially delayed and swing between a gate-on voltage and a gate-off voltage,
Each of the above stages is,
Transistor T1 for applying the gate-on voltage to node QA according to a start signal or carry signal;
Transistor T5 outputting a scan signal of the gate-on voltage to node Na while node Q is bootstrapped by a first clock signal whose phase is later than the start signal or carry signal;
Transistor T3 for applying the gate-on voltage to node QB in response to a second clock signal whose phase is later than the first clock signal;
a transistor T6 that outputs a scan signal of the gate-off voltage to the node Na while the node QB is activated with the gate-on voltage; and
While the node Q is bootstrapped, it is turned off to cut off the electrical connection between the node QA and the node Q, and while the node Q is not bootstrapped, it is turned on to electrically connect the node QA and the node Q. A display device containing a transistor TA.
제 10 항에 있어서,
상기 트랜지스터 TA의 게이트전극은 상기 게이트 온 전압의 전원 단자에 연결된 표시장치.
According to claim 10,
A display device in which the gate electrode of the transistor TA is connected to a power terminal of the gate-on voltage.
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