KR102418573B1 - Gate driver and display device including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 게이트 드라이버는 다수의 스테이지들을 갖는다. 상기 스테이지들 각각은, 노드 Q의 전위가 부스팅 되는 동안 제1 클럭 신호의 게이트 온 전압의 스캔 신호를 출력하는 풀-업 소자; 상기 제1 클럭 신호보다 위상이 앞선 제2 클럭 신호에 따라 상기 노드 Q에 연결된 노드 QA를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T2; 상기 제1 클럭 신호보다 위상이 뒤진 제3 클럭 신호에 따라 노드 QB를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T4; 및 상기 노드 QB가 활성화되는 동안 게이트 오프 전압의 스캔 신호를 출력하는 풀-다운 소자를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 상기 게이트 온 전압과 상기 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하고, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 부분적으로 서로 중첩되며, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제3 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 비 중첩된다.A gate driver according to an embodiment of the present invention has a plurality of stages. Each of the stages may include a pull-up device configured to output a scan signal of a gate-on voltage of the first clock signal while the potential of the node Q is boosted; a transistor T2 configured to activate a node QA connected to the node Q to the gate-on voltage according to a second clock signal having a phase ahead of the first clock signal; a transistor T4 activating the node QB to the gate-on voltage according to a third clock signal out of phase with the first clock signal; and a pull-down device outputting a scan signal of a gate-off voltage while the node QB is activated, wherein the first to third clock signals swing between the gate-on voltage and the gate-off voltage, and Gate-on voltage sections of the first clock signal and the second clock signal partially overlap each other, and the gate-on voltage sections of the first clock signal and the third clock signal do not overlap.

Description

게이트 드라이버와 이를 포함한 표시장치{GATE DRIVER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}GATE DRIVER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

본 발명은 게이트 드라이버와 이를 포함한 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gate driver and a display device including the same.

전계 발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 유기 발광 표시장치로 대별된다. 이 중에서, 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The electroluminescent display device is roughly classified into an inorganic light emitting display device and an organic light emitting display device according to the material of the light emitting layer. Among them, the active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (hereinafter referred to as "OLED") that emits light by itself, and has a fast response speed, luminous efficiency, luminance and The viewing angle is a big plus.

유기 발광 표시장치는 OLED를 각각 포함한 픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 픽셀들의 휘도를 조절한다. 픽셀들 각각은 게이트-소스 간 전압에 따라 OLED에 흐르는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)와, 스캔 신호에 따라 구동 TFT의 게이트-소트 간 전압을 프로그래밍하는 스위치 TFT들을 포함하며, 구동전류에 비례하는 OLED의 발광량으로 표시 계조(휘도)를 조절한다. An organic light emitting display device arranges pixels including OLEDs in a matrix form and adjusts the luminance of the pixels according to the gray level of image data. Each of the pixels includes a driving TFT (Thin Film Transistor) that controls a driving current flowing through the OLED according to a gate-source voltage, and switch TFTs that program a gate-sort voltage of the driving TFT according to a scan signal, The display gradation (luminance) is controlled by the amount of light emitted by the OLED in proportion to the current.

유기 발광 표시장치는 스캔 신호를 생성하는 게이트 드라이버를 포함한다. 게이트 드라이버는 스캔 신호를 게이트라인들에 순차적으로 공급한다. 스캔 신호는 게이트라인들을 통해 각 픽셀의 스위치 TFT에 공급된다.The organic light emitting diode display includes a gate driver that generates a scan signal. The gate driver sequentially supplies scan signals to the gate lines. A scan signal is supplied to the switch TFT of each pixel through gate lines.

게이트 드라이버는 다수의 스테이지들로 이루어진 게이트 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다. 각 스테이지는 노드 Q와 노드 QB의 전위에 따라 스캔 신호를 게이트 오프 전압 또는 게이트 온 전압으로 출력한다. 게이트 오프 전압의 스캔 신호는 스위치 TFT들을 턴 오프 시킬 수 있는 전압이고, 게이트 온 전압의 스캔 신호는 스위치 TFT들을 턴 온 시킬 수 있는 전압이다. 각 스테이지에서 노드 Q가 활성화되는 동안 게이트 온 전압의 스캔 신호가 출력되고, 노드 QB가 활성화 되는 동안 게이트 오프 전압의 스캔 신호가 출력 된다. The gate driver may be implemented as a gate shift register composed of a plurality of stages. Each stage outputs a scan signal as a gate-off voltage or a gate-on voltage according to the potentials of the nodes Q and QB. The scan signal of the gate-off voltage is a voltage capable of turning off the switch TFTs, and the scan signal of the gate-on voltage is a voltage capable of turning on the switch TFTs. In each stage, a scan signal of a gate-on voltage is output while node Q is activated, and a scan signal of a gate-off voltage is output while node QB is activated.

노드 Q와 노드 QB의 전위는 스타트 신호(또는 캐리 신호)와 클럭 신호들에 의해 제어된다. 클럭 신호들은 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하며, 복수개의 클럭 배선들을 통해 스테이지들에 인가될 수 있다. 서로 다른 클럭 배선들을 통해 인가되는 클럭 신호들은 서로 다른 위상을 가질 수 있다. 각 스테이지에서 노드 Q가 활성화되는 동안 게이트 온 전압의 클럭 신호가 게이트 온 전압의 스캔 신호로 출력 된다. The potentials of the nodes Q and QB are controlled by a start signal (or carry signal) and clock signals. The clock signals swing between a gate-on voltage and a gate-off voltage, and may be applied to the stages through a plurality of clock lines. Clock signals applied through different clock lines may have different phases. While the node Q is activated in each stage, the clock signal of the gate-on voltage is output as the scan signal of the gate-on voltage.

게이트 온 전압의 스캔 신호가 출력될 때 픽셀들의 초기화 동작이 이루어질 수 있다. 고해상도 모델의 경우 스캔 신호의 게이트 온 전압 구간이 짧으므로, 클럭 신호들을 이용하여 이웃한 스캔 신호들의 게이트 온 전압 구간들을 중첩시켜 초기화 동작을 위한 충분한 시간을 확보하고 있다.When the scan signal of the gate-on voltage is output, an initialization operation of the pixels may be performed. In the case of the high-resolution model, since the gate-on voltage period of the scan signal is short, a sufficient time for the initialization operation is secured by overlapping the gate-on voltage periods of the neighboring scan signals using clock signals.

이러한 게이트 드라이버의 동작 안정성이 확보되기 위해서는, 각 스테이지에서 노드 Q의 전위와 노드 QB의 전위가 서로 반대로 제어되어야 한다. 다시 말해, 노드 Q가 게이트 온 전압으로 활성화 되는 동안 노드 QB는 게이트 오프 전압으로 비 활성화되어야 하고, 반대로 노드 Q가 게이트 오프 전압으로 비 활성화 되는 동안 노드 QB는 게이트 온 전압으로 활성화되어야 한다. In order to ensure the operation stability of the gate driver, the potential of the node Q and the potential of the node QB should be controlled opposite to each other in each stage. In other words, while node Q is activated with a gate-on voltage, node QB must be deactivated with a gate-off voltage, and conversely, node QB must be activated with a gate-on voltage while node Q is deactivated with a gate-off voltage.

그런데, 이웃한 클럭 신호들을 일정 위상만큼 중첩시키는 오버랩 구동의 경우 각 스테이지에서 노드 Q의 전위와 노드 QB의 전위가 서로 반대로 제어되지 못하는 전류 패스 구간(Current Path Interval)이 생길 수 있다. 전류 패스 구간에서는 게이트 오프 전압의 입력단과 게이트 온 전압의 입력단이 서로 쇼트되고 노드 Q와 노드 QB가 모두 게이트 온 전압으로 활성화되기 때문에, 스캔 신호의 전압이 불안정해 지고 소비전력이 상승할 수 있다.However, in the case of overlap driving in which neighboring clock signals overlap by a predetermined phase, a current path interval in which the potential of the node Q and the potential of the node QB cannot be controlled in opposite directions may occur in each stage. In the current pass section, since the input terminal of the gate-off voltage and the input terminal of the gate-on voltage are shorted to each other and both the node Q and the node QB are activated with the gate-on voltage, the voltage of the scan signal may become unstable and power consumption may increase.

따라서, 본 발명은 종래 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 클럭 오버랩 구동시 전류 패스 구간을 제거하여 동작 안정성 및 신뢰성을 확보하고 소비 전력을 줄일 수 있도록 한 게이트 드라이버와 이를 포함한 표시장치를 제공한다.Accordingly, the present invention has been devised to solve the problems of the prior art, and provides a gate driver capable of securing operational stability and reliability and reducing power consumption by eliminating a current path section during clock overlap driving, and a display device including the same.

본 발명의 실시예에 따른 게이트 드라이버는 복수의 스테이지들을 갖는다. 상기 스테이지들 각각은, 노드 Q의 전위가 부스팅 되는 동안 제1 클럭 신호의 게이트 온 전압의 스캔 신호를 출력하는 풀-업 소자; 상기 제1 클럭 신호보다 위상이 앞선 제2 클럭 신호에 따라 상기 노드 Q에 연결된 노드 QA를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T2; 상기 제1 클럭 신호보다 위상이 뒤진 제3 클럭 신호에 따라 노드 QB를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T4; 및 상기 노드 QB가 활성화되는 동안 게이트 오프 전압의 스캔 신호를 출력하는 풀-다운 소자를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 상기 게이트 온 전압과 상기 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하고, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 부분적으로 서로 중첩되며, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제3 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 비 중첩된다.A gate driver according to an embodiment of the present invention has a plurality of stages. Each of the stages may include a pull-up device configured to output a scan signal of a gate-on voltage of the first clock signal while the potential of the node Q is boosted; a transistor T2 configured to activate a node QA connected to the node Q to the gate-on voltage according to a second clock signal having a phase ahead of the first clock signal; a transistor T4 activating the node QB to the gate-on voltage according to a third clock signal out of phase with the first clock signal; and a pull-down device outputting a scan signal of a gate-off voltage while the node QB is activated, wherein the first to third clock signals swing between the gate-on voltage and the gate-off voltage, and Gate-on voltage sections of the first clock signal and the second clock signal partially overlap each other, and the gate-on voltage sections of the first clock signal and the third clock signal do not overlap.

상기 노드 QA의 전위와 상기 노드 QB의 전위가 서로 반대되도록, 상기 제1 내지 제3 클럭 신호들 각각은 게이트 온 전압 구간이 게이트 오프 전압 구간보다 더 짧다.A gate-on voltage period of each of the first to third clock signals is shorter than a gate-off voltage period so that the potential of the node QA and the potential of the node QB are opposite to each other.

상기 노드 QA의 전위와 상기 노드 QB의 전위가 서로 반대되도록, 상기 트랜지스터 T4의 턴 온 기간은 상기 트랜지스터 T2의 턴 온 기간과 비 중첩된다.The turn-on period of the transistor T4 does not overlap the turn-on period of the transistor T2 so that the potential of the node QA and the potential of the node QB are opposite to each other.

상기 스테이지들 각각은, 상기 노드 Q의 전위가 부스팅되는 기간을 제외한 나머지 기간 동안 상기 노드 Q와 상기 노드 QA를 서로 연결하는 트랜지스터 TBv를 더 포함한다.Each of the stages further includes a transistor TBv connecting the node Q and the node QA to each other for a period other than a period in which the potential of the node Q is boosted.

상기 트랜지스터 TBv는 상기 노드 Q의 전위가 부스팅되는 기간에서 오프 되고, 상기 나머지 기간에서 온 된다.The transistor TBv is turned off in a period in which the potential of the node Q is boosted, and is turned on in the remaining period.

상기 트랜지스터 TBv는, 상기 게이트 온 전압의 입력단에 연결되는 게이트전극과, 상기 노드 Q에 연결되는 제1 전극과, 상기 노드 QA에 연결되는 제2 전극을 포함한다.The transistor TBv includes a gate electrode connected to the input terminal of the gate-on voltage, a first electrode connected to the node Q, and a second electrode connected to the node QA.

상기 스테이지들 각각은, 상기 제2 클럭 신호에 동기되는 스타트 신호에 따라 상기 노드 QA를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T1; 상기 노드 QB가 활성화되는 동안 상기 노드 QA를 상기 게이트 오프 전압으로 비 활성화하는 트랜지스터 T3; 상기 스타트 신호에 따라 상기 노드 QB를 상기 게이트 오프 전압으로 비 활성화하는 트랜지스터 T5; 및 상기 노드 QA가 활성화되는 동안 상기 노드 QB를 상기 게이트 오프 전압으로 비 활성화하는 트랜지스터 T6를 더 포함한다.Each of the stages may include a transistor T1 configured to activate the node QA to the gate-on voltage according to a start signal synchronized with the second clock signal; a transistor T3 that deactivates the node QA to the gate-off voltage while the node QB is activated; a transistor T5 that deactivates the node QB to the gate-off voltage according to the start signal; and a transistor T6 that deactivates the node QB to the gate-off voltage while the node QA is activated.

상기 스테이지들 각각은, 글로벌 리셋 신호에 따라 상기 노드 QA를 상기 게이트 오프 전압으로 비 활성화하는 트랜지스터 TRST를 더 포함한다.Each of the stages further includes a transistor TRST that deactivates the node QA to the gate-off voltage according to a global reset signal.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 게이트 드라이버는 복수의 스테이지들을 갖는다. 상기 복수의 스테이지들 각각은, 스캔 신호에 동기되도록 제1 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자; 상기 스캔 신호보다 위상이 앞선 스타트 신호에 동기되도록 제2 클럭 신호가 입력되는 제2 클럭 단자; 및 상기 제1 클럭 신호보다 위상이 뒤진 제3 클럭 신호가 입력되는 제3 클럭 단자를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하고, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 부분적으로 서로 중첩되고, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제3 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 비 중첩된다.In addition, the gate driver according to the embodiment of the present invention has a plurality of stages. Each of the plurality of stages may include a first clock terminal to which a first clock signal is input to be synchronized with a scan signal; a second clock terminal to which a second clock signal is input so as to be synchronized with a start signal having a phase ahead of the scan signal; and a third clock terminal to which a third clock signal that is out of phase with the first clock signal is input, wherein the first to third clock signals swing between a gate-on voltage and a gate-off voltage, and the first clock signal The gate-on voltage sections of the signal and the second clock signal partially overlap each other, and the gate-on voltage sections of the first clock signal and the third clock signal do not overlap each other.

본 발명의 실시예에 따른 게이트 드라이버는 클럭 신호 CLK5가 인가된 신호 배선 C5; 상기 클럭 신호 CLK5보다 위상이 뒤지며, 상기 클럭 신호 CLK5와 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되는 클럭 신호 CLK1이 인가된 신호 배선 C1; 상기 클럭 신호 CLK1보다 위상이 뒤지며, 상기 클럭 신호 CLK1과 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되고 상기 클럭 신호 CLK5와 게이트 온 전압 구간이 비 중첩되는 클럭 신호 CLK2가 인가된 신호 배선 C2; 상기 클럭 신호 CLK2보다 위상이 뒤지며, 상기 클럭 신호 CLK2와 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되고 상기 클럭 신호 CLK1과 게이트 온 전압 구간이 비 중첩되는 클럭 신호 CLK3가 인가된 신호 배선 C3; 및 상기 클럭 신호 CLK3보다 위상이 뒤지며, 상기 클럭 신호 CLK3과 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되고 상기 클럭 신호 CLK2와 게이트 온 전압 구간이 비 중첩되는 클럭 신호 CLK4가 인가된 신호 배선 C4를 더 포함하고, 상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 상기 클럭 신호들 CLK1,CLK2,CLK3,CLK4,CLK5 중에서 결정된다.A gate driver according to an embodiment of the present invention includes a signal line C5 to which a clock signal CLK5 is applied; a signal line C1 to which a clock signal CLK1 that is out of phase with the clock signal CLK5 and partially overlaps a gate-on voltage section with the clock signal CLK5 is applied; a signal line C2 to which a clock signal CLK2, which is out of phase with the clock signal CLK1, partially overlaps with the gate-on voltage section and does not overlap with the clock signal CLK5 and the gate-on voltage section, is applied; a signal line C3 to which a clock signal CLK3, which is out of phase with the clock signal CLK2, partially overlaps with the gate-on voltage period and does not overlap with the clock signal CLK1 and the gate-on voltage period, is applied; and a signal line C4 to which a clock signal CLK4, which is out of phase with the clock signal CLK3, partially overlaps with the gate-on voltage section, and does not overlap with the clock signal CLK2 and the gate-on voltage section, is applied. and the first to third clock signals are determined from among the clock signals CLK1, CLK2, CLK3, CLK4, and CLK5.

상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 서로 이웃한 5개의 상기 스테이지들에서 서로 다르다.The first to third clock signals are different from each other in the five adjacent stages.

상기 노드 QA의 전위와 상기 노드 QB의 전위가 서로 반대되도록, 상기 제1 내지 제3 클럭 신호들 각각은 게이트 온 전압 구간이 게이트 오프 전압 구간보다 더 짧다. A gate-on voltage period of each of the first to third clock signals is shorter than a gate-off voltage period so that the potential of the node QA and the potential of the node QB are opposite to each other.

본 발명은 클럭 오버랩 구동시 전류 패스 구간을 제거하여 동작 안정성 및 신뢰성을 확보하고 소비 전력을 줄일 수 있다.According to the present invention, it is possible to secure operational stability and reliability and reduce power consumption by eliminating a current path section during clock overlap driving.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여준다.
도 2는 도 1의 표시패널에 형성된 픽셀 어레이를 보여준다.
도 3은 도 2의 픽셀 어레이에 포함된 일 픽셀 회로를 개략적으로 보여준다.
도 4는 도 3의 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여준다.
도 5는 도 1의 게이트 드라이버에 포함된 스캔 드라이버와 에미션 드라이버를 보여준다.
도 6은 도 5의 스캔 드라이버에 포함된 게이트 쉬프트 레지스터의 구성을 보여준다.
도 7은 도 6의 게이트 쉬프트 레지스터에 포함된 일 스테이지 구성을 보여준다.
도 8a 내지 도 8e는 ① 구간 내지 ⑤ 구간에 각각 대응되는 도 7의 스테이지 동작 상태를 보여준다.
1 shows a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows a pixel array formed on the display panel of FIG. 1 .
FIG. 3 schematically shows one pixel circuit included in the pixel array of FIG. 2 .
FIG. 4 shows a gate signal applied to the pixel circuit of FIG. 3 .
FIG. 5 shows a scan driver and an emission driver included in the gate driver of FIG. 1 .
FIG. 6 shows the configuration of a gate shift register included in the scan driver of FIG. 5 .
FIG. 7 shows a configuration of one stage included in the gate shift register of FIG. 6 .
8A to 8E show operation states of the stage of FIG. 7 respectively corresponding to sections ① to ⑤.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be embodied in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'next to', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용될 수 있으나, 이 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. may be used to describe various elements, but these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to substantially identical elements throughout.

본 발명에서 표시패널의 기판 상에 형성되는 픽셀 회로와 게이트 드라이버는 p 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. p 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 대한 설명에서는 소스와 드레인 중 어느 하나를 제1 전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제2 전극으로 기술한다. In the present invention, the pixel circuit and the gate driver formed on the substrate of the display panel may be implemented as a TFT having a p-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure, but is not limited thereto. A TFT is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the TFT, carriers start flowing from the source. The drain is an electrode through which carriers exit the TFT. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of a p-type TFT (PMOS), since carriers are holes, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type TFT, since holes flow from the source to the drain, the current flows from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET may be changed according to the applied voltage. Therefore, in the description of the embodiment of the present invention, any one of the source and the drain is described as the first electrode, and the other one of the source and the drain is described as the second electrode.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 실시예에서, 표시장치는 유기발광 물질을 포함한 유기발광 표시장치를 중심으로 설명한다. 하지만, 본 발명의 기술적 사상은 유기발광 표시장치에 국한되지 않고, 무기발광 물질을 포함한 무기발광 표시장치에 적용될 수 있음에 주의하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following embodiments, the display device will be mainly described with respect to the organic light emitting display device including the organic light emitting material. However, it should be noted that the technical spirit of the present invention is not limited to an organic light emitting display device, and may be applied to an inorganic light emitting display device including an inorganic light emitting material.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여준다. 도 2는 도 1의 표시패널에 형성된 픽셀 어레이를 보여준다. 도 3은 도 2의 픽셀 어레이에 포함된 일 픽셀 회로를 개략적으로 보여준다. 도 4는 도 3의 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호를 보여준다. 도 5는 도 1의 게이트 드라이버에 포함된 스캔 드라이버와 에미션 드라이버를 보여준다.1 shows a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a pixel array formed on the display panel of FIG. 1 . FIG. 3 schematically shows one pixel circuit included in the pixel array of FIG. 2 . FIG. 4 shows a gate signal applied to the pixel circuit of FIG. 3 . FIG. 5 shows a scan driver and an emission driver included in the gate driver of FIG. 1 .

도 1을 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(100), 타이밍 콘트롤러(110), 데이터 드라이버(120), 게이트 드라이버(130), 및 레벨 쉬프터(150) 등을 구비한다.Referring to FIG. 1 , the display device of the present invention includes a display panel 100 , a timing controller 110 , a data driver 120 , a gate driver 130 , and a level shifter 150 .

표시패널(100)에는 다수의 데이터라인들(14)과 다수의 게이트라인들(15a,15b)이 교차되고, 이 교차영역마다 픽셀들(PXL)이 매트릭스 형태로 배치되어 픽셀 어레이(Pixel array)를 구성할 수 있다. In the display panel 100 , a plurality of data lines 14 and a plurality of gate lines 15a and 15b cross each other, and pixels PXL are arranged in a matrix form at each intersection area to form a pixel array. can be configured.

표시패널(100)의 픽셀 어레이에는 도 2와 같이 다수의 수평 픽셀 라인들(L1~L4)이 구비되며, 각 수평 픽셀 라인(L1~L4) 상에는 수평으로 이웃하며 게이트 라인들(15a,15b)에 공통으로 연결된 다수의 픽셀들(PXL)이 배치된다. 여기서, 수평 픽셀 라인들(L1~L4) 각각은 물리적인 신호 라인이 아니라, 수평으로 이웃한 픽셀들(PXL)에 의해 구현되는 1라인 분량의 픽셀 블록을 의미한다. 픽셀 어레이에는 고전위 전원 전압(EVDD)을 픽셀들(PXL)에 공급하는 제1 전원라인(17), 기준 전압(Vref)을 픽셀들(PXL)에 공급하는 제2 전원라인(16)이 포함될 수 있다. 또한, 픽셀들(PXL)은 저전위 전원 전압(EVSS)에 연결될 수 있다. The pixel array of the display panel 100 includes a plurality of horizontal pixel lines L1 to L4 as shown in FIG. 2 , and horizontally adjacent gate lines 15a and 15b on each horizontal pixel line L1 to L4 . A plurality of pixels PXL commonly connected to . Here, each of the horizontal pixel lines L1 to L4 does not mean a physical signal line, but a pixel block equivalent to one line implemented by horizontally adjacent pixels PXL. The pixel array includes a first power line 17 for supplying the high potential power voltage EVDD to the pixels PXL and a second power line 16 for supplying the reference voltage Vref to the pixels PXL. can Also, the pixels PXL may be connected to the low potential power voltage EVSS.

도 2와 같이, 게이트 라인들 각각은 스캔 신호(SCAN)가 공급되는 제1 게이트 라인(15a), 및 에미션 신호(EM)가 공급되는 제2 게이트 라인(15b)을 포함한다. As shown in FIG. 2 , each of the gate lines includes a first gate line 15a to which a scan signal SCAN is supplied, and a second gate line 15b to which an emission signal EM is supplied.

픽셀들(PXL) 각각은 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 청색 픽셀, 및 백색 픽셀 중 어느 하나일 수 있다. 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 청색 픽셀, 및 백색 픽셀은 하나의 단위 픽셀을 구성하여 다양한 컬러를 구현할 수 있다. 단위 픽셀에서 구현되는 컬러는 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 청색 픽셀, 및 백색 픽셀의 발광 비율에 따라 결정될 수 있다. 픽셀들(PXL) 각각에는 데이터 라인(14), 제1 게이트 라인(15a), 제2 게이트 라인(15b), 제1 전원라인(17), 제2 전원라인(16) 등이 연결될 수 있다. Each of the pixels PXL may be any one of a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel. A red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel constitute one unit pixel to implement various colors. A color implemented in a unit pixel may be determined according to emission ratios of a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel. A data line 14 , a first gate line 15a , a second gate line 15b , a first power line 17 , a second power line 16 , etc. may be connected to each of the pixels PXL.

도 3과 같이, 픽셀들(PXL) 각각은 OLED, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압을 프로그래밍하기 위한 스위치 회로(SWC), 게이트-소스 간 전압에 따라 상기 OLED에 흐르는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(DT)를 포함할 수 있으며, 경우에 따라서 에미션 신호(EM)에 따라 온/오프 되어 OLED의 발광 타이밍을 결정하는 에미션 TFT(ET)를 더 포함할 수도 있다. 스위치 회로(SWC)는 복수의 스위치 TFT들과 적어도 하나 이상의 커패시터 등을 포함할 수 있는데, 제품 모델 및 스펙에 따라 다양한 변형이 가능하다. 픽셀들(PXL) 각각에 포함된 TFT들은 PMOS형 LTPS TFT로 구현될 수 있고, 이를 통해 원하는 응답 특성을 확보할 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, TFT들 중에서 적어도 하나 이상의 TFT는 오프 커런트 특성(Off Current Characteristic)이 좋은 NMOS형 옥사이드 TFT로 구현되고, 나머지 TFT들은 응답 특성이 좋은 PMOS형 LTPS TFT로 구현될 수도 있다. 3 , each of the pixels PXL controls the driving current flowing through the OLED according to the OLED, the switch circuit SWC for programming the gate-source voltage of the driving TFT DT, and the gate-source voltage. It may include a driving TFT (DT) for controlling the light, and in some cases, may further include an emission TFT (ET) that is turned on/off according to the emission signal EM to determine the emission timing of the OLED. The switch circuit SWC may include a plurality of switch TFTs and at least one capacitor, and various modifications may be made according to product models and specifications. The TFTs included in each of the pixels PXL may be implemented as PMOS-type LTPS TFTs, and through this, desired response characteristics may be secured. However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto. For example, at least one TFT among the TFTs may be implemented as an NMOS-type oxide TFT having good off-current characteristics, and the remaining TFTs may be implemented as a PMOS-type LTPS TFT having a good response characteristic.

픽셀들(PXL) 각각은 일 예로 도 4와 같은 게이트 신호에 따라 구동될 수 있다. 이 경우, 픽셀들(PXL) 각각은 스캔 신호(SCAN) 및 에미션 신호(EM)에 따라, 초기화 동작, 프로그래밍 동작, 및 발광 동작을 수행할 수 있다. 초기화 기간(A) 동안 동작의 안전성을 위해, 스위치 회로(SWC)는 픽셀 회로 내의 특정 노드들을 기준 전압(Vref)으로 초기화 할 수 있다. 프로그래밍 기간(B) 동안, 스위치 회로(SWC)는 데이터전압(Vdata)을 기반으로 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압을 프로그래밍할 수 있다. 프로그래밍 기간(B) 동안, 구동 TFT(DT)의 문턱전압이 샘플링 및 보상될 수 있다. 에미션 기간(C) 동안, 구동 TFT(DT)의 소스-드레인 사이에는 게이트-소스 간 전압에 대응되는 구동 전류가 흐르며, 이 구동 전류에 의해 OLED가 발광하게 된다.Each of the pixels PXL may be driven according to, for example, a gate signal as shown in FIG. 4 . In this case, each of the pixels PXL may perform an initialization operation, a programming operation, and a light emission operation according to the scan signal SCAN and the emission signal EM. For safety of operation during the initialization period A, the switch circuit SWC may initialize specific nodes in the pixel circuit to the reference voltage Vref. During the programming period B, the switch circuit SWC may program the gate-source voltage of the driving TFT DT based on the data voltage Vdata. During the programming period B, the threshold voltage of the driving TFT DT may be sampled and compensated. During the emission period C, a driving current corresponding to the gate-source voltage flows between the source and the drain of the driving TFT DT, and the OLED emits light by the driving current.

에미션 TFT(ET)는 에미션 신호(EM)에 따라 초기화 기간(A) 및 에미션 기간(C) 동안 턴 온 되는 데 반해, 프로그래밍 기간(B) 동안 턴 오프 될 수 있다. While the emission TFT ET is turned on during the initialization period A and the emission period C according to the emission signal EM, it may be turned off during the programming period B.

도 4에서, 게이트 온 전압(Gate On Voltage)은 TFT가 턴-온(turn-on)될 수 있는 게이트 신호의 전압이다. 게이트 오프 전압(Gate Off Voltage)은 TFT가 턴-오프(turn-off)될 수 있는 게이트 신호의 전압이다. 일 예로, PMOS에서 게이트 온 전압은 게이트 로우 전압(VGL)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 로우 전압(VGL)보다 높은 게이트 하이 전압(VGH)이다. In FIG. 4 , the gate on voltage is the voltage of the gate signal at which the TFT can be turned on. The gate off voltage is the voltage of the gate signal at which the TFT can be turned off. For example, in the PMOS, the gate-on voltage is the gate low voltage VGL, and the gate-off voltage is the gate high voltage VGH higher than the gate low voltage VGL.

도 1을 참조하면, 데이터 드라이버(120)는 타이밍 콘트롤러(110)로부터 영상 데이터(DATA)와 소스 타이밍 제어신호(DDC)를 입력 받는다. 데이터 드라이버(120)는 타이밍 콘트롤러(110)로부터의 소스 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 영상 데이터(DATA)를 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압(Vdata)을 생성하고, 그 데이터전압(Vdata)을 스캔 신호(SCAN)에 동기하여 표시패널(100)의 데이터라인들(14)에 공급한다. 데이터 드라이버(120)는 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(100)의 데이터라인들에 접속될 수 있다. Referring to FIG. 1 , the data driver 120 receives image data DATA and a source timing control signal DDC from the timing controller 110 . The data driver 120 converts the image data DATA into a gamma compensation voltage in response to a source timing control signal DDC from the timing controller 110 to generate a data voltage Vdata, and the data voltage Vdata. is supplied to the data lines 14 of the display panel 100 in synchronization with the scan signal SCAN. The data driver 120 may be connected to the data lines of the display panel 100 through a chip on glass (COG) process or a tape automated bonding (TAB) process.

도 1을 참조하면, 레벨 쉬프터(150)는 타이밍 콘트롤러(110)로부터 입력되는 게이트 타이밍 제어신호(GDC)의 TTL(Transistor-Transistor-Logic) 레벨 전압을 표시패널(100)에 형성된 TFT를 구동시킬 수 있는 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 부스팅(Boosting)하여 게이트 드라이버(130)에 공급한다. 게이트 타이밍 제어신호(GDC)는 외부 스타트 신호, 클럭 신호 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the level shifter 150 applies a transistor-transistor-logic (TTL) level voltage of the gate timing control signal GDC input from the timing controller 110 to drive the TFT formed in the display panel 100 . The gate high voltage VGH and gate low voltage VGL are boosted and supplied to the gate driver 130 . The gate timing control signal GDC may include an external start signal, a clock signal, and the like.

도 1을 참조하면, 게이트 드라이버(130)는 레벨 쉬프터(150)로부터 입력되는 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 따라 동작되어 게이트 신호를 생성한다. 그리고, 그 게이트 신호를 게이트라인들에 순차적으로 공급한다. 게이트 드라이버(130)는 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시패널(100)의 하부 기판 상에 직접 형성될 수 있다. 게이트 드라이버(130)는 표시패널(100)에서 화면 바깥의 비 표시영역(즉, 베젤 영역(BZ))에 형성된다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(150)는 타이밍 콘트롤러(110)와 함께 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)(140) 상에 실장될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the gate driver 130 is operated according to a gate timing control signal GDC input from the level shifter 150 to generate a gate signal. Then, the gate signal is sequentially supplied to the gate lines. The gate driver 130 may be directly formed on the lower substrate of the display panel 100 using a gate driver in panel (GIP) method. The gate driver 130 is formed in the non-display area (ie, the bezel area BZ) outside the screen of the display panel 100 . In the GIP method, the level shifter 150 may be mounted on the printed circuit board 140 together with the timing controller 110 .

게이트 드라이버(130)는 도 5와 같이 표시패널(100)의 마주보는 양측에 더블 뱅크(Double Bank) 방식으로 구비되어, 각 게이트라인의 로드 편차에 따른 신호 왜곡을 최소화할 수 있다. 게이트 드라이버(130)는 스캔 신호(SCAN)를 생성하는 스캔 드라이버(131)와 에미션 신호(EM)를 생성하는 에미션 드라이버(132)를 포함한다. As shown in FIG. 5 , the gate driver 130 is provided in a double bank method on opposite sides of the display panel 100 to minimize signal distortion due to a load deviation of each gate line. The gate driver 130 includes a scan driver 131 generating a scan signal SCAN and an emission driver 132 generating an emission signal EM.

스캔 드라이버(131)는 스캔 신호(SCAN)를 제1 게이트라인들(15a(1)~15a(n))에 라인 순차 방식으로 공급할 수 있다. 에미션 드라이버(132)는 에미션 신호(EM)를 제2 게이트라인들(15b(1)~15b(n))에 라인 순차 방식으로 공급할 수 있다. 스캔 드라이버(131)는 다수의 스테이지들로 이루어진 게이트 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다. 스캔 드라이버(131)의 각 스테이지는 동작의 안정성 및 신뢰성이 확보될 수 있도록 도 6 내지 도 8e와 같이 구현될 수 있다.The scan driver 131 may supply the scan signal SCAN to the first gate lines 15a(1) to 15a(n) in a line-sequential manner. The emission driver 132 may supply the emission signal EM to the second gate lines 15b(1) to 15b(n) in a line-sequential manner. The scan driver 131 may be implemented as a gate shift register including a plurality of stages. Each stage of the scan driver 131 may be implemented as shown in FIGS. 6 to 8E to ensure operation stability and reliability.

도 1을 참조하면, 타이밍 콘트롤러(110)는 공지의 다양한 인터페이스 방식을 통해 외부의 호스트 시스템(미도시)과 연결될 수 있다. 타이밍 콘트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 영상 데이터(DATA)를 입력 받고, 픽셀들(PXL)의 전기적 특성 차이로 인한 휘도 편차가 보상되도록 영상 데이터(DATA)를 보정한 후 데이터 드라이버들(120)로 전송할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the timing controller 110 may be connected to an external host system (not shown) through various well-known interface methods. The timing controller 110 receives the image data DATA from the host system, corrects the image data DATA to compensate for a luminance deviation due to a difference in electrical characteristics of the pixels PXL, and then sends the image data DATA to the data drivers 120 . can be transmitted

타이밍 콘트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력 받고, 이 타이밍신호를 기반으로 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 소스 타이밍 제어신호(DDC)를 생성할 수 있다.The timing controller 110 receives timing signals such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal DE, and a main clock MCLK from the host system, and the timing signal A gate timing control signal GDC and a source timing control signal DDC may be generated based on .

도 6은 도 5의 스캔 드라이버(131)에 포함된 게이트 쉬프트 레지스터의 구성을 보여준다.FIG. 6 shows the configuration of a gate shift register included in the scan driver 131 of FIG. 5 .

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 스캔 드라이버(131)는 다수의 스테이지들(ST1~ST5,…)로 이루어진 게이트 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다. 스테이지들(ST1~ST5,…)은 GIP 방식으로 형성된 GIP 소자들일 수 있다. Referring to FIG. 6 , the scan driver 131 according to the embodiment of the present invention may be implemented as a gate shift register including a plurality of stages ST1 to ST5, .... The stages ST1 to ST5, ... may be GIP devices formed in a GIP method.

스테이지들(ST1~ST5,…)은 스타트 신호에 따라 순차적으로 동작이 활성화되어 스캔 신호(SCAN(1)~SCAN(5),…)를 출력한다. 최상단 스테이지(ST1)는 외부 스타트 신호(VST)에 따라 동작이 활성화되고, 차상단 스테이지(ST2) 내지 최하단 스테이지는 전단 스테이지의 스캔 신호에 따라 동작이 활성화된다. 전단 스테이지의 스캔 신호는 내부 스타트 신호로서, 캐리 신호(CRY)가 된다. 여기서, "전단 스테이지"란, 기준이 되는 스테이지의 상부에 위치하여 기준 스테이지에서 출력되는 스캔 신호에 비해 위상이 앞선 스캔 신호를 생성하는 스테이지를 의미한다. The stages ST1 to ST5, ... are sequentially activated according to a start signal to output scan signals SCAN(1) to SCAN(5), ...). The operation of the uppermost stage ST1 is activated according to the external start signal VST, and the operation of the second upper stage ST2 to the lowest stage is activated according to the scan signal of the previous stage. The scan signal of the previous stage is an internal start signal and becomes a carry signal CRY. Here, the “front stage” refers to a stage that is positioned above a reference stage and generates a scan signal having a phase ahead of a scan signal output from the reference stage.

스테이지들(ST1~ST5,…)은 스캔 신호(SCAN(1)~SCAN(5),…)를 출력하기 위해, 레벨 쉬프터(150)로부터 외부 스타트 신호(VST), 복수의 클럭신호들(CLK1~CLK5)을 입력 받을 수 있다. 외부 스타트 신호(VST)와 클럭신호들(CLK1~CLK5)은 모두 게이트 하이 전압(VGH)(즉, 게이트 오프 전압)과 게이트 로우 전압(VGL)(즉, 게이트 온 전압) 사이에서 스윙한다.The stages ST1 to ST5, ... are an external start signal VST and a plurality of clock signals CLK1 from the level shifter 150 to output scan signals SCAN(1) to SCAN(5), ...). ~CLK5) can be input. Both the external start signal VST and the clock signals CLK1 to CLK5 swing between the gate high voltage VGH (ie, the gate-off voltage) and the gate low voltage VGL (ie, the gate-on voltage).

스테이지들(ST1~ST5,…)은 복수의 접속 단자들(1~7)을 통해 신호 배선들(C1~C7) 및 전원 배선들(W1,W2)에 연결될 수 있다. 스테이지들(ST1~ST5,…)은 신호 배선 C6과 전원 배선들(W1,W2)에 공통으로 연결되고, 신호 배선들(C1~C5)에 선택적으로 연결될 수 있다. 그리고, 신호 배선 C7은 최상단 스테이지(ST1)에만 연결될 수 있다. 따라서, 외부 스타트 신호(VST)는 최상단 스테이지(ST1)에 입력되고, 클럭신호들(CLK1~CLK5)은 3개씩 순차적으로 모든 스테이지들(ST1~ST5,...)에 입력될 수 있다.The stages ST1 to ST5, ... may be connected to the signal lines C1 to C7 and the power lines W1 and W2 through the plurality of connection terminals 1 to 7 . The stages ST1 to ST5, ... are commonly connected to the signal line C6 and the power lines W1 and W2, and may be selectively connected to the signal lines C1 to C5. In addition, the signal line C7 may be connected only to the uppermost stage ST1 . Accordingly, the external start signal VST may be input to the uppermost stage ST1, and the clock signals CLK1 to CLK5 may be sequentially input to all stages ST1 to ST5, ... by three.

이를 위해, 스테이지들(ST1~ST5,…) 각각은 스캔 신호(SCAN(1)~(5))에 동기되도록 제1 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자(3), 스캔 신호(SCAN(1)~(5))보다 위상이 앞선 스타트 신호(VST, 또는 CRY)에 동기되도록 제2 클럭 신호가 입력되는 제2 클럭 단자(5), 및 상기 제1 클럭 신호보다 위상이 뒤진 제3 클럭 신호가 입력되는 제3 클럭 단자(4)를 포함한다. To this end, each of the stages ST1 to ST5, ... is a first clock terminal 3 to which a first clock signal is input so as to be synchronized with the scan signals SCAN(1) to (5), and a scan signal SCAN(1). ) to (5)) a second clock terminal 5 to which a second clock signal is input so as to be synchronized with a start signal VST or CRY, which has a phase ahead of that, and a third clock signal that is out of phase with the first clock signal and a third clock terminal 4 to which is input.

제1 내지 제3 클럭 신호들은 게이트 온 전압(VGL)과 게이트 오프 전압(VGH) 사이에서 스윙하고 클럭신호들(CLK1~CLK5) 중에서 결정될 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 클럭 신호들의 게이트 온 전압 구간들은 부분적으로 서로 중첩됨과 아울러 제3 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간과 비 중첩되게 설계된다. 그리고, 제1 내지 제3 클럭 신호들 각각은 게이트 온 전압 구간이 게이트 오프 전압 구간보다 더 짧게 설계된다. 이렇게 클럭신호들을 설계하는 이유는 오버랩 구동시 전류 패스 구간을 제거하여 동작 안정성 및 신뢰성을 확보하고 소비 전력을 줄이기 위함이다.The first to third clock signals may swing between the gate-on voltage VGL and the gate-off voltage VGH and may be determined from among the clock signals CLK1 to CLK5 . Here, the gate-on voltage sections of the first and second clock signals partially overlap each other and are designed to not overlap the gate-on voltage sections of the third clock signal. In addition, each of the first to third clock signals is designed so that the gate-on voltage period is shorter than the gate-off voltage period. The reason for designing the clock signals in this way is to secure operational stability and reliability and reduce power consumption by eliminating the current path section during overlap driving.

예를 들어, 신호 배선 C5에는 클럭 신호 CLK5가 인가된다. 신호 배선 C1에는 클럭 신호 CLK5보다 위상이 뒤지며, 클럭 신호 CLK5와 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되는 클럭 신호 CLK1이 인가된다. 신호 배선 C2에는 클럭 신호 CLK1보다 위상이 뒤지며, 클럭 신호 CLK1과 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되고 클럭 신호 CLK5와 게이트 온 전압 구간이 비 중첩되는 클럭 신호 CLK2가 인가된다. 신호 배선 C3에는 클럭 신호 CLK2보다 위상이 뒤지며, 클럭 신호 CLK2와 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되고 클럭 신호 CLK1과 게이트 온 전압 구간이 비 중첩되는 클럭 신호 CLK3가 인가된다. 그리고, 신호 배선 C4에는 클럭 신호 CLK3보다 위상이 뒤지며, 클럭 신호 CLK3과 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되고 클럭 신호 CLK2와 게이트 온 전압 구간이 비 중첩되는 클럭 신호 CLK4가 인가된다. For example, the clock signal CLK5 is applied to the signal wiring C5. A clock signal CLK1 that is out of phase with the clock signal CLK5 and partially overlaps with the clock signal CLK5 and a gate-on voltage section is applied to the signal line C1. A clock signal CLK2, which is out of phase with the clock signal CLK1, partially overlaps the clock signal CLK1 and the gate-on voltage period, and does not overlap the clock signal CLK5 and the gate-on voltage period, is applied to the signal line C2. A clock signal CLK3 is applied to the signal line C3 that is out of phase with the clock signal CLK2, partially overlaps the clock signal CLK2 with the gate-on voltage section, and does not overlap the clock signal CLK1 and the gate-on voltage section. Then, the clock signal CLK4 is applied to the signal line C4, which is out of phase with the clock signal CLK3, partially overlaps the clock signal CLK3 with the gate-on voltage section, and does not overlap the clock signal CLK2 and the gate-on voltage section.

이 경우, 제1 내지 제3 클럭 신호들은 서로 이웃한 5개의 스테이지들(ST1~ST5)에서 서로 다르다. 제1 내지 제3 클럭 신호들은, 제1 스테이지(ST1)에서 클럭 신호들 CLK1,CLK5,CLK3이고, 제2 스테이지(ST2)에서 클럭 신호들 CLK2,CLK1,CLK4이고, 제3 스테이지(ST3)에서 클럭 신호들 CLK3,CLK2,CLK5이고, 제4 스테이지(ST4)에서 클럭 신호들 CLK4,CLK3,CLK1이고, 제5 스테이지(ST5)에서 클럭 신호들 CLK5,CLK4,CLK2일 수 있다.In this case, the first to third clock signals are different from each other in five adjacent stages ST1 to ST5. The first to third clock signals are the clock signals CLK1, CLK5, and CLK3 in the first stage ST1, the clock signals CLK2, CLK1, CLK4 in the second stage ST2, and the clock signals CLK1, CLK4 in the third stage ST3 clock signals CLK3, CLK2, and CLK5; clock signals CLK4, CLK3, and CLK1 in the fourth stage ST4; and clock signals CLK5, CLK4, and CLK2 in the fifth stage ST5.

도 7은 도 6의 게이트 쉬프트 레지스터에 포함된 제1 스테이지 구성을 보여준다. 도 6의 차상단 스테이지~최하단 스테이지도 입력되는 클럭 신호만 다를 뿐 그 구성은 제1 스테이지와 실질적으로 동일하다.FIG. 7 shows the configuration of the first stage included in the gate shift register of FIG. 6 . The configuration of the uppermost stage to the lowermost stage of FIG. 6 is substantially the same as that of the first stage except that only the input clock signal is different.

도 7을 참조하면, 제1 스테이지(ST1)는 리셋부(10), QA 제어부(20), QB 제어부(30), 신뢰성부(40), 제1 출력부(50), 제2 출력부(60), 부스팅 커패시터(CB1)를 포함한다.Referring to FIG. 7 , the first stage ST1 includes a reset unit 10 , a QA control unit 20 , a QB control unit 30 , a reliability unit 40 , a first output unit 50 , and a second output unit ( 60), including a boosting capacitor CB1.

리셋부(10)는 글로벌 리셋 신호(QRST)에 따라 스위칭되는 트랜지스터 TRST로 구현될 수 있다. 트랜지스터 TRST의 게이트전극은 리셋 단자(6)에 접속된다. 글로벌 리셋 신호(QRST)는 일정 시간(예컨대, 프레임 시작시점)마다 게이트 온 전압(VGL)으로 모든 스테이지들에 동시에 입력될 수 있다. 트랜지스터 TRST가 게이트 온 전압(VGL)의 글로벌 리셋 신호(QRST)에 의해 턴 온 될 때 노드 Q와 노드 QA는 게이트 오프 전압(VGH)으로 리셋될 수 있다. The reset unit 10 may be implemented as a transistor TRST that is switched according to the global reset signal QRST. The gate electrode of the transistor TRST is connected to the reset terminal 6 . The global reset signal QRST may be simultaneously input to all stages as a gate-on voltage VGL for a predetermined time (eg, a frame start time). When the transistor TRST is turned on by the global reset signal QRST of the gate-on voltage VGL, the node Q and the node QA may be reset to the gate-off voltage VGH.

제1 출력부(50)는 제1 클럭 신호(CLK1)에 따라 노드 Q의 전위가 부스팅 될 때 게이트 온 전압(VGL)의 스캔 신호(SCAN(1))를 노드 Na로 출력하는 풀-업 소자(Tu)로 구현된다. 풀-업 소자(Tu)의 게이트전극은 노드 Q에 접속되고, 제1 전극은 제1 클럭 단자(3)에 접속되고, 제2 전극은 노드 Na에 접속된다.The first output unit 50 is a pull-up device that outputs the scan signal SCAN( 1 ) of the gate-on voltage VGL to the node Na when the potential of the node Q is boosted according to the first clock signal CLK1 . (Tu) is implemented. The gate electrode of the pull-up element Tu is connected to the node Q, the first electrode is connected to the first clock terminal 3, and the second electrode is connected to the node Na.

부스팅 커패시터(CB1)는 노드 Q와 노드 Na 사이에 접속된다. 제1 클럭 신호(CLK1)가 게이트 온 전압(VGL)으로 떨어질 때, 부스팅 커패시터(CB1)의 커플링 효과에 의해 노드 Q의 전위가 게이트 온 전압(VGL)에서 그보다 낮은 부스팅 레벨로 떨어진다. 이러한 부트 스트랩핑(Bootstrapping)에 의해 노드 Na의 전위가 빠르게 게이트 온 전압(VGL)으로 떨어진다. 부트 스트랩핑 효과를 이용하면 게이트 온 전압(VGL)의 스캔 신호(SCAN(1))를 왜곡 및 지연 없이 빠르게 출력할 수 있다.Boosting capacitor CB1 is connected between node Q and node Na. When the first clock signal CLK1 drops to the gate-on voltage VGL, the potential of the node Q drops from the gate-on voltage VGL to a lower boosting level due to the coupling effect of the boosting capacitor CB1. By this bootstrapping, the potential of the node Na rapidly drops to the gate-on voltage VGL. By using the bootstrapping effect, the scan signal SCAN(1) of the gate-on voltage VGL can be quickly output without distortion and delay.

QA 제어부(20)는 외부 스타트 신호(VST)에 따라 스위칭되는 트랜지스터 T1과, 제2 클럭 신호(CLK5)에 따라 스위칭되는 트랜지스터 T2와, 노드 QB의 전위에 따라 스위칭되는 트랜지스터 T3를 포함하여, 노드 Q에 연결된 노드 QA를 활성화 또는 비활성화 시킨다.The QA control unit 20 includes a transistor T1 switched according to the external start signal VST, a transistor T2 switched according to a second clock signal CLK5, and a transistor T3 switched according to the potential of the node QB, Enables or disables node QA connected to Q.

트랜지스터들 T1,T2가 모두 턴 온 될 때, 노드 QA는 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화된다. 트랜지스터 T2는 제1 클럭 신호(CLK1)보다 위상이 앞선 제2 클럭 신호(CLK5)에 따라 턴 온 되어 노드 QA를 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화한다. 트랜지스터 T2의 게이트전극은 제2 클럭 단자(5)에 접속되고, 제1 전극은 트랜지스터 T1의 제2 전극에 접속되고, 제2 전극은 노드 QA에 접속된다. 그리고, 트랜지스터 T1은 제2 클럭 신호(CLK5)에 동기되는 외부 스타트 신호(VST)에 따라 턴 온 되어 노드 QA를 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화한다. 트랜지스터 T1의 게이트전극은 스타트 단자(7)에 접속되고, 제1 전극은 VGL 전원 단자(2)에 접속되고, 제2 전극은 트랜지스터 T2의 제1 전극에 접속된다. When both of the transistors T1 and T2 are turned on, the node QA is activated with the gate-on voltage VGL. The transistor T2 is turned on according to the second clock signal CLK5 having a phase ahead of the first clock signal CLK1 to activate the node QA with the gate-on voltage VGL. The gate electrode of the transistor T2 is connected to the second clock terminal 5, the first electrode is connected to the second electrode of the transistor T1, and the second electrode is connected to the node QA. In addition, the transistor T1 is turned on according to the external start signal VST synchronized with the second clock signal CLK5 to activate the node QA to the gate-on voltage VGL. The gate electrode of the transistor T1 is connected to the start terminal 7 , the first electrode is connected to the VGL power supply terminal 2 , and the second electrode is connected to the first electrode of the transistor T2 .

트랜지스터 T3의 게이트전극은 노드 QB에 접속되고, 제1 노드는 노드 QA에 접속되고, 제2 전극은 VGH 입력 단자(1)에 접속된다.The gate electrode of the transistor T3 is connected to the node QB, the first node is connected to the node QA, and the second electrode is connected to the VGH input terminal (1).

QB 제어부(30)는 제1 클럭 신호(CLK1)보다 위상이 뒤진 제3 클럭 신호(CLK3)에 따라 스위칭되는 트랜지스터 T4와, 외부 스타트 신호(VST)에 따라 스위칭되는 트랜지스터 T5와, 노드 QA의 전위에 따라 스위칭되는 트랜지스터 T6와, 노드 QB와 VGH 입력 단자(1) 사이에 접속되는 안정화 커패시터(CB2)를 포함한다.The QB control unit 30 includes a transistor T4 switched according to a third clock signal CLK3 that is out of phase with the first clock signal CLK1 , a transistor T5 switched according to an external start signal VST, and a potential of a node QA and a transistor T6 switched according to , and a stabilizing capacitor CB2 connected between the node QB and the VGH input terminal 1 .

트랜지스터 T4는 제3 클럭 신호(CLK3)에 따라 턴 온 되어 노드 QB를 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화한다. 트랜지스터 T4의 턴 온 기간은 트랜지스터 T2의 턴 온 기간과 비 중첩되므로, VGH 입력 단자(1)와 VGL 입력 단자(2) 서로 쇼트되거나 또는, 노드 QA와 노드 QB가 모두 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화되는 문제는 생기지 않는다. 이를 위해, 제1 내지 제3 클럭 신호들(CLK1,CLK5,CLK3) 각각은 게이트 온 전압 구간이 게이트 오프 전압 구간보다 더 짧게 설계된다.The transistor T4 is turned on according to the third clock signal CLK3 to activate the node QB to the gate-on voltage VGL. Since the turn-on period of the transistor T4 does not overlap the turn-on period of the transistor T2, the VGH input terminal 1 and the VGL input terminal 2 are shorted to each other, or both the nodes QA and QB are connected to the gate-on voltage (VGL). There are no activation issues. To this end, the gate-on voltage period of each of the first to third clock signals CLK1 , CLK5 , and CLK3 is designed to be shorter than the gate-off voltage period.

트랜지스터 T4의 게이트전극은 제3 클럭 단자(4)에 접속되고, 제1 전극은 VGL 전원 단자(2)에 접속되고, 제2 전극은 노드 QB에 접속된다. 트랜지스터 T5는 외부 스타트 신호(VST)에 따라 턴 온 되어 노드 QB를 게이트 오프 전압(VGH)으로 비 활성화한다. 트랜지스터 T5의 게이트전극은 스타트 단자(7)에 접속되고, 제1 전극은 노드 QB에 접속되고, 제2 전극은 VGH 입력 단자(1)에 접속된다. 트랜지스터 T6은 노드 QA의 전위와 노드 QB의 전위를 반대로 제어하는 것으로, 노드 QA가 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화될 때, 노드 QB를 게이트 오프 전압(VGH)으로 비 활성화한다. 트랜지스터 T6가 턴 오프 되면 노드 QB가 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화된다. 노드 QB는 한 프레임 중에서 상대적으로 장시간 동안 활성화 상태를 유지해야 하기 때문에, 안정화 커패시터(CB2)가 필요할 수 있다.The gate electrode of the transistor T4 is connected to the third clock terminal 4 , the first electrode is connected to the VGL power supply terminal 2 , and the second electrode is connected to the node QB. The transistor T5 is turned on according to the external start signal VST to deactivate the node QB to the gate-off voltage VGH. The gate electrode of the transistor T5 is connected to the start terminal 7 , the first electrode is connected to the node QB, and the second electrode is connected to the VGH input terminal 1 . The transistor T6 controls the potential of the node QA and the potential of the node QB inversely. When the node QA is activated with the gate-on voltage VGL, the node QB is deactivated with the gate-off voltage VGH. When the transistor T6 is turned off, the node QB is activated with the gate-on voltage VGL. Since the node QB needs to remain active for a relatively long time in one frame, a stabilizing capacitor CB2 may be required.

신뢰성부(40)는 노드 Q와 노드 QA 사이에 접속된 트랜지스터 TBv로 구현될 수 있다. 트랜지스터 TBv는 게이트 온 전압(VGL)의 입력단에 연결되는 게이트전극과, 노드 Q에 연결되는 제1 전극과, 노드 QA에 연결되는 제2 전극을 포함한다. 트랜지스터 TBv는 노드 Q의 전위가 부스팅되는 기간 동안에는 턴 오프 되고, 상기 부스팅되는 기간을 제외한 나머지 기간 동안에는 턴 온 되어 노드 Q와 노드 QA를 서로 연결한다. 다시 말해, 트랜지스터 TBv는 노드 Q의 전위가 부스팅되는 기간에서 턴 오프 되고, 상기 나머지 기간에서 턴 온 된다. The reliability unit 40 may be implemented as a transistor TBv connected between the node Q and the node QA. The transistor TBv includes a gate electrode connected to an input terminal of the gate-on voltage VGL, a first electrode connected to a node Q, and a second electrode connected to a node QA. The transistor TBv is turned off during the period in which the potential of the node Q is boosted, and is turned on during the remaining period excluding the boosting period to connect the node Q and the node QA to each other. In other words, the transistor TBv is turned off in the period in which the potential of the node Q is boosted, and is turned on in the remaining period.

트랜지스터 TBv는 노드 Q의 전위가 부스팅되는 기간에서 턴 오프됨으로써, 부스팅 순간 트랜지스터들 TRST, T3 각각에 가해지는 드레인-소스전압(Vds) 증대를 억제하여 트랜지스터들 TRST, T3의 수명을 늘리고 신뢰성을 높일 수 있다.Transistor TBv is turned off in the period in which the potential of node Q is boosted, thereby suppressing increase in drain-source voltage (Vds) applied to each of transistors TRST and T3 at the moment of boosting, thereby extending the lifespan of transistors TRST and T3 and improving reliability. can

제2 출력부(60)는 노드 QB가 활성화될 때 게이트 오프 전압(VGH)의 스캔 신호(SCAN(1))를 노드 Na로 출력하는 풀-다운 소자(Td)로 구현된다. 풀-다운 소자(Td)의 게이트전극은 노드 QB에 접속되고, 제1 전극은 노드 Na에 접속되고, 제2 전극은 VGH 입력 단자(1)에 접속된다.The second output unit 60 is implemented as a pull-down device Td that outputs the scan signal SCAN( 1 ) of the gate-off voltage VGH to the node Na when the node QB is activated. The gate electrode of the pull-down element Td is connected to the node QB, the first electrode is connected to the node Na, and the second electrode is connected to the VGH input terminal 1 .

한편, 트랜지스터들 TRST,T3-T6은 턴 오프시 누설 전류를 억제할 수 있도록 듀얼 게이트 구조로 설계될 수 있다. 듀얼 게이트 구조에서 2개의 게이트전극들은 동일한 전위를 가지도록 서로 연결되며, 채널 길이가 단일 게이트 구조에 비해 길어진다. 채널 길이가 길어지면 저항이 증가되므로 턴 오프시에 누설 전류가 감소되어, 동작의 안정성이 확보될 수 있다.Meanwhile, the transistors TRST, T3-T6 may be designed in a dual gate structure to suppress leakage current when turned off. In the dual gate structure, two gate electrodes are connected to each other to have the same potential, and the channel length becomes longer than that of the single gate structure. When the channel length is increased, resistance is increased, so that leakage current is reduced during turn-off, so that operation stability can be secured.

도 8a 내지 도 8e는 ① 구간 내지 ⑤ 구간에 각각 대응되는 도 7의 스테이지 동작 상태와 구동 파형도를 보여준다.8A to 8E show an operation state and driving waveform diagrams of the stage of FIG. 7 respectively corresponding to sections ① to ⑤.

도 8a를 참조하면, 구간①에서 외부 스타트 신호(VST)와 클럭신호 CLK5는 게이트 온 전압(VGL)으로 입력되고, 클럭신호 CLK1과 클럭신호 CLK3은 게이트 오프 전압(VGH)으로 입력된다. 여기서, 클럭신호들 CLK1,CLK5,CLK3은 각각 특허 청구범위의 제1, 제2, 및 제3 클럭신호이다. Referring to FIG. 8A , in section 1, the external start signal VST and the clock signal CLK5 are input as the gate-on voltage VGL, and the clock signal CLK1 and the clock signal CLK3 are input as the gate-off voltage VGH. Here, the clock signals CLK1, CLK5, and CLK3 are the first, second, and third clock signals of the claims, respectively.

구간①에서, 게이트 온 전압(VGL)의 외부 스타트 신호(VST)와 제2 클럭신호(CLK5)에 응답하여 트랜지스터들 T1, T2가 턴 온 되고, 노드 QA는 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화된다. In section ①, the transistors T1 and T2 are turned on in response to the external start signal VST of the gate-on voltage VGL and the second clock signal CLK5, and the node QA is activated with the gate-on voltage VGL. .

구간①에서, 게이트 오프 전압(VGH)의 제3 클럭신호(CLK3)에 응답하여 트랜지스터 T4가 턴 오프 되고, 외부 스타트 신호(VST)에 응답하여 트랜지스터 T5가 턴 온 되고, 노드 QA의 전위에 따라 트랜지스터 T6가 턴 온 되어, 노드 QB는 게이트 오프 전압(VGH)으로 비 활성화된다.In section ①, the transistor T4 is turned off in response to the third clock signal CLK3 of the gate-off voltage VGH, the transistor T5 is turned on in response to the external start signal VST, and according to the potential of the node QA The transistor T6 is turned on, and the node QB is deactivated by the gate-off voltage VGH.

구간①에서, 트랜지스터 TBv는 턴 온 상태를 유지하고, 노드 Q는 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화된다. 그 결과, 노드 Q의 활성 전위에 따라 풀-업 소자(Tu)가 턴 온 되어 게이트 오프 전압(VGH)의 제1 클럭신호(CLK1)가 스캔 신호(SCAN(1))로서 노드 Na에서 출력된다.In section ①, the transistor TBv maintains a turned-on state, and the node Q is activated with the gate-on voltage VGL. As a result, the pull-up element Tu is turned on according to the active potential of the node Q, and the first clock signal CLK1 of the gate-off voltage VGH is output from the node Na as the scan signal SCAN(1). .

구간①에서, 노드 QB의 비 활성 전위에 따라 풀-다운 소자(Td)가 턴 오프 된다.In section ①, the pull-down element Td is turned off according to the inactive potential of the node QB.

도 8b를 참조하면, 구간②에서 외부 스타트 신호(VST)와 제2 클럭신호(CLK5)는 게이트 온 전압(VGL)으로 유지되고, 제3 클럭신호(CLK3)는 게이트 오프 전압(VGH)으로 유지된다. 반면에 제1 클럭신호(CLK1)는 게이트 오프 전압(VGH)에서 게이트 온 전압(VGL)으로 반전된다.Referring to FIG. 8B , in section ②, the external start signal VST and the second clock signal CLK5 are maintained at the gate-on voltage VGL, and the third clock signal CLK3 is maintained at the gate-off voltage VGH. do. On the other hand, the first clock signal CLK1 is inverted from the gate-off voltage VGH to the gate-on voltage VGL.

구간②에서, 게이트 온 전압(VGL)의 외부 스타트 신호(VST)와 제2 클럭신호(CLK5)에 응답하여 트랜지스터들 T1, T2가 온 상태를 유지하고, 노드 QA는 활성 전위를 유지한다. In section ②, the transistors T1 and T2 maintain an on state in response to the external start signal VST of the gate-on voltage VGL and the second clock signal CLK5, and the node QA maintains an active potential.

구간②에서, 게이트 오프 전압(VGH)의 제3 클럭신호(CLK3)에 응답하여 트랜지스터 T4가 오프 상태를 유지하고, 외부 스타트 신호(VST)에 응답하여 트랜지스터 T5가 온 상태를 유지하고, 노드 QA의 전위에 따라 트랜지스터 T6가 온 상태를 유지하며, 노드 QB는 비 활성 전위를 유지한다.In section ②, the transistor T4 maintains the off state in response to the third clock signal CLK3 of the gate-off voltage VGH, the transistor T5 maintains the on state in response to the external start signal VST, and the node QA Transistor T6 remains on according to the potential of , and node QB maintains an inactive potential.

구간②에서, 제1 클럭신호(CLK1)가 게이트 오프 전압(VGH)에서 게이트 온 전압(VGL)으로 낮아질 때, 노드 Q와 제1 클럭 단자(3) 사이에 형성된 기생 커패시터(미도시)의 커플링 효과에 의해 노드 Q의 전위도 게이트 온 전압(VGL)에서 그보다 더 낮은 부스팅 전압(BL)으로 낮아진다. 그 결과 게이트 온 전압(VGL)의 제1 클럭신호(CLK1)가 풀-업 소자(Tu)를 통해 노드 Na에서 스캔 신호(SCAN(1))로서 출력된다. 구간②에서, 노드 QB의 비 활성 전위에 따라 풀-다운 소자(Td)가 턴 오프 상태를 유지한다.In section ②, when the first clock signal CLK1 is lowered from the gate-off voltage VGH to the gate-on voltage VGL, a parasitic capacitor (not shown) formed between the node Q and the first clock terminal 3 is coupled Due to the ring effect, the potential of the node Q is also lowered from the gate-on voltage VGL to a lower boosting voltage BL. As a result, the first clock signal CLK1 of the gate-on voltage VGL is output as the scan signal SCAN( 1 ) at the node Na through the pull-up device Tu. In section ②, the pull-down element Td maintains a turned-off state according to the non-active potential of the node QB.

구간②에서, 노드 Q가 부스팅 전압(BL)으로 낮아지기 때문에 트랜지스터 TBv는 턴 오프 된다. 노드 Q가 부스팅 되는 순간에 트랜지스터 TBv의 게이트-소스 간 전압은 그 문턱전압보다 낮아져 턴 오프 되는 것이다. 트랜지스터 TBv는 턴 오프 됨으로써, 부스팅 순간에 노드 QA와 VGH 입력단에 사이에 연결된 트랜지스터들 T3,TRST에 가해지는 부하 증대를 미연에 억제하는 효과를 갖는다.In section ②, the transistor TBv is turned off because the node Q is lowered to the boosting voltage BL. At the moment when node Q is boosted, the gate-source voltage of the transistor TBv becomes lower than the threshold voltage and is turned off. As the transistor TBv is turned off, it has the effect of suppressing in advance an increase in the load applied to the transistors T3 and TRST connected between the node QA and the VGH input terminal at the boosting moment.

도 8c를 참조하면, 구간③에서 외부 스타트 신호(VST)와 제2 클럭신호(CLK2)는 게이트 오프 전압(VGH)으로 반전되고, 제1 클럭신호(CLK1)는 게이트 온 전압(VGL)으로 유지되고, 제3 클럭신호(CLK3)는 게이트 오프 전압(VGH)으로 유지된다.Referring to FIG. 8C , in section ③, the external start signal VST and the second clock signal CLK2 are inverted to the gate-off voltage VGH, and the first clock signal CLK1 is maintained at the gate-on voltage VGL. and the third clock signal CLK3 is maintained at the gate-off voltage VGH.

구간③에서, 게이트 오프 전압(VGH)의 외부 스타트 신호(VST)와 제2 클럭신호(CLK5)에 응답하여 트랜지스터들 T1, T2가 턴 오프 되고, 노드 QA는 활성 전위를 유지한다. In section ③, the transistors T1 and T2 are turned off in response to the external start signal VST of the gate-off voltage VGH and the second clock signal CLK5, and the node QA maintains an active potential.

구간③에서, 게이트 오프 전압(VGH)의 제3 클럭신호(CLK3)에 응답하여 트랜지스터 T4가 오프 상태를 유지하고, 외부 스타트 신호(VST)에 응답하여 트랜지스터 T5가 턴 오프 되고, 노드 QA의 전위에 따라 트랜지스터 T6가 온 상태를 유지하며, 노드 QB는 비 활성 전위를 유지한다.In section ③, the transistor T4 maintains the off state in response to the third clock signal CLK3 of the gate-off voltage VGH, the transistor T5 is turned off in response to the external start signal VST, and the potential of the node QA Transistor T6 remains on, and node QB maintains an inactive potential.

구간③에서, 제1 클럭신호(CLK1)가 게이트 온 전압(VGL)으로 유지되고 노드 Q의 전위도 부스팅 전압(BL)으로 유지된다. 그 결과 게이트 온 전압(VGL)의 제1 클럭신호(CLK1)가 풀-업 소자(Tu)를 통해 노드 Na에서 스캔 신호(SCAN(1))로서 계속 출력된다. 구간③에서, 노드 QB의 비 활성 전위에 따라 풀-다운 소자(Td)가 턴 오프 상태를 유지한다.In section ③, the first clock signal CLK1 is maintained as the gate-on voltage VGL and the potential of the node Q is also maintained as the boosting voltage BL. As a result, the first clock signal CLK1 of the gate-on voltage VGL is continuously output as the scan signal SCAN( 1 ) at the node Na through the pull-up device Tu. In section ③, the pull-down element Td maintains a turned-off state according to the inactive potential of the node QB.

도 8d를 참조하면, 구간④에서 외부 스타트 신호(VST)와 제2 클럭신호(CLK2)는 게이트 오프 전압(VGH)으로 유지되고, 제1 클럭신호(CLK1)는 게이트 오프 전압(VGH)으로 반전되고, 제3 클럭신호(CLK3)는 게이트 온 전압(VGL)으로 반전된다.Referring to FIG. 8D , in section ④, the external start signal VST and the second clock signal CLK2 are maintained at the gate-off voltage VGH, and the first clock signal CLK1 is inverted to the gate-off voltage VGH. and the third clock signal CLK3 is inverted to the gate-on voltage VGL.

구간④에서, 게이트 오프 전압(VGH)의 외부 스타트 신호(VST)와 제2 클럭신호(CLK5)에 응답하여 트랜지스터들 T1, T2가 오프 상태를 유지한다. 구간④에서, 게이트 온 전압(VGL)의 제3 클럭신호(CLK3)에 응답하여 트랜지스터 T4가 턴 오프 되고, 외부 스타트 신호(VST)에 응답하여 트랜지스터 T5가 오프 상태로 유지 되어 노드 QB가 게이트 온 전압(VGL)으로 활성화된다. 그리고, 노드 QB의 활성 전위에 따라 트랜지스터 T3이 턴 온 되고 노드 QA가 게이트 오프 전압(VGH)으로 비 활성화된다. 또한, 노드 QA의 전위에 따라 트랜지스터 T6가 턴 오프 된다.In section ④, the transistors T1 and T2 maintain an off state in response to the external start signal VST of the gate-off voltage VGH and the second clock signal CLK5. In section ④, the transistor T4 is turned off in response to the third clock signal CLK3 of the gate-on voltage VGL, and the transistor T5 is kept off in response to the external start signal VST, so that the node QB is gated on. It is activated by voltage (VGL). Then, the transistor T3 is turned on according to the activation potential of the node QB and the node QA is deactivated with the gate-off voltage VGH. Also, the transistor T6 is turned off according to the potential of the node QA.

구간④에서, 제1 클럭신호(CLK1)가 게이트 오프 전압(VGH)으로 반전될 때 노드 Q의 전위도 커플링 효과에 의해 부스팅 전압(BL)에서부터 상승하고, 그에 따라 트랜지스터 TBv도 턴 온 된다. 이때, 트랜지스터 T3의 턴 온에 의해 노드 QA가 게이트 오프 전압(VGH)으로 비 활성화되고, 결국 노드 Q도 게이트 오프 전압(VGH)으로 비 활성화된다. 이러한 노드 Q의 비 활성 전위에 의해 풀-업 소자(Tu)가 턴 오프 된다.In section ④, when the first clock signal CLK1 is inverted to the gate-off voltage VGH, the potential of the node Q also rises from the boosting voltage BL due to the coupling effect, and accordingly, the transistor TBv is also turned on. At this time, the node QA is deactivated to the gate-off voltage VGH by the turn-on of the transistor T3, and eventually the node Q is also deactivated to the gate-off voltage VGH. The pull-up element Tu is turned off by the non-active potential of the node Q.

구간④에서, 노드 QB의 활성 전위에 따라 풀-다운 소자(Td)가 턴 온 되고, 게이트 오프 전압(VGH)이 풀-다운 소자(Td)를 통해 노드 Na에서 스캔 신호(SCAN(1))로서 출력된다.In section ④, the pull-down device Td is turned on according to the active potential of the node QB, and the gate-off voltage VGH is a scan signal (SCAN(1)) at the node Na through the pull-down device Td. is output as

도 8e를 참조하면, 구간⑤에서 제1 내지 제3 클럭신호들(CLK1,CLK5,CLK3)의 입력 전위들, 및 노드들 Q,QA,QB의 전위들은 구간④에서와 동일하므로, 계속해서 게이트 오프 전압(VGH)이 풀-다운 소자(Td)를 통해 노드 Na에서 스캔 신호(SCAN(1))로서 출력된다.Referring to FIG. 8E , since the input potentials of the first to third clock signals CLK1 , CLK5 and CLK3 and the potentials of the nodes Q, QA, and QB in the period ⑤ are the same as in the period ④, the gate The off voltage VGH is output as the scan signal SCAN(1) at the node Na through the pull-down element Td.

전술한 바와 같이, 본 발명은 클럭 오버랩 구동시 전류 패스 구간을 제거하여 동작 안정성 및 신뢰성을 확보하고 소비 전력을 줄일 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to secure operational stability and reliability and reduce power consumption by eliminating a current path section during clock overlap driving.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications are possible without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

100 : 표시패널 110 : 타이밍 콘트롤러
120 : 데이터 드라이버 130 : 게이트 드라이버
131 : 스캔 드라이버
100: display panel 110: timing controller
120: data driver 130: gate driver
131: scan driver

Claims (19)

복수의 스테이지들을 갖는 게이트 드라이버에 있어서,
상기 복수의 스테이지들 각각은,
노드 Q의 전위가 부스팅 되는 동안 제1 클럭 신호의 게이트 온 전압의 스캔 신호를 출력하는 풀-업 소자;
상기 제1 클럭 신호보다 위상이 앞선 제2 클럭 신호에 따라 상기 노드 Q에 연결된 노드 QA를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T2;
상기 제1 클럭 신호보다 위상이 뒤진 제3 클럭 신호에 따라 노드 QB를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T4; 및
상기 노드 QB가 활성화되는 동안 게이트 오프 전압의 스캔 신호를 출력하는 풀-다운 소자를 포함하고,
상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 상기 게이트 온 전압과 상기 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하고, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 부분적으로 서로 중첩되며, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제3 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 비 중첩되는 게이트 드라이버.
A gate driver having a plurality of stages, comprising:
Each of the plurality of stages,
a pull-up device for outputting a scan signal of a gate-on voltage of the first clock signal while the potential of the node Q is boosted;
a transistor T2 configured to activate a node QA connected to the node Q to the gate-on voltage according to a second clock signal having a phase ahead of the first clock signal;
a transistor T4 activating the node QB to the gate-on voltage according to a third clock signal out of phase with the first clock signal; and
a pull-down device that outputs a scan signal of a gate-off voltage while the node QB is activated;
The first to third clock signals swing between the gate-on voltage and the gate-off voltage, and gate-on voltage sections of the first clock signal and the second clock signal partially overlap each other, and the first clock signal The gate-on voltage sections of the signal and the third clock signal do not overlap.
제 1 항에 있어서,
상기 노드 QA의 전위와 상기 노드 QB의 전위가 서로 반대되도록,
상기 제1 내지 제3 클럭 신호들 각각은 게이트 온 전압 구간이 게이트 오프 전압 구간보다 더 짧은 게이트 드라이버.
The method of claim 1,
so that the potential of the node QA and the potential of the node QB are opposite to each other,
Each of the first to third clock signals has a gate-on voltage period shorter than a gate-off voltage period.
제 1 항에 있어서,
상기 노드 QA의 전위와 상기 노드 QB의 전위가 서로 반대되도록,
상기 트랜지스터 T4의 턴 온 기간은 상기 트랜지스터 T2의 턴 온 기간과 비 중첩되는 게이트 드라이버.
The method of claim 1,
so that the potential of the node QA and the potential of the node QB are opposite to each other,
A turn-on period of the transistor T4 does not overlap with a turn-on period of the transistor T2.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지들 각각은, 상기 노드 Q의 전위가 부스팅되는 기간을 제외한 나머지 기간 동안 상기 노드 Q와 상기 노드 QA를 서로 연결하는 트랜지스터 TBv를 더 포함하는 게이트 드라이버.
The method of claim 1,
Each of the stages further includes a transistor TBv connecting the node Q and the node QA to each other for a period other than a period in which the potential of the node Q is boosted.
제 4 항에 있어서,
상기 트랜지스터 TBv는 상기 노드 Q의 전위가 부스팅되는 기간에서 오프 되고, 상기 나머지 기간에서 온 되는 게이트 드라이버.
5. The method of claim 4,
The transistor TBv is turned off in a period in which the potential of the node Q is boosted and turned on in the remaining period.
제 4 항에 있어서,
상기 트랜지스터 TBv는,
상기 게이트 온 전압의 입력단에 연결되는 게이트전극과, 상기 노드 Q에 연결되는 제1 전극과, 상기 노드 QA에 연결되는 제2 전극을 포함하는 게이트 드라이버.
5. The method of claim 4,
The transistor TBv is
A gate driver comprising: a gate electrode connected to an input terminal of the gate-on voltage; a first electrode connected to the node Q; and a second electrode connected to the node QA.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지들 각각은,
상기 제2 클럭 신호에 동기되는 스타트 신호에 따라 상기 노드 QA를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T1;
상기 노드 QB가 활성화되는 동안 상기 노드 QA를 상기 게이트 오프 전압으로 비 활성화하는 트랜지스터 T3;
상기 스타트 신호에 따라 상기 노드 QB를 상기 게이트 오프 전압으로 비 활성화하는 트랜지스터 T5; 및
상기 노드 QA가 활성화되는 동안 상기 노드 QB를 상기 게이트 오프 전압으로 비 활성화하는 트랜지스터 T6를 더 포함하는 게이트 드라이버.
The method of claim 1,
Each of the stages is
a transistor T1 activating the node QA to the gate-on voltage according to a start signal synchronized with the second clock signal;
a transistor T3 that deactivates the node QA to the gate-off voltage while the node QB is activated;
a transistor T5 that deactivates the node QB to the gate-off voltage according to the start signal; and
and a transistor T6 that deactivates the node QB to the gate-off voltage while the node QA is activated.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지들 각각은, 글로벌 리셋 신호에 따라 상기 노드 QA를 상기 게이트 오프 전압으로 비 활성화하는 트랜지스터 TRST를 더 포함하는 게이트 드라이버.
The method of claim 1,
Each of the stages further includes a transistor TRST for inactivating the node QA to the gate-off voltage according to a global reset signal.
복수의 스테이지들을 갖는 게이트 드라이버에 있어서,
상기 복수의 스테이지들 각각은,
스캔 신호에 동기되도록 제1 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자;
상기 스캔 신호보다 위상이 앞선 스타트 신호에 동기되도록 제2 클럭 신호가 입력되는 제2 클럭 단자; 및
상기 제1 클럭 신호보다 위상이 뒤진 제3 클럭 신호가 입력되는 제3 클럭 단자를 포함하고,
노드 Q의 전위가 부스팅 되는 동안 제1 클럭 신호의 게이트 온 전압의 스캔 신호를 출력하는 풀-업 소자;
상기 제1 클럭 신호보다 위상이 앞선 제2 클럭 신호에 따라 상기 노드 Q 를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T2;
상기 제1 클럭 신호보다 위상이 뒤진 제3 클럭 신호에 따라 노드 QB를 상기 게이트 온 전압으로 활성화하는 트랜지스터 T4; 및
상기 노드 QB가 활성화되는 동안 게이트 오프 전압의 스캔 신호를 출력하는 풀-다운 소자를 포함하고,
상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하고, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 부분적으로 서로 중첩되고, 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제3 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간들은 비 중첩되는 게이트 드라이버.
A gate driver having a plurality of stages, comprising:
Each of the plurality of stages,
a first clock terminal to which a first clock signal is input to be synchronized with the scan signal;
a second clock terminal to which a second clock signal is input so as to be synchronized with a start signal having a phase ahead of the scan signal; and
a third clock terminal to which a third clock signal that is out of phase with the first clock signal is input;
a pull-up device outputting a scan signal of a gate-on voltage of a first clock signal while the potential of the node Q is boosted;
a transistor T2 configured to activate the node Q to the gate-on voltage according to a second clock signal having a phase ahead of the first clock signal;
a transistor T4 activating the node QB to the gate-on voltage according to a third clock signal out of phase with the first clock signal; and
a pull-down device that outputs a scan signal of a gate-off voltage while the node QB is activated;
The first to third clock signals swing between a gate-on voltage and a gate-off voltage, and gate-on voltage sections of the first clock signal and the second clock signal partially overlap each other, and the first clock signal and The gate-on voltage sections of the third clock signal do not overlap.
제 9 항에 있어서,
클럭 신호 CLK5가 인가된 신호 배선 C5;
상기 클럭 신호 CLK5보다 위상이 뒤지며, 상기 클럭 신호 CLK5와 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되는 클럭 신호 CLK1이 인가된 신호 배선 C1;
상기 클럭 신호 CLK1보다 위상이 뒤지며, 상기 클럭 신호 CLK1과 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되고 상기 클럭 신호 CLK5와 게이트 온 전압 구간이 비 중첩되는 클럭 신호 CLK2가 인가된 신호 배선 C2;
상기 클럭 신호 CLK2보다 위상이 뒤지며, 상기 클럭 신호 CLK2와 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되고 상기 클럭 신호 CLK1과 게이트 온 전압 구간이 비 중첩되는 클럭 신호 CLK3가 인가된 신호 배선 C3; 및
상기 클럭 신호 CLK3보다 위상이 뒤지며, 상기 클럭 신호 CLK3과 게이트 온 전압 구간이 부분적으로 중첩되고 상기 클럭 신호 CLK2와 게이트 온 전압 구간이 비 중첩되는 클럭 신호 CLK4가 인가된 신호 배선 C4를 더 포함하고,
상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 상기 클럭 신호들 CLK1,CLK2,CLK3,CLK4,CLK5 중에서 결정되는 게이트 드라이버.
10. The method of claim 9,
a signal wiring C5 to which the clock signal CLK5 is applied;
a signal line C1 to which a clock signal CLK1 that is out of phase with the clock signal CLK5 and partially overlaps a gate-on voltage section with the clock signal CLK5 is applied;
a signal line C2 to which a clock signal CLK2, which is out of phase with the clock signal CLK1, partially overlaps with the gate-on voltage section and does not overlap with the clock signal CLK5 and the gate-on voltage section;
a signal line C3 to which a clock signal CLK3, which is out of phase with the clock signal CLK2, partially overlaps with the gate-on voltage period and does not overlap with the clock signal CLK1, is applied; and
and a signal line C4 to which a clock signal CLK4, which is out of phase with the clock signal CLK3, partially overlaps with the gate-on voltage section, and does not overlap with the clock signal CLK2 and the gate-on voltage section, is applied; ,
The first to third clock signals are determined from among the clock signals CLK1, CLK2, CLK3, CLK4, and CLK5.
제 10 항에 있어서,
서로 이웃한 5개의 상기 스테이지들에 입력되는 상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 서로 다른 게이트 드라이버.
11. The method of claim 10,
The first to third clock signals input to the five adjacent stages are different from each other.
제 9 항에 있어서,
상기 노드 Q와 전기적으로 연결된 노드 QA의 전위와 상기 노드 QB의 전위가 서로 반대되도록,
상기 제1 내지 제3 클럭 신호들 각각은 게이트 온 전압 구간이 게이트 오프 전압 구간보다 더 짧은 게이트 드라이버.
10. The method of claim 9,
so that the potential of the node QA electrically connected to the node Q and the potential of the node QB are opposite to each other,
Each of the first to third clock signals has a gate-on voltage period shorter than a gate-off voltage period.
픽셀들에 연결된 게이트라인들이 구비된 표시패널; 및
상기 청구항 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 상기 복수의 스테이지들의 출력을 상기 게이트라인들로 공급하는 게이트 드라이버를 포함하는 표시장치.
a display panel provided with gate lines connected to pixels; and
A display device comprising a gate driver supplying outputs of the plurality of stages according to any one of claims 1 to 12 to the gate lines.
복수의 스테이지들을 포함하는 게이트 드라이버에 있어서,
상기 복수의 스테이지들 각각은,
노드 Q에 의해 제어되어 제1 클럭 신호를 출력하는 풀-업 소자;
상기 제1 클럭 신호보다 위상이 앞선 제2 클럭 신호에 따라 상기 노드 Q에 게이트 온 전압을 전달하는 트랜지스터 T2;
상기 제1 클럭 신호보다 위상이 뒤진 제3 클럭 신호에 따라 노드 QB에 상기게이트 온 전압을 전달하는 트랜지스터 T4; 및
상기 노드 QB에 의해 제어되어 게이트 오프 전압을 출력하는 풀-다운 소자를 포함하고,
상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 상기 게이트 온 전압과 상기 게이트 오프 전압 사이에서 스윙하고, 상기 제1 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간과 상기 제2 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간은 중첩되고, 상기 제1 클럭 신호의 게이트 온 전압과 및 상기 제3 클럭 신호의 게이트 온 전압 구간은 중첩되지 않는 게이트 드라이버.
A gate driver including a plurality of stages, the gate driver comprising:
Each of the plurality of stages,
a pull-up element controlled by the node Q to output a first clock signal;
a transistor T2 configured to transmit a gate-on voltage to the node Q according to a second clock signal having a phase ahead of the first clock signal;
a transistor T4 transferring the gate-on voltage to the node QB according to a third clock signal out of phase with the first clock signal; and
and a pull-down device controlled by the node QB to output a gate-off voltage,
The first to third clock signals swing between the gate-on voltage and the gate-off voltage, a gate-on voltage period of the first clock signal and a gate-on voltage period of the second clock signal overlap, and the second clock signal swings between the gate-on voltage and the gate-off voltage. A gate driver in which a period of the gate-on voltage of the first clock signal and the gate-on voltage of the third clock signal does not overlap.
제 14 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 클럭 신호들 각각은 게이트 온 전압 구간이 게이트 오프 전압 구간보다 짧은 게이트 드라이버.
15. The method of claim 14,
Each of the first to third clock signals has a gate-on voltage period shorter than a gate-off voltage period.
제 14 항에 있어서,
상기 트랜지스터 T2의 턴 온 기간과 상기 트랜지스터 T4의 턴 온 기간은 서로 다른 게이트 드라이버.
15. The method of claim 14,
A turn-on period of the transistor T2 and a turn-on period of the transistor T4 are different from each other.
제 14 항에 있어서,
상기 게이트 드라이버에는 서로 중첩하며 순차적으로 게이트 온 전압의 펄스를 갖는 다섯 개의 클럭 신호들이 제공되고,
상기 제1 내지 제3 클럭 신호들은 상기 다섯 개의 클럭 신호들 중 세 개의 클럭 신호들인 게이트 드라이버.
15. The method of claim 14,
Five clock signals overlapping each other and sequentially having a gate-on voltage pulse are provided to the gate driver,
The first to third clock signals are three clock signals among the five clock signals.
제 14 항에 있어서,
상기 제2 클럭 신호과 동기되어 게이트 온 전압을 갖는 스타트 신호 또는 이전 스테이지의 출력 신호에 의해 제어되는 트랜지스터 T1 및 트랜지스터 T5를 더 포함하고,
상기 트랜지스터 T1은 상기 게이트 온 전압을 상기 트랜지스터 T2에 전달하고, 상기 트랜지스터 T5는 상기 게이트 오프 전압을 상기 노드 QB에 전달하는 게이트 드라이버.
15. The method of claim 14,
Further comprising a transistor T1 and a transistor T5 which are synchronized with the second clock signal and controlled by a start signal having a gate-on voltage or an output signal of a previous stage,
The transistor T1 transfers the gate-on voltage to the transistor T2, and the transistor T5 transfers the gate-off voltage to the node QB.
제 14 항에 있어서,
상기 노드 QB의 전위를 상기 노드 Q와 반대로 제어하는 트랜지스터 T6를 더 포함하는 게이트 드라이버.
15. The method of claim 14,
and a transistor T6 for controlling the potential of the node QB to be opposite to that of the node Q.
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