KR102569325B1 - 임플란트 표면처리 포장방법 및 그 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명은 임플란트 표면처리 포장방법 및 그 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 임플란트의 외곽을 임플란트 포장체로 감싸는 포장단계, 포장된 상태의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 표면처리단계, 임플란트 포장체 내부의 기체를 처리하여 포장된 임플란트의 안정성을 향상시키는 기체처리단계 및 상기 임플란트 포장체를 밀봉하는 밀봉단계를 포함하여 임플란트가 포장된 상태에서 임플란트의 표면을 친수성으로 개질함으로써, 뼈 및/또는 주변 조직이 임플란트에 쉽게 달라붙어 골유합 기간을 단축시켜 임플란트의 초기 안정성을 향상시키며, 임플란트의 표면처리 후 임플란트가 공기 중에 노출되지 않고 외부공기와 차단되도록 함으로써 공기 노출로 인해 발생할 수 있는 생물학적 노화현상을 방지할 수 있는 임플란트 표면처리 포장방법 및 그 시스템에 관한 것이다.

Description

임플란트 표면처리 포장방법 및 그 시스템{A Method of Surface Treatment and Packaging for Implant and Its System}

본 발명은 임플란트 표면처리 포장방법 및 그 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 임플란트의 외곽을 임플란트 포장체로 감싸는 포장단계, 포장된 상태의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 표면처리단계, 임플란트 포장체 내부의 기체를 처리하여 포장된 임플란트의 안정성을 향상시키는 기체처리단계 및 상기 임플란트 포장체를 밀봉하는 밀봉단계를 포함하여 임플란트가 포장된 상태에서 임플란트의 표면을 친수성으로 개질함으로써, 뼈 및/또는 주변 조직이 임플란트에 쉽게 달라붙어 골유합 기간을 단축시켜 임플란트의 초기 안정성을 향상시키며, 임플란트의 표면처리 후 임플란트가 공기 중에 노출되지 않고 외부공기와 차단되도록 함으로써 공기 노출로 인해 발생할 수 있는 생물학적 노화현상을 방지할 수 있는 임플란트 표면처리 포장방법 및 그 시스템에 관한 것이다.

덴탈 임플란트 또는 인공관절에 사용되는 임플란트는 신체에 고정되어 임플란트 주변 관절의 운동을 보조한다. 이러한 임플란트는 기계적 고정에 의해 초기 안정성을 확보하고, 뼈나 주변 조직이 회복되면서 임플란트에 달라붙거나 임플란트와 결합하는 골유착에 의해 장기 안정성을 확보한다. 도 1은 임플란트의 식립 후 안정성을 나타낸 도면이다. 도 1의 점선은 임플란트의 기계적 고정에 의한 안정성을 나타내며, 1점 쇄선은 골유착에 의한 안정성을 나타낸다. 도 1을 참고하면, 기계적인 고정에 의한 강도는 시간이 지남에 따라 떨어지지만, 임플란트의 표면에 뼈가 달라붙게 되어 뼈 및 주변 근조직에 의해 지지됨으로써 시간이 지남에 따라 골유착에 의한 지지력이 증가하여 장기적으로 안정성을 확보하게 된다.

임플란트에 주로 사용되는 소재는 티타늄으로, 신체 내에서 티타늄은 표면에 산화티타늄 막을 형성하고 산화티타튬 막이 음극의 성질을 가져 친수성을 가진다. 물과 용이하게 접촉할 수 있도록 하는 친수성은 임의의 액체가 금속 기재에 접촉할 때 금속 기재에 대한 액체의 접촉각(contact angle)으로 나타낼 수 있다. 접촉각은 액체가 고체와 접촉하고 있을 때, 액체의 자유 표면이 고체 평면과 이루는 각도로서, 액체 분자 간의 응집력 및 액체, 고체 간의 부착력으로 결정된다. 액체가 고체 평면과 이루는 접촉각이 90˚를 초과할 때의 고체 평면은 물과의 친화력이 적은 성질인 소수성(hydrophobicity)이라 정의될 수 있으며, 액체가 고체 평면과 이루는 접촉각이 90˚미만일 때의 고체 평면은 물과의 친화력이 있는 성질인 친수성(hydrophilicity)이라 정의될 수 있다.

티타늄을 공기 중에 방치하게 되면, 공기 중의 탄소가 산화티타늄과 결합하여 티타늄 막의 친수성을 억제하게 되어 티타늄 막의 친수성이 떨어지는데, 이를 생물학적 노화현상(Biologic Aging)이라 한다. 임플란트의 친수성이 떨어지게 되면 뼈 골유합 능력이 떨어져 임플란트의 초기 안정성이 떨어지게 되므로, 임플란트를 이식한 환자의 초기 운동능력이 저하되는 문제점이 있으며, 특히 인공관절 임플란트의 경우, 임플란트의 친수성 저하는 인공관절 시술 후 초기 재활이 장기적인 환자의 운동능력에 큰 영향을 미치게 된다.

따라서 임플란트의 표면이 친수성을 유지하도록 표면처리 방법이 필요하다. 공기 중에 노출되지 않도록 하기 위해 식염수에 임플란트를 넣어 공급하는 방법이 있으나, 식염수가 오염되는 경우 임플란트의 품질이 저하되면 식염수의 유통기한이 짧다는 단점이 있다.

다음으로, 한국등록특허 제10-1196171호에서와 같이 임플란트의 티타늄 표면에 자외선을 조사하여 친수성 표면개질을 수행할 수 있다. 그러나, UV를 통한 친수성 표면개질 경우 임플란트를 둘러싸고 있는 임플란트 포장체를 자외선이 통과하려면 임플란트 포장체의 재질이 석영유리여야 한다. 크기가 작은 치과용 임플란트의 경우에는 석영유리 하우징이나 케이스에 임플란트를 넣어 수술실(operation room)에 공급할 수 있으나, 인공슬관절과 같은 부피가 큰 임플란트의 경우 임플란트를 석영유리 케이스에 넣어 공급하려면 케이스의 부피가 커져 비용이 비싸고 경제성이 떨어지는 단점이 있다.

또한, 통상적으로 임플란트는 오염을 막기 위해 임플란트 포장체에 의해 둘러싸인 채로 공급되는데, 자외선(UV)을 통해 임플란트의 표면에 친수성 처리를 하려고 하는 경우 임플란트의 포장을 제거해야 하기 때문에 멸균상태가 해제되어 오염되는 문제가 있다.

한편, 플라즈마 상태의 높은 에너지를 가진 입자를 재료의 표면에 충돌시킴으로써 표면을 개질시킬 수 있다. 플라즈마는 진공에 가까운 상태에서 기체에 전류를 통과시켜 방전에 의해 공기를 이온화시킨 글로(glow) 플라즈마, 아크 방전 등을 통해 고온 고압을 가하여 발생시킨 전자, 이온, 중성입자(원자 및 분자)로 구성된 부분이온화된 열 플라즈마 등으로 구분될 수 있으며, 물리적으로 전기전도도를 가지는 전하를 띤 입자들의 집합체로, 외부 전자기장에 집합적으로 반응한다.

기체에 높은 전압을 가해주면 낮은 온도에서도 원자나 분자를 이온화시킬 수 있게 된다. 예를 들면 아르곤(Ar)가스의 경우 1 mTorr ~ 100 Torr사이의 압력에서는 1cm당 100 V이상의 전계만 있어도 플라즈마를 생성시킬 수 있다. 산소를 포함한 기체를 플라즈마화시키면, 양이온과 음이온 및 단일 산소원자, 오존, 이온화된 산소원자들이 발생하게 된다. 플라즈마(라디칼)에 의해 임플란트의 표면에 흡착된 탄소를 제거함으로써 임플란트의 친수성을 향상시킬 수 있다.

이러한 방법으로 친수성 표면처리를 하더라도, 임플란트 표면이 공기에 노출된 채 일정 시간이 경과하면 임플란트 표면의 티타늄이 공기중의 탄소 원자와 다시 반응하여 생물학적 노화현상이 발생하게 된다. 임플란트의 표면을 처리한 후 즉시 포장을 하지 않는 이상 임플란트 표면이 공기중에 노출되어 표면의 친수성이 떨어지게 되는 문제가 있다. 나아가, 임플란트의 삽입 직적에 친수성 표면처리를 적용하려면 사용자가 수술실에서 임플란트의 표면에 대한 친수성 표면처리 공정을 수행하여야 한다. 수술실 내에서는 이러한 공정을 의사나 의료관계자가 실시할 수밖에 없으므로 수술 시간이 지연되고 기술자에 비해 표면처리가 잘 이루어지지 않을 가능성이 있다.

따라서, 당업계에서는 플라즈마를 통해 임플란트의 표면을 친수성으로 개질함으로써 임플란트 시술 시 초기 안정성을 확보하면서, 임플란트의 제조공정 중 친수성을 장기간 유지할 수 있도록 하여 임플란트 표면에서 생물학적 노화현상이 발생하는 것을 방지하는 임플란트 표면처리 및 포장방법을 요구하고 있다.

한국등록특허공보 제10-1196171호(2012.10.24)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로,

본 발명의 목적은, 임플란트의 외곽을 임플란트 포장체로 감싸는 포장단계, 내부에 챔버와 방전부를 가지는 플라즈마 방전장비 내로 포장된 임플란트를 제공하는 임플란트 제공단계, 포장된 상태의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 표면처리단계, 임플란트 포장체 내부의 기체를 처리하여 포장된 임플란트의 안정성을 향상시키는 기체처리단계 및 상기 임플란트 포장체를 밀봉하는 밀봉단계를 포함하여 임플란트가 포장된 상태에서 임플란트의 표면을 친수성으로 개질함으로써, 뼈 및/또는 주변 조직이 임플란트에 쉽게 달라붙어 골유합 기간을 단축시켜 임플란트의 초기 안정성을 향상시키며, 임플란트의 표면처리 후 임플란트가 공기 중에 노출되지 않고 외부공기와 차단되도록 함으로써 공기 노출로 인해 발생할 수 있는 생물학적 노화현상을 방지할 수 있는 임플란트 표면처리 포장방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 상기 표면처리단계는 상기 임플란트 포장체 내부의 공기를 빼내는 공기인출단계, 상기 방전부에 전류를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 전류인가단계 및 방전된 플라즈마가 임플란트 포장체 내의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 개질단계를 포함하여 플라즈마를 통해 임플란트 표면을 친수성으로 개질하는 임플란트 표면처리 포장방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 상기 표면처리단계는 상기 전류인가단계 전에 임플란트 포장체 내에 전류가 통하도록 상기 임플란트 포장체에 상기 플라즈마 방전장비의 방전부를 연결하는 전극연결단계를 더 포함하고, 상기 전극연결단계는 상기 임플란트 포장체의 적어도 일측에 도체로 형성되는 제1전도부와 상기 방전부를 연결하여 상기 임플란트 포장체 내부에 전류가 통하도록 함으로써 임플란트가 포장된 상태에서 표면개질될 수 있는 임플란트 표면처리 포장방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 상기 전극연결단계는 내부 챔버의 적어도 일측면에 전원과 연결되어 전극으로 기능하는 방전전극을 배치하고, 상기 제1전도부를 상기 방전전극과 반대되는 전극과 연결하여 챔버와 임플란트 포장체 내부에서 플라즈마가 방전될 수 있는 임플란트 표면처리 포장방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 상기 전극연결단계는 상기 임플란트 포장체 내부에 임플란트를 사이에 두고 상기 제1전도부와 면하는 제2전도부를 상기 방전부와 연결하되, 상기 제1전도부와 제2전도부는 서로 반대 전극과 연결되도록 하여 임플란트 포장체 내에서 플라즈마가 방전되는 임플란트 표면처리 포장방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 상기 표면처리단계는 상기 전류인가단계 전에 상기 제1전도부를 임플란트에 접근시켜 임플란트와 전류가 통하도록 접촉시키는 컨택단계를 더 포함하여 임플란트가 전극으로 기능할 수 있는 임플란트 표면처리 포장방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 임플란트 표면에 형성된 다공성 구조의 손상을 방지하는 임플란트 표면처리 포장방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 내부에 임플란트를 수용하며, 내외부가 유체연통할 수 있도록 형성된 연통홀과 전류가 통하도록 도체 재질로 구비되는 제1전도부를 포함하되, 상기 연통홀은 개폐가능하도록 구비되어 내부에 수용된 임플란트의 표면을 플라즈마를 통해 개질할 수 있는 임플란트 포장체를 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 상기 제1전도부는 상기 임플란트 포장체 내부에서 소정 폭을 가지면서 연장되는 내부전도체, 상기 내부전도체와 연결되면서 상기 임플란트 포장체 외부로 돌출되는 외부전도체를 포함하여 상기 임플란트 포장체 내외로 전류가 통하도록 함으로써 임플란트 포장체 내에서만 플라즈마가 발생할 수 있도록 하는 임플란트 포장체를 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 상기 임플란트 포장체의 내부에서 임플란트를 사이에 두고 상기 제1전도부와 면하는 제2전도부를 더 포함하고, 상기 제2전도부는 상기 임플란트 포장체 내부에서 소정 폭을 가지면서 연장되는 내부전도체, 상기 내부전도체와 연결되면서 상기 임플란트 포장체 외부로 돌출되는 외부전도체를 포함하여 임플란트 포장체 내외부에서 전류가 통할 수 있는 임플란트 포장체를 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은, 임플란트 포장체, 상기 임플란즈 포장 내에 수용되는 임플란트 및 내부에 전류를 인가하여 플라즈마를 방전시키는 플라즈마 방전장비를 포함하고, 상기 플라즈마 방전장비는 내부공간에 형성되는 챔버, 상기 챔버 내에 전류를 인가하여 플라즈마를 방전시키는 방전부 및 상기 챔버와 연결되어 챔버의 공기를 빼내도록 구비된 공기인출부를 포함하여 내부에 수용된 임플란트 표면을 친수성으로 개질하는 임플란트 표면처리 포장시스템을 제공하는 것이다.

본 발명은 앞서 본 목적을 달성하기 위해서 다음과 같은 구성을 가진 실시예에 의해서 구현된다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 임플란트의 외곽을 임플란트 포장체로 감싸는 포장단계, 내부에 챔버와 방전부를 가지는 플라즈마 방전장비 내로 포장된 임플란트를 제공하는 임플란트 제공단계, 포장된 상태의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 표면처리단계, 임플란트 포장체 내부의 기체를 처리하여 포장된 임플란트의 안정성을 향상시키는 기체처리단계 및 상기 임플란트 포장체를 밀봉하는 밀봉단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 표면처리단계는 상기 임플란트 포장체 내부의 공기를 빼내는 공기인출단계, 상기 방전부에 전류를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 전류인가단계 및 방전된 플라즈마가 임플란트 포장체 내의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 개질단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 표면처리단계는 상기 전류인가단계 전에 임플란트 포장체 내에 전류가 통하도록 상기 임플란트 포장체에 상기 플라즈마 방전장비의 방전부를 연결하는 전극연결단계를 더 포함하고, 상기 전극연결단계는 상기 임플란트 포장체의 적어도 일측에 도체로 형성되는 제1전도부와 상기 방전부를 연결하여 상기 임플란트 포장체 내부에 전류가 통하도록 하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 전극연결단계는 내부 챔버의 적어도 일측면에 전원과 연결되어 전극으로 기능하는 방전전극을 배치하고, 상기 제1전도부를 상기 방전전극과 반대되는 전극과 연결하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 전극연결단계는 상기 임플란트 포장체 내부에 임플란트를 사이에 두고 상기 제1전도부와 면하는 제2전도부를 상기 방전부와 연결하되, 상기 제1전도부와 제2전도부는 서로 반대 전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 표면처리단계는 상기 전류인가단계 전에 상기 제1전도부를 임플란트에 접근시켜 임플란트와 전류가 통하도록 접촉시키는 컨택단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 기체처리단계는 임플란트 포장체 내부의 잔여 공기를 인출하여 임플란트 포장체 내부를 진공으로 형성시키는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 기체처리단계는 임플란트 포장체 내부에 불활성 기체를 주입하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 포장단계는 상기 임플란트의 표면에 형성되는 다공성 구조가 임플란트 포장체와 면하지 않도록 상기 임플란트를 포장하되, 상기 다공성 구조를 가지는 임플란트 표면을 박막으로 덮는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 포장단계는 내부에 소정의 높이를 가지며 연장되는 복수의 스페이서를 가지는 임플란트 포장체로 상기 임플란트를 포장하고, 다공성 구조를 가지는 임플란트 표면이 상기 스페이서 사이에 위치하도록 상기 임플란트 포장체가 지정된 위치에서 상기 임플란트를 포장하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 포장단계는 임플란트를 임플란트 포장체 내에서 고정하는 고정부재를 임플란트 외부에 배치하는 단계, 임플란트를 고정부재와 함께 포장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 내부에 임플란트를 수용하며, 내외부가 유체연통할 수 있도록 형성된 연통홀과 전류가 통하도록 도체 재질로 구비되는 제1전도부를 포함하되, 상기 연통홀은 개폐가능하도록 구비되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 제1전도부는 상기 임플란트 포장체 내부에서 소정 폭을 가지면서 연장되는 내부전도체, 상기 내부전도체와 연결되면서 상기 임플란트 포장체 외부로 돌출되는 외부전도체를 포함하여 상기 임플란트 포장체 내외로 전류가 통하도록 하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 임플란트 포장체의 내부에서 임플란트를 사이에 두고 상기 제1전도부와 면하는 제2전도부를 더 포함하고, 상기 제2전도부는 상기 임플란트 포장체 내부에서 소정 폭을 가지면서 연장되는 내부전도체, 상기 내부전도체와 연결되면서 상기 임플란트 포장체 외부로 돌출되는 외부전도체를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 임플란트 포장체, 상기 임플란즈 포장 내에 수용되는 임플란트 및 내부에 전류를 인가하여 플라즈마를 방전시키는 플라즈마 방전장비를 포함하고, 상기 플라즈마 방전장비는 내부공간에 형성되는 챔버, 상기 챔버 내에 전류를 인가하여 플라즈마를 방전시키는 방전부 및 상기 챔버와 연결되어 챔버의 공기를 빼내도록 구비된 공기인출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 방전부는 전류를 공급하는 전원과 상기 전원으로부터 챔버 내로 연장되는 연결부를 포함하되, 상기 연결부는 임플란트 포장체와 전류가 통하도록 연결되어 상기 임플란트 포장체 내부에서 플라즈마를 방전시키는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 앞서 본 실시예와 하기에 설명할 구성과 결합, 사용관계에 의해 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.

본 발명은, 임플란트의 외곽을 임플란트 포장체로 감싸는 포장단계, 내부에 챔버와 방전부를 가지는 플라즈마 방전장비 내로 포장된 임플란트를 제공하는 임플란트 제공단계, 포장된 상태의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 표면처리단계, 임플란트 포장체 내부의 기체를 처리하여 포장된 임플란트의 안정성을 향상시키는 기체처리단계 및 상기 임플란트 포장체를 밀봉하는 밀봉단계를 포함하여 임플란트가 포장된 상태에서 임플란트의 표면을 친수성으로 개질함으로써, 뼈 및/또는 주변 조직이 임플란트에 쉽게 달라붙어 골유합 기간을 단축시켜 임플란트의 초기 안정성을 향상시키며, 임플란트의 표면처리 후 임플란트가 공기 중에 노출되지 않고 외부공기와 차단되도록 함으로써 공기 노출로 인해 발생할 수 있는 생물학적 노화현상을 방지할 수 있다.

본 발명은, 상기 표면처리단계는 상기 임플란트 포장체 내부의 공기를 빼내는 공기인출단계, 상기 방전부에 전류를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 전류인가단계 및 방전된 플라즈마가 임플란트 포장체 내의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 개질단계를 포함하여 플라즈마를 통해 임플란트 표면을 친수성으로 개질하는 효과를 얻는다.

본 발명은, 상기 표면처리단계는 상기 전류인가단계 전에 임플란트 포장체 내에 전류가 통하도록 상기 임플란트 포장체에 상기 플라즈마 방전장비의 방전부를 연결하는 전극연결단계를 더 포함하고, 상기 전극연결단계는 상기 임플란트 포장체의 적어도 일측에 도체로 형성되는 제1전도부와 상기 방전부를 연결하여 상기 임플란트 포장체 내부에 전류가 통하도록 함으로써 임플란트가 포장된 상태에서 표면개질될 수 있다.

본 발명은, 상기 전극연결단계는 내부 챔버의 적어도 일측면에 전원과 연결되어 전극으로 기능하는 방전전극을 배치하고, 상기 제1전도부를 상기 방전전극과 반대되는 전극과 연결하여 챔버와 임플란트 포장체 내부에서 플라즈마가 방전될 수 있는 효과를 준다.

본 발명은, 상기 전극연결단계는 상기 임플란트 포장체 내부에 임플란트를 사이에 두고 상기 제1전도부와 면하는 제2전도부를 상기 방전부와 연결하되, 상기 제1전도부와 제2전도부는 서로 반대 전극과 연결되도록 하여 임플란트 포장체 내에서 플라즈마가 방전되도록 할 수 있다.

본 발명은, 상기 표면처리단계는 상기 전류인가단계 전에 상기 제1전도부를 임플란트에 접근시켜 임플란트와 전류가 통하도록 접촉시키는 컨택단계를 더 포함하여 임플란트가 전극으로 기능할 수 있는 효과를 가진다.

본 발명은, 임플란트 표면에 형성된 다공성 구조의 손상을 방지하는 임플란트 표면처리 포장방법을 제공하는 것이다.

본 발명은, 내부에 임플란트를 수용하며, 내외부가 유체연통할 수 있도록 형성된 연통홀과 전류가 통하도록 도체 재질로 구비되는 제1전도부를 포함하되, 상기 연통홀은 개폐가능하도록 구비되어 내부에 수용된 임플란트의 표면을 플라즈마를 통해 개질할 수 있다.

본 발명은, 상기 제1전도부는 상기 임플란트 포장체 내부에서 소정 폭을 가지면서 연장되는 내부전도체, 상기 내부전도체와 연결되면서 상기 임플란트 포장체 외부로 돌출되는 외부전도체를 포함하여 상기 임플란트 포장체 내외로 전류가 통하도록 함으로써 임플란트 포장체 내에서만 플라즈마가 발생할 수 있도록 한다.

본 발명은, 상기 임플란트 포장체의 내부에서 임플란트를 사이에 두고 상기 제1전도부와 면하는 제2전도부를 더 포함하고, 상기 제2전도부는 상기 임플란트 포장체 내부에서 소정 폭을 가지면서 연장되는 내부전도체, 상기 내부전도체와 연결되면서 상기 임플란트 포장체 외부로 돌출되는 외부전도체를 포함하여 임플란트 포장체 내외부에서 전류가 통할 수 있는 임플란트 포장체를 제공한다.

본 발명은, 임플란트 포장체, 상기 임플란즈 포장 내에 수용되는 임플란트 및 내부에 전류를 인가하여 플라즈마를 방전시키는 플라즈마 방전장비를 포함하고, 상기 플라즈마 방전장비는 내부공간에 형성되는 챔버, 상기 챔버 내에 전류를 인가하여 플라즈마를 방전시키는 방전부 및 상기 챔버와 연결되어 챔버의 공기를 빼내도록 구비된 공기인출부를 포함하여 내부에 수용된 임플란트 표면을 친수성으로 개질하는 효과를 얻을 수 있다.

도 1은 임플란트의 식립 후 안정성을 나타낸 도면
도 2는 본 발명에 따른 임플란트 표면처리 포장방법의 흐름도
도 3은 본 발명에 따른 임플란트 표면처리 포장방법(S)에서 임플란트 포장체(50)가 플라즈마 방전장비(10)에 제공되는 것을 도시한 도면
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 방전장비(10)의 단면도
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 방전장비(10)의 단면도
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트(30)의 도면
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트 포장체에 임플란트가 수용된 모습을 도시한 도면
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 임플란트 포장체에 임플란트가 수용된 모습을 도시한 도면
도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 임플란트 포장체에 임플란트가 수용된 모습을 도시한 도면
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트 포장체에 임플란트가 고정부재왜 함께 수용된 것을 도시한 도면
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트 포장체 시 박막(63)과 스페이서(65)가 적용되는 것을 도시한 도면
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 포장단계(S10)의 흐름도
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면처리단계(S30)의 흐름도
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 기체처리단계(S50)의 흐름도

이하에서는 본 발명에 따른 임플란트 표면처리 포장방법의 바람직한 실시 예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 공지의 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하도록 한다. 특별한 정의가 없는 한 본 명세서의 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 기술자가 이해하는 당해 용어의 일반적 의미와 동일하고 만약 본 명세서에서 사용된 용어의 의미와 충돌하는 경우에는 본 명세서에서 사용된 정의에 따른다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니고, 다른 구성요소 또한 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 명세서에 기재된 "~부" 등의 용어는 적어도 하나 이상의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미한다. 또한, 어떤 구성요소간 "연결"된다고 할 때, 이는 구성요소끼리 직접 접촉하며 체결된다는 것에 한정되는 것이 아니라 다른 구성요소를 통하여 체결되는 것을 포함하며, 체결되어있지 않더라도 소정의 힘이나 에너지를 전달할 수 있도록 배치된다는 것을 의미할 수 있다. 이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트 표면처리 포장방법(S)의 흐름도이다. 임플란트 표면처리 포장방법(S)은 임플란트가 포장된 상태에서 임플란트의 표면을 친수성으로 개질함으로써, 뼈 및/또는 주변 조직이 임플란트에 쉽게 달라붙어 골유합 기간을 단축시켜 임플란트의 초기 안정성을 향상시키며, 임플란트의 표면처리 후 임플란트가 공기 중에 노출되지 않고 외부공기와 차단되도록 함으로써 공기 노출로 인해 발생할 수 있는 생물학적 노화현상을 방지할 수 있다. 상기 임플란트 표면처리 포장방법(S)은 포장단계(S10), 임플란트 제공단계(S20), 표면처리단계(S30), 기체처리단계(S50) 및 밀봉단계(S70)를 포함한다.

임플란트 표면처리 포장방법(S)을 이하에서 설명함에 앞서, 도 3 내지 도 10을 참고하여 임플란트 표면처리 포장방법(S)에 사용되는 플라즈마 방전장비(10)와 임플란트(30), 임플란트 포장체(50) 및 보강요소(60)를 설명하도록 한다. 임플란트(30)는 임플란트 포장체(50) 내에 수용 내지 포장된 채로 플라즈마 방전장비(10) 내에서 발생한 플라즈마에 의해 표면이 친수성으로 개질된 후 밀봉되어 친수성 표면처리된 상태로 공기 중에 노출되지 않고 공급될 수 있다. 플라즈마 방전장비(10)는 챔버에 플라즈마를 방전시킬 수 있도록 구비되며 임플란트(30)와 임플란트 포장체(50)를 수용하여 내부에서 플라즈마 방전을 통해 임플란트의 표면을 친수성으로 개질한다. 도 3에서와 같이, 임플란트(30)는 친수성 개질을 통한 표면처리 시 플라즈마 방전장비(10) 내부에 수용되는데, 적어도 하나 이상의 임플란트가 상기 플라즈마 방전장비(10) 내에서 표면이 친수성으로 개질될 수 있다. 상기 플라즈마 방전장비(10)는 하우징(11), 챔버(12), 방전부(13) 및 공기인출부(15)를 포함한다.

도 3 내지 도 5를 참고하면, 상기 하우징(11)은 플라즈마 방전장비(10)의 전체적인 외형을 구성하며, 일측에 개구부를 형성하고 버튼 등의 조작을 통해 개구부를 여닫음으로써 개구부를 폐색하여 내부공간에 형성되는 챔버(12)가 밀폐될 수 있도록 구비될 수 있다. 상기 하우징(11)은 인공관절 시술에 사용되는 임플란트(30)와 임플란트 포장체(50)가 내부에 수용되도록 소정의 크기를 가짐이 바람직하다.

상기 챔버(12)는 상기 플라즈마 방전장비(10)의 내부공간에 형성되며, 하우징(11)에 의해 밀폐됨으로써 외부와 차단될 수 있다. 상기 챔버(12)에 후술할 임플란트(30)와 임플란트 포장체(50)가 수용되며, 챔버(12)에서 전류에 의해 플라즈마가 방전되어 임플란트 표면을 친수성으로 개질할 수 있다. 상기 챔버(12) 내부의 기압은 후술하는 공기인출부(15)에 의해 진공에 가깝게 낮아질 수 있으며, 바람직하게는 3torr 내외의 압력이 유지될 수 있다.

상기 방전부(13)는 상기 플라즈마 방전장비(10)의 내부에서 전류가 인가될 수 있도록 구비된다. 상기 방전부(13)가 전류를 인가하여 챔버(12) 내에서 플라즈마가 발생할 수 있다. 플라즈마 방전장비(10) 내에 수용된 임플란트의 표면 본 발명의 바람직한 일 실시예에서는 임플란트 제품(30)이 챔버(12)에 수용되는데, 이때 임플란트 제품(30)의 평면 또는 임플란트 제품(30)을 정사영한 면적과 상응하거나 그보다 넓은 크기를 가진 방전부가 형성될 수 있다. 외부전원을 통해 방전부(13)에 전류가 인가되면 상기 방전부(13)가 전극으로 기능하여 챔버(12)에서 플라즈마가 방전될 수 있다. 상기 방전부(13)는 전원(131), 연결부(133) 및 방전전극(135)을 포함한다.

상기 전원(131)은 후술하는 연결부(133) 및 방전전극(135)에 전류를 공급하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 전원(131)은 연결부(133) 및 방전전극(135)에 전선 등을 통하여 연결될 수 있다. 플라즈마 방전은 직류를 통한 DC 글로우 방전, 교류전압 인가를 통한 AC 또는 RF 글로우 방전이 수행될 수 있다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서는 상기 전원(131)이 방전전극(135)과 연결부(133)에 고압의 전류를 교류로 인가함으로써 진공에 가까운 상태의 챔버(12)에서 플라즈마가 방전될 수 있도록 한다. 후술하는 바와 같이, 본 발명의 다른 일 실시예에서는 임플란트 포장체(50)를 파지하거나 접촉하는 두 연결부(133a, 133b)가 서로 다른 전극으로 기능하도록 전류를 인가하여 임플란트 포장체(50) 내에서 플라즈마가 발생하도록 할 수도 있다.

도 4를 참고하면, 상기 연결부(133)는 플라즈마 방전장비(10)의 일측면에서 연장되어 임플란트 포장체(50)를 파지하거나 임플란트 포장체(50)와 접촉함으로써 임플란트 포장체(50)와 연결될 수 있다. 연결부(133)는 전원(131)으로부터 챔버(12) 내로 연장되어 구비될 수 있다. 연결부(133)는 후술하는 바와 같이 임플란트 포장체(50)의 전도부(53)와 연결되어 전류가 통하도록 할 수 있다. 이를 위하여 상기 연결부(133)는 도 4에 도시되는 바와 같이 챔버의 일측으로부터 챔버 내측으로 연장형성될 수 있고, 도체 재질의 외부전도체(533)와 접촉하거나 외부전도체(533)를 파지할 수 있도록 구성될 수 있다. 상기 연결부(133)는 상기 전원(131)과 전류연통하도록 연결되는 클램프의 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 연결부(133)는 하우징(11)에 탈착가능하도록 구비될 수도 있다. 연결부(133)는 금속 재질일 수 있다.

도 5에 도시되는 본 발명의 다른 일 실시예를 참고하면, 상기 연결부(133)는 하우징(11) 내에서 복수개 구비될 수 있다. 제1연결부(133a)가 상술한 연결부(133)와 실질적으로 동일하게 구비되면서, 제2연결부(133b)는 후술하는 방전전극(135) 대신 플라즈마 방전장비(10) 내부의 다른 일측면에서 연장되어 임플란트 포장체(50)와 연결되도록 구비된다. 제2연결부(133b)는 제1연결부(133a)와 유사하게 도체 재질의 외부전도체(533)와 접촉하거나 외부전도체(533)를 파지할 수 있도록 구성되며, 제1연결부(133a)와 서로 전극으로 기능하도록 전원(131)과 연결될 수 있다.

상기 방전전극(135)은 플라즈마 방전장비(10)의 내부 일측면에서 챔버(12) 측을 면하도록 구비된다. 상기 방전전극(135)은 챔버(12)에 수용되는 임플란트 또는 임플란트(30)가 수용된 임플란트 포장체(50)보다 넓은 면적으로 연장됨이 바람직하다. 상기 방전전극(135)은 전류가 흐를 수 있는 도체로 형성되며, 소정의 넓이를 가진 금속 판 또는 금속 판이 절곡된 형태를 가질 수 있다. 다시 도 4를 참고하면, 상기 방전전극(135)과 연결부(133)는 전류가 인가될 시 전극으로 기능할 수 있으며, 바람직하게는 서로 양극과 음극으로 기능하여 소정 압력 하의 챔버의 기체가 플라즈마로 이온화된다. 방전전극(135)은 연결부(133)와 대향하며 면하도록 구비될 수 있다. 방전전극(135)이 챔버(12)의 일측 옆면에 구비된다면 연결부(133)는 챔버(12)의 반대쪽 옆면에서 안쪽을 면하면서 구비될 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서는 방전전극(135)과 연결부(133)가 서로 면하지 않도록 구비될 수도 있다.

상기 공기인출부(15)는 플라즈마 방전장비의 챔버(12)에 연결되어 챔버(12)의 공기를 빼내거나 공급할 수 있다. 공기인출부(15)는 튜브와 같은 형상을 가져 챔버(12)와 유체연통하도록 연결될 수 있다. 상기 공기인출부(15)는 진공펌프 등을 통해 챔버(12)의 기체를 외부 또는 챔버(12)과 별도로 구성된 공간으로 빼냄으로써 챔버(12)의 기압을 진공에 가깝게 하강시킬 수 있다. 공기인출부(15)에 의해 기압이 낮아진 챔버(12)의 기체는 상기 방전전극(135) 및 연결부(133)에 전류가 인가될 시 플라즈마로 이온화될 수 있다.

추가적으로, 플라즈마 방전장비(10) 내에는 후술하는 임플란트 포장체(50) 내 연통홀(51)을 통해 임플란트 포장체 내의 공기를 빼내거나 불활성 기체를 임플란트 포장체 내로 투입하기 위하여 연결튜브(미도시)를 더 포함할 수 있다. 연통홀(51)을 통해 임플란트 포장체 내부 공기가 빠져나가 임플란트(30)가 진공포장되거나 불활성 기체가 임플란트 포장체 내에 충전되어 임플란트가 보존된 채로 공급될 수 있다. 이는 후술하도록 한다.

도 6을 참고하면, 상기 임플란트(30)는 플라즈마 방전장비(10) 내에 제공되어 챔버(12) 내에서 방전된 플라즈마에 의해 임플란트의 표면이 친수성으로 개질될 수 있다. 상기 임플란트(30)는 임플란트 포장체(50)에 수용된 채로 플라즈마 방전장비(10) 내에 제공될 수 있다. 임플란트(30)는 덴탈 임플란트일 수 있으나, 인공관절에 사용되는 임플란트로 소정 크기를 가진 임플란트 포장체(50)에 수용됨이 바람직하다. 상기 임플란트(30)는 임플란트 포장체(50) 내부에 수용된 상태로, 즉 플라즈마 방전장비(10)의 챔버(12)에 노출되지 않은 상태로 표면이 개질될 수 있다. 임플란트는 도체 재질로, 바람직하게는 티타늄으로 구비될 수 있어 전류가 통하도록 연결된 후 전류가 인가되면 임플란트가 전극으로 기능하여 챔버(12) 또는 임플란트 포장체(50) 내의 공기가 이온화되어 플라즈마가 발생할 수 있다.

상기 임플란트(30)는 표면에 다공성(porous) 구조(31)를 포함할 수 있다. 티타늄이나 티타늄합금 또는 크롬코발트합금만으로 이루어지는 임플란트는 인체 이식시 골과의 초기결합시간이 길기 때문에 시술시 시술실패확률이 높아지게 되는 문제를 안고 있다. 다공성 구조는 이러한 임플란트의 표면에서 공극률을 높여 공극 내로의 골유착을 증진시키면서도 임플란트와 다공성 구조 사이의 접착력이 증대될 수 있다. 상기 다공성 구조(31)는 임플란트 금속표면에 금속분말을 통해 다공성의 코팅층을 형성함으로써 구성될 수 있다. 사용되는 금속분말은 티타늄 또는 티타늄합금 분말이나 코발트크롬 분말과 같은 생체적합성 소재 분말일 수 있다. 이에 따라 임플란트(30)의 이식 시 공극 내로의 골 내 성장을 이용한 골과의 결합력을 증대시킬 수 있다. 상기 다공성 구조(31)는 임플란트의 형상과 이식에 대한 설계에 따라 그 분포가 달라질 수 있다.

도 7 내지 도 8을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트 포장체(50) 및 임플란트(30)가 임플란트 포장체(50)에 수용되어 포장되는 것을 설명하도록 한다. 상기 임플란트 포장체(50)는 임플란트(30)를 수용하여 임플란트(30)의 외곽을 감싸 포장하도록 구비되며, 임플란트(30)를 수용한 채로 플라즈마 방전장비(10) 내로 제공될 수 있다. 임플란트 포장체(50)는 외부와 내부의 적어도 일부가 전류가 통할 수 있도록 상태로 구비되어 플라즈마 방전장비(10) 내에서 방전부(13)와 연결되어 전류가 인가되도록 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 임플란트 포장체(50)는 플라즈마 방전을 통해 내부의 임플란트의 표면이 친수성으로 개질될 수 있도록 할 수 있다. 상기 임플란트 포장체(50)는 가요성 백으로 형성될 수 있다. 임플란트 포장체(50)는 일측에 입구를 가져 임플란트(30)를 수용할 수 있으며, 임플란트(30)의 수용 후 입구가 압착되어 밀봉될 수 있다. 임플란트 포장체(50)는 연통홀(51), 전도부(53)를 포함할 수 있다.

상기 연통홀(51)은 임플란트 포장체(50)의 내외부가 유체연통할 수 있도록 형성된 홀로 구비되어 연통홀(51)을 통해 임플란트 포장체(50) 내부의 공기를 빼내거나 내부로 공기를 주입할 수 있도록 한다. 상기 연통홀(51)은 선택적으로 개폐가능하도록 구비될 수 있다. 상기 연통홀(51)은 임플란트(30)를 수용한 임플란트 포장체(50)가 플라즈마 방전장비(10) 내로 제공되기 전에 별도의 장비와 연결되어 임플란트 포장체(50) 내부의 공기를 빼내 임플란트 포장체 내부가 진공에 가깝도록 할 있으며, 임플란트(30)를 수용한 임플란트 포장체(50)가 플라즈마 방전장비(10) 내로 제공된 후 연결튜브(미도시)와 연결되어 내부의 공기가 제거될 수도 있다. 내부에 수용된 임플란트(30)가 표면이 친수성으로 개질되면 상기 연통홀(51)을 통해 임플란트 포장체(50) 내의 잔여 공기를 모두 빼내 임플란트 포장체(50) 내를 진공상태로 형성할 수도 있고, 임플란트 포장체(50) 내에 불활성 기체를 주입할 수도 있다. 이는 기체러리단계(S50)에서 후술하도록 한다. 기체처리단계(S50) 이후 상기 연통홀(51)은 폐색되어 임플란트 포장체(50)가 밀봉될 수 있다.

상기 전도부(53)는 상기 임플란트 포장체(50)가 전류가 통하도록 상기 임플란트 포장체(50)의 내부로부터 외부에 걸쳐 형성되는 도체 재질의 구성으로, 상술한 연결부(133)에 의해 전원(131)과 연결될 수 있다. 상기 전도부(53)는 후술하는 전류인가단계(S37)에서 전극으로 기능할 수 있다. 상기 전도부(53)는 적어도 하나 이상 구비될 수 있다. 따라서, 전도부(53)는 제1전도부(53a)를 포함하고, 제2전도부(53b)를 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 전도부(53)는 내부전도체(531) 및 외부전도체(533)를 포함할 수 있다.

상기 내부전도체(531)는 임플란트 포장체(50) 내부에서 전류가 통할 수 있도록 구비된다. 상기 내부전도체(531)는 소정 폭을 가지면서 연장되는 도체 포스트 또는 도체 판의 형상을 가짐이 바람직하다. 내부전도체(531)는 외부전도체(533)와 연결되어 임플란트 포장체 내외에 전류가 통하도록 구비될 수 있으나, 외부전도체(533)와 실질적으로 일체로 형성되어 임플란트 포장체(50)를 관통하면서 연장되는 구성일 수 있다.

상기 외부전도체(533)는 임플란트 포장체(50) 외부로 돌출되는 도체의 구성으로, 외부에서 파지 또는 접촉될 수 있도록 소정의 형상을 가짐이 바람직하다. 도 4 및 도 5에 도시되는 바와 같이, 상기 외부전도체(533)는 연결부(133)에 의해 파지되거나, 연결부(133)와 접촉함으로써 전원(131)으로부터 인가되는 전류를 내부전도체(531)에 전달하여 임플란트 포장체(50) 내에서 플라즈마 방전이 수행되도록 할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서는 도 7에서 볼 수 있는 바와 같이 상기 전도부(53)가 임플란트 포장체(50) 내 일측에 구비될 수 있다. 이에 따라 임플란트 포장체(50) 내에는 제1전도부(53a)만이 구비되어 후술하는 표면처리단계(S30)에서 제1전도부(53a)가 전극으로 기능하여 임플란트의 표면을 친수성으로 개질할 수 있다. 도 8에 도시된 본 발명의 다른 일 실시예에 있어서는, 임플란트 포장체(50)의 다른 일측에 제2전도부(53b)가 추가로 구비될 수 있다. 이에 따라 후술하는 표면처리단계(S30)에서 될 수 있다. 또한, 연결부(133)가 제1전도부(53a) 또는 제2전도부(53b) 중 하나의 전도부와 연결되어 하나의 전도부만이 전극으로 기능하고, 방전전극(135)과 함께 전원(131)으로부터의 직류 또는 교류 전압 인가를 통해 플라즈마 방전이 가능하다.

추가적으로, 도 9에 도시된 본 발명의 다른 일 실시예에서, 상기 임플란트 포장체(50)는 적어도 일부분에 플라즈마가 통과할 수 있는 재질로 형성되는 투과부(50a)를 포함할 수 있다. 플라즈마가 통과할 수 있는 상기 투과부는 투습지로 구비될 수 있다. 상기 투과부(50a)를 통해 내부의 습기가 외부로 방출될 수 있으며, 방전된 플라즈마가 투습지를 통과하여 임플란트(30) 방향으로 진행할 수 있다. 상기 투과부(50a)는 임플란트의 한쪽 방향에서 구비되는 것이 아니라 양쪽에서 구비될 수도 있다.

또한 상기 임플란트 포장체(50)는 적어도 다른 일부분에 플라즈마가 통과할 수 없는 재질로 형성되는 차폐부(50b)를 포함할 수 있다. 상기 차폐부(50b)는 임플란트(30)의 다른 일부분을 둘러싸며 임플란트(30)의 포장을 구성할 수 있다. 상기 차폐부(50b)는 플라스틱으로 구성될 수 있으며, 바람직하게는 PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 또는 PVC(폴리염화 비닐) 플라스틱 재질의 팩으로 구성된 블리스터 포장일 수 있다. 차폐부(50b)는 비정형 형상을 가질 수도 있으며, 내부에 수용되는 임플란트(30)와 대략 상보적인 형상을 가질 수도 있다. 투과부(50a)와 차폐부(50b)는 적어도 일부분이 서로 탈착가능하도록 구비될 수 있다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 투습지로 형성되는 투과부(50a)는 플라스틱으로 형성되는 차폐부(50b)로부터 제거될 수 있도록 구비될 수 있다.

도 10 내지 도 11을 참고하여 본 발명의 보강요소(60)를 설명하면, 상기 보강요소(60)는 임플란트 포장체(50) 내 임플란트(30)의 손상을 방지하기 위해 후술할 포장단계(S10)에서 임플란트(30)와 함께 임플란트 포장체(50)에 의해 포장되는 구성이다. 임플란트(30)는 상술한 바와 같이 표면에 다공성 구조(31)를 포함하는데, 이 다공성 구조는 외부충격에 의해 부서지거나 임플란트 포장체(50)와의 마찰에 의해 손상될 수 있고, 임플란트(30) 자체가 외부 충격에 의해 손상되는 경우도 있다. 이를 방지하기 위하여 상기 보강요소(60)는 상기 보강요소(60)는 고정부재(61), 박막(63), 스페이서(65)를 포함할 수 있다.

도 10을 참고하면, 상기 고정부재(61)는 임플란트를 임플란트 포장체 내에서 고정하도록 구비될 수 있다. 상기 고정부재(61)는 복수의 엘리먼트(element)로 구성될 수 있으나, 서로 연결된 단일의 엘리먼트로서 임플란트(30)와 임플란트(30)를 포장하는 임플란트 포장체(50) 사이에서 임플란트(30)를 고정할 수도 있다. 고정부재(61)는 충진재, 보강재와 같이 기능하여 임플란트(30)의 이동이나 흔들림을 방지한다.

상기 고정부재(61)는 플라즈마가 통과할 수 있는 구조를 가지면서 형성될 수 있다. 고정부재(61)는 서로 이격된 복수의 엘리먼트의 집합으로 형성됨으로써 고정부재 사이의 공간으로 플라즈마가 유동할 수 있도록 구비될 수 있으며, 고정부재가 서로 연결된 일체로 형성되더라도 플라즈마가 고정부재 바깥으로부터 안쪽의 임플란트(30)까지 연통가능하도록 공극 및/또는 빈 공간을 가질 수 있다.

도 11을 참고하면, 상기 박막(63)은 임플란트 표면의 다공성 구조(31)를 덮도록 구비될 수 있다. 임플란트(30) 표면에 형성된 다공성 구조(31)에 상응하는 면적의 박막(63)이 준비될 수 있고, 임플란트를 포장하는 과정에서 다공성 구조(31)가 형성된 위치에 대응하여 박막(63)이 도포될 수 있다. 상기 박막(63)은 임플란트(30) 표면으로부터 탈착될 수 있도록 구비됨이 바람직하다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 박막은 섬유 재질의 일면이 접착력을 가지도록 형성되어 사용자가 임플란트 표면으로부터 박막(63)을 떼어낼 수 있도록 구비될 수 있다.

상기 스페이서(65)는 임플란트 포장체(50) 내부에 구비되며 소정의 높이를 가지며 연장형성된다. 상기 스페이서(65)는 임플란트 포장체(50) 내에서 복수개 구비될 수 있다. 스페이서(65)는 임플란트 포장체(50)의 내면으로부터 임플란트(30)가 수용되는 내측으로 연장될 수 있는데, 도 11에 도시된 바와 같이 다공성 구조(31)가 형성되는 부분 주변에 구비되어 임플란트의 포장 시 다공성 구조(31)가 임플란트 포장체(50)에 닿아 다공성 구조(31)가 손상되거나 임플란트 포장체(50)에 손상이 가는 것을 방지할 수 있다. 이때 상기 스페이서(65)는 포장단계(S10)에서 그 위치가 다공성 구조(31)에 대응하도록 지정된 위치에 맞게 포장되어야 한다. 따라서, 다공성 구조(31)를 가지는 임플란트 표면은 스페이서(65) 사이에 위치하게 되어 포장 후 다공성 구조(31)의 손상이 방지될 수 있다.

본 발명의 다른 일 실시예에서, 고정부재(61)는 스페이서(65)와 실질적으로 동일한 구성일 수 있다. 임플란트 포장체 내면으로부터 임플란트가 수용되는 내측으로 연장되는 스페이서(65)는 복수의 엘리먼트(element)로 구성되어 임플란트를 임플란트 포장체 내에서의 변위를 구속할 수 있다.

다시 도 2 및 도 12 내지 도 14를 참고하여 본 발명에 따른 임플란트 표면처리 포장방법(S)을 설명하면, 상기 포장단계(S10)는 임플란트(30)의 외곽을 임플란트 포장체(50)로 감싸는 단계로써, 표면이 친수성으로 개질되지 않은 임플란트(30)가 임플란트 포장체(50) 내에 수용된다. 상기 포장단계(S10)는 임플란트(30)의 표면에 형성되는 다공성 구조(31)가 임플란트 포장체(50)와 면하지 않도록 포장할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서는 스페이서(65)가 형성된 임플란트 포장체(50)를 사용하여 상기 임플란트(30)를 포장할 수 있는데, 이때 스페이서(65)가 다공성 구조(31)의 주변에 위치하여 포장함으로써 다공성 구조(31)가 스페이서 사이에 위치하도록 지정된 위치에서 포장단계(S10)가 수행될 수 있다. 상기 포장단계(S10)는 고정부재 배치단계(S11), 박막 도포단계(S13), 포장위치 지정단계(S14), 임플란트를 고정부재와 함께 포장하는 단계(S15)를 포함할 수 있다.

도 12를 참고하면, 상기 고정부재 배치단계(S11)는 임플란트(30) 주변에 고정부재(61)를 배치하는 단계로서, 상기 고정부재(61)가 임플란트(30)와 임플란트 포장체(50) 사이에서 임플란트(50)의 흔들림 또는 변위를 구속하여 표면처리 및 운송 과정에서 임플란트(30)가 손상되지 않도록 한다.

상기 박막 도포단계(S13)는 임플란트(30)의 표면에 형성되는 다공성 구조(31)에 박막(63)을 도포하는 과정으로, 임플란트 표면으로부터 탈착가능한 박막을 다공성 구조(31)에 도포하거나 붙임으로써 다공성 구조(31)의 손상을 방지할 수 있다. 도 11에서 이를 확인할 수 있다.

상기 포장위치 지정단계(S14)는 스페이서(65)가 형성된 임플란트 포장체(50)로 상기 임플란트(30)를 포장하는 경우 수행될 수 있는 단계로서, 임플란트 포장체(50)가 임플란트(30)를 지정된 위치에서 포장하도록 포장단계(S10)에서의 임플란트 포장체 위치를 지정하는 단계이다. 자세하게는, 스페이서(65)가 지정된 위치에서 임플란트(30)를 포장하도록 스페이서(65)가 구비된 임플란트 포장체(50)의 포장 위치를 지정할 수 있다. 임플란트 표면에 형성되는 다공성 구조(31)의 위치에 대응되도록 포장 시 스페이서(65)의 위치가 지정될 수 있다. 이에 따라 포장 시 다공성 구조(31)를 가지는 임플란트 표면이 스페이서(65) 사이에 위치하여 다공성 구조(31)가 임플란트 포장체(50)에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서 상기 포장단계(S10)는 내부에 소정의 높이를 가지며 연장되는 복수의 스페이서(65)를 가지는 임플란트 포장체(50)로 임플란트(30)를 포장하고, 다공성 구조(31)를 가지는 임플란트 표면이 상기 스페이서(65) 사이에 위치하도록 임플란트 포장체가 지정된 위치에서 상기 임플란트를 포장할 수 있다.

상기 임플란트를 고정부재와 함께 포장하는 단계(S15)는 임플란트(30)를 임플란트 포장체(50)를 통해 포장하는 단계로서, 배치한 고정부재와 함께 임플란트(30)는 다공성 구조(31)가 형성된 표면에 박막이 도포된 상태일 수 있다. 또한, 스페이서(65)를 구비한 임플란트 포장체(50)에 의해 임플란트가 고정부재와 함께 포장될 수 있다.

본 발명의 다른 일 실시예에서는 고정부재 배치단계(S11)를 거치지 않고 고정부재(61)를 결여한 채 임플란트(30)가 임플란트 포장체(50)에 의해 포장될 수도 있다.

상기 임플란트 제공단계(S20)는 임플란트(30)를 수용한 임플란트 포장체(50)를 플라즈마 방전장비(10) 내에 제공하는 단계로서, 포장된 임플란트의 표면이 플라즈마 방전장비(10) 내에서 방전되는 플라즈마를 통해 친수성으로 개질될 수 있도록 한다. 본 발명의 일 실시예에서, 임플란트 포장체(50)의 플라즈마가 통과할 수 있도록 구비되는 투과부(50a)는 방전전극(135)과 면하도록 제공될 수 있다.

도 13을 참고하면, 상기 표면처리단계(S30)는 포장된 상태의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 단계로서, 전류를 인가하여 발생하는 플라즈마를 통해 임플란트의 표면에 형성된 탄소를 제거할 수 있다. 상기 표면처리단계(S30)는 임플란트(30)가 임플란트 포장체(50) 내에 수용된 상태에서 수행됨이 바람직하다. 상기 표면처리단계(S30)는 공기인출단계(S31), 컨택단계(S33), 전극연결단계(S35), 전류인가단계(S37) 및 개질단계(S39) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.

상기 공기인출단계(S31)는 임플란트 포장체(50) 내부의 공기를 빼내는 단계로서, 임플란트 포장체(50) 내부의 기압을 진공에 가깝게 형성하여 후술하는 전류인가단계(S37)에서 내부 기체가 플라즈마로 이온화될 수 있도록 한다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 공기인출단계(S31)는 임플란트를 수용한 임플란트 포장체(50)가 플라즈마 방전장비(10) 내부로 제공되기 전에 연통홀(51)을 통해 임플란트 포장체 내 공기를 인출할 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서, 상기 공기인출단계(S31)는 임플란트를 수용한 임플란트 포장체(50)가 플라즈마 방전장비(10) 내부로 제공된 후에 연통홀(51)에 연결튜브를 연결하여 임플란트 포장체(50) 내부의 공기를 제거하여 진공에 가깝게 만들 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 임플란트 포장체 내 기ㅇ압을 3torr 내지 10torr로 형성할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 공기인출단계(S31)에서는 플라즈마 방전장비(10)의 공기인출부(15)를 통해 챔버(12)의 내부 기압이 진공에 가까워지도록 챔버(12) 내 공기를 빼낼 수 있다. 도 4와 같이, 후술하는 전극연결단계(S35)에서 연결부(133)가 임플란트 포장체(50)의 일측에 연결되고 방전전극(135)이 전극으로 기능하는 경우 챔버(12)에서의 플라즈마 방전을 위하여 공기인출부(15)를 통해 챔버(12)를 진공에 가깝게 형성할 수 있다. 플라즈마가 임플란트 포장체(50) 내에서만 방전되도록 하는 경우에는 상기 공기인출단계(S31)에서 임플란트 포장체(50) 내부의 압력을 낮추도록 할 수 있다.

상기 컨택단계(S33)는 후술하는 전류인가단계(S37) 전에 상기 제1전도부(53a) 또는 전도부(53)를 임플란트에 접근시켜 임플란트와 전류가 통하도록 접촉시키는 과정이다. 임플란트 포장체(50) 내측으로 연장형성된 내부전도체(531)가 임플란트(30)의 표면과 접촉함으로써 전류가 임플란트(30)로 통하여 임플란트가 전극으로 기능하도록 할 수 있다. 상기 컨택단계(S33)는 선택적으로 수행될 수 있다. 상기 컨택단계(S33)를 결여하는 경우 내부전도체(531)가 전극으로 기능할 수 있다.

상기 전극연결단계(S35)는 임플란트 포장체(50) 내에 전류가 통하도록 상기 임플란트 포장체에 전극을 연결하는 과정이다. 전극연결단계(S35)는 전류인가단계(S37) 전에 수행될 수 있으며, 임플란트 포장체(50) 내에 전류가 통하도록 상기 임플란트 포장체(50)에 상기 플라즈마 방전장비의 방전부(13)를 연결시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 전원(131)과 연결된 연결부(133)가 플라즈마 방전장비(10) 내에 제공된 임플란트 포장체(50)의 전도부(53), 바람직하게는 외부전도체(533)를 파지하거나 접촉함으로써 달성될 수 있다. 전극연결단계(S35)는 상기 임플란트 포장체(50)의 적어도 일측에 도체로 형성되는 제1전도부(53)와 상기 방전부(13)를 연결하여 임플란트 포장체(50) 내부에 전류가 통하도록 할 수 있다. 바람직하게는, 도 4에서와 같이 방전전극(135)의 반대쪽에서 연결부(133)가 외부전도체(533)를 파지하여 전원(131)으로부터 임플란트 포장체(50) 내로 전류가 통하도록 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 전극연결단계(S35)는 내부 챔버의 적어도 일측면에 전원과 연결되어 전극으로 기능하는 방전전극(135)을 배치하고, 제1전도부(53)를 상기 방전전극과 반대되는 전극과 연결함으로써 달성될 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서는 도 5에 도시된 것과 같이 제1연결부(133a) 및 제2연결부(133b)가 임플란트 포장체(50) 양측의 제1전도체 및 제2전도체(53a, 53b)와 연결되어 임플란트 포장체 내부로 전류가 통하도록 할 수도 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서는 임플란트 포장체(50) 내부에 임플란트(30)를 사이에 두고 제1전도부(53a)와 면하는 제2전도부(53b)를 상기 방전부(13)와 연결하되, 제1전도부(53a)와 제2전도부(53b)는 서로 반대 전극과 연결되도록 함으로써 달성될 수 있다.

상기 전류인가단계(S37)는 플라즈마 방전장비에 전류를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 과정이다. 방전전극(135)과 연결부(133), 또는 제1연결부(133a)와 제2연결부(133b)에 전류를 인가함으로써 진공에 가까운 상태의 챔버(12) 내의 기체 및/또는 임플란트 포장체(50) 내의 기체가 플라즈마로 이온화되도록 한다. 직류를 통한 DC 글로우 방전이나 교류전압 인가를 통한 AC 또는 RF 글로우 방전이 수행될 수 있으며, 본 발명의 바람직한 일 실시예에서는 상기 방전전극(135)과 연결부(133)에 고압의 전류를 교류로 인가함으로써 진공에 가까운 상태의 챔버(12)와 임플란트 포장체(50) 내에서 플라즈마가 방전될 수 있도록 한다. 본 발명의 일 실시예에서는, 임플란트가 임플란트 포장체(50)에 의해 외부와 차단되어 있더라도 내부전도체(531)와 방전전극(135) 사이에서 강한 전압이 걸림에 따라 임플란트 포장체(50) 내부의 기체가 이온화되어 플라즈마가 생성될 수 있다. 컨택단계(S33)를 통해 임플란트 포장체(50) 내의 임플란트(30)가 전극으로 기능하여 임플란트(30)와 방전전극(135) 사이에서 전류인가에 따라 내부의 기체가 이온화되어 플라즈마가 생성될 수도 있다.

상기 개질단계(S39)는 방전된 플라즈마가 임플란트(30)의 표면을 친수성으로 개질하는 과정이다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 챔버(12) 내의 산소가 이온화되어 오존을 포함한 플라즈마가 생성될 수 있다. 플라즈마는 임플란트 포장체(50)의 내부에서 티타늄 표면의 탄소를 제거함으로써 임플란트의 표면이 친수성으로 개질될 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서, 임플란트 포장체(50)가 플라즈마가 통과할 수 있는 투과부(331) 및 플라즈마가 통과할 수 없는 차폐부(50b)로 구성되는 경우, 챔버(12) 내의 기체가 이온화되어 형성된 플라즈마는 방전전극(135)과 연결부(133) 사이에서 전기장에 의해 유동하게 되는데, 이 과정에서 제1포장(33)의 투과부(331)은 플라즈마가 통과할 수 있기 때문에 플라즈마가 제1포장(33)의 내부로 진행할 수 있다. 나아가, 차폐부(50b)는 플라즈마가 통과할 수 없는 재질로 형성됨으로써, 차폐부(50b)와 충돌한 후 되돌아나오는 플라즈마에 의해 임플란트의 표면이 더욱 개질될 수 있다.

도 14를 참고하면, 상기 기체처리단계(S50)는 임플란트 포장체 내부의 기체를 처리하여 포장된 임플란트의 안정성을 향상시키는 단계로서, 표면처리단계(S30) 이후에 수행될 수 있다. 상기 기체처리단계(S50)는 임플란트 포장체(50)가 플라즈마 방전장비(10) 내에 수용된 상태에서 수행될 수 있다. 기체처리단계(S50)는 임플란트 포장체(50)를 플라즈마 방전장비(10)로부터 꺼낸 후에 수행될 수도 있다. 상기 기체처리단계(S50)는 임플란트 포장체의 연통홀(51)을 통해 기체를 빼내거나 주입함으로써 달성될 수 있다. 상기 기체처리단계(S50)는 진공형성단계(S51), 불활성기체 충전단계(S53) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.

상기 진공형성단계(S51)는 임플란트 포장체 내부의 잔여 공기를 인출하여 임플란트 포장체 내부를 진공으로 형성시키는 단계이다. 연통홀(51)을 통해 내부의 공기를 빼내 임플란트 포장체(50) 내부를 진공으로 형성시킬 수 있다. 이를 통해 임플란트 포장체(50) 내부의 임플란트(30) 표면은 공기와의 접촉으로 인한 생물학적 노화현상이 방지될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 임플란트 포장체(50) 내부에 진공이 형성되더라도 고정부재(61)에 의해 임플란트 표면과 임플란트 포장체(50) 사이에 직접적인 접촉이 방지될 수 있다.

상기 불활성기체 충전단계(S53)는 플란트 포장 내부에 불활성 기체를 주입하는 단계이다. 연통홀(51)을 통해 아르곤, 네온 등의 불활성기체가 임플란트 포장체 내로 주입됨으로써 달성될 수 있다. 이를 통해 임플란트 포장체(50) 내부의 임플란트(30) 표면은 공기와의 접촉으로 인한 생물학적 노화현상이 방지될 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에서는 진공형성단계(S51)를 통해 임플란트 포장체(50) 내부의 잔여 공기를 빼내 진공상태로 만든 후 불활성기체 충전단계(S53)를 통해 내부에 불활성기체를 소량 충전하여 임플란트(30)가 보호되도록 할 수도 있다.

상기 밀봉단계(S70)는 기체처리된 임플란트 포장체(50)를 밀봉하는 단계로서, 외부의 공기가 임플란트 포장체(50) 내로 들어갈 수 없도록 임플란트 포장체(50)를 폐색하는 단계이다. 상기 밀봉단계(S70)는 연통홀(51)을 폐색함으로써 달성될 수 있으며, 임플란트 포장체(50)의 입구를 압착하여 접합함으로써 임플란트 포장체(50)를 밀봉할 수도 있다. 이에 따라 표면이 친수성으로 개질된 임플란트(30)는 진공상태 또는 불활성기체에 둘러싸인 채로 임플란트 포장체(50)에 의해 밀봉되어 표면의 친수성이 저하되는 것을 방지한 채로 공급될 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

S: 임플란트 표면처리 포장방법
S10: 포장단계 S20: 임플란트 제공단계
S30: 표면처리단계 S31: 공기인출단계(S31)
S33: 컨택단계 S35: 전극연결단계
S37: 전류인가단계 S39: 개질단계
S50: 기체처리단계 S70: 밀봉단계
10: 플라즈마 방전장비 11: 하우징
12: 챔버 13: 방전부
131: 방전전극 133: 연결부
15: 공기인출부
30: 임플란트 31: 다공성 구조
50: 임플란트 포장체 51: 연통홀
53: 전도부 531: 내부전도체
533: 외부전도체

Claims (18)

1. 표면에 다공성 구조를 가지는 임플란트의 외곽을 임플란트 포장체로 감싸는 포장단계, 내부에 챔버와 방전부를 가지는 플라즈마 방전장비 내로 포장된 임플란트를 제공하는 임플란트 제공단계, 포장된 상태의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 표면처리단계, 임플란트 포장체 내부의 기체를 처리하여 포장된 임플란트의 안정성을 향상시키는 기체처리단계 및 상기 임플란트 포장체를 밀봉하는 밀봉단계를 포함하며,
   상기 포장단계는 상기 임플란트의 표면에 형성되는 상기 다공성 구조가 임플란트 포장체와 면하지 않도록 상기 임플란트를 포장하며, 임플란트 표면에 형성되는 상기 다공성 구조에 박막을 도포하는 박막 도포단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 표면처리단계는 상기 임플란트 포장체 내부의 공기를 빼내는 공기인출단계, 상기 방전부에 전류를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 전류인가단계 및 방전된 플라즈마가 임플란트 포장체 내의 임플란트의 표면을 친수성으로 개질하는 개질단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 표면처리단계는 상기 전류인가단계 전에 임플란트 포장체 내에 전류가 통하도록 상기 임플란트 포장체에 상기 플라즈마 방전장비의 방전부를 연결하는 전극연결단계를 더 포함하고,
   상기 전극연결단계는 상기 임플란트 포장체의 적어도 일측에 도체로 형성되는 제1전도부와 상기 방전부를 연결하여 상기 임플란트 포장체 내부에 전류가 통하도록 하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 전극연결단계는 내부 챔버의 적어도 일측면에 전원과 연결되어 전극으로 기능하는 방전전극을 배치하고, 상기 제1전도부를 상기 방전전극과 반대되는 전극과 연결하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장방법.
5. 제3항에 있어서, 상기 전극연결단계는 상기 임플란트 포장체 내부에 임플란트를 사이에 두고 상기 제1전도부와 면하는 제2전도부를 상기 방전부와 연결하되, 상기 제1전도부와 제2전도부는 서로 반대 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장방법.
6. 제3항에 있어서, 상기 표면처리단계는 상기 전류인가단계 전에 상기 제1전도부를 임플란트에 접근시켜 임플란트와 전류가 통하도록 접촉시키는 컨택단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 기체처리단계는 임플란트 포장체 내부의 잔여 공기를 인출하여 임플란트 포장체 내부를 진공으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장방법.
8. 제1항에 있어서, 상기 기체처리단계는 임플란트 포장체 내부에 불활성 기체를 주입하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장방법.
9. 삭제
10. 삭제
11. 제1항에 있어서, 상기 포장단계는 내부에 소정의 높이를 가지며 연장되는 복수의 스페이서를 가지는 임플란트 포장체로 상기 임플란트를 포장하며, 임플란트 표면에 형성되는 다공성 구조가 상기 스페이서 사이에 위치하도록 상기 임플란트 포장체가 지정된 위치에서 상기 임플란트를 포장하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장방법.
12. 삭제
13. 제1항 내지 제8항, 제11항 중 어느 한 항의 방법으로 포장 및 표면처리된 임플란트.
14. 표면에 다공성 구조를 가지는 임플란트를 내부에 수용하며, 내외부가 유체연통할 수 있도록 개폐가능하게 형성된 연통홀, 전류가 통하도록 도체 재질로 구비되는 제1전도부, 상기 임플란트와 함께 포장되는 보강요소를 포함하되,
    상기 보강요소는 임플란트 표면에 형성된 다공성 구조의 위치에 대응하여 도포되는 박막을 포함하며, 상기 박막은 임플란트 표면으로부터 탈착될 수 있는 것을 특징으로 하는 임플란트 포장체.
15. 제14항에 있어서, 상기 제1전도부는 상기 임플란트 포장체 내부에서 소정 폭을 가지면서 연장되는 내부전도체, 상기 내부전도체와 연결되면서 상기 임플란트 포장체 외부로 돌출되는 외부전도체를 포함하여 상기 임플란트 포장체 내외로 전류가 통하도록 하는 것을 특징으로 하는 임플란트 포장체.
16. 제15항에 있어서, 상기 임플란트 포장체의 내부에서 임플란트를 사이에 두고 상기 제1전도부와 면하는 제2전도부를 더 포함하고,
    상기 제2전도부는 상기 임플란트 포장체 내부에서 소정 폭을 가지면서 연장되는 내부전도체, 상기 내부전도체와 연결되면서 상기 임플란트 포장체 외부로 돌출되는 외부전도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 포장체.
17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항의 임플란트 포장체, 상기 임플란트 포장체 내에 수용되는 임플란트 및 내부에 전류를 인가하여 플라즈마를 방전시키는 플라즈마 방전장비를 포함하고,
    상기 플라즈마 방전장비는 내부공간에 형성되는 챔버, 상기 챔버 내에 전류를 인가하여 플라즈마를 방전시키는 방전부 및 상기 챔버와 연결되어 챔버의 공기를 빼내도록 구비된 공기인출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장시스템.
18. 제17항에 있어서, 상기 방전부는 전류를 공급하는 전원과 상기 전원으로부터 챔버 내로 연장되는 연결부를 포함하되,
    상기 연결부는 임플란트 포장체와 전류가 통하도록 연결되어 상기 임플란트 포장체 내부에서 플라즈마를 방전시키는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면처리 포장시스템.

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